KR102275509B1 - Support unit and apparatus for treating substrate - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 지지 유닛 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a support unit and a substrate processing apparatus.
플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 기판 상의 박막을 제거하는 애싱 또는 식각 공정을 포함한다. 애싱 또는 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및 라디칼 입자들이 기판 상의 막과 충돌 또는 반응함으로써 수행된다.Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, radicals, and electrons, and is generated by very high temperatures, strong electric fields, or RF electromagnetic fields. A semiconductor device manufacturing process includes an ashing or etching process in which a thin film on a substrate is removed using plasma. The ashing or etching process is performed when ions and radical particles contained in plasma collide or react with a film on a substrate.
도 1은 일반적인 플라즈마 처리 장치를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 벤트 플레이트를 보여주는 평면도이다. 도 1과 도 2를 참조하면, 플라즈마 처리 장치(2000)는 처리부(2100), 그리고 플라즈마 발생부(2300)를 가진다.FIG. 1 is a view showing a general plasma processing apparatus, and FIG. 2 is a plan view showing the vent plate of FIG. 1 . 1 and 2 , the
처리부(2100)는 플라즈마 발생부(2300)에서 발생되는 플라즈마를 이용하여 기판(W)을 처리한다. 처리부(2100)에는 하우징(2110), 지지 유닛(2120), 그리고 배플(2130)이 제공된다. 하우징(2110)은 내부 공간(2112)을 가지며, 지지 유닛(2120)은 내부 공간(2112)에서 기판(W)을 지지 한다. 배플(2130)에는 다수의 홀이 형성되어 있으며, 이는 지지 유닛(2120)의 상부에 제공된다.The
플라즈마 발생부(2300)에서는 플라즈마를 발생시킨다. 플라즈마 발생부(2300)에는 플라즈마 발생 챔버(2310), 가스 공급부(2320), 전력 인가부(2330), 그리고 확산 챔버(2340)가 제공된다. 가스 공급부(2320)에서 공급하는 공정 가스는 전력 인가부(2330)에서 인가하는 고주파 전력에 의해 플라즈마 상태로 여기된다. 그리고 발생된 플라즈마는 확산 챔버(2340)를 거쳐 내부 공간(2112)으로 공급된다.The
내부 공간(2112)으로 공급된 플라즈마(P)와 공정 가스(G)는 기판(W)으로 전달되어 기판(W)을 처리한다. 이후, 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스(G)는 하우징(2110)에 형성된 홀(2114)을 통해 외부로 배출된다. 이러한 과정에서 기판(W)으로 공급되는 플라즈마(P) 및/또는 가스(G)의 유동을 고르게 하기 위하여 지지 유닛(2120)의 둘레에는 링 형상을 가지고, 복수의 통공(2142)들이 형성된 벤트 플레이트(2140)가 배치된다. 이와 같은 기판 처리 장치(2000)에서 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)를 배기하는 경우, 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)가 기판(W)의 외측을 향하는 방향으로 흐르게 된다(이른바, 에지 배기). 즉, 확산 챔버(2340)를 거쳐 내부 공간(2112)으로 공급되는 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스(G)가 기판(W) 처리에 기여하지 못하고 홀(2114)을 통해 외부로 배출될 수 있다. The plasma P and the process gas G supplied to the
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a support unit and a substrate processing apparatus capable of efficiently processing a substrate.
또한, 본 발명은 하우징의 처리 공간의 분위기를 효과적으로 배기할 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.Another object of the present invention is to provide a support unit and a substrate processing apparatus capable of effectively evacuating an atmosphere of a processing space of a housing.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-mentioned problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and the accompanying drawings. will be.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 하우징; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 상기 기판을 지지하는 지지 척; 및 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 척을 감싸도록 제공되는 배기 척을 포함하고, 상기 배기 유닛은, 상기 지지 척, 그리고 상기 배기 척의 사이 공간을 배기할 수 있다.The present invention provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus includes: a housing having a processing space; a support unit for supporting a substrate in the processing space; and an exhaust unit evacuating the processing space, wherein the support unit includes: a support chuck for supporting the substrate; and an exhaust chuck provided to surround the support chuck when viewed from above, wherein the exhaust unit may exhaust a space between the support chuck and the exhaust chuck.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 척은, 기판이 놓이는 안착 면을 가지는 지지 판; 및 상기 지지 판을 지지하는 지지 축을 포함하고, 상기 배기 척은, 상부에서 바라볼 때 상기 지지 판보다 큰 직경을 가지고, 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장되는 상부 몸체; 및 상기 상부 몸체로부터 상기 지지 축을 향하는 방향으로 연장되는 중간 몸체를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the support chuck may include a support plate having a seating surface on which a substrate is placed; and a support shaft for supporting the support plate, wherein the exhaust chuck includes: an upper body having a larger diameter than the support plate when viewed from above and extending in a direction from top to bottom; and an intermediate body extending from the upper body in a direction toward the support shaft.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 척은, 상기 중간 몸체로부터 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장되는 하부 몸체를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the exhaust chuck may include a lower body extending from the middle body in a direction from the top to the bottom.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 판의 적어도 일부는, 상부에서 바라볼 때, 상기 상부 몸체에 삽입되고, 상기 지지 축 중 적어도 일부는, 상부에서 바라볼 때, 상기 하부 몸체에 삽입될 수 있다.According to an embodiment, at least a portion of the support plate may be inserted into the upper body when viewed from the top, and at least a portion of the support shaft may be inserted into the lower body when viewed from the top.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 척은, 상기 배기 유닛이 제공하는 감압에 의해 상기 사이 공간에 흐르는 기류의 흐름을 가이드하는 가이드 부를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the exhaust chuck may include a guide part for guiding the flow of the airflow flowing in the interspace by the pressure reduction provided by the exhaust unit.
일 실시 예에 의하면, 상기 가이드 부는, 상기 상부 몸체, 그리고 상기 중간 몸체 중 적어도 어느 하나에 형성되고, 상기 상부 몸체, 그리고 상기 중간 몸체 중 적어도 어느 하나로부터 상기 지지 척을 향하는 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다.According to an embodiment, the guide part is formed on at least one of the upper body and the intermediate body, and is formed to protrude from at least one of the upper body and the intermediate body toward the support chuck. can
일 실시 예에 의하면, 상기 가이드 부는, 복수로 제공되되, 서로 이격되어 형성되어, 상기 기류가 흐르는 유체 경로를 형성할 수 있다.According to an embodiment, the guide part may be provided in plurality, and may be formed to be spaced apart from each other to form a fluid path through which the air flow flows.
일 실시 예에 의하면, 상기 가이드 부는, 상부에서 바라볼 때, 직선 형상을 가질 수 있다.According to an embodiment, the guide part may have a linear shape when viewed from the top.
일 실시 예에 의하면, 상기 가이드 부는, 상부에서 바라볼 때, 나선 형상을 가질 수 있다.According to an embodiment, the guide part may have a spiral shape when viewed from the top.
일 실시 예에 의하면, 상기 가이드 부는, 제1가이드 부; 및 인접하는 제1가이드 부 사이에 형성되는 제2가이드 부를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the guide unit may include: a first guide unit; and a second guide part formed between adjacent first guide parts.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛은, 상기 하우징, 그리고 상기 배기 척 사이에 설치되며, 상기 처리 공간을 상부 공간과 하부 공간으로 구획하는 중단 플레이트를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the support unit may further include a stop plate installed between the housing and the exhaust chuck and dividing the processing space into an upper space and a lower space.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 전력 인가 유닛을 더 포함할 수 있다.In one embodiment, the apparatus may include: a gas supply unit configured to supply a process gas to the processing space; and a power application unit generating plasma from the process gas.
또한, 본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치가 가지는 하우징의 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛을 제공한다. 지지 유닛은, 기판을 지지하는 안착 면을 가지는 지지 척; 및 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 척을 감싸도록 제공되고, 배기 유닛이 제공하는 감압이 제공될 수 있도록 상기 지지 척과 이격되어 사이 공간을 형성하는 배기 척을 포함할 수 있다.In addition, the present invention provides a support unit for supporting a substrate in a processing space of a housing of an apparatus for processing a substrate using plasma. The support unit includes: a support chuck having a seating surface for supporting a substrate; and an exhaust chuck provided to surround the support chuck when viewed from above, and spaced apart from the support chuck to form a space therebetween so that the reduced pressure provided by the exhaust unit can be provided.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 척은, 기판이 놓이는 안착 면을 가지는 지지 판; 및 상기 지지 판을 지지하는 지지 축을 포함하고, 상기 배기 척은, 상부에서 바라볼 때 상기 지지 판보다 큰 직경을 가지고, 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장되는 상부 몸체; 및 상기 상부 몸체로부터 상기 지지 축을 향하는 방향으로 연장되는 중간 몸체를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the support chuck may include a support plate having a seating surface on which a substrate is placed; and a support shaft for supporting the support plate, wherein the exhaust chuck includes: an upper body having a larger diameter than the support plate when viewed from above and extending in a direction from top to bottom; and an intermediate body extending from the upper body in a direction toward the support shaft.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 척은, 상기 중간 몸체로부터 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장되는 하부 몸체를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the exhaust chuck may include a lower body extending from the middle body in a direction from the top to the bottom.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 판의 적어도 일부는, 상부에서 바라볼 때, 상기 상부 몸체에 삽입되고, 상기 지지 축 중 적어도 일부는, 상부에서 바라볼 때, 상기 하부 몸체에 삽입될 수 있다.According to an embodiment, at least a portion of the support plate may be inserted into the upper body when viewed from the top, and at least a portion of the support shaft may be inserted into the lower body when viewed from the top.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 척은, 상기 배기 유닛이 제공하는 감압에 의해 상기 사이 공간에 흐르는 기류의 흐름을 가이드하는 가이드 부를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the exhaust chuck may include a guide part for guiding the flow of the airflow flowing in the interspace by the pressure reduction provided by the exhaust unit.
일 실시 예에 의하면, 상기 가이드 부는, 상기 상부 몸체, 그리고 상기 중간 몸체 중 적어도 어느 하나에 형성되고, 상기 상부 몸체, 그리고 상기 중간 몸체 중 적어도 어느 하나로부터 상기 지지 척을 향하는 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다.According to an embodiment, the guide part is formed on at least one of the upper body and the intermediate body, and is formed to protrude from at least one of the upper body and the intermediate body toward the support chuck. can
일 실시 예에 의하면, 상기 가이드 부는, 복수로 제공되되, 서로 이격되어 형성되어, 상기 기류가 흐르는 유체 경로를 형성할 수 있다.According to an embodiment, the guide part may be provided in plurality, and may be formed to be spaced apart from each other to form a fluid path through which the air flow flows.
일 실시 예에 의하면, 상기 가이드 부는, 제1가이드 부; 및 인접하는 제1가이드 부 사이에 형성되는 제2가이드 부를 포함할 수 있다.According to an embodiment, the guide unit may include: a first guide unit; and a second guide part formed between adjacent first guide parts.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to efficiently process the substrate.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 하우징의 처리 공간의 분위기를 효과적으로 배기할 수 있다.Also, according to an embodiment of the present invention, it is possible to effectively exhaust the atmosphere of the processing space of the housing.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.Effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those of ordinary skill in the art to which the present invention belongs from the present specification and accompanying drawings.
도 1은 일반적인 플라즈마 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 벤트 플레이트를 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 배기 척의 모습을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 3의 배기 유닛이 하우징의 처리 공간을 배기하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 배기 척의 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 배기 척의 모습을 보여주는 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.1 is a view showing a general plasma processing apparatus.
FIG. 2 is a plan view showing the vent plate of FIG. 1 .
3 is a diagram schematically showing a substrate processing facility of the present invention.
FIG. 4 is a view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3 .
FIG. 5 is a view showing the state of the exhaust chuck of FIG. 4 .
6 is a view illustrating a state in which the exhaust unit of FIG. 3 exhausts a processing space of a housing;
7 is a view showing an exhaust chuck according to another embodiment of the present invention.
8 is a view showing an exhaust chuck according to another embodiment of the present invention.
9 is a view showing a state of a support unit according to another embodiment of the present invention.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains can easily implement them. However, the present invention may be embodied in various different forms and is not limited to the embodiments described herein. In addition, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. In addition, the same reference numerals are used throughout the drawings for parts having similar functions and functions.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다."Including" a certain component means that other components may be further included, rather than excluding other components, unless otherwise stated. Specifically, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate that a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification is present, and includes one or more other features or It is to be understood that the existence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded in advance.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The singular expression includes the plural expression unless the context clearly dictates otherwise. In addition, shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clearer description.
이하 도 3 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 9 .
도 3은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)(20) 및 처리 모듈(30)을 가진다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)은 일 방향으로 배치된다. 3 is a diagram schematically showing a substrate processing facility of the present invention. Referring to FIG. 1 , a
설비 전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(load port, 10) 및 이송 프레임(21)을 가진다. 로드 포트(10)는 제1방향(11)으로 설비 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드 포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 제 2 방향(12)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(4)(예를 들어, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(4)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송 프레임(21)은 로드 포트(10)와 처리 모듈(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(21)은 그 내부에 배치되고 로드 포트(10)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송하는 제 1 이송로봇(25)을 포함한다. 제 1 이송로봇(25)은 제 2 방향(12)으로 구비된 이송 레일(27)을 따라 이동하여 캐리어(4)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송한다.The equipment
처리 모듈(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 프로세스 챔버(60)를 포함한다. The
로드락 챔버(40)는 이송 프레임(21)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(40)는 트랜스퍼 챔버(50)와 설비 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 제공될 기판(W)이 프로세스 챔버(60)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다. The
트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 도 3을 참조하면, 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수개의 프로세스 챔버(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(50)와 로드락 챔버(40) 또는 프로세스 챔버(60)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부공간에는 로드락 챔버(40)와 프로세스 챔버(60)들간에 기판(W)을 이송하는 제 2 이송로봇(53)이 배치된다. 제 2 이송로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 프로세스 챔버(60)로 이송하거나, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 이송한다. 그리고, 복수개의 프로세스 챔버(60)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 프로세스 챔버(60)간에 기판(W)을 이송한다. 도 3과 같이, 트랜스퍼 챔버(50)가 오각형의 몸체를 가질 때, 설비 전방 단부 모듈(20)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(40)가 각각 배치되며, 나머지 측벽에는 프로세스 챔버(60)들이 연속하여 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상기 형상뿐만 아니라, 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다.The
프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치된다. 프로세스 챔버(60)는 복수개 제공될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(60)내에서는 기판(W)에 대한 공정 처리가 진행된다. 프로세스 챔버(60)는 제 2 이송로봇(53)으로부터 기판(W)을 이송 받아 공정 처리를 하고, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 제 2 이송로봇(53)으로 제공한다. 각각의 프로세스 챔버(60)에서 진행되는 공정 처리는 서로 상이할 수 있다. The
이하, 프로세스 챔버(60) 중 플라즈마 공정을 수행하는 기판 처리 장치(1000)에 대해서 상술한다.Hereinafter, the
도 4는 도 3의 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 소정의 공정을 수행한다. 일 예로, 기판 처리 장치(1000)는 기판(W) 상의 박막을 식각 또는 애싱할 수 있다. 박막은 폴리 실리콘막, 실리콘 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막일 수 있다. 또한, 박막은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다. FIG. 4 is a view showing the substrate processing apparatus of FIG. 3 . Referring to FIG. 4 , the
기판 처리 장치(1000)는 공정 처리부(200), 플라즈마 발생부(400), 그리고 배기 유닛(600)을 가진다.The
공정 처리부(200)는 기판(W)이 놓이고 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 플라즈마 발생부(400)는 공정 처리부(200)의 외부에서 공정 가스로부터 플라즈마(Plasma)를 생성시키고, 이를 공정 처리부(200)로 공급한다. 배기 유닛(600)은 공정 처리부(200) 내부에 머무르는 가스 및 기판 처리 과정에서 발생한 반응 부산물 등을 외부로 배출하고, 공정 처리부(200) 내의 압력을 설정 압력으로 유지한다. The process processing unit 200 provides a space in which the substrate W is placed and a process is performed. The
공정 처리부(200)는 하우징(210), 지지 유닛(230), 그리고 배플(250)을 포함할 수 있다.The processing unit 200 may include a
하우징(210)의 내부에는 기판 처리 공정을 수행하는 처리 공간(212)을 가질 수 있다. 하우징(210)은 상부가 개방되고, 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 기판(W)은 개구를 통하여 하우징(210) 내부로 출입한다. 개구는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 또한, 하우징(210)의 바닥면에는 배기홀(214) 형성된다. 배기홀(214)은 처리 공간(212)을 배기할 수 있다. 배기홀(214)은 처리 공간(212) 내의 플라즈마 및/또는 가스를 외부로 배기할 수 있다. 배기홀(214)은 후술하는 배기 유닛(600)이 포함하는 구성들과 연결될 수 있다. 또한, 배기홀(214)은 후술하는 블로킹 플레이트(300)보다 아래에서 하우징(210)에 형성될 수 있다.The
지지 유닛(230)은 처리 공간(212)에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(230)은 지지 척(232), 그리고 배기 척(234)을 포함할 수 있다. 지지 척(232)은 기판(W)이 안착되는 안착 면을 가지는 지지 판(232a), 그리고 지지 판(232b)을 지지하는 지지 축(232b)을 포함할 수 있다. 지지 판(232a)은 상부에서 바라볼 때, 원 형상을 가질 수 있다. 지지 판(232a)은 일정 두께를 가지는 원 판 형상을 가질 수 있다. 지지 축(232b)은 상부에서 바라볼 때, 지지 판(232a)의 중심에 결합될 수 있다.The
도 5는 도 4의 배기 척의 모습을 보여주는 도면이다. 도 4, 그리고 도 5를 참조하면, 배기 척(234)은 상부에서 바라볼 때, 지지 척(232)을 감싸도록 제공될 수 있다. 배기 척(234)은 지지 척(232)과 이격되도록 제공될 수 있다. 배기 척(234)과 지지 척(232)은 서로 이격되어 사이 공간(B)을 형성할 수 있다. 배기 척(234)은 상부 몸체(234a), 중간 몸체(234b), 하부 몸체(234c), 그리고 제1가이드 부(235)를 포함할 수 있다.FIG. 5 is a view showing the state of the exhaust chuck of FIG. 4 . 4 and 5 , the
상부 몸체(234a)는 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가질 수 있다. 상부 몸체(234a)는 지지 판(232a)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 상부 몸체(234a)는 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 상부 몸체(234a)는 지지 판(232a)의 상면과 같거나, 그보다 낮은 높이에서 시작해서 지지 판(232a)의 하면과 같거나 그보다 낮은 높이까지 연장될 수 있다. 상부 몸체(234a)에는 지지 판(232a) 중 적어도 일부가 삽입될 수 있다. 상부 몸체(234a)는 전체적으로, 상부, 그리고 하부가 개방된 원 통 형상을 가질 수 있다.The
중간 몸체(234b)는 상부 몸체(234a)로부터 지지 축(232b)을 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 중간 몸체(234b) 상부에서 바라볼 때 중심 부에 개구가 형성된 판 형상을 가질 수 있다. 중간 몸체(234b)에 형성된 개구에는 지지 축(232b) 중 적어도 일부가 삽입될 수 있다.The
하부 몸체(234c)는 중간 몸체(234b)로부터 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장될 수 있다. 하부 몸체(234c)는 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가질 수 있다. 하부 몸체(234c)는 전체적으로 상부, 그리고 하부가 개방된 원 통 형상을 가질 수 있다. 하부 몸체(234c)에는 지지 축(232b) 중 적어도 일부가 삽입될 수 있다.The
또한, 후술하는 배기 유닛(600)은 지지 척(232)과 배기 척(234)의 사이 공간(B)에 감압을 제공할 수 있다. 이 경우, 처리 공간(212)의 분위기는 사이 공간(B)에 제공되는 감압에 의해 배기될 수 있다. 배기 유닛(600)이 사이 공간(B)에 감압을 제공하면 기류가 발생하게 되는데, 본 발명의 배기 척(234)은 사이 공간(B)에 흐르는 기류의 흐름을 가이드하는 적어도 하나 이상의 제1가이드 부(235)를 포함할 수 있다.In addition, the
제1가이드 부(235)는 상부 몸체(234a), 그리고 중간 몸체(234b) 중 적어도 어느 하나에 형성될 수 있다. 예컨대, 제1가이드 부(235)는 상부 몸체(234a), 그리고 중간 몸체(234b)에 형성될 수 있다. 제1가이드 부(235)는 상부 몸체(234a), 그리고 중간 몸체(234b)로부터 지지 척(232)을 향하는 방향으로 돌출되어 형성될 수 있다.The
또한, 제1가이드 부(235)는 복수 개가 형성될 수 있다. 복수 개로 형성되는 제1가이드 부(235)는 서로 이격될 수 있다. 인접하는 제1가이드 부(235)들은 사이 공간(B)에 흐르는 기류가 흐르는 유체 경로(FC)를 형성할 수 있다. 또한, 제1가이드 부(235)들은 상부에서 바라볼 때, 직선 형상을 가질 수 있다. 제1가이드 부(235)들의 일 단은, 상부에서 바라볼 때 배기 척(234)의 중심을 향하고, 제1가이드 부(234)들의 타 단은, 상부에서 바라볼 때 배기 척((234)의 외주를 향할 수 있다.In addition, a plurality of
다시 도 4를 참조하면, 배플(250)은 지지 유닛(230)과 마주보도록 지지 유닛(230)의 상부에 위치한다. 배플(250)은 지지 유닛(230)과 플라즈마 발생부(400)의 사이에 배치될 수 있다. 플라즈마 발생부(400)에서 발생되는 플라즈마는 배플(250)에 형성된 복수의 홀(252)들을 통과할 수 있다. Referring back to FIG. 4 , the
배플(250)은 처리 공간(212)으로 유입되는 플라즈마가 기판(W)으로 균일하게 공급되도록 한다. 배플(250)에 형성된 홀(252)들은 배플(250)의 상면에서 하면까지 제공되는 관통홀로 제공되며, 배플(250)의 각 영역에 균일하게 형성될 수 있다.The
플라즈마 발생부(400)는 하우징(210)의 상부에 위치되어 플라즈마 발생 유닛으로 제공된다. 플라즈마 발생부(400)는 공정 가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 처리 공간(212)으로 공급한다. 플라즈마 발생부(400)는 플라즈마 챔버(410), 가스 공급 유닛(420), 전력 인가 유닛(430), 그리고 확산 챔버(440)를 포함한다. The
플라즈마 챔버(410)에는 상면 및 하면이 개방된 플라즈마 발생 공간(412)이 내부에 형성된다. 플라즈마 챔버(410)의 상단은 가스 공급 포트(414)에 의해 밀폐된다. 가스 공급 포트(414)는 가스 공급 유닛(420)과 연결된다. 공정 가스는 가스 공급 포트(414)를 통해 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급된다. 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급된 가스는 배플(250)을 거쳐 처리 공간(212)으로 유입된다.In the
전력 인가 유닛(430)은 플라즈마 발생 공간(412)에 고주파 전력을 인가한다. 전력 인가 유닛(430)은 안테나(432), 전원(434)을 포함한다. 전력 인가 유닛(430)은 가스 공급 유닛(420)이 공급하는 공정 가스(G)를 여기하여 플라즈마(P)를 발생시킬 수 있다.The
안테나(432)는 유도 결합형 플라즈마(ICP) 안테나로, 코일 형상으로 제공된다. 안테나(432)는 플라즈마 챔버(410) 외부에서 플라즈마 챔버(410)에 복수 회 감긴다. 안테나(432)는 플라즈마 발생 공간(412)에 대응하는 영역에서 플라즈마 챔버(410)에 감긴다. 전원(434)은 안테나(432)에 고주파 전력을 공급한다. 안테나(432)에 공급된 고주파 전력은 플라즈마 발생 공간(412)에 인가된다. 고주파 전류에 의해 플라즈마 발생 공간(412)에는 유도 전기장이 형성되고, 플라즈마 발생 공간(412)내 공정 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 변환된다. The
확산 챔버(440)는 플라즈마 챔버(410)에서 발생된 플라즈마를 확산시킨다. 확산 챔버(440)는 확산 공간(442)을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)는 전체적으로 역 깔대기 형상을 가질 수 있고, 상부와 하부가 개방된 구성을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)에서 발생된 플라즈마는 확산 챔버(440)를 거치면서 확산되고, 배플(250)을 거쳐 처리 공간(212)으로 유입될 수 있다.The
배기 유닛(600)은 공정 처리부(200) 내부의 플라즈마 및 불순물을 흡입할 수 있도록 제공된다. 배기 유닛(600)은 배기 라인(602), 그리고 감압 부재(604)를 포함할 수 있다. 배기 라인(602)은 사이 공간(B)과 유체 연통되도록 연결될 수 있다. 또한, 배기 라인(602)은 감압을 제공하는 감압 부재(604)와 연결될 수 있다. 이에, 감압 부재(604)는 사이 공간(B)에 감압을 제공할 수 있다. 사이 공간(B)은 처리 공간(212)과 유체 연통될 수 있다. 이에, 감압 부재(604)가 제공하는 감압은 처리 공간(212)에 전달될 수 있다. 이에, 배기 유닛(600)은 처리 공간(212)에 공급된 공정 가스(G), 플라즈마(P), 기판(W)을 처리하는 과정에서 발생되는 공정 부산물을 처리 공간(212)의 외부로 배기할 수 있다. 또한, 감압 부재(604)는 처리 공간(212)의 압력을 기 설정된 압력으로 유지하도록 감압을 제공할 수 있다. 또한, 감압 부재(604)는 펌프일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 감압 부재(604)는 처리 공간(212)에 감압을 제공할 수 있는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다.The
도 6은 도 3의 배기 유닛이 하우징의 처리 공간을 배기하는 모습을 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1000)의 배기 유닛(600)은 지지 척(232)과 배기 척(234)이 형성하는 사이 공간(B)으로 감압을 제공하여 처리 공간(212)을 배기할 수 있다. 이 경우, 처리 공간(212)으로 공급되는 공정 가스(G)는 사이 공간(B)을 거쳐 외부로 배기될 수 있다. 즉, 일반적인 기판 처리 장치(2000)와 비교할 때, 처리 공간(212)으로 공급되는 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)는 상대적으로 기판(W)으로 집중될 수 있다(이른바, 센터 배기). 즉, 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)가 기판(W)을 처리하는데 기여하지 않고, 외부로 배출되는 양이 줄어 들어 기판(W)을 보다 효율적으로 처리할 수 있다. 또한, 배기 척(234)은 지지 척(232)을 둘러싸되 이격되도록 제공되고, 하우징(210)의 측벽과 이격되도록 제공되는 구성이므로, 지지 척(232) 또는 하우징(210)의 측벽의 형상에 의해, 그 설치 용이성이 떨어지지 않을 수 있다. 또한, 하우징(210)에는 기판(W)이 반입/반출되는 개구, 그리고 개구를 선택적으로 개폐하는 도어가 제공될 수 있다. 이 경우, 처리 공간(212)의 형상은 개구, 그리고 도어에 의해 다소 비대칭 적인 형상을 가질 수 있다. 이에, 처리 공간(212)에 흐르는 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)의 유동은 불균형 할 수 있다. 그러나, 본 발명에서 배기 척(234)에 의해 처리 공간(212)에 공급된 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)가 하우징(210)의 내측벽을 향하는 방향으로 흐르는 양이 적어지게 되므로, 상술한 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)의 유동이 불균일 한 문제를 최소화 할 수 있다. 또한, 지지 척(232)을 중심으로 하여 공정 가스(G) 및/또는 플라즈마(P)의 배기가 이루어지기 때문에, 센터 배기의 효괄르 기대할 수 있고, 지지 척(232)의 주변에 공정 가스(G)가 흐를 때 유속이 낮아지는 데드 존(Dead Zone)이 형성되는 것을 방지하여, 파티클 등의 불순 물이 지지 척(232)의 주변에 쌓이는 것을 최소화 할 수 있다.6 is a view illustrating a state in which the exhaust unit of FIG. 3 exhausts a processing space of a housing; Referring to FIG. 6 , the
상술한 예에서는 상부에서 바라볼 때, 제1가이드 부(235)가 직선 형상을 가지는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 7에 도시된 바와 같이 제1가이드 부(235)가 가지는 부분 중 적어도 일부는 상부에서 바라볼 때 나선 형상을 가질 수 있다. In the above-described example, it has been described that the
상술한 예에서는 배기 척(234)이 가지는 가이드 부가 제1가이드 부(235)를 포함하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 도 8에 도시된 바와 같이 배기 척(234)이 가지는 가이드 부는 제1가이드 부(235), 그리고 제2가이드 부(236)를 포함할 수 있다. 제2가이드 부(236)는 인접하는 복수의 제1가이드 부(235) 사이에 형성될 수 있다. 제2가이드 부(236)의 길이는 제1가이드 부(235)의 길이보다 짧을 수 있다.In the above-described example, it has been described that the guide part of the
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛(230)은 도 9에 도시된 바와 같이 중단 플레이트(237)를 더 포함할 수 있다. 중단 플레이트(237)는 배기 척(234), 그리고 하우징(210)의 바닥면 사이에 제공될 수 있다. 중단 플레이트(237)는 중심 영역에 개구가 형성될 수 있다. 중단 플레이트(237)에 형성된 개구에는 배기 척(234)의 하부 몸체(234c)가 삽입될 수 있다. 중단 플레이트(237)는 처리 공간(212)을 상부 공간, 그리고 하부 공간으로 구획할 수 있다. 상부 공간, 그리고 하부 공간은 지지 척(232)과 배기 척(234)이 서로 이격되어 형성하는 사이 공간(B)을 매개로 유체 연통할 수 있다. 중단 플레이트(237)가 더 제공되는 경우, 배기 유닛(600)의 배기 라인(602)은 하우징(210)의 바닥면 어느 위치에 연결되더라도, 상술한 센터 배기를 동일하게 수행할 수 있는 장점이 있다.In addition, the
또한, 필요에 따라 지지 척(232)과 배기 척(234)이 서로 이격되어 형성하는 사이 공간(B)의 볼륨(Volume)을 변경할 수 있다. 또한, 상술한 제1가이드 부(235), 그리고 제2가이드 부(236)들의 개수, 그리고 두께는 다양하게 변경될 수 있다.In addition, if necessary, the volume of the space B between the
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the above description shows and describes preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed herein, the scope equivalent to the written disclosure, and/or within the scope of skill or knowledge in the art. The above-described embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are possible. Accordingly, the detailed description of the present invention is not intended to limit the present invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to include other embodiments.
기판 처리 장치 : 1000
공정 처리부 : 200
하우징 : 210
처리 공간 : 212
지지 유닛 : 230
지지 척 : 232
지지 판 : 232a
지지 축 : 232b
배기 척 : 234
상부 몸체 : 234a
중간 몸체 : 234b
하부 몸체 : 234c
제1가이드 부 : 235
제2가이드 부 : 236
중단 플레이트 : 237
사이 공간 : B
플라즈마 발생부 : 400
플라즈마 챔버 : 410
가스 공급 포트 : 414
가스 공급 유닛 : 420
배기 유닛 : 600
배기 라인 : 602
감압 부재 : 604Substrate processing unit: 1000
Process processing unit: 200
Housing: 210
Processing space: 212
Support unit: 230
Support chuck: 232
Support plate: 232a
Support shaft: 232b
Exhaust chuck: 234
Upper body: 234a
Middle body: 234b
Lower body: 234c
1st guide part: 235
2nd guide part: 236
Suspended plate: 237
Interspace: B
Plasma generator: 400
Plasma Chamber: 410
Gas supply port: 414
Gas supply unit: 420
Exhaust unit: 600
Exhaust line: 602
Decompression member: 604
Claims (20)
처리 공간을 가지는 하우징;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하고,
상기 지지 유닛은,
상기 기판을 지지하는 지지 척; 및
상부에서 바라볼 때, 상기 지지 척을 감싸도록 제공되는 배기 척을 포함하고,
상기 지지 척은,
기판이 놓이는 안착 면을 가지는 지지 판; 및
상기 지지 판을 지지하는 지지 축을 포함하고,
상기 배기 척은,
상부에서 바라볼 때 상기 지지 판보다 큰 직경을 가지고, 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장되는 상부 몸체;
상기 상부 몸체로부터 상기 지지 축을 향하는 방향으로 연장되는 중간 몸체; 및
상기 배기 유닛이 제공하는 감압에 의해 상기 지지 척, 그리고 상기 배기 척의 사이 공간에 흐르는 기류의 흐름을 가이드하는 가이드 부;를 포함하고,
상기 가이드 부는,
상기 상부 몸체, 그리고 상기 중간 몸체 중 적어도 어느 하나에 형성되고,
상기 상부 몸체, 그리고 상기 중간 몸체 중 적어도 어느 하나로부터 상기 지지 척을 향하는 방향으로 돌출되어 형성되는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a housing having a processing space;
a support unit for supporting a substrate in the processing space; and
an exhaust unit evacuating the processing space;
The support unit is
a support chuck for supporting the substrate; and
When viewed from the top, comprising an exhaust chuck provided to surround the support chuck,
The support chuck,
a support plate having a seating surface on which the substrate is placed; and
a support shaft for supporting the support plate;
The exhaust chuck,
an upper body having a larger diameter than the support plate when viewed from above and extending in a direction from top to bottom;
an intermediate body extending from the upper body toward the support shaft; and
a guide part for guiding the flow of an airflow flowing in a space between the support chuck and the exhaust chuck by the reduced pressure provided by the exhaust unit;
The guide part,
It is formed in at least one of the upper body and the intermediate body,
The substrate processing apparatus is formed to protrude from at least one of the upper body and the intermediate body in a direction toward the support chuck.
상기 배기 척은,
상기 중간 몸체로부터 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장되는 하부 몸체를 포함하는 기판 처리 장치.According to claim 1,
The exhaust chuck,
and a lower body extending from the middle body in a top-down direction.
상기 지지 판의 적어도 일부는,
상부에서 바라볼 때, 상기 상부 몸체에 삽입되고,
상기 지지 축 중 적어도 일부는,
상부에서 바라볼 때, 상기 하부 몸체에 삽입되는 기판 처리 장치.4. The method of claim 3,
At least a portion of the support plate,
When viewed from the top, it is inserted into the upper body,
At least a portion of the support shaft,
A substrate processing apparatus inserted into the lower body when viewed from above.
처리 공간을 가지는 하우징;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하고,
상기 지지 유닛은,
상기 기판을 지지하는 지지 척; 및
상부에서 바라볼 때, 상기 지지 척을 감싸도록 제공되는 배기 척을 포함하고,
상기 지지 척은,
기판이 놓이는 안착 면을 가지는 지지 판; 및
상기 지지 판을 지지하는 지지 축을 포함하고,
상기 배기 척은,
상부에서 바라볼 때 상기 지지 판보다 큰 직경을 가지고, 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장되는 상부 몸체;
상기 상부 몸체로부터 상기 지지 축을 향하는 방향으로 연장되는 중간 몸체; 및
상기 배기 유닛이 제공하는 감압에 의해 상기 지지 척, 그리고 상기 배기 척의 사이 공간에 흐르는 기류의 흐름을 가이드하는 가이드 부;를 포함하고,
상기 가이드 부는,
상기 상부 몸체, 그리고 상기 중간 몸체 중 적어도 어느 하나에 형성되고,
상기 상부 몸체, 그리고 상기 중간 몸체 중 적어도 어느 하나로부터 상기 지지 척을 향하는 방향으로 돌출되어 형성되며,
복수로 제공되되, 서로 이격되어 형성되어, 상기 기류가 흐르는 유체 경로를 형성하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a housing having a processing space;
a support unit for supporting a substrate in the processing space; and
an exhaust unit evacuating the processing space;
The support unit is
a support chuck for supporting the substrate; and
When viewed from the top, comprising an exhaust chuck provided to surround the support chuck,
The support chuck,
a support plate having a seating surface on which the substrate is placed; and
a support shaft for supporting the support plate;
The exhaust chuck,
an upper body having a larger diameter than the support plate when viewed from above and extending in a direction from top to bottom;
an intermediate body extending from the upper body toward the support shaft; and
a guide part for guiding the flow of an airflow flowing in a space between the support chuck and the exhaust chuck by the reduced pressure provided by the exhaust unit;
The guide part,
It is formed in at least one of the upper body and the intermediate body,
It is formed to protrude from at least one of the upper body and the intermediate body in a direction toward the support chuck,
A substrate processing apparatus provided in plurality and spaced apart from each other to form a fluid path through which the air flow flows.
상기 가이드 부는,
상부에서 바라볼 때, 직선 형상을 가지는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
The guide part,
A substrate processing apparatus having a linear shape when viewed from above.
상기 가이드 부는,
상부에서 바라볼 때, 나선 형상을 가지는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
The guide part,
A substrate processing apparatus having a spiral shape when viewed from above.
상기 가이드 부는,
제1가이드 부; 및
인접하는 제1가이드 부 사이에 형성되는 제2가이드 부를 포함하는 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
The guide part,
a first guide unit; and
A substrate processing apparatus including a second guide portion formed between adjacent first guide portions.
처리 공간을 가지는 하우징;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하고,
상기 지지 유닛은,
상기 기판을 지지하는 지지 척;
상부에서 바라볼 때, 상기 지지 척을 감싸도록 제공되는 배기 척; 및
상기 하우징, 그리고 상기 배기 척 사이에 설치되며, 상기 처리 공간을 상부 공간과 하부 공간으로 구획하는 중단 플레이트;를 포함하고,
상기 배기 유닛은,
상기 지지 척, 그리고 상기 배기 척의 사이 공간을 배기하는 기판 처리 장치.An apparatus for processing a substrate, comprising:
a housing having a processing space;
a support unit for supporting a substrate in the processing space; and
an exhaust unit evacuating the processing space;
The support unit is
a support chuck for supporting the substrate;
an exhaust chuck provided to surround the support chuck when viewed from above; and
a stop plate installed between the housing and the exhaust chuck and dividing the processing space into an upper space and a lower space; and
The exhaust unit is
A substrate processing apparatus configured to exhaust a space between the support chuck and the exhaust chuck.
상기 장치는,
상기 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 및
상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 전력 인가 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.5. The method of any one of claims 1 and 3 to 4,
The device is
a gas supply unit supplying a process gas to the processing space; and
and a power application unit configured to generate plasma from the process gas.
기판을 지지하는 안착 면을 가지는 지지 척; 및
상부에서 바라볼 때, 상기 지지 척을 감싸도록 제공되고, 배기 유닛이 제공하는 감압이 제공될 수 있도록 상기 지지 척과 이격되어 사이 공간을 형성하는 배기 척을 포함하되,
상기 지지 척은,
기판이 놓이는 안착 면을 가지는 지지 판; 및
상기 지지 판을 지지하는 지지 축을 포함하고,
상기 배기 척은,
상부에서 바라볼 때 상기 지지 판보다 큰 직경을 가지고, 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장되는 상부 몸체;
상기 상부 몸체로부터 상기 지지 축을 향하는 방향으로 연장되는 중간 몸체; 및
상기 배기 유닛이 제공하는 감압에 의해 상기 사이 공간에 흐르는 기류의 흐름을 가이드하는 가이드 부;를 포함하고,
상기 가이드 부는,
상기 상부 몸체, 그리고 상기 중간 몸체 중 적어도 어느 하나에 형성되고,
상기 상부 몸체, 그리고 상기 중간 몸체 중 적어도 어느 하나로부터 상기 지지 척을 향하는 방향으로 돌출되어 형성되는 지지 유닛.A support unit for supporting a substrate in a processing space of a housing of an apparatus for processing a substrate using plasma, the support unit comprising:
a support chuck having a seating surface for supporting the substrate; and
an exhaust chuck provided to surround the support chuck when viewed from above, and spaced apart from the support chuck to form a space therebetween so that the pressure reduction provided by the exhaust unit can be provided;
The support chuck,
a support plate having a seating surface on which the substrate is placed; and
a support shaft for supporting the support plate;
The exhaust chuck,
an upper body having a larger diameter than the support plate when viewed from above and extending in a direction from top to bottom;
an intermediate body extending from the upper body toward the support shaft; and
and a guide part for guiding the flow of the airflow flowing in the space between them by the reduced pressure provided by the exhaust unit.
The guide part,
It is formed in at least one of the upper body and the intermediate body,
A support unit protruding from at least one of the upper body and the intermediate body in a direction toward the support chuck.
상기 배기 척은,
상기 중간 몸체로부터 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장되는 하부 몸체를 포함하는 지지 유닛.14. The method of claim 13,
The exhaust chuck,
and a lower body extending from the middle body in a top-down direction.
상기 지지 판의 적어도 일부는,
상부에서 바라볼 때, 상기 상부 몸체에 삽입되고,
상기 지지 축 중 적어도 일부는,
상부에서 바라볼 때, 상기 하부 몸체에 삽입되는 지지 유닛.16. The method of claim 15,
At least a portion of the support plate,
When viewed from the top, it is inserted into the upper body,
At least a portion of the support shaft,
A support unit inserted into the lower body when viewed from above.
기판을 지지하는 안착 면을 가지는 지지 척; 및
상부에서 바라볼 때, 상기 지지 척을 감싸도록 제공되고, 배기 유닛이 제공하는 감압이 제공될 수 있도록 상기 지지 척과 이격되어 사이 공간을 형성하는 배기 척을 포함하되,
상기 지지 척은,
기판이 놓이는 안착 면을 가지는 지지 판; 및
상기 지지 판을 지지하는 지지 축을 포함하고,
상기 배기 척은,
상부에서 바라볼 때 상기 지지 판보다 큰 직경을 가지고, 위에서 아래를 향하는 방향으로 연장되는 상부 몸체;
상기 상부 몸체로부터 상기 지지 축을 향하는 방향으로 연장되는 중간 몸체; 및
상기 배기 유닛이 제공하는 감압에 의해 상기 사이 공간에 흐르는 기류의 흐름을 가이드하는 가이드 부;를 포함하고,
상기 가이드 부는,
상기 상부 몸체, 그리고 상기 중간 몸체 중 적어도 어느 하나에 형성되고,
상기 상부 몸체, 그리고 상기 중간 몸체 중 적어도 어느 하나로부터 상기 지지 척을 향하는 방향으로 돌출되어 형성되며,
복수로 제공되되, 서로 이격되어 형성되어, 상기 기류가 흐르는 유체 경로를 형성하는 지지 유닛.A support unit for supporting a substrate in a processing space of a housing of an apparatus for processing a substrate using plasma, the support unit comprising:
a support chuck having a seating surface for supporting the substrate; and
an exhaust chuck provided to surround the support chuck when viewed from above, and spaced apart from the support chuck to form a space therebetween so that the pressure reduction provided by the exhaust unit can be provided;
The support chuck,
a support plate having a seating surface on which the substrate is placed; and
a support shaft for supporting the support plate;
The exhaust chuck,
an upper body having a larger diameter than the support plate when viewed from above and extending in a direction from top to bottom;
an intermediate body extending from the upper body toward the support shaft; and
and a guide part for guiding the flow of the airflow flowing in the space between them by the reduced pressure provided by the exhaust unit.
The guide part,
It is formed in at least one of the upper body and the intermediate body,
It is formed to protrude from at least one of the upper body and the intermediate body in a direction toward the support chuck,
A support unit provided in plurality and spaced apart from each other to form a fluid path through which the air flow flows.
상기 가이드 부는,
제1가이드 부; 및
인접하는 제1가이드 부 사이에 형성되는 제2가이드 부를 포함하는 지지 유닛.
20. The method of claim 19,
The guide part,
a first guide unit; and
A support unit including a second guide portion formed between adjacent first guide portions.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200176738A KR102275509B1 (en) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | Support unit and apparatus for treating substrate |
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KR1020200176738A KR102275509B1 (en) | 2020-12-16 | 2020-12-16 | Support unit and apparatus for treating substrate |
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Publication Number | Publication Date |
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ID=76864945
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Country | Link |
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KR (1) | KR102275509B1 (en) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100788060B1 (en) * | 2002-12-05 | 2007-12-21 | 동경 엘렉트론 주식회사 | Film-forming method and apparatus using plasma cvd |
KR20090086043A (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Treatment apparatus |
KR20170116718A (en) * | 2016-04-12 | 2017-10-20 | 피에스케이 주식회사 | Apparatus and method for treating substrate |
KR20190044013A (en) * | 2017-10-19 | 2019-04-29 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Processing apparatus and member having an expanded path |
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2020
- 2020-12-16 KR KR1020200176738A patent/KR102275509B1/en active IP Right Grant
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