KR20130048696A - Positive-type photosensitive resin composition, method of producing cured film, cured film, liquid crystal display device, and organic electroluminescent display device - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A positive type photosensitive resin composition is provided to have high sensitivity, to have high resistance to a stripping composition or NMP, to have excellent adhesion to a transparent electrode film or metal and etching resistance. CONSTITUTION: A positive type photosensitive resin composition contains a polymer component, photoacid generator, a solvent, and a silica compound which has two or more hydrolyzable silyl group and/or silanol group represented by chemical formula X1. The polymer component includes a polymer which has a structure unit having a group protected by an acid-decomposable group and a structure unit having a crosslinkable group; and/or a polymer which has a structure unit having a group protected by an acid-decomposable group and a crosslinkable group.

Description

포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 액정 표시 장치, 및 유기 EL 표시 장치{POSITIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD OF PRODUCING CURED FILM, CURED FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE}POSITIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD OF PRODUCING CURED FILM, CURED FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEV }

본 발명은 포지티브형 감광성 수지 조성물, 경화막의 형성 방법, 경화막, 액정 표시 장치 및 유기 EL 표시 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 액정 표시 장치, 유기 EL 표시 장치, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품의 평탄화막, 보호막이나 층간 절연막의 형성에 바람직한 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 그것을 사용한 경화막의 형성 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a method of forming a cured film, a cured film, a liquid crystal display device, and an organic EL display device. More specifically, it relates to a positive type photosensitive resin composition suitable for the formation of planarization films, protective films and interlayer insulating films of electronic components such as liquid crystal display devices, organic EL display devices, integrated circuit devices, solid-state imaging devices, and a method of forming a cured film using the same. will be.

박막 트랜지스터(이하, 「TFT」로 기재한다)형 액정 표시 소자나 자기 헤드 소자, 집적 회로 소자, 고체 촬상 소자 등의 전자 부품에는 일반적으로 층상으로 배치되는 배선의 사이를 절연하기 위해서 층간 절연막이 형성되어 있다. 층간 절연막을 형성하는 재료로서는 필요로 하는 패턴 형상을 얻기 위한 공정 수가 적고 또한 충분한 평탄성을 갖는 것이 바람직한 점에서 감광성 수지 조성물이 폭넓게 사용되고 있다.In an electronic component such as a thin film transistor (hereinafter referred to as "TFT") type liquid crystal display element, a magnetic head element, an integrated circuit element, or a solid-state image sensor, an interlayer insulating film is generally formed to insulate between wirings arranged in layers. It is. As a material for forming the interlayer insulating film, a photosensitive resin composition is widely used in that it is preferable that the number of steps for obtaining the required pattern shape is small and the flatness is sufficient.

상기 전자 부품 중 예를 들면 TFT형 액정 표시 소자는 상기 층간 절연막 상에 투명 전극막(ITO)을 형성하고, 그 위에 몰리브덴(Mo)이나 티탄(Ti) 등의 금속으로 이루어지는 배선이 더 형성되고, 액정 배향막을 형성하는 공정을 거쳐 제조되기 때문에 층간 절연막은 투명 전극막의 형성 공정에 있어서 고온 조건에 노출되거나 전극의 패턴 형성에 사용되는 레지스트의 박리액(주로 모노에탄올아민(MEA))이나 액정 배향막 형성 시에 사용되는 N-메틸피롤리돈(NMP)에 노출되게 되기 때문에 이들에 대한 충분한 내성이 필요하게 된다. 또한, 층간 절연막은 드라이 에칭 공정에 가해지는 경우도 있기 때문에 드라이 에칭에 대한 충분한 내성도 필요하게 된다.Among the electronic components, for example, in the TFT type liquid crystal display device, a transparent electrode film ITO is formed on the interlayer insulating film, and a wiring made of metal such as molybdenum (Mo) or titanium (Ti) is further formed thereon. Since it is manufactured through the process of forming a liquid crystal aligning film, an interlayer insulation film is exposed to high temperature conditions in the formation process of a transparent electrode film, or peeling liquid (mainly monoethanolamine (MEA)) of a resist used for pattern formation of an electrode, or liquid crystal aligning film formation. Because they will be exposed to the N-methylpyrrolidone (NMP) used in the city, sufficient resistance to them is necessary. Moreover, since an interlayer insulation film may be added to a dry etching process, sufficient resistance to dry etching is also required.

또한, 일본 특허 공개 2009-258722호 공보에는 해리성기가 분해함으로써 카르복실기를 발생시키는 특정 아크릴산계 구성 단위를 함유하고, 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성이며, 또한 산 해리성기가 분해했을 때에 알칼리 가용성이 되는 수지, 에폭시기 함유 라디칼 중합성 단량체로부터 유도되는 구성 단위를 함유하는 수지, 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물(단, 에폭시기 함유 라디칼 중합성 화합물로 이루어지는 구성 단위를 함유하는 상기 수지를 제외한다), 파장 300㎚ 이상의 활성광선의 조사에 의해 산을 발생하는 화합물을 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 제안되어 있다.In addition, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-258722 contains a specific acrylic acid structural unit that generates a carboxyl group by dissociating a dissociable group, which is alkali insoluble or alkali poorly soluble, and which becomes alkali-soluble when the acid dissociable group decomposes. , A resin containing a structural unit derived from an epoxy group-containing radically polymerizable monomer, a compound having two or more epoxy groups in a molecule (except the resin containing a structural unit composed of an epoxy group-containing radically polymerizable compound), wavelength Positive type photosensitive resin composition containing the compound which generate | occur | produces an acid by irradiation of actinic light of 300 nm or more is proposed.

또한, 국제 공개 제 2009/136647호 팜플렛에는 알칼리 가용성 수지(A), 감광제(B), 특정 규소 화합물(C)을 함유하는 포지티브형 감광성 수지 조성물이 제안되어 있다.Moreover, the positive photosensitive resin composition containing alkali-soluble resin (A), the photosensitive agent (B), and the specific silicon compound (C) is proposed by the international publication 2009/136647 pamphlet.

그러나 일본 특허 공개 2009-258722호 공보 및 국제 공개 제 2009/136647호 팜플렛에 있어서 제안되어 있는 감광성 수지 조성물은 층간 절연막 형성 후에 사용되는 레지스트의 박리액(주로 모노에탄올아민(MEA))이나 특히 용제의 NMP(N-메틸피롤리돈)에 대한 내성이 높지 않은 것, 또한 드라이 에칭에 대한 내성이 높지 않은 점에서 액정 표시 장치에 있어서의 표시 문제가 일어나기 쉬워 개선이 요구되고 있었다.However, the photosensitive resin composition proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-258722 and International Publication No. 2009/136647 pamphlet is preferably a stripping solution of a resist (mainly monoethanolamine (MEA)) used after formation of an interlayer insulating film or a solvent. Since the resistance to NMP (N-methylpyrrolidone) is not high and the resistance to dry etching is not high, the display problem in a liquid crystal display device tends to occur, and improvement was calculated | required.

본 발명은 이상과 같은 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 이하의 과제를 해결하는 것이다.This invention is made | formed in view of the above circumstances, and solves the following subjects.

즉, 본 발명이 해결하려고 하는 과제는 레지스트 박리액이나 NMP에 대한 내성이 높고, 또한 드라이 에칭 내성이 우수하고, 표시 장치에 있어서도 표시 문제가 일어나기 어려운 경화막을 얻을 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어지는 경화막 및 그 형성 방법 및 상기 경화막을 구비한 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.That is, the problem which this invention is trying to solve is the positive photosensitive resin composition which can obtain the cured film which is high in resist stripping solution and NMP, and excellent in dry etching resistance, and a display problem hardly arises also in a display apparatus, The said It provides the cured film obtained by hardening | curing the photosensitive resin composition, its formation method, and the organic electroluminescence display provided with the said cured film, and a liquid crystal display device.

이러한 상황에서 본원발명자가 예의 검토를 행한 결과 특정 구조를 갖는 규소 화합물을 사용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견했다. 이것은 가교성기를 갖는 화학 증폭형 레지스트 중에 있어서는 알콕시실릴 화합물이 가교성기나 탈보호된 산기와 결합하는 경화제로서 유효하게 기능하기 때문이다. 구체적으로는 하기 수단 <1> 또는 <16>에 의해, 보다 바람직하게는 하기 수단 <2>~<16>에 의해 상기 과제는 해결되었다.In this situation, the inventors of the present invention have diligently studied and found that the above problems can be solved by using a silicon compound having a specific structure. This is because in the chemically amplified resist having a crosslinkable group, the alkoxysilyl compound functions effectively as a curing agent that binds to a crosslinkable group or a deprotected acid group. Specifically, the problem was solved by the following means <1> or <16>, more preferably by the following means <2> to <16>.

<1> (성분 A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 충족하는 중합체를 포함하는 중합체 성분,<1> (component A) The polymer component containing the polymer which satisfy | fills at least one of following (1) and (2),

(1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,(1) a polymer having a structural unit (a1) in which an acid group has a group protected by an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group,

(2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,(2) a polymer having a structural unit (a1) in which an acid group has a group protected by an acid-decomposable group, and (a2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group,

(성분 C) 광산 발생제, 및(Component C) a photoacid generator, and

(성분 D) 용제를 함유하고, 또한(Component D) contains a solvent, and

(성분 X) 식(X1)로 나타내어지는 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 1분자 내에 2개 이상 갖는 규소 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.(Component X) The positive photosensitive resin composition containing the silicon compound which has two or more hydrolyzable silyl groups and / or silanol groups represented by Formula (X1) in 1 molecule.

Figure pat00001
Figure pat00001

(식 중 RX1~RX3 중 적어도 1개는 알콕시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 아미드기, 아세톡시기, 아미노기, 알릴옥시기 및 이소프로페녹시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 가수분해성기 또는 히드록시기를 나타낸다. 나머지 RX1~RX3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 1가의 유기 치환기를 나타낸다) Wherein at least one of R X1 to R X3 is a hydrolyzable group selected from the group consisting of an alkoxy group, a mercapto group, a halogen atom, an amide group, an acetoxy group, an amino group, an allyloxy group and an isopropenoxy group or Hydroxy group, and the remaining R X1 to R X3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic substituent)

<2> <1>에 있어서, 상기 구성 단위(X1) 중에서 RX1~RX3 중 적어도 2개가 알콕시기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.<2> The positive photosensitive resin composition according to <1>, wherein at least two of R X1 to R X3 in the structural unit (X1) are an alkoxy group.

<3> <1> 또는 <2>에 있어서, 상기 성분 X의 함유량이 수지 조성물의 용제를 제외한 성분의 합계에 대하여 0.1중량% 이상인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.<3> Positive photosensitive resin composition as described in <1> or <2> whose content of the said component X is 0.1 weight% or more with respect to the sum total of the component except the solvent of the resin composition.

<4> <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 있어서, 상기 구성 단위(a1)가 카르복실기가 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위인 포지티브형 감광성 수지 조성물.<4> The positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <3>, wherein the structural unit (a1) is a structural unit having a residue in which a carboxyl group is protected by acetal or ketal.

<5> <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 있어서, 상기 구성 단위(a1)가 식(a1-1)로 나타내어지는 구성 단위인 포지티브형 감광성 수지 조성물.<5> Positive photosensitive resin composition in any one of <1>-<4> whose said structural unit (a1) is a structural unit represented by Formula (a1-1).

Figure pat00002
Figure pat00002

(식 중 R1 및 R2는 각각 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽이 알킬기 또는 아릴기이며, R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와 R3이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋고, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다)(Wherein R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 represents an alkyl group or an aryl group, and R 1 or R 2 and R 3 may be linked to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents a single bond or an arylene group)

<6> <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 있어서, 상기 구성 단위(X1)의 RX1~RX3 중 적어도 2개가 메톡시기 또는 에톡시기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.<6> The positive photosensitive resin composition according to any one of <1> to <5>, wherein at least two of R X1 to R X3 of the structural unit (X1) are a methoxy group or an ethoxy group.

<7> <1> 내지 <6> 중 어느 하나에 있어서, 상기 구성 단위(a2)가 에폭시기, 옥세타닐기로부터 선택되는 적어도 1종을 갖는 구성 단위인 포지티브형 감광성 수지 조성물.<7> Positive photosensitive resin composition in any one of <1>-<6> whose said structural unit (a2) is a structural unit which has at least 1 sort (s) chosen from an epoxy group and an oxetanyl group.

<8> <1> 내지 <7> 중 어느 하나에 있어서, 성분 A의 함유량 WA와 성분 B의 함유량 WB의 중량 비율이 WA/WB=98/2~20/80인 포지티브형 감광성 수지 조성물.<8><1> to <7> according to any one of, the content W A and the weight ratio of the amount W B of component B in component A W A / W B = 98 /2 ~ 20/80 of a positive photosensitive Resin composition.

<9> <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 있어서, 성분 C가 식(c0)로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기 중 적어도 1개를 갖는 옥심술포네이트 화합물인 포지티브형 감광성 수지 조성물.<9> Positive photosensitive resin composition in any one of <1>-<8> whose component C is an oxime sulfonate compound which has at least 1 of the oxime sulfonate residue represented by Formula (c0).

Figure pat00003
Figure pat00003

<10> (1) <1> 내지 <9> 중 어느 하나에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 공정,<10> (1) Process of apply | coating positive type photosensitive resin composition in any one of <1>-<9> on a board | substrate,

(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정,(2) removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,

(3) 용제가 제거된 감광성 수지 조성물을 활성광선에 의해 노광하는 공정,(3) Process of exposing photosensitive resin composition from which solvent was removed by actinic light,

(4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 공정, 및(4) process of developing exposed photosensitive resin composition with aqueous developing solution, and

(5) 현상된 감광성 수지 조성물을 열경화하는 포스트 베이킹 공정을 포함하는 경화막의 형성 방법.(5) The formation method of the cured film containing the post-baking process of thermosetting the developed photosensitive resin composition.

<11> <10>에 있어서, 상기 현상 공정 후 상기 포스트 베이킹 공정 전에 현상된 감광성 수지 조성물을 전면 노광하는 공정을 포함하는 경화막의 형성 방법.<11> The method for forming a cured film according to <10>, comprising a step of exposing the entire surface of the photosensitive resin composition developed after the developing step and before the post-baking step.

<12> <10> 또는 <11>에 있어서, (6) 열경화해서 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하는 공정을 더 포함하는 경화막의 형성 방법.<12> The method for forming a cured film according to <10> or <11>, further comprising (6) performing a dry etching process on the substrate having a cured film obtained by thermosetting.

<13> <10> 내지 <12> 중 어느 하나에 기재된 경화막의 형성 방법에 의해 형성된 경화막.<13> Cured film formed by the formation method of the cured film in any one of <10>-<12>.

<14> <13>에 있어서, 층간 절연막인 경화막.<14> The cured film as described in <13> which is an interlayer insulation film.

<15> <13> 또는 <14>에 기재된 경화막을 구비하는 유기 EL 표시 장치 또는 액정 표시 장치.<15> The organic electroluminescence display or liquid crystal display device provided with the cured film as described in <13> or <14>.

<16> 식(X1)로 나타내어지는 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 1분자 내에 2개 이상 갖는 규소 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물의 내약품성 향상제.<16> The chemical-resistance improving agent of the positive photosensitive resin composition characterized by containing the silicon compound which has 2 or more of hydrolysable silyl groups and / or silanol groups represented by Formula (X1) in 1 molecule.

Figure pat00004
Figure pat00004

(식 중 RX1~RX3 중 적어도 1개는 알콕시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 아미드기, 아세톡시기, 아미노기, 알릴옥시기 및 이소프로페녹시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 가수분해성기 또는 히드록시기를 나타낸다. 나머지 RX1~RX3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 1가의 유기 치환기를 나타낸다) Wherein at least one of R X1 to R X3 is a hydrolyzable group selected from the group consisting of an alkoxy group, a mercapto group, a halogen atom, an amide group, an acetoxy group, an amino group, an allyloxy group and an isopropenoxy group or Hydroxy group, and the remaining R X1 to R X3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic substituent)

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

본 발명에 의하면 MEA나 NMP에 대한 내성이 높고, 또한 드라이 에칭 내성이 우수하고, 표시 장치에 있어서도 표시 문제가 일어나기 어려운 경화막을 얻을 수 있는 포지티브형 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어지는 경화막 및 그 형성 방법 및 상기 경화막을 구비한 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치를 제공할 수 있었다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the positive photosensitive resin composition which is high in resistance to MEA and NMP, and excellent in dry etching resistance, and which can hardly produce a display problem also in a display apparatus, hardening obtained by hardening the said photosensitive resin composition An organic EL display device and a liquid crystal display device provided with the film, the formation method, and the said cured film could be provided.

도 1은 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 보텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.
도 2는 액정 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 액정 표시 장치에 있어서의 액티브 매트릭스 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 층간 절연막인 경화막(17)을 갖고 있다.
1 shows a configuration conceptual diagram of an example of an organic EL display device. Typical sectional drawing of the board | substrate in a bottom emission type organic electroluminescence display is shown, and it has the planarization film 4. As shown in FIG.
2 shows a configuration conceptual diagram of an example of a liquid crystal display device. Typical sectional drawing of the active-matrix board | substrate in a liquid crystal display device is shown, and it has the cured film 17 which is an interlayer insulation film.

이하, 본 발명에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

또한, 명세서 중 「하한~상한」의 기재는 「하한 이상, 상한 이하」를 나타내고, 「상한~하한」의 기재는 「상한 이하, 하한 이상」을 나타낸다. 즉, 상한 및 하한을 포함하는 수치 범위를 나타낸다.In addition, description of "lower limit-an upper limit" shows "lower limit or more and an upper limit or less" in the specification, and description of "upper limit-lower limit" represents "upper limit or less, lower limit or more". That is, the numerical range containing an upper limit and a lower limit is shown.

또한, 「(성분 C) 광산 발생제 등」을 간단히 「성분 C」 등이라고도 하고, 「(a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위」 등을 간단히 「구성 단위(a1)」 등이라고도 한다.In addition, "(component C) photo-acid generator etc." is also called "component C" etc. simply, "The structural unit which has the residue in which the (a1) acidic group was protected by the acid-decomposable group", etc. "Structural unit (a1)" etc. Also called.

또한, 「아크릴레이트」, 「메타크릴레이트」의 쌍방 또는 어느 하나를 가리킬 경우 「(메타)아크릴레이트」로, 「아크릴」, 「메탈크릴」의 쌍방 또는 어느 하나를 가리킬 경우 「(메타)아크릴」로 각각 기재하는 경우가 있다.In addition, when both or any one of "acrylate" and "methacrylate" are referred to as "(meth) acrylate", when both or any of "acryl" and "methacryl" are referred to as "(meth) acryl" May be described respectively.

(포지티브형 감광성 수지 조성물)(Positive photosensitive resin composition)

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물(이하, 간단히 「감광성 수지 조성물」이라고도 한다)은 (성분 A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 충족하는 중합체를 포함하는 중합체 성분,The positive photosensitive resin composition (henceforth simply called "photosensitive resin composition") of this invention is a polymer component containing the polymer which satisfy | fills at least one of (component A) following (1) and (2),

(1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,(1) a polymer having a structural unit (a1) in which an acid group has a group protected by an acid-decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group,

(2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체와 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체, (성분 C) 광산 발생제, (성분 D) 용제 및 (성분 X) 식(X1)로 나타내어지는 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 1분자 내에 2개 이상 갖는 규소 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.(2) a copolymer having (a1) a polymer having a structural unit having a group protected by an acid-decomposable group, (a2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group, and (a2) a structural unit having a crosslinkable group, (component C) The silicon compound which has a photo-acid generator, the (component D) solvent, and the (component X) hydrolyzable silyl group and / or silanol group represented by Formula (X1) in 2 or more molecules in 1 molecule.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위를 갖지않고, 적어도 산기를 갖는 구성 단위와 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체를 함유하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains the copolymer which does not have a structural unit which has an acidic radical protected group by the acid-decomposable group, and has a structural unit which has an acidic radical and a crosslinkable group at least.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 특정 수지(성분 A)와 광산 발생제와 특정 규소 화합물을 함유함으로써 박리액, 특히 모노에탄올아민을 함유하는 박리액이나 NMP에 대한 내성이 높고, 투명 전극막이나 금속과의 밀착성도 양호하며, 또한 드라이 에칭 내성이 우수하고, 표시 장치에 있어서도 표시 문제가 일어나기 어려운 경화막을 형성할 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention contains specific resin (component A), a photo-acid generator, and a specific silicon compound, and has high resistance to peeling liquids, especially peeling liquid containing monoethanolamine, and NMP, The adhesiveness of is also good, the dry etching resistance is excellent, and the cured film which is hard to produce a display problem also in a display apparatus can be formed.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 화학 증폭형의 포지티브형 감광성 수지 조성물(화학 증폭 포지티브형 감광성 수지 조성물)인 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the photosensitive resin composition of this invention is a chemically amplified positive photosensitive resin composition (chemical amplification positive photosensitive resin composition).

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물은 드라이 에칭 레지스트용 포지티브형 감광성 수지 조성물로서 바람직하게 사용할 수 있다.Moreover, the photosensitive resin composition of this invention can be used suitably as a positive photosensitive resin composition for dry etching resists.

또한, 본명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는 치환기를 갖지 않는 것과 아울러 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, 「알킬기」란 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In addition, in description of group (atom group) in this specification, the description which is not describing substitution and unsubstitution includes what has a substituent as well as not having a substituent. For example, an "alkyl group" includes not only the alkyl group (unsubstituted alkyl group) which does not have a substituent but the alkyl group (substituted alkyl group) which has a substituent.

또한, 본 발명에 사용하는 성분 A 등의 공중합체가 함유하는 구성 단위를 도입하는 방법은 중합법이어도 좋고, 고분자 반응법이어도 좋다. 중합법에서는 소정의 관능기를 함유하는 모노머를 미리 합성한 후에 이들의 모노머를 공중합한다. 고분자 반응법에서는 중합 반응을 행한 후에 얻어진 공중합체의 구성 단위에 포함되는 반응성기를 이용해서 필요한 관능기를 구성 단위 중으로 도입한다. 여기서 관능기로서는 카르복실기 또는 페놀성 수산기 등의 산기를 보호함과 동시에 강산의 존재 하에서 분해하여 이들을 유리(遊離)하기 위한 보호기, 에폭시기 또는 옥세타닐기 등의 가교성기, 또한 페놀성 수산기나 카르복실기와 같은 알칼리 가용성기(산기) 등을 예시할 수 있다.In addition, the polymerization method may be sufficient as the method of introduce | transducing the structural unit contained in copolymers, such as the component A used for this invention, and a polymer reaction method may be sufficient as it. In the polymerization method, monomers containing a predetermined functional group are synthesized in advance, and these monomers are copolymerized. In the polymer reaction method, necessary functional groups are introduced into the structural units using the reactive groups contained in the structural units of the copolymer obtained after the polymerization reaction. The functional group is a crosslinkable group such as a protecting group, an epoxy group or an oxetanyl group, and an alkali such as a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group, while protecting the acid group such as a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group and decomposing in the presence of a strong acid. A soluble group (acid group) etc. can be illustrated.

<(A) 중합체 성분><(A) polymer component>

본 발명의 조성물은 중합체 성분으로서 (1) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 및 (2) (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 중 적어도 한쪽을 포함한다. 또한, 이들 이외의 중합체를 포함하고 있어도 좋다. 본 발명에 있어서의 (A) 중합체 성분(이하, 「(A) 성분」이라고 하는 경우도 있다)은 특별히 언급하지 않은 한 상기 (1) 및/또는 (2)에 추가하여 필요에 따라 첨가되는 다른 중합체를 포함시킨 것을 의미한다.The composition of the present invention is a polymer component comprising (1) a polymer having a structural unit having a moiety in which the (a1) acid group is protected with an acid decomposable group and (a2) a structural unit having a crosslinkable group and (2) an acid degradable acid group (a1) At least one of the polymer which has a structural unit which has group protected by the group, and the polymer which has a structural unit which has (a2) crosslinkable group is included. Moreover, polymers other than these may be included. (A) polymer component (Hereinafter, it may be called "(A) component") in this invention is another thing added as needed in addition to said (1) and / or (2) unless there is particular notice. It means that the polymer is included.

(A) 성분은 부가 중합형의 수지인 것이 바람직하고, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위를 포함하는 중합체인 것이 보다 바람직하다. 또한, (메타)아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위 이외의 구성 단위, 예를 들면 스티렌으로부터 유래되는 구성 단위나 비닐 화합물로부터 유래되는 구성 단위 등을 갖고 있어도 좋다.It is preferable that (A) component is addition polymerization type resin, and it is more preferable that it is a polymer containing the structural unit derived from (meth) acrylic acid and / or its ester. Moreover, you may have structural units other than the structural unit derived from (meth) acrylic acid and / or its ester, for example, the structural unit derived from styrene, the structural unit derived from a vinyl compound, etc.

또한, 「메타아크릴산 및/또는 그 에스테르로부터 유래되는 구성 단위」를 「아크릴계 구성 단위」라고도 한다. 또한, 「(메타)아크릴산」은 「메타크릴산 및/또는 아크릴산」을 의미하는 것으로 한다.In addition, "the structural unit derived from methacrylic acid and / or its ester" is also called "acrylic-type structural unit." In addition, "(meth) acrylic acid" shall mean "methacrylic acid and / or acrylic acid."

<<구성 단위(a1)>><< structural unit (a1) >>

성분 A는 (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 적어도 갖는다. (A) 성분이 구성 단위(a1)를 가짐으로써 매우 고감도인 감광성 수지 조성물로 할 수 있다.Component A has at least the structural unit in which an acidic radical (a1) has the group protected by the acid-decomposable group. When (A) component has a structural unit (a1), it can be set as the very highly sensitive photosensitive resin composition.

본 발명에 있어서의 「산기가 산 분해성기로 보호된 기」는 산기 및 산 분해성기로서 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 구체적인 산기로서는 카르복실기 및 페놀성 수산기를 바람직하게 들 수 있다. 또한, 산 분해성기로서는 산에 의해 비교적 분해되기 쉬운 기(예를 들면, 후술하는 식(A1)로 나타내어지는 기의 에스테르 구조, 테트라히드로피라닐에스테르기 또는 테트라히드로푸라닐에스테르기 등의 아세탈계 관능기)나 산에 의해 비교적 분해되기 어려운 기(예를 들면, tert-부틸에스테르기 등의 제 3 급 알킬기, tert-부틸카보네이트기 등의 제 3 급 알킬카보네이트기)를 사용할 수 있다."Group in which an acidic radical was protected by the acid-decomposable group" in this invention can use a well-known thing as an acidic radical and an acid-decomposable group, and is not specifically limited. As a specific acidic group, a carboxyl group and phenolic hydroxyl group are mentioned preferably. Moreover, as an acid-decomposable group, Acetal type, such as group which is comparatively easy to decompose | dissolve by an acid (for example, ester structure of group represented by Formula (A1) mentioned later, tetrahydropyranyl ester group, or tetrahydrofuranyl ester group) Functional groups) and groups (for example, tertiary alkyl groups such as tert-butyl ester groups, tert-butyl carbonate groups and tertiary alkyl carbonate groups such as tert-butyl ester groups) which can be relatively decomposed by an acid can be used.

(a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위는 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위 또는 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위인 것이 바람직하다.The structural unit (a1) in which the acid group has a group protected with an acid decomposable group is preferably a structural unit having a protective carboxyl group protected with an acid decomposable group or a structural unit having a protected phenolic hydroxyl group protected with an acid decomposable group.

이하 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)과, 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)에 대해서 순서대로 각각 설명한다.Hereinafter, the structural unit (a1-1) which has the protective carboxyl group protected by the acid-decomposable group, and the structural unit (a1-2) which has the protective phenolic hydroxyl group protected by the acid-decomposable group are demonstrated in order, respectively.

<<<(a1-1) 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위>>><<< structural unit which has protective carboxyl group protected by (a1-1) acid-decomposable group >>>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)는 카르복실기를 갖는 구성 단위의 카르복실기가 이하에서 상세하게 설명하는 산 분해성기에 의해 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위이다.The structural unit (a1-1) which has the protective carboxyl group protected by the said acid-decomposable group is a structural unit which has the protective carboxyl group protected by the acid-decomposable group demonstrated in detail below.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 상기 카르복실기를 갖는 구성 단위로서는 특별히 제한 없이 공지의 구성 단위를 사용할 수 있다. 예를 들면, 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 트리카르복실산 등의 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)이나 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 함께 갖는 구성 단위(a1-1-2)를 들 수 있다.As a structural unit which has the said carboxyl group which can be used for the structural unit (a1-1) which has a protective carboxyl group protected by the said acid-decomposable group, a well-known structural unit can be used without a restriction | limiting. For example, structural unit (a1-1-1) derived from unsaturated carboxylic acid etc. which have at least 1 carboxyl group in molecules, such as unsaturated monocarboxylic acid, unsaturated dicarboxylic acid, and unsaturated tricarboxylic acid, etc., and ethylene The structural unit (a1-1-2) which has a structure derived from a unsaturated unsaturated group and an acid anhydride together is mentioned.

이하 상기 카르복실기를 갖는 구성 단위로서 사용되는 (a1-1-1) 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위와, (a1-1-2) 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 함께 갖는 구성 단위에 대해서 각각 순서대로 설명한다.Hereinafter, the structural unit derived from unsaturated carboxylic acid etc. which have at least 1 carboxyl group in (a1-1-1) molecule | numerator used as a structural unit which has the said carboxyl group, (a1-1-2) ethylenically unsaturated group and acid anhydride The structural unit which has the derived structure together is demonstrated in order, respectively.

<<<<(a1-1-1) 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위>>>>Structural unit >>>> derived from unsaturated carboxylic acid etc. which have at least 1 carboxyl group in <<<< (a1-1-1) molecule | numerator

상기 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)로서 본 발명에서 사용되는 불포화 카르복실산으로서는 이하에 열거하는 것이 사용된다. 즉, 불포화 모노카르복실산으로서는 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산, α-클로로아크릴산, 계피산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-숙신산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-프탈산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 디카르복실산으로서는 예를 들면 말레산, 푸말산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산 등을 들 수 있다. 또한, 카르복실기를 갖는 구성 단위를 얻기 위해서 사용되는 불포화 다가 카르복실산은 그 산 무수물이어도 좋다. 구체적으로는 무수 말레산, 무수 이타콘산, 무수 시트라콘산 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복실산은 다가 카르복실산의 모노(2-메타크릴로일옥시알킬)에스테르이어도 좋고, 예를 들면 숙신산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 숙신산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-아크릴로일옥시에틸), 프탈산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸) 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 다가 카르복실산은 그 양 말단 디카르복시폴리머의 모노(메타)아크릴레이트이어도 좋고, 예를 들면 ω-카르복시폴리카프로락톤모노아크릴레이트, ω-카르복시폴리카프로락톤모노메타크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 불포화 카르복실산으로서는 아크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 메타크릴산-2-카르복시에틸에스테르, 말레산 모노알킬에스테르, 푸말산 모노알킬에스테르, 4-카르복시스티렌 등도 사용할 수 있다.As an unsaturated carboxylic acid used by this invention as a structural unit (a1-1-1) derived from the unsaturated carboxylic acid etc. which have at least 1 carboxyl group in the said molecule | numerator, what is enumerated below is used. That is, as unsaturated monocarboxylic acid, acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, (alpha) -chloroacrylic acid, cinnamic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl- succinic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl, for example Hexahydrophthalic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl-phthalic acid, etc. are mentioned. In addition, examples of the unsaturated dicarboxylic acid include maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, and the like. Moreover, the acid anhydride may be sufficient as unsaturated polyhydric carboxylic acid used in order to acquire the structural unit which has a carboxyl group. Specific examples thereof include maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride. In addition, the unsaturated polyhydric carboxylic acid may be mono (2-methacryloyloxyalkyl) ester of polyhydric carboxylic acid, for example, succinic acid mono (2-acryloyloxyethyl) or succinic acid mono (2-methacryl). Monooxyethyl), mono (2-acryloyloxyethyl) phthalate, mono (2-methacryloyloxyethyl) phthalate, and the like. In addition, the unsaturated polyhydric carboxylic acid may be mono (meth) acrylate of the both terminal dicarboxy polymers, for example, omega-carboxypolycaprolactone monoacrylate, omega-carboxypolycaprolactone monomethacrylate, etc. may be mentioned. have. As the unsaturated carboxylic acid, acrylic acid-2-carboxyethyl ester, methacrylic acid-2-carboxyethyl ester, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid monoalkyl ester, 4-carboxystyrene and the like can also be used.

그 중에서도 현상성의 관점으로부터 상기 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)을 형성하기 위해서는 아크릴산, 메타크릴산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-숙신산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-프탈산 또는 불포화 다가 카르복실산의 무수물 등을 사용하는 것이 바람직하고, 아크릴산, 메타크릴산, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈산을 사용하는 것이 보다 바람직하다.Especially, in order to form the structural unit (a1-1-1) derived from unsaturated carboxylic acid etc. which have at least 1 carboxyl group in the said molecule from a developable viewpoint, acrylic acid, methacrylic acid, 2- (meth) acryloyl It is preferable to use oxyethyl-succinic acid, 2- (meth) acryloyloxyethylhexahydrophthalic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl-phthalic acid or anhydrides of unsaturated polyhydric carboxylic acids, and the like. It is more preferable to use krylic acid and 2- (meth) acryloyloxyethyl hexahydrophthalic acid.

상기 분자 중에 적어도 1개의 카르복실기를 갖는 불포화 카르복실산 등으로부터 유래되는 구성 단위(a1-1-1)은 1종 단독으로 구성되어 있어도 좋고, 2종 이상으로 구성되어 있어도 좋다.The structural unit (a1-1-1) derived from unsaturated carboxylic acid etc. which have at least 1 carboxyl group in the said molecule may be comprised individually by 1 type, and may be comprised by 2 or more types.

<<<<(a1-1-2) 에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 함께 갖는 구성 단위>>>>Structural unit >>>> which has a structure derived from <<<< (a1-1-2) ethylenically unsaturated group and acid anhydride

에틸렌성 불포화기와 산 무수물 유래의 구조를 함께 갖는 구성 단위(a1-1-2)는 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위 중에 존재하는 수산기와 산 무수물을 반응시켜서 얻어진 모노머로부터 유래되는 단위인 것이 바람직하다.It is preferable that the structural unit (a1-1-2) which has a structure derived from an ethylenically unsaturated group and acid anhydride together is a unit derived from the monomer obtained by making the hydroxyl group and acid anhydride which exist in the structural unit which has an ethylenically unsaturated group react.

상기 산 무수물로서는 공지의 것을 사용할 수 있고, 구체적으로는 무수 말레산, 무수 숙신산, 무수 이타콘산, 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산, 헥사히드로 무수 프탈산, 무수 클로렌드산 등의 이염기산 무수물; 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카르복실산 무수물, 비페닐테트라카르복실산 무수물 등의 산 무수물을 들 수 있다. 이들 중에서는 현상성의 관점으로부터 무수 프탈산, 테트라히드로 무수 프탈산 또는 무수 숙신산이 바람직하다.As said acid anhydride, a well-known thing can be used, Specifically, Dibasic acid anhydrides, such as maleic anhydride, succinic anhydride, itaconic acid anhydride, phthalic anhydride, tetrahydro phthalic anhydride, hexahydro phthalic anhydride, chloric anhydride; And acid anhydrides such as trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic acid anhydride, and biphenyltetracarboxylic acid anhydride. In these, phthalic anhydride, tetrahydro phthalic anhydride, or succinic anhydride is preferable from a developable viewpoint.

상기 산 무수물의 수산기에 대한 반응률은 현상성의 관점으로부터 바람직하게는 10~100몰%, 보다 바람직하게는 30~100몰%이다.The reaction rate with respect to the hydroxyl group of the said acid anhydride becomes like this. Preferably it is 10-100 mol%, More preferably, it is 30-100 mol%.

<<<<구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 산 분해성기>>>><<<< acid-decomposable group which can be used for structural unit (a1-1) >>>>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기로서는 상술의 산 분해성기를 사용할 수 있다.The acid-decomposable group described above can be used as the acid-decomposable group that can be used in the structural unit (a1-1) having a protective carboxyl group protected with the acid-decomposable group.

이들의 산 분해성기 중에서도 카르복실기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기인 것이 감광성 수지 조성물의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 콘택트 홀의 형성성, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 산 분해성기 중에서도 카르복실기가 하기 일반식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기인 것이 감도의 관점으로부터 보다 바람직하다. 또한, 카르복실기가 하기 일반식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기인 경우 보호 카르복실기의 전체로서는 -(C=O)-O-CR101R102(OR103)의 구조로 되어 있다.Among these acid-decomposable groups, the carboxyl group is a protective carboxyl group protected in the form of acetal from the viewpoint of the basic physical properties of the photosensitive resin composition, in particular, the sensitivity and pattern shape, the formation of contact holes, and the storage stability of the photosensitive resin composition. Moreover, it is more preferable from a viewpoint of a sensitivity that a carboxyl group is a protective carboxyl group protected by the form of the acetal represented by following General formula (a1-10) among acid-decomposable groups. In addition, when the carboxyl group is a protected carboxyl group protected in the form of acetal represented by the following general formula (a1-10), the whole of the protected carboxyl group has a structure of-(C = O) -O-CR 101 R 102 (OR 103 ). It is.

일반식(a1-10)General formula (a1-10)

Figure pat00005
Figure pat00005

(식(a1-10) 중 R101 및 R102는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 단 R101과 R102가 함께 수소 원자인 경우를 제외한다. R103은 알킬기를 나타낸다. R101 또는 R102와, R103이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋다)(In formula (a1-10), R 101 and R 102 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group, except that R 101 and R 102 together represent a hydrogen atom. R 103 represents an alkyl group. R 101 or R 102 and R 103 may be linked to each other to form a cyclic ether)

상기 일반식(a1-10) 중 R101~R103은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타내고, 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상, 환상 중 어느 것이어도 좋다. 여기서 R101 및 R102의 쌍방이 수소 원자를 나타내는 일은 없고, R101 및 R102 중 적어도 한쪽은 알킬기를 나타낸다.In said general formula (a1-10), R <101> -R <103> respectively independently represents a hydrogen atom or an alkyl group, and the said alkyl group may be any of linear, branched, and cyclic. Both R 101 and R 102 do not represent a hydrogen atom, and at least one of R 101 and R 102 represents an alkyl group.

상기 일반식(a1-10)에 있어서 R101, R102 및 R103이 알킬기를 나타낼 경우 상기 알킬기는 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상 중 어느 것이어도 좋다.In the general formula (a1-10), when R 101 , R 102 and R 103 represent an alkyl group, the alkyl group may be linear, branched or cyclic.

상기 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기로서는 탄소수 1~12개인 것이 바람직하고, 탄소수 1~6개인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1~4개인 것이 더욱 바람직하다. 구체적으로는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, 텍실기(2,3-디메틸-2-부틸기), n-헵틸기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.As said linear or branched alkyl group, it is preferable that it is C1-C12, It is more preferable that it is C1-C6, It is further more preferable that it is C1-C4. Specifically, methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group , Texyl group (2,3-dimethyl-2-butyl group), n-heptyl group, n-octyl group, 2-ethylhexyl group, n-nonyl group, n-decyl group, etc. are mentioned.

상기 환상 알킬기로서는 탄소수 3~12개인 것이 바람직하고, 탄소수 4~8개인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 4~6개인 것이 더욱 바람직하다. 상기 환상 알킬기로서는 예를 들면 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기, 노보닐기, 이소보닐기 등을 들 수 있다.As said cyclic alkyl group, C3-C12 is preferable, C4-C8 is more preferable, C4-C6 is further more preferable. As said cyclic alkyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a norbornyl group, isobonyl group etc. are mentioned, for example.

상기 알킬기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 할로겐 원자, 아릴기, 알콕시기를 예시할 수 있다. 치환기로서 할로겐 원자를 갖는 경우 R101, R102, R103은 할로알킬기가 되고, 치환기로서 아릴기를 갖는 경우 R101, R102, R103은 아랄킬기가 된다.The alkyl group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, an aryl group, and an alkoxy group. In the case of having a halogen atom as a substituent, R 101 , R 102 and R 103 are haloalkyl groups, and in the case of having an aryl group as a substituent, R 101 , R 102 and R 103 are aralkyl groups.

상기 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 예시할 수 있고, 이들 중에서도 불소 원자 또는 염소 원자가 바람직하다.As said halogen atom, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom can be illustrated, Among these, a fluorine atom or a chlorine atom is preferable.

또한, 상기 아릴기로서는 탄소수 6~20개의 아릴기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 6~12개이며, 구체적으로는 페닐기, α-메틸페닐기, 나프틸기 등을 예시할 수 있고, 아릴기로 치환된 알킬기 전체, 즉 아랄킬기로서는 벤질기, α-메틸벤질기, 페네틸기, 나프틸메틸기 등을 예시할 수 있다.Moreover, as said aryl group, a C6-C20 aryl group is preferable, More preferably, it is C6-C12, Specifically, a phenyl group, (alpha) -methylphenyl group, a naphthyl group, etc. can be illustrated, and is substituted by the aryl group. As a whole alkyl group, ie, an aralkyl group, a benzyl group, (alpha)-methyl benzyl group, a phenethyl group, a naphthyl methyl group, etc. can be illustrated.

상기 알콕시기로서는 탄소수 1~6개의 알콕시기가 바람직하고, 보다 바람직하게는 탄소수 1~4개이며, 메톡시기 또는 에톡시기가 보다 바람직하다.As said alkoxy group, a C1-C6 alkoxy group is preferable, More preferably, it is C1-C4, A methoxy group or an ethoxy group is more preferable.

또한, 상기 알킬기가 환상의 알킬기일 경우 상기 환상의 알킬기는 치환기로서 탄소수 1~10개의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기를 갖고 있어도 좋고, 알킬기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기일 경우에는 치환기로서 탄소수 3~12개의 환상의 알킬기를 갖고 있어도 좋다.In addition, when the said alkyl group is a cyclic alkyl group, the said cyclic alkyl group may have a C1-C10 linear or branched alkyl group as a substituent, and when a alkyl group is a linear or branched alkyl group, it is C3 as a substituent. You may have a ~ 12 cyclic alkyl group.

이들의 치환기는 상기 치환기로 더 치환되어 있어도 좋다.These substituents may further be substituted by the said substituent.

상기 일반식(a1-10)에 있어서 R101, R102 및 R103이 아릴기를 나타낼 경우 상기 아릴기는 탄소수 6~12개인 것이 바람직하고, 탄소수 6~10개인 것이 보다 바람직하다. 상기 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 상기 치환기로서는 탄소수 1~6개의 알킬기를 바람직하게 예시할 수 있다. 아릴기로서는 예를 들면 페닐기, 트릴기, 쿠메닐기, 1-나프틸기 등을 예시할 수 있다.When R 101 , R 102 and R 103 in the general formula (a1-10) represent an aryl group, the aryl group is preferably 6 to 12 carbon atoms, and more preferably 6 to 10 carbon atoms. The said aryl group may have a substituent and can preferably illustrate a C1-C6 alkyl group as said substituent. As an aryl group, a phenyl group, a tril group, cumenyl group, 1-naphthyl group etc. can be illustrated, for example.

또한, R101, R102 및 R103은 서로 결합해서 그들이 결합하고 있는 탄소 원자와 함께 환을 형성할 수 있다. R101과 R102, R101과 R103 또는 R102와 R103이 결합했을 경우의 환구조로서는 예를 들면 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로헵틸기, 테트라히드로푸라닐기, 아다만틸기 및 테트라히드로피라닐기 등을 들 수 있다.In addition, R 101 , R 102 and R 103 may be bonded to each other to form a ring together with the carbon atom to which they are bonded. Examples of the ring structure in the case where R 101 and R 102 , R 101 and R 103, or R 102 and R 103 combine with each other include cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cycloheptyl group, tetrahydrofuranyl group, and And a dantilyl group and a tetrahydropyranyl group.

또한, 상기 일반식(a1-10)에 있어서 R101 및 R102 중 어느 한쪽이 수소 원자 또는 메틸기인 것이 바람직하다.In formula (a1-10), one of R 101 and R 102 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.

상기 일반식(a1-10)으로 나타내어지는 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체는 시판된 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법에 의해 합성한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 일본 특허 공개 2011-221494호 공보의 단락 번호 0037~0040에 기재된 합성 방법 등에 의해 합성할 수 있다.A commercially available radical may be used for the radically polymerizable monomer used in order to form the structural unit which has a protective carboxyl group represented by said general formula (a1-10), and what synthesize | combined by a well-known method can also be used. For example, Paragraph No. 0037 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-221494-the synthesis method of 0040 can be synthesize | combined.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)의 제 1 바람직한 실시형태는 하기 일반식으로 나타내어지는 구성 단위이다.The 1st preferable embodiment of the structural unit (a1-1) which has the protective carboxyl group protected by the said acid-decomposable group is a structural unit represented with the following general formula.

Figure pat00006
Figure pat00006

(식 중 R1 및 R2는 각각 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽이 알킬기 또는 아릴기이며, R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와 R3이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋고, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다)(Wherein R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 represents an alkyl group or an aryl group, and R 1 or R 2 and R 3 may be linked to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents a single bond or an arylene group)

R1 및 R2가 알킬기인 경우 탄소수는 1~10개인 알킬기가 바람직하다. R1 및 R2가 아릴기인 경우 페닐기가 바람직하다. R1 및 R2는 각각 수소 원자 또는 탄소수 1~4개의 알킬기가 바람직하다.When R <1> and R <2> is an alkyl group, a C1-C10 alkyl group is preferable. Phenyl groups are preferred when R 1 and R 2 are aryl groups. R 1 and R 2 are each preferably a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.

R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 탄소수 1~10개의 알킬기가 바람직하고, 1~6개의 알킬기가 보다 바람직하다.R <3> represents an alkyl group or an aryl group, a C1-C10 alkyl group is preferable and 1-6 alkyl group is more preferable.

X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타내고, 단결합이 바람직하다.X represents a single bond or an arylene group, and a single bond is preferable.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)의 제 2 바람직한 실시형태는 하기 일반식의 구조 단위이다.2nd preferable embodiment of the structural unit (a1-1) which has the protective carboxyl group protected by the said acid-decomposable group is a structural unit of the following general formula.

Figure pat00007
Figure pat00007

(식 중 R121은 수소 원자 또는 탄소수 1~4개의 알킬기를 나타내고, L1은 카르보닐기 또는 페닐렌기를 나타내고, R122~R128은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1~4개의 알킬기를 나타낸다)(In the formula, R 121 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, L 1 represents a carbonyl group or a phenylene group, and R 122 to R 128 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)

R121은 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.R 121 is preferably a hydrogen atom or a methyl group.

L1은 카르보닐기가 바람직하다.L 1 is preferably a carbonyl group.

R122~R128은 수소 원자가 바람직하다.R 122 to R 128 are preferably hydrogen atoms.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.The following structural unit can be illustrated as a preferable specific example of structural unit (a1-1) which has the protective carboxyl group protected by the said acid-decomposable group. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure pat00008
Figure pat00008

<<<(a1-2) 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위>>><<< structural unit which has protective phenolic hydroxyl group protected by the (a1-2) acid-decomposable group >>>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위가 이하에서 상세하게 설명하는 산 분해성기에 의해 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위이다.The structural unit (a1-2) which has the protective phenolic hydroxyl group protected by the said acid-decomposable group is a structural unit which has a protective phenolic hydroxyl group by the acid-decomposable group which the structural unit which has a phenolic hydroxyl group demonstrates in detail below.

<<<<(a1-2-1) 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위>>>>Structural unit >>>> which has <<<< (a1-2-1) phenolic hydroxyl group

상기 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위로서는 히드록시스티렌계 구성 단위나 노볼락계의 수지에 있어서의 구성 단위를 들 수 있지만 이들 중에서는 히드록시스티렌 또는 α-메틸히드록시스티렌으로부터 유래되는 구성 단위가 감도의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위로서 하기 일반식(a1-20)으로 나타내어지는 구성 단위도 감도의 관점으로부터 바람직하다.As a structural unit which has the said phenolic hydroxyl group, the structural unit in a hydroxy styrene-type structural unit and novolak-type resin is mentioned, Among these, the structural unit derived from hydroxy styrene or (alpha) -methylhydroxy styrene is sensitive. It is preferable from a viewpoint. Moreover, the structural unit represented by the following general formula (a1-20) as a structural unit which has a phenolic hydroxyl group is also preferable from a viewpoint of a sensitivity.

일반식(a1-20)General formula (a1-20)

Figure pat00009
Figure pat00009

(일반식(a1-20) 중 R220은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R221은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타내고, R222는 할로겐 원자 또는 탄소수 1~5개의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기를 나타내고, a는 1~5의 정수를 나타내고, b는 0~4의 정수를 나타내고, a+b는 5 이하이다. 또한, R222가 2 이상 존재할 경우 이들의 R222는 서로 달라도 좋고 같아도 좋다)(In general formula (a1-20), R 220 represents a hydrogen atom or a methyl group, R 221 represents a single bond or a divalent linking group, R 222 represents a halogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. a represents an integer of 1 to 5, b represents an integer of 0 to 4, and a + b is 5 or less, and when R 222 is 2 or more, these R 222 may be different or the same)

상기 일반식(a1-20) 중 R220은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 메틸기인 것이 바람직하다.R 220 in the general formula (a1-20) represents a hydrogen atom or a methyl group, and is preferably a methyl group.

또한, R221은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 단결합인 경우에는 감도를 향상시킬 수 있고, 경화막의 투명성을 더 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. R221의 2가의 연결기로서는 알킬렌기를 예시할 수 있고, R221이 알킬렌기인 구체예로서는 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 이소프로필렌기, n-부틸렌기, 이소부틸렌기, tert-부틸렌기, 펜틸렌기, 이소펜틸렌기, 네오펜틸렌기, 헥실렌기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 R221이 단결합, 메틸렌기, 에틸렌기인 것이 바람직하다. 또한, 상기 2가의 연결기는 치환기를 갖고 있어도 좋고, 치환기로서는 할로겐 원자, 수산기, 알콕시기 등을 들 수 있다. 또한, a는 1~5의 정수를 나타내지만 본 발명의 효과의 관점이나 제조가 용이하다는 점으로부터 a는 1 또는 2인 것이 바람직하고, a가 1인 것이 보다 바람직하다.In addition, R 221 represents a single bond or a divalent linking group. In the case of a single bond, since sensitivity can be improved and transparency of a cured film can be improved further, it is preferable. Examples of the divalent linking group for R 221 include an alkylene group, and specific examples in which R 221 is an alkylene group include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, an isopropylene group, an n-butylene group, an isobutylene group, a tert-butylene group, Pentylene group, isopentylene group, neopentylene group, hexylene group, etc. are mentioned. Especially, it is preferable that R <221> is a single bond, a methylene group, and an ethylene group. The divalent linking group may have a substituent, and examples of the substituent include a halogen atom, a hydroxyl group, and an alkoxy group. In addition, although a shows the integer of 1-5, it is preferable that a is 1 or 2 from a viewpoint of the effect of this invention and manufacture, and it is more preferable that a is 1.

또한, 벤젠환에 있어서의 수산기의 결합 위치는 R221과 결합하고 있는 탄소 원자를 기준(1위치)으로 했을 때 4위치에 결합하고 있는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the coupling | bonding position of the hydroxyl group in a benzene ring couple | bonds in 4 positions, when the carbon atom couple | bonded with R <221> is a reference | standard (1 position).

R222는 할로겐 원자 또는 탄소수 1~5개의 직쇄 또는 분기쇄상의 알킬기이다. 구체적으로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 그 중에서도 제조가 용이하다는 점으로부터 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기 또는 에틸기인 것이 바람직하다.R 222 is a halogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Specifically, a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. are mentioned. Can be. Among them, chlorine atom, bromine atom, methyl group or ethyl group is preferable from the viewpoint of easy production.

또한, b는 0 또는 1~4의 정수를 나타낸다.In addition, b represents the integer of 0 or 1-4.

<<<<구성 단위(a1-2)에 사용할 수 있는 산 분해성기>>>><<<< acid-decomposable group which can be used for structural unit (a1-2) >>>>

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기로서는 상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기와 마찬가지로 공지의 것을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 산 분해성기 중에서도 아세탈로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위인 것이 감광성 수지 조성물의 기본 물성, 특히 감도나 패턴 형상, 감광성 수지 조성물의 보존 안정성, 콘택트 홀의 형성성의 관점으로부터 바람직하다. 또한, 산 분해성기 중에서도 페놀성 수산기가 상기 일반식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 페놀성 수산기인 것이 감도의 관점으로부터 보다 바람직하다. 또한, 페놀성 수산기가 상기 일반식(a1-10)으로 나타내어지는 아세탈의 형태로 보호된 보호 페놀성 수산기일 경우 보호 페놀성 수산기의 전체로서는 -Ar-O-CR101R102(OR103)의 구조로 되어 있다. 또한, Ar은 아릴렌기를 나타낸다.As said acid-decomposable group which can be used for the structural unit (a1-2) which has the protective phenolic hydroxyl group protected by the said acid-decomposable group, the said acid usable group can be used for the structural unit (a1-1) which has the protective carboxyl group protected by the said acid-decomposable group. A well-known thing can be used similarly to an acid-decomposable group, and is not specifically limited. Among the acid decomposable groups, a structural unit having a protective phenolic hydroxyl group protected with acetal is preferable from the viewpoint of the basic physical properties of the photosensitive resin composition, in particular, the sensitivity and pattern shape, the storage stability of the photosensitive resin composition, and the formability of the contact hole. Moreover, it is more preferable from a viewpoint of a sensitivity that a phenolic hydroxyl group is a protected phenolic hydroxyl group protected by the form of the acetal represented by said general formula (a1-10) among acid-decomposable groups. Further, in the phenolic hydroxyl groups when the above-mentioned general formula (a1-10) protected phenolic hydroxyl date protection in the form of an acetal represented by as a whole of the protected phenolic hydroxyl group -Ar-O-CR 101 R 102 (OR 103) It is structured. Ar represents an arylene group.

페놀성 수산기의 아세탈에스테르 구조의 바람직한 예는 R101=R102=R103=메틸기나 R101=R102=메틸기이며 R103=벤질기의 조합을 예시할 수 있다.Preferable examples of the acetal ester structure of the phenolic hydroxyl group include a combination of R 101 = R 102 = R 103 = methyl or R 101 = R 102 = methyl and R 103 = benzyl.

또한, 페놀성 수산기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는 예를 들면 일본 특허 공개 2011-215590호 공보의 단락 번호 0042에 기재된 것 등을 들 수 있다.Moreover, as a radically polymerizable monomer used in order to form the structural unit which has a protective phenolic hydroxyl group in which a phenolic hydroxyl group was protected by the form of acetal, what was described, for example in Paragraph No. 0042 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-215590, etc. Can be mentioned.

이들 중에서 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 1-알콕시알킬 보호체, 4-히드록시페닐메타크릴레이트의 테트라히드로피라닐 보호체가 투명성의 관점으로부터 바람직하다.Among these, the 1-alkoxyalkyl protecting body of 4-hydroxyphenyl methacrylate and the tetrahydropyranyl protecting body of 4-hydroxyphenyl methacrylate are preferable from the viewpoint of transparency.

페놀성 수산기의 아세탈 보호기의 구체예로서는 1-알콕시알킬기를 들 수 있고, 예를 들면 1-에톡시에틸기, 1-메톡시에틸기, 1-n-부톡시에틸기, 1-이소부톡시에틸기, 1-(2-클로로에톡시)에틸기, 1-(2-에틸헥실옥시)에틸기, 1-n-프로폭시에틸기, 1-시클로헥실옥시에틸기, 1-(2-시클로헥실에톡시)에틸기, 1-벤질옥시에틸기 등을 들 수 있고, 이들은 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다.As a specific example of the acetal protecting group of a phenolic hydroxyl group, 1-alkoxyalkyl group is mentioned, For example, 1-ethoxyethyl group, 1-methoxyethyl group, 1-n-butoxyethyl group, 1-isobutoxyethyl group, 1- ( 2-chloroethoxy) ethyl group, 1- (2-ethylhexyloxy) ethyl group, 1-n-propoxyethyl group, 1-cyclohexyloxyethyl group, 1- (2-cyclohexylethoxy) ethyl group, 1-benzyl An oxyethyl group etc. are mentioned, These can be used individually or in combination of 2 or more types.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체는 시판된 것을 사용해도 좋고, 공지의 방법에 의해한 것을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 페놀성 수산기를 갖는 화합물을 산촉매의 존재 하에서 비닐에테르와 반응시킴으로써 합성할 수 있다. 상기의 합성은 페놀성 수산기를 갖는 모노머를 기타 모노머와 미리 공중합 시켜 놓고, 그 후에 산촉매의 존재 하에서 비닐 에테르와 반응시켜도 좋다.The radically polymerizable monomer used in order to form the structural unit (a1-2) which has the protective phenolic hydroxyl group protected by the said acid-decomposable group may use a commercially available thing, and may use the thing by a well-known method. For example, it can synthesize | combine the compound which has a phenolic hydroxyl group by reacting with vinyl ether in presence of an acidic catalyst. Said synthesis | combination may copolymerize previously the monomer which has a phenolic hydroxyl group with another monomer, and may make it react with vinyl ether in presence of an acidic catalyst after that.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있지만 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the following structural unit can be illustrated as a preferable specific example of structural unit (a1-2) which has the protective phenolic hydroxyl group protected by the said acid-decomposable group, this invention is not limited to these.

Figure pat00010
Figure pat00010

<<<구성 단위(a1)의 바람직한 실시형태>>><<< preferred embodiment of a structural unit (a1) >>>

상기 구성 단위(a1)를 함유하는 중합체가 실질적으로 구성 단위(a2)를 포함하지 않을 경우 구성 단위(a1)는 상기 구성 단위(a1)를 함유하는 중합체 중 20~100몰%가 바람직하고, 30~90몰%가 보다 바람직하다.When the polymer containing the structural unit (a1) does not substantially include the structural unit (a2), the structural unit (a1) is preferably 20 to 100 mol% in the polymer containing the structural unit (a1), 30 90 mol% is more preferable.

상기 구성 단위(a1)를 함유하는 중합체가 하기 구성 단위(a2)를 함유할 경우 단구성 단위(a1)는 상기 구성 단위(a1)과 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체 중 감도의 관점으로부터 3~70몰%가 바람직하고, 10~60몰%가 보다 바람직하다. 또한, 특히 상기 구성 단위(a1)에 사용할 수 있는 상기 산 분해성기가 카르복실기가 아세탈의 형태로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위일 경우 20~50몰%가 바람직하다.When the polymer containing the structural unit (a1) contains the following structural unit (a2), the single structural unit (a1) is 3 from the viewpoint of sensitivity among the polymers containing the structural unit (a1) and the structural unit (a2). -70 mol% is preferable and 10-60 mol% is more preferable. Moreover, 20-50 mol% is preferable especially when the said acid-decomposable group which can be used for the said structural unit (a1) is a structural unit which has the protective carboxyl group in which the carboxyl group was protected by the form of acetal.

상기 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)는 상기 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)에 비하면 현상이 빠르다는 특징이 있다. 따라서, 빠르게 현상하고 싶을 경우에는 산 분해성기로 보호된 보호 카르복실기를 갖는 구성 단위(a1-1)이 바람직하다. 반대로 현상을 느리게 하고 싶을 경우에는 산 분해성기로 보호된 보호 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위(a1-2)를 사용하는 것이 바람직하다.The structural unit (a1-1) having a protective carboxyl group protected with the acid decomposable group has a feature that the development is faster than that of the structural unit (a1-2) having a protected phenolic hydroxyl group protected with the acid decomposable group. Therefore, when developing rapidly, the structural unit (a1-1) which has the protective carboxyl group protected by the acid-decomposable group is preferable. On the contrary, when it is desired to slow development, it is preferable to use a structural unit (a1-2) having a protective phenolic hydroxyl group protected with an acid decomposable group.

<<(a2) 가교성기를 갖는 구성 단위>><< structural unit which has a (a2) crosslinkable group >>

(A) 성분은 가교성기를 갖는 구성 단위(a2)를 갖는다. 상기 가교성기는 가열 처리에 의해 경화 반응을 일으키는 기이면 특별히 한정되지 않는다. 바람직한 가교성기를 갖는 구성 단위의 실시형태로서는 에폭시기, 옥세타닐기, -NH-CH2-O-R(R은 탄소수 1~20개의 알킬기)로 나타내어지는 기 및 에틸렌성 불포화기로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1개를 포함하는 구성 단위를 들 수 있고, 에폭시기, 옥세타닐기 및 -NH-CH2-O-R(R은 탄소수 1~20개의 알킬기)로 나타내어지는 기로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 바람직하다. 그 중에서도 본 발명의 감광성 수지 조성물은 상기 (A) 성분이 에폭시기 및 옥세타닐기 중 적어도 1개를 포함하는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 보다 상세하게는 이하의 것을 들 수 있다.(A) component has a structural unit (a2) which has a crosslinkable group. The crosslinkable group is not particularly limited as long as it is a group causing a curing reaction by heat treatment. At least one selected from the group consisting of an epoxy group, an oxetanyl group, a group represented by -NH-CH 2 -OR (R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) and an ethylenically unsaturated group as an embodiment of a structural unit having a preferred crosslinkable group there may be mentioned a structural unit, an epoxy group, an oxetanyl group and the -NH-CH 2 -OR containing preferably at least one selected from the groups represented by (R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms). Especially, it is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains the structural unit in which the said (A) component contains at least 1 of an epoxy group and an oxetanyl group. In more detail, the following are mentioned.

<<<(a2-1) 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위>>><< structural unit which has a (a2-1) epoxy group and / or oxetanyl group >>>

상기 (A) 중합체는 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(구성 단위(a2-1))를 함유하는 것이 바람직하다. 상기 3원환의 환상 에테르기는 에폭시기라고도 불리고, 4원환의 환상 에테르기는 옥세타닐기라고도 불린다.It is preferable that the said (A) polymer contains the structural unit (structural unit (a2-1)) which has an epoxy group and / or an oxetanyl group. The said 3-membered ring cyclic ether group is also called an epoxy group, and a 4-membered ring cyclic ether group is also called an oxetanyl group.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a2-1)은 1개의 구성 단위 중에 에폭시기 또는 옥세타닐기를 적어도 1개 갖고 있으면 좋고, 1개 이상의 에폭시기 및 1개 이상의 옥세타닐기, 2개 이상의 에폭시기 또는 2개 이상의 옥세타닐기를 갖고 있어도 좋고, 특별히 한정되지 않지만 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1~3개 갖는 것이 바람직하고, 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 합계 1 또는 2개 갖는 것이 보다 바람직하고, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 1개 갖는 것이 더욱 바람직하다.The structural unit (a2-1) which has the said epoxy group and / or oxetanyl group should just have at least 1 epoxy group or oxetanyl group in one structural unit, and at least 1 epoxy group and 1 or more oxetanyl group, two Although it may have the above epoxy group or two or more oxetanyl groups, although it is not specifically limited, It is preferable to have 1-3 epoxy groups and / or oxetanyl groups in total, and it has one or two epoxy groups and / or oxetanyl groups in total. It is more preferable, and it is still more preferable to have one epoxy group or oxetanyl group.

에폭시기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는 예를 들면 아크릴산 글리시딜, 메타크릴산 글리시딜, α-에틸아크릴산 글리시딜, α-n-프로필아크릴산 글리시딜, α-n-부틸아크릴산 글리시딜, 아크릴산-3,4-에폭시부틸, 메타크릴산-3,4-에폭시부틸, 아크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, α-에틸아크릴산-3,4-에폭시시클로헥실메틸, o-비닐벤질글리시딜에테르, m-비닐벤질글리시딜에테르, p-비닐벤질글리시딜에테르, 일본 특허 제 4168443호 공보의 단락 번호 0031~0035에 기재된 지환식 에폭시 골격을 함유하는 화합물 등을 들 수 있고, 이들의 내용은 본원명세서에 포함된다.As a specific example of the radically polymerizable monomer used in order to form the structural unit which has an epoxy group, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, the glycidyl (alpha)-ethyl acrylate, the glycidyl (alpha)-n-propyl acrylate, for example. , α-n-butyl acrylate glycidyl, acrylic acid-3,4-epoxybutyl, methacrylic acid-3,4-epoxybutyl, acrylic acid-3,4-epoxycyclohexylmethyl, methacrylic acid-3,4- Epoxycyclohexylmethyl, α-ethylacrylic acid-3,4-epoxycyclohexylmethyl, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, p-vinylbenzyl glycidyl ether, Japanese Patent No. 4168443 The compound containing the alicyclic epoxy skeleton of Paragraph No. 0031-0035 of Unexamined-Japanese-Patents, etc. are mentioned, The content of these is contained in this specification.

옥세타닐기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는 예를 들면 일본 특허 공개 2001-330953호 공보의 단락 번호 0011~0016에 기재된 옥세타닐기를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르 등을 들 수 있고, 이들의 내용은 본원명세서에 포함된다.As a specific example of the radically polymerizable monomer used in order to form the structural unit which has an oxetanyl group, (meth) acrylic acid ester etc. which have the oxetanyl group of Paragraph No. 0011-0016 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-330953, etc. are mentioned, for example. The contents thereof are included in the specification.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a2-1)을 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체의 구체예로서는 메타크릴산 에스테르 구조를 함유하는 모노머, 아크릴산 에스테르 구조를 함유하는 모노머인 것이 바람직하다.As a specific example of the radically polymerizable monomer used in order to form the structural unit (a2-1) which has the said epoxy group and / or oxetanyl group, it is preferable that it is a monomer containing a methacrylic ester structure, and a monomer containing an acrylic ester structure. Do.

이들 중에서도 바람직한 것은 메타크릴산 글리시딜, 아크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸, 메타크릴산 3,4-에폭시시클로헥실메틸, 아크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸 및 메타크릴산(3-에틸옥세탄-3-일)메틸이다. 이들의 구성 단위는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다.Among these, preferred are methacrylic acid glycidyl, acrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl, methacrylic acid 3,4-epoxycyclohexylmethyl, acrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl and methacrylic acid (3-ethyloxetan-3-yl) methyl. These structural units can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

상기 에폭시기 및/또는 옥세타닐기를 갖는 구성 단위(a2-1)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다. 또한, R은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.The following structural unit can be illustrated as a preferable specific example of structural unit (a2-1) which has the said epoxy group and / or oxetanyl group. R represents a hydrogen atom or a methyl group.

Figure pat00011
Figure pat00011

<<<(a2-2) 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위>>><<< structural unit which has (a2-2) ethylenically unsaturated group >>>

상기 가교성기를 갖는 구성 단위(a2)의 1개로서 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a2-2)를 들 수 있다(이하, 「구성 단위(a2-2)」라고도 한다). 상기 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위(a2-2)로서는 측쇄에 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위가 바람직하고, 말단에 에틸렌성 불포화기를 갖고, 탄소수 3~16개의 측쇄를 갖는 구성 단위가 보다 바람직하고, 하기 일반식(a2-2-1)로 나타내어지는 측쇄를 갖는 구성 단위가 더욱 바람직하다.The structural unit (a2-2) which has an ethylenically unsaturated group is mentioned as one of the structural units (a2) which have the said crosslinkable group (henceforth "a structural unit (a2-2)"). As a structural unit (a2-2) which has the said ethylenically unsaturated group, the structural unit which has an ethylenically unsaturated group in a side chain is preferable, The structural unit which has an ethylenically unsaturated group at the terminal, and has a C3-C16 side chain, The structural unit which has a side chain represented by the following general formula (a2-2-1) is more preferable.

일반식(a2-2-1)General formula (a2-2-1)

Figure pat00012
Figure pat00012

(일반식(a2-2-1) 중 R301은 탄소수 1~13개의 2가의 연결기를 나타내고, R302는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, *는 가교성기를 갖는 구성 단위(a2)의 주쇄에 연결하는 부위를 나타낸다)(In formula (a2-2-1), R 301 represents a divalent linking group having 1 to 13 carbon atoms, R 302 represents a hydrogen atom or a methyl group, and * is connected to the main chain of the structural unit (a2) having a crosslinkable group.) I show a part to say)

R301은 탄소수 1~13개의 2가의 연결기로서, 알케닐기, 아릴렌기 또는 이들을 조합시킨 기를 포함하고, 에스테르 결합, 에테르 결합, 아미드 결합, 우레탄 결합 등의 결합을 포함하고 있어도 좋다. 또한, 2가의 연결기는 임의의 위치에 히드록시기, 카르복실기 등의 치환기를 갖고 있어도 좋다. R301의 구체예로서는 하기의 2가의 연결기를 들 수 있다.R 301 is a C1-C13 divalent linking group, which includes an alkenyl group, an arylene group, or a combination thereof, and may include a bond such as an ester bond, an ether bond, an amide bond, or a urethane bond. In addition, the divalent linking group may have substituents, such as a hydroxyl group and a carboxyl group, in arbitrary positions. Specific examples of R 301 include the following divalent linking groups.

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 일반식(a2-2-1)로 나타내어지는 측쇄 중에서도 상기 R301로 나타내어지는 2가의 연결기를 포함해서 지방족의 측쇄가 바람직하다.Among the side chains represented by general formula (a2-2-1), aliphatic side chains including the divalent linking group represented by R 301 are preferable.

그 외 (a2-2) 에틸렌성 불포화기를 갖는 구성 단위에 대해서는 일본 특허 공개 2011-215580호 공보의 단락 번호 0072~0090의 기재를 참작할 수 있고, 이들의 내용은 본원명세서에 포함된다.In addition, about the structural unit which has (a2-2) ethylenically unsaturated group, Paragraph No. 0072 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-215580-description of 0090 can be considered into consideration, and the content is included in this specification.

<<<(a2-3) -NH-CH2-O-R(R은 탄소수 1~20개의 알킬기)로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위>>> <<< (a2-3) -NH-CH 2 -OR configuration having a group represented by (R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms) unit >>>

본 발명에서 사용하는 중합체는 -NH-CH2-O-R(R은 탄소수 1~20개의 알킬기)로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위(a2-3)도 바람직하다. 구성 단위(a2-3)를 가짐으로써 원만한 가열 처리로 경화 반응을 일으킬 수 있고, 제특성이 우수한 경화막을 얻을 수 있다. 여기서 R은 탄소수 1~9개의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~4개의 알킬기가 보다 바람직하다. 또한, 알킬기는 직쇄, 분기 또는 환상의 알킬기 중 어느 것이어도 좋지만 바람직하게는 직쇄 또는 분기의 알킬기이다. 구성 단위(a2)는 보다 바람직하게는 하기 일반식(a2-30)으로 나타내어지는 기를 갖는 구성 단위이다.Polymer used in the present invention is -NH-CH 2 -OR is also preferred structural units (a2-3) having a group represented by (R is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms). By having a structural unit (a2-3), hardening reaction can be raised by smooth heat processing and the cured film excellent in various characteristics can be obtained. R is preferably an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group may be any of a linear, branched or cyclic alkyl group, but is preferably a linear or branched alkyl group. Structural unit (a2), It is a structural unit which, more preferably, has group represented by the following general formula (a2-30).

일반식(a2-30)General formula (a2-30)

Figure pat00014
Figure pat00014

(일반식(a2-30) 중 R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소수 1~20개의 알킬기를 나타낸다)(In general formula (a2-30), R <1> represents a hydrogen atom or a methyl group, and R <2> represents a C1-C20 alkyl group.)

R2는 탄소수 1~9개의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~4개의 알킬기가 더욱 바람직하다. 또한, 알킬기는 직쇄, 분기 또는 환상의 알킬기 중 어느 것이어도 좋지만 바람직하게는 직쇄 또는 분기의 알킬기이다.R 2 is preferably an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, more preferably an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. The alkyl group may be any of a linear, branched or cyclic alkyl group, but is preferably a linear or branched alkyl group.

R2의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-부틸기, i-부틸기, 시클로헥실기 및 n-헥실기를 들 수 있다. 그 중에서도 i-부틸기, n-부틸기, 메틸기가 바람직하다.As a specific example of R <2> , a methyl group, an ethyl group, n-butyl group, i-butyl group, a cyclohexyl group, and n-hexyl group are mentioned. Especially, i-butyl group, n-butyl group, and a methyl group are preferable.

<<<구성 단위(a2)의 바람직한 실시형태>>><<< preferred embodiment of a structural unit (a2) >>>

상기 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체가 실질적으로 구성 단위(a1)를 포함하지 않을 경우 구성 단위(a2)는 상기 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체 중 5~90몰%가 바람직하고, 20~80몰%가 보다 바람직하다.When the polymer containing the structural unit (a2) does not substantially contain the structural unit (a1), the structural unit (a2) is preferably 5 to 90 mol% in the polymer containing the structural unit (a2), 20 80 mol% is more preferable.

상기 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체가 상기 구성 단위(a1)를 함유할 경우 단구성 단위(a2)는 상기 구성 단위(a1)과 구성 단위(a2)를 함유하는 중합체 중 약품 내성의 관점으로부터 3~70몰%가 바람직하고, 10~60몰%가 보다 바람직하다.When the polymer containing the structural unit (a2) contains the structural unit (a1), the single structural unit (a2) is selected from the viewpoint of drug resistance among the polymers containing the structural unit (a1) and the structural unit (a2). 3-70 mol% is preferable and 10-60 mol% is more preferable.

본 발명에서는 또한 어느 실시형태에 관계없이 (A) 성분의 전체 구성 단위 중 구성 단위(a2)를 3~70몰% 함유하는 것이 바람직하고, 10~60몰% 함유하는 것이 보다 바람직하다.In this invention, it is preferable to contain 3-70 mol% of structural units (a2) among all the structural units of (A) component further, and, as for any embodiment, it is more preferable to contain 10-60 mol%.

상기의 수치의 범위 내이면 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 투명성 및 약품 내성이 양호해진다.If it is in the range of said numerical value, transparency and chemical resistance of the cured film obtained from the photosensitive resin composition will become favorable.

<<(a3) 기타 구성 단위>><< (a3) other structural units >>

본 발명에 있어서 (A) 성분은 상기 구성 단위(a1) 및/또는 (a2)에 추가해서 이들 이외의 다른 구성 단위(a3)을 갖고 있어도 좋다. 이들의 구성 단위는 상기 중합체 성분(1) 및/또는 (2)가 포함되어 있어도 좋다. 또한, 상기 중합체 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 실질적으로 (a1) 및 (a2)를 포함하지 않고 다른 구성 단위(a3)을 갖는 중합체 성분을 갖고 있어도 좋다. 상기 중합체 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 실질적으로 (a1) 및 (a2)를 포함하지 않고 다른 구성 단위(a3)을 갖는 중합체 성분을 포함할 경우 상기 중합체 성분의 배합량은 전체 중합체 성분 중 60질량% 이하인 것이 바람직하고, 40질량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 20질량% 이하인 것이 더욱 바람직하다.In this invention, (A) component may have other structural units (a3) other than these in addition to the said structural unit (a1) and / or (a2). These structural units may contain the said polymer component (1) and / or (2). Moreover, you may have a polymer component which does not contain (a1) and (a2) substantially, and has another structural unit (a3) separately from the said polymer component (1) or (2). When the polymer component including (a1) and (a2) substantially does not include (a1) and (a2) separately from the polymer component (1) or (2) and includes another structural unit (a3), the blending amount of the polymer component is 60% of the total polymer component. It is preferable that it is mass% or less, It is more preferable that it is 40 mass% or less, It is further more preferable that it is 20 mass% or less.

기타 구성 단위(a3)가 되는 모노머로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 스티렌류, (메타)아크릴산 알킬에스테르, (메타)아크릴산 환상 알킬에스테르, (메타)아크릴산 아릴에스테르, 불포화 디카르복실산 디에스테르, 비시클로 불포화 화합물류, 말레이미드 화합물류, 불포화 방향족 화합물, 공역 디엔계 화합물, 불포화 모노카르복실산, 불포화 디카르복실산, 불포화 디카르복실산 무수물, 기타 불포화 화합물을 들 수 있다. 또한, 후술하는 바와 같이 산기를 갖는 구성 단위를 갖고 있어도 좋다. 기타 구성 단위(a3)가 되는 모노머는 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as a monomer used as another structural unit (a3), For example, styrene, (meth) acrylic-acid alkylester, (meth) acrylic-acid cyclic alkylester, (meth) acrylic-acid arylester, unsaturated dicarboxylic acid diester And bicyclo unsaturated compounds, maleimide compounds, unsaturated aromatic compounds, conjugated diene compounds, unsaturated monocarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic acids, unsaturated dicarboxylic anhydrides, and other unsaturated compounds. Moreover, you may have a structural unit which has an acidic radical as mentioned later. The monomer used as another structural unit (a3) can be used individually or in combination of 2 or more types.

이하에 본 발명의 중합체 성분의 바람직한 실시형태를 들지만 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the preferred embodiment of the polymer component of this invention is given to the following, this invention is not limited to these.

(제 1 실시형태)(First Embodiment)

중합체 성분(1)이 1종 또는 2종 이상의 기타 구성 단위(a3)을 더 갖는 실시형태.Embodiment in which the polymer component (1) further has 1 type, or 2 or more types of other structural unit (a3).

(제 2 실시형태)(Second Embodiment)

중합체 성분(2)의 (a1) 산기가 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체가 1종 또는 2종 이상의 기타 구성 단위(a3)을 더 갖는 실시형태.Embodiment in which the polymer which has a structural unit in which the acidic radical (a1) of the polymer component (2) has group protected by the acid-decomposable group further has 1 type, or 2 or more types of other structural unit (a3).

(제 3 실시형태)(Third Embodiment)

중합체 성분(2)의 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체가 1종 또는 2종 이상의 기타 구성 단위(a3)을 더 갖는 실시형태.Embodiment in which the polymer which has a structural unit which has a (a2) crosslinkable group of the polymer component (2) further has 1 type, or 2 or more types of other structural unit (a3).

(제 4 실시형태)(Fourth Embodiment)

상기 제 1~제 3 실시형태 중 어느 하나에 있어서 기타 구성 단위(a3)로서 적어도 산기를 포함하는 구성 단위를 포함하는 실시형태.Embodiment in any one of said 1st-3rd embodiment containing the structural unit which contains an acidic radical at least as other structural unit (a3).

(제 5 실시형태)(Fifth Embodiment)

상기 중합체 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 실질적으로 (a1) 및 (a2)를 포함하지 않고 다른 구성 단위(a3)을 더 갖는 중합체를 갖는 실시형태.An embodiment having a polymer which, apart from the polymer component (1) or (2), is substantially free of (a1) and (a2) and further has other structural units (a3).

(제 6 실시형태)(Sixth Embodiment)

중합체 성분(2)을 적어도 포함하는 실시형태.An embodiment comprising at least a polymer component (2).

(제 7 실시형태)(Seventh Embodiment)

상기 제 1~제 6 실시형태의 2 이상의 조합으로 이루어지는 실시형태.Embodiment which consists of two or more combinations of the said, 1st-6th embodiment.

(제 8 실시형태)(Eighth embodiment)

상기 중합성 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 기타 구성 단위(a3)로서 적어도 산기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체를 포함하는 실시형태.Embodiment containing the polymer which has a structural unit which has an acidic radical at least as another structural unit (a3) separately from the said polymeric component (1) or (2).

(제 9 실시형태)(Ninth embodiment)

상기 중합성 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 기타 구성 단위(a3)로서 적어도 산기를 갖는 구성 단위와, 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 공중합체를 포함하는 실시형태.Embodiment including the copolymer which has a structural unit which has an acidic radical, and a structural unit which has a crosslinkable group at least as another structural unit (a3) separately from the said polymeric component (1) or (2).

(제 10 실시형태)(10th embodiment)

상기 실시형태 8 또는 9에 있어서 산기가 카르복실기 및/또는 페놀성 수산기를 갖는 구성 단위인 실시형태.Embodiment in the said Embodiment 8 or 9 whose acid group is a structural unit which has a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group.

구성 단위(a3)은 구체적으로는 스티렌, tert-부톡시스티렌, 메틸스티렌, 히드록시스티렌, α-메틸스티렌, 아세톡시스티렌, 메톡시스티렌, 에톡시스티렌, 클로로스티렌, 비닐벤조산 메틸, 비닐벤조산 에틸, 4-히드록시벤조산(3-메타크릴로일옥시프로필)에스테르, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 n-프로필, (메타)아크릴산 이소프로필, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 벤질, (메타)아크릴산 이소보닐, 아크릴로니트릴, 에틸렌글리콜모노아세토아세테이트모노메타아크릴레이트 등에 의한 구성 단위를 들 수 있다. 이 외에 일본 특허 공개 2004-264623호 공보의 단락 번호 0021~0024에 기재된 화합물을 들 수 있다.The structural unit (a3) is specifically styrene, tert-butoxystyrene, methyl styrene, hydroxy styrene, α-methyl styrene, acetoxy styrene, methoxy styrene, ethoxy styrene, chloro styrene, methyl vinyl benzoate, vinyl benzoic acid Ethyl, 4-hydroxybenzoic acid (3-methacryloyloxypropyl) ester, (meth) acrylic acid, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, acrylonitrile, ethylene glycol monoacetoacetate monomethacrylate and the like A unit is mentioned. In addition, Paragraph No. 0021 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-264623-the compound of 0024 can be mentioned.

또한, 기타 구성 단위(a3)로서 스티렌류, 지방족환식 골격을 갖는 기가 전기 특성의 관점에서 바람직하다. 구체적으로는 스티렌, tert-부톡시스티렌, 메틸스티렌, 히드록시스티렌, α-메틸스티렌, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 벤질(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Moreover, the group which has styrene and an alicyclic skeleton as other structural unit (a3) is preferable from a viewpoint of an electrical property. Specifically, styrene, tert-butoxy styrene, methyl styrene, hydroxy styrene, α-methyl styrene, dicyclopentanyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, benzyl ( Meth) acrylate, etc. are mentioned.

또한, 기타 구성 단위(a3)로서 (메타)아크릴산 알킬에스테르가 밀착성의 관점에서 바람직하다. 구체적으로는 (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 프로필, (메타)아크릴산 n-부틸 등을 들 수 있고, (메타)아크릴산 메틸이 보다 바람직하다. 중합체(A)를 구성하는 구성 단위 중 상기 구성 단위(a3)의 함유율은 60몰% 이하가 바람직하고, 50몰% 이하가 보다 바람직하고, 40몰% 이하가 더욱 바람직하다. 하한값으로서는 0몰%이어도 좋지만 예를 들면 1몰% 이상으로 할 수 있고, 또한 5몰% 이상으로 할 수 있다. 상기 수치의 범위 내이면 감광성 수지 조성물로부터 얻어지는 경화막의 제특성이 양호해진다.Moreover, (meth) acrylic-acid alkylester is preferable from a viewpoint of adhesiveness as other structural unit (a3). Specifically, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, etc. are mentioned, and methyl (meth) acrylate is more preferable. 60 mol% or less is preferable, as for the content rate of the said structural unit (a3) among the structural units which comprise a polymer (A), 50 mol% or less is more preferable, 40 mol% or less is more preferable. As a lower limit, although 0 mol% may be sufficient, for example, it can be 1 mol% or more, and can also be 5 mol% or more. If it exists in the range of the said numerical value, the various characteristics of the cured film obtained from the photosensitive resin composition will become favorable.

기타 구성 단위(a3)로서 산기를 포함하는 것이 바람직하다. 산기를 포함함으로써 알카리성 현상액에 용해되기 쉬워져 본 발명의 효과가 보다 효과적으로 발휘된다. 발명에 있어서의 산기란 pKa가 7보다 작은 프로톤 해리성기를 의미한다. 산기는 통상 산기를 형성할 수 있는 모노머를 사용해서 산기를 포함하는 구성 단위로서 중합체에 포함된다. 이러한 산기를 포함하는 구성 단위를 중합체 중에 포함시킴으로써 알카리성 현상액에 대하여 용해되기 쉬워지는 경향이 있다.  It is preferable to contain an acidic radical as another structural unit (a3). By including an acid group, it becomes easy to melt | dissolve in an alkaline developing solution, and the effect of this invention is exhibited more effectively. The acidic radical in this invention means a proton dissociable group whose pKa is smaller than seven. An acidic radical is contained in a polymer as a structural unit containing an acidic radical using the monomer which can form an acidic radical normally. It exists in the tendency to become easy to melt | dissolve with respect to an alkaline developing solution, by including in a polymer the structural unit containing such an acidic radical.

본 발명에서 사용되는 산기로서는 카르복실산기로부터 유래되는 것, 술폰아미드기로부터 유래되는 것, 포스폰산기로부터 유래되는 것, 술폰산기로부터 유래되는 것, 페놀성 수산기로부터 유래되는 것, 술폰아미드기, 술포닐이미드기 등이 예시되고, 카르복실산기로부터 유래되는 것 및/또는 페놀성 수산기로부터 유래되는 것이 바람직하다.The acid groups used in the present invention include those derived from carboxylic acid groups, those derived from sulfonamide groups, those derived from phosphonic acid groups, those derived from sulfonic acid groups, those derived from phenolic hydroxyl groups, sulfonamide groups, Sulfonyl imide groups etc. are illustrated and it is preferable to derive from a carboxylic acid group and / or derived from a phenolic hydroxyl group.

카르복실기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 모노카르복실산; 말레산, 푸말산, 시트라콘산, 메사콘산, 이타콘산 등의 디카르복실산 등의 불포화 카르복실산을 바람직한 것으로서 들 수 있다.As a radically polymerizable monomer used in order to form the structural unit which has a carboxyl group, For example, Monocarboxylic acids, such as acrylic acid, methacrylic acid, a crotonic acid; Unsaturated carboxylic acids, such as dicarboxylic acid, such as maleic acid, a fumaric acid, a citraconic acid, a mesaconic acid, and itaconic acid, are mentioned as a preferable thing.

또한, 카르복실산 무수물 잔기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는 예를 들면 무수 말레산, 무수 이타콘산 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.Moreover, as a radically polymerizable monomer used in order to form the structural unit which has a carboxylic anhydride residue, maleic anhydride, itaconic anhydride, etc. are mentioned as a preferable thing, for example.

페놀성 수산기를 갖는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는 예를 들면 p-히드록시스티렌, α-메틸-p-히드록시스티렌 등의 히드록시스티렌류, 일본 특허 공개 2008-40183호 공보의 단락 0011~0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제 2888454호 공보의 단락 0007~0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산 글리시딜의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산 글리시딜의 부가 반응물 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다.As a radically polymerizable monomer used in order to form the structural unit which has a phenolic hydroxyl group, For example, hydroxystyrenes, such as p-hydroxy styrene and (alpha) -methyl- p-hydroxy styrene, Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-40183 Compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of the publication, 4-hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010 of Japanese Patent No. 2888454, addition reactants of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl methacrylate, 4-hydride Addition reaction products of oxybenzoic acid and glycidyl acrylate etc. are mentioned as a preferable thing.

이들 중에서도 메타크릴산, 아크릴산, 일본 특허 공개 2008-40183호 공보의 단락 0011~0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제 2888454호 공보의 단락 0007~0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산 글리시딜의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산 글리시딜의 부가 반응물이 더욱 바람직하고, 일본 특허 공개 2008-40183호 공보의 단락 0011~0016에 기재된 화합물, 일본 특허 제 2888454호 공보의 단락 0007~0010에 기재된 4-히드록시벤조산 유도체류, 4-히드록시벤조산과 메타크릴산 글리시딜의 부가 반응물, 4-히드록시벤조산과 아크릴산 글리시딜의 부가 반응물이 바람직하고, 아크릴산, 메타크릴산, p-히드록시스티렌 및 α-메틸-p-히드록시스티렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로부터 유래되는 구성 단위인 것이 보다 바람직하고, 아크릴산 또는 메타크릴산으로부터 유래되는 구성 단위인 것이 더욱 바람직하고, 메타크릴산으로부터 유래되는 구성 단위인 것이 특히 바람직하다. 이들의 구성 단위는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다.Among these, methacrylic acid, acrylic acid, the compound of Paragraph 0011-0016 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2008-40183, the 4-hydroxy benzoic acid derivatives of Paragraph 0007-0010 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2888454, 4-hydroxy The addition reactant of benzoic acid and glycidyl methacrylate, and the addition reactant of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate are more preferable, and the compounds described in paragraphs 0011 to 0016 of JP2008-40183A, Japanese Patent No. The 4-hydroxybenzoic acid derivatives described in paragraphs 0007 to 0010 of Publication No. 2888454, addition reactants of 4-hydroxybenzoic acid and methacrylic acid glycidyl, addition reactants of 4-hydroxybenzoic acid and glycidyl acrylate are preferable. And structural units derived from at least one member selected from the group consisting of acrylic acid, methacrylic acid, p-hydroxystyrene and α-methyl-p-hydroxystyrene. It is more preferable, It is still more preferable that it is a structural unit derived from acrylic acid or methacrylic acid, It is especially preferable that it is a structural unit derived from methacrylic acid. These structural units can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

구성 단위(b1)의 바람직한 구체예로서는 하기의 구성 단위를 예시할 수 있다.As a preferable specific example of structural unit (b1), the following structural unit can be illustrated.

Figure pat00015
Figure pat00015

산기를 포함하는 구성 단위는 전체 중합체 성분의 구성 단위의 1~80몰%가 바람직하고, 1~50몰%가 보다 바람직하고, 5~40몰%가 더욱 바람직하고, 5~30몰%가 특히 바람직하고, 5~20몰%가 특히 바람직하다.As for the structural unit containing an acidic radical, 1-80 mol% of the structural unit of all the polymer components is preferable, 1-50 mol% is more preferable, 5-40 mol% is still more preferable, 5-30 mol% is especially It is preferable and 5-20 mol% is especially preferable.

본 발명에서는 상기 중합체 성분(1) 또는 (2)와는 별도로 실질적으로 (a1) 및 (a2)를 포함하지 않고 다른 구성 단위(a3)을 갖는 중합체로서는 측쇄에 카르복실기를 갖는 수지가 바람직하다. 예를 들면, 일본 특허 공개 소 59-44615호, 일본 특허 공고 소 54-34327호, 일본 특허 공고 소 58-12577호, 일본 특허 공고 소 54-25957호, 일본 특허 공개 소 59-53836호, 일본 특허 공개 소 59-71048호의 각 공보에 기재되어 있는 메타크릴산 공중합체, 아크릴산 공중합체, 이타콘산 공중합체, 크로톤산 공중합체, 말레산 공중합체, 부분 에스테르화 말레산 공중합체 등 및 측쇄에 카르복실기를 갖는 산성 셀룰로오스 유도체, 수산기를 갖는 폴리머에 산 무수물을 부가시킨 것 등을 들 수 있고, 또한 측쇄에 (메타)아크릴로일기를 갖는 고분자 중합체도 바람직한 것으로서 들 수 있다.In this invention, resin which has a carboxyl group in a side chain is preferable as a polymer which does not contain (a1) and (a2) substantially, and has another structural unit (a3) separately from the said polymer component (1) or (2). For example, Japanese Patent Publication No. 59-44615, Japanese Patent Publication 54-34327, Japanese Patent Publication 58-12577, Japanese Patent Publication 54-25957, Japanese Patent Publication 59-53836, Japan Methacrylic acid copolymers, acrylic acid copolymers, itaconic acid copolymers, crotonic acid copolymers, maleic acid copolymers, partially esterified maleic acid copolymers and the like described in each publication of Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-71048 And an acid anhydride added to a polymer having an acidic cellulose derivative having a hydroxyl group, and the like, and a polymer polymer having a (meth) acryloyl group in its side chain may also be mentioned as a preferable one.

예를 들면, 벤질(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트/벤질(메타)아크릴레이트/(메타)아크릴산 공중합체, 일본 특허 공개 평 7-140654호 공보에 기재된 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트/폴리스티렌매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시-3-페녹시프로필아크릴레이트/폴리메틸메타크릴레이트매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌매크로모노머/메틸메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 2-히드록시에틸메타크릴레이트/폴리스티렌매크로모노머/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체 등을 들 수 있다.For example, benzyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate / benzyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, Japanese Patent Laid-Open No. 7-140654 2-hydroxypropyl (meth) acrylate / polystyrene macromonomer / benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate / polymethyl methacrylate macromonomer described in Japanese Patent Publication No. / Benzyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl methacrylate / polystyrene macromonomer / methyl methacrylate / methacrylic acid copolymer, 2-hydroxyethyl methacrylate / polystyrene macromonomer / benzyl Methacrylate / methacrylic acid copolymer, and the like.

그 외에도 일본 특허 공개 평 7-207211호 공보, 일본 특허 공개 평 8-259876호 공보, 일본 특허 공개 평 10-300922호 공보, 일본 특허 공개 평 11-140144호 공보, 일본 특허 공개 평 11-174224호 공보, 일본 특허 공개 2000-56118호 공보, 일본 특허 공개 2003-233179호 공보, 일본 특허 공개 2009-52020호 공보 등에 기재된 공지의 고분자 화합물을 사용할 수 있고, 이들의 내용은 본원명세서에 포함된다.In addition, Japanese Patent Laid-Open No. 7-207211, Japanese Patent Laid-Open No. 8-259876, Japanese Patent Laid-Open No. 10-300922, Japanese Patent Laid-Open No. 11-140144, Japanese Patent Laid-Open No. 11-174224 The well-known high molecular compound of Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-56118, Unexamined-Japanese-Patent No. 2003-233179, Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-52020, etc. can be used, The content is contained in this specification.

이들의 중합체는 1종류만 포함하고 있어도 좋고, 2종류 이상 포함하고 있어도 좋다.One type of these polymers may be included and they may be included two or more types.

이들의 중합체로서 시판되어 있는 SMA 1000P, SMA 2000P, SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, SMA 3840F(이상 사토머사제), ArUFON UC-3000, ArUFON UC-3510, ArUFON UC-3900, ArUFON UC-3910, ArUFON UC-3920, ArUFON UC-3080(이상 도아고세이(주)제), Joncryl 690, Joncryl 678, Joncryl 67, Joncryl 586(이상 BASF제) 등을 사용할 수도 있다.Commercially available polymers such as SMA 1000P, SMA 2000P, SMA 3000P, SMA 1440F, SMA 17352P, SMA 2625P, SMA 3840F (manufactured by Satomer), ArUFON UC-3000, ArUFON UC-3510, ArUFON UC-3900, ArUFON UC-3910, ArUFON UC-3920, ArUFON UC-3080 (above manufactured by Toagosei Co., Ltd.), Joncryl 690, Joncryl 678, Joncryl 67, Joncryl 586 (above BASF), etc. can also be used.

다른 구성 단위(a3)로서 스티렌이나 α-메틸스티렌 등의 스티렌류를 사용할 경우 하기 식(b3-1)로 나타내어지는 구성 단위를 더 갖는 것이 바람직하다. R4는 수소 원자인 것이 바람직하다.When using styrene, such as styrene and (alpha) -methylstyrene, as another structural unit (a3), it is preferable to further have a structural unit represented by following formula (b3-1). R 4 is preferably a hydrogen atom.

Figure pat00016
Figure pat00016

(식 중 R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다)(Wherein R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group)

또한, 구성 단위(b3)의 예로서는 (메타)아크릴산 에스테르류, 스티렌류 및 N치환 말레이미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로부터 유래되는 구성 단위를 바람직하게 들 수 있고, (메타)아크릴산 에스테르류 및 스티렌류로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로부터 유래되는 구성 단위를 보다 바람직하게 들 수 있다.Moreover, as an example of a structural unit (b3), the structural unit derived from at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of (meth) acrylic acid ester, styrene, and N-substituted maleimide is mentioned preferably, (meth) acrylic acid ester And structural units derived from at least one selected from the group consisting of styrenes.

그 중에서도 구성 단위(b3)를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체로서는 (메타)아크릴산 디시클로펜타닐, (메타)아크릴산 시클로헥실, 아크릴산 시클로헥실과 같은 지환 구조를 갖는 (메타)아크릴산 에스테르류, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, 스티렌을 바람직하게 예시할 수 있고, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, 스티렌을 보다 바람직하게 예시할 수 있고, (메타)아크릴산 메틸을 더욱 바람직하게 예시할 수 있고, 메타크릴산 메틸을 특히 바람직하게 예시할 수 있다.Especially, as a radically polymerizable monomer used in order to form a structural unit (b3), the (meth) acrylic acid ester which has alicyclic structure, such as (meth) acrylic-acid dicyclopentanyl, (meth) acrylic acid cyclohexyl, and cyclohexyl acrylate, ( Methyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, and styrene can be illustrated preferably, Methyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, and styrene can be illustrated more preferably, Methyl (meth) acrylate can be illustrated more preferably, and methyl methacrylate can be illustrated especially preferably.

<<(A) 중합체의 분자량>><< molecular weight of (A) polymer >>

(A) 중합체의 분자량은 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량으로 바람직하게는 1,000~200,000, 보다 바람직하게는 2,000~50,000의 범위이다. 상기 수치의 범위 내이면 제특성이 양호하다. 수 평균 분자량과 중량 평균 분자량의 비(분산도)는 1.0~5.0이 바람직하고, 1.5~3.5가 보다 바람직하다.The molecular weight of the polymer (A) is preferably in the range of 1,000 to 200,000, more preferably 2,000 to 50,000 in terms of the polystyrene reduced weight average molecular weight. Various characteristics are favorable as it exists in the range of the said numerical value. 1.0-5.0 are preferable and, as for ratio (dispersion degree) of a number average molecular weight and a weight average molecular weight, 1.5-3.5 are more preferable.

<<(A) 중합체의 제조 방법>><< (A) manufacturing method of polymer >>

또한, (A) 성분의 합성법에 대해서도 여러 가지 방법이 알려져 있지만 일례를 들면 적어도 상기 (a1) 및 상기 (a3)으로 나타내어지는 구성 단위를 형성하기 위해서 사용되는 라디칼 중합성 단량체를 포함하는 라디칼 중합성 단량체 혼합물을 유기 용제 중 라디칼 중합 개시제를 사용해서 중합함으로써 합성할 수 있다. 또한, 소위 고분자 반응에 의해 합성할 수도 있다.Moreover, although various methods are known also about the synthesis | combining method of (A) component, For example, radically polymerizable including the radically polymerizable monomer used in order to form the structural unit represented by said (a1) and said (a3) at least. A monomer mixture can be synthesize | combined by superposing | polymerizing using the radical polymerization initiator in the organic solvent. Moreover, it can also synthesize | combine by what is called a polymer reaction.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 전체 고형분 100질량부에 대하여 (A) 성분을 50~99.9질량부의 비율로 포함하는 것이 바람직하고, 70~98질량부의 비율로 포함하는 것이 보다 바람직하다.It is preferable to contain (A) component in the ratio of 50-99.9 mass parts with respect to 100 mass parts of total solids, and, as for the photosensitive resin composition of this invention, it is more preferable to contain in 70-98 mass parts.

<성분 (X)><Component (X)>

본 발명에서 사용되는 규소 화합물은 하기 식(X1)로 나타내어지는 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 1분자 내에 2개 이상 갖는 것을 특징으로 한다.The silicon compound used in the present invention is characterized by having two or more hydrolyzable silyl groups and / or silanol groups represented by the following formula (X1) in one molecule.

Figure pat00017
Figure pat00017

(식 중 RX1~RX3 중 적어도 1개는 알콕시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 아미드기, 아세톡시기, 아미노기, 알릴옥시기 및 이소프로페녹시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 가수분해성기 또는 히드록시기를 나타낸다. 나머지 RX1~RX3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 1가의 유기 치환기를 나타낸다) Wherein at least one of R X1 to R X3 is a hydrolyzable group selected from the group consisting of an alkoxy group, a mercapto group, a halogen atom, an amide group, an acetoxy group, an amino group, an allyloxy group and an isopropenoxy group or Hydroxy group, and the remaining R X1 to R X3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic substituent)

식(X1) 중 RX1~RX3 중 적어도 1개는 알콕시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 아미드기, 아세톡시기, 아미노기, 알릴옥시기 및 이소프로페녹시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 가수분해성기 또는 히드록시기를 나타낸다. 나머지 RX1~RX3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 1가의 유기 치환기(예를 들면, 알킬기, 아릴기, 알케닐기, 알키닐기, 아랄킬기)를 나타낸다.At least one of R X1 to R X3 in formula (X1) is hydrolyzed selected from the group consisting of an alkoxy group, mercapto group, halogen atom, amide group, acetoxy group, amino group, allyloxy group and isopropenoxy group It represents a genital group or a hydroxyl group. The remaining R X1 to R X3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic substituent (eg, an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aralkyl group).

식(X1) 중 규소 원자에 결합하는 가수분해성기로서는 특히 알콕시기, 할로겐 원자가 바람직하고, 알콕시기가 보다 바람직하다.As a hydrolyzable group couple | bonded with a silicon atom in Formula (X1), an alkoxy group and a halogen atom are especially preferable, and an alkoxy group is more preferable.

알콕시기로서는 린스성과 내쇄성의 관점으로부터 탄소수 1~30개의 알콕시기가 바람직하고, 탄소수 1~15개의 알콕시기가 보다 바람직하고, 탄소수 1~5개의 알콕시기가 더욱 바람직하고, 탄소수 1~3개의 알콕시기가 보다 더 바람직하고, 메톡시기 또는 에톡시기가 특히 바람직하다.As an alkoxy group, a C1-C30 alkoxy group is preferable from a viewpoint of a rinse property and a chain resistance, A C1-C15 alkoxy group is more preferable, A C1-C5 alkoxy group is more preferable, A C1-C3 alkoxy group is further more preferable. It is preferable and a methoxy group or an ethoxy group is especially preferable.

또한, 할로겐 원자로서 F 원자, Cl 원자, Br 원자, I 원자를 들 수 있고, 합성의 용이함 및 안정성의 관점에서 바람직하게는 Cl 원자 및 Br 원자를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 Cl원자를 들 수 있다.Examples of the halogen atom include F atom, Cl atom, Br atom, and I atom. From the viewpoint of ease of synthesis and stability, Cl atom and Br atom are preferable, and Cl atom is more preferable. Can be.

성분 X는 식(X1)로 나타내어지는 기를 2개 이상 갖는다. 즉, 분자 내에 가수분해성기가 결합한 규소 원자를 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하게 사용된다. 성분 A 중에 포함되는 가수분해성기가 결합한 규소 원자의 수는 2~6개가 바람직하고, 2~4개가 보다 바람직하고, 2 또는 3개가 더욱 바람직하다.Component X has two or more groups represented by formula (X1). That is, the compound which has two or more silicon atoms which the hydrolysable group couple | bonded in the molecule | numerator is used preferably. 2-6 are preferable, as for the number of the silicon atoms which the hydrolyzable group contained in the component A couple | bonded, 2-4 are more preferable, and 2 or 3 are still more preferable.

2개 이상의 구성 성분(X1)을 가짐으로써 경화막 내부에서 가교제로서 기능하여 경화막의 박리액이나 용제에 대한 내성을 향상시킬 수 있다.By having two or more structural component (X1), it can function as a crosslinking agent in a cured film, and can improve the resistance to the peeling liquid and a solvent of a cured film.

상기 가수분해성기는 1개의 규소 원자에 1~4개의 범위에서 결합할 수 있고, 식(X1) 중에 있어서의 가수분해성기의 총 개수는 2개 또는 3개의 범위인 것이 바람직하고, 3개의 가수분해성기가 결합하고 있는 것이 특히 바람직하다. 가수분해성기가 규소 원자에 2개 이상 결합할 때에는 그들은 서로 동일해도 달라도 좋다.The hydrolyzable group can be bonded to one silicon atom in the range of 1 to 4, and the total number of hydrolyzable groups in the formula (X1) is preferably in the range of 2 or 3, and the three hydrolyzable groups It is especially preferable to combine. When two or more hydrolyzable groups couple | bond with a silicon atom, they may mutually be same or different.

상기 가수분해성기로서 바람직한 알콕시기로서 예를 들면 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 이소프로폭시기, 부톡시기, tert-부톡시기, 페녹시기, 벤질옥시기 등을 들 수 있다. 이들의 각 알콕시기를 복수개 조합해서 사용해도 좋고, 다른 알콕시기를 복수개 조합해서 사용해도 좋다.Preferred alkoxy groups as the hydrolyzable group include methoxy, ethoxy, propoxy, isopropoxy, butoxy, tert-butoxy, phenoxy and benzyloxy groups. A plurality of these alkoxy groups may be used in combination, or a plurality of other alkoxy groups may be used in combination.

알콕시기가 결합한 알콕시실릴기로서는 예를 들면 트리메톡시실릴기, 트리에톡시실릴기, 트리이소프로폭시실릴기, 트리페녹시실릴기 등의 트리알콕시실릴기; 디메톡시메틸실릴기, 디에톡시메틸실릴기 등의 디알콕시모노알킬실릴기; 메톡시디메틸실릴기, 에톡시디메틸실릴기 등의 모노알콕시디알킬실릴기를 들 수 있다.As an alkoxy silyl group which the alkoxy group couple | bonded, For example, Trialkoxy silyl groups, such as a trimethoxy silyl group, a triethoxy silyl group, a triisopropoxy silyl group, and a triphenoxy silyl group; Dialkoxymonoalkylsilyl groups such as dimethoxymethylsilyl group and diethoxymethylsilyl group; Monoalkoxy dialkyl silyl groups, such as a methoxy dimethyl silyl group and an ethoxy dimethyl silyl group, are mentioned.

성분 X는 황 원자, 에스테르 결합, 우레탄 결합, 에테르 결합, 우레아 결합 또는 이미노기를 함유해도 좋다. 그 중에서도 성분 X는 가교성의 관점으로부터 황 원자를 함유하는 것이 바람직하고, 또한 알칼리 현상성의 관점으로부터 알칼리수로 분해하기 쉬운 에스테르 결합, 우레탄 결합 또는 에테르 결합(특히, 옥시알킬렌기에 포함되는 에테르 결합)을 함유하는 것이 바람직하다. 황 원자를 함유하는 성분 X는 가황제로서 기능하여 경화막의 반응(가교)을 촉진하는 경우가 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 성분 X는 에틸렌성 불포화 결합을 갖고 있지 않은 화합물인 것이 바람직하다. 성분 X는 중합성기로서 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기만을 갖는 것이 바람직하다.Component X may contain a sulfur atom, an ester bond, a urethane bond, an ether bond, a urea bond or an imino group. Especially, it is preferable that component X contains a sulfur atom from a crosslinking viewpoint, and also the ester bond, a urethane bond, or an ether bond (especially the ether bond contained in an oxyalkylene group) which is easy to decompose | disassemble into alkaline water from an alkali developability viewpoint. It is preferable to contain. The component X containing a sulfur atom may function as a vulcanizing agent, and may accelerate reaction (crosslinking) of a cured film. Moreover, it is preferable that component X in this invention is a compound which does not have an ethylenically unsaturated bond. It is preferable that component X has only hydrolyzable silyl group and / or silanol group as a polymerizable group.

본 발명에 있어서의 성분 X는 복수의 상기 식(X1)로 나타내어지는 기가 2가의 연결기를 통해 결합하고 있는 화합물을 들 수 있고, 이러한 2가의 연결기로서는 효과의 관점으로부터 술피드기(-S-), 이미노기(-N(R)-) 또는 우레탄 결합(-OCON(R)- 또는 N(R)COO-)을 갖는 연결기가 바람직하다. 또한, R은 수소 원자 또는 치환기를 나타낸다. R에 있어서의 치환기로서는 알킬기, 아릴기, 알케닐기, 알키닐기 또는 아랄킬기를 예시할 수 있다.Examples of the component X in the present invention include compounds in which the groups represented by the plurality of formulas (X1) are bonded via a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include a sulfide group (-S-) from the viewpoint of the effect. And a linking group having an imino group (-N (R)-) or a urethane bond (-OCON (R)-or N (R) COO-). In addition, R represents a hydrogen atom or a substituent. As a substituent in R, an alkyl group, an aryl group, an alkenyl group, an alkynyl group, or an aralkyl group can be illustrated.

성분 X의 합성 방법으로서는 특별히 제한은 없고, 공지의 방법에 의해 합성할 수 있다. 일례로서 상기 특정 구조를 갖는 연결기를 포함하는 성분 X의 대표적인 합성 방법을 나타낸다.There is no restriction | limiting in particular as a synthesis | combining method of component X, It can synthesize | combine by a well-known method. As an example, a representative method for synthesizing component X including a linking group having the specific structure is shown.

<연결기로서 술피드기를 갖고, 또한 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 갖는 화합물의 합성법><Synthesis method of a compound which has a sulfide group as a linking group, and also has a hydrolyzable silyl group and / or silanol group>

연결기로서 술피드기를 갖는 성분 X(이하 적당히 「술피드 연결기 함유 성분 X」라고 칭한다)의 합성법은 특별히 한정되지 않지만 구체적으로는 예를 들면 할로겐화 탄화수소기를 갖는 성분 X와 황화 알칼리의 반응, 메르캅토기를 갖는 성분 X와 할로겐화 탄화수소의 반응, 메르캅토기를 갖는 성분 X와 할로겐화 탄화수소기를 갖는 성분 X의 반응, 할로겐화 탄화수소기를 갖는 성분 X와 메르캅탄류의 반응, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 성분 X와 메르캅탄류의 반응, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 성분 X와 메르캅토기를 갖는 성분 X의 반응, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과 메르캅토기를 갖는 성분 X의 반응, 케톤류와 메르캅토기를 갖는 성분 X의 반응, 디아조늄염과 메르캅토기를 갖는 성분 X의 반응, 메르캅토기를 갖는 성분 X와 옥실란류의 반응, 메르캅토기를 갖는 성분 X와 옥실란기를 갖는 성분 X의 반응 및 메르캅탄류와 옥실란기를 갖는 성분 X의 반응, 메르캅토기를 갖는 성분 X와 아지리딘류의 반응 등의 합성 방법을 예시할 수 있다.Although the synthesis | combining method of the component X which has a sulfide group as a coupling group (henceforth "a sulfide coupling group containing component X" suitably) is not specifically limited, Specifically, for example, reaction of the component X which has a halogenated hydrocarbon group, and alkali sulfide, a mercapto group Reaction of component X with a halogenated hydrocarbon, component X with a mercapto group and component X with a halogenated hydrocarbon group, reaction of component X with a halogenated hydrocarbon group and mercaptans, component X with an ethylenically unsaturated bond Reaction of captans, reaction of component X having an ethylenically unsaturated bond with component mercapto group, reaction of component having ethylenically unsaturated bond with component X having mercapto group, component having ketones and mercapto group Reaction of X, reaction of diazonium salt with component X having a mercapto group, reaction of component X having a mercapto group with oxiranes, The synthesis | combining method, such as reaction of the component X which has a lecapto group, the component X which has an oxirane group, reaction of the mercaptans and the component X which has an oxirane group, reaction of the component X which has a mercapto group, and aziridine etc. can be illustrated.

<연결기로서 이미노기를 갖고, 또한 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 갖는 화합물의 합성법><Synthesis method of a compound which has an imino group as a coupling group, and also has a hydrolyzable silyl group and / or silanol group>

연결기로서 이미노기를 갖는 성분 X(이하 적당히 「이미노 연결기 함유 성분 X」라고 칭한다)의 합성법은 특별히 한정되지 않지만 예를 들면 아미노기를 갖는 성분 X와 할로겐화 탄화수소의 반응, 아미노기를 갖는 성분 X와 할로겐화 탄화수소기를 갖는 성분 X의 반응, 할로겐화 탄화수소기를 갖는 성분 X와 아민류의 반응, 아미노기를 갖는 성분 X와 옥실란류의 반응, 아미노기를 갖는 성분 X와 옥실란기를 갖는 성분 X의 반응, 아민류와 옥실란기를 갖는 성분 X의 반응, 아미노기를 갖는 성분 X와 아지리딘류의 반응, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 성분 X와 아민류의 반응, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 성분 X와 아미노기를 갖는 성분 X의 반응, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과 아미노기를 갖는 성분 X의 반응, 아세틸렌성 불포화 결합을 갖는 화합물과 아미노기를 갖는 성분 X의 반응, 이민성 불포화 결합을 갖는 성분 X와 유기 알칼리 금속 화합물의 반응, 이민성 불포화 결합을 갖는 성분 X와 유기 알칼리 토류 금속 화합물의 반응 및 카르보닐 화합물과 아미노기를 갖는 성분 X의 반응 등의 합성 방법을 예시할 수 있다.Although the synthesis | combining method of the component X which has an imino group as a coupling group (henceforth "imino coupling group containing component X" suitably) is not specifically limited, For example, reaction of the component X which has an amino group, and halogenated hydrocarbon, the component X which has an amino group, and halogenation Reaction of component X having a hydrocarbon group, reaction of component X having a halogenated hydrocarbon group with amines, reaction of component X having an amino group with oxiranes, reaction of component X having an amino group with component X having an oxysilane group, component having an amine and an oxysilane group Reaction of X, component X having an amino group and aziridines, reaction of component X having an ethylenically unsaturated bond with amines, reaction of component X having an ethylenically unsaturated bond with component X having an amino group, ethylenically unsaturated bond Reaction of a compound having a compound with an amino group with a compound having an acetylenically unsaturated bond; Reaction of component X having an amino group, reaction of component X having an imineically unsaturated bond with an organic alkali metal compound, reaction of component X having an imine unsaturated bond with an organic alkaline earth metal compound and reaction of component X having a carbonyl compound with an amino group Synthetic methods, such as these, can be illustrated.

<연결기로서 우레탄 결합(우레일렌기)을 갖고, 또한 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 갖는 화합물의 합성법><Synthesis method of a compound which has a urethane bond (ureylene group) as a coupling group, and also has a hydrolyzable silyl group and / or silanol group>

연결기로서 우레일렌기를 갖는 성분 X(이하 적당히 「우레일렌 연결기 함유 성분 X」라고 칭한다)의 합성법은 특별히 한정되지 않지만 구체적으로는 예를 들면 아미노기를 갖는 성분 X와 이소시안산 에스테르류의 반응, 아미노기를 갖는 성분 X와 이소시안산 에스테르를 갖는 성분 X의 반응 및 아민류와 이소시안산 에스테르를 갖는 성분 X의 반응 등의 합성 방법을 예시할 수 있다.Although the synthesis | combining method of the component X (henceforth "the ureylene coupling group containing component X" suitably hereafter) as a coupling group is not specifically limited, For example, reaction of the component X which has an amino group, and isocyanate ester, and an amino group Synthetic methods, such as reaction of the component X which has a component X, and the component X which has an isocyanate ester, and the reaction of the amines and the component X which has an isocyanic acid ester, can be illustrated.

성분 X의 구체예로서는 1,2-비스(트리에톡시실릴)에탄, 1,4-비스(트리메톡시실릴)부탄, 1-메틸디메톡시실릴-4-트리메톡시실릴부탄, 1,4-비스(메틸디메톡시실릴)부탄, 1,5-비스(트리메톡시실릴)펜탄, 1,4-비스(트리메톡시실릴)펜탄, 1-메틸디메톡시실릴-5-트리메톡시실릴펜탄, 1,5-비스(메틸디메톡시실릴)펜탄, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,4-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,5-비스(트리메톡시실릴)헥산, 2,5-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,6-비스(메틸디메톡시실릴)헥산, 1,7-비스(트리메톡시실릴)헵탄, 2,5-비스(트리메톡시실릴)헵탄, 2,6-비스(트리메톡시실릴)헵탄, 1,8-비스(트리메톡시실릴)옥탄, 2,5-비스(트리메톡시실릴)옥탄, 2,7-비스(트리메톡시실릴)옥탄, 1,9-비스(트리메톡시실릴)노난, 2,7-비스(트리메톡시실릴)노난, 1,10-비스(트리메톡시실릴)데칸, 3,8-비스(트리메톡시실릴)데칸, 비닐트리클로로실란, 1,3-비스(트리클로로실란)프로판, 1,3-비스(트리브로모실란)프로판, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리에톡시실란, γ-메타크릴록시프로필메틸디메톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, γ-메타크릴록시프로필메틸디에톡시실란, γ-메타크릴록시프로필트리에톡시실란, γ-아크릴록시프로필트리메톡시실란, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-(β-아미노에틸)-γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-페닐-γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란, γ-메르캅토프로필트리에톡시실란, 메르캅토메틸트리메톡시실란, 디메톡시-3-메르캅토프로필메틸실란, 2-(2-아미노에틸티오에틸)디에톡시메틸실란, 3-(2-아세톡시에틸티오프로필)디메톡시메틸실란, 2-(2-아미노에틸티오에틸)트리에톡시실란, 디메톡시메틸-3-(3-페녹시프로필티오프로필)실란, 비스(트리에톡시실릴프로필)디술피드, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드, 1,4-비스(트리에톡시실릴)벤젠, 비스(트리에톡시실릴)에탄, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,8-비스(트리에톡시실릴)옥탄, 1,2-비스(트리메톡시실릴)데칸, 비스(트리에톡시실릴프로필)아민, 비스(트리메톡시실릴프로필)우레아, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-트리에톡시실릴프로필메타아크릴레이트, γ-우레이드프로필트리에톡시실란, 트리메틸실라놀, 디페닐실란디올, 트리페닐실라놀 등을 들 수 있다.Specific examples of component X include 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1,4-bis (trimethoxysilyl) butane, 1-methyldimethoxysilyl-4-trimethoxysilylbutane, 1,4- Bis (methyldimethoxysilyl) butane, 1,5-bis (trimethoxysilyl) pentane, 1,4-bis (trimethoxysilyl) pentane, 1-methyldimethoxysilyl-5-trimethoxysilylpentane, 1,5-bis (methyldimethoxysilyl) pentane, 1,6-bis (trimethoxysilyl) hexane, 1,4-bis (trimethoxysilyl) hexane, 1,5-bis (trimethoxysilyl) Hexane, 2,5-bis (trimethoxysilyl) hexane, 1,6-bis (methyldimethoxysilyl) hexane, 1,7-bis (trimethoxysilyl) heptane, 2,5-bis (trimethoxy Silyl) heptane, 2,6-bis (trimethoxysilyl) heptane, 1,8-bis (trimethoxysilyl) octane, 2,5-bis (trimethoxysilyl) octane, 2,7-bis (tri Methoxysilyl) octane, 1,9-bis (trimethoxysilyl) nonane, 2,7-bis (trimethoxysilyl) nonane, 1,10-bis (trimethoxysilyl) decane, 3,8-bis (Trimethock Cylyl) decane, vinyltrichlorosilane, 1,3-bis (trichlorosilane) propane, 1,3-bis (tribromosilane) propane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, β- (3 , 4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-methacryl Oxypropylmethyldimethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, γ-methacryloxypropyltriethoxysilane, γ -Acryloxypropyltrimethoxysilane, N- (β-aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (β-aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N- (β- Aminoethyl) -γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane , N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, mercaptomethyltrimethoxysilane, dimethoxy-3-mercaptopropyl Methylsilane, 2- (2-aminoethylthioethyl) diethoxymethylsilane, 3- (2-acetoxyethylthiopropyl) dimethoxymethylsilane, 2- (2-aminoethylthioethyl) triethoxysilane, dimeth Methoxymethyl-3- (3-phenoxypropylthiopropyl) silane, bis (triethoxysilylpropyl) disulfide, bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide, 1,4-bis (triethoxysilyl) Benzene, bis (triethoxysilyl) ethane, 1,6-bis (trimethoxysilyl) hexane, 1,8-bis (triethoxysilyl) octane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) decane, Bis (triethoxysilylpropyl) amine, bis (trimethoxysilylpropyl) urea, γ-chloropropyltrimethoxysilane, γ-triethoxysilylpropylmethacrylate, γ- In-laid propyltriethoxysilane and the like can be mentioned silane, trimethyl silanol, diphenyl silane diol, triphenyl silanol.

그 밖에도 이하에 나타내는 화합물을 바람직한 것으로서 들 수 있지만 본 발명은 이들의 화합물에 제한되는 것은 아니다.In addition, although the compound shown below is mentioned as a preferable thing, this invention is not limited to these compounds.

Figure pat00018
Figure pat00018

Figure pat00019
Figure pat00019

Figure pat00020
Figure pat00020

상기 각 식 중 R 및 R1은 각각 이하의 구조로부터 선택되는 부분 구조를 나타낸다. 분자 내에 복수의 R 및 R1이 존재할 경우 이들은 서로 같아도 달라도 좋고, 합성 적성상은 동일한 것이 바람직하다.In said each formula, R and R <1> represent the partial structure chosen from the following structures, respectively. When a plurality of R and R 1 are present in the molecule, they may be the same as or different from each other, and the synthetic aptitude is preferably the same.

Figure pat00021
Figure pat00021

성분 X는 적당히 합성해서 얻는 것도 가능하지만 시판된 것을 사용하는 것이 비용 면으로부터 바람직하다. 성분 X로서는 예를 들면 신에쓰 가가꾸 고교(주), 도레이·다우코닝(주), 모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈(주), 치소(주) 등으로부터 시판되어 있는 실란 제품, 실란 커플링제 등의 시판품이 이것에 상당하기 때문에 본 발명의 수지 조성물에 이들 시판품을 목적에 따라 적당히 선택해서 사용해도 좋다.Although component X can also be obtained by synthesis | combining suitably, it is preferable from a cost point to use a commercially available thing. As the component X, for example, commercial products, such as a silane product marketed from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Toray Dow Corning Co., Ltd., Momentive Performance Materials Co., Ltd., Chiso Co., Ltd., a silane coupling agent, etc. Since this corresponds to this, you may select and use these commercial items suitably for the resin composition of this invention according to the objective.

본 발명에 있어서의 성분 X로서 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 갖는 화합물을 1종 사용해서 얻어진 부분 가수분해 축합물 또는 2종 이상 사용해서 얻어진 부분 공가수분해 축합물을 사용할 수 있다. 이하 이들의 화합물을 「부분 (공)가수분해 축합물」이라고 칭하는 경우가 있다.As the component X in the present invention, a partially hydrolyzed condensate obtained by using one kind of a compound having a hydrolyzable silyl group and / or silanol group or a partially cohydrolyzed condensate obtained by using two or more kinds can be used. Hereinafter, these compounds may be called "partial (co) hydrolysis condensate."

부분 (공)가수분해 축합물 전구체로서의 실란 화합물 중에서도 범용성, 비용면, 막의 상용성의 관점으로부터 규소 상의 치환기로서 메틸기 및 페닐기로부터 선택되는 치환기를 갖는 실란 화합물인 것이 바람직하고, 구체적으로는 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란이 바람직한 전구체로서 예시된다.It is preferable that it is a silane compound which has a substituent chosen from a methyl group and a phenyl group as a substituent on a silicon from a versatility, a cost, and the compatibility of a film among the silane compounds as a partial (co) hydrolysis-condensation precursor, specifically methyltrimethoxy Silane, methyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane and diphenyldiethoxysilane are exemplified as preferred precursors.

이 경우 부분 (공)가수분해 축합물로서는 상기한 바와 같은 실란 화합물의 2량체(실란 화합물 2몰에 물 1몰을 작용시키고 알코올 2몰을 탈리시켜 디실록산 단위로 한 것)~100량체, 바람직하게는 2~50량체, 더욱 바람직하게는 2~30량체로 한 것을 바람직하게 사용할 수 있고, 2종 이상의 실란 화합물을 원료로 하는 부분 공가수분해 축합물을 사용하는 것도 가능하다.In this case, as the partial (co) hydrolysis condensate, a dimer of a silane compound as described above (with 1 mole of water acted on 2 moles of silane compound and 2 moles of alcohol desorbed to disiloxane units) to 100 mers, preferably Preferably it is a 2-50 monomer, More preferably, it can use preferably 2-30 monomer, It is also possible to use the partial cohydrolysis condensate which uses two or more types of silane compounds as a raw material.

또한, 이러한 부분 (공)가수분해 축합물은 실리콘알콕시올리고머로서 시판되어 있는 것을 사용해도 좋고(예를 들면, 신에쓰 가가꾸 고교(주) 등으로부터 시판되어 있다), 또한 상법에 의거하여 가수분해성 실란 화합물에 대하여 당량 미만의 가수분해물을 반응시킨 후에 알코올, 염산 등의 부생물을 제거함으로써 제조한 것을 사용해도 좋다. 제조에 있어서는 전구체가 되는 원료의 가수분해성 실란 화합물로서 예를 들면 상기한 바와 같은 알콕시실란류나 아실록시실란류를 사용할 경우에는 염산, 황산 등의 산, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨 등의 알칼리 금속 또는 알칼리 토류 금속의 수산화물, 트리에틸아민 등의 알카리성 유기 물질 등을 반응 촉매로서 부분 가수분해 축합하면 좋고, 클로로실란류로부터 직접 제조할 경우에는 부생되는 염산을 촉매로서 물 및 알코올을 반응시키면 좋다.In addition, such a partial (co) hydrolysis condensate may use what is marketed as a silicon alkoxy oligomer (for example, it is marketed from Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), and also it is hydrolyzable based on a conventional method. You may use what was manufactured by making less than equivalent hydrolyzate react with a silane compound, and then removing by-products, such as alcohol and hydrochloric acid. In manufacturing, when using the alkoxysilanes and acyloxysilanes mentioned above as a hydrolysable silane compound of a raw material used as a precursor, alkali metals, such as hydrochloric acid and a sulfuric acid, alkali metals, such as sodium hydroxide and potassium hydroxide, or alkaline-earth, etc. Alkaline organic substances such as metal hydroxides, triethylamine and the like may be partially hydrolyzed and condensed as reaction catalysts, and when produced directly from chlorosilanes, water and alcohol may be reacted with byproduct hydrochloric acid as a catalyst.

경화성, 접착성, 내열착색 안정성 및 투명성과 접착 강도의 밸런스가 보다 우수하고, 내습열 접착성이 우수하다는 관점으로부터 비스(트리알콕시실릴)알칸이 보다 바람직하고, 비스-(3-트리메톡시실릴프로필)아민, 1,2-비스(트리에톡시실릴)에탄, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 1,7-비스(트리메톡시실릴)헵탄, 1,8-비스(트리메톡시실릴)옥탄, 1,9-비스(트리메톡시실릴)노난 및 1,10-비스(트리메톡시실릴)데칸으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하고, 1,6-비스(트리메톡시실릴)헥산, 비스-(3-트리메톡시실릴프로필)아민이 더욱 바람직하다.Bis (trialkoxy silyl) alkanes are more preferable, and bis- (3-trimethoxysilyl is more preferable from a viewpoint of the curability, the adhesiveness, the heat-coloring stability, the balance of transparency, and adhesive strength more excellent, and the excellent heat-resistant adhesiveness. Propyl) amine, 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1,6-bis (trimethoxysilyl) hexane, 1,7-bis (trimethoxysilyl) heptane, 1,8-bis (tri At least one selected from the group consisting of methoxysilyl) octane, 1,9-bis (trimethoxysilyl) nonane and 1,10-bis (trimethoxysilyl) decane is more preferable, and 1,6-bis ( More preferred are trimethoxysilyl) hexane and bis- (3-trimethoxysilylpropyl) amine.

본 발명에서 사용하는 X 성분은 특히 식(X2)로 나타내어지는 규소 화합물이 바람직하다.As for the X component used by this invention, the silicon compound especially represented by Formula (X2) is preferable.

Figure pat00022
Figure pat00022

(식 중 X는 상기 식(X1)로 나타내어지는 기를 나타내고, a는 2 이상의 정수를 나타낸다. Ro는 a값의 연결기를 나타낸다)(Wherein X represents a group represented by the formula (X1), and a represents an integer of 2 or more. Ro represents a linking group having a value)

식(X2)에 있어서의 X는 상기 식(X1)로 나타내어지는 기와 동의이며, 바람직한 범위도 동의이다.X in Formula (X2) is synonymous with group represented by the said Formula (X1), and its preferable range is also synonymous.

식(X2)에 있어서 a는 2~4가 바람직하고, 2 또는 3이 더욱 바람직하다.In formula (X2), 2-4 are preferable and, as for a, 2 or 3 is more preferable.

식(X2)로 나타내어지는 화합물은 더욱 바람직하게는 하기 식(X3)으로 나타내어지는 화합물이다.The compound represented by formula (X2) is more preferably a compound represented by the following formula (X3).

Figure pat00023
Figure pat00023

(식 중 X는 상기 식(X1)을 나타내고, a는 2 이상의 정수를 나타낸다. n은 1~5의 정수를 나타낸다. Roo는 단결합 또는 a값의 연결기를 나타낸다)(Wherein X represents the formula (X1) and a represents an integer of 2 or more. N represents an integer of 1 to 5. Roo represents a single bond or a linking group of a value.)

식(X3)에 있어서의 X는 상기 식(X1)로 나타내어지는 기와 동의이며, 바람직한 범위도 동의이다.X in Formula (X3) is synonymous with group represented by the said Formula (X1), and its preferable range is also synonymous.

식(X3)에 있어서 a는 2~4가 바람직하고, 2 또는 3이 더욱 바람직하고, 2가 특히 바람직하다.In formula (X3), 2-4 are preferable, as for a, 2 or 3 is more preferable, and 2 is especially preferable.

식(X3)에 있어서 Roo는 단결합 및 -CR2-(R은 수소 원자 또는 탄소수 1~3개의 알킬기), -S-, -CO-, -O-, 페닐렌기, 및In formula (X3), Roo is a single bond and -CR 2- (R is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms), -S-, -CO-, -O-, a phenylene group, and

Figure pat00024
Figure pat00024

이들의 2 이상의 조합으로 이루어지는 기인 것이 바람직하다.It is preferable that it is group which consists of two or more combination of these.

식(X3)에 있어서 Roo는 보다 바람직하게는 단결합 및 -CR2-(R은 수소 원자 또는 탄소수 1~3개의 알킬기), -S-, -CO-, -O- 및 이들의 조합으로 이루어지는 기이며, 더욱 바람직하게는 단결합 및 -CH2-, -S- 및 이들의 조합으로 이루어지는 기이다.In formula (X3), Roo more preferably consists of a single bond and -CR 2- (R is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms), -S-, -CO-, -O-, and a combination thereof. It is a group consisting of, -S-, and combinations thereof - group, and more preferably a single bond and -CH 2.

식(X3)에 있어서 n은 1~3의 정수가 바람직하고, 1 또는 2가 보다 바람직하다.In Formula (X3), the integer of 1-3 is preferable, and, as for n, 1 or 2 is more preferable.

본 발명에서 사용하는 규소 화합물의 분자량은 100~1500이 바람직하고, 250~1100이 보다 바람직하다.100-1500 are preferable and, as for the molecular weight of the silicon compound used by this invention, 250-1100 are more preferable.

본 발명에서는 특히 식(S-1)~식(S-17)에 기재된 규소 화합물이 바람직하게 채용된다.Especially in this invention, the silicon compound of Formula (S-1)-Formula (S-17) is employ | adopted preferably.

Figure pat00025
Figure pat00025

Figure pat00026
Figure pat00026

성분 X는 각각 단독으로 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.The component X can be used individually or in combination of 2 types or more, respectively.

본 발명에 있어서 성분 X의 양은 경화성, 접착성, 내열착색 안정성 및 투명성과 접착 강도의 밸런스라는 관점으로부터 수지 조성물의 용제를 제외한 성분의 합계에 대하여 0.1중량% 이상인 것이 바람직하고, 0.5중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 상한값에 대해서는 특별히 결정하는 것은 아니지만 바람직하게는 10중량% 이하이며, 보다 바람직하게는 5중량% 이하이다.In the present invention, the amount of component X is preferably 0.1% by weight or more, and 0.5% by weight or more, based on the total balance of the components excluding the solvent of the resin composition from the viewpoint of the curability, adhesiveness, heat-coloring stability, and the balance between transparency and adhesive strength. More preferred. Although it does not specifically determine about an upper limit, Preferably it is 10 weight% or less, More preferably, it is 5 weight% or less.

(성분 C) 광산 발생제(Component C) Photoacid Generator

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 C) 광산 발생제를 함유한다.The photosensitive resin composition of this invention contains the (component C) photo-acid generator.

성분 C로서는 파장 300㎚ 이상, 바람직하게는 파장 300~450㎚의 활성광선에 감응하여 산을 발생하는 화합물이 바람직하지만 그 화학 구조에 제한되는 것은 아니다. 또한, 파장 300㎚ 이상의 활성광선에 직접 감응하지 않는 광산 발생제에 대해서도 증감제와 병용함으로써 파장 300㎚ 이상의 활성광선에 감응하여 산을 발생하는 화합물이면 증감제와 조합해서 바람직하게 사용할 수 있다.The component C is preferably a compound which generates an acid in response to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, preferably 300 to 450 nm, but is not limited to the chemical structure thereof. Also, for a photoacid generator which does not directly react with an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more, a compound capable of generating an acid in response to an actinic ray having a wavelength of 300 nm or more by being used in combination with a sensitizer can be preferably used in combination with a sensitizer.

성분 C로서는 pKa가 4 이하인 산을 발생하는 광산 발생제가 바람직하고, pKa가 3 이하인 산을 발생하는 광산 발생제가 보다 바람직하다.As the component C, a photoacid generator for generating an acid having a pKa of 4 or less is preferable, and a photoacid generator for generating an acid having a pKa of 3 or less is more preferable.

광산 발생제의 예로서 트리클로로메틸-s-트리아진류, 술포늄염이나 요오드늄염, 제 4 급 암모늄염류, 디아조메탄 화합물, 이미도술포네이트 화합물 및 옥심술포네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 고감도인 관점으로부터 옥심술포네이트 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 이들 광산 발생제는 1종 단독 또는 2종류 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 이들의 구체예로서는 일본 특허 공개 2004-264623호 공보의 단락 0029~단락 0032에 기재된 광산 발생제를 들 수 있고, 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트 등이 바람직하게 사용된다.Examples of the photoacid generator include trichloromethyl-s-triazines, sulfonium salts and iodonium salts, quaternary ammonium salts, diazomethane compounds, imidosulfonate compounds and oxime sulfonate compounds. Among them, it is preferable to use an oxime sulfonate compound from the viewpoint of high sensitivity. These photo-acid generators can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. As these specific examples, Paragraph 0029 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2004-264623-the photo-acid generator of paragraph 0032 can be mentioned, 4,7-di-n-butoxy-1- naphthyl tetrahydrothiophenium trifluoro Romethane sulfonate etc. are used preferably.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 C) 광산 발생제로서 하기 식(c0)로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기 중 적어도 1개를 갖는 옥심술포네이트 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 파선 부분은 다른 화학 구조와의 결합 위치를 나타낸다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains the oxime sulfonate compound which has at least 1 of the oxime sulfonate residue represented by following formula (c0) as a (component C) photoacid generator. In addition, the broken line indicates a bonding position with another chemical structure.

Figure pat00027
Figure pat00027

상기 식(c0)로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기 중 적어도 1개를 갖는 옥심술포네이트 화합물은 하기 식(c1)로 나타내어지는 화합물인 것이 바람직하다.It is preferable that the oxime sulfonate compound which has at least 1 of the oxime sulfonate residue represented by said formula (c0) is a compound represented by following formula (c1).

Figure pat00028
Figure pat00028

(식(c1) 중 R5 및 R6은 각각 독립적으로 1가의 유기기를 나타내고, R5 및 R6은 연결되어 환을 형성하고 있어도 좋고, R7은 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다)(In formula (c1), R 5 and R 6 each independently represent a monovalent organic group, R 5 and R 6 may be linked to each other to form a ring, and R 7 represents an alkyl group or an aryl group.)

식(c1) 중 R5는 탄소 원자수 1~6개의 알킬기, 탄소 원자수 1~4개의 할로겐화 알킬기, 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 2-푸릴기, 2-티에닐기, 탄소 원자수 1~4개의 알콕시기 또는 시아노기를 나타낸다. R5가 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기일 경우 이들의 기는 할로겐 원자, 수산기, 탄소 원자수 1~4개의 알킬기, 탄소 원자수 1~4개의 알콕시기 및 니트로기로 이루어지는 군으로부터 선택된 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋다.In formula (c1), R <5> is a C1-C6 alkyl group, a C1-C4 halogenated alkyl group, a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, 2-furyl group, 2-thienyl group, C1-C6 Four alkoxy groups or cyano groups are shown. When R 5 is a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group, these groups are substituted with a substituent selected from the group consisting of a halogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms and a nitro group May be substituted.

식(c1) 중 R6은 탄소 원자수 1~10개의 알킬기, 탄소 원자수 1~10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기, 디알킬아미노기, 모르폴리노기 또는 시아노기를 나타낸다. R6과 R5는 서로 결합해서 5원환 또는 6원환을 형성해도 좋고, 상기 5원환 또는 6원환은 1개 또는 2개의 임의의 치환기를 가져도 좋은 벤젠환과 결합하고 있어도 좋다.R 6 in formula (c1) is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and W The phenyl group which may be substituted, the naphthyl group which may be substituted by W, or the anthranyl group, dialkylamino group, morpholino group, or cyano group which may be substituted by W is shown. R 6 and R 5 may be bonded to each other to form a 5- or 6-membered ring, and the 5- or 6-membered ring may be bonded to a benzene ring which may have one or two arbitrary substituents.

식(c1) 중 R7은 탄소 원자수 1~10개의 알킬기, 탄소 원자수 1~10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기를 나타낸다. 알킬기는 환상 알킬기이어도 좋다. W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1~10개의 알킬기, 탄소 원자수 1~10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알콕시기를 나타낸다.R 7 in formula (c1) is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, and W The phenyl group which may be substituted, the naphthyl group which may be substituted by W, or the anthranyl group which may be substituted by W is shown. The alkyl group may be a cyclic alkyl group. W is a halogen atom, cyano group, nitro group, alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms Indicates.

R5로 나타내어지는 탄소 원자수 1~6개의 알킬기는 직쇄 또는 분기쇄 알킬기이면 좋고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소아밀기, n-헥실기 또는 2-에틸부틸기를 들 수 있다.The alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 5 may be a straight or branched alkyl group, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert-butyl group , n-pentyl group, isoamyl group, n-hexyl group or 2-ethylbutyl group.

R5로 나타내어지는 탄소 원자수 1~4개의 할로겐화 알킬기로서는 예를 들면 클로로메틸기, 트리클로로메틸기, 트리플루오로메틸기 또는 2-브로모프로필기를 들 수 있다.Examples of the halogenated alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 5 include a chloromethyl group, trichloromethyl group, trifluoromethyl group or 2-bromopropyl group.

R5로 나타내어지는 탄소 원자수 1~4개의 알콕시기로서는 메톡시기 또는 에톡시기를 들 수 있다.A methoxy group or an ethoxy group is mentioned as a C1-C4 alkoxy group represented by R <5> .

R5가 페닐기, 비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기를 나타낼 경우 이들의 기는 할로겐 원자(예를 들면, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등), 수산기, 탄소 원자수 1~4개의 알킬기(예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기), 탄소 원자수 1~4개의 알콕시기(예를 들면, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기) 및 니트로기로 이루어지는 군으로부터 선택된 치환기에 의해 치환되어 있어도 좋다.When R 5 represents a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group, these groups are halogen atoms (e.g., chlorine atom, bromine atom, iodine atom, etc.), hydroxyl groups, alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms (e.g. For example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, tert- butyl group), the C1-C4 alkoxy group (for example, a methoxy group, an ethoxy group, n -May be substituted by a substituent selected from the group consisting of propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group) and nitro group.

R6으로 나타내어지는 탄소 원자수 1~10개의 알킬기의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-아밀기, i-아밀기, s-아밀기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 6 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-amyl group, i-amyl group, s-amyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, etc. are mentioned.

R6으로 나타내어지는 탄소 원자수 1~10개의 알콕시기의 구체예로서는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, n-아밀옥시기, n-옥틸옥시기, n-데실옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 6 include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, n-amyloxy group, n-octyl octa A time period, n-decyloxy group, etc. are mentioned.

R6으로 나타내어지는 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알킬기의 구체예로서는 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, 퍼플루오로-n-아밀기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 6 include trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluoro-n-propyl group, perfluoro-n-butyl group, and perfluoro-n -Amyl and the like.

R6으로 나타내어지는 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알콕시기의 구체예로서는 트리플루오로메톡시기, 펜타플루오로에톡시기, 퍼플루오로-n-프로폭시기, 퍼플루오로-n-부톡시기, 퍼플루오로-n-아밀옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 6 include a trifluoromethoxy group, a pentafluoroethoxy group, a perfluoro-n-propoxy group, a perfluoro-n-butoxy group, Perfluoro-n-amyloxy group etc. are mentioned.

R6으로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기의 구체예로서는 o-트릴기, m-트릴기, p-트릴기, o-에틸페닐기, m-에틸페닐기, p-에틸페닐기, p-(n-프로필)페닐기, p-(i-프로필)페닐기, p-(n-부틸)페닐기, p-(i-부틸)페닐기, p-(s-부틸)페닐기, p-(t-부틸)페닐기, p-(n-아밀)페닐기, p-(i-아밀)페닐기, p-(t-아밀)페닐기, o-메톡시페닐기, m-메톡시페닐기, p-메톡시페닐기, o-에톡시페닐기, m-에톡시페닐기, p-에톡시페닐기, p-(n-프로폭시)페닐기, p-(i-프로폭시)페닐기, p-(n-부톡시)페닐기, p-(i-부톡시)페닐기, p-(s-부톡시)페닐기, p-(t-부톡시)페닐기, p-(n-아밀옥시)페닐기, p-(i-아밀옥시)페닐기, p-(t-아밀옥시)페닐기, p-클로로페닐기, p-브로모페닐기, p-플루오로페닐기, 2,4-디클로로페닐기, 2,4-디브로모페닐기, 2,4-디플루오로페닐기, 2,4,6-디클로로페닐기, 2,4,6-트리브로모페닐기, 2,4,6-트리플루오로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타브로모페닐기, 펜타플루오로페닐기, p-비페니릴기 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenyl group which may be substituted with W represented by R 6 include o-tril group, m-tril group, p-tril group, o-ethylphenyl group, m-ethylphenyl group, p-ethylphenyl group, p- (n- Propyl) phenyl group, p- (i-propyl) phenyl group, p- (n-butyl) phenyl group, p- (i-butyl) phenyl group, p- (s-butyl) phenyl group, p- (t-butyl) phenyl group, p -(n-amyl) phenyl group, p- (i-amyl) phenyl group, p- (t-amyl) phenyl group, o-methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, o-ethoxyphenyl group, m-ethoxyphenyl group, p-ethoxyphenyl group, p- (n-propoxy) phenyl group, p- (i-propoxy) phenyl group, p- (n-butoxy) phenyl group, p- (i-butoxy) Phenyl group, p- (s-butoxy) phenyl group, p- (t-butoxy) phenyl group, p- (n-amyloxy) phenyl group, p- (i-amyloxy) phenyl group, p- (t-amyloxy) Phenyl group, p-chlorophenyl group, p-bromophenyl group, p-fluorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 2,4-dibromophenyl group, 2,4-difluorophenyl group, 2,4,6- Dichlorophenyl group, 2,4,6-tribromophenyl group, 2,4,6-trifluorophenyl group, pentachlorophenyl group, pentabromophenyl group, pentafluorophenyl group, p-biphenylyl group, etc. are mentioned.

R6으로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기의 구체예로서는 2-메틸-1-나프틸기, 3-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 5-메틸-1-나프틸기, 6-메틸-1-나프틸기, 7-메틸-1-나프틸기, 8-메틸-1-나프틸기, 1-메틸-2-나프틸기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-2-나프틸기, 5-메틸-2-나프틸기, 6-메틸-2-나프틸기, 7-메틸-2-나프틸기, 8-메틸-2-나프틸기 등을 들 수 있다.As a specific example of the naphthyl group which may be substituted by W represented by R <6> , 2-methyl-1- naphthyl group, 3-methyl-1- naphthyl group, 4-methyl-1- naphthyl group, 5-methyl-1- naphth Tyl group, 6-methyl-1-naphthyl group, 7-methyl-1-naphthyl group, 8-methyl-1-naphthyl group, 1-methyl-2-naphthyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl -2-naphthyl group, 5-methyl-2-naphthyl group, 6-methyl-2-naphthyl group, 7-methyl-2-naphthyl group, 8-methyl-2-naphthyl group, etc. are mentioned.

R6으로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기의 구체예로서는 2-메틸-1-안트라닐기, 3-메틸-1-안트라닐기, 4-메틸-1-안트라닐기, 5-메틸-1-안트라닐기, 6-메틸-1-안트라닐기, 7-메틸-1-안트라닐기, 8-메틸-1-안트라닐기, 9-메틸-1-안트라닐기, 10-메틸-1-안트라닐기, 1-메틸-2-안트라닐기, 3-메틸-2-안트라닐기, 4-메틸-2-안트라닐기, 5-메틸-2-안트라닐기, 6-메틸-2-안트라닐기, 7-메틸-2-안트라닐기, 8-메틸-2-안트라닐기, 9-메틸-2-안트라닐기, 10-메틸-2-안트라닐기 등을 들 수 있다.As a specific example of the anthranyl group which may be substituted by W represented by R <6> , 2-methyl-1- anthranyl group, 3-methyl-1- anthranyl group, 4-methyl-1- anthranyl group, 5-methyl-1- anthra Neyl group, 6-methyl-1-antranyl group, 7-methyl-1-antranyl group, 8-methyl-1-antranyl group, 9-methyl-1-antranyl group, 10-methyl-1-antranyl group, 1-methyl -2-anthranyl group, 3-methyl-2-antranyl group, 4-methyl-2-antranyl group, 5-methyl-2-antranyl group, 6-methyl-2-antranyl group, 7-methyl-2-antranyl group , 8-methyl-2-anthranyl group, 9-methyl-2-anthranyl group, 10-methyl-2-anthranyl group, and the like.

R6으로 나타내어지는 디알킬아미노기로서는 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디프로필아미노기, 디부틸아미노기, 디페닐아미노기 등을 들 수 있다.Examples of the dialkylamino group represented by R 6 include a dimethylamino group, diethylamino group, dipropylamino group, dibutylamino group, diphenylamino group and the like.

R7로 나타내어지는 탄소 원자수 1~10개의 알킬기의 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, i-프로필기, n-부틸기, i-부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-아밀기, i-아밀기, s-아밀기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 7 include methyl group, ethyl group, n-propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-amyl group, i-amyl group, s-amyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, etc. are mentioned.

R7로 나타내어지는 탄소 원자수 1~10개의 알콕시기의 구체예로서는 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, i-프로폭시기, n-부톡시기, n-아밀옥시기, n-옥틸옥시기, n-데실옥시기 등을 들 수 있다.As a specific example of the C1-C10 alkoxy group represented by R <7> , a methoxy group, an ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n-butoxy group, n-amyloxy group, n-octyl octa A time period, n-decyloxy group, etc. are mentioned.

R7로 나타내어지는 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알킬기의 구체예로서는 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, 퍼플루오로-n-아밀기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 7 include trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluoro-n-propyl group, perfluoro-n-butyl group, and perfluoro-n -Amyl and the like.

R7로 나타내어지는 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알콕시기의 구체예로서는 트리플루오로메톡시기, 펜타플루오로에톡시기, 퍼플루오로-n-프로폭시기, 퍼플루오로-n-부톡시기, 퍼플루오로-n-아밀옥시기 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms represented by R 7 include trifluoromethoxy group, pentafluoroethoxy group, perfluoro-n-propoxy group, perfluoro-n-butoxy group, Perfluoro-n-amyloxy group etc. are mentioned.

R7로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기의 구체예로서는 o-트릴기, m-트릴기, p-트릴기, o-에틸페닐기, m-에틸페닐기, p-에틸페닐기, p-(n-프로필)페닐기, p-(i-프로필)페닐기, p-(n-부틸)페닐기, p-(i-부틸)페닐기, p-(s-부틸)페닐기, p-(t-부틸)페닐기, p-(n-아밀)페닐기, p-(i-아밀)페닐기, p-(t-아밀)페닐기, o-메톡시페닐기, m-메톡시페닐기, p-메톡시페닐기, o-에톡시페닐기, m-에톡시페닐기, p-에톡시페닐기, p-(n-프로폭시)페닐기, p-(i-프로폭시)페닐기, p-(n-부톡시)페닐기, p-(i-부톡시)페닐기, p-(s-부톡시)페닐기, p-(t-부톡시)페닐기, p-(n-아밀옥시)페닐기, p-(i-아밀옥시)페닐기, p-(t-아밀옥시)페닐기, p-클로로페닐기, p-브로모페닐기, p-플루오로페닐기, 2,4-디클로로페닐기, 2,4-디브로모페닐기, 2,4-디플루오로페닐기, 2,4,6-디클로로페닐기, 2,4,6-트리브로모페닐기, 2,4,6-트리플루오로페닐기, 펜타클로로페닐기, 펜타브로모페닐기, 펜타플루오로페닐기, p-비페니릴기 등을 들 수 있다.Specific examples of the phenyl group which may be substituted with W represented by R 7 include o-tril group, m-tril group, p-tril group, o-ethylphenyl group, m-ethylphenyl group, p-ethylphenyl group, p- (n- Propyl) phenyl group, p- (i-propyl) phenyl group, p- (n-butyl) phenyl group, p- (i-butyl) phenyl group, p- (s-butyl) phenyl group, p- (t-butyl) phenyl group, p -(n-amyl) phenyl group, p- (i-amyl) phenyl group, p- (t-amyl) phenyl group, o-methoxyphenyl group, m-methoxyphenyl group, p-methoxyphenyl group, o-ethoxyphenyl group, m-ethoxyphenyl group, p-ethoxyphenyl group, p- (n-propoxy) phenyl group, p- (i-propoxy) phenyl group, p- (n-butoxy) phenyl group, p- (i-butoxy) Phenyl group, p- (s-butoxy) phenyl group, p- (t-butoxy) phenyl group, p- (n-amyloxy) phenyl group, p- (i-amyloxy) phenyl group, p- (t-amyloxy) Phenyl group, p-chlorophenyl group, p-bromophenyl group, p-fluorophenyl group, 2,4-dichlorophenyl group, 2,4-dibromophenyl group, 2,4-difluorophenyl group, 2,4,6- Dichlorophenyl group, 2,4,6-tribromophenyl group, 2, 4,6-trifluorophenyl group, pentachlorophenyl group, pentabromophenyl group, pentafluorophenyl group, p-biphenylyl group, etc. are mentioned.

R7로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기의 구체예로서는 2-메틸-1-나프틸기, 3-메틸-1-나프틸기, 4-메틸-1-나프틸기, 5-메틸-1-나프틸기, 6-메틸-1-나프틸기, 7-메틸-1-나프틸기, 8-메틸-1-나프틸기, 1-메틸-2-나프틸기, 3-메틸-2-나프틸기, 4-메틸-2-나프틸기, 5-메틸-2-나프틸기, 6-메틸-2-나프틸기, 7-메틸-2-나프틸기, 8-메틸-2-나프틸기 등을 들 수 있다.As a specific example of the naphthyl group which may be substituted by W represented by R <7> , 2-methyl-1- naphthyl group, 3-methyl-1- naphthyl group, 4-methyl-1- naphthyl group, 5-methyl-1- naphth Tyl group, 6-methyl-1-naphthyl group, 7-methyl-1-naphthyl group, 8-methyl-1-naphthyl group, 1-methyl-2-naphthyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl -2-naphthyl group, 5-methyl-2-naphthyl group, 6-methyl-2-naphthyl group, 7-methyl-2-naphthyl group, 8-methyl-2-naphthyl group, etc. are mentioned.

R7로 나타내어지는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기의 구체예로서는 2-메틸-1-안트라닐기, 3-메틸-1-안트라닐기, 4-메틸-1-안트라닐기, 5-메틸-1-안트라닐기, 6-메틸-1-안트라닐기, 7-메틸-1-안트라닐기, 8-메틸-1-안트라닐기, 9-메틸-1-안트라닐기, 10-메틸-1-안트라닐기, 1-메틸-2-안트라닐기, 3-메틸-2-안트라닐기, 4-메틸-2-안트라닐기, 5-메틸-2-안트라닐기, 6-메틸-2-안트라닐기, 7-메틸-2-안트라닐기, 8-메틸-2-안트라닐기, 9-메틸-2-안트라닐기, 10-메틸-2-안트라닐기 등을 들 수 있다.As an example of the anthranyl group which may be substituted by W represented by R <7> , 2-methyl-1- anthranyl group, 3-methyl-1- anthranyl group, 4-methyl-1- anthranyl group, 5-methyl-1- anthra Neyl group, 6-methyl-1-antranyl group, 7-methyl-1-antranyl group, 8-methyl-1-antranyl group, 9-methyl-1-antranyl group, 10-methyl-1-antranyl group, 1-methyl -2-anthranyl group, 3-methyl-2-antranyl group, 4-methyl-2-antranyl group, 5-methyl-2-antranyl group, 6-methyl-2-antranyl group, 7-methyl-2-antranyl group , 8-methyl-2-anthranyl group, 9-methyl-2-anthranyl group, 10-methyl-2-anthranyl group, and the like.

W로 나타내어지는 탄소 원자수 1~10개의 알킬기, 탄소 원자수 1~10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알킬기 및 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알콕시의 구체예로서는 R6 또는 R7로 나타내어지는 탄소 원자수 1~10개의 알킬기, 탄소 원자수 1~10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알킬기 및 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알콕시기의 구체예로서 열거한 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다.Specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by W, the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and the alkoxy halide having 1 to 5 carbon atoms are R 6 or R 7. The same as those listed as specific examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, the alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, the halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and the halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms It can be mentioned.

R6과 R5는 서로 결합해서 5원환 또는 6원환을 형성해도 좋다.R 6 and R 5 may be bonded to each other to form a five-membered ring or a six-membered ring.

R6과 R5가 서로 결합해서 5원환 또는 6원환을 형성할 경우 상기 5원환 또는 6원환으로서는 탄소환식기 및 복소환식환을 들 수 있고, 예를 들면 시클로펜탄, 시클로헥산, 시클로헵탄, 피롤, 푸란, 티오펜, 이미다졸, 옥사졸, 티아졸, 피란, 피리딘, 피라진, 모르폴린, 피페리딘 또는 피페라진환이면 좋다. 상기 5원환 또는 6원환은 임의의 치환기를 가져도 좋은 벤젠환과 결합하고 있어도 좋고, 그 예로서는 테트라히드로나프탈렌, 디히드로안트라센, 인덴, 크로만, 플루오렌, 크산텐 또는 티오크산텐환계를 들 수 있다. 상기 5원환 또는 6원환은 카르보닐기를 포함해도 좋고, 그 예로서는 시클로헥사디에논, 나프탈레논 및 안트론환계를 들 수 있다.When R 6 and R 5 are bonded to each other to form a 5- or 6-membered ring, examples of the 5- or 6-membered ring include carbocyclic groups and heterocyclic rings. For example, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, pyrrole Or furan, thiophene, imidazole, oxazole, thiazole, pyran, pyridine, pyrazine, morpholine, piperidine or piperazine ring. The 5-membered or 6-membered ring may be bonded to a benzene ring which may have an arbitrary substituent. Examples thereof include tetrahydronaphthalene, dihydroanthracene, indene, chroman, fluorene, xanthene or thioxanthene ring system . The 5- or 6-membered ring may contain a carbonyl group, and examples thereof include cyclohexadienone, naphthalenone, and anthrone ring systems.

상기 식(c1)로 나타내어지는 화합물의 바람직한 실시형태의 하나는 하기 식(c1-1)로 나타내어지는 화합물이다. 식(c1-1)로 나타내어지는 화합물은 식(c1)에 있어서의 R6과 R5가 결합해서 5원환을 형성하고 있는 화합물이다.One of the preferred embodiments of the compound represented by the formula (c1) is a compound represented by the following formula (c1-1). The compound represented by formula (c1-1) is a compound in which R 6 and R 5 in formula (c1) are bonded to form a five-membered ring.

Figure pat00029
Figure pat00029

(식(c1-1) 중 R7은 식(c1)에 있어서의 R7과 동의이며, X는 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타내고, t는 0~3의 정수를 나타내고, t가 2 또는 3일 때 복수의 X는 동일해도 달라도 좋다)(Formula (c1-1) of R 7 is R 7 and the consent of the formula (c1), X is an alkyl group, an alkoxy group or a halogen atom, t represents an integer of 0 ~ 3, t is 2 or When 3, several X may be same or different)

X로 나타내어지는 알킬기로서는 탄소 원자수 1~4개의 직쇄상 또는 분기쇄상 알킬기가 바람직하다.As an alkyl group represented by X, a C1-C4 linear or branched alkyl group is preferable.

X로 나타내어지는 알콕시기로서는 탄소 원자수 1~4개의 직쇄상 또는 분기쇄상 알콕시기가 바람직하다.As an alkoxy group represented by X, a C1-C4 linear or branched alkoxy group is preferable.

X로 나타내어지는 할로겐 원자로서는 염소 원자 또는 불소 원자가 바람직하다.The halogen atom represented by X is preferably a chlorine atom or a fluorine atom.

t로서는 0 또는 1이 바람직하다.As t, 0 or 1 is preferable.

식(c1-1) 중 t가 1이며, X가 메틸기이며, X의 치환 위치가 오르소 위치이며, R7이 탄소 원자수 1~10개의 직쇄상 알킬기, 7,7-디메틸-2-요오드노보닐메틸기 또는 p-톨릴기인 화합물이 특히 바람직하다.In formula (c1-1), t is 1, X is a methyl group, the substitution position of X is an ortho position, R <7> is a linear alkyl group of 1-10 carbon atoms, and 7,7- dimethyl- 2-iodine Particularly preferred are compounds which are nobornylmethyl groups or p-tolyl groups.

식(c1-1)로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는 하기 화합물(i), 화합물(ⅱ), 화합물(ⅲ), 화합물(ⅳ) 등을 들 수 있고, 이들의 화합물은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 병용할 수도 있다. 화합물(i)~(ⅳ)은 시판품으로서 입수할 수 있다.Specific examples of the oxime sulfonate compound represented by formula (c1-1) include the following compound (i), compound (ii), compound (VII), compound (VII), and the like. May be used, and two or more types may be used in combination. Compound (i)-(v) can be obtained as a commercial item.

또한, 다른 종류의 광산 발생제와 조합해서 사용할 수도 있다.It may also be used in combination with other types of photoacid generators.

Figure pat00030
Figure pat00030

식(c1)로 나타내어지는 화합물의 바람직한 실시형태의 하나로서는As one of the preferable embodiment of a compound represented by a formula (c1),

R5가 탄소 원자수 1~4개의 알킬기, 트리플루오로메틸기, 페닐기, 클로로페닐기, 디클로로페닐기, 메톡시페닐기, 4-비페닐기, 나프틸기 또는 안트라닐기를 나타내고;R 5 represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a trifluoromethyl group, a phenyl group, a chlorophenyl group, a dichlorophenyl group, a methoxyphenyl group, a 4-biphenyl group, a naphthyl group or an anthranyl group;

R6이 시아노기를 나타내고;R 6 represents a cyano group;

R7이 탄소 원자수 1~10개의 알킬기, 탄소 원자수 1~10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기를 나타내고, W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1~10개의 알킬기, 탄소 원자수 1~10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알콕시기를 나타내는 것이다.R 7 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, or a phenyl group which may be substituted with W , Naphthyl group which may be substituted by W or an anthranyl group which may be substituted by W, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms And a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

식(c1)로 나타내어지는 화합물로서는 하기 식(c1-2)로 나타내어지는 화합물인 것도 바람직하다.It is also preferable that it is a compound represented by a following formula (c1-2) as a compound represented by a formula (c1).

Figure pat00031
Figure pat00031

식(c1-2) 중 R8은 할로겐 원자, 수산기, 탄소 원자수 1~4개의 알킬기, 탄소 원자수 1~4개의 알콕시기 또는 니트로기를 나타내고, L은 0~5의 정수를 나타낸다. R7은 탄소 원자수 1~10개의 알킬기, 탄소 원자수 1~10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알킬기, 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알콕시기, W로 치환되어 있어도 좋은 페닐기, W로 치환되어 있어도 좋은 나프틸기 또는 W로 치환되어 있어도 좋은 안트라닐기를 나타내고, W는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 탄소 원자수 1~10개의 알킬기, 탄소 원자수 1~10개의 알콕시기, 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알킬기 또는 탄소 원자수 1~5개의 할로겐화 알콕시기를 나타낸다.R <8> shows a halogen atom, a hydroxyl group, a C1-C4 alkyl group, a C1-C4 alkoxy group, or a nitro group in a formula (c1-2), and L shows the integer of 0-5. R 7 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms, or a phenyl group which may be substituted with W , Naphthyl group which may be substituted by W or an anthranyl group which may be substituted by W, W represents a halogen atom, a cyano group, a nitro group, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms And a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a halogenated alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms.

식(c1-2)에 있어서의 R7로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-옥틸기, 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로-n-프로필기, 퍼플루오로-n-부틸기, p-트릴기, 4-클로로페닐기 또는 펜타플루오로페닐기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 p-트릴기인 것이 특히 바람직하다.As R <7> in Formula (c1-2), a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-octyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluoro-n-propyl group, Perfluoro-n-butyl group, p-tril group, 4-chlorophenyl group, or pentafluorophenyl group is preferable, and it is especially preferable that they are a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, or p-tril group.

R8로 나타내어지는 할로겐 원자로서는 불소 원자, 염소 원자 또는 브롬 원자가 바람직하다.As a halogen atom represented by R <8> , a fluorine atom, a chlorine atom, or a bromine atom is preferable.

R8로 나타내어지는 탄소 원자수 1~4개의 알킬기로서는 메틸기 또는 에틸기가 바람직하다.As the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 8 , a methyl group or an ethyl group is preferable.

R8로 나타내어지는 탄소 원자수 1~4개의 알콕시기로서는 메톡시기 또는 에톡시기가 바람직하다.As the alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 8 , a methoxy group or an ethoxy group is preferable.

L로서는 0~2가 바람직하고, 0~1이 특히 바람직하다.As L, 0-2 are preferable and 0-1 are especially preferable.

식(c1)로 나타내어지는 화합물 중 식(c1-2)로 나타내어지는 화합물에 포함되는 화합물의 바람직한 실시형태로서는 식(c1) 중 R5가 페닐기 또는 4-메톡시페닐기를 나타내고, R6이 시아노기를 나타내고, R7이 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기 또는 4-트릴기를 나타내는 실시형태이다.As a preferable embodiment of the compound contained in the compound represented by Formula (c1-2) among the compound represented by Formula (c1), R <5> shows a phenyl group or 4-methoxyphenyl group in Formula (c1), and R <6> is cyan. It represents embodiment, and R <7> is embodiment which shows a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, or 4-tril group.

이하 식(c1)로 나타내어지는 화합물 중 식(c1-2)로 나타내어지는 화합물에 포함되는 화합물의 특히 바람직한 예를 나타내지만 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the preferable example of the compound contained in the compound represented by a formula (c1-2) among the compound represented by a formula (c1) below is shown, this invention is not limited to these.

α-(메틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R5=페닐기, R6=시아노기, R7=메틸기)α- (methylsulfonyloxyimino) benzylcyanide (R 5 = phenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = methyl group)

α-(에틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R5=페닐기, R6=시아노기, R7=에틸기)α- (ethylsulfonyloxyimino) benzylcyanide (R 5 = phenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = ethyl group)

α-(n-프로필술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R5=페닐기, R6=시아노기, R7=n-프로필기)α- (n-propylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 5 = phenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = n-propyl group)

α-(n-부틸술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R5=페닐기, R6=시아노기, R7=n-부틸기)α- (n-butylsulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 5 = phenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = n-butyl group)

α-(4-톨루엔술포닐옥시이미노)벤질시아니드(R5=페닐기, R6=시아노기, R7=4-트릴기)α- (4-toluenesulfonyloxyimino) benzyl cyanide (R 5 = phenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = 4-tril group)

α-[(메틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴(R5=4-메톡시페닐기, R6=시아노기, R7=메틸기)α-[(methylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 5 = 4-methoxyphenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = methyl group)

α-[(에틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴(R5=4-메톡시페닐기, R6=시아노기, R7=에틸기)α-[(ethylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 5 = 4-methoxyphenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = ethyl group)

α-[(n-프로필술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴(R5=4-메톡시페닐기, R6=시아노기, R7=n-프로필기)α-[(n-propylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 5 = 4-methoxyphenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = n-propyl group)

α-[(n-부틸술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴(R5=4-메톡시페닐기, R6=시아노기, R7=n-부틸기)α-[(n-butylsulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 5 = 4-methoxyphenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = n-butyl group)

α-[(4-톨루엔술포닐옥시이미노)-4-메톡시페닐]아세토니트릴(R5=4-메톡시페닐기, R6=시아노기, R7=4-트릴기)α-[(4-toluenesulfonyloxyimino) -4-methoxyphenyl] acetonitrile (R 5 = 4-methoxyphenyl group, R 6 = cyano group, R 7 = 4-trilyl group)

또한, 상기 식(c0)로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기를 적어도 1개 갖는 화합물로서는 하기 식(OS-3), 식(OS-4) 또는 식(OS-5)로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물인 것이 바람직하다.Moreover, as a compound which has at least one oxime sulfonate residue represented by said formula (c0), the oxime sulfonate represented by a following formula (OS-3), a formula (OS-4), or a formula (OS-5) It is preferable that it is a compound.

Figure pat00032
Figure pat00032

(식(OS-3)~(OS-5) 중 R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 복수 존재하는 R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 복수 존재하는 R6은 각각 독립적으로 할로겐 원자, 알킬기, 알킬옥시기, 술폰산기, 아미노술포닐기 또는 알콕시술포닐기를 나타내고, X는 O 또는 S를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타내고, m은 0~6의 정수를 나타낸다)(In formula (OS-3)-(OS-5), R <1> represents an alkyl group, an aryl group, or heteroaryl group, and two or more R <2> represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, or a halogen atom each independently, R 6 present each independently represents a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, a sulfonic acid group, an aminosulfonyl group or an alkoxysulfonyl group, X represents O or S, n represents 1 or 2, and m represents 0 to Represents an integer of 6)

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R1로 나타내어지는 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.The alkyl group, aryl group, or heteroaryl group represented by R 1 in the formulas (OS-3) to (OS-5) may have a substituent.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R1로 나타내어지는 알킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 총 탄소수 1~30개의 알킬기인 것이 바람직하다.It is preferable that it is a C1-C30 alkyl group which may have a substituent as an alkyl group represented by R <1> in said Formula (OS-3)-(OS-5).

또한, 상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R1로 나타내어지는 아릴기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 6~30개의 아릴기가 바람직하다.Moreover, as an aryl group represented by R <1> in said Formula (OS-3)-(OS-5), the C6-C30 aryl group which may have a substituent is preferable.

또한, 상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R1로 나타내어지는 헤테로아릴기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 4~30개의 헤테로아릴기가 바람직하고, 적어도 1개의 복소 방향환이면 좋고, 예를 들면 복소 방향환과 벤젠환이 축환되어 있어도 좋다.Moreover, as a heteroaryl group represented by R <1> in said Formula (OS-3)-(OS-5), the heteroaryl group of 4-30 total carbons which may have a substituent is preferable, and it should just be at least 1 heteroaromatic ring. For example, the heteroaromatic ring and the benzene ring may be condensed.

R1로 나타내어지는 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group, aryl group or heteroaryl group represented by R 1 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group and an aminocarbonyl group. have.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R2는 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), R 2 is preferably a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group, and more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 화합물 중에 2 이상 존재하는 R2 중 1개 또는 2개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 1개가 알킬기, 아릴기 또는 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하고, 1개가 알킬기이며, 또한 나머지가 수소 원자인 것이 특히 바람직하다.It is preferable that one or two of R <2> which exists in the compound in said Formula (OS-3)-(OS-5) two or more are an alkyl group, an aryl group, or a halogen atom, and one is an alkyl group, an aryl group, or a halogen atom It is more preferable, it is especially preferable that one is an alkyl group and the remainder is a hydrogen atom.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R2로 나타내어지는 알킬기 또는 아릴기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.The alkyl group or aryl group represented by R 2 in the formulas (OS-3) to (OS-5) may have a substituent.

R2로 나타내어지는 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는 상기 R1에 있어서의 알킬기 또는 아릴기가 갖고 있어도 좋은 치환기와 마찬가지인 기를 예시할 수 있다.As a substituent which the alkyl group or aryl group represented by R <2> may have, the group similar to the substituent which the alkyl group or aryl group in said R <1> may have can be illustrated.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R2로 나타내어지는 알킬기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1~12개의 알킬기인 것이 바람직하고, 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 1~6개의 알킬기인 것이 보다 바람직하다.As said alkyl group represented by R <2> in said Formula (OS-3)-(OS-5), it is preferable that it is a C1-C12 alkyl group which may have a substituent, and the C1-C6 alkyl group which may have a substituent is preferable. It is more preferable that is.

R2로 나타내어지는 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, n-부틸기, n-헥실기가 바람직하고, 메틸기가 더욱 바람직하다.As an alkyl group represented by R <2> , a methyl group, an ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-hexyl group is preferable, and a methyl group is more preferable.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R2로 나타내어지는 아릴기로서는 치환기를 가져도 좋은 총 탄소수 6~30개의 아릴기인 것이 바람직하다.As an aryl group represented by R <2> in said Formula (OS-3)-(OS-5), it is preferable that it is a C6-C30 aryl group which may have a substituent.

R2로 나타내어지는 아릴기로서 페닐기, p-메틸페닐기, o-클로로페닐기, p-클로로페닐기, o-메톡시페닐기, p-페녹시페닐기가 바람직하다.As an aryl group represented by R <2> , a phenyl group, p-methylphenyl group, o-chlorophenyl group, p-chlorophenyl group, o-methoxyphenyl group, and p-phenoxyphenyl group are preferable.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 X는 O 또는 S를 나타내고, O인 것이 바람직하다.In said formula (OS-3)-(OS-5), X represents O or S, and it is preferable that it is O.

상기 식(OS-3)~(OS-5)에 있어서 X를 환원으로서 포함하는 환은 5원환 또는 6원환이다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the ring containing X as a reduction is a 5-membered ring or a 6-membered ring.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 n은 1 또는 2를 나타내고, X가 O일 경우 n은 1인 것이 바람직하고, 또한 X가 S일 경우 n은 2인 것이 바람직하다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), n represents 1 or 2, and when X is O, n is preferably 1, and when X is S, n is preferably 2.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R6으로 나타내어지는 알킬기 및 알킬옥시기는 치환기를 갖고 있어도 좋다.In the formulas (OS-3) to (OS-5), the alkyl group and alkyloxy group represented by R 6 may have a substituent.

상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 R6으로 나타내어지는 알킬기로서는 치환기를 갖고 있어도 좋은 총 탄소수 1~30개의 알킬기인 것이 바람직하다.It is preferable that it is a C1-C30 alkyl group which may have a substituent as said alkyl group represented by R <6> in said Formula (OS-3)-(OS-5).

R6으로 나타내어지는 알킬옥시기로서는 메틸옥시기, 에틸옥시기, 부틸옥시기, 헥실옥시기, 페녹시에틸옥시기, 트리클로로메틸옥시기 또는 에톡시에틸옥시기가 바람직하다.As the alkyloxy group represented by R 6 , a methyloxy group, ethyloxy group, butyloxy group, hexyloxy group, phenoxyethyloxy group, trichloromethyloxy group or ethoxyethyloxy group is preferable.

R6에 있어서의 아미노술포닐기로서는 메틸아미노술포닐기, 디메틸아미노술포닐기, 페닐아미노술포닐기, 메틸페닐아미노술포닐기, 아미노술포닐기를 들 수 있다.Examples of the aminosulfonyl group for R 6 include a methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, methylphenylaminosulfonyl group, and aminosulfonyl group.

R6으로 나타내어지는 알콕시술포닐기로서는 메톡시술포닐기, 에톡시술포닐기, 프로필옥시술포닐기, 부틸옥시술포닐기를 들 수 있다.Examples of the alkoxysulfonyl group represented by R 6 include a methoxysulfonyl group, an ethoxysulfonyl group, a propyloxysulfonyl group, and a butyloxysulfonyl group.

R6으로 나타내어지는 알킬기 또는 알킬옥시기가 갖고 있어도 좋은 치환기로서는 할로겐 원자, 알킬옥시기, 아릴옥시기, 알킬티오기, 아릴티오기, 알킬옥시카르보닐기, 아릴옥시카르보닐기, 아미노카르보닐기를 들 수 있다.Examples of the substituent which the alkyl group or alkyloxy group represented by R 6 may have include a halogen atom, an alkyloxy group, an aryloxy group, an alkylthio group, an arylthio group, an alkyloxycarbonyl group, an aryloxycarbonyl group, and an aminocarbonyl group.

또한, 상기 식(OS-3)~(OS-5) 중 m은 0~6의 정수를 나타내고, 0~2의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1인 것이 보다 바람직하고, 0인 것이 특히 바람직하다.Moreover, in said formula (OS-3)-(OS-5), m represents the integer of 0-6, it is preferable that it is an integer of 0-2, It is more preferable that it is 0 or 1, It is especially preferable that it is 0 .

또한, 상기 식(OS-3)로 나타내어지는 화합물은 하기 식(OS-6), 식(OS-10) 또는 식(OS-11)로 나타내어지는 화합물인 것이 특히 바람직하고, 상기 식(OS-4)로 나타내어지는 화합물은 하기 식(OS-7)로 나타내어지는 화합물인 것이 특히 바람직하고, 상기 식(OS-5)로 나타내어지는 화합물은 하기 식(OS-8) 또는 식(OS-9)로 나타내어지는 화합물인 것이 특히 바람직하다.Moreover, it is especially preferable that the compound represented by said formula (OS-3) is a compound represented by a following formula (OS-6), a formula (OS-10), or a formula (OS-11), The said formula (OS- It is particularly preferable that the compound represented by 4) is a compound represented by the following formula (OS-7), and the compound represented by the formula (OS-5) is represented by the following formula (OS-8) or formula (OS-9). It is especially preferable that it is a compound represented by.

Figure pat00033
Figure pat00033

식(OS-6)~(OS-11) 중 R1은 알킬기, 아릴기 또는 헤테로아릴기를 나타내고, R7은 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, R8은 수소 원자, 탄소수 1~8개의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, R9는 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, R10은 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다.R <1> represents an alkyl group, an aryl group, or a heteroaryl group in a formula (OS-6)-(OS-11), R <7> represents a hydrogen atom or a bromine atom, R <8> is a hydrogen atom, a C1-C8 alkyl group, A halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group or a chlorophenyl group, R 9 represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group or a methoxy group, and R 10 represents a hydrogen atom or a methyl group .

상기 식(OS-6)~(OS-11)에 있어서의 R1은 상기 식(OS-3)~(OS-5)에 있어서의 R1과 동의이며, 바람직한 실시형태도 마찬가지이다.The expression (OS-6) ~ R 1 in (OS-11) is R 1 and agreed in the formula (OS-3) ~ (OS -5), a preferred embodiment versa.

상기 식(OS-6)에 있어서의 R7은 수소 원자 또는 브롬 원자를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R <7> in said Formula (OS-6) represents a hydrogen atom or a bromine atom, and it is preferable that it is a hydrogen atom.

상기 식(OS-6)~(OS-11)에 있어서의 R8은 수소 원자, 탄소수 1~8개의 알킬기, 할로겐 원자, 클로로메틸기, 브로모메틸기, 브로모에틸기, 메톡시메틸기, 페닐기 또는 클로로페닐기를 나타내고, 탄소수 1~8개의 알킬기, 할로겐 원자 또는 페닐기인 것이 바람직하고, 탄소수 1~8개의 알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소수 1~6개의 알킬기인 것이 더욱 바람직하고, 메틸기인 것이 특히 바람직하다.R <8> in said Formula (OS-6)-(OS-11) is a hydrogen atom, a C1-C8 alkyl group, a halogen atom, a chloromethyl group, a bromomethyl group, a bromoethyl group, a methoxymethyl group, a phenyl group, or chloro It is preferable that it is a C1-C8 alkyl group, a halogen atom, or a phenyl group, It is more preferable that it is a C1-C8 alkyl group, It is still more preferable that it is a C1-C6 alkyl group, It is especially preferable that it is a methyl group .

상기 식(OS-8) 및 식(OS-9)에 있어서의 R9는 수소 원자, 할로겐 원자, 메틸기 또는 메톡시기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R <9> in the said Formula (OS-8) and formula (OS-9) represents a hydrogen atom, a halogen atom, a methyl group, or a methoxy group, and it is preferable that it is a hydrogen atom.

상기 식(OS-8)~(OS-11)에 있어서의 R10은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, 수소 원자인 것이 바람직하다.R <10> in said Formula (OS-8)-(OS-11) represents a hydrogen atom or a methyl group, and it is preferable that it is a hydrogen atom.

또한, 상기 옥심술포네이트 화합물에 있어서 옥심의 입체 구조(E,Z)에 대해서는 어느 한쪽이어도 혼합물이어도 좋다.In addition, in the said oxime sulfonate compound, either one or a mixture may be sufficient about the stereo structure (E, Z) of an oxime.

상기 식(OS-3)~(OS-5)로 나타내어지는 옥심술포네이트 화합물의 구체예로서는 하기 예시 화합물을 들 수 있지만 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Although the following exemplary compound is mentioned as a specific example of the oxime sulfonate compound represented by said Formula (OS-3)-(OS-5), This invention is not limited to these.

Figure pat00034
Figure pat00034

Figure pat00035
Figure pat00035

상기 식(c0)로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기를 적어도 1개를 갖는 옥심술포네이트 화합물의 바람직한 다른 실시형태로서는 일본 특허 공개 2011-209719호 공보의 단락 0117~단락 0129에 기재된 것도 들 수 있다.As another preferable embodiment of the oxime sulfonate compound which has at least one oxime sulfonate residue represented by said formula (c0), Paragraph 0117 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-209719-0129 can also be mentioned. .

본 발명의 감광성 수지 조성물은 활성광선에 감응하는 (성분 C) 광산 발생제로서 1,2-퀴논디아지드 화합물을 포함하지 않는 것이 바람직하다. 그 이유는 1,2-퀴논디아지드 화합물은 축차형 광화학 반응에 의해 카르복실기를 생성하지만 그 양자 수율은 1 이하이며, 옥심술포네이트 화합물에 비해 감도가 낮기 때문이다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention does not contain a 1, 2- quinonediazide compound as a (component C) photo-acid generator sensitive to actinic light. The reason is that the 1,2-quinonediazide compound generates a carboxyl group by a sequential photochemical reaction, but its quantum yield is 1 or less, and its sensitivity is lower than that of the oxime sulfonate compound.

이것에 대하여 옥심술포네이트 화합물은 활성광선에 감응해서 생성하는 산이 보호된 산성기의 탈보호에 대하여 촉매로서 작용하므로 1개의 광량자의 작용에 의해 생성된 산이 다수의 탈보호 반응에 기여하고, 양자 수율은 1을 초과하고, 예를 들면 10의 수제곱과 같은 큰 값이 되어 소위 화학 증폭의 결과로서 고감도가 얻어지는 것으로 추측된다.On the other hand, since the oxime sulfonate compound acts as a catalyst for the deprotection of the protected acid group, the acid produced in response to actinic light contributes to a large number of deprotection reactions by the action of one photon. The yield exceeds 1 and, for example, a large value such as a power of 10 is assumed to be obtained as a result of so-called chemical amplification.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 C)광산 발생제의 함유량은 성분 A 및 성분 B의 상함유량 100중량부에 대하여 0.1~10중량부인 것이 바람직하고, 0.5~10중량부인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 0.1-10 weight part with respect to 100 weight part of upper content of component A and component B, and, as for content of the (component C) photoacid generator in the photosensitive resin composition of this invention, it is more preferable that it is 0.5-10 weight part. .

(성분 D) 용제(Component D) Solvent

본 발명의 감광성 수지 조성물은 (성분 D)용제를 함유하는 것이 바람직하다. 본 발명의 감광성 수지 조성물은 본 발명의 각 성분을 (성분 D)용제에 용해한 용액으로서 조제되는 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains the (component D) solvent. It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention is prepared as a solution which melt | dissolved each component of this invention in the (component D) solvent.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 용제로서는 공지의 용제를 사용할 수 있고, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류, 에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디에틸렌글리콜디알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜디알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 에스테르류, 케톤류, 아미드류, 락톤류 등을 예시할 수 있다. 본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 용제로서는 예를 들면 일본 특허 공개 2009-258722호 공보의 단락 0074에 기재된 용제를 들 수 있다.As a solvent used for the photosensitive resin composition of this invention, a well-known solvent can be used and ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol Dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, diethylene glycol dialkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, dipropylene glycol mono Alkyl ether acetates, esters, ketones, amides, lactones, etc. can be illustrated. As a solvent used for the photosensitive resin composition of this invention, the solvent of Paragraph 0074 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-258722 is mentioned, for example.

상기한 용제 중 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 및/또는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트가 특히 바람직하다.Diethylene glycol ethyl methyl ether and / or propylene glycol monomethyl ether acetate are particularly preferable in the above-mentioned solvents.

이들 용제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다. 본 발명에 사용할 수 있는 용제는 1종 단독 또는 2종을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하고, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류와 디에틸렌글리콜디알킬에테르류를 병용하는 것이 더욱 바람직하다.These solvents can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types. It is preferable to use together 1 type individually or 2 types of solvents which can be used for this invention, It is more preferable to use 2 types together, It is more preferable to use together propylene glycol monoalkyl ether acetates and diethylene glycol dialkyl ethers. More preferred.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 성분 D의 함유량은 성분 A100중량부에 대하여 50~3,000중량부인 것이 바람직하고, 100~2,000중량부인 것이 보다 바람직하고, 150~1,500중량부인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that content of the component D in the photosensitive resin composition of this invention is 50-3,000 weight part with respect to 100 weight part of components A, It is more preferable that it is 100-2,000 weight part, It is further more preferable that it is 150-1,500 weight part.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 (성분 D)용제의 함유량은 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부당 50~3,000중량부인 것이 바람직하고, 100~2,000중량부인 것이 보다 바람직하고, 150~1,500중량부인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that content of the (component D) solvent in the photosensitive resin composition of this invention is 50-3,000 weight part per 100 weight part of total content of component A and component B, It is more preferable that it is 100-2,000 weight part, 150-1,500 It is more preferable that it is a weight part.

<기타 성분><Other Ingredients>

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 기타 성분을 함유할 수 있다.The photosensitive resin composition of this invention can contain another component.

기타 성분으로서 본 발명의 감광성 수지 조성물은 감도의 관점으로부터 광증감제를 함유하는 것이 바람직하고, 액보존 안정성의 관점으로부터 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하고, 막물성의 관점으로부터 가교제를 함유하는 것이 바람직하고, 기판 밀착성의 관점으로부터 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하고, 또한 도포성의 관점으로부터 계면활성제를 함유하는 것이 바람직하다.As other components, the photosensitive resin composition of the present invention preferably contains a photosensitizer from the viewpoint of sensitivity, preferably contains a basic compound from the viewpoint of liquid storage stability, and preferably contains a crosslinking agent from the viewpoint of membrane properties. And it is preferable to contain an adhesive improving agent from a viewpoint of board | substrate adhesiveness, and it is preferable to contain surfactant from a viewpoint of applicability | paintability.

이하 본 발명의 감광성 수지 조성물에 함유할 수 있는 기타 성분을 설명한다.Hereinafter, the other component which can be contained in the photosensitive resin composition of this invention is demonstrated.

[광증감제][Photosensitizer]

본 발명의 감광성 수지 조성물은 광증감제를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains a photosensitizer.

광증감제를 함유함으로써 노광 감도 향상에 유효하며, 노광 광원이 g, h선 혼합선인 경우에 특히 유효하다.By containing a photosensitizer, it is effective for the improvement of exposure sensitivity, and it is especially effective when an exposure light source is g and h-ray mixed lines.

광증감제로서는 안트라센 유도체, 아크리돈 유도체, 티오크산톤 유도체, 쿠마린 유도체, 베이스스티릴 유도체, 디스티릴벤젠 유도체가 바람직하다.As the photosensitizer, anthracene derivatives, acridon derivatives, thioxanthone derivatives, coumarin derivatives, basestyryl derivatives and distyrylbenzene derivatives are preferable.

안트라센 유도체로서는 안트라센, 9,10-디부톡시안트라센, 9,10-디클로로안트라센, 2-에틸-9,10-디메톡시안트라센, 9-히드록시메틸안트라센, 9-브로모안트라센, 9-클로로안트라센, 9,10-디브로모안트라센, 2-에틸안트라센, 9,10-디메톡시안트라센이 바람직하다.Anthracene derivatives include anthracene, 9,10-dibutoxyanthracene, 9,10-dichloroanthracene, 2-ethyl-9,10-dimethoxyanthracene, 9-hydroxymethylanthracene, 9-bromoanthracene, 9-chloroanthracene, 9,10-dibromoanthracene, 2-ethylanthracene and 9,10-dimethoxyanthracene are preferred.

아크리돈 유도체로서는 아크리돈, N-부틸-2-클로로아크리돈, N-메틸아크리돈, 2-메톡시아크리돈, N-에틸-2-메톡시아크리돈이 바람직하다.As the acridon derivative, acridon, N-butyl-2-chloroacridone, N-methylacridone, 2-methoxyacridone, and N-ethyl-2-methoxyacridone are preferable.

티오크산톤 유도체로서는 티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 1-클로로-4-프로폭시티오크산톤, 2-클로로티오크산톤이 바람직하다.As a thioxanthone derivative, thioxanthone, diethyl thioxanthone, 1-chloro-4- propoxy thioxanthone, and 2-chloro thioxanthone are preferable.

쿠마린 유도체로서는 쿠마린-1, 쿠마린-6H, 쿠마린-110, 쿠마린-102가 바람직하다.As coumarin derivatives, coumarin-1, coumarin-6H, coumarin-110, and coumarin-102 are preferable.

베이스스티릴 유도체로서는 2-(4-디메틸아미노스티릴)벤조옥사졸, 2-(4-디메틸아미노스티릴)벤조티아졸, 2-(4-디메틸아미노스티릴)나프토티아졸을 들 수 있다.Examples of the base styryl derivatives include 2- (4-dimethylaminostyryl) benzoxazole, 2- (4-dimethylaminostyryl) benzothiazole and 2- (4-dimethylaminostyryl) naphthothiazole. .

디스티릴벤젠 유도체로서는 디스티릴벤젠, 디(4-메톡시스티릴)벤젠, 디(3,4,5-트리메톡시스티릴)벤젠을 들 수 있다.Examples of the distyrylbenzene derivatives include distyrylbenzene, di (4-methoxystyryl) benzene, and di (3,4,5-trimethoxystyryl) benzene.

이들 중에서도 안트라센 유도체가 바람직하고, 9,10-디알콕시안트라센(알콕시기의 탄소수 1~6개)이 보다 바람직하다.Among these, an anthracene derivative is preferable and 9,10- dialkoxy anthracene (C1-C6 of an alkoxy group) is more preferable.

광증감제의 구체예로서는 하기를 들 수 있다. 또한, 하기에 있어서 Me는 메틸기, Et는 에틸기, Bu는 부틸기를 나타낸다.The following is mentioned as a specific example of a photosensitizer. In the following, Me represents a methyl group, Et represents an ethyl group, and Bu represents a butyl group.

Figure pat00036
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본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 광증감제의 함유량은 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여 0.1~10중량부인 것이 바람직하고, 0.5~10중량부인 것이 보다 바람직하다. 광증감제의 함유량이 0.1중량부 이상이면 소망의 감도가 얻기 쉽고, 또한 10중량부 이하이면 도막의 투명성을 확보하기 쉽다.It is preferable that it is 0.1-10 weight part with respect to 100 weight part of total content of component A and the component B, and, as for content of the photosensitizer in the photosensitive resin composition of this invention, it is more preferable that it is 0.5-10 weight part. If content of a photosensitizer is 0.1 weight part or more, desired sensitivity will be easy to be obtained, and if it is 10 weight part or less, transparency of a coating film will be easy to be ensured.

[염기성 화합물][Basic compound]

본 발명의 감광성 수지 조성물은 액보존 안정성의 관점으로부터 염기성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains a basic compound from a viewpoint of liquid storage stability.

염기성 화합물로서는 화학 증폭 레지스트에서 사용되는 것 중으로부터 임의로 선택해서 사용할 수 있다. 예를 들면, 지방족 아민, 방향족 아민, 복소환식 아민, 제 4 급 암모늄히드록시드 및 카르복실산의 제 4 급 암모늄염 등을 들 수 있다.It can be used selecting arbitrarily as a basic compound from what is used by chemically amplified resist. For example, aliphatic amine, aromatic amine, heterocyclic amine, quaternary ammonium hydroxide, quaternary ammonium salt of carboxylic acid, etc. are mentioned.

지방족 아민으로서는 예를 들면 트리메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디-n-프로필아민, 트리-n-프로필아민, 디-n-펜틸아민, 트리-n-펜틸아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디시클로헥실아민, 디시클로헥실메틸아민 등을 들 수 있다.Examples of the aliphatic amines include trimethylamine, diethylamine, triethylamine, di-n-propylamine, tri-n-propylamine, di-n-pentylamine, tri-n-pentylamine, diethanolamine and triethanol. Amine, dicyclohexylamine, dicyclohexylmethylamine, and the like.

방향족 아민으로서는 예를 들면 아닐린, 벤질아민, N,N-디메틸아닐린, 디페닐아민 등을 들 수 있다.As aromatic amine, aniline, benzylamine, N, N- dimethylaniline, diphenylamine, etc. are mentioned, for example.

복소환식 아민으로서는 예를 들면 피리딘, 2-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 2-에틸피리딘, 4-에틸피리딘, 2-페닐피리딘, 4-페닐피리딘, N-메틸-4-페닐피리딘, 4-디메틸아미노피리딘, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 4-메틸이미다졸, 2-페닐벤즈이미다졸, 2,4,5-트리페닐이미다졸, 니코틴, 니코틴산, 니코틴산 아미드, 퀴놀린, 8-옥시퀴놀린, 피라진, 피라졸, 피리다진, 푸린, 피롤리딘, 피페리딘, 피페라진, 모르폴린, 4-메틸모르폴린, N-시클로헥실-N'-[2-(4-모르폴리닐)에틸]티오요소, 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨, 1,8-디아자비시클로[5.3.0]-7-운데센 등을 들 수 있다.Examples of heterocyclic amines include pyridine, 2-methylpyridine, 4-methylpyridine, 2-ethylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, N-methyl-4-phenylpyridine, 4- Dimethylaminopyridine, imidazole, benzimidazole, 4-methylimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, nicotine, nicotinic acid, nicotinic acid amide, quinoline, 8-oxyquinoline , Pyrazine, pyrazole, pyridazine, purine, pyrrolidine, piperidine, piperazine, morpholine, 4-methylmorpholine, N-cyclohexyl-N '-[2- (4-morpholinyl) ethyl ] Thiourea, 1, 5- diazabicyclo [4.3.0] -5-nonene, 1,8- diazabicyclo [5.3.0] -7-undecene, etc. are mentioned.

제 4 급 암모늄히드록시드로서는 예를 들면 테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 테트라-n-부틸암모늄히드록시드, 테트라-n-헥실암모늄히드록시드 등을 들 수 있다.As quaternary ammonium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetra-n-butylammonium hydroxide, tetra-n-hexyl ammonium hydroxide, etc. are mentioned, for example.

카르복실산의 제 4 급 암모늄염으로서는 예를 들면 테트라메틸암모늄아세테이트, 테트라메틸암모늄벤조에이트, 테트라-n-부틸암모늄아세테이트, 테트라-n-부틸암모늄벤조에이트 등을 들 수 있다.As quaternary ammonium salt of carboxylic acid, tetramethylammonium acetate, tetramethylammonium benzoate, tetra-n-butylammonium acetate, tetra-n-butylammonium benzoate, etc. are mentioned, for example.

본 발명에 사용할 수 있는 염기성 화합물은 1종 단독으로 사용해도 2종 이상을 병용해도 좋지만 2종 이상을 병용하는 것이 바람직하고, 2종을 병용하는 것이 보다 바람직하고, 복소환식 아민을 2종 병용하는 것이 더욱 바람직하다.Although the basic compound which can be used for this invention may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together, It is preferable to use 2 or more types together, It is more preferable to use 2 types together, It is more preferable to use 2 types of heterocyclic amines together More preferred.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 염기성 화합물의 함유량은 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여 0.001~1중량부인 것이 바람직하고, 0.002~0.2중량부인 것이 보다 바람직하다.It is preferable that it is 0.001-1 weight part with respect to 100 weight part of total content of component A and the component B, and, as for content of the basic compound in the photosensitive resin composition of this invention, it is more preferable that it is 0.002-0.2 weight part.

[가교제][Crosslinking agent]

본 발명의 감광성 수지 조성물은 필요에 따라 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. 가교제를 첨가함으로써 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 얻어지는 경화막을 보다 강고한 막으로 할 수 있다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains a crosslinking agent as needed. By adding a crosslinking agent, the cured film obtained by the photosensitive resin composition of this invention can be made a stronger film.

가교제로서는 예를 들면 이하에 설명하는 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물, 알콕시메틸기 함유 가교제 또는 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 첨가할 수 있다.As a crosslinking agent, the compound which has two or more epoxy groups or oxetanyl group, the alkoxy methyl group containing crosslinking agent, or the compound which has at least 1 ethylenically unsaturated double bond can be added, for example in the molecule | numerator demonstrated below.

이들의 가교제 중에서 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물이 바람직하고, 에폭시 수지가 특히 바람직하다.Among these crosslinking agents, a compound having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule is preferable, and an epoxy resin is particularly preferable.

본 발명의 감광성 수지 조성물 중에 있어서의 가교제의 첨가량은 감광성 수지 조성물의 전체 고형분에 대하여 0.05~50중량부인 것이 바람직하고, 0.5~44중량부인 것이 보다 바람직하고, 3~40중량부인 것이 더욱 바람직하다. 이 범위에서 첨가함으로써 기계적 강도 및 내용제성이 우수한 경화막이 얻어진다.It is preferable that it is 0.05-50 weight part with respect to the total solid of the photosensitive resin composition, As for the addition amount of the crosslinking agent in the photosensitive resin composition of this invention, it is more preferable that it is 0.5-44 weight part, It is still more preferable that it is 3-40 weight part. By adding in this range, the cured film excellent in mechanical strength and solvent resistance is obtained.

-분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물-Compounds having two or more epoxy groups or oxetanyl groups in the molecule

분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로서는 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.As a specific example of the compound which has two or more epoxy groups in a molecule | numerator, a bisphenol-A epoxy resin, a bisphenol F-type epoxy resin, a phenol novolak-type epoxy resin, a cresol novolak-type epoxy resin, an aliphatic epoxy resin, etc. are mentioned.

분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물의 구체예로서는 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 지방족 에폭시 수지 등을 들 수 있다.As a specific example of the compound which has two or more epoxy groups in a molecule | numerator, a bisphenol-A epoxy resin, a bisphenol F-type epoxy resin, a phenol novolak-type epoxy resin, a cresol novolak-type epoxy resin, an aliphatic epoxy resin, etc. are mentioned.

이들은 시판품으로서 입수할 수 있고, JER150S65나 JER1031S(모두 미쓰비시 카가쿠(주)제) 등 일본 특허 공개 2009-258722호 공보의 단락 0051~단락 0053에 기재된 것을 들 수 있다. 이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.These can be obtained as a commercial item, and what was described in Paragraph 0051-Paragraph 0053 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-258722, such as JER150S65 and JER1031S (all are the Mitsubishi Kagaku Co., Ltd. make). These may be used alone or in combination of two or more.

이들 중에서도 에폭시 수지를 바람직하게 들 수 있고, 비스페놀A형 에폭시 수지, 비스페놀F형 에폭시 수지 및 페놀노볼락형 에폭시 수지를 보다 바람직하게 들 수 있고, 비스페놀A형 에폭시 수지를 특히 바람직하게 들 수 있다.Among these, an epoxy resin is mentioned preferably, A bisphenol A-type epoxy resin, a bisphenol F-type epoxy resin, and a phenol novolak-type epoxy resin are more preferable, A bisphenol A-type epoxy resin is especially preferable.

분자 내에 2개 이상의 옥세타닐기를 갖는 화합물의 구체예로서는 아론옥세탄OXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX(이상, 도아고세이(주)제)를 사용할 수 있다.As a specific example of the compound which has two or more oxetanyl groups in a molecule | numerator, AaronoxetaneOXT-121, OXT-221, OX-SQ, PNOX (above, Toagosei Co., Ltd. product) can be used.

또한, 옥세타닐기를 포함하는 화합물은 단독으로 또는 에폭시기를 포함하는 화합물과 혼합해서 사용하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to use the compound containing an oxetanyl group individually or in mixture with the compound containing an epoxy group.

이들 중에서도 분자 내에 2개 이상의 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물의 본 발명의 감광성 수지 조성물에의 첨가량은 성분 A 및 성분 B의 총 함유량을 100중량부로 했을 때, 1~50중량부가 바람직하고, 3~30중량부가 보다 바람직하다.Among these, 1-50 weight part is preferable when the addition amount to the photosensitive resin composition of this invention of the compound which has two or more epoxy groups or oxetanyl group in a molecule | numerator makes the total content of component A and component B 100 weight part, 30 weight part is more preferable.

-알콕시메틸기 함유 가교제 또는 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물-An alkoxymethyl group-containing crosslinking agent or a compound having at least one ethylenically unsaturated double bond

알콕시메틸기 함유 가교제로서는 알콕시메틸화 멜라민, 알콕시메틸화 벤조구아나민, 알콕시메틸화 글리콜우릴 및 알콕시메틸화 요소 등이 바람직하다. 또한, 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물로서는 단관능 (메타)아크릴레이트, 2관능 (메타)아크릴레이트, 3관능 이상의 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴레이트 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.As the alkoxymethyl group-containing crosslinking agent, alkoxymethylated melamine, alkoxymethylated benzoguanamine, alkoxymethylated glycoluril, alkoxymethylated urea and the like are preferable. Moreover, as a compound which has at least 1 ethylenically unsaturated double bond, (meth) acrylate compounds, such as monofunctional (meth) acrylate, bifunctional (meth) acrylate, and trifunctional or more (meth) acrylate, can be used preferably. Can be.

알콕시메틸기 함유 가교제 또는 적어도 1개의 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 구체예로서는 일본 특허 공개 2011-170305호 공보의 단락 0093~단락 0100에 기재된 것을 들 수 있고, 첨가량이나 조합의 바람직한 범위에 대해서도 마찬가지이다.Specific examples of the compound having an alkoxymethyl group-containing crosslinking agent or at least one ethylenically unsaturated double bond include those described in paragraphs 0093 to 0100 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-170305, and the same also applies to a preferable range of addition amount and combination. .

[밀착 개량제][Contact improver]

본 발명의 감광성 수지 조성물은 기판 밀착성의 관점으로부터 밀착 개량제를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains an adhesion | attachment improving agent from a viewpoint of board | substrate adhesiveness.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용할 수 있는 밀착 개량제는 기판이 되는 무기물, 예를 들면 실리콘, 산화 실리콘, 질화 실리콘 등의 실리콘 화합물, 몰리브덴, 티탄, 산화 인듐 주석, 금, 구리, 알루미늄 등의 금속과 절연막의 밀착성을 향상시키는 화합물이다. 구체적으로는 실란 커플링제, 티올계 화합물 등을 들 수 있다. 본 발명에서 사용되는 밀착 개량제로서의 실란 커플링제는 계면의 개질을 목적으로 하는 것이며, 특별히 한정하는 일 없이 공지의 것을 사용할 수 있다.The adhesion improving agent which can be used for the photosensitive resin composition of this invention is made of inorganic materials used as a board | substrate, for example, silicon compounds, such as silicon, silicon oxide, silicon nitride, metals, such as molybdenum, titanium, indium tin oxide, gold, copper, aluminum, and the like. It is a compound which improves the adhesiveness of an insulating film. Specifically, a silane coupling agent, a thiol type compound, etc. are mentioned. The silane coupling agent as the adhesion improving agent used in the present invention is intended to modify the interface, and any known one can be used without particular limitation.

이들 중에서도 실란 커플링제를 바람직하게 예시할 수 있다. 단, 본 발명의 실란 커플링제는 가수 분해성 실릴기 또는 실라놀기를 1분자 중에 1개 갖는 화합물을 가리키고, 성분 X에 해당하는 규소 화합물은 본 발명의 실란 커플링제에는 포함되지 않는다.Among these, a silane coupling agent can be illustrated preferably. However, the silane coupling agent of this invention refers to the compound which has one hydrolyzable silyl group or silanol group in 1 molecule, and the silicon compound corresponding to component X is not contained in the silane coupling agent of this invention.

바람직한 실란 커플링제로서는 예를 들면 γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란, γ-글리시독시프로필알킬디알콕시실란, γ-메타크릴록시프로필트리알콕시실란, γ-메타크릴록시프로필알킬디알콕시실란, γ-클로로프로필트리알콕시실란, γ-메르캅토프로필트리알콕시실란, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리알콕시실란, 비닐트리알콕시실란을 들 수 있다.As a preferable silane coupling agent, (gamma) -aminopropyl trimethoxysilane, (gamma) -aminopropyl triethoxysilane, (gamma)-glycidoxy propyltrialkoxy silane, (gamma)-glycidoxy propyl alkyl dialkoxysilane, (gamma)-meta Cryloxypropyl trialkoxysilane, (gamma)-methacryloxypropyl alkyl dialkoxysilane, (gamma)-chloropropyl trialkoxysilane, (gamma)-mercaptopropyl trialkoxysilane, (beta)-(3, 4- epoxycyclohexyl) ethyltrialkoxysilane And vinyltrialkoxysilane.

이들 중 γ-글리시독시프로필트리알콕시실란 및 γ-메타크릴록시프로필트리알콕시실란이 보다 바람직하고, γ-글리시독시프로필트리알콕시실란이 더욱 바람직하다.Among these, γ-glycidoxypropyltrialkoxysilane and γ-methacryloxypropyltrialkoxysilane are more preferable, and γ-glycidoxypropyltrialkoxysilane is more preferable.

이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다. 이들은 기판과의 밀착성의 향상에 유효함과 아울러 기판과의 테이퍼각의 조정에도 유효하다.These may be used alone or in combination of two or more. They are effective for improving the adhesiveness with a board | substrate and also for adjusting the taper angle with a board | substrate.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 밀착 개량제의 함유량은 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여 0.1~20중량부가 바람직하고, 0.5~10중량부가 보다 바람직하다.0.1-20 weight part is preferable with respect to 100 weight part of total content of component A and the component B, and, as for content of the adhesion | attachment improving agent in the photosensitive resin composition of this invention, 0.5-10 weight part is more preferable.

[계면활성제][Surfactants]

본 발명의 감광성 수지 조성물은 도포성의 관점으로부터 계면활성제를 함유하는 것이 바람직하다.It is preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains surfactant from a viewpoint of applicability | paintability.

계면활성제로서는 음이온계, 양이온계, 비이온계 또는 양성 중 어느 것이어도 사용할 수 있지만 바람직한 계면활성제는 비이온계 계면활성제이다.As the surfactant, any of anionic, cationic, nonionic or zwitterionic can be used, but the preferred surfactant is a nonionic surfactant.

비이온계 계면활성제의 예로서는 폴리옥시에틸렌 고급 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 고급 알킬페닐에테르류, 폴리옥시에틸렌글리콜의 고급 지방산 디에스테르류, 불소계, 실리콘계 계면활성제를 들 수 있다.Examples of the nonionic surfactants include polyoxyethylene higher alkyl ethers, polyoxyethylene higher alkylphenyl ethers, higher fatty acid diesters of polyoxyethylene glycol, fluorine and silicone surfactants.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 계면활성제로서 불소계 계면활성제 및/또는 실리콘계 계면활성제를 함유하는 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that the photosensitive resin composition of this invention contains a fluorine type surfactant and / or a silicone type surfactant as surfactant.

이들의 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제로서 예를 들면 일본 특허 공개 소 62-36663호, 일본 특허 공개 소 61-226746호, 일본 특허 공개 소 61-226745호, 일본 특허 공개 소 62-170950호, 일본 특허 공개 소 63-34540호, 일본 특허 공개 평 7-230165호, 일본 특허 공개 평 8-62834호, 일본 특허 공개 평 9-54432호, 일본 특허 공개 평 9-5988호, 일본 특허 공개 2001-330953호 각 공보에 기재된 계면활성제를 들 수 있고, 시판된 계면활성제를 사용할 수도 있다.As these fluorine type surfactant and silicone type surfactant, For example, Unexamined-Japanese-Patent No. 62-36663, Unexamined-Japanese-Patent No. 61-226746, Unexamined-Japanese-Patent No. 61-226745, Japan-Patent No. 62-170950, Japan Japanese Patent Laid-Open No. 63-34540, Japanese Patent Laid-Open No. 7-230165, Japanese Patent Laid-Open No. 8-62834, Japanese Patent Laid-Open No. 9-54432, Japanese Patent Laid-Open No. 9-5988, Japanese Patent Laid-Open 2001-330953 The surfactant as described in each publication is mentioned, Commercially available surfactant can also be used.

사용할 수 있는 시판의 계면활성제로서 예를 들면 에프톱 EF301, EF303(이상, 신아키타 카세이(주)제), 플루오라드 FC430, 431(이상, 스미토모스리엠(주)제), 메가팩 F171, F173, F176, F189, R08(이상, DIC(주)제), 서프론 S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (이상, 아사히가라스(주)제), PolyFox 시리즈(OMNOVA사제) 등의 불소계 계면활성제 또는 실리콘계 계면활성제를 들 수 있다. 또한, 폴리실록산폴리머 KP-341(신에쓰 가가꾸 고교(주)제)도 실리콘계 계면활성제로서 사용할 수 있다.As a commercially available surfactant which can be used, for example, F-top EF301, EF303 (above, Shin Akita Kasei Co., Ltd.), fluoride FC430, 431 (above, Sumitomo Industries Co., Ltd.), Megapack F171, F173 , F176, F189, R08 (above, made by DIC Corporation), Supron S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (above, made by Asahi Glass Co., Ltd.), PolyFox series (made by OMNOVA Corporation) Fluorine-based surfactants such as a) or silicone-based surfactants. Moreover, polysiloxane polymer KP-341 (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicone type surfactant.

또한, 계면활성제로서 하기 식(1)로 나타내어지는 구성 단위 A 및 구성 단위 B를 포함하고, 테트라히드로푸란(THF)을 용매로 했을 경우의 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)이 1,000 이상 10,000 이하인 공중합체를 바람직한 예로서 들 수 있다.Moreover, the weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography in the case of containing the structural unit A and structural unit B represented by following formula (1) as a surfactant, and using tetrahydrofuran (THF) as a solvent. The copolymer whose (Mw) is 1,000 or more and 10,000 or less is mentioned as a preferable example.

Figure pat00037
Figure pat00037

(식(1) 중 R1 및 R3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소수 1 이상 4 이하의 직쇄 알킬렌기를 나타내고, R4는 수소 원자 또는 탄소수 1개 이상 4개 이하의 알킬기를 나타내고, L은 탄소수 3개 이상 6개 이하의 알킬렌기를 나타내고, p 및 q는 중합비를 나타내는 중량 백분률이며, p는 10중량% 이상 80중량% 이하의 수치를 나타내고, q는 20중량% 이상 90중량% 이하의 수치를 나타내고, r은 1 이상 18 이하의 정수를 나타내고, n은 1 이상 10 이하의 정수를 나타낸다)(In formula (1), R <1> and R <3> respectively independently represents a hydrogen atom or a methyl group, R <2> represents a C1-C4 linear alkylene group, R <4> represents a hydrogen atom or C1-C4 or less Represents an alkyl group, L represents an alkylene group having 3 to 6 carbon atoms, p and q are weight percentages representing the polymerization ratio, p represents a numerical value of 10% by weight to 80% by weight, and q is 20% by weight or more and 90% by weight or less, r represents an integer of 1 or more and 18 or less, n represents an integer of 1 or more and 10 or less)

상기 L은 하기 식(2)로 나타내어지는 분기 알킬렌기인 것이 바람직하다. 식(2)에 있어서의 R5는 탄소수 1개 이상 4개 이하의 알킬기를 나타내고, 상용성과 피도포면에 대한 젖음성의 점에서 탄소수 1개 이상 3개 이하의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 2개 또는 3개의 알킬기가 보다 바람직하다.It is preferable that said L is a branched alkylene group represented by following formula (2). R <5> in Formula (2) represents a C1-C4 alkyl group, A C1-C3 alkyl group is preferable at the point of compatibility and the wettability with respect to a to-be-coated surface, and C2 or 3 Alkyl groups are more preferred.

Figure pat00038
Figure pat00038

상기 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은 1,500 이상 5,000 이하가 보다 바람직하다.As for the weight average molecular weight (Mw) of the said copolymer, 1,500 or more and 5,000 or less are more preferable.

이들 계면활성제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합해서 사용할 수 있다.These surfactants may be used singly or in combination of two or more.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 있어서의 계면활성제의 첨가량은 성분 A 및 성분 B의 총 함유량 100중량부에 대하여 10중량부 이하인 것이 바람직하고, 0.01~10중량부인 것이 보다 바람직하고, 0.01~1중량부인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that the addition amount of surfactant in the photosensitive resin composition of this invention is 10 weight part or less with respect to 100 weight part of total contents of component A and component B, It is more preferable that it is 0.01-10 weight part, It is 0.01-1 weight part More preferred.

<기타><Others>

본 발명의 감광성 수지 조성물에는 필요에 따라 가소제, 열 라디칼 발생제, 열산 발생제, 산 증식제, 현상 촉진제, 산화 방지제 등의 기타 성분을 첨가할 수 있다. 이들의 성분에 대해서는 예를 들면 일본 특허 공개 2009-98616호 공보, 일본 특허 공개 2009-244801호 공보에 기재된 것, 기타 공지의 것을 사용할 수 있다. 또한, “고분자 첨가제의 신전개((주)일간 공업 신문사)”에 기재된 각종 자외선 흡수제나 금속 불활성화제 등을 본 발명의 감광성 수지 조성물에 첨가해도 좋다.To the photosensitive resin composition of this invention, other components, such as a plasticizer, a thermal radical generator, a thermal acid generator, an acid increasing agent, a development promoter, and antioxidant, can be added as needed. About these components, the thing of Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-98616, the Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-244801, etc. can be used, for example. Moreover, you may add the various ultraviolet absorbers, metal deactivator, etc. which were described in "extension of polymer additives (the daily industrial newspaper)" to the photosensitive resin composition of this invention.

(경화막의 형성 방법)(Formation method of hardened film)

이어서, 본 발명의 경화막의 형성 방법을 설명한다.Next, the formation method of the cured film of this invention is demonstrated.

본 발명의 경화막의 형성 방법은 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하는 것 이외에 특별히 제한은 없지만 이하의 (1)~(5)의 공정을 포함하는 것이 바람직하다.Although the formation method of the cured film of this invention does not have a restriction | limiting in particular except using the positive photosensitive resin composition of this invention, It is preferable to include the process of the following (1)-(5).

(1) 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 공정(1) Process of apply | coating positive type photosensitive resin composition of this invention on board | substrate

(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정(2) Process of removing solvent from apply | coated photosensitive resin composition

(3) 용제가 제거된 감광성 수지 조성물을 활성광선에 의해 노광하는 공정(3) Process of exposing photosensitive resin composition from which solvent was removed by actinic light

(4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 공정(4) Process of developing exposed photosensitive resin composition with aqueous developing solution

(5) 현상된 감광성 수지 조성물을 열경화하는 포스트 베이킹 공정(5) Post-baking step of thermosetting the developed photosensitive resin composition

본 발명의 경화막의 형성 방법에 있어서는 상기 노광 공정에 있어서의 노광후에 가열 처리를 행하지 않고 상기 (4)의 현상 공정을 행해도 좋다.In the formation method of the cured film of this invention, you may perform the image development process of said (4), without performing heat processing after the exposure in the said exposure process.

또한, 상기 포스트 베이킹 공정 전에 현상된 감광성 수지 조성물을 전면 노광하는 공정을 더 포함하고 있어도 좋다.Moreover, you may further include the process of carrying out the whole surface exposure of the photosensitive resin composition developed before the said post-baking process.

또한, 본 발명의 경화막의 형성 방법은 (6) 열경화해서 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하는 드라이 에칭 공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the formation method of the cured film of this invention further includes the dry etching process of carrying out dry etching with respect to the board | substrate which has the cured film obtained by (6) thermosetting.

이하에 각 공정을 순서대로 설명한다.Each step will be described below in order.

(1)의 도포 공정에서는 본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포해서 용제를 포함하는 습윤막으로 하는 것이 바람직하다.In the application | coating process of (1), it is preferable to set it as the wet film which apply | coats the positive photosensitive resin composition of this invention on a board | substrate and contains a solvent.

(2)의 용제 제거 공정에서는 도포된 상기 막으로부터 감압(진공) 및/또는 가열에 의해 용제를 제거해서 기판 상에 건조 도막을 형성시키는 것이 바람직하다.In the solvent removal process of (2), it is preferable to remove a solvent from the apply | coated film | membrane by pressure reduction (vacuum) and / or heating, and to form a dry coating film on a board | substrate.

(3)의 노광 공정에서는 얻어진 도막에 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 활성광선을 조사하는 것이 바람직하다. 이 공정에서는 특정 산 발생제가 분해하여 산이 발생한다. 발생한 산의 촉매 작용에 의해 성분 A 중에 포함되는 구성 단위(a1) 중의 산 분해성기가 분해되어서 산기가 생성된다.In the exposure process of (3), it is preferable to irradiate actinic light of wavelength 300nm or more and 450nm or less to the obtained coating film. In this process, specific acid generators decompose and acid is generated. By the catalysis of the generated acid, the acid-decomposable group in the structural unit (a1) contained in the component A is decomposed to produce an acid group.

산 촉매가 생성된 영역에 있어서 상기의 분해 반응을 가속시키기 위해서 필요에 따라 노광 후 가열 처리: Post Exposure Bake(이하, 「PEB」라고도 한다)를 행해도 좋다. PEB에 의해 산 분해성기로부터의 산기의 생성을 촉진시킬 수 있다.In order to accelerate said decomposition reaction in the area | region where an acid catalyst was produced, you may perform post-exposure heat processing: Post Exposure Bake (henceforth "PEB" hereafter) as needed. PEB can promote the production of acid groups from acid-decomposable groups.

특정 수지에 있어서의 구성 단위(a1) 중의 산 분해성기는 산 분해의 활성화 에너지가 낮고, 노광에 의한 광산 발생제 유래의 산에 의해 용이하게 분해되어 산기를 발생하기 때문에 반드시 PEB를 행할 필요는 없다. 따라서, 노광 공정 후에 가열 처리를 행하지 않고 상기 현상 공정을 행하는 것이 바람직하다. 보다 상세하게는 (3)의 노광 공정 후에 PEB를 행하는 일 없이 행할 일 없이 4)의 현상 공정에서 현상을 행함으로써 포지티브 화상을 형성하는 것이 바람직하다.The acid-decomposable group in the structural unit (a1) in the specific resin has a low activation energy for acid decomposition and is easily decomposed by an acid derived from a photoacid generator upon exposure to generate an acid group. Therefore, PEB is not necessarily performed. Therefore, it is preferable to perform the said developing process, without performing heat processing after an exposure process. More specifically, it is preferable to form a positive image by developing in the developing process of 4) without performing PEB after the exposure process of (3).

또한, 비교적 저온에서 PEB를 행함으로써 가교 반응을 일으키는 일 없이 산 분해성기의 분해를 촉진할 수도 있다. PEB를 행할 경우의 온도는 30℃ 이상 130℃ 이하인 것이 바람직하고, 40℃ 이상 110℃ 이하가 보다 바람직하고, 50℃ 이상 90℃ 이하가 특히 바람직하다.In addition, by performing PEB at a relatively low temperature, decomposition of the acid-decomposable group can be promoted without causing a crosslinking reaction. It is preferable that the temperature at the time of PEB is 30 degreeC or more and 130 degrees C or less, 40 degreeC or more and 110 degrees C or less are more preferable, 50 degreeC or more and 90 degrees C or less are especially preferable.

(4)의 현상 공정에서는 유리된 산기를 갖는 성분 A 및 산기를 갖는 성분 B를 알카리성 현상액을 사용해서 현상하는 것이 바람직하다. 알카리성 현상액에 용해되기 쉬운 산기를 갖는 감광성 수지 조성물을 포함하는 노광부 영역을 제거함으로써 포지티브 화상을 형성할 수 있다.In the developing process of (4), it is preferable to develop the component A which has the free acidic radical, and the component B which has an acidic radical using alkaline developing solution. A positive image can be formed by removing the exposure part area | region containing the photosensitive resin composition which has an acidic radical which is easy to melt | dissolve in an alkaline developing solution.

(5)의 포스트 베이킹 공정에 있어서 얻어진 포지티브 화상을 가열함으로써 예를 들면 구성 단위(b1) 중의 산기 및 구성 단위(a1) 중의 산 분해성기를 열분해하여 생성한 산기와, 구성 단위(a2) 및 구성 단위(b2) 중의 가교성기와 가교시켜 경화막을 형성할 수 있다. 이 가열은 150℃ 이상의 고온으로 가열하는 것이 바람직하고, 180~250℃로 가열하는 것이 보다 바람직하고, 200~250℃로 가열하는 것이 특히 바람직하다. 가열 시간은 가열 온도 등에 따라 적당히 설정할 수 있지만 10~90분의 범위 내로 하는 것이 바람직하다.By heating the positive image obtained in the post-baking process of (5), the acid group produced by thermally decomposing the acidic radical in the structural unit (b1), and the acid-decomposable group in the structural unit (a1), the structural unit (a2), and a structural unit, for example. A cured film can be formed by crosslinking with the crosslinkable group in (b2). It is preferable to heat this heating to 150 degreeC or more high temperature, It is more preferable to heat to 180-250 degreeC, It is especially preferable to heat to 200-250 degreeC. Although heating time can be set suitably according to heating temperature etc., it is preferable to set it in the range of 10 to 90 minutes.

본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어진 경화막은 드라이 에칭 레지스트로서 바람직하게 사용할 수 있다.The cured film obtained from the photosensitive resin composition of this invention can be used suitably as a dry etching resist.

(5)의 포스트 베이킹 공정에 의해 열경화해서 얻어진 경화막을 드라이 에칭 레지스트로서 사용할 경우 에칭 처리로서는 애싱, 플라즈마 에칭, 오존 에칭 등의 드라이 에칭 처리를 행할 수 있다.When using the cured film obtained by thermosetting by the post-baking process of (5) as a dry etching resist, as an etching process, dry etching processes, such as ashing, plasma etching, and ozone etching, can be performed.

(6)의 드라이 에칭 공정에 있어서는 반응 가스 중에 기판을 노출해서 에칭을 실시하는 반응성 가스 에칭 처리나 반응 가스를 플라즈마에 의해 이온화·라디칼화해서 에칭을 실시하는 반응성 이온 에칭(RIE) 등 공지의 드라이 에칭 처리를 예시할 수 있다. 이들의 가스종이나 에칭 방법은 드라이 에칭하는 재료, 소망의 속도나 정밀도 등에 따라 적당히 선택하면 좋다. 또한, 드라이 에칭을 행하는 장치로서는 공지의 장치를 사용할 수 있다.In the dry etching process of (6), well-known dryness, such as a reactive gas etching process which exposes a board | substrate in reaction gas, and performs etching, and reactive ion etching (RIE) which ionizes and radicalizes reaction gas by plasma, and performs etching. An etching process can be illustrated. What is necessary is just to select these gas species and an etching method suitably according to the material to dry-etch, desired speed, precision, etc. Moreover, a well-known apparatus can be used as an apparatus which performs dry etching.

또한, 포스트 베이킹 공정 전에 현상된 감광성 수지 조성물을 전면 노광하는 공정을 포함하는 것이 바람직하고, 현상된 감광성 수지 조성물의 패턴에 활성광선, 바람직하게는 자외선을 전면 조사하는 공정을 추가하면 활성광선의 조사에 의해 발생하는 산에 의해 가교 반응을 촉진할 수 있다.In addition, it is preferable to include a step of exposing the entire surface of the developed photosensitive resin composition prior to the post-baking step, and if the step of totally irradiating actinic light, preferably ultraviolet rays, is added to the pattern of the developed photosensitive resin composition, irradiation of the actinic ray The acid generated by can accelerate the crosslinking reaction.

이어서, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 경화막의 형성 방법을 구체적으로 설명한다.Next, the formation method of the cured film using the photosensitive resin composition of this invention is demonstrated concretely.

[감광성 수지 조성물의 조제 방법][Preparation Method of Photosensitive Resin Composition]

특정 수지 및 산 발생제의 필수 성분에 필요에 따라 용제를 소정의 비율로 또한 임의의 방법으로 혼합하고, 교반 용해해서 감광성 수지 조성물을 조제한다. 예를 들면, 특정 수지 또는 산 발생제를 각각 미리 용제에 용해시킨 용액으로 한 후 이들을 소정의 비율로 혼합해서 감광성 수지 조성물을 조제할 수도 있다. 이상과 같이 조제한 감광성 수지 조성물의 용액은 구멍 지름 0.1㎛의 필터 등을 사용해서 여과한 후에 사용에 제공할 수도 있다.A solvent is mixed in the predetermined ratio and by arbitrary methods to the essential component of specific resin and an acid generator as needed, and it melt | dissolves and prepares the photosensitive resin composition. For example, after making specific resin or acid generator into the solution which melt | dissolved in the solvent, respectively, these can also be mixed in a predetermined ratio, and the photosensitive resin composition can also be prepared. The solution of the photosensitive resin composition prepared as mentioned above can also be used for use, after filtering using a filter etc. of 0.1 micrometer of pore diameters.

<도포 공정 및 용제 제거 공정><Application process and solvent removal process>

감광성 수지 조성물을 소정의 기판에 도포하고, 감압 및/또는 가열(프리 베이킹)에 의해 용제를 제거함으로써 소망의 건조 도막을 형성할 수 있다. 상기 기판으로서는 예를 들면 액정 표시 장치의 제조에 있어서는 편광판, 필요에 따라서 블랙 매트릭스층, 컬러 필터층을 더 형성하고, 투명 도전 회로층을 더 형성한 유리판 등을 예시할 수 있다. 기판으로의 도포 방법은 특별히 한정되지 않지만 도포가 바람직하고, 예를 들면 슬릿 코트법, 스프레이법, 롤 코트법, 회전 도포법 등의 방법을 사용할 수 있다. 그 중에서도 슬릿 코트법이 대형 기판에 적합하다는 관점에서 바람직하다. 여기서 대형 기판이란 각 변이 1m 이상인 크기의 기판을 말한다.A desired dry coating film can be formed by apply | coating the photosensitive resin composition to a predetermined board | substrate, and removing a solvent by pressure reduction and / or heating (prebaking). As said board | substrate, for example, in manufacture of a liquid crystal display device, the glass plate etc. which further formed the polarizing plate, the black matrix layer, the color filter layer as needed, and further formed the transparent conductive circuit layer can be illustrated. Although the coating method to a board | substrate is not specifically limited, Application | coating is preferable, For example, methods, such as a slit coat method, a spray method, a roll coat method, and a spin coating method, can be used. Among them, the slit coat method is preferable from the viewpoint of being suitable for large substrates. Here, a large board | substrate means the board | substrate of the magnitude | size whose each side is 1 m or more.

또한, (2) 용제 제거 공정의 가열 조건은 미노광부에 있어서의 성분 A 중의 구성 단위(a1)에 있어서 산 분해성기가 분해되고, 또한 성분 A를 알칼리 현상액에 가용성으로 하지 않는 범위이며, 각 성분의 종류나 배합비에 따라서도 다르지만 바람직하게는 70~120℃에서 30~300초간 정도이다.In addition, the heating conditions of (2) solvent removal process are the ranges in which an acid-decomposable group decomposes in the structural unit (a1) in the component A in an unexposed part, and does not make component A soluble in alkaline developing solution, Although it changes also with a kind and compounding ratio, Preferably it is about 30 to 300 second at 70-120 degreeC.

<노광 공정>Exposure process

(3) 노광 공정에서는 감광성 수지 조성물의 건조 도막을 형성한 기판에 소정의 패턴의 활성광선을 조사한다. 노광은 마스크를 개재해서 행해도 좋고, 소정의 패턴을 직접 묘화해도 좋다. 파장 300㎚ 이상 450㎚ 이하의 파장을 갖는 활성광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 노광 공정 후 필요에 따라 PEB를 행해도 좋다.(3) In an exposure process, actinic light of a predetermined pattern is irradiated to the board | substrate which provided the dry coating film of the photosensitive resin composition. The exposure may be performed through a mask, or a predetermined pattern may be directly drawn. Active rays having a wavelength of 300 nm or more and 450 nm or less can be preferably used. You may perform PEB after an exposure process as needed.

활성광선에 의한 노광에는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 케미컬 램프, 레이저 발생 장치, LED 광원 등을 사용할 수 있다.A low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a chemical lamp, a laser generator, an LED light source, and the like can be used for exposure by an actinic ray.

수은등을 상용할 경우에는 g선(436㎚), i선(365㎚), h선(405㎚) 등의 파장을 갖는 활성광선을 바람직하게 사용할 수 있다. 수은등은 레이저에 비하면 대면적의 노광에 적합하다는 점에서 바람직하다.When mercury lamps are commonly used, actinic rays having wavelengths such as g-ray (436 nm), i-ray (365 nm) and h-ray (405 nm) can be preferably used. Mercury lamps are preferred in that they are suitable for exposure to large areas as compared to lasers.

레이저를 사용할 경우에는 고체(YAG) 레이저에서는 343㎚, 355㎚가 바람직하게 사용되고, 엑시머 레이저에서는 351㎚(XeF)가 바람직하게 사용되고, 반도체 레이저에서는 375㎚, 405㎚가 더욱 바람직하게 사용된다. 이 중에서도 안정성, 비용 등의 점으로부터 355㎚, 405㎚가 보다 바람직하다. 레이저는 1회 또는 복수회로 나누어 도막에 조사할 수 있다. 또한, 에너지 밀도, 펄스 폭, 레이저 주파수, 노광 장치 및 필터의 구체예나 바람직한 범위에 대해서는 일본 특허 공개 2011-186398호 공보의 단락 0098~단락 0100에 기재된 것을 들 수 있다.In the case of using a laser, 343 nm and 355 nm are preferably used in a solid state (YAG) laser, 351 nm (XeF) is preferably used in an excimer laser, and 375 nm and 405 nm are more preferably used in a semiconductor laser. Among these, 355 nm and 405 nm are more preferable from a viewpoint of stability, cost, etc. The laser can be irradiated to the coating film once or plural times. Moreover, about the specific example and preferable range of an energy density, pulse width, a laser frequency, an exposure apparatus, and a filter, the thing of Paragraph 0098-Paragraph 0100 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2011-186398 is mentioned.

<현상 공정>Development Process

(4) 현상 공정에서는 염기성 현상액을 사용해서 노광부 영역을 제거해서 화상 패턴을 형성한다. 현상액에 사용하는 염기성 화합물로서는 예를 들면 수산화 리튬, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨 등의 알칼리 금속 수산화물류; 탄산 나트륨, 탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 탄산염류; 중탄산 나트륨, 중탄산 칼륨 등의 알칼리 금속 중탄산염류;테트라메틸암모늄히드록시드, 테트라에틸암모늄히드록시드, 콜린히드록시드 등의 암모늄히드록시드류; 규산 나트륨, 메타규산 나트륨 등의 수용액을 사용할 수 있다. 또한, 상기 알칼리류의 수용액에 메탄올이나 에탄올 등의 수용성 유기 용제나 계면활성제를 적당량 첨가한 수용액을 현상액으로서 사용할 수도 있다.(4) In the developing step, the exposure region is removed using a basic developer to form an image pattern. As a basic compound used for a developing solution, For example, alkali metal hydroxides, such as lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide; Alkali metal carbonates such as sodium carbonate and potassium carbonate; Alkali metal bicarbonates such as sodium bicarbonate and potassium bicarbonate; ammonium hydroxides such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and choline hydroxide; An aqueous solution of sodium silicate, sodium metasilicate or the like can be used. Moreover, the aqueous solution which added an appropriate amount of water-soluble organic solvents, such as methanol and ethanol, and surfactant to the aqueous solution of the said alkalis can also be used as a developing solution.

현상액의 pH는 현상 가능하면 특별히 제한은 없지만 10.0~14.0인 것이 바람직하다.The pH of the developer is not particularly limited as long as it can be developed, but is preferably 10.0 to 14.0.

현상 시간은 바람직하게는 30~180초간이며, 또한 현상의 수법은 퍼들법, 디핑법, 샤워법 등 어느 것이어도 좋다. 현상 후에는 유수 세정을 10~90초간 행하여 소망의 패턴을 형성시킬 수 있다.The developing time is preferably 30 to 180 seconds, and the developing method may be any of a puddle method, a dipping method and a shower method. After development, flowing water can be washed for 10 to 90 seconds to form a desired pattern.

<포스트 베이킹 공정(가교 공정)><Post Baking Process (Crosslinking Process)>

현상에 의해 얻어진 미노광 영역에 대응하는 패턴에 대해서 핫 플레이트나 오븐 등의 가열 장치를 사용해서 소정의 온도, 예를 들면 180~250℃에서 소정의 시간, 예를 들면 핫 플레이트 상이면 5~60분간, 오븐이면 30~90분간, 가열 처리를 함으로써 특정 수지 중의 산 분해성기를 분해해서 카르복실기 및/또는 페놀성 수산기를 발생시켜 특정 수지 중의 에폭시기 및/또는 옥세타닐기인 가교성기와 반응해서 가교시킴으로써 내열성, 경도 등이 우수한 보호막이나 층간 절연막을 형성할 수 있다. 또한, 가열 처리를 행할 때는 질소 분위기 하에서 행함으로써 투명성을 향상시킬 수도 있다.For a pattern corresponding to the unexposed region obtained by development, using a heating apparatus such as a hot plate or an oven at a predetermined temperature, for example, 180 to 250 ° C. for a predetermined time, for example, for 5 to 60 minutes In the oven, heat treatment is performed for 30 to 90 minutes to decompose an acid-decomposable group in a specific resin to generate a carboxyl group and / or phenolic hydroxyl group, to react with a crosslinkable group which is an epoxy group and / or oxetanyl group in the specific resin, and to crosslink it. A protective film or an interlayer insulating film excellent in hardness and the like can be formed. In addition, when performing heat processing, transparency can also be improved by performing in nitrogen atmosphere.

또한, 가열 처리에 앞서 패턴을 형성한 기판에 활성광선에 의해 재노광한 후 포스트 베이킹(재노광/포스트 베이킹)함으로써 미노광 부분에 존재하는 산 발생제 (B)로부터 산을 발생시켜 가교를 촉진하는 촉매로서 기능시키는 것이 바람직하다.In addition, after re-exposure to actinic rays on the substrate on which the pattern is formed prior to the heat treatment, post-baking (re-exposure / post-baking) generates acid from the acid generator (B) present in the unexposed portion, thereby promoting crosslinking. It is preferable to function as a catalyst.

즉, 본 발명에 있어서의 경화막의 형성 방법은 현상 공정과 포스트 베이킹 공정 사이에 활성광선에 의해 재노광하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.That is, it is preferable that the formation method of the cured film in this invention includes the process of re-exposing by actinic light between a developing process and a post-baking process.

재노광 공정에 있어서의 노광은 상기 노광 공정과 마찬가지의 수단에 의해 행하면 좋지만 상기 재노광 공정에서는 기판의 본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 막이 형성된 측에 대하여 전면 노광을 행하는 것이 바람직하다. 재노광 공정의 바람직한 노광량으로서는 100~1,000mJ/㎠이다.Although exposure in a re-exposure process may be performed by the same means as the said exposure process, in the said re-exposure process, it is preferable to perform whole surface exposure to the side in which the film | membrane was formed by the photosensitive resin composition of this invention of a board | substrate. As a preferable exposure amount of a re-exposure process, it is 100-1,000mJ / cm <2>.

<드라이 에칭 공정><Dry etching process>

본 발명에 있어서의 드라이 에칭 공정은 상기 포스트 베이킹 공정에 있어서 열경화해서 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하는 공정이다. 본 발명의 감광성 수지 조성물로부터 얻어진 경화막은 드라이 에칭 내성이 우수하므로 드라이 에칭 조건에 노출되어도 막 감소량이 적다.The dry etching process in this invention is a process of performing dry etching with respect to the board | substrate which has a cured film obtained by thermosetting in the said post-baking process. Since the cured film obtained from the photosensitive resin composition of this invention is excellent in dry etching tolerance, even if it exposes to dry etching conditions, there is little film reduction amount.

본 발명에 있어서 사용할 수 있는 피드라이 에칭 재료로서는 실리콘, 이산화 규소, 질화 규소, 알루미나, 유리, 유리-세라믹스, 비화 갈륨, 인화 인듐, 구리, 알루미늄, 니켈, 철, 강, 구리-실리콘 합금, 인듐-주석 산화물 피복 유리; 금속, 반도체 및 절연 재료의 패터닝 영역을 함유하는 임의의 기판 등이 포함되지만 그들에 한정되지 않는다.The feed-etch etching materials that can be used in the present invention include silicon, silicon dioxide, silicon nitride, alumina, glass, glass-ceramic, gallium arsenide, indium phosphide, copper, aluminum, nickel, iron, steel, copper-silicon alloy, indium Tin oxide coated glass; Arbitrary substrates containing patterning regions of metals, semiconductors and insulating materials, and the like are included, but not limited thereto.

플라즈마의 발생법으로서는 특별히 제한은 없고, 감압 플라즈마법, 대기 플라즈마법 모두 도포할 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as a generation method of plasma, Both a reduced pressure plasma method and an atmospheric plasma method can be apply | coated.

또한, 플라즈마 에칭에는 예를 들면 헬륨, 아르곤, 크립톤, 제논 중으로부터 선택되는 불활성 가스, O2, CF4, C2F4, N2, CO2, SF6, CHF3 중 적어도 O, N, F 또는 Cl을 포함하는 반응성 가스를 바람직하게 사용할 수 있다.In the plasma etching, for example, inert gas selected from helium, argon, krypton, xenon, O 2 , CF 4 , C 2 F 4 , N 2 , CO 2 , SF 6 , CHF 3 , at least O, N, Reactive gases containing F or Cl can be preferably used.

드라이 에칭 공정에서는 예를 들면 하지가 SiNx나 SiO2 등의 실리콘계의 층의 경우 O2와 CF4, SiF6 등의 불소계의 반응 가스를 사용하는 것이 바람직하다.In the dry etching step, for example, in the case of a silicon-based layer such as SiN x or SiO 2 , it is preferable to use a reactive gas such as O 2 and fluorine such as CF 4 or SiF 6 .

또한, 드라이 에칭 공정에 있어서의 기판과, 상기 도포 공정에 있어서의 기판은 같은 것이어도 다른 것이어도 좋다. 예를 들면, 상기 도포 공정에 있어서의 기판을 가상의 기판으로 하고, 상기 드라이 에칭 공정 전까지 별도의 기판에 상기 경화막을 전사 등을 행해도 좋다.In addition, the board | substrate in a dry etching process and the board | substrate in the said coating process may be the same, or may differ. For example, you may make the board | substrate in the said application process into a virtual board | substrate, and transfer the said cured film to another board | substrate before the said dry etching process.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어진 경화막은 드라이 에칭이나 웨트 에칭 등의 에칭 처리 시의 희생층으로서도 바람직하게 사용할 수 있고, 에칭 처리 후에 상기 경화막을 박리할 때에는 애싱 등의 기지의 드라이 플라즈마 프로세스나 알칼리 약품 처리 등의 기지의 웨트 프로세스에 의한 박리를 행할 수 있다. 본 발명의 경화막은 베이킹 공정을 거쳐 경화하고 있기 때문에 드라이 플라즈마 프로세스에 의한 박리가 특히 바람직하다.Moreover, the cured film obtained by hardening | curing the photosensitive resin composition of this invention can be used suitably also as a sacrificial layer at the time of an etching process, such as dry etching and wet etching, and when it peels the said cured film after an etching process, known dry plasma, such as ashing, Peeling by known wet processes, such as a process and alkali chemicals treatment, can be performed. Since the cured film of this invention hardens | cures through a baking process, peeling by a dry plasma process is especially preferable.

에칭용 레지스트로서 평면 레지스트로서 사용했을 경우에도 산소 플라즈마 처리가 바람직하게 사용되지만 약액에 의한 가열 처리에 의해 레지스트를 박리 제거하는 것도 가능하다.Even when used as a planar resist as an etching resist, oxygen plasma treatment is preferably used, but it is also possible to peel off and remove the resist by heat treatment with a chemical solution.

본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어진 경화막은 드라이 에칭 레지스트로서 특히 바람직하게 사용할 수 있다.The cured film obtained by hardening | curing the photosensitive resin composition of this invention can be used especially suitably as a dry etching resist.

본 발명의 경화막은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 경화해서 얻어진 경화막이며, 층간 절연막으로서 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 경화막은 본 발명의 경화막의 형성 방법에 의해 얻어진 경화막인 것이 바람직하다.The cured film of this invention is a cured film obtained by hardening | curing the photosensitive resin composition of this invention, and can be used suitably as an interlayer insulation film. Moreover, it is preferable that the cured film of this invention is a cured film obtained by the formation method of the cured film of this invention.

본 발명의 감광성 수지 조성물에 의해 높은 감도를 갖고, 현상 시에 있어서의 잔사의 발생이 억제되고, 또한 평활성이 우수한 표면을 갖는 경화막이 얻어지고, 상기 경화막은 층간 절연막으로서 유용하다. 또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용해서 이루어지는 층간 절연막은 높은 투명성을 갖고, 양호한 형상의 패턴 형상을 형성할 수 있고, 또한 그 표면의 평활성도 우수하므로 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치의 용도에 유용하다.By the photosensitive resin composition of this invention, the cured film which has high sensitivity, the generation | occurrence | production of the residue at the time of image development is suppressed, and is excellent in smoothness is obtained, and the said cured film is useful as an interlayer insulation film. In addition, the interlayer insulating film formed by using the photosensitive resin composition of the present invention has high transparency, can form a pattern shape having a good shape, and is also excellent in smoothness of the surface thereof, and thus is suitable for use of an organic EL display device or a liquid crystal display device. useful.

본 발명의 감광성 수지 조성물을 도포할 수 있는 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치로서는 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용해서 형성되는 경화막을 평탄화막이나 보호막, 층간 절연막으로서 사용하는 것 이외는 특별히 제한되지 않고, 여러 가지 구조를 취하는 공지의 각종 유기 EL 표시 장치나 액정 표시 장치를 들 수 있다.The organic EL display device or liquid crystal display device to which the photosensitive resin composition of the present invention can be applied is not particularly limited except for using a cured film formed by using the photosensitive resin composition of the present invention as a flattening film, a protective film, or an interlayer insulating film. And various known organic EL display devices and liquid crystal display devices having various structures.

예를 들면, 본 발명의 유기 EL 표시 장치 및 액정 표시 장치가 구비하는 TFT(Thin-Film Transistor)의 구체예로서는 아모퍼스 실리콘-TFT, 저온 폴리 실리콘 TFT, 산화물 반도체 TFT 등을 들 수 있다. 본 발명의 경화막은 전기 특성이 우수하기 때문에 이들의 TFT에 조합해서 바람직하게 사용할 수 있다.For example, amorphous silicon TFT, low temperature polysilicon TFT, oxide semiconductor TFT etc. are mentioned as a specific example of TFT (Thin-Film Transistor) with which the organic electroluminescence display and liquid crystal display of this invention are equipped. Since the cured film of this invention is excellent in electrical characteristics, it can be used conveniently in combination with these TFT.

또한, 본 발명의 액정 표시 장치를 취할 수 있는 액정 표시 장치의 방식으로서는 TN(TwistedNematic) 방식, VA(Virtical Alignment) 방식, IPS(In-Place-Switching) 방식, FFS(Frings Field Switching) 방식, OCB(Optical Compensated Bend) 방식 등을 들 수 있다.In addition, the liquid crystal display device of the present invention may be a twisted nematic (TN) method, a vertical alignment (VA) method, an in-place-switching (IPS) method, a frings field switching (FFS) method, or an OCB. (Optical Compensated Bend) method.

또한, 본 발명의 액정 표시 장치를 취할 수 있는 액정 배향막의 구체적인 배향 방식으로서는 러빙 배향법, 광 배향 등을 들 수 있다. 또한, 일본 특허 공개 2003-149647이나 일본 특허 공개 2011-257734에 기재된 PSA(Polymer Sustained Alignment) 기술에 의해 폴리머 배향 지지되어 있어도 좋다.Moreover, the rubbing orientation method, photoalignment, etc. are mentioned as a specific orientation system of the liquid crystal aligning film which can take the liquid crystal display device of this invention. Furthermore, the polymer orientation may be supported by the PSA (Polymer Sustained Alignment) technique described in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-149647 and Japanese Patent Laid-Open No. 2011-257734.

또한, 본 발명의 감광성 수지 조성물 및 본 발명의 경화막은 상기 용도에 한정되지 않고 여러 가지 용도에 사용할 수 있다. 예를 들면, 평탄화막이나 보호막, 층간 절연막 이외에도 액정 표시 장치에 있어서의 액정층의 두께를 일정하게 유지하기 위한 스페이서나 고체 촬상 소자에 있어서 컬러 필터 상에 설치되는 마이크로 렌즈, 에칭용 레지스트, 특히 바람직하게는 드라이 에칭용 레지스트 등에 바람직하게 사용할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition of this invention and the cured film of this invention can be used for various uses, without being limited to the said use. For example, in addition to the planarization film, the protective film, and the interlayer insulation film, a microlens provided on a color filter, a resist for etching, and a spacer for maintaining a constant thickness of the liquid crystal layer in a liquid crystal display device or a solid-state image sensor are particularly preferable. Preferably, it can be used suitably for a resist for dry etching.

도 1은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 사용한 유기 EL 표시 장치의 일례의 구성 개념도를 나타낸다. 보텀 에미션형의 유기 EL 표시 장치에 있어서의 기판의 모식적 단면도를 나타내고, 평탄화막(4)을 갖고 있다.1 shows a schematic conceptual view of an example of an organic EL display device using the photosensitive resin composition of the present invention. Typical sectional drawing of the board | substrate in a bottom emission type organic electroluminescence display is shown, and it has the planarization film 4. As shown in FIG.

유리 기판(6) 상에 보텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)이 형성되어 있다. 절연막(3)에 여기서는 도시를 생략한 콘택트 홀을 형성한 후 이 콘택트 홀을 통해 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)이 절연막(3) 상에 형성되어 있다. 배선(2)은 TFT(1) 사이 또는 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.It may form a bottom-gate type TFT (1), and comprising a state covering the TFT (1) to the Si 3 N 4 insulation film 3 is formed on the glass substrate 6. After forming a contact hole (not shown) in the insulating film 3, a wiring 2 (1.0 μm in height) connected to the TFT 1 through the contact hole is formed on the insulating film 3. The wiring 2 is for connecting the TFT 1 with the organic EL element formed between the TFTs 1 or in a later step.

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서 배선(2)에 의한 요철을 메워 넣는 상태로 절연막(3) 상에 평탄화막(4)이 형성되어 있다.In addition, in order to planarize the unevenness caused by the formation of the wiring 2, the flattening film 4 is formed on the insulating film 3 in a state of filling the unevenness by the wiring 2.

평탄화막(4) 상에는 보텀 에미션형의 유기 EL 소자가 형성되어 있다. 즉, 평탄화막(4) 상에 ITO로 이루어지는 제 1 전극(5)이 콘택트 홀(7)을 통해 배선(2)에 접속시켜서 형성되어 있다. 제 1 전극(5)은 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.On the planarization film 4, the bottom emission type organic electroluminescent element is formed. That is, on the planarization film 4, the 1st electrode 5 which consists of ITO is connected to the wiring 2 through the contact hole 7, and is formed. The 1st electrode 5 is corresponded to the anode of organic electroluminescent element.

제 1 전극(5)의 둘레 가장자리를 덮는 형상의 절연막(8)이 형성되어 있고, 이 절연막(8)을 형성함으로써 제 1 전극(5)과 이 후의 공정에서 형성하는 제 2 전극 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.The insulating film 8 of the shape which covers the periphery of the 1st electrode 5 is formed, and by forming this insulating film 8, the short between the 1st electrode 5 and the 2nd electrode formed in a subsequent process is formed. You can prevent it.

또한, 도 1에는 도시 생략되어 있지만 소망의 패턴 마스크를 개재해서 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착해서 형성하고, 이어서 기판 상방의 전체면에 Al로 이루어지는 제 2 전극을 형성하고, 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용해서 부착함으로써 밀봉하고, 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속되어서 이루어지는 액티브 매트릭스형의 유기 EL 표시 장치가 얻어진다.In addition, although not shown in FIG. 1, the hole transport layer, the organic light emitting layer, and the electron transport layer are sequentially formed through a desired pattern mask, and a second electrode made of Al is formed on the entire surface above the substrate. It seals by sticking using a glass plate and an ultraviolet curable epoxy resin, and the active-matrix organic electroluminescent display apparatus by which the TFT 1 for driving this is connected to each organic electroluminescent element is obtained.

도 2는 액티브 매트릭스 방식의 액정 표시 장치(10)의 일례를 나타내는 개념적 단면도이다. 이 컬러 액정 표시 장치(10)는 배면에 백라이트 유닛(12)을 갖는 액정 패널로서, 액정 패널은 편광 필름이 부착된 2장의 유리 기판(14,15) 사이에 배치된 모든 화소에 대응하는 TFT(16)의 소자가 배치되어 있다. 유리 기판 상에 형성된 각 소자에는 경화막(17) 중에 형성된 콘택트 홀(18)을 통해 화소 전극을 형성하는 ITO 투명 전극(19)이 배선되어 있다. ITO투명 전극(19) 상에는 액정(20)의 층과 블랙 매트릭스를 배치한 RGB 컬러 필터(22)가 형성되어 있다.2 is a conceptual cross-sectional view showing an example of an active matrix liquid crystal display device 10. This color liquid crystal display device 10 is a liquid crystal panel having a backlight unit 12 on its back side, the liquid crystal panel comprising TFTs corresponding to all pixels disposed between two glass substrates 14 and 15 to which a polarizing film is attached. The element 16 is arranged. In each element formed on the glass substrate, the ITO transparent electrode 19 which forms a pixel electrode through the contact hole 18 formed in the cured film 17 is wired. On the ITO transparent electrode 19, the RGB color filter 22 which has arrange | positioned the layer of liquid crystal 20 and a black matrix is formed.

실시예Example

이어서, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이들의 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 언급이 없는 한 「부」,「%」는 중량 기준이다.Next, an Example demonstrates this invention further more concretely. However, this invention is not limited by these Examples. In addition, "part" and "%" are basis of weight unless there is particular notice.

<합성예 1>&Lt; Synthesis Example 1 &

냉각관, 교반기를 구비한 플라스크에 디에틸렌글리콜에틸메틸에테르 150중량부를 넣고, 질소 분위기 하에 두고 90℃로 승온했다. 그 용액에 단량체 성분으로서메타크릴산 1-에톡시에틸 41.3중량부, 3-에틸-3-옥세타닐메틸메타크릴레이트 31.0중량부, 메타크릴산 5.6중량부, 2-에틸헥실메타크릴레이트 17.0중량부 및 중합 개시제로서 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트)(와코쥰야쿠제) 10.0중량부를 용해시키고, 2시간 걸쳐서 적하했다. 적하 종료 후 2시간 교반했다. 그 용액에 디메틸-2,2'-아조비스(2-메틸프로피오네이트) 2.5중량부를 더 첨가하고, 2시간 더 교반하고, 반응을 종료시켰다. 그것에 의해 공중합체 A-1을 얻었다. 중량 평균 분자량은 11,000이었다.150 weight part of diethylene glycol ethylmethyl ether was put into the flask provided with the cooling tube and the stirrer, and it heated up at 90 degreeC under nitrogen atmosphere. 41.3 parts by weight of 1-ethoxyethyl methacrylate, 31.0 parts by weight of 3-ethyl-3-oxetanylmethyl methacrylate, 5.6 parts by weight of methacrylic acid, and 1ethyl 2-ethylhexyl methacrylate as monomer components in the solution. As a weight part and a polymerization initiator, 10.0 weight part of dimethyl-2,2'- azobis (2-methylpropionate) (made by Wako Pure Chemical) was melt | dissolved, and it dripped over 2 hours. It stirred for 2 hours after completion | finish of dripping. 2.5 parts by weight of dimethyl-2,2'-azobis (2-methylpropionate) was further added to the solution, followed by further stirring for 2 hours to terminate the reaction. This obtained copolymer A-1. The weight average molecular weight was 11,000.

<합성예 2~38><Synthesis example 2-38>

사용한 모노머 및 그 양을 변경한 이외는 합성예 1과 마찬가지로 해서 하기 표에 나타내는 공중합체 A-2~A-15, B-1~B-16, 및 b-1~b-5를 각각 합성했다. 합성된 각 공중합체의 조성비(몰%) 및 중량 평균 분자량(Mw)은 하기 표에 나타내는 바와 같다.Except having changed the used monomer and its quantity, it carried out similarly to the synthesis example 1, and synthesize | combined the copolymer A-2-A-15, B-1-B-16, and b-1-b-5 which are shown in the following table, respectively. . The composition ratio (mol%) and weight average molecular weight (Mw) of each synthesize | combined copolymer are as showing in the following table.

Figure pat00039
Figure pat00039

Figure pat00040
Figure pat00040

표 1 및 표 2 중의 약호는 이하와 같다.The symbol of Table 1 and Table 2 is as follows.

MAEVE: 메타크릴산 1-에톡시에틸MAEVE: Methacrylic acid 1-ethoxyethyl

MATHF: 테트라히드로-2H-푸란-2-일메타크릴레이트MATHF: tetrahydro-2H-furan-2-yl methacrylate

MACHOE: 1-(시클로헥실옥시)에틸메타크릴레이트MACHOE: 1- (cyclohexyloxy) ethyl methacrylate

MATHP: 테트라히드로-2H-피란-2-일메타크릴레이트MATHP: tetrahydro-2H-pyran-2-ylmethacrylate

PHSEVE: p-히드록시스티렌의 1-에톡시에틸기 보호체PHSEVE: 1-ethoxyethyl group protector of p-hydroxystyrene

OXE-30: 3-에틸-3-옥세타닐메틸메타크릴레이트(오사카유기 카가쿠고교(주)제)Oxe-30: 3-ethyl-3-oxetanylmethyl methacrylate (manufactured by Osaka Organic Chemical Industries, Ltd.)

GMA: 글리시딜메타크릴레이트GMA: glycidyl methacrylate

NBMA: n-부톡시메틸아크릴아미드NBMA: n-butoxymethylacrylamide

VBGE :p-비닐벤질글리시딜에테르VBGE: p-vinylbenzyl glycidyl ether

MAA: 메타크릴산MAA: methacrylic acid

PHS: p-히드록시스티렌PHS: p-hydroxystyrene

HEMA: 2-에틸헥실메타크릴레이트HEMA: 2-ethylhexyl methacrylate

THFFMA: 테트라히드로푸르푸릴메타크릴레이트THFFMA: tetrahydrofurfuryl methacrylate

St: 스티렌St: Styrene

α-MeSt: α-메틸스티렌α-MeSt: α-methylstyrene

MMA: 메틸메타크릴레이트MMA: methyl methacrylate

DCPM: 메타크릴산(트리시클로[5.2.1.02,6]데칸-8-일)DCPM: Methacrylic acid (tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane-8-yl)

(실시예 1~143 및 비교예 1~34)(Examples 1-143 and Comparative Examples 1-34)

하기 표에 기재한 양(고형분)을 고형분 농도가 27중량%가 되도록 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르:프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트=1:1(중량비)의 혼합 용제에 용해시킨 후 구멍 지름 0.2㎛의 멤브레인 필터로 여과해서 각 감광성 수지 조성물을 각각 조제했다.The amount (solid content) shown in the following table was dissolved in a mixed solvent of diethylene glycol methyl ethyl ether: propylene glycol monomethyl ether acetate = 1: 1 (weight ratio) so that the solid content concentration was 27% by weight, and the pore diameter was 0.2 m. It filtered by the membrane filter and prepared each photosensitive resin composition, respectively.

Figure pat00041
Figure pat00041

Figure pat00042
Figure pat00042

Figure pat00043
Figure pat00043

Figure pat00044
Figure pat00044

Figure pat00045
Figure pat00045

Figure pat00046
Figure pat00046

상기 표 중 각종 첨가제의 약호는 하기와 같다.The symbol of the various additives in the said table is as follows.

C-1: 하기 구조의 화합물(합성품)C-1: compound (synthetic product) having the structure

C-2: 하기 구조의 화합물(합성품)C-2: compound (synthetic product) having the structure

C-3: 하기 구조의 화합물(합성품)C-3: the compound (synthetic product) of the following structure

C-4: CGI-1397(BASF사제)C-4: CGI-1397 (made by BASF Corporation)

C-5: 하기 구조의 화합물(일본 특허 공표 2002-528451호 공보의 단락 0108에 기재된 방법에 따라 합성했다)C-5: The compound of the following structure (it synthesize | combined according to the method of Paragraph 0108 of Unexamined-Japanese-Patent No. 2002-528451).

C-6: PAI-1001(미도리 카가쿠(주)제)C-6: PAI-1001 (made by Midori Kagaku Co., Ltd.)

C-7: 4,7-디-n-부톡시-1-나프틸테트라히드로티오페늄트리플루오로메탄술포네이트C-7: 4,7-di-n-butoxy-1-naphthyltetrahydrothiopheniumtrifluoromethanesulfonate

Figure pat00047
Figure pat00047

<C-1의 합성>Synthesis of C-1

2-나프톨(10g), 클로로벤젠(30mL)의 현탁 용액에 염화 알루미늄(10.6g), 2-클로로프로피오닐클로라이드(10.1g)를 첨가하고, 혼합액을 40℃로 가열해서 2시간 반응시켰다. 빙냉 하에서 반응액에 4N HCl 수용액(60mL)을 적하하고, 아세트산 에틸(50mL)을 첨가해서 분액했다. 유기층에 탄산 칼륨(19.2g)을 첨가하고, 40℃에서 1시간 반응시킨 후 2N HCl수용액(60mL)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 농축 후 결정을 디이소프로필에테르(10mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조해서 케톤 화합물(6.5g)을 얻었다.Aluminum chloride (10.6 g) and 2-chloropropionyl chloride (10.1 g) were added to a suspension solution of 2-naphthol (10 g) and chlorobenzene (30 mL), and the mixed solution was heated to 40 ° C and reacted for 2 hours. 4N HCl aqueous solution (60 mL) was dripped at the reaction liquid under ice cooling, ethyl acetate (50 mL) was added and liquid-separated. Potassium carbonate (19.2 g) was added to the organic layer, and the mixture was reacted at 40 DEG C for 1 hour, followed by separating an aqueous 2N HCl solution (60 mL). The organic layer was concentrated, and then crystallized with diisopropyl ether (10 mL), It filtered and dried and the ketone compound (6.5g) was obtained.

얻어진 케톤 화합물(3.0g), 메탄올(18mL)의 현탁 용액에 아세트산(7.3g), 50중량% 히드록실아민 수용액(8.0g)을 첨가하여 10시간 가열 환류했다. 방냉 후 물(50mL)을 첨가하고, 석출한 결정을 여과, 냉 메탄올 세정 후 건조해서 옥심 화합물(2.4g)을 얻었다.Acetic acid (7.3g) and 50weight% hydroxylamine aqueous solution (8.0g) were added to the obtained ketone compound (3.0g), and the suspension solution of methanol (18mL), and it heated and refluxed for 10 hours. After cooling, water (50 mL) was added, and the precipitated crystals were filtered, washed with cold methanol, and dried to obtain an oxime compound (2.4 g).

얻어진 옥심 화합물(1.8g)을 아세톤(20mL)에 용해시키고, 빙냉 하에서 트리에틸아민(1.5g), p-톨루엔술포닐클로라이드(2.4g)을 첨가하고, 실온으로 승온해서 1시간 반응시켰다. 반응액에 물(50mL)을 첨가하고, 석출한 결정을 여과 후 메탄올(20mL)로 리슬러리하고, 여과, 건조해서 C-1(2.3g)을 얻었다.The obtained oxime compound (1.8 g) was dissolved in acetone (20 mL), triethylamine (1.5 g) and p-toluenesulfonyl chloride (2.4 g) were added under ice-cooling, and it heated up to room temperature and made it react for 1 hour. Water (50 mL) was added to the reaction solution, and the precipitated crystals were filtered off, reslurried with methanol (20 mL), filtered and dried to obtain C-1 (2.3 g).

또한, B-1의 1H-NMR 스펙트럼(300㎒, CDCl3)은 δ=8.3(d,1H),8.0(d,2H),7.9(d,1H),7.8(d,1H),7.6(dd,1H),7.4(dd,1H)7.3(d,2H),7.1(d.1H),5.6(q,1H),2.4(s,3H),1.7(d,3H)이었다.In addition, the 1 H-NMR spectrum (300 MHz, CDCl 3 ) of B-1 shows δ = 8.3 (d, 1H), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (dd, 1H), 7.4 (dd, 1H), 7.3 (d, 2H), 7.1 (d. 1H), 5.6 (q, 1H), 2.4 (s, 3H), and 1.7 (d, 3H).

<C-2의 합성>Synthesis of C-2

2-나프톨(20g)을 N,N-디메틸아세트아미드(150mL)에 용해시키고, 탄산 칼륨(28.7g), 2-브로모옥탄산 에틸(52.2g)을 첨가해서 100℃에서 2시간 반응시켰다. 반응액에 물(300mL), 아세트산 에틸(200mL)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 농축한 후 48중량% 수산화 나트륨 수용액(23g), 에탄올(50mL), 물(50mL)을 첨가하여 2시간 반응시켰다. 반응액을 1N HCl 수용액(500mL)에 넣고, 석출한 결정을 여과, 수세해서 카르복실산 조체를 얻은 후 폴리 인산 30g을 첨가해서 170℃에서 30분 반응시켰다. 반응액을 물(300mL)에 넣고, 아세트산 에틸(300mL)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 농축한 후 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피에 의해 정제하여 케톤 화합물(10g)을 얻었다.2-naphthol (20 g) was dissolved in N, N-dimethylacetamide (150 mL), potassium carbonate (28.7 g) and ethyl 2-bromooctanoate (52.2 g) were added and allowed to react at 100 ° C for 2 hours. Water (300 mL) and ethyl acetate (200 mL) were added to the reaction solution for separation. The organic layer was concentrated and 48 wt% aqueous sodium hydroxide solution (23 g), ethanol (50 mL), and water (50 mL) were added and reacted for 2 hours. . The reaction solution was poured into 1N HCl aqueous solution (500 mL), and the precipitated crystals were filtered and washed with water to obtain a crude carboxylic acid. Then, 30 g of polyphosphoric acid was added and reacted at 170 ° C for 30 minutes. The reaction solution was poured into water (300 mL), ethyl acetate (300 mL) was added to the solution, and the organic layer was concentrated and purified by silica gel column chromatography to obtain a ketone compound (10 g).

얻어진 케톤 화합물(10.0g), 메탄올(100mL)의 현탁 용액에 아세트산 나트륨(30.6g), 염산 히드록실아민(25.9g), 황산 마그네슘(4.5g)을 첨가하고, 24시간 가열 환류했다. 방냉 후 물(150mL), 아세트산 에틸(150mL)을 첨가해서 분액하고, 유기층을 물 80mL로 4회 분액하고, 농축한 후 실리카 겔 컬럼 크로마토그래피로 정제해서 옥심 화합물(5.8g)을 얻었다.Sodium acetate (30.6 g), hydroxylamine hydrochloride (25.9 g), and magnesium sulfate (4.5 g) were added to the obtained ketone compound (10.0 g) and the suspension solution of methanol (100 mL), and it heated and refluxed for 24 hours. After cooling, water (150 mL) and ethyl acetate (150 mL) were added and the mixture was separated. The organic layer was separated four times with 80 mL of water, concentrated, and purified by silica gel column chromatography to obtain an oxime compound (5.8 g).

얻어진 옥심(3.1g)에 대하여 C-1과 마찬가지로 술포네이트화를 행하여 C-2(3.2g)를 얻었다.The obtained oxime (3.1 g) was sulfonated similarly to C-1, and C-2 (3.2 g) was obtained.

또한, B-2의 1H-NMR스펙트럼(300㎒, CDCl3)은 δ=8.3(d,1H),8.0(d,2H),7.9(d,1H),7.8(d,1H),7.6(dd,1H),7.5(dd,1H)7.3(d,2H),7.1(d.1H),5.6(dd,1H),2.4(s,3H),2.2(ddt,1H),1.9(ddt,1H),1.4~1.2(m,8H),0.8(t,3H)이었다.In addition, the 1 H-NMR spectrum (300MHz, CDCl 3 ) of B-2 is δ = 8.3 (d, 1H), 8.0 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.6 (dd, 1H), 7.5 (dd, 1H) 7.3 (d, 2H), 7.1 (d.1H), 5.6 (dd, 1H), 2.4 (s, 3H), 2.2 (ddt, 1H), 1.9 (ddt , 1H), 1.4 to 1.2 (m, 8H), and 0.8 (t, 3H).

<C-3의 합성>Synthesis of C-3

C-1에 있어서의 p-톨루엔술포닐클로라이드 대신에 벤젠술포닐클로라이드를 사용한 이외는 C-1과 마찬가지로 해서 C-3을 합성했다.C-3 was synthesize | combined similarly to C-1 except having used benzenesulfonyl chloride instead of p-toluenesulfonyl chloride in C-1.

또한, C-3의 1H-NMR스펙트럼(300㎒, CDCl3)은 δ=8.3(d,1H),8.1(d,2H),7.9(d,1H),7.8(d,1H),7.7-7.5(m,4H),7.4(dd,1H),7.1(d.1H),5.6(q,1H),1.7(d,3H)이었다.In addition, C-1's 1 H-NMR spectrum (300 MHz, CDCl 3 ) is δ = 8.3 (d, 1H), 8.1 (d, 2H), 7.9 (d, 1H), 7.8 (d, 1H), 7.7 -7.5 (m, 4H), 7.4 (dd, 1H), 7.1 (d. 1H), 5.6 (q, 1H), and 1.7 (d, 3H).

D-1: DBA(9,10-디부톡시안트라센, 가와사키 카세이고교(주)제)D-1: DBA (9,10-dibutoxy anthracene and the Kawasaki Kasei Co., Ltd. product)

E-1: 1,5-디아자비시클로[4,3,0]-5-노넨(도쿄 카세이고교(주)제)E-1: 1,5-diazabicyclo [4,3,0] -5-nonene (made by Tokyo Kasei Kogyo Co., Ltd.)

E-2: 하기 구조의 화합물E-2: compound of the structure

Figure pat00048
Figure pat00048

S-1: 하기 화합물(제조원: 신에쓰 가가꾸 고교(주), 품번: KBE-3026)S-1: the following compound (manufacturer: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., article number: KBE-3026)

S-6: 하기 화합물(제조원: 도레이 다우(주), 품번: Z6920)S-6: the following compound (manufacturer: Toray Dow Co., Ltd., part number: Z6920)

S-7: 하기 화합물(제조원: 신에쓰 가가꾸 고교(주), 품번: KBE-846)S-7: the following compound (manufacturer: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., part number: KBE-846)

S-8: 하기 화합물(제조원: 신에쓰 가가꾸 고교(주), 품번: KBM-9659)S-8: the following compound (manufacturer: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., article number: KBM-9659)

Figure pat00049
Figure pat00049

Figure pat00050
Figure pat00050

Figure pat00051
Figure pat00051

F-1: JER150S65(미쓰비시 카가쿠(주)제)F-1: JER150S65 (made by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.)

F-2: JER1031S(미쓰비시 카가쿠(주)제)F-2: JER1031S (made by Mitsubishi Kagaku Co., Ltd.)

G-1: 3-글리시독시프로필트리메톡시실란(KBM-403, 신에쓰 가가꾸 고교(주)제)G-1: 3-glycidoxy propyl trimethoxysilane (KBM-403, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. make)

H-1: 하기 구조의 화합물H-1: the compound of

Figure pat00052
Figure pat00052

<내약품성(박리액 내성)의 평가><Evaluation of chemical resistance (peel resistance)>

유리 기판(코닝 1737, 0.7㎜두께(코닝사제)) 상에 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후 90℃/120초 핫 플레이트 상에서 가열에 의해 용제를 제거하고, 막두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.After slit-coating each photosensitive resin composition on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thickness (made by Corning)), a solvent is removed by heating on a 90 degreeC / 120 second hotplate, and the photosensitive resin composition layer of 4.0 micrometers of film thicknesses is carried out. Formed.

얻어진 감광성 수지 조성물층을 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(에너지 강도: 20㎽/㎠, i선)가 되도록 노광하고, 그 후 이 기판을 오븐에서 230℃에서 1시간 가열해서 경화막을 얻었다.The obtained photosensitive resin composition layer was exposed to a total irradiation amount of 300 mJ / cm 2 (energy intensity: 20 kW / cm 2, i-line) with a PLA-501F exposure machine (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Corporation, and then the substrate was exposed to an oven. Heated at 230 ° C. for 1 hour to obtain a cured film.

그 경화막을 모노에탄올아민에 60℃에서 5분 침지시키고, 그 막을 끌어올려서 표면의 액을 닦아낸 후에 바로 막두께를 측정했다. 침지 전의 막두께와 침지 후의 막두께를 비교해서 증가한 비율을 퍼센트로 표기했다. 결과를 하기 표에 나타냈다. 수치로서는 작을수록 경화막의 박리액 내성은 양호하며, A 또는 B가 바람직하다.The cured film was immersed in monoethanolamine at 60 degreeC for 5 minutes, and the film thickness was measured immediately after lifting up the film | membrane and wiping off the surface liquid. The ratio which increased the film thickness before immersion and the film thickness after immersion was expressed in percentage. The results are shown in the table below. The smaller the numerical value, the better the peeling liquid resistance of the cured film, and A or B is preferable.

팽준율(%)=침지 후의 막두께(㎛)/침지 전의 막두께(㎛)×100Swelling rate (%) = film thickness (micrometer) after immersion / film thickness (micrometer) before immersion x 100

A: 100% 이상 102% 미만 A: 100% or more but less than 102%

B: 102% 이상 105% 미만B: 102% or more but less than 105%

C: 105% 이상 110% 미만C: 105% or more but less than 110%

D: 110% 이상 115% 미만D: 110% or more but less than 115%

E: 115% 이상E: 115% or more

<내약품성(NMP 내성)의 평가><Evaluation of chemical resistance (NMP resistance)>

유리 기판(코닝 1737, 0.7㎜두께(코닝사제)) 상에 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후 90℃/120초 핫 플레이트 상에서 가열에 의해 용제를 제거하여 막두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.After slit-coating each photosensitive resin composition on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thickness (made by Corning)), the solvent was removed by heating on a 90 degreeC / 120 second hotplate, and the photosensitive resin composition layer of 4.0 micrometers of film thicknesses was removed. Formed.

얻어진 감광성 수지 조성물층을 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(에너지 강도: 20㎽/㎠, i선)가 되도록 노광하고, 그 후 이 기판을 오븐에서 230℃에서 1시간 가열해서 경화막을 얻었다.The obtained photosensitive resin composition layer was exposed to a total irradiation amount of 300 mJ / cm 2 (energy intensity: 20 kW / cm 2, i-line) with a PLA-501F exposure machine (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Corporation, and then the substrate was exposed to an oven. Heated at 230 ° C. for 1 hour to obtain a cured film.

그 경화막을 NMP에 80℃에서 10분 침지시키고, 그 막을 끌어올려서 표면의 액을 닦아낸 후에 바로 막두께를 측정했다. 침지 전의 막두께와 침지 후의 막두께를 비교해서 증가한 비율을 퍼센트로 표기했다. 결과를 하기 표에 나타냈다. 수치로서는 작을수록 경화막의 NMP 내성은 양호하며, A 또는 B가 바람직하다.The cured film was immersed in NMP for 10 minutes at 80 degreeC, the film thickness was measured immediately after pulling up the film and wiping off the liquid on the surface. The ratio which increased the film thickness before immersion and the film thickness after immersion was expressed in percentage. The results are shown in the table below. As numerical value is small, NMP tolerance of a cured film is favorable, and A or B is preferable.

팽윤율(%)=침지 후의 막두께(㎛)/침지 전의 막두께(㎛)×100Swelling rate (%) = film thickness after immersion (µm) / film thickness before immersion (µm) x 100

A: 100% 이상 102% 미만A: 100% or more but less than 102%

B: 102% 이상 105% 미만B: 102% or more but less than 105%

C: 105% 이상 110% 미만C: 105% or more but less than 110%

D: 110% 이상 115% 미만D: 110% or more but less than 115%

E: 115% 이상E: 115% or more

<내드라이 에칭성><Dry etching resistance>

유리 기판(코닝 1737, 0.7㎜ 두께(코닝사제)) 상에 각 감광성 수지 조성물을 슬릿 도포한 후 90℃/120초 핫 플레이트 상에서 가열에 의해 용제를 제거하고, 막두께 4.0㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다.After slit-coating each photosensitive resin composition on a glass substrate (Corning 1737, 0.7 mm thickness (made by Corning Corporation)), a solvent is removed by heating on a 90 degreeC / 120 second hotplate, and the photosensitive resin composition layer of 4.0 micrometers of film thicknesses is carried out. Formed.

얻어진 감광성 수지 조성물층을 캐논(주)제 PLA-501F 노광기(초고압 수은 램프)로 적산 조사량이 300mJ/㎠(에너지 강도: 20㎽/㎠, i선)가 되도록 노광하고, 그 후 이 기판을 오븐에서 230℃에서 1시간 가열해서 경화막을 얻었다. 상기 경화막을 드라이 에칭 장치 「CDE-80N ((주)시바우라 메카트로닉스제)」를 사용해서 에칭 가스로서 CF4 50ml/분, O2 10ml/분, 출력 400㎽, 에칭 시간 90초의 조건으로 드라이 에칭을 행했다. 그 막감소량으로부터 에칭 속도를 산출했다. 수치로서는 작을수록 내 드라이 에칭성이 높고, A 또는 B가 바람직하다.The obtained photosensitive resin composition layer was exposed to a total irradiation amount of 300 mJ / cm 2 (energy intensity: 20 kW / cm 2, i-line) with a PLA-501F exposure machine (ultra high pressure mercury lamp) manufactured by Canon Corporation, and then the substrate was exposed to an oven. Heated at 230 ° C. for 1 hour to obtain a cured film. Dry etching the cured film under the conditions of CF 4 50 ml / min, O 2 10 ml / min, output 400 kPa, etching time 90 seconds using an etching gas using a dry etching apparatus "CDE-80N (manufactured by Shibaura Mechatronics)". Done. The etching rate was calculated from the film reduction amount. The smaller the numerical value, the higher the dry etching resistance, and A or B is preferable.

A: 30Å/초 이상 35Å/초 미만A: 30 ms / sec or more and less than 35 ms / sec

B: 35Å/초 이상 40Å/초 미만B: 35 ms / sec or more and less than 40 ms / sec

C: 40Å/초 이상 45Å/초 미만C: 40 ms / sec or more but less than 45 ms / sec

<실시예 144>&Lt; Example 144 >

일본 특허 제 3321003호 공보의 도 1에 기재된 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에 있어서 층간 절연막으로서 경화막(17)을 이하와 같이 해서 형성하고, 실시예 144의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 사용하여 층간 절연막으로서 경화막(17)을 형성했다.In the active-matrix liquid crystal display device of FIG. 1 of Unexamined-Japanese-Patent No. 3321003, the cured film 17 was formed as an interlayer insulation film as follows, and the liquid crystal display device of Example 144 was obtained. That is, the cured film 17 was formed as an interlayer insulation film using the photosensitive resin composition of Example 1.

즉, 일본 특허 제 3321003호 공보의 58 단락의 기판과 층간 절연막(17)의 젖음성을 향상시키는 전(前)처리로서 기판을 헥사메틸디실라잔(HMDS) 증기 하에 30초 노출시키고, 그 후 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 스핀 코트 도포한 후 90℃에서 2분 핫 플레이트 상에서 프리 베이킹해서 용제를 휘발시켜 막두께 3㎛의 감광성 수지 조성물층을 형성했다. 이어서, 얻어진 감광성 수지 조성물층을 캐논(주)제 MPA 5500CF(고압 수은등)를 사용해서 10㎛φ의 홀 패턴의 마스크를 통해 40mJ/㎠(에너지 강도: 20㎽/㎠, i선)가 되도록 노광했다. 그리고, 노광 후의 감광성 수지 조성물층을 알칼리 현상액(0.4%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액)으로 23℃/60초간 현상한 후 초순수로 20초 린싱했다. 이어서, 초고압 수은등을 이용해서 적산 조사량이 300mJ/㎠(에너지 강도: 20㎽/㎠, i선)가 되도록 전면 노광하고, 그 후 이 기판을 오븐에서 230℃에서 30분 가열해서 경화막을 얻었다.That is, the substrate was exposed for 30 seconds under hexamethyldisilazane (HMDS) vapor as a pretreatment for improving the wettability of the substrate of paragraph 58 of Japanese Patent No. 3321003 and the interlayer insulating film 17, and then carried out. After spin-coating the photosensitive resin composition of Example 1, it prebaked at 90 degreeC for 2 minutes on a hotplate, the solvent was volatilized, and the photosensitive resin composition layer with a film thickness of 3 micrometers was formed. Subsequently, the obtained photosensitive resin composition layer was exposed to 40 mJ / cm 2 (energy intensity: 20 kW / cm 2, i-line) through a mask of a hole pattern of 10 μmφ using Canon MPA 5500CF (high pressure mercury lamp). did. And after developing the photosensitive resin composition layer after exposure for 23 degreeC / 60 second with alkaline developing solution (0.4% of tetramethylammonium hydroxide aqueous solution), it rinsed with ultrapure water for 20 second. Subsequently, the total exposure was performed so that the accumulated irradiation amount might be 300 mJ / cm 2 (energy intensity: 20 kW / cm 2, i-line) using an ultrahigh pressure mercury lamp, and then the substrate was heated at 230 ° C. for 30 minutes in an oven to obtain a cured film.

상기 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하며, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는 주름이나 크랙의 발생은 확인되지 않았다.The applicability | paintability at the time of apply | coating the said photosensitive resin composition was favorable, and generation | occurrence | production of a wrinkle and a crack was not recognized in the cured film obtained after exposure, image development, and baking.

얻어진 액정 표시 장치에 대하여 구동 전압을 인가한 결과 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.As a result of applying a drive voltage to the obtained liquid crystal display device, it showed favorable display characteristics, and it turned out that it is a highly reliable liquid crystal display device.

<실시예 145><Example 145>

실시예 144와 이하의 프로세스만 변경해서 마찬가지의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 기판 전처리인 헥사메틸디실라잔(HMDS) 처리를 생략하고, 실시예 52의 감광성 수지 조성물을 도포한 경우에도 얻어진 경화막으로서 패턴의 결함이나 박리가 없는 양호한 상태이었다. 또한, 액정 표시 장치로서의 성능도 실시예 144와 마찬가지로 양호했다. 이것은 본 발명의 조성물이 기판과의 밀착성이 우수하기 때문인 것으로 고려된다. 생산성을 향상시키는 관점에서는 상기 기판 전처리의 공정을 생략하는 것도 바람직하다.Only Example 144 and the following processes were changed and the same liquid crystal display device was obtained. That is, even when the hexamethyldisilazane (HMDS) process which is a board | substrate pretreatment was abbreviate | omitted and the photosensitive resin composition of Example 52 was apply | coated, it was a favorable state without the defect of a pattern and peeling as an obtained cured film. Moreover, the performance as a liquid crystal display device was also favorable similarly to Example 144. This is considered to be because the composition of this invention is excellent in adhesiveness with a board | substrate. It is also preferable to omit the process of the said substrate pretreatment from a viewpoint of improving productivity.

<실시예 146><Example 146>

실시예 144와 이하의 프로세스만을 변경해서 마찬가지의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 알칼리 현상액을 0.4%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로부터 2.38%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로 변경해도 얻어진 경화막으로서 패턴의 결함이나 박리가 없는 양호한 상태이었다. 또한, 액정 표시 장치로서의 성능도 실시예 144와 마찬가지로 양호했다. 이것은 본 발명의 조성물이 기판과의 밀착성이 우수하기 때문인 것으로 고려된다.Only Example 144 and the following processes were changed and the same liquid crystal display device was obtained. That is, even if it changed alkaline developing solution from 0.4% of tetramethylammonium hydroxide aqueous solution to 2.38% of tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, it was a favorable state without the defect of a pattern and peeling as an obtained cured film. Moreover, the performance as a liquid crystal display device was also favorable similarly to Example 144. This is considered to be because the composition of this invention is excellent in adhesiveness with a board | substrate.

<실시예 147><Example 147>

실시예 144와 이하의 프로세스만을 변경해서 마찬가지의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 알칼리 현상액을 0.4%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액으로부터 0.04%의 KOH 수용액으로 변경해도 얻어진 경화막으로서 패턴의 결함이나 박리가 없는 양호한 상태이었다. 또한, 액정 표시 장치로서의 성능도 실시예 144와 마찬가지로 양호했다. 이것은 본 발명의 조성물이 기판과의 밀착성이 우수하기 때문인 것으로 고려된다.Only Example 144 and the following processes were changed and the same liquid crystal display device was obtained. That is, even if it changed alkaline developing solution into 0.04% of KOH aqueous solution from 0.4% of tetramethylammonium hydroxide aqueous solution, it was a favorable state without the defect of a pattern and peeling as an obtained cured film. Moreover, the performance as a liquid crystal display device was also favorable similarly to Example 144. This is considered to be because the composition of this invention is excellent in adhesiveness with a board | substrate.

<실시예 148><Example 148>

실시예 144와 이하의 프로세스만을 변경해서 마찬가지의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 현상·린싱 후의 전면 노광의 공정을 생략하고, 오븐에서 230℃에서 30분 가열해서 경화막을 얻었다. 얻어진 액정 표시 장치로서의 성능은 실시예 144와 마찬가지로 양호했다. 이것은 본 발명의 조성물이 약품 내성이 우수하기 때문인 것으로 고려된다. 생산성을 향상시키는 관점에서는 전면 노광의 공정을 생략하는 것도 바람직하다.Only Example 144 and the following processes were changed and the same liquid crystal display device was obtained. That is, the process of the front surface exposure after image development and rinsing was abbreviate | omitted, and it heated at 230 degreeC in oven for 30 minutes, and obtained the cured film. The performance as an obtained liquid crystal display device was favorable similarly to Example 144. This is considered to be because the composition of the present invention is excellent in drug resistance. It is also preferable to omit the process of whole surface exposure from a viewpoint of improving productivity.

<실시예 149><Example 149>

실시예 144와 이하의 프로세스만을 변경해서 마찬가지의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 전면 노광의 공정과 오븐에서의 230℃/30분 가열 공정 사이에 100℃에서 3분 핫 플레이트 상에서 가열하는 공정을 추가했다. 얻어진 액정 표시 장치로서의 성능은 실시예 149와 마찬가지로 양호했다. 홀 패턴의 형상을 갖춘다는 관점으로부터 본 공정을 추가하는 것도 바람직하다.Only Example 144 and the following processes were changed and the same liquid crystal display device was obtained. That is, the process of heating on a 3-minute hotplate at 100 degreeC between the process of whole surface exposure and the 230 degreeC / 30-minute heating process in oven was added. The performance as an obtained liquid crystal display device was favorable similarly to Example 149. It is also preferable to add this process from a viewpoint of having the shape of a hole pattern.

<실시예 150><Example 150>

실시예 144와 이하의 프로세스만을 변경해서 마찬가지의 액정 표시 장치를 얻었다. 즉, 현상·린싱 공정과 전면 노광의 공정 사이에 100℃에서 3분 핫 플레이트 상에서 가열하는 공정을 추가했다. 얻어진 액정 표시 장치로서의 성능은 실시예 144와 마찬가지로 양호했다. 홀 패턴의 형상을 갖춘다는 관점으로부터 본 공정을 추가하는 것도 바람직하다.Only Example 144 and the following processes were changed and the same liquid crystal display device was obtained. That is, the process heated on a 3-minute hotplate at 100 degreeC between the process of image development and rinsing and the front exposure was added. The performance as an obtained liquid crystal display device was favorable similarly to Example 144. It is also preferable to add this process from a viewpoint of having the shape of a hole pattern.

<실시예 151><Example 151>

박막 트랜지스터(TFT)를 사용한 유기 EL 표시 장치를 이하의 방법으로 제작했다(도 1 참조).An organic EL display device using a thin film transistor (TFT) was produced by the following method (see Fig. 1).

유리 기판(6) 상에 보텀 게이트형의 TFT(1)를 형성하고, 이 TFT(1)를 덮는 상태로 Si3N4로 이루어지는 절연막(3)을 형성했다. 이어서, 이 절연막(3)에 여기에서는 도시를 생략한 콘택트 홀을 형성한 후 이 콘택트 홀을 통해 TFT(1)에 접속되는 배선(2)(높이 1.0㎛)을 절연막(3) 상에 형성했다. 이 배선(2)은 TFT(1) 사이 또는 후의 공정에서 형성되는 유기 EL 소자와 TFT(1)를 접속하기 위한 것이다.A glass substrate 6, the insulating film 3 made of Si 3 N 4 forming a TFT (1) of the bottom gate type on, and in a state covering the TFT (1) was formed. Subsequently, a contact hole (not shown here) was formed in the insulating film 3, and then a wiring 2 (1.0 μm in height) connected to the TFT 1 through the contact hole was formed on the insulating film 3. . This wiring 2 is for connecting the TFT 1 with the organic EL element formed between the TFTs 1 or in a later step.

또한, 배선(2)의 형성에 의한 요철을 평탄화하기 위해서 배선(2)에 의한 요철을 메워 넣는 상태로 절연막(3) 상에 평탄화층(4)을 형성했다. 절연막(3) 상으로의 평탄화막(4)의 형성은 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 기판 상에 스핀 도포하고, 핫 플레이트 상에서 프리 베이킹(90℃×2분)한 후 마스크상으로 고압 수은등을 사용해서 i선(365㎚)을 45mJ/㎠(에너지 강도 20㎽ /㎠) 조사한 후 알칼리 수용액 (0.4%의 TMAH 수용액)으로 현상해서 패턴을 형성하고, 초고압 수은등을 사용해서 적산 조사량이 300mJ/㎠(에너지 강도: 20㎽/㎠, i선)가 되도록 전면 노광하고, 230℃에서 60분간의 가열 처리를 행했다. 상기 감광성 수지 조성물을 도포할 때의 도포성은 양호하며, 노광, 현상, 소성 후에 얻어진 경화막에는 주름이나 크랙의 발생은 확인되지 않았다. 또한, 배선(2)의 평균 단차는 500㎚, 제작한 평탄화막(4)의 막두께는 2,000㎚이었다.In addition, in order to planarize the unevenness caused by the formation of the wiring 2, the planarization layer 4 was formed on the insulating film 3 in a state of filling the unevenness of the wiring 2. Formation of the planarization film 4 onto the insulating film 3 is performed by spin-coating the photosensitive resin composition of Example 1 on a substrate, prebaking on a hot plate (90 ° C. × 2 minutes), and then applying a high pressure mercury lamp onto a mask. After irradiating i-ray (365nm) with 45mJ / cm2 (energy intensity 20㎽ / ㎠), it is developed with alkaline aqueous solution (0.4% TMAH aqueous solution) to form a pattern. (Energy intensity: 20 kW / cm <2>, i line | wire), it exposed all over and heat-processed for 60 minutes at 230 degreeC. The applicability | paintability at the time of apply | coating the said photosensitive resin composition was favorable, and generation | occurrence | production of a wrinkle and a crack was not recognized in the cured film obtained after exposure, image development, and baking. Moreover, the film thickness of the planarization film 4 which produced 500 nm of average level | step differences of the wiring 2 was 2,000 nm.

이어서, 얻어진 평탄화막(4) 상에 보텀 에미션형의 유기 EL 소자를 형성했다. 우선 평탄화막(4) 상에 ITO로 이루어지는 제 1 전극(5)을 콘택트 홀(7)을 통해 배선(2)에 접속시켜서 형성했다. 그 후 레지스트를 도포, 프리 베이킹하고, 소망의 패턴의 마스크를 통해 노광하고, 현상했다. 이 레지스트 패턴을 마스크로 해서 ITO 에천트를 사용한 웨트 에칭에 의해 패턴 가공을 행했다. 그 후 레지스트 박리액(모노에탄올아민과 디메틸술폭시드(DMSO)의 혼합액)을 사용해서 상기 레지스트 패턴을 박리했다. 이렇게 해서 얻어진 제 1 전극(5)는 유기 EL 소자의 양극에 상당한다.Subsequently, a bottom emission type organic EL device was formed on the obtained planarization film 4. First, on the planarization film 4, the 1st electrode 5 which consists of ITO was connected to the wiring 2 through the contact hole 7, and was formed. Then, the resist was apply | coated and prebaked, and it exposed and developed through the mask of a desired pattern. Using this resist pattern as a mask, pattern processing was performed by wet etching using ITO etchant. Then, the said resist pattern was stripped using the resist stripping liquid (mixed liquid of monoethanolamine and dimethyl sulfoxide (DMSO)). The 1st electrode 5 obtained in this way is corresponded to the anode of organic electroluminescent element.

이어서, 제 1 전극(5)의 둘레 가장자리를 덮는 형상의 절연막(8)을 형성했다. 절연막에는 실시예 3의 감광성 수지 조성물을 사용하여 상기와 마참가지의 방법으로 절연막(8)을 형성했다. 이 절연막을 형성함으로써 제 1 전극(5)과 이 후의 공정에서 형성하는 제 2 전극의 사이의 쇼트를 방지할 수 있다.Next, the insulating film 8 of the shape which covers the periphery of the 1st electrode 5 was formed. The insulating film 8 was formed in the insulating film by the method similar to the above using the photosensitive resin composition of Example 3. As shown in FIG. By forming this insulating film, the short between the 1st electrode 5 and the 2nd electrode formed in a subsequent process can be prevented.

또한, 진공 증착 장치 내에서 소망의 패턴 마스크를 개재해서 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층을 순차 증착해서 형성했다. 이어서, 기판 상방의 전면이 Al로 이루어지는 제 2 전극을 형성했다. 얻어진 상기 기판을 증착기로부터 인출하여 밀봉용 유리판과 자외선 경화형 에폭시 수지를 사용해서 부착함으로써 밀봉했다.Further, the hole transport layer, the organic light emitting layer, and the electron transport layer were sequentially deposited in a vacuum deposition apparatus via a desired pattern mask. Next, the 2nd electrode which consists of Al in the whole surface above a board | substrate was formed. The obtained said board | substrate was taken out from the vapor deposition machine, and it sealed by sticking using the sealing glass plate and an ultraviolet curable epoxy resin.

이상과 같이 해서 각 유기 EL 소자에 이것을 구동하기 위한 TFT(1)가 접속해서 이루어지는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치가 얻어졌다. 구동 회로를 통해 전압을 인가한 결과 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.As described above, an active matrix organic EL display device obtained by connecting the TFT 1 for driving this to each organic EL element was obtained. As a result of applying a voltage through the driving circuit, it was found that the display device exhibited good display characteristics and was a highly reliable organic EL display device.

<실시예 152>Example 152

실시예 144에 있어서 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 16의 감광성 수지 조성물로 대신한 이외는 마찬가지로 액정 표시 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.In Example 144, except having replaced the photosensitive resin composition of Example 1 with the photosensitive resin composition of Example 16, the liquid crystal display device was similarly produced. It showed that favorable display characteristics were shown and it was a highly reliable liquid crystal display device.

<실시예 153><Example 153>

실시예 144에 있어서 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 31의 감광성 수지 조성물로 대신한 이외는 같이 액정 표시 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 액정 표시 장치인 것을 알 수 있었다.In Example 144, a liquid crystal display device was produced in a similar manner except that the photosensitive resin composition of Example 1 was replaced with the photosensitive resin composition of Example 31. It showed that favorable display characteristics were shown and it was a highly reliable liquid crystal display device.

<실시예 154><Example 154>

실시예 144에 있어서 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 132의 감광성 수지 조성물로 대신한 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.In Example 144, except having replaced the photosensitive resin composition of Example 1 with the photosensitive resin composition of Example 132, the organic EL apparatus was produced similarly. It showed that favorable display characteristics were shown and it was a highly reliable organic electroluminescent display apparatus.

<실시예 155><Example 155>

실시예 151에 있어서 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 16의 감광성 수지 조성물로 대신한 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.In Example 151, the organic EL device was similarly manufactured except having replaced the photosensitive resin composition of Example 1 with the photosensitive resin composition of Example 16. It showed that favorable display characteristics were shown and it was a highly reliable organic electroluminescent display apparatus.

<실시예 156><Example 156>

실시예 151에 있어서 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 31의 감광성 수지 조성물로 대신한 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.In Example 151, the organic EL device was similarly manufactured except having replaced the photosensitive resin composition of Example 1 with the photosensitive resin composition of Example 31. It showed that favorable display characteristics were shown and it was a highly reliable organic electroluminescent display apparatus.

<실시예 157><Example 157>

실시예 151에 있어서 실시예 1의 감광성 수지 조성물을 실시예 133의 감광성 수지 조성물로 대신한 이외는 마찬가지로 유기 EL 장치를 제작했다. 양호한 표시 특성을 나타내고, 신뢰성이 높은 유기 EL 표시 장치인 것을 알 수 있었다.In Example 151, the organic EL device was similarly manufactured except having replaced the photosensitive resin composition of Example 1 with the photosensitive resin composition of Example 133. It showed that favorable display characteristics were shown and it was a highly reliable organic electroluminescent display apparatus.

1: TFT(박막 트랜지스터) 2: 배선
3: 절연막 4: 평탄화막
5: 제 1 전극 6: 유리 기판
7: 콘택트 홀 8: 절연막
10: 액정 표시 장치 12: 백라이트 유닛
14,15: 유리 기판 16: TFT
17: 경화막 18: 콘택트 홀
19: ITO 투명 전극 20: 액정
22: 컬러 필터
1: TFT (Thin Film Transistor) 2: Wiring
3: insulating film 4: planarization film
5: first electrode 6: glass substrate
7: contact hole 8: insulating film
10: liquid crystal display device 12: backlight unit
14,15: glass substrate 16: TFT
17: cured film 18: contact hole
19: ITO transparent electrode 20: liquid crystal
22: color filter

Claims (19)

(성분 A) 하기 (1) 및 (2) 중 적어도 한쪽을 충족하는 중합체를 포함하는 중합체 성분,
(1) (a1) 산기는 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,
(2) (a1) 산기는 산 분해성기로 보호된 기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체 및 (a2) 가교성기를 갖는 구성 단위를 갖는 중합체,
(성분 C) 광산 발생제, 및
(성분 D) 용제를 함유하고, 또한
(성분 X) 식(X1)로 나타내어지는 가수분해성 실릴기 및/또는 실라놀기를 1분자 내에 2개 이상 갖는 규소 화합물 함유하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure pat00053

[식 중 RX1~RX3 중 적어도 1개는 알콕시기, 메르캅토기, 할로겐 원자, 아미드기, 아세톡시기, 아미노기, 알릴옥시기 및 이소프로페녹시기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 가수분해성기 또는 히드록시기를 나타낸다. 나머지 RX1~RX3은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 1가의 유기 치환기를 나타낸다]
(Component A) a polymer component comprising a polymer which satisfies at least one of the following (1) and (2),
(1) (a1) the acid group has a polymer having a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group and (a2) a crosslinkable group,
(2) the acid group (a1) has a polymer having a structural unit having a group protected with an acid-decomposable group and (a2) a polymer having a structural unit having a crosslinkable group,
(Component C) a photoacid generator, and
(Component D) contains a solvent, and
(Component X) The positive photosensitive resin composition containing the silicon compound which has two or more hydrolyzable silyl groups and / or silanol groups represented by Formula (X1) in 1 molecule.
Figure pat00053

[In the formula, at least one of R X1 to R X3 is a hydrolyzable group selected from the group consisting of alkoxy group, mercapto group, halogen atom, amide group, acetoxy group, amino group, allyloxy group and isopropenoxy group or Represents a hydroxyl group. The remaining R X1 to R X3 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic substituent]
제 1 항에 있어서,
상기 구성 단위(X1) 중에서 RX1~RX3 중 적어도 2개는 알콕시기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
At least two of R <X1> -R <X3> is an alkoxy group in the said structural unit (X1), The positive photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 성분 X의 함유량은 수지 조성물의 용제를 제외한 성분의 합계에 대하여 0.1중량% 이상인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Positive component photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned component X being 0.1 weight% or more with respect to the sum total of the component except the solvent of the resin composition.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구성 단위(a1)는 카르복실기가 아세탈 또는 케탈로 보호된 잔기를 갖는 구성 단위인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
The positive photosensitive resin composition, wherein the structural unit (a1) is a structural unit having a residue in which a carboxyl group is protected by acetal or ketal.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구성 단위(a1)는 식(a1-1)로 나타내어지는 구성 단위인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure pat00054

[식 중 R1 및 R2는 각각 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, 적어도 R1 및 R2 중 어느 한쪽이 알킬기 또는 아릴기이며, R3은 알킬기 또는 아릴기를 나타내고, R1 또는 R2와 R3이 연결되어 환상 에테르를 형성해도 좋고, R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, X는 단결합 또는 아릴렌기를 나타낸다]
3. The method according to claim 1 or 2,
The said structural unit (a1) is a structural unit represented by Formula (a1-1), The positive photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
Figure pat00054

[Wherein R 1 and R 2 each represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, at least one of R 1 and R 2 is an alkyl group or an aryl group, R 3 represents an alkyl group or an aryl group, and R 1 or R 2 and R 3 may be linked to form a cyclic ether, R 4 represents a hydrogen atom or a methyl group, and X represents a single bond or an arylene group]
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구성 단위(X1)의 RX1~RX3 중 적어도 2개는 메톡시기 또는 에톡시기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
At least 2 of R <X1> -R <X3> of the said structural unit (X1) is a methoxy group or an ethoxy group, The positive photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구성 단위(a2)는 에폭시기, 옥세타닐기로부터 선택되는 적어도 1종을 갖는 구성 단위인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
The said structural unit (a2) is a positive photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned structural unit which has at least 1 sort (s) chosen from an epoxy group and an oxetanyl group.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 성분 A의 함유량 WA와 상기 성분 B의 함유량 WB의 중량 비율은 WA/WB=98/2~20/80인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
The weight ratio of the content W A of the component A and the content W B of the component B is W A / W B = 98/2 to 20/80, wherein the positive photosensitive resin composition is used.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 성분 C는 식(c0)로 나타내어지는 옥심술포네이트 잔기의 적어도 1개를 갖는 옥심술포네이트 화합물인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
Figure pat00055
3. The method according to claim 1 or 2,
Said component C is an oxime sulfonate compound which has at least 1 of an oxime sulfonate residue represented by Formula (c0), The positive photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
Figure pat00055
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구성 단위(X1) 중에서 RX1~RX3 중 적어도 2개는 알콕시기이며, 상기 성분 X의 함유량은 수지 조성물의 용제를 제외한 성분의 합계에 대하여 0.1중량% 이상인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
At least two of R <X1> -R <X3> is an alkoxy group in the said structural unit (X1), and content of the said component X is 0.1 weight% or more with respect to the sum total of the component except the solvent of a resin composition, Positive type photosensitive resin Composition.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구성 단위(X1) 중에서 RX1~RX3 중 적어도 2개는 알콕시기이며, 상기 구성 단위(X1)의 RX1~RX3 중 적어도 2개는 메톡시기 또는 에톡시기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
Positive type characterized in that at least two of R X1 to R X3 in the structural unit (X1) is an alkoxy group, and at least two of R X1 to R X3 in the structural unit (X1) is a methoxy group or an ethoxy group. Photosensitive resin composition.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 구성 단위(X1) 중에서 RX1~RX3 중 적어도 2개는 알콕시기이며, 상기 성분 X의 함유량은 수지 조성물의 용제를 제외한 성분의 합계에 대하여 0.1중량% 이상이며, 상기 구성 단위(X1)의 RX1~RX3 중 적어도 2개는 메톡시기 또는 에톡시기인 것을 특징으로 하는 포지티브형 감광성 수지 조성물.
3. The method according to claim 1 or 2,
At least 2 of R <X1> -R <X3> is an alkoxy group in the said structural unit (X1), and content of the said component X is 0.1 weight% or more with respect to the sum total of the component except the solvent of a resin composition, The said structural unit (X1) At least two of R <X1> -R <X3> is a methoxy group or an ethoxy group, The positive photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
(1) 제 1 항에 기재된 포지티브형 감광성 수지 조성물을 기판 상에 도포하는 공정,
(2) 도포된 감광성 수지 조성물로부터 용제를 제거하는 공정,
(3) 용제가 제거된 감광성 수지 조성물을 활성광선에 의해 노광하는 공정,
(4) 노광된 감광성 수지 조성물을 수성 현상액에 의해 현상하는 공정, 및
(5) 현상된 감광성 수지 조성물을 열경화하는 포스트 베이킹 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
(1) Process of apply | coating positive type photosensitive resin composition of Claim 1 on board | substrate,
(2) removing the solvent from the applied photosensitive resin composition,
(3) Process of exposing photosensitive resin composition from which solvent was removed by actinic light,
(4) process of developing exposed photosensitive resin composition with aqueous developing solution, and
(5) The post-baking process of thermosetting the developed photosensitive resin composition, The formation method of the cured film characterized by the above-mentioned.
제 13 항에 있어서,
상기 현상 공정 후 상기 포스트 베이킹 공정 전에 현상된 감광성 수지 조성물을 전면 노광하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
The method of claim 13,
And a step of exposing the entire surface of the photosensitive resin composition developed after the developing step and before the post-baking step.
제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
(6) 열경화해서 얻어진 경화막을 갖는 기판에 대하여 드라이 에칭을 행하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 경화막의 형성 방법.
The method according to claim 13 or 14,
(6) The method of forming a cured film, further comprising the step of performing dry etching with respect to the board | substrate which has a cured film obtained by thermosetting.
제 13 항에 기재된 경화막의 형성 방법에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 경화막.It was formed by the formation method of the cured film of Claim 13, The cured film characterized by the above-mentioned. 제 16 항에 있어서,
층간 절연막인 것을 특징으로 하는 경화막.
17. The method of claim 16,
It is an interlayer insulation film, The cured film characterized by the above-mentioned.
제 16 항에 기재된 경화막을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 표시 장치. The cured film of Claim 16 is provided, The organic electroluminescence display characterized by the above-mentioned. 제 16 항에 기재된 경화막을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
The cured film of Claim 16 is provided, The liquid crystal display device characterized by the above-mentioned.
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