KR20080012628A - Apparatus for processing a substrate - Google Patents

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Abstract

A substrate processing apparatus is provided to measure the pressure difference between chambers caused by a uniform flow of gas by installing pressure measuring parts in dual chambers. Reaction gas for processing a substrate are supplied to first and second process chambers(100,101). A gas supply part supplies the reaction gas, connected to the first and second process chambers. First and second pressure measuring parts(300,301) measure the pressure of the first and second process chambers, respectively installed in the first and second process chambers. A gas exhaust part adjusts the pressure of each chamber, connected between the first and second process chambers. The first and second pressure measuring parts can include a pressure control part that outputs an electrical signal corresponding to the measured pressure and controls the pressure of the first and second process chambers in response to the outputted electrical signal.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE}Substrate Processing Unit {APPARATUS FOR PROCESSING A SUBSTRATE}

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 측정부를 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a pressure measuring unit according to an embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100, 101: 제1, 제2 공정 챔버 110: 기판 지지대 100, 101: first and second process chamber 110: substrate support

120: 기판 가열부 130: 구동부 120: substrate heating unit 130: driving unit

200: 가스 공급부 210: 저장부 200: gas supply unit 210: storage unit

220, 221: 제1 및 제2 샤워헤드 230: 공급 라인 220, 221: first and second showerhead 230: supply line

240: 가스 공급 밸브 300, 301: 제1, 제2 압력 측정부240: gas supply valve 300, 301: first and second pressure measuring unit

310, 320: 제1, 제 2 게이지 400: 가스 배출부310, 320: first and second gauge 400: gas discharge portion

410: 배기 라인 420: 펌프410: exhaust line 420: pump

430: 스로틀 밸브 440: 배출 밸브430: throttle valve 440: discharge valve

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 듀얼 챔버의 내부 압력을 측정하기 위한 압력 측정 장치를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이 다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. More specifically, it relates to a substrate processing apparatus including a pressure measuring device for measuring the internal pressure of the dual chamber.

반도체 장치는 일반적으로 반도체 기판으로 사용되는 실리콘웨이퍼에 증착 공정, 사진 공정, 식각 공정, 이온 주입 공정, 확산 공정 등과 같은 일련의 단위 공정들을 순차적으로 수행함으로써 제조된다. 상기 단위 공정들을 수행함에 있어서, 반도체 장치의 품질 및 수율 향상을 위해 압력, 온도 등의 공정 조건들을 보다 정밀하게 제어하는 것이 필수적인 요구 조건으로 대두되었다.BACKGROUND ART A semiconductor device is generally manufactured by sequentially performing a series of unit processes, such as a deposition process, a photo process, an etching process, an ion implantation process, and a diffusion process, on a silicon wafer used as a semiconductor substrate. In performing the above-mentioned unit processes, more precise control of process conditions such as pressure and temperature has emerged as an essential requirement for improving quality and yield of semiconductor devices.

반도체 기판 상에 소정의 막을 증착시키는 저압 화학 기상 증착(chemical vapor deposition; CVD) 공정의 경우, 증착되는 막질에 따라 다양한 반응 가스(source gas)들이 사용된다. 이 때, 상기 공정은 반도체 기판이 대기와 반응하지 않도록 하기 위해 소정의 진공 상태에서 수행되는 것이 일반적이다.In a low pressure chemical vapor deposition (CVD) process in which a film is deposited on a semiconductor substrate, various source gases are used depending on the film quality to be deposited. At this time, the process is generally carried out in a predetermined vacuum state in order to prevent the semiconductor substrate from reacting with the atmosphere.

구체적으로, 공정 챔버로 상기 반응 가스들이 투입되면 상기 공정 챔버의 내부는 일시적으로 압력이 상승하게 된다. 이 때, 상기 상승된 압력을 기 설정된 공정 조건으로 유지하기 위한 펌프 시스템이 가동된다. 또한, 상기 펌프 시스템은 상기 공정이 진행되는 과정에서 발생하는 미반응 가스 및 반응 부산물을 계속적으로 배출시키는 기능을 수행한다.Specifically, when the reaction gases are introduced into the process chamber, the pressure inside the process chamber is temporarily increased. At this time, a pump system for maintaining the elevated pressure at a predetermined process condition is operated. In addition, the pump system serves to continuously discharge the unreacted gas and reaction by-products generated in the process of the process.

상기 펌프 시스템의 방식은 가공 장치에 따라 다양하며, 공정 조건의 제어를 위하여 공정 챔버의 배기 라인에는 다양한 밸브들이 설치된다. 저압 화학 기상 증착(low-pressure chemical vapor deposition; LPCVD)이나 건식 식각(dry etching) 공정이 진행되는 장치에서는 저진공 펌프를 이용하여, 소정의 공정이 종료된 후 상기 공정 챔버 내부에 잔류하는 공정 가스를 배출한다. 상기 공정 가스를 배출하기 위한 배기 가스 처리 시스템은 크게 공정 챔버와 연결되는 배기 라인, 배기 라인 상에 설치되는 밸브 및 배기 라인을 통해 공정 챔버와 연결되는 진공 펌프를 포함한다. 또한, 상기 공정 챔버 내부의 압력을 측정하기 위한 압력 측정 장치가 포함된다.The method of the pump system varies according to the processing apparatus, and various valves are installed in the exhaust line of the process chamber to control the process conditions. In a device in which low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) or dry etching processes are performed, a process gas that remains inside the process chamber after a predetermined process is completed by using a low vacuum pump. To discharge. The exhaust gas treatment system for discharging the process gas largely includes an exhaust line connected with the process chamber, a valve installed on the exhaust line, and a vacuum pump connected with the process chamber through the exhaust line. In addition, a pressure measuring device for measuring the pressure inside the process chamber is included.

상기 공정들이 시작될 때 공정 챔버로 공정 가스들이 투입되면, 상기 공정 챔버의 내부는 일시적으로 압력이 상승된다. 따라서 상승된 상기 압력을 공정 조건으로 유지하기 위해 공정이 진행되는 동안 계속해서 진공 시스템이 가동되어야 하고, 공정이 진행되는 동안 발생하는 미반응 가스 및 반응 부산물의 배출도 진공 시스템에 의해 이루어진다.When process gases are introduced into the process chamber when the processes are started, the interior of the process chamber is temporarily raised. Therefore, the vacuum system must be operated continuously during the process to maintain the elevated pressure at the process conditions, and the vacuum system also discharges unreacted gases and reaction by-products generated during the process.

공정 챔버에서 소정의 기판 가공 공정이 진행되면서 다양한 공정 부산물이 생성될 수 있다. 특히, 파우더(powder) 형태의 파티클이 발생할 경우, 상기 파티클은 상기 배기 라인 등에 응집되어 챔버 내의 불균일한 흐름을 발생시킨다. 특히, 두 개의 챔버를 갖는 기판 처리 장치(이하, '듀얼 챔버를 갖는 기판 처리 장치')에서 각 챔버 별로 불균일한 흐름이 발생된 경우, 상기 공정 챔버 내부의 압력을 측정하기 위한 압력 측정 장치는 어느 하나의 챔버의 압력만을 측정하게 되어 상기한 불균일한 흐름으로 인한 챔버간의 압력 차이를 측정하지 못하는 문제점이 발생한다. Various process byproducts may be generated as a predetermined substrate processing process is performed in the process chamber. In particular, when particles in the form of powder are generated, the particles aggregate on the exhaust line or the like to generate non-uniform flow in the chamber. In particular, when a non-uniform flow is generated for each chamber in a substrate processing apparatus having two chambers (hereinafter referred to as a substrate processing apparatus having a dual chamber), a pressure measuring apparatus for measuring the pressure inside the process chamber may be Since only the pressure of one chamber is measured, there is a problem in that the pressure difference between the chambers due to the nonuniform flow cannot be measured.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적에 따르면, 듀얼 챔버 내의 압력을 측정할 수 있는 압력 측정 장치를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.According to an object of the present invention for solving the above problems, there is provided a substrate processing apparatus including a pressure measuring device capable of measuring the pressure in the dual chamber.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치는 기판을 가공하기 위한 반응 가스가 제공되는 제1 및 제2 공정 챔버들, 상기 제1 및 제2 공정 챔버에 구비되고, 상기 반응 가스를 공급하는 가스 공급부, 상기 제1 및 제2 공정 챔버에 각각 연결되고, 상기 제1 및 제2 공정 챔버의 압력을 측정하는 제1 및 제2 압력 측정부 및 상기 제1 및 제2 공정 챔버에 연결되어 상기 각 챔버의 압력을 조절하는 가스 배출부를 포함한다.In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention is provided in the first and second process chambers, the first and second process chambers in which a reactive gas for processing a substrate is provided, A gas supply part supplying the reaction gas, first and second pressure measuring parts connected to the first and second process chambers, respectively, and measuring pressures of the first and second process chambers, and the first and second pressure measuring parts. It is connected to the process chamber includes a gas outlet for adjusting the pressure of each chamber.

본 발명의 일실시예에 따르면, 상기 제1 및 제2 압력 측정부는 상기 측정된 압력에 대응하는 전기 신호를 출력하고, 상기 출력된 전기 신호에 응답하여 상기 제1 및 제2 공정 챔버의 압력을 조절하기 위한 압력 제어부를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 압력 측정부는 정전용량식 전기 압력계를 포함할 수 있다. According to one embodiment of the invention, the first and second pressure measuring unit outputs an electrical signal corresponding to the measured pressure, and in response to the output electrical signal to the pressure of the first and second process chambers It may include a pressure control for adjusting. In addition, the first and second pressure measuring unit may include a capacitive electric pressure gauge.

상기 가공 공정은 상기 기판 상에 막을 형성하는 증착 공정 또는 상기 기판 상에 형성된 막을 식각하는 식각 공정인 것을 특징으로 할 수 있다.The processing process may be a deposition process for forming a film on the substrate or an etching process for etching the film formed on the substrate.

상기 듀얼 챔버를 갖는 기판 처리 장치는 상기 제1 및 제2 공정 챔버 내부에 각각 배치되고, 상기 기판을 지지하는 기판 지지대, 상기 기판 지지대를 상기 가공을 위한 공정 온도로 가열하기 위한 기판 가열부 및 상기 기판 지지대를 상하이동 시키는 구동부를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus having the dual chamber is disposed in the first and second process chambers, respectively, a substrate support for supporting the substrate, a substrate heater for heating the substrate support to a process temperature for the processing, and The apparatus may further include a driving unit for moving the substrate support.

이러한 기판 처리 장치에 의하면, 듀얼 챔버 모두에 압력 측정부를 설치하여 가스의 불균일한 흐름으로 인한 챔버간의 압력 차이를 측정할 수 있다.According to such a substrate processing apparatus, it is possible to measure the pressure difference between chambers due to the nonuniform flow of gas by providing a pressure measuring unit in both of the dual chambers.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 측정부를 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view showing a pressure measuring unit according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)는 제1 및 제2 공정 챔버들(100, 101), 기판 지지대(110), 가스 공급부(200), 제1 및 제2 압력 측정부(300, 301) 및 가스 배출부(400)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus 1000 according to an exemplary embodiment may include first and second process chambers 100 and 101, a substrate support 110, a gas supply unit 200, and first and second process chambers. The second pressure measuring unit 300 and 301 and the gas discharge unit 400 are included.

반도체 제조 공정이 수행되는 상기 제1 및 제2 공정 챔버들(100, 101)에는 기판을 가공하기 위한 반응 가스가 제공된다. 상기 제1 및 제2 공정 챔버들(100, 101)는 상기 가공을 위한 공간을 제공한다. 또한, 상기 제1 및 제2 공정 챔버들(100, 101) 내부에는 상기 기판을 지지하는 기판 지지대(110)가 배치된다.The first and second process chambers 100 and 101 in which the semiconductor manufacturing process is performed are provided with a reaction gas for processing a substrate. The first and second process chambers 100 and 101 provide space for the processing. In addition, a substrate support 110 supporting the substrate is disposed in the first and second process chambers 100 and 101.

상기 가스 공급부(200)는 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101)들에 연결되어 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101)에 상기 반응 가스를 공급한다. 상기 가스 공급부(200)는 상기 공정 가스를 수용하는 저장부(210), 상기 공정 가스를 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101) 내부로 공급하기 위한 제1 및 제2 샤워헤드(220, 221) 및 상기 저장부(210)와 상기 제1 및 제2 샤워헤드(220, 221)를 연결하는 공급 라인(230)을 포함한다. 또한, 상기 저장부(210)와 상기 제1 및 제2 샤워헤드(220, 221)사이에서 공급 가스의 양을 조절하기 위한 가스 공급 밸브(240)가 설치된다.The gas supply unit 200 is connected to the first and second process chambers 100 and 101 to supply the reaction gas to the first and second process chambers 100 and 101. The gas supply unit 200 may include a storage unit 210 accommodating the process gas, and first and second shower heads 220 for supplying the process gas into the first and second process chambers 100 and 101. And a supply line 230 connecting the storage unit 210 and the first and second shower heads 220 and 221. In addition, a gas supply valve 240 is installed between the reservoir 210 and the first and second shower heads 220 and 221 to adjust the amount of the supply gas.

상기 가스 공급부(200)는 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101)로 증착을 위한 증착 가스 또는 식각을 위한 식각 가스를 공급한다. 상기 제1 및 제2 공정 챔 버()에는 여러 가지 화학기상증착 및 건식식각 공정에서 포스핀(PH3), 실란(SiH4), 디클로로 실란(SiH2Cl2), 암모니아(NH3) 및 산화질소(N2O) 등의 공정 가스가 주입된다.The gas supply unit 200 supplies the deposition gas for etching or the etching gas for etching to the first and second process chambers 100 and 101. The first and second process chambers () have phosphine (PH 3 ), silane (SiH 4 ), dichloro silane (SiH 2 Cl 2 ), ammonia (NH 3 ), and various chemical vapor deposition and dry etching processes. Process gas such as nitrogen oxide (N 2 O) is injected.

또한, 상기 공정 가스는 상기 기판의 반응 물질과 쉽게 반응하기 위하여 플라즈마를 이용하여 래디칼 형태로 공급될 수 있다. 상기 래디칼 형태를 가진 반응 가스는 기판 상의 반응 물질과 쉽게 반응하여 반응 시간을 단축 할 수 있다. 상기 플라즈마에는 예컨대 리모트 플라즈마(remote plasma)가 이용될 수 있다.In addition, the process gas may be supplied in a radical form using a plasma in order to easily react with the reactants of the substrate. The radical gas may react with the reactant on the substrate to shorten the reaction time. For example, a remote plasma may be used for the plasma.

상기 가스 배출부(400)는 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101) 사이에 연결되어 상기 각 챔버의 압력을 조절한다. 상기 제1 공정 챔버(100) 및 상기 제2 공정 챔버(101)는 배기 라인(410)과 연결되며, 상기 배기 라인(410)은 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101)와 펌프(420)를 연결한다. 상기 펌프(420)는 상기 제1 및 제2 공정 챔버 내부의 미반응 가스 및 공정 부산물을 배출하며, 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101) 내부에 진공을 제공한다.The gas discharge unit 400 is connected between the first and second process chambers 100 and 101 to adjust the pressure of each chamber. The first process chamber 100 and the second process chamber 101 are connected to an exhaust line 410, and the exhaust line 410 is connected to the first and second process chambers 100 and 101 and a pump ( 420 is connected. The pump 420 discharges unreacted gas and process by-products in the first and second process chambers, and provides a vacuum in the first and second process chambers 100 and 101.

상기 펌프(420)는 상기 배기 라인(410)에 진공력을 제공하며 부스터 펌프 및 드라이 펌프를 포함할 수 있다. 상기 드라이 펌프는 오일 및 물을 사용하는 습식 펌프와 달리 펌프 내에 오일의 공급없이 구동되는 진공펌프로서 오일미스트가 발생되지 않는다. 따라서 상기 드라이 펌프는 배기가스로 인한 오염발생이 없고, 반도체 소자 제조 공정과 같은 쾌적한 환경을 요하는 곳에서 사용하기 적합한 펌프이다. 또한 상기 드라이 펌프는 마찰이 동반되지 않으므로 보다 폭넓은 압력범위를 요하는 진공성형 장비에서도 유용하게 사용할 수 있다. 상기 부스터 펌프는 상기 드라이 펌프의 부족한 마력을 보충하여 상기 펌프(420)의 진공력을 높일 수 있다. The pump 420 may provide a vacuum force to the exhaust line 410 and may include a booster pump and a dry pump. The dry pump is a vacuum pump driven without supply of oil in the pump, unlike a wet pump using oil and water, and does not generate oil mist. Therefore, the dry pump is a pump suitable for use in a place where there is no pollution caused by exhaust gas and a pleasant environment such as a semiconductor device manufacturing process is required. In addition, since the dry pump is not accompanied by friction, it can be usefully used in vacuum forming equipment requiring a wider pressure range. The booster pump may increase the vacuum force of the pump 420 by supplementing the insufficient horsepower of the dry pump.

상기 배기 라인(410)에는 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101)와 인접한 부위로부터 스로틀 밸브(430) 및 배출 밸브(440)가 설치된다. 상기 스로틀 밸브(430)는 상기 배기 라인(410)의 개폐정도를 조절하여 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101)의 내부 진공도를 조절한다. 상기 배출 밸브(440)는 상기 스로틀 밸브(430)와 상기 펌프(420) 사이의 배기 라인(410)을 개폐한다. The exhaust line 410 is provided with a throttle valve 430 and a discharge valve 440 from portions adjacent to the first and second process chambers 100 and 101. The throttle valve 430 controls the degree of vacuum inside the first and second process chambers 100 and 101 by adjusting the opening and closing degree of the exhaust line 410. The discharge valve 440 opens and closes an exhaust line 410 between the throttle valve 430 and the pump 420.

상기 제1 및 제2 압력 측정부(300, 301)는 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101)에 각각 구비되어 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101)의 압력을 측정한다.The first and second pressure measuring units 300 and 301 are provided in the first and second process chambers 100 and 101, respectively, to measure the pressures of the first and second process chambers 100 and 101. .

상기 제1 및 제2 압력 측정부(300, 301)는 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101)의 내부 압력을 압력 센서(미도시)를 통해 측정하고, 상기 측정된 압력에 대응하는 전기 신호를 출력할 수 있다. The first and second pressure measuring units 300 and 301 measure internal pressures of the first and second process chambers 100 and 101 through a pressure sensor (not shown), and correspond to the measured pressures. Can output an electrical signal.

상기 압력 측정부(300, 301)는 예를 들면, 피라니 게이지(pirani gauge), 열전쌍 게이지(thermocouple gauge), 이온 게이지(ion gauge) 등을 포함할 수 있다. 특히, 공정 챔버의 실제 압력을 정확하게 측정할 수 있고, 측정되는 가스 종류의 영향을 받지 않는 바라트론 사의 용량형 압력계(Baratron　capacitance manometer; 이하, '바라트론 게이지'라 지칭함)가 산업 현장에서 널리 사용되고 있다. 일 예로, 상기 제1 및 제2 압력 측정부(300, 301)는 바라트론 게이지로 0 내지 1000Torr 사이의 압력이 측정가능하며, 0.01Torr단위까지도 측정될 수 있다.The pressure measuring units 300 and 301 may include, for example, a pirani gauge, a thermocouple gauge, an ion gauge, and the like. In particular, the Baratron capacitance manometer (hereinafter referred to as the 'Baratron Gauge'), which can accurately measure the actual pressure of the process chamber and is not affected by the gas type being measured, is widely used in industrial fields. have. For example, the first and second pressure measuring units 300 and 301 may measure a pressure between 0 and 1000 Torr using a baratrone gauge, and may be measured up to 0.01 Torr.

발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 및 제2 압력 측정부(300, 301)는 각각 제1 게이지(310) 및 제2 게이지(320)를 포함할 수 있다. 제1 게이지(310)는 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101)의 내부 압력을 측정한다. 구체적으로 제1 게이지(310)는 대기압 및 진공 유무를 점검한다. 또한 상기 제1 게이지(310)는 상기 펌프(420)에 의한 슬로우 펌핑율을 점검한다. 상기 제1 게이지(310)의 측정 범위는 0 내지 1000 Torr 이다. According to an embodiment of the present invention, the first and second pressure measuring units 300 and 301 may include a first gauge 310 and a second gauge 320, respectively. The first gauge 310 measures the internal pressure of the first and second process chambers 100 and 101. Specifically, the first gauge 310 checks the presence of atmospheric pressure and vacuum. In addition, the first gauge 310 checks the slow pumping rate by the pump 420. The measuring range of the first gauge 310 is 0 to 1000 Torr.

상기 제2 게이지(320)도 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101)의 내부 압력을 측정한다. 구체적으로 제2 게이지(320)는 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101)의 베이스 압력(base pressure)을 점검하며, 상기 공정 챔버에 누설이 발생하는지 유무를 검사한다. 또한 상기 제2 게이지(320)는 상기 공정 챔버의 압력 조절 상태를 점검한다. 상기 제2 게이지(320)의 측정 범위는 0 내지 1 Torr 이다. The second gauge 320 also measures the internal pressure of the first and second process chambers 100 and 101. Specifically, the second gauge 320 checks the base pressure of the first and second process chambers 100 and 101, and checks whether or not leakage occurs in the process chamber. In addition, the second gauge 320 checks the pressure control state of the process chamber. The measurement range of the second gauge 320 is 0 to 1 Torr.

상기 압력 측정부(300, 301)는 상기 제1 및 제2 공정 챔버의 압력을 조절하기 위한 압력 제어부(330)를 포함할 수 있다. 상기 압력 제어부(330)는 상기 출력된 전기 신호에 대응하여 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101)의 압력을 조절한다. 여기서, 출력된 전기 신호는 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101)의 측정 압력과 선형적으로 비례하는 특성을 가진다. 상기 압력 제어부(330)에 의해 상기 스로틀 밸브(430)가 조정되어 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101)의 압력을 조절하게 된다.The pressure measuring units 300 and 301 may include a pressure control unit 330 for adjusting the pressures of the first and second process chambers. The pressure controller 330 adjusts the pressure of the first and second process chambers 100 and 101 in response to the output electrical signal. Here, the output electrical signal has a characteristic that is linearly proportional to the measured pressure of the first and second process chambers 100 and 101. The throttle valve 430 is adjusted by the pressure controller 330 to adjust the pressure of the first and second process chambers 100 and 101.

따라서, 상기 제1 및 제2 공정 챔버(100, 101) 모두의 압력을 측정하게 되어 가스의 불균일한 흐름으로 인한 챔버간의 압력 차이를 측정하여 상기 듀얼 챔버를 포함하는 기판 처리 장치의 구조적 단점을 개선할 수 있다.Therefore, by measuring the pressure of both the first and second process chambers (100, 101) to measure the pressure difference between the chambers due to the non-uniform flow of gas to improve the structural disadvantages of the substrate processing apparatus including the dual chamber can do.

상기 듀얼 챔버를 갖는 기판 처리 장치(1000)는 상기 기판 지지대(110)를 상기 가공을 위한 공정 온도로 가열하기 위한 기판 가열부(120) 및 상기 기판 지지대(110)를 상하이동시킬 수 있는 구동부(130)를 더 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus 1000 having the dual chamber may include a substrate heating unit 120 for heating the substrate support 110 to a process temperature for the processing and a driving unit capable of moving the substrate support 110 up and down ( 130) may be further included.

이리하여, 상기 제1 및 제2 공정 챔버들(100, 101)의 온도 및 상기 기판의 위치를 조절할 수 있다.Thus, the temperature of the first and second process chambers 100 and 101 and the position of the substrate may be adjusted.

상기와 같은 본 발명의 실시예에 따르면, 듀얼 챔버 모두에 압력 측정부를 설치하여 가스의 불균일한 흐름으로 인한 챔버간의 압력 차이를 측정하여 상기 듀얼 챔버를 포함하는 기판 처리 장치의 구조적 단점을 개선할 수 있다.According to the embodiment of the present invention as described above, by installing a pressure measuring unit in both the dual chamber to measure the pressure difference between the chambers due to the uneven flow of gas can improve the structural disadvantages of the substrate processing apparatus including the dual chamber. have.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims (5)

기판을 가공하기 위한 반응 가스가 제공되는 제1 및 제2 공정 챔버들;First and second process chambers provided with a reactant gas for processing a substrate; 상기 제1 및 제2 공정 챔버에 연결되어 상기 반응 가스를 공급하는 가스 공급부;A gas supply unit connected to the first and second process chambers to supply the reaction gas; 상기 제1 및 제2 공정 챔버에 각각 구비되고, 상기 제1 및 제2 공정 챔버의 압력을 측정하는 제1 및 제2 압력 측정부; 및First and second pressure measuring units respectively provided in the first and second process chambers to measure pressures of the first and second process chambers; And 상기 제1 및 제2 공정 챔버 사이에 연결되어 상기 각 챔버의 압력을 조절하는 가스 배출부를 포함하는 기판 처리 장치.And a gas discharge unit connected between the first and second process chambers to adjust the pressure of each chamber. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 압력 측정부는 상기 측정된 압력에 대응하는 전기 신호를 출력하고, 상기 출력된 전기 신호에 응답하여 상기 제1 및 제2 공정 챔버의 압력을 조절하기 위한 압력 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 1, wherein the first and second pressure measuring units output electrical signals corresponding to the measured pressures, and adjust pressures of the first and second process chambers in response to the output electrical signals. And a pressure control unit. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 압력 측정부는 정전용량식 전기 압력계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The substrate processing apparatus of claim 2, wherein the first and second pressure measuring units comprise a capacitive electric pressure gauge. 제 1 항에 있어서, 상기 가공 공정은 상기 기판 상에 막을 형성하는 증착 공정 또는 상기 기판 상에 형성된 막을 식각하는 식각 공정인 것을 특징으로 하는 듀 얼 챔버를 갖는 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus of claim 1, wherein the processing step is a deposition step of forming a film on the substrate or an etching step of etching a film formed on the substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 공정 챔버 내부에 각각 배치되고, 상기 기판을 지지하는 기판 지지대, 상기 기판 지지대를 상기 가공을 위한 공정 온도로 가열하기 위한 기판 가열부 및 상기 기판 지지대를 상하이동 시키는 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The substrate support of claim 1, wherein the substrate support is disposed in the first and second process chambers, respectively, and supports the substrate, a substrate heater for heating the substrate support to a process temperature for the processing, and the substrate support. Substrate processing apparatus further comprises a drive unit for moving.
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