KR20130087417A - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDF

Info

Publication number
KR20130087417A
KR20130087417A KR1020130007386A KR20130007386A KR20130087417A KR 20130087417 A KR20130087417 A KR 20130087417A KR 1020130007386 A KR1020130007386 A KR 1020130007386A KR 20130007386 A KR20130007386 A KR 20130007386A KR 20130087417 A KR20130087417 A KR 20130087417A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
processing
board
liquid
tank
Prior art date
Application number
KR1020130007386A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
도모아키 아이하라
이치로 미츠요시
다다시 마에가와
게이이치 츠치야
Original Assignee
다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 filed Critical 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤
Publication of KR20130087417A publication Critical patent/KR20130087417A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Abstract

PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to reduce the consumption of processing solutions and to prevent a stripe contamination on a substrate. CONSTITUTION: A drying unit (3) includes a chamber (4) with an opening part (40). A processing bath (5) and a lifting unit (6) are installed in the chamber. The lifting unit includes a claw (61) to downwardly support a substrate (9) which is erected. A transferring and loading unit (211) raises the substrate between a transfer position and a delivery position of the processing bath. A processing solution nozzle (51) and an exhaust valve (52) are installed near the lower side of the processing bath.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명은, 원판형상의 기판을 처리하는 기술에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the technique of processing a disk-shaped board | substrate.

종래부터, 순수나 약액 등의 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치가 이용되고 있고, 예를 들어, 일본국 특허공개 2001－135710호 공보(문헌 1)의 기판 처리 장치에서는, 서로 평행하게 늘어선 직립 상태의 복수의 기판이 처리조 내에 배치되고, 복수의 기판에 대해 처리액에 의한 처리가 일괄하여 행해진다. 이때, 문헌 1의 장치에서는, 기판의 주면을 따르는 수평인 폭 방향의 양측으로부터 기판을 끼워 지지하는 한 쌍의 지지 부재(핸들링부)로부터, 직립 상태의 기판을 하방으로부터 지지하는 클로부(지지부)에 기판이 이재되고, 클로부가 처리조의 상방으로부터 하강함으로써, 처리조 내에 저류된 처리액 중에 기판이 침지된다.Conventionally, the substrate processing apparatus which processes a board | substrate using processing liquids, such as pure water and a chemical | medical solution, is used, For example, in the substrate processing apparatus of Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-135710 (document 1), they are mutually parallel. A plurality of substrates in a standing upright state are arranged in the processing tank, and the processing by the processing liquid is collectively performed on the plurality of substrates. At this time, in the apparatus of Document 1, a claw portion (supporting portion) for supporting a substrate in an upright state from a pair of support members (handling portions) which hold the substrate from both sides in the horizontal width direction along the main surface of the substrate from below. The substrate is transferred to the substrate, and the claw portion is lowered from above the treatment tank, whereby the substrate is immersed in the treatment liquid stored in the treatment tank.

그런데 문헌 1과 같이 클로부 상에 올려 놓여진 기판이 처리액 외부로부터 처리액 내부로 진입하는 경우에는, 클로부에 부착하는 불요물(예를 들어, 기판을 올려놓을 때 등에 클로부와 기판이 서로 스침으로써 발생한 미소한 불요물)에 의해, 기판의 주면 상에 상하 방향으로 늘어나는 줄무늬형상의 오염이 발생하는 일이 있다. 한 쌍의 지지 부재에 의해, 기판을 처리조의 저부 근방까지 반송하여 기판을 처리액 중에 침지하는 것도 생각할 수 있으나, 이 경우, 저부 근방에 있어서 한 쌍의 지지 부재에 의한 기판의 해방이 가능하도록, 처리조의 폭을 크게 할 필요가 있어, 처리액의 소비량이 증대해 버린다.However, when the substrate placed on the claw portion enters the processing liquid from the outside of the processing liquid as in Document 1, the unnecessary matter attached to the claw portion (for example, when the substrate is placed on the claw portion and the substrate are mutually different). Microfluidic substances generated by grazing) may cause streaked contamination that extends in the vertical direction on the main surface of the substrate. It is also conceivable to convey the substrate to the vicinity of the bottom of the treatment tank by means of the pair of support members and to immerse the substrate in the processing liquid. In this case, the release of the substrate by the pair of support members in the vicinity of the bottom is possible. It is necessary to enlarge the width of the treatment tank, and the consumption of the treatment liquid increases.

본 발명은, 판형상의 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 위한 것이며, 기판 상에 상기 줄무늬형상의 오염이 발생하는 것을 방지함과 더불어, 처리액의 소비량을 삭감하는 것을 목적으로 하고 있다.This invention is for the substrate processing apparatus which processes a plate-shaped board | substrate, It aims at preventing the said stripe-shaped contamination on a board | substrate, and reducing the consumption amount of a process liquid.

본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 처리액이 저류되는 처리조와, 상기 처리조 내에서 직립 상태의 기판을 하방으로부터 지지하는 클로부를 가지고, 상기 클로부가 상기 처리조의 저부 근방에 배치되는 액처리 위치와, 상기 클로부가 상기 처리조의 상부 근방에 배치되는 수도(受渡) 위치의 사이에서 상기 기판을 승강하는 승강부와, 직립 상태의 기판의 주면을 따르는 수평인 폭 방향의 간격을 변경 가능한 한 쌍의 지지 부재에 의해, 상기 기판을 지지함과 더불어, 상기 처리조의 상방인 반송 위치와 상기 수도 위치의 사이에서 상기 기판을 승강하는 이재부(移載部)와, 상기 이재부에 의해 상기 반송 위치로부터 상기 수도 위치로 기판을 반송하여, 상기 처리액 중에 위치하는 상기 클로부 상에 상기 기판을 올려놓은 제어부를 구비하며, 상기 액처리 위치에 배치된 기판의 상하 방향에 있어서의 적어도 중앙 위치에 있어서, 상기 폭 방향에 있어서의 상기 처리조의 내측면간 거리가, 상기 이재부의 양 지지 부재의 폭의 합을 상기 기판의 폭에 더한 값인 지지 부재와 기판의 합계 폭보다 작다.The substrate processing apparatus which concerns on this invention has the processing tank in which a process liquid is stored, and the claw part which supports the board | substrate of an upright state in the said processing tank from below, The liquid processing position in which the said claw part is arrange | positioned in the vicinity of the bottom part of the said processing tank, A pair of support portions capable of lifting and lowering the substrate between the water positions at which the claw portion is arranged near the upper portion of the treatment tank, and a pair of supports capable of changing a horizontal width direction along the main surface of the substrate in an upright state; The member is supported by the member, and is moved from the transfer position by the transfer portion and the transfer portion to lift the substrate between the transfer position that is above the treatment tank and the water supply position. The control part which conveyed a board | substrate to a water supply position, and put the said board | substrate on the said claw part located in the said processing liquid, The said liquid processing position At least the center position in the vertical direction of the arrange | positioned board | substrate WHEREIN: The support member whose distance between the inner side surfaces of the said processing tank in the said width direction is the value which added the width of the width | variety of the said board | substrate to the width | variety of the said board | substrate of the support member. Is smaller than the total width of the substrate.

본 발명에 따르면, 기판이 올려 놓여진 클로부가 처리액 외부로부터 처리액 내부로 진입하는 경우에 기판 상에 발생하는 줄무늬형상의 오염을 방지할 수 있다. 또, 이재부를 과도하게 처리액 중에 적시는 일 없이 기판을 클로부 상에 올려놓는 것과 더불어, 처리조의 소형화에 의해 처리액의 소비량을 삭감할 수도 있다.According to the present invention, when the claw portion on which the substrate is placed enters the processing liquid from the outside of the processing liquid, it is possible to prevent streaked contamination occurring on the substrate. In addition, the substrate can be placed on the claw portion without excessively wetting the transfer part in the processing liquid, and the consumption of the processing liquid can be reduced by miniaturization of the processing tank.

본 발명의 한가지 바람직한 형태에서는, 상기 처리조의 상기 상부의 상기 내측면간 거리가, 상기 한 쌍의 지지 부재에 의한 기판의 지지 및 해방이 가능한 폭이며, 상기 액처리 위치에 배치된 기판의 상기 상하 방향에 있어서의 상기 중앙 위치로부터 하측에 있어서, 상기 처리조의 상기 내측면간 거리가 상기 지지 부재와 기판의 합계 폭보다 작다.In one preferable aspect of the present invention, the distance between the inner surfaces of the upper portion of the treatment tank is a width at which the substrate can be supported and released by the pair of support members, and the upper and lower portions of the substrate disposed at the liquid treatment position are provided. Below the said center position in a direction, the distance between the said inner surface of the said processing tank is smaller than the total width of the said support member and a board | substrate.

본 발명의 다른 바람직한 형태에서는, 상기 상하 방향에 있어서의 상기 처리조의 전체에 있어서, 상기 내측면간 거리가 상기 지지 부재와 기판의 합계 폭보다 작다. 그 결과, 기판을 지지하는 지지 부재가 처리액 외부로부터 처리액 내부로 진입하는 경우에 기판 상에 발생하는 오염을 방지할 수 있다. 또, 처리액의 소비량을 더욱 삭감할 수도 있다.In another preferable aspect of the present invention, in the entire treatment tank in the vertical direction, the distance between the inner surfaces is smaller than the total width of the support member and the substrate. As a result, contamination occurring on the substrate when the support member for supporting the substrate enters the processing liquid from the outside of the processing liquid can be prevented. In addition, the consumption amount of the processing liquid can be further reduced.

본 발명의 한가지 국면에서는, 서로 평행하게 늘어선 직립 상태의 복수의 기판이 상기 클로부에 의해 지지되고, 상기 처리조가, 상기 액처리 위치에 배치된 상기 복수의 기판의 상하 방향에 있어서의 중앙 위치에 있어서 상기 복수의 기판의 외측 가장자리부를 지지하는 가이드를 가진다. 이에 의해, 각 기판이 휘어 인접하는 기판과 접촉하는 것을 방지할 수 있다.In one aspect of the present invention, a plurality of substrates in an upright state arranged parallel to each other are supported by the claw portion, and the processing tank is located at a central position in the vertical direction of the plurality of substrates arranged at the liquid processing position. And a guide for supporting outer edge portions of the plurality of substrates. Thereby, each board | substrate can be prevented from contacting an adjacent board | substrate.

본 발명의 다른 국면에서는, 기판 처리 장치가, 내부에 상기 처리조가 배치되고, 상부에 개폐 가능한 개구를 가지는 챔버와, 상기 처리조 내의 상기 처리액이 배출된 상태에서, 상기 수도 위치에 배치된 기판을 향해 처리 가스를 분출하는 가스 분출부를 더 구비하고, 상기 반송 위치가 상기 챔버의 상방이며, 상기 상하 방향에 있어서의 상기 액처리 위치와 상기 수도 위치 사이의 거리가, 기판의 폭 보다 작다. 이에 의해, 처리 가스에 의한 처리도 행하는 기판 처리 장치에 있어서 챔버의 높이를 작게 할 수 있다.In another aspect of the present invention, a substrate processing apparatus includes a chamber in which the processing tank is disposed inside, a chamber having an opening that can be opened and closed at an upper portion thereof, and a substrate disposed in the water supply position while the processing liquid in the processing tank is discharged. The gas ejection part which blows a process gas toward the said further is further provided, The said conveyance position is above the said chamber, and the distance between the said liquid process position and the said water supply position in the said up-down direction is smaller than the width of a board | substrate. Thereby, in the substrate processing apparatus which also performs the process by a process gas, the height of a chamber can be made small.

본 발명은, 기판 처리 장치에 있어서 판형상의 기판을 처리하는 기판 처리 방법도 위한 것이다.This invention is also for the substrate processing method which processes a plate-shaped board | substrate in a substrate processing apparatus.

상기 서술한 목적, 및 다른 목적, 특징, 상태 및 이점은, 첨부한 도면을 참조하여 이하에 행하는 이 발명의 상세한 설명을 더욱 명백하게 하고 있다.The above-mentioned objects and other objects, features, states, and advantages make the detailed description of the present invention made below with reference to the accompanying drawings more clear.

도 1은, 기판 처리 유닛의 평면도이다.
도 2는, 건조 처리부의 내부 구성을 도시하는 도이다.
도 3은, 건조 처리부에 있어서의 기판 처리의 흐름을 도시하는 도이다.
도 4는, 비교예의 장치를 도시하는 도이다.
도 5는, 건조 처리부의 다른 예를 도시하는 도이다.1 is a plan view of a substrate processing unit.
2 is a diagram illustrating an internal configuration of a drying treatment unit.
3 is a diagram illustrating a flow of substrate processing in a drying processing unit.
4 is a diagram illustrating a device of a comparative example.
5 is a diagram illustrating another example of the drying treatment unit.

도 1은 기판 처리 유닛(1)의 평면도이다. 기판 처리 유닛(1)은, 순수나 약액 등의 처리액에 의한 처리를 복수의 원판형상의 실리콘 기판(9)(이하, 간단히 「기판(9)」이라고 한다.)에 대해 일괄하여 행하는, 이른바 배치식의 장치이다. 도 1에서는, 서로 수직인 X 방향, Y 방향 및 Z 방향을 화살표로 도시하고 있다.1 is a plan view of the substrate processing unit 1. The so-called substrate processing unit 1 is a so-called process of collectively processing a plurality of disk-shaped silicon substrates 9 (hereinafter, simply referred to as "substrate 9") by a treatment liquid such as pure water or a chemical solution. It is a batch device. In FIG. 1, the X direction, the Y direction, and the Z direction which are perpendicular to each other are shown by the arrow.

기판 처리 유닛(1)은, 제어부(10)와, 카세트 유지부(11)와, 자세 변환부(12)와, 처리 유닛(2)으로 크게 구별되고, 카세트 유지부(11), 자세 변환부(12) 및 처리 유닛(2)은 제어부(10)에 의해 제어된다. 카세트 유지부(11)에서는, 수평 상태(주면이 연직 방향을 향하는 수평 자세)의 복수의 기판(9)을 상하 방향(연직 방향이며, 도 1 중의 Z 방향)으로 적층한 상태에서 수용하는 카세트(90)가 유지된다. 자세 변환부(12)에서는, 처리 전의 복수의 기판(9)이 카세트(90)로부터 반출됨과 더불어 복수의 기판(9)의 자세가 직립 상태(주면이 수평 방향을 향하는 직립 자세)로 변환되고, 서로 평행하게 늘어선 직립 상태의 복수의 기판(9)이 처리 유닛(2)에 수도된다. 또, 처리 유닛(2)에 의한 처리 후의 복수의 기판(9)이, 직립 상태에서 처리 유닛(2)으로부터 자세 변환부(12)에 수도되고, 복수의 기판(9)의 자세가 수평 상태로 변환된 후, 복수의 기판(9)은 카세트 유지부(11)의 카세트(90)로 일괄하여 되돌려진다.The substrate processing unit 1 is largely divided into the control unit 10, the cassette holding unit 11, the posture converting unit 12, and the processing unit 2, and the cassette holding unit 11 and the posture converting unit. 12 and the processing unit 2 are controlled by the control unit 10. In the cassette holding section 11, a cassette for accommodating a plurality of substrates 9 in a horizontal state (horizontal posture whose main surface faces the vertical direction) is stacked in a vertical direction (vertical direction, Z direction in FIG. 1) ( 90) is maintained. In the posture converting section 12, the plurality of substrates 9 before the processing are carried out from the cassette 90, and the postures of the plurality of substrates 9 are converted into an upright state (upright attitude with the main surface facing the horizontal direction), The plurality of substrates 9 in an upright state arranged in parallel with each other may be provided to the processing unit 2. Moreover, the some board | substrate 9 after the process by the processing unit 2 may be transferred from the processing unit 2 to the attitude | position conversion part 12 in an upright state, and the attitude | position of the some board | substrate 9 may be in a horizontal state. After the conversion, the plurality of substrates 9 are collectively returned to the cassette 90 of the cassette holder 11.

처리 유닛(2)은, 주반송 기구(21)와, 이재부 세정부(22)와, 제1 약액 처리부(23)와, 제2 약액 처리부(24)와, 건조 처리부(3)를 구비하고, 제1 약액 처리부(23), 제2 약액 처리부(24), 건조 처리부(3) 및 이재부 세정부(22)는, 이 순서대로 도 1 중의 Y 방향으로 배열된다. 제1 약액 처리부(23)는, 소정의 약액이 저류된 제1 약액조(231)와, 린스액이 저류된 제1 린스액조(232)와, 제1 약액조(231)로부터 제1 린스액조(232)로 복수의 기판(9)을 일괄하여 반송하는 제1 리프터(233)를 구비한다. 제2 약액 처리부(24)도, 제1 약액 처리부(23)와 마찬가지로, 소정의 약액이 저류된 제2 약액조(241)와, 린스액이 저류된 제2 린스액조(242)와, 제2 약액조(241)로부터 제2 린스액조(242)로 복수의 기판(9)을 일괄하여 반송하는 제2 리프터(243)를 구비한다.The processing unit 2 includes a main transport mechanism 21, a transfer part cleaning unit 22, a first chemical processing unit 23, a second chemical processing unit 24, and a drying processing unit 3. The first chemical processing unit 23, the second chemical processing unit 24, the drying processing unit 3, and the transfer unit cleaning unit 22 are arranged in the Y direction in FIG. 1 in this order. The first chemical liquid processing unit 23 includes a first chemical liquid tank 231 in which a predetermined chemical liquid is stored, a first rinse liquid tank 232 in which a rinse liquid is stored, and a first rinse liquid tank from the first chemical liquid tank 231. The first lifter 233 which conveys the several board | substrate 9 collectively at 232 is provided. Similar to the first chemical liquid processing unit 23, the second chemical liquid processing unit 24 also includes a second chemical liquid tank 241 in which a predetermined chemical liquid is stored, a second rinse liquid tank 242 in which a rinse liquid is stored, and a second A second lifter 243 for collectively conveying the plurality of substrates 9 from the chemical liquid tank 241 to the second rinse liquid tank 242 is provided.

주반송 기구(21)는, 복수의 기판(9)의 지지 및 승강을 행하는 이재부(211)와, 수평인 도 1 중의 Y 방향으로 이재부(211)를 이동시키는 이재부 이동 기구(212)를 구비한다. 이재부(211)는, Y 방향으로 간격을 벌려서 배치되는 한 쌍의 지지 아암(213)과, 한 쌍의 지지 아암(213)의 간격을 변경하는 아암 구동부와, 한 쌍의 지지 아암(213)을 Z 방향으로 승강하는 아암 승강부를 구비한다. 각 지지 아암(213)의 하부에는 X 방향으로 긴 지지 부재(214)가 설치되고, 지지 부재(214)에는 복수의 홈이 X 방향으로 일정한 피치로 형성된다. 아암 구동부는, X 방향으로 평행한 축을 중심으로서 각 지지 아암(213)을 회동함으로써, 한 쌍의 지지 부재(214)의 간격(즉, 한 쌍의 지지 부재(214) 사이의 간극의 거리)을 변경한다.The main transport mechanism 21 includes a transfer part 211 that supports and lifts the plurality of substrates 9 and a transfer part moving mechanism 212 that moves the transfer part 211 in the Y direction in FIG. 1 that is horizontal. It is provided. The transfer part 211 includes a pair of support arms 213 disposed to be spaced apart in the Y direction, an arm driver for changing the distance between the pair of support arms 213, and a pair of support arms 213. The arm lifting part for elevating in the Z direction is provided. A support member 214 elongated in the X direction is provided below each support arm 213, and a plurality of grooves are formed in the support member 214 at a constant pitch in the X direction. The arm drive unit rotates each support arm 213 about an axis parallel to the X direction, thereby adjusting the distance between the pair of support members 214 (that is, the distance between the pair of support members 214). Change it.

기판 처리 유닛(1)에서는, 자세 변환부(12)에 의해, 주면이 YZ평면에 평행한 직립 상태로 처리 유닛(2) 내에 복수의 기판(9)이 반송되고, Y 방향의 간격을 변경 가능한 한 쌍의 지지 부재(214)에 의해, 기판(9)의 주면을 따르는 Y 방향의 양측으로부터 복수의 기판(9)이 끼워져(정확하게는, 기판(9)의 엣지가 상기의 홈 내에 배치되어) 지지된다. 실제로는, 한 쌍의 지지 부재(214)의 간격은, 한 쌍의 지지 부재(214)에 의해 복수의 기판(9)을 협지하는 경우의 폭(기판(9)의 직경보다 작은 폭이며, 이하, 「협지폭」이라고 한다.), 및, 한 쌍의 지지 부재(214)로부터 복수의 기판(9)을 해방하는 경우의 폭(기판(9)의 직경보다 큰 폭이며, 이하, 「해방폭」이라고 한다.) 중 어느 하나로 된다.In the substrate processing unit 1, a plurality of substrates 9 are conveyed in the processing unit 2 by the posture converting unit 12 in an upright state in which the main surface is parallel to the YZ plane, and the interval in the Y direction can be changed. By the pair of support members 214, a plurality of substrates 9 are sandwiched from both sides in the Y direction along the main surface of the substrate 9 (exactly, the edges of the substrate 9 are disposed in the grooves above). Supported. In fact, the space | interval of a pair of support member 214 is the width (width smaller than the diameter of the board | substrate 9) when clamping a some board | substrate 9 by a pair of support member 214, , And "width of the gap.") And the width in the case of releasing the several board | substrate 9 from a pair of support member 214 (it is a width larger than the diameter of the board | substrate 9, and is called "release width" below). ).

이재부 세정부(22)는, Y 방향으로 배열된 2개의 세정조(221)를 가진다. 각 세정조(221) 내에는 세정액을 분출하는 노즐과, 질소 가스를 분출하는 노즐이 설치된다. 이재부(211)의 세정시에는, 한 쌍의 지지 부재(214)(및, 지지 아암(213)의 일부)가, 2개의 세정조(221) 내에 각각 배치된다. 그리고 세정액에 의해 지지 부재(214)가 세정되고, 그 후, 질소 가스에 의해 지지 부재(214)에 부착된 세정액이 제거된다(즉, 지지 부재(214)가 건조된다.)The transfer part cleaning part 22 has two cleaning tanks 221 arranged in the Y direction. In each cleaning tank 221, a nozzle for ejecting the cleaning liquid and a nozzle for ejecting the nitrogen gas are provided. At the time of washing | cleaning of the transfer material part 211, a pair of support member 214 (and a part of support arm 213) are arrange | positioned in two washing tanks 221, respectively. The support member 214 is cleaned by the cleaning liquid, and then the cleaning liquid attached to the support member 214 is removed by nitrogen gas (that is, the support member 214 is dried).

기판(9)을 각 약액 처리부(23, 24)에서 처리하는 경우에는, 복수의 기판(9)을 협지하는 이재부(211)가 약액조(231, 241)의 상방에 배치되고, 약액조(231, 241) 내의 리프터(233, 243)가 상방으로 이동한다. 리프터(233, 243)에는, 직립 상태의 기판(9)을 하방으로부터 지지하기 위한 복수의 클로부가 설치되어 있고, 기판(9)이 클로부에 맞닿은 후, 한 쌍의 지지 부재(214)의 간격이 해방폭까지 넓어짐으로써, 이재부(211)로부터 리프터(233, 243)에 복수의 기판(9)이 이재된다. 약액 처리부(23, 24)에서는, 리프터(233, 243)가 하강함으로써, 약액조(231, 241) 내에 복수의 기판(9)이 배치되고, 약액에 의한 처리가 복수의 기판(9)에 대해 일괄하여 행해진다.In the case where the substrate 9 is processed by each chemical processing unit 23, 24, the transfer part 211 holding the plurality of substrates 9 is disposed above the chemical processing tanks 231, 241, and the chemical processing tank ( Lifters 233 and 243 in 231 and 241 move upward. The lifters 233 and 243 are provided with a plurality of claw portions for supporting the substrate 9 in an upright state from below. After the substrate 9 abuts on the claw portions, a gap between the pair of support members 214 is provided. By extending to this release width, the plurality of substrates 9 are transferred from the transfer portion 211 to the lifters 233 and 243. In the chemical liquid processing units 23 and 24, the lifters 233 and 243 are lowered, so that a plurality of substrates 9 are arranged in the chemical liquid tanks 231 and 241, and the processing by the chemical liquid is performed on the plurality of substrates 9. It is done collectively.

약액에 의한 처리가 완료하면, 리프터(233, 243)가 상승하고, 이어서, 린스액조(232, 242)의 상방으로 이동한다. 그리고 리프터(233, 243)가 하강함으로써, 린스액조(232, 242) 내에 복수의 기판(9)이 배치되고, 린스액에 의한 처리가 복수의 기판(9)에 대해 일괄하여 행해진다. 린스액에 의한 처리가 완료하면, 리프터(233, 243)가 상승하고, 기판(9)이 린스액조(232, 242)의 상방에 배치된다. 이때, 이재부(211)도 린스액조(232, 242)의 상방에 배치되어 있고, 간격이 해방폭으로 넓어진 한 쌍의 지지 부재(214)의 사이에 복수의 기판(9)이 위치한다. 한 쌍의 지지 부재(214)의 간격이 협지폭까지 좁혀진 후, 리프터(233, 243)가 하강함으로써, 리프터(233, 243)로부터 이재부(211)에 복수의 기판(9)이 이재된다.When the treatment with the chemical liquid is completed, the lifters 233 and 243 are raised, and then moved above the rinse liquid tanks 232 and 242. As the lifters 233 and 243 descend, the plurality of substrates 9 are disposed in the rinse liquid tanks 232 and 242, and the treatment with the rinse liquid is collectively performed on the plurality of substrates 9. When the treatment with the rinse liquid is completed, the lifters 233, 243 are raised, and the substrate 9 is disposed above the rinse liquid tanks 232, 242. At this time, the transfer part 211 is also arrange | positioned above the rinse liquid tanks 232 and 242, and the several board | substrate 9 is located between the pair of support members 214 which the space | interval widened to the release width. After the space | interval of a pair of support member 214 is narrowed to the clamping width, the lifter 233, 243 descends, and the several board | substrate 9 is transferred to the transfer part 211 from the lifter 233, 243.

도 2는, 건조 처리부(3)의 내부 구성을 도시하는 도이며, 도 1 중의 건조 처리부(3)를 X 방향으로 수직인 면에서 절단한 단면을 도시한다. 또한, 도 2에서는, 이재부(211)의 일부도 도시함과 더불어, 세부에 있어서의 평행 사선의 도시를 생략하고 있다. 건조 처리부(3)는, 내부에서 기판(9)의 처리를 행함과 더불어, 상부에 개구(40)를 가지는 챔버(4)를 구비한다. 개구(40)에는, 개폐 가능한 커버(41)가 설치된다. 즉, 챔버(4)의 개구(40)는 개폐 가능하다. 챔버(4)의 내부에는, 소정의 처리액이 저류되는 처리조(5)와, 챔버(4) 내에서 기판(9)을 승강하는 승강부(6)가 설치된다.FIG. 2: is a figure which shows the internal structure of the drying process part 3, and shows the cross section which cut | disconnected the drying process part 3 in FIG. 1 at the surface perpendicular | vertical to an X direction. In addition, in FIG. 2, a part of transfer part 211 is shown, and the illustration of the parallel oblique line in detail is abbreviate | omitted. The drying processing part 3 performs the process of the board | substrate 9 inside, and is equipped with the chamber 4 which has the opening 40 in the upper part. The opening 40 is provided with a cover 41 that can be opened and closed. That is, the opening 40 of the chamber 4 can be opened and closed. Inside the chamber 4, a processing tank 5 in which a predetermined processing liquid is stored and a lifting unit 6 for lifting and lowering the substrate 9 in the chamber 4 are provided.

승강부(6)는, 도 2의 지면에 수직인 방향(X 방향이며, 이하, 「전후 방향」이라고도 한다.)으로 긴 복수의 클로부(61)와, 복수의 클로부(61)의 단부가 고정됨과 더불어 클로부(61)의 고정 위치로부터 상방으로 늘어나는 판형상의 지지 본체(62)와, 지지 본체(62)를 도 2의 상하 방향(Z 방향)으로 이동하는 승강 기구(도시 생략)를 가진다. 승강부(6)에서는, 복수의 클로부(61)에 의해, 서로 평행하게 늘어선 직립 상태의 복수의 기판(9)(실제로는, 전후 방향으로 조밀하게 늘어서 있다.)이 하방으로부터 지지된다. 또, 승강 기구에 의해 복수의 클로부(61)가 처리조(5)의 저부 근방에 배치됨으로써, 클로부(61) 상의 복수의 기판(9)은 액처리 위치(도 2 중에서 이점 쇄선으로 도시하는 클로부(61)에 의해 지지되는 위치)에 위치하고, 복수의 클로부(61)가 처리조(5)의 상부 근방에 배치됨으로써, 클로부(61) 상의 복수의 기판(9)은 수도 위치(도 2 중에서 실선으로 도시하는 클로부(61)에 의해 지지되는 위치)에 위치한다. 즉, 승강부(6)에 의해, 복수의 기판(9)이 처리조(5) 내의 액처리 위치와, 처리조(5)의 상부 근방의 수도 위치의 사이에서 승강한다.The lifting portions 6 are a plurality of claw portions 61 that are long in the direction perpendicular to the surface of FIG. 2 (hereinafter referred to as "front and rear direction") and the ends of the plurality of claw portions 61. And the lifting mechanism (not shown) which moves the plate-shaped support body 62 which extends upward from the fixed position of the claw portion 61 and the support body 62 in the vertical direction (Z direction) of FIG. 2. Have In the lifting unit 6, a plurality of claws 61 are supported from a plurality of substrates 9 (in fact, densely lined up in the front-rear direction) arranged in parallel with each other from below. In addition, the plurality of claw portions 61 are disposed in the vicinity of the bottom of the processing tank 5 by the elevating mechanism, so that the plurality of substrates 9 on the claw portion 61 are indicated by the dashed-dotted line in FIG. 2. Position) and the plurality of claw portions 61 are disposed near the upper portion of the processing tank 5, so that the plurality of substrates 9 on the claw portion 61 are in the water supply position. It is located in the position (supported by the claw part 61 shown by a solid line in FIG. 2). That is, the lifting section 6 lifts and lowers the plurality of substrates 9 between the liquid processing position in the processing tank 5 and the water supply position near the upper portion of the processing tank 5.

처리조(5)는, 상부가 개구된 대략 상자형이며, 도 2 중의 Y 방향(이하, 「폭방향」이라고 한다.)에 있어서의 처리조(5)의 상부의 폭은 하부의 폭보다 크다. 상세하게는, 액처리 위치에 배치되는 기판(9)의 상하 방향에 있어서의 중앙 위치의 약간 상방으로 처리조(5)의 폭은 변화한다. 폭 방향에 있어서 서로 마주하는 처리조(5)의 2개의 내측면(50) 사이의 거리를 내측면간 거리로 하고, 처리조(5)의 하부에 있어서의 내측면간 거리는, 기판(9)의 폭, 즉 직경과 거의 동일하다(정확하게는, 직경보다 약간 크다.). 본 실시 형태에서는, 기판(9)의 직경은 예를 들어 450mm(밀리미터)이다.The processing tank 5 is a substantially box shape with an upper portion opened, and the width of the upper portion of the processing tank 5 in the Y direction (hereinafter referred to as the "width direction") in FIG. 2 is larger than the width of the lower portion. . In detail, the width | variety of the processing tank 5 changes slightly upward of the center position in the up-down direction of the board | substrate 9 arrange | positioned at a liquid processing position. The distance between two inner surfaces 50 of the processing tank 5 facing each other in the width direction is defined as the distance between the inner surfaces, and the distance between the inner surfaces in the lower portion of the processing tank 5 is the substrate 9. Is almost equal to the width, i.e., diameter (exactly, slightly larger than diameter). In this embodiment, the diameter of the board | substrate 9 is 450 mm (millimeters), for example.

또, 처리조(5)의 상부에 있어서의 내측면간 거리는, 이재부(211)의 양 지지 부재(214)의 폭의 합을 기판(9)의 폭 즉 직경에 더한 값인 지지 부재와 기판의 합계 폭보다 크고, 복수의 기판(9)을 지지하는 한 쌍의 지지 부재(214)가 진입 가능한 폭이다. 더욱 상세하게는, 처리조(5)의 상부에 있어서의 내측면간 거리는, 간격이 해방폭으로 넓어진 한 쌍의 지지 부재(214)의 외측면(타방의 지지 부재(214)와는 반대측면)간의 거리보다 크고, 한 쌍의 지지 부재(214)에 의한 기판(9)의 지지 및 해방이 가능한 폭이다. 2개의 내측면(50)의 각각에서는, 액처리 위치에 배치되는 기판(9)의 상하 방향에 있어서의 중앙 위치의 높이에서, 복수의 기판(9)의 외측 가장자리부를 지지하는 즐치(櫛齒)형상의 가이드(53)(복수의 홈이 전후방향에 일정한 피치로 배열된 가이드(53))가 설치된다. 액처리 위치에 배치되는 복수의 기판(9)은, 처리조(5)의 저부 근방에 배치된 복수의 클로부(61)에 의해 하방으로부터 지지됨과 더불어, 2개의 내측면(50) 상의 가이드(53)에 의해, 폭 방향의 양측으로부터 지지된다.In addition, the distance between the inner surfaces of the upper portion of the processing tank 5 is the sum of the widths of both supporting members 214 of the transfer part 211 plus the width of the substrate 9, that is, the diameter of the supporting member and the substrate. Larger than the total width, the pair of support members 214 supporting the plurality of substrates 9 is a width that can be entered. More specifically, the distance between the inner surfaces of the upper portion of the processing tank 5 is defined between the outer surfaces of the pair of supporting members 214 (sides opposite to the other supporting members 214) whose spacing is widened at the release width. It is larger than the distance, and it is the width which can support and release the board | substrate 9 by a pair of support member 214. In each of the two inner side surfaces 50, the bladder which supports the outer edge part of the some board | substrate 9 at the height of the center position in the up-down direction of the board | substrate 9 arrange | positioned at a liquid process position. A guide 53 (guide 53 having a plurality of grooves arranged at a constant pitch in the front-rear direction) is provided. The plurality of substrates 9 arranged at the liquid treatment position are supported from below by the plurality of claw portions 61 disposed near the bottom of the processing tank 5, and on the two inner surfaces 50. 53) is supported from both sides in the width direction.

처리조(5)의 저부 근방에는, 처리액을 공급하는 처리액 노즐(51)과, 처리조(5)의 배출구에 부착된 배출 밸브(52)가 설치된다. 처리액 노즐(51)은 처리액 공급부에 접속되고, 배출 밸브(52)는 배출관을 통해 배액 처리부에 접속된다.In the vicinity of the bottom of the processing tank 5, a processing liquid nozzle 51 for supplying the processing liquid and a discharge valve 52 attached to the discharge port of the processing tank 5 are provided. The processing liquid nozzle 51 is connected to the processing liquid supply part, and the discharge valve 52 is connected to the drainage processing part through the discharge pipe.

챔버(4)의 내부에는, 수도 위치에 있어서의 복수의 기판(9)을 향해 가스를 분출하는 복수의(도 1에서는 4개의) 가스 분출부(7)가 더 설치된다. 각 가스 분출부(7)에서는, 복수의 분출구가 전후 방향으로 배열되어 있어, 복수의 기판(9)에 대해 대략 균일하게 가스를 분출하는 것이 가능하다. 각 가스 분출부(7)는, 가스 유로인 가스 공급관을 통해 질소 가스의 공급부 및 IPA(이소프로필 알코올) 증기의 공급부에 접속되고, 질소 가스 및 IPA 증기를 선택적으로 분출 가능하다. 또한, IPA 증기에는, 캐리어 가스로서의 질소 가스가 포함된다.In the chamber 4, a plurality of gas ejecting portions 7 that eject gas toward the plurality of substrates 9 in the water supply position are further provided. In each gas ejection part 7, a plurality of ejection openings are arranged in the front-back direction, and it is possible to eject a gas substantially uniformly with respect to the some substrate 9. Each gas blowing part 7 is connected to the supply part of nitrogen gas and the supply part of IPA (isopropyl alcohol) vapor | steam through the gas supply line which is a gas flow path, and can selectively eject nitrogen gas and IPA vapor. In addition, IPA vapor contains nitrogen gas as a carrier gas.

다음에, 건조 처리부(3)에 있어서의 기판(9)의 처리에 대해 도 3을 참조하여 설명한다. 건조 처리부(3)에서는, 제1 또는 제2 약액 처리부(23, 24)에 있어서의 처리 후의 기판(9)의 건조가 행해진다. 도 2의 건조 처리부(3)에 있어서의 기판(9)의 처리에서는, 우선, 처리액 노즐(51)로부터 순수가 처리액으로서 분출하고, 처리조(5) 내에 처리액이 저류된다(스텝 S11). 또, 약액 처리부(23, 24)에서 처리가 행해진 복수의 기판(9)은, 기술한 바와 같이 리프터(233, 243)로부터 이재부(211)에 이재되고(도 1 참조), 이재부(211)가 Y 방향으로 이동함으로써, 도 2에 도시한 바와 같이, 복수의 기판(9)이 건조 처리부(3)의 챔버(4)의 상방인 위치(이하, 「반송 위치」라고 한다.)로 반송된다. 이어서, 챔버(4)의 커버(41)가 개방되고, 지지 아암(213)이 하강함으로써, 복수의 기판(9)이 챔버(4) 내로 반입된다.Next, the process of the board | substrate 9 in the drying process part 3 is demonstrated with reference to FIG. In the drying process part 3, the drying of the board | substrate 9 after the process in the 1st or 2nd chemical liquid process parts 23 and 24 is performed. In the process of the board | substrate 9 in the drying process part 3 of FIG. 2, the pure water blows out as process liquid from the process liquid nozzle 51, and a process liquid is stored in the process tank 5 (step S11). ). In addition, the plurality of substrates 9 subjected to the processing in the chemical processing units 23 and 24 are transferred from the lifters 233 and 243 to the transfer unit 211 (see FIG. 1), and the transfer unit 211 2 moves in the Y direction, and as shown in FIG. 2, the plurality of substrates 9 are conveyed to a position (hereinafter, referred to as a "conveying position") above the chamber 4 of the drying processing unit 3. do. Subsequently, the cover 41 of the chamber 4 is opened, and the support arm 213 is lowered, so that the plurality of substrates 9 are loaded into the chamber 4.

이때, 처리조(5)의 상단까지 처리액이 채워져 있고, 수도 위치에 있어서의 복수의 클로부(61)는 처리액 중에 위치한다. 한 쌍의 지지 부재(214)는 처리조(5)의 상부의 내측에 진입 하고(즉, 처리액 중에 진입하고), 기판(9)이 처리조(5)의 상부 근방의 수도 위치로 반송되며, 처리액 중의 복수의 클로부(61) 상에 올려 놓여진다(스텝 S12). 한 쌍의 지지 부재(214)의 간격은 해방 폭으로 넓어지고, 그 후, 지지 아암(213)이 상승하여 챔버(4)로부터 퇴피한다. 지지 아암(213)의 퇴피 후, 커버(41)가 폐색되고, 챔버(4)가 대략 밀폐된다.At this time, the processing liquid is filled up to the upper end of the processing tank 5, and the plurality of claw portions 61 in the water supply position are positioned in the processing liquid. The pair of supporting members 214 enters the inside of the upper portion of the processing tank 5 (ie, enters into the processing liquid), and the substrate 9 is conveyed to the water position near the upper portion of the processing tank 5. It is mounted on the some claw part 61 in a process liquid (step S12). The space between the pair of support members 214 is widened to the release width, and then the support arms 213 are raised to withdraw from the chamber 4. After the support arm 213 is retracted, the cover 41 is closed and the chamber 4 is substantially sealed.

이어서, 승강부(6)에 의해 복수의 기판(9)이 하강하여 처리액 내의 액처리 위치에 배치된다(스텝 S13). 즉, 복수의 기판(9)의 전체가 처리액 중에 침지되고, 기판(9)이 젖은 상태로 유지된다. 또, 가스 분출부(7)에서는, 소정 온도로 가열된 IPA 증기가 소정의 유량으로 분출된다. IPA 증기의 분출 개시로부터 소정 시간 경과하여 챔버(4) 내에 IPA 증기가 충만하면(스텝 S14), 배출 밸브(52)를 개방함으로써, 처리조(5) 내의 처리액이 단시간에 배출된다(스텝 S15). 그리고 승강부(6)에 의해 복수의 기판(9)이 상승하여 수도 위치에 배치된다(스텝 Sl6). 이에 의해, 기판(9)의 표면에 있어서 IPA 증기가 응축한다.Subsequently, the plurality of substrates 9 are lowered by the elevating unit 6 and disposed at the liquid processing position in the processing liquid (step S13). That is, the whole of the some board | substrate 9 is immersed in process liquid, and the board | substrate 9 is kept wet. Moreover, in the gas blowing part 7, IPA vapor heated at the predetermined temperature is blown off at a predetermined flow rate. When the IPA vapor is filled in the chamber 4 after a predetermined time has elapsed from the start of the ejection of the IPA steam (step S14), the discharging valve 52 is opened to discharge the processing liquid in the processing tank 5 in a short time (step S15). ). Then, the plurality of substrates 9 are lifted by the elevating unit 6 and placed at the water supply position (step Sl6). As a result, IPA vapor condenses on the surface of the substrate 9.

그 후, IPA 증기의 분출이 정지되고, 소정 온도로 가열된 질소 가스가 가스 분출부(7)로부터 힘차게 분출된다(스텝 S17). 또, 챔버(4)에 접속된 감압 기구(도시 생략)에 의해 챔버(4) 내가 감압된다. 이와 같이, 처리조(5) 내의 처리액이 배출된 상태로(즉, 처리조(5) 내에 처리액이 존재하지 않는 상태로), 수도 위치에 배치된 기판(9)을 향해 가스 분출부(7)로부터 질소 가스를 분출함과 더불어, 챔버(4) 내를 감압함으로써, 기판(9)의 표면에 부착한 IPA(순수를 포함한다.)가 단시간에 효율적으로 제거된다. 또한, 수도 위치는, 질소 가스로 기판(9)을 건조하는 가스 처리 위치이기도 하다.Thereafter, the ejection of the IPA vapor is stopped, and the nitrogen gas heated to the predetermined temperature is ejected vigorously from the gas ejection section 7 (step S17). Moreover, the inside of the chamber 4 is pressure-reduced by the pressure reduction mechanism (not shown) connected to the chamber 4. In this manner, in the state in which the processing liquid in the processing tank 5 is discharged (that is, in a state in which the processing liquid does not exist in the processing tank 5), the gas ejection part ( By blowing out nitrogen gas from 7) and depressurizing the inside of the chamber 4, IPA (containing pure water) adhering to the surface of the substrate 9 is efficiently removed in a short time. In addition, the water position is also a gas treatment position for drying the substrate 9 with nitrogen gas.

질소 가스의 분출 및 챔버(4) 내의 감압이 소정 시간 계속되면, 감압 기구의 구동이 정지됨과 더불어, 질소 가스의 유량이 낮아진다. 챔버(4) 내가 대기압으로 돌아오면, 커버(41)가 개방된다. 이어서, 챔버(4)의 상방에 배치된 지지 아암(213)이 하강하고, 간격이 해방폭으로 넓어진 한 쌍의 지지 부재(214)가, 수도 위치의 복수의 기판(9)의 폭 방향에 있어서의 양 외측에 배치된다. 한 쌍의 지지 부재(214)의 간격이 협지폭까지 좁혀진 후, 승강부(6)가 하강함으로써, 승강부(6)로부터 이재부(211)에 복수의 기판(9)이 이재된다. 또한, 한 쌍의 지지 부재(214)는, 이재부 세정부(22)에 의해 세정 및 건조되어 있다. 그 후, 지지 아암(213)이 상승함으로써, 복수의 기판(9)이 챔버(4)로부터 반출되고, 반송 위치에 배치된다(스텝 S18). 이에 의해, 건조 처리부(3)에 있어서의 기판(9)의 처리가 완료한다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 이재부(211)의 지지 부재(214)를 처리액 중에 진입시키고 싶지 않은 경우에는, 클로부(61)가 완전하게 액면으로부터 멀어질 때까지 승강부(6)를 상승시키고 나서 기판을 수도하는 동작도 선택 가능하다.When the jet of nitrogen gas and the decompression in the chamber 4 continue for a predetermined time, the driving of the decompression mechanism is stopped and the flow rate of the nitrogen gas is lowered. When the chamber 4 returns to atmospheric pressure, the cover 41 is opened. Subsequently, the pair of support members 214 having the support arms 213 disposed above the chamber 4 descending and the intervals widened to the release width in the width direction of the plurality of substrates 9 at the water supply position. It is disposed on both sides of the. After the space | interval of a pair of support member 214 is narrowed to the clamping width, the lifting part 6 falls, and the some board | substrate 9 is transferred from the lifting part 6 to the transfer part 211. In addition, the pair of supporting members 214 are washed and dried by the transfer part cleaning unit 22. Then, the support arm 213 raises, and the some board | substrate 9 is carried out from the chamber 4, and is arrange | positioned at a conveyance position (step S18). Thereby, the process of the board | substrate 9 in the drying process part 3 is completed. In addition, in this embodiment, when it is not desired to enter the support member 214 of the transfer part 211 into the processing liquid, the lifting unit 6 is moved until the claw portion 61 is completely separated from the liquid surface. It is also possible to select an operation of raising the substrate after raising.

도 4는, 비교 예의 장치를 도시하는 도이다. 도 4의 비교 예의 장치에서는, 수도 위치에 있어서의 기판(91)(도 4 중에서 실선으로 도시하는 기판)이 처리조(922)의 처리액 외부에 배치된 클로부(921)에 의해 지지되기 때문에, 기판(91)이 액처리 위치(이점 쇄선으로 도시하는 기판(91)의 위치)로 이동하는 경우에, 클로부(921)가 처리액 외부로부터 처리액 내부로 진입하고, 클로부(921)에 부착하는 불요물(예를 들어, 기판을 올려놓을 때 등에 클로부(921)와 기판이 서로 스침으로써 발생한 미소한 불요물)에 의해, 기판의 주면 상에 상하 방향으로 늘어나는 줄무늬형상의 오염이 발생하는 일이 있다. 또, 한 쌍의 지지 부재에 의해, 기판을 처리조의 저부 근방까지 반송하여 기판을 처리액 중에 침지하는 다른 비교예의 장치를 상정했을 경우, 이러한 장치에서는, 저부 근방에 있어서 한 쌍의 지지 부재에 의한 기판의 해방이 가능하도록, 처리조의 폭을 크게 할 필요가 있으며, 처리액의 소비량이 증대해 버린다.4 is a diagram illustrating a device of a comparative example. In the apparatus of the comparative example of FIG. 4, since the board | substrate 91 (a board | substrate shown by a solid line in FIG. 4) in a water supply position is supported by the claw part 921 arrange | positioned outside the process liquid of the processing tank 922, When the substrate 91 moves to the liquid processing position (the position of the substrate 91 shown by the dashed-dotted line), the claw portion 921 enters the processing liquid from the outside of the processing liquid, and the claw portion 921 Stripe-shaped contamination that extends in the vertical direction on the main surface of the substrate is caused by the unnecessary matter attached to the substrate (for example, a minute unnecessary matter caused by the claw portion 921 and the substrate rub against each other when the substrate is placed). It may happen. Moreover, when the apparatus of the other comparative example which conveys a board | substrate to the bottom vicinity of a processing tank and immerses a board | substrate in a processing liquid is assumed by a pair of support members, in such an apparatus, it is by a pair of support members in a bottom vicinity. It is necessary to increase the width of the treatment tank so that the substrate can be released, and the consumption of the treatment liquid increases.

이에 비해, 건조 처리부(3), 이재부(211) 및 제어부(10)가 협동하여 실현되는 기판 처리 장치에서는, 액처리 위치에 배치된 기판(9)의 상하 방향에 있어서의 중앙 위치에 있어서, 처리조(5)의 내측면간 거리가, 이재부(211)의 양 지지 부재(214)의 폭의 합을 기판(9)의 폭 즉 직경에 더한 값인 지지 부재와 기판의 합계 폭보다 작다. 그리고 이재부(211)에 의해 처리조(5)의 상방의 반송 위치로부터 처리조(5)의 상부 근방의 수도 위치로 기판(9)을 반송하는 경우에, 이재부(211)를 과도하게 처리액 중에 적시는 일 없이 처리액 중에 위치하는 클로부(61) 상에 기판(9)이 올려 놓인다. 이러한 기판 처리 장치에서는, 기판이 올려 놓여진 클로부가 처리액 외부로부터 처리액 내부로 진입하는 경우에 기판 상에 발생하는 (가능성이 있는) 줄무늬형상의 오염을 방지할 수 있다. 또, 처리조의 소형화에 의해 처리액의 소비량을 삭감할 수도 있다.On the other hand, in the substrate processing apparatus which the drying processing part 3, the transfer material part 211, and the control part 10 cooperate and implement | achieve, in the center position in the up-down direction of the board | substrate 9 arrange | positioned at a liquid processing position, The distance between the inner surfaces of the processing tank 5 is smaller than the total width of the supporting member and the substrate, which is a value obtained by adding the width of the supporting members 214 of the transfer part 211 to the width, that is, the diameter, of the substrate 9. And when the board | substrate 9 is conveyed by the transfer part 211 from the upper conveyance position of the process tank 5 to the water supply position of the upper vicinity of the process tank 5, the transfer part 211 is processed excessively. The substrate 9 is placed on the claw portion 61 positioned in the processing liquid without being wetted in the liquid. In such a substrate processing apparatus, it is possible to prevent (possibly) striped contamination occurring on the substrate when the claw portion on which the substrate is placed enters the processing liquid from the outside of the processing liquid. Moreover, the consumption amount of a process liquid can also be reduced by size reduction of a process tank.

또, 도 4의 비교 예의 장치에서는, 액처리 위치와 수도 위치의 사이의 거리(도 4 중에 이점 쇄선으로 도시하는 기판과, 실선으로 도시하는 기판의 중심간 거리)가 기판의 직경보다 크기 때문에, 챔버(923)의 높이가 커져 버린다. 따라서, 대형 기판용의 장치에서는, 장치 자체의 반송(장치의 제조 장소로부터 사용 장소로의 반송) 등에 지장이 생길 가능성이 있다.Moreover, in the apparatus of the comparative example of FIG. 4, since the distance (the distance between the center of a board | substrate shown by the dashed-dotted line and the solid line in FIG. 4) between a liquid processing position and a water supply position is larger than the diameter of a board | substrate, The height of the chamber 923 becomes large. Therefore, in the apparatus for large format board | substrates, there exists a possibility that a trouble may arise in conveyance of the apparatus itself (transfer from the manufacture place of an apparatus to a use place).

이에 비해, 건조 처리부(3)에서는, 클로부(61)가 처리조(5) 내에 배치된 상태에서 기판(9)이 이재부(211)로부터 클로부(61)에 수도되고, 상하 방향에 있어서의 액처리 위치와 수도 위치의 사이의 거리가, 기판(9)의 직경보다 작다. 이에 의해, 처리액 및 처리 가스에 의한 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서 챔버(4)의 높이를 작게 할 수 있고, 대형 기판의 처리에 이용되는 기판 처리 장치의 대형화를 억제할 수 있다(후술의 도 5의 건조 처리부(3a)에 있어서 같음).On the other hand, in the drying process part 3, the board | substrate 9 may transfer from the transfer part 211 to the claw part 61 in the state in which the claw part 61 is arrange | positioned in the processing tank 5, and in the up-down direction The distance between the liquid treatment position and the water supply position is smaller than the diameter of the substrate 9. Thereby, in the substrate processing apparatus which performs the process by a process liquid and a process gas, the height of the chamber 4 can be made small, and the enlargement of the substrate processing apparatus used for the process of a large substrate can be suppressed (to be described later). Same in the drying process part 3a of FIG.

그런데 서로 평행하게 늘어선 직립 상태의 복수의 대형 기판(9)을 클로부(61)만으로 지지하는 경우, 처리 중에 각 기판(9)이 휘어져 인접하는 기판(9)과 접촉하여, 기판(9) 상에 형성된 패턴이 손상될 우려가 있다. 이에 대해, 건조 처리부(3)에서는, 처리조(5)가, 액처리 위치에 배치된 복수의 기판(9)의 상하 방향에 있어서의 중앙 위치에 있어서 복수의 기판(9)의 외측 가장자리부를 지지하는 가이드(53)를 가짐으로써, 각 기판(9)이 휘어져 인접하는 기판(9)과 접촉하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판을 처리조의 저부 근방까지 반송하여 기판을 처리액 중에 침지하는 상기 다른 비교예의 장치에서는, 이러한 가이드를 설치하는 것이 어렵다.By the way, when supporting the several large board | substrates 9 of the upright state parallel to each other only by the claw part 61, each board | substrate 9 will bend during a process, and it will contact with the adjacent board | substrate 9, and will be on the board | substrate 9 There is a fear that the pattern formed on the substrate may be damaged. On the other hand, in the drying process part 3, the processing tank 5 supports the outer edge part of the some board | substrate 9 in the center position in the up-down direction of the some board | substrate 9 arrange | positioned at the liquid process position. By having the guide 53, each of the substrates 9 can be prevented from coming into contact with the adjacent substrates 9. Moreover, in the apparatus of the said other comparative example which conveys a board | substrate to the bottom vicinity of a processing tank, and immerses a board | substrate in a processing liquid, it is difficult to provide such a guide.

도 5는, 건조 처리부의 다른 예를 도시하는 도이다. 도 5의 건조 처리부(3a)는, 도 2의 건조 처리부(3)와 비교하여, 처리조(5a)의 형상만이 상위하다. 다른 구성은 도 2와 거의 같고, 동일한 구성에 동일한 부호가 붙어있다.5 is a diagram illustrating another example of the drying treatment unit. Compared with the drying process part 3 of FIG. 2, only the shape of the processing tank 5a differs in the drying process part 3a of FIG. The other configuration is almost the same as in Fig. 2, and the same reference numerals are attached to the same configuration.

건조 처리부(3a)의 처리조(5a)에서는, 상하 방향에 있어서의 처리조(5a)의 전체에 있어서, 폭 방향(Y 방향)에 대향하는 내측면(50)의 사이의 거리인 내측면간 거리가 일정하고, 기판(9)의 직경과 대략 동일하다(정확하게는, 직경보다 약간 크다.). 환언하면, 상하 방향에 있어서의 처리조(5a)의 전체에 있어서, 내측면간 거리가, 이재부(211)의 양 지지 부재(214)의 폭의 합을 기판(9)의 직경에 더한 값인 지지 부재와 기판의 합계 폭보다 작고, 복수의 기판(9)을 지지하는 한 쌍의 지지 부재(214)가 진입 불가능한 폭이다. 처리조(5a)에 있어서도, 처리조(5)와 같이, 복수의 기판(9)의 외측 가장자리부를 지지하는 가이드(53)가, 액처리 위치에 배치된 기판(9)(도 5 중에 이점 쇄선으로 도시하는 기판(9))의 상하 방향에 있어서의 중앙 위치에 설치된다.In the processing tank 5a of the drying processing part 3a, in the whole surface of the processing tank 5a in an up-down direction, it is an inner side surface which is a distance between the inner surface 50 opposing a width direction (Y direction). The distance is constant and approximately equal to the diameter of the substrate 9 (exactly slightly larger than the diameter). In other words, in the whole process tank 5a in an up-down direction, the distance between inner surfaces is a value which added the sum of the width of both support members 214 of the transfer part 211 to the diameter of the board | substrate 9 It is smaller than the total width of a support member and a board | substrate, and the pair of support members 214 which support the some board | substrate 9 is the width which cannot enter. Also in the processing tank 5a, like the processing tank 5, the board | substrate 9 which supports the outer edge part of the some board | substrate 9 is the board | substrate 9 arrange | positioned at the liquid processing position (the dashed-dotted line in FIG. 5). It is provided in the center position in the up-down direction of the board | substrate 9 shown by the following.

기판(9)을 반송 위치로부터 수도 위치로 반송하는 경우에는, 도 5 중에 실선으로 도시한 바와 같이, 지지 부재(214)를 처리액 중에 적시는 일 없이 처리액 중에 위치하는 클로부(61) 상에 기판(9)이 올려 놓아진다. 따라서, 기판이 올려 놓여진 클로부가 처리액 외부로부터 처리액 내부로 진입하는 경우에 기판 상에 발생하는 줄무늬형상의 오염을 방지함과 더불어, 기판(9)을 지지하는 지지 부재(214)가 처리액 외부로부터 처리액 내부로 진입하는 경우에 기판(9) 상에 발생하는(가능성이 있는) 오염도 방지할 수 있다. 또, 도 2의 처리조(5)에 비해 처리조(5a)가 더욱 소형화되기 때문에, 처리액의 소비량을 더욱 삭감할 수 있다. 한편, 도 2의 처리조(5)에서는, 도 5의 처리조(5a)에 비해, 상하 방향에 있어서의 액처리 위치와 수도 위치의 사이의 거리를 짧게 할 수 있고, 챔버(4)의 높이를 더욱 작게 할 수 있다.When conveying the board | substrate 9 from a conveyance position to a water supply position, as shown by the solid line in FIG. 5, on the claw part 61 located in a process liquid without wetting the support member 214 in a process liquid. The substrate 9 is placed on it. Therefore, while the claw portion on which the substrate is placed enters into the processing liquid from the outside of the processing liquid, the support member 214 supporting the substrate 9 is prevented from preventing the stripe-like contamination occurring on the substrate. Contamination occurring on the substrate 9 (possibly) when entering into the processing liquid from the outside can also be prevented. Moreover, since the processing tank 5a is further miniaturized compared with the processing tank 5 of FIG. 2, the consumption amount of a processing liquid can be further reduced. On the other hand, in the processing tank 5 of FIG. 2, compared with the processing tank 5a of FIG. 5, the distance between the liquid processing position and the water supply position in an up-down direction can be shortened, and the height of the chamber 4 is reduced. Can be made even smaller.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명해 왔는데, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것이 아니며, 다양한 변형이 가능하다.As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible.

상기 실시 형태에서는, 도 2 및 도 5의 양방의 처리조(5, 5a)에 있어서, 액처리 위치에 배치된 기판(9)의 상하 방향에 있어서의 중앙 위치로부터 하측에 있어서, 처리조(5, 5a)의 내측면간 거리가 지지 부재와 기판의 합계 폭보다 작으나, 처리조의 설계에 따라서는(예를 들어, 대형의 처리액 노즐(51)을 배치하는 스페이스를 확보하기 위해서), 처리조(5a)의 저부 근방에서 내측면간 거리가 지지 부재와 기판의 합계 폭보다 커져도 된다. 즉, 액처리 위치에 배치된 기판(9)의 상하 방향에 있어서의 적어도 중앙 위치에 있어서, 처리조의 내측면간 거리가 지지 부재와 기판의 합계 폭보다 작게 되어있으면 된다.In the said embodiment, in both the processing tanks 5 and 5a of FIG. 2 and FIG. 5, the processing tank 5 is lower from the center position in the up-down direction of the board | substrate 9 arrange | positioned at the liquid processing position. , The distance between the inner surfaces of 5a) is smaller than the total width of the support member and the substrate, but depending on the design of the processing tank (for example, to secure a space for placing the large processing liquid nozzle 51), the processing tank In the vicinity of the bottom of (5a), the distance between the inner surfaces may be larger than the total width of the support member and the substrate. That is, the distance between the inner surface of the processing tank should be smaller than the total width of the support member and the board | substrate at least in the center position in the up-down direction of the board | substrate 9 arrange | positioned at the liquid process position.

상기 기판 처리 장치는, 1개의 기판(9)만을 처리하는 것이어도 되고, 이 경우, 처리조의 용적을 더욱 작게 할 수 있다.The substrate processing apparatus may process only one substrate 9, and in this case, the volume of the processing tank can be further reduced.

건조 처리부(3, 3a)에 있어서, 처리액 노즐(51)로부터 순수 이외의 처리액이 분출되어도 된다. 또, 가스 분출부(7)에서는, 질소 가스 및 IPA의 증기 이외의 가스가 분출되어도 된다.In the drying process parts 3 and 3a, process liquids other than pure water may be ejected from the process liquid nozzle 51. In addition, in the gas ejection part 7, gas other than nitrogen gas and the vapor of IPA may be ejected.

처리조의 (일부의) 내측면간 거리를 지지 부재와 기판의 합계 폭보다 작게 하면서, 이재부에 의해 처리액 중에 위치하는 클로부 상에 기판을 올려놓는 상기 수법은, 불화수소산(HF) 등의 약액을 이용하여 기판(9)을 처리하는 처리부(예를 들어, 상기 약액 처리부(23, 24))에 채용되어도 된다. 또한, 도 1의 약액 처리부(23, 24)에서는, 가스 분출부 및 챔버는 설치되지 않는다.The above method of placing a substrate on a claw portion located in the treatment liquid by the transfer member while reducing the distance between the (part of) inner surfaces of the treatment tank from the total width of the support member and the substrate is performed by hydrofluoric acid (HF) or the like. You may be employ | adopted in the processing part (for example, the said chemical liquid processing parts 23 and 24) which process the board | substrate 9 using chemical liquid. In addition, in the chemical | medical solution process part 23, 24 of FIG. 1, a gas blowing part and a chamber are not provided.

기판 처리 장치에 있어서 처리되는 기판(9)은, 실리콘 기판에 한정되지 않고, 유리 기판 등의 다른 종류의 기판이어도 된다.The substrate 9 to be processed in the substrate processing apparatus is not limited to a silicon substrate, but may be another kind of substrate such as a glass substrate.

상기 실시 형태 및 각 변형예에 있어서의 구성은, 서로 모순되지 않는 한 적당히 조합해도 된다.As long as it does not contradict each other, the structure in the said embodiment and each modification may be combined suitably.

발명을 상세히 묘사하여 설명했으나, 기술한 설명은 예시적인 것으로서 한정적인 것은 아니다. 따라서, 본 발명의 범위를 일탈하지 않는 한, 다수의 변형이나 형태가 가능하다고 말할 수 있다.While the invention has been described and described in detail, the foregoing description is illustrative and not restrictive. Accordingly, many modifications and forms can be made without departing from the scope of the present invention.

3, 3a: 건조 처리부 4: 챔버
5, 5a: 처리조 6: 승강부
7: 가스 분출부 9: 기판
10: 제어부 211: 이재부
214: 지지 부재 40: 개구
50: 내측면 53: 가이드
61: 클로부 S11, S12: 스텝3, 3a: drying treatment unit 4: chamber
5, 5a: Treatment tank 6: lifting section
7: gas ejection part 9: substrate
10: control unit 211: Jaebu Lee
214: support member 40: opening
50: inner side 53: guide
61: claw part S11, S12: step

Claims (8)

판형상의 기판을 처리하는 기판 처리 장치로서,
처리액이 저류되는 처리조와,
상기 처리조 내에서 직립 상태의 기판을 하방으로부터 지지하는 클로부를 가지고, 상기 클로부가 상기 처리조의 저부 근방에 배치되는 액처리 위치와, 상기 클로부가 상기 처리조의 상부 근방에 배치되는 수도(受渡) 위치의 사이에서 상기 기판을 승강하는 승강부와,
직립 상태의 기판의 주면을 따르는 수평인 폭 방향의 간격을 변경 가능한 한 쌍의 지지 부재에 의해, 상기 기판을 지지함과 더불어, 상기 처리조의 상방인 반송 위치와 상기 수도 위치의 사이에서 상기 기판을 승강하는 이재부(移載部)와,
상기 이재부에 의해 상기 반송 위치로부터 상기 수도 위치로 기판을 반송하여, 상기 처리액 중에 위치하는 상기 클로부 상에 상기 기판을 올려놓는 제어부를 구비하며,
상기 액처리 위치에 배치된 기판의 상하 방향에 있어서의 적어도 중앙 위치에 있어서, 상기 폭 방향에 있어서의 상기 처리조의 내측면간 거리가, 상기 이재부의 양 지지 부재의 폭의 합을 상기 기판의 폭에 더한 값인 지지 부재와 기판의 합계 폭보다 작은, 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for processing a plate-shaped substrate,
A treatment tank in which the treatment liquid is stored;
The liquid treatment position which has a claw part which supports the board | substrate of an upright state from the inside in the said processing tank, The claw part is arrange | positioned in the vicinity of the bottom part of the said processing tank, The water supply position where the said claw part is arrange | positioned in the upper vicinity of the said processing tank An elevating unit for elevating the substrate between
The substrate is supported by a pair of support members that can change the horizontal width direction along the main surface of the substrate in an upright state, and between the conveyance position and the water supply position that is above the treatment tank. A rising and falling part,
The control part which conveys a board | substrate from the said conveyance position to the said water supply position by the said transfer part, and places the said board | substrate on the said claw part located in the said processing liquid,
In at least the center position in the vertical direction of the substrate disposed at the liquid treatment position, the distance between the inner surfaces of the processing tank in the width direction is the sum of the widths of both supporting members of the transfer material width of the substrate. A substrate processing apparatus, which is smaller than the total width of the support member and the substrate, which is a value added to. 청구항 1에 있어서,
상기 처리조의 상기 상부의 상기 내측면간 거리가, 상기 한 쌍의 지지 부재에 의한 기판의 지지 및 해방이 가능한 폭이며,
상기 액처리 위치에 배치된 기판의 상기 상하 방향에 있어서의 상기 중앙 위치로부터 하측에 있어서, 상기 처리조의 상기 내측면간 거리가 상기 지지 부재와 기판의 합계 폭보다 작은, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The distance between the inner surfaces of the upper portion of the processing tank is a width at which the substrate can be supported and released by the pair of support members,
Substrate processing apparatus in which the distance between the said inner surface of the said processing tank is smaller than the total width of the said support member and a board | substrate below the said center position in the said up-down direction of the board | substrate arrange | positioned at the said liquid processing position. 청구항 1에 있어서,
상기 상하 방향에 있어서의 상기 처리조의 전체에 있어서, 상기 내측면간 거리가 상기 지지 부재와 기판의 합계 폭보다 작은, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The substrate processing apparatus in the whole said processing tank in the said up-down direction WHEREIN: The distance between the said inner surface is smaller than the total width of the said support member and a board | substrate. 청구항 1에 있어서,
서로 평행하게 늘어선 직립 상태의 복수의 기판이 상기 클로부에 의해 지지되고,
상기 처리조가, 상기 액처리 위치에 배치된 상기 복수의 기판의 상기 상하 방향에 있어서의 중앙 위치에 있어서 상기 복수의 기판의 외측 가장자리부를 지지하는 가이드를 가지는, 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
A plurality of substrates in an upright state arranged parallel to each other are supported by the claw portion,
The said processing tank has a guide which supports the outer edge part of the said some board | substrate in the center position in the said up-down direction of the said some board | substrate arrange | positioned at the said liquid processing position. 청구항 2에 있어서,
서로 평행하게 늘어선 직립 상태의 복수의 기판이 상기 클로부에 의해 지지되고,
상기 처리조가, 상기 액처리 위치에 배치된 상기 복수의 기판의 상기 상하 방향에 있어서의 중앙 위치에 있어서 상기 복수의 기판의 외측 가장자리부를 지지하는 가이드를 가지는, 기판 처리 장치.The method according to claim 2,
A plurality of substrates in an upright state arranged parallel to each other are supported by the claw portion,
The said processing tank has a guide which supports the outer edge part of the said some board | substrate in the center position in the said up-down direction of the said some board | substrate arrange | positioned at the said liquid processing position. 청구항 3에 있어서,
서로 평행하게 늘어선 직립 상태의 복수의 기판이 상기 클로부에 의해 지지되고,
상기 처리조가, 상기 액처리 위치에 배치된 상기 복수의 기판의 상기 상하 방향에 있어서의 중앙 위치에 있어서 상기 복수의 기판의 외측 가장자리부를 지지하는 가이드를 가지는, 기판 처리 장치.The method according to claim 3,
A plurality of substrates in an upright state arranged parallel to each other are supported by the claw portion,
The said processing tank has a guide which supports the outer edge part of the said some board | substrate in the center position in the said up-down direction of the said some board | substrate arrange | positioned at the said liquid processing position. 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
내부에 상기 처리조가 배치되고, 상부에 개폐 가능한 개구를 가지는 챔버와,
상기 처리조 내의 상기 처리액이 배출된 상태에서, 상기 수도 위치에 배치된 기판을 향해 처리 가스를 분출하는 가스 분출부를 더 구비하고,
상기 반송 위치가 상기 챔버의 상방이며,
상기 상하 방향에 있어서의 상기 액처리 위치와 상기 수도 위치 사이의 거리가, 기판의 폭보다 작은, 기판 처리 장치.The method according to any one of claims 1 to 6,
A chamber having the processing tank disposed therein and having an opening that can be opened and closed at an upper portion thereof;
In the state in which the said process liquid in the said process tank discharged, the gas ejection part which ejects the process gas toward the board | substrate arrange | positioned at the said water supply position is further provided,
The conveying position is above the chamber,
The substrate processing apparatus in which the distance between the said liquid processing position and the said water supply position in the said up-down direction is smaller than the width of a board | substrate. 기판 처리 장치에 있어서 판형상의 기판을 처리하는 기판 처리 방법으로서,
상기 기판 처리 장치가,
처리조와,
상기 처리조 내에서 직립 상태의 기판을 하방으로부터 지지하는 클로부를 가지고, 상기 클로부가 상기 처리조의 저부 근방에 배치되는 액처리 위치와, 상기 클로부가 상기 처리조의 상부 근방에 배치되는 수도 위치의 사이에서 상기 기판을 승강하는 승강부와,
직립 상태의 기판의 주면을 따르는 수평인 폭 방향의 간격을 변경 가능한 한 쌍의 지지 부재에 의해, 상기 기판을 지지함과 더불어, 상기 처리조의 상방인 반송 위치와 상기 수도 위치의 사이에서 상기 기판을 승강하는 이재부를 구비하고,
상기 액처리 위치에 배치된 기판의 상하 방향에 있어서의 적어도 중앙 위치에 있어서, 상기 폭 방향에 있어서의 상기 처리조의 내측면간 거리가, 상기 이재부의 양 지지 부재의 폭의 합을 상기 기판의 폭에 더한 값인 지지 부재와 기판의 합계 폭보다 작으며,
상기 기판 처리 방법이,
a) 상기 처리조 내에 처리액을 저류하는 공정과,
b) 상기 이재부에 의해 상기 반송 위치로부터 상기 수도 위치로 기판을 반송하여, 상기 처리액 중에 위치하는 상기 클로부 상에 상기 기판을 올려놓는 공정을 구비하는 기판 처리 방법.As a substrate processing method of processing a plate-shaped substrate in a substrate processing apparatus,
The substrate processing apparatus,
Treatment tank,
Between the liquid processing position which has a claw part which supports the board | substrate of an upright state from the bottom in the said processing tank, and the said claw part is arrange | positioned in the vicinity of the bottom part of the said processing tank, and the water supply position where the said claw part is arrange | positioned in the upper vicinity of the said processing tank. An elevating unit for elevating the substrate;
The substrate is supported by a pair of support members that can change the horizontal width direction along the main surface of the substrate in an upright state, and between the conveyance position and the water supply position that is above the treatment tank. Equipped with a moving part to move up and down,
In at least the center position in the vertical direction of the substrate disposed at the liquid treatment position, the distance between the inner surfaces of the processing tank in the width direction is the sum of the widths of both supporting members of the transfer material width of the substrate. Less than the total width of the support member and the substrate,
The substrate processing method comprising:
a) storing the treatment liquid in the treatment tank;
b) The board | substrate processing method of conveying a board | substrate from the said conveyance position to the said water supply position by the said transfer part, and mounting the said board | substrate on the said claw part located in the said processing liquid.
KR1020130007386A 2012-01-27 2013-01-23 Substrate processing apparatus and substrate processing method KR20130087417A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012014887A JP5952007B2 (en) 2012-01-27 2012-01-27 Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPJP-P-2012-014887 2012-01-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20130087417A true KR20130087417A (en) 2013-08-06

Family

ID=49052291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130007386A KR20130087417A (en) 2012-01-27 2013-01-23 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5952007B2 (en)
KR (1) KR20130087417A (en)
TW (1) TWI508210B (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8852851B2 (en) 2006-07-10 2014-10-07 Micron Technology, Inc. Pitch reduction technology using alternating spacer depositions during the formation of a semiconductor device and systems including same
JP6617036B2 (en) * 2016-01-18 2019-12-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate processing equipment
CN111244022B (en) * 2020-01-22 2023-02-10 北京北方华创微电子装备有限公司 Wafer box clamping device and wafer cleaning machine

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3102826B2 (en) * 1993-11-08 2000-10-23 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JPH07307374A (en) * 1994-05-10 1995-11-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate holding chuck, substrate holding unit and substrate treating device
JP3548416B2 (en) * 1998-03-24 2004-07-28 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JPH11340176A (en) * 1998-05-25 1999-12-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Dipping type wafer processor
JP2000150438A (en) * 1998-11-16 2000-05-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate processing device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013157368A (en) 2013-08-15
TWI508210B (en) 2015-11-11
JP5952007B2 (en) 2016-07-13
TW201340232A (en) 2013-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101466421B1 (en) Substrate transfer apparatus and substrate processing system
KR102334274B1 (en) Substrate processing apparatus
KR101489314B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
KR102429748B1 (en) Substrate processing apparatus
KR101621482B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102378350B1 (en) Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method
TW201624584A (en) Substrate liquid processing device
KR20130087417A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20100031472A (en) Substrate transporting facility
TWI740950B (en) Liquid processing device, liquid processing method and storage medium
JP2010114101A (en) Substrate processing apparatus and method
KR20140112299A (en) Apparatus for treating substrate
KR101471540B1 (en) Method and Apparatus for treating substrate
KR101870664B1 (en) Apparatus for treating substrate
CN114902380A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101591960B1 (en) Apparatus for treating substrate
JP5911682B2 (en) Tank carrier and substrate processing apparatus
JP4891730B2 (en) Liquid processing apparatus, liquid processing method, and liquid processing program
KR102186069B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102622987B1 (en) Apparatus for treating substrate and filler component provided thererof
KR102578764B1 (en) Substrate processing apparatus and processing substrate method
KR102012209B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20230175105A (en) Substrate treating apparatus
CN114078726A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2016162799A (en) Substrate processing device, substrate processing system, and substrate processing method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20150122

Effective date: 20160429