KR101043993B1 - 다중 대역 안테나 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다중 대역 및 광대역이 구현될 수 있도록 접지판에 슬롯이 형성된 다중 대역 안테나에 관한 것이다. 상기 안테나는 접지판, 상기 접지판과 소정 이격되어 배열된 방사체 및 상기 방사체로 급전하는 급전핀을 포함한다. 여기서, 상기 접지판 상에는 제 1 슬롯이 형성되며, 상기 제 1 슬롯은 상기 방사체로의 급전을 통하여 여기되고, 상기 급전핀을 통한 상기 방사체로의 급전에 의해 상기 제 1 슬롯이 여기되어 상기 제 1 슬롯의 주변으로 전류가 흐르며, 상기 제 1 슬롯은 상기 여기에 따라 공진 주파수를 구현한다.
안테나, PIFA, 접지판, 슬롯

Description

다중 대역 안테나{MULTI-BAND ANTENNA}
본 발명은 다중 대역 안테나에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다중 대역 및 광대역이 구현될 수 있도록 접지판에 예를 들어 T자 형상의 슬롯이 형성된 다중 대역 안테나에 관한 것이다.
이동통신단말기용 안테나는 이동통신 중 공중의 RF 신호를 내부로 수신하거나 내부의 RF 신호를 외부로 출력하는 장치로서, 상기 이동통신단말기에 필수적으로 요구되는 구성 요소이다.
최근, 상기 이동통신단말기의 소형화 추세에 따라 외장형 안테나보다는 내장형 안테나에 대한 기술 개발이 활발히 이루어지고 있다. 특히, 상기 이동통신단말기가 음성 통화 외에 와이브로(Wibro), DMB 등과 같은 다양한 기능들을 구현하는 추세이므로, 소형을 만족시키면서 상기 기능들을 만족시키는 대역폭들이 구현되어야 한다.
따라서, 최근에는 다중 대역을 구현할 수 있는 안테나들이 많이 개발되고 있으며, 이동통신단말기용으로는 평판형 역 에프 안테나(Planar Inverted F Antenna, PIFA)가 일반적으로 이용되고 있다. 이러한 평판형 역 에프 안테나에서 다중 대역 을 구현하기 위하여, 방사체 패턴을 미앤더 형태로 구현하거나 방사체에 슬릿을 형성하는 기술 등이 사용되고 있다. 그러나, 이러한 기술들은 다중 대역을 구현할 수는 있는 반면에, 대역폭이 현저히 감소하는 문제점이 존재하였다. 즉, 상기 기술들을 이용하는 안테나는 다중 대역을 구현할 수는 있지만 광대역을 구현할 수는 없었다.
본 발명의 목적은 다중 대역 및 광대역을 동시에 만족시킬 수 있는 안테나, 특히 평판형 역 에프 안테나를 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 다중 대역 안테나는 접지판; 상기 접지판과 소정 이격되어 배열된 방사체; 및 상기 방사체로 급전하는 급전핀을 포함한다. 여기서, 상기 접지판 상에는 제 1 슬롯이 형성되며, 상기 제 1 슬롯은 상기 방사체로의 급전을 통하여 여기되고, 상기 급전핀을 통한 상기 방사체로의 급전에 의해 상기 제 1 슬롯이 여기되어 상기 제 1 슬롯의 주변으로 전류가 흐르며, 상기 제 1 슬롯은 상기 여기에 따라 공진 주파수를 구현한다.
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본 발명에 따른 안테나, 특히 평판형 역 에프 안테나는 접지판에 예를 들어 T자 형상의 슬롯을 형성하므로, 다중 대역 및 광대역이 모두 구현될 수 있다. 또한, 방사체에도 슬롯이 형성되면, 소정 공진 주파수가 추가적으로 구현될 수 있다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다중 대역 안테나를 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 접지판에 형성도니 슬롯의 등가적인 회로 모델을 도시한 도면이다.
본 실시예의 다중 대역 안테나는 다중 대역을 구현하면서 광대역을 만족시키는 안테나로서, 예를 들어 이동통신단말기에 사용되는 평판형 역 에프 안테나(Planar Inverted-F Antenna, PIFA)이다. 다만, 상기 안테나는 평판형 역 에프 안테나로 제한되지는 않으나, 이하 설명의 편의를 위하여 상기 안테나를 평판형 역 에프 안테나로 가정하겠다.
도 1을 참조하면, 본 실시예의 안테나는 접지판(100), 방사체(102), 급전핀(104) 및 접지핀(106)을 포함한다.
접지판(100)은 유전체 기판 상에 금속 재질이 도금된 형태로 구현되며, 예를 들어 이동통신단말기 내의 접지와 전기적으로 연결된다.
방사체(102)는 접지판(100)과 소정 거리만큼 이격된 상태로 배열되며, 바람직하게는 접지판(100)과 평행하게 배열되며, 금속 재질로 이루어진다. 이러한 방사 체(102)는 소정 방사 패턴을 발생시켜 외부로 RF 신호를 출력하거나 외부의 RF 신호를 수신한다.
급전핀(104)은 전력이 공급되는 통로이며, 급전 선로(미도시)를 통하여 입력되는 전력을 방사체(102)로 제공한다. 즉, 급전핀(104)은 방사체(102)로의 급전 통로이다. 결과적으로, 상기 급전에 따라 방사체(102)로부터 소정 방사 패턴이 방사된다.
접지핀(106)은 접지판(100)과 방사체(102) 사이에 결합되어 방사체(102)를 접지판(100)에 전기적으로 연결시킨다.
이러한 구조에서, 접지판(100)에는 도 1에 도시된 바와 같기 제 1 슬롯(First slot, 108)이 형성된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 1 슬롯(108)은 일종의 공진기로서, 예를 들어 T자 형상을 가지며, 즉 수직 슬롯(110)과 수평 슬롯(112)으로 이루어진다. 상세하게는, 제 1 슬롯(108)은 급전핀(104)을 통하여 방사체(102)로 전력이 급전될 때 상기 급전에 의해 여기된다. 다시 말하면, 방사체(102)로의 급전에 의해 접지판(100) 중 수직 슬롯(110)의 양종단에 대응하는 부분들 사이에 전압차가 발생된다. 결과적으로, 소정 전류가 제 1 슬롯(108)의 주변을 따라서 흐르게 되며, 따라서 적어도 하나의 공진 주파수가 제 1 슬롯(108)에 의해 구현된다. 특히, 방사체(102)는 저주파 대역의 공진 주파수를 구현하는 반면에, 제 1 슬롯(108)은 고주파 대역의 공진 주파수를 구현할 수 있다.
이러한 제 1 슬롯(108)의 등가 회로 모델을 살펴보면, 제 1 슬롯(108)은 도 2에 도시된 바와 같이 복수의 캐패시터들과 복수의 인덕터들의 회로로 등가화될 수 있다. 여기서, 상기 캐패시터들의 캐피시턴스들과 상기 인덕터들의 인덕턴스들은 제 1 슬롯(108)의 폭 및 길이에 따라 변화되며, 이러한 캐패시턴스들과 인덕턴스들의 변화는 입력 임피던스(Z0), 공진 주파수 및 대역폭 등을 가변시킨다. 결과적으로, 사용자는 제 1 슬롯(108)의 폭 및 길이를 조정하여 원하는 공진 주파수를 구현할 수 있다. 물론, 원하는 공진 주파수가 구현될 뿐만 아니라 충분한 대역폭을 구현될 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술하겠다.
제 1 슬롯(108)에 의해 발생되는 공진 주파수들 중 첫번째 공진 주파수는 아래의 수학식 1에 의해 계산될 수 있다.
Figure 112009011107643-pat00001
, 여기서 λS는 제 1 슬롯(108)에 의한 공진 주파수의 파장을 의미하며, εr은 접지판(100)의 유전 상수를 나타낸다.
위 수학식 1에 따라 구현된 대역폭 범위를 살펴보면, 제 1 슬롯(108)을 사용함에 의해 와이브로(Wibro, 2.3㎓ 내지 2.4㎓), 블루투스(Bluetooth, 2.4㎓ 내지 2.4835㎓), WLAN(2.4㎓ 내지 2.462㎓) 또는 S-DMB(2.630㎓ 내지 2.654㎓) 대역폭 등이 구현될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제 1 슬롯(108) 중 수평 슬롯(112)의 가로 길이는 반파장 길이를 가지며, 제 1 슬롯(108)은 도 1에 도시된 바와 같이 접지 판(100) 중 방사체(102)의 하단부에 해당하는 부분에 형성된다. 또한, 수직 슬롯(110)은 도 1에 도시된 바와 같이 급전핀(104)과 접지핀(106) 사이에 위치한다.
요컨대, 본 실시예의 안테나는 방사체(102)에 의한 제 1 공진 주파수와 T자 형상의 제 1 슬롯(108)에 의한 적어도 하나의 제 2 공진 주파수를 구현하며, 즉 다중 대역을 구현한다. 여기서, 방사체(102)는 저주파 대역의 공진 주파수를 구현하며, 제 1 슬롯(108)은 고주파 대역의 공진 주파수를 구현할 수 있다. 특히, 본 실시예의 안테나는 후술하는 바와 같이 다중 대역을 구현하면서 충분한 광대역을 만족시킨다.
위에서는 특정 대역의 공진 주파수들이 구현되는 것으로 언급되었지만, 본 실시예의 안테나는 방사체(102)의 사이즈 및 제 1 슬롯(108)의 사이즈를 조절하여 타대역의 공진 주파수를 구현할 수도 있다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 다중 대역 안테나를 도시한 사시도이다.
도 3을 참조하면, 본 실시예의 안테나는 접지판(100), 방사체(102), 급전핀(104) 및 접지핀(106)을 포함한다.
제 1 실시예와 달리, 본 실시예에서는 방사체(102)에는 제 2 슬롯(300)이 형성되어 있다. 따라서, 급전핀(104)을 통하여 인가된 전류가 다중 경로로 분기되며, 그 결과 방사체(102)에 의해 2개 이상의 공진 주파수들이 구현된다. 여기서, 제 2 슬롯(300)의 모양 및 사이즈 등은 공진 주파수 특성에 맞춰서 다양하게 변형될 수 있다.
요컨대, 본 실시예의 안테나에서는, 접지판(100)에 제 1 슬롯(108)이 구현되고, 방사체(102)에 제 2 슬롯(300)이 구현된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제 1 슬롯의 다양한 형태들을 도시한 도면이다.
도 4(A)를 참조하면, 제 1 슬롯(108a)은 도 1과 유사하게 T자 형상을 가지나, 금속 재질의 도전체가 제 1 슬롯(108a)의 내부에 위치된다.
도 4(B) 및 도 4(C)를 참조하면, 제 1 슬롯(108b 및 108c)은 Y자 형상을 가진다. 결과적으로, 제 1 슬롯(108b 및 108c) 주변으로 흐는 전류 경로, 즉 전기적 길이가 도 1 및 도 4(A)의 제 1 슬롯(108a)에서보다 증가된다. 따라서, 제 1 슬롯(108b 및 108c)으로 인하여 다중 대역이 구현되되, 도 1 및 도 4(A)의 제 1 슬롯(108a)과는 다른 공진 주파수가 구현될 것이다.
즉, 제 1 슬롯(108)은 방사체(102)로의 급전에 의해 여기되는 한 T자 형상으로 제한되지 않고 Y자 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 물론, 제 1 슬롯(108)은 접지판(100) 중 방사체(102)의 하단부에 대응하는 부분에 형성되는 것이 바람직하다.
위에서는, 본 실시예의 안테나를 평판형 역 에프 안테나(PIFA)를 예로 하여 설명하였으나, 상기 안테나는 접지판에 형성된 특정 형상의 슬롯이 타소자(예를 들어 방사체)로의 급전에 의해 여기되는 한 평판 안테나, 마이크로스트립 안테나 등 다양한 안테나에 사용될 수 있다. 다른 관점에서, 상기 접지판 중 상기 슬롯의 양종단에 대응하는 부분들 사이에 전압차가 발생되는 한, 본 발명의 구조는 다양한 안테나들에 적용될 수 있다.
이하, 본 실시예의 안테나에 대한 실제 실험예를 첨부된 도면들을 참조하여 살펴보겠다.
도 5는 일반적인 평판형 역 에프 안테나와 본 발명의 평판형 역 에프 안테나를 도시한 사시도이고, 도 6은 도 5의 안테나들에 대한 반사계수 특성을 도시한 도면이다. 여기서, 본 발명의 안테나는 도 1의 구조를 가진다. 도 7은 본 발명의 안테나들(방사체에 슬롯이 형성되지 않은 안테나, 방사체에 슬롯이 형성된 안테나)에 대한 반사계수 특성을 도시한 도면이다.
도 5(A) 및 도 5(C)에 도시된 바와 같이, 일반적인 평판형 역 에프 안테나는 접지판(500), 방사체(502), 급전핀(504) 및 접지핀(506)으로 이루어진다. 여기서, 접지판(500)의 사이즈를 40㎜×100㎜로 설정하였고, 방사체(502)의 사이즈를 30㎜×16㎜로 설정하였다. 또한, 급전핀(504)의 사이즈를 2㎜×6.5㎜로 설정하였으며, 접지핀(506)의 사이즈를 4㎜×6.5㎜로 설정하였다.
도 5(B) 및 도 5(C)에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 평판형 역 에프 안테나에서, 접지판(100)의 사이즈를 40㎜×100㎜로 설정하였고, 방사체(102)의 사이즈를 30㎜×16㎜로 설정하였다. 또한, 급전핀(104)의 사이즈를 2㎜×6.5㎜로 설정하였으며, 접지핀(106)의 사이즈를 4㎜×6.5㎜로 설정하였다. 게다가, 제 1 슬롯의 폭을 5㎜로 설정하였고, 수직 슬롯(110)의 길이를 8.5㎜로 설정하였으며, 수평 슬롯(112)의 길이를 37㎜로 설정하였다.
도 5(D)에 도시된 바와 같이, 방사체(102)에 형성된 제 2 슬롯(300)의 폭을 1.5㎜로 설정하고, 길이를 순차적으로 16.5㎜, 9.5㎜ 및 12.5㎜로 설정하였다.
이하, 이러한 사이즈를 가지는 안테나들에서의 반사 계수 특성을 살펴보겠다.
도 6을 참조하면, 일반적인 평판형 역 에프 안테나가 그의 반사 계수 특성 곡선(600)을 통하여 판단할 때 1개의 공진 주파수를 구현하는 반면에, 본 발명의 평판형 역 에프 안테나는 그의 반사 계수 특성 곡선(602)을 통하여 판단할 때 3개의 공진 주파수들을 구현함이 확인된다. 여기서, 2㎓ 이하의 공진 주파수는 방사체들로 인한 공진 주파수이고, 2㎓ 이상의 공진 주파수들은 T자 형상의 제 1 슬롯(108)에 의해 구현된 공진 주파수들이다.
즉, 본 실시예의 안테나가 광대역을 만족시키면서 다중 대역을 구현함이 확인되고, T자 형상의 제 1 슬롯(108)에 의해 상대적으로 고주파 대역의 공진 주파수들이 구현됨이 확인된다. 또한, 본 실시예의 안테나의 정재파비가 일반적인 안테나의 정재파비보다 우수함이 확인된다.
도 7을 참조하면, 도 1에 도시된 구조의 안테나는 그의 반사 계수 특성 곡선(700)을 통하여 판단할 때 3개의 공진 주파수들을 구현하는 반면에, 도 3에 도시된 구조의 안테나는 그의 반사 계수 특성 곡선(702)을 통하여 판단할 때 4개의 공진 주파수들이 구현된다. 여기서, 도 1의 구조를 가지는 안테나의 반사 계수 특성 곡선(700)은 도 6의 반사 계수 특성(602)와 동일하여야 하나, 도 7의 반사 계수 특성 곡선(700)은 실제 측정값에 의해 얻어진 곡선이고 도 6의 반사 계수 특성 곡선(602)은 시뮬레이션에 의해 얻어진 곡선으로 약간의 차이를 보인다.
즉, 도 3에 도시된 구조의 안테나에서는, 방사체(102)에 형성된 제 2 슬롯(300)에 의해 추가적인 공진 주파수가 구현된다. 여기서, 제 2 슬롯(300)에 의한 공진 주파수는 T자 형상의 제 1 슬롯(108)에 의한 공진 주파수들에 인접하여 구현된다. 또한, 방사체(102)에 의해 약 190㎒ 대역폭(S11〈-10㏈)이 구현되고, T자 형상의 제 1 슬롯(108)에 의해 약 710㎒ 대역폭(S11〈-10㏈)이 구현됨이 확인된다.
요컨대, 본 발명의 안테나는 접지판(100)에 형성된 제 1 슬롯(108)과 방사체(102)에 형성된 제 2 슬롯(300)을 이용하여 광대역을 만족시키면서 다중 대역을 구현시킨다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나의 방사 효율 측정값을 나타낸 그래프를 도시한 도면이다. 여기서, 상기 안테나는 도 3에 도시된 구조를 가진다.
도 8을 참조하면, 본 실시예의 안테나는 약 1.8㎓ 인근의 대역을 제외한 대다수 대역에서 60% 이상의 방사 효율을 가진다. 일반적으로, 60% 이상의 방사 효율을 가진 안테나가 이동통신단말기에 사용될 수 있음을 고려할 때, 본 발명의 안테나가 대다수의 대역에서 이동통신단말기에 적용될 수 있음이 확인된다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나의 최대 이득값을 나타낸 그래프를 도시한 도면이다. 여기서, 상기 안테나는 도 3에 도시된 구조를 가진다.
도 9를 참조하면, 본 실시예의 안테나의 최대 이득값은 대다수 3㏈i를 가짐이 확인되며, 따라서 광대역에서 이동통신단말기에 적용될 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나의 방사 패턴을 도시한 도면이 다. 상세하게는, 도 10(A)는 1.75㎓ 대역의 방사 패턴을 도시하였고, 도 10(B)는 2.4㎓ 대역의 방사 패턴을 도시하였다.
도 10에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 안테나는 이동통신단말기용 안테나에 적합하도록 전방향성 방사 패턴을 형성하며, 즉 모노폴 안테나와 유사한 방사 패턴을 가지고 있음이 확인된다.
상기한 본 발명의 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 다중 대역 안테나를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 접지판에 형성된 슬롯의 등가적인 회로 모델을 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 다중 대역 안테나를 도시한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제 1 슬롯의 다양한 형태들을 도시한 도면이다.
도 5는 일반적인 평판형 역 에프 안테나와 본 발명의 평판형 역 에프 안테나를 도시한 사시도이다.
도 6은 도 5의 안테나들에 대한 반사계수 특성을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 안테나들(방사체에 슬롯이 형성되지 않은 안테나, 방사체에 슬롯이 형성된 안테나)에 대한 반사계수 특성을 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나의 방사 효율 측정값을 나타낸 그래프를 도시한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나의 최대 이득값을 나타낸 그래프를 도시한 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 안테나의 방사 패턴을 도시한 도면이다.

Claims (9)

  1. 접지판;
    상기 접지판과 소정 이격되어 배열된 방사체; 및
    상기 방사체로 급전하는 급전핀을 포함하되,
    상기 접지판에는 제 1 슬롯이 형성되고, 상기 급전핀을 통한 상기 방사체로의 급전에 의해 상기 제 1 슬롯이 여기되어 상기 제 1 슬롯의 주변으로 전류가 흐르며, 상기 제 1 슬롯은 상기 여기에 따라 공진 주파수를 구현하는 것을 특징으로 하는 다중 대역 안테나.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 슬롯은 상기 접지판 중 상기 방사체의 하단부에 위치하며, T자 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 다중 대역 안테나.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 슬롯은 수직 슬롯과 수평 슬롯을 포함하되,
    상기 수직 슬롯은 상기 제 1 슬롯의 입력 임피던스를 제어하는 직렬 캐패시턴스 성분인 것을 특징으로 하는 다중 대역 안테나.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 안테나는 평판형 역 에프 안테나이며 상기 접지판과 상기 방사체 사이에 결합되는 접지핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중 대역 안테나.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 방사체에 제 2 슬롯이 형성되는 것을 특징으로 하는 다중 대역 안테나.
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  7. 삭제
  8. 삭제
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