KR20130068820A - Cmp pad conditioner and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A CMP(Chemical Mechanical Polishing) pad conditioner and a manufacturing method thereof are provided to basically prevent a substrate from being bent and diamond of the conditioner from being separated by forming the CMP pad conditioner using a selective deposition method. CONSTITUTION: A diamond thin film(12) is formed on a substrate(11). A mask(30) having an opening part(35) in a matrix type is placed on the diamond thin film. The mask is made of one selected from molybdenum, tungsten and graphite. A protrusion part(15) comprising diamond(40) is formed on the diamond thin film. The mask is removed.

Description

화학적 기계적 연마 패드 컨디셔너 및 그 제조방법{CMP PAD CONDITIONER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Chemical mechanical polishing pad conditioner and its manufacturing method {CMP PAD CONDITIONER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 CMP 패드 컨디셔너 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 다이아몬드를 선택 증착하여 형성하는 CMP 패드 컨디셔너 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a CMP pad conditioner and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a CMP pad conditioner and a method for manufacturing the diamond formed by selective deposition.

반도체의 집적도가 높아짐에 따라 주요 공정인 웨이퍼의 평탄화 공정에서 기존공정을 대체하여 화학적 기계적 연마(CMP; Chemical Mechanical Polishing) 공정이 필연적으로 채택되고 있다. CMP 공정은 화학적인 식각과 기계적인 연마공정 효과를 동시에 이용하는 공정으로 연마패드(pad) 위에 연마입자와 화학용액이 혼합된 연마액(slurry)을 공급하며, 패드 위에 웨이퍼를 가압접촉하고 연마하는 공정이다.As the degree of integration of semiconductors increases, a chemical mechanical polishing (CMP) process is inevitably adopted in place of the existing process in the planarization of wafers, which is a main process. The CMP process is a process that uses the effects of chemical etching and mechanical polishing process at the same time. It supplies a slurry of abrasive particles and chemical solution mixed on the polishing pad, and pressurizes and polishes the wafer on the pad. to be.

연마패드는 일반적으로 폴리우레탄으로 구성되며 수많은 기공들을 함유하고 있어, 이 기공들이 연마입자를 포함한 연마액을 담아 유지하는 역할을 하게 된다. 그런데 연마가 진행됨에 따라 패드도 변형되어 연마액을 지속적으로 유지 공급하지 못하여 원할한 연마의 수행이 어렵게 된다. 이를 해결하기 위하여 컨디셔너를 사용하여 패드 표면을 미세하게 연마하여 패드의 기공이 재차 표면에 노출될 수 있도록 하는 공정이 필요한데, 이를 컨디셔닝 공정이라 하고, 이에 사용되는 기구를 컨디셔너라 부른다. The polishing pad is generally made of polyurethane and contains a large number of pores, and these pores serve to hold and hold the polishing liquid including abrasive particles. However, as the polishing progresses, the pad is also deformed, so that the polishing liquid cannot be continuously maintained and thus it is difficult to perform smooth polishing. In order to solve this problem, a process of finely polishing the pad surface using a conditioner to expose the pores of the pad to the surface again is called a conditioning process, and the apparatus used therein is called a conditioner.

일반적으로 사용되는 컨디셔너는 도 1에 보여지는 바와 같이, 약 150 내지 250 μm 크기의 다이아몬드 입자들(6)을 스테인레스 스틸 판 등으로 이루어진 몸체(2) 위에 분산 고정시킨 것을 사용한다. 이때 다이아몬드 입자의 고정은 전착방식이나, 저융점 금속 패이스트(paste, 4)를 용융시켜 다이아몬드 입자를 고정하는 브레이징 방법으로 이루어진다. A commonly used conditioner uses, as shown in FIG. 1, a dispersion-fixed diamond particle 6 of about 150 to 250 μm on a body 2 made of stainless steel plate or the like. In this case, the diamond particles are fixed by electrodeposition, or a brazing method of fixing the diamond particles by melting the low melting metal paste 4.

한편, 컨디셔닝 공정은 생산성을 높이기 위해 CMP 공정과 동시에 진행된다.　이를 실시간 콘디셔닝(in-situ conditioning) 공정이라 한다. 이 경우,　컨디셔너는 CMP 환경에 노출된다. CMP 작업에 사용되는 연마입자는 실리카(silica), 알루미나(alumina), 세리아(ceria) 등이며 화학용액은 연마 대상이 산화물이냐 금속이냐에 따라 산도(PH)가 10 내지 12인 알칼리 용액과 4 이하인 산성용액을 사용한다. The conditioning process, on the other hand, proceeds simultaneously with the CMP process to increase productivity. This is called a real-time conditioning process. In this case, the conditioner is exposed to a CMP environment. The abrasive particles used in CMP work are silica, alumina, ceria, etc.The chemical solution is an alkaline solution with an acidity (PH) of 10 to 12 or less depending on whether the object is an oxide or a metal. Use acidic solution.

따라서, 실시간 컨디셔닝을 하는 경우 용액과의 접촉에 의한 컨디셔너의 부식도 함께 진행된다. 다이아몬드를 잡아주던 금속과의 계면의 부식으로 인해 다이아몬드 입자의 탈락이 발생하며, 탈락된 다이아몬드 입자에 의해 웨이퍼에 스크래치 발생 등 결함이 유발되어 불량을 유발하는 결정적인 원인을 제공한다. 또한, 컨디셔너 금속의 부식에 의한 금속 오염물이 웨이퍼를 오염시켜 반도체 성능에 악영향을 주게 된다. Therefore, in real time conditioning, the corrosion of the conditioner by contact with the solution also proceeds. Diamond particles fall off due to corrosion of the interface with the metal that holds the diamond, and defects such as scratches on the wafer are caused by the dropped diamond particles, thereby providing a decisive cause of failure. In addition, metal contaminants due to corrosion of the conditioner metal contaminate the wafer and adversely affect semiconductor performance.

이러한 부식문제를 방지하고자 기존 방식의 컨디셔너의 표면을 내부식성이 강한 비정질탄소(diamond-like carbon) 막으로 코팅하는 방법, 다이아몬드 입자를 기판 위에 분산시키고 다이아몬드 박막을 코팅하여 고정시키는 방법 등이 제안되었으나, 충분한 효과를 기대하기 힘들다. In order to prevent this corrosion problem, a method of coating the surface of the conventional conditioner with a highly corrosion-resistant diamond-like carbon film, a method of dispersing diamond particles on a substrate and coating and fixing a diamond thin film has been proposed. It is hard to expect a sufficient effect.

이와는 달리, 한국 등록특허 제0387954호, 제1072384호에서는 세라믹이나 초경 몸체 표면에 수십 μm 크기의 작은 돌기가 돌출하도록 가공하고 그 위에 다이아몬드 박막을 화학기상증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition)으로 증착하여 그 돌기가 기존 컨디셔너의 다이아몬드 입자의 역할을 하게 하고 금속의 부식으로 인한 부작용을 근본적으로 차단하는 방법이 제안되었다. 그러나, 이 방법 역시 여러 문제점을 가지고 있는데, 크게 다이아몬드 코팅에서 발생하는 문제와 몸체의 가공에서 기인한 문제로 나눌 수 있다. On the contrary, in Korean Patent Nos. 0387954 and 1072384, a small protrusion of several tens of μm in size is projected on a ceramic or cemented carbide body surface, and a diamond thin film is deposited thereon by chemical vapor deposition (CVD). A method has been proposed that allows the protrusion to act as a diamond particle of an existing conditioner and fundamentally block side effects due to corrosion of the metal. However, this method also has several problems, which can be largely divided into problems caused by diamond coating and problems due to the processing of the body.

이 방법에서는 다이아몬드 박막을 약 10 μm 이상의 코팅을 하게 되는데 코팅에서 나오는 문제를 살펴보면 다음과 같다. 다이아몬드 박막은 일반적으로 매우 큰 잔류응력 등 여러 가지 이유로 인해 증착하려는 기판과의 밀착력이 약하다. 따라서, 도 2에 보여지는 바와 같이, 컨디셔닝 공정 중 다이아몬드와 기판과의 계면에 걸리는 응력에 의해 다이아몬드막의 박리가 발생할 가능성이 있으며, 박리된 다이아몬드막은 웨이퍼에 기계적인 결합을 발생시킬 가능성이 있다. In this method, a diamond thin film is coated over 10 μm. The problems of coating are as follows. Diamond films generally have poor adhesion to the substrate to be deposited for a variety of reasons, including very large residual stresses. Therefore, as shown in FIG. 2, the diamond film may be peeled off due to the stress applied to the interface between the diamond and the substrate during the conditioning process, and the peeled diamond film may cause mechanical bonding to the wafer.

다이아몬드 박막을 웨이퍼 상에 코팅하는 경우 일반적으로 직경방향으로 약 10 %의 두께 편차가 발생한다. 몸체에 돌기 등 최종형상을 가공한 후 다이아몬드 막을 코팅할 경우의 몸체 중앙과 외경부의 두께 편차를 줄이기 힘들다. 또한, 다이아몬드막의 큰 잔류응력은 일반적으로 기판의 휨 현상을 발생시킨다.　 따라서, 돌기가 제작된 세라믹이나 초경몸체가 평탄하다고 해도 후공정인 다이아몬드 박막을 코팅하는 공정에서 다이아몬드 박막의 잔류응력으로 인해 몸체의 휨 현상이 발생한다. 이로 인해 표면 평탄도가 요구되는 컨디셔너의 사양에 문제를 야기시키게 된다.Coating a diamond thin film on a wafer generally results in a thickness variation of about 10% in the radial direction. After processing the final shape such as protrusion on the body, it is difficult to reduce the thickness variation in the center of the body and the outer diameter when coating the diamond film. In addition, the large residual stress of the diamond film generally causes warpage of the substrate. Therefore, even if the ceramic or the cemented body made of the projection is flat, the bending of the body occurs due to the residual stress of the diamond thin film in the process of coating the diamond thin film which is a post process. This causes problems in the specification of the conditioner where surface flatness is required.

또한, 돌기 가공에서 발생할 수 있는 문제들은 다음과 같다. 다이아몬드 박막의 코팅은 약 900 oC 이상의 고온에서 이루어진다. 이 경우, 코팅이 가능한 몸체는 세라믹이나 고융점 금속에 해당하는데 이러한 소재들은 취성이 약하다. 따라서, 기계가공으로 수십 μm의 돌기를 형성하는 과정에서 칩핑(chipping) 등 가공상의 여러 문제를 야기한다. In addition, problems that may occur in the projection process are as follows. Coating of the diamond film is carried out at a high temperature of about 900 o C or more. In this case, the coatable body corresponds to a ceramic or high melting point metal and these materials are brittle. Therefore, in the process of forming the projections of several tens of micrometers by machining, a variety of processing problems such as chipping (chipping) causes.

KR10-0387954 B1KR10-0387954 B1 KR10-1072384 B1KR10-1072384 B1

이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 안정성을 확보한 CMP 패드 컨디셔너를 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem of the present invention was conceived in this respect, and an object of the present invention is to provide a CMP pad conditioner with stability.

본 발명의 다른 목적은 상기 CMP 패드 컨디셔너를 용이하게 제조하는 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method for easily manufacturing the CMP pad conditioner.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 CMP 패드 컨디셔너는, 기판; 상기 기판의 표면에 형성된 다이아몬드 박막; 및 상기 다이아몬드 박막 상에 매트릭스(matrix) 형태로 배열되고 다이아몬드로 이루어진 돌출부들을 포함한다.CMP pad conditioner according to an embodiment for realizing the above object of the present invention, the substrate; A diamond thin film formed on a surface of the substrate; And protrusions made of diamond and arranged in a matrix on the diamond thin film.

본 발명의 실시예에서, 상기 각 돌출부들은 기둥, 뿔 또는 뿔대 모양으로 일정하게 형성될 수 있다.In an embodiment of the present invention, each of the protrusions may be uniformly formed in the shape of a pillar, horn or horn.

본 발명의 실시예에서, 상기 기판은 세라믹 또는 고융점 금속 중 하나로 이루어질 수 있다. 상기 세라믹은 질화규소(silicon nitride), 탄화규소(silicon carbide) 및 규소(Si) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 고융점 금속은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 및 초경합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the substrate may be made of one of a ceramic or a high melting point metal. The ceramic may include at least one of silicon nitride, silicon carbide, and silicon, and the high melting point metal may include at least one of molybdenum (Mo), tungsten (W), and cemented carbide. have.

본 발명의 실시예에서, 상기 다이아몬드 박막은 1 μm 내지 9 μm의 두께를 가질 수 있다.In an embodiment of the present invention, the diamond thin film may have a thickness of 1 μm to 9 μm.

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법은, 기판 상에 다이아몬드 박막을 형성하는 단계; 매트릭스(matrix) 형태의 개구부(opening)를 갖는 마스크(mask)를 상기 다이아몬드 박막 상에 위치시키는 단계; 상기 마스크 상에 다이아몬드를 증착하여 상기 다이아몬드 박막 상에 상기 개구부에 대응하는 돌출부들을 형성하는 단계; 및 상기 마스크를 제거하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a CMP pad conditioner manufacturing method comprising: forming a diamond thin film on a substrate; Positioning a mask having a matrix-shaped opening on the diamond film; Depositing diamond on the mask to form protrusions corresponding to the opening on the diamond thin film; And removing the mask.

본 발명의 실시예에서, 상기 기판 상에 다이아몬드 박막을 형성하는 단계는, 핫 필라멘트 화학기상증착법(hot filament CVD) 또는 플라즈마 화학기상증착법(PACVD)으로 상기 다이아몬드 박막을 코팅할 수 있다.In an embodiment of the present invention, forming the diamond thin film on the substrate may be coated with the diamond thin film by hot filament CVD or plasma chemical vapor deposition (PACVD).

본 발명의 실시예에서, 상기 CMP 패드 컨디셔너 제조방법은 상기 마스크를 제작하는 단계를 더 포함하며, 상기 마스크는 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 및 흑연 중 하나로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 마스크를 제작하는 단계는, 레이저, 마이크로 드릴, 또는 미소 방전가공 중 하나를 이용하여 상기 마스크에 도트 어레이를 형성할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the CMP pad conditioner manufacturing method further comprises the step of manufacturing the mask, the mask may be made of one of molybdenum (Mo), tungsten (W) and graphite. In this case, in the manufacturing of the mask, a dot array may be formed on the mask by using one of laser, micro drill, or micro discharge machining.

본 발명의 실시예에서, 상기 CMP 패드 컨디셔너 제조방법은 상기 마스크 상에 증착된 다이아몬드를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.In an embodiment of the present invention, the CMP pad conditioner manufacturing method may further include removing diamond deposited on the mask.

상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 다른 실시예에 따른 CMP 패드 컨디셔너 제조방법은, 다이아몬드 기판을 준비하는 단계; 매트릭스(matrix) 형태의 개구부(opening)를 갖는 마스크(mask)를 상기 다이아몬드 기판 상에 위치시키는 단계; 상기 마스크 상에 다이아몬드를 증착하여 상기 다이아몬드 기판 상에 상기 개구부에 대응하는 돌출부들을 형성하는 단계; 및 상기 마스크를 제거하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a CMP pad conditioner manufacturing method comprising: preparing a diamond substrate; Placing a mask on the diamond substrate, the mask having an opening in the form of a matrix; Depositing diamond on the mask to form protrusions corresponding to the opening on the diamond substrate; And removing the mask.

이와 같은 CMP 패드 컨디셔너 및 그 제조방법에 따르면, 선택 증착을 이용하여 CMP 패드 컨디셔너를 형성하므로, 종래 컨디셔너의 다이아몬드의 박리 및 기판의 휨 문제를 근본적으로 해결할 수 있다. 따라서, 상기 CMP 패드 컨디셔너는 실시간 컨디셔닝 공정 조건에서 우수한 성능을 발휘하므로, 반도체 제조의 안정성 및 생산성을 증가시킬 수 있다. According to such a CMP pad conditioner and a manufacturing method thereof, since the CMP pad conditioner is formed using selective deposition, it is possible to fundamentally solve the problem of peeling of the diamond and warping of the substrate of the conventional conditioner. Therefore, since the CMP pad conditioner exhibits excellent performance under real-time conditioning process conditions, it is possible to increase the stability and productivity of semiconductor manufacturing.

또한, 컨디셔너의 제작공정을 단순화하여 컨디셔너의 생산성을 증가시킬 수 있으므로, 제조 수율을 증가시킬 수 있다.　 In addition, since the manufacturing process of the conditioner can be simplified to increase the productivity of the conditioner, the manufacturing yield can be increased.

도 1은 종래의 CMP 패드 컨디셔너의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 패드 컨디셔너의 사시도이다.
도 3은 도 2의 CMP 패드 컨디셔너의 I-I' 라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4a 내지 도 4e는 도 2의 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법을 설명하는 단면도들이다.
도 5는 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법에 사용되는 마스크의 평면도이다.1 is a cross-sectional view of a conventional CMP pad conditioner.
2 is a perspective view of a CMP pad conditioner according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of the CMP pad conditioner of FIG. 2.
4A to 4E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the CMP pad conditioner of FIG. 2.
5 is a plan view of a mask used in a method of manufacturing a CMP pad conditioner.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 패드 컨디셔너 및 그 제조방법의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the chemical mechanical polishing (CMP) pad conditioner of the present invention and a method of manufacturing the same will be described in more detail.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 패드 컨디셔너의 사시도이다. 도 3은 도 2의 CMP 패드 컨디셔너의 I-I' 라인을 따라 절단한 단면도이다.2 is a perspective view of a CMP pad conditioner according to an embodiment of the present invention. 3 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of the CMP pad conditioner of FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 CMP 패드 컨디셔너(1)는 기판(11), 다이아몬드 박막(12) 및 상기 다이아몬드 박막(12) 상에 돌출되어 형성된 돌출부들(15)를 포함한다.2 and 3, the CMP pad conditioner 1 according to the embodiment of the present invention includes a substrate 11, a diamond thin film 12, and protrusions 15 protruding from the diamond thin film 12. It includes.

상기 기판(11)은 이후 상기 다이아몬드 박막(12)의 코팅온도인 900 oC에서 안정하고 다이아몬드와의 밀착력을 확보할 수 있는 세라믹 또는 고융점 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(11)은 약 10 cm의 직경 및 약 3 mm의 두께를 가진 세라믹 기판일 수 있다.The substrate 11 is then 900 is the coating temperature of the diamond thin film 12 o It can be made of a ceramic or high melting point metal that is stable at C and can secure adhesion to diamond. For example, the substrate 11 may be a ceramic substrate having a diameter of about 10 cm and a thickness of about 3 mm.

예를 들어, 상기 기판(11)이 세라믹으로 이루어진 경우 질화규소(silicon nitride), 탄화규소(silicon carbide) 또는 규소(Si)를 포함할 수 있고, 상기 기판(11)이 고융점 금속으로 이루어진 경우 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 및 초경합금을 포함할 수 있다. For example, when the substrate 11 is made of ceramic, it may include silicon nitride, silicon carbide, or silicon (Si), and when the substrate 11 is made of high melting point metal, molybdenum (Mo), tungsten (W) and cemented carbide.

상기 다이아몬드 박막(12)은 상기 기판(11)의 표면에 형성되고, 상기 기판(11)의 휨을 최소화하고, 박리가 발생하지 않는 두께로 형성된다. 상기 다이아몬드 박막(12)은 약 10 μm 미만의 두께로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 약 1 μm의 두께를 가질 수 있다. The diamond thin film 12 is formed on the surface of the substrate 11, minimizes the warpage of the substrate 11, is formed to a thickness that does not occur peeling. The diamond thin film 12 may be formed to a thickness of less than about 10 μm, for example, may have a thickness of about 1 μm.

상기 다이아몬드 박막(12)의 역할은 실시간 컨디셔닝 중 발생가능한 기판의 화학적, 기계적인 연마를 방지하기 위함이다. 따라서, 원하는 목적에 따라 상기 다이아몬드 박막(12)의 두께를 달리할 수 있으나, 막이 두꺼울 경우 상기 다이아몬드 박막(12)의 잔류응력으로 인한 기판의 휨 현상이나 박막의 박리가 발생할 가능성이 있으므로 주의가 요구된다. The role of the diamond thin film 12 is to prevent chemical and mechanical polishing of the substrate which may occur during real time conditioning. Therefore, although the thickness of the diamond thin film 12 may be varied according to a desired purpose, attention may be required because a thick film may cause bending of the substrate or peeling of the thin film due to residual stress of the diamond thin film 12. do.

상기 다이아몬드 박막(12)은 증착 조건에 따라 마이크로 다이아몬드 박막과 나노 다이아몬드 박막으로 나누어진다. 나노 다이아몬드 박막의 경우 잔류응력이 매우 낮아 기판의 휨이나 막의 박리 방지에 유리하다. The diamond thin film 12 is divided into a micro diamond thin film and a nano diamond thin film according to deposition conditions. In the case of the nanodiamond thin film, the residual stress is very low, which is advantageous in preventing warpage of the substrate or peeling of the film.

상기 돌출부들(15)은 다이아몬드로 이루어져 있으며, 상기 다이아몬드 박막(12) 상에 매트릭스 형태(matrix)로 배열된다. 상기 다이아몬드 박막(12) 상에는 상기 돌출부들(15)에 의해 격자(grid) 모양의 홈(groove, 13)이 형성된다. The protrusions 15 are made of diamond, and are arranged in a matrix on the diamond thin film 12. On the diamond thin film 12, grid-shaped grooves 13 are formed by the protrusions 15.

상기 돌출부들(15)은 일정한 모양으로 형성되며, 일정한 간격으로 배열될 수 있다. 상기 돌출부들(15)는 기둥, 뿔, 또는 뿔대 모양을 가질 수 있고, 예를 들어, 원기둥, 다각기둥, 원뿔대 또는 다각뿔대 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다.The protrusions 15 may be formed in a predetermined shape and arranged at regular intervals. The protrusions 15 may have a pillar, horn, or horn shape, and may be formed in various shapes such as, for example, a cylinder, a polygonal pillar, a truncated cone or a polygonal truncated cone.

상기 돌출부들(15)는 일정한 높이와 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 돌출부들(15)는 원뿔대 모양을 가지며, 직경은 약 100 μm이고, 높이는 약 80 μm일 수 있다.The protrusions 15 may have a constant height and size. For example, the protrusions 15 may have a truncated cone shape, a diameter of about 100 μm, and a height of about 80 μm.

본 실시예에서는 상기 기판(11) 상에 상기 다이아몬드 박막(12)을 형성하였으나, 상기 기판(11) 및 상기 다이아몬드 박막(12) 대신 하나의 다이아몬드 기판(미도시)을 사용할 수도 있다. 이 경우, 상기 돌출부들(15)은 상기 다이아몬드 기판 상에 형성된다.In the present exemplary embodiment, the diamond thin film 12 is formed on the substrate 11, but one diamond substrate (not shown) may be used instead of the substrate 11 and the diamond thin film 12. In this case, the protrusions 15 are formed on the diamond substrate.

상기 다이아몬드 기판은 화학기상증착을 이용하여 합성할 수 있으며, 핫 필라민트 화학증착법(hot filament CVD), 마이크로웨이브 플라즈마 화학증착법(microwave PACVD) 등 다이아몬드를 합성할 수 있는 모든 방법에 의해 가능하다.The diamond substrate may be synthesized using chemical vapor deposition, and may be synthesized by any method capable of synthesizing diamond, such as hot filament CVD and microwave plasma CVD.

상기 CMP 패드 컨디셔너(1)는 필요한 크기로 절단되어 컨디셔닝 장비와 결합되는 몸체부(미도시)에 부착되어 절삭부로 사용될 수 있다. 상기 몸체부는 스테인레스스틸, 엔지니어링 플라스틱, 세라믹 중 하나의 물질로 형성될 수 있다.The CMP pad conditioner 1 may be cut into a required size and attached to a body portion (not shown) coupled with the conditioning equipment to be used as a cutting portion. The body portion may be formed of one of stainless steel, engineering plastics, and ceramics.

본 발명에 따른 상기 CMP 패드 컨디셔너는 상기 다이아몬드 박막 상에 다이아몬드로 형성된 돌출부들이 형성되므로, CMP 공정 중 발생할 수 있는 컨디셔너의 부식, 기판의 휨 현성 및 다이아몬드의 탈착을 방지할 수 있다. In the CMP pad conditioner according to the present invention, protrusions formed of diamond are formed on the diamond thin film, thereby preventing corrosion of the conditioner, bending property of the substrate, and desorption of diamond, which may occur during the CMP process.

따라서, 반도체 제조의 불량률을 개선하여 생산성을 증가시킬 수 있다. 또한, 상기 CMP 패드 컨디셔너를 재사용할 수 있으므로 경제적으로나 환경적으로 활용성이 우수하다.
Therefore, it is possible to improve productivity by improving the defective rate of semiconductor manufacturing. In addition, since the CMP pad conditioner can be reused, it is economically and environmentally superior.

이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 CMP 패드 컨디셔너(1)의 제조 방법을 설명한다.Hereinafter, a manufacturing method of the CMP pad conditioner 1 according to an embodiment of the present invention will be described.

도 4a 내지 도 4e는 도 2의 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법을 설명하는 단면도들이다. 도 5는 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법에 사용되는 마스크의 평면도이다.4A to 4E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the CMP pad conditioner of FIG. 2. 5 is a plan view of a mask used in a method of manufacturing a CMP pad conditioner.

도 4a를 참조하면, 평탄한 기판(11)을 준비한다. 상기 기판(11)은 이후 상기 다이아몬드 박막(12)의 코팅온도인 900 oC에서 안정하고 다이아몬드와의 밀착력을 확보할 수 있는 세라믹 또는 고융점 금속으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(11)은 약 10 cm의 직경 및 약 3 mm의 두께를 가진 세라믹 기판일 수 있다.Referring to FIG. 4A, a flat substrate 11 is prepared. The substrate 11 is then 900 is the coating temperature of the diamond thin film 12 o It can be made of a ceramic or high melting point metal that is stable at C and can secure adhesion to diamond. For example, the substrate 11 may be a ceramic substrate having a diameter of about 10 cm and a thickness of about 3 mm.

상기 기판(11)이 세라믹으로 이루어진 경우 질화규소(silicon nitride), 탄화규소(silicon carbide), 또는 규소(Si)를 포함할 수 있고, 상기 기판(11)이 고융점 금속으로 이루어진 경우 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 및 초경합금을 포함할 수 있다. When the substrate 11 is made of ceramic, it may include silicon nitride, silicon carbide, or silicon (Si), and when the substrate 11 is made of a high melting point metal, molybdenum (Mo) , Tungsten (W) and cemented carbide.

상기 기판(11)을 평탄하게 래핑(lapping)하고, 표면을 일반적인 샌딩(sanding) 처리할 수 있다. 이러한 처리는 후속 공정인 다이아몬드 증착 공정에서 다이아몬드와의 밀착력을 확보하기 위함이다.The substrate 11 may be flatly wrapped, and the surface may be sanded. This treatment is to secure the adhesion with the diamond in the subsequent diamond deposition process.

도 4b를 참조하면, 상기 기판(11) 상에 다이아몬드 박막(12)을 형성한다.Referring to FIG. 4B, a diamond thin film 12 is formed on the substrate 11.

상기 다이아몬드 박막(12)은 상기 기판(11)의 표면에 형성되고, 상기 기판(11)의 휨을 최소화하고, 박리가 발생하지 않는 두께로 형성된다. 상기 다이아몬드 박막(12)은 약 10 μm 미만의 두께로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 약 1 μm의 두께를 가질 수 있다. The diamond thin film 12 is formed on the surface of the substrate 11, minimizes the warpage of the substrate 11, is formed to a thickness that does not occur peeling. The diamond thin film 12 may be formed to a thickness of less than about 10 μm, for example, may have a thickness of about 1 μm.

상기 다이아몬드 박막(12)은 핫 필라멘트 화학기상증착법(hot filament CVD) 또는 플라즈마 화학기상증착법(PACVD)으로 상기 기판(11) 상에 코팅될 수 있다. 상기 다이아몬드 박막(12)의 역할은 실시간 컨디셔닝 중 발생가능한 기판의 화학적, 기계적인 연마를 방지하기 위함이다. The diamond thin film 12 may be coated on the substrate 11 by hot filament CVD or plasma chemical vapor deposition (PACVD). The role of the diamond thin film 12 is to prevent chemical and mechanical polishing of the substrate which may occur during real time conditioning.

따라서, 원하는 목적에 따라 상기 다이아몬드 박막(12)의 두께를 달리할 수 있으나, 막이 두꺼울 경우 상기 다이아몬드 박막(12)의 잔류응력으로 인한 기판의 휨 현상이나 박막의 박리가 발생할 가능성이 있어 주의가 요구된다. Therefore, although the thickness of the diamond thin film 12 may be varied according to a desired purpose, if the film is thick, there is a possibility that warpage of the substrate or peeling of the thin film may occur due to the residual stress of the diamond thin film 12. do.

상기 다이아몬드 박막(12)은 증착 조건에 따라 마이크로 다이아몬드 박막과 나노 다이아몬드 박막으로 나누어진다. 나노 다이아몬드 박막의 경우 잔류응력이 매우 낮아 기판의 휨이나 막의 박리 방지에 유리하다. The diamond thin film 12 is divided into a micro diamond thin film and a nano diamond thin film according to deposition conditions. In the case of the nanodiamond thin film, the residual stress is very low, which is advantageous in preventing warpage of the substrate or peeling of the film.

예를 들어, 상기 다이아몬드 박막(12)은 핫 필라멘트 화학기상증착법을 사용하여 증착하고, 증착 조건은 필라멘트 온도 약 2100 oC, 기판온도 약 900 oC, 기체 조성 수소 - 2 % 메탄, 증착압력 약 40 torr일 수 있다. For example, the diamond thin film 12 is deposited using a hot filament chemical vapor deposition method, the deposition conditions are filament temperature about 2100 o C, substrate temperature about 900 o C, gas composition hydrogen-2% methane, deposition pressure about It can be 40 torr.

도 4c를 참조하면, 상기 다이아몬드 박막(12)이 형성된 상기 기판(11) 상에 마스크(mask, 30)를 위치시킨다. 상기 마스크(30)는 상기 다이아몬드 박막(12)의 표면에 밀착되어 위치할 수 있다. Referring to FIG. 4C, a mask 30 is positioned on the substrate 11 on which the diamond thin film 12 is formed. The mask 30 may be in close contact with the surface of the diamond thin film 12.

상기 마스크(30)에는 원하는 모양의 돌출부들(15)을 형성하기 위한 매트릭스(matrix) 형태의 개구부(opening, 35)가 형성되어 있다. 상기 개구부(35)는 일정한 크기와 모양을 가지며, 일정한 간격으로 형성될 수 있다. 상기 개구부(35)는 원형, 사각형, 삼각형 등 다양한 형태로 형성될 수 있다.The mask 30 is formed with an opening 35 in the form of a matrix for forming the protrusions 15 having a desired shape. The opening 35 has a predetermined size and shape and may be formed at regular intervals. The opening 35 may be formed in various shapes such as a circle, a rectangle, and a triangle.

상기 마스크(30)는 원형 모양이나 사각형 모양 등 다양한 모양을 가질 수 있으며, 바람직하게는 상기 기판(11)과 동일한 모양을 가진다. 상기 마스크(30)는 본 발명의 CMP 패드 컨디셔너(1)를 제조하기 위해 용도에 맞게 제작되어 사용될 수 있다.The mask 30 may have various shapes such as a circular shape or a square shape, and preferably has the same shape as the substrate 11. The mask 30 may be manufactured and used for the purpose of manufacturing the CMP pad conditioner 1 of the present invention.

상기 기판(11) 상에 상기 마스크(30)를 위치시키고, 다이아몬드를 증착해야 하므로 상기 마스크(30) 재료는 다이아몬드가 증착되는 약 900 oC에서 안정해야 한다. 따라서, 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등의 고융점 금속이나 흑연 등을 마스크 재료로 사용할 수 있다.Since the mask 30 must be placed on the substrate 11 and diamond deposited, the mask 30 material is about 900 where the diamond is deposited. o Must be stable at C Therefore, high melting point metals, such as molybdenum (Mo) and tungsten (W), graphite, etc. can be used as a mask material.

몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 등의 고융점 금속은 약 0.1 mm 두께 단위의 포일(foil)이 시판되고 있어 쉽게 사용이 가능하고, 흑연은 판상 가공이 용이하여 쉽게 적용이 가능하다. 예를 들어, 약 0.5 mm 두께 또는 약 1 mm 두께의 금속 포일 또는 약 1 mm 두께의 흑연을 마스크로 채택할 수 있다.High-melting point metals such as molybdenum (Mo) and tungsten (W) are easily commercially available due to the commercially available foil having a thickness unit of about 0.1 mm, and graphite can be easily applied because of its plate-like processing. For example, about 0.5 mm thick or about 1 mm thick metal foil or about 1 mm thick graphite may be employed as a mask.

도 5는 상기 마스크(30)의 일례를 보여주는 평면도이다. 예를 들어, 상기 마스크(30)는 두께 약 1 mm 두께의 흑연으로 형성되며, 원형의 개구부(35), 즉, 홀(hole)이 약 1 mm 간격으로 형성될 수 있다. 5 is a plan view showing an example of the mask 30. For example, the mask 30 may be formed of graphite having a thickness of about 1 mm, and a circular opening 35, that is, holes may be formed at intervals of about 1 mm.

본 실시예에서, 상기 매트릭스 형태의 개구부(35)를 형성하기 위해 상기 흑연 마스크에 레이저를 이용하여 도트 어레이(dot array)를 형성하였다. 그러나, 레이저뿐만 아니라 마이크로 드릴 또는 미소 방전가공 등 다양한 방법을 이용하여 상기 개구부(35)를 형성할 수 있다.In the present embodiment, a dot array is formed using a laser in the graphite mask to form the matrix openings 35. However, the opening 35 may be formed using various methods such as micro drill or micro discharge machining as well as a laser.

또한, 상기 개구부(35)로서 원형의 홀을 택한 이유는 원기둥 형태의 돌출부들을 만들기 위함이나, 목적에 따라 삼각형, 사각형 등 다양한 형태를 선택할 수 있다.In addition, the reason why the circular hole is selected as the opening 35 is to make cylindrical protrusions, but various shapes such as triangle and square may be selected according to the purpose.

도 4d를 참조하면, 상기 기판(11) 상에 마스크(30)를 위치시킨 상태에서 다이아몬드를 증착한다.Referring to FIG. 4D, diamond is deposited while the mask 30 is positioned on the substrate 11.

상기 기판(11) 상에 마스크(30)를 위치시킨 상태에서 다이아몬드를 증착하므로, 상기 마스크(30)의 개구부(35)에 다이아몬드가 채워진다. 따라서, 상기 마스크(30)의 개구부(35)에 대응하는 돌출부들(15)이 형성된다. 상기 개구부(35)이 매트릭스 형태를 가지므로, 상기 돌출부들(15) 역시 매트릭스 형태로 형성된다.Since the diamond is deposited in a state where the mask 30 is placed on the substrate 11, the diamond is filled in the opening 35 of the mask 30. Accordingly, the protrusions 15 corresponding to the openings 35 of the mask 30 are formed. Since the opening 35 has a matrix form, the protrusions 15 are also formed in a matrix form.

상기 다이아몬드의 증착은 상기 다이아몬드 박막(12)과 같이 핫 필라멘트 화학기상증착법(hot filament CVD) 또는 플라즈마 화학기상증착법(PACVD)을 이용할 수 있다. 마찬가지로, 핫 필라멘트 화학기상증착법을 사용하여 증착할 경우, 증착 조건은 예를 들어, 필라멘트 온도 약 2100 oC, 기판온도 약 900 oC, 기체 조성 수소 - 2 % 메탄, 증착압력 약 40 torr일 수 있다. The diamond may be deposited using hot filament CVD or plasma chemical vapor deposition (PACVD), like the diamond thin film 12. Likewise, when deposited using hot filament chemical vapor deposition, the deposition conditions can be, for example, a filament temperature of about 2100 o C, a substrate temperature of about 900 o C, gas composition hydrogen-2% methane, and a deposition pressure of about 40 torr. have.

상기 다이아몬드의 증착시키는 경우, 상기 마스크(30)와 접촉하는 상기 다이아몬드 박막(12) 상에는 증착이 일어나지 않고, 상기 마스크(30)의 개구부(35)에만 증착이 일어난다. In the case of depositing the diamond, deposition does not occur on the diamond thin film 12 in contact with the mask 30, and deposition occurs only in the opening 35 of the mask 30.

다만, 상기 마스크(30) 상에도 증착이 일어날 수 있다. 특히, 상기 마스크(30)를 반복적으로 사용하는 경우 증착된 다이아몬드가 떨어지면서 상기 마스크(30)를 오염시킬 수 있다. 따라서, 상기 마스크(30) 상에 증착된 다이아몬드(40)는 불필요한 것으로 정기적으로 또는 비정기적으로 제거할 수 있다.However, deposition may also occur on the mask 30. In particular, when the mask 30 is used repeatedly, the deposited diamond may fall and contaminate the mask 30. Thus, the diamond 40 deposited on the mask 30 can be removed periodically or irregularly as unnecessary.

일 실시예에서, 상기 마스크(30)로서 금속 마스크를 사용하고, 필라멘트 화학기상증착 공정을 사용하는 경우, 필라멘트의 고온으로 인해 상기 마스크(30)의 두께 방향으로 온도차가 발생하여 상기 마스크(30)의 휨이 발생할 수 있다. 이러한 마스크(30)의 휨은 마스크(30)와 기판(11)의 밀착을 방해하여 원하는 곳에 다이아몬드의 증착을 방해할 수 있다. In one embodiment, when using a metal mask as the mask 30, and using a filament chemical vapor deposition process, a temperature difference occurs in the thickness direction of the mask 30 due to the high temperature of the filament to the mask 30 Warping may occur. Such warpage of the mask 30 may hinder the adhesion between the mask 30 and the substrate 11 and thus prevent the deposition of diamonds where desired.

예를 들어, 몰리브덴(Mo) 마스크의 두께가 약 0.5 mm 인 경우가　약 1 mm인 경우에 비해 휨현상이 작게 나타날 수 있는데, 이러한 문제는 마이크로웨이브 플라즈마 화학증착법(microwave PACVD) 등의 플라즈마 화학증착법 (PACVD)을 사용하는 경우 기판(11)을 별도로 가열함으로 해결할 수 있다. For example, when the thickness of the molybdenum (Mo) mask is about 0.5 mm, the warpage may appear smaller than when the thickness of the molybdenum (Mo) mask is about 1 mm, this problem is caused by plasma chemical vapor deposition (microwave PACVD), such as plasma chemical vapor deposition ( In the case of using PACVD, this can be solved by separately heating the substrate 11.

다른 실시예에서, 상기 마스크(30)로서 흑연 마스크를 사용하여 필라멘트 화학기상증착 공정을 사용하는 경우, 상기 몰리브덴(Mo) 마스크와는 달리 상기 마스크(30) 상에 다이아몬드의 증착이 관찰되지 않았다. In another embodiment, when using a filament chemical vapor deposition process using a graphite mask as the mask 30, no deposition of diamond was observed on the mask 30, unlike the molybdenum (Mo) mask.

이것은 반응기체인 수소에 의해 흑연이 식각되기 때문이라 판단된다. 또한, 다이아몬드 증착 중 상기 마스크(30)의 휨현상이　관찰되지 않았다. 따라서, 흑연 마스크의 사용이 공정면에서 금속 마스크에 비해 유리한 것으로 판단된다. This is considered to be because graphite is etched by hydrogen as a reactive gas. Further, the warpage phenomenon of the mask 30 was not observed during diamond deposition. Therefore, it is judged that the use of the graphite mask is advantageous over the metal mask in terms of process.

도 4e를 참조하면, 다이아몬드를 증착하여 상기 돌출부들(15)을 형성한 후, 상기 기판(11) 상에서 마스크(30)를 제거한다.Referring to FIG. 4E, after the diamonds are deposited to form the protrusions 15, the mask 30 is removed from the substrate 11.

상기 마스크(30)를 제거한 경우, 상기 마스크(30)의 개구부(35)에 대응하는 돌출부들(15)이 형성된다. 예를 들어, 상기 개구부(35)가 원형 형상을 갖고, 매트릭스 형태로 배열되었다면, 상기 각 돌출부들(15)은 원기둥 형태를 갖고, 상기 돌출부들(15)은 매트릭스 형태로 배열될 것이다.When the mask 30 is removed, protrusions 15 corresponding to the opening 35 of the mask 30 are formed. For example, if the opening 35 has a circular shape and is arranged in a matrix form, each of the protrusions 15 may have a cylindrical shape, and the protrusions 15 may be arranged in a matrix form.

본 실시예에서는 상기 기판(11) 상에 상기 다이아몬드 박막(12)을 형성하였으나, 상기 기판(11) 및 상기 다이아몬드 박막(12) 대신 하나의 다이아몬드 기판(미도시)을 사용할 수도 있다. 이 경우, 상기 돌출부들(15)은 상기 다이아몬드 기판 상에 형성된다.In the present exemplary embodiment, the diamond thin film 12 is formed on the substrate 11, but one diamond substrate (not shown) may be used instead of the substrate 11 and the diamond thin film 12. In this case, the protrusions 15 are formed on the diamond substrate.

상기 다이아몬드 기판은 화학기상증착을 이용하여 합성할 수 있으며, 핫 필라민트 화학증착법(hot filament CVD), 마이크로웨이브 플라즈마 화학증착법(microwave PACVD) 등 다이아몬드를 합성할 수 있는 모든 방법에 의해 가능하다.The diamond substrate may be synthesized using chemical vapor deposition, and may be synthesized by any method capable of synthesizing diamond, such as hot filament CVD and microwave plasma CVD.

상기 다이아몬드 기판을 이용하는 경우, 래핑 공정 외에 다이아몬드 박막을 증착하는 별도 공정이 필요하지 않다.In the case of using the diamond substrate, there is no need for a separate process of depositing a diamond thin film in addition to the lapping process.

본 발명에 따른 상기 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법은 선택 증착을 이용하여 제조공정을 단순화하므로, CMP 패드 컨디셔너의 생산성을 증가시킬 수 있고, 컨디셔너에서 유발될 수 있는 문제점을 해결하여 CMP 패드 컨디셔너의 안정성을 높일 수 있다.　 Since the manufacturing method of the CMP pad conditioner according to the present invention simplifies the manufacturing process by using selective deposition, it is possible to increase the productivity of the CMP pad conditioner and to solve the problems that may occur in the conditioner to improve the stability of the CMP pad conditioner. It can increase.

본 발명은 반도체의 필수제조공정 중 하나인 CMP 공정에 사용되는 핵심부품인 CMP 패드 컨디셔너에 대한 것이다. 본 발명에 의해 제작된 CMP 패드 컨디셔너는 종래 컨디셔너의 문제점을 해결하여 경제성 있는 컨디셔너의 제조가 가능하고, 반도체의 불량률을 개선할 수 있으며, 이에 따라 그 산업적 이용 가능성은 매우 클 것으로 판단된다. The present invention relates to a CMP pad conditioner, which is a key component used in the CMP process, which is one of semiconductor manufacturing processes. The CMP pad conditioner manufactured according to the present invention can solve the problems of the conventional conditioner, thereby making it possible to manufacture an economical conditioner, and improve the defect rate of the semiconductor, and thus, the industrial availability is considered to be very large.

1: CMP 패드 컨디셔너 11: 기판
12: 다이아몬드 박막 13: 홈
15: 돌출부들 30: 마스크
35: 개구부들1: CMP Pad Conditioner 11: Substrate
12: diamond thin film 13: groove
15: protrusions 30: mask
35: openings

Claims (11)

기판;
상기 기판의 표면에 형성된 다이아몬드 박막; 및
상기 다이아몬드 박막 상에 매트릭스(matrix) 형태로 배열되고 다이아몬드로 이루어진 돌출부들을 포함하는 CMP 패드 컨디셔너.
Board;
A diamond thin film formed on a surface of the substrate; And
CMP pad conditioner comprising protrusions made of diamond and arranged in a matrix (matrix) form on the diamond film.
제1항에 있어서,
상기 각 돌출부들은 기둥, 뿔 또는 뿔대 모양으로 일정하게 형성된 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너.
The method of claim 1,
The protrusions are CMP pad conditioner, characterized in that formed in a column, horn or horn shape.
제1항에 있어서,
상기 기판은 세라믹 또는 고융점 금속 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너.
The method of claim 1,
And the substrate is made of one of ceramic or high melting point metal.
제3항에 있어서,
상기 세라믹은 질화규소(silicon nitride), 탄화규소(silicon carbide) 및 규소(Si) 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 고융점 금속은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 및 초경합금 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너.
The method of claim 3,
The ceramic includes at least one of silicon nitride, silicon carbide, and silicon, and the high melting point metal includes at least one of molybdenum (Mo), tungsten (W), and cemented carbide. Featuring CMP pad conditioner.
제1항에 있어서,
상기 다이아몬드 박막은 1 μm 내지 9 μm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너.
The method of claim 1,
CMP pad conditioner, characterized in that the diamond film has a thickness of 1 μm to 9 μm.
기판 상에 다이아몬드 박막을 형성하는 단계;
매트릭스(matrix) 형태의 개구부(opening)를 갖는 마스크(mask)를 상기 다이아몬드 박막 상에 위치시키는 단계;
상기 마스크 상에 다이아몬드를 증착하여 상기 다이아몬드 박막 상에 상기 개구부에 대응하는 돌출부들을 형성하는 단계; 및
상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법.
Forming a diamond thin film on the substrate;
Positioning a mask having a matrix-shaped opening on the diamond film;
Depositing diamond on the mask to form protrusions corresponding to the opening on the diamond thin film; And
Removing the mask; and manufacturing the CMP pad conditioner.
제6항에 있어서, 상기 기판 상에 다이아몬드 박막을 형성하는 단계는,
핫 필라멘트 화학기상증착법(hot filament CVD) 또는 플라즈마 화학기상증착법(PACVD)으로 상기 다이아몬드 박막을 코팅하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법.
The method of claim 6, wherein the forming of the diamond thin film on the substrate comprises:
A method for producing a CMP pad conditioner, characterized in that the diamond film is coated by hot filament CVD or plasma chemical vapor deposition (PACVD).
제6항에 있어서,
상기 마스크를 제작하는 단계를 더 포함하며, 상기 마스크는 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W) 및 흑연 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법.
The method according to claim 6,
The method of manufacturing a CMP pad conditioner further comprises fabricating the mask, wherein the mask is made of one of molybdenum (Mo), tungsten (W) and graphite.
제8항에 있어서, 상기 마스크를 제작하는 단계는,
레이저, 마이크로 드릴, 또는 미소 방전가공 중 하나를 이용하여 상기 마스크에 도트 어레이를 형성하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법.
The method of claim 8, wherein the manufacturing of the mask comprises:
A method of manufacturing a CMP pad conditioner, comprising forming a dot array on the mask using one of laser, micro drill, or micro discharge machining.
제6항에 있어서,
상기 마스크 상에 증착된 다이아몬드를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법.
The method according to claim 6,
And removing the diamond deposited on the mask.
다이아몬드 기판을 준비하는 단계;
매트릭스(matrix) 형태의 개구부(opening)를 갖는 마스크(mask)를 상기 다이아몬드 기판 상에 위치시키는 단계;
상기 마스크 상에 다이아몬드를 증착하여 상기 다이아몬드 기판 상에 상기 개구부에 대응하는 돌출부들을 형성하는 단계; 및
상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는 CMP 패드 컨디셔너의 제조방법.Preparing a diamond substrate;
Placing a mask on the diamond substrate, the mask having an opening in the form of a matrix;
Depositing diamond on the mask to form protrusions corresponding to the opening on the diamond substrate; And
Removing the mask; and manufacturing the CMP pad conditioner.
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