KR20130068495A - Light emitting module and lightunit having the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A light emitting module and a light unit including the same are provided to increase the amount of incident light to a light guide plate, thereby improving brightness. CONSTITUTION: A plurality of first light emitting devices(101) is arranged as a first row on a substrate and emits a first light having a first average luminous intensity in a first direction. A plurality of second light emitting devices(102) is arranged as a second row on the substrate and emits a second light having a second average luminous intensity in the first direction. The second average luminous intensity is greater than the first average luminous intensity.

Description

발광 모듈 및 이를 구비한 라이트유닛{LIGHT EMITTING MODULE AND LIGHTUNIT HAVING THE SAME}LIGHT EMITTING MODULE AND LIGHTUNIT HAVING THE SAME}

실시 예는 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트유닛에 관한 것이다.Embodiments relate to a light emitting module and a light unit having the same.

발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.BACKGROUND ART A light emitting device, for example, a light emitting device (Light Emitting Device) is a type of semiconductor device that converts electrical energy into light, and has been widely recognized as a next generation light source in place of existing fluorescent lamps and incandescent lamps.

발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.Since the light emitting diode generates light by using a semiconductor element, the light emitting diode consumes very low power as compared with an incandescent lamp that generates light by heating tungsten, or a fluorescent lamp that generates ultraviolet light by impinging ultraviolet rays generated through high-pressure discharge on a phosphor .

또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.In addition, since the light emitting diode generates light using the potential gap of the semiconductor device, it has a longer lifetime, faster response characteristics, and an environment-friendly characteristic as compared with the conventional light source.

이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다. Accordingly, much research has been conducted to replace an existing light source with a light emitting diode, and a light emitting diode is increasingly used as a light source for various lamps used for indoor and outdoor use, lighting devices such as a liquid crystal display, an electric signboard, and a streetlight.

실시 예는 새로운 구조의 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module having a new structure.

실시 예는 제1평균광도를 갖는 제1열의 제1발광 소자와, 상기 제1광도보다 더 높은 제2평균광도를 갖는 제2열의 제2발광 소자를 포함하는 발광 모듈을 제공한다.The embodiment provides a light emitting module including a first light emitting device having a first average luminous intensity and a second light emitting device having a second average luminous intensity higher than the first luminous intensity.

실시 예는 제1평균광도를 갖고 도광판과 제1간격으로 이격된 복수의 제1발광 소자와, 상기 제2평균광도를 갖고 상기 도광판과 상기 제1간격보다 더 넓은 제2간격으로 이격된 복수의 제2발광 소자를 포함하는 라이트유닛을 제공한다. The embodiment may include a plurality of first light emitting devices having a first average brightness and spaced apart from the light guide plate at a first interval, and a plurality of first light emitting devices spaced at a second interval having a second average brightness and wider than the first light guide plate and the first interval. Provided is a light unit including a second light emitting device.

실시 예에 따른 발광 모듈은 기판; 상기 기판 위에 제1열로 배치되며 제1평균광도를 갖는 제1광을 제1방향으로 발광하는 복수의 제1발광 소자; 및 상기 기판 위에 상기 제1열로부터 이격된 제2열에 배치되고 인접한 상기 제1발광 소자들 사이의 영역으로 제2평균광도를 갖는 제2광을 제1방향으로 발광하며, 상기 제1평균광도와 다른 제2평균광도를 발광하는 복수의 제2발광 소자를 포함한다. The light emitting module according to the embodiment may include a substrate; A plurality of first light emitting devices disposed in the first row on the substrate and emitting first light having a first average brightness in a first direction; And emitting a second light having a second average light intensity in a first direction to a region between the first light emitting devices adjacent to each other and disposed in a second column spaced apart from the first column on the substrate. A plurality of second light emitting elements for emitting different second average luminance.

실시 예에 따른 라이트유닛은, 도광판; 및 상기 도광판의 입사 면에 대응되는 발광 모듈을 포함하며, 상기 발광 모듈은, 기판; 상기 기판 위에 상기 도광판의입사면과 제1간격을 갖고 제1평균광도를 갖는 제1광을 발광하는 복수의 제1발광 소자; 및 상기 기판 위에 상기 도광판의입사면과 제1간격보다 더 이격된 제2간격을 갖고 상기 제1평균광도와 다른 제2평균광도를 갖는 제2광을 발광하는 복수의 제2발광 소자를 포함한다.
Light unit according to the embodiment, the light guide plate; And a light emitting module corresponding to an incident surface of the light guide plate, wherein the light emitting module comprises: a substrate; A plurality of first light emitting devices emitting a first light having a first average brightness and a first distance from an incident surface of the light guide plate on the substrate; And a plurality of second light emitting devices on the substrate, the second light emitting devices emitting a second light having a second interval further spaced apart from the incident surface of the light guide plate and having a second average luminance different from the first average luminance. .

실시 예는 발광 소자의 수율을개선시켜 줄 수 있다.The embodiment can improve the yield of the light emitting device.

실시 예는 도광판에 입사되는 광량을 개선하여, 라이트유닛의휘도를 개선시켜 주는 효과가 있다.The embodiment has the effect of improving the amount of light incident on the light guide plate, thereby improving the brightness of the light unit.

실시 예는 발광 모듈 및 라이트유닛의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다. The embodiment can improve the reliability of the light emitting module and the light unit.

도 1은 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 3은 제1실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 4는 제2실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 5는 제3실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 6은 제4실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 7은 제5실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 8은 제6실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 칩을 나타낸 도면이다.1 is a perspective view illustrating a display device according to an exemplary embodiment.
2 is a view illustrating the light emitting module of FIG. 1.
3 is a plan view illustrating a light emitting module according to a first embodiment.
4 is a plan view illustrating a light emitting module according to a second embodiment.
5 is a plan view illustrating a light emitting module according to a third embodiment.
6 is a plan view illustrating a light emitting module according to a fourth embodiment.
7 is a plan view illustrating a light emitting module according to a fifth embodiment.
8 is a plan view illustrating a light emitting module according to a sixth embodiment.
9 is a view showing a light emitting chip according to an embodiment.

이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The above and other features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings, in which: FIG. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; on "and" under "as used herein are intended to refer to all that is" directly "or" indirectly " . In addition, the criteria for the top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.

도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.
In the drawings, sizes are exaggerated, omitted, or schematically illustrated for convenience and clarity of description. Also, the size of each component does not entirely reflect the actual size. Like reference numerals denote like elements throughout the description of the drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 설명한다.Hereinafter, a light emitting device package according to an embodiment will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 실시 예에 따른 표시 장치를 나타낸 사시도이며, 도 2는 도 1의 발광 모듈을 나타낸 도면이다.1 is a perspective view illustrating a display device according to an exemplary embodiment, and FIG. 2 is a view illustrating the light emitting module of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 발광 모듈(1031)과, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 발광 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.1 and 2, the display device 1000 includes a light guide plate 1041, a light emitting module 1031 that provides light to the light guide plate 1041, and a reflective member 1022 under the light guide plate 1041. And a bottom housing the optical sheet 1051 on the light guide plate 1041, the display panel 1061, the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, and the reflective member 1022 on the optical sheet 1051. The cover 1011 may be included, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011), 반사 부재(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트유닛(1050) 또는 조명 시스템으로 정의될 수 있다.The bottom cover 1011, the reflective member 1022, the light guide plate 1041, and the optical sheet 1051 may be defined as a light unit 1050 or an illumination system.

상기 도광판(1041)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethylmetaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판(1041)의 상면 및 하면 중 적어도 하나에는 반사 패턴이 형성될 수 있다. 또한 상기 도광판(1041)의 측면 즉, 입사면(1042)에는 광의 입사 효율과 광 산란을 위해 요철 패턴이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 도광판(1041)의 입사면(1042)과상면 중 적어도 하나에는 산란제 또는 형광체가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The light guide plate 1041 serves to diffuse the light provided from the light emitting module 1031 to make a surface light source. The light guide plate 1041 is made of a transparent material, for example, acrylic resin-based such as polymethylmetaacrylate (PMMA), polyethylene terephthlate (PET), polycarbonate (PC), cycloolefin copolymer (COC), and polyethylene naphthalate (PEN) resin. It may include one of the. A reflective pattern may be formed on at least one of an upper surface and a lower surface of the light guide plate 1041. In addition, an uneven pattern may be formed on a side surface of the light guide plate 1041, that is, the incident surface 1042 for light incident efficiency and light scattering, but is not limited thereto. A scattering agent or a phosphor may be added to at least one of the incident surface 1042 and the upper surface of the light guide plate 1041, but is not limited thereto.

상기 발광모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 한 입사면(1042)에 배치되어 상기 도광판(1041)의 적어도 입사면(1042)에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다. 상기 도광판(1041)의 입사면(1042)은 입광부로 정의될 수 있다.The light emitting module 1031 is disposed on at least one incident surface 1042 of the light guide plate 1041 to provide light to at least the incident surface 1042 of the light guide plate 1041, and ultimately serves as a light source of the display device. Done. The incident surface 1042 of the light guide plate 1041 may be defined as a light incident part.

상기 발광모듈(1031)은 상기 바텀 커버(1011) 내에 적어도 하나가 배치되며, 상기 도광판(1041)의 입사면(1042)에 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 발광 모듈(1031)은 기판(1033)과 복수의 발광소자(101,102)를 포함하며, 상기 발광 소자(101,102)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다. 상기 발광 소자(101,102)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다. 따라서, 발광 소자(101,102)에서 발생된 열은 방열 플레이트를 경유하여 바텀 커버(1011)로 방출될 수 있다.At least one light emitting module 1031 may be disposed in the bottom cover 1011, and may provide light directly or indirectly to the incident surface 1042 of the light guide plate 1041. The light emitting module 1031 may include a substrate 1033 and a plurality of light emitting devices 101 and 102, and the light emitting devices 101 and 102 may be arranged on the substrate 1033 at predetermined intervals. When the light emitting devices 101 and 102 are mounted on the side surface of the bottom cover 1011 or the heat dissipation plate, the substrate 1033 may be removed. A part of the heat radiation plate may be in contact with the upper surface of the bottom cover 1011. Therefore, heat generated in the light emitting devices 101 and 102 may be discharged to the bottom cover 1011 via the heat dissipation plate.

상기 복수의 발광 소자(101,102)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(101,102)는 상기 도광판(1041)의 입사면(1042)인 입광부에 적어도 한 파장대의 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있다.The plurality of light emitting devices 101 and 102 may be mounted on the substrate 1033 such that an emission surface from which light is emitted is spaced apart from the light guide plate 1041 by a predetermined distance, but is not limited thereto. The light emitting devices 101 and 102 may directly or indirectly provide light of at least one wavelength band to a light incident portion, which is an incident surface 1042 of the light guide plate 1041.

도 2를 참조하면, 각 발광 소자(101,102)는 캐비티(113)을 갖는 몸체(111)과, 상기 캐비티(113)의 바닥에 제1 및 제2리드 프레임(121,131)과, 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 중 적어도 하나의 위에 배치된 발광 칩(1151)을 포함한다. 상기 발광 소자(101,102)의 캐비티(113)에는 몰딩 부재가 형성되어, 상기 발광 칩(151)을 보호할 수 있다. 상기 각 발광 소자(101,102)는 캐비티(113) 내에 하나 또는 그 이상의 발광 칩(151)이 배치될 수 있으며, 리드 프레임(121,131)의 개수도 2개 이상으로 배치될 수 있다.Referring to FIG. 2, each of the light emitting devices 101 and 102 includes a body 111 having a cavity 113, first and second lead frames 121 and 131 at the bottom of the cavity 113, and the first and second parts. The light emitting chip 1151 is disposed on at least one of the two-lead frames 121 and 131. A molding member may be formed in the cavity 113 of the light emitting devices 101 and 102 to protect the light emitting chip 151. Each of the light emitting devices 101 and 102 may have one or more light emitting chips 151 disposed in the cavity 113, and two or more lead frames 121 and 131 may be disposed.

상기 각 발광 소자(101,102)는 몸체(111)의 일 측면에 노출되며 상기 제1리드 프레임(121)으로부터 돌출된 제1리드부(123)와, 상기 제2리드 프레임(131)으로부터 돌출된 제2리드부(133)을 포함하며, 상기 제1리드부(123) 및 제2리드부(133)는 상기 기판(1033) 상의 회로 패턴에 탑재될 수 있다.상기의 발광 소자(101,102)는 사이드 뷰(Side view) 발광형 패키지로 설명하였으나, 탑 뷰(Top view) 발광형 패키지로 구현될 수 있다. Each of the light emitting devices 101 and 102 is exposed to one side of the body 111 and protrudes from the first lead frame 121 and the first protrusion 123 protruding from the second lead frame 131. And a second lead portion 133, and the first lead portion 123 and the second lead portion 133 may be mounted on a circuit pattern on the substrate 1033. Although described as a side view emissive package, it may be implemented as a top view emissive package.

상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 상기 표시 패널(1061)로 공급함으로써, 상기 표시 패널(1061)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The reflective member 1022 may be disposed under the light guide plate 1041. The reflective member 1022 reflects the light incident on the lower surface of the light guide plate 1041 and supplies the reflected light to the display panel 1061 to improve the brightness of the display panel 1061. The reflective member 1022 may be formed of, for example, PET, PC, or PVC resin, but is not limited thereto. The reflective member 1022 may be an upper surface of the bottom cover 1011, but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 발광모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버(미도시)와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may house the light guide plate 1041, the light emitting module 1031, the reflective member 1022, and the like. To this end, the bottom cover 1011 may be provided with a housing portion 1012 having a box-like shape with an opened upper surface, but the present invention is not limited thereto. The bottom cover 1011 may be coupled to a top cover (not shown), but is not limited thereto.

상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The bottom cover 1011 may be formed of a metal material or a resin material, and may be manufactured using a process such as press molding or extrusion molding. In addition, the bottom cover 1011 may include a metal or a non-metal material having good thermal conductivity, but the present invention is not limited thereto.

상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 상기 발광 모듈(1031)로부터 제공된 광을 투과 또는 차단시켜 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비전과 같은 영상 표시 장치에 적용될 수 있다. The display panel 1061 is, for example, an LCD panel, and includes a first and second substrates of transparent materials facing each other, and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates. A polarizing plate may be attached to at least one surface of the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto. The display panel 1061 displays information by transmitting or blocking light provided from the light emitting module 1031. The display device 1000 can be applied to video display devices such as portable terminals, monitors of notebook computers, monitors of laptop computers, and televisions.

상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장 이상의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트(diffusion sheet), 수평 및 수직 프리즘 시트(horizontal/vertical prism sheet), 및 휘도 강화 시트(brightness enhanced sheet) 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 상기 표시 패널(1061)로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The optical sheet 1051 is disposed between the display panel 1061 and the light guide plate 1041 and includes at least one light-transmitting sheet. The optical sheet 1051 may include at least one of a sheet such as a diffusion sheet, a horizontal / vertical prism sheet, a brightness enhanced sheet, and the like. The diffusion sheet diffuses incident light, and the horizontal and / or vertical prism sheet concentrates incident light on the display panel 1061. The brightness enhancing sheet reuses the lost light to improve the brightness I will. A protective sheet may be disposed on the display panel 1061, but the present invention is not limited thereto.

상기 발광 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The light guide plate 1041 and the optical sheet 1051 may be included as an optical member on the optical path of the light emitting module 1031, but are not limited thereto.

도 3은 제1실시 예에 따른 도광판의입사측에 배치된 발광 모듈을 나타낸 도면이다.3 is a view showing a light emitting module disposed on an incident side of a light guide plate according to the first embodiment.

도 3을 참조하면, 발광 모듈(1031)은 기판(1033) 상에서 서로 다른 열로 배치되고 동일한 제1방향으로 광을 발광하는 복수의 제1발광 소자(101)와 복수의 제2발광 소자(102)를 포함한다. 상기 복수의 제1발광 소자(101)의 중심은 같은 선상에 배치되며, 복수의 제2발광 소자(102)의 중심은 같은 선상에 배치된다. 상기 제1발광 소자(101)와 상기 제2발광 소자(102)의 광 출사 면은 동일한 제1방향으로 형성되며, 상기 제2발광 소자(102)는 상기 제1발광 소자(101)의 광 출사면(114)의 반대측 방향 이격되게 배치된다.Referring to FIG. 3, the light emitting module 1031 is disposed in different rows on the substrate 1033 and includes a plurality of first light emitting devices 101 and a plurality of second light emitting devices 102 that emit light in the same first direction. It includes. Centers of the plurality of first light emitting devices 101 are disposed on the same line, and centers of the plurality of second light emitting devices 102 are disposed on the same line. The light emitting surfaces of the first light emitting device 101 and the second light emitting device 102 are formed in the same first direction, and the second light emitting device 102 emits light of the first light emitting device 101. Spaced apart in the opposite direction of the face 114.

상기 복수의 제1발광 소자(101)는제1피크 파장을 갖는 제1광(L1)을 발광하며, 상기 복수의 제2발광 소자(102)는 제2피크 파장을 갖는 제2광(L2)을 발광하게 된다. 상기 제1피크 파장과 상기 제2피크 파장의 범위는 동일한 컬러 범위 내에서 동일한 파장이거나 1nm 이상 차이를 갖는 파장일 수 있다. 상기 제1피크 파장과 상기 제2피크 파장은 서로 다른 컬러 대역의 피크 파장을 발광할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of first light emitting devices 101 emits first light L1 having a first peak wavelength, and the plurality of second light emitting devices 102 emits second light L2 having a second peak wavelength. It will emit light. The range of the first peak wavelength and the second peak wavelength may be the same wavelength within the same color range or a wavelength having a difference of 1 nm or more. The first peak wavelength and the second peak wavelength may emit peak wavelengths of different color bands, but are not limited thereto.

상기 복수의 제1발광 소자(101)는 제1광(L1)을 발광하며, 상기 복수의 제2발광 소자(102)는 제2광(L2)을 발광하게 된다. 상기 복수의 제1발광 소자(101)는 상기 복수의 제2발광 소자(102)로부터 방출된 제2광(L2)의 평균광도에 비해 낮은 평균광도의 제1광(L1)을 발광하게 된다. 상기 복수의 제1발광 소자(101)는 상기 복수의 제2발광 소자(102)로부터 방출된 제2광(L2)의 평균광량에 비해 낮은 평균광량을 갖는 제1광(L1)을 발광하게 된다.상기 복수의 제1발광 소자(101) 중에서 적어도 하나는 다른 광도를 갖는 광을 발광할 수 있다. 따라서, 상기 복수의 제1발광 소자들(101)로부터 발광된 제1광(L1)의 광도 평균은 제1평균 광도라 정의할 수 있다. 상기 복수의 제2발광 소자(102) 중에서 적어도 하나는 다른 광도를 갖는 광을 발광할 수 있다. 따라서, 상기 복수의 제2발광 소자들(102)로부터 발광된 제2광(L2)의 광도 평균은 제2평균 광도라 정의할 수 있다.The plurality of first light emitting devices 101 emits first light L1, and the plurality of second light emitting devices 102 emit second light L2. The plurality of first light emitting devices 101 emits first light L1 having an average brightness lower than that of the second light L2 emitted from the plurality of second light emitting devices 102. The plurality of first light emitting devices 101 emits first light L1 having an average light amount lower than that of the second light L2 emitted from the plurality of second light emitting devices 102. At least one of the plurality of first light emitting devices 101 may emit light having a different light intensity. Therefore, the luminous intensity average of the first light L1 emitted from the plurality of first light emitting devices 101 may be defined as a first average luminous intensity. At least one of the plurality of second light emitting devices 102 may emit light having a different brightness. Therefore, the luminous intensity average of the second light L2 emitted from the plurality of second light emitting devices 102 may be defined as a second average luminous intensity.

상기 복수의 제1발광 소자(101)의 제1평균 광도는미리 정해진 기준으로부터 제1범위 예컨대, 10% 범위 내에서 랭크(Rank)화하여 검출한 제1광의 광도들의 평균이며, 예컨대 2.5cd~2.7cd 범위의 광도들을 평균한 값이 될 수 있다. 상기 복수의 제2발광 소자(102)는 미리 정해진 기준으로부터 제2범위 예컨대, 10% 범위 내에서 랭크(Rank)화하여 검출한 제2광의 광도들의 평균이며, 예컨대 2.71cd~3.1cd 범위의 광도들을 평균한 값이 될 수 있다. 상기 제2발광 소자(102) 각각은 상기 복수의 제1발광 소자(101) 중 어느 하나의 광도와 겹치지 않고 상기 제1발광 소자(101) 내의 최대 광도 값보다 더 높은 광도로 발광할 수 있다.상기 복수의 제1발광 소자(101)의 제1평균광도는 예컨대 2.5cd-2.7cd 정도이고, 상기 복수의 제2발광 소자(102)의 제2평균광도는 상기 제1평균광도보다 큰 광도로서, 예컨대, 2.7cd 초과한 2.71cd-3.1cd 범위로 사용할 수 있다. 상기 제1발광 소자(101)의 제1평균광도와 상기 제2발광 소자(102)의 제2평균광도의 차이는 0.1cd 이상을 포함할 수 있다. 상기와 같이 서로 다른 평균광도를 갖는 광들을 발광하는 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102)를 서로 다른 수평면 상에 배열할 수 있으므로, 제2발광 소자(102)의 사용 수율을 개선시켜 줄 수 있다. 즉, 제1평균광도를 갖는 제1광을 발광하는 복수의 제1발광 소자(101)뿐만 아니라, 상기 제1평균광도보다 더 높은 제2평균광도를 갖는 제2광을 발광하는 제2발광 소자(102)를 서로 다른 수평면 상에 배치할 수 있어, 제2발광 소자(102)의 사용 수율을 개선시켜 줄 수 있다.
The first average luminous intensity of the plurality of first light emitting devices 101 is an average of the luminous intensity of the first light detected by being ranked within a first range, for example, 10%, from a predetermined reference, for example, 2.5 cd to This can be an average of luminosity in the 2.7 cd range. The plurality of second light emitting devices 102 are averages of the intensities of the second lights detected by being ranked in a second range, for example, within a 10% range, from a predetermined reference, for example, in the range of 2.71 cd to 3.1 cd Can be averaged. Each of the second light emitting devices 102 may emit light with a higher brightness than a maximum light intensity value in the first light emitting device 101 without overlapping with the light intensity of any one of the plurality of first light emitting devices 101. The first average luminance of the plurality of first light emitting elements 101 is, for example, about 2.5 cd-2.7 cd, and the second average luminance of the plurality of second light emitting elements 102 is greater than the first average luminance. For example, it can be used in the range of 2.71 cd-3.1 cd exceeding 2.7 cd. A difference between the first average luminance of the first light emitting device 101 and the second average luminance of the second light emitting device 102 may include 0.1 cd or more. As described above, since the first light emitting device 101 and the second light emitting device 102 that emit light having different average luminances may be arranged on different horizontal planes, the use yield of the second light emitting device 102 may be improved. It can be improved. That is, not only the plurality of first light emitting elements 101 emitting the first light having the first average luminance, but also the second light emitting elements emitting the second light having the second average luminance higher than the first average luminance. 102 may be disposed on different horizontal planes, thereby improving the use yield of the second light emitting device 102.

상기 복수의 제1발광 소자(101) 간의 주기(T1)는 12mm-14mm 범위이며, 상기 복수의 제2발광 소자(102) 간의 주기(T2)는 12mm-14mm 범위일 수 있다. 인접한 제1발광 소자(101) 간의 주기(T1)는 제2발광 소자(102)의 길이(즉, 수평 방향의 길이)와 같거나 0.1mm 이상 더 큰 간격일 수 있다.The period T1 between the plurality of first light emitting devices 101 may range from 12 mm to 14 mm, and the period T2 between the plurality of second light emitting devices 102 may range from 12 mm to 14 mm. The period T1 between the adjacent first light emitting devices 101 may be equal to or greater than 0.1 mm in length (ie, in the horizontal direction) of the second light emitting device 102.

상기 제1발광 소자(101)와 상기 제2발광 소자(102) 사이의 수평한 방향의 간격은 6.5mm-7.5mm 범위이며, 상기의 수평 간격은 상기 제1발광 소자(101)의 중심과 상기 제2발광 소자(102)의 중심 사이의 수평 방향의 거리이다. 상기의 수평 방향은 복수의 제1발광 소자(101)가 배열되는 방향이 될 수 있으며, 수직 방향은 상기의 수평 방향과 직교하는 방향이 될 수 있다. The horizontal gap between the first light emitting device 101 and the second light emitting device 102 is in the range of 6.5 mm to 7.5 mm, and the horizontal gap is the center of the first light emitting device 101 and the It is the distance in the horizontal direction between the centers of the second light emitting elements 102. The horizontal direction may be a direction in which the plurality of first light emitting devices 101 are arranged, and the vertical direction may be a direction orthogonal to the horizontal direction.

상기 제1발광 소자(101)와 상기 제2발광 소자(102) 사이의 수직한 방향의 간격(D3)은 1-2.5mm 범위 예컨대, 2mm-0.1mm를 포함하며, 상기의 수직 간격은 상기 제1발광 소자(101)의 중심과 상기 제2발광 소자(102)의 중심 사이의 수직 방향의 거리이다. 상기 제1발광 소자(101)의 제1평균광도와 상기 제2발광 소자(102)의 제2평균광도의 차이에 따라 변경될 수 있다. 상기의 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 사이의 수직한 방향의 간격(D3)이 2mm 일 때, 제1발광 소자(101) 대비 제2발광 소자(102)의 입광 효율과의 차이는 0.1%-3% 범위의 차이를 가지게 된다. 또한 상기 복수의 제2발광 소자(102)는 인접한 제1발광 소자(101)들의 사이의 영역을 통해 발광하게 되며, 타켓에서의 제1평균광도와 제2평균광도는 거의 동일한 광도로 검출될 수 있다.예를 들면,복수의 발광 소자가 1열로 배치할 때 도광판(1041)의 입광 효율 및 평균 광도가 100%로 기준으로 정의할 때, 상기 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 간의 수직 간격이 1mm로 차이나게 배열된 경우 도광판(1041)에서의입광 효율은 99.8%이고, 1.5mm로 증가한 경우 도광판(1041)의 입광 효율은 99.6%로 감소된다. 또한 제1발광 소자(101)와 상기 제2발광 소자(102) 간의 수직 방향의 간격이 1mm인 경우 도광판(1041)의 입사면(1042)에서의 입사된 평균광도는 99.7%이고, 1.5mm인 경우 99.4%로 감소될 수 있다. 이러한 평균광도 차이는 기준과의 차이가 미미하므로, 제2발광 소자(102)를 추가적으로 이용하는 효과가 더 클 수 있다.The distance D3 in the vertical direction between the first light emitting device 101 and the second light emitting device 102 includes a range of 1-2.5 mm, for example, 2 mm-0.1 mm, wherein the vertical gap is the first light emitting device 101. It is the distance in the vertical direction between the center of the first light emitting element 101 and the center of the second light emitting element 102. The first average light intensity of the first light emitting device 101 and the second average light intensity of the second light emitting device 102 may be changed. When the distance D3 in the vertical direction between the first light emitting device 101 and the second light emitting device 102 is 2 mm, the light receiving efficiency of the second light emitting device 102 is greater than that of the first light emitting device 101. Differences with will range from 0.1% -3%. In addition, the plurality of second light emitting devices 102 emit light through an area between the adjacent first light emitting devices 101, and the first average light intensity and the second average light intensity at the target may be detected at about the same light intensity. For example, when a plurality of light emitting elements are arranged in one row, when the light incidence efficiency and the average luminous intensity of the light guide plate 1041 are defined as 100%, the first light emitting element 101 and the second light emitting element ( The light incident efficiency at the light guide plate 1041 is 99.8% when the vertical intervals between 102 are differently arranged at 1 mm, and the light incident efficiency of the light guide plate 1041 is reduced to 99.6% when it is increased to 1.5 mm. In addition, when the vertical gap between the first light emitting device 101 and the second light emitting device 102 is 1 mm, the average light incident on the incident surface 1042 of the light guide plate 1041 is 99.7%, which is 1.5 mm. In this case, it can be reduced to 99.4%. Since the average brightness difference is insignificant from the reference, the effect of additionally using the second light emitting device 102 may be greater.

상기 복수의 제2발광 소자(102)와 상기 도광판(1041)의 입사면(1042) 사이의 간격(G2)은 상기 복수의 제1발광 소자(101)와 상기 도광판(1041)의 입사면(1042) 사이의 간격(G1)보다 더 멀리 배치된다. 여기서, 상기의 간격(G1,G2)은 각 발광 소자(101,102)의 광 출사면(114)과 상기 도광판(1041)의 입사면(1042) 사이의 거리이다. 실시 예는 상기 도광판(1041)의 입사면(1042)으로부터 복수의 제1발광 소자(101)보다 상대적으로 높은 제2평균광도를 갖는 제2광을 발광하는 복수의 제2발광 소자(102)를 복수의 제1발광 소자(101)보다더 이격시켜 배치함으로써, 도광판(1041)의 입사면(1042)에서의 제2발광 소자(102)로부터 방출된 제2광의 입광 효율과 제1발광 소자(101)의 입광 효율의 차이를 줄여줄 수 있다. The interval G2 between the plurality of second light emitting elements 102 and the incident surface 1042 of the light guide plate 1041 is an incident surface 1042 of the plurality of first light emitting elements 101 and the light guide plate 1041. Are arranged farther than the gap G1 between them. Here, the gaps G1 and G2 are distances between the light exit surfaces 114 of the light emitting elements 101 and 102 and the incident surface 1042 of the light guide plate 1041. According to an embodiment, a plurality of second light emitting devices 102 for emitting a second light having a second average luminance relatively higher than a plurality of first light emitting devices 101 from an incident surface 1042 of the light guide plate 1041 are provided. The light emitting efficiency of the second light emitted from the second light emitting element 102 at the incident surface 1042 of the light guide plate 1041 and the first light emitting element 101 are arranged further apart from the plurality of first light emitting elements 101. Can reduce the difference in the light receiving efficiency.

상기 도광판(1041)의 입사면(1042)에서의 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102)의 입광 효율은 하나의 열로 배치한 발광 소자들의 입광 효율보다 저하될 수 있다. 실시 예는 복수의 제2발광 소자(102)를 상기 제1발광 소자(101)의 열로부터 이격시켜 배열할 수 있다.
The light receiving efficiency of the first light emitting device 101 and the second light emitting device 102 on the incident surface 1042 of the light guide plate 1041 may be lower than that of the light emitting devices arranged in a row. According to an exemplary embodiment, the plurality of second light emitting devices 102 may be arranged to be spaced apart from the rows of the first light emitting devices 101.

도 4는 제2실시 예에 따른 도광판의입사측에 배치된 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.4 is a plan view illustrating a light emitting module disposed on an incident side of a light guide plate according to a second embodiment.

도 4를 참조하면, 발광 모듈(1031)은 복수의 제1발광 소자(101)와 복수의 제2발광 소자(102) 사이에 복수의 가이드 부재(201,202)가 배치된다. 상기 가이드 부재(201,202)는 인접한 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 사이에 각각 형성되며, 상기 제2발광 소자(102)로부터 방출된 제2광을 반사시켜 상기 도광판(1041)의 입사면(1042)으로 가이드시켜 준다. 상기 가이드 부재(201,202)는 상기 기판(1033) 위에 반사 물질로 형성될 수 있으며, 예컨대 금속을 포함하는 수지 재질, 금속 재질, 비 금속 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.4, in the light emitting module 1031, a plurality of guide members 201 and 202 are disposed between the plurality of first light emitting devices 101 and the plurality of second light emitting devices 102. The guide members 201 and 202 are formed between the adjacent first light emitting device 101 and the second light emitting device 102, respectively, and reflect the second light emitted from the second light emitting device 102 so as to reflect the light guide plate 1041. Is guided to the incident surface 1042. The guide members 201 and 202 may be formed of a reflective material on the substrate 1033, and may include, for example, at least one of a resin material, a metal material, and a non-metal material including metal.

상기 가이드 부재(201,202)는 인접한 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 사이의 영역(A1)에 경사진 구조로 형성될 수 있다. 상기 영역(A1)은 제1발광 소자(101)의 제2측면(S2)과제2발광 소자(102)의 제1측면(S3) 사이의 영역이고, 제1발광 소자(101)의 제1측면(S1)과 이에 인접한 제2발광 소자(102)의 제2측면(S4) 사이의 영역이 될 수 있다. 상기의 경사진 구조는 상기 제2발광 소자(102)의 광 출사 면(또는 몸체의 하면 또는 상면)의 수평한 선에 대해 소정 각도로 경사진 구조일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The guide members 201 and 202 may be formed to be inclined in an area A1 between the adjacent first light emitting device 101 and the second light emitting device 102. The area A1 is an area between the second side surface S2 of the first light emitting device 101 and the first side surface S3 of the second light emitting device 102, and the first side surface of the first light emitting device 101. It may be an area between S1 and the second side surface S4 of the second light emitting element 102 adjacent thereto. The inclined structure may be a structure that is inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal line of the light exit surface (or the lower surface or the upper surface of the body) of the second light emitting device 102, but is not limited thereto.

상기 가이드 부재(201,202)는 상기 제1발광 소자(101)의 하면과 상기 제2발광 소자(102)의 상면 사이의 거리(D2)와 같은 길이로 형성되거나, 더 길거나 짧은 길이로 형성될 수 있다. 이는 제2발광 소자(102)의 광 지향각에 따라 달라질 수 있다.The guide members 201 and 202 may have the same length as the distance D2 between the lower surface of the first light emitting device 101 and the upper surface of the second light emitting device 102, or may be formed to have a longer or shorter length. . This may vary depending on the light directing angle of the second light emitting device 102.

상기 가이드 부재(201,202) 간의 최소 간격(D4)은 제2발광 소자(102)의 길이보다 짧은 간격으로 형성될 수 있으며, 제2발광 소자(102)의 광 출사면(114)의 너비(D3)보다는 길게 형성될 수 있다.상기 가이드 부재(101,102) 간의 최대 간격은 인접한 제1발광 소자(101)의 서로 대응되는 측면 간의 거리(D5)보다 더 좁게 형성될 수 있다. 이러한 가이드 부재(101,102)를 제2발광 소자(102)의 광 출사면(114)보다 외측에 경사지게 배치함으로써, 광을 효과적으로 반사시켜 주어, 도광판(1041)의 입사면(1042)에서의 입광 효율은 제1실시 예에 비해 개선될 수 있다. 상기의 가이드 부재(201,202)는 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
The minimum distance D4 between the guide members 201 and 202 may be formed at an interval shorter than the length of the second light emitting element 102, and the width D3 of the light exit surface 114 of the second light emitting element 102. The maximum spacing between the guide members 101 and 102 may be narrower than the distance D5 between the side surfaces of the adjacent first light emitting devices 101 corresponding to each other. By arranging the guide members 101 and 102 inclined outward from the light exit surface 114 of the second light emitting element 102, the light is effectively reflected, and the light incident efficiency at the incident surface 1042 of the light guide plate 1041 is It can be improved compared to the first embodiment. The guide members 201 and 202 may be applied to other embodiments, but are not limited thereto.

도 5는 제3실시 예에 따른 도광판의입사측에 배치된 발광 모듈을 나타낸 평면도이다.5 is a plan view illustrating a light emitting module disposed on an incident side of a light guide plate according to a third embodiment.

도 5를 참조하면, 발광 모듈(1031)은 복수의 제1발광 소자(101)와 복수의 제2발광 소자(102) 사이에 복수의 가이드 부재(203,204)가 배치된다. 상기 가이드 부재(203,204)는 인접한 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 사이에 수직하게 각각 형성되며, 상기 제2발광 소자(102)로부터 방출된 제2광을 반사시켜 상기 도광판(1041)의 입사면(1042)으로 가이드시켜 준다. 상기 가이드 부재(203,204)는 상기 기판(1033) 위에 반사 물질로 형성될 수 있으며, 예컨대 금속을 포함하는 수지 재질, 금속 재질, 비 금속 재질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 5, in the light emitting module 1031, a plurality of guide members 203 and 204 are disposed between the plurality of first light emitting devices 101 and the plurality of second light emitting devices 102. The guide members 203 and 204 are formed perpendicularly between the adjacent first light emitting device 101 and the second light emitting device 102, respectively, and reflect the second light emitted from the second light emitting device 102 to the light guide plate. It guides to the incident surface 1042 of 1041. The guide members 203 and 204 may be formed of a reflective material on the substrate 1033, and may include, for example, at least one of a resin material, a metal material, and a non-metal material including metal.

상기 복수의 가이드 부재(203,204)는 인접한 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 사이의 영역(A1)에 수직한 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제2발광 소자(102)의 각 측면(S3,S4)보다 상기 제1발광 소자(101)의 측면(S2,S1)에 더 가깝게 배치될 수 있다. 이는 제2발광 소자(102)의 광 지향각을 고려하여 상기 가이드 부재(201,202)를 상기 제2발광 소자(102)로부터 소정 거리(D7) 예컨대, 1mm 이상 이격시켜 줄 수 있다. 상기의 가이드 부재(203,204)의 수직한 구조는 상기 제2발광 소자(102)의 광 출사 면(또는 몸체의 하면 또는 상면)의 수평한 선에 대해 직교하는 방향으로 형성된 구조일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The plurality of guide members 203 and 204 may be formed in a structure perpendicular to the area A1 between the adjacent first light emitting device 101 and the second light emitting device 102. The first light emitting device 101 may be disposed closer to the side surfaces S2 and S1 than the side surfaces S3 and S4. This may allow the guide members 201 and 202 to be spaced apart from the second light emitting device 102 by a predetermined distance D7, for example, 1 mm or more, in consideration of the light directing angle of the second light emitting device 102. The vertical structure of the guide members 203 and 204 may be a structure formed in a direction orthogonal to a horizontal line of the light exit surface (or the lower surface or the upper surface of the body) of the second light emitting device 102. It is not limited.

상기 가이드 부재(201,202)의 길이(즉, 수직 길이)는 상기 제1발광 소자(101)의 하면과 상기 제2발광 소자(102)의 상면 사이의 거리(D2)와 동일하거나 짧을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. The length (ie, vertical length) of the guide members 201 and 202 may be equal to or shorter than the distance D2 between the bottom surface of the first light emitting device 101 and the top surface of the second light emitting device 102. It is not limited to.

상기 가이드 부재(201,202) 간의 간격(D6)은 인접한 제1발광 소자(101)의 측면(S1,S2) 사이의 거리(D5)보다 좁고, 제2발광 소자(102)의 길이보다는 넓게 형성될 수 있다. 상기 제2발광 소자(102)의 길이 방향은 수평 방향의 너비일 수 있다.The distance D6 between the guide members 201 and 202 may be smaller than the distance D5 between the side surfaces S1 and S2 of the adjacent first light emitting device 101 and may be wider than the length of the second light emitting device 102. have. The length direction of the second light emitting device 102 may be a width in the horizontal direction.

이러한 가이드 부재(203,204)를 제2발광 소자(102)의 광 출사면(114)보다 외측에 각각 배치함으로써, 광을 효과적으로 반사시켜 주어, 도광판(1041)의 입사면(1042)에서의 입광 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기의 가이드 부재(203,204)는 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
By arranging the guide members 203 and 204 outside the light exit surface 114 of the second light emitting element 102, the guide members 203 and 204 are effectively reflected so that light incidence efficiency at the incident surface 1042 of the light guide plate 1041 is improved. It can be improved. The guide members 203 and 204 may be applied to other embodiments, but are not limited thereto.

도 6은 제4실시 예에 따른 도광판 입사측 발광 모듈을 나타낸 도면이다.6 is a view illustrating a light guide plate incident side light emitting module according to a fourth embodiment.

도 6을 참조하면, 발광 모듈(1031)은 기판(1033)의 센터 영역(A2)에 복수의 제1발광 소자(101)와 복수의 제2발광 소자(102)를 서로 다른 열로 배치하고, 기판(1033)의 사이드 영역(A3)에는 복수의 제1발광 소자(101)를 센터 영역(A2)의 제1발광 소자(101) 간의 간격(T1)보다 더 좁은 간격(T3)으로 배치할 수 있다. 기판(1033)의 센터 영역(A2)에는 서로 다른 평균광도를 갖는 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102)를 서로 다른 열로 배열하고, 양 사이드 영역(A3)에는 제2발광 소자(102)를 제외한 제1발광 소자(101)만 배치할 수 있다. 도광판(1041)의 입광 효율을 보면, 기판(1033)의 센터 영역(A2)에는 100% 미만의 입광 효율 및 평균광도를 갖는 광이 입사되고, 기판(1033)의 사이드 영역(A3)에서는 100%의 입광 효율 및 평균광도를 갖는 광이 입사될 수 있다. 상기 도광판(1041)을 기준으로 할 때, 기판(1033)의 센터 영역(A2)과 사이드 영역(A3)의 입광 효율 또는 평균광도의 차이는 0.2-0.9% 정도일 수 있다. 상기 센터 영역(A2)은 상기 기판(1033)의 전 영역에서 30%-60% 정도이다. Referring to FIG. 6, in the light emitting module 1031, the plurality of first light emitting devices 101 and the plurality of second light emitting devices 102 are arranged in different rows in the center area A2 of the substrate 1033. In the side area A3 of 1033, the plurality of first light emitting devices 101 may be disposed at a narrower distance T3 than the space T1 between the first light emitting devices 101 of the center area A2. . The first light emitting device 101 and the second light emitting device 102 having different average luminances are arranged in different rows in the center area A2 of the substrate 1033, and the second light emitting device is disposed in both side areas A3. Only the first light emitting device 101 except for 102 may be disposed. In the light incidence efficiency of the light guide plate 1041, light having a light incidence efficiency and an average brightness of less than 100% is incident in the center region A2 of the substrate 1033, and 100% in the side region A3 of the substrate 1033. Light having an incident light efficiency and an average brightness of may be incident. Based on the light guide plate 1041, the difference between the light incidence efficiency or the average brightness of the center area A2 and the side area A3 of the substrate 1033 may be about 0.2-0.9%. The center area A2 is about 30% to 60% of the entire area of the substrate 1033.

실시 예는 발광 모듈(1031)은 도광판(1041)의 입광 효율 및 평균광도가 센터 영역이 낮고, 사이드 영역이 높도록 배치하고, 도광판(1041) 내에서 혼합을 통해 평균광도를 조절할 수 있다. According to the embodiment, the light emitting module 1031 may be arranged such that the light receiving efficiency and average luminance of the light guide plate 1041 are low in the center region and high in the side region, and the average light intensity may be adjusted through mixing in the light guide plate 1041.

실시 예는 기판의 상면에 수평한 방향으로 제1열의 제1발광 소자(101)와 제2열의 제2발광 소자(102)를 배치하였으나, 서로 다른 평면 상에 배치된 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102)로 구현될 수 있다.
According to the embodiment, although the first light emitting device 101 and the second light emitting device 102 are arranged in the first row in a horizontal direction on the upper surface of the substrate, the first light emitting device 101 is disposed on different planes. And the second light emitting device 102.

도 7은 제5실시 예에 따른 도광판 입사측 발광 모듈을 나타낸 도면이다.FIG. 7 illustrates a light guide plate incident side light emitting module according to a fifth embodiment; FIG.

도 7을 참조하면, 발광 모듈(1031)은 인접한 제1발광 소자(101) 사이에 2개 또는 그 이상의 제2발광 소자(102)를 배열한 구성이다. 상기 제2발광 소자(102)는 2개 또는 그 이상의 그룹으로 인접한 제1발광 소자(101) 사이의 영역에 제1발광 소자(101)의 제1평균광도보다 높은 제2평균광도를 갖는 제2광을 발광하게 된다. 상기 인접한 제2발광 소자(102) 간의 간격(D7)은 상기 인접한 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 간의 간격(D1)보다 더 좁은 간격으로 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 실시 예는 복수의 제1발광 소자(101)의 제1평균광도들보다 더 높은 제2평균광도를 갖는 제2광을 발광하는 복수의 제2발광 소자(102)의 사용 수율을 더 높여 줄 수 있다.
Referring to FIG. 7, the light emitting module 1031 is configured by arranging two or more second light emitting devices 102 between adjacent first light emitting devices 101. The second light emitting device 102 has a second average brightness higher than the first average light intensity of the first light emitting device 101 in a region between two or more groups of adjacent first light emitting devices 101. It emits light. The spacing D7 between the adjacent second light emitting devices 102 may be disposed at a narrower distance than the spacing D1 between the adjacent first light emitting devices 101 and the second light emitting devices 102. I do not. The embodiment can further increase the use yield of the plurality of second light emitting devices 102 emitting the second light having the second average brightness higher than the first average brightness of the plurality of first light emitting devices 101. have.

도 8은 제6실시 예에 따른 도광판 입사측 발광 모듈을 나타낸 도면이다.8 is a view illustrating a light guide plate incident side light emitting module according to a sixth embodiment.

도 8을 참조하면, 발광 모듈(1031)은 인접한 제2발광 소자(102) 사이에 복수의 제1발광 소자(101)가 배치된다.Referring to FIG. 8, in the light emitting module 1031, a plurality of first light emitting devices 101 are disposed between adjacent second light emitting devices 102.

상기 제1발광 소자(101)의 개수는 상기 제2발광 소자(102)의 개수보다 1.5 내지 2배 정도로 많게 배치될 수 있다. 여기서, 인접한 제1발광 소자(101) 간의 간격(T5)은 인접한 제1발광 소자(101)와 제2발광 소자(102) 사이의 간격(D1)보다 더 좁을 수 있다. 이는 도광판(1041)으로의 입광 효율과 평균광도가 저하되는 것을 최소화하고, 제2발광 소자(102)의 사용 수율을 개선시켜 줄 수 있다. The number of the first light emitting devices 101 may be about 1.5 to 2 times greater than the number of the second light emitting devices 102. Here, the distance T5 between the adjacent first light emitting devices 101 may be narrower than the distance D1 between the adjacent first light emitting devices 101 and the second light emitting devices 102. This may minimize the reduction in the light incidence efficiency and the average brightness of the light guide plate 1041, and may improve the use yield of the second light emitting device 102.

다른실시 예는 2열의 발광 소자(101,102)를 배열한 구조를 설명하였으나, 3열 또는 그 이상의 열로 배열된 발광 소자를 서로 겹치지 않게 배열할 수 있다.Another embodiment has described a structure in which the light emitting devices 101 and 102 are arranged in two rows, but the light emitting devices arranged in three or more rows may be arranged so as not to overlap each other.

도 9는실시 예에 따른 발광 소자의 발광 칩을 나타낸 도면이다.9 is a view showing a light emitting chip of a light emitting device according to an embodiment.

도 9를참조하면, 발광 칩(51)은성장 기판(11), 버퍼층(13),저전도층(15), 제1도전형 반도체층(17), 활성층(19), 제2클래드층(21), 및 제2도전형 반도체층(23)을 포함할 수 있다. 9, the light emitting chip 51 may include a growth substrate 11, a buffer layer 13, a low conductive layer 15, a first conductive semiconductor layer 17, an active layer 19, and a second cladding layer ( 21) and a second conductive semiconductor layer 23.

상기 성장 기판(11)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 성장 기판(11)의 상면에는 복수의 돌출부(12)가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부(12)는 상기 성장 기판(11)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다.상기 돌출부(12)는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 성장 기판(11)의 두께는 30㎛~150㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The growth substrate 11 may be a translucent, insulating or conductive substrate, for example, sapphire (Al 2 O 3 ), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga 2 O 3 At least one of LiGaO 3 may be used. A plurality of protrusions 12 may be formed on an upper surface of the growth substrate 11, and the plurality of protrusions 12 may be formed through etching of the growth substrate 11, or may include light such as a separate roughness. The protrusion 12 may include a stripe shape, a hemispherical shape, or a dome shape. The growth substrate 11 may have a thickness in a range of 30 μm to 150 μm, but is not limited thereto.

상기 성장 기판(11) 위에는 복수의 화합물 반도체층이 성장될 수 있으며, 상기 복수의 화합물 반도체층의 성장 장비는전자빔증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 등에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다. A plurality of compound semiconductor layers may be grown on the growth substrate 11, and the growth equipment of the plurality of compound semiconductor layers may include an electron beam evaporator, a physical vapor deposition (PVD), a chemical vapor deposition (CVD), and a plasma laser deposition (PLD). Can be formed by dual-type thermal evaporator sputtering, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), and the like, but is not limited thereto.

상기 성장 기판(11) 위에는 버퍼층(13)이 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층(13)은 II족 내지 VI족 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 III족-V족 화합물 반도체를 이용한 반도체층을 포함하며, 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체로서, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 버퍼층(13)은 서로 다른 반도체층을 교대로 배치하여 초 격자 구조로 형성될 수 있다.A buffer layer 13 may be formed on the growth substrate 11, and the buffer layer 13 may be formed of at least one layer using a group II to group VI compound semiconductor. The buffer layer 13 includes a semiconductor layer using a group III -V compound semiconductor, for example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x A semiconductor having a compositional formula of + y ≦ 1) includes at least one of compound semiconductors such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, and the like. The buffer layer 13 may be formed in a super lattice structure by alternately arranging different semiconductor layers.

상기 버퍼층(13)은 상기 성장 기판(11)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자 상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있으며, 결함 제어층으로 정의될 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 상기 성장 기판(11)과 질화물 계열의 반도체층 사이의 격자 상수 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 버퍼층(13)은 ZnO 층과 같은 산화물로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 버퍼층(13)은 30~500nm 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The buffer layer 13 may be formed to mitigate the difference in lattice constant between the growth substrate 11 and the nitride-based semiconductor layer, and may be defined as a defect control layer. The buffer layer 13 may have a value between lattice constants between the growth substrate 11 and the nitride-based semiconductor layer. The buffer layer 13 may be formed of an oxide such as a ZnO layer, but is not limited thereto. The buffer layer 13 may be formed in the range of 30 to 500 nm, but is not limited thereto.

상기 버퍼층(13) 위에 저 전도층(15)이 형성되며, 상기 저 전도층(15)은 언도프드반도체층으로서, 제1도전형 반도체층(17)보다 낮은 전기 전도성을 가진다. 상기 저 전도층(15)은 3족-5족 화합물 반도체를 이용한 GaN계 반도체로 구현될 수 있으며, 이러한 언도프드반도체층은 의도적으로 도전형도펀트를도핑하지 않더라도 제1도전형 특성을 가지게 된다. 상기 언도프드반도체층은 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 저 전도층(15)은 복수의 제1도전형 반도체층(17) 사이에 형성될 수 있다.A low conductive layer 15 is formed on the buffer layer 13, and the low conductive layer 15 is an undoped semiconductor layer, and has a lower electrical conductivity than the first conductive semiconductor layer 17. The low conductive layer 15 may be implemented as a GaN-based semiconductor using a group III-V compound semiconductor, and the undoped semiconductor layer may have a first conductivity characteristic even without intentionally doping a conductive dopant. The undoped semiconductor layer may not be formed, but is not limited thereto. The low conductive layer 15 may be formed between the plurality of first conductive semiconductor layers 17.

상기 저 전도층(15) 위에는 제1도전형 반도체층(17)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(17)은 제1도전형 도펀트가도핑된III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(17)이 n형반도체층인 경우, 상기 제1도전형의도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다. The first conductive semiconductor layer 17 may be formed on the low conductive layer 15. The first conductive semiconductor layer 17 is formed of a group III-V compound semiconductor doped with a first conductive dopant, for example, In x Al y Ga 1- x- y N (0 ≦ x ≦ 1, 0 Y? 1, 0? X + y? 1). When the first conductive semiconductor layer 17 is an n-type semiconductor layer, the first conductive dopant is an n-type dopant and includes Si, Ge, Sn, Se, and Te.

상기 저 전도층(15)와 상기 제1도전형 반도체층(17) 중 적어도 한 층에는 서로 다른 제1층과 제2층이 교대로 배치된 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층과 제2층의 두께는 수 Å 이상으로 형성될 수 있다.At least one of the low conductive layer 15 and the first conductive semiconductor layer 17 may have a superlattice structure in which different first and second layers are alternately arranged, and the first layer And the thickness of the second layer may be formed to a few Å or more.

상기 제1도전형 반도체층(17)과 상기 활성층(19) 사이에는 제1클래드층(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. 다른 예로서, 상기 제1 클래드층(미도시)은 InGaN층 또는InGaN/GaN초격자 구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 상기 제1 클래드층은 n형 또는/및 p형 도펀트를 포함할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 또는 저 전도성의 반도체층으로 형성될 수 있다.A first cladding layer (not shown) may be formed between the first conductive semiconductor layer 17 and the active layer 19, and the first cladding layer may be formed of a GaN-based semiconductor. The first cladding layer serves to restrain the carrier. As another example, the first cladding layer (not shown) may be formed of an InGaN layer or an InGaN / GaN superlattice structure, but is not limited thereto. The first cladding layer may include an n-type and / or p-type dopant, and may be formed of, for example, a first conductive type or low conductivity semiconductor layer.

상기 제1도전형 반도체층(17) 위에는 활성층(19)이 형성된다. 상기 활성층(19)은 단일 우물, 단일 양자 우물, 다중 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층(19)은 우물층과 장벽층이 교대로 배치되며, 상기 우물층은 에너지 준위가 연속적인 우물층일 수 있다. 또한 상기 우물층은 에너지 준위가 양자화된 양자 우물(Quantum Well)일 수 있다. 상기의우물층은 양자 우물층으로 정의될 수 있으며, 상기 장벽층은 양자 장벽층으로 정의될 수 있다. 상기 우물층과 상기 장벽층의 페어는2~30주기로 형성될 수 있다. 상기 우물층은 예컨대,InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 더 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체층으로 예컨대,InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다.상기 우물층과장벽층의 페어는 예컨대, InGaN/GaN, AlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN 중 적어도 하나를 포함한다. An active layer 19 is formed on the first conductive semiconductor layer 17. The active layer 19 may be formed of at least one of a single well, a single quantum well, a multi well, a multi quantum well (MQW), a quantum line, and a quantum dot structure. The active layer 19 may be alternately disposed of a well layer and a barrier layer, and the well layer may be a well layer in which energy levels are continuous. In addition, the well layer may be a quantum well in which the energy level is quantized. The well layer may be defined as a quantum well layer, and the barrier layer may be defined as a quantum barrier layer. The pair of the well layer and the barrier layer may be formed in 2 to 30 cycles. The well layer is, for example, may be formed of a semiconductor material having a compositional formula of In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1). The barrier layer is a semiconductor layer having a band gap wider than the band gap of the well layer. For example, In x Al y Ga 1 -x- y N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + The well layer and the barrier layer may include, for example, at least one of InGaN / GaN, AlGaN / GaN, InGaN / AlGaN, and InGaN / InGaN.

상기 활성층(19)은 자외선 대역부터 가시광선 대역의 파장 범위 내에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 420nm~450nm 범위의 피크 파장을 발광할 수 있다.The active layer 19 may selectively emit light in the wavelength range of the ultraviolet band to the visible light band, for example, may emit a peak wavelength in the range of 420nm to 450nm.

상기 활성층(19) 위에는 제2클래드층(21)이 형성되며, 상기 제2클래드층(21)은 상기 활성층(19)의 장벽층의 밴드 갭보다 더 높은 밴드 갭을 가지며, III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN 계 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 클래드층(21)은 GaN,AlGaN,InAlGaN,InAlGaN, 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 클래드층(21)은 n형 또는/및 p형 도펀트를 포함할 수 있으며, 예컨대 제2도전형 또는 저 전도성의 반도체층으로 형성될 수 있다.The second cladding layer 21 is formed on the active layer 19, and the second cladding layer 21 has a higher band gap than the band gap of the barrier layer of the active layer 19. The compound semiconductor may be formed of, for example, a GaN-based semiconductor. For example, the second clad layer 21 may include GaN, AlGaN, InAlGaN, InAlGaN, a superlattice structure, or the like. The second clad layer 21 may include an n-type and / or p-type dopant, and may be formed of, for example, a second conductive or low conductivity semiconductor layer.

상기 제2클래드층(21) 위에는 제2도전형 반도체층(23)이 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(23)은 제2도전형의 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(23)은 III족-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나로 이루어질 수 있으며, 단층 또는 다층을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(23)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 p형도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다. A second conductive semiconductor layer 23 is formed on the second cladding layer 21, and the second conductive semiconductor layer 23 includes a dopant of a second conductive type. The second conductive semiconductor layer 23 may be formed of at least one of a group III-V group compound semiconductor, for example, a compound semiconductor such as GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, and the like. . When the second conductive semiconductor layer 23 is a p-type semiconductor layer, the second conductive dopant may be a p-type dopant, and may include Mg, Zn, Ca, Sr, and Ba.

발광 구조물(50)의 층들의 전도성 타입은 반대로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 제2도전형의 반도체층(23)은 n형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층(17)은 p형반도체층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2도전형 반도체층(23) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층인 n형반도체층이더 형성할 수도 있다. 상기 발광 칩(51)은 상기 제1도전형 반도체층(17), 활성층(19) 및 상기 제2도전형 반도체층(23)을 발광 구조물(50)로 정의될 수 있으며, 상기 발광 구조물(50)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 적어도 한 구조를 포함할 수 있다. 상기 n-p 및 p-n 접합은 2개의 층 사이에 활성층이 배치되며, n-p-n 접합 또는 p-n-p 접합은 3개의 층 사이에 적어도 하나의 활성층을 포함하게 된다.The conductive types of the layers of the light emitting structure 50 may be formed to be opposite, for example, the second conductive semiconductor layer 23 may be an n-type semiconductor layer, and the first conductive semiconductor layer 17 may be a p-type semiconductor layer. It can be implemented as. In addition, an n-type semiconductor layer, which is a third conductive semiconductor layer having a polarity opposite to that of the second conductive type, may be further formed on the second conductive semiconductor layer 23. The light emitting chip 51 may define the first conductive semiconductor layer 17, the active layer 19, and the second conductive semiconductor layer 23 as a light emitting structure 50. ) May include at least one of an np junction structure, a pn junction structure, an npn junction structure, and a pnp junction structure. In the n-p and p-n junctions, an active layer is disposed between two layers, and an n-p-n junction or a p-n-p junction includes at least one active layer between three layers.

발광 구조물(50) 위에 전극층(41) 및 제2전극(45)이 형성되며, 상기 제1도전형 반도체층(17) 위에 제1전극(43)이 형성된다.The electrode layer 41 and the second electrode 45 are formed on the light emitting structure 50, and the first electrode 43 is formed on the first conductive semiconductor layer 17.

상기 전극층(41)은 전류 확산층으로서, 투과성 및 전기 전도성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 전극층(41)은 화합물 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률로 형성될 수 있다. The electrode layer 41 is a current diffusion layer and may be formed of a material having transparency and electrical conductivity. The electrode layer 41 may be formed to have a refractive index lower than that of the compound semiconductor layer.

상기 전극층(41)은 제2도전형 반도체층(23)의 상면에 형성되며, 그 물질은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 등 중에서 선택되며, 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 전극층(41)은 반사전극층으로 형성될 수 있으며,그 물질은 예컨대, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir 및 이들 중 2이상의 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. The electrode layer 41 is formed on an upper surface of the second conductive semiconductor layer 23, and the material may be indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), or indium aluminum (AZO). zinc oxide (IGZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), indium gallium tin oxide (IGTO), aluminum zinc oxide (AZO), antimony tin oxide (ATO), gallium zinc oxide (GZO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, etc. Selected, and may be formed of at least one layer. The electrode layer 41 may be formed of a reflective electrode layer, and the material may be selectively formed of, for example, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir, or an alloy of two or more thereof.

상기 제2전극(45)은 상기 제2도전형 반도체층(23) 및/또는 상기 전극층(41) 위에 형성될 수 있으며, 전극 패드를 포함할 수 있다. 상기 제2전극(45)은 암(arm) 구조 또는 핑거(finger) 구조의 전류 확산 패턴이 더 형성될 수 있다. 상기 제2전극(45)은 오믹 접촉, 접착층, 본딩층의 특성을 갖는 금속으로 비 투광성으로 이루어질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.The second electrode 45 may be formed on the second conductive semiconductor layer 23 and / or the electrode layer 41, and may include an electrode pad. The second electrode 45 may further include a current diffusion pattern having an arm structure or a finger structure. The second electrode 45 may be made of a non-translucent metal having the characteristics of an ohmic contact, an adhesive layer, and a bonding layer, but is not limited thereto.

상기 제1도전형 반도체층(17)의 일부에는 제1전극(43)이 형성된다. 상기 제1전극(43)과 상기 제2전극(45)은 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.A first electrode 43 is formed on a portion of the first conductive semiconductor layer 17. The first electrode 43 and the second electrode 45 are Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag, Au, and their It can be chosen from the optional alloys.

상기 발광 소자(51)의 표면에 절연층이 더 형성될 수 있으며, 상기 절연층은 발광 구조물(50)의 층간 쇼트(short)를 방지하고, 습기 침투를 방지할 수 있다.
An insulating layer may be further formed on the surface of the light emitting device 51, and the insulating layer may prevent an interlayer short of the light emitting structure 50 and prevent moisture penetration.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of illustration, It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

101,102: 발광 소자 1011: 바텀 커버
1022: 반사부재 1031: 발광 모듈
1033: 기판 1041: 도광판
1051: 광학 시트 1061: 표시 패널101, 102: light emitting element 1011: bottom cover
1022: reflective member 1031: light emitting module
1033: substrate 1041: light guide plate
1051: optical sheet 1061: display panel

Claims (16)

기판;
상기 기판 위에 제1열로 배치되며 제1평균광도를 갖는 제1광을 제1방향으로 발광하는 복수의 제1발광 소자; 및
상기 기판 위에 상기 제1열로부터 이격된 제2열에 배치되며 인접한 상기 제1발광 소자들 사이의 영역으로 제2평균광도를 갖는 제2광을 제1방향으로 발광하며, 상기 제1평균광도와 다른 제2평균광도를 발광하는 복수의 제2발광 소자를 포함하는 발광 모듈.Board;
A plurality of first light emitting devices disposed in the first row on the substrate and emitting first light having a first average brightness in a first direction; And
A second light disposed in a second column spaced apart from the first column on the substrate, the second light having a second average brightness to a region between the adjacent first light emitting devices, the second light being emitted in a first direction, and different from the first average brightness A light emitting module comprising a plurality of second light emitting elements for emitting a second average luminance. 제1항에 있어서, 상기 복수의 제2발광 소자는 상기 복수의 제1발광 소자의 광 출사면의 반대측으로부터 이격되는 발광 모듈.The light emitting module of claim 1, wherein the plurality of second light emitting devices are spaced apart from opposite sides of light exit surfaces of the plurality of first light emitting devices. 제2항에 있어서, 상기 복수의 제2발광 소자는 상기 복수의 제1발광 소자의 제1평균광도보다 높은 제2평균광도를 발광하는 발광 모듈.The light emitting module of claim 2, wherein the plurality of second light emitting devices emits a second average light intensity higher than a first average light intensity of the plurality of first light emitting devices. 제3항에 있어서, 상기 복수의 제1발광 소자의 제1평균광도와 상기 복수의 제2발광 소자의 제2평균광도의 광도 차이는 0.1cd 이상인 발광 모듈.The light emitting module according to claim 3, wherein a difference in luminous intensity between the first average luminance of the plurality of first light emitting elements and the second average luminance of the plurality of second light emitting elements is 0.1 cd or more. 제3항에 있어서, 인접한 상기 제1발광 소자의 중심과 상기 제2발광 소자의 중심 사이의 수평한 방향의 간격은 6.5mm-7.5mm 범위를 포함하는 발광 모듈.The light emitting module of claim 3, wherein a horizontal direction gap between a center of the adjacent first light emitting device and a center of the second light emitting device includes a range of 6.5 mm to 7.5 mm. 제5항에 있어서, 인접한 제1발광 소자의 중심과 상기 제2발광 소자의 중심 사이의 수직한 방향의 간격은 1mm-2.5mm 범위를 포함하는 발광 모듈.The light emitting module of claim 5, wherein a vertical gap between the center of the adjacent first light emitting device and the center of the second light emitting device includes a range of 1 mm to 2.5 mm. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,인접한 상기 제1발광 소자와 제2발광 소자 사이에 배치되며 상기 제2발광 소자로부터 방출된 일부 광을 반사하는 복수의 가이드 부재를 포함하는 발광 모듈.The light emitting device according to any one of claims 1 to 6, comprising a plurality of guide members disposed between the adjacent first light emitting element and the second light emitting element and reflecting some light emitted from the second light emitting element. module. 제7항에 있어서, 상기 복수의 가이드 부재는 상기 제2발광 소자와 상기 제1발광 소자 사이의 영역에 배치되고 상기 제2발광 소자의 광 출사면에 대해 경사지거나 수직하게 배치되는 발광 모듈.The light emitting module of claim 7, wherein the plurality of guide members are disposed in an area between the second light emitting element and the first light emitting element and are inclined or perpendicular to the light exit surface of the second light emitting element. 제7항에 있어서, 상기 복수의 가이드 부재 간의 간격은 인접한 제1발광 소자의 양 측면 사이의 거리보다 좁게 형성되는 발광 모듈.The light emitting module of claim 7, wherein a distance between the plurality of guide members is smaller than a distance between both side surfaces of the adjacent first light emitting device. 제7항에 있어서, 상기 복수의 가이드 부재의 길이는 인접한 제1발광 소자의 하면과 제2발광 소자의 상면 사이의 거리 이하로 형성되는 발광 모듈.The light emitting module of claim 7, wherein a length of the plurality of guide members is less than or equal to a distance between a lower surface of the adjacent first light emitting device and an upper surface of the second light emitting device. 도광판; 및
상기 도광판의입사 면에 대응되는 발광 모듈을 포함하며,
상기 발광 모듈은,
기판;
상기 기판 위에 상기 도광판의입사면과 제1간격을 갖고 제1평균광도를 갖는 제1광을 발광하는 복수의 제1발광 소자;
상기 기판 위에 상기 도광판의 입사면과 제1간격보다 더 이격된 제2간격을 갖고 상기 제1평균광도와 다른 제2평균광도를 갖는 제2광을 발광하는 복수의 제2발광 소자를 포함하는 라이트유닛.A light guide plate; And
It includes a light emitting module corresponding to the incident surface of the light guide plate,
The light emitting module includes:
Board;
A plurality of first light emitting devices emitting a first light having a first average brightness and a first distance from an incident surface of the light guide plate on the substrate;
A light including a plurality of second light emitting devices on the substrate, the second light emitting elements emitting a second light having a second interval further spaced apart from a first interval and an incident surface of the light guide plate; unit. 제11항에 있어서, 상기 복수의 제2발광 소자는 인접한 제1발광 소자들 사이의 영역에 상기 제1평균광도보다 높은 제2평균광도를 갖는 제2광을 발광하는 라이트유닛.The light unit of claim 11, wherein the plurality of second light emitting devices emits second light having a second average brightness higher than the first average light intensity in an area between adjacent first light emitting devices. 제12항에 있어서, 상기 복수의 제2발광 소자는 상기 기판의 센터 영역에 배치되는 라이트유닛.The light unit of claim 12, wherein the plurality of second light emitting devices is disposed in a center area of the substrate. 제12항에 있어서, 상기 발광 모듈은 상기 복수의 제1발광 소자가 상기 제2발광 소자의 개수보다 더 많은 개수로 배치되는 라이트유닛.The light unit of claim 12, wherein the light emitting module has a plurality of first light emitting devices arranged in a greater number than the number of second light emitting devices. 제12항에 있어서, 인접한 상기 제2발광 소자 사이에 2개 이상의 제1발광 소자가 배치되는 라이트유닛.The light unit of claim 12, wherein two or more first light emitting devices are disposed between adjacent second light emitting devices. 제12항에 있어서, 상기 복수의 제1발광 소자와 상기 제2발광 소자의 입광 효율과의 차이는 0.1%~3% 범위인 라이트유닛.
The light unit of claim 12, wherein a difference between the light emission efficiency of the plurality of first light emitting devices and the second light emitting device is in a range of 0.1% to 3%.
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