KR20130057104A - 텍스처링된 표면을 갖는 상대 전극을 포함한 염료감응 태양전지 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 14
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 3
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRFVTYWOQMYALW-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthine Chemical compound O=C1NC(=O)NC2=C1NC=N2 LRFVTYWOQMYALW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 2
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 2
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 150000003303 ruthenium Chemical class 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBTBFTRPCNLSDE-UHFFFAOYSA-N 3,7-bis(dimethylamino)phenothiazin-5-ium Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC2=[S+]C3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 RBTBFTRPCNLSDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IICCLYANAQEHCI-UHFFFAOYSA-N 4,5,6,7-tetrachloro-3',6'-dihydroxy-2',4',5',7'-tetraiodospiro[2-benzofuran-3,9'-xanthene]-1-one Chemical compound O1C(=O)C(C(=C(Cl)C(Cl)=C2Cl)Cl)=C2C21C1=CC(I)=C(O)C(I)=C1OC1=C(I)C(O)=C(I)C=C21 IICCLYANAQEHCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012327 Ruthenium complex Substances 0.000 description 1
- 229920003182 Surlyn® Polymers 0.000 description 1
- YIYFFLYGSHJWFF-UHFFFAOYSA-N [Zn].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 Chemical compound [Zn].N1C(C=C2N=C(C=C3NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 YIYFFLYGSHJWFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 1
- 239000000981 basic dye Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000001217 buttock Anatomy 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 229930002875 chlorophyll Natural products 0.000 description 1
- 235000019804 chlorophyll Nutrition 0.000 description 1
- ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M chlorophyll a Chemical compound C1([C@@H](C(=O)OC)C(=O)C2=C3C)=C2N2C3=CC(C(CC)=C3C)=[N+]4C3=CC3=C(C=C)C(C)=C5N3[Mg-2]42[N+]2=C1[C@@H](CCC(=O)OC\C=C(/C)CCC[C@H](C)CCC[C@H](C)CCCC(C)C)[C@H](C)C2=C5 ATNHDLDRLWWWCB-AENOIHSZSA-M 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- CEJANLKHJMMNQB-UHFFFAOYSA-M cryptocyanin Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CC)C=CC1=CC=CC1=CC=[N+](CC)C2=CC=CC=C12 CEJANLKHJMMNQB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N eosin Chemical compound [Na+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(Br)C(=O)C(Br)=C2OC2=C(Br)C(O)=C(Br)C=C21 YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IINNWAYUJNWZRM-UHFFFAOYSA-L erythrosin B Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(I)C(=O)C(I)=C2OC2=C(I)C([O-])=C(I)C=C21 IINNWAYUJNWZRM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011244 liquid electrolyte Substances 0.000 description 1
- KIQQAJNFBLKFPO-UHFFFAOYSA-N magnesium;porphyrin-22,23-diide Chemical compound [Mg+2].[N-]1C(C=C2[N-]C(=CC3=NC(=C4)C=C3)C=C2)=CC=C1C=C1C=CC4=N1 KIQQAJNFBLKFPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000907 methylthioninium chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- URAVRPANNFWXAZ-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpyridin-2-amine;pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1.CN(C)C1=CC=CC=N1 URAVRPANNFWXAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229930187593 rose bengal Natural products 0.000 description 1
- 229940081623 rose bengal Drugs 0.000 description 1
- STRXNPAVPKGJQR-UHFFFAOYSA-N rose bengal A Natural products O1C(=O)C(C(=CC=C2Cl)Cl)=C2C21C1=CC(I)=C(O)C(I)=C1OC1=C(I)C(O)=C(I)C=C21 STRXNPAVPKGJQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SOUHUMACVWVDME-UHFFFAOYSA-N safranin O Chemical compound [Cl-].C12=CC(N)=CC=C2N=C2C=CC(N)=CC2=[N+]1C1=CC=CC=C1 SOUHUMACVWVDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- VLYWMPOKSSWJAL-UHFFFAOYSA-N sulfamethoxypyridazine Chemical compound N1=NC(OC)=CC=C1NS(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 VLYWMPOKSSWJAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075420 xanthine Drugs 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G9/2022—Light-sensitive devices characterized by he counter electrode
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Abstract
본 발명은 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성된 투명 도전막 및 상기 투명 도전막 상부에 형성된 촉매층을 포함하여 구성된 상대 전극을 포함하며, 상기 투명 도전막과 촉매층 사이의 표면은 텍스처링되어 형성된 마이크로 구조물을 가지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지에 관한 것이다.
본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 상대 전극의 표면에서 입사광을 산란하여 염료감응 태양전지의 내부로 입사되는 태양광의 이용률을 높여 염료감응 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있으며, 투명성 또한 유지할 수 있다.
본 발명에 따른 염료감응 태양전지는 상대 전극의 표면에서 입사광을 산란하여 염료감응 태양전지의 내부로 입사되는 태양광의 이용률을 높여 염료감응 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있으며, 투명성 또한 유지할 수 있다.
Description
본 발명은 텍스처링된 표면을 갖는 상대 전극을 포함한 염료감응 태양전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 염료감응 태양전지의 상대 전극의 표면을 텍스처링하여 표면에 마이크로 구조물을 형성함으로써 태양광의 이용률을 향상시켜 광전변환효율을 향상시킬 수 있는 염료감응 태양전지에 관한 것이다.
최근 들어 직면하는 에너지 문제를 해결하기 위하여 기존의 화석 연료를 대체할 수 있는 다양한 연구가 진행되고 있다. 특히 수십년 이내에 고갈될 석유 자원을 대체하기 위하여 풍력, 원자력, 태양력 등의 자연 에너지를 활용하기 위한 광범위한 연구가 진행되고 있다. 이들 중 태양에너지를 이용한 태양전지는 기타 다른 에너지원과는 달리 자원이 무한하고 환경 친화적이므로 1983년 Si 태양전지를 개발한 이후로 꾸준한 연구가 계속되어 최근에는 실리콘 태양전지가 각광을 받고 있다.
그러나, 이와 같은 실리콘 태양전지는 제조비용이 상당히 고가이기 때문에 실용화가 곤란하고, 전지효율을 개선하는데도 많은 어려움이 따르고 있다. 이러한 문제를 극복하기 위하여 제조비용이 현저히 저렴한 염료감응 태양전지(dye-sensitized solar cells, DSSC)의 개발이 적극 검토되어 오고 있다.
1991년 스위스의 그라첼(Gratzel) 등에 의해 개발된 염료감응 태양전지는 가시광선을 흡수하여 전자-홀 쌍(electron-hole pair)을 생성할 수 있는 감광성 염료분자와 생성된 전자를 전달하는 나노결정성 산화티타늄 입자로 이루어진 산화물 반도체 전극을 이용한 광전기화학적 태양전지로서, 색소증감형 태양전지 또는 습식 태양전지라고도 불린다. 이와 같은 태양전지는 실리콘형 태양전지와 비교하여 제조공정이 간단하고 제조비용이 저렴하며 실용적으로 사용가능한 광전변환 효율을 갖는 특징이 있어, 이에 관하여 많은 연구가 진행되고 있다.
이와 같은 염료감응 태양전지는 기존의 실리콘 태양전지에 비해 제조단가가 저렴하고 투명한 전극으로 인해 건물 외벽 유리창이나 유리온실 등에 응용이 가능하다는 이점이 있으나, 광전변환 효율이 낮아서 실제 적용에는 제한이 있는 상황이다.
일반적으로, 염료감응 태양전지는 투명 도전막(transparent conductive oxide, TCO), 금속 산화물 광전극, 염료, 전해질, 상대 전극으로 구성되어 있다. 여기서, 금속 산화물 광전극은 나노(nano) 다공질 막의 형태로 존재하는 TiO2, ZnO, SnO2와 같은 넓은 밴드갭을 가진 n형 산화물 반도체로 구성되며, 이 표면에 단분자층 형태로 염료가 흡착되어 있다.
한국공개특허 제2008-0057430호에서는 전도성 기판 상에 나노입자 산화물층이 코팅된 반도체 전극(11)과, 상기 반도체 전극(11)에 대향되는 전도성 기판 상에 전극층이 코팅된 대향전극(12)으로 구성된 염료감응 태양전지에 있어서, 상기 반도체 전극(11) 또는 대향 전극(12) 중 어느 일면에 반사판(20)이 형성되도록 하는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지의 전력증가구조에 대해 개시하고 있다.
상기 종래기술에서 사용하는 반사판은 Ag코팅층, 거울 등을 이용하여 염료감응 태양전지의 특성인 투명성을 저하시키며 미관상의 문제점을 가진다.
본 발명자들은 이러한 종래 기술의 문제점을 해결하면서도 광 이용률을 높여 광전변환효율을 향상시킬 수 있으며 염료감응 태양전지의 투명성도 유지시킬 수 있는 기술에 대해 예의 연구를 거듭하였고, 그 결과 상대 전극의 FTO 기판 표면을 텍스처링하여 마이크로 구조물을 형성하는 경우 투명성을 유지하면서도 광전변환효율을 향상시킬 수 있다는 것을 알게 되어 본 발명을 완성하였다.
본 발명은 종래 기술에서의 반사판을 사용하지 않고도 광 이용률을 높여 광전변환효율을 향상시키면서도 투명성을 유지할 수 있는 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성된 투명 도전막 및 상기 투명 도전막 상부에 형성된 촉매층을 포함하여 구성된 상대 전극을 포함하며, 상기 투명 도전막과 촉매층 사이의 표면은 텍스처링되어 형성된 마이크로 구조물을 가지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지에 관한 것이다.
본 발명에서 상기 마이크로 구조물은 3축 초정밀 가공기 또는 레이저 형상 가공기를 사용하여 피라미드 형태로 제조되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 피라미드의 형태는 100~300 ㎚의 높이를 가지고, 500~1500 ㎚의 폭을 가지는 것이 바람직하다.
본 발명에서 상기 투명 기판은 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판이 바람직하며, 상기 투명 기판은 폴리에테르술폰, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 셀룰로오스 트리아세테이트 및 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 플라스틱재로 형성될 수 있다.
본 발명에서 상기 불소가 도핑된 인듐 틴 옥사이드(FTO) 또는 인듐 틴 옥사이드(ITO)일 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 상대 전극에 있어서, 상기 촉매층은 백금층으로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명은 텍스처링된 표면을 갖는 상대 전극을 포함한 염료감응 태양전지를 제공함으로써, 상대 전극의 표면에서 입사광을 산란하여 염료감응 태양전지의 내부로 입사되는 태양광의 이용률을 높여 염료감응 태양전지의 광전변환효율을 향상시켜 종래 기술에서의 반사판을 사용한 염료감응 태양전지와 유사한 광전변환효율을 나타낼 수 있으며, 종래 기술에서의 반사판을 사용한 염료감응 태양전지와 달리 투명성을 유지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 구조물을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마이크로 구조물을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 염료감응 태양전지의 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 1을 참조하여 본 발명의 염료감응 태양전지에 대해 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 염료감응 태양전지는 반도체 전극(100), 상대 전극(200) 및 반도체 전극(100)과 상대 전극(200) 사이에 게재된 상기 전해질(300)을 포함하여 이루어진다.
상기 반도체 전극(100)은 투명 기판(110), 상기 투명 기판(110)의 상부에 형성된 투명 도전막(120) 및 상기 투명 도전막(120)의 상부에 형성되는 광전극(130)을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 투명 기판(110)은 폴리에테르술폰, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 셀룰로오스 트리아세테이트 및 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 플라스틱재 또는 유리재일 수 있다.
상기 투명 도전막(120)은 불소가 도핑된 인듐 틴 옥사이드(FTO) 또는 인듐 틴 옥사이드(ITO)로 형성될 수 있다.
상기 광전극(130)은 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2) 및 산화아연(SnO)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 산화물을 포함하는 조성물로 형성될 수 있으며, 광전극(130) 염료가 흡착된다.
상기 염료는 루테늄(Ru) 착물 또는 유기염료가 담지된 용액을 이용하여 흡착시킬 수 있다. 염료로는 루테늄 복합체를 포함하여 가시광을 흡수할 수 있는 루테늄 착물과, 이외에도 가시광 내의 장파장 흡수를 개선하여 효율을 향상시키는 특성 및 전자 방출을 효율적으로 할 수 있는 염료라면 어떠한 것이든 사용할 수 있음은 물론이다. 구체적으로, 로다민B, 로즈벤갈, 에오신, 에리스로신 등의 크산틴계 염료; 퀴노시아닌, 크립토시아닌 등의 시아닌계 염료; 페노사프라닌, 카브리블루, 티오신, 메틸렌블루 등의 염기성 염료; 클로로필, 아연 포르피린, 마그네슘 포르피린 등의 포르피린계 화합물; 기타 아조계 염료; 프탈로시아닌 화합물; 안트라퀴논계 염료; 또는 다환 퀴논계 염료 등을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명에서 상대 전극(200)은 투명 기판(210), 상기 투명 기판(210)의 상부에 형성된 투명 도전막(220) 및 상기 투명 도전막(220)의 상부에 형성된 촉매층(230)을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 투명기판(210), 투명 도전막(220)은 상기 반도체 전극(100)에서 언급된 바와 동일한 것을 사용할 수 있으며, 본 발명에서는 상기 투명 기판(210)의 상부에 형성된 투명 도전막(220)의 상부 표면을 텍스처링하여 마이크로 구조물(230)을 형성한다.
도 2에 나타난 바와 같이, 본 발명에서 상기 마이크로 구조물(240)은 피라미드(pyramid) 형태로 형성되도록 텍스처링됨으로써 상대 전극(200)으로 입사되는 태양광을 산란하여 염료감응 태양전지의 내부로 입사되는 태양광의 높은 이용률에 있어서 바람직하다.
본 발명에서 피라미드 형태의 마이크로 구조물(240)은 3축 초정밀 가공기(Ultra precision machine) 또는 레이저 형상 가공기(laser precision machine)를 사용하여 형성될 수 있으나, 본 발명이 속하는 분야에서 사용되는 텍스처링 방법을 사용할 수 있음은 물론이다.
본 발명에서 상기 피라미드의 형태는 100~300 ㎚의 높이를 가지고, 500~1500 ㎚의 폭을 가지는 것으로 형성됨으로써 상대 전극(200)으로 입사되는 태양광의 비산거리를 늘릴 수 있으며 효율적으로 산란하여 태양광의 이용률을 높일 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, 상기 상대 전극(200)의 촉매층(230)은 백금층을 스퍼터링하여 형성될 수 있다. 상기 백금층은 Pt 용액 적하방법(Pt solution dropping method) 혹은 스핀 코터(spin coater)를 이용해 도포할 수 있으나, 본 발명에서는 상기 백금층은 스퍼터링(sputtering)을 이용하여 증착하는 것이 마이크로 구조물(240)의 요철부 형성을 유지하기 위해 바람직하다.
본 발명에서는 마이크로 구조물의 요철부에 백금층을 진공상태에서 스퍼터링함으로써 증착조건에 따라 박막(thin film) 및 후막(thick film)의 백금층을 다른 증착방법인 백금 도포법(Pt solution dropping) 및 백금 페이스트 프린팅법(Pt paste printing)에 비해 요철부에 균일하게 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 염료감응 태양전지의 제조방법은 반도체 전극(100)을 제조하는 단계, 상대 전극(200)을 제조하는 단계, 반도체 전극(100) 및 상대 전극(200)을 접합하는 단계 및 전해질(300)을 제조하여 반도체 전극(100) 또는 상대 전극(200)의 사이에 주입하는 단계를 포함하여 이루어진다.
반도체 전극(100)을 제조하는 단계는, 투명 기판(110)을 준비하는 단계, 준비된 투명 기판(110)의 상부에 투명 도전막(120)을 형성하는 단계; 형성된 투명 도전막(120)의 상부에 금속 산화물을 포함하는 조성물을 적용하여 광전극(130)을 형성하는 단계; 및 형성된 광전극(130)에 염료가 용해된 용액을 적용하여 염료를 흡착시키는 단계를 포함하여 이루어진다.
구체적으로, 먼저 투명 기판(110)을 준비한 후, 상기 투명기판(110)의 상부에 투명전도성 산화물인 불소가 도핑된 인듐 틴 옥사이드 또는 인듐 틴 옥사이드를 접착제를 이용하여 접착시키거나 또는 스퍼터링 방법으로 도막을 코팅하여 투명도전막(120)을 형성할 수 있다. 다음으로, 광전극(130)을 형성하기 위하여 이산화티탄(TiO2), 이산화주석(SnO2) 및 산화아연(SnO)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상의 금속 산화물을 포함하는 코팅 조성물을 제조한 후, 상기 형성된 투명 도전막(120)의 상부에 코팅 조성물을 닥터블레이드 방법으로 도포하고 열처리하여 광전극(130)을 형성할 수 있다. 그 다음으로, 상기 형성된 광전극(130)의 금속 산화물에 염료를 흡착시키기 위하여 염료를 용매에 용해시켜 염료 용액을 제조한 후, 여기에 상기 광전극(130)이 형성된 기판을 침지시킨 후 건조하여 염료를 흡착시킬 수 있다.
상대 전극(200)을 제조하는 단계는, 투명 기판(210)을 준비하는 단계; 준비된 투명 기판(210)의 상부에 투명 도전막(220)을 형성하는 단계; 및 형성된 투명 도전막(220)의 상부에 촉매층(230)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.
구체적으로, 먼저 투명 기판(210)을 준비한 후, 상기 투명 기판(210)의 상부에 투명 전도성 산화물인 불소가 도핑된 인듐 틴 옥사이드 또는 인듐 틴 옥사이드를 접착제를 이용하여 접착시키거나 또는 스퍼터링 방법으로 코팅하여 투명 도전막(220)을 형성할 수 있다. 다음으로, 3축 초정밀가공기 또는 레이저 형상 가공기를 사용하여 투명 도전막(220)의 표면에 파라미드 형태로 텍스처링한다. 다음으로, 상기 투명 도전막(220)의 상부에 백금층을 RF 스퍼터링하여 백금 촉매층을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 있어서, RF 스퍼터링 장치를 사용하여 2.5× 10-3 torr 내지 3.0× 10-3 torr의 작동 압력 및 아르곤 가스 하에 50~200 W 의 전압을 인가하여, 10~100 초 동안 스퍼터링을 수행하여 형성함으로써, 투명 도전막(220)의 상부에 백금층을 증착함과 동시에 요철부 형태를 유지할 수 있다.
위와 같은 방법으로 반도체 전극(100) 및 상대 전극(200)이 제조되면, 반도체 전극(100) 및 상대 전극(200)을 접합시키고 이들 사이에 전해질을 주입한 후 밀봉한다. 전해질은 유기용매, 산화-환원 유도체 및 첨가제 등을 혼합하여 교반함으로써 제조할 수 있다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 시험예를 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적 의미로 한정되어 해석되지 아니하며, 본 발명의 기술적 사항에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
본 명세서에 기재된 실시예, 시험예 및 도면은 본 발명의 바람직한 실시예이며, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있다.
[
실시예
1]
(1) 반도체 전극의 제조
면저항 8Ω의 FTO 기판을 다이아몬드 글라스 커터를 이용하여 2cm*2cm 크기로 절단하고, 탈이온수, 알코올, 아세톤, 이소프로판올을 사용하여 4단계 초음파 세척을 하였다. 이후 입자크기가 20nm인 콜로이드 상태의 TiO2 나노 페이스트를 스크린 프린터를 이용하여 상기 FTO 기판 상에 0.1cm2의 면적, 100μm의 두께로 도포하였고 전기로에 넣어 실온에서 550℃까지 1시간의 승온단계를 거쳐 30분간 소결시켰다. 이후 무수알콜과 루테늄계 염료 N719(대만, EVERLIGHT)를 0.3mM의 농도로 제조한 후, 소결된 TiO2 반도체 전극을 40℃에서 18시간 동안 침지시켜 염료가 흡착되도록 한다.
(2) 상대 전극의 제조
면저항 8Ω의 FTO 기판을 다이아몬드 글라스 커터를 이용하여 2cm*2cm 크기로 절단하고, 탈이온수, 알코올, 아세톤, 이소프로판올을 사용하여 4단계 초음파 세척하였다. 이후, 상기 FTO 기판의 상면을 3축 초정밀 가공기를 사용하여 200 ㎚의 높이를 가지고, 1000 ㎚의 폭을 가진 복수의 피라미드 형태로 텍스처링하였다. 이후 텍스처링되어 피라미드 형태가 형성된 상기 FTO 기판에 하기 표 1의 조건으로 RF 스퍼터링하여 백금층을 형성하였다. Pt가 도포 된 전극을 60℃에서 5분간 건조 후, 1시간의 승온단계를 거쳐 400℃에서 1시간의 승온단계를 거쳐 30분간 소결시켜 상대 전극을 제조하였다.
공정 조건 | |
스퍼터링 장치 | RF(radio frequency) 스퍼터링 |
가스 | Ar, 30 sccm |
전압 | 120 W |
작동 압력 | 2.8 × 10-3 torr |
증착 시간 | 120 초 |
(3) 염료감응 태양전지 제조
상술한 바와 같이 제조된 반도체 전극과 상대 전극 사이에 surlyn(60㎛, Dupont)을 이용하여 샌드위치 형태로 접합한 후 상대 전극에 미리 가공된 직경 0.4㎜의 홀(hole)에 전해질을 주입하고 밀봉하였다. 전해질은 액체 전해질을 사용하였으며, 전해질 조성은 아세토니트릴을 용매로 사용하였고, 0.6M의 DMHII, 0.02M의 LiI, 0.03M의 I2, 0.1M의 GNCS를 용해시킨 후 0.35M의 2-(디메틸아미노) 피리딘(2-(dimethylamino) pyridine)을 첨가하여 염료감응 태양전지를 제조하였다.
[
비교예
1]
상기 FTO 기판의 상면에 피라미드 형태의 텍스처링 과정을 수행하지 않고 상대 전극을 제조한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 수행하여 염료감응 태양전지를 제조하였다.
[
비교예
2]
상대전극의 제조시 상대전극 후면에 무광 백색지를 부착한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 염료감응 태양전지를 제조하였다.
[
시험예
]
실시예 1, 비교예 1 및 비교예 2에서 제조한 염료감응 태양전지의 광전환 효율을 아래와 같은 방법으로 평가하였다.
광전압 및 광전류를 측정하여 광전기적 특성을 관찰하고, 이를 통하여 얻어진 전류밀도(Jsc), 전압(Voc), 및 충진계수(fillfactor, ff)를 이용하여 광전환 효율(ηe)를 구하였다. 광전환 효율의 계산을 위하여 아래 수학식 1을 이용하였다. 이때, 광원으로는 제논 램프(Xenon lamp, Oriel)를 사용하였으며, 상기 제논 램프의 태양조건(AM 1.5)은 표준태양전지를 사용하여 보정하였다.
[수학식 1]
ηe = (Voc × Jsc × ff) / (Pine)
(여기에서, (Pine)는 100 ㎽/㎠(1 sun)을 나타냄)
위의 과정을 통해 측정된 값들을 하기 표 1에 나타내었다.
구분 | JSC(mA/cm2) | VOC(V) | FF | 효율(%) |
실시예 | 16.364 | 0.748 | 0.643 | 7.875 |
비교예 1 | 15.681 | 0.749 | 0.633 | 7.448 |
비교예 2 | 16.621 | 0.748 | 0.642 | 7.993 |
표 2를 참조하면, 본 발명에 따라 실시예 1에서 제조한 염료감응 태양전지는 비교예 1과 같이 텍스처링 과정을 수행하지 않아 상대 전극의 FTO 표면에 마이크로 구조물이 없는 염료감응 태양전지에 비해 효율이 향상됨을 알 수 있다. 또한, 비교예 2와 같이 반사판이 형성된 상대 전극을 포함하여 구성된 염료감응 태양전지와 유사한 광전변환효율을 나타냄을 알 수 있다.
100: 반도체 전극 110: 투명기판
120: 투명 도전막 130: 광전극
200: 상대 전극 210: 투명기판
220: 투명 도전막 230: 촉매층
240: 마이크로 구조물 300: 겔형 전해질
400: 측벽
120: 투명 도전막 130: 광전극
200: 상대 전극 210: 투명기판
220: 투명 도전막 230: 촉매층
240: 마이크로 구조물 300: 겔형 전해질
400: 측벽
Claims (8)
- 투명 기판, 상기 투명 기판 상에 형성된 투명 도전막 및 상기 투명 도전막 상부에 형성된 촉매층을 포함하여 구성된 상대 전극을 포함하며, 상기 투명 도전막과 촉매층 사이의 표면은 텍스처링되어 형성된 마이크로 구조물을 가지는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 청구항 1에 있어서,
상기 마이크로 구조물은 100~300 ㎚의 높이를 가지고, 500~1500 ㎚의 폭을 가지는 피라미드 형태인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 청구항 2에 있어서,
상기 피라미드 형태의 마이크로 구조물은 3축 초정밀 가공기 또는 레이저 형상 가공기를 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 청구항 1에 있어서,
상기 투명 기판은 유리 기판 또는 투명 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 청구항 4에 있어서,
상기 투명 기판은 폴리에테르술폰, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 셀룰로오스 트리아세테이트 및 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 플라스틱재로 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 청구항 1에 있어서,
상기 투명 도전막은 불소가 도핑된 인듐 틴 옥사이드(FTO) 또는 인듐 틴 옥사이드(ITO)인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 청구항 1에 있어서,
상기 촉매층은 백금층인 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
- 청구항 7에 있어서,
상기 백금층은 RF 스퍼터링 장치를 사용하여 2.5× 10-3 torr 내지 3.0× 10-3 torr의 작동 압력 및 아르곤 가스 하에 50~200 W 의 전압을 인가하여, 10~100 초 동안 스퍼터링을 수행하여 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응 태양전지.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110122864A KR20130057104A (ko) | 2011-11-23 | 2011-11-23 | 텍스처링된 표면을 갖는 상대 전극을 포함한 염료감응 태양전지 |
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Publications (1)
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---|---|
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WO2017004959A1 (zh) * | 2015-07-09 | 2017-01-12 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法 |
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2011
- 2011-11-23 KR KR1020110122864A patent/KR20130057104A/ko not_active Application Discontinuation
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WO2017004959A1 (zh) * | 2015-07-09 | 2017-01-12 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法 |
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