KR20130070944A - Pressure control method of substrate processing system - Google Patents

Pressure control method of substrate processing system Download PDF

Info

Publication number
KR20130070944A
KR20130070944A KR1020110138221A KR20110138221A KR20130070944A KR 20130070944 A KR20130070944 A KR 20130070944A KR 1020110138221 A KR1020110138221 A KR 1020110138221A KR 20110138221 A KR20110138221 A KR 20110138221A KR 20130070944 A KR20130070944 A KR 20130070944A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pressure
chamber
chambers
processing system
substrate processing
Prior art date
Application number
KR1020110138221A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101338914B1 (en
Inventor
이유영
Original Assignee
주식회사 테스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테스 filed Critical 주식회사 테스
Priority to KR1020110138221A priority Critical patent/KR101338914B1/en
Publication of KR20130070944A publication Critical patent/KR20130070944A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101338914B1 publication Critical patent/KR101338914B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

PURPOSE: A method of controlling pressure of a substrate processing system controls the pressure of each chamber to be identical, equalizing the quality of the substrate processed at each chamber. CONSTITUTION: Multiple pressure sensors (11,21) measure the pressure of the inside of a chamber. Multiple exhaust pipes (30,40) are connected to the chamber one by one. Valves (31,41) are installed in the exhaust pipe. The valve controls the flow rate of the gas exhausted through the exhaust pipe. The pump (60) is connected to multiple exhaust pipes. [Reference numerals] (AA,BB) Pressure data; (CC,DD) Control signal

Description

기판처리시스템의 압력제어방법{Pressure control method of substrate processing system}Pressure control method of substrate processing system

본 발명은 기판처리시스템의 압력제어방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 복수의 챔버를 하나의 펌프로 배기하는 구조를 가지는 기판처리시스템에서 각 챔버의 압력을 제어하는 압력제어방법에 관한 것이다.The present invention relates to a pressure control method of a substrate processing system, and more particularly, to a pressure control method for controlling the pressure of each chamber in a substrate processing system having a structure for evacuating a plurality of chambers with one pump.

기판처리시스템은 기판에 대한 증착, 식각, 세정 공정 등을 진행하기 위한 것이다. 이러한 기판처리시스템 중 한 번에 한 쌍의 기판을 처리함으로써, 기판의 처리효율을 향상시키기 위해 한 쌍의 챔버를 가지는 기판처리시스템(이하, '트윈 챔버 구조'라 함)에 관해 등록특허 10-0939933호 등에 제시된 바 있다.The substrate processing system is for carrying out deposition, etching and cleaning processes on the substrate. By processing a pair of substrates at a time of such a substrate processing system, a substrate processing system having a pair of chambers (hereinafter referred to as a "twin chamber structure") to improve the processing efficiency of the substrate. 0939933 et al.

도 1은 종래의 트윈 챔버 구조의 기판처리시스템의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a conventional substrate processing system having a twin chamber structure.

도 1을 참조하면, 종래의 기판처리시스템(9)은 한 쌍의 챔버(공정챔버)(1,2)를 가진다. 각 챔버(1,2)에는 배기관(3,4)이 연결되어 있으며, 이 배기관은 하나의 연결관(5)에 연결된다. 그리고, 연결관(5)에는 스로틀 밸브(6)가 설치되며, 연결관(5)의 단부에는 진공펌프(7)가 연결된다. 또한, 한 쌍의 챔버 중 어느 하나의 챔버(1)에 압력센서(8)가 설치된다.Referring to FIG. 1, the conventional substrate processing system 9 has a pair of chambers (process chambers) 1 and 2. Exhaust pipes 3 and 4 are connected to each chamber 1 and 2, which are connected to one connecting pipe 5. In addition, a throttle valve 6 is installed at the connection pipe 5, and a vacuum pump 7 is connected to an end of the connection pipe 5. In addition, the pressure sensor 8 is installed in any one chamber 1 of the pair of chambers.

이와 같이 구성된 기판처리시스템(9)에 있어서, 진공펌프(7)의 구동시 한 쌍의 챔버가 함께 배기되는데, 이때 챔버(1,2)의 압력은 압력센서(8)에서 측정된 압력 값에 따라 스로틀 밸브(6)를 제어함으로써 조절된다.In the substrate processing system 9 configured as described above, when the vacuum pump 7 is driven, a pair of chambers are exhausted together, wherein the pressures of the chambers 1 and 2 are determined by the pressure value measured by the pressure sensor 8. Accordingly by controlling the throttle valve 6.

즉, 종래의 경우 한 개의 챔버(1)에서 측정된 압력 값에 따라 하나의 스로틀 밸브(6)를 제어함으로써, 한 쌍의 챔버(1,2)의 압력을 조절하도록 구성되어 있다. 이는, 두 챔버(1,2)의 내부 압력이 항상 동일하다는 전제하에서 실효성이 있는 구조이지만, 실제 공정에서는 두 챔버(1,2) 사이에 압력차가 발생할 수 있다. 그리고, 이 경우 압력센서가 설치되어 있는 챔버(1)는 정상적으로 압력이 제어될 수 있다고 하더라도, 압력센서가 설치되지 않은 챔버(2)의 압력은 부정확하게 제어될 수 있다는 문제점이 있다.That is, in the conventional case, the pressure of the pair of chambers 1 and 2 is controlled by controlling one throttle valve 6 according to the pressure value measured in one chamber 1. This structure is effective under the premise that the internal pressures of the two chambers 1 and 2 are always the same, but a pressure difference may occur between the two chambers 1 and 2 in an actual process. In this case, although the pressure of the chamber 1 in which the pressure sensor is installed can be normally controlled, the pressure in the chamber 2 in which the pressure sensor is not installed may be incorrectly controlled.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 기판처리시스템에 포함된 모든 챔버의 압력을 동일하게 제어할 수 있는 압력제어방법을 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a pressure control method that can equally control the pressure of all the chambers included in the substrate processing system.

본 발명에 따른 압력제어방법은 기판에 대한 처리공정이 이루어지는 공간부가 마련되어 있는 복수의 챔버와, 상기 각 챔버에 설치되어 상기 챔버 내부의 압력을 측정하는 복수의 압력센서와, 상기 각 챔버에 하나씩 연결되는 복수의 배기관과, 상기 각 배기관에 설치되어 상기 배기관을 통해 배기되는 가스의 유량을 조절하는 밸브와, 상기 복수의 배기관과 연결되는 펌프를 포함하는 기판처리시스템에서 상기 각 챔버의 압력을 제어하는 방법에 관한 것으로, 상기 복수의 챔버에 설치된 각 압력센서로부터 상기 각 챔버의 압력을 수신하는 단계와, 상기 복수의 챔버 중 어느 하나의 챔버의 압력을 기준으로 하여, 상기 복수의 챔버 중 상기 하나의 챔버를 제외한 나머지 챔버의 압력이 상기 하나의 챔버의 압력과 동일해지도록, 상기 나머지 챔버에 설치된 밸브를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, a pressure control method includes a plurality of chambers in which a space portion for processing a substrate is formed, a plurality of pressure sensors installed in each of the chambers, and a pressure sensor for measuring the pressure in the chamber, and one in each of the chambers. A plurality of exhaust pipes, a valve installed at each exhaust pipe to adjust a flow rate of the gas exhausted through the exhaust pipe, and a pump connected to the plurality of exhaust pipes to control the pressure of each chamber in the substrate processing system. A method comprising: receiving a pressure of each chamber from each pressure sensor installed in the plurality of chambers, and based on the pressure of any one of the plurality of chambers, the one of the plurality of chambers. Installed in the remaining chamber so that the pressure of the remaining chambers except the chamber is equal to the pressure of the one chamber Characterized by including the step of controlling the valve.

본 발명에 따르면, 상기 하나의 챔버의 압력이 기설정된 최적압력과 오차범위 이상으로 상이한 경우, 상기 하나의 챔버의 압력이 상기 최적압력과 동일해지도록 상기 하나의 챔버에 설치된 밸브를 제어하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.According to the present invention, when the pressure of the one chamber is different from the predetermined optimum pressure and the error range or more, controlling the valve installed in the one chamber so that the pressure of the one chamber is equal to the optimum pressure It is preferable to further include.

또한, 본 발명에 따르면 상기 복수의 챔버 중 압력이 기설정된 최적압력과 오차범위 이내로 동일한 챔버를 상기 압력의 기준이 되는 챔버로 설정하는 것이 바람직하다.In addition, according to the present invention, it is preferable to set the same chamber as the reference chamber of the pressure within the plurality of chambers of which the pressure is within the preset optimum pressure and the error range.

본 발명에 따르면 모든 챔버의 압력이 동일하도록 각 챔버의 압력을 동일하게 제어할 수 있으며, 그 결과 각 챔버에서 처리되는 기판의 품질이 균일해진다.According to the present invention, the pressure of each chamber can be controlled to be equal so that the pressures of all the chambers are the same, and as a result, the quality of the substrate processed in each chamber is uniform.

도 1은 종래의 트윈 챔버 구조의 기판처리시스템의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리시스템의 개략적인 구성도이다.
도 3은 제어부에서의 압력제어과정을 설명하기 위한 흐름도이다.1 is a schematic configuration diagram of a conventional substrate processing system having a twin chamber structure.
2 is a schematic configuration diagram of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
3 is a flowchart illustrating a pressure control process in the controller.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기판처리시스템에서의 압력제어방법에 관하여 설명한다.Hereinafter, a pressure control method in a substrate processing system according to a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리시스템의 개략적인 구성도이다.2 is a schematic configuration diagram of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 기판처리시스템에 관해 먼저 설명한다. 본 실시예에 따른 기판처리시스템(100)은 챔버(10,20)와, 배기관(30,40)과, 밸브(31,41)와, 펌프(60)와, 제어부(80)를 포함한다.Referring to Fig. 2, the substrate processing system will be described first. The substrate processing system 100 according to the present embodiment includes the chambers 10 and 20, the exhaust pipes 30 and 40, the valves 31 and 41, the pump 60, and the controller 80.

챔버(10,20)는 기판에 대한 처리공정, 예를 들어 증착, 식각, 세정 공정 등이 이루어지는 곳으로, 이 챔버(10,20)는 복수로 구비되는데, 특히 본 실시예의 경우에는 한 쌍의 챔버(10,20)가 구비된다. 그리고, 각 챔버(10,20)의 내부에는 처리공정이 이루어지는 공간부가 마련되어 있다. 또한, 챔버(10,20)에는 각 공정에 적합한 가스를 분사하기 위한 가스분사기, 기판이 안착되는 서셉터, 기판을 공정온도로 가열하기 위한 가열수단 등이 마련되어 있다. 또한, 챔버에는 챔버의 공간부를 배기하기 위한 배기구가 관통 형성되어 있다. 또한, 각 챔버에는 압력센서(11,21)가 설치되어 있으며, 각 압력센서(11,21)는 챔버 공간부의 압력을 측정한다.The chambers 10 and 20 are processes where substrates are processed, such as deposition, etching, and cleaning processes. The chambers 10 and 20 are provided in plural, in particular, in the present embodiment, a pair of Chambers 10 and 20 are provided. And inside each chamber 10 and 20, the space part in which a process process is performed is provided. In addition, the chambers 10 and 20 are provided with a gas injector for injecting a gas suitable for each process, a susceptor on which the substrate is seated, and heating means for heating the substrate to a process temperature. In the chamber, an exhaust port for exhausting the space portion of the chamber is formed through. In addition, pressure chambers 11 and 21 are provided in each chamber, and each pressure sensor 11 and 21 measures the pressure of the chamber space.

배기관(30,40)은 챔버 공간부의 배기시 챔버 내부의 가스가 배기되는 통로이다. 배기관(30,40)은 복수로 구비되는데, 본 실시예의 경우 챔버의 수와 동일하게 한 쌍의 배기관(30,40)이 구비되어, 각 챔버(10,20)의 배기구에 연결된다. 그리고, 각 챔버에 연결된 배기관(30,40)은 연결관(50)에 연결되어 통합된다. 또한, 이 연결관(50)에는 연결관을 개발/폐쇄하는 게이트 밸브(70)가 설치되어 있다.The exhaust pipes 30 and 40 are passages through which gas inside the chamber is exhausted when the chamber space is exhausted. The exhaust pipes 30 and 40 are provided in plural. In the present embodiment, a pair of exhaust pipes 30 and 40 are provided to be equal to the number of chambers, and are connected to the exhaust ports of the respective chambers 10 and 20. In addition, the exhaust pipes 30 and 40 connected to the respective chambers are connected to and integrated with the connection pipe 50. In addition, the connecting pipe 50 is provided with a gate valve 70 for developing / closing the connecting pipe.

밸브(31,41)는 배기관에 설치되어 배기관(30,40)을 통해 배기되는 가스의 유량을 조절하기 위한 것이다. 이러한 밸브로는 스로틀 밸브(Throttle Valve)와 같이, 입력되는 전기적 신호에 따라 배기되는 가스의 유량을 조절하여 챔버 내부의 압력을 정밀하게 제어할 수 있는 자동압력조절밸브(APCV : Auto pressure control valve)가 채용된다. 이 밸브(31,41)는 복수로 구비되는데, 본 실시예의 경우 2개의 밸브(31,41)가 구비되어 각 배기관(30,40)에 하나씩 설치된다.The valves 31 and 41 are installed in the exhaust pipe to adjust the flow rate of the gas exhausted through the exhaust pipes 30 and 40. Such a valve is an auto pressure control valve (APCV) capable of precisely controlling the pressure inside the chamber by adjusting the flow rate of the exhaust gas according to an input electrical signal, such as a throttle valve. Is employed. The valves 31 and 41 are provided in plural. In the present embodiment, two valves 31 and 41 are provided, one for each of the exhaust pipes 30 and 40.

펌프(60)는 챔버(10,20)의 공간부를 배기하기 위한 것이다. 펌프(60)는 연결관(50)의 단부에 연결되며, 펌프의 구동시 각 챔버 내부의 가스가 배기관(30,40) 및 연결관(50)을 통해 유동한 후 외부로 배기되며, 이에 따라 챔버 내부의 압력이 조절된다.The pump 60 is for exhausting the space part of the chambers 10 and 20. The pump 60 is connected to the end of the connecting pipe 50, and when the pump is driven, the gas inside each chamber flows through the exhaust pipes 30 and 40 and the connecting pipe 50 and then exhausts to the outside. The pressure inside the chamber is regulated.

제어부(80)는 챔버의 압력을 제어하기 위한 것으로, 제어부는 압력센서(11,21) 및 밸브(31,41)와 전기적으로 연결된다. 제어부는 각 압력센서(11,21)로부터 측정된 압력 데이터를 전송받으며, 각 밸브(31,41)로 제어신호를 송신하여 각 밸브를 제어한다. 이때, 제어부는 각 챔버(10,20)의 압력이 동일하도록 밸브(31,41)를 제어한다.The controller 80 is for controlling the pressure of the chamber, and the controller is electrically connected to the pressure sensors 11 and 21 and the valves 31 and 41. The control unit receives the pressure data measured by the pressure sensors 11 and 21, and transmits a control signal to each valve 31 and 41 to control each valve. At this time, the controller controls the valves 31 and 41 so that the pressures in the chambers 10 and 20 are the same.

이하, 도 3을 참조하여 제어부에서 각 챔버의 압력을 제어하는 방법에 관하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a method of controlling the pressure of each chamber in the controller will be described in detail with reference to FIG. 3.

도 3은 제어부에서의 압력제어과정을 설명하기 위한 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a pressure control process in the controller.

도 3을 참조하면, 먼저, 제어부는 각 챔버에 설치된 압력센서로부터 각 챔버의 압력(데이터)을 수신한다. 그리고, 복수의 챔버 중 어느 하나의 챔버(이하, '기준챔버'라고 함)의 압력을 기준으로 하여, 기준챔버를 제외한 나머지 챔버의 압력이 이 기준챔버의 압력과 동일하도록 제어한다. 예를 들어, 도 2에서 좌측 챔버(10)가 기준챔버인 경우, 제어부는 좌측 챔버(10)에 설치된 압력센서(11)로부터 수신된 압력 데이터와 우측 챔버(20)에 설치된 압력센서(21)로부터 수신된 데이터를 비교한다. 그리고, 이 두 압력 데이터가 차이가 나는 경우, 우측 챔버(20)의 압력이 좌측 챔버(10)의 압력과 동일해지도록, 우측 챔버에 연결된 밸브(41)를 실시간으로 제어하며, 이에 따라 두 챔버의 압력이 동일하게 된다. Referring to FIG. 3, first, the controller receives pressure (data) of each chamber from a pressure sensor installed in each chamber. Then, based on the pressure of any one of the plurality of chambers (hereinafter referred to as 'reference chamber'), the pressure of the remaining chambers except the reference chamber is controlled to be equal to the pressure of the reference chamber. For example, in FIG. 2, when the left chamber 10 is the reference chamber, the controller may control the pressure data received from the pressure sensor 11 installed in the left chamber 10 and the pressure sensor 21 installed in the right chamber 20. Compare the data received from. When the two pressure data are different from each other, the valve 41 connected to the right chamber is controlled in real time so that the pressure of the right chamber 20 is equal to the pressure of the left chamber 10, and thus the two chambers are controlled in real time. The pressures are the same.

이때, 만약 기준챔버의 압력 자체가 공정조건에 맞지 않는 경우에는, 두 챔버 모두의 압력이 잘못된 압력, 즉 공정조건에 적합하지 않은 압력으로 제어되게 된다. 따라서, 기본적으로 기준챔버의 압력은 각 공정에 적합해야만 한다.At this time, if the pressure of the reference chamber itself does not meet the process conditions, the pressure in both chambers is controlled to an incorrect pressure, that is, a pressure not suitable for the process conditions. Thus, basically, the pressure in the reference chamber must be suitable for each process.

이를 위해, 제어부는 기준챔버의 압력이 기설정된 최적압력과 오차범위 이상으로 상이한 경우에는, 기준챔버의 압력이 최적압력과 동일해지도록 기준챔버에 설치된 밸브를 제어하여 기준챔버의 압력이 최적압력과 동일해지도록 제어한다. 여기서, 최적압력이란 각 공정에 적합한 압력으로, 이 최적압력 데이터에 관해서는 제어부에 저장되어 있다. 그리고, 이와 같이 제어함으로써 모든 챔버의 압력을 공정에 맞게 동일하게 제어할 수 있다.To this end, when the pressure in the reference chamber differs from the preset optimum pressure by more than the error range, the controller controls a valve installed in the reference chamber so that the pressure in the reference chamber is equal to the optimum pressure so that the pressure in the reference chamber is equal to the optimum pressure. Control to be the same. Here, the optimum pressure is a pressure suitable for each process, and the optimum pressure data is stored in the control unit. And by controlling in this way, the pressure of all the chambers can be controlled similarly according to a process.

한편, 제어부는 복수의 챔버 중에서 기준챔버를 선정할 때, 복수의 챔버 중 그 압력이 최적압력과 오차범위 이내로 동일한 챔버를 기준챔버로 선정함으로써, 모든 챔버의 압력을 공정에 적합하면서도 동일하게 제어할 수도 있다. On the other hand, when the control unit selects the reference chamber from among the plurality of chambers, by selecting the chamber of the plurality of chambers whose pressure is the same within the optimum pressure and the error range as the reference chamber, it is possible to control the pressure of all the chambers equally suitable for the process It may be.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면 기판처리시스템에 포함된 모든 챔버의 압력이 동일하도록 실시간으로 제어할 수 있으며, 따라서 각 챔버에서 기판이 처리될 때 압력 분위기가 동일한 상태에서 기판이 처리되며, 그 결과 모든 기판의 품질이 균일하게 된다.As described above, according to this embodiment, it is possible to control in real time so that the pressures of all the chambers included in the substrate processing system are the same, so that the substrates are processed in the same pressure atmosphere when the substrates are processed in each chamber, As a result, the quality of all the substrates is uniform.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation in the embodiment in which said invention is directed. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the scope of the appended claims.

예를 들어, 본 실시예의 경우 2개의 챔버를 가지는 기판처리시스템으로 설명하였으나, 3개 이상의 챔버를 가지도록 기판처리시스템을 구성할 수도 있다.For example, the present embodiment has been described as a substrate processing system having two chambers. However, the substrate processing system may be configured to have three or more chambers.

100...기판처리시스템 10,20...챔버
11,21...압력센서 30,40...배기관
31,41...밸브 50...연결관
60...펌프 80...제어부100 ... substrate processing system 10,20 ... chamber
11, 21 Pressure sensor 30, 40 Exhaust pipe
31,41 ... valve 50 ... connector
60 pump 80 control unit

Claims (3)

기판에 대한 처리공정이 이루어지는 공간부가 마련되어 있는 복수의 챔버와, 상기 각 챔버에 설치되어 상기 챔버 내부의 압력을 측정하는 복수의 압력센서와, 상기 각 챔버에 하나씩 연결되는 복수의 배기관과, 상기 각 배기관에 설치되어 상기 배기관을 통해 배기되는 가스의 유량을 조절하는 밸브와, 상기 복수의 배기관과 연결되는 펌프를 포함하는 기판처리시스템에서 상기 각 챔버의 압력을 제어하는 방법에 관한 것으로,
상기 복수의 챔버에 설치된 각 압력센서로부터 상기 각 챔버의 압력을 수신하는 단계와,
상기 복수의 챔버 중 어느 하나의 챔버의 압력을 기준으로 하여, 상기 복수의 챔버 중 상기 하나의 챔버를 제외한 나머지 챔버의 압력이 상기 하나의 챔버의 압력과 동일해지도록, 상기 나머지 챔버에 설치된 밸브를 제어하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압력제어방법.A plurality of chambers provided with a space portion for processing a substrate, a plurality of pressure sensors provided in each of the chambers to measure pressure in the chamber, a plurality of exhaust pipes connected to each of the chambers, and each of the chambers A method for controlling the pressure of each chamber in a substrate processing system including a valve installed in the exhaust pipe to control the flow rate of the gas exhausted through the exhaust pipe, and a pump connected to the plurality of exhaust pipes,
Receiving the pressure of each chamber from each pressure sensor installed in the plurality of chambers;
A valve installed in the remaining chamber such that the pressure of the remaining chambers other than the one of the plurality of chambers is equal to the pressure of the one chamber based on the pressure of any one of the plurality of chambers. Pressure control method comprising the step of controlling. 제1항에 있어서,
상기 하나의 챔버의 압력이 기설정된 최적압력과 오차범위 이상으로 상이한 경우, 상기 하나의 챔버의 압력이 상기 최적압력과 동일해지도록 상기 하나의 챔버에 설치된 밸브를 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 압력제어방법.The method of claim 1,
Controlling a valve installed in the one chamber so that the pressure of the one chamber is equal to the optimum pressure when the pressure of the one chamber is different from the predetermined optimum pressure by more than the error range. Pressure control method 제1항에 있어서,
상기 복수의 챔버 중 압력이 기설정된 최적압력과 오차범위 이내로 동일한 챔버를 상기 압력의 기준이 되는 챔버로 설정하는 것을 특징으로 하는 압력제어방법. The method of claim 1,
The pressure control method of the plurality of chambers characterized in that the pressure is set to the same chamber within the error range of the predetermined optimum pressure and the predetermined pressure.
KR1020110138221A 2011-12-20 2011-12-20 Pressure control method of substrate processing system KR101338914B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110138221A KR101338914B1 (en) 2011-12-20 2011-12-20 Pressure control method of substrate processing system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110138221A KR101338914B1 (en) 2011-12-20 2011-12-20 Pressure control method of substrate processing system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130070944A true KR20130070944A (en) 2013-06-28
KR101338914B1 KR101338914B1 (en) 2013-12-09

Family

ID=48865572

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110138221A KR101338914B1 (en) 2011-12-20 2011-12-20 Pressure control method of substrate processing system

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101338914B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102068047B1 (en) * 2018-07-19 2020-01-20 (주)한빛테크놀로지 Etching apparatus having fume blocking function

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080012628A (en) * 2006-08-04 2008-02-12 삼성전자주식회사 Apparatus for processing a substrate
JP4918121B2 (en) * 2009-08-04 2012-04-18 シーケーディ株式会社 Exhaust pressure control system and exhaust pressure control method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102068047B1 (en) * 2018-07-19 2020-01-20 (주)한빛테크놀로지 Etching apparatus having fume blocking function

Also Published As

Publication number Publication date
KR101338914B1 (en) 2013-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI719807B (en) Chamber pressure control method and device, and semiconductor equipment
JP5885736B2 (en) Twin chamber processing system
US6328803B2 (en) Method and apparatus for controlling rate of pressure change in a vacuum process chamber
JP5562712B2 (en) Gas supply equipment for semiconductor manufacturing equipment
KR20220002838A (en) Rf-powered, temperature-controlled gas diffuser
TW201719075A (en) Method for checking leakage of valves in a gas supply system
TW201930833A (en) Method of determining flow rate of gas
US11933284B2 (en) Multiple chamber vacuum exhaust system
KR20160041802A (en) Systems and methods for measuring entrained vapor
US20120000542A1 (en) Mass flow controller, mass flow controller system, substrate processing device, and gas flow rate adjusting method
KR20100115788A (en) Control method and processor of exhaust gas flow rate of processing chamber
KR102203557B1 (en) Exhaust system, and substrate processing apparatus using the same
KR101338914B1 (en) Pressure control method of substrate processing system
US11555755B2 (en) Method of calibrating multiple chamber pressure sensors
TW201942697A (en) Substrate processing system and method of determining flow rate of gas
KR20070061871A (en) Method and system for wafer temperature control
US20180061721A1 (en) Self-healing semiconductor wafer processing
KR20130070260A (en) Substrate processing apparatus
KR101236696B1 (en) Substrate processing apparatus
JP5008086B2 (en) High-speed gas switching device with pressure adjustment function
WO2013083016A1 (en) Low-pressure chemical vapor deposition apparatus and thin-film deposition method thereof
JP3328632B2 (en) Etching equipment
KR20200046910A (en) Low Pressure chemical vapor deposition system for hexagonal boron nitride growth
KR20040104040A (en) Exhaust system of chemical vapor deposition apparatus
CN113491001B (en) Semiconductor processing apparatus and control method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160906

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170907

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190909

Year of fee payment: 7