KR102275509B1

KR102275509B1 - Support unit and apparatus for treating substrate

Info

Publication number: KR102275509B1
Application number: KR1020200176738A
Authority: KR
Inventors: 강정현
Original assignee: 피에스케이 주식회사
Priority date: 2020-12-16
Filing date: 2020-12-16
Publication date: 2021-07-09

Abstract

The present invention provides an apparatus for processing a substrate. The substrate processing apparatus includes: a housing having a processing space; a support unit for supporting a substrate in the processing space; and an exhaust unit for exhausting air from the processing space. The support unit may include a support chuck for supporting the substrate; and an exhaust chuck provided to surround the support chuck when viewed from above. The exhaust unit may exhaust a space between the support chuck and the exhaust chuck. The substrate can be processed efficiently.

Description

SUPPORT UNIT AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE

본 발명은 지지 유닛 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a support unit and a substrate processing apparatus.

플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 기판 상의 박막을 제거하는 애싱 또는 식각 공정을 포함한다. 애싱 또는 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및 라디칼 입자들이 기판 상의 막과 충돌 또는 반응함으로써 수행된다.Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, radicals, and electrons, and is generated by very high temperatures, strong electric fields, or RF electromagnetic fields. A semiconductor device manufacturing process includes an ashing or etching process in which a thin film on a substrate is removed using plasma. The ashing or etching process is performed when ions and radical particles contained in plasma collide or react with a film on a substrate.

도 1은 일반적인 플라즈마 처리 장치를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 벤트 플레이트를 보여주는 평면도이다. 도 1과 도 2를 참조하면, 플라즈마 처리 장치(2000)는 처리부(2100), 그리고 플라즈마 발생부(2300)를 가진다.FIG. 1 is a view showing a general plasma processing apparatus, and FIG. 2 is a plan view showing the vent plate of FIG. 1 . 1 and 2 , the plasma processing apparatus 2000 includes a processing unit 2100 and a plasma generating unit 2300 .

처리부(2100)는 플라즈마 발생부(2300)에서 발생되는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 처리부(2100)에는 하우징(2110), 지지 유닛(2120), 그리고 배플(2130)이 제공된다. 하우징(2110)은 내부 공간(2112)을 가지며, 지지 유닛(2120)은 내부 공간(2112)에서 기판(W)을 지지 한다. 배플(2130)에는 다수의 홀이 형성되어 있으며, 이는 지지 유닛(2120)의 상부에 제공된다.The processing unit 2100 processes the substrate W using the plasma generated by the plasma generation unit 2300 . The processing unit 2100 is provided with a housing 2110 , a support unit 2120 , and a baffle 2130 . The housing 2110 has an internal space 2112 , and the support unit 2120 supports the substrate W in the internal space 2112 . A plurality of holes are formed in the baffle 2130 , which are provided in the upper portion of the support unit 2120 .

플라즈마 발생부(2300)에서는 플라즈마를 발생시킨다. 플라즈마 발생부(2300)에는 플라즈마 발생 챔버(2310), 가스 공급부(2320), 전력 인가부(2330), 그리고 확산 챔버(2340)가 제공된다. 가스 공급부(2320)에서 공급하는 공정 가스는 전력 인가부(2330)에서 인가하는 고주파 전력에 의해 플라즈마 상태로 여기된다. 그리고 발생된 플라즈마는 확산 챔버(2340)를 거쳐 내부 공간(2112)으로 공급된다.The plasma generator 2300 generates plasma. The plasma generating unit 2300 is provided with a plasma generating chamber 2310 , a gas supplying unit 2320 , a power applying unit 2330 , and a diffusion chamber 2340 . The process gas supplied from the gas supply unit 2320 is excited into a plasma state by the high frequency power applied from the power application unit 2330 . Then, the generated plasma is supplied to the inner space 2112 through the diffusion chamber 2340 .

내부 공간(2112)으로 공급된 플라즈마(P)와 공정 가스(G)는 기판(W)으로 전달되어 기판(W)을 처리한다. 이후, 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스(G)는 하우징(2110)에 형성된 홀(2114)을 통해 외부로 배출된다. 이러한 과정에서 기판(W)으로 공급되는 플라즈마(P) 및/또는 가스(G)의 유동을 고르게 하기 위하여 지지 유닛(2120)의 둘레에는 링 형상을 가지고, 복수의 통공(2142)들이 형성된 벤트 플레이트(2140)가 배치된다. 이와 같은 기판 처리 장치(2000)에서 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)를 배기하는 경우, 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)가 기판(W)의 외측을 향하는 방향으로 흐르게 된다(이른바, 에지 배기). 즉, 확산 챔버(2340)를 거쳐 내부 공간(2112)으로 공급되는 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스(G)가 기판(W) 처리에 기여하지 못하고 홀(2114)을 통해 외부로 배출될 수 있다. The plasma P and the process gas G supplied to the inner space 2112 are transferred to the substrate W to process the substrate W. Thereafter, the plasma P and/or the process gas G is discharged to the outside through the hole 2114 formed in the housing 2110 . In this process, the vent plate has a ring shape around the support unit 2120 and a plurality of through holes 2142 are formed in order to equalize the flow of the plasma P and/or the gas G supplied to the substrate W. 2140 is disposed. When the process gas (G) and/or plasma (P) is exhausted from the substrate processing apparatus 2000 as described above, the process gas (G) and/or plasma (P) flows in a direction toward the outside of the substrate (W). (so-called edge exhaust). That is, the plasma P and/or the process gas G supplied to the internal space 2112 through the diffusion chamber 2340 may not contribute to the processing of the substrate W and may be discharged to the outside through the hole 2114 . have.

본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a support unit and a substrate processing apparatus capable of efficiently processing a substrate.

또한, 본 발명은 하우징의 처리 공간의 분위기를 효과적으로 배기할 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a support unit and a substrate processing apparatus capable of effectively evacuating an atmosphere of a processing space of a housing.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and the accompanying drawings. will be.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 상기 기판을 지지하는 지지 척; 및 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 척을 감싸도록 제공되는 배기 척을 포함하고, 상기 배기 유닛은, 상기 지지 척, 그리고 상기 배기 척의 사이 공간을 배기할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus includes: a housing having a processing space; a support unit for supporting a substrate in the processing space; and an exhaust unit evacuating the processing space, wherein the support unit includes: a support chuck for supporting the substrate; and an exhaust chuck provided to surround the support chuck when viewed from above, wherein the exhaust unit may exhaust a space between the support chuck and the exhaust chuck.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 척은, 기판이 놓이는 안착 면을 가지는 지지 판; 및 상기 지지 판을 지지하는 지지 축을 포함하고, 상기 배기 척은, 상부에서 바라볼 때 상기 지지 판보다 큰 직경을 가지고, 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장되는 상부 몸체; 및 상기 상부 몸체로부터 상기 지지 축을 향하는 방향으로 연장되는 중간 몸체를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the support chuck may include a support plate having a seating surface on which a substrate is placed; and a support shaft for supporting the support plate, wherein the exhaust chuck includes: an upper body having a larger diameter than the support plate when viewed from above and extending in a direction from top to bottom; and an intermediate body extending from the upper body in a direction toward the support shaft.

일 실시 예에 의하면, 상기 배기 척은, 상기 중간 몸체로부터 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장되는 하부 몸체를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the exhaust chuck may include a lower body extending from the middle body in a direction from the top to the bottom.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 판의 적어도 일부는, 상부에서 바라볼 때, 상기 상부 몸체에 삽입되고, 상기 지지 축 중 적어도 일부는, 상부에서 바라볼 때, 상기 하부 몸체에 삽입될 수 있다.According to an embodiment, at least a portion of the support plate may be inserted into the upper body when viewed from the top, and at least a portion of the support shaft may be inserted into the lower body when viewed from the top.

일 실시 예에 의하면, 상기 배기 척은, 상기 배기 유닛이 제공하는 감압에 의해 상기 사이 공간에 흐르는 기류의 흐름을 가이드하는 가이드 부를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the exhaust chuck may include a guide part for guiding the flow of the airflow flowing in the interspace by the pressure reduction provided by the exhaust unit.

일 실시 예에 의하면, 상기 가이드 부는, 상기 상부 몸체, 그리고 상기 중간 몸체 중 적어도 어느 하나에 형성되고, 상기 상부 몸체, 그리고 상기 중간 몸체 중 적어도 어느 하나로부터 상기 지지 척을 향하는 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다.According to an embodiment, the guide part is formed on at least one of the upper body and the intermediate body, and is formed to protrude from at least one of the upper body and the intermediate body toward the support chuck. can

일 실시 예에 의하면, 상기 가이드 부는, 복수로 제공되되, 서로 이격되어 형성되어, 상기 기류가 흐르는 유체 경로를 형성할 수 있다.According to an embodiment, the guide part may be provided in plurality, and may be formed to be spaced apart from each other to form a fluid path through which the air flow flows.

일 실시 예에 의하면, 상기 가이드 부는, 상부에서 바라볼 때, 직선 형상을 가질 수 있다.According to an embodiment, the guide part may have a linear shape when viewed from the top.

일 실시 예에 의하면, 상기 가이드 부는, 상부에서 바라볼 때, 나선 형상을 가질 수 있다.According to an embodiment, the guide part may have a spiral shape when viewed from the top.

일 실시 예에 의하면, 상기 가이드 부는, 제1가이드 부; 및 인접하는 제1가이드 부 사이에 형성되는 제2가이드 부를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the guide unit may include: a first guide unit; and a second guide part formed between adjacent first guide parts.

일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 하우징, 그리고 상기 배기 척 사이에 설치되며, 상기 처리 공간을 상부 공간과 하부 공간으로 구획하는 중단 플레이트를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the support unit may further include a stop plate installed between the housing and the exhaust chuck and dividing the processing space into an upper space and a lower space.

일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 전력 인가 유닛을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the apparatus may include: a gas supply unit configured to supply a process gas to the processing space; and a power application unit generating plasma from the process gas.

또한, 본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치가 가지는 하우징의 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛을 제공한다. 지지 유닛은, 기판을 지지하는 안착 면을 가지는 지지 척; 및 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 척을 감싸도록 제공되고, 배기 유닛이 제공하는 감압이 제공될 수 있도록 상기 지지 척과 이격되어 사이 공간을 형성하는 배기 척을 포함할 수 있다.In addition, the present invention provides a support unit for supporting a substrate in a processing space of a housing of an apparatus for processing a substrate using plasma. The support unit includes: a support chuck having a seating surface for supporting a substrate; and an exhaust chuck provided to surround the support chuck when viewed from above, and spaced apart from the support chuck to form a space therebetween so that the reduced pressure provided by the exhaust unit can be provided.

본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to efficiently process the substrate.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 하우징의 처리 공간의 분위기를 효과적으로 배기할 수 있다.Also, according to an embodiment of the present invention, it is possible to effectively exhaust the atmosphere of the processing space of the housing.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.

도 1은 일반적인 플라즈마 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 벤트 플레이트를 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 배기 척의 모습을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 3의 배기 유닛이 하우징의 처리 공간을 배기하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 배기 척의 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 배기 척의 모습을 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.1 is a view showing a general plasma processing apparatus.
FIG. 2 is a plan view showing the vent plate of FIG. 1 .
3 is a diagram schematically showing a substrate processing facility of the present invention.
FIG. 4 is a view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3 .
FIG. 5 is a view showing the state of the exhaust chuck of FIG. 4 .
6 is a view illustrating a state in which the exhaust unit of FIG. 3 exhausts a processing space of a housing;
7 is a view showing an exhaust chuck according to another embodiment of the present invention.
8 is a view showing an exhaust chuck according to another embodiment of the present invention.
9 is a view showing a state of a support unit according to another embodiment of the present invention.

아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be embodied in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.

어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification is present, and includes one or more other features or It is to be understood that the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded in advance.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.

이하 도 3 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 9 .

도 3은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)(20) 및 처리 모듈(30)을 가진다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)은 일 방향으로 배치된다. 3 is a diagram schematically showing a substrate processing facility of the present invention. Referring to FIG. 1 , a substrate processing facility 1 has an equipment front end module (EFEM) 20 and a processing module 30 . The facility front end module 20 and the processing module 30 are arranged in one direction.

설비 전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(load port, 10) 및 이송 프레임(21)을 가진다. 로드 포트(10)는 제1방향(11)으로 설비 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드 포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 제 2 방향(12)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(4)(예를 들어, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(4)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송 프레임(21)은 로드 포트(10)와 처리 모듈(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(21)은 그 내부에 배치되고 로드 포트(10)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송하는 제 1 이송로봇(25)을 포함한다. 제 1 이송로봇(25)은 제 2 방향(12)으로 구비된 이송 레일(27)을 따라 이동하여 캐리어(4)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송한다.The equipment front end module 20 has a load port 10 and a transport frame 21 . The load port 10 is disposed in front of the facility front end module 20 in the first direction 11 . The load port 10 has a plurality of supports 6 . Each of the supporting parts 6 is arranged in a line in the second direction 12, and the carrier 4 (eg, a cassette, FOUP, etc.) is seated. The carrier 4 accommodates the substrate W to be provided for the process and the substrate W on which the process has been completed. The transport frame 21 is disposed between the load port 10 and the processing module 30 . The transfer frame 21 includes a first transfer robot 25 disposed therein and transferring the substrate W between the load port 10 and the processing module 30 . The first transfer robot 25 moves along the transfer rail 27 provided in the second direction 12 to transfer the substrate W between the carrier 4 and the processing module 30 .

처리 모듈(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 프로세스 챔버(60)를 포함한다. The processing module 30 includes a load lock chamber 40 , a transfer chamber 50 , and a process chamber 60 .

로드락 챔버(40)는 이송 프레임(21)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(40)는 트랜스퍼 챔버(50)와 설비 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 제공될 기판(W)이 프로세스 챔버(60)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다. The load lock chamber 40 is disposed adjacent to the transfer frame 21 . For example, the load lock chamber 40 may be disposed between the transfer chamber 50 and the facility front end module 20 . The load lock chamber 40 is a space for waiting before the substrate W to be provided for the process is transferred to the process chamber 60 or the substrate W on which the process is completed is transferred to the facility front end module 20 . provides

트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 도 3을 참조하면, 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수개의 프로세스 챔버(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(50)와 로드락 챔버(40) 또는 프로세스 챔버(60)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부공간에는 로드락 챔버(40)와 프로세스 챔버(60)들간에 기판(W)을 이송하는 제 2 이송로봇(53)이 배치된다. 제 2 이송로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 프로세스 챔버(60)로 이송하거나, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 이송한다. 그리고, 복수개의 프로세스 챔버(60)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 프로세스 챔버(60)간에 기판(W)을 이송한다. 도 3과 같이, 트랜스퍼 챔버(50)가 오각형의 몸체를 가질 때, 설비 전방 단부 모듈(20)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(40)가 각각 배치되며, 나머지 측벽에는 프로세스 챔버(60)들이 연속하여 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상기 형상뿐만 아니라, 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다.The transfer chamber 50 is disposed adjacent to the load lock chamber 40 . The transfer chamber 50 has a polygonal body when viewed from above. Referring to FIG. 3 , the transfer chamber 50 has a pentagonal body when viewed from above. A load lock chamber 40 and a plurality of process chambers 60 are disposed on the outside of the body along the circumference of the body. A passage (not shown) through which the substrate W enters and exits is formed on each sidewall of the body, and the passage connects the transfer chamber 50 and the load lock chamber 40 or the process chambers 60 . Each passage is provided with a door (not shown) that opens and closes the passage to seal the inside. A second transfer robot 53 for transferring the substrate W between the load lock chamber 40 and the process chambers 60 is disposed in the internal space of the transfer chamber 50 . The second transfer robot 53 transfers the unprocessed substrate W waiting in the load lock chamber 40 to the process chamber 60 , or transfers the processed substrate W to the load lock chamber 40 . do. Then, the substrate W is transferred between the process chambers 60 to sequentially provide the substrates W to the plurality of process chambers 60 . As shown in FIG. 3 , when the transfer chamber 50 has a pentagonal body, the load lock chamber 40 is disposed on the sidewall adjacent to the facility front end module 20 , and the process chambers 60 are continuous on the other sidewalls. to be placed The transfer chamber 50 may be provided in various forms depending on the required process module as well as the above shape.

프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치된다. 프로세스 챔버(60)는 복수개 제공될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(60)내에서는 기판(W)에 대한 공정 처리가 진행된다. 프로세스 챔버(60)는 제 2 이송로봇(53)으로부터 기판(W)을 이송 받아 공정 처리를 하고, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 제 2 이송로봇(53)으로 제공한다. 각각의 프로세스 챔버(60)에서 진행되는 공정 처리는 서로 상이할 수 있다. The process chamber 60 is disposed along the perimeter of the transfer chamber 50 . A plurality of process chambers 60 may be provided. In each process chamber 60, a process process for the substrate W is performed. The process chamber 60 receives the substrate W from the second transfer robot 53 to process it, and provides the processed substrate W to the second transfer robot 53 . Processes performed in each process chamber 60 may be different from each other.

이하, 프로세스 챔버(60) 중 플라즈마 공정을 수행하는 기판 처리 장치(1000)에 대해서 상술한다.Hereinafter, the substrate processing apparatus 1000 performing the plasma process in the process chamber 60 will be described in detail.

도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 소정의 공정을 수행한다. 일 예로, 기판 처리 장치(1000)는 기판(W) 상의 박막을 식각 또는 애싱할 수 있다. 박막은 폴리 실리콘막, 실리콘 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막일 수 있다. 또한, 박막은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다. FIG. 4 is a view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3 . Referring to FIG. 4 , the substrate processing apparatus 1000 performs a predetermined process on the substrate W using plasma. For example, the substrate processing apparatus 1000 may etch or ashing the thin film on the substrate W. The thin film may be various types of films, such as a polysilicon film, a silicon oxide film, and a silicon nitride film. In addition, the thin film may be a natural oxide film or a chemically generated oxide film.

기판 처리 장치(1000)는 공정 처리부(200), 플라즈마 발생부(400), 그리고 배기 유닛(600)을 가진다.The substrate processing apparatus 1000 includes a process processor 200 , a plasma generator 400 , and an exhaust unit 600 .

공정 처리부(200)는 기판(W)이 놓이고 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 플라즈마 발생부(400)는 공정 처리부(200)의 외부에서 공정 가스로부터 플라즈마(Plasma)를 생성시키고, 이를 공정 처리부(200)로 공급한다. 배기 유닛(600)은 공정 처리부(200) 내부에 머무르는 가스 및 기판 처리 과정에서 발생한 반응 부산물 등을 외부로 배출하고, 공정 처리부(200) 내의 압력을 설정 압력으로 유지한다. The process processing unit 200 provides a space in which the substrate W is placed and a process is performed. The plasma generator 400 generates plasma from the process gas outside the process processor 200 , and supplies it to the process processor 200 . The exhaust unit 600 discharges gas staying in the process processor 200 and reaction by-products generated during the substrate processing to the outside, and maintains the pressure in the process processor 200 as a set pressure.

공정 처리부(200)는 하우징(210), 지지 유닛(230), 그리고 배플(250)을 포함할 수 있다.The processing unit 200 may include a housing 210 , a support unit 230 , and a baffle 250 .

하우징(210)의 내부에는 기판 처리 공정을 수행하는 처리 공간(212)을 가질 수 있다. 하우징(210)은 상부가 개방되고, 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 기판(W)은 개구를 통하여 하우징(210) 내부로 출입한다. 개구는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 또한, 하우징(210)의 바닥면에는 배기홀(214) 형성된다. 배기홀(214)은 처리 공간(212)을 배기할 수 있다. 배기홀(214)은 처리 공간(212) 내의 플라즈마 및/또는 가스를 외부로 배기할 수 있다. 배기홀(214)은 후술하는 배기 유닛(600)이 포함하는 구성들과 연결될 수 있다. 또한, 배기홀(214)은 후술하는 블로킹 플레이트(300)보다 아래에서 하우징(210)에 형성될 수 있다.The housing 210 may have a processing space 212 in which a substrate processing process is performed. The housing 210 may have an open top, and an opening (not shown) may be formed in the sidewall. The substrate W enters and exits the housing 210 through the opening. The opening may be opened and closed by an opening and closing member such as a door (not shown). In addition, an exhaust hole 214 is formed in the bottom surface of the housing 210 . The exhaust hole 214 may exhaust the processing space 212 . The exhaust hole 214 may exhaust plasma and/or gas in the processing space 212 to the outside. The exhaust hole 214 may be connected to components included in the exhaust unit 600 to be described later. In addition, the exhaust hole 214 may be formed in the housing 210 below the blocking plate 300 to be described later.

지지 유닛(230)은 처리 공간(212)에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(230)은 지지 척(232), 그리고 배기 척(234)을 포함할 수 있다. 지지 척(232)은 기판(W)이 안착되는 안착 면을 가지는 지지 판(232a), 그리고 지지 판(232b)을 지지하는 지지 축(232b)을 포함할 수 있다. 지지 판(232a)은 상부에서 바라볼 때, 원 형상을 가질 수 있다. 지지 판(232a)은 일정 두께를 가지는 원 판 형상을 가질 수 있다. 지지 축(232b)은 상부에서 바라볼 때, 지지 판(232a)의 중심에 결합될 수 있다.The support unit 230 supports the substrate W in the processing space 212 . The support unit 230 may include a support chuck 232 and an exhaust chuck 234 . The support chuck 232 may include a support plate 232a having a seating surface on which the substrate W is mounted, and a support shaft 232b supporting the support plate 232b. The support plate 232a may have a circular shape when viewed from the top. The support plate 232a may have a circular plate shape having a predetermined thickness. The support shaft 232b may be coupled to the center of the support plate 232a when viewed from the top.

도 5는 도 4의 배기 척의 모습을 보여주는 도면이다. 도 4, 그리고 도 5를 참조하면, 배기 척(234)은 상부에서 바라볼 때, 지지 척(232)을 감싸도록 제공될 수 있다. 배기 척(234)은 지지 척(232)과 이격되도록 제공될 수 있다. 배기 척(234)과 지지 척(232)은 서로 이격되어 사이 공간(B)을 형성할 수 있다. 배기 척(234)은 상부 몸체(234a), 중간 몸체(234b), 하부 몸체(234c), 그리고 제1가이드 부(235)를 포함할 수 있다.FIG. 5 is a view showing the state of the exhaust chuck of FIG. 4 . 4 and 5 , the exhaust chuck 234 may be provided to surround the support chuck 232 when viewed from the top. The exhaust chuck 234 may be provided to be spaced apart from the support chuck 232 . The exhaust chuck 234 and the support chuck 232 may be spaced apart from each other to form a space B therebetween. The exhaust chuck 234 may include an upper body 234a , an intermediate body 234b , a lower body 234c , and a first guide part 235 .

상부 몸체(234a)는 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가질 수 있다. 상부 몸체(234a)는 지지 판(232a)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 상부 몸체(234a)는 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 상부 몸체(234a)는 지지 판(232a)의 상면과 같거나, 그보다 낮은 높이에서 시작해서 지지 판(232a)의 하면과 같거나 그보다 낮은 높이까지 연장될 수 있다. 상부 몸체(234a)에는 지지 판(232a) 중 적어도 일부가 삽입될 수 있다. 상부 몸체(234a)는 전체적으로, 상부, 그리고 하부가 개방된 원 통 형상을 가질 수 있다.The upper body 234a may have a ring shape when viewed from the top. The upper body 234a may have a larger diameter than the support plate 232a. The upper body 234a may extend in a direction from top to bottom. The upper body 234a may start from a height equal to or lower than the upper surface of the support plate 232a and may extend to a height equal to or lower than the lower surface of the support plate 232a. At least a portion of the support plate 232a may be inserted into the upper body 234a. The upper body 234a may have an open cylindrical shape as a whole, an upper part, and a lower part.

중간 몸체(234b)는 상부 몸체(234a)로부터 지지 축(232b)을 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 중간 몸체(234b) 상부에서 바라볼 때 중심 부에 개구가 형성된 판 형상을 가질 수 있다. 중간 몸체(234b)에 형성된 개구에는 지지 축(232b) 중 적어도 일부가 삽입될 수 있다.The intermediate body 234b may extend from the upper body 234a in a direction toward the support shaft 232b. The intermediate body 234b may have a plate shape with an opening formed in the center when viewed from the top. At least a portion of the support shaft 232b may be inserted into the opening formed in the intermediate body 234b.

하부 몸체(234c)는 중간 몸체(234b)로부터 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 하부 몸체(234c)는 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가질 수 있다. 하부 몸체(234c)는 전체적으로 상부, 그리고 하부가 개방된 원 통 형상을 가질 수 있다. 하부 몸체(234c)에는 지지 축(232b) 중 적어도 일부가 삽입될 수 있다.The lower body 234c may extend from the middle body 234b in a direction from top to bottom. The lower body 234c may have a ring shape when viewed from the top. The lower body 234c may have a cylindrical shape in which the upper and lower portions are opened as a whole. At least a portion of the support shaft 232b may be inserted into the lower body 234c.

또한, 후술하는 배기 유닛(600)은 지지 척(232)과 배기 척(234)의 사이 공간(B)에 감압을 제공할 수 있다. 이 경우, 처리 공간(212)의 분위기는 사이 공간(B)에 제공되는 감압에 의해 배기될 수 있다. 배기 유닛(600)이 사이 공간(B)에 감압을 제공하면 기류가 발생하게 되는데, 본 발명의 배기 척(234)은 사이 공간(B)에 흐르는 기류의 흐름을 가이드하는 적어도 하나 이상의 제1가이드 부(235)를 포함할 수 있다.In addition, the exhaust unit 600 to be described later may provide a pressure reduction to the space B between the support chuck 232 and the exhaust chuck 234 . In this case, the atmosphere of the processing space 212 may be exhausted by the reduced pressure provided to the interspace B. When the exhaust unit 600 provides a reduced pressure to the interspace (B), an airflow is generated, and the exhaust chuck 234 of the present invention is at least one first guide for guiding the flow of the airflow flowing in the interspace (B). part 235 may be included.

제1가이드 부(235)는 상부 몸체(234a), 그리고 중간 몸체(234b) 중 적어도 어느 하나에 형성될 수 있다. 예컨대, 제1가이드 부(235)는 상부 몸체(234a), 그리고 중간 몸체(234b)에 형성될 수 있다. 제1가이드 부(235)는 상부 몸체(234a), 그리고 중간 몸체(234b)로부터 지지 척(232)을 향하는 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다.The first guide part 235 may be formed in at least one of the upper body 234a and the middle body 234b. For example, the first guide part 235 may be formed in the upper body 234a and the middle body 234b. The first guide part 235 may be formed to protrude from the upper body 234a and the middle body 234b in a direction toward the support chuck 232 .

또한, 제1가이드 부(235)는 복수 개가 형성될 수 있다. 복수 개로 형성되는 제1가이드 부(235)는 서로 이격될 수 있다. 인접하는 제1가이드 부(235)들은 사이 공간(B)에 흐르는 기류가 흐르는 유체 경로(FC)를 형성할 수 있다. 또한, 제1가이드 부(235)들은 상부에서 바라볼 때, 직선 형상을 가질 수 있다. 제1가이드 부(235)들의 일 단은, 상부에서 바라볼 때 배기 척(234)의 중심을 향하고, 제1가이드 부(234)들의 타 단은, 상부에서 바라볼 때 배기 척((234)의 외주를 향할 수 있다.In addition, a plurality of first guide parts 235 may be formed. The plurality of first guide parts 235 may be spaced apart from each other. The adjacent first guide parts 235 may form a fluid path FC through which an air current flowing in the interspace B flows. Also, the first guide parts 235 may have a straight shape when viewed from the top. One end of the first guide parts 235 faces the center of the exhaust chuck 234 when viewed from the top, and the other end of the first guide parts 234 is the exhaust chuck 234 when viewed from the top. can be directed to the outer periphery of

다시 도 4를 참조하면, 배플(250)은 지지 유닛(230)과 마주보도록 지지 유닛(230)의 상부에 위치한다. 배플(250)은 지지 유닛(230)과 플라즈마 발생부(400)의 사이에 배치될 수 있다. 플라즈마 발생부(400)에서 발생되는 플라즈마는 배플(250)에 형성된 복수의 홀(252)들을 통과할 수 있다. Referring back to FIG. 4 , the baffle 250 is positioned above the support unit 230 to face the support unit 230 . The baffle 250 may be disposed between the support unit 230 and the plasma generator 400 . Plasma generated by the plasma generator 400 may pass through a plurality of holes 252 formed in the baffle 250 .

배플(250)은 처리 공간(212)으로 유입되는 플라즈마가 기판(W)으로 균일하게 공급되도록 한다. 배플(250)에 형성된 홀(252)들은 배플(250)의 상면에서 하면까지 제공되는 관통홀로 제공되며, 배플(250)의 각 영역에 균일하게 형성될 수 있다.The baffle 250 allows plasma flowing into the processing space 212 to be uniformly supplied to the substrate W. The holes 252 formed in the baffle 250 are provided as through holes provided from the upper surface to the lower surface of the baffle 250 , and may be uniformly formed in each area of the baffle 250 .

플라즈마 발생부(400)는 하우징(210)의 상부에 위치되어 플라즈마 발생 유닛으로 제공된다. 플라즈마 발생부(400)는 공정 가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 처리 공간(212)으로 공급한다. 플라즈마 발생부(400)는 플라즈마 챔버(410), 가스 공급 유닛(420), 전력 인가 유닛(430), 그리고 확산 챔버(440)를 포함한다. The plasma generating unit 400 is located above the housing 210 and provided as a plasma generating unit. The plasma generator 400 generates plasma by discharging the process gas, and supplies the generated plasma to the processing space 212 . The plasma generator 400 includes a plasma chamber 410 , a gas supply unit 420 , a power application unit 430 , and a diffusion chamber 440 .

플라즈마 챔버(410)에는 상면 및 하면이 개방된 플라즈마 발생 공간(412)이 내부에 형성된다. 플라즈마 챔버(410)의 상단은 가스 공급 포트(414)에 의해 밀폐된다. 가스 공급 포트(414)는 가스 공급 유닛(420)과 연결된다. 공정 가스는 가스 공급 포트(414)를 통해 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급된다. 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급된 가스는 배플(250)을 거쳐 처리 공간(212)으로 유입된다.In the plasma chamber 410 , a plasma generating space 412 having an open upper and lower surfaces is formed therein. An upper end of the plasma chamber 410 is sealed by a gas supply port 414 . The gas supply port 414 is connected to the gas supply unit 420 . The process gas is supplied to the plasma generating space 412 through the gas supply port 414 . The gas supplied to the plasma generating space 412 flows into the processing space 212 through the baffle 250 .

전력 인가 유닛(430)은 플라즈마 발생 공간(412)에 고주파 전력을 인가한다. 전력 인가 유닛(430)은 안테나(432), 전원(434)을 포함한다. 전력 인가 유닛(430)은 가스 공급 유닛(420)이 공급하는 공정 가스(G)를 여기하여 플라즈마(P)를 발생시킬 수 있다.The power application unit 430 applies high-frequency power to the plasma generating space 412 . The power application unit 430 includes an antenna 432 and a power source 434 . The power application unit 430 may generate the plasma P by exciting the process gas G supplied from the gas supply unit 420 .

안테나(432)는 유도 결합형 플라즈마(ICP) 안테나로, 코일 형상으로 제공된다. 안테나(432)는 플라즈마 챔버(410) 외부에서 플라즈마 챔버(410)에 복수 회 감긴다. 안테나(432)는 플라즈마 발생 공간(412)에 대응하는 영역에서 플라즈마 챔버(410)에 감긴다. 전원(434)은 안테나(432)에 고주파 전력을 공급한다. 안테나(432)에 공급된 고주파 전력은 플라즈마 발생 공간(412)에 인가된다. 고주파 전류에 의해 플라즈마 발생 공간(412)에는 유도 전기장이 형성되고, 플라즈마 발생 공간(412)내 공정 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 변환된다. The antenna 432 is an inductively coupled plasma (ICP) antenna and is provided in a coil shape. The antenna 432 is wound around the plasma chamber 410 outside the plasma chamber 410 a plurality of times. The antenna 432 is wound around the plasma chamber 410 in a region corresponding to the plasma generating space 412 . The power supply 434 supplies high-frequency power to the antenna 432 . The high-frequency power supplied to the antenna 432 is applied to the plasma generating space 412 . An induced electric field is formed in the plasma generating space 412 by the high frequency current, and the process gas in the plasma generating space 412 obtains energy required for ionization from the induced electric field and is converted into a plasma state.

확산 챔버(440)는 플라즈마 챔버(410)에서 발생된 플라즈마를 확산시킨다. 확산 챔버(440)는 확산 공간(442)을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)는 전체적으로 역 깔대기 형상을 가질 수 있고, 상부와 하부가 개방된 구성을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)에서 발생된 플라즈마는 확산 챔버(440)를 거치면서 확산되고, 배플(250)을 거쳐 처리 공간(212)으로 유입될 수 있다.The diffusion chamber 440 diffuses the plasma generated in the plasma chamber 410 . The diffusion chamber 440 may have a diffusion space 442 . The diffusion chamber 440 may have an inverted funnel shape as a whole, and may have an open top and bottom. Plasma generated in the plasma chamber 410 may be diffused while passing through the diffusion chamber 440 , and may be introduced into the processing space 212 through the baffle 250 .

배기 유닛(600)은 공정 처리부(200) 내부의 플라즈마 및 불순물을 흡입할 수 있도록 제공된다. 배기 유닛(600)은 배기 라인(602), 그리고 감압 부재(604)를 포함할 수 있다. 배기 라인(602)은 사이 공간(B)과 유체 연통되도록 연결될 수 있다. 또한, 배기 라인(602)은 감압을 제공하는 감압 부재(604)와 연결될 수 있다. 이에, 감압 부재(604)는 사이 공간(B)에 감압을 제공할 수 있다. 사이 공간(B)은 처리 공간(212)과 유체 연통될 수 있다. 이에, 감압 부재(604)가 제공하는 감압은 처리 공간(212)에 전달될 수 있다. 이에, 배기 유닛(600)은 처리 공간(212)에 공급된 공정 가스(G), 플라즈마(P), 기판(W)을 처리하는 과정에서 발생되는 공정 부산물을 처리 공간(212)의 외부로 배기할 수 있다. 또한, 감압 부재(604)는 처리 공간(212)의 압력을 기 설정된 압력으로 유지하도록 감압을 제공할 수 있다. 또한, 감압 부재(604)는 펌프일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 감압 부재(604)는 처리 공간(212)에 감압을 제공할 수 있는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다.The exhaust unit 600 is provided to suck plasma and impurities inside the process processing unit 200 . The exhaust unit 600 may include an exhaust line 602 and a pressure reducing member 604 . The exhaust line 602 may be connected to be in fluid communication with the interspace B. Also, the exhaust line 602 may be connected to a pressure reducing member 604 that provides pressure reduction. Accordingly, the pressure reducing member 604 may provide a pressure reduction to the interspace (B). The interspace B may be in fluid communication with the processing space 212 . Accordingly, the reduced pressure provided by the pressure reducing member 604 may be transmitted to the processing space 212 . Accordingly, the exhaust unit 600 exhausts process by-products generated in the process of processing the process gas G, the plasma P, and the substrate W supplied to the processing space 212 to the outside of the processing space 212 . can do. In addition, the pressure reducing member 604 may provide a pressure reduction to maintain the pressure of the processing space 212 at a preset pressure. Also, the pressure reducing member 604 may be a pump. However, the present invention is not limited thereto, and the pressure-reducing member 604 may be variously modified into a known device capable of providing pressure reduction to the processing space 212 .

도 6은 도 3의 배기 유닛이 하우징의 처리 공간을 배기하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000)의 배기 유닛(600)은 지지 척(232)과 배기 척(234)이 형성하는 사이 공간(B)으로 감압을 제공하여 처리 공간(212)을 배기할 수 있다. 이 경우, 처리 공간(212)으로 공급되는 공정 가스(G)는 사이 공간(B)을 거쳐 외부로 배기될 수 있다. 즉, 일반적인 기판 처리 장치(2000)와 비교할 때, 처리 공간(212)으로 공급되는 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)는 상대적으로 기판(W)으로 집중될 수 있다(이른바, 센터 배기). 즉, 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)가 기판(W)을 처리하는데 기여하지 않고, 외부로 배출되는 양이 줄어 들어 기판(W)을 보다 효율적으로 처리할 수 있다. 또한, 배기 척(234)은 지지 척(232)을 둘러싸되 이격되도록 제공되고, 하우징(210)의 측벽과 이격되도록 제공되는 구성이므로, 지지 척(232) 또는 하우징(210)의 측벽의 형상에 의해, 그 설치 용이성이 떨어지지 않을 수 있다. 또한, 하우징(210)에는 기판(W)이 반입/반출되는 개구, 그리고 개구를 선택적으로 개폐하는 도어가 제공될 수 있다. 이 경우, 처리 공간(212)의 형상은 개구, 그리고 도어에 의해 다소 비대칭 적인 형상을 가질 수 있다. 이에, 처리 공간(212)에 흐르는 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)의 유동은 불균형 할 수 있다. 그러나, 본 발명에서 배기 척(234)에 의해 처리 공간(212)에 공급된 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)가 하우징(210)의 내측벽을 향하는 방향으로 흐르는 양이 적어지게 되므로, 상술한 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)의 유동이 불균일 한 문제를 최소화 할 수 있다. 또한, 지지 척(232)을 중심으로 하여 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)의 배기가 이루어지기 때문에, 센터 배기의 효괄르 기대할 수 있고, 지지 척(232)의 주변에 공정 가스(G)가 흐를 때 유속이 낮아지는 데드 존(Dead Zone)이 형성되는 것을 방지하여, 파티클 등의 불순 물이 지지 척(232)의 주변에 쌓이는 것을 최소화 할 수 있다.6 is a view illustrating a state in which the exhaust unit of FIG. 3 exhausts a processing space of a housing; Referring to FIG. 6 , the exhaust unit 600 of the substrate processing apparatus 1000 according to an embodiment of the present invention provides a reduced pressure to a space B formed between the support chuck 232 and the exhaust chuck 234 . Thus, the processing space 212 may be exhausted. In this case, the process gas G supplied to the processing space 212 may be exhausted to the outside through the interspace B. That is, compared to the general substrate processing apparatus 2000 , the process gas G and/or plasma P supplied to the processing space 212 may be relatively concentrated to the substrate W (so-called center exhaust). ). That is, the process gas G and/or the plasma P do not contribute to processing the substrate W, and the amount discharged to the outside is reduced, so that the substrate W can be processed more efficiently. In addition, since the exhaust chuck 234 is provided to surround the support chuck 232 and spaced apart from the sidewall of the housing 210, the support chuck 232 or the shape of the sidewall of the housing 210 depends on the configuration. Accordingly, the ease of installation may not be deteriorated. In addition, the housing 210 may be provided with an opening through which the substrate W is carried in/out, and a door selectively opening and closing the opening. In this case, the shape of the processing space 212 may have a somewhat asymmetrical shape due to the opening and the door. Accordingly, the flow of the process gas G and/or the plasma P flowing in the processing space 212 may be unbalanced. However, in the present invention, the amount of the process gas G and/or plasma P supplied to the processing space 212 by the exhaust chuck 234 flowing in the direction toward the inner wall of the housing 210 decreases. , it is possible to minimize the problem of non-uniform flow of the above-described process gas (G) and / or plasma (P). In addition, since the process gas (G) and/or plasma (P) is exhausted centering on the support chuck 232 , an effective center exhaust can be expected, and the process gas (G) and/or plasma (P) are evacuated around the support chuck 232 . By preventing the formation of a dead zone in which the flow rate is lowered when G) flows, it is possible to minimize the accumulation of impurities such as particles around the support chuck 232 .

상술한 예에서는 상부에서 바라볼 때, 제1가이드 부(235)가 직선 형상을 가지는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 7에 도시된 바와 같이 제1가이드 부(235)가 가지는 부분 중 적어도 일부는 상부에서 바라볼 때 나선 형상을 가질 수 있다. In the above-described example, it has been described that the first guide part 235 has a straight shape when viewed from the top, but is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 7 , at least a portion of the portion of the first guide part 235 may have a spiral shape when viewed from the top.

상술한 예에서는 배기 척(234)이 가지는 가이드 부가 제1가이드 부(235)를 포함하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 도 8에 도시된 바와 같이 배기 척(234)이 가지는 가이드 부는 제1가이드 부(235), 그리고 제2가이드 부(236)를 포함할 수 있다. 제2가이드 부(236)는 인접하는 복수의 제1가이드 부(235) 사이에 형성될 수 있다. 제2가이드 부(236)의 길이는 제1가이드 부(235)의 길이보다 짧을 수 있다.In the above-described example, it has been described that the guide part of the exhaust chuck 234 includes the first guide part 235 as an example, but the present invention is not limited thereto. For example, as shown in FIG. 8 , the guide part of the exhaust chuck 234 may include a first guide part 235 and a second guide part 236 . The second guide part 236 may be formed between a plurality of adjacent first guide parts 235 . The length of the second guide part 236 may be shorter than the length of the first guide part 235 .

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛(230)은 도 9에 도시된 바와 같이 중단 플레이트(237)를 더 포함할 수 있다. 중단 플레이트(237)는 배기 척(234), 그리고 하우징(210)의 바닥면 사이에 제공될 수 있다. 중단 플레이트(237)는 중심 영역에 개구가 형성될 수 있다. 중단 플레이트(237)에 형성된 개구에는 배기 척(234)의 하부 몸체(234c)가 삽입될 수 있다. 중단 플레이트(237)는 처리 공간(212)을 상부 공간, 그리고 하부 공간으로 구획할 수 있다. 상부 공간, 그리고 하부 공간은 지지 척(232)과 배기 척(234)이 서로 이격되어 형성하는 사이 공간(B)을 매개로 유체 연통할 수 있다. 중단 플레이트(237)가 더 제공되는 경우, 배기 유닛(600)의 배기 라인(602)은 하우징(210)의 바닥면 어느 위치에 연결되더라도, 상술한 센터 배기를 동일하게 수행할 수 있는 장점이 있다.In addition, the support unit 230 according to an embodiment of the present invention may further include a stop plate 237 as shown in FIG. 9 . The stop plate 237 may be provided between the exhaust chuck 234 and the bottom surface of the housing 210 . The stop plate 237 may have an opening formed in a central region thereof. The lower body 234c of the exhaust chuck 234 may be inserted into the opening formed in the stop plate 237 . The stop plate 237 may divide the processing space 212 into an upper space and a lower space. The upper space and the lower space may be in fluid communication with the support chuck 232 and the exhaust chuck 234 through a space B formed to be spaced apart from each other. When the stop plate 237 is further provided, the exhaust line 602 of the exhaust unit 600 is connected to any position on the bottom surface of the housing 210, there is an advantage that the above-described center exhaust can be performed in the same way. .

또한, 필요에 따라 지지 척(232)과 배기 척(234)이 서로 이격되어 형성하는 사이 공간(B)의 볼륨(Volume)을 변경할 수 있다. 또한, 상술한 제1가이드 부(235), 그리고 제2가이드 부(236)들의 개수, 그리고 두께는 다양하게 변경될 수 있다.In addition, if necessary, the volume of the space B between the support chuck 232 and the exhaust chuck 234 to be spaced apart from each other may be changed. In addition, the number and thickness of the first guide part 235 and the second guide part 236 described above may be variously changed.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The above-described embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.

기판 처리 장치 : 1000
공정 처리부 : 200
하우징 : 210
처리 공간 : 212
지지 유닛 : 230
지지 척 : 232
지지 판 : 232a
지지 축 : 232b
배기 척 : 234
상부 몸체 : 234a
중간 몸체 : 234b
하부 몸체 : 234c
제1가이드 부 : 235
제2가이드 부 : 236
중단 플레이트 : 237
사이 공간 : B
플라즈마 발생부 : 400
플라즈마 챔버 : 410
가스 공급 포트 : 414
가스 공급 유닛 : 420
배기 유닛 : 600
배기 라인 : 602
감압 부재 : 604Substrate processing unit: 1000
Process processing unit: 200
Housing: 210
Processing space: 212
Support unit: 230
Support chuck: 232
Support plate: 232a
Support shaft: 232b
Exhaust chuck: 234
Upper body: 234a
Middle body: 234b
Lower body: 234c
1st guide part: 235
2nd guide part: 236
Suspended plate: 237
Interspace: B
Plasma generator: 400
Plasma Chamber: 410
Gas supply port: 414
Gas supply unit: 420
Exhaust unit: 600
Exhaust line: 602
Decompression member: 604

Claims

An apparatus for processing a substrate, comprising:
a housing having a processing space;
a support unit for supporting a substrate in the processing space; and
an exhaust unit evacuating the processing space;
The support unit is
a support chuck for supporting the substrate; and
When viewed from the top, comprising an exhaust chuck provided to surround the support chuck,
The support chuck,
a support plate having a seating surface on which the substrate is placed; and
a support shaft for supporting the support plate;
The exhaust chuck,
an upper body having a larger diameter than the support plate when viewed from above and extending in a direction from top to bottom;
an intermediate body extending from the upper body toward the support shaft; and
a guide part for guiding the flow of an airflow flowing in a space between the support chuck and the exhaust chuck by the reduced pressure provided by the exhaust unit;
The guide part,
It is formed in at least one of the upper body and the intermediate body,
The substrate processing apparatus is formed to protrude from at least one of the upper body and the intermediate body in a direction toward the support chuck.

delete

According to claim 1,
The exhaust chuck,
and a lower body extending from the middle body in a top-down direction.

4. The method of claim 3,
At least a portion of the support plate,
When viewed from the top, it is inserted into the upper body,
At least a portion of the support shaft,
A substrate processing apparatus inserted into the lower body when viewed from above.

delete

An apparatus for processing a substrate, comprising:
a housing having a processing space;
a support unit for supporting a substrate in the processing space; and
an exhaust unit evacuating the processing space;
The support unit is
a support chuck for supporting the substrate; and
When viewed from the top, comprising an exhaust chuck provided to surround the support chuck,
The support chuck,
a support plate having a seating surface on which the substrate is placed; and
a support shaft for supporting the support plate;
The exhaust chuck,
an upper body having a larger diameter than the support plate when viewed from above and extending in a direction from top to bottom;
an intermediate body extending from the upper body toward the support shaft; and
a guide part for guiding the flow of an airflow flowing in a space between the support chuck and the exhaust chuck by the reduced pressure provided by the exhaust unit;
The guide part,
It is formed in at least one of the upper body and the intermediate body,
It is formed to protrude from at least one of the upper body and the intermediate body in a direction toward the support chuck,
A substrate processing apparatus provided in plurality and spaced apart from each other to form a fluid path through which the air flow flows.

8. The method of claim 7,
The guide part,
A substrate processing apparatus having a linear shape when viewed from above.

8. The method of claim 7,
The guide part,
A substrate processing apparatus having a spiral shape when viewed from above.

8. The method of claim 7,
The guide part,
a first guide unit; and
A substrate processing apparatus including a second guide portion formed between adjacent first guide portions.

An apparatus for processing a substrate, comprising:
a housing having a processing space;
a support unit for supporting a substrate in the processing space; and
an exhaust unit evacuating the processing space;
The support unit is
a support chuck for supporting the substrate;
an exhaust chuck provided to surround the support chuck when viewed from above; and
a stop plate installed between the housing and the exhaust chuck and dividing the processing space into an upper space and a lower space; and
The exhaust unit is
A substrate processing apparatus configured to exhaust a space between the support chuck and the exhaust chuck.

5. The method of any one of claims 1 and 3 to 4,
The device is
a gas supply unit supplying a process gas to the processing space; and
and a power application unit configured to generate plasma from the process gas.

A support unit for supporting a substrate in a processing space of a housing of an apparatus for processing a substrate using plasma, the support unit comprising:
a support chuck having a seating surface for supporting the substrate; and
an exhaust chuck provided to surround the support chuck when viewed from above, and spaced apart from the support chuck to form a space therebetween so that the pressure reduction provided by the exhaust unit can be provided;
The support chuck,
a support plate having a seating surface on which the substrate is placed; and
a support shaft for supporting the support plate;
The exhaust chuck,
an upper body having a larger diameter than the support plate when viewed from above and extending in a direction from top to bottom;
an intermediate body extending from the upper body toward the support shaft; and
and a guide part for guiding the flow of the airflow flowing in the space between them by the reduced pressure provided by the exhaust unit.
The guide part,
It is formed in at least one of the upper body and the intermediate body,
A support unit protruding from at least one of the upper body and the intermediate body in a direction toward the support chuck.

delete

14. The method of claim 13,
The exhaust chuck,
and a lower body extending from the middle body in a top-down direction.

16. The method of claim 15,
At least a portion of the support plate,
When viewed from the top, it is inserted into the upper body,
At least a portion of the support shaft,
A support unit inserted into the lower body when viewed from above.

delete

A support unit for supporting a substrate in a processing space of a housing of an apparatus for processing a substrate using plasma, the support unit comprising:
a support chuck having a seating surface for supporting the substrate; and
an exhaust chuck provided to surround the support chuck when viewed from above, and spaced apart from the support chuck to form a space therebetween so that the pressure reduction provided by the exhaust unit can be provided;
The support chuck,
a support plate having a seating surface on which the substrate is placed; and
a support shaft for supporting the support plate;
The exhaust chuck,
an upper body having a larger diameter than the support plate when viewed from above and extending in a direction from top to bottom;
an intermediate body extending from the upper body toward the support shaft; and
and a guide part for guiding the flow of the airflow flowing in the space between them by the reduced pressure provided by the exhaust unit.
The guide part,
It is formed in at least one of the upper body and the intermediate body,
It is formed to protrude from at least one of the upper body and the intermediate body in a direction toward the support chuck,
A support unit provided in plurality and spaced apart from each other to form a fluid path through which the air flow flows.

20. The method of claim 19,
The guide part,
a first guide unit; and
A support unit including a second guide portion formed between adjacent first guide portions.