KR20130047025A - 초소수성 표면 형성을 통한 물에 젖지 않는 전자소자의 제작 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 초소수성 표면의 형성을 통해 물에 젖지 않는 전자소자를 제작함으로써 수분에 취약한 다양한 전자소자의 문제점을 해결하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면 전자소자 표면에 산화아연 나노구조를 성장시키고 나노 구조표면에 스테아르산을 처리함으로써 전자소자에 초소수성 표면을 형성할 수 있다. 형성된 초소수성 표면으로 인해 전자소자가 물에 젖지 않는 특성을 갖게 되고, 이에 의해 물방울이 표면에 있어도 전자소자가 오작동하지 않는 방수 특성을 나타낼 수 있게 된다.

Description

초소수성 표면 형성을 통한 물에 젖지 않는 전자소자의 제작 방법{METHOD FOR FABRICATING UNWETTING ELECTRO-DEVICES BY FORMATION OF SUPERHYDROPHOBIC SURFACE THEREON}

본 발명은 반도체 소자 같은 전자소자에 초소수성 표면을 형성함으로써 물에 젖지 않는 전자소자를 제작하는 것에 관련된다.

현대사회의 필수품인 다양한 전자제품의 공통적인 단점은 물에 취약하다는 것이다. 전자제품이 비를 맞거나 물에 빠지면 그 내부에 있는 전자소자의 회로가 합선돼 오작동을 일으키거나 손상되기 쉽기 때문이다. 따라서 전자업계를 중심으로 전자제품에 대하여 고성능 방수처리를 위한 기술개발이 경쟁적으로 이루어지고 있다.

물에 의한 합선을 막기 위한 노력으로, 일반적으로 반도체 소자를 제작한 후 이를 절연체로 밀봉하는 패키징(packaging) 과정을 거치지만, 패키징에 의해 밀봉되지 못하는 소자 부분과 소자와 패널 사이의 접합부 및 각 소자를 연결하는 전극 배선은 수분으로부터 보호받지 못한다. 일부 휴대용 전자기기는 수분과의 접촉을 미연에 방지하고자 전자기기 자체를 밀봉하는 방법을 사용하고 있으나 특정 분야의 기기에 국한되어 있으며, 밀봉시키는 방법 혹은 재료의 한계 때문에 유연성 소자 혹은 투명 소자 등의 차세대 소자에 응용하기에는 어려움이 있다.

한편, 나노급 크기의 제작기술의 발달로 인하여 나노급 크기의 생체모사가 가능하게 되면서, 나노기술을 통한 생체모사 기술의 구현이 큰 각광을 받고 있다. 그 중에서도 연잎 표면을 모방하는 초소수성 표면은 각종 산업분야에 큰 활용 가치를 가지기 때문에 이를 구현하기 위한 많은 연구들이 진행되어 왔다. 초소수성 표면의 원리가 되는 소위 “연잎 효과”는 마이크로 돌기를 통해 표면의 거칠기를 증가시키고, 왁스물질의 코팅을 통해 물과의 접촉면적을 줄여 표면이 물에 젖지 않게 만드는 현상이다. 물의 접촉각(contact angle)이 150°보다 크게 되어 물이 부착되지 않거나 약하게 부착되는 초소수성 표면은 일반적으로 높은 표면 거칠기 및 물과 반발하는 화학적 코팅의 조합을 통해 획득된다.

지금까지 초소수성 표면을 만드는데 필요한 나노구조를 제작하는 과정들은 고온, 고진공 등 고가의 장비와 가혹한 성장조건을 요구하기 때문에 비경제적이며 비효율적이라고 평가되어 왔다. 또한, 기존 연구를 통해 제시된 나노구조를 기반으로 제작된 표면의 응용은 초소수성 표면을 통한 자가세정에 한정되어 왔다.

본 발명은 물에 취약한 다양한 전자소자의 문제점을 해결하기 위해서, 초소수성 나노구조를 이용하여 물에 젖지 않는 전자소자를 제작하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 또한 유연성 및/또는 투명성 전자소자 같은 차세대 전자소자에 적용할 수 있는 방수성 표면을 형성하는 것을 제공한다.

본 발명은 전자소자의 수분에 의한 합선 같은 문제를 방지하기 위해 전자소자의 표면을 초수성 특성을 가지는 표면이 되게 처리하는 것이다. 본 발명자는 박막 트랜지스터, 저항 메모리소자 같은 전자소자의 표면에 간단하게 초소수성 표면을 형성함으로써 전자소자에 방수 특성을 부여할 수 있음을 알아냈다.

상기 전자소자는 박막 트랜지스터, 저항 메모리 소자를 포함하지만 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 본 발명은 전자기기의 기판에 위치한 논리소자 및 기억소자를 포함한 전극배선 등 방수성 제공이 바람직한 일련의 전자소자 부품에 적용할 수 있다.

방수성을 위한 초소수성 표면을 형성시키기 위해, 본 발명은 전자소자의 표면에 나노구조를 형성하는 것을 포함한다. 통상적으로, 전자소자의 표면에는 나노미터 크기의 굴곡이 존재하는데, 이러한 표면 상에 나노구조를 갖도록 물리적 특성을 부여할 경우 연잎 효과의 모방이 가능해진다. 연잎 효과의 모방에 의한 초소수성 표면의 형성은 나노구조에 의한 물리적 특성과 화학적 특성이 조합될 때 보다 용이하게 수행될 수 있다. 따라서 본 발명은 전자소자의 표면에 나노구조를 형성한 후 화학적 특성을 부여하기 위해 이를 지방산으로 처리하는 것을 포함한다. 대안적으로, 상기 지방산 대신에, SAM(self-assembled monolayer) 물질로 처리될 수 있다.

상기 나노구조는 바람직하게는 나노섬유이고, 상기 나노섬유는 나노와이어, 나노튜브, 또는 나노막대일 수 있다. 이와 같은 다양한 나노섬유의 형성 방법은 기상법, 용액법 등과 같이 본 발명이 속하는 기술분야에서 잘 알려져 있으므로, 여기서 자세한 설명은 생략한다. 다만, 나노섬유를 형성하는 방법에 따라 적용 가능한 전자소자의 종류가 달라질 수 있다. 예를 들어 열에 약한 유기소자의 표면에는 고온 증발법에 의한 나노섬유의 형성이 용이하지 않을 것이므로, 저온 합성법을 통한 나노섬유의 형성이 바람직할 것이다. 저온 합성법에 관한 자세한 사항은 예컨대 대한민국 공개특허 제2007-0094292호에서 설명되고, 상기 문헌은 여기에 참조로서 통합된다.

상기 나노섬유는 C, Si, Ge, GaN, GaAs, GaP, InP, InAs, ZnS, AnSe, CdS, CdSe, WO₃, TiO₂, ZnO, MgO, SiO₂, CdO, SiC, B₄C 및 Si₃N₄로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 성분을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 나노섬유의 상기 구성성분들은 나노섬유의 형성 방법이나 나노섬유가 표면에 형성될 전자소자의 특성에 따라 달라질 수 있다.

본 발명에 있어서, 상기 나노구조는 산화아연으로 이루어진 것이 특히 바람직하다. 산화아연은 나노구조의 합성이 비교적 용이하며, 저온에서 합성할 수 있고 대면적화가 용이하다. 산화아연 나노구조는 또한 저항변화특성을 나타낸다. 상기 산화아연 나노구조와의 결합력과 초소수성 표면 특성을 위해, 상기 지방산은 탄소수 18의 포화고급지방산인, 분자식이 CH₃(CH₂)₁₆COOH인 스테아르산인 것이 바람직하다. 스테아르산의 처리는 나노구조가 성장된 전자소자를 스테아르산이 소정 농도(예컨대 5 mM 이상)로 용해된 에탄올 같은 유기용매에 일정 시간 담지함으로써 간단하게 수행될 수 있다.

본 발명에 있어서, 바람직하게는 산화아연 나노섬유, 좀더 바람직하게는 산화아연 나노와이어인 상기 나노구조는 전자소자의 각 부품을 씨앗 층으로 하여 직접적으로 성장될 수 있다. 선택적으로, 상기 나노구조의 바람직한 수직 배향성 성장을 위해, 전자소자의 표면에는 나노구조의 형성 전에 나노미터 단위 두께의 씨앗 층이 형성될 수 있다. 상기 씨앗 층의 형성은 본 발명이 속하는 기술분야에서 사용되는, 예컨대 화학증착법, 스퍼터링법, 증발법, 졸-겔(sol-gel)법 등의 방법에 의해 수행될 수 있다. 상기 버퍼층의 구성물질은 Zn, Ag, ZnO, GaN, SiC 또는 TiN으로부터 선택될 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 바람직하게는 상기 씨앗 층은 산화아연 박막 또는 알루미늄 도핑된 산화아연 박막이다.

본 발명의 일 측면에 있어서, 전술한 방법에 따라 형성된 초소수성 표면을 가진 방수성 전자소자를 제공한다. 상기 전자소자는 패키징에 의한 방수처리가 용이하지 않은 유연성 전자소자 및/또는 투명성 전자소자일 수 있다. 상기 초소수성 표면은 전자소자의 유연성과 투명도를 저하시키지 않으면서도 전자소자에 방수성을 부여할 수 있기 때문이다.

본 발명에 따르면 다양한 전자소자에 간단하게 방수성 제공을 위한 초소수성 표면을 형성할 수 있다. 이렇게 형성된 표면은 수분과 전자소자의 내부 부품 사이의 직접적인 접촉을 차단함으로써 회로의 합선 등의 오작동을 막을 뿐 아니라, 수분을 표면 밖으로 밀어내는 역할을 함으로써 수분에 취약한 전자소자의 문제점을 해결할 수 있다.

도 1a는 유리기판 위에 제작된 박막 트랜지스터 전자소자의 표면을 초소수성으로 처리한 시편과 처리되지 않은 시편의 사진 및 각 구조의 모식도를 비교하여 보여주며, 도 1b는 각 구조에서의 전기적 특성을 도시한다.
도 2는 초소수성 처리된 산화아연 저항변화소자의 제작 및 분석 과정을 도시한다.
도 3a는 산화아연 나노막대와 박막을 기반으로 한 저항변화소자의 모식도이고, 도 3b는 상기 소자의 표면에 존재하는 나노막대의 SEM 이미지이다.
도 4a는 지방산 처리된 산화아연 나노와이어 유리기판과 처리되지 않은 유리기판의 접촉각을 보여주며 도 4b는 물방울과 유리기판 사이에 접촉 형태를 도시한다. 표면 처리가 된 유리기판 위에서는 접촉각이 159° 이상의 초소수 특성을 나타낸다.
도 5a는 일반적인 산화아연 박막에서 나타나는 저항변화소자 특성을 나타내고, 도 5b는 초소수성 표면 처리를 한 저항변화소자에 물방울을 가했을 때 나타나는 저항변화 특성을 나타내고. 도 5c는 저항변화소자의 표면이 처리되기 전과 후에 나타나는 전기 주형(electroforming) 과정을 비교한다.
도 6a는 초소수성 처리를 한 저항변화소자 위에서 보이는 물방울의 움직임을 도시하고, 도 6b및 6c는 표면처리를 통해 나타나는 저항변화 특성의 수분 저항성을 표현하고, 도 6d 내지 6f는 표면처리가 되지 않은 저항변화소자가 수분에 의해 망가지는 과정을 도시한다.
도 7a는 PET 기판 위에 제작된 저항변화소자의 유연성 특성을 나타내며, 소자가 특정 곡률을 넘어 휘어질 때 나타나는 소자의 파열을 나타내는 SEM 이미지이고, 도 7b는 투명 기판 위에 제작된 저항변화소자의 투명성 특성을 나타낸다.

본 발명의 이점, 특징 그리고 그것들을 구현하는 것은 상세하게 후술되고 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 하기 실시예는 당해 기술분야의 통상을 지식을 가진 자가 본 발명을 이해하고 용이하게 실시하기 위해 본 발명의 바람직한 실시형태를 예시하기 위한 것이지, 본 발명을 제한하는 것으로서 해석되어서는 안 된다. 통상의 기술자는 본 발명의 사상과 목적 범위 내에서 다양한 변경과 수정이 가능함을 인식할 것이다.

실시예 1: 전자소자 구조와 초소수성 표면 처리 기술의 융합

간단한 트랜지스터 소자 구조에 초소수성 표면 처리를 통해 방수 특성을 부여하였다. 이를 위해, 투명한 소다라임 글라스 기판 위에 RF 스퍼터링을 이용하여 150 W, 8 mtorr, 실온에서 5분 동안 트랜지스터의 반도체 층으로 사용되는 산화아연 박막을 30-40 nm 두께로 성장시켰다. 트랜지스터의 소스와 드레인 전극으로 사용되는 금 전극을 쉐도우 마스크와 고온 증발법(thermal evaporation)을 통해 패터닝 시켰다.

트랜지스터 구조가 형성된 글라스 기판을 10 mM Zn(NO₃)₂·6H₂O (순도 98%) 수용액과 농도 28%의 1 ml 암모니아 수용액을 혼합시킨 용액에 95℃ 온도로 12시간 동안 담지하였다. 산화아연 나노와이어의 성장 후, 기판을 탈이온수로 헹구고, N₂ 블로우(blow)로 건조하였다. 나노와이어가 형성된 표면을 스테아르산으로 코팅하기 위해 상기 기판을 5 mM 스테아르산 100 ml 에탄올 용액에 24시간 동안 담지하였다. 스테아르산 분자의 머리부에 있는 작용기인 카르복시산의 COO^-는 산화아연 나노와이어의 표면 아연 금속 원자와 화학적으로 강한 결합을 형성하게 된다. 스테아르산이 산화아연 나노와이어에 코팅되면 스테아르산의 말단기인 알킬부가 표면으로 노출이 된다. 따라서 물방울은 나노와이어 끝에 서있는 듯한 형상을 보이며 초소수성 표면이 된다.

도 1은 글라스 기판에 형성된 트랜지스터 구조와 초소수 특성 그리고 방수 특성을 나타낸다. 도 1a에 나타난 바와 같이, 표면 처리가 되지 않은 경우(아래쪽)에는 물방울이 표면에 닿는 순간 퍼져버리는데 반해, 산화아연 나노와이어를 성장시키고 표면 처리를 한 경우(위쪽) 물방울이 구형을 이루는 것을 확인할 수 있다. 표면 처리가 된 경우 산화아연 나노와이어에 의해 물방울과 트랜지스터 구조 사이에 직접적인 접촉을 방지됨으로써 소스와 드레인 전극 사이에 흐르는 누설전류가 물방울을 가하기 전과 같이 노이즈 특성을 나타내는데 비해, 표면 처리가 되지 않은 경우 물방울이 전극을 덮으며 퍼지면서 물을 따라 전류가 흐르는 전형적인 물에 의한 합성 특성을 나타냈다 (도 1b 참조). 즉, 간단한 표면처리를 통해 표면에 드러난 전자 소자의 구조가 물에 의한 합선으로부터 보호됨을 확인하였다.

실시예 2: 초소수성 표면 처리를 통한 차세대 메모리 소자의 방수 특성

산화아연 나노와이어 구조의 초소수 특성을 차세대 메모리 소자인 저항변화소자에 적용하였다. 도 2는 본 발명에 따라 제작한 방수성 저항변화소자의 제조 과정을 도시한다. 투명하면서 유연한 PET에 인듐 도핑된 산화주석(이하 “ITO”라고 함) 투명 전극이 코팅된 기판(면저항 60 Ω/cm², Aldrich)을 사용하였다. RF 스퍼터링을 이용해 저항변화물질이자 나노와이어 형성의 씨앗 층으로 사용되는 산화아연 박막을 증착하고, 전극이자 나노와이어 형성의 씨앗 층으로 사용되는 알루미늄 도핑된 산화아연(이하 “AZO”라고 함)을 쉐도우 마스크와 RF 스퍼터링을 이용해 패터닝 시켰다. 소자 구조가 형성된 PET 기판에 상기의 산화아연 나노와이어 형성과 스테아르산 담지법과 같은 방법으로 표면 처리를 하였다.

도 3은 저항변화소자의 특성 평가 방법과 형성된 표면 구조를 나타낸다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 제작된 저항변화소자의 아래쪽 전극인 ITO와 위쪽 전극인 AZO를 프로브 스테이션(E5270A, Agilent inc.)에 연결된 백금 전극과 연결하여 전압을 인가함으로써 저항변화 특성을 평가한다. 방수 특성을 평가하기 위해 저항변화 특성을 평가하는 동시에 물방울을 떨어뜨려 전기적인 성능이 하락하는 특성을 평가한다. 스테아르산으로 코팅된 산화아연 나노와이어 기판들의 표면 구조를 전계방출 전자주사현미경(FESEM; JEOL, Model JSM 330F)을 통해 관찰하였다.

도 3b에 나타나듯이 나노와이어는 약 300 nm의 길이 및 약 50 nm 범위의 직경을 가졌다. 나노와이어의 길이가 길어지면 초소수 특성은 향상되지만 나노와이어에 의해 빛이 산란되어 투명도가 감소한다. 따라서 투명도 향상을 위해 적정 길이인 300 nm를 가지는 나노와이어를 합성하였다.

도 4는 초소수성으로 표면 처리된 저항변화소자 표면에 위치하는 물방울의 형태와 접촉각을 나타낸다. 물 접촉각(CA)은 대기압 조건의 접촉각 시스템(Kruss, Model DSA-10)에 의해 탈이온수 5 μl로 측정하였다. 표면 처리가 되지 않은 저항변화소자의 산화아연 박막의 경우 약 30°의 친수특성을 나타내는데 (도 4a의 우측 그림 참조), 이것은 표면의 히드록시 작용기로 인한 것이다. 산화아연과 AZO 전극 위에 산화아연 나노와이어를 성장시키고 스테아르산을 코팅하게 되면, 표면 부착력을 줄여 접촉각 159°의 초소수성을 나타낸다 (도 4a의 좌측 그림 참조). 스테아르산이 산화아연 표면에 흡착하게 되면 스테아르산 분자의 말단기인 알킬부가 표면에 노출이 되고, 말단기인 알킬부는 표면에너지가 낮기 때문에 물과 나노와이어 표면의 부착력이 줄어들어 물이 나노와이어 사이로 침투하기 어려워진다. 상기 원리에 의해 물방울은 구형으로 나노와이어 표면에 형성되고, 도 4b에 도시된 바와 같이 전극을 비롯한 전기적으로 저항이 변하는 구동과 관련한 전자부품과 물방울 간의 직접적인 접촉을 막아줌으로써 합선을 방지할 수 있다.

도 5는 저항변화 특성을 도시한다. 도 5a는 일반적인 산화아연 박막의 저항변화 특성이다. 박막의 양쪽 전극에 전압이 가해지면 약 1.5 V의 전압에서 흐르는 전류의 양이 급격히 증가하는 모습이 관찰된다 (빨간색 라인). 본 과정을 세트(set) 과정이라 정의하며, 이 과정을 통해 박막은 저항이 낮은 저저항 상태(이하 “LRS”라고 함)로 변화한다. LRS인 박막에 다시 한번 전압을 인가하면 약 0.5 V의 전압에서 흐르는 전류의 양이 급격히 감소하는 모습이 관찰된다 (검은색 라인). 본 과정을 리세트(reset) 과정이라 정의하며, 이 과정을 통해 박막은 저항이 높은 고저항 상태(이하 “HRS”라고 함)로 변화한다. 전압을 인가함에 따라 특정 저항변화물질의 저항이 LRS에서 HRS로 가역적으로 변화하는 특성을 일반적으로 저항변화특성이라 명명한다.

전형적인 저항변화 특성을 보이는 소자에 물방울을 떨어뜨리면서 특성을 연속적으로 측정하면, 초소수 특성을 띠는 표면에서 물방울이 튀어나가는 모습을 보이며, 이 때 저항변화 특성이 변하지 않는 모습을 보인다 (도 5b). 그러나 표면 처리가 되지 않은 저항변화소자에 물방울을 떨어뜨리고 저항변화 특성을 관찰하면, 전압이 인가됨에 따라 전류가 급격하게 증가하는 세트 과정이 나타나지 않고 물을 따라 누설전류가 흐르는 특성을 나타낸다 (도 5c).

표면 처리에 따른 저항변화소자의 방수 특성을 평가하기 위해 세트/리세트 과정을 여러 번 반복하며 물방울을 위치시켰다. 도 6a에 나타나는 바와 같이 표면에 물을 떨어뜨리면 표면의 초소수 특성에 의해 물방울이 튕겨져 나간다. 따라서 정상적으로 작동하는 저항변화소자에 물방울을 조심스럽게 내려놓고 저항변화 특성을 평가했다 (도 6b 및 6c). 그 결과 약 100여 회 저항이 변화는 과정에서 물방울의 존재 여부에 그 특성이 영향을 받지 않는 방수 특성이 나타남을 확인하였다. 이해 반해 도 6d, 6e 그리고 6f에 나타난 바와 같이, 표면 처리가 되지 않은 경우 물방울이 한 방울만 존재하더라도 특성이 저하되고 이내 소자가 망가지는 모습을 확인할 수 있었다. 이는 저항변화에 필요한 전압 혹은 전류와 같은 전기적 신호가 소자를 통하지 않고 물을 통해 누설되기 때문이다.

실시예 3: 방수 특성의 유연 소자 및 투명 소자에의 응용

상기 소자는 유연한 PET 기판 위에 형성됨으로써 전술한 저항변화 특성 및 방수 특성을 가질 뿐만 아니라 유연성을 가진다. 도 7a에 나타난 바와 같이 실린더 형태의 틀에 소자를 휘어서 얹고 특성을 평가한 결과 곡률이 15 mm에 달할 때까지 그 특성이 유지됨을 확인하였다. 소자가 일정 수준 이상의 곡률로 휘어질 경우, 도 7a 아래쪽 SEM 이미지에서 나타나는 바와 같이, 박막과 기판 사이의 접합이 떨어지면서 전류가 흐르지 않는 모습을 나타낸다. 그러나 소자가 망가지는 상황에서도 나노와이어 구조는 유지되기 때문에 표면의 초소수 특성은 유지되며 물방울은 구형을 띄는 것으로 관찰되었다. 즉, 초소수성 표면에 의해 방수 특성은 유연 소자 위에도 적용됨을 확인하였다.

도 7b에 나타나는 바와 같이 상기 소자는 투명성을 가진다. 이는 투명한 PET 기판 위에 투명 전극인 ITO와 AZO를 사용하였고 저항변화물질과 나노와이어로 사용된 산화아연 역시 투명하기 때문이다. 상기 소자에 실온의 대기 조건에서 UV에서 가시광선까지 해당하는 파장의 빛을 표면에 조사하여 빛의 양을 검출기를 통해 투명성을 확인하였다. 입사된 빛의 각도는 12°이며, 거울반사모드(specular reflection mode)를 통해 관측하였다. 도 7b의 그래프에 나타나는 바와 같이 기판으로 사용된 ITO/PET에 비해 상기 소자의 투명도가 더 높음을 알 수 있는데, 이는 나노와이어의 본연의 구조적 특징인 표면 거칠기를 통해 유리표면에서 일어나는 빛의 반사를 막음으로써 나타나는 결과이다. 도 7b의 사진에 나타나는 바와 같이 본 소자는 소자 뒷면의 글씨를 읽을 수 있는 투명성을 가지는 동시에, 물방울이 구형을 이루는 초소수 특성을 나타낸다. 즉, 초소수성 표면을 이용하여 투명 소자에 방수 특성의 적용 가능성을 확인하였다.

특정한 예시적인 실시예를 참조하여 본 발명을 설명하였지만, 본 발명은 실시예에 의해 제한되는 것이 아니라 오직 특허청구범위에 의해 제한된다. 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 범위 및 사상을 이탈함이 없이 전술한 실시예들을 변경하거나 수정할 수 있다고 인식되어야 한다.

Claims (8)

1. 방수성 전자소자를 제작하는 방법으로서,
   전자소자의 표면에 나노구조를 형성하고 지방산 또는 SAM 물질을 처리하는 것을 포함하는 방수성 전자소자 제작 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 나노구조는 산화아연으로 이루어지고 상기 지방산은 스테아르산인 방수성 전자소자 제작 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 나노구조는 나노와이어, 나노튜브 또는 나노막대로부터 선택된 나노섬유인 방수성 전자소자 제작 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 나노구조는 C, Si, Ge, GaN, GaAs, GaP, InP, InAs, ZnS, AnSe, CdS, CdSe, WO₃, TiO2, ZnO, MgO, SiO₂, CdO, SiC, B₄C 및 Si₃N₄로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 성분을 포함하는 나노섬유인 방수성 전자소자 제작 방법.
5. 제2항에 있어서, 상기 나노구조를 형성하기 전에 상기 전자소자의 표면에 산화아연 박막 또는 알루미늄 도핑된 산화아연 박막을 형성시키는 것을 포함하는 방수성 전자소자 제작 방법.
6. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 방법에 따라 형성된 초소수성 표면을 가진 방수성 전자소자.
7. 제6항에 있어서, 상기 전자소자는 유연성 전자소자 및/또는 투명성 전자소자인 방수성 전자소자.
8. 제6항에 있어서, 상기 전자소자는 트랜지스터, 메모리소자, 저항변화소자, 또는 전극배선인 방수성 전자소자.

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