KR20130055058A - Lighting emitting diode package including quantum rods and liquid crystal display device - Google Patents

Lighting emitting diode package including quantum rods and liquid crystal display device Download PDF

Info

Publication number
KR20130055058A
KR20130055058A KR1020110120538A KR20110120538A KR20130055058A KR 20130055058 A KR20130055058 A KR 20130055058A KR 1020110120538 A KR1020110120538 A KR 1020110120538A KR 20110120538 A KR20110120538 A KR 20110120538A KR 20130055058 A KR20130055058 A KR 20130055058A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid crystal
quantum
light emitting
quantum rod
emitting diode
Prior art date
Application number
KR1020110120538A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101949385B1 (en
Inventor
김경찬
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020110120538A priority Critical patent/KR101949385B1/en
Publication of KR20130055058A publication Critical patent/KR20130055058A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101949385B1 publication Critical patent/KR101949385B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)

Abstract

PURPOSE: A lighting emitting diode package including quantum rods and a liquid crystal display device are provided to secure high luminance by reducing light lose due to the light penetration of a first polarizing plate. CONSTITUTION: A lead frame(109) includes a first part and a second part. An LED chip(115) is formed in the upper surface of the lead frame. A package housing(110) surrounds the LED chip and is formed in the upper surface of the lead frame. A quantum load layer(125) fills the inner part of the package housing. The quantum load layer is formed in the upper part of the LED chip.

Description

퀀텀 로드를 구비한 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치 {Lighting emitting diode package including quantum rods and liquid crystal display device}Light emitting diode package including quantum rod and light emitting diode package including the same

본 발명은 발광다이오드 패키지 및 이를 광원으로 액정표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 퀀텀 로드가 구비되어 광 효율을 향상시킨 발광다이오드 패키지 및 이를 광원으로 하는 백라이트 유닛을 구비한 액정표시장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a light emitting diode package and a liquid crystal display device using the light source, and more particularly, to a light emitting diode package having a quantum rod and improved light efficiency, and a liquid crystal display device having a backlight unit using the light source as a light source. will be.

일반적으로 발광 다이오드(light emitting diode, 이하 LED라 함)라 함은 화합물 반도체(compound semiconductor) 재료의 변경을 통해 발광원을 구성함으로써 다양한 색을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.In general, a light emitting diode (hereinafter, referred to as an LED) refers to a semiconductor device capable of realizing various colors by configuring a light emitting source by changing a compound semiconductor material.

이러한 LED소자의 특성을 결정하는 기준으로는 색(color) 및 휘도, 휘도 세기 등이 있다. 이러한 LED 소자의 발광특성은 1차적으로 LED소자에 사용되고 있는 화합물 반도체 재료에 의해 결정되고 있으며, 2차적으로 LED 칩을 실장하기 위한 패키지의 구조에 의해서도 영향을 받고 있다.Criteria for determining the characteristics of such LED devices include color, luminance, luminance intensity, and the like. The light emitting characteristics of such LED devices are determined primarily by the compound semiconductor materials used in the LED devices, and are also influenced by the structure of the package for mounting the LED chips.

이러한 LED 패키지는 근래 들어 그 사용 범위가 실내외 조명장치, 자동차 헤드라이트, 액정표시장치(Liquid Crystal Display)의 백라이트 유닛(back light unit)용 광원 등 다양한 분야로 확대됨에 따라, 고 광효율 특성이 필요하게 되었다.These LED packages have recently been extended to various fields such as indoor and outdoor lighting devices, automotive headlights, and light sources for back light units of liquid crystal displays, so that high light efficiency characteristics are required. It became.

특히, 상기 LED 패키지가 LED PCB 등에 장착되어 액정표시장치의 백라이트 유닛으로 이용될 경우, 상기 LED 패키지는 더욱더 큰 발광 특성이 요구되고 있다.In particular, when the LED package is mounted on an LED PCB or the like and used as a backlight unit of a liquid crystal display device, the LED package is required to have greater light emission characteristics.

이러한 LED 패키지에 있어 실질적으로 빛을 발생시키는 부분은 인가되는 발광 또는 형광 특성을 갖는 발광층이 되고 있으며, 이러한 발광층은 통상적으로 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP 등의 화합물 반도체로 이루어지고 있다.In the LED package, a portion that substantially generates light becomes a light emitting layer having light emission or fluorescent characteristics applied thereto, and the light emitting layer is generally made of a compound semiconductor such as GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN, and AlGaInP.

하지만, 이러한 화합물 반도체 물질만으로 이루어진 발광층을 구비한 LED 패키지의 경우, 특히 액정표시장치용 백라이트 유닛으로 이용되는 경우, 2매의 편광판을 구비하여 그 투과도가 매우 낮은 수준인 액정표시장치를 고려할 때 고 휘도 특성을 갖는 액정표시장치 구현을 위해서는 한계에 다다르고 있는 실정이다.
However, in the case of an LED package having a light emitting layer made of only such a compound semiconductor material, especially when used as a backlight unit for a liquid crystal display device, when considering a liquid crystal display device having two polarizing plates having a very low transmittance, In order to implement a liquid crystal display device having luminance characteristics, the situation is approaching a limit.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해서 안출된 것으로, 특히, 2매의 편광판을 구비하는 액정표시장치의 백라이트 유닛으로 사용되는 경우, 상기 액정표시장치의 저소비전력 및 고휘도 특성을 구현할 수 있는 LED 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치를 제공하는 것을 그 목적으로 하고 있다.
The present invention has been made to solve the above problems, in particular, when used as a backlight unit of a liquid crystal display device having two polarizing plate, LED package that can implement the low power consumption and high brightness characteristics of the liquid crystal display device and It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device having the same.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지는, 서로 이격하며 리드 프레임과; 상기 리드 프레임 상면에 구비된 LED 칩과; 상기 LED 칩을 둘러싸는 형태로 상기 리드 프레임 상면에 구비된 패키지 하우징과; 상기 패키지 하우징 내부를 채우며 상기 LED 칩 상부에 구비된 퀀텀 로드층을 포함한다. The light emitting diode package according to the present invention for achieving the above object, the lead frame and spaced apart from each other; An LED chip provided on an upper surface of the lead frame; A package housing provided on an upper surface of the lead frame so as to surround the LED chip; A quantum rod layer fills the inside of the package housing and is provided on the LED chip.

이때, 상기 퀀텀 로드층은 장축이 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드로 이루어진 것이 특징이다.In this case, the quantum rod layer is characterized in that the long axis is composed of a plurality of quantum rods arranged in one direction.

그리고, 상기 퀀텀 로드층은 상기 다수의 퀀텀 로드 이외에 발광 보조재가 구비되며, 상기 퀀텀 로드와 발광 보조재의 함량비는 100w% : 0w% 내지 50w% : 50w% 인 것이 특징이다.The quantum rod layer is provided with a light emitting auxiliary material in addition to the plurality of quantum rods, and the content ratio of the quantum rod and the light emitting auxiliary material is 100w%: 0w% to 50w%: 50w%.

상기 발광 보조재는 퀀텀 도트(quantum dot), 무기 형광체, 유기 형광체 중 어느 하나 또는 둘 이상이 섞인 물질인 것이 특징이며, 상기 퀀텀 로드층은 경화 특성을 갖는 레진을 포함하여 상기 다수의 퀀텀 로드의 장축이 일 방향으로 배열된 후 상기 레진이 경화되어 일 방향으로 배열된 상태를 유지하는 것이 특징이다.The light emitting auxiliary material may be a material in which any one or two or more of a quantum dot, an inorganic phosphor, and an organic phosphor are mixed. After being arranged in one direction, the resin is cured to maintain a state arranged in one direction.

또한, 상기 다수의 퀀텀 로드의 장축이 일 방향으로 배열되었다고 하는 것은, 수평 방향의 편광비 PRh 와 수직 방향의 편광비 PRv를 각각 PRh = Ih/(Ih+Iv), PRv = Iv/(Ih+Iv) 이라 정의할 때, 상기 수평 방향의 편광비 PRh 또는 수직 방향의 편광비 PRv가 0.5보다는 크고 1보다는 작은 값을 갖는 즉, 0.5 < PRh(또는 PRv)< 1 을 만족시키는 것을 의미하는 것이 특징이다.In addition, the major axes of the quantum rods arranged in one direction mean that the polarization ratio PR h in the horizontal direction and the polarization ratio PR v in the vertical direction are PR h = I h / (I h + I v ) and PR, respectively. When defined as v = I v / (I h + I v ), the polarization ratio PR h in the horizontal direction or the polarization ratio PR v in the vertical direction is greater than 0.5 and less than 1, that is, 0.5 <PR h ( Or PR v ) <1.

또한, 상기 퀀텀 로드층 상부에는 이를 덮으며 렌즈가 구비될 수 있다.In addition, a lens may be provided on the quantum rod layer to cover it.

또한, 상기 LED 칩은 450nm 이하의 단파장의 빛을 발광하는 것이 특징이다.In addition, the LED chip is characterized in that the light emitting short wavelength of 450nm or less.

또한, 상기 퀀텀 로드는 코어만으로 이루어지거나, 또는 코어와 상기 코어를 둘러싸는 쉘로 이루어지며, 상기 쉘은 단축과 장축을 갖는 형태를 이루며 단축 대 장축의 비가 1:1.1 내지 1:30인 것이 특징이다.In addition, the quantum rod is made of only the core, or the core and the shell surrounding the core, the shell has a form having a short axis and a long axis, characterized in that the ratio of short axis to long axis is 1: 1.1 to 1:30. .

이때, 상기 퀀텀 로드는 그 형상이 구, 타원구, 다면체, 막대 형태 중 어느 하나를 이루며, 상기 쉘은 상기 퀀텀 로드의 단축 방향으로 절단한 절단면이 원, 타원, 다각형 형태 중 어느 하나의 형태를 이루는 것이 특징이다.In this case, the quantum rod is formed in any one of the shape of sphere, ellipsoid, polyhedron, rod, the shell is a cutting surface cut in the uniaxial direction of the quantum rod is any one of the shape of circle, ellipse, polygonal shape. Is characteristic.

그리고, 상기 쉘은 단일층 또는 다중층 구조를 이루며, 상기 쉘은 합금(alloy), 옥사이드 계열 또는 불순물이 도핑된 물질로 이루어지는 것이 특징이다. The shell may be formed of a single layer or a multilayer structure, and the shell may be formed of an alloy, an oxide-based material, or an impurity doped with an impurity.

또한, 상기 코어는 주기율표 상의 Ⅱ-Ⅵ, Ⅲ-V, Ⅲ-Ⅵ, Ⅵ-Ⅳ, Ⅳ 족의 반도체, 합금 또는 혼합된 물질로 이루어지는 것이 특징이다.In addition, the core is characterized by consisting of a semiconductor, an alloy or a mixed material of II-VI, III-V, III-VI, VI-IV, IV on the periodic table.

상기 퀀텀 로드의 코어는 Ⅱ-Ⅵ족으로 이루어지는 경우, CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgSe, HgTe, CdZnSe 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지며, Ⅲ-V 족으로 이루어지는 경우, InP, InN, GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, AlP, AlN, AlAs, AlSb, CdSeTe, ZnCdSe 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지며, Ⅵ-Ⅳ족으로 이루어지는 경우, PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe, Tl2SnTe5 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지는 것이 특징이다.The core of the quantum rod is made of any one of CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgSe, HgTe, CdZnSe or a mixture of two or more materials when the core of the quantum rod is made of II-VI group, In the case of the III-V group, InP, InN, GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, AlP, AlN, AlAs, AlSb, CdSeTe, ZnCdSe, or a mixture of two or more materials In the case of consisting of Group VI-IV, it is made of any one of PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe, Tl 2 SnTe 5 or a mixture of two or more materials.

본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는, 액정패널과; 상기 액정패널의 외측면에 서로 편광축이 직교하도록 부착된 제 1 및 제 2 편광판과; 상기 제 1 편광판의 외측면에 구비되며, 서로 이격하며 리드 프레임과, 상기 리드 프레임 상면에 구비된 LED 칩과, 상기 LED 칩을 둘러싸는 형태로 상기 리드 프레임 상면에 구비된 패키지 하우징과, 상기 패키지 하우징 내부를 채우며 상기 LED 칩 상부에 구비된 퀀텀 로드층을 포함하는 발광 다이오드 패키지를 광원으로 하는 백라이트 유닛을 포함한다. A liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, the liquid crystal panel; First and second polarizing plates attached to an outer surface of the liquid crystal panel such that polarization axes are perpendicular to each other; A lead frame provided on an outer side surface of the first polarizing plate and spaced apart from each other, an LED chip provided on an upper surface of the lead frame, a package housing provided on an upper surface of the lead frame so as to surround the LED chip, and the package It includes a backlight unit which fills the inside of the housing and uses a light emitting diode package including a quantum rod layer provided on the LED chip as a light source.

이때, 상기 백라이트 유닛은, 상기 액정패널 하부에 구비된 도광판과; 상기 도광판의 측면에 구비되며 상기 다수의 LED 패키지가 실장된 LED 어셈블리와; 상기 도광판과 상기 액정패널 사이에 구비된 광학시트와; 상기 도광판 하부에 구비된 반사판을 포함하며, 상기 액정표시장치는, 상기 액정패널의 가장자리를 두르는 서포트메인과, 상기 서포트메인 배면과 밀착되는 저면과 이의 측면으로 구성되는 커버버툼과, 상기 액정패널의 상면 및 측면 가장자리를 덮으며, 사각테 형상으로 상기 액정패널의 표시영역에 대응하여 개구를 갖는 탑커버를 포함한다.In this case, the backlight unit may include a light guide plate provided under the liquid crystal panel; An LED assembly provided at a side of the light guide plate and mounted with the plurality of LED packages; An optical sheet provided between the light guide plate and the liquid crystal panel; And a reflection plate provided under the light guide plate, wherein the liquid crystal display includes a support main covering an edge of the liquid crystal panel, a bottom surface in close contact with the back surface of the support main, and a side surface thereof; And a top cover covering upper and side edges and having an opening corresponding to the display area of the liquid crystal panel in a rectangular frame shape.

그리고, 상기 퀀텀 로드층은, 장축이 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드로 이루어지거나, 또는 장축이 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드와 발광 보조재가 구비되며, 상기 퀀텀 로드와 발광 보조재의 함량비는 100w% : 0w% 내지 50w% : 50w% 인 것이 특징이며, 상기 다수의 퀀텀 로드가 일방향으로 배열됨으로써 편광된 빛을 발생시키는 것이 특징이다. The quantum rod layer may include a plurality of quantum rods having long axes arranged in one direction, or a plurality of quantum rods having a long axis arranged in one direction and light emitting aids, and the content ratio of the quantum rods and the light emitting aids may be It is characterized by being 100w%: 0w% to 50w%: 50w%, characterized in that the plurality of quantum rods are arranged in one direction to generate polarized light.

또한, 상기 퀀텀 로드층은 경화 특성을 갖는 레진을 포함하여 상기 다수의 퀀텀 로드의 장축이 일 방향으로 배열된 후 상기 레진이 경화되어 일 방향으로 배열된 상태를 유지하는 것이 특징이다.In addition, the quantum rod layer may include a resin having a curing property, and after the major axes of the plurality of quantum rods are arranged in one direction, the resin is cured to maintain a state arranged in one direction.

또한, 상기 퀀텀 로드층의 다수의 퀀텀 로드의 배열 방향과 상기 제 1 편광판의 투과축이 나란한 것이 특징이다.
In addition, an arrangement direction of the plurality of quantum rods of the quantum rod layer and a transmission axis of the first polarizing plate may be parallel to each other.

본 발명에 따른 LED 패키지는 종래의 반도체 화합물로 이루어지던 발광층의 반도체 화합물을 대신하여 일 방향으로 정렬된 상태의 퀀텀 로드로 이루어지도록 함으로써 백라이트 유닛으로 나온 빛 자체가 편광 특성을 가짐으로서 액정표시장치에 구비된 제 1 편광판을 투과하는 빛량이 비편광 빛을 발생시키는 일반적인 LED 패키지를 구비한 백라이트 유닛 대비 증대시키는 효과가 있다.The LED package according to the present invention has a quantum rod in one direction aligned in place of the semiconductor compound of the light emitting layer, which is made of a conventional semiconductor compound, so that the light emitted from the backlight unit itself has polarization characteristics, thereby providing a liquid crystal display device. There is an effect of increasing the amount of light passing through the first polarizing plate provided compared to the backlight unit having a general LED package for generating non-polarized light.

나아가 일반적인 LED 패키지를 백라이트 유닛으로 구비한 액정표시장치 대비 고 휘도 및 저소비전력 특성을 갖는 액정표시장치를 제공하는 효과를 갖는다.
Furthermore, it has the effect of providing a liquid crystal display device having high brightness and low power consumption compared to a liquid crystal display device having a general LED package as a backlight unit.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지에 구비되는 LED 칩을 확대 도시한 단면도.
도 3은 퀀텀 로드의 형태를 나타낸 도면.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드층을 구비한 LED 패키지를 광원으로 하는 백라이트 유닛이 구비된 액정표시장치의 분해사시도.1 is a sectional view of an LED package according to an embodiment of the present invention;
Figure 2 is an enlarged cross-sectional view of the LED chip provided in the LED package according to an embodiment of the present invention.
3 shows the form of a quantum rod.
Figure 4 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device having a backlight unit having a LED package having a quantum rod layer according to an embodiment of the present invention as a light source.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치에 대해 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, an LED package and a liquid crystal display device having the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도1 은 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지의 단면도이며, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지에 구비되는 LED 칩을 확대 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of an LED package according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is an enlarged cross-sectional view of the LED chip provided in the LED package according to an embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(101)는, 서로 이격하는 제 1 및 제 2 부분(109a, 109b)으로 이루어진 리드 프레임(109)과, 상기 리드 프레임(109) 내측면(상면)에 고정된 LED 칩(115)과, 상기 리드 프레임(109)의 가장 자리를 따라 그 내측면이 반사체 물질이 코팅된 패키기 하우징(110) 및 상기 패키지 하우징(110) 내측을 채우며 상기 LED 칩(115) 상부에 구비된 편광된 빛을 형광하는 것을 특징으로 하는 퀀텀 로드층(125)을 포함하여 구성되고 있다.As shown, the LED package 101 according to the embodiment of the present invention, the lead frame 109 consisting of the first and second portions 109a, 109b spaced apart from each other, and the inner surface of the lead frame 109 The LED chip 115 fixed to the upper surface and the inner surface of the lead frame 109 fill the inside of the package housing 110 and the package housing 110 coated with a reflector material. The quantum rod layer 125 is configured to fluoresce polarized light provided on the LED chip 115.

이때, 도면에 나타나지 않았지만, 상기 퀀텀 로드층(125) 상부에는 봉지제(미도시)를 개재하여 렌즈(미도시)가 더욱 구비될 수도 있으며, 또는 상기 퀀텀 로드층(125)이 외부에 노출되는 것을 방지하기 위하여 보호층(미도시)이 구비될 수도 있다. In this case, although not shown in the drawings, a lens (not shown) may be further provided on the quantum rod layer 125 through an encapsulant (not shown), or the quantum rod layer 125 may be exposed to the outside. In order to prevent that, a protective layer (not shown) may be provided.

또한, 상기 리드 프레임(109)의 외측 밑면에는 상기 LED 패키지(100) 구동을 위한 인쇄회로기판(미도시)과, 상기 리드 프레임(109)과 상기 인쇄회로기판(미도시)을 고정시키기 위한 솔더(미도시)가 더욱 구비될 수도 있으며, 또는 상기 리드 프레임(109)의 외측 밑면에 방열효율을 증대시키기 위해 방열 슬러그(미도시)가 더욱 구비될 수도 있다.In addition, a solder for fixing the printed circuit board (not shown) for driving the LED package 100, the lead frame 109 and the printed circuit board (not shown) is formed on an outer bottom surface of the lead frame 109. (Not shown) may be further provided, or a heat radiation slug (not shown) may be further provided on the outer bottom surface of the lead frame 109 to increase the heat radiation efficiency.

한편, 상기 LED 칩(115)은 상기 리드 프레임(109)의 내측면을 기준으로 제 1 부분(109a)의 내측면에 실장되고 있다. The LED chip 115 is mounted on an inner surface of the first portion 109a with respect to the inner surface of the lead frame 109.

이때, 상기 LED 칩(115)의 n형 전극(도 2의 168) 및 p형 전극(도 2의 170)은 각각 상기 리드 프레임(109)의 제 1 부분(109a) 및 제 2 부분(109b)과 각각 제 1 와이어(117a, 117b)를 통해 전기적으로 연결되고 있는 것이 특징이다.In this case, the n-type electrode (168 of FIG. 2) and the p-type electrode (170 of FIG. 2) of the LED chip 115 are respectively the first portion 109a and the second portion 109b of the lead frame 109. And are electrically connected to each other via the first wires 117a and 117b, respectively.

이때, 도면에 있어서는 상기 제 1 및 제 2 와이어(117a, 117b)가 패키지 하우징(110) 내측에 위치하는 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 제 1 및 제 2 와이어(117a, 117b)는 상기 리드 프레임(109)의 외측면에 구비될 수도 있으며, 또는 상기 LED 칩(115)이 상기 리드 프레임(109)의 경계에 형성되는 경우, 상기 LED 칩(115)이 직접 상기 리드 프레임(109)의 제 1 부분(109a) 및 제 2 부분(109b)과 접촉하도록 구비됨으로써 생략될 수도 있다.In this case, although the first and second wires 117a and 117b are positioned inside the package housing 110 as an example, the first and second wires 117a and 117b may have the lead frame ( It may be provided on the outer side of the 109, or when the LED chip 115 is formed at the boundary of the lead frame 109, the LED chip 115 is directly the first portion of the lead frame 109 It may be omitted by being provided in contact with 109a and second portion 109b.

상기 LED 칩(115)은 실질적으로 빛을 발하는 부분으로서 전자(electron)를 제공하는 n형 반도체층(160)과 정공(hole)을 제공하는 p형 화합물 반도체층(166)의 순방향 접합으로 이루어진다. The LED chip 115 includes a forward junction between an n-type semiconductor layer 160 providing electrons and a p-type compound semiconductor layer 166 providing holes as a portion that substantially emits light.

상기 LED 칩(115)의 구성에 대해 도 2를 참조하여 좀 더 자세히 살펴보면, 상기 LED 칩(115)은 기판(160) 상에 적층된 n형 화합물 반도체층(162), 활성층(164), p형 화합물 반도체층(166), n형 전극(168) 및 p형 전극(170)으로 구성된다. Looking at the configuration of the LED chip 115 in more detail with reference to Figure 2, the LED chip 115 is n-type compound semiconductor layer 162, the active layer 164, p stacked on the substrate 160 The compound semiconductor layer 166, the n-type electrode 168, and the p-type electrode 170 are formed.

여기서, 상기 기판(160)은 바람직하게는 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며, 사파이어 외에도 갈륨 나이트라이드(hallium nitride : GaN), 실리콘 카바이드(silicon carbide : SiC) 및 알루미늄 나이트라이드(AlN) 등으로 형성될 수도 있다. Here, the substrate 160 is preferably formed using a transparent material including sapphire, and in addition to sapphire, gallium nitride (GaN), silicon carbide (SiC), and aluminum nitride (AlN). Or the like.

여기서, 상기 기판(160)과 n형 화합물 반도체층(162) 사이에는 이들 간의 격자정합을 향상시키기 위한 버퍼층(미도시)이 형성될 수 있으며, 버퍼층(미도시)은 GaN 또는 AlN/GaN 등으로 형성될 수 있다. Here, a buffer layer (not shown) may be formed between the substrate 160 and the n-type compound semiconductor layer 162 to improve lattice matching therebetween, and the buffer layer may be formed of GaN or AlN / GaN. Can be formed.

이때, 상기 n형 화합물 반도체층(162)은 n형 도전형 불순물이 도핑된 GaN 또는 GaN/AlGaN으로 이루어질 수 있으며, n형 도전형 불순물로는 일예로 Si, Ge 및 Sn 등을 사용하고, 바람직하게는 Si를 주로 사용한다. In this case, the n-type compound semiconductor layer 162 may be made of GaN or GaN / AlGaN doped with n-type conductive impurities, Si, Ge, Sn, etc. are preferably used as n-type conductive impurities, for example. Si is mainly used.

또한, 상기 p형 화합물 반도체층(166)은 p형 도전형 불순물이 도핑된 GaN 또는 GaN/AlGaN으로 이루어질 수 있으며, p형 도전형 불순물로는 일예로 Mg, Zn 및 Be 등을 사용하고, 바람직하게는 Mg를 주로 사용한다. In addition, the p-type compound semiconductor layer 166 may be formed of GaN or GaN / AlGaN doped with a p-type conductive impurity. For example, Mg, Zn, and Be may be used as the p-type conductive impurity. Mg is mainly used.

이러한 LED 칩(115)은 상기 n형 화합물 반도체층(162)의 일부가 노출되도록 p형 화합물 반도체층(166)과 활성층(164) 일부가 메사식각(mesa etching)으로 제거되는데, 이에 따라 상기 p형 화합물 반도체층(166)과 활성층(164)은 상기 n형 화합물 반도체층(162) 상의 일부분에 형성된다. In the LED chip 115, a portion of the p-type compound semiconductor layer 166 and a portion of the active layer 164 are removed by mesa etching so that a portion of the n-type compound semiconductor layer 162 is exposed. The type compound semiconductor layer 166 and the active layer 164 are formed on a portion of the n type compound semiconductor layer 162.

이에, 상기 n형 전극(168)은 노출된 n형 화합물 반도체층(162)의 일 모서리에 구성되며, 상기 p형 전극(170)은 p형 화합물 반도체층(166) 상에 구성된다. 따라서 이러한 구성을 갖는 LED 칩(115)은 "Top??Top"방법으로 전극이 배치되는 수평형 LED 칩(115)을 이룬다. Accordingly, the n-type electrode 168 is configured at one corner of the exposed n-type compound semiconductor layer 162, and the p-type electrode 170 is configured on the p-type compound semiconductor layer 166. Therefore, the LED chip 115 having such a configuration forms a horizontal LED chip 115 in which electrodes are arranged in a "Top ?? Top" method.

그리고, 상기 활성층(164)은 GaN 계열 단일 양자 우물구조(single quantum well : SQW)나 다중 양자 우물구조(multi quantum well : MQW)일 수 있으며, 또한 이들의 초격자(supper lattice : SL) 등의 양자구조로, 이와 같은 활성층(164)의 양자구조는 GaN 계열의 다양한 물질을 조합하여 이루어질 수 있고, 일예로 AlGaN, AlNGaN, InGaN 등이 사용될 수 있다. The active layer 164 may be a GaN-based single quantum well structure (SQW) or a multi quantum well structure (MQW), or a super lattice (SL) thereof. In the quantum structure, the quantum structure of the active layer 164 may be formed by combining various GaN-based materials. For example, AlGaN, AlNGaN, InGaN, or the like may be used.

이러한 활성층(164)에 전계가 인가되었을 때, 전자??정공 쌍의 결합에 의하여 빛이 발생하게 된다. When an electric field is applied to the active layer 164, light is generated by the coupling of the electron-hole pairs.

따라서, 이러한 구성을 갖는 상기 LED 칩(115)은 상기 p형 전극(170)과 n형 전극(168) 사이에 전압이 인가되면, 상기 p형 화합물 반도체층(166)과 상기 n형 화합물 반도체층(162)으로 각각 정공과 전자가 주입되고, 상기 활성층(164)에서 정공과 전자가 재결합하면서 여분의 에너지가 광으로 변환되어 외부로 방출하게 되는 것이다. Therefore, when the voltage is applied between the p-type electrode 170 and the n-type electrode 168 of the LED chip 115 having such a configuration, the p-type compound semiconductor layer 166 and the n-type compound semiconductor layer Holes and electrons are injected into 162, respectively, and holes and electrons are recombined in the active layer 164 to convert excess energy into light to be emitted to the outside.

이때, 상기 n형 전극(168)과 p형 전극(170)은 각각 상기 리드 프레임(109)의 제 1 부분(109a) 및 제 2 부분(109b)과 제 1 및 2 와이어(117a, 117b)를 통해 연결되고 있다. In this case, the n-type electrode 168 and the p-type electrode 170 respectively connect the first portion 109a and the second portion 109b and the first and second wires 117a and 117b of the lead frame 109. Is being connected through.

이러한 구성을 갖는 상기 LED 칩(115)은 본 발명의 특성 상, 450nm 이하의 짧은 단파장을 갖는 빛 일례로 청색을 발생시키는 청색 LED 칩(115)인 것이 특징이다.The LED chip 115 having such a configuration is characterized in that it is a blue LED chip 115 for generating blue as an example of light having a short short wavelength of 450nm or less in the characteristics of the present invention.

다음, 도 1을 참조하며, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(101)에 있어서 가장 특징적인 구성으로 전술한 구성을 갖는 LED 칩(115) 상부에는 상기 패키지 하우징(110)을 채우며 일반적인 반도체 화합물로 이루어진 형광체층을 대신하여 투명한 레진(140)을 베이스로 하여 일방향으로 그 장축이 배열된 다수의 퀀텀 로드(130)를 구비한 퀀텀 로드층(125)이 구비되고 있는 것이 특징이다. Next, referring to Figure 1, in the LED package 101 according to an embodiment of the present invention as the most characteristic configuration of the LED chip 115 having the above-described configuration to fill the package housing 110, the general semiconductor compound The quantum rod layer 125 is provided with a plurality of quantum rods 130 whose long axes are arranged in one direction based on the transparent resin 140 instead of the phosphor layer.

이때, 상기 LED 칩(115) 상부로 상기 패키지 하우징(110) 내부를 채우며 형성된 상기 퀀텀 로드층(125)은 경화 특성을 갖는 투명한 레진(140) 이외에 상기 다수의 퀀텀 로드(130)만으로 이루어질 수도 있으며, 또는 상기 투명한 레진과 다수의 퀀텀 로드(130) 이외에 발광 보조재(미도시)가 더욱 구비되어 레진(140)과 퀀텀 로드(130) 및 발광 보조재(미도시)로 이루어질 수도 있다. In this case, the quantum rod layer 125 formed while filling the inside of the package housing 110 over the LED chip 115 may be formed of only the plurality of quantum rods 130 in addition to the transparent resin 140 having a curing property. In addition, in addition to the transparent resin and the plurality of quantum rods 130, a light emitting aid (not shown) may be further provided, and thus, may be formed of a resin 140, a quantum rod 130, and a light emitting aid (not shown).

상기 퀀텀 로드층(125)에 퀀텀 로드(130) 이외에 발광 보조재(미도시)가 더욱 구비되는 경우, 상기 퀀텀 로드(130)와 발광 보조재의 함량비는 100w% : 0w% 내지 50w% : 50w% 가 되는 것이 바람직하다. 즉, 발광 보조재의 함량 비율이 상기 퀀텀 로드(130)의 함량비율보다 작거나 또는 최대로 구비된다 하더라도 퀀텀 로드(130)의 함량비와 같은 정도가 되는 것이 바람직하다. 상기 발광 보조재의 함량비가 퀀텀 로드(130)의 함량비보다 큰 값을 가질 경우 편광된 빛을 형광하는 퀀텀 로드(130) 특성 발현이 저하될 수 있기 때문이다.When the quantum rod layer 125 is further provided with a light emitting aid (not shown) in addition to the quantum rod 130, the content ratio of the quantum rod 130 and the light emitting auxiliary material is 100w%: 0w% to 50w%: 50w% It is preferable to become. That is, even if the content ratio of the light emitting aid is less than or equal to the content ratio of the quantum rod 130, the content ratio of the quantum rod 130 may be about the same. This is because when the content ratio of the light emitting aid has a larger value than the content ratio of the quantum rod 130, the expression of the quantum rod 130 for fluorescing polarized light may be deteriorated.

이때, 상기 발광 보조재는 퀀텀 도트(quantum dot), 무기 형광체, 유기 형광체 중 어느 하나 또는 둘 이상이 섞인 물질로 이루어질 수 있다. In this case, the light emitting auxiliary material may be formed of a material in which any one or two or more of a quantum dot, an inorganic phosphor, and an organic phosphor are mixed.

한편, 퀀텀 로드(quantum rod)(130)는 도 3(퀀텀 로드의 형태를 나타낸 도면)에 도시한 바와 같이, 중심을 이루는 코어(core)(132)와 상기 코어(132)를 감싸는 쉘(shell)(134)로 이루어지고 있다. 이때, 도면에서는 상기 퀀텀 로드(130)는 코어(132)와 이를 감싸는 쉘(134)로 이루어지는 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 쉘(134)은 생략되어 코어(132)만으로 이루어질 수도 있다. On the other hand, the quantum rod 130 is a shell (core) 132 and the shell surrounding the core 132 as shown in Fig. 3 (the figure showing the shape of the quantum rod) 134). In this case, the quantum rod 130 is shown as an example consisting of a core 132 and a shell 134 surrounding the quantum rod 130, the shell 134 may be omitted, it may be made of only the core 132.

이때, 상기 코어(132)는 그 형상이 구, 타원구, 다면체, 막대 형태 중 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 도면에서는 일례로 구 형태를 이루는 것을 도시하였다. 한편, 코어(132)만으로 퀀텀 로드(130)를 이루는 경우 상기 코어(132)는 타원구 또는 막대 형태를 이루는 것이 특징이다.In this case, the core 132 may be formed in any one of a sphere, an ellipsoid, a polyhedron, and a rod shape. In the drawing, the core 132 is formed as an example. On the other hand, when forming the quantum rod 130 only by the core 132 is characterized in that the core 132 has an ellipsoid or rod shape.

또한, 상기 코어(132)를 감싸는 쉘(134)을 포함하는 경우, 상기 코어(132)는 구, 타원구, 다면체, 막대 형태 중 어느 형태를 이룰 수 있으며, 이를 감싸는 상기 쉘(134)은 장축과 단축을 가지며 상기 퀀텀 로드(130)의 단축 방향으로 절단한 절단면이 원, 타원, 다각형 형태 중 어느 하나의 형태를 이룰 수 있다. In addition, in the case of including the shell 134 surrounding the core 132, the core 132 may form any one of a sphere, an ellipsoid, a polyhedron, a rod, the shell 134 surrounding the core 132 has a long axis and The cutting surface having a short axis and cut in the short direction of the quantum rod 130 may form one of a circle, an ellipse, and a polygonal shape.

또한, 상기 쉘(134)은 단일층 또는 다중층 구조로 가질 수 있으며, 합금(alloy), 옥사이드 계열 또는 불순물이 도핑된 물질로 이루어지는 것이 특징이다.In addition, the shell 134 may have a single layer or a multi-layered structure, and the shell 134 may be formed of an alloy, an oxide-based material, or a material doped with impurities.

이때, 상기 쉘(134)은 그 단축 대 장축의 비율이 1:1.1 내지 1:30의 범위를 가짐으로써 다양한 비율을 가질 수 있는 것이 특징이다. At this time, the shell 134 is characterized in that the ratio of the short axis to the long axis can have a variety of ratios having a range of 1: 1.1 to 1:30.

또한, 이러한 퀀텀 로드(130)의 코어(132)는 주기율 표의 Ⅱ-Ⅵ, Ⅲ-V, Ⅲ-Ⅵ, Ⅵ-Ⅳ, Ⅳ 족의 반도체, 합금 혹은 그것의 혼합된 물질로 이루어질 수 있다. In addition, the core 132 of the quantum rod 130 may be made of II-VI, III-V, III-VI, VI-IV, IV group semiconductors, alloys or mixed materials thereof.

즉, 상기 퀀텀 로드(130)의 코어(132)가 주기율표의 Ⅱ-Ⅵ족으로 이루어지는 경우, CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgSe, HgTe, CdZnSe 중 어느 하나로 또는 둘 이상의 물질이 혼합될 수 있다.That is, when the core 132 of the quantum rod 130 is made of group II-VI of the periodic table, any one or more of CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgSe, HgTe, CdZnSe This can be mixed.

그리고, Ⅲ-V 족으로 이루어지는 경우, InP, InN, GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, AlP, AlN, AlAs, AlSb, CdSeTe, ZnCdSe 중 어느 하나로 또는 둘 이상의 물질이 혼합될 수 있다.In the case of the III-V group, one or more materials may be mixed with InP, InN, GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, AlP, AlN, AlAs, AlSb, CdSeTe, ZnCdSe have.

또한, Ⅵ-Ⅳ족으로 이루어지는 경우, PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe, Tl2SnTe5중 어느 하나로 또는 둘 이상의 물질이 혼합될 수 있다.In addition, in the case of the VI-IV group, any one of PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe, Tl 2 SnTe 5 or two or more materials may be mixed.

이러한 물질과 비율을 갖는 퀀텀 로드(130)는 동일한 물질의 코어(132)로 구성되더라도 상기 코어(132)의 크기에 따라 형광 파장이 달라진다는 것이다. 코어(132)의 크기가 적어질수록 짧은 파장의 형광을 내며, 코어(132) 크기를 조절함으로써 원하는 가시광선 영역대의 빛을 거의 다 낼 수 있는 것이 특징이다.
The quantum rod 130 having a ratio with such a material may have a fluorescence wavelength according to the size of the core 132 even if the core 132 is made of the same material. As the size of the core 132 decreases, a short wavelength of fluorescence is emitted, and by adjusting the size of the core 132, almost all of the desired visible light range can be emitted.

한편, 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(101)는 특히 액정표시장치용 백라이트 유닛의 광원으로 이용되는 경우, 상기 청색 LED 칩(115)을 통해 나온 빛은 상기 퀀텀 로드층(125)에 입사되고 상기 퀀텀 로드층(125)을 나온 빛은 백색광이 되도록 상기 퀀텀 로드(130)는 그 크기가 적절히 조절된 것이 특징이다. Meanwhile, referring to FIG. 1, when the LED package 101 according to an exemplary embodiment of the present invention is used as a light source of a backlight unit for a liquid crystal display device, light emitted through the blue LED chip 115 may be used as the quantum rod. The quantum rod 130 is properly sized so that the light incident on the layer 125 and exiting the quantum rod layer 125 is white light.

이때, 상기 퀀텀 로드층(125)이 퀀텀 로드(130) 이외에 발광 보조제가 더욱 구비된 경우, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(101) 특성 상, 상기 LED 칩(115)은 450nm 이하의 단파장의 빛을 발광하는 청색 LED 칩(115)이 되므로 일 경우, 상기 발광보조제(미도시)는 황색형광체가 사용되는 것이 바람직하다. In this case, when the quantum rod layer 125 is further provided with a light emission aid in addition to the quantum rod 130, the LED chip 115 has a short wavelength of 450 nm or less in view of the characteristics of the LED package 101 according to an embodiment of the present invention. Since the blue LED chip 115 emits light of the light emitting aid (not shown), it is preferable that a yellow phosphor is used.

상기 황색형광체는 530 ~ 570nm파장을 주파장으로 하는 세륨(Ce)이 도핑된 이트륨(Y) 알루미늄(Al) 가넷인 YAG:Ce(T3Al5O12:Ce)계열 형광체이거나, 또는 실리케이트(silicate)계열의 형광체인 것이 바람직하다. The yellow phosphor is a YAG: Ce (T3Al5O12: Ce) -based phosphor which is a yttrium (Y) aluminum (Al) garnet doped with cerium (Ce) having a wavelength of 530 to 570 nm, or a silicate-based phosphor. Is preferably.

이는 청색과 황색의 적절히 조절되는 경우, 백색광을 발생시킬 수 있기 때문이다.This is because white light can be generated when blue and yellow are properly adjusted.

한편, 상기 퀀텀 로드층(125)은 내부양자효율(quantum yield)은 100%가 되므로 상기 LED 칩(115)으로부터 나온 단파장대의 빛을 흡수하여 상기 LED 칩(115)으로 나온 빛의 거의 100% 수준의 휘도를 갖는 매우 센 형광을 발생시킬 수 있다. Meanwhile, since the quantum rod layer 125 has an internal quantum yield of 100%, the quantum rod layer 125 absorbs light of the short wavelength band emitted from the LED chip 115 to almost 100% of the light emitted from the LED chip 115. It can generate very strong fluorescence having a luminance of.

이러한 특성을 갖는 퀀텀 로드(130)가 구비되는 퀀텀 로드층(125)에 있어서, 다수의 퀀텀 로드(130)는 그 장축이 일방향으로 배열된 구성을 이루는 것이 특징이다.In the quantum rod layer 125 provided with the quantum rod 130 having such characteristics, the plurality of quantum rods 130 is characterized in that its long axis is arranged in one direction.

이때, 상기 LED 패키지(101)가 액정표시장치용 백라이트 유닛의 광원으로 이용되는 경우, 상기 퀀텀 로드층(125)에 구비되는 다수의 퀀텀 로드(130)의 배열 방향은 상기 액정표시장치와 백라이트 유닛 사이에 구비되는 제 1 편광판의 투과축과 일치하는 방향인 것이 바람직하다.In this case, when the LED package 101 is used as a light source of the backlight unit for the liquid crystal display, the arrangement direction of the plurality of quantum rods 130 provided in the quantum rod layer 125 may be arranged in the liquid crystal display and the backlight unit. It is preferable that it is a direction coinciding with the transmission axis of the first polarizing plate provided therebetween.

이렇게 퀀텀 로드층(125) 내부에서 다수의 퀀텀 로드(130)를 배향시키는 방법으로서는 일례로 전압 인가법, 배향막을 이용한 배향법, 자기조립 단분자(self aligned monomer)를 이용한 정렬법, 리액티브 메조겐 물질을 이용한 배향법 중 어느 하나가 될 수 있으며, 전술한 배향법에 한정되지 않고 그 외의 다양한 배향법이 이용될 수 있다. As such a method of orienting the plurality of quantum rods 130 in the quantum rod layer 125, for example, voltage application method, alignment method using an alignment layer, alignment method using self-aligned monomer, reactive mesogen It may be any one of the alignment method using a material, and various other alignment methods may be used without being limited to the above-described alignment method.

또한, 전술한 배향법에 의해 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드(130)는 이와 상기 퀀텀 로드층(125)을 이루는 레진이 광 경화됨으로써 일방향으로 배열된 상태를 그대로 유지하는 것이 특징이다.In addition, the plurality of quantum rods 130 arranged in one direction by the above-described orientation method is characterized in that the resin constituting the quantum rod layer 125 is photocured to maintain a state arranged in one direction.

한편, 퀀텀 로드(130)의 장축이 일방향으로 잘 배열된 정도 즉, 정열도 수준은 편광비 측정을 통해 알 수 있다.Meanwhile, the degree to which the long axis of the quantum rod 130 is well arranged in one direction, that is, the degree of alignment may be determined by measuring the polarization ratio.

상기 LED 패키지(101)의 제 1 및 제 2 부분(109a, 109b)을 갖는 리드 프레임(109)을 통해 적절한 전압을 인가하여 상기 LED 패키지(101)를 구동하도록 한 후, 상기 LED 패키지(101)를 통해 나오는 빛을 특정 방향으로 투과축을 갖는 검광판(미도시)을 통과하도록 한 상태에서 상기 검광판(미도시)을 빠져 나오는 빛량을 측정함으로써 퀀텀 로드층(125)의 편광 정도를 알 수 있다.After driving the LED package 101 by applying an appropriate voltage through the lead frame 109 having the first and second portions 109a and 109b of the LED package 101, the LED package 101 The degree of polarization of the quantum rod layer 125 may be determined by measuring the amount of light exiting the detector plate (not shown) while passing the light emitted through the detector plate (not shown) having a transmission axis in a specific direction. .

LED 칩(115)으로부터 나온 빛량의 세기를 I, 수평 성분만을 갖는 빛을 Ih, 수직 성분만을 갖는 빛을 Iv라 정의 할 때, 통상적으로 퀀텀 로드(130)의 방향성을 부여하지 않았을 경우, 편광비(polarization ratio) PR은, When the intensity of light emitted from the LED chip 115 is defined as I, light having only a horizontal component Ih, and light having only a vertical component Iv, the polarization ratio is generally not provided when the directionality of the quantum rod 130 is not provided. (polarization ratio) PR,

PR = (Ih - Iv)/(Ih+Iv)로 정의된다.PR = (I h -I v ) / (I h + I v ).

이때, 퀀텀 로드층(125)이 배향공정 진행에 의해 퀀텀 로드(130)들이 일방향 즉, 수평 또는 수직방향으로 배열되는 경우, 수평 및 수직 방향의 편광비 PRh 및 PRv는 각각 다음과 같이 정의된다.In this case, when the quantum rod layers 125 are arranged in one direction, that is, in the horizontal or vertical direction by the alignment process, the polarization ratios PR h and PR v in the horizontal and vertical directions are defined as follows. do.

PRh = Ih/(Ih+Iv),PR h = I h / (I h + I v ),

PRv = Iv/(Ih+Iv)PR v = I v / (I h + I v )

따라서, 상기 퀀텀 로드층(125) 내부에 있어서 퀀텀 로드(130)의 장축이 일방향으로 정렬되었다 하는 것은 반드시 상기 퀀텀 로드 모두가 동일한 방향으로 정렬되었다는 것이 아니라, 수평 방향의 편광비 PRh 또는 수평 방향의 편광비 PRv가 0.5보다는 크고 1보다는 작은 값을 갖는 것 즉, 0.5 < PRh 또는 PRv < 1 을 만족시키는 것을 의미한다.Accordingly, the fact that the long axes of the quantum rods 130 are aligned in one direction in the quantum rod layer 125 does not necessarily mean that the quantum rods are all aligned in the same direction, but the polarization ratio PR h in the horizontal direction or the horizontal direction. Means that the polarization ratio PR v of has a value larger than 0.5 and smaller than 1, that is, satisfying 0.5 <PR h or PR v <1.

이렇게 다수의 퀀텀 로드(130)가 일방향으로 배열된 퀀텀 로드층(125)은 상기 LED 칩(115)으로부터 나온 빛을 받아 형광을 발현함과 동시에 형광된 빛은 편광 특성을 갖는 것이 특징이다. The quantum rod layer 125 in which the plurality of quantum rods 130 are arranged in one direction is characterized by receiving light emitted from the LED chip 115 and expressing fluorescence, and at the same time, the fluorescence light has polarization characteristics.

즉, 퀀텀 로드(130) 자체의 특성에 의해 빛 바람직하게는 450nm 이하의 단파장을 갖는 빛을 받아들여 내부적인 형광 작용에 의해 빛을 발산하게 되며, 퀀텀 로드(130)의 배열 특성에 의해 상기 퀀텀 로드층(125)으로부터 발생된 빛은 그 자체로 편광 특성을 갖게 됨으로써 이렇게 퀀텀 로드(130)가 일 방향으로 배열된 퀀텀 로드층(125)을 구비한 LED 패키지(101)는 상기 퀀텀 로드층(125)에서 형광된 빛은 일방향으로 편광된 빛이 되는 것이 특징이다. That is, due to the characteristics of the quantum rod 130 itself, the light preferably receives light having a short wavelength of 450 nm or less and emits light by internal fluorescence, and the arrangement of the quantum rod 130 causes the quantum to emit light. Since the light generated from the rod layer 125 has a polarization characteristic by itself, the LED package 101 having the quantum rod layer 125 in which the quantum rod 130 is arranged in one direction may be manufactured using the quantum rod layer ( 125 is characterized in that the light is a polarized light in one direction.

따라서, 이러한 본 발명 일시예의 특징적인 구성을 갖는 LED 패키지(101)를 광원으로 하는 백라이트 유닛(도 4의 220)으로 이용하고, 이러한 백라이트 유닛(도 4의 220)을 구비한 액정표시장치(도 4의 200)의 경우, 상기 백라이트 유닛(도 4의 220)을 통해 나온 빛은 이미 편광 특성을 가지므로 상기 액정표시장치(도 4의 200)의 제 1 편광판(미도시)의 투과축을 적절히 조절하게 되면, 상기 LED 패키지(101)로 나온 빛의 대부분이 손실없이 상기 제 1 편광판(미도시)을 투과하도록 할 수 있다.Accordingly, a liquid crystal display device (Fig. 4) having such a backlight unit (220 in Fig. 4) is used as a backlight unit (220 in Fig. 4) using the LED package 101 having the characteristic configuration of the present invention as a light source. In case of 200 of 4, light emitted through the backlight unit 220 of FIG. 4 already has polarization characteristics, so that the transmission axis of the first polarizing plate (not shown) of the liquid crystal display device 200 of FIG. 4 is properly adjusted. In this case, most of the light emitted from the LED package 101 may be transmitted through the first polarizing plate (not shown) without loss.

따라서 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(101)를 구비한 액정표시장치(도 4의 200)의 경우, 통상의 액정표시장치에 있어서 발생되는 제 1 편광판을 투과하면서 손실되는 빛량을 저감시킬 수 있으므로 고 휘도 특성을 갖는 액정표시장치(도 4의 200)를 이룰 수 있다. Accordingly, in the case of the liquid crystal display device 200 having the LED package 101 according to an exemplary embodiment of the present invention, the amount of light lost while passing through the first polarizing plate generated in the conventional liquid crystal display device may be reduced. Therefore, a liquid crystal display (200 in FIG. 4) having high luminance characteristics can be achieved.

통상적으로 비 편광된 빛은 편광판을 통과하는 경우, 약 50%의 빛량 손실이 발생하지만, 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(101)로부터 나온 편광된 빛은 상기 퀀텀 로드층(125)을 이루는 퀀텀 로드(130)의 장축의 배열 정도와 단축 대비 장축의 비의 변화에 따라 차이가 있지만, 60% 내지 90% 정도가 투과됨을 실험적으로 알 수 있었다. Typically, when the non-polarized light passes through the polarizer, light loss of about 50% occurs, but the polarized light from the LED package 101 according to the embodiment of the present invention forms the quantum rod layer 125. Although there is a difference according to the change in the arrangement of the long axis of the quantum rod 130 and the ratio of the long axis to the short axis, it can be seen experimentally that about 60% to 90% is transmitted.

따라서, 편광된 빛을 발광하는 본 발명의 실시예에 따른 LED 패키지(101)를 광원으로 하는 백라이트 유닛(도 4의 220)을 구비한 액정표시장치(도 4의 200)는 통상적인 비편광된 빛을 발광하는 LED 패키지를 백라이트 유닛으로 하는 액정표시장치 대비 휘도 특성에 있어서 10% 내지 40% 정도 향상되는 효과를 갖는다.
Therefore, the liquid crystal display (200 in FIG. 4) having the backlight unit (220 in FIG. 4) having the LED package 101 according to the embodiment of the present invention which emits polarized light as a light source is conventionally unpolarized. Compared to the liquid crystal display device using the LED package that emits light as a backlight unit, the luminance is improved by about 10% to 40%.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 퀀텀 로드층을 구비한 LED 패키지를 광원으로 하는 백라이트 유닛이 구비된 액정표시장치의 분해사시도이다.4 is an exploded perspective view of a liquid crystal display device having a backlight unit using a LED package having a quantum rod layer as a light source according to an embodiment of the present invention.

도시한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(200)는, 액정패널(210)과, 퀀텀 로드층(도 1의 125)을 갖는 LED 패키지(101)가 구비된 백라이트 유닛(220), 그리고 상기 액정패널(210)과 백라이트 유닛(220)을 모듈화하기 위한 탑커버(240)와 서포트메인(230)으로 구성된다. As illustrated, the liquid crystal display 200 according to the exemplary embodiment of the present invention includes a backlight unit 220 having a liquid crystal panel 210 and an LED package 101 having a quantum rod layer (125 of FIG. 1). And a top cover 240 and a support main 230 for modularizing the liquid crystal panel 210 and the backlight unit 220.

이들 각각에 대해 좀 더 자세히 살펴보면, 상기 액정패널(110)은 화상표현의 핵심적인 역할을 담당하는 부분으로서, 액정층(미도시)을 사이에 두고 서로 대면 합착된 제 1 기판(112) 및 제 2 기판(114)을 포함한다. Looking at each of them in more detail, the liquid crystal panel 110 is a part that plays a key role in image expression, the first substrate 112 and the first bonded to each other with a liquid crystal layer (not shown) between Two substrates 114.

이때, 액티브 매트릭스 방식이라는 전제 하에 비록 도면상에 나타나지는 않았지만 통상 하부기판 또는 어레이 기판이라 불리는 상기 제 1 기판(112)의 내측면에는 다수의 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시)이 교차하여 화소영역(pixel)이 정의되고 있으며, 상기 각 화소영역에는 이들 두 배선의 교차점마다 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)(미도시)가 구비되고 있으며, 이들 각 화소영역에는 상기 박막트랜지스터(미도시)의 드레인 전극과 접촉하며 투명한 화소전극(미도시)이 구비되고 있다. At this time, a plurality of gate wirings (not shown) and data wirings (not shown) are formed on an inner surface of the first substrate 112, which is generally referred to as a lower substrate or an array substrate, although not shown in the drawings under the premise of an active matrix method. Pixel regions are defined to cross each other, and each pixel region includes a thin film transistor (TFT) (not shown) at each intersection point of the two wires, and each of the pixel regions includes the thin film transistor ( A transparent pixel electrode (not shown) is provided in contact with the drain electrode of the not shown.

그리고 상부기판 또는 컬러필터 기판이라 불리는 상기 제 2 기판(114)의 내측면에는 상기 각 화소영역에 대응하여 적(R), 녹(G), 청(B)색의 컬러필터(color filter) 패턴이 구비된 컬러필터층(미도시)이 형성되고 있으며, 상기 적, 녹, 청색 컬러필터 패턴(미도시)을 두르며 상기 게이트 배선(미도시)과 데이터 배선(미도시) 그리고 박막트랜지스터(미도시) 등의 비표시요소를 가리는 블랙매트릭스(black matrix)(미도시)가 구비되고 있다. 또한, 상기 컬러필터층(미도시)과 블랙매트릭스(미도시)를 덮으며 표시영역 전면에 투명한 공통전극(미도시)이 형성되고 있다.In addition, a color filter pattern of red (R), green (G), and blue (B) colors is formed on an inner surface of the second substrate 114 called an upper substrate or a color filter substrate. The color filter layer (not shown) is formed, and covers the red, green, and blue color filter patterns (not shown), the gate wiring (not shown), data wiring (not shown), and thin film transistor (not shown). A black matrix (not shown) covering non-display elements such as) is provided. In addition, a transparent common electrode (not shown) is formed over the display area and covers the color filter layer (not shown) and the black matrix (not shown).

이러한 구성을 갖는 액정패널(210)은 일례를 나타낸 것이며, 다양하게 변형될 수 있다. 일례로 상기 액정패널은 상기 제 1 기판의 내측면에 각 화소영역별로 바(bar) 형태를 갖는 화소전극과 공통전극이 교대하는 형태를 가지며 구성될 수도 있으며, 이러한 구성을 갖는 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판의 내측면에는 표시영역 전면에 형성되는 투명한 공통전극은 생략되고 이를 대신하여 오버코트층이 상기 컬러필터층과 블랙매트릭스를 덮으며 형성될 수도 있다. The liquid crystal panel 210 having such a configuration is an example and may be variously modified. For example, the liquid crystal panel may have a shape in which a pixel electrode having a bar shape and a common electrode are alternately formed on the inner surface of the first substrate, and face the first substrate having such a configuration. The transparent common electrode formed on the entire surface of the display area is omitted on the inner surface of the second substrate, and an overcoat layer may be formed to cover the color filter layer and the black matrix instead.

그리고 이러한 구성을 갖는 액정패널(210)의 상기 제 1 및 제 2 기판(112, 114)의 외면으로는 특정 빛만을 선택적으로 투과시키는 제 1 및 제 2 편광판(미도시)이 서로 수직한 편광축(또는 투과축)을 갖도록 구비되고 있다. 이때, 상기 백라이트 유닛(220)과 인접하여 구비되는 상기 제 1 편광판(미도시)은 상기 LED 패키지(101)를 통해 나온 빛의 편광 방향과 그 편광축이 일치하도록 배치되는 것이 특징이다. In addition, first and second polarizing plates (not shown) for selectively transmitting only specific light may be disposed on the outer surfaces of the first and second substrates 112 and 114 of the liquid crystal panel 210 having such a configuration. Or a transmission axis). In this case, the first polarizing plate (not shown) provided adjacent to the backlight unit 220 may be arranged to coincide with the polarization direction of the light emitted through the LED package 101.

또한, 이 같은 액정패널(110)의 적어도 일 가장자리를 따라서는 연성회로기판(Flexible printed circuit board : FPCB) 이나 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package : TCP) 같은 연결부재(116)를 매개로 인쇄회로기판(117)이 연결되어 모듈화 과정에서 상기 서포트메인(130)의 측면 내지는 배면으로 적절하게 젖혀 밀착된다. In addition, a printed circuit board may be formed along at least one edge of the liquid crystal panel 110 through a connection member 116 such as a flexible printed circuit board (FPCB) or a tape carrier package (TCP). 117 is connected to the side or the back of the support main 130 is properly folded in close contact during the modularization process.

이러한 구성을 갖는 상기 액정패널(110)은 게이트 구동회로의 온(on)/오프 (off) 신호에 의해 각 게이트 배선(미도시) 별로 선택된 박막트랜지스터(미도시)가 온(on) 되면 데이터 구동회로의 신호전압이 데이터 배선(미도시)을 통해서 해당 화소전극(미도시)으로 전달되고, 이에 따른 화소전극(미도시)과 공통전극(미도시) 사이에 발생되는 전계에 의해 액정층(미도시) 내의 액정분자의 배열방향이 변화되어 투과율 차이를 나타낸다.The liquid crystal panel 110 having the above structure is configured to drive a data driving circuit when a thin film transistor (not shown) selected for each gate line is turned on by an on / off signal of a gate driving circuit. Signal voltage to the pixel electrode (not shown) through the data line (not shown), the liquid crystal layer (not shown) by the electric field generated between the pixel electrode (not shown) and the common electrode (not shown) The arrangement direction of the liquid crystal molecules in Si) is changed to show a difference in transmittance.

아울러 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(200)에는 상기 액정패널(210)이 나타내는 투과율의 차이가 외부로 발현되도록 이의 배면에서 빛을 공급하는 백라이트 유닛(220)이 상기 제 1 편광판(미도시)의 외측면에 구비되고 있다. In addition, the liquid crystal display device 200 according to the embodiment of the present invention includes a backlight unit 220 for supplying light from the rear surface of the first polarizing plate (not shown) so that the difference in transmittance of the liquid crystal panel 210 is expressed to the outside. It is provided in the outer side of the case.

상기 백라이트 유닛(220)은 백색 또는 은색의 반사판(225)과, 이러한 반사판(225) 상에 안착되는 도광판(223)과, 상기 도광판(223)의 양측에 서로 마주하도록 위치하는 제 1 및 제 2 LED 어셈블리(222a, 222b) 그리고 상기 도광판(223) 상부로 개재되는 광학시트(221)를 포함한다. The backlight unit 220 includes a white or silver reflecting plate 225, a light guide plate 223 seated on the reflecting plate 225, and first and second positions facing each other on both sides of the light guide plate 223. LED assemblies 222a and 222b and an optical sheet 221 disposed on the light guide plate 223.

한편, 도면에 있어서는 도광판의 서로 마주하는 측면에 대응하여 두 개 즉 제 1 및 제 2 LED 어셈블리(222a, 222b)가 구비된 것을 일례로 보이고 있지만, 상기 제 1, 2 어셈블리(222a, 222b)중 어느 하나만이 구비될 수도 있다. On the other hand, in the drawings, the first and second LED assemblies 222a and 222b are provided in one example corresponding to the side surfaces of the light guide plate facing each other, but one of the first and second assemblies 222a and 222b is provided. Only one may be provided.

상기 제 1 및 제 2 LED 어셈블리(222a, 222b)는 상기 도광판(223)의 측면과 대면하도록 상기 도광판(223)의 서로 마주하는 양측에 각각 위치하고 있다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 LED 어셈블리(222a, 222b)는 각각 일정한 이격간격을 가지며 배치되는 다수개의 LED 패키지(101)와, 상기 다수개의 LED 패키지(101)가 장착되는 LED PCB(221)를 포함하여 구성되고 있다. The first and second LED assemblies 222a and 222b are positioned at opposite sides of the light guide plate 223 so as to face side surfaces of the light guide plate 223, respectively. In this case, the first and second LED assemblies 222a and 222b respectively include a plurality of LED packages 101 disposed at regular intervals and an LED PCB 221 on which the plurality of LED packages 101 are mounted. It is configured to include.

이때, 상기 제 1 및 제 2 LED 어셈블리(222a, 222b)에 구비되는 다수의 LED 패키지(101)는 도 1을 참조하여 설명한 바와같이, 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드(도 1의 130)로 구성되는 퀀텀 로드층(도 1의 125)이 패키지 하우징(도 1의 110) 내부를 채우며 LED 칩(도 1의 115) 상부에 형성된 구성을 갖는 것이 특징이다. 이러한 구성에 의해 상기 LED 칩(도 1의 115)으로부터 나온 빛은 상기 퀀텀 로드층(도 1의 125)에 흡수된 후, 형광됨으로써 편광된 빛을 방출하는 것이 특징이다. 이러한 본 발명의 특징적인 구성인 LED 패키지(101)에 대해서는 그 구성에 상세히 설명하였으므로 이하 생략한다.In this case, the plurality of LED packages 101 included in the first and second LED assemblies 222a and 222b may be formed by a plurality of quantum rods 130 arranged in one direction as described with reference to FIG. 1. The quantum rod layer 125 of FIG. 1 fills the inside of the package housing 110 of FIG. 1 and has a configuration formed on the LED chip 115 of FIG. 1. The light emitted from the LED chip (115 in FIG. 1) by this configuration is absorbed by the quantum rod layer (125 in FIG. 1) and is then fluoresced to emit polarized light. Since the LED package 101, which is a characteristic configuration of the present invention, has been described in detail in the configuration, it will be omitted below.

한편, 상기 반사판(225)은 상기 도광판(223)의 배면에 위치하여, 상기 도광판(223)의 배면을 통과한 빛을 상기 액정패널(210) 쪽으로 반사시킴으로써 빛의 휘도를 향상시킨다. On the other hand, the reflective plate 225 is located on the rear surface of the light guide plate 223, and reflects the light passing through the rear surface of the light guide plate 223 toward the liquid crystal panel 210 to improve the brightness of the light.

또한, 상기 도광판(223) 상부에는 광학시트(221)가 구비되고 있다. 이때, 상기 광학시트(221)는 확산시트와 적어도 하나의 집광시트 등을 포함하며, 상기 도광판(223)을 통과한 빛을 확산 또는 집광하여 상기 액정패널(210)로 보다 균일한 면광원이 입사 되도록 하는 역할을 한다. In addition, an optical sheet 221 is provided on the light guide plate 223. In this case, the optical sheet 221 includes a diffusion sheet and at least one light collecting sheet, and diffuses or collects the light passing through the light guide plate 223 so that a more uniform surface light source is incident on the liquid crystal panel 210. Play a role.

이러한 액정패널(210)과 백라이트 유닛(220)은 탑커버(240)와 서포트메인(230) 그리고 커버버툼(250)을 통해 모듈화 되는데, 상기 탑커버(240)는 상기 액정패널(210)의 상면 및 측면 가장자리를 덮도록 단면이"ㄱ"형태로 절곡된 사각테 형상으로, 상기 탑커버(240)의 전면을 개구하여 상기 액정패널(210)에서 구현되는 화상을 표시하도록 구성한다. The liquid crystal panel 210 and the backlight unit 220 are modularized through the top cover 240, the support main 230, and the cover bottom 250. The top cover 240 is an upper surface of the liquid crystal panel 210. And a rectangular frame having a cross section bent in a shape of “a” so as to cover side edges, and opening the front surface of the top cover 240 to display an image implemented in the liquid crystal panel 210.

또한, 상기 액정패널(210) 및 백라이트 유닛(220)이 안착하여 액정표시장치(200) 전체 기구물 조립에 기초가 되는 커버버툼(250)은 가장자리가 수직 절곡된 가장자리부를 구비한 사각형의 판 형상으로, 상기 백라이트 유닛(220) 배면에 밀착되는 수평면(251) 및 이의 가장자리가 수직하게 상향 절곡된 측면(253)으로 이루어진다.In addition, the cover bottom 250, which is the basis for assembling the entire apparatus of the liquid crystal display device 200 by mounting the liquid crystal panel 210 and the backlight unit 220, has a rectangular plate shape having an edge portion of which the edge is vertically bent. The horizontal surface 251 in close contact with the back surface of the backlight unit 220 and a side surface 253 whose edge is vertically bent upwardly.

그리고, 이러한 커버버툼(250) 상에 안착되며 상기 액정패널(210) 및 백라이트 유닛(220)의 가장자리를 두르는 일 가장자리가 개구된 사각의 테 형상의 서포트메인(230)이 상기 탑커버(240)와 커버버툼(250)과 결합됨으로써 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(200)를 이루고 있다. In addition, a rectangular frame-shaped support main 230 mounted on the cover bottom 250 and having one edge open around the edges of the liquid crystal panel 210 and the backlight unit 220 is the top cover 240. And the cover bottom 250 are combined to form the liquid crystal display 200 according to the exemplary embodiment of the present invention.

이때, 상기 탑커버(240)는 케이스탑 또는 탑케이스라 일컬어지기도 하고, 상기 서포트메인(230)은 가이드패널 또는 메인서포트, 몰드프레임이라 일컬어지기도 하며, 상기 커버버툼(250)은 버텀커버 또는 하부커버라 일컬어지기도 한다.In this case, the top cover 240 may also be referred to as a case top or a top case, and the support main 230 may also be referred to as a guide panel, a main support, or a mold frame, and the cover bottom 250 may be a bottom cover or a bottom. It is also called a cover.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(200)는, 상기 백라이트 유닛(220)으로부터 나온 빛은 다수의 LED 패키지(101) 각각의 내부에 구비되는 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드(도 1의 130)로 구성된 퀀텀 로드층(도 1의 125)에서 형광되어 나오게 되므로 편광된 상태를 가지게 되므로 상기 제 1 편광판(미도시)을 투과하는 빛량이 비 편광된 빛을 발생시키는 백라이트 유닛을 구비한 액정표시장치 대비 10% 내지 40% 정도 향상시킬 수 있다. In the liquid crystal display device 200 according to the exemplary embodiment of the present invention, the light emitted from the backlight unit 220 includes a plurality of quantum rods arranged in one direction provided in each of the plurality of LED packages 101. Since the quantum rod layer (125 of FIG. 1) composed of (130 of FIG. 1) is fluoresced and has a polarized state, the backlight unit generates a non-polarized light amount of light passing through the first polarizing plate (not shown). It can be improved by 10% to 40% compared to the liquid crystal display having a.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치(200)는 고 휘도 특성을 갖게되며, 휘도 특성을 일반적인 액정표시장치와 동일한 수준이 되도록 구성하는 경우, 상대적으로 저휘도를 갖는 백라이트 유닛을 구성할 수 있으므로 소비전력을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.
Therefore, the liquid crystal display 200 according to the exemplary embodiment of the present invention has a high luminance characteristic, and when the luminance characteristic is configured to be the same as that of a general liquid crystal display, a backlight unit having a relatively low luminance may be configured. As a result, power consumption can be reduced.

이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경될 수 있음은 자명하다. The present invention described above is not limited to the above-described embodiment and the accompanying drawings, and it is obvious that various forms of substitution, modification and change can be made without departing from the spirit of the present invention.

101 : LED 패키지
109 : 리드 프레임
109a, 109b : (리드 프레임의) 제 1, 2 부분
110 : 패키지 하우징
115 : LED 칩
117a, 117b : 제 1 및 제 2 와이어
125 : 퀀텀 로드층
130 : 퀀텀 로드
140 : 레진101: LED package
109: lead frame
109a, 109b: first and second part (of the lead frame)
110: package housing
115: LED Chip
117a, 117b: first and second wire
125: quantum rod layer
130: quantum rod
140: resin

Claims (19)

서로 이격하며 리드 프레임과;
상기 리드 프레임 상면에 구비된 LED 칩과;
상기 LED 칩을 둘러싸는 형태로 상기 리드 프레임 상면에 구비된 패키지 하우징과;
상기 패키지 하우징 내부를 채우며 상기 LED 칩 상부에 구비된 퀀텀 로드층
을 포함하는 발광 다이오드 패키지.
A lead frame spaced apart from each other;
An LED chip provided on an upper surface of the lead frame;
A package housing provided on an upper surface of the lead frame so as to surround the LED chip;
A quantum rod layer filling the inside of the package housing and provided on the LED chip.
And a light emitting diode package.
제 1 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드층은 장축이 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드로 이루어진 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 1,
The quantum rod layer is a light emitting diode package, characterized in that consisting of a plurality of quantum rods long axis arranged in one direction.
제 2 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드층은 상기 다수의 퀀텀 로드 이외에 발광 보조재가 구비되며, 상기 퀀텀 로드와 발광 보조재의 함량비는 100w% : 0w% 내지 50w% : 50w% 인 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
3. The method of claim 2,
The quantum rod layer is provided with a light emitting auxiliary material in addition to the plurality of quantum rod, the light emitting diode package, characterized in that the content ratio of the quantum rod and the light emitting auxiliary material is 100w%: 0w% to 50w%: 50w%.
제 3 항에 있어서,
상기 발광 보조재는 퀀텀 도트(quantum dot), 무기 형광체, 유기 형광체 중 어느 하나 또는 둘 이상이 섞인 물질인 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 3, wherein
The light emitting auxiliary material is a light emitting diode package, characterized in that any one or two or more of a quantum dot (quantum dot), an inorganic phosphor, an organic phosphor is mixed.
제 3 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드층은 경화 특성을 갖는 레진을 포함하여 상기 다수의 퀀텀 로드의 장축이 일 방향으로 배열된 후 상기 레진이 경화되어 일 방향으로 배열된 상태를 유지하는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 3, wherein
The quantum rod layer includes a resin having a curing property, and after the long axis of the plurality of quantum rods is arranged in one direction, the resin is cured and maintained in a state arranged in one direction.
제 5 항에 있어서,
상기 다수의 퀀텀 로드의 장축이 일 방향으로 배열되었다고 하는 것은,
수평 방향의 편광비 PRh 와 수직 방향의 편광비 PRv를 각각 PRh = Ih/(Ih+Iv), PRv = Iv/(Ih+Iv) 이라 정의할 때, 상기 수평 방향의 편광비 PRh 또는 수직 방향의 편광비 PRv가 0.5보다는 크고 1보다는 작은 값을 갖는 즉, 0.5 < PRh(또는 PRv)< 1 을 만족시키는 것을 의미하는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 5, wherein
To say that the major axis of the plurality of quantum rods are arranged in one direction,
When the polarization ratio PR h in the horizontal direction and the polarization ratio PR v in the vertical direction are defined as PR h = I h / (I h + I v ) and PR v = I v / (I h + I v ), LED package characterized in that the polarization ratio PR h in the horizontal direction or the polarization ratio PR v in the vertical direction has a value greater than 0.5 and less than 1, that is, satisfying 0.5 <PR h (or PR v ) <1 .
제 1 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드층 상부에는 이를 덮으며 렌즈가 구비된 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 1,
A light emitting diode package having a lens covering the upper portion of the quantum rod layer.
제 1 항에 있어서,
상기 LED 칩은 450nm 이하의 단파장의 빛을 발광하는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 1,
The LED chip is characterized in that light emitting diode package of 450nm or less short wavelength.
제 1 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드는 코어만으로 이루어지거나,
또는 코어와 상기 코어를 둘러싸는 쉘로 이루어지며, 상기 쉘은 단축과 장축을 갖는 형태를 이루며 단축 대 장축의 비가 1:1.1 내지 1:30인 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 1,
The quantum rod is made of only cores,
Or a core and a shell surrounding the core, wherein the shell is configured to have a short axis and a long axis, and a ratio of short axis to long axis is 1: 1.1 to 1:30.
제 9 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드는 그 형상이 구, 타원구, 다면체, 막대 형태 중 어느 하나를 이루며,
상기 쉘은 상기 퀀텀 로드의 단축 방향으로 절단한 절단면이 원, 타원, 다각형 형태 중 어느 하나의 형태를 이루는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 9,
The quantum rod has a shape of any one of sphere, ellipsoid, polyhedron, rod shape,
The shell is a light emitting diode package, characterized in that the cut surface cut in the axial direction of the quantum rod form any one of a circle, an ellipse, a polygonal shape.
제 9 항에 있어서,
상기 쉘은 단일층 또는 다중층 구조를 이루는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 9,
The shell is a light emitting diode package, characterized in that a single layer or a multi-layer structure.
제 11 항에 있어서,
상기 쉘은 합금(alloy), 옥사이드 계열 또는 불순물이 도핑된 물질로 이루어지는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 11,
The shell is a light emitting diode package, characterized in that consisting of a material doped with an alloy (alloy), oxide-based or impurities.
제 9 항에 있어서,
상기 코어는 주기율표 상의 Ⅱ-Ⅵ, Ⅲ-V, Ⅲ-Ⅵ, Ⅵ-Ⅳ, Ⅳ 족의 반도체, 합금 또는 혼합된 물질로 이루어지는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 9,
The core is a light emitting diode package, characterized in that consisting of a semiconductor, an alloy or a mixed material of II-VI, III-V, III-VI, VI-IV, IV on the periodic table.
제 13 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드의 코어는 Ⅱ-Ⅵ족으로 이루어지는 경우, CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgSe, HgTe, CdZnSe 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지며,
Ⅲ-V 족으로 이루어지는 경우, InP, InN, GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, AlP, AlN, AlAs, AlSb, CdSeTe, ZnCdSe 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지며,
Ⅵ-Ⅳ족으로 이루어지는 경우, PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe, Tl2SnTe5 중 어느 하나로 이루어지거나 또는 둘 이상의 물질이 혼합된 물질로 이루어지는 것이 특징인 발광 다이오드 패키지.
The method of claim 13,
The core of the quantum rod is made of any one of CdSe, CdS, CdTe, ZnO, ZnSe, ZnS, ZnTe, HgSe, HgTe, CdZnSe or a mixture of two or more materials when the core of the quantum rod is made of II-VI group,
In the case of the III-V group, InP, InN, GaN, InSb, InAsP, InGaAs, GaAs, GaP, GaSb, AlP, AlN, AlAs, AlSb, CdSeTe, ZnCdSe, or a mixture of two or more materials It consists of
In the case of the VI-IV group, PbSe, PbTe, PbS, PbSnTe, Tl 2 SnTe 5 One of the light emitting diode package, characterized in that made of a material or a mixture of two or more materials.
액정패널과;
상기 액정패널의 외측면에 서로 편광축이 직교하도록 부착된 제 1 및 제 2 편광판과;
상기 제 1 편광판의 외측면에 구비되며, 서로 이격하며 리드 프레임과, 상기 리드 프레임 상면에 구비된 LED 칩과, 상기 LED 칩을 둘러싸는 형태로 상기 리드 프레임 상면에 구비된 패키지 하우징과, 상기 패키지 하우징 내부를 채우며 상기 LED 칩 상부에 구비된 퀀텀 로드층을 포함하는 발광 다이오드 패키지를 광원으로 하는 백라이트 유닛
을 포함하는 액정표시장치.
A liquid crystal panel;
First and second polarizing plates attached to an outer surface of the liquid crystal panel such that polarization axes are perpendicular to each other;
A lead frame provided on an outer side surface of the first polarizing plate and spaced apart from each other, an LED chip provided on an upper surface of the lead frame, a package housing provided on an upper surface of the lead frame so as to surround the LED chip, and the package A backlight unit using a light emitting diode package including a quantum rod layer provided on an upper surface of the LED chip and filling the inside of the housing.
Liquid crystal display comprising a.
제 15 항에 있어서,
상기 백라이트 유닛은, 상기 액정패널 하부에 구비된 도광판과, 상기 도광판의 측면에 구비되며 상기 다수의 LED 패키지가 실장된 LED 어셈블리와, 상기 도광판과 상기 액정패널 사이에 구비된 광학시트와, 상기 도광판 하부에 구비된 반사판을 포함하며,
상기 액정표시장치는,
상기 액정패널의 가장자리를 두르는 서포트메인과, 상기 서포트메인 배면과 밀착되는 저면과 이의 측면으로 구성되는 커버버툼과, 상기 액정패널의 상면 및 측면 가장자리를 덮으며, 사각테 형상으로 상기 액정패널의 표시영역에 대응하여 개구를 갖는 탑커버를 포함하는 액정표시장치.
The method of claim 15,
The backlight unit may include a light guide plate provided under the liquid crystal panel, an LED assembly provided on a side surface of the light guide plate and mounted with the plurality of LED packages, an optical sheet provided between the light guide plate and the liquid crystal panel, and the light guide plate. It includes a reflector provided on the bottom,
In the liquid crystal display device,
A support main covering the edge of the liquid crystal panel, a cover bottom consisting of a bottom surface and a side thereof in close contact with the back of the support main, and covering the top and side edges of the liquid crystal panel, and displaying the liquid crystal panel in a rectangular frame shape. And a top cover having an opening corresponding to the area.
제 15 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드층은,
장축이 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드로 이루어지거나,
또는 장축이 일방향으로 배열된 다수의 퀀텀 로드와 발광 보조재가 구비되며, 상기 퀀텀 로드와 발광 보조재의 함량비는 100w% : 0w% 내지 50w% : 50w% 인 것이 특징이며, 상기 다수의 퀀텀 로드가 일방향으로 배열됨으로써 편광된 빛을 발생시키는 것이 특징인 액정표시장치.
The method of claim 15,
The quantum rod layer,
Consists of multiple quantum rods with long axes arranged in one direction,
Or a plurality of quantum rods and light emitting auxiliary materials having long axes arranged in one direction, and the content ratio of the quantum rods and light emitting auxiliary materials is 100w%: 0w% to 50w%: 50w%. A liquid crystal display device characterized by generating polarized light by being arranged in one direction.
제 17 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드층은 경화 특성을 갖는 레진을 포함하여 상기 다수의 퀀텀 로드의 장축이 일 방향으로 배열된 후 상기 레진이 경화되어 일 방향으로 배열된 상태를 유지하는 것이 특징인 액정표시장치.
The method of claim 17,
The quantum rod layer includes a resin having a curing property, and after the major axes of the plurality of quantum rods are arranged in one direction, the resin is cured to maintain a state arranged in one direction.
제 17 항에 있어서,
상기 퀀텀 로드층의 다수의 퀀텀 로드의 배열 방향과 상기 제 1 편광판의 투과축이 나란한 것이 특징인 액정표시장치.The method of claim 17,
And a transmission axis of the plurality of quantum rods of the quantum rod layer and a transmission axis of the first polarizing plate are parallel to each other.
KR1020110120538A 2011-11-17 2011-11-17 Lighting emitting diode package including quantum rods and liquid crystal display device KR101949385B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110120538A KR101949385B1 (en) 2011-11-17 2011-11-17 Lighting emitting diode package including quantum rods and liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110120538A KR101949385B1 (en) 2011-11-17 2011-11-17 Lighting emitting diode package including quantum rods and liquid crystal display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130055058A true KR20130055058A (en) 2013-05-28
KR101949385B1 KR101949385B1 (en) 2019-02-18

Family

ID=48663638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110120538A KR101949385B1 (en) 2011-11-17 2011-11-17 Lighting emitting diode package including quantum rods and liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101949385B1 (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150061918A (en) * 2013-11-28 2015-06-05 엘지디스플레이 주식회사 Quantum rod and liquid crystal display device including the same
WO2015175800A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Pacific Light Technologies Corp. Squared-off semiconductor coatings for quantum dots (qds)
CN105301837A (en) * 2015-11-11 2016-02-03 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal display
WO2016120262A1 (en) * 2015-01-28 2016-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic arrangement with radiation conversion element, and method for producing a radiation conversion element
KR20170079328A (en) * 2015-12-30 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 Transparent liquid crystal display device
KR20180031845A (en) * 2016-09-19 2018-03-29 엘지디스플레이 주식회사 Inorganic emitting particle, Inorganic emitting particle film, and LED package and Display device including the same
US10680144B2 (en) 2017-06-05 2020-06-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot glass cell and light-emitting device package including the same
US11355583B2 (en) 2016-07-28 2022-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots and devices including the same
EP3913696A4 (en) * 2019-01-15 2022-10-19 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device, display device comprising same, and method for manufacturing display device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008547235A (en) * 2005-07-11 2008-12-25 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド Light emitting device using nanowire phosphor
KR20110049114A (en) * 2009-11-04 2011-05-12 엘지디스플레이 주식회사 Light emitting diode package and lcd module including the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008547235A (en) * 2005-07-11 2008-12-25 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド Light emitting device using nanowire phosphor
KR20110049114A (en) * 2009-11-04 2011-05-12 엘지디스플레이 주식회사 Light emitting diode package and lcd module including the same

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150061918A (en) * 2013-11-28 2015-06-05 엘지디스플레이 주식회사 Quantum rod and liquid crystal display device including the same
WO2015175800A1 (en) * 2014-05-16 2015-11-19 Pacific Light Technologies Corp. Squared-off semiconductor coatings for quantum dots (qds)
US10186631B2 (en) 2014-05-16 2019-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Squared-off semiconductor coatings for quantum dots (QDs)
JP2018503983A (en) * 2015-01-28 2018-02-08 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ Optoelectronic device having radiation conversion element and method of manufacturing radiation conversion element
CN107209413A (en) * 2015-01-28 2017-09-26 欧司朗光电半导体有限公司 Photoelectron device with radiation converting element and the method for manufacturing radiation converting element
WO2016120262A1 (en) * 2015-01-28 2016-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic arrangement with radiation conversion element, and method for producing a radiation conversion element
US10573790B2 (en) 2015-01-28 2020-02-25 Osram Oled Gmbh Optoelectronic arrangement having a radiation conversion element and method for producing a radiation conversion element
CN107209413B (en) * 2015-01-28 2021-09-10 欧司朗光电半导体有限公司 Optoelectronic device with a radiation conversion element and method for producing a radiation conversion element
CN105301837A (en) * 2015-11-11 2016-02-03 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal display
CN105301837B (en) * 2015-11-11 2019-02-26 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal display
KR20170079328A (en) * 2015-12-30 2017-07-10 엘지디스플레이 주식회사 Transparent liquid crystal display device
US11355583B2 (en) 2016-07-28 2022-06-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dots and devices including the same
KR20180031845A (en) * 2016-09-19 2018-03-29 엘지디스플레이 주식회사 Inorganic emitting particle, Inorganic emitting particle film, and LED package and Display device including the same
US10680144B2 (en) 2017-06-05 2020-06-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot glass cell and light-emitting device package including the same
EP3913696A4 (en) * 2019-01-15 2022-10-19 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device, display device comprising same, and method for manufacturing display device

Also Published As

Publication number Publication date
KR101949385B1 (en) 2019-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11631791B2 (en) Semiconductor light-emitting device
KR101949385B1 (en) Lighting emitting diode package including quantum rods and liquid crystal display device
KR102546307B1 (en) Light emitting device and display device including the same
KR101622424B1 (en) Light source including a wavelength-converted semiconductor light emitting device and a filter
US9224926B2 (en) Light-emitting device and lighting system
TWI537526B (en) Lighting device with light sources positioned near the bottom surface of a waveguide
KR20080048980A (en) Gan-base semiconductor light emitting element, luminescent device, image display device, planar light source device, and liquid crystal display device assembly
JP5967269B2 (en) Light emitting device
KR20090060358A (en) Led semiconductor element, and use thereof
KR20160014989A (en) Light emitting device package and display device including the same
JP2006134975A (en) Lighting device and indicating device using the same
US20150243851A1 (en) Light-emitting diode package
JP2010206063A (en) METHOD OF DRIVING GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, METHOD OF DRIVING GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT OF IMAGE DISPLAY DEVICE, METHOD OF DRIVING SURFACE TYPE LIGHT SOURCE DEVICE, AND METHOD OF DRIVING LIGHT EMITTING DEVICE
CN103872211A (en) Light emitting device package
KR20110049114A (en) Light emitting diode package and lcd module including the same
US20090045418A1 (en) Light emitting diode (LED) with longitudinal package structure
KR20150080135A (en) Liquid Crystal Display Device
TWI539621B (en) Led package and backlight unit having the same
JP5761391B2 (en) Light emitting device
KR20100132149A (en) Liquid crystal display employing polarized light source and phosphor filter
KR102398384B1 (en) Light emitting diode package and method for manufacturing the same, backlight unit and liquid crystal display device using the same
JP2019062116A (en) Light-emitting device
KR102423437B1 (en) Light source module, backlight unit and display device using the same
KR101488452B1 (en) Polarized light source, back-light unit and lcd module employing the light source
KR102071206B1 (en) Method of fabricating led package and liquid crystal display device having the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant