KR20130064975A - 기판 도금 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예에 따른 기판 도금 장치는, 전해액이 수용되며 내측 하부에는 양극 전압 인가 시 플러스 금속 이온을 발생시키는 타겟부가 설치되는 프로세스 챔버; 및 프로세스 챔버의 내측 상부에 승강 및 회전 가능하게 배치되며, 플러스 금속 이온에 의해 도금되는 기판을 파지하는 로딩척;을 포함하며, 로딩척은, 하단부에 기판을 파지하는 파지부재가 구비되는 로딩몸체; 및 로딩몸체에 형성되며, 외부의 가스 공급부로부터 제공되는 침투 방지 가스를 파지부재 방향으로 분사함으로써 도금 공정 후 기판을 언로딩시킬 때 전해액이 파지부재를 향하여 침투하는 것을 방지하도록 하는 침투 방지 가스 분사부;를 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 기판에 도금 공정 후 로딩척으로부터 기판을 언로딩시킬 때, 비활성 기체와 같은 침투 방지 가스를 분사함으로써 전해액이 로딩척의 내측으로 인입되는 것을 저지할 수 있으며, 이에 따라 전해액에 의한 로딩척 하단부의 오염을 방지할 수 있다.
Description
기판 도금 장치가 개시된다. 보다 상세하게는, 도금 공정 후 기판이 로딩척으로부터 언로딩될 때 로딩척 내측으로 프로세스 챔버 내의 전해액이 침투하는 것을 방지할 수 있도록 침투 방지 가스를 제공하는 기판 도금 장치가 개시된다.
일반적으로 반도체 소자를 구성하는 실리콘 기판(silicon wafer) 상에 금속 배선을 형성하기 위해, 기판의 전면에 금속막을 패터닝(patterning)하게 된다. 이때, 기판의 전면에 형성되는 금속막은 알루미늄 또는 구리 등에 의해 형성된다.
이 중, 구리로 형성되는 금속막은 알루미늄으로 형성되는 금속막에 비해 녹는점이 높기 때문에 전기 이동도에 대한 큰 저항력을 가질 수 있으며, 이로 인해 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 비저항이 낮아 신호 전달 속도를 증가시킬 수 있는 장점이 있다. 따라서 구리로 형성되는 금속막이 주로 채택되고 있는 실정이다.
박막을 증착하는 방법은 물리적인 충돌을 이용하는 물리기상증착방법(PVD, physical vapor deposition)과 화학 반응을 이용하는 화학기상증착방법(CVD, chemical vapor deposition)으로 크게 분류된다. 물리기상증착방법으로는 스퍼터링(sputtering) 방법 등이 있고, 화학기상증착방법으로는 열을 이용한 열 화학기상증착방법(thermal CVD)과 플라즈마를 이용한 플라즈마 화학기상증착방법(plasma enhanced CVD) 등이 있다.
그러나 기판 상에 금속막을 패터닝하기 위해서는 증착 방법에 비해 전기 이동도에 대한 내성이 우수하고 제조 비용이 상대적으로 저렴한 전기도금 방법이 선호된다.
이러한 전기도금 방법이 적용되는 종래의 기판 도금 장치의 구성에 대해 개략적으로 설명하면, 기판 도금 장치는, 전해액이 수용되며 내측 하부에는 양극 전압이 인가되는 경우 플러스 금속 이온, 예를 들면 구리 이온(Cu2 +)을 배출하는 타겟부와, 프로세스 챔버의 내측 상부에서 승강 및 회전 가능하게 배치되며 기판을 파지할 수 있는 척(chuck)을 포함한다.
여기서, 척(50)은, 도 1에 개략적으로 도시한 바와 같이, 하단부에 기판(W)을 직접적으로 접촉하여 파지하며, 도금 공정 후 기판(W)을 전해액(3)으로 언로딩(자유 낙하)시킨다.
그런데, 이러한 종래의 기판 도금 장치에 있어서는, 도금 공정 후 기판(W)이 전해액(3)으로 언로딩될 때 전해액(3)이 척의 하부, 보다 상세하게는 립 실(51) 내측으로 인입될 수 있으며, 이에 따라 립 실(5l)과 같은 부분에 오염이 발생될 수 있다.
따라서, 기판(W)의 언로딩 시 척(50)의 일부분이 전해액(3)과의 접촉에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있는 새로운 구조의 척을 갖는 기판 도금 장치의 개발이 시급한 실정이다.
본 발명의 실시예에 따른 목적은, 기판에 도금 공정 후 로딩척으로부터 기판을 언로딩시킬 때, 침투 방지 가스를 분사함으로써 전해액이 로딩척의 내측으로 인입되는 것을 저지할 수 있으며, 이에 따라 전해액에 의한 로딩척 하단부의 오염을 방지할 수 있는 기판 도금 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 기판 도금 장치는, 전해액이 수용되며 내측 하부에는 양극 전압 인가 시 플러스 금속 이온을 발생시키는 타겟부가 설치되는 프로세스 챔버; 및 상기 프로세스 챔버의 내측 상부에 승강 및 회전 가능하게 배치되며, 상기 플러스 금속 이온에 의해 도금되는 기판을 파지하는 로딩척;을 포함하며, 상기 로딩척은, 하단부에 상기 기판을 파지하는 파지부재가 구비되는 로딩몸체; 및 상기 로딩몸체에 형성되며, 외부의 가스 공급부로부터 제공되는 침투 방지 가스를 상기 파지부재 방향으로 분사함으로써 도금 공정 후 상기 기판을 언로딩시킬 때 상기 전해액이 상기 파지부재를 향하여 침투하는 것을 방지하도록 하는 침투 방지 가스 분사부;를 포함함으로써, 기판에 도금 공정 후 로딩척으로부터 기판을 언로딩시킬 때, 비활성 기체와 같은 침투 방지 가스를 분사함으로써 전해액이 로딩척의 내측으로 인입되는 것을 저지할 수 있으며, 이에 따라 전해액에 의한 로딩척 하단부의 오염을 방지할 수 있다.
상기 로딩몸체는, 상기 프로세스 챔버에 대해 승강 가능하게 마련되는 승강부; 및 상기 승강부에 대해 회전 가능하게 결합되는 회전부를 포함하며, 상기 침투 방지 가스 분사부는, 상기 고정부의 축 방향을 따라 관통 형성되는 제1 분사라인; 및 상기 회전부의 상단벽 및 측벽을 따라 관통 형성되며, 상기 제1 분사라인으로부터 분기되는 복수 개의 제2 분사라인을 포함할 수 있으며, 이러한 구성에 의해서, 기판 및 파지부재의 접촉 부분 전 영역에 대해 침투 방지 가스를 분사할 수 있다.
상기 복수 개의 제2 분사라인은 분사구가 상기 파지부재의 상부에 위치하도록 상기 회전부의 내측에서 둘레 방향으로 배치될 수 있다.
상기 제2 분사라인의 분사구는 상기 침투 방지 가스를 내측 방향으로 경사지게 분사할 수 있도록 경사지게 형성될 수 있다.
상기 침투 방지 가스 분사부는 상기 전해액과 무반응하는 비활성 기체를 분사할 수 있다.
상기 기판 도금 장치는, 상기 침투 방지 가스 분사부의 가스 분사를 제어하는 제어부를 더 포함하며, 상기 기판의 도금 공정 후 상기 로딩척으로부터 상기 기판을 언로딩시킬 때 상기 제어부는 상기 침투 방지 가스 분사부에 의한 상기 침투 방지 가스 분사를 실행시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 기판에 도금 공정 후 로딩척으로부터 기판을 언로딩시킬 때, 침투 방지 가스를 분사함으로써 전해액이 로딩척의 내측으로 인입되는 것을 저지할 수 있으며, 이에 따라 전해액에 의한 로딩척 하단부의 오염을 방지할 수 있다.
도 1은 종래의 일 실시예에 따른 기판 도금 장치에서 척으로부터 기판이 언로딩되는 동작을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 로딩척의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 침투 방지 가스 분사부에 의해 침투 방지 가스가 분사되는 동작을 개략적으로 도시한 도면이다.
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도 4는 도 3에 도시된 침투 방지 가스 분사부에 의해 침투 방지 가스가 분사되는 동작을 개략적으로 도시한 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 구성 및 적용에 관하여 상세히 설명한다. 이하의 설명은 특허 청구 가능한 본 발명의 여러 태양(aspects) 중 하나이며, 하기의 기술(description)은 본 발명에 대한 상세한 기술(detailed description)의 일부를 이룬다.
다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 관한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
한편, 이하에서는 기판을 실리콘 재질의 웨이퍼로 설명할 것이나 기판의 종류가 이에 한정되는 것은 아니며, 기판은 LCD, PDP와 같은 평판 디스플레이가 될 수 있음은 자명하다. 또한 기판의 형상 및 크기가 도면 또는 설명 내용에 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 등과 같은 다양한 형상 및 크기로 기판이 제작될 수 있음은 당연하다.
또한, 이하에서는, 타겟부로부터 발생되는 금속 이온이 구리 이온(Cu2 +)이라고 설명할 것이나 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 종류의 금속 이온에 의해 기판에 대한 도금 공정이 진행될 수 있음은 당연하다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 장치의 구성을 도시한 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 로딩척의 구성을 개략적으로 도시한 도면이며, 도 4는 도 3에 도시된 침투 방지 가스 분사부에 의해 침투 방지 가스가 분사되는 동작을 개략적으로 도시한 도면이다.
이들 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 도금 장치(100)는, 전해액(103)이 수용되며 내측 하부에는 양극 전압 인가 시 플러스 금속 이온, 즉 본 실시예의 구리 이온(Cu2 +)을 발생시키는 타겟부(120)가 배치되는 프로세스 챔버(110)와, 프로세스 챔버(110)의 내측 상부에 승강 및 회전 가능하게 마련되어 구리 이온(Cu2 +)에 의해 도금되는 기판(W)을 파지하는 로딩척(150, loading chuck)을 포함할 수 있다. 여기서, 로딩척(150)은 기판(W)에 대한 도금 공정 후 기판(W)의 언로딩(unloading) 시 전해액(103)이 로딩척(150)의 내측으로 침투하는 것을 방지하기 위하여 침투 방지 가스(N2)를 분사하는 침투 방지 가스 분사부(160)를 구비하는데, 이에 대해서는 자세히 후술하기로 한다.
또한, 본 실시예에 따른 기판 도금 장치(100)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 타겟부(120)를 감싸도록 프로세스 챔버(110) 내에 마련되어 전해액(103) 상에서 구리 이온(Cu2 +)을 여과시키는 여과부(130)를 더 포함할 수 있다.
각각의 구성에 대해 설명하면, 먼저 본 실시예의 프로세스 챔버(110)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상호 착탈 가능하게 조립될 수 있는 이너 챔버(111, inner chamber) 및 아우터 챔버(115, outer chamber)를 구비할 수 있다. 본 실시예의 이너 챔버(111)에는, 전해액(103)이 상단부까지 채워지며, 하단부에는 타겟부(120) 및 그를 감싸는 여과부(130)가 장착된다.
이러한 이너 챔버(111)는 아우터 챔버(115)의 내측에 착탈 가능하게 결합되며, 이러한 결합 구조에 의해 외부 환경으로부터 보다 확실하게 보호받을 수 있다.
이와 같이, 본 실시예의 프로세스 챔버(110)는 상호 조립 및 분리가 용이한 이너 챔버(111) 및 아우터 챔버(115)를 구비하며, 이로 인해 제작이 용이하다는 장점이 있다. 다만, 프로세스 챔버(110)의 구조가 이에 한정되는 것은 아니며, 이너 챔버(111) 및 아우터 챔버(115)가 일체로 형성될 수 있음은 당연하다.
한편, 이너 챔버(111)의 내부에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 양극(anode)을 형성하는 타겟부(120)가 마련된다. 타겟부(120)는 전해액(103)에 완전히 침지되며 전원 공급부에 의해 양극 전압이 인가되는 경우 산화 반응에 의해 플러스 금속 이온, 즉 본 실시예의 구리 이온(Cu2 +)을 발생시키는 부분이다.
본 실시예에서 타겟부(120)의 상면은 불규칙하게 마련될 수 있다. 이는, 타겟부(120)에 양극 전압이 인가될 경우 많은 양의 구리 이온(Cu2 +)이 발생될 수 있도록, 타겟부(120)의 상면의 실질적인 면적을 확대하기 위함이다.
이와 같이, 타겟부(120)로부터 구리 이온(Cu2 +)이 발생되면, 발생된 구리 이온(Cu2 +)을 도금 대상물인 기판(W)으로 이동시켜야 한다. 이러한 역할은 전술한 바와 같이 이너 챔버(111) 내에서 일정선까지 수용되는 전해액(103)에 의해서 이루어진다. 따라서 전해액(103)은 구리 이온(Cu2 +)을 전도하기에 적합한 황산구리 용액으로 적용된다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 종류의 전해액(103)이 적용될 수 있음은 물론이다.
한편, 여과부(130)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 타겟부(120)를 감싸도록 이너 챔버(111)의 내측에 마련되어 전해액(103)을 통해 이동하는 구리 이온(Cu2 +)을 여과한다. 이러한 여과부(130)는 타겟부(120)의 상부에서 타겟부(120)와 실질적으로 평행하게 마련되며 1 내지 10 마이크로미터(μm)의 직경을 갖는 여과공(미도시)이 규칙적으로 관통 형성된 멤브레인 필터(membrane filter)로 마련될 수 있다.
따라서, 전해액(103) 상의 구리 이온(Cu2 +)을 제외한 물질, 예를 들면 기포 등이 기판(W)에 도달하는 것을 차단할 수 있다.
한편, 본 실시예의 기판 도금 장치(100)는, 전해액 공급부(미도시)와 연결되어 이너 챔버(111)의 내부로 전해액(103)을 공급할 뿐만 아니라 전해액(103)의 흐름을 형성시키는 전해액 공급라인(140)을 더 포함할 수 있다.
전해액 공급라인(140)을 통해 이너 챔버(111)의 내측에 전해액(103)을 공급할 수 있을 뿐만 아니라 전해액(103)의 흐름을 형성할 수 있어 타겟부(120)로부터 기판(W)으로 전달되는 구리 이온(Cu2 +)의 움직임을 활성화시킬 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이, 본 실시예의 기판 도금 장치(100)는 기판(W)을 파지할 수 있는 로딩척(150)을 구비하며, 이러한 로딩척(150)의 승강 및 회전 동작에 따라 기판(W) 대한 도금 공정 및 로딩/언로딩 공정을 수행할 수 있다.
본 실시예의 로딩척(150)은, 도 3에 개략적으로 도시된 바와 같이, 기본 외관을 형성하며 기판(W)을 파지하는 파지부재(156)를 갖는 로딩몸체(151)와, 로딩몸체(151)에 형성되어 기판(W)으로 전원 공급부(180)로부터 전달된 음극 전압을 인가하는 음극 전압 인가부(185)와, 로딩몸체(151)에 형성되어 외부의 가스 공급부(170)로부터 제공되는 침투 방지 가스(N2)를 파지부재(156) 방향으로 분사함으로써 도금 공정 후 기판(W)을 언로딩시킬 때 전해액(103)이 파지부재(156)를 향하여 침투하는 것을 방지하도록 하는 침투 방지 가스 분사부(160)를 포함할 수 있다.
여기서, 로딩몸체(151)는, 승강 구동부(153)에 의해 프로세스 챔버(110)에 대해 승강 가능하게 마련되는 승강부(152)와, 승강부(152)에 회전 가능하게 결합되고 기판(W)을 파지하는 회전부(155)를 포함할 수 있다.
즉, 기판(W)에 대한 도금 공정을 실행할 때 승강부(152)의 승강 동작에 의해 기판(W)이 전해액(103)의 상단부에 침지되도록 기판(W)을 하강시킬 수 있고, 기판(W)에 대한 도금 공정 시 승강부(152)에 대해 회전부(155)를 상대 회전 시킴으로써 기판(W)의 도금 공정을 수행할 수 있다.
본 실시예의 회전부(155)는, 도 3 및 도 4에 도시된 것처럼, 전해액(103)에 침지되도록 기판(W)을 파지한 상태에서 승강부(152)에 대해 상대 회전함으로써 기판(W)이 균일하게 도금되도록 하는 부분으로서, 전술한 것처럼 기판(W)을 파지하는 링(ring) 형상의 파지부재(156), 즉 콘택트 링과, 파지부재(156)를 감싸는 실링부재(158)와, 이들을 커버하는 커버부재(159)를 포함할 수 있다. 또한, 탄성력에 의해 파지부재(156)에 기판(W)을 밀착시키는 가압부재(157)를 구비하는데, 이러한 가압부재(157)에 의해 도금 공정이 완료된 기판(W)을 가압하여 전해액(103)으로 자유 낙하시킬 수 있다.
한편, 음극 전압 인가부(185)는, 도 3에 개략적으로 도시된 것처럼, 승강부(152)의 축심을 따라 형성된 후, 회전부(155)에서 양측으로 갈라지는 형상으로 마련되며, 기판(W)의 양측에 연결됨으로써 기판(W)에 균일한 음극 전압을 인가할 수 있다. 이러한 음극 전압 인가부(185)는 전기전도성이 우수한 구리 또는 수은 재질로 마련될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
특히, 승강부(152)에서의 음극 전압 인가부(185)와, 회전부(155)에서의 음극 전압 인가부(185) 사이를 슬립 링(미도시)이 연결할 수도 있는데, 이러한 슬립 링은 승강부(152)에 대한 회전부(155)의 회전의 가능하도록 일부분에 대한 타부분이 회전 가능한 구조를 가지며, 또한 수은 재질로 마련될 수 있어 음극 전압의 인가 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이, 기판(W)의 도금 공정 후 기판(W)을 전해액(103)으로 언로딩시킬 때, 전해액(103)이 파지부재(156) 및 실링부재(158)의 내측으로 침투할 수 있는데(즉, 전해액(103)이 타고 올라올 수 있는데), 이는 파지부재(156) 및 실링부재(158) 그리고 회전부(155)의 내측 부분을 부식시키거나 오염시킬 수 있다.
그런데, 본 실시예의 경우, 침투 방지 가스 분사부(160) 및 침투 방지 가스 분사부(160)의 분사 동작을 제어하는 제어부(미도시)가 구비되어 전해액(103)이 회전부(155)의 내측으로 인입되는 것을 방지할 수 있으며, 따라서 회전부(155)의 내측 부분의 오염을 방지할 수 있다.
본 실시예의 침투 방지 가스 분사부(160)는, 도 3 및 도 4에 도시된 것처럼, 기판(W)의 언로딩 시, 기판(W) 및 파지부재(156)가 접촉되는 부분으로 비활성 기체로 마련되는 침투 방지 가스(N2), 예를 들면 질소 가스(N2)와 같은 비활성 기체를 분사함으로써 기판(W)의 언로딩 시 전해액(103)이 회전부(155)의 내측으로 유입되는 것을 방지할 수 있다.
이러한 침투 방지 가스 분사부(160)는, 도 3에 도시된 것처럼, 가스 공급부(170)와 연결되며 승강부(152)의 축 방향을 따라 관통 형성되는 제1 분사라인(161)과, 회전부(155)의 상단벽 및 측벽을 따라 관통 형성되며 제1 분사라인(161)으로부터 분기되는 복수 개의 제2 분사라인(165)을 포함할 수 있다.
여기서, 원판 형상으로 마련되는 기판(W)및 기판(W)의 테두리를 지지하기 위해 링 형상으로 마련되는 파지부재(156)의 접촉 부분에 대해 침투 방지 가스(N2)를 균일하게 분사하기 위해, 복수 개의 제2 분사라인(165)은 단부에 형성되는 분사부(165a)가 파지부재(156)의 상부에 위치하도록 배치되고, 회전부(155)의 내측에서 둘레 방향을 따라 규칙적으로 배치될 수 있다.
따라서, 기판(W)과 파지부재(156)의 접촉 부분으로 침투 방지 가스(N2)를 분사할 수 있어, 기판(W)의 언로딩 시 파지부재(156) 내측으로 프로세스 챔버(110) 내의 전해액(103)이 침투하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 침투 방지 가스(N2)가 파지부재(156) 방향으로 침투하려는 전해액(103)을 밖으로 밀어내는 것이다.
한편, 도 3에 개략적으로 도시된 것처럼, 제2 분사라인(165)의 분사구(165a)는 내측 방향(기판의 중앙 영역을 향하는 방향)으로 약간 경사지게 마련될 수 있다. 따라서, 제2 분사라인(165)의 분사구(165a)를 통해 분사되는 침투 방지 가스(N2)는, 도 4에 도시된 것처럼, 기판(W)과 파지부재(156)의 접촉 부분으로 분사될 때 경사진 방향을 가질 수 있으며, 따라서 침투 가능한 전해액(103)을 신뢰성 있게 밀어낼 수 있다.
한편, 전술한 침투 방지 가스 분사부(160)의 분사 시기 및 분사 세기는 제어부에 의해 제어된다. 즉, 제어부는, 기판(W)에 대한 도금 공정의 완료 후 가스 공급부(170)로부터 침투 방지 가스 분사부(160)로 침투 방지 가스(N2)가 제공될 수 있도록 하며, 이로 인해 목표 지점으로 침투 방지 가스(N2)를 분사함으로써 기판(W)의 언로딩에 의해 전해액(103)이 회전부(155)의 내측으로 침투하는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판(W)에 도금 공정 후 로딩척(150)으로부터 기판(W)을 언로딩시킬 때, 질소 가스와 같은 침투 방지 가스(N2)를 기판(W)과 파지부재(156)의 접촉 지점으로 분사함으로써 전해액(103)이 로딩척(150)의 내측으로 인입되는 것을 저지할 수 있으며, 이에 따라 전해액(103)에 의한 로딩척(150) 하단부의 오염을 방지할 수 있는 장점이 있다.
한편, 본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 수정예 또는 변형예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 하여야 할 것이다.
100 : 기판 도금 장치 103 : 전해액
110 : 프로세스 챔버 120 : 타겟부
130 : 여과부 140 : 전해액 공급라인
150 : 로딩척 151 : 로딩몸체
152 : 승강부 155 : 회전부
160 : 침투 방지 가스 분사부 161 : 제1 분사라인
165 : 제2 분사라인
110 : 프로세스 챔버 120 : 타겟부
130 : 여과부 140 : 전해액 공급라인
150 : 로딩척 151 : 로딩몸체
152 : 승강부 155 : 회전부
160 : 침투 방지 가스 분사부 161 : 제1 분사라인
165 : 제2 분사라인
Claims (6)
- 전해액이 수용되며 내측 하부에는 양극 전압 인가 시 플러스 금속 이온을 발생시키는 타겟부가 설치되는 프로세스 챔버; 및
상기 프로세스 챔버의 내측 상부에 승강 및 회전 가능하게 배치되며, 상기 플러스 금속 이온에 의해 도금되는 기판을 파지하는 로딩척;
을 포함하며,
상기 로딩척은,
하단부에 상기 기판을 파지하는 파지부재가 구비되는 로딩몸체; 및
상기 로딩몸체에 형성되며, 외부의 가스 공급부로부터 제공되는 침투 방지 가스를 상기 파지부재 방향으로 분사함으로써 도금 공정 후 상기 기판을 언로딩시킬 때 상기 전해액이 상기 파지부재를 향하여 침투하는 것을 방지하도록 하는 침투 방지 가스 분사부;
를 포함하는 기판 도금 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 로딩몸체는,
상기 프로세스 챔버에 대해 승강 가능하게 마련되는 승강부; 및
상기 승강부에 대해 회전 가능하게 결합되는 회전부를 포함하며,
상기 침투 방지 가스 분사부는,
상기 고정부의 축 방향을 따라 관통 형성되는 제1 분사라인; 및
상기 회전부의 상단벽 및 측벽을 따라 관통 형성되며, 상기 제1 분사라인으로부터 분기되는 복수 개의 제2 분사라인을 포함하는 기판 도금 장치.
- 제2항에 있어서,
상기 복수 개의 제2 분사라인은 분사구가 상기 파지부재의 상부에 위치하도록 상기 회전부의 내측에서 둘레 방향으로 배치되는 기판 도금 장치.
- 제3항에 있어서,
상기 제2 분사라인의 분사구는 상기 침투 방지 가스를 내측 방향으로 경사지게 분사할 수 있도록 경사지게 형성되는 기판 도금 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 침투 방지 가스 분사부는 상기 전해액과 무반응하는 비활성 기체를 분사하는 기판 도금 장치.
- 제1항에 있어서,
상기 침투 방지 가스 분사부의 가스 분사를 제어하는 제어부를 더 포함하며,
상기 기판의 도금 공정 후 상기 로딩척으로부터 상기 기판을 언로딩시킬 때 상기 제어부는 상기 침투 방지 가스 분사부에 의한 상기 침투 방지 가스 분사를 실행시키는 기판 도금 장치.
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