KR100249386B1 - 가스 분사장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 가스 분사장치는 챔버상부에 결합되어 반응가스를 챔버내부로 분사하는 다수개의 홀이 하부에 형성된 가스 분사틀과, 상기 챔버내부에 공급될 반응가스를 공급받는 가스 공급관과, 상기 가스 공급관의 가스 유입구쪽에 위치하여 공급받는 반응가스양을 조정하는 가스양 조절기와, 상기 가스 분사틀의 내부를 다수개의 방으로 나누는 가스 분리판과, 일측은 상기 가스 공급관에 연결되고 다른 일측은 상기 가스 분리판에 의하여 분리된 가스 분사틀의 방에 각각 연결되어 분사가스를 공급하는 다수개의 가스분리 공급관과, 상기 다수개의 가스분리 공급관에 각각 형성되어 반응가스의 공급을 온/오프 하는 다수개의 가스 분리 공급밸브와, 상기 다수개의 가스분리 공급관에 각각 형성되어 상기 가스 분사틀 내부의 다수개의 방에 각각공급되는 반응가스의 양을 조절하는 다수개의 가스양 가변밸브를 포함하여 챔버내부의 플라즈마 밀도를 일정하게 유지 할 수 있어 정확한 반도체 제조공정이 이루어질 수 있다.

Description

가스 분사장치
본 발명은 가스 분사장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 제조장비중 하나인 챔버내부의 공급되는 반응 가스양을 조절하여 플라즈마(plasma) 밀도를 일정하게 유지할수 있는 가스 분사장치에 관한 것이다.
도 1은 종래의 가스 분사장치와 챔버의 사시도이다.
종래의 가스 분사장치는 챔버(1)상부에 결합되어 반응가스를 챔버(1)내부로 분사하는 다수개의 홀(2-1)이 하부에 형성된 가스 분사틀(2)과, 상기 가스 분사틀(2)에 반응가스를 공급하는 가스 공급관(3)과, 상기 가스 공급관(3)의 가스 유입구(3-1)쪽에 위치하여 공급되는 반응가스양을 조정하는 가스양 조절기(MFC)와, 상기 가스 공급관(3)의 가스 분사틀(2)쪽에 위치하여 온/오프 기능만을 하는 가스 공급밸브(V)를 포함한다.
상기 종래의 가스 분사장치는 가스양 조절기(MFC:Mass Flow Controler)에서 챔버(1)내에서 공정진행에 필요한 반응가스의 양을 조정한 후, 공정이 진행되면 가스 공급밸브(V)를 온 시켜 가스 공급관(3)을 통하여 반응가스를 가스 분사틀(2)에 공급한다. 상기 공급된 반응가스는 가스 분사틀(2)의 다수개의 홀을 통하여 챔버(1)내부로 분사된다.
그러나, 종래의 가스 분사장치는 공급되는 반응가스의 양을 가스양 조절기(Mass Flow Controler)만으로 조절하므로 챔버내부의 플라즈마 밀도의 균일여부에 관계없이 분사되는 반응가스의 양이 동일하여 적확한 반도체 제조 공정이 이루어지지 못하는 문제점을 가진다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기 종래의 문제점을 해결하여 챔버내부의 플라즈마 밀도에 차이가 있는 곳에 따라 분사되는 반응가스의 양을 세밀하게 조정하여 일정한 플라즈마 밀도를 유지 할 수 있는 가스 분사장치를 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 안출된 본 발명의 가스 분사장치는 챔버상부에 결합되어 반응가스를 챔버내부로 분사하는 다수개의 홀이 하부에 형성된 가스 분사틀과, 상기 챔버내부에 공급될 반응가스를 공급받는 가스 공급관과, 상기 가스 공급관의 가스 유입구쪽에 위치하여 공급받는 반응가스양을 조정하는 가스양 조절기와, 상기 가스 분사틀의 내부를 다수개의 방으로 나누는 가스 분리판과, 일측은 상기 가스 공급관에 연결되고 다른 일측은 상기 가스 분리판에 의하여 분리된 가스 분사틀의 방에 각각 연결되어 분사가스를 공급하는 다수개의 가스분리 공급관과, 상기 다수개의 가스분리 공급관에 각각 형성되어 반응가스의 공급을 온/오프 하는 다수개의 가스 분리 공급밸브와, 상기 다수개의 가스분리 공급관에 각각 형성되어 상기 가스 분사틀 내부의 다수개의 방에 각각공급되는 반응가스의 양을 조절하는 다수개의 가스양 가변밸브를 포함한다.
도 1은 종래의 가스 분사장치와 챔버의 사시도
도 2는 본 발명에 따른 가스 분사장치와 챔버의 사시도
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1, 11 챔버 2, 12. 가스 분사틀
2-1, 12-1 홀 V. 가스 공급밸브
3, 13. 가스 공급관 3-1, 13-1. 가스 유입구
L1∼Ln. 가스분리 공급관 V1∼Vn. 가스분리 공급밸브
CV1∼CVn. 가스양 가변밸브 MFC. 가스양 조절
20. 가스 분리판
이하 첨부한 도면을 참고하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 가스 분사장치와 챔버의 사시도이다.
상기 본 발명의 가스 분사장치는 챔버(11)상부에 결합되어 반응가스를 챔버(11)내부로 분사하는 다수개의 홀(12-1)이 하부에 형성된 가스 분사틀(12)과, 상기 챔버(11)내부에 공급될 반응가스를 공급받는 가스 공급관(13)과, 상기 가스 공급관(13)에 위치하여 공급받는 반응가스의 양을 조정하는 가스양 조절기(MFC:Mass Flow Controler)와, 상기 가스 분사틀(12)의 내부를 다수개의 방으로 나누는 가스 분리판(20)과, 일측은 상기 가스 공급관(13)에 연결되고 다른 일측은 상기 가스 분리판(20)에 의하여 분리된 가스 분사틀(12)의 방에 각각 연결되어 반응가스를 공급하는 다수개의 가스분리 공급관(L1∼Ln)과, 상기 다수개의 가스분리 공급관(L1∼Ln)에 각각 형성되어 반응가스의 공급을 온/오프 하는 다수개의 가스 분리 공급밸브(V1∼Vn)와, 상기 다수개의 가스분리 공급관(L1∼Ln)에 각각 형성되어 상기 가스 분사틀(12) 내부의 다수개의 방에 공급되는 반응가스의 양을 각각 조절하는 다수개의 가스양 가변밸브(CV1∼CVn)를 포함한다.
상기 본 발명에 따른 가스 분사장치는 가스양 조절기(MFC)에서 가스 공급관(13)에 공급되는 반응가스의 양을 조정한다. 이후 다수개의 가스 분리 공급밸브(V1∼Vn)를 온 시켜 가스분리 공급관(L1∼Ln)을 통하여 반응가스를 상기 가스 분리판(20)에 의하여 분리된 가스 분사틀(12)의 방에 공급한다. 상기 가스 분사틀(12)에 공급된 반응가스는 상기 챔버(11)내부에 공급되어 공정을 진행한다. 상기 공정진행중 챔버(11)내부의 플라즈마 밀도가 위치에 차이가 발생하면, 상기 플라즈마 밀도가 다른 부분에 분사되는 반응가스의 양 을 상기 다수개의 가스양 가변밸브(CV1∼CVn)를 사용하여 세밀히 조절하여 챔버(11)내부의 플라즈마 밀도를 항상 일저하게 유지시킨다.
따라서, 본 발명은 챔버내부의 플라즈마 밀도를 일정하게 유지 할 수 있어 정확한 반도체 제조공정이 이루어질 수 있는 잇점을 가진다.

Claims (1)

  1. 챔버상부에 결합되어 반응가스를 챔버내부로 분사하는 다수개의 홀이 하부에 형성된 가스 분사틀과, 상기 챔버내부에 공급될 반응가스를 공급받는 가스 공급관과, 상기 가스 공급관의 가스 유입구쪽에 위치하여 공급받는 반응가스양을 조정하는 가스양 조절기와를 가지고 챔버에 반응가스를 공급하는 가스 분사장치에 있어서,
    상기 가스 분사틀의 내부를 다수개의 방으로 나누는 가스 분리판과,
    일측은 상기 가스 공급관에 연결되고 다른 일측은 상기 가스 분리판에 의하여 분리된 가스 분사틀의 방에 각각 연결되어 분사가스를 공급하는 다수개의 가스분리 공급관과,
    상기 다수개의 가스분리 공급관에 각각 형성되어 반응가스의 공급을 온/오프 하는 다수개의 가스 분리 공급밸브와,
    상기 다수개의 가스분리 공급관에 각각 형성되어 상기 가스 분사틀 내부의 다수개의 방에 각각 공급되는 반응가스의 양을 조절하는 다수개의 가스양 가변밸브가 추가하여 챔버내부의 플라즈마 밀도를 일정하게 유지 할 수 있는 것이 특징인 가스 분사장치.
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