KR20130049969A

KR20130049969A - In-line type substrate processing system

Info

Publication number: KR20130049969A
Application number: KR1020110115058A
Authority: KR
Inventors: 민승혁
Original assignee: 주식회사 테스
Priority date: 2011-11-07
Filing date: 2011-11-07
Publication date: 2013-05-15

Abstract

PURPOSE: An inline substrate processing system is provided to continuously process a substrate by bidirectionally supplying the substrate to a processing chamber. CONSTITUTION: A substrate is processed in a processing chamber. A first sub chamber(30) includes a first processing unit and a second processing unit. A second sub chamber(80) is combined with the processing chamber. The substrate is exchanged between a first loading station(10) and the first sub chamber. The substrate is exchanged between a second loading station(90) and the second sub chamber.

Description

In-line type substrate processing system

본 발명은 인라인 기판처리시스템에 관한 것으로서, 특히 태양전지의 제조에 필요한 복수의 챔버들이 일렬로 배치되어 공정이 진행되는 인라인 기판처리시스템에 관한 것이다BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inline substrate processing system, and more particularly, to an inline substrate processing system in which a plurality of chambers required for manufacturing a solar cell are arranged in a row and a process is performed.

화석자원의 고갈과 환경오염에 대처하기 위해 최근 태양력 등의 청정에너지에 대한 관심이 높아지면서, 태양에너지를 전기에너지로 변환하는 태양전지에 대한 연구개발이 활력을 얻고 있다.In recent years, interest in clean energy such as solar power has increased to cope with the depletion of fossil resources and environmental pollution. Research and development of solar cells that convert solar energy into electric energy has gained vitality.

태양전지는 PN접합이 형성된 반도체의 내부에서 태양광에 의해 여기된 소수캐리어가 PN접합면을 가로질러 확산되면서 전압차가 생기게 하여 기전력을 발생시키는 소자로서 단결정실리콘, 다결정실리콘, 비정질실리콘, 화합물반도체 등의 반도체 재료를 이용하여 제조된다. 단결정실리콘이나 다결정실리콘을 이용하면 발전효율은 높지만 재료비가 비싸고 공정이 복잡한 단점을 가지기 때문에 최근에는 유리나 플라스틱 등의 값싼 기판에 비정질실리콘이나 화합물반도체 등의 박막을 증착한 박막형 태양전지가 사용되고 있다.A solar cell is a device that generates an electromotive force by generating a voltage difference while diffusing a minority carrier excited by sunlight inside a PN junction formed across a PN junction surface. The solar cell is made of monocrystalline silicon, polycrystalline silicon, amorphous silicon, Of a semiconductor material. Thin film solar cells in which a thin film of amorphous silicon or compound semiconductor is deposited on an inexpensive substrate such as glass or plastic have been used since monocrystal silicon or polycrystalline silicon has high power generation efficiency but has a disadvantage in that the material cost is high and the process is complicated.

이러한 태양전지를 제조하기 위해서는 기판(실리콘 웨이퍼 또는 유리기판 등을 통칭함)에 P형 또는 N형 반도체층, 반사방지막, 전극 등의 박막을 증착하는 공정과, 에너지 변환효율을 개선하는데 필요한 패턴을 형성하기 위해 증착된 박막을 식각하는 공정 등 다양한 공정을 거쳐야 한다. 상기한 공정, 예컨대 반사방지막을 증착하기 위한 공정을 수행하기 위해서는 기판을 예열시키거나 진공압을 형성하는 등 반사방지막 증착에 앞서 선처리가 필요하며, 증착후에는 기판을 냉각시키는 등의 후처리가 이루어져야 한다. 이에 반사방지막 증착공정을 위한 태양전지 제조시스템은 각 단계들이 효과적으로 수행될 수 있도록 최적의 환경으로 설계된 다수의 챔버를 구비하여 이루어진다. In order to manufacture such a solar cell, a process of depositing a thin film of a P-type or N-type semiconductor layer, an antireflection film, or an electrode on a substrate (collectively referred to as a silicon wafer or a glass substrate) And a step of etching the deposited thin film to form the thin film. In order to perform the above-described process for depositing the antireflection film, it is necessary to perform pre-treatment before the deposition of the antireflection film, such as preheating the substrate or forming the vacuum pressure, and after the deposition, do. Accordingly, the solar cell manufacturing system for the anti-reflection film deposition process is provided with a plurality of chambers designed to have an optimal environment so that each stage can be effectively performed.

종래의 클러스터 툴(cluster tool) 방식의 제조 시스템에서는 이송로봇이 기판을 탑재한 트레이를 픽업하여 각 챔버들 사이에서 이송하였는 바, 기판의 처리와 이송과정이 유기적으로 통합되어 있지 못했고 생산성이 저하되었다. In the conventional cluster tool manufacturing system, the transfer robot picks up the tray on which the substrate is mounted and transfers it between the chambers. As a result, the substrate processing and transfer processes are not organically integrated and the productivity is lowered .

이에, 챔버들이 공정 순서에 따라 일렬로 배치되어 있는 인라인 타입의 태양전지 제조시스템이 널리 사용되고 있으며, 이와 같은 인라인 타입의 기판처리시스템에 관해서는 공개특허 10-2004-0057144 등 다수의 특허가 출원된 바 있다.Accordingly, an in-line type solar cell manufacturing system in which chambers are arranged in a line in accordance with a process order is widely used, and a large number of patents are filed for such an inline type substrate processing system as disclosed in Patent Document 10-2004-0057144 There is a bar.

도 1은 종래의 인라인 기판처리시스템의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a conventional inline substrate processing system.

도 1을 참조하면, 종래의 인라인 기판처리시스템(9)은 로딩스테이션(1)과, 로드락챔버(2)와, 프로세스챔버(3)와, 언로드락챔버(4)와, 언로딩스테이션(5)으로 구성된다.Referring to FIG. 1, a conventional inline substrate processing system 9 includes a loading station 1, a load lock chamber 2, a process chamber 3, an unload lock chamber 4, and an unloading station ( 5) consists of.

이와 같이 구성된 인라인 기판처리시스템에서 기판이 처리되는 과정을 살펴보면, 먼저 로딩스테이션(1)에서 트레이(t)에 기판을 안착하고 이 트레이를 로드락챔버(2)로 이송한다. 로드락챔버(2)로 트레이가 이송되면, 로드락챔버(2) 내부가 진동으로 감압되고, 이 과정 중 로드락챔버 내부에 마련된 가열 램프를 이용하여 트레이 상의 기판을 예열시킨다. 이후, 트레이는 프로세스챔버(3)로 이송되고, 프로세스챔버(3)에서 기판에 대한 처리가 행해진다. 처리가 완료되면, 트레이는 언로드락챔버(4)로 이송된 후, 언로딩스테이션(5)으로 반출된다.Looking at the process of processing the substrate in the in-line substrate processing system configured as described above, the substrate is first seated on the tray (t) in the loading station 1 and transfers the tray to the load lock chamber (2). When the tray is transferred to the load lock chamber 2, the inside of the load lock chamber 2 is decompressed by vibration, and during this process, the substrate on the tray is preheated by using a heating lamp provided in the load lock chamber. Thereafter, the tray is transferred to the process chamber 3, and the process for the substrate is performed in the process chamber 3. When the processing is completed, the tray is transferred to the unload lock chamber 4 and then taken out to the unloading station 5.

상술한 바와 같이 종래의 인라인 기판처리시스템은 한 방향으로 트레이가 이송되면서 기판이 처리되는 방식이다. 따라서, 프로세스챔버의 전방(즉, 로딩스테이션 및 로드락챔버)이나 후방(즉, 언로드락챔버 및 언로딩스테이션) 중 어느 한 부분에서 공정이 정체되는 경우 전체 시스템의 가동이 중단되며, 그 결과 생산효율(through put)이 저하되는 문제점이 있다.As described above, the conventional inline substrate processing system is a method in which a substrate is processed while the tray is transferred in one direction. Thus, if the process is stalled at either the front of the process chamber (i.e. loading station and load lock chamber) or rearward (i.e. unloading lock chamber and unloading station), the entire system is shut down, resulting in production There is a problem that the efficiency (through put) is reduced.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 생산효율성이 향상되도록 구조가 개선된 인라인 기판처리시스템을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide an inline substrate processing system having an improved structure to improve production efficiency.

본 발명에 따른 인라인 기판처리시스템은 기판에 대한 일정한 공정을 수행하는 공정챔버와, 상기 공정챔버의 일측에 결합되어 상기 공정챔버와의 사이에서 상기 기판을 상호 교환하며, 상기 공정챔버에 유입되기 전의 기판에 대하여 일정한 처리를 수행하는 제1처리유닛과, 상기 제1처리유닛과 격리된 영역에 설치되어 상기 공정챔버로부터 배출된 기판에 대하여 일정한 처리를 수행하는 제2처리유닛을 구비하는 제1보조챔버와, 상기 공정챔버의 타측에 결합되어 상기 공정챔버와의 사이에서 상기 기판을 상호 교환하며, 상기 제1처리유닛 및 상기 제2처리유닛을 구비하는 제2보조챔버와, 상기 제1보조챔버와의 사이에서 상기 기판을 상호 교환하는 제1로딩스테이션과, 상기 제2보조챔버와의 사이에서 상기 기판을 상호 교환하는 제2로딩스테이션과, 상기 제1처리유닛이 설치된 영역에 대응되는 제1위치와, 상기 제2처리유닛이 설치된 영역에 대응되는 제2위치 사이에서 이동가능하도록 상기 공정챔버에 설치되며, 상기 기판을 지지하는 서셉터를 구비하는 것을 특징으로 한다.In-line substrate processing system according to the present invention is coupled to one side of the process chamber and the process chamber for performing a certain process for the substrate, the substrate is interchanged between the process chamber, before entering the process chamber A first auxiliary unit having a first processing unit performing a constant processing on a substrate and a second processing unit installed in an area separate from the first processing unit and performing a constant processing on the substrate discharged from the process chamber; A second auxiliary chamber coupled to the other side of the process chamber and interchangeable between the substrate and the process chamber, the second auxiliary chamber having the first processing unit and the second processing unit, and the first auxiliary chamber. A first loading station for exchanging the substrate between the first loading station and a second loading station for exchanging the substrate between the second auxiliary chamber; A susceptor installed in the process chamber so as to be movable between a first position corresponding to the region where the first processing unit is installed and a second position corresponding to the region where the second processing unit is installed; Characterized in that.

본 발명에 따르면 상기 제1처리유닛은 상기 기판을 예열하기 위한 히터이며, 상기 제2처리유닛은 상기 보조챔버의 하측에 승강가능하게 설치되어 상기 기판을 지지 및 냉각하는 쿨링플레이트이며, 상기 히터가 설치된 영역과 상기 쿨링플레이트가 설치된 영역을 상호 격리되어 열교환이 방지되는 것이 바람직하다.According to the present invention, the first processing unit is a heater for preheating the substrate, and the second processing unit is a cooling plate installed on the lower side of the auxiliary chamber to support and cool the substrate. It is preferable that the heat exchange is prevented by mutually isolating the installed region and the region where the cooling plate is installed.

또한, 본 발명에 따르면 상기 제1로딩스테이션은 상기 제1보조챔버와의 사이에서 상기 기판을 이송하기 위한 복수의 이송롤러를 구비하며, 상기 복수의 이송롤러는 상기 제1보조챔버의 상기 제1처리유닛이 설치된 영역에 대응되는 위치와, 상기 제2처리유닛이 설치된 영역에 대응되는 위치 사이에서 이동 가능하며,In addition, according to the present invention, the first loading station includes a plurality of feed rollers for transferring the substrate between the first subsidiary chamber, and the plurality of feed rollers are formed in the first sub chamber of the first sub chamber. Is movable between a position corresponding to the area where the processing unit is installed and a position corresponding to the area where the second processing unit is installed,

상기 제2로딩스테이션은 상기 제2보조챔버와의 사이에서 상기 기판을 이송하기 위한 복수의 이송롤러를 구비하며, 상기 복수의 이송롤러는 상기 제2보조챔버의 상기 제1처리유닛이 설치된 영역에 대응되는 위치와, 상기 제2처리유닛이 설치된 영역에 대응되는 위치 사이에서 이동 가능한 것이 바람직하다. The second loading station includes a plurality of transfer rollers for transferring the substrate between the second auxiliary chambers, and the plurality of transfer rollers are located in an area in which the first processing unit of the second auxiliary chamber is installed. It is preferable to be movable between a corresponding position and a position corresponding to the area where the second processing unit is installed.

본 발명에 따르면 양방향으로 공정챔버에 기판을 공급할 수 있으므로, 어느 한 방향에서의 기판의 공급 또는 회수가 정체되는 경우, 다른 방향을 통해 기판을 공정챔버로 공급하거나 회수할 수 있다. 따라서, 공정챔버 자체는 공정의 정체에 따른 불필요한 대기시간(idle time) 없이 지속적으로 가동할 수 있으며, 그 결과 인라인 기판처리시스템의 생산효율(throughput)이 크게 향상된다.According to the present invention, since the substrate can be supplied to the process chamber in both directions, when the supply or recovery of the substrate in one direction is stagnant, the substrate can be supplied or recovered to the process chamber through the other direction. Therefore, the process chamber itself can continuously operate without unnecessary idle time due to the congestion of the process, and as a result, the throughput of the inline substrate processing system is greatly improved.

도 1은 종래의 인라인 기판처리시스템의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 인라인 기판 처리시스템의 개략적 구성도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 공정챔버의 주요 부분에 대한 개략적 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 공정챔버의 개략적 측면도이다.
도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ선의 개략적 단면도이다.
도 6은 도 5의 상태로부터 롤러와 기판이 위치변경된 상태의 단면도이다.
도 7은 본 실시예에 따른 인라인 기판처리시스템의 효과를 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic configuration diagram of a conventional inline substrate processing system.
2 is a schematic structural diagram of an inline substrate processing system according to a preferred embodiment of the present invention.
3 is a schematic perspective view of an essential part of a process chamber according to a preferred embodiment of the present invention.
4 is a schematic side view of the process chamber shown in FIG. 3.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view taken along the line VV of FIG. 4.
6 is a cross-sectional view of a state where the roller and the substrate are changed in position from the state of FIG. 5.
7 is a view for explaining the effect of the inline substrate processing system according to the present embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 인라인 기판 처리시스템 및 공정챔버를 더욱 상세히 설명한다. Hereinafter, an inline substrate processing system and a process chamber according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 인라인 기판 처리시스템의 개략적 구성도이며, 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 공정챔버의 주요 부분에 대한 개략적 사시도이며, 도 4는 도 3에 도시된 공정챔버의 개략적 측면도이며, 도 5는 도 4의 Ⅴ-Ⅴ선의 개략적 단면도이며, 도 6은 도 5의 상태로부터 롤러와 기판이 위치변경된 상태의 단면도이다.2 is a schematic structural diagram of an inline substrate processing system according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 3 is a schematic perspective view of a main part of a process chamber according to a preferred embodiment of the present invention, and FIG. 4 is shown in FIG. Figure 5 is a schematic side view of the process chamber, Figure 5 is a schematic cross-sectional view of the V-V line of Figure 4, Figure 6 is a cross-sectional view of a state in which the roller and the substrate is changed from the state of FIG.

도 2 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 인라인 기판 처리시스템(100)은 제1로딩스테이션(10), 제1보조챔버(30), 공정챔버(40), 제2보조챔버(80) 및 제2로딩스테이션(90)을 구비한다.2 to 6, an inline substrate processing system 100 according to a preferred embodiment of the present invention may include a first loading station 10, a first auxiliary chamber 30, a process chamber 40, and a second auxiliary system. A chamber 80 and a second loading station 90 are provided.

제1로딩스테이션(10)은 인라인 기판처리시스템(100)으로 미처리된 기판(s)을 도입하고, 처리완료된 기판(s)을 반출하기 위한 것으로서, 인라인 기판처리시스템(100)의 일측 선단에 배치된다. The first loading station 10 is for introducing an unprocessed substrate s into the inline substrate processing system 100 and carrying out the processed substrate s, and is disposed at one end of the inline substrate processing system 100. do.

제1로딩스테이션(10)에는 프레임(11)이 마련되며, 프레임(11)의 양측부에는 수직하게 형성된 한 쌍의 스크류축(12)이 각각 회전가능하게 설치된다. 이 스크류축(12)에는 리프트플레이트(13)가 끼워져 나사결합된다. 모터(미도시)에 연결된 스크류축(12)이 회전되면, 모터의 회전방향에 따라 리프트플레이트(13)는 상하로 이동된다. The frame 11 is provided in the first loading station 10, and a pair of screw shafts 12 vertically formed on both sides of the frame 11 are rotatably installed. The screw plate 12 is fitted with a lift plate 13 is screwed. When the screw shaft 12 connected to the motor (not shown) is rotated, the lift plate 13 is moved up and down in accordance with the rotation direction of the motor.

리프트플레이트(13)의 양측 상부에는 각각 복수의 롤러(14)들이 서로 이격되어 회전가능하게 설치된다. 복수의 롤러(14)는 벨트(도면 미도시)에 의해 상호 연결된다. 그리고, 복수의 롤러 중 어느 하나의 롤러에는 모터(미도시)가 연결되어 구동력을 제공한다. 모터의 구동시 모든 롤러(14)들이 벨트에 의하여 구동력을 전달받아 동일한 방향으로 함께 회전된다. A plurality of rollers 14 are rotatably spaced apart from each other on both upper sides of the lift plate 13. The plurality of rollers 14 are interconnected by a belt (not shown). In addition, a motor (not shown) is connected to any one of the plurality of rollers to provide a driving force. When the motor is driven, all the rollers 14 are driven by the belt and rotate together in the same direction.

제1로딩스테이션(10)의 리프트플레이트(13)가 상부에 위치한 상태에서 기판(s)이 탑재되어 있는 트레이(t)가 제1로딩스테이션(10)으로 유입된 후 제1로딩스테이션(10)의 롤러(14)들이 회전하면 트레이(t)는 제1보조챔버(30)를 향해 이송된다.After the tray t on which the substrate s is mounted is introduced into the first loading station 10 in a state where the lift plate 13 of the first loading station 10 is located above, the first loading station 10 When the rollers 14 are rotated, the tray t is transferred toward the first auxiliary chamber 30.

제1보조챔버(30)는 제1로딩스테이션(10)과 공정챔버(40) 사이에 배치되어 이들 사이에서 기판(s)을 교환하기 위한 것으로서, 챔버본체부(31)를 구비한다. 챔버본체부(31)의 내측은 차단막(32)에 의하여 상부와 하부가 각각 제1영역(33)과 제2영역(34)으로 구획된다. The first auxiliary chamber 30 is disposed between the first loading station 10 and the process chamber 40 to exchange the substrate s therebetween, and includes a chamber body 31. The inside of the chamber main body 31 is divided into a first region 33 and a second region 34 by the blocking film 32.

제1보조챔버(30)의 내측은 슬릿밸브(v)에 의하여 제1로딩스테이션(10)과 상호 연통 및 차단된다. 보조챔버(30)는 후술할 공정챔버(40)와 기판(s)을 교환할 때에는 진공상태를 유지하여야 한다. 그러나, 제1로딩스테이션(10)과의 사이에서 기판(s)을 교환하기 위하여 슬릿밸브(v)가 오픈되면 보조챔버(30)의 진공이 해제되는 바, 제1보조챔버(30)에는 펌프(미도시)가 연결된다. 차단막(32)에 의하여 제1영역(33)과 제2영역(34)이 상호 완전히 밀폐된 상태라면 제1영역(33)과 제2영역(34)에 각각 펌프가 설치되어야 하지만, 본 실시예와 같이 차단막(32)에 관통공(미도시)을 형성한 경우에는 하나의 펌프(미도시)로서 보조챔버(30) 전체를 진공상태로 만들 수 있다. The inner side of the first auxiliary chamber 30 is in communication with and disconnected from the first loading station 10 by the slit valve v. The auxiliary chamber 30 must maintain a vacuum state when exchanging the process chamber 40 and the substrate s to be described later. However, when the slit valve v is opened to exchange the substrate s between the first loading station 10, the vacuum of the auxiliary chamber 30 is released, and the first auxiliary chamber 30 is pumped. (Not shown) is connected. If the first region 33 and the second region 34 are completely enclosed by the blocking film 32, pumps should be installed in the first region 33 and the second region 34, respectively. When the through hole (not shown) is formed in the blocking film 32 as described above, the entire auxiliary chamber 30 may be made into a vacuum as one pump (not shown).

한편, 제1보조챔버(30)의 제1영역(33)과 제2영역(34)에는 각각 기판(s)에 대한 일정한 처리를 수행하는 제1처리유닛과 제2처리유닛이 마련된다. 본 인라인 기판처리시스템(100)이 수행하고자 하는 공정에 따라 다양한 제1처리유닛과 제2처리유닛이 적용될 수 있지만, 본 실시예에서 제1처리유닛은 기판(s)을 가열하기 위한 램프(35) 형태의 히터이며 제1영역(33)에 설치되고, 제2처리유닛은 기판(s)을 냉각시키기 위한 쿨링플레이트(36)로 제2영역(34)에 설치된다. 즉, 제1처리유닛인 램프(35)는 공정챔버(40)에 유입되기 전의 기판(s)을 공정에 적합한 온도범위로 미리 예열하는 역할을 수행하며, 제2처리유닛인 쿨링플레이트(36)는 공정챔버(40)에서 처리가 완료된 기판(s)을 냉각시키는 작용을 한다. Meanwhile, a first processing unit and a second processing unit are respectively provided in the first region 33 and the second region 34 of the first auxiliary chamber 30 to perform a predetermined process on the substrate s. Various first processing units and second processing units may be applied according to the process to be performed by the inline substrate processing system 100, but in the present embodiment, the first processing unit includes a lamp 35 for heating the substrate s. ) Is a heater, and is installed in the first region 33, and the second processing unit is installed in the second region 34 with a cooling plate 36 for cooling the substrate s. That is, the lamp 35, which is the first processing unit, serves to preheat the substrate s before flowing into the process chamber 40 in a temperature range suitable for the process, and the cooling plate 36, which is the second processing unit, is used. Serves to cool the substrate s on which the process is completed in the process chamber 40.

쿨링플레이트(36)는 제2영역(34)에 승강가능하게 설치됨으로써, 그 상승시에 기판(s)이 탑재된 트레이(t)의 하면에 접촉되어 트레이(t)를 지지한다. 이렇게 트레이(t)가 쿨링플레이트(36)에 접촉 및 지지된 상태에서 쿨링플레이트(36)의 내측에 마련된 유로(미도시)를 따라 진행하는 냉각유체가 기판(s)을 냉각시킨다. 또한, 쿨링플레이트(36)는 후술할 제2롤러(38)의 내측에 위치하며, 트레이(t)의 양측은 쿨링플레이트(36)의 양측 외부로 돌출되어 있는 바, 쿨링플레이트(36)가 하강하면 트레이(t)의 양측부가 후술할 제2롤러(38)에 얹어져 지지되는 구조로 되어 있다. The cooling plate 36 is mounted on the second region 34 so as to be lifted and lowered, so that the cooling plate 36 is in contact with the bottom surface of the tray t on which the substrate s is mounted to support the tray t. Thus, the cooling fluid which advances along the flow path (not shown) provided inside the cooling plate 36 while the tray t is in contact with and supported by the cooling plate 36 cools the board | substrate s. In addition, the cooling plate 36 is located inside the second roller 38, which will be described later, and both sides of the tray t protrude outward from both sides of the cooling plate 36, and the cooling plate 36 is lowered. Both sides of the lower surface tray t are supported on the second roller 38 to be described later.

위와 같이, 제1보조챔버(30)에서는 기판에 대한 가열과 냉각이 함께 이루어지므로 열손실이 발생할 수 있는 바, 상기한 바와 같이 제1영역(33)과 제2영역(34) 사이에 절연재질의 차단막(32)을 설치함으로써 제1영역(33)과 제2영역(34) 사이의 열교환을 최소화할 수 있다.As described above, since the heating and cooling of the substrate are performed together in the first auxiliary chamber 30, heat loss may occur. As described above, an insulating material is formed between the first region 33 and the second region 34. By providing the blocking film 32, heat exchange between the first region 33 and the second region 34 can be minimized.

한편, 본 실시예에서는 제1영역에 램프 형태의 히터를 설치하고, 제1영역의 하방인 제2영역에 쿨링플레이트(36)를 설치하였으나, 반대로 제1영역에 쿨링플레이트를 설치하고 제2영역에 히터를 설치할 수 있다. Meanwhile, in the present embodiment, a lamp heater is installed in the first area, and the cooling plate 36 is installed in the second area below the first area. However, a cooling plate is installed in the first area and the second area is provided. Heater can be installed in

한편, 제1보조챔버(30)의 제1영역(33)과 제2영역(34)에는 각각 한 쌍의 제1롤러(37)와 한 쌍의 제2롤러(38)가 마련된다. 한 쌍의 제1롤러(37)는 제1로딩스테이션(10)의 리프트플레이트(13)가 상승된 위치와 대응되는 높이에 회전가능하게 설치되며, 한 쌍의 제2롤러(38)는 리프트플레이트(13)가 하강된 위치와 대응되는 높이에 회전가능하게 설치되어, 제1로딩스테이션(10)과의 사이에 기판(s)을 교환할 수 있다. 한 쌍의 제1롤러(37)와 제2롤러(38)가 구동되는 방식은 제1로딩스테이션(10)의 롤러들(14)이 구동되는 방식과 동일하다. Meanwhile, a pair of first rollers 37 and a pair of second rollers 38 are provided in the first region 33 and the second region 34 of the first auxiliary chamber 30, respectively. The pair of first rollers 37 are rotatably installed at a height corresponding to the position at which the lift plate 13 of the first loading station 10 is raised, and the pair of second rollers 38 are lift plates. 13 is rotatably installed at a height corresponding to the lowered position, so that the substrate s can be exchanged with the first loading station 10. The manner in which the pair of first rollers 37 and the second rollers 38 are driven is the same as the way in which the rollers 14 of the first loading station 10 are driven.

공정챔버(40)는 기판에 대한 처리가 행해지는 곳으로, 이 공정챔버의 일측에 상술한 제1보조챔버(30)가 연결되고, 타측에는 후술하는 바와 같이 제2보조챔버(80)가 연결된다. 한편, 공정챔버(40)의 구체적인 구성에 관해서는, 제2보조챔버(80) 및 제2로딩스테이션(90)을 설명한 후에 하도록 한다.The process chamber 40 is a place where a process is performed on a substrate. The first subsidiary chamber 30 is connected to one side of the process chamber, and the second subsidiary chamber 80 is connected to the other side as described later. do. In the meantime, the detailed configuration of the process chamber 40 will be described after the second auxiliary chamber 80 and the second loading station 90 are described.

제2보조챔버(80)는 공정챔버(40)의 타측에 결합되며, 제1보조챔버(30)와 동일한 기능을 수행한다. 이를 위해, 제2보조챔버(80) 챔버본체부(81)를 가지며, 이 챔버본체부는 차단막(82)에 의해 제1영역(83)과 제2영역(84)으로 구획된다. 그리고, 제1영역에는 제1롤러(87)와 제1처리유닛인 램프(85)가 마련되어 있고, 제2영역에는 제2롤러(88)와, 제2처리유닛인 쿨링플레이트(86)가 마련되어 있다.The second auxiliary chamber 80 is coupled to the other side of the process chamber 40 and performs the same function as the first auxiliary chamber 30. To this end, the second auxiliary chamber 80 has a chamber body portion 81, which is divided into a first region 83 and a second region 84 by a blocking film 82. A first roller 87 and a lamp 85 as a first processing unit are provided in the first region, and a second roller 88 and a cooling plate 86 as the second processing unit are provided in the second region. have.

제2로딩스테이션(90)은 제1로딩스테이션(10)과 동일한 기능 즉, 인라인 기판처리시스템(100)으로 미처리된 기판(s)을 도입하고, 처리완료된 기판(s)을 반출하기 위한 것으로서, 제2보조챔버(80)와 연결되며 인라인 기판처리시스템(100)의 타측 선단에 배치된다. 이를 위해, 제2로딩스테이션(90)에는 프레임(91), 한 쌍의 스크류축(92), 리프트플레이트(93) 및 복수의 롤러(94)가 마련되어 있다. 각 구성의 구조 및 작동과정은 제1로딩스테이션과 동일한 바, 설명을 생략한다.The second loading station 90 is to introduce the unprocessed substrate s into the same function as that of the first loading station 10, that is, the inline substrate processing system 100, and to carry out the processed substrate s. It is connected to the second auxiliary chamber 80 and is disposed at the other end of the inline substrate processing system 100. To this end, the second loading station 90 is provided with a frame 91, a pair of screw shafts 92, a lift plate 93, and a plurality of rollers 94. The structure and operation of each component are the same as those of the first loading station, and thus description thereof is omitted.

이하, 도 3 내지 도 6을 참조하여, 공정챔버에 관하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the process chamber will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 6.

공정챔버(40)는 재1보조챔버(30)와 제2보조챔버(80)의 사이에 배치된다. 공정챔버(40)는 챔버본체(41)를 구비하며, 챔버본체(41)의 내부에는 예컨대 반사방지막 증착과 같이 기판(s)에 대한 일정한 공정을 수행하도록 공간부(42)가 형성된다. 챔버본체(41)의 일측에는 공간부(42)를 개폐하는 슬릿밸브(v)가 마련되며, 슬릿밸브(v)의 개방에 의하여 공정챔버(40)는 보조챔버(30)의 제1영역(33) 및 제2영역(34)과 연통되어 기판(s)을 교환할 수 있다. 또한, 슬릿밸브(v)가 폐쇄되면 공간부(41)는 밀폐되며, 미도시된 펌프에 의하여 진공 분위기로 형성된다. The process chamber 40 is disposed between the first auxiliary chamber 30 and the second auxiliary chamber 80. The process chamber 40 includes a chamber body 41, and a space 42 is formed inside the chamber body 41 to perform a predetermined process on the substrate s, such as, for example, antireflection film deposition. One side of the chamber body 41 is provided with a slit valve (v) for opening and closing the space portion 42, the process chamber 40 by the opening of the slit valve (v) is the first region of the auxiliary chamber (30) 33) and the second region 34 to exchange the substrate s. In addition, when the slit valve v is closed, the space portion 41 is closed and is formed in a vacuum atmosphere by a pump (not shown).

한편, 본 실시예에 따른 공정챔버(40)는 반사방지막을 증착하는 공정을 수행하므로 공정챔버(40)의 상측에는 가스공급장치가 마련된다. 가스공급장치는 소스가스, 반응가스 등 다양한 가스를 공급하는 가스공급라인(43)을 구비하며, 이 가스공급라인(43)은 가스가 확산되는 가스확산공간(44)과 연결되어 있다. 또한 가스확산공간(44)의 하측에는 가스가 기판(s)의 전체 영역에 걸쳐 고르게 분사될 수 있도록 다수의 가스분사공(45a)이 형성되어 있는 샤워헤드(45)가 마련된다. 또한, 도시하지는 않았지만 증착효율을 향상시키기 위하여, 기판(s)의 상측에 플라즈마가 형성되도록, 샤워헤드(45)에는 RF전원이 연결될 수 있다. On the other hand, since the process chamber 40 according to the present embodiment performs a process of depositing an anti-reflection film, a gas supply device is provided above the process chamber 40. The gas supply device includes a gas supply line 43 for supplying various gases such as a source gas and a reaction gas, and the gas supply line 43 is connected to a gas diffusion space 44 through which gas is diffused. In addition, a shower head 45 is provided below the gas diffusion space 44 in which a plurality of gas injection holes 45a are formed so that the gas can be evenly sprayed over the entire area of the substrate s. In addition, although not shown, in order to improve deposition efficiency, an RF power source may be connected to the shower head 45 so that a plasma is formed on the substrate s.

공정챔버(40)의 공간부(42)에는 서셉터(46)가 설치된다. 서셉터(46)는 트레이(t)를 지지 및 가열하기 위한 것으로서, 히터플레이트(46a)와 히터플레이트의 하방으로 수직하게 연장되는 승강축(46b)으로 이루어진다. 히터플레이트(46a)의 내부에는 발열체(미도시)가 매설되어 상면에 지지된 트레이(t) 및 기판(s)이 공정중에 일정한 온도를 유지할 수 있도록 가열한다. 승강축(46b)은 챔버본체(41)의 외부로 연장되어 모터(미도시)와 볼스크류(미도시)의 조합과 같은 승강구동수단에 연결된다. 승강구동수단(미도시)의 작동에 의하여 히터플레이트(46a)는 공간부(42)의 상하방향을 따라 승강가능하다. The susceptor 46 is installed in the space 42 of the process chamber 40. The susceptor 46 is for supporting and heating the tray t. The susceptor 46 includes a heater plate 46a and a lifting shaft 46b extending vertically below the heater plate. A heating element (not shown) is embedded in the heater plate 46a to heat the tray t and the substrate s supported on the upper surface to maintain a constant temperature during the process. The lifting shaft 46b extends to the outside of the chamber body 41 and is connected to the lifting driving means such as a combination of a motor (not shown) and a ball screw (not shown). By the operation of the lifting driving means (not shown), the heater plate 46a is capable of lifting up and down along the vertical direction of the space 42.

공정챔버(40)에는 제1보조챔버(30)의 제1롤러(37)와 동일한 높이인 제1위치(도 5의 히터플레이트의 높이)에 제1위치롤러(47)가 설치되어 있고, 제1보조챔버(30)의 제2롤러(38)와 동일한 높이인 제2위치(도 6의 히터플레이트의 높이)에 제2위치롤러(48)가 설치되는데, 히터플레이트(46a)는 제1위치와 제2위치 사이에서 승강가능하다. 또한 공정이 진행될 때에는 히트플레이트(46a)가 제1위치 보다 더 상방으로 이동하여 샤워헤드(45)에 접근된다. 공정 중에는 트레이(t)가 제1롤러(47)가 아닌 히터플레이트(46a)에 지지된다. The process chamber 40 is provided with a first position roller 47 at a first position (height of the heater plate in FIG. 5) at the same height as the first roller 37 of the first auxiliary chamber 30. The second position roller 48 is installed at a second position (height of the heater plate in FIG. 6), which is the same height as the second roller 38 of the first auxiliary chamber 30, and the heater plate 46a is located in the first position. And can be lifted between the second position. In addition, when the process is in progress, the heat plate 46a is moved upwards than the first position to approach the showerhead 45. During the process, the tray t is supported by the heater plate 46a instead of the first roller 47.

제1위치롤러(47)들은 공정챔버(40)의 상부인 제1위치에 설치된다. 제1위치롤러(47)들은 챔버본체(41)의 내부 양측면에 서로 이격되어 나란하게 배치된다. 제2위치롤러(48)들은 제1위치의 하측인 제2위치에 설치되며, 제1위치롤러들과 마찬가지로 챔버본체(41)의 내부 양측면에 서로 이격되어 나란하게 배치된다. The first position rollers 47 are installed at a first position that is an upper portion of the process chamber 40. The first position rollers 47 are arranged side by side spaced apart from each other on both sides of the interior of the chamber body (41). The second position rollers 48 are installed at a second position below the first position, and like the first position rollers, the second position rollers 48 are spaced apart from each other on both inner surfaces of the chamber body 41.

후술하겠지만, 제1위치롤러(47)는 기본위치와 이동위치 사이에서 왕복이동되므로, 지지대(51) 및 리니어액츄에이터(미도시)와 같이 제1위치롤러(47)를 왕복이동시키기 위한 구성이 부가되어 있을 뿐, 제1위치롤러(47)와 제2위치롤러(48)가 회전되기 위한 구성은 완전히 동일하다. 이에 제1위치롤러(47)와 제2위치롤러(48)의 구성 및 작용은 함께 설명하기로 한다. As will be described later, since the first position roller 47 is reciprocated between the basic position and the movement position, a configuration for reciprocating the first position roller 47 is added, such as the support 51 and the linear actuator (not shown). Only the configuration for rotating the first position roller 47 and the second position roller 48 is exactly the same. Therefore, the configuration and operation of the first position roller 47 and the second position roller 48 will be described together.

즉, 제1,2위치롤러(47,48)의 각 중심부에는 회전축(52,62)이 결합된다. 이 회전축(52,62)의 일단부는 제1,2위치롤러(47,48)에 결합되며 타단부는 챔버본체(41)의 외측으로 연장되며, 베어링(미도시) 등에 의하여 챔버본체(41)에 회전가능하게 끼워져 삽입된다. 각 회전축(52,62)의 단부에는 풀리(53,63)가 결합되며, 각 풀리들(53,63)에는 동력전달벨트(57,67)가 연결된다. 동력전달벨트(57,67)는 모터(56,66)와 연결되어 각 풀리들(53,63) 및 제1,2위치롤러(47,48)에 구동력을 전달한다.That is, the rotation shafts 52 and 62 are coupled to the central portions of the first and second position rollers 47 and 48. One end of the rotary shafts 52 and 62 is coupled to the first and second position rollers 47 and 48, and the other end extends to the outside of the chamber body 41, and the chamber body 41 is formed by a bearing (not shown). It is rotatably inserted into the insert. Pulleys 53 and 63 are coupled to end portions of the respective rotation shafts 52 and 62, and power transmission belts 57 and 67 are connected to the pulleys 53 and 63. The power transmission belts 57 and 67 are connected to the motors 56 and 66 to transmit driving force to the pulleys 53 and 63 and the first and second position rollers 47 and 48.

또한, 모터(56,66)는 챔버본체(41)의 일측면에 하나만 마련되므로, 챔버본체(41)의 타측면에 설치된 제1,2위치롤러(47,48)로 동력을 전달하여야 한다. 이를 위해, 챔버본체(41)의 양측의 제1,2위치롤러(47,48)의 각 하측에는 각각 연결풀리(53a,63a)가 마련되며, 이 연결풀리(53a,63a)도 동력전달벨트(57,67)에 연결되어 있다. 챔버본체(41)의 양측에 각각 마련된 연결풀리(53a,63a)는 회전바(53b,63b)에 의하여 연결됨으로써, 모터(56,66)가 챔버본체(41)의 일측에만 마련되어 있어도 그 구동력은 챔버본체(41)의 양측의 제1,2위치롤러(47,48)에 모두 전달될 수 있다.In addition, since only one motor 56, 66 is provided on one side of the chamber body 41, power must be transmitted to the first and second position rollers 47 and 48 installed on the other side of the chamber body 41. To this end, connecting pulleys 53a and 63a are provided at each lower side of the first and second position rollers 47 and 48 on both sides of the chamber body 41, and the connecting pulleys 53a and 63a are also power transmission belts. (57,67). The connecting pulleys 53a and 63a respectively provided on both sides of the chamber body 41 are connected by the rotation bars 53b and 63b, so that the driving force is provided even when the motors 56 and 66 are provided only on one side of the chamber body 41. Both of the first and second position rollers 47 and 48 on both sides of the chamber body 41 may be transmitted.

위와 같이 제1,2위치롤러(47,48)는 하나의 모터(56,66)에 의하여 구동되어 일방향으로 함께 회전되므로, 제1,2위치롤러(47,48)에 얹어진 트레이(t)는 모터(56,66)의 회전방향에 따라 일방향 또는 타방향으로 이송될 수 있다.As described above, since the first and second position rollers 47 and 48 are driven by one motor 56 and 66 and rotated together in one direction, the tray t mounted on the first and second position rollers 47 and 48. The may be transported in one direction or the other direction depending on the rotation direction of the motor (56, 66).

한편, 상기한 바와 같이, 제1위치롤러(47)는 기본위치와 이동위치 사이에서 직진왕복이동된다. 기본위치는 도 5에 도시된 바와 같이 한 쌍의 제1위치롤러(47)의 위치가 트레이(t)를 지지할 수 있는 위치를 의미하며, 이동위치는 도 6에 도시된 바와 같이 한 쌍의 제1위치롤러(47)가 기본위치로부터 서로 멀어지는 방향으로 이동하여 트레이(t)를 지지할 수 없는 위치를 의미한다. On the other hand, as described above, the first position roller 47 is moved straight reciprocating between the basic position and the moving position. The basic position means a position where the position of the pair of first position rollers 47 can support the tray t, as shown in FIG. 5, and the movement position is a pair of positions as shown in FIG. 6. This means a position where the first position roller 47 cannot move in the direction away from the basic position to support the tray t.

보조챔버(30)에서 예열된 후 공정챔버(40)의 기본위치에 배치되어 있는 제1위치롤러(47)로 유입된 트레이(t)는 히터플레이트(46a)가 상승됨에 따라 히터플레이트(46a)에 얹어져서 샤워헤드(45)쪽으로 상승된다. 즉, 트레이(t)에 탑재된 기판(s)은 히터플레이트(46a)에 지지된 상태로 제1위치보다 높은 위치를 유지하면서 공정이 진행된다. 공정이 완료되면 히터플레이트(46a)를 제2위치까지 하강시켜 트레이(t)가 제2위치롤러(48)에 얹어지게 하고, 다시 보조챔버(30)와 버퍼스테이션(20)을 거쳐 로딩스테이션(10)까지 이송하여야 한다. The tray t, which is preheated by the auxiliary chamber 30 and then flows into the first position roller 47 disposed at the basic position of the process chamber 40, is heated by the heater plate 46a. It is raised to the shower head 45. That is, the process proceeds while the board | substrate s mounted in the tray t is maintaining the position higher than a 1st position in the state supported by the heater plate 46a. When the process is completed, the heater plate 46a is lowered to the second position so that the tray t is placed on the second position roller 48, and then again via the auxiliary chamber 30 and the buffer station 20 to the loading station ( Must be transported up to 10).

그러나, 제1위치롤러(47)가 도 5과 같은 기본위치에 배치되어 있다면, 트레이(t)가 히터플레이트(46a)에 지지되어 하강하는 도중에 제1롤러(47)에 얹어지게 되므로 더 이상 하강할 수 없게 된다. 이에, 한 쌍의 제1위치롤러(47)들이 서로 이격되는 방향을 따라 이동시킨다, 즉 제1위치롤러(47)들을 챔버본체(41)의 내벽쪽으로 이동시키면 도 6과 같은 이동위치에 배치된다. 도 6과 같은 상태가 되면, 제1위치롤러(47)들은 도 6과 같이 트레이(t)의 하강경로로부터 이탈되게 배치되므로, 히터플레이트(46a)에 지지되어 있는 트레이(t)가 하강 도중 제1위치롤러(47)에 걸리지 않고 제2위치롤러(48)까지 이동되어 제2위치롤러(48) 위에 안착될 수 있다. However, if the first position roller 47 is disposed in the basic position as shown in Fig. 5, the tray t is supported by the heater plate 46a and placed on the first roller 47 in the middle of the descending. You can't. Thus, the pair of first position rollers 47 are moved in the direction away from each other, that is, when the first position rollers 47 are moved to the inner wall of the chamber body 41 is arranged in the movement position as shown in FIG. . 6, the first position rollers 47 are arranged to be separated from the descending path of the tray t as shown in FIG. 6, so that the tray t supported by the heater plate 46a is lowered during the lowering. The second position roller 48 may be moved and seated on the second position roller 48 without being caught by the one position roller 47.

이상에서 설명한 바와 같이, 제1위치롤러(47)들을 기본위치와 이동위치 사이에서 직진왕복이동시키기 위하여 본 실시예에서는 지지대(51) 및 리니어 액츄에이터(미도시)를 구비한다. 도 3 및 도 5에 도시된 바와 같이, 지지대(51)는 평평한 판 형상으로 챔버본체(41)의 일측면에 배치되며, 제1위치롤러(47)들의 각 회전축(52)은 베어링(미도시) 등에 의하여 지지대(51)에 회전가능하게 삽입되어 결합된다. 이에, 도 3에 화살표(a)로 표시한 바와 같이, 지지대(51)가 왕복이동되면 제1위치롤러(47)들이 함께 이동될 수 있다. As described above, in the present embodiment, the support 51 and the linear actuator (not shown) are provided in order to move the first position rollers 47 straight between the basic position and the movement position. 3 and 5, the support 51 is disposed on one side of the chamber body 41 in a flat plate shape, each of the rotating shafts 52 of the first position rollers 47 is a bearing (not shown) It is rotatably inserted into the support 51 by the) and the like. Accordingly, as indicated by the arrow a in FIG. 3, when the support 51 is reciprocated, the first position rollers 47 may be moved together.

지지대(51)를 직진이동시키기 위한 리니어 액츄에이터(미도시)로는 공압실린더, 모터와 볼스크류 등 다양한 액츄에이터가 사용될 수 있다. 이러한 리니어 액츄에이터는 주지의 구동수단이므로 별도의 설명은 생략하기로 한다. 또한, 지지대(51)가 직진이동을 가이드하기 위하여 가이드봉(71)과 부싱(72)이 마련된다. 가이드봉(71)은 지지대(51)의 이동방향을 따라 돌출되게 형성되어 챔버본체(41)의 외측에 고정되어 있으며, 부싱(72)은 중공형으로 형성되어 가이드봉(72)에 끼워진 상태로 지지대(51)에 고정된다. 가이드봉(71)과 부싱(72)에 의하여 지지대(51)는 흔들림없이 기본위치와 이동위치 사이에서 이동될 수 있다. As a linear actuator (not shown) for linearly moving the support 51, various actuators such as a pneumatic cylinder, a motor, and a ball screw may be used. Since such a linear actuator is a known driving means, a separate description thereof will be omitted. In addition, the guide rods 71 and the bushings 72 are provided to guide the straight movement of the support 51. The guide rod 71 is formed to protrude along the moving direction of the support 51 and is fixed to the outside of the chamber body 41. The bushing 72 is formed in a hollow shape and fitted to the guide rod 72. It is fixed to the support 51. By the guide rod 71 and the bushing 72, the support 51 can be moved between the basic position and the moving position without shaking.

한편, 공정챔버(40)의 내측의 공간부(42)는 진공상태를 유지하여야 하는데, 회전축(52)과 챔버본체(41)의 외벽 사이를 통해 공간부(42)의 진공이 해제될 수 있으므로, 본 실시예에서는 벨로우즈(78)를 구비한다. 벨로우즈(78)는 압축 및 신장가능한 소재로 이루어지며, 제1위치롤러(47)들의 회전축(52)을 감싼 상태로 일단은 지지대(51)에 결합되며, 타단은 챔버본체(41)에 결합된다. 벨로우즈(78)는 압축 및 신장이 가능하며 그 내부는 기밀이 유지되므로, 회전축(52)이 직진이동되어도 공정챔버(40)의 공간부(42)는 진공상태를 유지할 수 있다. On the other hand, the space 42 inside the process chamber 40 must maintain a vacuum state, since the vacuum of the space 42 can be released through the rotation shaft 52 and the outer wall of the chamber body 41. In this embodiment, the bellows 78 is provided. The bellows 78 is made of a compressible and extensible material, one end of which is coupled to the support 51 while the rotating shaft 52 of the first position rollers 47 is wrapped, and the other end of which is coupled to the chamber body 41. . Since the bellows 78 is compressible and extensible and the inside thereof is hermetically maintained, the space 42 of the process chamber 40 may maintain a vacuum even when the rotating shaft 52 is moved straight.

상기한 구성으로 이루어진 인라인 기판 처리시스템(100)의 작동상태를 간략하게 설명한다. An operating state of the inline substrate processing system 100 having the above configuration will be briefly described.

제1로딩스테이션(10)의 리프트플레이트(13)가 상부에 위치된 상태에서, 이송로봇(미도시) 등에 의하여 기판(s)을 탑재한 트레이(t)가 롤러(14) 위에 로딩된다. 롤러(14)들이 회전되면 트레이(t)는 점차 이동되어 제1보조챔버(30)쪽으로 이송된다. In a state in which the lift plate 13 of the first loading station 10 is positioned above, a tray t on which the substrate s is mounted is loaded on the roller 14 by a transfer robot (not shown) or the like. When the rollers 14 are rotated, the tray t is gradually moved and conveyed toward the first auxiliary chamber 30.

제1보조챔버(30)의 슬릿밸브가 개방되면 트레이(t)는 보조챔버(30)의 제1롤러(37)위로 얹어지며, 제1롤러(37)의 회전에 의하여 트레이(t)는 보조챔버(30)의 중앙부에 배치된다. 공정 조건에 따라 트레이(t)를 보조챔버(30)의 중앙부에서 일시적으로 정지시킨 후 기판(s)을 램프(35)로 가열할 수도 있으며, 정지함이 없이 계속 이송시키면서 기판(s)을 가열할 수도 있다. 한편, 제1로딩스테이션(10)과 제1보조챔버(30) 사이에 기판(s)을 교환하는 과정에서 제1보조챔버(30)의 진공이 해제되는 바, 트레이(t)가 완전히 제1보조챔버(30)로 유입된 후에는 슬릿밸브를 폐쇄하고 펌프(미도시)를 작동시켜 제1보조챔버(30)를 다시 진공상태로 만들어야 한다. When the slit valve of the first auxiliary chamber 30 is opened, the tray t is placed on the first roller 37 of the auxiliary chamber 30, and the tray t is assisted by the rotation of the first roller 37. It is disposed in the center of the chamber 30. Depending on the process conditions, the tray t may be temporarily stopped at the center of the auxiliary chamber 30, and then the substrate s may be heated by the lamp 35. The substrate s may be heated while being continuously transferred without stopping. You may. Meanwhile, in the process of exchanging the substrate s between the first loading station 10 and the first auxiliary chamber 30, the vacuum of the first auxiliary chamber 30 is released, and thus the tray t is completely first. After entering the auxiliary chamber 30, the slit valve is closed and a pump (not shown) is operated to make the first auxiliary chamber 30 again in a vacuum state.

이러한 상태에서 트레이(t)는 제1보조챔버(30)로부터 공정챔버(40)로 이송된다. 공정챔버(40)의 제1위치롤러(47)들은 보조챔버(30)의 제1롤러(37)와 동일한 높이에 배치되어 있으므로, 트레이(t)는 동일한 평면 상에서 제1롤러(38)로부터 제1위치롤러(47)로 넘어갈 수 있다. In this state, the tray t is transferred from the first auxiliary chamber 30 to the process chamber 40. Since the first position rollers 47 of the process chamber 40 are disposed at the same height as the first roller 37 of the subchamber 30, the tray t is removed from the first roller 38 on the same plane. It can be passed over to the one-position roller 47.

트레이(t)가 제1위치롤러(47)들의 정중앙에 놓여지면, 도 2에 도시된 바와 같이, 하부에 배치되어 있던 히터플레이트(46a)가 상승하여 트레이(t)를 샤워헤드(45)쪽으로 리프트한다. 트레이(t)에 탑재된 기판(s)은 히터플레이트(46a)에 의하여 가열상태를 유지하며, 샤워헤드(45)를 통해 가스를 분사하면서 공정을 진행한다. 공정이 완료되면, 공정챔버(40)의 리니어 액츄에이터를 작동하여 제1위치롤러(47)들을 기본위치로부터 이동위치로 이동시키고, 서셉터를 하강시켜 도 6에 도시된 바와 같이 트레이(t)가 제2위치롤러(48) 위에 얹어지게 한다. When the tray t is placed at the center of the first position rollers 47, as shown in FIG. 2, the heater plate 46a disposed at the lower side is raised to move the tray t toward the shower head 45. Lift. The substrate s mounted on the tray t is maintained in a heated state by the heater plate 46a, and the process is performed while injecting gas through the shower head 45. When the process is completed, the linear actuator of the process chamber 40 is operated to move the first position rollers 47 from the basic position to the movement position, and the susceptor is lowered to thereby bring the tray t as shown in FIG. Place it on the second position roller 48.

공정챔버(40)의 슬릿밸브(v)를 개방한 상태에서 제2위치롤러(48)들이 구동되면 트레이(t)는 제1보조챔버(30)의 제2롤러(38)로 넘어간다. 트레이(t)가 제2롤러(38)에 얹어진 상태에서 쿨링플레이트(36)가 상승하여 트레이(t)를 지지하며, 기판(s)은 쿨링플레이트(36)에 의하여 냉각된다. When the second position rollers 48 are driven while the slit valve v of the process chamber 40 is opened, the tray t is transferred to the second roller 38 of the first auxiliary chamber 30. In the state where the tray t is mounted on the second roller 38, the cooling plate 36 is raised to support the tray t, and the substrate s is cooled by the cooling plate 36.

냉각이 완료된 기판(s)은 다시 제1로딩스테이션(10)을 통해 외부로 반송된다. 이때, 기판(s)의 반송과정에서 제1로딩스테이션(10)의 리프트플레이트(13)는 도 2에 가상선으로 도시된 바와 같이 하부로 위치이동된다. The substrate s having completed cooling is conveyed to the outside through the first loading station 10 again. At this time, the lift plate 13 of the first loading station 10 in the conveyance process of the substrate (s) is moved to the lower position as shown by the virtual line in FIG.

한편, 제2로딩스테이션(90) 및 제2보조챔버(80)를 통해서도 동일하게 공정챔버(40)로 기판을 공급할 수 있고, 기판의 처리가 완료된 후 기판을 반출할 수 있다. 이 과정은 앞서 제1로딩스테이션 및 제1보조챔버의 과정과 동일하므로 설명은 생략한다.Meanwhile, the substrate may be supplied to the process chamber 40 through the second loading station 90 and the second auxiliary chamber 80, and the substrate may be taken out after the processing of the substrate is completed. Since this process is the same as the process of the first loading station and the first auxiliary chamber, the description thereof will be omitted.

상술한 바와 같이 본 실시예에 따르면, 도 7에 도시된 바와 같이 공정챔버로 미처리된 기판을 공급하였다가 처리완료된 기판을 회수하는 과정을 두 가지 경로를 통해 실시할 수 있다. 즉, 제1로딩스테이션(10) 및 제1보조챔버(30)를 통해 기판을 공정챔버(40)로 공급하고 처리완료된 기판을 회수할 수 있으며, 제2로딩스테이션(90) 및 제2보조챔버(80)를 통해 기판을 공정챔버(40)로 공급하고 처리완료된 기판을 회수할 수 있다. As described above, according to the present embodiment, as shown in FIG. 7, the process of recovering the processed substrate after supplying the untreated substrate to the process chamber may be performed through two paths. That is, the substrate may be supplied to the process chamber 40 through the first loading station 10 and the first auxiliary chamber 30, and the processed substrate may be recovered. The second loading station 90 and the second auxiliary chamber may be recovered. Through 80, the substrate may be supplied to the process chamber 40, and the processed substrate may be recovered.

그리고, 이와 같이 양방향으로 공정챔버에 기판을 공급하면, 어느 한 방향에서의 기판의 공급 또는 회수가 정체되는 경우, 다른 방향을 통해 기판을 공정챔버로 공급하거나 회수할 수 있다. 따라서, 공정챔버 자체는 공정의 정체에 따른 불필요한 대기시간(idle time) 없이 지속적으로 가동할 수 있으며, 그 결과 인라인 기판처리시스템의 생산효율(throughput)이 크게 향상된다.When the substrate is supplied to the process chamber in both directions as described above, when the supply or recovery of the substrate in one direction is stagnant, the substrate may be supplied to or recovered from the process chamber through the other direction. Therefore, the process chamber itself can continuously operate without unnecessary idle time due to the congestion of the process, and as a result, the throughput of the inline substrate processing system is greatly improved.

참고로, 도 7에서 미설명한 참조부호 200은, 미처리된 기판을 제1로딩스테이션(10) 및 제2로딩스테이션(90)으로 공급하고, 처리완료된 기판을 제1로딩스테이션(10) 및 제2로딩스테이션(90)으로부터 회수하는 장치이다.For reference, reference numeral 200, which is not described in FIG. 7, supplies an unprocessed substrate to the first loading station 10 and the second loading station 90, and supplies the processed substrate to the first loading station 10 and the second loading station. It is a device for recovering from the loading station (90).

또한, 도 3 및 도 4에서 미설명한 참조번호 55 및 65는 동력전달벨트(57,67)의 텐션을 유지해주기 위한 롤러이다. In addition, reference numerals 55 and 65 which are not described in FIGS. 3 and 4 are rollers for maintaining the tension of the power transmission belts 57 and 67.

한편, 본 실시예에서는 제1영역에 램프 형태의 히터를 설치되고, 제2영역에 쿨링플레이트(36)가 설치되었기 때문에, 기판이 보조챔버의 상부(제1영역)를 통해 공정챔버로 반입되었다가 보조챔버의 하부(제2영역)를 통해 반출된다. 하지만, 제1영역에 쿨링플레이트를 설치하고 제2영역에 히터를 설치하는 경우에는, 기판이 보조챔버의 하부(제2영역)를 통해 공정챔버로 반입되었다가 보조챔버의 상부(제1영역)를 통해 반출될 것이다.On the other hand, in this embodiment, since the heater in the form of a lamp is installed in the first region and the cooling plate 36 is installed in the second region, the substrate is brought into the process chamber through the upper portion (first region) of the auxiliary chamber. Is taken out through the lower part (second area) of the auxiliary chamber. However, when the cooling plate is installed in the first region and the heater is installed in the second region, the substrate is brought into the process chamber through the lower portion of the auxiliary chamber (second region) and then the upper portion of the auxiliary chamber (first region). Will be taken out via

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation and that those skilled in the art will recognize that various modifications and equivalent arrangements may be made therein. It will be possible. Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be determined only by the appended claims.

100...인라인 기판처리시스템 10...제1로딩스테이션
30...제1보조챔버 40...공정챔버
80...제2보조챔버 90...제2로딩스테이션
t...트레이 s...기판100 in-line substrate processing system 10 ... 1st loading station
30.First Auxiliary Chamber 40 ... Process Chamber
80 ... 2nd Auxiliary Chamber 90 ... 2nd Loading Station
t ... tray s ... substrate

Claims

A process chamber for performing a predetermined process on the substrate;
A first processing unit coupled to one side of the process chamber to exchange the substrates with the process chamber, and to perform a predetermined process on the substrate before entering the process chamber, and to separate the first processing unit from the first processing unit; A first auxiliary chamber which is installed in a predetermined region and has a second processing unit which performs a predetermined process on the substrate discharged from the process chamber;
A second auxiliary chamber coupled to the other side of the process chamber to exchange the substrate with the process chamber, the second auxiliary chamber having the first processing unit and the second processing unit;
A first loading station for exchanging the substrate with the first auxiliary chamber;
A second loading station for exchanging the substrate with the second auxiliary chamber; And
A susceptor installed in the process chamber so as to be movable between a first position corresponding to an area where the first processing unit is installed and a second position corresponding to an area where the second processing unit is installed; In-line substrate processing system comprising a.

The method of claim 1,
The first processing unit is a heater for preheating the substrate,
The second processing unit is a cooling plate which is installed to be liftable to support and cool the substrate,
And an area in which the heater is installed and an area in which the cooling plate is installed, to prevent heat exchange.

The method of claim 1,
The first loading station includes a plurality of feed rollers for transferring the substrate between the first auxiliary chamber, and the plurality of feed rollers are provided in an area in which the first processing unit of the first auxiliary chamber is installed. Move between a corresponding position and a position corresponding to an area in which the second processing unit is installed,
The second loading station includes a plurality of transfer rollers for transferring the substrate between the second auxiliary chambers, and the plurality of transfer rollers are located in an area in which the first processing unit of the second auxiliary chamber is installed. In-line substrate processing system, characterized in that the movable between the corresponding position and the position corresponding to the region in which the second processing unit is installed.