KR101300966B1 - 기판도금장치 - Google Patents

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KR101300966B1
KR101300966B1 KR1020120070453A KR20120070453A KR101300966B1 KR 101300966 B1 KR101300966 B1 KR 101300966B1 KR 1020120070453 A KR1020120070453 A KR 1020120070453A KR 20120070453 A KR20120070453 A KR 20120070453A KR 101300966 B1 KR101300966 B1 KR 101300966B1
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 상기 기판도금장치는 전해액이 수용되며, 내측상부에는 기판을 파지하는 척이 승강 가능하게 배치되는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버의 내측 하부에 배치되어 양극 전압 인가 시 플러스 금속 이온을 발생시키는 타겟부, 상기 타겟부를 관통하여 서로 이격되어 평행하게 배열되어 상기 프로세스 내에 전해액을 공급하는 복수의 전해액 공급부들을 포함하여, 기판의 도금 두께를 균일하게 할 수 있다.

Description

기판도금장치{Apparatus to Plate Substrate}
아래의 실시예들은 기판도금장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판 도금을 위한 금속 이온이 기판의 전면에 고르게 전달됨으로써 기판 도금의 균일도를 향상시킬 수 있는 기판도금장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 구성하는 실리콘 기판(silicon wafer) 상에 금속 배선을 형성하기 위해, 기판의 전면에 금속막을 패터닝(patterning)하게 된다. 이때, 기판의 전면에 형성되는 금속막은 알루미늄 또는 구리 등에 의해 형성된다.
이 중, 구리로 형성되는 금속막은 알루미늄으로 형성되는 금속막에 비해 녹는점이 높기 때문에 전기 이동도에 대한 큰 저항력을 가질 수 있으며, 이로 인해 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 비저항이 낮아 신호 전달 속도를 증가시킬 수 있는 이점이 있다. 따라서 구리로 형성되는 금속막이 주로 채택되고 있는 실정이다.
박막을 증착하는 방법은 물리적인 충돌을 이용하는 물리기상증착방법(PVD, physical vapor deposition)과 화학 반응을 이용하는 화학기상증착방법(CVD, chemical vapor deposition)으로 크게 분류된다. 물리기상증착방법으로는 스퍼터링(sputtering) 방법 등이 있고, 화학기상증착방법으로는 열을 이용한 열 화학기상증착방법(thermal CVD)과 플라즈마를 이용한 플라즈마 화학기상증착방법(plasma enhanced CVD) 등이 있다.
그러나 기판상에 금속일반적으로 반도체 소자를 구성하는 실리콘 기판(silicon wafer) 상에 금속 배선을 형성하기 위해, 기판의 전면에 금속막을 패터닝(patterning)하게 된다. 이때, 기판의 전면에 형성되는 금속막은 알루미늄 또는 구리 등에 의해 형성된다.
이 중, 구리로 형성되는 금속막은 알루미늄으로 형성되는 금속막에 비해 녹는점이 높기 때문에 전기 이동도에 대한 큰 저항력을 가질 수 있으며, 이로 인해 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 비저항이 낮아 신호 전달 속도를 증가시킬 수 있는 이점이 있다. 따라서 구리로 형성되는 금속막이 주로 채택되고 있는 실정이다.
박막을 증착하는 방법은 물리적인 충돌을 이용하는 물리기상증착방법(PVD, physical vapor deposition)과 화학 반응을 이용하는 화학기상증착방법(CVD, chemical vapor deposition)으로 크게 분류된다. 물리기상증착방법으로는 스퍼터링(sputtering) 방법 등이 있고, 화학기상증착방법으로는 열을 이용한 열 화학기상증착방법(thermal CVD)과 플라즈마를 이용한 플라즈마 화학기상증착방법(plasma enhanced CVD) 등이 있다.
그러나 기판상에 금속막을 패터닝하기 위해서는 증착 방법에 비해 전기 이동도에 대한 내성이 우수하고 제조 비용이 상대적으로 저렴한 전기도금 방법이 선호된다.
또한, 간단한 구조에 의해 기판 도금의 균일도를 향상시킬 수 있으면서도, 시간이 지나더라도 형상 변화가 발생하지 않는 기판도금장치의 개발이 시급한 실정이다.
일 실시예에 따른 목적은 복수 개의 전해액 공급부를 구비하고, 전해액 공급부의 상부에 전해액 분사부를 가짐으로써 기판의 전 영역으로 고르게 플러스 금속 이온이 도달할 수 있으며, 따라서 기판의 테두리 영역이 과하게 도금되는 사이드 프로덕트(side product) 현상을 방지할 수 있는 기판도금장치를 제공하는 것이다.
일 실시예에 따른 목적은 타켓부의 중앙에 전해액 공급부로 인한 홀을 구비하지 않아 기판의 테두리 영역 및 중앙부 사이의 기판의 도금 두께 편차를 줄일 수 있는 기판도금장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 따른 기판도금장치에 있어서, 상기 기판도금장치는 전해액이 수용되며, 내측 상부에는 기판을 파지하는 척이 승강 가능하게 배치되는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버의 내측 하부에 배치되어 양극 전압 인가 시 플러스 금속 이온을 발생시키는 타겟부, 상기 타겟부를 관통하여 서로 이격되어 평행하게 배열되어 상기 프로세스 챔버 내에 전해액을 공급하는 복수의 전해액 공급부들을 포함하는 기판도금장치를 구비할 수 있다.
일 측에 의하면, 상기 복수의 전해액 공급부들은 타겟부의 중앙을 중심으로 대칭되게 배열될 수 있다.
일 측에 의하면, 상기 전해액 공급부의 상부에 배치되어, 전해액이 상기 프로세스 챔버 내의 사방으로 분사되도록 형성된 전해액 분사구를 포함할 수 있다.
일 측에 의하면, 상기 타겟부의 중앙 하부에 부착되어 상기 타겟부에 양극의 전압을 인가하는 양극 전압 인가부를 포함할 수 있다.
일 측에 의하면, 상기 타겟부의 중앙에 존재하는 금속으로부터 플러스 금속 이온을 형성할 수 있다.
일 측에 의하면, 상기 타겟부는 평판, 일정한 형성을 가지는 가용성의 양극 및 메쉬 타입의 불용성 금속 재질의 평판으로 마련될 수 있다.
일 측에 의하면, 상기 타겟부는 백금을 적어도 일부 포함한 금속 재질 또는 티타늄을 적어도 일부 포함한 금속 재질로 제작될 수 있다.
일 실시예에 따른 기판도금장치에 의하면 복수 개의 전해액 공급부를 구비하고, 전해액 공급부의 상부에 전해액 분사부를 가짐으로써 기판의 전 영역으로 균일하게 플러스 금속 이온이 도달할 수 있다.
일 실시예에 따른 기판도금장치에 의하면 타켓부의 중앙에 전해액 공급부로 인한 홀을 구비하지 않아서 기판 중앙 부분의 도금을 증가시켜 기판의 테두리 영역 및 중앙부 사이의 기판의 도금 두께 편차를 줄일 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 기판도금장치에 의해 기판이 도금되는 공정을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 일 실시예에 따른 기판도금장치의 구성을 개략적으로 도시한다.
도 3은 일 실시예에 따른 기판도금장치의 타겟부 상에 전해액 공급부의 관통을 위한 홀의 배치를 개략적으로 도시한다.
이하에서, 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 공지된 기능 혹은 구성에 관한 구체적인 설명은 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
한편, 이하에서는 기판을 실리콘 재질의 웨이퍼로 설명할 것이나 기판의 종류가 이에 한정되는 것은 아니며, 기판은 LCD, PDP와 같은 평판 디스플레이가 될 수 있음은 자명하다. 또한, 기판의 형상 및 크기가 도면 또는 설명 내용에 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 등과 같은 다양한 형상 및 크기로 기판이 제작될 수 있음은 당연하다.
도 1은 일 실시예에 따른 기판도금장치에 의해 기판이 도금되는 공정을 도시하고, 도 2는 일 실시예에 따른 기판도금장치의 구성을 도시한다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 일 실시예에 따른 기판도금장치(10)는, 프로세스 챔버(100), 타겟부(110), 및 전해액 공급부(120)를 포함할 수 있다.
상기 프로세스 챔버(100)는 상호 착탈 가능하게 조립될 수 있는 이너 챔버(102) 및 아우터 챔버(104)를 구비할 수 있다. 이러한 이너 챔버(102)는 아우터 챔버(104)의 내측에 착탈 가능하게 결합되며, 이러한 결합 구조에 의해 외부 환경으로부터 보호받을 수 있다.
이와 같이, 프로세스 챔버(100)는 상호 조립 및 분해가 용이한 이너 챔버(102) 및 아우터 챔버(104)를 구비하며, 이로 인해 제작이 용이하다는 장점이 있다. 다만, 프로세스 챔버(100)의 구조가 이에 한정되는 것은 아니며, 이너 챔버(102) 및 아우터 챔버(104)가 일체로 형성될 수 있음은 당연하다.
또한, 이너 챔버(102) 내에는 상단부까지 전해액(160)이 채워질 수 있으며, 후술할 전해액 공급부(120)를 통해 전해액(160)이 전달될 것이다.
프로세스 챔버(100)의 내측 상부에는 기판(W)을 파지할 수 있는 척(106)이 승강 가능하게 배치된다. 척(106)은 도금될 기판(W)의 일면이 하방을 향하도록 기판(W)의 테두리 부분을 파지하며, 이러한 척(106)의 하강 동작에 의해 기판(W)이 전해액(160)에 침지될 때, 기판(W)의 테두리 영역이 음극 전압 인가부(130)에 접촉됨으로써 기판(W)에 음극 전압을 인가할 수 있는 것이다.
상기 음극 전압 인가부(130)는, 음극 전압을 인가하는 외부의 전원 공급부(미도시)와 연결되며, 전원 공급부로부터 공급되는 음극 전압을 기판(W)에 인가함으로써 기판(W)이 음극(cathode) 상태를 유지할 수 있도록 할 수 있다.
이러한 음극 전압 인가부(130)는, 보호부(132)에 의해 감싸진다. 보호부(132)는 링 형상의 음극 전압 인가부(130)가 내측에 배치될 수 있도록 음극 전압 인가부(130)의 형상에 대응되는 링 형상으로 마련될 수 있으나, 수직 방향으로의 단면은 상방으로 개방된 ‘ㄷ’자 형상을 갖는다. 또한, 보호부(132)는 음극 전압 인가부(130)에 전압이 인가되더라도 부도체 상태를 유지할 수 있도록 부도체 재질로 마련된다. 따라서, 음극 전압 인가부(130)가 직접적으로 전해액(160)과 접촉되는 것을 저지할 수 있을 뿐만 아니라 보호부(132)가 전해액(160)에 부분적으로 침지되더라도 그 표면에서 전해액(160)이 고착되는 현상을 방지할 수 있다.
한편, 상기 프로세스 챔버(100)의 이너 챔버(102)의 내측에는 여과부(150)가 마련될 수 있는데, 전해액(160)을 통해 이동하는 금속 이온을 여과할 수 있다. 이러한 여과부(150)는 1 내지 10 마이크로미터(μm)의 직경을 갖는 여과공(미도시)이 규칙적으로 관통 형성된 멤브레인 필터(membrane filter)로 마련될 수 있다.
따라서, 전해액(160) 상의 금속 이온을 제외한 물질, 예를 들면 기포 등이 기판(W)에 도달하는 것을 차단할 수 있다.
상기 프로세스 챔버(100)의 이너 챔버(102)의 내측 하부에는 타겟부(110)가 배치되어 양극 전압 인가 시 플러스 금속 이온을 발생시킬 수 있다.
상기 타겟부(110)는 일반적인 평판, 일정한 형성을 가지는 가용성의 양극 및 메쉬(mesh) 타입의 불용성(insoluble) 금속 재질의 평판 중 어느 하나로 마련될 수 있다. 따라서, 전해액(160)에 타겟부(110)가 거의 반응하지 않기 때문에, 기판(W)에 대한 도금 공정이 반복적으로 진행되더라도 타겟부(110)의 형상 변화가 발생되지 않으며, 따라서 기판(W)의 도금 균일도를 향상시킬 수 있다.
구체적으로, 타겟부(110)에 적용되는 불용성 금속 재질로는 백금(Pt) 또는 백금이 함유된 백금계 금속이 될 수 있다. 백금 또는 백금계 금속은 전해액(160)에 침지된 상태를 유지하더라도 전해액(160)과 반응이 거의 발생되지 않을 뿐만 아니라 양극 전압 인가 시 기판(W)을 도금하기 위한 금속 이온을 발생시킬 수 있어 타겟부(110)의 재질로 적용될 수 있다.
다만, 타겟부(110)의 재질이 이에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 티타늄 또는 티타늄계 금속 등의 불용성 금속이 타겟부(110)로 적용될 수 있다. 또한, 가용성(soluble) 금속인 구리 재질로 마련될 수 있음은 당연하다.
한편, 타겟부(110)는 초경합금(hard metal)에 의해 코팅 처리될 수 있으며, 따라서 기계적 물성을 보호할 수 있다. 예를 들면, 경도 6.0의 이리듐(Ir)이 타겟부(110)의 외면에 코팅 처리될 수 있으며, 따라서 타겟부(110)의 기계적 물성을 보호할 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 재질의 초경합금이 타겟부(110)의 기계적 물성 보호를 위해 코팅 처리될 수 있다.
상기 타겟부(110)의 하부에는 타겟부(110)에 양극(anode)을 형성하는 양극 전압 인가부(140)를 포함할 수 있다. 따라서, 타겟부(110)가 전해액(160)에 완전히 침지되며 전원 공급부(미도시)에 의해 양극 전압 인가부(140)를 통해 양극 전압이 인가되는 경우 산화 반응에 의해 플러스(+)의 금속 이온을 발생시킬 수 있다.
예를 들어, 타겟부(110)가 구리 금속으로 제작되는 경우, 타겟부(110)가 전해액(160)에 침지되고 양극 전압이 인가되는 경우, Cu2 + 이 발생할 수 있다.
전해액 공급부(120)는 프로세스 챔버(100)의 이너 챔버(102) 내에 전해액(160)을 공급할 수 있고, 상기 타겟부(110)를 관통하여 서로 이격되어 평행하게 배열될 수 있다.
상기 전해액 공급부(120)를 두 개로 구성하였으나, 이에 한정되지 않으며, 복수 개로 구성될 수 있으며, 타겟부(110)의 중앙을 중심으로 대칭되게 배열될 수 있다.
즉, 복수 개의 전해액 공급부(120)에 의하여, 이너 챔버(102) 내에 더 많은 전해액(160)이 고르게 공급될 수 있어, 타겟부(110)로부터 금속 이온의 생성을 촉진할 수 있다.
상기 전해액 공급부(120)는 전해액 공급라인(122) 및 전해액 분사구(124)를 포함하여, 이너 챔버(102)의 내부로 전해액(160)을 공급할 뿐만 아니라, 전해액(160)의 흐름을 형성시킬 수 있다.
전해액 공급라인(122)은 타겟부(110) 및 여과기(150)를 관통하여 형성되며, 전해액 분사구(124)는 전해액 공급라인(122)의 상부에 부착되어, 여과기(150) 및 침지된 기판(W)의 사이에 배치될 수 있다. 따라서, 전해액 공급부(120)의 높이는 여과기(150)의 높이보다 높고 침지된 기판(W) 높이의 사이 값으로 결정될 것이다.
또한, 전해액 분사구(124)에 의하여, 이너 챔버(102) 내의 사방으로 전해액(E)이 분사되도록 형성될 수 있다.
따라서, 이러한 전해액 공급부(120)의 상부에 전해액 분사구(124)를 포함하는 구성에 의하여, 이너 챔버(102) 내의 금속 이온의 농도를 균일하게 할 수 있어, 기판(W) 상에 도금의 균일성에도 영향을 미칠 수 있다.
구체적으로, 이너 챔버(102) 내에 금속 이온의 농도가 높은 부분에 인접한 기판(W) 부분의 도금 두께는 두껍게 도포되고, 이너 챔버(102) 내에 금속 양이온의 농도가 낮은 부분에 인접한 기판(W) 부분의 도금 두께는 얇게 도포될 것이다. 따라서, 이너 챔버(102) 내에 금속 이온의 농도 차이가 크다면, 기판(W) 상에 도금 두께의 편차가 클 것이다.
일 실시예에 따른 기판도금장치(10)에 의하여 기판(W)이 도금되는 공정을 살펴보면, 다음과 같다.
전해액 공급부(120)의 전해액 공급라인(122)을 따라 전해액 분사구(124)를 통해 프로세스 챔버(100)의 이너 챔버(102)로 전해액(160)이 수용되고, 기판(W)을 파지하는 척(106)에 의해 전해액(160) 내에 기판(W)이 침지된다. 그러면, 전해질(160)과의 반응에 의하여, 타겟부(110)에서 플러스 금속 이온이 발생하게 될 것이다.
이때, 타겟부(110)와 기판(W)에 전극이 다음과 같이 인가될 수 있다. 구체적으로, 타겟부(110)는 타겟부(110)에 연결된 양극 전압 인가부(140)를 통해 양극 전압이 인가되고, 기판(W)에는 기판(W)에 연결된 음극 전압 인가부(130)를 통해 음극 전압이 인가된다. 그에 의해 타겟부(110)로부터 발생된 금속 이온은 음극 전압이 인가된 음극의 기판(W)에 전달되어 부착될 것이다. 특히, 타겟부(110)의 중앙 부분의 금속에 의해 센터 플로우(center flow)가 형성되어, 기판(W)에 전달되어 부착될 것이다. 즉, 이러한 공정을 통하여 기판(W)이 도금될 수 있다.
예를 들어, 타겟부(110)가 구리 금속으로 마련되고, 전해액(160)이 H2SO4 인 경우, 전해액(160)이 전해액 공급라인(122)을 통해 전해액 분사구(124)로 이너 챔버(102) 내로 분사되어, 전해액(160)이 이너 챔버(104) 안에 채워질 것이다.
그러면 구리 금속과 전해액(160)이 서로 반응을 하게 되고, 그로 인하여 타겟부(110)로부터 Cu2 +이 발생할 것이다. 그러나 타겟부(110) 상에 홀(112)이 형성된 부분에서는 Cu2 +이 발생하지 않을 것이다.
타겟부(110)에 연결된 양극 전압 인가부(140)를 통해 양극 전압을 인가하고, 기판(W)에는 기판(W)에 연결된 음극 전압 인가부(130)를 통해 음극 전압을 인가시키면, 타겟부(110)와 기판(W) 사이에 인력이 발생하여 타겟부(110)에서 발생한 Cu2 +들이 기판(W)을 향해 이동하여 기판(W) 상에 부착된다.
특히, 타겟부(110)의 중앙에는 타겟부(110)로부터 발생한 Cu2 +의 센터 플로우(center flow)가 형성된다.
이때, 복수 개의 전해액 공급부(120)는 이너 챔버(102) 안에 전해액(160)이 채워지는 시간을 단축할 수 있게 하고, 타겟부(110)의 상부에 위치한 전해액 공급부(120)에서 전해액(160)을 사방으로 분사함으로써, Cu2 +의 농도를 균일화할 수 있다.
뿐만 아니라, 타겟부(110)의 중앙에는 전해액 공급부(120)가 관통하는 홀(112)이 없어서 타겟부(110)의 중앙 영역에서의 Cu2 +의 생성이 증가하여, 기판(W)의 중앙 영역에 도포되는 Cu2 + 또한 증가하여 기판(W)의 전체적인 도포 균일성이 향상될 수 있다.
또한, 기판(W) 상에 도금이 균일하게 되도록 일 실시예에 따른 기판도금장치는 타겟부(110) 및 전해액 공급부(120)의 구성을 달리하고 있다.
도 3은 타겟부(110) 상에 전해액의 공급부(120)의 관통에 의해 생기는 홀(112)의 배치를 개략적으로 도시하는데, 구체적으로 (a) 전해액 공급부가 두 개인 경우, (b) 전해액 공급부가 세 개인 경우, (c) 전해액 공급부가 네 개인 경우를 예로 든다.
즉, 원형의 타겟부(110) 상의 홀(112)을 통해 복수 개의 전해액 공급부(120), 즉, 복수 개의 전해액 공급라인(122)이 도 3과 같이 관통할 수 있다.
예를 들어, (a)와 같이 전해액 공급부(120)가 두 개인 경우, 원판의 타겟부(110) 상에 서로 평행하게 또는 실질적으로 평행하게 이격되어 관통된다. (b)와 같이 전해액 공급부(120)가 세 개인 경우, 원판의 타겟부(110)의 중앙을 중심으로 하여 방사상으로 또는 실질적으로 방사상으로 배치되어 관통된다. (c)와 같이 전해액 공급부(120)가 네 개인 경우, 원판의 타겟부(110) 상에 라인을 형성하여 평행하게 또는 실질적으로 평행하게 이격되어 관통된다.
이 세 가지 예의 공통점은 타겟부(110)의 중앙부에 전해액 공급라인(124)에 의한 홀(112)이 구비되지 않는다는 것이다. 즉, 타겟부(110) 상에 전해액 공급라인(122)이 타겟부(110)의 중앙을 중심으로 평행하게 또는 방사상으로 서로 이격되어 있다. 그에 의해 타겟부(110)의 중앙에 존재하는 금속으로부터 플러스 금속 이온의 센터 플로우(center flow)를 형성할 수 있으며, 기판(W)의 중앙부 및 기판(W)의 테두리 부분에 균일하게 도금할 수 있다.
따라서, 위의 기판도금장치(10)의 구성에 의하여 기판(W) 도금을 효율적으로 할 수 있다. 구체적으로 전해액 공급부(120)의 구성 및 타겟부(110) 상에 전해액 공급부(120)의 관통을 위한 홀(112)의 배치에 의하여, 타겟부(110)로부터 금속 이온으로 빠르고 균일하게 생성하여, 도금에 소요되는 시간 및 비용을 절감할 수 있으며, 기판(W)의 위치에 따른 도금 편차를 줄일 수 있다.
이상과 같이 본 발명의 실시예에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
10: 기판도금장치
100: 프로세스 챔버
102: 이너 챔버
104: 아우터 챔버
106: 척
110: 타겟부
112: 홀
120: 전해액 공급부
122: 전해액 공급라인
124: 전해액 분사구
130: 음극 전압 인가부
132: 보호부
140: 양극 전압 인가부
150: 여과부
160: 전해액
W: 기판

Claims (7)

  1. 전해액이 수용되며, 내측 상부에는 기판을 파지하는 척이 승강 가능하게
    배치되는 프로세스 챔버;
    상기 프로세스 챔버의 내측 하부에 배치되어 양극 전압 인가 시 플러스 금속 이온을 발생시키는 타겟부;
    상기 타겟부를 관통하여 서로 이격되어 평행하게 배열되어 상기 프로세스 챔버 내에 전해액을 공급하는 복수의 전해액 공급부들;
    를 포함하는 기판도금장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 전해액 공급부들은 타겟부의 중앙을 중심으로 대칭되게 배열되는 기판도금장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 전해액 공급부의 상부에 배치되어, 전해액이 상기 프로세스 챔버 내의 사방으로 분사되도록 형성된 전해액 분사구를 포함하는 기판도금장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 타겟부의 중앙 하부에 부착되어 상기 타겟부에 양극의 전압을 인가하는 양극 전압 인가부를 포함하는 기판도금장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 타겟부의 중앙에 존재하는 금속으로부터 플러스 금속 이온을 형성할 수 있는 기판도금장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 타겟부는 평판, 일정한 형상을 가지는 가용성의 양극 및 메쉬(mesh) 타입의 불용성(insoluble) 금속 재질의 평판 중 어느 하나로 마련되는 기판도금장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 타겟부는 백금(Pt)을 적어도 일부 포함한 금속 재질 또는 티타늄(Ti)을 적어도 일부 포함한 금속 재질로 제작되는 기판도금장치.
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