KR20130064496A

KR20130064496A - Gas exhausting unit and substrate treating unit including the unit

Info

Publication number: KR20130064496A
Application number: KR1020110131134A
Authority: KR
Inventors: 양승국; 신인규
Original assignee: 피에스케이 주식회사
Priority date: 2011-12-08
Filing date: 2011-12-08
Publication date: 2013-06-18
Also published as: KR101296874B1

Abstract

PURPOSE: A gas exhausting unit and a substrate treating unit including the same are provided to prevent an exhausted gas from flowing back to the inner part of a process chamber and the contamination of a substrate due to a gas backflow. CONSTITUTION: A gas exhaust unit(400) discharges a process gas and a reaction byproduct in a process chamber(100) to the outside. The gas exhaust unit includes a pipe(410), a vacuum pump(420), and a backflow prevention part(430). The pipe is arranged in the lower part of the process chamber. The vacuum pump successively applies vacuum pressure to the pipe and the process chamber. The backflow prevention part opens the flow of gas from a first area(411) to a second area(412). The backflow prevention part closes the flow of the gas from the second area to the first area.

Description

GAS EXHAUSTING UNIT AND SUBSTRATE TREATING UNIT INCLUDING THE UNIT}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 가스 배기 유닛을 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus including a gas exhaust unit.

반도체 소자, 평판 표시 패널, 그리고 솔라셀 등의 제조에는 포토레지스트를 제거하는 애싱 공정이 포함된다. 애싱 공정은 기판상에 도포된 포토레지스트를 제거한다.Fabrication of semiconductor devices, flat panel displays, and solar cells includes an ashing process for removing photoresist. The ashing process removes the photoresist applied on the substrate.

한국등록특허 제10-796980호에는 애싱 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 가스 공급 부재가 공정 챔버 내부로 공정가스를 공급하고, 배기 부재는 공정 챔버 내부의 가스를 배기한다. 진공 펌프는 공정 챔버 내부 압력이 감압되도록 가스를 강제 흡입한다.Korean Patent No. 10-796980 discloses a substrate processing apparatus for performing an ashing process. In the substrate processing apparatus, the gas supply member supplies the process gas into the process chamber, and the exhaust member exhausts the gas inside the process chamber. The vacuum pump forcibly sucks gas so that the pressure inside the process chamber is reduced.

애싱 공정이 진행 중에 진공 펌프의 펌핑 동작이 멈추거나, 진공 펌프에 역상이 인가되는 경우, 진공 펌프가 반대 방향으로 가스를 불어내는 현상이 발생할 수 있다. 가스는 짧은 시간 내에 역류되어 공정 챔버 내부로 유입된다. 역류된 가스에 함유된 반응 부산물등은 기판의 오염원으로 제공된다. If the pumping operation of the vacuum pump is stopped or the reverse phase is applied to the vacuum pump while the ashing process is in progress, the vacuum pump may blow a gas in the opposite direction. The gas flows back in a short time and enters the process chamber. Reaction by-products and the like contained in the reflux gas serve as a source of contamination of the substrate.

한국등록특허 제10-796980호Korea Patent Registration No. 10-796980

본 발명의 실시예들은 배기되는 가스의 역류로 인한 기판 오염을 예방할 수 있는 가스 배기 유닛을 제공한다.Embodiments of the present invention provide a gas exhaust unit that can prevent substrate contamination due to backflow of exhaust gas.

본 발명의 일 실시예에 따른 가스 배기 유닛은 가스가 흐르는 제1영역과 제2영역이 형성된 배관; 상기 제1영역에서 상기 제2영역 방향으로 상기 가스의 흐름이 발생하도록 상기 배관에 진공압을 인가하는 진공 펌프; 및 상기 제1영역과 상기 제2영역에 사이 구간에서 상기 배관에 설치되며, 상기 제1영역에서 상기 제2영역 방향으로 상기 가스의 흐름을 개방하고, 상기 제2영역에서 상기 제1영역 방향으로 상기 가스의 흐름을 차단하는 역류 방지부를 포함하되, 상기 역류 방지부는 상기 제2영역에서 상기 제1영역 방향으로 형성된 가스의 흐름에 의해 부양되어 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이 구간을 차단하는 가스 차단부를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, a gas exhaust unit includes: a pipe in which a first region and a second region in which gas flows are formed; A vacuum pump for applying a vacuum pressure to the pipe so that the gas flows from the first region toward the second region; And installed in the pipe in a section between the first region and the second region, opening the flow of gas in the direction of the second region from the first region, and in the direction of the first region in the second region. And a backflow prevention unit for blocking the flow of the gas, wherein the backflow prevention unit is supported by a flow of gas formed in the direction of the first area in the second area to block a section between the first area and the second area. And a gas shutoff.

또한, 상기 역류 방지부는 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이에서 상기 배관에 설치되고, 상기 제1영역보다 큰 반경의 연결 유로가 내부에 형성된 연결 덕트를 더 포함하고, 상기 가스 차단부는 상기 제2영역과 마주하는 저면이 개방된 공간이 내부에 형성되고, 상기 연결 유로 내에서 부양되는 통 형상의 몸통부를 포함할 수 있다.The backflow prevention part may further include a connection duct installed in the pipe between the first area and the second area and having a connection channel having a radius larger than that of the first area therein, and wherein the gas shutoff part includes the first A space having an open bottom face facing the two regions may be formed therein, and may include a cylindrical body portion supported by the connection passage.

또한, 상기 역류 방지부는 상기 연결 덕트의 내측면으로부터 상기 연결 유로 측으로 돌출되며, 상기 제1영역과 상기 연결 유로를 연결하는 개구가 형성된 제1돌출부를 더 포함하고, 상기 가스 차단부는 상기 몸통부가 부양하는 경우, 상기 제1돌출부에 걸려 상기 제1영역으로 상기 몸통부의 이동을 제한하는 걸림부를 포함할 수 있다.The backflow prevention part may further include a first protrusion protruding from an inner side surface of the connection duct toward the connection flow path, the first protrusion having an opening connecting the first region and the connection flow path, and the gas blocking part supporting the body portion. In this case, the first protrusion may include a locking portion that restricts the movement of the body portion to the first region.

또한, 상기 제1돌출부는 상기 연결 덕트의 내측면으로부터 그 끝단으로 갈수록 점차 높이가 높아지도록 상향 경사지며, 상기 걸림부는 상기 제1돌출부에 상응하도록 상향 경사질 수 있다.In addition, the first protrusion may be inclined upward so as to gradually increase in height from an inner side surface of the connection duct to an end thereof, and the locking portion may be inclined upward to correspond to the first protrusion.

또한, 상기 배관의 제2영역은 상기 연결 유로보다 작은 반경을 가지며, 상기 역류 방지부는 상기 제1돌출부의 하부에 위치하고, 상기 연결 덕트의 내측면으로부터 상기 연결 유로 측으로 돌출되며, 상기 연결 유로와 상기 제2영역을 연결하는 개구가 형성된 제2돌출부를 더 포함하고, 상기 가스 차단부는 상기 몸통부의 하단에 연결되며, 상기 제2영역에 상응하는 내경과 상기 연결 덕트의 내경보다 작은 외경을 가지는 링 형상의 안착부를 포함하되, 상기 제1영역에서 상기 제2영역 방향으로 가스의 흐름이 발생하는 경우, 상기 안착부는 상기 제2돌출부에 놓일 수 있다.In addition, the second region of the pipe has a radius smaller than that of the connection flow path, and the reverse flow prevention portion is located below the first protrusion, protrudes from the inner side of the connection duct toward the connection flow path, and the connection flow path and the And a second protrusion having an opening connecting the second area, wherein the gas shutoff part is connected to a lower end of the body portion, and has a ring shape having an inner diameter corresponding to the second area and an outer diameter smaller than the inner diameter of the connection duct. Including the seating portion of, when the flow of gas in the direction of the second region from the first region, the seating portion may be placed on the second projection.

또한, 상기 걸림부와 상기 안착부 사이의 상기 몸통부 영역에는 상기 몸통부의 둘레를 따라 연결 홀들이 형성되고, 상기 연결 유로에 유입된 가스는 상기 연결 홀들을 통해 상기 제2영역으로 흐를 수 있다.In addition, connection holes may be formed along the circumference of the body portion in the trunk portion between the locking portion and the seating portion, and gas introduced into the connection flow passage may flow to the second region through the connection holes.

또한, 상기 역류 방지부는 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이 구간에 설치되며, 걸림홀이 형성된 걸림판; 상기 스토퍼와 상기 제2영역 사이 구간에 설치되며, 가스가 통과하는 유로들들이 형성된 지지판을 더 포함하되, 상기 가스 차단부는 상기 걸림홀보다 큰 반경을 갖는 구 형상을 가지고, 상기 스토퍼와 상기 메쉬 사이 구간에 위치하며, 상기 제2영역에서 상기 제1영역으로 흐르는 가스에 의해 부양되어 일부 영역이 상기 걸림홀에 삽입될 수 있다.In addition, the backflow prevention unit is installed in the section between the first region and the second region, the locking plate is formed with a locking hole; A support plate formed in a section between the stopper and the second region and having flow paths through which gas passes, wherein the gas blocking unit has a spherical shape having a radius larger than that of the locking hole, and between the stopper and the mesh. Located in the section, it may be buoyed by the gas flowing from the second region to the first region may be inserted into the engaging hole.

또한, 상기 가스 차단부는 고무 재질로 제공될 수 있다.In addition, the gas blocking unit may be provided in a rubber material.

또한, 상기 지지판은 메쉬(mesh)일 수 있다.In addition, the support plate may be a mesh.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 처리 공간이 내부에 형성된 공정 챔버; 상기 처리 공간에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지유닛; 상기 처리 공간에 공정 가스를 공급하는 공정 가스 공급유닛; 상기 처리 공간에 머무르는 가스를 상기 공정 챔버 외부로 배기하는 가스 배기 유닛을 포함하되, 상기 가스 배기 유닛은 상기 공정 챔버와 연결되고, 상기 처리 공간 내의 가스가 배기되는 제1영역과 상기 제2영역이 순차적으로 형성된 배관; 상기 배관에 설치되며, 상기 제1영역에서 상기 제2영역 방향으로 가스의 흐름이 발생하도록 상기 배관에 진공압을 인가하는 진공 펌프; 및 상기 제1영역과 상기 제2영역에 사이 구간에서 상기 배관에 설치되며, 상기 제1영역에서 상기 제2영역 방향으로 상기 가스의 흐름을 개방하고, 상기 제2영역에서 상기 제1영역 방향으로 상기 가스의 흐름을 차단하는 역류 방지부를 포함하며, 상기 역류 방지부는 상기 제2영역에서 상기 제1영역 방향으로 형성된 가스의 흐름에 의해 부양되어 상기 제1영역과 상기 제2영역 사이 구간을 차단하는 가스 차단부를 포함할 수 있다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber in which a processing space is formed; A substrate support unit positioned in the processing space and supporting a substrate; A process gas supply unit supplying a process gas to the processing space; And a gas exhaust unit configured to exhaust the gas staying in the processing space to the outside of the process chamber, wherein the gas exhaust unit is connected to the process chamber, and the first region and the second region in which the gas in the processing space is exhausted are provided. Piping formed sequentially; A vacuum pump installed in the pipe and configured to apply a vacuum pressure to the pipe so that gas flows from the first area toward the second area; And installed in the pipe in a section between the first region and the second region, opening the flow of gas in the direction of the second region from the first region, and in the direction of the first region in the second region. And a backflow prevention unit to block the flow of the gas, wherein the backflow prevention unit is supported by a flow of gas formed in the direction of the first region in the second region to block a section between the first region and the second region. It may include a gas blocker.

본 발명의 실시예들에 의하면, 배기되는 가스가 공정 챔버 내부로 역류하는 것이 예방되므로, 가스 역류로 인한 기판 오염이 예방될 수 있다.According to embodiments of the present invention, since back gas is prevented from flowing back into the process chamber, substrate contamination due to back gas flow may be prevented.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 가스 차단부를 나타내는 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 가스가 배기되는 모습을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 가스 차단부가 배관을 차단하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 배기 유닛에 의해 가스 배기가 일어나는 과정을 나타내는 단면도이다.
도 6은 도 5의 가스 배기 유닛이 배관을 차단하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 배기 유닛을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연결 홀들을 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 배기 유닛을 나타낸다.
도 10은 도 9의 배기 가스 유닛이 배관을 차단하는 모습을 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view illustrating the gas blocking unit of FIG. 1. FIG.
3 is a view showing a state that the gas is exhausted in accordance with an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a state in which the gas blocking unit blocks the pipe according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view illustrating a process of gas exhaust by a gas exhaust unit according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a view illustrating a gas exhaust unit of FIG. 5 blocking a pipe.
7 is a view showing a gas exhaust unit according to another embodiment of the present invention.
8 is a view illustrating connection holes according to another embodiment of the present invention.
9 shows a gas exhaust unit according to another embodiment of the invention.
10 is a view illustrating a state in which the exhaust gas unit of FIG. 9 blocks a pipe.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 가스 배기 유닛 및 기판 처리 장치를 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
Hereinafter, a gas exhaust unit and a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 공정 챔버(100), 기판 지지 유닛(200), 공정 가스 공급 유닛(300), 그리고 가스 배기 유닛(400)을 포함한다. 공정 챔버(100)는 기판(W) 처리가 수행되는 공간을 제공하며, 기판 지지 유닛(200)은 공정 챔버(100) 내부에서 기판(W)을 지지한다. 공정 가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급하고, 가스 배기 유닛(400)은 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 공정 가스와 반응 부산물을 외부로 배기한다. 이하, 각 구성에 대해 상세하게 설명한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 includes a process chamber 100, a substrate support unit 200, a process gas supply unit 300, and a gas exhaust unit 400. The process chamber 100 provides a space in which the substrate W processing is performed, and the substrate support unit 200 supports the substrate W in the process chamber 100. The process gas supply unit 300 supplies the process gas into the process chamber 100, and the gas exhaust unit 400 exhausts the process gas and reaction by-products remaining in the process chamber 100 to the outside. Hereinafter, each configuration will be described in detail.

공정 챔버(100)는 내부에 처리 공간(110)이 형성된다. 처리 공간(110)은 기판(W) 처리를 수행하는 공간으로 제공된다. 처리 공간(110)에서는 공정 가스를 이용하는 다양한 기판 처리 공정이 수행될 수 있다. 본 실시예에서는 기판(W)상에 도포된 포토레지스트를 제거하는 애싱(Ashing) 공정을 예를 들어 설명한다. 공정 챔버(100)의 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 기판(W)은 개구를 통하여 처리 공간(110)으로 출입한다. 개구는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(120)이 형성된다. 배기홀(120)은 가스 배기 유닛(400)과 연결된다.The process chamber 100 has a processing space 110 formed therein. The processing space 110 is provided as a space for performing substrate W processing. In the processing space 110, various substrate processing processes using a process gas may be performed. In this embodiment, an ashing process for removing the photoresist applied on the substrate W will be described as an example. An opening (not shown) may be formed in the sidewall of the process chamber 100. The substrate W enters into the processing space 110 through the opening. The opening can be opened and closed by an opening / closing member such as a door (not shown). An exhaust hole 120 is formed in the bottom surface of the process chamber 100. The exhaust hole 120 is connected to the gas exhaust unit 400.

기판 지지 유닛(200)은 처리 공간(110)에 위치하며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(200)은 서셉터(210)와 지지축(220)을 포함한다. 서셉터(210)는 원판 형상으로 제공되며, 상면에 기판(W)이 놓인다. 서셉터(210)의 내부에는 전극(미도시)이 제공될 수 있다. 전극은 외부 전원과 연결되며, 인가된 전력에 의해 정전기를 발생시킨다. 발생된 정전기는 기판(W)을 서셉터(210)에 고정시킨다. 서셉터(210)의 내부에는 히팅 코일(미도시)과 냉각 코일(미도시)이 제공될 수 있다. 히팅 코일은 기판(W)을 기 설정된 온도로 가열한다. 애싱 공정의 경우, 기판(W)은 약 200℃ 정도로 가열될 수 있다. 서셉터(210)는 기판(W)으로 온도가 효과적으로 전달되도록 알루미늄 또는 세라믹 재질로 제공될 수 있다. 냉각 코일은 가열된 기판(W)을 강제 냉각시킨다. 공정 처리가 완료된 기판(W)은 상온 상태 또는 다음 공정 진행에 요구되는 온도로 냉각된다. 지지축(220)은 원통 형상을 제공되며, 서셉터(210)의 하부에서 서셉터(210)를 지지한다.The substrate support unit 200 is located in the processing space 110 and supports the substrate W. The substrate support unit 200 includes a susceptor 210 and a support shaft 220. The susceptor 210 is provided in a disc shape, and the substrate W is placed on an upper surface thereof. An electrode (not shown) may be provided inside the susceptor 210. The electrode is connected to an external power source and generates static electricity by the applied power. The generated static electricity fixes the substrate W to the susceptor 210. A heating coil (not shown) and a cooling coil (not shown) may be provided inside the susceptor 210. The heating coil heats the substrate W to a preset temperature. In the case of the ashing process, the substrate W may be heated to about 200 ° C. The susceptor 210 may be provided of aluminum or a ceramic material so that the temperature is effectively transmitted to the substrate (W). The cooling coil forcibly cools the heated substrate (W). The board | substrate W in which process process is completed is cooled to the temperature required for normal temperature state or a next process process. The support shaft 220 is provided in a cylindrical shape and supports the susceptor 210 at the bottom of the susceptor 210.

공정 가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100)의 상부에 위치하며, 처리 공간(110)으로 공정 가스를 공급한다. 공정 가스 공급 유닛(300)은 기판 처리 공정에 따라 다양한 공정 가스를 제공할 수 있다. 애싱 공정의 경우, 공정 가스 공급 유닛(300)은 플라스마 상태의 공정 가스를 처리 공간(110)으로 공급할 수 있다. 공정 가스 공급 유닛(300)은 한국등록특허공보 제10-796980호에 개시된 플라스마 생성부재를 이용하여 플라스마를 생성할 수 있다. 플라스마는 처리 공간(110)으로 공급되어 기판(W) 처리에 제공된다. 플라스마의 성분 중 이온은 접지된 배플(미도시)에 의해 기판(W)으로 공급이 차단되고, 자유 라디칼만이 기판(W)으로 공급될 수 있다. 자유 라디칼은 화학 반응을 통하여 기판(W)상의 포토레지스트를 제거한다.The process gas supply unit 300 is located above the process chamber 100 and supplies process gas to the processing space 110. The process gas supply unit 300 may provide various process gases according to a substrate processing process. In the case of the ashing process, the process gas supply unit 300 may supply the process gas in a plasma state to the processing space 110. The process gas supply unit 300 may generate plasma using the plasma generating member disclosed in Korean Patent Publication No. 10-796980. The plasma is supplied to the processing space 110 and provided to the substrate W processing. Among the components of the plasma, ions are cut off to the substrate W by a grounded baffle (not shown), and only free radicals may be supplied to the substrate W. The free radicals remove the photoresist on the substrate W through a chemical reaction.

가스 배기 유닛(400)은 처리 공간(110)에 머무르는 공정 가스와 반응 부산물(이하, '가스'라고 한다.)를 공정 챔버(100) 외부로 배기한다. 가스 배기 유닛(400)은 배관(410), 진공 펌프(420), 그리고 역류 방지부(430)를 포함한다. The gas exhaust unit 400 exhausts the process gas and the reaction by-product (hereinafter, referred to as “gas”) remaining in the processing space 110 to the outside of the process chamber 100. The gas exhaust unit 400 includes a pipe 410, a vacuum pump 420, and a backflow prevention unit 430.

배관(410)은 공정 챔버(100)의 하부에 상하방향으로 배치된다. 배관(410)은 상단이 공정 챔버(100)의 저면에 고정 결합한다. 배관(410) 내부에는 가스가 흐르는 유로(411a, 412a)가 형성된다. 유로(411a, 412a)는 공정 챔버(100)의 배기홀(120)과 연결된다. 배관(410)은 제1영역(411)과 제2영역(412)으로 구분된다. 제1영역(411)은 제2영역(412)에 비하여 상대적으로 공정 챔버(100)에 인접하여 위치한다. 제1영역(411)과 제2영역(412)은 배관(410)을 따라 순차적으로 위치한다. 제1영역(411)에 형성된 유로(411a)와 제2영역(412)에 형성된 유로(412a)는 사이즈가 동일할 수 있다. 이와 달리, 제1영역(411)에 형성된 유로(411a)와 제2영역(412)에 형성된 유로(412a)는 사이즈가 상이할 수 있다.The pipe 410 is disposed in the vertical direction below the process chamber 100. The upper end of the pipe 410 is fixedly coupled to the bottom of the process chamber 100. Inside the pipe 410, flow paths 411a and 412a through which gas flows are formed. The flow paths 411a and 412a are connected to the exhaust hole 120 of the process chamber 100. The pipe 410 is divided into a first region 411 and a second region 412. The first region 411 is positioned adjacent to the process chamber 100 relatively to the second region 412. The first region 411 and the second region 412 are sequentially located along the pipe 410. The flow passage 411a formed in the first region 411 and the flow passage 412a formed in the second region 412 may have the same size. Alternatively, the flow path 411a formed in the first region 411 and the flow path 412a formed in the second region 412 may have different sizes.

제2영역(412)의 후단부에는 진공 펌프(420)가 설치된다. 진공 펌프(420)는 배관(410)과 공정 챔버(100)에 순차적으로 진공압을 인가한다. 기판 처리가 진행되는 동안 진공 펌프(420)는 구동되며, 처리 공간(110)은 소정 상태의 진공도로 유지된다. 그리고, 처리 공간(110) 내의 가스는 유로(411a, 412a)를 통해 외부로 배기된다. 가스는 제1영역(411)에서 제2영역(412) 방향으로 흐른다. A vacuum pump 420 is installed at the rear end of the second region 412. The vacuum pump 420 sequentially applies a vacuum pressure to the pipe 410 and the process chamber 100. The vacuum pump 420 is driven while substrate processing is in progress, and the processing space 110 is maintained at a vacuum degree in a predetermined state. The gas in the processing space 110 is exhausted to the outside through the flow paths 411a and 412a. Gas flows from the first region 411 to the second region 412.

역류 방지부(430)는 제1영역(411)과 제2영역(412) 사이 구간에서 배관(410)에 설치된다. 역류 방지부(430)는 제1영역(411)에서 제2영역(412) 방향으로 가스의 흐름을 개방하고, 제2영역(412)에서 제1영역(411) 방향으로 가스의 흐름을 차단한다. 역류 방지부(430)는 연결 덕트(431), 제1돌출부(434), 제2돌출부(436), 그리고 가스 차단부(440)를 포함한다.The backflow prevention unit 430 is installed in the pipe 410 in the section between the first region 411 and the second region 412. The backflow prevention unit 430 opens the flow of gas from the first region 411 to the second region 412 and blocks the flow of gas from the second region 412 to the first region 411. . The backflow prevention part 430 includes a connection duct 431, a first protrusion 434, a second protrusion 436, and a gas shutoff part 440.

연결 덕트(431)는 제1영역(411)과 제2영역(412) 사이에서 배관(410)에 설치된다. 연결 덕트(431)는 상하면이 개방된 통 형상으로 제공되며, 내부에 연결 유로(432)가 형성된다. 연결 유로(432)는 제1 및 제2영역(411, 412)의 유로(411a, 412a)와 연결된다. 연결 유로(432)는 제1영역(411)에 형성된 유로(411a)보다 큰 반경을 가진다.The connecting duct 431 is installed in the pipe 410 between the first region 411 and the second region 412. The connecting duct 431 is provided in a cylindrical shape having an upper and lower surface open, and a connection flow passage 432 is formed therein. The connection flow path 432 is connected to the flow paths 411a and 412a of the first and second regions 411 and 412. The connection flow passage 432 has a radius larger than that of the flow passage 411a formed in the first region 411.

제1돌출부(434)는 연결 덕트(431)의 내측면으로부터 연결 유로(432)로 향해 돌출된다. 제1돌출부(434)는 연결 덕트(431)의 내측면을 따라 제공되며, 제1개구(434a)를 형성한다. 제1개구(434a)는 제1영역(411)의 유로(411a)와 연결 유로(432)를 연결한다. 실시예에 의하면, 제1돌출부(434)는 연결 덕트(431)의 상단에 형성되며, 연결 덕트(431)의 내측면에 대해 수직 방향으로 돌출된다. 제1돌출부(434)의 내측부는 제1영역(411)의 하단과 연결된다. 제1개구(434a)는 제1영역(411)의 유로(411a)에 상응하는 반경을 가진다.The first protrusion 434 protrudes from the inner side surface of the connection duct 431 toward the connection flow path 432. The first protrusion 434 is provided along the inner surface of the connection duct 431 and forms the first opening 434a. The first opening 434a connects the flow passage 411a of the first region 411 to the connection flow passage 432. According to the embodiment, the first protrusion 434 is formed at the upper end of the connection duct 431 and protrudes in a direction perpendicular to the inner surface of the connection duct 431. The inner part of the first protrusion 434 is connected to the lower end of the first region 411. The first opening 434a has a radius corresponding to the flow path 411a of the first region 411.

제2돌출부(436)는 제1돌추부(434)의 하부에 위치한다. 제2돌출부(436)는 연결 덕트(431)의 내측면으로부터 연결 유로(432)를 향해 돌출된다. 제2돌출부(436)는 연결 덕트(431)의 내측면을 따라 제공되며, 제2개구(436a)를 형성한다. 제2개구(436a)는 연결 유로(432)와 제2영역(412)의 유로(412a)를 연결한다. 실시예에 의하면, 제2돌출부(436)는 연결 덕트(431)의 하단에 형성되며, 연결 덕트(431)의 내측면에 대해 수직 방향으로 돌출된다. 제2돌출부(436)의 내측부는 제2영역(412)의 상단과 연결된다. 제2개구(436a)는 제2영역(412)의 유로(412a)에 상응하는 반경을 가진다.The second protrusion 436 is positioned below the first protrusion 434. The second protrusion 436 protrudes from the inner side surface of the connection duct 431 toward the connection flow path 432. The second protrusion 436 is provided along the inner surface of the connecting duct 431 and forms the second opening 436a. The second opening 436a connects the connection flow passage 432 and the flow passage 412a of the second region 412. According to the embodiment, the second protrusion 436 is formed at the lower end of the connection duct 431 and protrudes in a direction perpendicular to the inner surface of the connection duct 431. The inner part of the second protrusion 436 is connected to the upper end of the second region 412. The second opening 436a has a radius corresponding to the flow path 412a of the second region 412.

가스 차단부(440)는 연결 덕트(431)의 내부에 위치한다. 도 2는 도 1의 가스 차단부를 나타내는 사시도이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 가스 차단부(440)는 제2영역(412)의 유로(412a)와 마주하는 저면이 개방된 공간(440a)이 내부에 형성된다. 가스가 제2영역(412)에서 제1영역(411) 방향으로 흐를 경우, 가스 차단부(440) 내부(440a)로 유입된 가스에 의해 가스 차단부(440)는 부양된다. 부양된 가스 차단부(440)는 연결 유로(432)와 제1영역(411)의 유로(411a)를 차단하여 가스가 제1영역(411)으로 유입되는 것을 차단한다. 가스 차단부(440)는 몸통부(441), 걸림부(445), 안착부(447)를 포함한다.The gas blocking unit 440 is located inside the connection duct 431. FIG. 2 is a perspective view illustrating the gas blocking unit of FIG. 1. FIG. 1 and 2, in the gas blocking unit 440, a space 440a having an open bottom surface facing the flow path 412a of the second region 412 is formed therein. When the gas flows from the second region 412 toward the first region 411, the gas blocking unit 440 is supported by the gas introduced into the gas blocking unit 440. The raised gas blocking unit 440 blocks the flow path 411a of the connection channel 432 and the first region 411 to block the gas from flowing into the first region 411. The gas shutoff part 440 includes a body part 441, a locking part 445, and a seating part 447.

몸통부(441)는 통 형상으로 제공되며, 저면이 개방된 공간(440a)이 내부에 형성된다. 몸통부(441)는 상단(442)이 밀폐된다. 몸통부(441)는 상부 영역(441a)과 하부 영역(441b)으로 구분될 수 있다. 상부 영역(441a)은 제1영역(411)에 형성된 유로(411a)보다 작은 반경을 가진다. 하부 영역(441b)은 상부 영역(441a)의 하부에 위치하며, 제1영역(411)에 형성된 유로(411a)보다 크고 연결 유로(432)보다 작은 반경을 가진다. The body portion 441 is provided in a cylindrical shape, and a space 440a having an open bottom is formed therein. The body portion 441 is closed at the top 442. The trunk portion 441 may be divided into an upper region 441a and a lower region 441b. The upper region 441a has a smaller radius than the flow passage 411a formed in the first region 411. The lower region 441b is positioned below the upper region 441a and has a radius larger than the flow passage 411a formed in the first region 411 and smaller than the connection flow passage 432.

걸림부(445)는 몸통부(441)에 제공된다. 걸림부(445)는 상부 영역(441a)과 하부 영역(441b) 사이에 제공되며, 상부 영역(441a)과 하부 영역(441b)을 연결한다. 걸림부(445)는 링 형상의 판으로 제공되며, 상부 영역(441a)의 하단과 하부 영역(441b)의 상단을 연결한다. 걸림부(445)는 상부 영역(441a)의 외측면 및 하부 영역(441b)의 내측면에 수직하게 배치된다. 몸통부(441)는 걸림부(445)에 의해 상부 영역(441a)과 하부 영역(441b)이 단차진 형상을 가진다. 걸림부(445)는 몸통부(441)가 부양되는 경우, 제1돌출부(434)와 충돌한다. 이로 인해, 가스 차단부(440)가 제1영역(411)으로 이동하는 것이 제한된다. 제1돌출부(434)와 걸림부(445)의 충돌로 인한 손상을 방지하기 위해, 제1돌출부(434)의 저면 또는 걸림부(445)의 상면에는 오 링(O-ring, 438)이 제공될 수 있다.The locking portion 445 is provided to the trunk portion 441. A locking portion 445 is provided between the upper region 441a and the lower region 441b and connects the upper region 441a and the lower region 441b. The locking portion 445 is provided as a ring-shaped plate and connects a lower end of the upper region 441a and an upper end of the lower region 441b. The locking portion 445 is disposed perpendicular to the outer side surface of the upper region 441a and the inner side surface of the lower region 441b. The trunk portion 441 has a stepped shape of the upper region 441a and the lower region 441b by the locking portion 445. The locking portion 445 collides with the first protrusion 434 when the trunk portion 441 is supported. As a result, the gas blocking unit 440 is restricted from moving to the first region 411. In order to prevent damage due to collision between the first protrusion 434 and the catching portion 445, an O-ring 438 is provided on the bottom surface of the first protrusion 434 or the top surface of the catching portion 445. Can be.

몸통부(441)의 하부영역(441b)에는 연결 홀(448)들이 형성된다. 연결 홀(448)들은 하부 영역(441b)의 둘레를 따라 서로 이격하여 형성된다. 연결 홀(448)들은 연결 유로(432)와 제2영역(412)의 유로(412a)를 연결한다. 연결 유로(432)에 유입된 가스는 연결 홀(448)들을 통해 제2영역(412)으로 흐른다. Connection holes 448 are formed in the lower region 441b of the body portion 441. The connection holes 448 are formed to be spaced apart from each other along the circumference of the lower region 441b. The connection holes 448 connect the connection flow passage 432 and the flow passage 412a of the second region 412. Gas introduced into the connection channel 432 flows to the second region 412 through the connection holes 448.

몸통부(441)의 하단에는 안착부(447)가 형성된다. 안착부(447)는 몸통부(441)의 외측면으로부터 몸통부(441)의 외측 방향으로 돌출된다. 안착부(447)는 링 형상의 판으로 제공된다. 안착부(447)는 제2영역(412)에 형성된 유로(412a)에 상응하는 내경과 연결 유로(432)의 반경보다 작은 외경을 가질 수 있다. 안착부(447)는 제1영역(411)에서 제2영역(412) 방향으로 가스의 흐름이 발생하는 경우, 제2돌출부(436)에 놓인다. 그리고, 제2영역(412)에서 제1영역(411) 방향으로 가스의 흐름이 발생하는 경우, 부양되어 제2돌출부(436)와 이격된다.A seating portion 447 is formed at the lower end of the body portion 441. The seating portion 447 protrudes from the outer side of the body portion 441 in the outward direction of the body portion 441. The seating portion 447 is provided in a ring-shaped plate. The seating part 447 may have an inner diameter corresponding to the flow path 412a formed in the second region 412 and an outer diameter smaller than the radius of the connection flow path 432. The seating portion 447 is placed on the second protrusion 436 when gas flows from the first region 411 to the second region 412. When gas flows from the second region 412 toward the first region 411, the gas is floated and spaced apart from the second protrusion 436.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 가스가 배기되는 모습을 나타내는 도면이다.3 is a view showing a state that the gas is exhausted in accordance with an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 진공 펌프(도 1의 420)에 의해 배관(410)에 진공압이 인가된다. 진공압은 제1영역(411)에서 제2영역(412) 방향으로 가스(G)의 흐름을 발생시킨다. 가스 차단부(440)는 안착부(447)가 제2돌출부(436)에 놓이며, 몸통부(441)가 연결 덕트(431) 및 제1돌출부(434)와 소정 간격으로 이격된다. 제1영역(411)의 가스(G)는 몸통부(441)와 제1돌출부(434)의 사이 공간을 통해 연결 유로(432) 내부로 유입된다. 그리고, 몸통부(441)에 형성된 연결 홀(448)들을 통해 제2영역(412)으로 배기된다.Referring to FIG. 3, a vacuum pressure is applied to the pipe 410 by a vacuum pump 420 of FIG. 1. The vacuum pressure generates a flow of the gas G from the first region 411 to the second region 412. In the gas blocking part 440, the seating part 447 is placed on the second protrusion 436, and the body part 441 is spaced apart from the connection duct 431 and the first protrusion 434 at a predetermined interval. The gas G of the first region 411 flows into the connection passage 432 through a space between the body portion 441 and the first protrusion 434. Then, the air is exhausted to the second region 412 through the connection holes 448 formed in the body portion 441.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따라 가스 차단부가 배관을 차단하는 모습을 나타내는 도면이다.4 is a view showing a state in which the gas blocking unit blocks the pipe according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 기판 처리 공정이 진행 중에 진공 펌프(도 1의 420)의 펌핑 동작이 멈추거나, 진공 펌프에 역상이 인가되는 경우, 진공 펌프가 반대 방향으로 가스(G)를 불어내는 현상이 발생할 수 있다. 상기 현상이 발생할 경우, 역류된 가스(G) 기류는 약 0.2초 만에 공정 챔부(도 1의 100) 내부로 도달할 수 있다. 가스 차단부(440)는 가스가 역류할 경우, 제1영역(411)으로 가스의 유입을 차단한다. 제2영역(412)에서 역류하는 가스는 몸통부(441)의 내부(440a)로 공급된다. 몸통부(441)의 내부에 공급된 가스는 가스 차단부(440)를 부양시킨다. 부양된 가스 차단부(440)는 제1돌출부(434)와 걸림부(445)의 충돌에 의해 이동이 제한된다. 그리고, 제1돌출부(434)와 걸림부(445)의 접촉에 의해 제1영역(411)의 유로(411a)와 연결 유로(432)의 연결이 차단된다. 이로 인해, 몸통부(441)의 내부(440a)로 유입된 가스 및 연결 유로로 유입된 가스(G)는 제1영역(411)으로 유입이 차단된다. 상술한 과정에 의해, 역류하는 가스(G)가 제1영역(411) 및 공정 챔버(도 1의 100) 내부로 유입이 방지되므로, 가스 역류로 인한 기판 오염이 예방될 수 있다. 또한, 상술한 가스 유입 방지는 역류하는 가스(G)의 힘에 의해 배관(410)이 차단되므로, 가스의 역류 여부 검출, 가스의 역류 검출 결과에 따른 배관(410)의 차단등의 과정이 요구되지 않으므로, 짧은 시간내에 배관(410)을 차단하여 공정 챔버(100)로 가스의 유입을 예방할 수 있다. Referring to FIG. 4, when the pumping operation of the vacuum pump (420 of FIG. 1) is stopped or a reverse phase is applied to the vacuum pump while the substrate treating process is in progress, the vacuum pump blows gas G in the opposite direction. This can happen. When this phenomenon occurs, the backflowed gas G stream may reach the process chamber 100 in FIG. 1 in about 0.2 seconds. The gas blocking unit 440 blocks the inflow of gas into the first region 411 when the gas flows back. The gas flowing back in the second region 412 is supplied to the interior 440a of the body portion 441. The gas supplied into the body 441 supports the gas blocker 440. The lifted gas blocking unit 440 is restricted by the collision between the first protrusion 434 and the locking unit 445. In addition, the contact between the flow path 411a and the connection flow path 432 of the first region 411 is blocked by the contact between the first protrusion 434 and the locking part 445. Thus, the gas introduced into the interior 440a of the body portion 441 and the gas G introduced into the connection flow path are blocked from entering the first region 411. By the above-described process, since the gas G flowing back is prevented from being introduced into the first region 411 and the process chamber (100 of FIG. 1), substrate contamination due to gas backflow can be prevented. In addition, since the pipe 410 is blocked by the force of the gas G to flow backward, the above-described gas inflow prevention requires a process such as detecting whether the gas flows backward or blocking the pipe 410 according to the gas back flow detection result. Therefore, the pipe 410 may be blocked within a short time to prevent the inflow of gas into the process chamber 100.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 배기 유닛에 의해 가스 배기가 일어나는 과정을 나타내는 단면도이고, 도 6은 도 5의 가스 배기 유닛이 배관을 차단하는 모습을 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a process in which gas is exhausted by a gas exhaust unit according to another exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a view showing a state in which the gas exhaust unit of FIG. 5 blocks a pipe.

도 5 및 도 6을 참조하면, 제1돌출부(434)는 경사지게 형성된다. 제1돌출부(434)는 연결 덕트(431)의 상단과 제1영역(411)의 하단을 연결한다. 제1돌출부(434)는 연결 덕트(431)의 상단으로부터 상부로 갈수록 그 단면적이 점차 감소하도록 상향 경사지게 배치된다. 가스 차단부(440)의 걸림부(445)는 제1돌출부(434)에 상응하도록 상향 경사지게 배치된다.5 and 6, the first protrusion 434 is formed to be inclined. The first protrusion 434 connects the upper end of the connection duct 431 and the lower end of the first region 411. The first protrusion 434 is disposed to be inclined upward so that its cross-sectional area gradually decreases from the top to the top of the connection duct 431. The locking part 445 of the gas blocking part 440 is disposed to be inclined upwardly to correspond to the first protrusion 434.

도 5와 같이, 가스(G)가 배관(440)을 통해 배기되는 경우, 가스 차단부(440)의 걸림부(445)가 경사지게 배치되므로, 연결 유로(432)에 유입된 가스(G)는 몸통부(441)와 연결 덕트(431) 사이 공간으로 용이하게 유입될 수 있다. 연결 유로(432)에 유입된 가스는 연결 홀(448)들을 통해 제2영역(412)으로 흐른다.As shown in FIG. 5, when the gas G is exhausted through the pipe 440, since the locking part 445 of the gas blocking part 440 is inclined, the gas G introduced into the connection flow path 432 is It may be easily introduced into the space between the body portion 441 and the connecting duct 431. Gas introduced into the connection channel 432 flows to the second region 412 through the connection holes 448.

도 6과 같이, 가스(G)가 역류하는 경우, 역류된 가스(G)는 몸통부 내부(440a)로 유입되어 가스 차단부(440)를 부양시킨다. 가스 차단부(440)의 부양에 의해, 걸림부(445)는 제1돌출부(434)와 접촉된다. 접촉부(445)와 제1돌출부(434)는 서로 상응하는 각도로 경사지므로, 접촉하는 면적이 넓어질 수 있다. 또한, 가스 차단부(440)가 부양되는 과정에서 걸림부(445)와 제1돌출부(434)는 가스 차단부(440)의 이동을 안내하여, 제1영역(422)과 연결 유로(432)가 차단될 수 있는 지점에 정확히 가스 차단부(440)가 위치될 수 있다.As shown in FIG. 6, when the gas G flows backward, the flowed gas G flows into the body 440a to support the gas blocking part 440. By supporting the gas shutoff part 440, the locking part 445 is in contact with the first protrusion 434. Since the contact portion 445 and the first protrusion 434 are inclined at corresponding angles, the contact area can be widened. In addition, while the gas blocking unit 440 is supported, the locking unit 445 and the first protrusion 434 guide the movement of the gas blocking unit 440 to guide the movement of the gas blocking unit 440. The gas blocker 440 may be positioned at a point where the block may be blocked.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 배기 유닛을 나타내는 도면이다. 7 is a view showing a gas exhaust unit according to another embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 연결 덕트(431')는 도 1 및 도 5에 나타난 연결 덕트(431)보다 사이즈가 크게 제공된다. 이에 의해, 연결 덕트(431')와 가스 차단부(440)의 몸체부(441) 사이 공간(d)이 넓어져, 도 1 및 도 5에 나타난 가스 배기 유닛보다 가스(G) 배기가 활발하게 진행될 수 있다. 예를 들어, 배관(410)의 길이가 4m인 가스 배기 유닛에서 펌핑하는 경우, 진공 상태에 이르는데 5초가 걸린다면, 배관(410) 길이가 7m일 경우 펌핑 시간이 5초보다 증가한다. 그러나, 도 7과 같이, 연결 덕트(431')와 가스 차단부(440)의 몸체부(441) 사이 공간(d)이 넓힐 경우, 진공 컨덕턴스(vacuum conductance)가 증가되므로 펌핑 시간을 감소될 수 있다.Referring to FIG. 7, the connecting duct 431 ′ is provided with a larger size than the connecting duct 431 shown in FIGS. 1 and 5. As a result, the space d between the connecting duct 431 'and the body portion 441 of the gas shutoff part 440 is increased, so that the gas G is expelled more actively than the gas exhaust unit shown in FIGS. 1 and 5. Can proceed. For example, when pumping in a gas exhaust unit having a length of 4 m, the pipe 410 takes 5 seconds to reach a vacuum state, the pumping time increases when the length of the pipe 410 is 7 m than 5 seconds. However, as shown in FIG. 7, when the space d between the connecting duct 431 ′ and the body portion 441 of the gas blocker 440 is widened, the pumping time can be reduced because the vacuum conductance is increased. have.

도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 연결 홀들을 나타내는 도면이다. 8 is a view illustrating connection holes according to another embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 연결 홀(448)들은 상하방향으로 길게 형성된 슬릿 홀로 제공될 수 있다. 연결 홀(448)들은 균일한 간격으로 이격되어 몸통부(441)의 둘레를 따라 형성될 수 있다. 이와 달리, 연결 홀(448)들은 원형 홀로 제공될 수 있다. 또한, 연결 홀(448)들은 몸통부(441)의 둘레 방향으로 길이가 길게 형성된 슬릿 홀로 제공될 수 있다. 연결 홀(448)들은 몸통부(441)의 둘레 방향을 따라 복수 열로 배열될 수 있다. 또한, 연결 홀(448)들은 상하방향에 대해 소정 각도로 경사진 슬릿 홀로 제공될 수 있다. 슬릿 홀(448)들은 몸통부(441)의 둘레를 따라 균일 간격으로 이격하여 배열된다. 이와 같이, 연결 홀들은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 그 배치 또한 다양하게 변경가능하다.Referring to FIG. 8, the connection holes 448 may be provided as slit holes formed long in the vertical direction. The connection holes 448 may be formed along the circumference of the body portion 441 at equal intervals. Alternatively, the connection holes 448 may be provided as circular holes. In addition, the connection holes 448 may be provided as slit holes formed long in the circumferential direction of the body portion 441. The connection holes 448 may be arranged in a plurality of rows along the circumferential direction of the body portion 441. In addition, the connection holes 448 may be provided as slit holes inclined at a predetermined angle with respect to the vertical direction. The slit holes 448 are arranged at regular intervals along the circumference of the body portion 441. As such, the connection holes may have various shapes, and the arrangement thereof may be variously changed.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가스 배기 유닛을 나타낸다.9 shows a gas exhaust unit according to another embodiment of the invention.

도 9를 참조하면, 배관(410)의 제1영역(411)과 제2영역(412) 사이 구간에 역류 방지부(430)가 제공된다. 역류 방지부(430)는 걸림판(431), 지지판(435), 그리고 가스 차단부(437)를 포함한다. Referring to FIG. 9, a backflow prevention unit 430 is provided in a section between the first region 411 and the second region 412 of the pipe 410. The backflow prevention unit 430 includes a locking plate 431, a support plate 435, and a gas blocking unit 437.

걸림판(431)은 얇은 판 형상으로 제공되며, 가스(G)의 흐름 방향에 수직하게 배치된다. 걸림판(431)에는 걸림 홀(432)이 형성된다. 걸림 홀(432)은 소정 반경으로 형성된다. The locking plate 431 is provided in a thin plate shape and is disposed perpendicular to the flow direction of the gas G. A locking hole 432 is formed in the locking plate 431. The locking hole 432 is formed with a predetermined radius.

걸림판(431)의 하부에는 지지판(435)이 위치한다. 지지판(435)은 걸림판(431)으로부터 소정 거리 이격하여 위치한다. 걸림판(431)에는 유로(436)들이 형성된다. 유로(436)들은 가스(G)가 흐르는 통로로 제공한다. 걸림판(431)은 메쉬(Mesh)를 포함한다. The support plate 435 is positioned below the locking plate 431. The support plate 435 is spaced apart from the locking plate 431 by a predetermined distance. Flow paths 436 are formed in the locking plate 431. The flow paths 436 provide a path through which the gas G flows. The locking plate 431 includes a mesh.

걸림판(431)과 지지판(435) 사이에는 가스 차단부(437)가 위치한다. 가스 차단부(437)는 걸림 홀(432)보다 큰 반경을 갖는 구 형상으로 제공된다. 가스 차단부(431)는 경량 재질로 제공된다. 가스 차단부(431)는 고무 재질로 제공될 수 있다. The gas blocking part 437 is positioned between the stopping plate 431 and the supporting plate 435. The gas shutoff portion 437 is provided in a spherical shape having a radius larger than that of the locking hole 432. The gas shutoff part 431 is provided with a lightweight material. The gas blocking part 431 may be provided with a rubber material.

배관(410)에 진공압이 인가되는 경우, 가스는 걸림 홀(432)을 통해 제1영역(411)에서 연결 유로(433)로 유입된다. 연결 유로(433)로 유입된 가스는 지지판(435)의 유로(436)들을 통해 제2영역(412)으로 유입된다.When a vacuum pressure is applied to the pipe 410, gas is introduced into the connection flow path 433 from the first region 411 through the locking hole 432. Gas introduced into the connection channel 433 is introduced into the second region 412 through the channel 436 of the support plate 435.

이와 달리, 가스(G)가 역류하는 경우, 도 10과 같이, 역류하는 가스(G)에 의해 가스 차단부(437)가 부양되며, 그 일부가 걸림 홀(432)에 삽입된다. 걸림 홀(432)에 삽입된 가스 차단부(437)는 가스(G)가 연결 유로(433)에서 제1영역(411)으로 유입되는 것을 차단된다. 상술한 가스 차단부(437)의 차단에 의해 역류하는 가스(G)가 공정 챔버(도 1의 100) 내부로 유입되는 것이 방지된다. On the contrary, when the gas G flows backward, as shown in FIG. 10, the gas blocking part 437 is supported by the gas G flowing back, and a part of the gas G is inserted into the locking hole 432. The gas blocking part 437 inserted into the locking hole 432 blocks the gas G from flowing into the first region 411 from the connection flow path 433. By the blocking of the gas blocking unit 437 described above, the gas G flowing back can be prevented from flowing into the process chamber (100 of FIG. 1).

상기 실시예에서는 가스 배기 유닛(400)이 애싱 공정을 수행하는 장치(10)에 제공되는 것으로 설명하였으나, 가스 배기 유닛(400)은 공정 챔버(100) 내부를 소정 압력으로 감압하여 기판(W)을 처리하는 장치에 제공될 수 있다. 그리고, 가스 배기 유닛(400)은 공정 가스를 공급하여 기판을 처리하는 장치와 처리 과정에서 가스나 흄이 발생하는 공정을 수행하는 장치등에 제공될 수 있다. 예컨대, 반도체 제조 공정 중, 증착 공정, 식각 공정, 그리고 베이크 공정등을 수행하는 장치에 제공될 수 있다. 또한, 가스 배기 유닛(400)은 평판 표시 패널 또는 솔라셀을 제조하는 장치에 제공될 수 있다.
In the above-described embodiment, the gas exhaust unit 400 has been described as being provided to the apparatus 10 performing the ashing process. However, the gas exhaust unit 400 decompresses the inside of the process chamber 100 to a predetermined pressure, thereby providing a substrate W. It can be provided to the device for processing. In addition, the gas exhaust unit 400 may be provided to an apparatus for processing a substrate by supplying a process gas and an apparatus for performing a process in which gas or fume is generated in the process. For example, the present invention may be provided in an apparatus for performing a deposition process, an etching process, and a baking process in a semiconductor manufacturing process. In addition, the gas exhaust unit 400 may be provided in an apparatus for manufacturing a flat panel display panel or a solar cell.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100: 공정 챔버 200: 기판 지지 유닛
300: 공정 가스 공급 유닛 400: 가스 배기 유닛
410: 배관 420: 진공 펌프
430: 역류 방지부100: process chamber 200: substrate support unit
300: process gas supply unit 400: gas exhaust unit
410: piping 420: vacuum pump
430: backflow prevention unit

Claims

A pipe in which a first region and a second region in which gas flows are formed;
A vacuum pump for applying a vacuum pressure to the pipe so that the gas flows from the first region toward the second region; And
Installed in the pipe in a section between the first region and the second region, opening the flow of gas in the direction of the second region from the first region, and in the direction of the first region in the second region; Including a backflow prevention block to block the flow of gas,
The backflow prevention unit
And a gas shutoff part that is lifted by a flow of gas formed in the second area toward the first area and blocks a section between the first area and the second area.

The method of claim 1,
The backflow prevention unit
And a connection duct installed in the pipe between the first region and the second region, and having a connection passage having a radius larger than that of the first region.
The gas blocking unit
A gas exhaust unit including a tubular body portion formed therein with a space having an open bottom face facing the second region and supported by the connection passage.

3. The method of claim 2,
The backflow prevention unit
A first protrusion protruding from an inner side surface of the connection duct toward the connection flow path and having an opening connecting the first region and the connection flow path;
The gas blocking unit
And a catching part that catches the first protruding part and restricts movement of the body part to the first area when the body part supports.

The method of claim 3, wherein
The first protrusion is inclined upward so as to gradually increase in height from the inner surface of the connection duct to the end thereof,
And the locking portion is inclined upwardly to correspond to the first protrusion.

The method of claim 3, wherein
The second region of the pipe has a radius smaller than the connecting flow path,
The backflow prevention unit
A second protrusion disposed under the first protrusion, protruding from an inner surface of the connection duct toward the connection flow path, and having an opening connecting the connection flow path and the second region;
The gas blocking unit
Is connected to the lower end of the body portion, including a ring-shaped seating portion having an inner diameter corresponding to the second area and an outer diameter smaller than the inner diameter of the connecting duct,
And a gas flow unit in the direction of the second region from the first region, wherein the seating portion is placed on the second protrusion.

The method of claim 5, wherein
Connection holes are formed along the circumference of the body portion in the body portion region between the locking portion and the seating portion,
And a gas flowing into the connection channel flows to the second region through the connection holes.

The method of claim 1,
The backflow prevention unit
A locking plate installed in a section between the first region and the second region and having a locking hole formed therein;
Further comprising a support plate installed in the section between the stopper and the second region, the flow paths through which gas passes,
The gas blocking part has a spherical shape having a radius larger than that of the locking hole, and is located in a section between the stopper and the mesh, and is supported by a gas flowing from the second area to the first area so that a partial area of the gas blocking part is located. Gas exhaust unit inserted into the.

The method of claim 7, wherein
The gas exhaust unit is a gas exhaust unit provided in a rubber material.

9. The method according to claim 7 or 8,
The support plate is a mesh (gas) exhaust unit.

A process chamber in which a processing space is formed;
A substrate support unit positioned in the processing space and supporting a substrate;
A process gas supply unit supplying a process gas to the processing space;
A gas exhaust unit for exhausting the gas remaining in the processing space to the outside of the process chamber,
The gas exhaust unit is
A pipe connected to the process chamber and having a first region in which the gas in the processing space is exhausted and the second region sequentially formed;
A vacuum pump installed in the pipe and configured to apply a vacuum pressure to the pipe so that gas flows from the first area toward the second area; And
Installed in the pipe in a section between the first region and the second region, opening the flow of gas in the direction of the second region from the first region, and in the direction of the first region in the second region; It includes a backflow prevention block to block the flow of gas,
The backflow prevention unit
And a gas blocking unit supported by a flow of gas formed in the second region toward the first region to block a section between the first region and the second region.

11. The method of claim 10,
The backflow prevention unit
And a connection duct installed in the pipe between the first region and the second region, and having a connection passage having a radius larger than that of the first region.
The gas blocking unit
And a tubular body portion formed therein with a space having an open bottom face facing the second region and supported by the connection flow path.

The method of claim 11,
The backflow prevention unit
A first protrusion protruding from an inner side surface of the connection duct toward the connection flow path and having an opening connecting the first region and the connection flow path;
The gas blocking unit
And a catching part that catches the first protruding part and restricts movement of the body part to the first region when the body part supports.

13. The method of claim 12,
The second region of the pipe has a radius smaller than the connecting flow path,
The backflow prevention unit
A second protrusion disposed under the first protrusion, protruding from an inner surface of the connection duct toward the connection flow path, and having an opening connecting the connection flow path and the second region;
The gas blocking unit
Is connected to the lower end of the body portion, including a ring-shaped seating portion having an inner diameter corresponding to the second area and an outer diameter smaller than the inner diameter of the connecting duct,
And a seating portion is placed on the second protrusion when a flow of gas occurs from the first region toward the second region.

The method of claim 13,
Connection holes are formed along the circumference of the body portion in the body portion region between the locking portion and the seating portion,
And a gas flowing into the connection channel flows to the second region through the connection holes.

11. The method of claim 10,
The backflow prevention unit
A locking plate installed in a section between the first region and the second region and having a locking hole formed therein;
Further comprising a support plate installed in the section between the stopper and the second region, the flow paths through which gas passes,
The gas blocking part has a spherical shape having a radius larger than that of the locking hole, and is located in a section between the stopper and the mesh, and is supported by a gas flowing from the second area to the first area so that a partial area of the gas blocking part is located. Substrate processing apparatus inserted into.

The method of claim 15,
The gas blocking unit is provided with a rubber material.