KR20130073696A - Apparatus for fabricating ingot and method for fabricating ingot - Google Patents
Apparatus for fabricating ingot and method for fabricating ingot Download PDFInfo
- Publication number
- KR20130073696A KR20130073696A KR1020110141680A KR20110141680A KR20130073696A KR 20130073696 A KR20130073696 A KR 20130073696A KR 1020110141680 A KR1020110141680 A KR 1020110141680A KR 20110141680 A KR20110141680 A KR 20110141680A KR 20130073696 A KR20130073696 A KR 20130073696A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- crucible
- ingot
- single crystal
- insulating material
- raw material
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 47
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- -1 silicon carbide compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/002—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02378—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
Abstract
Description
본 기재는 잉곳 제조 장치 및 잉곳 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to an ingot production device and an ingot production method.
일반적으로, 전기, 전자 산업분야 및 기계부품 분야에 있어서의 소재의 중요도는 매우 높아 실제 최종 부품의 특성 및 성능지수를 결정하는 중요한 요인이 되고 있다.In general, the importance of the material in the electrical, electronics industry and mechanical parts field is very high, which is an important factor in determining the characteristics and performance index of the actual final component.
SiC는 열적 안정성이 우수하고, 내산화성이 우수한 특징을 가지고 있다. 또한, SiC는 4.6W/Cm℃ 정도의 우수한 열 전도도를 가지고 있으며, 직경 2인치 이상의 대구경의 기판으로서 생산 가능하다는 장점이 있다. 특히, SiC 단결정 성장 기술이 현실적으로 가장 안정적으로 확보되어, 기판으로서 산업적 생산 기술이 가장 앞서있다. SiC has excellent thermal stability and excellent oxidation resistance. In addition, SiC has an excellent thermal conductivity of about 4.6W / Cm ℃, has the advantage that can be produced as a large diameter substrate of 2 inches or more in diameter. In particular, SiC single crystal growth technology is most stably secured in reality, and industrial production technology is at the forefront as a substrate.
SiC의 경우, 종자정을 사용하여 승화재결정법에 의해 탄화규소 단결정을 성장시키는 방법이 제시되어 있다. 원료가 되는 탄화규소 분말을 도가니 내에 수납하고 그 상부에 종자정이 되는 탄화규소 단결정을 배치한다. 상기 원료와 종자정 사이에 온도구배를 형성함으로써 도가니 내의 원료가 종자정 측으로 확산되고 재결정화되어 단결정이 성장된다.In the case of SiC, a method of growing silicon carbide single crystals by sublimation recrystallization using seed crystals has been proposed. The silicon carbide powder used as a raw material is accommodated in a crucible, and the silicon carbide single crystal which becomes a seed crystal is arrange | positioned on the upper part. By forming a temperature gradient between the raw material and the seed crystal, the raw material in the crucible is diffused to the seed crystal side and recrystallized to grow a single crystal.
그리고, 이러한 단결정을 슬라이싱 하여 웨이퍼를 생산할 수 있다. 한편, 단결정을 슬라이싱 할 때, 4 °또는 8 °등 각도를 형성하여 슬라이싱 하는데, 종래에는 단결정의 중심이 볼록하며, 이를 중심으로 곡률을 형성하는 형상이었기 때문에 효율적인 웨이퍼 생산이 어렵다는 문제가 있다.Then, the single crystal can be sliced to produce a wafer. On the other hand, when slicing a single crystal, the slice is formed by forming an angle such as 4 ° or 8 °. In the related art, since the center of the single crystal is convex and a shape is formed around the single crystal, efficient wafer production is difficult.
실시예는 웨이퍼의 수율을 향상할 수 있는 단결정을 성장시킬 수 있다.The embodiment may grow a single crystal capable of improving the yield of the wafer.
실시예에 따른 잉곳 제조 장치는, 원료를 수용하는 도가니; 및 상기 도가니를 둘러싸고, 상기 도가니의 온도를 유지하는 단열재를 포함하고, 상기 도가니는 상기 단열재에 대하여 기울어진다.Ingot manufacturing apparatus according to the embodiment, the crucible for receiving the raw material; And a heat insulating material surrounding the crucible and maintaining the temperature of the crucible, wherein the crucible is inclined with respect to the heat insulating material.
실시예에 따른 잉곳 제조 장치를 통해 성장되는 단결정은 한쪽으로 치우쳐서 성장될 수 있다. 따라서, 단결정 성장 후, 상기 단결정을 슬라이싱(slicing) 하여 웨이퍼를 생산할 때, 로스(loss)를 줄일 수 있다. 즉, 상기 단결정을 슬라이싱 할 때, 4 °또는 8 °등 각도를 형성하여 슬라이싱 하는데, 종래에는 단결정의 중심이 볼록하며, 이를 중심으로 곡률을 형성하는 형상이었기 때문에 효율적인 웨이퍼 생산이 어려웠다. 그러나, 본 실시예를 통해 성장된 단결정은 비대칭적인 형상을 가지기 때문에 로스를 줄일 수 있고, 생산 가능한 웨이퍼도 증가할 수 있다. 따라서, 단결정의 수율을 향상할 수 있다.The single crystal grown through the ingot manufacturing apparatus according to the embodiment may be grown by biasing to one side. Therefore, after the single crystal growth, when the wafer is produced by slicing the single crystal, loss can be reduced. In other words, when slicing the single crystal, the wafer is formed by slicing an angle of 4 ° or 8 °, and in the related art, the center of the single crystal is convex, and the shape of the curvature is formed around the wafer. However, since the single crystal grown through the present embodiment has an asymmetrical shape, the loss can be reduced, and the number of wafers that can be produced can be increased. Therefore, the yield of a single crystal can be improved.
도 1은 실시예에 따른 잉곳 제조 장치의 단면도이다.
도 2는 실시예에 따른 잉곳 제조 장치를 통해 성장하는 잉곳을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 종래의 잉곳 제조 장치로 성장된 잉곳의 웨이퍼 생산 영역을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 실시예에 따른 잉곳 제조 장치로 성장된 잉곳의 웨이퍼 생산 영역을 설명하기 위한 도면이다.1 is a cross-sectional view of an ingot manufacturing apparatus according to an embodiment.
2 is a cross-sectional view illustrating an ingot growing through an ingot manufacturing apparatus according to an embodiment.
3 is a view for explaining a wafer production region of the ingot grown by the conventional ingot production apparatus.
4 is a view for explaining a wafer production region of the ingot grown by the ingot manufacturing apparatus according to the embodiment.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of embodiments, each layer, region, pattern, or structure may be “on” or “under” the substrate, each layer, region, pad, or pattern. Substrate formed in ”includes all formed directly or through another layer. Criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer will be described with reference to the drawings.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1 내지 도 4를 참조하여, 실시예에 따른 잉곳 제조 장치를 상세하게 설명한다. 도 1은 실시예에 따른 잉곳 제조 장치의 단면도이다. 도 2는 실시예에 따른 잉곳 제조 장치를 통해 성장하는 잉곳을 설명하기 위한 단면도이다. 도 3은 종래의 잉곳 제조 장치로 성장된 잉곳의 웨이퍼 생산 영역을 설명하기 위한 도면이다. 도 4는 실시예에 따른 잉곳 제조 장치로 성장된 잉곳의 웨이퍼 생산 영역을 설명하기 위한 도면이다.1 to 4, the ingot manufacturing apparatus according to the embodiment will be described in detail. 1 is a cross-sectional view of an ingot manufacturing apparatus according to an embodiment. 2 is a cross-sectional view illustrating an ingot growing through an ingot manufacturing apparatus according to an embodiment. 3 is a view for explaining a wafer production region of the ingot grown by the conventional ingot production apparatus. 4 is a view for explaining a wafer production region of the ingot grown by the ingot manufacturing apparatus according to the embodiment.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 잉곳 제조 장치는, 도가니(100), 각도 조절부(120), 상부 덮개(140), 종자정 홀더(160), 단열재(200), 석영관(400) 및 발열 유도부(500)를 포함한다.1 to 4, the ingot manufacturing apparatus according to the embodiment, the
상기 도가니(100)는 원료(130)를 수용할 수 있다. The
상기 도가니(100)는 상기 원료(130)를 수용할 수 있도록 원통형의 형상을 가질 수 있다. The
상기 도가니(100)는 탄화규소의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질을 포함할 수 있다. The
일례로, 상기 도가니(100)는 흑연으로 제작될 수 있다. For example, the
또한, 도가니(100)는 흑연에 탄화규소의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질이 도포될 수도 있다. 여기서, 흑연 재질 상에 도포되는 상기 물질은, 탄화규소 단결정이 성장되는 온도에서 실리콘 및 수소에 대해 화학적으로 불활성인 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 금속 탄화물로는 금속 질화물을 이용할 수 있다. 특히, Ta, Hf, Nb, Zr, W 및 V 중 적어도 둘 이상을 포함하는 혼합물 및 탄소를 포함하는 탄화물이 도포될 수 있다. 또한, Ta, Hf, Nb, Zr, W 및 V 중 적어도 둘 이상을 포함하는 혼합물 및 질소를 포함하는 질화물이 도포될 수 있다. In addition, the
상기 도가니(100)는 상기 단열재(200)에 대하여 기울어지도록 구비된다. 일례로, 상기 도가니(100)는 30 °이내로 기울어질 수 있다. The
상기 각도 조절부(120)는 상기 도가니(100)의 각도를 조절할 수 있다. 즉, 상기 각도 조절부(120)는 상기 도가니(100)가 상기 단열재(200)에 대해 기울어지는 각도를 조절할 수 있다. 상기 각도 조절부(120)는 상기 도가니(100)의 하부에 위치할 수 있다. The
상기 원료(130)는 규소 및 탄소를 포함할 수 있다. 더 구체적으로는, 상기 원료(130)는 탄화규소 화합물을 포함할 수 있다. 상기 도가니(100)는 탄화규소 분말(SiC powder) 또는 폴리카보실란(polycarbosilane) 을 수용할 수 있다.The
상기 원료(130)의 표면이 상기 단열재(200)에 대하여 경사진 경사면을 포함한다. 즉, 상기 도가니(100)가 기울어짐으로써, 상기 도가니(100) 내에 수용되는 상기 원료(130)의 표면도 경사면을 포함할 수 있다. 상기 원료(130)는 분말 형태로써, 고체이고 그 형상을 유지하기 때문에 상기 종자정(170) 및 상기 원료(130) 사이의 온도 구배의 변화를 가져올 수 있다. 따라서, 상기 원료(130)로부터 성장하는 단결정은 불균형한 표면을 가질 수 있다. The surface of the
따라서, 도 2를 참조하면, 단결정(I)이 한쪽으로 치우쳐서 성장될 수 있다. 따라서, 단결정(I) 성장 후, 상기 단결정(I)을 슬라이싱(slicing) 하여 웨이퍼를 생산할 때, 로스(loss)를 줄일 수 있다. 즉, 상기 단결정을 슬라이싱 할 때, 4 °또는 8 °등 각도를 형성하여 슬라이싱 하는데, 도 3을 참조하면, 종래에는 단결정의 중심이 볼록하며, 이를 중심으로 곡률을 형성하는 형상이었기 때문에 효율적인 웨이퍼 생산이 어려웠다. 그러나, 도 4를 참조하면, 본 실시예를 통해 성장된 단결정은 비대칭적인 형상을 가지기 때문에 로스를 줄일 수 있고, 생산 가능한 웨이퍼도 증가할 수 있다. 따라서, 단결정의 효율을 향상할 수 있다.Thus, referring to FIG. 2, the single crystal I may be grown to one side. Therefore, after the single crystal (I) growth, when the wafer is produced by slicing the single crystal (I), it is possible to reduce the loss (loss). That is, when slicing the single crystal, it is sliced by forming an angle such as 4 ° or 8 °, referring to Figure 3, in the prior art, the center of the single crystal is convex, the shape of the curvature is formed around the center of the efficient wafer production This was difficult. However, referring to FIG. 4, since the single crystal grown through the present embodiment has an asymmetrical shape, the loss can be reduced, and the number of wafers that can be produced can be increased. Therefore, the efficiency of single crystal can be improved.
이어서, 상기 도가니(100)의 상부에 상부 덮개(140)가 위치할 수 있다. 상기 상부 덮개(140)는 상기 도가니(100)를 밀폐시킬 수 있다. 상기 상부 덮개(140)는 흑연을 포함할 수 있다. Subsequently, an
상기 상부 덮개(140)의 하단부에 종자정 홀더(160)가 위치한다. 상기 종자정 홀더(160)는 종자정(170)을 고정시킬 수 있다. 상기 종자정 홀더(160)는 고밀도의 흑연을 포함할 수 있다. The
상기 종자정(170)은 상기 종자정 홀더(160)에 부착된다. 상기 종자정(170)이 상기 종자정 홀더(160)에 부착됨으로써, 성장된 단결정이 상기 상부 덮개(140)에까지 성장되는 것을 방지할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 종자정(170)은 상기 상부 덮개(140)에 직접 부착될 수 있다.The
이어서, 상기 단열재(200)는 상기 도가니(100)를 둘러싼다. 상기 단열재(200)는 상기 도가니(100)의 온도를 결정 성장 온도로 유지하도록 한다. 상기 단열재(200)는 탄화규소의 결정 성장 온도가 매우 높기 때문에, 흑연 펠트를 이용할 수 있다. 구체적으로, 상기 단열재(200)는 흑연 섬유를 압착시켜 일정 두께의 원통형으로 제작된 흑연 펠트를 사용할 수 있다. 또한, 상기 단열재(200)는 복수의 층으로 형성되어 상기 도가니(100)를 둘러쌀 수 있다.Subsequently, the
이어서, 상기 석영관(400)은 상기 도가니(100)의 외주면에 위치한다. 상기 석영관(400)은 상기 도가니(100)의 외주면에 끼워진다. 상기 석영관(400)은 상기 발열 유도부(500)에서 단결정 성장장치의 내부로 전달되는 열을 차단할 수 있다. 상기 석영관(400)은 내부가 빈 중공형의 관일 수 있다. 상기 석영관(400)의 내부 공간에 냉각수가 순환될 수 있다. Subsequently, the
상기 발열 유도부(500)는 상기 도가니(100)의 외부에 위치한다. 상기 발열 유도부(500)는 일례로, 고주파 유도 코일일 수 있다. 고주파 유도 코일에 고주파 전류를 흐르게 함으로써 상기 도가니(100) 및 상기 도가니(100)를 가열할 수 있다. 즉, 상기 도가니(100)에 수용되는 상기 원료를 원하는 온도로 가열할 수 있다.The heat
상기 발열 유도부(500)에서 유도 가열되는 중심 영역이 상기 도가니(100)의 중심부보다 낮은 위치에 형성된다. 따라서, 상기 도가니(100)의 상부 및 하부에 서로 다른 가열온도 영역을 갖는 온도구배가 형성된다. 즉, 발열 유도부(500)의 중심부인 핫존(hot zone, HZ)이 상기 도가니(100)의 중심에서 상대적으로 낮은 위치에 형성되어, 핫존(HZ)을 경계로 상기 도가니(100)의 하부의 온도가 상기 도가니(100) 상부의 온도보다 높게 형성된다. 또한, 상기 도가니(100)의 내부 중심부에서 외곽 방향을 따라 온도가 높게 형성된다. 이러한 온도구배로 인하여 탄화규소 원료(130)의 승화가 일어나고, 승화된 탄화규소 가스가 상대적으로 온도가 낮은 종자정(170)의 표면으로 이동한다. 이로 인해, 상기 탄화규소 가스가 재결정되어 단결정(I)으로 성장된다.A central region that is induction heated in the
이하, 실시예에 따른 잉곳 제조 방법을 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위해 앞서 설명한 부분과 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략한다. Hereinafter, the ingot manufacturing method according to the embodiment will be described. For the sake of clarity and conciseness, the same or similar parts as those described above will not be described in detail.
먼저, 실시예에 따른 잉곳 제조 방법은, 도가니 및 단열재를 준비하는 단계를 포함한다. 즉, 원료를 수용하는 도가니 및 상기 도가니의 온도를 유지하는 단열재를 준비하는 단계를 포함한다.First, an ingot manufacturing method according to an embodiment includes preparing a crucible and a heat insulating material. That is, preparing a crucible for accommodating the raw material and a heat insulating material for maintaining the temperature of the crucible.
이어서, 상기 도가니를 기울이는 단계를 포함한다. 상기 도가니를 기울이는 단계에서는 각도 조절부를 통해 상기 도가니를 기울일 수 있다. 상기 도가니는 상기 단열재에 대하여 기울어질 수 있다. 따라서, 상기 원료의 표면이 상기 단열재에 대하여 경사진 경사면을 포함할 수 있다. Then, tilting the crucible is included. In the tilting of the crucible, the crucible may be tilted through an angle adjusting unit. The crucible may be inclined with respect to the insulation. Therefore, the surface of the raw material may include an inclined surface inclined with respect to the heat insulating material.
이어서, 상기 원료로부터 잉곳을 성장시키는 단계를 포함할 수 있다. Subsequently, the method may include growing an ingot from the raw material.
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.
Claims (6)
상기 도가니를 둘러싸고, 상기 도가니의 온도를 유지하는 단열재를 포함하고, 상기 도가니는 상기 단열재에 대하여 기울어진 잉곳 제조 장치.A crucible for accommodating raw materials; And
And an insulator surrounding the crucible and maintaining the temperature of the crucible, wherein the crucible is inclined with respect to the insulator.
상기 도가니의 기울어진 각도를 조절하는 각도 조절부를 더 포함하는 잉곳 제조 장치.The method of claim 1,
Ingot manufacturing apparatus further comprises an angle adjusting unit for adjusting the inclination angle of the crucible.
상기 원료의 표면이 상기 단열재에 대하여 경사진 경사면을 포함하는 잉곳 제조 장치.The method of claim 1,
An ingot manufacturing apparatus, wherein the surface of the raw material includes an inclined surface inclined with respect to the heat insulating material.
상기 도가니를 기울이는 단계; 및
상기 원료로부터 잉곳을 성장시키는 단계를 포함하는 잉곳 제조 방법.Preparing a crucible for accommodating raw materials and an insulating material for maintaining a temperature of the crucible;
Tilting the crucible; And
Ingot manufacturing method comprising the step of growing an ingot from the raw material.
상기 도가니를 기울이는 단계에서 상기 도가니는 상기 단열재에 대하여 기울어진 잉곳 제조 방법.5. The method of claim 4,
Ingot manufacturing method of ingot tilting the crucible with respect to the heat insulating material in the step of tilting the crucible.
상기 도가니를 기울이는 단계에서 상기 원료의 표면이 상기 단열재에 대하여 경사진 경사면을 포함하는 잉곳 제조 방법.5. The method of claim 4,
Ingot manufacturing method comprising the inclined surface inclined surface with respect to the heat insulating material in the step of tilting the crucible.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110141680A KR101886271B1 (en) | 2011-12-23 | 2011-12-23 | Apparatus for fabricating ingot and method for fabricating ingot |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110141680A KR101886271B1 (en) | 2011-12-23 | 2011-12-23 | Apparatus for fabricating ingot and method for fabricating ingot |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130073696A true KR20130073696A (en) | 2013-07-03 |
| KR101886271B1 KR101886271B1 (en) | 2018-08-08 |
Family
ID=48988089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110141680A KR101886271B1 (en) | 2011-12-23 | 2011-12-23 | Apparatus for fabricating ingot and method for fabricating ingot |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101886271B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116815320A (en) * | 2023-06-28 | 2023-09-29 | 通威微电子有限公司 | Silicon carbide crystal growth device and method and silicon carbide crystal |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06191998A (en) * | 1992-12-24 | 1994-07-12 | Sharp Corp | Method for growing silicon carbide single crystal and device for growing the same |
| JP2005029459A (en) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Showa Denko Kk | Method for growing silicon carbide single crystal, silicon carbide seed crystal, and silicon carbide single crystal |
| JP2009051701A (en) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Denso Corp | Apparatus and method for producing silicon carbide single crystal |
| JP2010228990A (en) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Crystal growing apparatus |
-
2011
- 2011-12-23 KR KR1020110141680A patent/KR101886271B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06191998A (en) * | 1992-12-24 | 1994-07-12 | Sharp Corp | Method for growing silicon carbide single crystal and device for growing the same |
| JP2005029459A (en) * | 2003-06-16 | 2005-02-03 | Showa Denko Kk | Method for growing silicon carbide single crystal, silicon carbide seed crystal, and silicon carbide single crystal |
| JP2009051701A (en) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Denso Corp | Apparatus and method for producing silicon carbide single crystal |
| JP2010228990A (en) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Crystal growing apparatus |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116815320A (en) * | 2023-06-28 | 2023-09-29 | 通威微电子有限公司 | Silicon carbide crystal growth device and method and silicon carbide crystal |
| CN116815320B (en) * | 2023-06-28 | 2024-01-12 | 通威微电子有限公司 | Silicon carbide crystal growth device and method and silicon carbide crystal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101886271B1 (en) | 2018-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20120140547A (en) | Apparatus for fabricating ingot | |
| KR20120135735A (en) | Apparatus for fabricating ingot | |
| KR20120138445A (en) | Apparatus for fabricating ingot | |
| KR20130014272A (en) | Apparatus for fabricating ingot | |
| KR20130074712A (en) | Apparatus for fabricating ingot | |
| KR101882318B1 (en) | Apparatus for fabricating ingot | |
| KR20130022596A (en) | Apparatus for fabricating ingot and method for providing material | |
| KR20120121454A (en) | Seed holding apparatus and apparatus for fabricating ingot comprising the same | |
| KR20130033838A (en) | Apparatus for fabricating ingot | |
| KR20130073696A (en) | Apparatus for fabricating ingot and method for fabricating ingot | |
| KR20130020488A (en) | Apparatus for fabricating ingot | |
| KR20130070479A (en) | Apparatus for fabricating single crystal | |
| KR101882317B1 (en) | Apparatus and method for fabricating single crystal | |
| KR20130053743A (en) | Apparatus for fabricating ingot and method for temperature control of the same | |
| KR20130014273A (en) | Apparatus for fabricating ingot | |
| KR20210068748A (en) | Apparatus for producing wafer, method for manufacturing large-daimeter silicon carbide wafer and large-daimeter silicon carbide wafer manufactured by the same | |
| KR20120138112A (en) | Apparatus for fabricating ingot | |
| JP2020015642A (en) | Crystal growth apparatus | |
| KR20120135743A (en) | Apparatus for fabricating ingot and method for providing material | |
| KR20130064649A (en) | Apparatus for fabricating ingot | |
| KR20130074714A (en) | Apparatus for fabricating ingot | |
| KR20130013709A (en) | Apparatus for fabricating ingot and method for providing material | |
| US11453959B2 (en) | Crystal growth apparatus including heater with multiple regions and crystal growth method therefor | |
| KR20130000298A (en) | Apparatus for fabricating ingot and method for fabricating ingot | |
| KR20120119365A (en) | Apparatus for fabricating ingot |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |