KR20130075264A - 발광 다이오드 제조 방법 - Google Patents

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KR20130075264A
KR20130075264A KR1020110143569A KR20110143569A KR20130075264A KR 20130075264 A KR20130075264 A KR 20130075264A KR 1020110143569 A KR1020110143569 A KR 1020110143569A KR 20110143569 A KR20110143569 A KR 20110143569A KR 20130075264 A KR20130075264 A KR 20130075264A
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Abstract

발광 다이오드 제조 방법이 개시된다. 이 방법은, 성장 기판 상에 질화물 반도체층을 성장하고, 상기 질화물 반도체층에 지지기판을 형성하고, 상기 지지기판에 고정 기판을 부착하고, 상기 고정 기판이 부착된 상태에서 상기 성장 기판을 상기 질화물 반도체층으로부터 제거하는 것을 포함한다. 상기 고정기판에 의해 성장기판 제거 후에 발생될 수 있는 휨을 방지할 수 있다.

Description

발광 다이오드 제조 방법{METHOD OF FABRICATING LIGHT EMITTING DIODE}
본 발명은 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판 분리 공정을 적용하여 성장기판을 제거하는 질화갈륨계열의 고효율 발광 다이오드 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접 천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 가지므로, 최근 가시광선 및 자외선 영역의 발광소자용 물질로 많은 각광을 받고 있다. 특히, 질화인듐갈륨(InGaN)을 이용한 청색 및 녹색 발광 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.
이러한 III족 원소의 질화물 반도체층은 그것을 성장시킬 수 있는 동종의 기판을 제작하는 것이 어려워, 유사한 결정 구조를 갖는 이종 기판에서 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정을 통해 성장된다. 이종기판으로는 육방 정계의 구조를 갖는 사파이어(Sapphire) 기판이 주로 사용된다. 그러나, 사파이어는 전기적으로 부도체이므로, 발광 다이오드 구조를 제한한다. 이에 따라, 최근에는 사파이어와 같은 이종기판 상에 질화물 반도체층과 같은 에피층들을 성장시키고, 상기 에피층들에 지지기판을 본딩한 후, 레이저 리프트 오프 기술 등을 이용하여 이종기판을 분리하여 수직형 구조의 고효율 발광 다이오드를 제조하는 기술이 개발되고 있다.
도 1은 종래의 발광 다이오드 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1(a)를 참조하면, 우선, 성장 기판(21) 상에 질화물 반도체층(23)이 성장된다. 질화물 반도체층(23)은 n형 질화물 반도체층, 활성층 및 p형 질화물 반도체층을 포함한다. 상기 질화물 반도체층(23) 상에 반사 금속층(25), 확산 장벽층(27)이 형성되고, 본딩 금속(29)을 통해 지지기판(31)이 본딩된다. 상기 지지기판(31)으로는 도전성 및 방열 특성을 고려하여 일반적으로 금속 기판이 사용된다.
도 1(b)를 참조하면, 상기 성장 기판(21)이 레이저 리프트 오프 또는 화학적 리프트 오프 기술을 이용하여 질화물 반도체층(23)으로부터 제거된다. 노출된 질화물 반도체층(23)의 표면은 평탄화되거나 텍스쳐링될 수 있다.
도 1(c)를 참조하면, 상기 질화물 반도체층(23)을 사진 및 식각 공정을 사용하여 패터닝하여 개별 발광 다이오드 칩 단위로 분리한다. 이에 따라, 분리된 질화물 반도체층(23a)이 형성된다. 질화물 반도체층(23)을 패터닝하기 전 또는 후에 질화물 반도체층(23 또는 23a) 상에 전극 패드(도시하지 않음)가 형성될 수 있다. 그 후, 지지기판(31)을 절단하여 개별 발광 다이오드 칩이 완성된다.
종래 기술에 따르면, 방열 특성이 우수하고, 발광 효율이 양호한 수직형 구조의 발광 다이오드 칩이 제공될 수 있다.
그러나, 도 2에 도시한 바와 같이, 성장 기판(21)을 제거한 후, 질화물 반도체층(23)과 지지기판(31) 사이의 열팽창 계수 차이에 기인하여 지지기판(31)과 질화물 반도체층(23)의 휨이 발생된다. 질화물 반도체층(23)이 휘어질 경우, 사진 공정을 정밀하게 수행할 수 없어 질화물 반도체층(23)을 패터닝하기 곤란하다. 더욱이, 질화물 반도체층(23)에 인가되는 압축응력 때문에 성장 기판(21)을 분리하거나 질화물 반도체층(23)을 패터닝하는 동안 질화물 반도체층(23)에 크랙이 발생하기 쉽다.
지지기판(31)과 질화물 반도체층(23)의 휨을 방지하기 위해, 지지기판(31)을 상대적으로 두껍게 형성할 수 있으나, 이는 지지기판(31)을 개별 발광 다이오드 칩 단위로 분할하는 것을 어렵게 하고, 또한 최종 발광 다이오드 칩의 높이를 증가시킨다.
한편, 도 3에 도시한 바와 같이, 질화물 반도체층(23)을 패터닝하기 위해 지지기판(31)이 건식 식각 장비의 챔버 내 웨이퍼 배치대(10)에 위치하고, 클램프(11)에 의해 고정된다. 상기 클램프(11)는 나사(13)에 의해 배치대(10)에 고정될 수 있다. 이때, 상기 클램프(11)는 질화물 반도체층(23)을 눌러 지지기판(31)을 고정시키기 때문에, 클램프(11)가 접촉하는 질화물 반도체층(23) 부분은 패터닝 공정이 수행될 수 없다. 따라서, 클램프(11)가 접촉하는 영역은 최종적으로 폐기된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 지지기판을 상대적으로 얇게 형성하면서 성장 기판 제거 후에 발생되는 질화물 반도체층의 휨을 방지할 수 있는 발광 다이오드 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는, 질화물 반도체층 패터닝 공정의 클램핑 때문에 질화물 반도체층 부분이 낭비되는 것을 방지할 수 있는 발광 다이오드 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드 제조 방법은, 성장 기판 상에 질화물 반도체층을 성장하고, 상기 질화물 반도체층에 지지기판을 형성하고, 상기 지지기판에 고정 기판을 부착하고, 상기 고정 기판이 부착된 상태에서 상기 성장 기판을 상기 질화물 반도체층으로부터 제거하는 것을 포함한다. 상기 고정기판에 의해 성장기판 제거 후에 발생될 수 있는 휨을 방지할 수 있다.
상기 방법은 또한 상기 고정 기판을 상기 지지기판으로부터 분리하는 것을 더 포함한다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 고정기판은 접착제를 사용하여 지지기판에 부착되고, 상기 고정기판은 상기 접착제를 솔벤트를 이용하여 용해함으로써 상기 지지기판으로부터 분리될 수 있다.
나아가, 상기 고정기판은 복수의 관통홀들을 갖고, 상기 솔벤트는 상기 복수의 관통홀들을 통해 상기 고정기판과 상기 접착제 계면에 침투하여 상기 접착제를 용해할 수 있다. 이에 따라, 상기 지지기판의 바닥면에 오염물이 잔류하는 것을 방지할 수 있다. 상기 접착제는 포토레지스트일 수 있다.
또한, 상기 고정기판은 광 투과성 기판이고, 상기 포토레지스트를 제거하기 전에 상기 포토레지스트에 광을 조사하여 상기 포토레지스트를 용해하기 쉽게 변화시킬 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 고정기판은 점착제를 사용하여 상기 지지기판에 부착되고, 상기 점착제를 상기 지지기판으로부터 분리함으로써 상기 고정기판이 지지기판으로부터 분리될 수 있다. 상기 점착제는 아크릴계 점착제, 실리콘 점착제 또는 열 경화형이나 자외선 경화형 점착제일 수 있다.
한편, 상기 발광 다이오드 제조 방법은 상기 질화물 반도체층을 패터닝하는 것을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 질화물 반도체층은 상기 지지기판에 고정기판이 부착된 상태에서 패터닝된다. 또한, 상기 질화물 반도체층을 패터닝하는 동안, 상기 지지기판에 부착된 고정기판은 상기 지지기판에 비해 더 넓은 면적을 가지며, 상기 고정기판이 클램핑될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 고정기판을 사용함으로써 지지기판의 두께를 증가시키지 않으면서 성장 기판 제거 후 지지기판 및 질화물 반도체층의 휨을 방지할 수 있다. 나아가, 관통홀들을 갖는 고정기판을 사용하여 포토레지스트 등의 접착제를 제거함으로써 지지기판의 뒷면에 오염물이 잔류하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 고정기판을 성장 기판에 비해 더 큰 면적을 갖도록 함으로써 질화물 반도체층을 패터닝하는 동안 클램프가 고정기판을 클램핑 하도록 할 수 있다. 따라서, 클램핑에 의해 질화물 반도체층이 낭비되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 종래 기술에 따른 발광 다이오드 제조 공정 중 발생하는 기판 휨을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 제조 공정 중 질화물 반도체층을 패터닝하기 위한 클램핑을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 고정기판을 설명하기 위한 평면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 공정 중 질화물 반도체층을 패터닝하기 위한 클램핑을 설명하기 위한 단면도이다.
도 11은 고정기판 제거 후 지지기판의 뒷면을 나타내는 사진들로서, (a)는 접착 테이프를 사용한 경우, (b)는 포토레지스트를 사용한 경우의 사진이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 동일한 참조번호는 동일한 구성요소를 나타내며, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 고정기판을 설명하기 위한 평면도이고, 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 제조 공정 중 질화물 반도체층을 패터닝하기 위한 클램핑을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 성장 기판(21) 상에 질화물 반도체층(23)이 성장된다. 상기 질화물 반도체층(23)은, n형 화합물 반도체층, 활성층 및 p형 화합물 반도체층을 포함한다. 상기 질화물 반도체층(23)은 MOCVD 또는 MBE 등의 성장 방법을 사용하여, III-N 계열의 화합물 반도체, 예컨대 (Al, Ga, In)N 반도체로 형성될 수 있다. 또한, n형 화합물 반도체층 및 p형 화합물 반도체층은 각각 단일층 또는 다중층일 수 있으며, 상기 활성층은 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자우물 구조일 수 있다.
상기 성장 기판(21)은 질화물 반도체층(23)을 성장시키기에 적합한 기판이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 사파이어, 스피넬, SiC, Si 등의 단결정 기판일 수 있다.
상기 질화물 반도체층(23) 상에 반사층(25)이 형성되고, 상기 반사층(25) 상에 장벽층(27)이 형성된다. 상기 반사층(25)은 예컨대 Ag로 형성될 수 있으며, p형 화합물 반도체층에 오믹 콘택하기 위한 오믹 콘택층을 더 포함할 수 있다. 한편, 상기 장벽층(27)은 Ag 원자의 확산을 방지하여 반사층(25)을 보호하기 위해 형성되며, Ni을 포함할 수 있다. 상기 반사층(25)이 패터닝되고, 상기 장벽층(27)은 상기 반사층(25)을 감싸도록 형성될 수 있으며, 따라서 장벽층(27)이 p형 화합물 반도체층에 접촉할 수 있다. 이때, 상기 장벽층(27)은 p형 화합물 반도체층에 쇼트키 컨택하는 금속으로 형성될 수 있다.
상기 장벽층(27) 상에 본딩 금속(29)을 통해 지지기판(31)이 부착된다. 상기 지지기판(31)은 도금에 의해 형성될 수도 있다. 상기 지지기판(31)은 금속 기판일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 나아가, 상기 지지기판(31)은 질화물 반도체층(23)과 동일한 열팽창 계수를 가질 것을 요하지 않는다.
도 5를 참조하면, 상기 지지기판(31)에 고정기판(41)이 부착된다. 상기 고정기판(41)은 금속 기판 또는 세라믹 기판일 수 있으며, 상기 고정기판(41)은 접착제(35)를 사용하여 지지기판(31)에 부착될 수 있다.
상기 접착제(35)는 예컨대 포토레지스트로 형성될 수 있다. 포토레지스트는 반도체 제조 공정에서 일반적으로 널리 사용되며, 또한 솔벤트에 의해 깨끗하게 제거된다. 특히, 상기 고정기판(41)이 광 투과성 기판이고, 상기 포토레지스트는 양성(positive) PR일 수 있으며, 따라서, 고정기판(41)을 통해 상기 포토레지스트에 자외선 등의 광을 조사한 후, 현상액을 이용하여 포토레지스트를 쉽게 제거할 수 있다. 한편, 상기 고정기판(41)이 금속과 같이 광을 투과하지 않는 불투명 기판인 경우, 상기 음성(negative) 포토레지스트가 사용될 수 있다.
이와 달리, 상기 접착제(35)로서 또는 접착제 대신에 점착제가 사용될 수 있다. 점착제는 접착 특성을 가지며 또한 박리가 가능한 특성을 갖는다. 상기 점착제로는 예컨대 아크릴계 점착제, 실리콘 점착제, 또는 열 경화형이나 자외선 경화형 점착제가 사용될 수 있다. 특히, 광 투과성의 고정기판(41)과 함께 자외선 경화형 점착제를 사용함으로써, 고정기판(41)의 부착 및 박리를 용이하게 할 수 있다.
한편, 상기 고정기판(41)은, 도 9에 도시한 바와 같이, 복수의 관통홀들(41a)을 갖는다. 상기 복수의 관통홀들(41a)은 고정기판(41)의 거의 전 영역에 걸쳐 분포될 수 있다. 상기 관통홀들(41a)은 고정기판(41)을 지지기판(31)으로부터 분리할 때, 솔벤트가 침투하는 경로를 제공하여, 접착제(35)를 쉽게 용해하도록 돕는다.
또한, 상기 고정기판(41)은 도 5에 도시한 바와 같이, 성장 기판(21) 및 지지기판(31)에 비해 더 큰 면적을 가질 수 있다. 상기 성장 기판(21) 및 지지기판(31)은 고정기판(41)의 영역 상에 한정되어 위치한다.
도 6을 참조하면, 상기 고정기판(41)이 부착된 후, 성장 기판(21)이 질화물 반도체층(23)으로부터 제거된다. 상기 성장 기판(21)은 화학적 리프트 오프 또는 레이저 리프트 오프 등의 기술을 사용하여 질화물 반도체층(23)으로부터 분리될 수 있다.
상기 지지기판(31)과 고정기판(41)이 질화물 반도체층(23)을 지지하므로, 성장 기판(21)이 제거되어도 질화물 반도체층(23)의 휨을 방지할 수 있다. 따라서, 고정기판(41)에 의해 휨을 방지할 수 있어, 지지기판(31)의 두께를 상대적으로 얇게 할 수 있으며, 재료에 대한 선택범위를 넓힐 수 있다.
한편, 성장 기판(21)이 제거된 후, 질화물 반도체층(23) 표면에 요철 구조(도시하지 않음)가 형성될 수 있다. 상기 요철 구조는 예컨대, PEC, 습식 식각 또는 건식 식각 기술을 이용하여 질화물 반도체층(23)의 표면을 이방성 식각함으로써 형성할 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 질화물 반도체층(23)을 개별 발광 다이오드 칩 단위로 구분되도록 패터닝한다. 여기서, 상기 패터닝에 의해 질화물 반도체층(23)은 도시한 바와 같이 칩 단위로 분리될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 칩 단위로 완전히 분리되지 않고 부분적으로 분리될 수도 있다. 이에 따라 패터닝된 질화물 반도체층(23a)이 형성된다.
상기 질화물 반도체층(23)은 고정기판(41)에 의해 휨이 방지되기 때문에 패터닝 공정이 용이하게 수행될 수 있다.
한편, 도 10에 도시한 바와 같이, 상기 질화물 반도체층(23)을 패터닝하기 위해 고정기판(41)이 기판 배치대(10) 상에 놓이고, 클램프(11)가 고정기판(41)을 클램핑할 수 있다. 클램프(11)는 나사(13)에 의해 기판 배치대(10)에 고정될 수 있다.
상기 고정기판(41)이 지지기판(31)에 비해 상대적으로 더 넓은 면적을 갖기 때문에 클램프(11)는 질화물 반도체층(23)을 클램핑하는 대신 고정기판(41)을 클램핑할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 질화물 반도체층(23)의 일부가 클램핑에 의해 낭비되는 것을 방지할 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 지지기판(31)으로부터 고정기판(41)이 제거된다. 고정기판(41)은 포토레지스트와 같은 접착제(35)를 솔벤트를 이용하여 용해함으로써 쉽게 제거될 수 있다. 더욱이, 상기 고정기판(41)이 관통홀들(41a)을 갖기 때문에 솔벤트가 관통홀들(41a)을 통해 침투할 수 있으며, 따라서 접착제(35)를 쉽게 용해할 수 있다.
접착 테이프를 사용한 경우, 솔벤트에 의해 쉽게 용해되지 않기 때문에 접착 테이프가 지지기판(31)의 바닥면에 잔류할 수 있다. 도 11(a)는 접착 테이프를 이용하여 관통홀들이 없는 고정기판을 부착하고, 접착 테이프와 함께 고정기판을 제거한 후의 지지기판(31)의 바닥면을 나타내는 사진이다. 도 11(a)에 도시한 바와 같이, 지지기판(31)의 바닥면에 접착 테이프의 잔류물이 남아 있으며, 접착 테이프를 제거하는 동안 크랙이 발생되기 쉽다. 이에 반해, 도 11(b)는 포토레지스트 접착제(35)를 이용하여 관통홀들(41a)을 갖는 고정기판(41)을 부착하고, 포토레지스트 접착제(35)를 솔벤트로 용해하여 고정기판(41)을 제거한 후의 지지기판(31)의 바닥면을 나타내는 사진이다. 도 11(b)에 나타난 바와 같이, 포토레지스트를 접착제로 사용함과 아울러, 관통홀들(41a)을 갖는 고정기판(41)을 채택함에 따라, 지지기판(31)의 바닥면에 접착제(35)가 잔류하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 접착제(35) 대신에 점착제를 사용함으로써, 지지기판(31)의 바닥면에 오염물을 잔류하지 않으면서 고정기판(41)을 지지기판(31)으로부터 용이하게 분리할 수 있다.
한편, 고정기판(41)을 제거하기 전에 상기 질화물 반도체층(23) 상부에 전극 패드(도시하지 않음)가 형성될 수 있다. 전극 패드는 리프트 오프 기술을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 전극 패드를 형성하기 위해 사진 공정을 수행하는 동안, 고정기판(41)이 휨을 방지하기 때문에, 전극 패드를 정밀하게 형성할 수 있다.
앞의 실시예에 있어서, 상기 고정기판(41)이 부착된 상태에서 연속적으로 질화물 반도체층(23) 표면에 요철구조를 형성하고, 질화물 반도체층(23)을 패터닝하고, 전극 패드를 형성하는 공정이 수행되는 것으로 설명하였다. 하지만, 본 발명은 고정기판(41)이 연속적으로 지지기판(31)에 부착된 상태에서 후속 공정이 진행되는 것에 한정되지 않으며, 고정기판(41)은 부착과 탈착을 여러 번 반복할 수 있다. 즉, 고정기판(41)은 필요에 따라 중간 단계에서 지지기판(31)으로부터 분리된 후, 다시 부착될 수 있다. 덧붙여, 서로 다른 공정에서 부착되는 고정기판(41)은 동일한 고정기판이 반복 사용될 수도 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 고정기판이 사용될 수도 있다. 이 경우, 각 고정기판은 앞서 설명한 바와 같이 부착 및 탈착이 용이하도록 접착제(35) 또는 점착제에 의해 부착되며, 또한 관통홀들(41a)을 갖는다.
예를 들어, 질화물 반도체층(23)을 패터닝한 후, 상기 고정기판(41)이 일단 지지기판(31)으로부터 분리될 수 있다. 그 후, 상기 패터닝된 질화물 반도체층(23a) 상에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막이 형성될 수 있다. 그 후, 상기 고정기판(41) 또는 제2의 고정기판이 다시 지지기판(31)에 부착되고, 그 후, 상기 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 패터닝 공정 및 전극 패드 형성 공정이 수행될 수 있다. 최종적으로, 고정기판(41)은 지지기판(31)으로부터 분리되고, 지지기판(31)이 개별 칩 단위로 분할되어 발광 다이오드 칩이 완성된다.

Claims (11)

  1. 성장 기판 상에 질화물 반도체층을 성장하고,
    상기 질화물 반도체층에 지지기판을 형성하고,
    상기 지지기판에 고정 기판을 부착하고,
    상기 고정 기판이 부착된 상태에서 상기 성장 기판을 상기 질화물 반도체층으로부터 제거하는 것을 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 고정 기판을 상기 지지기판으로부터 분리하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 고정기판은 접착제를 사용하여 지지기판에 부착되고,
    상기 고정기판은 상기 접착제를 솔벤트를 이용하여 용해함으로써 상기 지지기판으로부터 분리되는 발광 다이오드 제조 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 고정기판은 복수의 관통홀들을 갖고,
    상기 솔벤트는 상기 복수의 관통홀들을 통해 상기 고정기판과 상기 접착제 계면에 침투하여 상기 접착제를 용해하는 발광 다이오드 제조 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 고정기판은 금속 기판 또는 세라믹 기판인 발광 다이오드 제조 방법.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 접착제는 포토레지스트인 발광 다이오드 제조 방법.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 고정기판은 광 투과성 기판이고, 상기 포토레지스트를 제거하기 전에 상기 포토레지스트에 광을 조사하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드 제조 방법.
  8. 청구항 2에 있어서,
    상기 고정기판은 점착제를 사용하여 상기 지지기판에 부착되고,
    상기 점착제를 상기 지지기판으로부터 분리함으로써 상기 고정기판이 지지기판으로부터 분리되는 발광 다이오드 제조 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 점착제는 열 경화형 또는 자외선 경화형 점착제인 발광 다이오드 제조 방법.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 질화물 반도체층을 패터닝하는 것을 더 포함하되,
    상기 질화물 반도체층은 상기 지지기판에 고정기판이 부착된 상태에서 패터닝되는 발광 다이오드 제조 방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 질화물 반도체층을 패터닝하는 동안, 상기 지지기판에 부착된 고정기판은 상기 지지기판에 비해 더 넓은 면적을 가지며, 상기 고정기판이 클램핑되는 발광 다이오드 제조 방법.
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