KR20130074416A - 기판처리장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있는 기판처리장치에 관한 것으로서, 내부에 공간이 형성되는 챔버와; 상기 챔버 내부에 구비되는 기판지지부와; 상기 기판지지부의 둘레 방향으로 상기 기판지지부와 이격되는 복수의 가스 분사공이 구비되어 상기 기판지지부를 향해 가스를 분사하는 가스분사체;를 포함하여, 기판을 균일하고 신속하게 냉각시킬 수 있어 기판의 이송 시간을 단축할 수 있으므로, 기판 상에 형성되는 소자의 품질을 균일하게 유지하고 공정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있는 기판처리장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자 또는 액정표시소자를 제조하기 위해서는 실리콘웨이퍼 또는 글래스(이하, '기판'이라 함)에 원료물질을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토리소그라피 공정 등을 거치게 되며, 이들 각 공정은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 프로세스 모듈의 내부에서 진행된다.
최근에는 생산성을 높이기 위하여 다수의 프로세스 모듈과, 기판이송을 담당하는 이송 모듈 등을 서로 긴밀하게 결합시킨 클러스터형 기판처리장치가 많이 사용되고 있으며, 이러한 기판처리장치는 카세트 모듈과, 대기이송 모듈과, 로드락 챔버와, 진공이송 모듈과, 프로세스 모듈을 가진다.
카세트 모듈에는 복수의 카세트가 로딩 및 언로딩되며, 이 카세트에는 공정처리 전의 기판 및 공정처리 후의 기판이 수납된다. 대기이송 모듈에는 대기압에서 작동하는 반송로봇이 구비되며, 반송로봇은 카세트 모듈과 로드락 챔버 사이에서 기판 이송을 담당한다. 로드락 챔버는 내부가 진공상태인 프로세스 모듈의 내부로 기판을 반입하거나 외부로 기판을 반출할 때 기판이 일시적으로 머무는 완충공간으로, 진공상태와 대기압상태로 반복해서 전환된다. 예컨대 로드락 챔버는 외부에서 기판이 반입되기 전에는 대기압상태를 유지하다가 기판이 반입되면 진공상태로 전환되고, 외부로 기판을 반출할 때는 진공상태에서 대기압상태로 전환된다. 이때, 로드락 챔버 내부를 대기압상태에서 진공상태로 전환하는 경우, 통상 로드락 챔버의 하부에 구비되는 배기포트를 통해 로드락 챔버 내부의 공기를 배출하고, 진공상태에서 대기압상태로 전환하는 경우에는 로드락 챔버의 일측에 구비되는 가스공급부(일명 벤팅 수단)를 통해 로드락 챔버 내부로 질소, 헬륨 등의 가스를 공급한다.
그러나 로드락 챔버 내부를 대기압상태로 전환할 때, 가스가 챔버의 일측에 구비된 가스공급부를 통해 공급되기 때문에, 가스가 챔버 내부 전체에 충진되는데 비교적 많은 시간이 소요되어 기판의 이송이 지연되는 문제점이 있다. 또한, 고온 공정이 완료된 기판이 로드락 챔버로 반입된 경우, 가스가 공급되는 부분부터 냉각되기 때문에 기판이 균일하게 냉각되지 않아 열응력 차이에 의해 기판이 변형되어 기판 상에 형성된 소자의 품질이 저하될 수 있는 문제점도 있다. 또한, 이렇게 기판이 변형된 경우 대기이송모듈의 반송로봇이 이를 이송하는 과정에서 떨어뜨려 주변 설비를 손상시키거나 오염시키는 등 심각한 문제를 일으킬 수도 있다.
본 발명은 기판을 신속하고 균일하게 냉각시킬 수 있는 기판처리장치를 제공한다.
본 발명은 기판의 이송 시간을 단축하여 공정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있는 기판처리장치를 제공한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판처리장치는, 내부에 공간이 형성되는 챔버와; 상기 챔버 내부에 구비되는 기판지지부와; 상기 기판지지부의 둘레 방향으로 상기 기판지지부와 이격되는 복수의 가스 분사공이 구비되어 상기 기판지지부를 향해 가스를 분사하는 가스분사체;를 포함한다.
상기 챔버는 상부벽, 하부벽 및 이들 벽을 연결하는 측벽을 포함하고, 상기 상부벽, 하부벽 및 측벽 중 적어도 하나에 가스 주입구가 형성되며, 상기 가스 분사체는 챔버 내부에 설치되어 상기 가스 주입구와 연통한다.
상기 챔버는 상부벽, 하부벽 및 이들 벽을 연결하는 측벽을 포함하고, 상기 가스 분사체는 상기 측벽을 따라 형성된 복수개의 가스 분사공을 포함할 수도 있다.
상기 기판지지부는 상하방향으로 복수 개 구비될 수도 있고, 상기 가스분사체는 상기 기판지지부의 최상부, 상기 기판지지부들 사이 및 상기 기판지지부의 최하부 중 적어도 어느 한 곳에 구비될 수도 있다.
상기 가스분사체는 링 형상이며, 상기 복수 개의 가스 분사공은 상기 기판지지부과 마주보는 상기 가스 분사체의 면에 형성될 수도 있다.
상기 가스 분사체는 홈이 형성된 몸체를 구비하며, 상기 몸체가 상기 챔버 내벽과 접촉 결합하여 가스 유로를 형성할 수도 있다. 이때, 상기 몸체와 상기 챔버 내벽이 접촉되는 부분에 밀폐부재가 개재될 수도 있다
한편, 상기 가스분사체는 내부에 가스가 흐르는 가스 유로가 형성되는 몸체를 구비하며 상기 챔버 내부에 설치될 수도 있다.
그리고 상기 가스 분사공은 상기 가스 분사체의 면을 따라 일정한 간격으로 배열될 수도 있다.
또한, 상기 챔버의 내부가 진공과 대기압 분위기로 전환 가능하도록 상기 챔버에 진공 형성 수단이 연결될 수도 있다.
그리고 상기 챔버가 복수 개 구비되어, 수평방향으로 배치되거나 상하방향으로 적층 배치될 수도 있다. 이때, 상기 복수 개의 챔버는 공통으로 배기 가능하도록 동일 배기관에 연결될 수도 있고, 상기 복수 개의 챔버는 공통으로 벤팅 가능하도록 동일 가스 공급관에 연결될 수도 있다.
본 발명의 실시 형태에 따른 기판처리장치는, 로드락 챔버 내부를 진공상태에서 대기압상태로 전환하기 위한 가스를 균일하게 공급할 수 있다. 이를 통해 기판을 균일하고 신속하게 냉각시킬 수 있어 기판의 이송 시간을 단축할 수 있으므로, 기판 상에 형성되는 소자의 품질을 균일하게 유지하고 공정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 기존의 장비에 적용 가능하여 비교적 적은 비용으로도 구조 변경을 용이하게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치가 적용된 기판처리시스템의 구성도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 단면도.
도 3은 도 2의 기판처리장치에 구비되는 가스 분사체의 구조를 보여주는 도면.
도 4는 가스 분사체의 변형 예를 보여주는 도면.
도 5 및 도 6은 가스 분사체의 설치 예를 보여주는 단면도.
도 7은 가스 분사체의 다른 예를 보여주는 개략 단면도 및 평면도.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 적용 예를 보여주는 단면도.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 단면도.
도 3은 도 2의 기판처리장치에 구비되는 가스 분사체의 구조를 보여주는 도면.
도 4는 가스 분사체의 변형 예를 보여주는 도면.
도 5 및 도 6은 가스 분사체의 설치 예를 보여주는 단면도.
도 7은 가스 분사체의 다른 예를 보여주는 개략 단면도 및 평면도.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 적용 예를 보여주는 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치가 적용된 기판처리시스템의 구성도이다.
도 1을 참조하면 기판처리시스템은 카세트 모듈(130), 대기압 모듈(140), 로드락 챔버(100), 반송실(transfer chamber)(150) 및 복수 개의 프로세스 챔버(160)를 포함한다. 카세트 모듈(130)은 처리 예정인 기판이 수용된 카세트가 로딩되거나 처리가 완료된 기판을 수용하기 위한 카세트가 언로딩된다. 대기압 모듈(140)은_ 카세트 모듈(130)의 후방에 구비되며, 내부에 대기압하에서 작동 가능한 반송로봇(142)이 설치된다. 반송로봇(142)은 카세트에 수용된 기판을 로드락 챔버(100)로 반입시키거나, 로드락 챔버(100) 내의 기판을 카세트로 반출한다. 또한, 로드락 챔버(100)는 대기압모듈(140)과 반송실(150) 사이에 구비되어, 외부에서 반입되거나, 또는 외부로 반출되는 기판이 일시적으로 머무는 완충공간이다. 로드락 챔버(100)는 대기압상태를 유지하다가 기판이 외부에서 반입되면 진공상태로 전환되고, 기판을 외부로 반출할 때에는 진공상태에서 대기압상태로 전환된다. 여기에서 로드락 챔버(100) 내부가 진공상태에서 대기압상태로 전환될 때, 로드락 챔버(100) 내부에는 일측에 구비되는 가스공급수단(170)으로부터 질소, 헬륨 등의 가스가 공급된다. 본 발명의 실시 예에서는 로드락 챔버(100) 내에 가스를 공급하는 가스공급부가 로드락 챔버(100)의 일측에 치우쳐 구비되어 가스가 로드락 챔버(100) 내부에 장착되는 기판에 균일하게 공급되지 않아 기판이 균일하게 냉각되지 않고, 로드락 챔버(100) 내부가 대기압상태로 전환되는데 비교적 많은 시간이 소요되는 등의 문제점을 해결하기 위하여, 로드락 챔버(100) 내에 가스를 신속하고 균일하게 공급할 수 있는 가스분사체(미도시)를 구성하였다. 가스분사체의 구체적인 구조 및 설치 위치에 대해서는 도 2 및 도 3의 설명에서 다시 설명하기로 한다.
반송실(150)은 로드락 챔버(100)와 복수 개의 프로세스 챔버(160) 사이에 구비되며, 내부에는 진공상태에서 작동 가능한 반송로봇(152)이 회동 가능하도록 설치된다. 반송로봇(152)은 로드락 챔버(100)와 프로세스 챔버(160)로 기판을 이송한다. 프로세스 챔버(160)에서는 내부에 반입된 기판에 증착, 식각 등 다양한 처리가 수행된다.
이하에서는 프로세스 챔버(160) 내부로 기판을 반입하거나 외부로 기판을 반출할 때 기판이 일시적으로 머무는 완충공간으로서의 로드락 챔버(100)에 대해서 설명한다. 본 실시 예에서는 기판처리장치가 로드락 챔버(100)인 것으로 설명하고 있으나, 내부에 가스의 공급 및 배출이 요구되는 다양한 종류의 챔버일 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 단면도이며, 도 3은 도 2의 기판처리장치에 구비되는 가스분사체의 구조를 보여주는 도면이다.
도 2를 참조하면, 기판처리장치는 내부에 공간이 형성되는 챔버(100)와, 챔버(100) 내부에 구비되는 기판지지부(110)와, 기판지지부(110)의 둘레 방향으로 기판지지부(110)와 이격되는 복수의 가스분사공(206)이 형성되어 기판지지부(110)를 향해 가스를 분사하는 가스분사체(200)를 포함한다.
챔버(100)는 상부벽, 하부벽 및 이들 벽을 연결하는 측벽을 포함하고, 이들 벽에 의해 기판 처리가 이루어지는 공간부가 형성된다. 이들 벽 중 소정의 위치에는 챔버(100) 내부로 가스를 공급(벤팅)하기 위한 적어도 한 개 이상의 가스주입구(102)와, 챔버(100) 내부의 가스를 외부로 배출하기 위한 배기구(미도시)가 형성될 수도 있다. 또한, 챔버(100)의 측벽에는 기판을 챔버(100) 내부로 반입하거나 챔버(100) 외부로 반출하기 위한 적어도 한 개 이상의 게이트밸브(120, 도 5 및 도 6 참조)가 형성될 수 있다.
챔버(100)에는 기판(W)이 장착되는 기판지지부(110, 110a, 110b)가 구비된다. 기판지지부(110, 110a, 110b)는 챔버(100) 내벽에 단속적으로 형성되어, 그 상부를 통해 기판(W)을 지지한다. 이와 같이 형성된 기판지지부(110a, 110b)는 상하방향으로 이격되어 복수 개 구비될 수 있다. 통상 로드락 챔버에는 기판(W)을 반입 또는 반출하기 위한 한 쌍의 게이트밸브(120)가 서로 대향하며 형성되기 때문에, 기판지지부(110)는 게이트밸브(120)가 형성되지 않은 챔버(100) 내벽에 단속적으로 형성된다.
가스분사체(200)는 챔버(100) 내부에서 가스주입구(102)와 연통되도록 형성되어 챔버(100) 내부로 가스를 분사한다. 가스분사체(200)는 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 링 형상의 몸체(202)로 형성된다.몸체(202)는 챔버(100) 내부에 공급되는 가스 또는 기판(W)이 반입되거나 반출되면서 챔버(100) 내부로 유입되는 가스 등과 반응하지 않고, 파티클 등의 이물질을 발생시키지 않는 재질로 형성될 수 있으며, 예컨대 알루미나, 지르코니아, 질화규소, 탄화규소 등의 세라믹이나 알루미늄 등으로 형성될 수도 있다. 또한, 가스분사체(200)는 챔버(100)의 크기에 따라 달라질 수 있으나, 150 내지 450㎜의 폭을 갖도록 형성될 수도 있다.
몸체(202)의 일면에는홈(204)이 형성되는데, 홈(204)에는 몸체(202)를 관통하며 복수 개의 가스분사공(206)이 형성된다. 이때, 홈(204)은는 가스분사체(200)와 마찬가지로 챔버(100)의 크기에 따라 그 크기가 달라질 수 있으나, 가스분사체(200)의 폭이 상기 제시된 범위인 경우 1 내지 50㎜의 폭을 갖도록 형성될 수도 있다.
복수 개의 가스분사공(206)은 가스 유로(204)를 따라 일정한 간격으로 배열되어 가스가 챔버(100) 내부, 즉 기판지지부(110)에 장착되는 기판(W)에 가스를 균일하게 분사한다. 가스분사공(206)은 의 도 3의 (b)에는 가스분사공(206)이 챔버(100)의 중심부측을 향하도록 기울어져 형성되어 있으나, 가스분사공(206)은 챔버(100) 내부 구조, 예컨대 가스분사체(200)와 기판지지부(110)와의 거리 등 다양한 변수에 따라 10 내지 170°정도의 각도 범위로 가스를 분사할 수 있도록 형성될 수 있다. 또한, 가스분사공(206)은 노즐 형태나 슬릿 형태 등 다양한 형상으로 형성될 수도 있으며, 노즐 형태로 형성되는 경우 0.1 내지 5㎜의 직경을 갖도록 형성될 수도 있다.
그리고 홈(204)의 양쪽으로는 몸체(202)를 챔버(100)에 밀착시켜 연결할 수 있도록 플랜지(203)가 형성된다. 또한, 플랜지(203)에는 볼트 등의 고정부재(미도시)를 이용하여 몸체(202)를 챔버(100)에 고정할 수 있도록 복수 개의 관통구(208)가 형성된다.
이와 형성된 가스분사체(200)는 몸체(202)의 일면을 챔버(100)의 내벽에 접촉시켜 결합된다. 이에 홈(204)과 챔버(100)의 내벽을 이용하여 가스가 공급되는 가스 유로가 형성된다. 가스분사체(200)를 챔버(100)에 고정할 때에는 가스분사체(200)의 몸체(202)와 챔버(100) 내벽이 접촉되는 부분에 오링(O-ring) 등과 같은 밀폐부재(210)를 개재하여 챔버(100)의 벽체와 몸체(202)를 밀착시킴으로써 가스 유로 내의 가스가 유출되는 것을 방지할 수 있다.
도 4는 가스분사체의 변형 예를 보여주는 도면이다.
가스분사체(220)는 도 4의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이 가스 유로(224)가 몸체(222) 내부에 형성될 수도 있다. 가스 유로(224)는 가스분사체(220)의 몸체(222) 내부에 링 형상으로 형성된다. 가스 유로(224)에는 몸체(222)의 일면을 관통하는 적어도 한 개 이상의 가스유입구(226)와,몸체(222)의 타면을 관통하는 복수 개의 가스분사공(228)이 형성된다. 이와 같이 형성된 가스분사체(220)를 챔버(100)의 내벽에 연결하는 경우에도 전술한 바와 같이 가스분사체(220)와 챔버(100) 내벽이 접촉되는 부분에 오링 등과 같은 밀폐부재를 개재하여 가스유입구(226)와 가스주입구(102) 사이에서 가스가 유출되는 것을 방지할 수 있다.
도 5 및 도 6은 가스분사체의 설치 예를 보여주는 단면이다.
먼저, 도 5는 도 3의 가스분사체(200)가 설치된 기판처리장치의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 가스분사체(200)는 챔버(100) 내부의 상부벽과 하부벽에 각각 설치된다. 여기에서는 가스분사체(200)가 챔버(100) 내부의 상부벽과 하부벽 모두에 설치되어 있는 것으로 설명하고 있으나, 챔버(100) 내부의 상부벽과 하부벽 중 적어도 어느 한 군데에만 설치되어도 무방하다. 이때, 챔버(100) 내부의 상부벽 또는 하부벽은 챔버(100) 내부의 공간부를 개폐하기 위한 커버일 수도 있다.
가스분사체(200)는 챔버(100) 내부의 상부벽 및 하부벽의 가장자리 쪽을 둘러싸는 형태로 설치되어, 기판지지부(110) 측으로 가스를 분사한다. 전술한 바에 의하면 기판지지부(110)는 챔버(100)의 내부 측벽에 단속적으로 형성되기 때문에 기판지지부(110)에 기판(W)이 장착되면 기판지지부(110)가 형성된 부분을 제외하고 기판(W)의 가장자리를 따라 공간이 형성된다. 따라서 가스분사체(200)의 복수 개의 가스분사공(206)을 통해 챔버(100) 내부로 공급되는 가스는 기판(W) 표면은 물론, 기판(W)의 가장자리를 따라 형성되는 공간을 통해 신속하고 균일하게 확산된다.
도 6은 도 4의 가스분사체가 설치된 기판처리장치의 단면도이다.
도 6의 (a) 및 (b)를 참조하면, 가스분사체(220)는 챔버(100) 의 측벽에 설치된다.더 구체적으로 설명하면, 가스분사체(220)는 기판지지부(110) 상부 측의 챔버(100) 측벽 및 기판지지부(110)의 하부 측 챔버(100) 측벽에 설치된다. 여기에서는 가스분사체(220)가 챔버(100) 내부의 상부 측벽 및 하부 측벽 모두에 설치되어 있는 것으로 설명하고 있으나, 챔버(100) 내부의 상부 측벽과 하부 측벽 중 적어도 어는 한 군데에만 설치되어도 무방하다. 또한, 가스분사체(220)가 챔버(100) 측벽에 직접 연결된 것으로 도시하고 있으나, 도 4의 설명에서 이미 언급한 바와 같이 가스분사체(220)와 챔버(100) 내벽이 접촉하는 부분에 밀폐부재를 개재한 상태로 연결될 수도 있다.
이렇게 설치된 가스분사체(220)는 기판지지부(110)의 둘레 방향으로 가스를 균일하게 분사하고, 분사된 가스는 도 6의 (b)에 도시된 것처럼 기판(W) 표면 및 기판(W) 가장자리를 따라 형성되는 공간을 통해 챔버(100) 전체에 걸쳐 신속하고 균일하게 확산된다.
이와 같이 복수 개의 가스분사공이 형성된 가스분사체를 이용하여 챔버 내부에 가스를 공급하면, 챔버 내부를 진공 상태에서 대기압상태로 전환하는 시간을 단축시켜 기판을 신속하게 이송시킬 수 있으므로 공정 효율 및 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한 공정이 완료된 고온의 기판도 신속하고 균일하게 냉각시킬 수 있다.
한편, 여기에서는 가스분사체(200)가 기판지지부(110)의 상부 및 하부에 설치되는 것으로 설명하고 있으나, 챔버(100)의 구조에 따라서 기판지지부(110)의 최상부, 최하부는 물론, 기판지지부들(110) 사이에 설치될 수도 있다. 가스분사체(200)가 기판지지부(110) 사이에 설치되는 경우에는 가스분사체(220)에 형성되는 가스분사공(206)을 기판지지부(110)와 마주보는 방향에 형성하는 것이 좋다.
도 7은 가스 분사체의 다른 예를 보여주는 개략 단면도 및 평면도 이다.
도 7을 참조하면, 가스 분사체는 별도의 구성 수단 없이 챔버(100) 자체에 형성된다. 챔버(100)는 상부벽과 이와 이격되어 마주 보는 하부벽 및 상기 상부벽과 하부벽 사이를 연결하는 측벽을 포함하고, 이들 벽체들이 내부에 공간을 형성한다. 이때, 측벽을 따라 복수 개의 분사공(206)을 형성하고 상기 분사공(206)을 통하여, 기판지지부(110)를 향하여 가스를 분사한다. 상기 분사공(206)은 챔버(100)로 기판이 반입 반출되는 영역을 제외하고, 측벽을 관통하여 형성될 수 있다. 또한, 복수 개의 가스 분사공(206)은 기판지지부(110) 보다 높은 위치의 측벽에 형성되는 것이 좋다. 가스 분사공(206)은 챔버 측벽을 직교하는 방향으로 가로질러 관통 형성될 수 있고, 기판지지부(110)를 향하여 하향 경사지게 즉, 경사면을 구비하여 형성될 수 있다. 물론, 가스 분사공(206)이 기판지지부(110) 보다 낮은 높이에 형성되는 경우, 기판지지부(110)를 향하여 상향 경사지게 형성될 수도 있다.
상기에서는 단일 로드락 챔버를 예시하여 설명하였으나, 기판처리시스템을 로드락 챔버를 복수 개 구비할 수도 있다. 예컨대, 복수개의 로드락 챔버가 수평방향으로 나란하게 인접 배치될 수도 있고, 상하방향으로 적층될 수도 있다. 복수 개의 로드락 챔버가 구비되면, 기판처리시스템에서 기판을 처리하는 처리 속도 및 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 기판처리장치의 적용 예를 보여주는 단면도이다.
이러한 복수개의 로드락 챔버를 이용하는 경우, 도8에 도시하였듯이, 각 챔버(100a, 100b)는 챔버(100a, 100b) 내부를 공통으로 벤팅하거나, 공통으로 배기할 수 있다. 예컨대, 2개의 챔버(100a, 100b)를 수평방향으로 접촉하여 배치하고, 각 챔버(100a, 100b)의 가스 도입구(102a, 102b)를 동일한 가스 공급관(301)에 연결하여, 가스 공급원(300)으로부터 상기 가스 공급관(301)에 가스를 함께 도입하여, 챔버(100a, 100b) 내부를 대기압 상태로 벤팅할 수 있다. 또한, 각 챔버(100a, 100b)의 배기구(103a, 103b)를 동일한 배기관(401)에 연결하고, 이 배기관(401)을 진공 형성 수단 예를 들면 진공 펌프(400)와 연결한다. 이때, 진공 펌프(400)을 구동하여 배기관(401)을 통해 각 챔버(100a, 100b)의 가스를 함께 배기시키고, 진공 상태로 유지할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100 : 로드락 챔버 102 : 가스주입구
103a, 103b : 배기구 110 : 기판지지부 120 : 게이트 밸브 130 : 카세트 모듈
140 : 대기압 모듈 150 : 반송실
200 : 가스분사체 202 : 몸체
203 : 플랜지 204 : 홈
208 : 관통구 210 : 밀폐부재
300 : 가스 공급원 301: 가스 공급관
400 : 진공 펌프 401 : 배기관
103a, 103b : 배기구 110 : 기판지지부 120 : 게이트 밸브 130 : 카세트 모듈
140 : 대기압 모듈 150 : 반송실
200 : 가스분사체 202 : 몸체
203 : 플랜지 204 : 홈
208 : 관통구 210 : 밀폐부재
300 : 가스 공급원 301: 가스 공급관
400 : 진공 펌프 401 : 배기관
Claims (14)
- 내부에 공간이 형성되는 챔버와;
상기 챔버 내부에 구비되는 기판지지부와;
상기 기판지지부의 둘레 방향으로 상기 기판지지부와 이격되는 복수의 가스 분사공이 구비되어 상기 기판지지부를 향해 가스를 분사하는 가스분사체;
를 포함하는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 챔버는 상부벽, 하부벽 및 이들 벽을 연결하는 측벽을 포함하고, 상기 상부벽, 하부벽 및 측벽 중 적어도 하나에 가스 주입구가 형성되며, 상기 가스 분사체는 챔버 내부에 설치되어 상기 가스 주입구와 연통하는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 챔버는 상부벽, 하부벽 및 이들 벽을 연결하는 측벽을 포함하고, 상기 가스 분사체는 상기 측벽을 따라 형성된 복수개의 가스 분사공을 포함하는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 기판지지부는 상하방향으로 복수 개 구비되는 기판처리장치. - 청구항 4에 있어서,
상기 가스분사체는 상기 기판지지부의 최상부, 상기 기판지지부들 사이 및 상기 기판지지부의 최하부 중 적어도 어느 한 곳에 구비되는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 가스분사체는 링 형상이며, 상기 복수 개의 가스 분사공은 상기 기판지지부과 마주보는 상기 가스 분사체의 면에 형성되는 기판처리장치. - 청구항 6에 있어서,
상기 가스 분사체는 홈이 형성된 몸체를 구비하며, 상기 몸체가 상기 챔버 내벽과 접촉 결합하여 가스 유로를 형성하는 기판처리장치. - 청구항 7에 있어서,
상기 몸체와 상기 챔버 내벽이 접촉되는 부분에 밀폐부재가 개재되는 기판처리장치. - 청구항 6에 있어서,
상기 가스분사체는 내부에 가스가 흐르는 가스 유로가 형성되는 몸체를 구비하며 상기 챔버 내부에 설치되는 기판처리장치. - 청구항 6 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가스 분사공은 상기 가스 분사체의 면을 따라 일정한 간격으로 배열되는 기판처리장치. - 청구항 1에 있어서,
상기 챔버의 내부가 진공과 대기압 분위기로 전환 가능하도록 상기 챔버에 진공 형성 수단이 연결되는 기판처리장치. - 청구항 11에 있어서,
상기 챔버가 복수 개 구비되어, 수평방향으로 배치되거나 상하방향으로 적층 배치되는 기판처리장치. - 청구항 12에 있어서,
상기 복수 개의 챔버는 공통으로 배기 가능하도록 동일 배기관에 연결되는 기판처리장치. - 청구항 12에 있어서,
상기 복수 개의 챔버는 공통으로 벤팅 가능하도록 동일 가스 공급관에 연결되는 기판처리장치.
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| KR1020110142475A KR101828988B1 (ko) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 로드락 챔버 |
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| KR1020110142475A KR101828988B1 (ko) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | 로드락 챔버 |
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| KR (1) | KR101828988B1 (ko) |
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|---|---|---|---|---|
| CN105742205A (zh) * | 2014-12-11 | 2016-07-06 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 基片处理腔室及半导体加工设备 |
| KR20180051911A (ko) * | 2016-11-09 | 2018-05-17 | 주식회사 원익아이피에스 | 로드락챔버 및 이를 포함하는 기판처리장치 |
| KR102088210B1 (ko) * | 2020-01-31 | 2020-03-12 | (주)아이솔루션 | 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치 |
| CN113035681A (zh) * | 2019-12-24 | 2021-06-25 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 晶圆气锁装置 |
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| KR102088210B1 (ko) * | 2020-01-31 | 2020-03-12 | (주)아이솔루션 | 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치 |
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