CN111933547A - 一种晶圆表面膜层沉积装置、沉积方法和半导体器件 - Google Patents

一种晶圆表面膜层沉积装置、沉积方法和半导体器件 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种晶圆表面膜层沉积装置、方法和半导体器件，其中，该装置包括：至少两个进气气路；与进气气路连接的喷射单元，用于根据每个进气气路的通气流量，分别将反应物喷射至与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域；其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的圆形区域和至少一个圆环形区域，每个区域对应一个进气气路。本方案能够在沉积过程中，通过调整晶圆表面圆形和圆环形区域对应进气气路的气流流量，来控制沉积层的厚度，从而使沉积层更加均匀，形状轮廓更加平坦。

Description

一种晶圆表面膜层沉积装置、沉积方法和半导体器件
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶圆表面膜层沉积装置、沉积方法和半导体器件。
背景技术
随着闪存存储器的发展，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3DNOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。
近些年来半导体器件集成度不断提升，其尺寸不断地缩小，集成电路制造工艺通过增加沉淀层数以实现各器件垂直方向的排布拓展。其中，化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)是常用的薄膜沉淀工艺。
在3D闪存存储器制造技术中，沉积正硅酸乙酯(TEOS)的厚度从4um到8um，在逐渐增厚，同时，对TEOS沉积的均匀度和轮廓平坦度的要求也越来越高，以防止对TEOS沉积层进行化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)后，对TEOS沉积层造成厚度不均匀等损伤。
发明内容
本方案意在提供一种晶圆表面膜层沉积装置、沉积方法和半导体器件，以克服TEOS层均匀度不足，平坦度不佳的问题。
为实现上述目的，本方案采用如下技术方案：
第一个方面，本方案提供了一种晶圆表面膜层沉积装置，该装置包括：
由至少两个进气气路组成的进气单元；
与进气气路连接的喷射单元，用于根据每个进气气路的通气流量，分别将反应物喷射至与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域；
其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的圆形区域和至少一个圆环形区域，每个区域对应一个进气气路。
在一种优选地实施例中，该装置包括：
两个进气气路；
与两个进气气路连接的喷射单元，用于根据第一个进气气路和第二个进气气路的通气流量，分别将反应物喷射至与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域；
其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的圆形区域和与所述圆形区域邻接的圆环形区域；第一个进气气路对应所述圆形区域，第二个进气气路对应所述圆环形区域。
在一种优选地实施例中，该装置包括：
三个进气气路；晶圆表面根据进气气路的数量划分为，以晶圆中心为圆心的中心圆形区域、中间环形区域和边缘圆环形区域，每个区域对应一个进气气路；
与三个进气气路连接的喷射单元，用于根据第一个进气气路、第二个进气气路和第三个进气气路的通气流量，分别将反应物喷射至与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域；
其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的中心圆形区域、中间环形区域和边缘圆环形区域；第一个进气气路对应所述圆形区域，第二个进气气路对应所述中间环形区域，第三个进气气路对应所述边缘圆环形区域。
在一种优选地实施例中，该装置还包括：设置在每组进气气路上的控制单元，用于调节进气气路的通气流量。
在一种优选地实施例中，所述喷射单元包括：圆盘形结构；
所述圆盘型结构内设有多个气腔，每个气腔通过圆盘形结构上表面的连接口与一个进气气路连通；
每个气腔与所述圆盘型结构的下表面设有的多个喷口连通。
在一种优选地实施例中，所述喷口呈阵列方式排布在所述圆盘形结构的下表面；或，
所述喷口分别在与晶圆表面的中心区域、中间区域和边缘区域相对应的圆盘形结构下表面的区域范围内呈阵列方式排布。
在一种优选地实施例中，所述反应物为正硅酸乙酯TEOS。
在一种优选地实施例中，该装置还包括：沉积室和沉积室内用于固定所述晶圆的支撑台；
所述沉积室上设有等离子源和射频设备。
在一种优选地实施例中，该装置为等离子体化学气相沉积装置。
第二个方面，本方案提供了一种晶圆表面膜层沉积方法，该方法的步骤包括：
提供晶圆；
采用至少两个进气气路通入气态的反应物；
根据每个进气气路的通气流量，分别将反应物朝向与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域，沉积于所述晶圆表面；
其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的圆形区域和至少一个圆环形区域，每个区域对应一个进气气路。
在一种优选地实施例中，该方法的步骤包括：
提供晶圆；
采用两个进气气路通入气态的反应物；
根据第一个进气气路和第二个进气气路的通气流量，分别将反应物朝向与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域，沉积于所述晶圆表面；
其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的圆形区域和与所述圆形区域邻接的圆环形区域；第一个进气气路对应所述圆形区域，第二个进气气路对应所述圆环形区域。
在一种优选地实施例中，该方法的步骤包括：
提供晶圆；
采用三个进气气路通入气态的反应物；
根据第一个进气气路、第二个进气气路和第三个进气气路的通气流量，分别将反应物朝向与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域，沉积于所述晶圆表面；
其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的中心圆形区域、中间环形区域和边缘圆环形区域；第一个进气气路对应所述圆形区域，第二个进气气路对应所述中间环形区域，第三个进气气路对应所述边缘圆环形区域。
在一种优选地实施例中，所述通入气态的反应物的步骤之后还包括；调节每个进气气路的通气流量。
在一种优选地实施例中，所述调节每个进气气路的通气流量的步骤之后包括：
对通入的气态的反应物进行辉光放电处理，生成等离子态的反应物；
将等离子态的反应物沉积于所述晶圆表面。
第三个方面，本方案提供了一种半导体器件，包括覆盖在晶圆上的膜层，所述膜层由上述的沉积方法制造而成。
有益效果
本方案能够在沉积过程中，通过调整晶圆表面圆形和圆环形区域对应进气气路的气流流量，来控制沉积层的厚度，从而使沉积层更加均匀，形状轮廓更加平坦。
附图说明
图1示出利用现有技术中的沉积方法在晶圆上沉积TEOS层后，TEOS层的轮廓示意图；
图2示出本方案所述沉积装置的一种实施例的示意图；
图3示出本方案所述沉积装置的另一种实施例的示意图；
图4示出本方案所述沉积方法的示意图；
图5示出本方案所述一种喷口布置方式的示意图；
图6示出本方案所述另一中喷口布置方式的示意图；
图7示出利用现有技术和本方案所述沉积方法的实验验证比对结果示意图。
标号说明
1、进气单元；
2、控制单元；
3、喷射单元；301、气腔；302、喷口；
4、晶圆；
5、沉积室；
6、支撑台。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量、位置关系及比例可在实现本方技术方案的前提下随意改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。因此，可以预见到例如因为制造技术和/或公差而导致示意图中的形状有所变化。因此，示例性实施例不应所述被认为限于图中所示区域的具体形状，而是还可以包括由例如制造工艺造成的形状偏差。在附图中，为了清晰起见，可能会放大某些层和区域的长度和尺寸。附图中的相似附图标记表示相似的部件。还应所述理解到，当某一层被称为“位于其它层或基板上”时，所述层可以直接位于其它层或基板上，或者也可以存在中间层。
经研究和分析，现有技术通常采用一个进气气路，同时连接多个喷嘴，通过控制单个喷嘴的开闭，从而控制喷向晶圆的反应物。但是，这种方式控制较为复杂，不易于操作。另外，如图1所示，由于沉积装置自身的设计误差、沉积过程中温度控制不稳定等问题，会导致TEOS沉积在晶圆上的轮廓呈“V”形。因此，本方案意在提供一种晶圆表面膜层沉积装置和沉积方法，以克服沉积过程中，在晶圆上TEOS层均匀度不足，平坦度不佳的问题。
为使本方案的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本方案具体实施例做详细的说明。(图2至图6)
本方案所述晶圆表面膜层沉积装置包括：由至少两个进气气路组成的进气单元1和与进气单元1连接的喷射单元2。喷射单元2根据每个进气气路的通气流量，分别将反应物喷射至与每个进气气路相对应的晶圆4表面上的区域。本方案中，每个进气气路单独对晶圆4表面的一个区域提供气态反应物；与进气气路对应的晶圆4表面上的区域可以为，以晶圆4中心为圆心的圆形区域和至少一个圆环形区域。在沉积过程中，通过分别调整对应晶圆4表面上不同区域的气流流量，来控制沉积层的厚度，从而使沉积层更加均匀，形状轮廓更加平坦。
在一种实施例中，如图2所示，该装置可以设置两个进气气路。将两个进气气路通过两个连接口与喷射单元2连接。喷射单元2将第一个进气气路按照一定通气流量通入的气态正硅酸乙酯TEOS，喷射至晶圆4表面上的以晶圆4中心为圆心的圆形区域，同时，喷射单元2将第二个进气气路按照一定通气流量通入的气态正硅酸乙酯TEOS，喷射至晶圆4表面上的以晶圆4中心为圆心的圆环形区域；所述圆环形区域与所述圆形区域邻接。通过调整两个进气气路的通气流量来控制沉积层的厚度，从而使各区域的沉积层更加均匀，形状轮廓更加平坦。
在另一种实施例中，如图3所示，该装置可以设置三个进气气路。将三个进气气路通过三个连接口与喷射单元2连接。喷射单元2将第一个进气气路按照一定通气流量通入的气态正硅酸乙酯TEOS，喷射至晶圆4表面上的以晶圆4中心为圆心的中心圆形区域；喷射单元2将第二个进气气路按照一定通气流量通入的气态正硅酸乙酯TEOS，喷射至晶圆4表面上的以晶圆4中心为圆心的中间环形区域；喷射单元2将第三个进气气路按照一定通气流量通入的气态正硅酸乙酯TEOS，喷射至晶圆4表面上的以晶圆4中心为圆心的边缘环形区域；三个喷射过程同时进行，且相互独立。在实施例中，晶圆4表面上从内之外依次为中心圆形区域、中间环形区域和边缘圆环形区域。通过调整三个进气气路的通气流量来控制沉积层的厚度，从而使各区域的沉积层更加均匀，形状轮廓更加平坦。
本方案中，根据进气气路的数量，晶圆的表面被划分为多个沉积区域，通过对不同区域气流流量的调整，以实现对沉积层的均匀度和轮廓平坦度的控制。上述实施例中分别以设置两个和三个进气气路为例，对本方案进行了说明，本领域技术人员应当理解，在上述实施例仅仅为举例，进气气路的设置数量不仅限于上述实施例中的数量，本领域技术人员在阅读本方案后，可以在合理的范围内进一步调整进气气路的数量，以更加细化的对晶圆表面沉积进行控制，从而满足沉积质量的要求。
本方案中，一个进气气路对应晶圆4表面上的一个区域，这样能够实现对不同区域气流流量的单独控制。为了提高设备运行的稳定性，可以在每个进气气路上接入多个气管，当其中一个气管出现故障时，可以切换至其他气管为该条进气气路供气。例如，在每个进气气路上接入两个气管，可以实现一备一用，以防止单个进气管故障，影响装置运行；还可以在气流流量不足时，同时使用，快速提高进气气路的气流流量。
本方案中，喷射单元2主要是将进气气路通入的反应物定向喷射至晶圆4表面。为了匹配多个进气气路的使用，喷射单元2可以设计成圆盘形结构，其内部设有多个气腔301；所述圆盘型结构的下表面设有多个喷口302；所述喷口302分别和与其位置对应的气腔301连通。每个进气气路与一个气腔301连通。进气气路将气态的反应物传输至气腔301内，通过喷口302将反应物喷向晶圆4表面。
在一种实施例中，如图2所示，喷射单元2的外形为圆盘形结构，该圆盘形结构内部从中心到边缘依次设有两个气腔301，即第一个气腔301为圆形，第二个气腔301为与第一个气腔301邻接的圆环形气腔301。进气单元1的第一个进气气路与圆形气腔301连通，第二个进气气路与圆环形气腔301连通。第一个气腔301对应为晶圆4表面上的圆形区域提供气态反应物，第二个气腔301对应为晶圆4表面上的圆环形区域提供气态反应物。
在另一种实施例中，如图3所示，喷射单元2的外形为圆盘形结构，该圆盘形结构内部从中心到边缘依次设有三个气腔301，即第一个气腔301为中心圆形气腔301，第二个气腔301为中间环形气腔301，第三个气腔301为边缘环形气腔301。进气单元1的第一个进气气路与中心圆形气腔301连通，第二个进气气路与中间环形气腔301连通，第三个进气气路与边缘环形气腔301连通。第一个气腔301对应晶圆4表面的中心区域，第二个气腔301对应晶圆4表面的中间区域，第三个气腔301对应晶圆4表面的边缘区域。第一个气腔301对应为晶圆4表面上的中心圆形区域提供气态反应物，第二个气腔301对应为晶圆4表面上的中间环形区域提供气态反应物，第三个气腔301对应为晶圆4表面上的边缘环形区域提供气态反应物。
本方案中，圆盘形结构下表面的喷口302呈阵列方式布置，保证喷射的均匀性。由于采用每个进气气路对应晶圆4表面上一个区域的方式喷射，因此，为了更好的结合喷射单元2中的气腔301完成向晶圆4表面不同区域的喷射工序，与不同气腔301连通的多个喷口302可以单独呈阵列形式排布，即所述喷口302分别在与晶圆4表面的各个区域相对应的圆盘形结构下表面的区域范围内呈阵列方式排布。
在一种实施例中，如图5所示，以两个进气气路，喷口为六边形为例，喷射单元2中喷口302的设置的方式是，以在与晶圆4表面的各个区域相对应的圆盘形结构下表面的区域范围内呈阵列方式排布.
在另一种实施例中，如图6所示，以三个进气气路，喷口为六边形为例，喷射单元2中喷口302的设置方式是，在喷射单元2下表面所有喷口302以阵列形式排布，每个喷口302与喷射单元2内部对应位置的气腔301连通。
本方案中，如图2和图3所示，为了能够单独对各个进气气路进行控制，可以在每个进气气路上配置一个控制单元3。在一种实施例中，控制单元3可以是设置在每组进气气路上的流量控制阀，通过调整流量控制阀，控制通入喷射单元2的气流流量。对于流量控制阀的控制信号，可以是工作人员根据预先确定的控制方案，通过控制台发出的控制信号，从而通过人为参与的方式调整气流流量。也可以进一步在控制单元3中加入检测单元，通过检测单元实时测量晶圆4上的沉积情况，反馈沉积过程中的数据；通过将实时数据与预定值进行比较，获得控制量，根据该控制量向流量控制阀发出控制信号，从而调整每组进气气路的气流流量，即通过自动控制的方式实现气流流量的调整。在一种实施例中，检测单元可以包括：传感器和控制器；利用传感器实时测量每个区域内不同点位的沉积厚度，利用控制器将实际厚度和预定厚度进行比对，获得调整流量控制阀的控制量，根据该控制量向流量控制阀发送控制信号，调整对应区域的气流流量。
本方案中，该装置还包括：沉积室5；喷射单元2设置在沉积室5顶部；晶圆4固定在沉积室5底部的支撑台6上。该装置还包括：设置在沉积室5上的等离子源和射频设备；利用等离子源和射频设备使气态的反应物在沉积室5内发生辉光放电，生成等离子态的反应物，将等离子态的反应物沉积于所述晶圆4表面。
本方案所述沉积装置可以为等离子体化学气相沉积装置。在其他实施方式中，所述沉积装置也可以为等离子体物理气相沉积装置。
相应的，本方案还提供了一种沉积方法。通过所述方法可以提高晶圆4上沉积层的均匀度和轮廓平坦度。如图4为本方案一种沉积方法的一种实施例。具体地，所述方法的步骤包括：
步骤S1、提供晶圆4；
步骤S2、采用至少两个进气气路通入气态的反应物；
步骤S3、调节每个进气气路的通气流量；
步骤S4、对气态的反应物进行处理，生成等离子态的反应物；
步骤S5、分别将反应物朝向与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域，沉积于所述晶圆表面。
接下来，对本方案所述沉积方法的具体过程做详细描述。
步骤S1，提供晶圆4。所述晶圆4可以是未进行任何制程处理的单晶晶圆4，也可以是经过半导体处理工艺处理后的半成品晶圆4。所述晶圆4的材质可以为Si、Ge、SiGe、SOI(Silicon On Insula tor，绝缘体上硅)或GOI(Germanium On Insulator，绝缘体上锗)等。
步骤S2，采用至少两个进气气路通入气态的反应物。对应提供的晶圆4，提供至少两个进气气路作为气态的正硅酸乙酯TEOS的进料口，每个进气气路分别为晶圆4上不同的沉积区域。通过这种方式，能够集中对晶圆4上不同的区域进行沉积量的控制，从而满足晶圆4上不同区域的沉积要求，不同区域之间的控制相互之间也不会受到影响。通过单独调整进气气路来控制对应晶圆4上划分的区域的沉积量相比于单独控制喷口302更为简单、易行。
在一种实施例中，可以采用两个进气气路通入气态的反应物。第一个进气气路为晶圆4表面上的圆形区域提供反应物，第二个进气气路为晶圆4表面上的环形区域提供反应物；在晶圆4表面上所述圆环形区域与圆形区域邻接。
在另一种实施例中，可以采用三个进气气路通入气态的反应物。第一个进气气路为晶圆4表面上的中心圆形区域提供气态反应物，第二个进气气路为晶圆4表面上的中间环形区域提供气态反应物，第三个进气气路为晶圆4表面上的边缘环形区域提供气态反应物。晶圆4表面上从内之外依次为中心圆形区域、中间环形区域和边缘圆环形区域。
本方案中，根据进气气路的数量，晶圆的表面被划分为多个沉积区域，通过对不同区域气流流量的调整，以实现对沉积层的均匀度和轮廓平坦度的控制。上述实施例中分别以设置两个和三个进气气路为例，对本方案进行了说明，本领域技术人员应当理解，在上述实施例仅仅为举例，进气气路的设置数量不仅限于上述实施例中的数量，本领域技术人员在阅读本方案后，可以在合理的范围内进一步调整进气气路的数量，以更加细化的对晶圆表面沉积进行控制，从而满足沉积质量的要求。
步骤S3、调节每个进气气路的通气流量。该步骤中，对于进气气路的控制是通过设置在进气气路上的流量控制阀来实现的。对流量控制阀的可以采用人工控制或自动控制方式来实现。在一种实施例中，对于流量控制阀的控制，可以是工作人员根据预先确定的控制方案，通过控制台发出的控制信号，从而通过人为参与的方式调整气流流量。在另一种实施例中，对流量控制阀的控制，可以通过如下步骤来实现，具体地：
S31，实施测量晶圆4上各区域内不同点位的沉积情况，获得晶圆4上沉积厚度的数据；
S32，通过将实时数据与预定的当前时刻的沉积厚度(或沉积厚度范围)进行比对，获得沉积厚度的差值，作为流量控制阀的控制量；
S32，根据该控制量，向流量控制阀发出控制信号，增加或降低进气气路的气流流量。
通过上述自动检测反馈控制的方式，实现气流流量的调整。通过自动控制的方式，能够更好的实现沉积的自动化，降低人力成本，缩短沉积工艺花费的时间。
步骤S4，对通入的气态的反应物进行处理，生成等离子态的反应物。具体来说，对所述反应腔室施加射频信号，使得在所述反应腔室内部形成射频电场。开启等离子源，在沉积室5内发生辉光放电，生成等离子态的正硅酸乙酯TEOS。
步骤S5，分别将反应物朝向与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域，沉积于所述晶圆表面。在沉积工艺开始时，先按照预定气流流量将反应物朝向晶圆4表面喷射，在沉积工艺过程中，逐渐调整进气气路的气流流量，根据不同的气流流量，向对应的晶圆4表面上的不同区域喷射反应物，控制沉积于晶圆4表面的正硅酸乙酯TEOS的均匀度和轮廓平坦度。
为了进一步突出本方案的实施效果，下面以采用三个进气气路，对晶圆表面上的0～50mm，50～100mm，100mm～150mm三个半径范围内的气流流量控制为例，进行实验验证。如图7所示，利用现有技术形成膜的厚度差为1177.9埃
Figure BDA0002573591890000101
沉积时间为220.01分钟，而利用本方案形成膜的厚度差为469埃
Figure BDA0002573591890000102
沉积时间为99分钟，通过现有技术和本方案的实验验证比对结果，可以明显看出本方案沉积方法优于现有技术的沉积方法。
综上所述，本方案能够在沉积过程中，通过调整晶圆表面圆形和圆环形区域对应进气气路的气流流量，来控制沉积层的厚度，从而使沉积层更加均匀，形状轮廓更加平坦。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (15)

1.一种晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，该装置包括：
由至少两个进气气路组成的进气单元；
与进气单元连接的喷射单元，用于根据每个进气气路的通气流量，分别将反应物喷射至与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域；
其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的圆形区域和至少一个圆环形区域，每个区域对应一个进气气路。
2.根据权利要求1所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，该装置包括：
两个进气气路；
与两个进气气路连接的喷射单元，用于根据第一个进气气路和第二个进气气路的通气流量，分别将反应物喷射至与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域；
其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的圆形区域和与所述圆形区域邻接的圆环形区域；第一个进气气路对应所述圆形区域，第二个进气气路对应所述圆环形区域。
3.根据权利要求1所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，该装置包括：
三个进气气路；晶圆表面根据进气气路的数量划分为，以晶圆中心为圆心的中心圆形区域、中间环形区域和边缘圆环形区域，每个区域对应一个进气气路；
与三个进气气路连接的喷射单元，用于根据第一个进气气路、第二个进气气路和第三个进气气路的通气流量，分别将反应物喷射至与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域；
其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的中心圆形区域、中间环形区域和边缘圆环形区域；第一个进气气路对应所述圆形区域，第二个进气气路对应所述中间环形区域，第三个进气气路对应所述边缘圆环形区域。
4.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，该装置还包括：设置在每组进气气路上的控制单元，用于调节进气气路的通气流量。
5.根据权利要求1至3任一项所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，所述喷射单元包括：圆盘形结构；
所述圆盘型结构内设有多个气腔，每个气腔通过圆盘形结构上表面的连接口与一个进气气路连通；
每个气腔与所述圆盘型结构的下表面设有的多个喷口连通。
6.根据权利要求5所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，所述喷口呈阵列方式排布在所述圆盘形结构的下表面；或，
所述喷口分别在与晶圆表面的中心区域、中间区域和边缘区域相对应的圆盘形结构下表面的区域范围内呈阵列方式排布。
7.根据权利要求1所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，所述反应物为正硅酸乙酯TEOS。
8.根据权利要求1所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，该装置还包括：沉积室和沉积室内用于固定所述晶圆的支撑台；
所述沉积室上设有等离子源和射频设备。
9.根据权利要求1所述的晶圆表面膜层沉积装置，其特征在于，该装置为等离子体化学气相沉积装置。
10.一种晶圆表面膜层沉积方法，其特征在于，该方法的步骤包括：
提供晶圆；
采用至少两个进气气路通入气态的反应物；
根据每个进气气路的通气流量，分别将反应物朝向与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域，沉积于所述晶圆表面；
其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的圆形区域和至少一个圆环形区域，每个区域对应一个进气气路。
11.根据权利要求10所述的晶圆表面膜层方法，其特征在于，该方法的步骤包括：
提供晶圆；
采用两个进气气路通入气态的反应物；
根据第一个进气气路和第二个进气气路的通气流量，分别将反应物朝向与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域，沉积于所述晶圆表面；
其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的圆形区域和与所述圆形区域邻接的圆环形区域；第一个进气气路对应所述圆形区域，第二个进气气路对应所述圆环形区域。
12.根据权利要求10所述的晶圆表面膜层方法，其特征在于，该方法的步骤包括：
提供晶圆；
采用三个进气气路通入气态的反应物；
根据第一个进气气路、第二个进气气路和第三个进气气路的通气流量，分别将反应物朝向与每个进气气路相对应的晶圆表面上的区域，沉积于所述晶圆表面；
其中，所述晶圆表面上的区域包括：以晶圆中心为圆心的中心圆形区域、中间环形区域和边缘圆环形区域；第一个进气气路对应所述圆形区域，第二个进气气路对应所述中间环形区域，第三个进气气路对应所述边缘圆环形区域。
13.根据权利要求10至12任一项所述的晶圆表面膜层方法，其特征在于，所述通入气态的反应物的步骤之后还包括；调节每个进气气路的通气流量。
14.根据权利要求13所述的晶圆表面膜层方法，其特征在于，所述调节每个进气气路的通气流量的步骤之后包括：
对通入的气态的反应物进行辉光放电处理，生成等离子态的反应物；
将等离子态的反应物沉积于所述晶圆表面。
15.一种半导体器件，包括覆盖在晶圆上的膜层，其特征在于，所述膜层由权利要求10或14所述的沉积方法制造而成。
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