KR20130053743A - Apparatus for fabricating ingot and method for temperature control of the same - Google Patents

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KR20130053743A
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허선
손창현
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

PURPOSE: An apparatus for fabricating ingot and a method for controlling the temperature of the same are provided to control the temperature gradient of a crucible by using a first sub heating part and to improve throughput. CONSTITUTION: A crucible accommodates a raw material. A heat induction part(500) is positioned outside the crucible. The heat induction part heats the crucible. A first sub heating part(520) is positioned in the upper part of the crucible. A second sub heating part(540) is positioned in the lower part of the crucible.

Description

잉곳 제조 장치 및 이의 온도 제어 방법{APPARATUS FOR FABRICATING INGOT AND METHOD FOR TEMPERATURE CONTROL OF THE SAME}Ingot manufacturing apparatus and temperature control method thereof {APPARATUS FOR FABRICATING INGOT AND METHOD FOR TEMPERATURE CONTROL OF THE SAME}

본 기재는 잉곳 제조 장치 및 이의 온도 제어 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to an ingot manufacturing apparatus and a temperature control method thereof.

일반적으로, 전기, 전자 산업분야 및 기계부품 분야에 있어서의 소재의 중요도는 매우 높아 실제 최종 부품의 특성 및 성능지수를 결정하는 중요한 요인이 되고 있다.In general, the importance of the material in the electrical, electronics industry and mechanical parts field is very high, which is an important factor in determining the characteristics and performance index of the actual final component.

SiC는 열적 안정성이 우수하고, 내산화성이 우수한 특징을 가지고 있다. 또한, SiC는 4.6W/Cm℃ 정도의 우수한 열 전도도를 가지고 있으며, 직경 2인치 이상의 대구경의 기판으로서 생산 가능하다는 장점이 있다. 특히, SiC 단결정 성장 기술이 현실적으로 가장 안정적으로 확보되어, 기판으로서 산업적 생산 기술이 가장 앞서있다. SiC has excellent thermal stability and excellent oxidation resistance. In addition, SiC has an excellent thermal conductivity of about 4.6W / Cm ℃, has the advantage that can be produced as a large diameter substrate of 2 inches or more in diameter. In particular, SiC single crystal growth technology is most stably secured in reality, and industrial production technology is at the forefront as a substrate.

SiC의 경우, 종자정을 사용하여 승화재결정법에 의해 탄화규소 단결정을 성장시키는 방법이 제시되어 있다. 원료가 되는 탄화규소 분말을 도가니 내에 수납하고 그 상부에 종자정이 되는 탄화규소 단결정을 배치한다. 상기 원료와 종자정 사이에 온도구배를 형성함으로써 도가니 내의 원료가 종자정 측으로 확산되고 재결정화되어 단결정이 성장된다.In the case of SiC, a method of growing silicon carbide single crystals by sublimation recrystallization using seed crystals has been proposed. The silicon carbide powder used as a raw material is accommodated in a crucible, and the silicon carbide single crystal which becomes a seed crystal is arrange | positioned on the upper part. By forming a temperature gradient between the raw material and the seed crystal, the raw material in the crucible is diffused to the seed crystal side and recrystallized to grow a single crystal.

그러나 이러한 SiC 성장 시, 종자정을 고정하는 종자정 홀더의 중심 부분과 가장자리 부분에 온도차가 발생한다. 이에 따라, 종자정으로부터 성장하는 단결정에도 영향이 미쳐 단결정의 중심 부분이 볼록한 형상을 가지게 된다. 또한, 이러한 온도차로 인해 단결정의 가장자리 부분에 결함이 발생할 수 있다.However, during such SiC growth, a temperature difference occurs in the center portion and the edge portion of the seed crystal holder that fixes the seed crystal. As a result, the single crystal growing from the seed crystal is also affected, and the central portion of the single crystal is convex. In addition, the temperature difference may cause defects in the edge portion of the single crystal.

실시예는 고품질 단결정을 성장은 물론, 성장률 증가와 단결정의 곡률감소로 인하여 수율을 증가 시킬 수 있다.The embodiment can increase the yield due to the growth of the high-quality single crystal, as well as the increase of the growth rate and the curvature of the single crystal.

실시예에 따른 잉곳 성장 장치는, 원료를 수용하는 도가니; 상기 도가니 바깥쪽에 위치하고, 상기 도가니를 가열하는 발열 유도부; 및 상기 도가니의 상방 및 상기 도가니의 하방 중 적어도 어느 하나에 위치하는 보조 발열부를 포함한다.Ingot growth apparatus according to the embodiment, the crucible for receiving the raw material; Located in the outside of the crucible, the heating induction unit for heating the crucible; And an auxiliary heating unit positioned at at least one of the upper side of the crucible and the lower side of the crucible.

실시예에 따른 잉곳 성장 장치의 온도 제어 방법은, 발열 유도부를 통해 도가니를 제1 가열하는 단계; 및 상기 도가니의 상방 및 상기 도가니의 하방 중 적어도 어느 하나에 위치하는 보조 발열부를 상기 도가니를 제2 가열하는 단계를 포함한다.In accordance with one or more exemplary embodiments, a temperature control method of an ingot growth apparatus includes: first heating a crucible through an exothermic induction part; And heating the crucible for a second heating unit located at least one of the upper side of the crucible and the lower side of the crucible.

실시예에 따른 잉곳 성장 장치는, 제1 보조 발열부 및 제2 보조 발열부를 포함할 수 있다. The ingot growth apparatus according to the embodiment may include a first auxiliary heating unit and a second auxiliary heating unit.

상기 제1 보조 발열부를 통해, 도가니 상방으로의 열방출을 감소시킬 수 있다. Through the first auxiliary heat generating unit, it is possible to reduce heat dissipation above the crucible.

또한, 상기 제1 보조 발열부를 통해, 상기 도가니의 수평거리의 온도구배를 조절할 수 있다. 구체적으로, 상기 도가니의 상부에 위치하는 종자정의 중심 부분과 상기 종자정의 가장자리 부분의 온도차를 감소시킬 수 있다. 즉, 상기 종자정의 온도를 균일하게 유지할 수 있다. 따라서, 종자정의 가장자리 부분의 결함을 최소화할 수 있다. 즉, 상기 종자정에서 안정적인 원자의 배열(stacking)을 통해 상기 종자정으로부터 성장하는 단결정의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 종자정의 중심 부분과 상기 종자정의 가장자리 부분의 온도차에 의해 상기 종자정으로부터 성장한 단결정의 중심 부분이 볼록한 형상을 가지는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 상기 단결정을 더 효율적으로 이용할 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있다.In addition, the temperature gradient of the horizontal distance of the crucible can be adjusted through the first auxiliary heating unit. Specifically, it is possible to reduce the temperature difference between the center portion of the seed crystal located in the upper portion of the crucible and the edge portion of the seed crystal. That is, the temperature of the seed crystal can be kept uniform. Therefore, defects in the edge portion of the seed crystal can be minimized. That is, the quality of the single crystal grown from the seed crystal can be improved by stacking stable atoms in the seed crystal. In addition, the central portion of the single crystal grown from the seed crystal can be prevented from having a convex shape by the temperature difference between the center portion of the seed crystal and the edge portion of the seed crystal. Thereby, the said single crystal can be utilized more efficiently, and a yield can be improved.

이어서, 상기 제2 보조 발열부를 통해, 상기 도가니 하부에 위치하는 원료에 추가적으로 열을 공급할 수 있다. 즉, 상기 제2 보조 발열부를 통해 상기 원료만의 온도 상승이 가능하다. 따라서, 도가니의 수직거리의 온도구배를 보다 높게 형성할 수 있다. 이에 따라, 단결정의 성장률이 증가할 수 있다. Subsequently, heat may be additionally supplied to the raw material positioned below the crucible through the second auxiliary heat generating unit. That is, the temperature rise of only the raw material is possible through the second auxiliary heat generating unit. Therefore, the temperature gradient of the vertical distance of the crucible can be formed higher. As a result, the growth rate of the single crystal may increase.

또한, 상기 원료 내의 수평거리의 온도구배가 감소할 수 있다. 구체적으로, 상기 원료의 중심 부분과 상기 원료의 가장자리 부분의 온도차를 감소시킬 수 있다. 즉, 원료의 중심 부분에서도 균일한 승화가 일어날 수 있다. 따라서, 상기 원료의 고른 승화에 따라, 상기 원료의 소비 효율을 증대시킬 수 있다. 따라서, 제조비용을 절감할 수 있다.In addition, the temperature gradient of the horizontal distance in the raw material can be reduced. Specifically, it is possible to reduce the temperature difference between the central portion of the raw material and the edge portion of the raw material. That is, even sublimation may occur in the center portion of the raw material. Therefore, according to even sublimation of the raw material, the consumption efficiency of the raw material can be increased. Therefore, manufacturing cost can be reduced.

실시예에 따른 잉곳 성장 장치의 온도 제어 방법은, 상술한 효과를 가지도록 잉곳 성장 장치의 온도를 제어할 수 있다.The temperature control method of the ingot growth apparatus according to the embodiment may control the temperature of the ingot growth apparatus to have the above-described effect.

도 1은 제1 실시예에 따른 잉곳 성장 장치의 단면도이다.
도 2 및 도 3은 실시예 및 비교예의 효과를 비교한 그래프이다.
도 4는 제2 실시예에 따른 잉곳 성장 장치의 단면도이다.
도 5는 제3 실시예에 따른 잉곳 성장 장치의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of the ingot growth apparatus according to the first embodiment.
2 and 3 are graphs comparing the effects of the Examples and Comparative Examples.
4 is a cross-sectional view of the ingot growth apparatus according to the second embodiment.
5 is a cross-sectional view of the ingot growth apparatus according to the third embodiment.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of embodiments, each layer, region, pattern, or structure may be “on” or “under” the substrate, each layer, region, pad, or pattern. Substrate formed in ”includes all formed directly or through another layer. Criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer will be described with reference to the drawings.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 1 내지 도 3을 참조하여, 제1 실시예에 따른 잉곳 제조 장치를 상세하게 설명한다. 도 1은 제1 실시예에 따른 잉곳 제조 장치의 단면도이다. 도 2 및 도 3은 실시예 및 비교예의 효과를 비교한 그래프이다.First, referring to FIGS. 1 to 3, an ingot manufacturing apparatus according to a first embodiment will be described in detail. 1 is a cross-sectional view of the ingot production device according to the first embodiment. 2 and 3 are graphs comparing the effects of the Examples and Comparative Examples.

도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 잉곳 제조 장치는, 도가니(100), 상부 덮개(140), 종자정 홀더(170), 포커싱 튜브(180), 제1 보조 발열부(520), 제2 보조 발열부(540), 단자부(610, 620), 석영관(400) 및 발열 유도부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the ingot manufacturing apparatus according to the first embodiment may include a crucible 100, an upper cover 140, a seed crystal holder 170, a focusing tube 180, a first auxiliary heating unit 520, The second auxiliary heating part 540, the terminal parts 610 and 620, the quartz tube 400, and the heat generating induction part 500 are included.

상기 도가니(100)는 원료(130)를 수용할 수 있다. 상기 원료(130)는 규소 및 탄소를 포함할 수 있다. 더 구체적으로는, 상기 원료(130)는 탄화규소 화합물을 포함할 수 있다. 상기 도가니(100)는 탄화규소 분말(SiC powder) 또는 폴리카보실란(polycarbosilane) 을 수용할 수 있다.The crucible 100 may accommodate the raw material 130. The raw material 130 may include silicon and carbon. More specifically, the raw material 130 may include a silicon carbide compound. The crucible 100 may contain silicon carbide powder (SiC powder) or polycarbosilane (polycarbosilane).

상기 도가니(100)는 상기 원료(130)를 수용할 수 있도록 원통형의 형상을 가질 수 있다. The crucible 100 may have a cylindrical shape to accommodate the raw material 130.

상기 도가니(100)는 탄화규소의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질을 포함할 수 있다. The crucible 100 may include a material having a melting point higher than the sublimation temperature of silicon carbide.

일례로, 상기 도가니(100)는 흑연으로 제작될 수 있다. For example, the crucible 100 may be made of graphite.

또한, 도가니(100)는 흑연에 탄화규소의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질이 도포될 수도 있다. 여기서, 흑연 재질 상에 도포되는 상기 물질은, 탄화규소 단결정이 성장되는 온도에서 실리콘 및 수소에 대해 화학적으로 불활성인 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 금속 탄화물 또는 금속 질화물을 이용할 수 있다. 특히, Ta, Hf, Nb, Zr, W 및 V 중 적어도 둘 이상을 포함하는 혼합물 및 탄소를 포함하는 탄화물이 도포될 수 있다. 또한, Ta, Hf, Nb, Zr, W 및 V 중 적어도 둘 이상을 포함하는 혼합물 및 질소를 포함하는 질화물이 도포될 수 있다. In addition, the crucible 100 may be coated with a material having a melting point higher than the sublimation temperature of silicon carbide. Here, it is preferable to use a material chemically inert to silicon and hydrogen at the temperature at which the silicon carbide single crystal is grown as the material to be applied on the graphite material. For example, metal carbide or metal nitride may be used. In particular, a mixture comprising at least two or more of Ta, Hf, Nb, Zr, W and V and a carbide comprising carbon may be applied. In addition, a mixture comprising at least two or more of Ta, Hf, Nb, Zr, W and V and a nitride comprising nitrogen may be applied.

상기 도가니(100)의 상부에 상부 덮개(140)가 위치할 수 있다. 상기 상부 덮개(140)는 상기 도가니(100)를 밀폐시킬 수 있다. 즉, 상기 상부 덮개(140)는 상기 도가니(100)에서 반응이 일어날 수 있도록 밀폐시킬 수 있다.The upper cover 140 may be located on the top of the crucible 100. The upper cover 140 may seal the crucible 100. That is, the upper cover 140 may be sealed so that a reaction may occur in the crucible 100.

상기 상부 덮개(140)는 흑연을 포함할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 상부 덮개(140)는 탄화규소의 승화 온도 이상의 융점을 갖는 물질을 포함할 수 있다.The upper cover 140 may include graphite. However, the embodiment is not limited thereto, and the upper cover 140 may include a material having a melting point higher than the sublimation temperature of silicon carbide.

상기 상부 덮개(140)의 하단부에 종자정 홀더(170)가 위치한다. 즉, 상기 종자정 홀더(170)는 상기 원료(130)상에 배치된다. The seed crystal holder 170 is positioned at the lower end of the upper cover 140. That is, the seed crystal holder 170 is disposed on the raw material 130.

상기 종자정 홀더(170)는 종자정(160)을 고정시킬 수 있다. 상기 종자정 홀더(170)는 고밀도의 흑연을 포함할 수 있다.The seed crystal holder 170 may fix the seed crystal 160. The seed crystal holder 170 may include high density graphite.

이어서, 상기 포커싱 튜브(180)는 상기 도가니(100) 내부에 위치한다. 상기 포커싱 튜브(180)는 단결정이 성장하는 부분에 위치할 수 있다. 상기 포커싱 튜브(180)는 승화된 탄화규소 가스의 이동통로를 좁게 하여 승화된 탄화규소의 확산을 상기 종자정(160)으로 집속시킬 수 있다. 이를 통해 단결정의 성장률을 높일 수 있다.Subsequently, the focusing tube 180 is located inside the crucible 100. The focusing tube 180 may be located at a portion where the single crystal grows. The focusing tube 180 may narrow the movement path of the sublimated silicon carbide gas to focus diffusion of the sublimed silicon carbide into the seed crystal 160. This can increase the growth rate of single crystals.

이어서, 상기 석영관(400)은 상기 도가니(100)의 외주면에 위치한다. 상기 석영관(400)은 상기 도가니(100)의 외주면에 끼워진다. 상기 석영관(400)은 상기 발열 유도부(500)에서 단결정 성장장치의 내부로 전달되는 열을 차단할 수 있다. 상기 석영관(400)은 내부가 빈 중공형의 관일 수 있다. 상기 석영관(400)의 내부 공간에 냉각수가 순환될 수 있다. 따라서, 상기 석영관(400)은 단결정의 성장 속도, 성장 크기 등을 보다 정확하게 제어할 수 있다.Subsequently, the quartz tube 400 is located on the outer circumferential surface of the crucible 100. The quartz tube 400 is fitted to the outer circumferential surface of the crucible 100. The quartz tube 400 may block heat transferred from the heat generating induction part 500 to the inside of the single crystal growth apparatus. The quartz tube 400 may be a hollow tube. Cooling water may be circulated in the internal space of the quartz tube 400. Therefore, the quartz tube 400 can more accurately control the growth rate, growth size, and the like of the single crystal.

상기 발열 유도부(500)는 상기 도가니(100)의 바깥쪽에 위치한다. 상기 발열 유도부(500)는 일례로, 고주파 유도 코일일 수 있다. 고주파 유도 코일에 고주파 전류를 흐르게 함으로써 상기 도가니(100) 및 상기 도가니(100)를 가열할 수 있다. 즉, 상기 도가니(100)에 수용되는 상기 원료(130)를 원하는 온도로 가열할 수 있다.The heat generation induction part 500 is located outside the crucible 100. The heat generating induction part 500 may be, for example, a high frequency induction coil. The crucible 100 and the crucible 100 may be heated by flowing a high frequency current through the high frequency induction coil. That is, the raw material 130 accommodated in the crucible 100 may be heated to a desired temperature.

상기 발열 유도부(500)에서 유도 가열되는 중심 영역이 상기 도가니(100)의 중심부보다 낮은 위치에 형성된다. 따라서, 상기 도가니(100)의 상부 및 하부에 서로 다른 가열온도 영역을 갖는 온도구배가 형성된다. 즉, 발열 유도부(500)의 중심부인 핫존(hot zone, HZ)이 상기 도가니(100)의 중심에서 상대적으로 낮은 위치에 형성되어, 핫존(HZ)을 경계로 상기 도가니(100)의 하부의 온도가 상기 도가니(100) 상부의 온도보다 높게 형성된다. 또한, 상기 도가니(100)의 내부 중심부에서 외곽 방향을 따라 온도가 높게 형성된다. 이러한 온도구배로 인하여 탄화규소 원료(130)의 승화가 일어나고, 승화된 탄화규소 가스가 상대적으로 온도가 낮은 종자정(160)의 표면으로 이동한다. 이로 인해, 상기 탄화규소 가스가 재결정되어 단결정으로 성장된다.A central region that is induction heated in the exothermic induction part 500 is formed at a position lower than a central portion of the crucible 100. Therefore, a temperature gradient having different heating temperature regions is formed on the top and bottom of the crucible 100. That is, a hot zone HZ, which is the center of the heat generating induction part 500, is formed at a relatively low position from the center of the crucible 100, and thus the temperature of the lower portion of the crucible 100 is bounded by the hot zone HZ. Is formed higher than the temperature of the top of the crucible (100). In addition, a temperature is formed high along the outer direction at the inner center of the crucible 100. Due to this temperature gradient, the silicon carbide raw material 130 is sublimed, and the sublimed silicon carbide gas moves to the surface of the seed crystal 160 having a relatively low temperature. As a result, the silicon carbide gas is recrystallized to grow into a single crystal.

상기 도가니(100)의 상방 및 상기 도가니(100)의 하방 중 적어도 어느 하나에 보조 발열부(520, 540)가 위치할 수 있다. 구체적으로, 상기 보조 발열부(520, 540)는 제1 보조 발열부(520) 및 제2 보조 발열부(540)를 포함할 수 있다. Auxiliary heating parts 520 and 540 may be located in at least one of the upper side of the crucible 100 and the lower side of the crucible 100. In detail, the auxiliary heating parts 520 and 540 may include a first auxiliary heating part 520 and a second auxiliary heating part 540.

상기 제1 보조 발열부(520)는 상기 도가니(100)의 상방에 위치할 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 보조 발열부(520)는 상기 상부 덮개(140) 상에 위치할 수 있다. 상기 제1 보조 발열부(520)는 상기 상부 덮개(140)와 이격되어 위치할 수 있다. 즉, 상기 제1 보조 발열부(520) 및 상기 상부 덮개(140)는 일정한 거리(D)로 떨어져 위치할 수 있다. 구체적으로, 상기 거리(D)는 5 mm 내지 30 mm 일 수 있다.The first auxiliary heating unit 520 may be located above the crucible 100. In detail, the first auxiliary heat generating unit 520 may be located on the upper cover 140. The first auxiliary heating unit 520 may be spaced apart from the upper cover 140. That is, the first auxiliary heat generating unit 520 and the upper cover 140 may be located at a predetermined distance (D) apart. Specifically, the distance D may be 5 mm to 30 mm.

따라서, 상기 제1 보조 발열부(520) 및 상기 상부 덮개(140)는 서로 접촉하지 않을 수 있다. 이는, 상기 제1 보조 발열부(520)는 전류가 흐름으로써 발열하는데, 상기 제1 보조 발열부(520)와 상기 상부 덮개(140)가 접촉할 경우, 상기 상부 덮개(140)에도 전류가 흐를 수 있기 때문이다. 즉, 상기 거리(D)를 통해, 상기 제1 보조 발열부(520)로 인해 상기 상부 덮개(140)에 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. Therefore, the first auxiliary heat generating unit 520 and the upper cover 140 may not contact each other. This is because the first auxiliary heat generating unit 520 generates heat as a current flows, and when the first auxiliary heat generating unit 520 and the upper cover 140 contact each other, current also flows in the upper cover 140. Because it can. That is, through the distance D, it is possible to prevent the current flowing through the upper cover 140 due to the first auxiliary heat generating unit 520.

상기 제1 보조 발열부(520)는 그라파이트 재질을 포함할 수 있다. The first auxiliary heat generating unit 520 may include a graphite material.

상기 제1 보조 발열부(520)는 단자부(610, 620)와 연결될 수 있다. 상기 제1 보조 발열부(520)는 단자부(610, 620)와 연결될 수 있다. 이를 통해, 상기 제1 보조 발열부(520)는 발열할 수 있다. 상기 제1 보조 발열부(520)는 상기 단자부(610, 620)로부터 전류를 공급받아 발열하는 저항가열의 방식으로 발열할 수 있다. The first auxiliary heating unit 520 may be connected to the terminal units 610 and 620. The first auxiliary heating unit 520 may be connected to the terminal units 610 and 620. In this way, the first auxiliary heating unit 520 may generate heat. The first auxiliary heat generating unit 520 may generate heat by a resistance heating method that generates current by receiving current from the terminal parts 610 and 620.

상기 단자부(610, 620)는 상기 제1 보조 발열부(520) 상에 위치할 수 있다. 상기 단자부(610, 620)는 상기 제1 보조 발열부(520)를 지지할 수 있다. 즉, 상기 단자부(610, 620)는 상기 제1 보조 발열부(520)가 상기 상부 덮개(140)와 상기 거리(D)를 갖도록 지지할 수 있다. The terminal parts 610 and 620 may be located on the first auxiliary heating part 520. The terminal parts 610 and 620 may support the first auxiliary heating part 520. That is, the terminal parts 610 and 620 may support the first auxiliary heat generating part 520 to have the distance D with the upper cover 140.

상기 단자부(610, 620)는 상기 단열재(200)를 관통할 수 있다. 이때, 상기 단자부(610, 620) 및 상기 단열재(200)는 이격되어 위치할 수 있다. 즉, 상기 단자부(610, 620)가 관통하는 부분에서, 상기 단자부(610, 620)와 상기 단열재(200)가 접촉하지 않도록 이격될 수 있다. 이는, 상기 단자부(610, 620)에 흐르는 전류로 인해 상기 단열재(200)에도 전류가 흐르는 것을 방지하기 위함이다. The terminal parts 610 and 620 may penetrate the heat insulating material 200. In this case, the terminal parts 610 and 620 and the heat insulating material 200 may be spaced apart from each other. That is, in the portion through which the terminal parts 610 and 620 pass, the terminal parts 610 and 620 may be spaced apart from each other so as not to contact the heat insulating material 200. This is to prevent current from flowing in the heat insulating material 200 due to the current flowing in the terminal parts 610 and 620.

그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 단자부(610, 620) 및 상기 단열재(200) 사이에 절연부(190)가 위치할 수 있다. 상기 절연부(190)는 상기 단자부(610, 620)가 상기 단열재(200)를 관통하는 부분에 위치할 수 있다. 상기 절연부(190)는 상기 단자부(610, 620)를 둘러쌀 수 있다. 즉, 상기 단자부(610, 620)가 관통하는 부분에 상기 절연부(190)가 위치하여, 상기 단자부(610, 620) 및 상기 단열재(200) 사이의 전류흐름을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 절연부(190)는 부도체를 포함할 수 있다. 일례로, 상기 절연부(190)는 세라믹 재질을 포함할 수 있다. However, the exemplary embodiment is not limited thereto, and the insulating part 190 may be located between the terminal parts 610 and 620 and the heat insulating material 200. The insulating part 190 may be located at a portion where the terminal parts 610 and 620 penetrate the heat insulating material 200. The insulation part 190 may surround the terminal parts 610 and 620. That is, the insulating part 190 is positioned at a portion through which the terminal parts 610 and 620 pass, thereby preventing a current flow between the terminal parts 610 and 620 and the heat insulating material 200. Thus, the insulation 190 may include a non-conductor. For example, the insulating part 190 may include a ceramic material.

상기 단자부(610, 620)는 양극 단자부(610) 및 음극 단자부(620)를 포함할 수 있다. 상기 단자부(610, 620)는 상기 제1 보조 발열부(520)에 전력을 공급할 수 있다. 이를 통해, 상기 제1 보조 발열부(520)가 발열할 수 있다. The terminal parts 610 and 620 may include a positive terminal part 610 and a negative terminal part 620. The terminal parts 610 and 620 may supply power to the first auxiliary heat generating part 520. In this way, the first auxiliary heating unit 520 may generate heat.

상기 제1 보조 발열부(520)를 통해, 상기 도가니(100) 상방으로의 열방출을 감소시킬 수 있다. Through the first auxiliary heat generating unit 520, it is possible to reduce heat dissipation above the crucible 100.

또한, 상기 제1 보조 발열부(520)를 통해, 상기 도가니(100)의 수평거리의 온도구배를 조절할 수 있다. 구체적으로, 상기 도가니(100)의 상부에 위치하는 상기 종자정(160)의 중심 부분과 상기 종자정(160)의 가장자리 부분의 온도차를 감소시킬 수 있다. 즉, 상기 종자정(160)의 온도를 균일하게 유지할 수 있다. 따라서, 종자정(160)의 가장자리 부분의 결함을 최소화할 수 있다. 즉, 상기 종자정(160)에서 안정적인 원자의 배열(stacking)을 통해 상기 종자정(160)으로부터 성장하는 단결정의 품질을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 종자정(160)의 중심 부분과 상기 종자정(160)의 가장자리 부분의 온도차에 의해 상기 종자정(160)으로부터 성장한 단결정의 중심 부분이 볼록한 형상을 가지는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 상기 단결정을 더 효율적으로 이용할 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있다. In addition, the temperature gradient of the horizontal distance of the crucible 100 may be adjusted through the first auxiliary heating unit 520. Specifically, the temperature difference between the center portion of the seed crystal 160 and the edge portion of the seed crystal 160 positioned on the crucible 100 may be reduced. That is, the temperature of the seed crystal 160 can be maintained uniformly. Thus, defects in the edge portion of the seed crystal 160 can be minimized. That is, the quality of the single crystal grown from the seed crystal 160 may be improved through stacking of stable atoms in the seed crystal 160. In addition, it is possible to prevent the central portion of the single crystal grown from the seed crystal 160 having a convex shape due to the temperature difference between the center portion of the seed crystal 160 and the edge portion of the seed crystal 160. Thereby, the said single crystal can be utilized more efficiently, and a yield can be improved.

도 2를 참조하면, 실시예 및 비교예에서 도가니(100)의 수평거리에 따른 온도구배를 비교할 수 있다. 여기서, 실시예는 제1 보조 발열부(520)가 구비된 잉곳 성장 장치이고, 비교예는 제1 보조 발열부(520)가 없는 기존의 잉곳 성장 장치이다. 비교예에 비해 실시예에서 도가니(100)의 수평거리에 따른 온도구배가 작다. 따라서, 도가니(100)의 수평거리를 따라 배치된 상기 종자정(160)의 온도를 균일하게 유지할 수 있다. Referring to FIG. 2, the temperature gradient according to the horizontal distance of the crucible 100 may be compared in the embodiment and the comparative example. Here, the embodiment is an ingot growth apparatus provided with the first auxiliary heating unit 520, and the comparative example is a conventional ingot growth apparatus without the first auxiliary heating unit 520. Compared to the comparative example, the temperature gradient according to the horizontal distance of the crucible 100 is small in the embodiment. Therefore, the temperature of the seed crystal 160 disposed along the horizontal distance of the crucible 100 can be maintained uniformly.

이어서, 상기 제2 보조 발열부(540)는 상기 도가니(100)의 하방에 위치할 수 있다. 상기 제2 보조 발열부(540)는 상기 도가니(100)의 하부와 이격되어 위치할 수 있다. 즉, 상기 제2 보조 발열부(540) 및 상기 도가니(100)는 일정한 거리(D)로 떨어져 위치할 수 있다. 구체적으로, 상기 거리(D)는 5 mm 내지 30 mm 일 수 있다. 상기 거리(D)가 5 mm 미만일 경우, 상기 제2 보조 발열부(540) 및 상기 도가니(100)가 접촉하여 상기 도가니(100)에 불이 붙을 수 있다. 또한, 상기 거리(D)가 30 mm를 초과할 경우, 상기 제2 보조 발열부(540)를 통한 도가니(100)의 수평거리의 온도구배를 조절하기 어려울 수도 있다.Subsequently, the second auxiliary heat generating unit 540 may be located below the crucible 100. The second auxiliary heat generating unit 540 may be spaced apart from the lower portion of the crucible 100. That is, the second auxiliary heat generating unit 540 and the crucible 100 may be located at a predetermined distance (D) apart. Specifically, the distance D may be 5 mm to 30 mm. When the distance D is less than 5 mm, the second auxiliary heat generating unit 540 and the crucible 100 may come into contact with each other to ignite the crucible 100. In addition, when the distance (D) exceeds 30 mm, it may be difficult to adjust the temperature gradient of the horizontal distance of the crucible 100 through the second auxiliary heat generating unit 540.

따라서, 상기 제2 보조 발열부(540) 및 상기 도가니(100)는 서로 접촉하지 않을 수 있다. 이는, 상기 제2 보조 발열부(540)는 전류가 흐름으로써 발열하는데, 상기 제2 보조 발열부(540)와 상기 도가니(100)가 접촉할 경우, 상기 도가니(100)에도 전류가 흐를 수 있기 때문이다. 즉, 상기 거리(D)를 통해, 상기 제2 보조 발열부(540)로 인해 상기 도가니(100)에 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다. Therefore, the second auxiliary heat generating unit 540 and the crucible 100 may not contact each other. This is because the second auxiliary heat generating unit 540 generates heat as a current flows. When the second auxiliary heat generating unit 540 and the crucible 100 come into contact with each other, current may also flow in the crucible 100. Because. That is, through the distance D, it is possible to prevent the current flowing through the crucible 100 due to the second auxiliary heat generating unit 540.

상기 제2 보조 발열부(540)는 그라파이트 재질을 포함할 수 있다. The second auxiliary heat generating unit 540 may include a graphite material.

상기 제2 보조 발열부(540)는 단자부(610, 620)와 연결될 수 있다. 상기 제2 보조 발열부(540)는 단자부(610, 620)와 연결될 수 있다. 이를 통해, 상기 제2 보조 발열부(540)는 발열할 수 있다. 상기 제2 보조 발열부(540)는 상기 단자부(610, 620)로부터 전류를 공급받아 발열하는 저항가열의 방식으로 발열할 수 있다.The second auxiliary heat generating unit 540 may be connected to the terminal units 610 and 620. The second auxiliary heat generating unit 540 may be connected to the terminal units 610 and 620. In this way, the second auxiliary heat generating unit 540 may generate heat. The second auxiliary heat generating unit 540 may generate heat by a resistance heating method of generating current by receiving current from the terminal parts 610 and 620.

상기 단자부(610, 620)는 상기 제2 보조 발열부(540) 하면에 위치할 수 있다. 상기 단자부(610, 620)는 상기 제2 보조 발열부(540)를 지지할 수 있다. 즉, 상기 단자부(610, 620)는 상기 제2 보조 발열부(540)가 상기 도가니(100)와 상기 거리(D)를 갖도록 지지할 수 있다. The terminal parts 610 and 620 may be located on a lower surface of the second auxiliary heat generating part 540. The terminal parts 610 and 620 may support the second auxiliary heating part 540. That is, the terminal parts 610 and 620 may support the second auxiliary heating part 540 to have the distance D with the crucible 100.

상기 단자부(610, 620)는 상기 단열재(200)를 관통할 수 있다. 이때, 상기 단자부(610, 620) 및 상기 단열재(200)는 이격되어 위치할 수 있다. 즉, 상기 단자부(610, 620)가 관통하는 부분에서, 상기 단자부(610, 620)와 상기 단열재(200)가 접촉하지 않도록 이격될 수 있다. 이는, 상기 단자부(610, 620)에 흐르는 전류로 인해 상기 단열재(200)에도 전류가 흐르는 것을 방지하기 위함이다. The terminal parts 610 and 620 may penetrate the heat insulating material 200. In this case, the terminal parts 610 and 620 and the heat insulating material 200 may be spaced apart from each other. That is, in the portion through which the terminal parts 610 and 620 pass, the terminal parts 610 and 620 may be spaced apart from each other so as not to contact the heat insulating material 200. This is to prevent current from flowing in the heat insulating material 200 due to the current flowing in the terminal parts 610 and 620.

그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 단자부(610, 620) 및 상기 단열재(200) 사이에 절연부(190)가 위치할 수 있다. 상기 절연부(190)는 상기 단자부(610, 620)가 상기 단열재(200)를 관통하는 부분에 위치할 수 있다. 상기 절연부(190)는 상기 단자부(610, 620)를 둘러쌀 수 있다. 즉, 상기 단자부(610, 620)가 관통하는 부분에 상기 절연부(190)가 위치하여, 상기 단자부(610, 620) 및 상기 단열재(200) 사이의 전류흐름을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 절연부(190)는 부도체를 포함할 수 있다. 일례로, 상기 절연부(190)는 세라믹 재질을 포함할 수 있다. However, the exemplary embodiment is not limited thereto, and the insulating part 190 may be located between the terminal parts 610 and 620 and the heat insulating material 200. The insulating part 190 may be located at a portion where the terminal parts 610 and 620 penetrate the heat insulating material 200. The insulation part 190 may surround the terminal parts 610 and 620. That is, the insulating part 190 is positioned at a portion through which the terminal parts 610 and 620 pass, thereby preventing a current flow between the terminal parts 610 and 620 and the heat insulating material 200. Thus, the insulation 190 may include a non-conductor. For example, the insulating part 190 may include a ceramic material.

상기 단자부(610, 620)는 양극 단자부(610) 및 음극 단자부(620)를 포함할 수 있다. 상기 단자부(610, 620)는 상기 제2 보조 발열부(540)에 전력을 공급할 수 있다. 이를 통해, 상기 제2 보조 발열부(540)가 발열할 수 있다. The terminal parts 610 and 620 may include a positive terminal part 610 and a negative terminal part 620. The terminal parts 610 and 620 may supply power to the second auxiliary heating part 540. Through this, the second auxiliary heat generating unit 540 may generate heat.

상기 제2 보조 발열부(540)를 통해, 상기 도가니(100) 하부에 위치하는 원료(130)에 추가적으로 열을 공급할 수 있다. 즉, 상기 제2 보조 발열부(540)를 통해 상기 원료(130)만의 온도 상승이 가능하다. 따라서, 도가니(100)의 수직거리의 온도구배를 보다 높게 형성할 수 있다. 이에 따라, 단결정의 성장률이 증가할 수 있다. Heat may be additionally supplied to the raw material 130 positioned below the crucible 100 through the second auxiliary heat generating unit 540. That is, the temperature of only the raw material 130 may be increased through the second auxiliary heat generating unit 540. Therefore, the temperature gradient of the vertical distance of the crucible 100 can be formed higher. As a result, the growth rate of the single crystal may increase.

또한, 상기 원료(130) 내의 수평거리의 온도구배가 감소할 수 있다. 구체적으로, 상기 원료(130)의 중심 부분과 상기 원료(130)의 가장자리 부분의 온도차를 감소시킬 수 있다. 즉, 원료(130)의 중심 부분에서도 균일한 승화가 일어날 수 있다. 따라서, 상기 원료(130)의 고른 승화에 따라, 상기 원료(130)의 소비 효율을 증대시킬 수 있다. 따라서, 제조비용을 절감할 수 있다. In addition, the temperature gradient of the horizontal distance in the raw material 130 may be reduced. Specifically, the temperature difference between the central portion of the raw material 130 and the edge portion of the raw material 130 may be reduced. That is, even sublimation may occur in the center portion of the raw material 130. Therefore, according to even sublimation of the raw material 130, it is possible to increase the consumption efficiency of the raw material 130. Therefore, manufacturing cost can be reduced.

도 3을 참조하면, 실시예 및 비교예에서 도가니(100)의 수직거리에 따른 온도구배를 비교할 수 있다. 여기서, 실시예는 제2 보조 발열부(540)가 구비된 잉곳 성장 장치이고, 비교예는 제2 보조 발열부(540)가 없는 기존의 잉곳 성장 장치이다. 비교예에 비해 실시예에서 도가니(100)의 수직거리에 따른 온도구배가 크다. 따라서, 단결정의 성장률을 향상시킬 수 있다. Referring to FIG. 3, the temperature gradient according to the vertical distance of the crucible 100 may be compared in Examples and Comparative Examples. Here, the embodiment is an ingot growth apparatus equipped with the second auxiliary heating unit 540, and the comparative example is a conventional ingot growth apparatus without the second auxiliary heating unit 540. Compared to the comparative example, the temperature gradient according to the vertical distance of the crucible 100 is greater in the embodiment. Therefore, the growth rate of single crystal can be improved.

이하, 도 4를 참조하여, 제2 실시예에 따른 잉곳 성장 장치를 설명한다. 명확하고 간략한 설명을 위하여 제1 실시예와 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략한다. Hereinafter, an ingot growth apparatus according to a second embodiment will be described with reference to FIG. 4. Detailed descriptions of parts identical or similar to those of the first embodiment will be omitted for clarity and simplicity.

도 4는 제2 실시예에 따른 잉곳 성장 장치의 단면도이다. 도 4를 참조하면, 제2 실시예에 따른 잉곳 성장 장치는, 도가니(100)의 상방에 위치하는 제1 보조 발열부(520)만이 구비될 수 있다.4 is a cross-sectional view of the ingot growth apparatus according to the second embodiment. Referring to FIG. 4, the ingot growth apparatus according to the second embodiment may include only the first auxiliary heat generating unit 520 positioned above the crucible 100.

이하, 도 5를 참조하여, 제3 실시예에 따른 잉곳 성장 장치를 설명한다. Hereinafter, an ingot growth apparatus according to a third embodiment will be described with reference to FIG. 5.

도 5는 제3 실시예에 따른 잉곳 성장 장치의 단면도이다. 도 5를 참조하면, 제2 실시예에 따른 잉곳 성장 장치는 도가니(100)의 하방에 위치하는 제2 보조 발열부(540)만이 구비될 수 있다.5 is a cross-sectional view of the ingot growth apparatus according to the third embodiment. Referring to FIG. 5, the ingot growth apparatus according to the second embodiment may include only the second auxiliary heating part 540 positioned below the crucible 100.

이하, 실시예에 따른 잉곳 성장 장치의 온도 제어 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, the temperature control method of the ingot growth apparatus which concerns on an Example is demonstrated.

실시예에 따른 잉곳 성장 장치의 온도 제어 방법은 제1 가열하는 단계 및 제2 가열하는 단계를 포함한다.The temperature control method of the ingot growth apparatus according to the embodiment includes a first heating step and a second heating step.

상기 제1 가열하는 단계는 발열 유도부를 통해 도가니(100)를 가열할 수 있다. 즉, 제1 가열하는 단계에서는 도가니(100)의 바깥쪽에 위치하는 발열 유도부를 통해 유도가열할 수 있다. The first heating step may heat the crucible 100 through a heat generation induction part. That is, in the first heating step, induction heating may be performed through a heat generation induction part located outside the crucible 100.

이어서, 상기 제2 가열하는 단계는 상기 도가니(100)의 상방 및 상기 도가니(100)의 하방 중 적어도 어느 하나에 위치하는 보조 발열부(520, 540)를 통해 상기 도가니(100)를 가열할 수 있다. Subsequently, in the second heating, the crucible 100 may be heated through the auxiliary heating parts 520 and 540 positioned at at least one of the upper side of the crucible 100 and the lower side of the crucible 100. have.

상기 제2 가열하는 단계는 도가니(100)의 상부를 가열하는 단계 및 도가니(100)의 하부를 가열하는 단계를 포함할 수 있다.The second heating may include heating an upper portion of the crucible 100 and heating a lower portion of the crucible 100.

구체적으로, 상기 도가니(100)의 상부를 가열하는 단계는 상기 도가니(100)의 상방에 위치하는 제1 보조 발열부(520)로 상기 도가니(100)의 상부를 가열할 수 있다. 상기 도가니(100)의 상부를 가열하는 단계는 상기 도가니(100)의 수평거리의 온도구배를 조절할 수 있다. 구체적으로, 상기 도가니(100)의 상부를 가열하는 단계는 상기 도가니(100) 상부에 위치하는 종자정(160)의 온도구배를 조절할 수 있다. 즉, 상기 도가니(100)의 상부를 가열하는 단계를 통해, 종자정(160)이 균일한 온도를 가질 수 있도록 할 수 있다. 이를 통해, 상기 종자정(160)으로부터 성장하는 단결정이 볼록한 형상을 갖는 것을 방지하여 수율을 향상할 수 있다.In detail, the heating of the upper portion of the crucible 100 may heat the upper portion of the crucible 100 by the first auxiliary heat generating unit 520 positioned above the crucible 100. The heating of the upper portion of the crucible 100 may adjust the temperature gradient of the horizontal distance of the crucible 100. In detail, the heating of the upper portion of the crucible 100 may adjust a temperature gradient of the seed crystal 160 positioned on the crucible 100. In other words, by heating the upper portion of the crucible 100, it is possible to make the seed crystal 160 has a uniform temperature. Through this, the single crystal growing from the seed crystal 160 can be prevented from having a convex shape, thereby improving the yield.

상기 도가니(100)의 하부를 가열하는 단계는 상기 도가니(100)의 하방에 위치하는 제2 보조 발열부(540)로 상기 도가니(100)의 하부를 가열할 수 있다. 상기 도가니(100)의 하부를 가열하는 단계는 상기 도가니(100)의 수직거리의 온도구배를 조절할 수 있다. 즉, 상기 도가니(100)의 하부에 위치하는 원료(130)를 가열하여, 상기 도가니(100)의 수직거리의 온도구배를 증가시킬 수 있다. 이를 통해, 단결정 성장률을 향상할 수 있다.In the heating of the lower portion of the crucible 100, the lower portion of the crucible 100 may be heated by a second auxiliary heating part 540 positioned below the crucible 100. The heating of the lower portion of the crucible 100 may adjust the temperature gradient of the vertical distance of the crucible 100. That is, the temperature gradient of the vertical distance of the crucible 100 may be increased by heating the raw material 130 positioned below the crucible 100. Through this, single crystal growth rate can be improved.

또한, 상기 도가니(100)의 하부를 가열하는 단계는 상기 도가니(100)에 수용된 원료(130)의 수평거리의 온도구배를 조절할 수 있다. 이를 통해, 원료(130)의 고른 승화에 따라, 상기 원료(130)의 소비 효율을 증대시킬 수 있다.In addition, the step of heating the lower portion of the crucible 100 may adjust the temperature gradient of the horizontal distance of the raw material 130 accommodated in the crucible 100. Through this, according to even sublimation of the raw material 130, it is possible to increase the consumption efficiency of the raw material 130.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. In addition, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.

Claims (18)

원료를 수용하는 도가니;
상기 도가니 바깥쪽에 위치하고, 상기 도가니를 가열하는 발열 유도부; 및
상기 도가니의 상방 및 상기 도가니의 하방 중 적어도 어느 하나에 위치하는 보조 발열부를 포함하는 잉곳 성장 장치.A crucible for accommodating raw materials;
Located in the outside of the crucible, the heating induction unit for heating the crucible; And
An ingot growth apparatus comprising an auxiliary heating unit located at least one of the upper side of the crucible and the lower side of the crucible. 제1항에 있어서,
상기 보조 발열부는 상기 도가니의 상방에 위치하는 제1 보조 발열부; 및
상기 도가니의 하방에 위치하는 제2 보조 발열부를 포함하는 잉곳 성장 장치.The method of claim 1,
The auxiliary heating unit includes a first auxiliary heating unit located above the crucible; And
An ingot growth apparatus comprising a second auxiliary heating unit located below the crucible. 제2항에 있어서,
상기 제1 보조 발열부 및 상기 제2 보조 발열부 중 적어도 어느 하나는 그라파이트 재질을 포함하는 잉곳 성장 장치.The method of claim 2,
At least one of the first auxiliary heating unit and the second auxiliary heating unit includes an ingot growth apparatus including a graphite material. 제2항에 있어서,
상기 제1 보조 발열부 및 상기 제2 보조 발열부 중 적어도 어느 하나는 전류를 공급하는 단자부와 연결되는 잉곳 성장 장치.The method of claim 2,
At least one of the first auxiliary heating unit and the second auxiliary heating unit is connected to the terminal unit for supplying a current ingot growth apparatus. 제4항에 있어서,
상기 단자부는 양극 단자부 및 음극 단자부를 포함하는 잉곳 성장 장치.5. The method of claim 4,
The terminal portion ingot growth apparatus comprising a positive terminal portion and a negative terminal portion. 제2항에 있어서,
상기 도가니의 상부에 상기 도가니를 밀폐하는 덮개를 포함하고, 상기 제1 보조 발열부는 상기 덮개 상에 위치하는 잉곳 성장 장치.The method of claim 2,
And a lid for sealing the crucible on an upper portion of the crucible, wherein the first auxiliary heating portion is positioned on the lid. 제6항에 있어서,
상기 제1 보조 발열부는 상기 덮개와 이격되어 위치하는 잉곳 성장 장치.The method according to claim 6,
The first auxiliary heating unit is ingot growth apparatus spaced apart from the cover. 제2항에 있어서,
상기 제2 보조 발열부는 상기 도가니의 하부와 이격되어 위치하는 잉곳 성장 장치.The method of claim 2,
The second auxiliary heating unit is ingot growth apparatus spaced apart from the lower portion of the crucible. 제4항에 있어서,
상기 보조 발열부 상에 단열재가 위치하고, 상기 단자부는 상기 단열재를 관통하는 잉곳 성장 장치.5. The method of claim 4,
An insulator is positioned on the auxiliary heat generating unit, and the terminal unit penetrates through the insulator. 제9항에 있어서,
상기 단자부 및 상기 단열재는 이격되어 위치하는 잉곳 성장 장치.10. The method of claim 9,
Ingot growth apparatus wherein the terminal portion and the heat insulating material are spaced apart. 제9항에 있어서,
상기 단자부 및 상기 단열재 사이에 절연부가 위치하는 잉곳 성장 장치.10. The method of claim 9,
An ingot growth apparatus, wherein an insulation portion is located between the terminal portion and the insulation. 제11항에 있어서,
상기 절연부는 세라믹 재질을 포함하는 잉곳 성장 장치.The method of claim 11,
The ingot growth apparatus comprising the ceramic material. 발열 유도부를 통해 도가니를 제1 가열하는 단계; 및
상기 도가니의 상방 및 상기 도가니의 하방 중 적어도 어느 하나에 위치하는 보조 발열부를 통해 상기 도가니를 제2 가열하는 단계를 포함하는 잉곳 성장 장치의 온도 제어 방법.First heating the crucible through an exothermic induction part; And
And heating the crucible in a second manner through an auxiliary heating unit positioned at at least one of the upper side of the crucible and the lower side of the crucible. 제13항에 있어서,
상기 제2 가열하는 단계는 상기 도가니의 상방에 위치하는 제1 보조 발열부로 상기 도가니의 상부를 가열하는 단계를 포함하는 잉곳 성장 장치의 온도 제어 방법.The method of claim 13,
The second heating step includes the step of heating the upper portion of the crucible with a first auxiliary heating unit located above the crucible. 제14항에 있어서,
상기 도가니의 상부를 가열하는 단계는 상기 도가니의 수평거리의 온도구배를 조절하는 잉곳 성장 장치의 온도 제어 방법.15. The method of claim 14,
Heating the upper portion of the crucible is a temperature control method of the ingot growth apparatus for adjusting the temperature gradient of the horizontal distance of the crucible. 제13항에 있어서,
상기 제2 가열하는 단계는 상기 도가니의 하방에 위치하는 제2 보조 발열부로 상기 도가니의 하부를 가열하는 단계를 포함하는 잉곳 성장 장치의 온도 제어 방법.The method of claim 13,
The second heating step includes the step of heating the lower portion of the crucible with a second auxiliary heating unit located below the crucible. 제16항에 있어서,
상기 도가니의 하부를 가열하는 단계는 상기 도가니의 수직거리의 온도구배를 조절하는 잉곳 성장 장치의 온도 제어 방법. 17. The method of claim 16,
Heating the lower portion of the crucible is a temperature control method of the ingot growth apparatus for adjusting the temperature gradient of the vertical distance of the crucible. 제16항에 있어서,
상기 도가니의 하부를 가열하는 단계는 상기 도가니에 수용된 원료의 수평거리의 온도구배를 조절하는 잉곳 성장 장치의 온도 제어 방법.17. The method of claim 16,
Heating the lower portion of the crucible is a temperature control method of the ingot growth apparatus for adjusting the temperature gradient of the horizontal distance of the raw material accommodated in the crucible.
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