KR20130078420A - Light emitting device module and lighting system including the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light emitting device module and a lighting system including the same are provided to prevent glariness by forming a light emitting device package on an inclined surface. CONSTITUTION: Substrates (210) have inclined surfaces. A light emitting device is positioned on one surface of the substrate. The surfaces of the substrate face each other. A reflector (231,232) faces one surface of the substrate. The reflector reflects the light emitted from the light emitting device.

Description

발광소자 모듈 및 이를 포함하는 조명시스템{Light emitting device module and lighting system including the same}Light emitting device module and lighting system including the same

실시예는 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 조명시스템을 제공한다.The embodiment provides a light emitting device module and an illumination system including the same.

반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Ligit Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.BACKGROUND ART Light emitting devices such as a light emitting diode (LD) or a laser diode using semiconductor materials of Group 3-5 or 2-6 group semiconductors are widely used for various colors such as red, green, blue, and ultraviolet And it is possible to realize white light rays with high efficiency by using fluorescent materials or colors, and it is possible to realize low energy consumption, semi-permanent life time, quick response speed, safety and environment friendliness compared to conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps .

따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.Therefore, a transmission module of the optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, a white light emitting element capable of replacing a fluorescent lamp or an incandescent lamp Diode lighting, automotive headlights, and traffic lights.

발광소자는 제1 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 전자와 제2 도전형 반도체층을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층)을 이루는 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출한다. 발광소자 패키지에는 발광소자에서 방출된 빛에 의하여 형광체가 여기되어 활성층에서 방출된 빛보다 장파장 영역의 빛을 방출할 수 있다.The light emitting device emits light having energy determined by an energy band inherent in a material in which electrons injected through the first conductive semiconductor layer and holes injected through the second conductive semiconductor layer meet each other to form an active layer (light emitting layer). do. In the light emitting device package, the phosphor is excited by the light emitted from the light emitting device to emit light having a longer wavelength region than the light emitted from the active layer.

발광소자 패키지의 광량을 증가시키기 위하여 하나의 발광소자 패키지에 두 개 이상의 발광소자를 배치할 수 있는데, 이때 발광소자에서 방출되는 빛의 직진성으로 인하여 눈부심이 증가할 수 있으며, 기판이나 전극의 면적 내지 길이가 증가하는 문제점이 있다.In order to increase the amount of light of the light emitting device package, two or more light emitting devices may be disposed in a single light emitting device package. In this case, glare may increase due to the straightness of the light emitted from the light emitting device, and may increase the area of the substrate or the electrode. There is a problem that the length is increased.

실시예는 발광소자 모듈에서 빛의 직진성에 의한 눈부심을 줄이고, 기판과 전극의 면적 내지 길이를 줄이고자 한다.The embodiment is intended to reduce glare due to the linearity of light in the light emitting device module and to reduce the area to the length of the substrate and the electrode.

실시예는 경사면을 가지는 복수 개의 기판, 상기 기판의 일면 상에 각각 위치하는 복수 개의 발광소자; 상기 기판의 타면은 서로 마주보며 배치되고, 상기 기판의 일면과 마주보며,상기 복수 개의 발광소자로부터 방출되는 빛을 반사하는 반사판을 포함하는 발광소자 모듈을 제공한다.Embodiments include a plurality of substrates having an inclined surface, and a plurality of light emitting elements positioned on one surface of the substrate; The other surface of the substrate is disposed to face each other, facing one surface of the substrate, and provides a light emitting device module including a reflector reflecting light emitted from the plurality of light emitting devices.

반사판은 상기 복수 개의 기판을 사이에 두고 서로 마주보며 배치될 수 있다.The reflecting plates may be disposed to face each other with the plurality of substrates interposed therebetween.

발광소자 모듈은 복수 개의 기판 상에 각각 배치된 제1 전극, 제2 전극 및 제3 전극을 더 포함할 수 있다.The light emitting device module may further include a first electrode, a second electrode, and a third electrode respectively disposed on the plurality of substrates.

제1 전극과 제2 전극은 상기 복수 개의 발광소자에 각각 전기적으로 연결될 수 있다.The first electrode and the second electrode may be electrically connected to the plurality of light emitting devices, respectively.

제1 전극과 제2 전극 중 적어도 하나는 상기 기판의 바닥 면 상에 연장되어 배치될 수 있다.At least one of the first electrode and the second electrode may be disposed to extend on the bottom surface of the substrate.

반사판은 상기 복수 개의 기판 상에 위치하며, 상기 반사판 상에는 렌즈가 위치할 수 있다.The reflector may be positioned on the plurality of substrates, and a lens may be positioned on the reflector.

제3 전극은 상기 복수 개의 발광소자와 전기적으로 연결될 수 있다.The third electrode may be electrically connected to the plurality of light emitting devices.

복수 개의 기판들은 상기 제3 전극과 도전 부재를 통해서 서로 전기적으로 연결될 수 있다.The plurality of substrates may be electrically connected to each other through the third electrode and the conductive member.

반사판의 최고점의 높이는 상기 기판의 높이보다 낮을 수 있다.The height of the highest point of the reflector may be lower than the height of the substrate.

다른 실시예는 상술한 발광소자 모듈을 포함하는 조명시스템을 제공한다.Another embodiment provides an illumination system including the light emitting device module described above.

실시예들에 따른 발광소자 모듈은 발광소자 또는 발광소자 패키지가 경사면에 배치되므로, 발광소자 모듈의 측면으로 직광이 방출되고 상부로는 반사판 등에 의하여 경로가 변경된 간접광이 방출되므로 광각이 넓어지고 눈부심을 방지되고, 경사면과 연결면에 의하여 형성되는 공간만큼 부피만큼 기판의 부피가 증가하여, 방열특성이 향상될 수 있으며, 기판이 경사면을 이루고 경사면 위에 리드 프레임이 배치되므로 전극의 길이 내지 면적이 감소할 수 있다.In the light emitting device module according to the embodiments, since the light emitting device or the light emitting device package is disposed on the inclined surface, the direct light is emitted to the side of the light emitting device module and the indirect light whose path is changed by the reflecting plate is emitted to the top, thereby widening the wide angle and glaring. And the volume of the substrate is increased by the volume by the space formed by the inclined surface and the connecting surface, thereby improving heat dissipation, and the length and area of the electrode are reduced since the substrate forms the inclined surface and the lead frame is disposed on the inclined surface. can do.

도 1은 발광소자 모듈의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 2는 도 1의 발광소자 모듈에 배치된 발광소자 패키지를 나타낸 도면이고,
도 3은 도 1의 'A' 부분을 확대한 도면이고,
도 4는 도 3의 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 5a 및 도 5b는 도 1의 반사판의 일실시예들을 나타낸 도면이고,
도 6은 도 5의 발광소자 모듈의 광출사각을 나타낸 도면이고,
도 7 및 도 8은 발광소자 모듈의 다른 실시예를 나타낸 도면이고,
도 9은 발광소자 패키지를 포함하는 헤드 램프의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 10는 발광소자 패키지를 포함하는 영상 표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
1 is a view showing an embodiment of a light emitting device module,
2 is a view showing a light emitting device package disposed in the light emitting device module of FIG.
3 is an enlarged view of a portion 'A' of FIG. 1,
4 is a view showing an embodiment of the light emitting device of FIG.
5A and 5B are views illustrating one embodiment of the reflector of FIG. 1;
6 is a view showing a light exit angle of the light emitting device module of FIG.
7 and 8 are views showing another embodiment of the light emitting device module,
9 is a view showing an embodiment of a head lamp including a light emitting device package,
10 is a diagram illustrating an embodiment of an image display device including a light emitting device package.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.In the description of the embodiment according to the present invention, when described as being formed on the "on or under" of each element, the (up) or down (on) or under) includes both two elements being directly contacted with each other or one or more other elements are formed indirectly between the two elements. Also, when expressed as "on or under", it may include not only an upward direction but also a downward direction with respect to one element.

도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.The thickness and size of each layer in the drawings are exaggerated, omitted, or schematically shown for convenience and clarity of explanation. In addition, the size of each component does not necessarily reflect the actual size.

도 1은 발광소자 모듈의 일실시예를 나타낸 도면이고, 도 2는 도 1의 발광소자 모듈에 배치된 발광소자 패키지를 나타낸 도면이고, 도 3은 도 1의 'A' 부분을 확대한 도면이다.1 is a view showing an embodiment of a light emitting device module, Figure 2 is a view showing a light emitting device package disposed in the light emitting device module of Figure 1, Figure 3 is an enlarged view 'A' portion of FIG. .

실시예에 따른 발광소자 모듈은 기판(210)과 기판에 배치된 한 쌍의 발광소자 패키지(100)와 각각의 발광소자 패키지로부터 방출되는 빛을 반사하는 한 쌍의 반사판(231, 232)을 포함하여 이루어진다. 그리고, 기판(210)에는 복수 개의 경사면이 배치되고, 상술한 경사면에 발광소자 패키지(100)가 각각 배치되고 있다.The light emitting device module according to the embodiment includes a substrate 210, a pair of light emitting device packages 100 disposed on the substrate, and a pair of reflecting plates 231 and 232 reflecting light emitted from each light emitting device package. It is done by A plurality of inclined surfaces are disposed on the substrate 210, and the light emitting device packages 100 are disposed on the inclined surfaces.

기판(210)에서 발광소자 패키지(100)가 배치된 면을 일면이라 하면, 후술하는 반사판이 배치된 면을 타면이라 할 수 있고, 도 1에서 2개의 타면은 서로 마주보고 있으며, 후술하는 반사판도 기판(210)의 일면과 마주보며 배치될 수 있다.When the surface on which the light emitting device package 100 is disposed on the substrate 210 is one surface, the surface on which the reflector is described below is disposed may be referred to as the other surface. In FIG. 1, the other surfaces face each other, and the reflector described later is also described. The substrate 210 may be disposed to face one surface of the substrate 210.

기판(210)은 바닥면(a)과, 바닥면(a)에 대하여 소정 각도(θ1) 기울어진 한 쌍의 경사면(b)과, 상기 경사면(b)의 정점을 연결하는 연결면(c)을 포함하여 이루어질 수 있다. 연결면(c)은 바닥면(a)과 평행할 수 있는데, 따라서 바닥면(a)과 경사면(b)이 이루는 각도(θ1)와 경사면(b)이 연결면(c)과 이루는 각도(θ2)는 엇각의 관계일 수 있다.The substrate 210 has a bottom surface a, a pair of inclined surfaces b inclined at an angle θ 1 with respect to the bottom surface a, and a connection surface c connecting the vertices of the inclined surface b. It can be made, including). The connection surface (c) may be parallel to the bottom surface (a), so the angle (θ 1 ) between the bottom surface (a) and the inclined surface (b) and the angle between the inclined surface (b) and the connection surface (c) ( θ 2 ) may be an angled relationship.

상술한 바닥면(a)과 경사면(b)과 연결면(c)을 모두 각각 기판이라 할 수 있으며, 이때, 복수 개의 기판들은 제3 전극과 도전부재(미도시)로 전기적으로 연결될 수 있다.The bottom surface (a), the inclined surface (b) and the connection surface (c) may be referred to as substrates, respectively, and the plurality of substrates may be electrically connected to the third electrode and the conductive member (not shown).

반사판(231, 232)은 경사면(b)을 사이에 두고 서로 마주보며 배치되어, 발광소자 패키지(100)로부터 방출되는 빛을 각각 반사하여 발광소자 모듈(200)에서 방출되는 빛의 지향각을 조절할 수 있다.The reflecting plates 231 and 232 are disposed to face each other with the inclined surface b interposed therebetween, respectively, to reflect the light emitted from the light emitting device package 100 to adjust the direction of light emitted from the light emitting device module 200. Can be.

한 쌍의 발광소자 패키지(100)에 전류를 공급하기 위하여 기판(210) 상에 제1,2,3 전극(221,222,223)이 배치되는데, 상세하게는 바닥면(a)과 경사면(b) 및 연결면(c)에는 제1,2,3 전극(221, 222, 223)이 배치될 수 있다.First, second, and third electrodes 221, 222, and 223 are disposed on the substrate 210 to supply current to the pair of light emitting device packages 100. In detail, the bottom surface a, the inclined surface b, and the connection are provided. First, second and third electrodes 221, 222, and 223 may be disposed on the surface c.

제1 전극(221)은 하나의 경사면(b)에 배치되며 상기 경사면(b)에 인접한 바닥면(a)에까지 연장되어 배치될 수 있다. 제2 전극(222)은 다른 경사면(b)에 배치되며 상기 경사면(b)에 인접한 바닥면(a)에까지 연장되어 배치될 수 있다. 그리고, 제3 전극(223)은 제3 연결면(c)에 배치되고 그 일부가 경사면(b)에 연장되어 배치될 수 있다.The first electrode 221 may be disposed on one inclined surface b and may extend to the bottom surface a adjacent to the inclined surface b. The second electrode 222 may be disposed on another inclined surface b and may extend to the bottom surface a adjacent to the inclined surface b. The third electrode 223 may be disposed on the third connection surface c and a part of the third electrode 223 may be extended to the inclined surface b.

제1 전극(221)과 제2 전극(222)은 서로 다른 발광소자 패키지(100)에 각각 전기적으로 연결되어 있고, 제3 전극(223)은 한 쌍의 발광소자 패키지(100)와 모두 연결되어 공통 전극으로 작용할 수 있다. 따라서, 제1 전극(221)과 제2 전극(222)은 동일한 극성을 가질 수 있고, 제3 전극(223)은 제1,2 전극(221, 222)과 다른 극성을 가질 수 있다.The first electrode 221 and the second electrode 222 are electrically connected to different light emitting device packages 100, and the third electrode 223 is all connected to the pair of light emitting device packages 100. Can serve as a common electrode. Accordingly, the first electrode 221 and the second electrode 222 may have the same polarity, and the third electrode 223 may have a different polarity than the first and second electrodes 221 and 222.

그리고, 반사판(231, 232)의 높이(h2)는 연결면(c)의 높이(h1)보다 낮을 수 있다. 반사판(231, 232)의 높이(h2)와 연결면(c)의 높이(h1)는 기판(210)의 바닥면(a)으로부터의 높이를 뜻한다. 반사판(231, 232)의 높이(h2)가 연결면(c)의 높이(h1)보다 더 낮으므로, 그렇지 않은 경우보다 발광소자 모듈에서 방출되는 빛의 각도를 더 넓게 조절할 수 있다.In addition, the height h 2 of the reflective plates 231 and 232 may be lower than the height h 1 of the connection surface c. The height (h 1) of the reflective plate connection and the height (h 2) of the (231, 232) plane (c) stands for the height from the bottom surface (a) of the substrate (210). Since the height h 2 of the reflecting plates 231 and 232 is lower than the height h 1 of the connection surface c, the angle of the light emitted from the light emitting device module can be adjusted more widely than otherwise.

반사판(231, 232)의 높이(h2)는 발광소자 패키지(100) 내에 배치된 발광소자의 높이와 동일할 수 있는데, 이때 발광소자에서 방출된 빛이 좌우 방향으로 나란하게 진행될 수 있어서 발광소자 모듈(200)에서 방출되는 빛의 각도가 넓어질 수 있다.The height h 2 of the reflector plates 231 and 232 may be the same as the height of the light emitting device disposed in the light emitting device package 100. In this case, the light emitted from the light emitting device may proceed side by side in the left and right directions. The angle of light emitted from the module 200 may be widened.

발광소자 패키지(100)는 패키지 몸체(110)와, 패키지 몸체(110)에 설치된 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)과, 패키지 몸체(110)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)과 전기적으로 연결되는 따른 발광소자(130)와, 상기 발광소자(130)의 표면 또는 측면을 덮는 몰딩부(150)를 포함한다.The light emitting device package 100 may include a package body 110, a first lead frame 121 and a second lead frame 122 installed on the package body 110, and a package body 110. The light emitting device 130 is electrically connected to the frame 121 and the second lead frame 122, and a molding part 150 covering the surface or the side surface of the light emitting device 130.

패키지 몸체(110)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 발광소자(130)의 주위에 경사면이 형성되어 광추출 효율을 높일 수 있다.The package body 110 may include a silicon material, a synthetic resin material, or a metal material. An inclined surface may be formed around the light emitting device 130 to increase light extraction efficiency.

제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)은 서로 전기적으로 분리되며, 발광소자(130)에 전원을 제공한다. 또한, 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)은 발광소자(130)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 발광소자(130)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.The first lead frame 121 and the second lead frame 122 are electrically separated from each other, and provide power to the light emitting device 130. In addition, the first lead frame 121 and the second lead frame 122 may increase the light efficiency by reflecting the light generated from the light emitting device 130, the heat generated from the light emitting device 130 to the outside It can also play a role.

발광소자(130)는 수평형 발광소자나 수직형 발광소자 등일 수 있고, 하나 또는 2개 이상이 탑재될 수 있으며, 패키지 몸체(110) 상에 배치되거나 상기 제1 리드 프레임(121) 또는 제2 리드 프레임(122) 상에 배치되는데, 도 2에서 도전성 접착층(130)를 통하여 제1 리드 프레임(121) 상에 배치되고 있다.The light emitting device 130 may be a horizontal light emitting device, a vertical light emitting device, or the like, and one or two or more light emitting devices may be mounted and disposed on the package body 110 or the first lead frame 121 or the second light emitting device. It is disposed on the lead frame 122, it is disposed on the first lead frame 121 through the conductive adhesive layer 130 in FIG.

발광소자(130)는 제1 리드 프레임(121) 및 제2 리드 프레임(122)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 도 2에서 발광소자(130)는 제1 리드 프레임(121)과 도전성 접착층(130)으로 연결되고 제2 리드 프레임(122)과 와이어(140) 본딩되고 있다.The light emitting device 130 may be electrically connected to the first lead frame 121 and the second lead frame 122 by any one of a wire method, a flip chip method, or a die bonding method. In FIG. 2, the light emitting device 130 is connected to the first lead frame 121 and the conductive adhesive layer 130 and is bonded to the second lead frame 122 and the wire 140.

몰딩부(150)는 상기 발광소자(130)를 둘러싸며 보호할 수 있다. 또한, 몰딩부(150)에는 형광체 등의 파장 변환 물질이 포함되어 상기 발광소자(130)에서 방출된 제1 파장 영역의 광에 의하여 여기되어 보다 장파장인 제2 파장 영역의 광을 방출할 수 있다. 몰딩부(150)은 발광소자(130)에서 방출되는 빛의 진로를 변경하는 렌즈로 작용할 수 있다.The molding part 150 may surround and protect the light emitting device 130. In addition, the molding unit 150 may include a wavelength conversion material such as a phosphor, and may be excited by light of a first wavelength region emitted from the light emitting device 130 to emit light of a second wavelength region having a longer wavelength. . The molding part 150 may act as a lens for changing the path of the light emitted from the light emitting device 130.

도 3에서 발광소자 패키지(100)와 제1,3 전극(221, 223)의 연결 상태가 도시되어 있다. In FIG. 3, a connection state between the light emitting device package 100 and the first and third electrodes 221 and 223 is illustrated.

하나의 경사면(b)에 배치되며 상기 경사면(b)에 인접한 바닥면(a)에까지 연장되어 배치된 제1 전극(221)은, 발광소자 패키지(100) 내의 제1 리드 프레임(121)과 전기적으로 연결되고 있다. 그리고, 제3 연결면(c)에 배치되고 그 일부가 경사면(b)에 연장되어 배치된 제3 전극(223)은, 발광소자 패키지(100) 내의 제2 리드 프레임(222)와 전기적으로 연결되고 있다.The first electrode 221 disposed on one inclined surface b and extending to the bottom surface a adjacent to the inclined surface b is electrically connected to the first lead frame 121 in the light emitting device package 100. Is connected. In addition, the third electrode 223 disposed on the third connection surface c and a part of which extends on the inclined surface b is electrically connected to the second lead frame 222 in the light emitting device package 100. It is becoming.

발광소자 패키지(100)는 기판(210)의 경사면(a)와 접착층(241)을 통하여 결합되는데, 접착층(241)은 제1 전극(221)과 제3 전극(223)의 사이에 배치되므로 비도전성일 수 있다.The light emitting device package 100 is coupled through the inclined surface a of the substrate 210 and the adhesive layer 241. The adhesive layer 241 is disposed between the first electrode 221 and the third electrode 223, thereby preventing It may be malleable.

그리고, 반사판(231)은 제1 전극(221) 중 바닥면(a)에 연장된 부분을 덮으며, 발광소자 모듈의 광효율을 향상시킬 수 있다.The reflective plate 231 may cover a portion of the first electrode 221 extending on the bottom surface a and may improve light efficiency of the light emitting device module.

도 4는 도 3의 발광소자의 일실시예를 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating an embodiment of the light emitting device of FIG. 3.

도 4에 도시된 실시예에 따른 발광소자(130)는 도전성 지지기판(metal support, 70) 상에 접합층(60)과 반사층(50)과 오믹층(40)과 발광 구조물(20)이 적층되어 이루어진다.In the light emitting device 130 according to the embodiment shown in FIG. 4, the bonding layer 60, the reflective layer 50, the ohmic layer 40, and the light emitting structure 20 are stacked on a conductive support substrate 70. It is done.

도전성 지지기판(70)은 제2 전극의 역할을 할 수 있으므로 전기 전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 발광 소자 작동시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열전도도가 높은 금속을 사용할 수 있다.Since the conductive support substrate 70 may serve as a second electrode, a metal having excellent electrical conductivity may be used, and a metal having high thermal conductivity may be used because it must be able to sufficiently dissipate heat generated when the light emitting device is operated.

상기 도전성 지지기판(70)은 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.The conductive support substrate 70 may be made of a material selected from the group consisting of molybdenum (Mo), silicon (Si), tungsten (W), copper (Cu), and aluminum (Al) or alloys thereof. , Gold (Au), copper alloy (Cu Alloy), nickel (Ni), copper-tungsten (Cu-W), carrier wafers (e.g. GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga 2 O 3, etc.) may be optionally included.

또한, 상기 도전성 지지기판(70)은 전체 질화물 반도체에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다.In addition, the conductive support substrate 70 may have a mechanical strength enough to separate well into separate chips through a scribing process and a breaking process without causing warpage to the entire nitride semiconductor. have.

접합층(60)은 상기 반사층(50)과 상기 도전성 지지기판(70)을 결합하며, 상기 반사층(50)이 결합층(adhesion layer)의 기능을 수행할 수도 있다. 상기 접합층은(60) 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있다.The bonding layer 60 may combine the reflective layer 50 and the conductive support substrate 70, and the reflective layer 50 may function as an adhesion layer. The bonding layer is composed of (60) gold (Au), tin (Sn), indium (In), aluminum (Al), silicon (Si), silver (Ag), nickel (Ni), and copper (Cu). It may be formed of a material selected from or alloys thereof.

상기 반사층(50)은 약 2500 옹스르통의 두께일 수 있다. 상기 반사층(50)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 알루미늄이나 은 등은 활성층(24)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다.The reflective layer 50 may be about 2500 angs thick. The reflective layer 50 may be formed of a metal layer including aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni), platinum (Pt), rhodium (Rh), or an alloy containing Al, Ag, Pt, or Rh. have. Aluminum or silver may effectively reflect light generated from the active layer 24, thereby greatly improving the light extraction efficiency of the light emitting device.

상기 발광 구조물(20), 특히 상기 제2 도전형 반도체층(26)은 불순물 도핑 농도가 낮아 접촉 저항이 높으며 그로 인해 오믹 특성이 좋지 못할 수 있으므로, 이러한 오믹 특성을 개선하기 위해 오믹층(40)으로 투명 전극 등을 형성할 수 있다.Since the light emitting structure 20, in particular, the second conductivity-type semiconductor layer 26 has a low impurity doping concentration and a high contact resistance, and thus may have poor ohmic characteristics, the ohmic layer 40 may be improved. Transparent electrodes and the like can be formed.

상기 오믹층(40)은 약 200 옹스트롱의 두께일 수 있다. 상기 오믹층(40)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.The ohmic layer 40 may be about 200 angstroms thick. The ohmic layer 40 may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), and indium gallium tin (IGTO). oxide), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), IZO (IZO Nitride), AGZO (Al-Ga ZnO), IGZO (In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, and Ni / IrOx / Au / ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt At least one of Au, Hf, and the like may be formed, and the material is not limited thereto.

상기 발광 구조물(20)은 제1 도전형 반도체층(22)과 상기 제1 도전형 반도체층(22) 상에 형성되고 광을 방출하는 활성층(24)과 상기 활성층(24) 상에 형성된 제2 도전형 반도체층(26)을 포함한다.The light emitting structure 20 is formed on the first conductive semiconductor layer 22 and the first conductive semiconductor layer 22 and the active layer 24 emitting light and the second formed on the active layer 24. And a conductive semiconductor layer 26.

상기 제1 도전형 반도체층(22)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층(22)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first conductivity type semiconductor layer 22 may be implemented as a group III-V compound semiconductor doped with a first conductivity type dopant, and when the first conductivity type semiconductor layer 22 is an N-type semiconductor layer, The first conductive dopant may be an N-type dopant and may include Si, Ge, Sn, Se, or Te, but is not limited thereto.

상기 제1 도전형 반도체층(22)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(22)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.The first conductive semiconductor layer 22 may be formed of a semiconductor material having a compositional formula of Al x In y Ga (1-xy) N (0 ≦ x ≦ 1, 0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). It may include. The first conductive semiconductor layer 22 may be formed of any one or more of GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP.

활성층(24)은 제1 도전형 반도체층(22)을 통해서 주입되는 전자와 이후 형성되는 제2 도전형 반도체층(26)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이고, 활성층(24)에서 방출되는 빛은 가시광선 영역 외에 자외선 영역의 광이 방출될 수도 있다.In the active layer 24, electrons injected through the first conductive semiconductor layer 22 and holes injected through the second conductive semiconductor layer 26 formed thereafter meet each other to form an energy band inherent to the active layer (light emitting layer) material. The layer may emit light having energy determined by the light, and the light emitted from the active layer 24 may emit light in the ultraviolet region in addition to the visible region.

상기 활성층(24)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(24)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The active layer 24 may be formed of at least one of a single quantum well structure, a multi quantum well structure (MQW), a quantum-wire structure, or a quantum dot structure. For example, the active layer 24 may include trimethyl gallium gas (TMGa), ammonia gas (NH 3 ), nitrogen gas (N 2 ), and trimethyl indium gas (TMIn) to form a multi-quantum well structure. It is not limited to this.

상기 활성층(24)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.The well layer / barrier layer of the active layer 24 is formed of one or more pair structures of InGaN / GaN, InGaN / InGaN, GaN / AlGaN, InAlGaN / GaN, GaAs (InGaAs) / AlGaAs, GaP (InGaP) / AlGaP. But it is not limited thereto. The well layer may be formed of a material having a lower band gap than the band gap of the barrier layer.

상기 활성층(24)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(24)의 밴드 갭보다는 높은 밴드 갭을 갖을 수 있다.A conductive cladding layer (not shown) may be formed on or under the active layer 24. The conductive clad layer may be formed of an AlGaN-based semiconductor, and may have a higher band gap than the band gap of the active layer 24.

상기 제2 도전형 반도체층(26)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(26)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.The second conductive type semiconductor layer 26 is a second conductive type dopant is doped III-V compound semiconductor, for example -5, In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤ And 1, 0 ≦ x + y ≦ 1). When the second conductive semiconductor layer 26 is a P-type semiconductor layer, the second conductive dopant may include Mg, Zn, Ca, Sr, Ba, or the like as a P-type dopant.

발광 구조물(20)의 상부, 즉 제1 도전형 반도체층(22)의 표면에는 제1 전극(80)이 형성될 수 있는데, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.The first electrode 80 may be formed on the light emitting structure 20, that is, on the surface of the first conductive semiconductor layer 22, and includes aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), and nickel ( Ni), copper (Cu), and gold (Au) may be formed to have a single layer or a multilayer structure.

발광 구조물(20)의 측면에는 패시베이션층(passivation layer, 90)이 형성될 수 있다.A passivation layer 90 may be formed on the side surface of the light emitting structure 20.

상기 패시베이션층(90)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 상기 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 상기 패시베이션층(90)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다. 도 4에 도시된 수직형 발광소자(130) 외에 수평형의 발광소자가 배치될 수도 있다.The passivation layer 90 may be made of an insulating material, and the insulating material may be made of an oxide or nitride which is non-conductive. As an example, the passivation layer 90 may be formed of a silicon oxide (SiO 2 ) layer, an oxynitride layer, and an aluminum oxide layer. In addition to the vertical light emitting device 130 illustrated in FIG. 4, a horizontal light emitting device may be disposed.

도 5a 및 도 5b는 도 1의 반사판의 일실시예들을 나타낸 도면이다.5A and 5B illustrate exemplary embodiments of the reflector of FIG. 1.

도 5a에서 반사판(231)의 내측의 반사면(R)이 발광소자 패키지에서 방출된 빛을 반사하며, 반사면(R)은 파라볼릭(parabolic) 형상일 수 있고, 반사판(231)은 광 반사율이 뛰어난 알루미늄이나 은 등으로 이루어질 수 있다.In FIG. 5A, the reflection surface R inside the reflection plate 231 reflects the light emitted from the light emitting device package, the reflection surface R may have a parabolic shape, and the reflection plate 231 may have a light reflectance. This excellent aluminum or silver can be made.

도 5b에 도시된 실시예에서 반사판(231)에 반사면(231a)이 별도로 코팅되어 있는데, 반사면(231a)은 반사판(231)의 내측면에 광 반사율이 뛰어난 은이나 알루미늄 등이 배치될 수 있다.In the embodiment illustrated in FIG. 5B, the reflective surface 231a is separately coated on the reflective plate 231, and the reflective surface 231a may have silver, aluminum, or the like having excellent light reflectance on the inner surface of the reflective plate 231. have.

도 6은 도 5의 발광소자 모듈의 광출사각을 나타낸 도면이다. 발광소자 모듈(200)에서 방출되는 빛 중, 가장 좌측 방향으로 진행하는 빛(Light1)과 가장 우측 방향으로 진행하는 빛(Light2)이 이루는 각도는 140도(°)일 수 있다.6 is a view illustrating a light exit angle of the light emitting device module of FIG. 5. Among the light emitted from the light emitting device module 200, an angle formed by the light 1 traveling in the leftmost direction and the light 2 traveling in the rightmost direction may be 140 degrees.

만약 반사판(231, 232)의 높이(h2)가 발광소자 패키지(100) 내에 배치된 발광소자의 높이와 동일하면, 발광소자에서 방출된 빛이 좌우 방향으로 나란하게 진행될 수 있어서 발광소자 모듈(200)에서 방출되는 빛의 각도가 180도 일 수 있다.If the height h 2 of the reflecting plates 231 and 232 is the same as the height of the light emitting device disposed in the light emitting device package 100, the light emitted from the light emitting device may proceed side by side in the left and right directions so that the light emitting device module ( The angle of light emitted from 200 may be 180 degrees.

도 7 및 도 8은 발광소자 모듈의 다른 실시예를 나타낸 도면이다.7 and 8 illustrate another embodiment of a light emitting device module.

도 7에 도시된 발광소자 모듈(200)은 상부에 렌즈(260)가 배치되어 빛의 진행 경로를 변경할 수 있다. 렌즈(260)는 반사판(231, 232)에 의하여 지지될 수 있으며, 투명 수지나 실리콘 수지 등으로 이루어지며 형광체와 같은 파장 변환 물질을 포함할 수 있다.In the light emitting device module 200 illustrated in FIG. 7, a lens 260 may be disposed at an upper portion thereof to change a light propagation path. The lens 260 may be supported by the reflecting plates 231 and 232, and may be made of a transparent resin, a silicone resin, or the like, and may include a wavelength conversion material such as a phosphor.

도 8에 도시된 실시예는 도 7의 실시예와 유사하나, 발광소자 패키지(100)와 렌즈(260) 사이에 에어 갭(air gap)이 배치될 수 있다. 에어 갭의 작용으로 광을 출사 경로가 도 7에 도시된 실시예와 상이할 수 있다.8 is similar to the embodiment of FIG. 7, but an air gap may be disposed between the light emitting device package 100 and the lens 260. The path of exiting light by the action of the air gap may be different from the embodiment shown in FIG. 7.

상술한 실시예들에 따른 발광소자 모듈은 발광소자 또는 발광소자 패키지가 경사면에 배치되므로, 발광소자 모듈의 측면으로 직광이 방출되고 상부로는 반사판 등에 의하여 경로가 변경된 간접광이 방출되므로 광각이 넓어지고 눈부심을 방지할 수 있다. 그리고, 경사면과 연결면에 의하여 형성되는 공간만큼 부피만큼 기판의 부피가 증가하여, 방열특성이 향상될 수 있다. 또한, 기판이 경사면을 이루고 경사면 위에 리드 프레임이 배치되므로, 전극의 길이 내지 면적이 감소할 수 있다.In the light emitting device module according to the embodiments described above, since the light emitting device or the light emitting device package is disposed on the inclined surface, the direct light is emitted to the side of the light emitting device module and the indirect light whose path is changed by the reflecting plate is emitted to the upper part so that the wide angle is wide. To prevent glare. In addition, the volume of the substrate is increased by the volume corresponding to the space formed by the inclined surface and the connecting surface, thereby improving heat dissipation characteristics. In addition, since the substrate forms an inclined surface and the lead frame is disposed on the inclined surface, the length to the area of the electrode may be reduced.

실시 예에 따른 발광소자 모듈은 복수 개가 어레이되고, 발광소자 모듈의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 모듈, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다.A plurality of light emitting device modules according to the embodiment may be arrayed, and a light guide plate, a prism sheet, a diffusion sheet, or the like, which is an optical member, may be disposed on an optical path of the light emitting device module. The light emitting device module, the substrate, and the optical member may function as a light unit.

또 다른 실시예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광소자 모듈을 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다. 이하에서는 상술한 발광소자 모듈이 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 헤드 램프와 백라이트 유닛을 설명한다.Yet another embodiment may be implemented as a display device, an indicator device, or a lighting system including the semiconductor light emitting device or the light emitting device module described in the above embodiments, for example, the lighting system may include a lamp, a street lamp. . Hereinafter, a head lamp and a backlight unit will be described as an embodiment of a lighting system in which the above-described light emitting device module is disposed.

도 9는 발광소자 패키지를 포함하는 헤드 램프의 일 실시예를 나타낸 도면이다.9 is a diagram illustrating an embodiment of a head lamp including a light emitting device package.

실시예에 따른 헤드 램프(400)는 발광소자 패키지가 배치된 발광소자 모듈(401)에서 방출된 빛이 리플렉터(402)와 쉐이드(403)에서 반사된 후 렌즈(404)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다.The light emitted from the light emitting device module 401 in which the light emitting device package is disposed is reflected by the reflector 402 and the shade 403 and then transmitted through the lens 404 to the front of the vehicle body You can head.

실시예에 따른 헤드 램프는, 상술한 바와 같이 발광소자 모듈에서 광각이 넓어지고 눈부심이 방지되며, 기판과 전극의 길이가 감소할 수 있다.As described above, the head lamp according to the embodiment may have a wider angle in the light emitting device module, prevent glare, and reduce the length of the substrate and the electrode.

도 10은 발광소자 모듈을 포함하는 표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.10 is a diagram illustrating an embodiment of a display device including a light emitting device module.

도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 표시장치(500)는 발광소자 모듈과, 바텀 커버(510) 상의 반사판(520)과, 상기 반사판(520)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(540)과, 상기 도광판(540)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(550)와 제2 프리즘시트(560)와, 상기 제2 프리즘시트(560)의 전방에 배치되는 패널(570)과 상기 패널(570)의 전반에 배치되는 컬러필터(580)를 포함하여 이루어진다.As shown, the display device 500 according to the present exemplary embodiment includes a light emitting device module, a reflecting plate 520 on the bottom cover 510, and light disposed in front of the reflecting plate 520 and emitted from the light source module. A light guide plate 540 for guiding the front of the display device, a first prism sheet 550 and a second prism sheet 560 disposed in front of the light guide plate 540, and a front of the second prism sheet 560. And a color filter 580 disposed throughout the panel 570.

발광소자 모듈은 회로 기판(530) 상의 발광소자 패키지(535)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(530)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(535)의 구체적인 배치는 상술한 바와 같다.The light emitting device module includes a light emitting device package 535 on the circuit board 530. Here, the circuit board 530 may be a PCB, etc., the specific arrangement of the light emitting device package 535 is as described above.

바텀 커버(510)는 표시 장치(500) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 반사판(520)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 도광판(540)의 후면이나, 상기 바텀 커버(510)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.The bottom cover 510 may accommodate components in the display device 500. The reflective plate 520 may be formed as a separate component as shown in the drawing, or may be provided on the rear surface of the light guide plate 540 or on the front surface of the bottom cover 510 with a highly reflective material.

반사판(520)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.The reflector 520 can be made of a material having a high reflectance and can be used in an ultra-thin shape, and a polyethylene terephthalate (PET) can be used.

도광판(540)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(530)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 또한, 도광판(540)이 생략되면 에어 가이드 방식의 표시장치가 구현될 수 있다.The light guide plate 540 scatters the light emitted from the light emitting device package module so that the light is uniformly distributed over the entire screen area of the LCD. Accordingly, the light guide plate 530 is made of a material having a good refractive index and transmittance. The light guide plate 530 may be formed of poly methylmethacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), or polyethylene (PE). Also, if the light guide plate 540 is omitted, an air guide display device can be realized.

상기 제1 프리즘 시트(550)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.The first prism sheet 550 is formed on one side of the support film with a translucent and elastic polymer material. The polymer may have a prism layer in which a plurality of steric structures are repeatedly formed. Here, the plurality of patterns may be provided in the stripe type and the valley repeatedly as shown.

상기 제2 프리즘 시트(560)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(550) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(570)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.In the second prism sheet 560, a direction of a floor and a valley of one side of the supporting film may be perpendicular to a direction of a floor and a valley of one side of the supporting film in the first prism sheet 550. This is for evenly distributing the light transmitted from the light source module and the reflective sheet in all directions of the panel 570.

본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(550)과 제2 프리즘시트(560)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.In this embodiment, the first prism sheet 550 and the second prism sheet 560 constitute an optical sheet, which may be made of other combinations, for example, a microlens array or a combination of a diffusion sheet and a microlens array Or a combination of one prism sheet and a microlens array, or the like.

상기 패널(570)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(560) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.A liquid crystal display (LCD) panel may be disposed on the panel 570. In addition to the liquid crystal display panel 560, other types of display devices requiring a light source may be provided.

상기 패널(570)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.In the panel 570, a liquid crystal is positioned between glass bodies, and a polarizing plate is placed on both glass bodies to utilize the polarization of light. Here, the liquid crystal has an intermediate property between a liquid and a solid, and liquid crystals, which are organic molecules having fluidity like a liquid, are regularly arranged like crystals. The liquid crystal has a structure in which the molecular arrangement is changed by an external electric field And displays an image.

표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.A liquid crystal display panel used in a display device is an active matrix type, and a transistor is used as a switch for controlling a voltage supplied to each pixel.

상기 패널(570)의 전면에는 컬러 필터(580)가 구비되어 상기 패널(570)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.A color filter 580 is provided on the front surface of the panel 570 so that only the red, green, and blue light is transmitted through the panel 570 for each pixel.

실시예에 따른 백라이트 유닛은, 실시예에 따른 헤드 램프는, 상술한 바와 같이 발광소자 모듈에서 광각이 넓어지고 눈부심이 방지되며, 기판과 전극의 길이가 감소할 수 있다.In the backlight unit according to the embodiment, the head lamp according to the embodiment may have a wider angle and prevent glare in the light emitting device module, and the length of the substrate and the electrode may be reduced.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

100 : 발광소자 패키지 110 : 패키지 몸체
121, 122 : 제1,2 리드 프레임 130 : 발광소자
140 : 도전성 접착층 145 : 와이어
250 : 몰딩부 200 : 발광소자 모듈
210 : 기판 221,222,223 : 제1,2,3 전극
231, 231 : 반사판 241, 242 : 접착층
260 : 렌즈
400 : 헤드 램프 410 : 발광소자 모듈
420 : 리플렉터 430 : 쉐이드
440 : 렌즈
800 : 표시장치 810 : 바텀 커버
820 : 반사판 830 : 회로 기판 모듈
840 : 도광판 850, 860 : 제1,2 프리즘 시트
870 : 패널 880 : 컬러필터
100: light emitting device package 110: package body
121 and 122: first and second lead frames 130: light emitting elements
140: conductive adhesive layer 145: wire
250: molding 200: light emitting device module
210: substrate 221,222,223: first, second, third electrode
231, 231: reflector plates 241, 242: adhesive layer
260 lens
400: head lamp 410: light emitting element module
420: reflector 430: shade
440 lens
800: display device 810: bottom cover
820: reflector 830: circuit board module
840: Light guide plate 850, 860: First and second prism sheet
870 panel 880 color filter

Claims (10)

경사면을 가지는 복수 개의 기판, 상기 기판의 일면 상에 각각 위치하는 복수 개의 발광소자;
상기 기판의 타면은 서로 마주보며 배치되고,
상기 기판의 일면과 마주보며,상기 복수 개의 발광소자로부터 방출되는 빛을 반사하는 반사판을 포함하는 발광소자 모듈.
A plurality of substrates having inclined surfaces, and a plurality of light emitting elements positioned on one surface of the substrate;
The other surface of the substrate is disposed facing each other,
A light emitting device module facing a surface of the substrate, the light emitting device comprising a reflector reflecting light emitted from the plurality of light emitting devices.
제1 항에 있어서,
상기 반사판은 상기 복수 개의 기판을 사이에 두고 서로 마주보며 배치되는 발광소자 모듈.
The method according to claim 1,
The reflector plate is disposed to face each other with the plurality of substrates in between.
제1 항에 있어서,
상기 복수 개의 기판 상에 각각 배치된 제1 전극, 제2 전극 및 제3 전극을 더 포함하는 발광소자 모듈.
The method according to claim 1,
The light emitting device module further comprises a first electrode, a second electrode and a third electrode disposed on the plurality of substrates, respectively.
제3 항에 있어서,
상기 제1 전극과 제2 전극은 상기 복수 개의 발광소자에 각각 전기적으로 연결되는 발광소자 모듈.
The method of claim 3,
The first electrode and the second electrode is a light emitting device module electrically connected to the plurality of light emitting devices, respectively.
제4 항에 있어서,
상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 하나는 상기 기판의 바닥 면 상에 연장되어 배치된 발광소자 모듈.
5. The method of claim 4,
At least one of the first electrode and the second electrode extends on a bottom surface of the substrate.
제2 항에 있어서,
상기 반사판은 상기 복수 개의 기판 상에 위치하며, 상기 반사판 상에는 렌즈가 위치하는 발광소자 모듈.
The method of claim 2,
The reflective plate is positioned on the plurality of substrates, the light emitting device module is positioned on the reflective plate.
제3 항에 있어서,
상기 제3 전극은 상기 복수 개의 발광소자와 전기적으로 연결되는 발광소자 모듈.
The method of claim 3,
The third electrode is a light emitting device module electrically connected to the plurality of light emitting devices.
제7 항에 있어서,
상기 복수 개의 기판들은 상기 제3 전극과 도전 부재를 통해서 서로 전기적으로 연결되는 발광소자 모듈.
The method of claim 7, wherein
And the plurality of substrates are electrically connected to each other through the third electrode and the conductive member.
제1 항에 있어서,
상기 반사판의 최고점의 높이는 상기 기판의 높이보다 낮은 발광소자 모듈.
The method according to claim 1,
The height of the highest point of the reflector plate is lower than the height of the substrate module.
제1 항 내지 제9 항 중 어느 한 항의 발광소자 모듈을 포함하는 조명시스템.10. An illumination system comprising the light emitting device module of claim 1.
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