KR20130041619A - 내부 전압 생성 회로 및 내부 전압 생성 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims abstract description 68
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 5
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 102000012677 DET1 Human genes 0.000 description 9
- 101150113651 DET1 gene Proteins 0.000 description 9
- 101150066284 DET2 gene Proteins 0.000 description 8
- 101100484492 Arabidopsis thaliana VHA-C gene Proteins 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229920006227 ethylene-grafted-maleic anhydride Polymers 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
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- H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
- H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
- H02M3/04—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
- H02M3/10—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
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Abstract
내부 전압 생성 회로는 서브 전압 생성부, 감지부, 펌핑 제어 신호 생성부 및 펌프부를 포함한다. 상기 서브 전압 생성부는 내부 전압의 타겟 레벨을 인가 받고, 상기 타겟 레벨을 소정 간격으로 분배하여 제 1 서브 전압 및 제 2 서브 전압을 출력한다. 상기 감지부는 내부 전압을 피드백하여 상기 제 1 서브 전압 및 제 2 서브 전압과 각각 비교하고, 그 결과에 따라 제 1 감지 신호 및 제 2 감지 신호를 생성한다. 상기 펌핑 제어 신호 생성부는 상기 제 1 감지 신호 및 상기 제 2 감지 신호의 활성화 여부에 따라, 그에 대응되는 제 1 펌핑 제어 신호 및 제 2 펌핑 제어 신호를 생성한다. 상기 펌프부는 상기 제 1 펌핑 제어 신호 및 제 2 펌핑 제어 신호를 인가 받아 내부 전압을 생성한다.
Description
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 내부 전압 생성 회로 및 내부 전압 생성 방법에 관한 발명이다.
반도체 장치는 안정적인 동작을 위해 외부 전압으로부터 다양한 내부 전압(VPP, VBB, VCORE 등)을 생성하는 회로를 구비한다. 이때 상기 내부 전압은 차지 펌핑(charge pumping)방식 또는 다운 컨버팅(down converting)방식으로 생성된다. 상기 차지 펌핑 방식은 승압 전압(VPP) 또는 백바이어스 전압(VBB) 등을 생성하는 데에 사용되고, 상기 다운 컨버팅 방식은 외부 전압 레벨보다 낮은 레벨의 내부 전압인 코어 전압(VCORE)등을 생성하는 데에 사용된다.
도 1a은 종래의 차지 펌핑 방식에 따른 내부 전압 생성 회로의 회로도이다.
상기 도 1a는 종래 내부 전압 생성 회로의 일 예로서, 복수개의 펌프를 제어하여 내부 전압을 생성하는 것을 특징으로 한다.
상기 내부 전압 생성 회로는 내부 전압 감지부(20), 펌핑 제어 신호 생성부(30) 및 펌프부(40)를 포함한다.
상기 내부 전압 감지부(20)는 피드백된 내부 전압(VINT) 레벨이 타겟 레벨인 기준 전압(VREF) 레벨 보다 낮은 경우 감지 신호(DET)를 활성화시킨다. 펌핑 제어 신호 생성부(30)는 상기 감지 신호(DET)가 활성화된 경우, 오실레이터(31)를 통해 오실레이팅 신호(OSC)를 생성한다. 그리고, 제 1 내지 제 3 플립플롭(32_1, 32_2, 32_3)을 이용하여 상기 오실레이팅 신호(OSC)를 클럭 단위로 지연하여 제 1 내지 제 3 펌핑 제어 신호(PU_CTRL1, PU_CTRL2, PU_CTRL3)를 생성한다. 상기 제 1 내지 제 3 펌핑 제어 신호(PU_CTRL1, PU_CTRL2, PU_CTRL3)는 각각 펌프부(40)의 제 1 내지 제 3 펌프(41, 42, 43)를 제어 한다.
즉, 상기 종래 기술은 복수개의 펌프를 두어 내부 전압을 생성함에 있어, 초기에 제 1 펌프(41)를 구동하였으나 이로써 타겟 레벨이 회복되지 못한 경우, 소정 시간 간격을 두고 제 2 펌프(42)를 구동시키는 방식을 사용하고 있다. 또한, 상기 제 2 펌프(42)의 구동으로도 타겟 레벨이 회복되지 못한 경우 제 3 펌프(43)를 구동시키도록 하고 있다.
도 1b는 상기 종래 기술에 따른 내부 전압 생성 회로의 파형도이다.
반도체 장치가 구동되어 전류가 소모되는 경우 내부 전압(VINT)이 기준 전압(VREF) 아래로 떨어지고, 이때 감지 신호(DET)는 활성화되고 있다. 초기에는 제 1 펌핑 제어 신호(PU_CTRL1)만 활성화되고, 상기 제 1 펌핑 제어 신호(PU_CTRL1)의 구동에도 내부 전압(VINT)이 타겟 레벨을 회복하지 못하자, 제 2 펌핑 제어 신호(PU_CTRL2)도 활성화되고 있다. 이후, 상기 제 2 펌핑 제어 신호(PU_CTRL2)의 구동에도 내부 전압(VINT)이 타겟 레벨을 회복하지 못하여 제 3 펌핑 제어 신호(PU_CTRL3)도 활성화되고 있다. 이로써 내부 전압(VINT)은 기준 전압(VREF)을 회복하고, 기준 전압(VREF)을 회복한 뒤에는 감지 신호(DET)가 비활성화되기 때문에 펌핑 동작도 멈추게 된다.
다만, 이와 같이 순차적으로 복수개의 펌프를 제어하여 내부 전압을 생성하는 방식은, 클럭의 주기가 지날 때마다 펌핑되는 전압량이 늘어나게 되어, 도 1b에서 나타나듯이 펌핑 전압의 변동(A 변동폭과 같음)이 커지게 된다. 이는 내부 전압 생성 회로의 전압 특성을 나쁘게 한다.
본 발명은 피드백된 내부 전압의 레벨에 따라 복수개 펌프의 구동을 제어함으로써 정교하게 내부 전압을 생성하는 내부 전압 생성 회로 및 내부 전압 생성 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 내부 전압 생성 회로는 내부 전압의 타겟 레벨을 인가 받고, 상기 타겟 레벨을 소정 간격으로 분배하여 제 1 서브 전압 및 제 2 서브 전압을 출력하는 서브 전압 생성부; 내부 전압을 피드백하여 상기 제 1 서브 전압 및 제 2 서브 전압과 각각 비교하고, 그 결과에 따라 제 1 감지 신호 및 제 2 감지 신호를 생성하는 감지부; 상기 제 1 감지 신호 및 상기 제 2 감지 신호의 활성화 여부에 따라, 그에 대응되는 제 1 펌핑 제어 신호 및 제 2 펌핑 제어 신호를 생성하는 펌핑 제어 신호 생성부; 및 상기 제 1 펌핑 제어 신호 및 제 2 펌핑 제어 신호를 인가 받아 내부 전압을 생성하는 펌프부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 내부 전압 생성 회로는 기준 전압으로부터 복수개의 서브 전압을 생성하는 서브 전압 생성부; 내부 전압을 피드백하여 상기 복수개의 서브 전압과 각각 비교하고, 그 결과에 따라 복수개의 감지 신호를 생성하는 감지부; 상기 감지 신호가 활성화된 구간 내에서 복수개의 펌핑 제어 신호 중 대응되는 펌핑 제어 신호를 활성화시키는 펌핑 제어 신호 생성부; 및 상기 복수개의 펌핑 제어 신호에 따라 내부 전압을 생성하는 펌프부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 내부 전압 생성 방법은 타겟 레벨을 소정 간격으로 제 1 구간, 제 2 구간 또는 제 3 구간으로 구분하는 단계; 피드백된 상기 내부 전압 레벨이 상기 제 1 구간, 상기 제 2 구간 또는 상기 제 3 구간 중 어느 구간에 해당하는지 판단하는 단계; 상기 내부 전압 레벨이 해당하는 구간에 따라 전압 펌핑양을 조절하여 상기 내부 전압을 생성하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의한 내부 전압 생성 회로는 내부 전압 레벨에 따라 전압 펌프량이 조절되기 때문에, 정교하고 안정적으로 타겟 레벨의 내부 전압을 생성할 수 있다.
도 1a은 종래의 내부 전압 생성 회로의 회로도,
도 1b는 도 1a의 종래 내부 전압 생성 회로의 동작에 따른 파형도,
도 2은 본 발명의 실시예에 따른 내부 전압 생성 회로의 회로도,
도 3는 도 2의 내부 전압 생성 회로의 보다 구체적인 실시예를 보여주는 회로도,
도 4는 도 2의 내부 전압 생성 회로의 동작에 따른 파형도이다.
도 1b는 도 1a의 종래 내부 전압 생성 회로의 동작에 따른 파형도,
도 2은 본 발명의 실시예에 따른 내부 전압 생성 회로의 회로도,
도 3는 도 2의 내부 전압 생성 회로의 보다 구체적인 실시예를 보여주는 회로도,
도 4는 도 2의 내부 전압 생성 회로의 동작에 따른 파형도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 내부 전압 생성 회로의 회로도이다.
상기 내부 전압 생성 회로는 서브 전압 생성부(100), 감지부(200), 펌핑 제어 신호 생성부(300) 및 펌프부(400)를 포함한다.
상기 서브 전압 생성부(100)는 기준 전압(VREF)을 인가 받고, 상기 기준 전압(VREF)을 미세하게 분배하여 제 1 내지 제 3 서브 전압(VREF1, VREF2, VREF3)으로 출력한다. 상기 기준 전압(VREF)은 본 발명의 실시예에 따른 내부 전압 생성 회로가 생성하는 내부 전압(VINT)의 타겟 레벨에 해당한다. 상기 기준 전압(VREF)은 외부로부터 패드를 통해 인가될 수도 있고, 아니면 내부의 기준 전압 발생기를 통해 생성되어 공급될 수도 있다.
상기 감지부(200)는 내부 전압(VINT)을 피드백하여 상기 제 1 내지 제 3 서브 전압(VREF1, VREF2, VREF3)과 각각 비교한다. 그리하여, 내부 전압(VINT)이 상기 제 1 서브 전압(VREF1)보다 낮은 경우 제 1 감지 신호(DET1)를 활성화시킨다. 마찬가지로, 내부 전압(VINT)이 상기 제 2 서브 전압(VREF2)보다 낮은 경우 제 2 감지 신호(DET2)를 활성화시키고, 내부 전압(VINT)이 상기 제 3 서브 전압(VREF3)보다 낮은 경우 제 3 감지 신호(DET3)를 활성화시킨다.
상기 펌핑 제어 신호 생성부(300)는 상기 제 1 내지 제 3 감지 신호(DET1, DET2, DET3)를 수신하여 각각에 대응되는 제 1 내지 제 3 펌핑 제어 신호(PU_CTRL1, PU_CTRL2, PU_CTRL3)를 생성한다. 이때, 상기 제 1 내지 제 3 감지 신호(DET1, DET2, DET3)가 활성화된 구간 동안에 대응되는 상기 제 1 내지 제 3 펌핑 제어 신호(PU_CTRL1, PU_CTRL2, PU_CTRL3)가 활성화되도록 제어된다.
상기 펌프부(400)는 복수개의 펌프를 포함하고 있고, 상기 제 1 내지 제 3 펌핑 제어 신호(PU_CTRL1, PU_CTRL2, PU_CTRL3)에 따라서 내부 전압(VINT)을 생성한다. 즉, 상기 제 1 내지 제 3 펌핑 제어 신호(PU_CTRL1, PU_CTRL2, PU_CTRL3)중 활성화된 신호에 대응하는 펌프만 인에이블 됨으로써 차지 펌프양을 조절하게 된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 현재 내부 전압(VINT) 레벨에 따라서 상기 펌프부(400)의 인에이블 되는 펌프수를 조절함으로써, 내부 전압(VINT)이 안정적으로 타겟 레벨, 즉 기준 전압(VREF) 레벨을 회복할 수 있다. 상기 서브 전압 생성부(100)는 현재 내부 전압(VINT)의 레벨을 판단하기 위하여 타겟 레벨을 미세한 구간으로 나누기 위한 구성으로 볼 수 있다. 즉, 기준 전압(VREF)을 제 1 내지 제 3 서브 전압(VREF1, VREF2, VREF3)으로 나눔으로써 기준 전압(VREF)으로부터 제 1 서브 전압(VREF1)까지의 구간, 제 1 서브 전압(VREF1)으로부터 제 2 서브 전압(VREF2)까지의 구간 및 제 2 서브 전압(VREF2)으로부터 제 3 서브 전압(VREF3)까지의 구간으로 나눌 수 있다. 상기 감지부(200)는 감지 신호(DET1, DET2, DET3)를 통해 내부 전압(VINT)이 상기 구간 중 어떤 구간에 해당하는지를 판단하는 구성으로 볼 수 있다.
상기와 같은 방식으로 내부 전압(VINT) 레벨이 판단된 이 후, 내부 전압(VINT) 레벨이 낮은 구간에 해당하는 경우에는 동시에 복수개의 펌프를 인에이블 시킴으로써 순간적으로 많은 양의 차지를 펌핑시키고, 내부 전압(VINT) 레벨이 그 보다 높은 구간에 해당하는 경우에는 그 보다 적은 숫자의 펌프를 인에이블 시킴으로써 상대적으로 적은 양의 차지를 펌핑시킨다. 이로써 안정적이고 정교하게 타겟 레벨의 내부 전압(VINT)을 생성할 수 있게 된다.
본 실시예에서는 상기 서브 전압 생성부(100)가 제 1 내지 제 3 서브 전압(VREF1, VREF2, VREF3)을 생성함으로써 3개의 구간으로 타겟 레벨을 구분하고 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 발명의 목적에 따라 더 많거나 적게 조절될 수 있다.
도 3은 도 2의 내부 전압 생성 회로의 보다 구체적인 실시예를 보여주는 회로도이다.
상기 서브 전압 생성부(100)는 제 1 및 제 2 저항(R1, R2) 및 정전류원(DC_current_sink)을 포함한다. 저항의 전압 분배 특성을 이용하여 기준 전압(VREF)의 레벨을 분배하는 것을 특징으로 한다. 기준 전압(VREF)에 제 1 저항(R1)과 제 2 저항(R2)을 직렬로 연결하고, 그 아래에 정전류원(DC_current_sink)을 연결한다. 기준 전압(VREF) 레벨을 그대로 제 1 서브 전압(VREF1)으로 출력하고, 상기 제 1 저항(R1)과 상기 제 2 저항(R2) 사이 노드의 전압 레벨을 제 2 서브 전압(VREF2)으로 출력하며, 상기 제 2 저항(R2)과 상기 정전류원(DC_current_sink) 사이 노드의 전압 레벨을 제 3 서브 전압(VREF3)으로 출력한다.
상기 감지부(200)는 제 1 내지 제 3 감지부(210, 220, 230)를 포함한다. 상기 제 1 감지부(210)는 내부 전압(VINT)을 제 1 서브 전압(VREF1)과 비교하여, 상기 내부 전압(VINT) 레벨이 제 1 서브 전압(VREF1) 레벨 보다 낮은 경우 활성화된 제 1 감지 신호(DET1)를 출력한다. 상기 제 2 감지부(220)는 내부 전압(VINT)을 제 2 서브 전압(VREF2)과 비교하여, 상기 내부 전압(VINT) 레벨이 제 2 서브 전압(VREF2) 레벨 보다 낮은 경우 활성화된 제 2 감지 신호(DET2)를 출력한다. 상기 제 3 감지부(230)는 내부 전압(VINT)을 제 3 서브 전압(VREF3)과 비교하여, 상기 내부 전압(VINT) 레벨이 제 3 서브 전압(VREF3) 레벨 보다 낮은 경우 활성화된 제 3 감지 신호(DET3)를 출력한다. 상기 제 1 내지 제 3 감지부(210, 220, 230)는 구체적으로 비교기, 즉, OP-AMP로써 구현될 수 있다.
상기 펌핑 제어 신호 생성부(300)는 제 1 내지 제 3 오실레이터(310, 320, 330)을 포함한다. 상기 제 1 오실레이터(310)는 상기 제 1 감지 신호(DET1)가 활성화된 구간에서 발진하며 활성화되는 제 1 펌핑 제어 신호(PU_CTRL1)를 생성한다. 상기 제 2 오실레이터(320)는 상기 제 2 감지 신호(DET2)가 활성화된 구간에서 발진하며 활성화되는 제 2 펌핑 제어 신호(PU_CTRL2)를 생성한다. 상기 제 3 오실레이터(330)는 상기 제 3 감지 신호(DET3)가 활성화된 구간에서 발진하며 활성화되는 제 3 펌핑 제어 신호(PU_CTRL3)를 생성한다. 상기 제 1 내지 제 3 오실레이터(310, 320, 330)의 구체적인 구성은 이미 당업자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.
상기 펌프부(400)는 제 1 내지 제 3 펌프(410, 420, 430)를 포함한다. 상기 제 1 펌프(410)는 상기 제 1 펌핑 제어 신호(PU_CTRL1)가 활성화되어 입력되는 경우 차지를 펌핑하여 내부 전압을 생성한다. 상기 제 2 펌프(420)는 상기 제 2 펌핑 제어 신호(PU_CTRL2)가 활성화되어 입력되는 경우 차지를 펌핑하여 내부 전압을 생성한다. 상기 제 3 펌프(430)는 상기 제 3 펌핑 제어 신호(PU_CTRL3)가 활성화되어 입력되는 경우 차지를 펌핑하여 내부 전압을 생성한다. 동시에 많은 수의 펌핑 제어 신호가 활성화된 경우 많은 양의 차지가 펌핑되기 때문에 내부 전압을 생성하는 속도도 빠르고, 적은 수의 펌핑 제어 신호가 활성화된 경우 적은 양의 차지가 펌핑되기 때문에 내부 전압을 생성하는 속도도 느리다. 상기 제 1 내지 제 3 펌프(410, 420, 430)의 구체적인 구성은 이미 당업자에게 자명하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 내부 전압 생성 회로의 동작에 따른 파형도이다.
반도체 장치가 동작하여 전류가 소모되는 경우 내부 전압의 레벨이 떨어질 수 있다. 도 4의 실시예에서는 내부 전압 레벨(VINT)이 제 3 서브 전압(VREF3) 레벨보다도 떨어졌기 때문에, 초기부터 X 시점까지의 구간에서는 제 1 내지 제 3 감지 신호(DET1, DET2, DET3)가 모두 활성화된다. 따라서 이 구간에서는 제 1 내지 제 3 펌핑 제어 신호(PU_CTRL1, PU_CTRL2, PU_CTRL3)가 모두 활성화되므로 빠른 속도로 내부 전압(VINT)을 생성하게 된다.
이후, 내부 전압(VINT)레벨이 제 3 서브 전압(VREF3)보다는 높지만 제 2 서브 전압(VREF2)레벨보다 낮은 경우, 즉 X 시점에서부터 Y 시점까지의 구간에서는 제 1 및 제 2 감지 신호(DET1, DET2)만 활성화된다. 따라서 이 구간에서는 제 1 및 제 2 펌핑 제어 신호(PU_CTRL1, PU_CTRL2)만 활성화되므로, 제 1 내지 제 3 펌핑 제어 신호(PU_CTRL1, PU_CTRL2, PU_CTRL3)가 모두 활성화된 경우보다 느리게 내부 전압(VINT)을 생성하게 된다.
이후, 내부 전압(VINT)레벨이 제 2 서브 전압(VREF2)보다는 높지만 제 1 서브 전압(VREF1)레벨보다 낮은 경우, 즉 Y 시점에서부터 Z 시점까지의 구간에서는 제 1 감지 신호(DET1)만 활성화된다. 따라서 이 구간에서는 제 1 펌핑 제어 신호(PU_CTRL1)만 활성화되므로, 제 1 및 제 2 펌핑 제어 신호(PU_CTRL1, PU_CTRL2)가 활성화된 경우보다 느리게 내부 전압(VINT)을 생성하게 된다.
상기와 같이 본 발명은 복수개의 펌프를 포함하는 내부 전압 생성회로로서, 현재 내부 전압의 레벨에 따라 상기 복수개의 펌프 동작을 제어할 수 있는 기술이다. 즉, 본 발명에 의하면 내부 전압 레벨을 감지하여 펌핑양을 조절함으로써, 정교하고 안정적으로 원하는 타겟 레벨의 내부 전압을 생성할 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100 : 서브 전압 생성부 200 : 감지부
300 : 펌핑 제어 신호 생성부 400 : 펌프부
300 : 펌핑 제어 신호 생성부 400 : 펌프부
Claims (12)
- 타겟 레벨을 소정 간격으로 제 1 구간, 제 2 구간 및 제 3 구간으로 구분하는 단계;
내부 전압 레벨이 상기 제 1 구간, 상기 제 2 구간 또는 상기 제 3 구간 중 어느 구간에 해당하는지 판단하는 단계;
상기 내부 전압 레벨이 해당하는 구간에 따라 전압 펌핑양을 조절하여 상기 내부 전압을 생성하는 단계를 포함하는 내부 전압 생성 방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 구간의 레벨은 상기 제 2 구간의 레벨보다 높고, 상기 제 2 구간의 레벨은 상기 제 3 구간의 레벨보다 높은 내부 전압 생성 방법. - 제 2 항에 있어서,
상기 판단 단계는,
상기 내부 전압 레벨이 상기 제 1 구간에 해당하는 경우 제 1 감지 신호를 활성화시키고, 상기 내부 전압 레벨이 상기 제 2 구간에 해당하는 경우 상기 제 1 감지 신호 및 제 2 감지 신호를 활성화시키며, 상기 내부 전압 레벨이 상기 제 3 구간에 해당하는 경우 상기 제 1 감지 신호, 상기 제 2 감지 신호 및 제 3 감지 신호를 활성화시키는 내부 전압 생성 방법. - 제 3 항에 있어서,
상기 생성 단계는,
상기 제 1 감지 신호가 활성화된 경우 제 1 펌프를 활성화시키고, 상기 제 2 감지 신호가 활성화된 경우 제 2 펌프를 활성화시키며, 상기 제 3 감지 신호가 활성화된 경우 제 3 펌프를 활성화시켜 내부 전압을 생성하는 내부 전압 생성 방법. - 타겟 레벨을 소정 간격으로 분배하여 제 1 서브 전압 및 제 2 서브 전압을 출력하는 서브 전압 생성부;
상기 내부 전압을 입력 받아 상기 제 1 서브 전압 및 제 2 서브 전압과 각각 비교하고, 그 결과에 따라 제 1 감지 신호 및 제 2 감지 신호를 생성하는 감지부;
상기 제 1 감지 신호 및 상기 제 2 감지 신호의 활성화 여부에 따라, 그에 대응되는 제 1 펌핑 제어 신호 및 제 2 펌핑 제어 신호를 생성하는 펌핑 제어 신호 생성부; 및
상기 제 1 펌핑 제어 신호 및 제 2 펌핑 제어 신호를 인가 받아 상기 내부 전압을 생성하는 펌프부를 포함하는 내부 전압 생성 회로. - 제 5 항에 있어서,
상기 감지부는,
상기 내부 전압 레벨이 상기 제 1 서브 전압보다 낮은 경우 상기 제 1 감지 신호를 활성화시키는 제 1 감지부; 및
상기 내부 전압 레벨이 상기 제 2 서브 전압보다 낮은 경우 상기 제 2 감지 신호를 활성화시키는 제 2 감지부를 포함하는 내부 전압 생성 회로. - 제 5 항에 있어서,
상기 펌핑 제어 신호 생성부는,
상기 제 1 감지 신호가 활성화된 구간 동안 오실레이팅 동작을 수행하여 상기 제 1 펌핑 제어 신호를 생성하는 제 1 오실레이터; 및
상기 제 2 감지 신호가 활성화된 구간 동안 오실레이팅 동작을 수행하여 상기 제 2 펌핑 제어 신호를 생성하는 제 2 오실레이터를 포함하는 내부 전압 생성 회로. - 기준 전압으로부터 복수개의 서브 전압을 생성하는 서브 전압 생성부;
내부 전압을 입력 받아 상기 복수개의 서브 전압과 각각 비교하고, 그 결과에 따라 복수개의 감지 신호를 생성하는 감지부;
상기 감지 신호가 활성화된 구간 내에서 복수개의 펌핑 제어 신호 중 대응되는 펌핑 제어 신호를 활성화시키는 펌핑 제어 신호 생성부; 및
상기 복수개의 펌핑 제어 신호에 따라 상기 내부 전압을 생성하는 펌프부를 포함하는 내부 전압 생성 회로. - 제 8 항에 있어서,
상기 서브 전압 생성부는,
복수개의 분배 저항을 이용해 상기 기준 전압 레벨을 소정 간격으로 분배하여 상기 복수개의 서브 전압을 생성하는 내부 전압 생성 회로. - 제 8 항에 있어서,
상기 감지부는,
상기 내부 전압 레벨이 비교되는 상기 서브 전압 레벨보다 낮은 경우 대응하는 상기 감지 신호를 활성화시키는 내부 전압 생성 회로. - 제 8 항에 있어서,
상기 내부 전압은 승압 전압인 내부 전압 생성 회로. - 제 8 항에 있어서,
상기 내부 전압은 백 바이어스 전압인 내부 전압 생성 회로.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110105996A KR20130041619A (ko) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | 내부 전압 생성 회로 및 내부 전압 생성 방법 |
US13/333,043 US20130093490A1 (en) | 2011-10-17 | 2011-12-21 | Internal voltage generation circuit and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110105996A KR20130041619A (ko) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | 내부 전압 생성 회로 및 내부 전압 생성 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20130041619A true KR20130041619A (ko) | 2013-04-25 |
Family
ID=48085594
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110105996A KR20130041619A (ko) | 2011-10-17 | 2011-10-17 | 내부 전압 생성 회로 및 내부 전압 생성 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130093490A1 (ko) |
KR (1) | KR20130041619A (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9337724B2 (en) * | 2013-11-19 | 2016-05-10 | Globalfoundries Inc. | Load sensing voltage charge pump system |
US20180315458A1 (en) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | Nanya Technology Corporation | Voltage system and method for operating the same |
US10250132B2 (en) * | 2017-06-09 | 2019-04-02 | Nanya Technology Corporation | Voltage system and operating method thereof |
FR3119499A1 (fr) | 2021-01-29 | 2022-08-05 | Stmicroelectronics (Rousset) Sas | Synchronisation d'un dispositif électronique |
FR3119500B1 (fr) * | 2021-01-29 | 2022-12-23 | St Microelectronics Rousset | Synchronisation d'un dispositif électronique |
-
2011
- 2011-10-17 KR KR1020110105996A patent/KR20130041619A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-12-21 US US13/333,043 patent/US20130093490A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130093490A1 (en) | 2013-04-18 |
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