KR20130071633A - 웨이퍼 제조 장치 및 그 완드 유닛 - Google Patents

Abstract

본 발명은 웨이퍼 제조 장치 및 그 완드 유닛에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 에지에 열을 충분히 전달하여 웨이퍼가 서셉터에 로딩될 때 웨이퍼 에지 부위에 발생되는 열충격을 차단하는 웨이퍼 제조 장치 및 그 완드 유닛에 관한 것으로, 이러한 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 제조 장치는 로드락 챔버(load-lock chamber)와 프로세스 챔버(process chamber)를 연결하는 핸들링 챔버(handling chamber)를 포함하며, 프로세스 챔버의 입구에는 웨이퍼를 파지하여 상기 프로세스 챔버로 로딩 또는 언로딩하기 위하여 상기 웨이퍼의 상부에 배치되되 상기 웨이퍼보다 작은 크기의 면적을 가지는 완드 플레이트를 포함하는 완드 유닛이 구비되는 것을 특징으로 한다.

Description

웨이퍼 제조 장치 및 그 완드 유닛{APPARATUS FOR MANUFACTURING WAFER AND WAND UNIT THEREOF}

본 발명은 웨이퍼 제조 장치 및 그 완드 유닛에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 에지에 열을 충분히 전달하여 웨이퍼가 서셉터에 로딩될 때 웨이퍼 에지 부위에 발생되는 열충격을 차단하는 웨이퍼 제조 장치 및 그 완드 유닛에 관한 것이다.

일반적으로 실리콘 웨이퍼는 처리 방법에 따라 에피택셜 웨이퍼(epitaxial wafer), 폴리시드 웨이퍼(polished wafer), SOI웨이퍼(silicon on insulator wafer), 디퓨즈드 웨이퍼(diffused wafer), 하이 웨이퍼(HI wafer) 등으로 구분된다.

이 중에서 에피택셜 웨이퍼는 기존의 실리콘 웨이퍼 표면에 또 다른 단결정층(에피층)을 성장시킨 웨이퍼를 말하며, 기존의 실리콘 웨이퍼보다 표면 결함이 적고, 불순물의 농도나 종류의 제어가 가능한 특성을 갖는 웨이퍼이다. 상기 에피층은 순도가 높고 결정 특성이 우수하여 고집적화되고 있는 반도체 장치의 수율 및 소자 특성 향상에 유리한 장점을 갖는다.

이러한 에피택셜 웨이퍼는 기본적으로 CVD와 같은 증착 기술을 이용하는데, 고온에서 실리콘을 포함하는 소스가스를 제공하여 실리콘 웨이퍼 표면에 실리콘 에피택셜 층을 성장시킨다.

기존의 에피택셜 웨이퍼의 제조 장치는 실리콘 웨이퍼를 수용하여 에피택셜 공정이 수행되는 프로세스 챔버와 상기 프로세스 챔버로 상기 웨이퍼를 이송하는 핸들링 챔버 및 로드락 챔버로 이루어진다.

그런데, 핸들링 챔버의 온도는 20~30℃ 정도의 상온이고, 상기 프로세스 챔버의 온도는 800℃ 이상의 고온이므로, 상기 웨이퍼가 상기 핸들링 챔버에서 상기 프로세스 챔버로 유입된 직후, 상기 웨이퍼는 온도차와 중력의 영향으로 인해 오목한 concave 형태로 휘게 된다.

한편, 웨이퍼를 자유낙하시켜 서셉터에 안착시키는데, 웨이퍼의 휘어짐으로 인해 웨이퍼 에지 부위에 열 충격이 발생되어 웨이퍼 에지에 파티클 오염이 생기는 문제가 있다.

또한, 웨이퍼의 센터부분이 다른 부분에 비해 먼저 서셉터와 접촉하게 되면서, 웨이퍼의 후면 센터 부분에 표면이 손상되는 문제가 있다.

또한, 웨이퍼의 휨 현상을 방지하기 위하여 웨이퍼 로딩 시 완드 유닛이 웨이퍼를 지닌 채 프로세스 챔버 내에 대기하고 있는 시간인 Gas Off Delay Time을 증가시키거나 로딩온도를 감소시킬 경우 웨이퍼의 휨 현상이 제어되는 경향을 보이나, 이는 감소한 로딩 온도를 공정 온도까지 재상승 시켜야하는 등 런 타임을 증가시키고 완드 유닛에도 열 충격을 초래하여 장기적으로 완드 유닛의 수명이 단축시키는 문제가 있다.

그리고, 이와 같은 웨이퍼 에지의 파티클 오염 및 표면 손상은 후속하는 에피택셜 공정 동안 전파되어 웨이퍼의 전면에서 슬립 전위가 발생하게 된다. 그리고, 이와 같이 발생한 웨이퍼에 에피택셜 공정을 수행하면 에피층이 성장한 후에도 전위결함이 치유되지 못하고 존재하게 되므로 웨이퍼의 수율이 저하되는 문제가 있다.

본 발명의 일 측면은 웨이퍼 에지에 열을 충분히 전달하여 웨이퍼가 서셉터에 로딩될 때 웨이퍼 에지 부위에 발생되는 열충격을 차단하는 웨이퍼 제조 장치 및 그 완드 유닛을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 다른 측면은 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼의 휨 현상이 발생하는 것을 최소화하고, 웨이퍼와 서셉터의 온도차로 인해 웨이퍼 에지가 오염되는 것을 방지하는 웨이퍼 제조장치를 제공하는 것에 있다.

본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 제조 장치는 로드락 챔버(load-lock chamber)와 프로세스 챔버(process chamber)를 연결하는 핸들링 챔버(handling chamber)를 포함하며, 프로세스 챔버의 입구에는 웨이퍼를 파지하여 상기 프로세스 챔버로 로딩 또는 언로딩하기 위하여 상기 웨이퍼의 상부에 배치되되 상기 웨이퍼보다 작은 크기의 면적을 가지는 완드 플레이트를 포함하는 완드 유닛이 구비되는 것을 특징으로 한다.

또한, 완드 플레이트 면적은 상기 웨이퍼 면적의 64~70%의 크기를 가지는 것을 특징으로 한다.

또한, 완드 플레이트는 원판형으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

또한, 완드 플레이트의 에지는, 상기 웨이퍼의 에지에 대응 형성되어 상기 웨이퍼의 에지가 상기 완드 플레이트의 에지로부터 외측으로 동일한 거리 연장되어 형성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 완드 유닛은 차폐가스를 분사하기 위하여 상기 완드 플레이트에 구비되는 분사노즐과, 상기 완드 플레이트의 일단부에 구비되어 상기 분사노즐로 차폐가스를 여과하여 제공하는 필터가 더 구비되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 제조 장치를 다른 측면에서 본다면, 로드락 챔버와, 핸들링 로봇을 가지는 핸들링 챔버, 프로세스 챔버가 연속적으로 형성된 웨이퍼 제조장치에 있어서, 상기 프로세스 챔버의 입구에는 상기 핸들링 로봇으로부터 전달받은 웨이퍼를 상기 프로세스 챔버에 로딩하기 위한 완드 유닛이 구비되며, 상기 완드 유닛은 상기 웨이퍼의 상부에서 상기 웨이퍼를 흡착하기 위하여 상기 웨이퍼 면적의 60~80%, 바람직하게는 64~70%의 크기의 면적을 가지는 완드 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 제조 장치의 완드 유닛은 웨이퍼의 상부에서 상기 웨이퍼를 흡착 파지하기 위하여 상기 웨이퍼 면적의 64~70%의 크기의 면적을 가지는 완드 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 한다.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 제조 장치는 웨이퍼 에지에 열을 충분히 전달하여 웨이퍼가 서셉터에 로딩될 때 웨이퍼 에지 부위에 발생되는 열충격을 차단하는 효과가 있다.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 제조 장치는 웨이퍼 제조 공정에서 웨이퍼의 휨 현상이 발생하는 것을 최소화하고, 웨이퍼와 서셉터의 온도차로 인해 웨이퍼 에지가 오염되는 것을 방지하는 효과가 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 제조장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 완드 유닛을 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 1의 프로세스 챔버를 설명하기 위한 측면도이다.
도 4a는 종래 기술에 따른 완드 유닛에 의해 웨이퍼가 서셉터에 로딩되는 과정을 나타낸 도면이다.
도 4b는 도 1에 도시된 완드 유닛에 의해 웨이퍼가 서셉터에 로딩되는 과정을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 제조장치를 통하여 제조된 웨이퍼를 종래기술과 비교하여 나타낸 사진이다.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 제조장치를 나타낸 사시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 완드 유닛을 나타낸 평면도이며, 도 3은 도 1의 프로세스 챔버를 설명하기 위한 측면도이다.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 제조 장치(10)는 에피택셜 성장(Epitaxial Growth)을 위한 장치뿐만 아니라, 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD), 저압화학기상증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD), 플라즈마 화학기상증착(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)과 같은 증착 장치에도 적용이 가능할 것이다.

이하에서는, 상기 웨이퍼 제조 장치(10)의 일 예로서 에피택셜(epitaxial) 웨이퍼 제조 장치와 제조 방법을 예로 들어 설명한다.

본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조 장치(10)는 로드락 챔버(load-lock chamber)(100), 프로세스 챔버(process chamber)(200), 핸들링 챔버(handling chamber)(300)를 포함한다. 그리고, 프로세스 챔버(200)의 입구에는 웨이퍼(1)의 로딩 및 언로딩을 위한 완드 유닛(wand unit)(400)이 구비된다.

예를 들어, 웨이퍼(1)는 반도체 웨이퍼(1)가 되는 실리콘 웨이퍼(1)이다. 그러나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 웨이퍼(1)는 LCD 및 PDP와 같은 평판 디스플레이 장치용 유리기판(glass substrate)일 수 있다. 또한, 웨이퍼(1)의 형태 또는 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형태와 크기를 가질 수 있다.

로드락 챔버(100)는 웨이퍼 제조 장치(10)로 웨이퍼(1)를 유입 및 반출시킨다.

로드락 챔버(100)는 내부로 웨이퍼(1)의 출입이 가능하도록 전면이 개방되게 형성되고, 개방된 면에는 로드락 챔버(100)를 선택적으로 개폐하는 도어(110)가 구비된다. 그리고, 웨이퍼(1)는 다수의 웨이퍼(1)를 수용하여 이송 가능한 유닛에 의해 로드락 챔버(100)로 투입된다. 그리고, 로드락 챔버(100) 하부에는 FOUP(2)에서 웨이퍼(1)를 추출 및 수납하기 위해 FOUP(2)를 승강시키는 승강유닛(120)이 구비된다.

예를 들어, 웨이퍼 제조 장치에는 2개의 로드락 챔버(100)가 구비될 수 있다. 즉, 하나의 로드락 챔버(100)는 웨이퍼 제조 공정이 수행되기 전의 웨이퍼(1)를 투입하고, 공정이 수행되기 전까지 대기시키는 역할을 하고, 다른 하나의 로드락 챔버(100)는 웨이퍼 제조 공정이 완료된 웨이퍼(1)를 반출하는 역할을 한다.

핸들링 챔버(300)는 로드락 챔버(100)와 프로세스 챔버(200) 사이에서 웨이퍼(1)를 이송한다.

핸들링 챔버(300) 내부에는 웨이퍼(1)를 파지하여 로드락 챔버(100)와 프로세스 챔버(200) 사이에서 이송하는 핸들링 로봇(310)이 구비된다. 핸들링 로봇(310)은 직선이동 또는 회전이동이 가능한 통상의 로봇암(robot arm) 또는 핸들러(handler) 등이 사용될 수 있다.

핸들링 챔버(300)와 프로세스 챔버(200) 사이에는 게이트 밸브(500)가 구비된다. 게이트 밸브(500)는 핸들링 챔버(300)와 프로세스 챔버(200)의 공간을 분리시키는 역할을 한다. 즉, 게이트 밸브(500)는 웨이퍼 제조 공정 동안 프로세스 챔버(200)를 격리시키기 위해 프로세스 챔버(200)의 입구를 선택적으로 폐쇄하고, 웨이퍼(1)의 출입이 가능하도록 프로세스 챔버(200)를 개방한다.

완드 유닛(400)은 프로세스 챔버(200)의 입구에 구비되어, 핸들링 로봇(310)으로부터 전달받은 웨이퍼(1)를 프로세스 챔버(200)에 로딩하거나, 프로세스 챔버(200)로부터 웨이퍼(1)를 핸들링 로봇(310)으로 언로딩한다.

상세하게는, 완드 유닛(400)은 베르누이(Bernoulli) 원리를 이용하여 웨이퍼(1)를 비접촉 상태로 파지하여 이송하는 장치이다. 더욱 상세하게는, 완드 유닛(400)은 하부로 질소가스를 분사하여 국부적인 진공을 형성하고, 이와 같이 형성된 진공에 의하여 웨이퍼(1)의 상부에서 웨이퍼를 비접촉 상태로 흡착 파지하여 이송하는 장치이다.

이러한 완드 유닛(400)은 웨이퍼(1)를 파지하기 위한 외관을 형성하는 완드 플레이트(410)와, 하부에 위치한 웨이퍼(1)를 향해 차폐가스를 분사하는 분사노즐(420)과, 완드 플레이트(410)의 일단부에 구비되어 분사노즐(420)로 차폐가스를 여과하여 제공하는 필터(430)와, 분사노즐(420)로 차폐가스를 제공하기 위한 가스공급부(440)를 포함한다.

완드 플레이트(410)는 웨이퍼(1)의 상부로 배치되어 하부로 소정의 차폐가스를 분사함으로써 웨이퍼(1)를 흡착 파지한다.

이러한 완드 플레이트(410)는 웨이퍼(1)를 안정적으로 파지할 수 있도록 웨이퍼(1)에 대응되는 형상을 가진다. 예를 들어, 완드 플레이트(410)는 웨이퍼의 형상에 따라서 원형 및 사각 플레이트 형상일 수 있다.

여기서, 완드 플레이트(410)는 웨이퍼(1) 에지에 열을 충분히 전달하여 웨이퍼(1)가 서셉터(210)에 로딩될 때 웨이퍼(1) 에지 부위에 발생되는 열충격을 차단하기 위하여 웨이퍼(1) 면적의 60~80%, 바람직하게는 64~70%의 크기의 면적을 가지도록 한다.

완드 플레이트(410)를 웨이퍼(1) 면적의 64~70%로 한정하는 이유는 완드 플레이트(410)의 면적이 웨이퍼(1) 면적의 70% 이상이면, 웨이퍼(1)를 자유낙하시켜 서셉터(210)에 안착시킬 때 웨이퍼(1)의 휘어짐으로 인해 웨이퍼(1)의 센터부분이 다른 부분에 비해 먼저 서셉터(210)와 접촉하게 되면서, 웨이퍼(1)의 후면 센터 부분에 표면이 손상됨과 동시에 웨이퍼(1) 에지에 파티클 오염이 발생하는 문제가 있기 때문이다.

또한, 완드 플레이트(410)의 면적이 웨이퍼(1) 면적의 64% 이하이면, 분사노즐(420)의 감소로 인하여 유속저하로 웨이퍼(1)와 완드 플레이트(410) 사이의 압력이 증가되어 웨이퍼(1)를 핸들링하는데 어려움이 있기 때문이다.

따라서, 완드 플레이트(410)를 웨이퍼(1) 면적의 64~70%로 한정하여 웨이퍼(1) 에지에 열을 충분히 전달하여 웨이퍼(1)가 서셉터(210)에 로딩될 때 웨이퍼(1) 에지 부위에 발생되는 열충격을 차단할 수 있게 된다.

완드 플레이트(410)에는 차폐가스를 분사하기 위한 분사노즐(420)이 구비된다. 분사노즐(420)은 완드 플레이트(410)를 따라 분포되며, 하부에 위치한 웨이퍼(1)를 향해 차폐가스의 분사가 가능하도록 형성된다. 여기서, 차폐가스는 비활성 가스를 사용할 수 있으며, 예를 들어, 질소 가스(N2)를 사용한다. 즉, 차폐가스는 완드 플레이트(410) 하부에 부압(負壓)을 형성하여 웨이퍼(1)를 파지할 수 있도록 한다. 또한, 차폐가스는 프로세스 챔버(200) 입구에 분사되어 웨이퍼 제조 공정 동안 소스가스의 불필요한 분산을 차단함으로써 최종 형성되는 에피층이 균일하고 안정적으로 형성될 수 있도록 한다.

필터(430)는 완드 플레이트(410)의 일단부에 구비되어, 분사노즐(420)로 질소가스를 여과하여 제공하는 역할을 한다.

가스공급부(440)는 분사노즐(420)로 차폐가스를 제공하여 웨이퍼(1)의 선택적으로 파지하고, 완드 플레이트(410)와 웨이퍼(1) 사이의 간격이 일정하게 유지되도록 분사노즐(420)로 공급되는 차폐가스의 압력을 조절하는 역할을 한다.

프로세스 챔버(200)는 웨이퍼(1)를 수용하여, 웨이퍼(1)의 표면에 소정 물질의 단결정층(이하, 에피층)을 성장시키는 에피택셜 공정이 수행된다.

상세하게는, 프로세스 챔버(200)는 웨이퍼(1)가 수용되어 에피택셜 공정이 수행되는 반응공간(230)과, 서셉터(210), 히터(220)를 포함한다.

반응공간(230)은 웨이퍼(1)가 수용되어 소정 분위기에서 에피택셜 공정이 수행된다. 반응공간(230)에서는 웨이퍼(1)가 투입되어 소정의 공정온도로 웨이퍼(1)가 가열되고, 수소가스와 더불어 실리콘을 포함하는 소스가스를 제공함으로써 웨이퍼(1) 상에 실리콘 에피층을 성장시킨다.

예를 들어, 소스가스는 사염화규소(SiCl4), 삼염화실란(SiHCl3, Trichlorosilane, TCS) 또는 이염화실란(SiH2Cl2, Dichlorosilane) 또는 실란(SiH4) 등을 사용할 수 있다. 그리고, 삼염화실란을 소스가스로 하여 에피택셜층을 성장시키기 위한 공정온도는 1100 내지 1200℃이다. 한편, 삼염화실란 이외에 이염화실란이나 실란 등을 소스가스로 하여 에피택셜층을 성장시킬 때는 상기한 공정온도보다 낮은 온도에서 에피택셜층이 성장된다.

본 실시예에서는 이와 같은 에피택셜층 성장 공정의 일 예로서 삼염화실란을 소스가스로 이용하는 에피택셜층 성장 공정에 대해 설명한다. 그러나, 삼염화실란 이외의 다른 소스가스를 이용하여 에피택셜층을 성장시킬 때는 온도 조건이 달라지는 것으로 본 실시예의 다른 효과는 동일하게 작용할 수 있다.

히터(220)는 반응공간(230) 내에 구비되어 반응공간(230) 및 웨이퍼(1)를 공정온도까지 가열한다.

서셉터(210)는 반응공간(230) 내에 구비되어 에피택셜 공정 동안 웨이퍼(1)를 고정시킨다. 여기서, 웨이퍼(1)는 완드 유닛(400)에 의해 서셉터(210) 상부에서 자유낙하되어 로딩된다.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조 장치의 결과를 보여주기 위한 도면들이다.

먼저, 도 5는 프로세스 챔버(200)의 온도를 850℃로 하고, 웨이퍼(1)를 로딩한 후, Gas Off Delay Time을 3초로 하여 각각의 경우에서 생성된 에피택셜 웨이퍼에 대한 X-선 회절을 각각 보여준다.

도 2 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 제조 장치(10)의 완드 유닛(400)을 통하여 웨이퍼(1)를 로딩시키면, Run Time 증가 없이 웨이퍼(1) 휨 현상에 의한 웨이퍼(1) 에지의 파티클 문제를 개선함으로써 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 제조 장치는 웨이퍼보다 작은 크기의 면적을 가지는 완드 플레이트를 포함하는 완드 유닛을 통하여 웨이퍼 에지에 열을 충분히 전달하여 웨이퍼가 서셉터에 로딩될 때 웨이퍼 에지 부위에 발생되는 열충격을 차단하는 것을 기본적인 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능함은 물론이다.

1…웨이퍼 10…웨이퍼 제조 장치
100…로드락 챔버 200…프로세스 챔버
300…핸들링 챔버 400…완드 유닛
410…완드 플레이트 420…분사노즐
430…필터 440…가스공급부

Claims (7)

1. 로드락 챔버(load-lock chamber)와 프로세스 챔버(process chamber)를 연결하는 핸들링 챔버(handling chamber)를 포함하며,
   상기 프로세스 챔버의 입구에는 웨이퍼를 파지하여 상기 프로세스 챔버로 로딩 또는 언로딩하기 위하여 상기 웨이퍼의 상부에 배치되되 상기 웨이퍼보다 작은 크기의 면적을 가지는 완드 플레이트를 포함하는 완드 유닛이 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 완드 플레이트 면적은 상기 웨이퍼 면적의 64~70%의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 장치.
3. 제2항에 있어서,
   상기 완드 플레이트는 원판형으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 장치.
4. 제1항에 있어서,
   상기 완드 플레이트의 에지는,
   상기 웨이퍼의 에지에 대응 형성되어 상기 웨이퍼의 에지가 상기 완드 플레이트의 에지로부터 외측으로 동일한 거리 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 장치.
5. 제1항에 있어서,
   상기 완드 유닛은 차폐가스를 분사하기 위하여 상기 완드 플레이트에 구비되는 분사노즐과, 상기 완드 플레이트의 일단부에 구비되어 상기 분사노즐로 차폐가스를 여과하여 제공하는 필터가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 장치.
6. 로드락 챔버와, 핸들링 로봇을 가지는 핸들링 챔버, 프로세스 챔버가 연속적으로 형성된 웨이퍼 제조장치에 있어서,
   상기 프로세스 챔버의 입구에는 상기 핸들링 로봇으로부터 전달받은 웨이퍼를 상기 프로세스 챔버에 로딩하기 위한 완드 유닛이 구비되며,
   상기 완드 유닛은 상기 웨이퍼의 상부에서 상기 웨이퍼를 흡착하기 위하여 상기 웨이퍼 면적의 64~70%의 크기의 면적을 가지는 완드 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 제조 장치.
7. 웨이퍼의 상부에서 상기 웨이퍼를 흡착 파지하기 위하여 상기 웨이퍼 면적의 64~70%의 크기의 면적을 가지는 완드 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 완드 유닛.

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