KR20130066705A - 저임피던스 슬롯 피드 안테나 - Google Patents

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KR20130066705A
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사이몬 스벤센
올 재기엘스키
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Abstract

슬롯과 소자를 갖고 공진하도록 구성된 저 임피던스 슬롯 피드 안테나가 도시된다. 슬롯의 방향은 슬롯전류가 소자와 관련된 복귀전류에 반대되지 않도록 구성된다. 이는 슬롯과 소자 사이의 커플링을 감소시키는 것을 돕는데, 이는 고 Q 안테나에서 유익할 수 있다.

Description

저임피던스 슬롯 피드 안테나 {Low Impedance Slot Fed Antenna}
본 출원은 2010년 10월 12일에 출원된 미국 가특허출원 제 61/392,187호의 우선권을 주장한다. 해당 문헌 전체가 참고문헌으로 인용된다.
본 발명은 안테나 분야에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 휴대용 기기에 사용되기에 적합한 안테나 분야에 관한 것이다.
고 Q 안테나 소자에 저임피던스 슬롯 피드(Low Impedance Slot Feed, LISF)를 사용하면 특정한 이점들을 제공한다는 것이 알려져 왔다. 예를 들어, 2010년 9월 7일에 출원된 공유인(그리고 공동발명자에 의해 발명된) PCT출원 제 PCT/US10/47978호는 LISF 안테나를 개시하고, 그 내용 전체가 참고문헌으로 인용된다.
종래의 LISF 안테나는 도 1에서 도시된 방향을 향하는 슬롯을 갖고, 피드는 슬롯의 단락부와 소자의 단락부 사이에 위치된다. 구체적으로, 안테나 시스템(25)은 통신 시스템(10)을 제공하기 위해 접지면(20)을 포함하는 회로 기판(15)에 제공된 트랜시버(transceiver)(25)와 함께 작동하도록 구성된다. 소자(50)(소정 주파수에서 공진하도록 구성됨)는 몸체(56)와, 접지면(20)으로 단락되는 아암(58)을 포함하는 한편, 슬롯(35)은 제1 단부에서 피드(feed)(35)에 결합되고 제2 단부에서 접지면으로 단락된다. 따라서, 작동 시 전류 루프가 슬롯 주위에 형성되고, 슬롯과 소자 사이의 커플링(coupling)은 그 상응하는 전류를 소자에 생성한다. 알 수 있는 바와 같이, 도시된 구성은 슬롯(35)과 소자(50) 사이에 상대적으로 강한 커플링을 생성하고, 피드(30)를 가로지르는 고전압을 일으킨다. 그에 따른 안테나 시스템의 성능은 플롯(plot)(80)을 포함하는 도 2a로부터 이해될 수 있다.
슬롯(35)을 소자의 단락부로부터 이격시키거나 소자와 슬롯 사이의 거리를 증가시킴으로써 소자(50)와의 커플링은 감소될 수 있고, 이러한 두 가지 조정의 결과는 도 2b의 플롯들(81, 82)에 도시된다. 예를 들어, 도 2b에서, 플롯(81)에서는 피드가 소자와 접지면 사이에서 단락부로부터 5mm만큼 더 이격된 것인 한편, 플롯(82)에서는 슬롯이 접지면에 1mm만큼 더 가깝게 이동되고 슬롯과 소자 사이의 거리는 0.5mm만큼 증가된다. 도 2a와 도 2b로부터는, 공진값(피드를 가로지르는 전압)이 피드의 위치와, 슬롯과 소자 사이의 거리에 의해 제어될 수 있다는 것을 알 수 있다. 그러나 안테나 소자의 Q가 충분히 높고 임피던스 대역폭에 대한 요구가 낮은 경우에는, 커플링이 너무 강하기 때문에, 원하는 주파수 범위를 커버하는 것만을 위해(예를 들어, 최적의 정합을 제공하기 위해) 공진의 크기를 최적화하는 것이 불가능할 수 있다. 따라서, 추가적인 개선을 달성하는 것은 특정 주체들에게 인정받게 될 것이다.
공진하도록 구성되는 소자와 슬롯을 갖는 저임피던스 슬롯 피드 안테나가 도시된다. 슬롯의 방향은 슬롯전류에 의해 취해진 제1 경로가 소자와 관련된 복귀전류(return current)에 의해 취해진 제2 경로과 반대되지 않도록 구성된다. 이는 슬롯과 소자 사이의 커플링을 감소시키고, 이는 고 Q 안테나에 유익할 수 있다. 일 실시예에서, 슬롯은 독립된 부품에 의해 제공된다. 또 다른 실시예에서, 슬롯은 회로 기판의 접지면에 제공된다.
본 발명은 예시의 방법으로 도시되고, 첨부도면으로 제한되는 것은 아니며, 첨부도면의 참고 도면 부호는 유사한 구성요소들을 표시한다.
도 1은 복귀전류에 반대되는 슬롯전류를 갖도록 구성된 저임피던스 슬롯 피드(LISF) 안테나의 실시예를 도시한다.
도 2a는 도 1에 도시된 안테나의 부정합 임피던스를 도시한다.
도 2b는 슬롯 위치에 가해지는 상이한 두 가지 조정이 있을 때, 도 1에 도시된 안테나의 부정합 임피던스를 도시한다.
도 3은 소자와 슬롯을 포함하는 반전된 저임피던스 슬롯 피드(Inverted Low Impedance Slot Feed, ILISF) 안테나의 실시예를 도시한다.
도 3a는 도 3에 도시된 슬롯과 관련된 슬롯전류에 의해 취해진 경로를 도시한다.
도 3b는 도 3에 도시된 소자와 관련된 공진전류과 복귀전류에 의해 취해진 경로를 도시한다.
도 4a는 도 1에 도시된 것과 유사한 안테나 시스템의 개략도를 도시한다.
도 4b는 도 3에 도시된 것과 유사한 안테나 시스템의 개략도를 도시한다.
도 5a는 도 1에 도시된 안테나와 유사하게 구성된 안테나의 실시예의 임피던스 플롯을 도시한다.
도 5b는 도 5a에 사용된 안테나와 동일한 물리적 치수를 가지나, 도 3에 도시된 바와 같이 위치된 단락부와 피드를 갖는 안테나의 임피던스 플롯을 도시한다.
도 6a는 제1 슬롯 방향을 갖는 안테나 구성의 실시예를 도시한다.
도 6b는 제2 슬롯 방향을 갖는 안테나 구성의 실시예를 도시한다.
도 6c는 제3 슬롯 방향을 갖는 안테나 구성의 실시예를 도시한다.
도 6d는 제4 슬롯 방향을 갖는 안테나 구성의 실시예를 도시한다.
도 7a는 제1 슬롯 방향을 갖는 안테나 구성의 실시예를 도시하고, 슬롯은 접지면에 제공된다.
도 7b는 제2 슬롯 방향을 갖는 안테나 구성의 실시예를 도시하고, 슬롯은 접지면에 제공된다.
도 7c는 제3 슬롯 방향을 갖는 안테나 구성의 실시예를 도시하고, 슬롯은 접지면에 제공된다.
도 7d는 제4 슬롯 방향을 갖는 안테나 구성의 실시예를 도시하고, 슬롯은 접지면에 제공된다.
도 8은 블록에 의해 지지되는 슬롯과 소자를 포함하는 ILISF 안테나의 실시예를 도시한다.
도 9는 도 8에 도시된 안테나의 임피던스 플롯을 도시한다.
도 10은 블록에 의해 지지되는 소자와 접지면에 있는 슬롯을 포함하는 ILISF 안테나의 실시예를 도시한다.
도 11은 도 10에 도시된 안테나의 임피던스 플롯을 도시한다.
도 12는 블록에 의해 지지되는 U 형상의 슬롯과 소자를 포함하는 ILISF 안테나의 실시예를 도시한다.
이하 상세한 설명은 예시적인 실시예들을 기술하며, 명확하게 개시된 조합들만으로 한정하려는 것은 아니다. 따라서 달리 언급이 없는 한, 여기 개시된 구성들은 함께 결합되어, 간결한 기재를 위해 달리 도시하지 않은 추가적인 조합들을 형성할 수도 있다.
알 수 있는 바와 같이, 슬롯과 고 Q 안테나 소자 사이의 커플링을 감소시키는 것은 유익하다. 이러한 감소는 고 Q 안테나 소자에 의해 발생되는 강한 전기장(E-field)과 자기장(H-field)을 더 잘 취급할 수 있게 한다. 커플링의 강도는 피드가 소자의 단락부에 가까워질수록 증가하는 것으로 판정되었는데, 여기가 가장 강한 전류가 흐르고 있는 곳이기 때문이다. 피드를 소자의 단락부로부터 이격시키는 것이 도움이 되나, 피드를 충분히 멀리 이동시키는 것은 어렵고, 특히 작은 패키지를 원하는 경우에 그러하다. 그러나, 도 3에 도시된 실시예에 도시된 바와 같이, 슬롯의 위치를 반전시킴으로써 커플링이 감소될 수 있다. 이러한 구성은 반전된 저임피던스 슬롯 피드 안테나(Inverted Low Impedance Slot Fed, ILISF)로 불릴 수 있다.
도시된 바와 같이, 통신 시스템은 접지면(120)을 포함하는 회로 기판(115)에 장착된 트랜시버(122)를 포함한다. 알려진 바와 같이 접지면은 다수의 층들을 포함할 수 있고 비아(via)들 또는 그와 유사한 것들과 함께 결합될 수 있으나, 쉽게 도시하기 위해 단순화된 형태만이 도시된다. 트랜시버(125)는 피드(130)에 결합된 전송 라인(도시되지 않음)을 포함할 수 있고, 피드는 슬롯(135)의 단부에 결합된다. 슬롯(135)은, 전류가 피드(130)를 향해 되돌아가는 것을 가능하게 하고(전류 루프를 생성하고) 슬롯전류(161) 또는 I슬롯을 제공하는, 접지를 위한 단락부(136)를 갖는다. 슬롯과 소자(50) 사이의 전압차는, 슬롯(135)과 공진하는 소자(150)의 몸체(156) 사이의 용량성 커플링(capacitive coupling)(162)을 발생시킨다. 용량성 커플링(162)은 아암(156)을 따라 위로 이동하고 소자(150)의 몸체(158)를 따라 진행하는 공진전류(I공진)(163)와, 슬롯을 따라 이동하고 접지면을 따라 소자 단락부(159)을 향해 진행하는 복귀전류(I복귀)(164)를 발생시킨다.
LISF 안테나와 비교하여, ILISF 안테나는 슬롯(135)과 피드(130) 사이의 감소된 커플링을 제공할 수 있다. 감소된 커플링은, 소자의 저 자기장(h-field) 구역에서 피드를 갖는 것에 의해 달성되고 또한 슬롯을 반전시켜서 복귀전류(164)가 직접적으로 피드를 가로질러 작용하지 않게 함으로써 달성된다. 두 가지 컨셉의 전기적 차이는, 도 4에 도시된 등가 개략도를 보면 가장 잘 도시된다.
소자는 안테나, L공진, C커플링, 그리고 L복귀에 의해 도시되고, 슬롯은 C슬롯와 L슬롯에 의해 도시되고, 피드는 전압 발생기에 의해 도시되며, 본 예에서 정합은 C정합로 도시된다. LISF의 개략도인 도 4a에서는, 피드가 직접적으로 안테나를 가로질러 슬롯과 병렬로 결합되어, L복귀 이 증가함에 따라 증가하게 되는 강한 커플링을 형성하는 것을 볼 수 있다. 도 4b에서 개략적으로 도시된 ISILF 안테나는, 직접적으로 피드를 가로질러 결합되지는 않으나, L슬롯과 피드의 직렬 조합을 가로질러 결합되어서, 피드를 가로지르는 전압을 감소시킨다.
이러한 시스템의 이점들은 도 5a와 도 5b에 도시되는데, 부정합 LISF의 임피던스(도 5a)는 부정합 ILISF의 임피던스(도 5b)와 비교되는데, 이는 소자와 슬롯의 치수는 동일하고 피드와 슬롯의 단락부의 위치만을 바꾼 것이다. 슬롯의 배치와 위치는 표준 LISF 컨셉에 대한 PCT 출원 제 PCT/US10/47978호에 도시된 바와 같이 다소 달라질 수 있다. 위의 예시들과 같이 슬롯이 안테나 구조물의 부품이라면, 도 6a 내지 도 6d에 도시된 바와 같이, 회로 기판의 에지를 따라 이동될 수 있고 또한 회로 기판의 에지와 직각을 이룰 수도 있다.
예를 들어, 도 6a는 피드(130)를 갖는 슬롯(235)과, 소자(150)와 접지 사이의 단락부와 상대적으로 가까운, 접지와 슬롯 사이의 단락부를 도시한다. 그에 반하여, 도 6b는 슬롯과 접지 사이의 단락부를 갖는 슬롯(235)을 도시하는데, 그 단락부는 소자(150)와 접지 사이의 단락부와 상대적으로 더 멀리 떨어진다. 도 6c는 소자(150)로부터 이격되게 위치하여 슬롯과 접지 사이의 제1 단락부가 몸체와 접지면 사이의 제2 단락부로부터 훨씬 더 멀리 이격되는 슬롯(235)을 도시한다. 그리고 도 6d는 슬롯이 회로 기판의 에지를 따라 위치되지 않고 대신에 회로 기판의 에지 내부에 위치되는 실시예를 도시한다. 이와 같이 실질적으로 유연하게 위치시키는 것이 가능하고, 슬롯을 회로 기판의 에지에 인접하게 위치시키는 것이 대체로 유익하지만, 이러한 설계가 요구되는 것은 아니다. 알 수 있듯이 이러한 변경은 커플링과 안테나의 임피던스에 영향을 줄 것으로 예상된다.
또한, 도 7a 내지 도 7d에 도시된 바와 같이 접지면의 슬롯은 상이한 형상으로, 그리고 소자에 대해 상이한 위치에서 구현될 수 있다. 소자는 여전히 접지를 위한 제1 단락부를 갖고 지지되지 않은 상태로 도시되나, 실제로는 소자가 절연재에 의해 지지될 것이라는 것이 예상된다. 이러한 실시예들에서, 슬롯은 피드에 결합된 개방단과 슬롯의 단부를 특정하는 폐쇄단을 갖는다. 폐쇄단은 피드와 제1 단락부 사이에 있을 수 있다. 예를 들어, 도 7a는 접지면에 형성된 슬롯(235)과 함께 피드(230)를 도시하고, 슬롯의 폐쇄단은 소자(150)와 접지면 사이의 단락부와 상대적으로 가깝다. 그에 반하여, 도 7b는 피드(230)와 접지면에 형성된 슬롯(235)을 도시하는데, 슬롯의 폐쇄단은 소자(150)와 접지면 사이의 단락부와 상대적으로 더 멀리 떨어져 있다. 도 7c는 슬롯의 폐쇄단이 소자(150)의 단부로부터 이격되고 따라서 소자(150)와 접지면 사이의 단락부와 폐쇄단 사이에 훨씬 더 큰 거리를 제공하도록 접지면에 형성된 비선형의 슬롯(335)과 피드(230)를 갖는 안테나 시스템을 도시한다. 그리고 도 7d는 폐쇄단이 회로 기판의 에지를 따라 위치되는 것이 아니라 대신에 회로 기판의 에지 내부에 위치되도록 슬롯이 에지(그리고 소자)로부터 이격되어 연장하는 실시예를 도시한다. 이와 같이 실질적으로 유연하게 위치시키는 것이 가능하고, 슬롯을 회로 기판의 에지에 인접하게 위치시키는 것이 대체로 유익하지만, 이러한 설계가 요구되는 것은 아니다.
도 8 내지 도 12에 도시된 예시들은 ILISF 개념의 다른 구현들을 도시하기 위해 사용되고, ISM대역 2.4 GHz (2400 MHz 내지 2484.5 MHz)로 최적화될 수 있다. 알 수 있는 바와 같이, 도시된 설계들은 예를 들어, 소자의 크기를 조정함에 따라 상이한 원하는 주파수에 사용될 수 있다. 대체로, 회로 기판에서 컷백(cutback)에 대한 어떠한 요구도 실질적으로 회피할 수 있도록, 세라믹을 사용함으로써 에지에 장착된 안테나의 물리적인 크기를 최소화하는 것이 유익하다[예를 들어 완전한 접지식 안테나(on-ground antenna)를 제공하는 것]. 컷백의 사용을 회피하는 기능은 회로 기판의 설계에 있어서 추가적인 유연성을 제공하나 요구되는 것은 아니다. 일 실시예에서, 예를 들어 회로 기판의 크기는 약 40mm에서 100mm까지 될 수 있고 안테나는 단락부 측의 에지, 잠재적으로는 에지의 중앙에 장착될 수 있다. 그러나 알 수 있듯이, 적합한 크기의 어떠한 회로 기판이라도 사용될 수 있고, 안테나가 도시된 위치에 장착될 필요는 없다.
도 8은 예를 들어 접지면(420)(전체 상부 표면을 덮는 것으로 도시됨)을 갖는 회로 기판(415)을 도시한다. 알려진 바와 같이, 접지면은 다양한 방식으로 회로 기판에 제공될 수 있고, 절연층으로 씌워질 수도 있으며, 따라서 도시된 구성은 쉽게 이해하기 위해 단순화된 것이고 이에 한정하려는 것은 아니다. 안테나 시스템(425)은 회로 기판에 제공되고 슬롯(435)에 결합된 피드(430)를 포함한다. 슬롯(435)은 상대적으로 높은 유전 상수(예를 들어 100초과)를 갖고 세라믹 재료로 형성될 수 있는 제1 블록(446)에 의해 지지되고, 슬롯(435)은 슬롯(435)을 접지면(420)에 결합시키는 단락부(436)를 갖는다. 따라서 도 3에 도시된 슬롯(135)과 유사하게 슬롯(435)은 L형상이고 제1 단부와 제2 단부를 갖고, 제2 단부는 접지면에 결합되고 제1 단부는 피드에 결합된다. 작동하는 동안, 피드로부터의 전류는 슬롯(435)을 따라서 단락부(436)로 흐르고, 이어서 복귀전류가 접지면을 따라서 흐르고 정합 캐패시터(453)를 통과하여 피드로 되돌아간다. 제1 블록(446)과 상이한 재료로 형성될 수 있는 제2 블록(445)은 더 낮은 유전율(예를 들어, 40F/m미만)을 가질 수 있고, 접지면(420)으로의 단락부(459)를 갖는 소자(450)를 지지한다. 일 실시예에서, 이러한 안테나의 부피는 예를 들어 0.032 cm3 (너비 2 mm x 길이 8 mm x 높이2 mm)가 될 수 있다. 이러한 소자(450)는 소자(150)가 기능하는 것과 비슷하게 기능하고 따라서 이러한 설명은 간결한 기재를 위해 반복되지 않을 것이다.
도시된 구조물은 세라믹이지만, 임의의 절연재가 사용될 수 있기 때문에 구조물을 세라믹으로 구현하는 것이 필수적인 것은 아니다. 세라믹을 사용하는 이점은 세라믹의 높은 유전 상수와 낮은 손실 탄젠트(loss tangent) 때문에 이러한 재료가 고 Q 안테나 구조물에 사용하기에 매우 적합하다는 것이다.
세라믹 재료가 사용되는 경우, 개시된 구성에 높은 유전율(εr)(예를 들어, εr = 110 F/m)을 제공하는 기능은 전기적 길이(스미스 차트에서의 공진 위치)를 유지하면서 슬롯의 물리적 길이를 감소시키는 것을 가능하게 한다. 나아가 슬롯의 짧은 물리적 길이는 소자와의 커플링을 감소시킬 것이다.
오늘날 상업적으로 통용되는 전형적인 접지 세라믹 WIFI 안테나는 3.2mm*10mm*4mm(너비*길이*높이)(또는 약 0.128 cm3)의 크기를 갖고, 전형적인 접지 세라믹 WIFI 안테나는 위에 개시된 바와 같은 실시예보다 더 크다는 것을 알 수 있다. 이러한 안테나 종류는 전형적으로 단일 공진이고, 동일한 임피던스 대역폭을 취급하는 것에 더 큰 부피를 필요로 한다. 그에 반하여, 도시된 실시예는 실질적으로 더 작은 부피로 적합한 성능을 제공할 수 있다. 이러한 부피의 감축 및/또는 세라믹 아래에 접지면을 갖는 가능성은 ILISF 정합에 의해 생성되는 추가적인 공진 때문에 가능하다. 안테나의 복소 임피던스는 도 9에 도시되고, 알 수 있듯이 추가적인 공진을 포함한다.
이러한 안테나 구성의 모의 효율은 약 90%이다. 그러나 물리적 모델로서 구현될 때 실제 효율은 대략 80%로 감축될 것인데, 주로 세라믹 부품의 납땜 때문이다.
또 다른 실시예에서, ILISF 안테나 시스템은 소자 피드와 정합 캐패시터가 세라믹에 포함되고 슬롯이 지지 회로 기판에 구현되어 제공될 수 있다. 도 10은 그렇게 구성된 안테나 시스템(525)의 실시예를 도시한다. 회로 기판(515)은 안테나 시스템(525)을 지지하는 접지면(520)을 포함한다. 안테나 시스템은 세라믹 몸체(545)를 포함하고, 몸체(556)와 아암(558)을 갖고 세라믹 몸체(545)의 일 측부를 따라 단락부(549)를 갖는 소자(550)를 지지한다. 피드(530)는 몸체(545)의 반대쪽 단부에 인접하게 제공된다. 피드(530)는 접지면(520)에 결합하고, 접지면으로부터의 전류의 복귀 경로는 슬롯(535) 주위로 이어지고, 일 실시예에서 캐패시터가 될 수 있는 정합 회로를 거쳐서 되돌아 온다. 전류 루프는 소자와 결합하고 소자에 대응하는 전류 루프를 생성한다. 접지면(520)의 슬롯(535)을 사용하기 때문에, 안테나 시스템(525)의 크기는 더 감소될 수 있고, 예시적인 실시예에서 몸체는 2 mm*8 mm*1.5 mm(너비*길이*높이)의 크기 또는 0.024 cm3의 부피를 갖는다. 알 수 있는 바와 같이, 슬롯(535)은 PCB의 에지와 직각을 이루고 안테나보다 더 길 수 있으나(예를 들어 8mm 길이보다 더 클 수 있음) 상대적으로 유지될 수 있다(예를 들어 약 0.5mm의 너비를 가짐). 그러나 알 수 있는 바와 같이, 주파수와 원하는 감도에 따라서 ILISF 안테나 시스템의 원하는 크기와 그에 따른 슬롯이 변경될 수 있다. 예를 들어 특정한 용도에서 다소 큰 부피를 필요로 할 수 있다.
안테나 시스템(525)의 복소 임피던스는 도 11에 도시된다. 주파수 응답은 주파수 282’로부터 281’까지가 정재파비(SWR) 서클(170)(3의 값을 가짐) 내에 유지되는데, 예를 들어 약 2400 MHz 내지 2484.5 MHz까지이다.
도 12는 예시적인 안테나 시스템(625)의 또 다른 실시예를 도시한다. 피드(630)는 캐패시터(653)[피드(630)와 슬롯(635) 사이에서 직렬로 도시됨]를 거쳐서 전기적으로 슬롯(635)에 연결된다. 슬롯(635)은 U 형상이고 제1 단부(636)와, 접지면(620)(실제로는 전형적으로 회로 기판에 의해 지지되나 명확성을 목적으로 도시되지 않음)에 결합하는 단락부(436)를 갖는 제2 단부(637)를 갖는다. 알 수 있는 바와 같이, 슬롯(635)은 (세라믹 재료와 같은) 유전 재료로 만들어지고, 10과 30 사이의 유전율, 바람직하게는 18-22 F/m 에 가까운 유전율을 가질 수 있는 블록(645)에 위치된다. 그러나 원하는 유전율은 (안테나의 Q와 같은) 다수의 외부 요인에 따를 것이고 따라서 원하는 유전율의 선택은 특정 실시예마다 다양할 것이다. 블록(645)은 몸체(656)와, 소자(650)를 접지면(620)에 결합시키는 단락부(659)를 갖는 아암(658)을 포함하는 소자(650)를 지지한다.
전류 흐름은 위에서 논한 것과 유사하고, 단락부(436)로부터 피드(630)까지 제1 경로를 따라 접지면(620)을 통과하는 슬롯전류를 갖는다. 따라서 알 수 있는 바와 같이 슬롯(635)과 관련된 슬롯전류에 의해 취해진 제1 경로는 [슬롯(635)과 소자(650) 사이의 커플링때문에] 소자(650)에 제공되는 공진전류와 관련된 복귀전류에 의해 취해진 제2 경로에 반대되지 않는다.
여기에 제공된 개시 내용은 그 자체의 바람직하고 예시적인 실시예들의 구성들을 기술한다. 첨부된 특허청구범위의 범위와 의미 내에서의 다수의 다른 실시예, 변경, 변형은 이러한 개시된 내용을 검토함으로써 당해 기술분야의 통상의 기술자에게 자명할 것이다.

Claims (13)

  1. 안테나 시스템이며,
    절연 블록과,
    몸체와 아암을 갖는 소자로서, 소자는 절연 블록에 의해 지지되고, 아암은 접지면으로의 제1 단락부를 갖는 소자와,
    제1 단부와 제2 단부를 갖는 슬롯으로서, 제2 단부는 접지면으로의 제2 단락부를 갖는 슬롯과,
    제1 단부와 결합되는 피드를 포함하고,
    복귀전류가 슬롯전류에 의해 취해진 방향과 반대되지 않는 방향과 동일한 방향으로 흐르도록 구성된, 안테나 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 절연 블록은 15 F/m보다 큰 유전율을 갖는, 안테나 시스템.
  3. 제2항에 있어서, 절연 블록은 세라믹 재료로 형성되는, 안테나 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 복귀전류는 슬롯전류와 동일한 방향으로 흐르는, 안테나 시스템.
  5. 제1항에 있어서, 슬롯은 U 형상인, 안테나 시스템.
  6. 제5항에 있어서, 피드와 제1 단부 사이에 직렬로 위치되는 캐패시터를 더 포함하는, 안테나 시스템.
  7. 제1항에 있어서, 제2 단락부와 피드 사이에 직렬로 연결된 캐패시터를 더 포함하는, 안테나 시스템.
  8. 안테나 시스템이며,
    접지면과,
    제1 단부 및 제2 단부를 갖는 몸체를 갖는 소자로서, 몸체의 제1 단부에 아암을 포함하고 아암은 접지면으로의 제1 단락부를 갖는 소자와,
    접지면에 있는 슬롯과,
    슬롯 주변에 슬롯전류를 발생시키도록 구성된 피드를 포함하고,
    슬롯전류는 소자에 인접하게 위치되어 공진전류가 용량성 커플링을 거쳐서 소자에 형성되고, 복귀전류는 용량성 커플링 지점으로부터 제1 단락부까지 슬롯전류와 동일한 방향인, 안테나 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 슬롯은 L 형상의 구조이고, 피드와 연결되고 접지면 위에 위치되는 제1 단부와, 접지면으로의 제2 단락부를 형성하는 제2 단부를 갖는, 안테나 시스템.
  10. 제9항에 있어서, 제2 단락부는 피드와 제1 단락부 사이에 위치되는, 안테나 시스템.
  11. 제8항에 있어서, 슬롯은, 피드에 연결된 개방단과, 슬롯을 특정하는 폐쇄단을 갖는, 안테나 시스템.
  12. 제11항에 있어서, 폐쇄단은 피드로부터의 제1 거리에 있고, 제1 단락부는 피드로부터의 제2 거리에 있으며, 제2 거리는 제1 거리보다 큰, 안테나 시스템.
  13. 제11항에 있어서, 폐쇄단은 제1 단락부와 피드 사이에 위치되는, 안테나 시스템.
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