KR102088210B1 - 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치 - Google Patents

반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치에 관한 것이다. 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치는 공정 챔버(11)로 기체를 공급하면서 공급 수준의 메인 밸브(13)에 의하여 조절되는 메인 공급 도관(ML)과 연결되는 벤트 도관(14); 벤트 도관(14)과 공정 챔버(11)를 연결시키는 분지 벤트 관(15); 분지 벤트 관(15)에 형성되어 기체의 유동을 조절하는 벤트 밸브(16a, 16b); 및 분지 벤트 관(15)으로부터 공정 챔버(11)의 내부로 기체를 균일하게 주입시키는 확산 모듈을 포함하고, 벤트 밸브(16a, 16b)의 개폐 수준은 메인 밸브(13)의 개폐 수준과 연동되어 조절된다.

Description

반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치{A Vent Regulating Apparatus for a Process Chamber of a Semiconductor}
본 발명은 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치에 관한 것이고, 구체적으로 애시 챔버(asher chamber)와 같은 반도체 공정을 위한 챔버 내부에 대한 벤트 수준을 향상시켜 생산성이 향상되도록 하는 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치에 관한 것이다.
반도체 공정 과정에 해당하는 포토레지스터(PR) 스트립 공정에서 플라즈마가 사용될 수 있고, 이와 함께 예를 들어 질소 또는 이와 유사한 기체가 공정 챔버의 내부로 주입될 필요가 있다. 플라즈마 또는 기체의 주입은 공정 챔버 내부 조건의 변화 수준을 낮추면서 공정 효율 또는 생산성을 향상을 위하여 신속하게 이루어질 필요가 있다. 특허공개번호 10-2006-0124853은 웨이퍼 상부에 증착된 물질막을 원하는 프로파일을 가지도록 패터닝을 하는 시각 장비에 구비되는 에싱 챔버에 대하여 개시한다. 또한 특허공개번호 10-2007-0050551은 반도체 제조장비용 애싱 챔버의 공정가스 분사장치에 대하여 개시한다. 반도체 공정 과정에서 공정 챔버 또는 에싱 챔버는 진공으로부터 대기압 상태(ATM)로 또는 그 역으로 변화될 필요가 있고, 이와 같은 압력 변화 과정이 신속하게 이루어지는 것이 유리하다. 그러나 선행기술은 이와 같은 패스트(fast) 벤트 방법에 대하여 개시하지 않는다.
본 발명은 선행기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로 아래와 같은 목적을 가진다.
특허문헌 1: 특허공개번호 10-2006-0124853(삼성전자주식회사, 2006.12.06. 공개) 반도체 디바이스 제조를 위한 식각 장비의 에싱 챔버 특허문헌 2: 특허공개번호 10-2007-0050551(동부일렉트로닉스 주식회사, 2007.05.16.일 공개) 반도체 제조장비용 애싱 챔버의 공정가스 분사 장치
본 발명의 목적은 공정 챔버 또는 에싱 챔버로 기체를 공급하는 공급 도관으로부터 분기되어 공정 챔버 또는 에싱 챔버로 연결되는 적어도 하나의 벤트 도관을 형성하여 벤트 효율이 향상되도록 하는 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치는 공정 챔버로 기체를 공급하면서 공급 수준의 메인 밸브에 의하여 조절되는 메인 공급 도관(ML)과 연결되는 벤트 도관; 벤트 도관과 공정 챔버를 연결시키는 분지 벤트 관; 분지 벤트 관에 형성되어 기체의 유동을 조절하는 벤트 밸브; 및 분지 벤트 관으로부터 공정 챔버의 내부로 기체를 균일하게 주입시키는 확산 모듈을 포함하고, 벤트 밸브의 개폐 수준은 메인 밸브의 개폐 수준과 연동되어 조절된다.
본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 확산 모듈은 공정 챔버에 형성된 스패어 포트에 결합되고, 메인 밸브가 슬로우 모드 또는 패스트 모드로 작동되면 벤트 밸브는 그에 연동되어 슬로우 모드 또는 패스트 모드로 작동된다.
본 발명의 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 확산 모듈은 다수 개의 분산 홀이 형성된 확산 유닛이 수용되는 케이싱; 케이싱으로부터 원뿔 형상으로 연장되는 유도 관; 및 유도 관과 연결되면서 공정 챔버의 내부에 위치하는 실린더 형상의 확산 실린더로 이루어진다.
본 발명에 따른 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치는 기체의 공급 도관과 분기되는 벤트 도관을 통하여 기체가 공정 챔버 또는 에싱 챔버로 벤트를 시키는 것에 의하여 공정 챔버의 벤트 효율이 향상되도록 한다. 본 발명에 따른 조절 장치는 벤트 도관의 작동을 공급 도관의 작동과 연동시키는 것에 의하여 작동 효율성이 향상되도록 한다. 본 발명에 따른 벤트 조절 장치는 벤트 도관이 공정 챔버에 형성된 스패어 포트와 연결되도록 하는 것에 의하여 공정 챔버의 구조적 변경이 없이 설치가 가능하다는 이점을 가진다. 또한 본 발명에 따른 조절 장치는 확산유닛(diffuser)를 통하여 기체를 주입시키는 것에 의하여 공정 챔버 내부의 상태 변화가 안정적으로 이루어지도록 한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치의 실시 예를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 벤트 조절 장치에서 벤트 조절 구조의 실시 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 벤트 조절 장치에 적용되는 확산 모듈의 실시 예를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 벤트 조절 장치가 에싱 공정에 적용되는 실시 예를 도시한 것이다.
아래에서 본 발명은 첨부된 도면에 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되지만 실시 예는 본 발명의 명확한 이해를 위한 것으로 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 아래의 설명에서 서로 다른 도면에서 동일한 도면 부호를 가지는 구성요소는 유사한 기능을 가지므로 발명의 이해를 위하여 필요하지 않는다면 반복하여 설명이 되지 않으며 공지의 구성요소는 간략하게 설명이 되거나 생략이 되지만 본 발명의 실시 예에서 제외되는 것으로 이해되지 않아야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치의 실시 예를 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치는 공정 챔버(11)로 기체를 공급하면서 공급 수준의 메인 밸브(13)에 의하여 조절되는 메인 공급 도관(ML)과 연결되는 벤트 도관(14); 벤트 도관(14)과 공정 챔버(11)를 연결시키는 분지 벤트 관(15); 분지 벤트 관(15)에 형성되어 기체의 유동을 조절하는 벤트 밸브(16a, 16b); 및 분지 벤트 관(15)으로부터 공정 챔버(11)의 내부로 기체를 균일하게 주입시키는 확산 모듈을 포함하고, 벤트 밸브(16a, 16b)의 개폐 수준은 메인 밸브(13)의 개폐 수준과 연동되어 조절된다.
공정 챔버(11)는 에칭 공정, PR(Photo Resist) 스트립 공정 또는 이와 유사한 반도체 디바이스의 제조를 위한 반도체 공정 챔버가 될 수 있고, 바람직하게 에싱 챔버(ashing chamber)가 될 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 공정 챔버(11)의 내부에 척과 같은 웨이퍼의 고정을 위한 수단이 배치될 수 있고, 공정 챔버(11)의 위쪽에 플라즈마 공급 수단(12a, 12b)이 배치될 수 있다. 플라즈마 공급 수단(12a, 12b)은 예를 들어 플라즈마 소스 코일 또는 이와 유사한 플라즈마 발생 수단을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 플라즈마 공급 수단(12a, 12b)이 공정 챔버(11)에 배치될 수 있고, 각각의 플라즈마 공급 수단(12a, 12b)은 메인 도관(ML)을 통하여 예를 들어 질소와 같은 기체가 공급될 수 있다. 메인 도관(ML)는 각각의 플라즈마 공급 수단(12a, 12b)에 기체를 공급하는 분지 공급 도관(BL)과 메인 밸브(13)에 의하여 연결될 수 있다. 질소와 같은 기체는 플라즈마 공급 수단(12a, 12b)을 경유하여 공정 챔버(11)의 내부로 공급될 수 있다. 이와 같은 플라즈마 또는 기체의 공급에 의하여 공정 챔버(11)의 내부는 진공 상태에서 대기압 상태로 되면서 스트립 공정 또는 에싱 공정이 진행될 수 있다. 공정 챔버(11) 내부의 상태 변화는 웨이퍼에 진행된 공정 상태에 영향을 미치지 않도록 진행되어야 하고, 예를 들어 내부의 온도, 압력 또는 이와 유사한 상태 변화가 조절된 방식으로 이루어질 필요가 있다. 그러므로 기체의 주입 속력이 메인 밸브(13)에 의하여 조절될 수 있다. 그러나 이와 같은 기체 주입이 공정 챔버(11)의 내부 상태에 따라 조절된 형태로 이루어지면 진공으로부터 대기압 상태에 이르는 시간이 증가될 수 있고, 이로 인하여 공정 효율이 감소될 수 있다. 그러나 메인 도관(ML)을 통한 기체의 주입은 공정 챔버(11)의 내부 상태에 변화에 기초하여 제한적으로 조절될 수 있다. 본 발명의 하나의 실시 예에 따르면, 메인 도관(ML)에 벤트 도관(14)이 연결되고, 질소와 같은 기체는 벤트 도관(14)에 의하여 공정 챔버(11)의 내부로 주입 또는 벤팅(ventilation)이 될 수 있다. 벤트 도관(14)의 한쪽 끝은 공정 챔버(11)와 연결된 메인 도관(ML)과 연결되고, 다른 끝은 공정 챔버(11)로 기체의 주입이 가능한 분지 벤트 관(15)에 연결될 수 있다. 분지 벤트 관(15)은 공정 챔버(11)에 연결된 적어도 하나의 유동 도관과 연결되고, 예를 들어 분지 벤트 관(15)은 두 개의 유동 관에 의하여 공정 챔버(11)와 기체 유동이 가능하도록 연결될 수 있다. 유동 관은 예를 들어 공정 챔버(11)에 형성된 스패어 포트(spare port)를 통하여 공정 챔버(11)의 내부와 연결될 수 있다. 예를 들어 공정 챔버(11)에 두 개의 윈도우 및 두 개의 스패어 포트가 형성될 수 있고, 각각의 스패어 포트에 유동 관이 결합될 수 있다. 또한 각각의 유동 관에 벤트 밸브(16a, 16b)가 연결될 수 있고, 선택적으로 각각의 유동 관에 정해진 압력으로 기체가 주입되도록 하는 레귤레이터(17a, 17b)가 결합될 수 있다. 벤트 도관(14) 또는 분지 벤트 관(15)을 통한 기체의 유동은 메인 도관(ML) 또는 분지 공급 도관(BL)을 따른 기체의 유동과 연동될 수 있고, 예를 들어 분지 공급 도관(BL)을 따라 기체가 유동되어 공정 챔버(11)의 내부로 기체가 주입되면 이에 따라 분지 벤트 관(15)을 통하여 기체가 유동되어 공정 챔버(11)의 내부로 기체가 주입될 수 있다. 그리고 분지 공급 도관(BL)을 통하여 빠른 속력으로 기체가 주입되면, 분지 벤트 관(15) 또는 유동 관을 통하여 빠른 속력으로 기체가 주입될 수 있다. 이와 같은 메인 도관(ML) 또는 분지 공급 관(BL)의 작동과 분지 벤트 관(15) 또는 유동 관의 작동은 메인 밸브(13)와 벤트 벨브(16a, 16b)의 작동이 연동되어 이루어질 수 있다. 예를 들어 메인 밸브(13)의 작동 상태가 연동 라인(RL)을 따라 벤트 밸브(16a, 16b)로 전송될 수 있고, 두 개의 벤트 밸브(16a, 16b)와 서로 연동되어 작동될 수 있다. 연동 라인(RL)은 예를 들어 메인 밸브(13)에 작용하는 압력이 될 수 있고, 연동 라인(RL)을 따라 작용 압력이 각각의 벤트 밸브(16a, 16b)에 전송되어 벤트 밸브(16a, 16b)의 개폐 수준이 조절되어 분지 벤트 관(15) 또는 유동 관을 따라 유동되는 기체의 압력이 조절될 수 있다. 벤트 밸브(16a, 16b)는 분지 벤트 관(15) 또는 유동 관의 유동을 조절할 수 있는 다양한 위치에 배치될 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다. 또는 연동 라인(RL)을 따라 다양한 형태의 상태 신호가 전송될 수 있고, 본 발명은 벤트 밸브(16a, 16b)의 배치 위치, 구조 또는 연동 라인(RL)의 신호 전송 방법에 의하여 제한되지 않는다.
분지 벤트 관(15) 또는 유동 관을 통하여 질소와 같은 기체가 공정 챔버(11)의 내부로 주입되는 과정에서 공정 챔버(11)의 내부 압력의 편차 또는 기체의 유동이 발생되지 않는 것이 유리하고, 예를 들어 와류와 같은 불안정한 상태가 발생되지 않는 것이 유리하다. 이를 위하여 분지 벤트 관(15) 또는 유동 관에 확산 모듈이 결합되고, 확산 모듈을 통하여 기체가 공정 챔버(11)의 내부로 주입될 수 있다. 예를 들어 확산 모듈(diffuser)이 스패어 포트(18a, 18b)에 결합되고, 확산 모듈의 외부로 노출된 부분에 유동 관이 연결되어 기체가 공정 챔버(11)의 내부로 주입될 수 있다. 그리고 확산 모듈에 의하여 공정 챔버(11)의 내부 유동 상태가 변하지 않으면서 기체의 압력에 관계없이 기체가 공정 챔버(11)의 내부로 주입될 수 있다. 분지 벤트 관(15)을 통한 공정 챔버(11)의 내부로 기체로 기체 주입은 다양한 방법으로 이루어질 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다.
도 2는 본 발명에 따른 벤트 조절 장치에서 벤트 조절 구조의 실시 예를 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 공정 챔버(11)는 에서 챔버 시스템(Asher Chamber System)의 일부를 형성할 수 있고, 메인 도관(ML)은 챔버 시스템의 벤트 라인이 될 수 있다. 벤트 도관(14)은 벤트 라인의 구조를 개조하는 방법으로 형성될 수 있고 메인 도관(ML)으로부터 분기하는 방식으로 벤트 도관(14)이 메인 도관(M)에 연결되고, 벤트 도관(14)에 예를 들어 T형 커넥터와 같은 커넥터에 의하여 분지 벤트 관(15)이 연결될 수 있다. 그리고 분지 벤트 관(15) 및 커넥터에 제1, 2 유동 관(151, 152)가 연결될 수 있고, 제1, 2 유동 관(151, 152)이 확산 모듈(22a, 22b)이 연결될 수 있다. 그리고 제1, 2 유동 관(151, 152)의 각각에 벤트 밸브(16a, 16b) 및 오리피스(21a, 21b)가 결합될 수 있고, 제1, 2 벤트 밸브(16a, 16b)는 기체 작동 밸브가 될 수 있다. 예를 들어 제1, 2 벤트 밸브(16a, 16b)는 메인 공급 도관(ML) 또는 벤트 도관(15)을 유동하는 질소와 같은 기체의 압력에 따라 개폐 수준이 조절되는 자동 개폐 조절 구조가 될 수 있다. 이와 같은 구조에서 벤트 도관(14)이 연동 라인의 기능을 하면서 메인 공급 도관(ML)의 압력 또는 벤트 도관(14)의 압력이 상태 신호가 될 수 있다. 메인 밸브가 슬로우 모드(Slow Mode) 또는 패스트 모드(Fast Mode)로 작동되면 그에 따라 높은 압력 또는 낮은 압력으로 기체가 메인 도관(ML)을 따라 유동될 수 있다. 그리고 메인 도관(ML)의 유동 압력에 따라 벤트 밸브(16a, 16b)의 개폐 수준이 조절되어 슬로우 모드 또는 패스트 모드로 기체가 분지 벤트 관(15)을 따라 유동될 수 있다. 확산 모듈은 예를 들어 센터링 타입 확산 수단(centering type diffuser)가 될 수 있고, 예를 들어 다수 개의 마이크로 단위 또는 밀리 단위의 분산 홀을 가질 수 있지만 이에 제한되지 않고 다양한 구조를 가지는 확산 모듈(22a, 22b)이 본 발명에 적용될 수 있다. 확산 모듈(22a, 22b)은 예를 들어 스패어 포트(18a, 18b)에 결합되어 유동 관(151, 152)을 따라 유동되는 기체가 균일한 압력으로 분산되어 공정 챔버(11)의 내부로 주입되도록 한다. 이와 같은 확산 모듈(22a, 22b)의 실시 예에 아래에서 설명된다.
도 3은 본 발명에 따른 벤트 조절 장치에 적용되는 확산 모듈(22a)의 실시 예를 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 확산 모듈(22a)은 다수 개의 분산 홀이 형성된 확산 유닛(36)이 수용되는 케이싱(31); 케이싱(31)으로부터 원뿔 형상으로 연장되는 유도 관(32); 및 유도 관(32)과 연결되면서 공정 챔버(11)의 내부에 위치하는 실린더 형상의 확산 실린더(33)으로 이루어질 수 있다.
확산 모듈(22a)은 스패어 포트에 결합될 수 있고, 실린더 형상의 케이싱(31)의 내부에 (나)에 도시된 것과 같은 확산 유닛(36)이 배치될 수 있다. 케이싱(31)의 위쪽으로 원뿔 형상의 유도 관(32)이 연장되고, 유도 관(32)으로부터 스패어 포트의 직경에 대응되는 외부 직경을 가지는 확산 실린더(33)가 연장될 수 있다. 확산 실린더(33)는 공정 챔버의 내부에 위치할 수 있고, 유도 관(32) 및 케이싱(31)은 공정 챔버의 외부에 위치할 수 있다. 확산 실린더(33)의 끝 부분에 고정 유닛(34)이 형성되어 확산 실린더(33)가 공정 챔버의 정해진 위치에 안정적으로 고정될 수 있다. 케이싱(31)의 내부에 배치되는 확산 유닛(36)은 원판 형상의 베이스 유닛(362); 베이스 유닛(362)의 위쪽으로 실린더 형상으로 연장되면서 위쪽 면에 다수 개의 분산 홀 또는 확산 홀이 형성된 확산 유도 유닛(361); 및 확산 유도 유닛(361)과 기체 유동이 가능하도록 연결되면서 베이스 유닛(362)의 아래쪽으로 연장되는 결합 커넥터(363)로 이루어질 수 있다. 확산 유도 유닛(361)은 유도 관(32)과 기체 유동이 가능하도록 연결될 수 있고, 결합 커넥터(363)가 케이싱(31)의 아래쪽으로 돌출되어 고정 수단(35)에 결합될 수 있다. 이와 함께 고정 수단(35)에 유동 관이 결합되어 유동 관과 확산 모듈(21a)이 결합될 수 있다. 확산 모듈(21a)은 다양한 구조를 가질 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다.
도 4는 본 발명에 따른 벤트 조절 장치가 에싱 공정에 적용되는 실시 예를 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 공정 챔버(11)의 앞쪽에 웨이퍼의 투입 및 배출을 위한 게이트(41)가 형성될 수 있고, 공정 챔버(11)의 내부에 적어도 하나의 웨이퍼 고정을 위한 고정 척(42a, 42b)이 배치될 수 있다. 그리고 공정 챔버(11)의 위쪽에 각각의 고정 척(42a, 42b)에 대응되는 위치에 플라즈마 공급 수단(12a, 12b)이 배치될 수 있다. 그리고 각각의 플라즈마 공급 수단(12a, 12b)에 분지 공급 관(BL)과 연결되는 가지 관(BL1, BL2)이 연결될 수 있다. 그리고 공정 챔버(11)의 뒤쪽에 형성된 스패어 포트에 유동 관(151, 152)이 연결될 수 있다. 진공 상태에서 공정 챔버(11)의 내부에서 웨이퍼에 대한 식각 공정과 같은 공정이 진행될 수 있고, 이후 원격 플라즈마 발생기와 같은 플라즈마 공급 수단(12a, 12b)에 의하여 공정 챔버(11)의 내부로 플라즈마와 기체가 공급되면서 에싱 공정이 진행될 수 있다. 이와 같이 플라즈마와 기체가 공급되면서 공정 챔버(11)의 내부는 진공 상태에 대기압 상태로 변할 수 있고, 질소와 같은 기체가 기체 공급 수단(45)으로부터 메인 공급 도관(ML)으로 공급될 수 있다. 메인 공급 도관(ML)과 분지 공급 관(BL) 사이에 메인 밸블(13)가 설치될 수 있고, 메인 공급 도관(ML)에 벤트 도관(14)이 연결될 수 있다. 그리고 벤트 도관(14)과 분지 벤트 관(15) 사이에 벤트 밸브(16)가 결합될 수 있고, 벤트 밸브(16)에 의하여 분지 벤트 관(15) 또는 각각의 유동 관(151, 152)을 따라 유동되는 기체의 양이 조절될 수 있다. 벤트 도관(14)을 따라 유동되는 기체의 양은 메인 공급 도관(ML)을 따라 유동되는 기체의 양에 연동될 수 있다. 예를 들어 연동 밸브(43)가 메인 공급 도관(43)의 유동 경로에 설치되고, 벤트 밸브(16)가 압력 전송 튜브(44)에 의하여 연동 밸브(43)와 연결될 수 있다. 연동 밸브(43)는 예를 들어 다이어프램 밸브 구조를 가질 수 있고, 메인 공급 도관(ML)을 따라 유동되는 기체의 압력에 따라 개폐 수준이 조절될 수 있다. 그리고 메인 공급 도관(ML)을 따라 유동되는 기체의 압력이 연동 밸브(43)를 통하여 벤트 밸브(16)로 전달되어 벤트 밸브(16)의 개폐 수준이 조절될 수 있다. 그리고 벤트 밸브(16)의 개폐 수준의 조절에 따라 벤트 도관(14)를 따라 유동되는 기체의 양이 조절될 수 있다. 이와 같이 연동 밸브(43)에 의한 압력 정보가 벤트 밸브(16)로 전송되어 분지 벤트 관(15)을 따라 유동되는 기체의 양이 메인 공급 도관(ML)을 따라 유동되는 기체의 양에 연동될 수 있다.
다양한 구조를 반도체용 공정 챔버 또는 에싱 시스템에 본 발명에 따른 벤트 조절 장치가 적용될 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다.
위에서 본 발명은 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되었지만 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 제시된 실시 예를 참조하여 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 및 수정 발명을 만들 수 있을 것이다. 본 발명은 이와 같은 변형 및 수정 발명에 의하여 제한되지 않으며 다만 아래에 첨부된 청구범위에 의하여 제한된다.
11: 공정 챔버 12a, 12b: 플라즈마 공급 수단
13: 메인 밸브 14: 벤트 도관
15: 분지 벤트 관 16, 16a, 16b: 벤트 밸브
17a, 17b: 레귤레이터 18a, 18b: 스패어 포트
21a, 21b: 오리피스 31: 케이싱
32:유도 관 33: 확산 실린더

Claims (3)

  1. 공정 챔버(11)로 기체를 공급하면서 공급 수준의 메인 밸브(13)에 의하여 조절되는 메인 공급 도관(ML)과 연결되는 벤트 도관(14);
    벤트 도관(14)과 공정 챔버(11)를 연결시키는 분지 벤트 관(15);
    분지 벤트 관(15)에 형성되어 기체의 유동을 조절하는 벤트 밸브(16a, 16b); 및
    분지 벤트 관(15)으로부터 공정 챔버(11)의 내부로 기체를 균일하게 주입시키는 확산 모듈을 포함하고,
    벤트 밸브(16a, 16b)의 개폐 수준은 메인 밸브(13)의 개폐 수준과 연동되어 조절되고,
    확산 모듈은 다수 개의 분산 홀이 형성된 확산 유닛(36)이 수용되는 케이싱(31); 케이싱(31)으로부터 원뿔 형상으로 연장되는 유도 관(32); 및 유도 관(32)과 연결되면서 공정 챔버(11)의 내부에 위치하는 실린더 형상의 확산 실린더(33)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 확산 모듈은 공정 챔버(11)에 형성된 스패어 포트(18a, 18b)에 결합되고, 메인 밸브(13)가 슬로우 모드 또는 패스트 모드로 작동되면 벤트 밸브(16a, 16b)는 그에 연동되어 슬로우 모드 또는 패스트 모드로 작동되는 것을 특징으로 하는 반도체 공정 챔버의 벤트 조절 장치.
  3. 삭제
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