KR20130036732A - 다이 본딩용 수지 페이스트, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 - Google Patents

다이 본딩용 수지 페이스트, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 저점착성, 저탄성율 및 접착 강도의 모든 것을 높은 수준으로 만족할 수 있는 다이 본딩층을 인쇄법에 따라 형성할 수 있는 다이 본딩용 수지 페이스트, 및 그것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 다이 본딩용 수지 페이스트는, 부타디엔 수지(A), 열경화성 성분(B), 필러(C), 고무상 필러(D), 및 25℃, 50%RH의 분위기 하에서 1시간 경과했을 때의 흡습율이 1% 미만인 용제(E)를 포함하고, 고무상 필러(D)의 함유량이, (A) 성분, (B) 성분 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여 5～28 질량%인 것을 특징으로 한다.

Description

다이 본딩용 수지 페이스트, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치{RESIN PASTE FOR DIE BONDING, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 다이 본딩용 수지 페이스트에 관한 것이며, 보다 상세하게는 IC, LSI 등의 반도체 소자와 리드 프레임이나 절연성 지지 기판 등의 지지 부재와 접합하는 접합 재료(다이 본딩재)로서 사용되는 다이 본딩용 수지 페이스트, 및 다이 본딩용 수지 페이스트를 사용한 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 반도체 소자와 리드 프레임이나 절연성 지지 기판 등의 지지 부재와 접합하는 접합 재료로서는, 종래부터, Au-Si 공정 합금(Eutectic Alloy), 땜납, 은페이스트 등이 알려져 있다. Au-Si 공정 합금은, 내열성 및 내습성은 높지만, 탄성율이 크기 때문에, 대형 칩에 적용한 경우에 균열이 생기기 쉽고, 고가인 난점이 있다. 또한, 땜납은, 염가이지만, 내열성이 뒤떨어지며, 그 탄성율은 Au-Si 공정 합금과 마찬가지로 높아, 대형 칩에 대하여 적용하기 곤란하다. 은페이스트는, 염가이며, 내습성이 높고, 탄성율은 이들 중에서는 가장 낮으며, 350℃의 열압착형 와이어 본더에 적용할 수 있는 내열성을 가지고 있으므로, 현재에도 다이 본딩재로서 널리 사용되고 있다. 그러나, 현재 IC나 LSI의 고집적화가 진행되고 있으며, 이에 따라 칩이 대형화되어 가는 추세여서, 은페이스트를 칩 전체면으로 확장하여 도포하는 것은 곤란하며, 또한 효율적이라고 할 수 없다.
전술한 것 이외의 다이 본딩재로서는, 다이 본딩용 접착 필름이 있다. 예를 들면, 하기 특허 문헌 1～3에는, 특정 폴리이미드 수지를 사용한 접착 필름, 특정 폴리이미드 수지에 도전성 필러나 무기 필러를 가한 다이 본딩용 접착 필름 등에 대하여 제안하고 있다. 이들 다이 본딩용 접착 필름은, 지지 기판 상에 비교적 용이하게 다이 본딩층을 형성할 수 있고, 특히, 42 앨로이 리드 프레임에 대하여 바람직하게 사용할 수 있고, 비교적 저온에서 접착할 수 있으며, 및 열시(熱時) 접착력이 우수한 등의 이점을 가지고 있다.
그러나, 접착 필름을 사용하여 반도체 장치를 제조하는 경우, 미리 칩 사이즈로 잘라낸(또는 타발(打拔)한) 접착 필름을 지지 기판 등에 부착하기 위한 부착 장치가 필요하게 된다. 또한, 접착 필름은, 잘라낼 때 또는 타발할 때 낭비되기 쉽다. 또한, 지지 기판의 대부분은, 기판 내부에 내층 배선이 형성되어 있으므로, 접착 필름을 부착하는 표면에는 요철이 많아, 접착 필름 부착 시에 공극(空隙)이 생겨, 신뢰성이 저하되기 쉽다.
일본 특허출원 공개번호 평 07-228697호 공보 일본 특허출원 공개번호 평 06-145639호 공보 일본 특허출원 공개번호 평 06-264035호 공보
최근에는, 제조 비용을 더욱 저감할 목적으로, 다이 본딩재를 양산성이 높은 인쇄법으로 공급하는 방법이 주목받고 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 다이 본딩용 수지 페이스트를 인쇄법에 의해 지지 기판 상에 도포하여 다이 본딩층을 형성하는 방법이 있다.
형성되는 다이 본딩층은, 운반이나 접촉에 의한 다이 본딩층 표면의 파손을 방지하는 관점이나 작업성의 관점에서는 저점착성(low tackiness)인 것이 바람직하고, 또한 대형 칩에 대한 적용이나 신뢰성의 관점에서는, 저탄성율이며, 또한 충분한 접착 강도를 얻을 필요가 있었다.
본 발명은, 전술한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 저점착성, 저탄성율 및 접착 강도의 모든 것을 높은 수준으로 만족할 수 있는 다이 본딩층을 인쇄법에 따라 형성할 수 있는 다이 본딩용 수지 페이스트, 및 그것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 부타디엔 수지(A), 열경화성 성분(B), 필러(C), 고무상 필러(D), 및 25℃, 50%RH의 분위기 하에서 1시간 경과했을 때의 흡습율이 1% 미만인 용제(E)를 포함하고, 고무상 필러(D)의 함유량이, (A) 성분, (B) 성분 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여 5～28 질량%인 제1 다이 본딩용 수지 페이스트를 제공한다.
본 발명의 다이 본딩용 수지 페이스트에 의하면, 인쇄법에 따라 다이 본딩층을 형성하는 경우라도, 저점착성, 저탄성율 및 접착 강도의 모든 것을 높은 수준으로 만족할 수 있다. 이와 같은 효과가 얻어지는 이유로서는, 상기 (A)～(E) 성분을 필수 성분으로 하는 수지 페이스트에 저탄성인 고무상 필러를 전술한 특정 비율로 배합함으로써, B 스테이지화 후의 점착성을 충분히 저하시키면서, 다이 본딩층의 고탄성화, 다이 접착(die attachment) 온도의 상승, 경화 후의 균열, 고온 고습 환경 하에서의 접착 강도의 저하 등의 문제를 충분히 억제할 수 있기 때문인 것으로 여겨진다. 또한, 본 발명의 다이 본딩용 수지 페이스트가 전술한 특정 용제를 함유함으로써, 연속 인쇄를 행하는 경우라도 대기중의 수분의 영향으로 수지 성분이 분리되는 것을 충분히 방지할 수 있는 것도, 전술한 효과를 얻을 수 있는 하나의 요인인 것으로 여겨진다.
본 발명의 다이 본딩용 수지 페이스트는, 수지와의 상용성(相溶性), 저흡습성 및 저휘발성의 관점에서, 상기 용제(E)로서 카르비톨아세테이트를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명은, 부타디엔 수지(A), 열경화성 성분(B), 필러(C), 고무상 필러(D), 및 카르비톨아세테이트를 포함하고, 고무상 필러(D)의 함유량이, (A) 성분, (B) 성분 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여 5～28 질량%인 제2 다이 본딩용 수지 페이스트를 제공한다.
본 발명의 제1 및 제2 다이 본딩용 수지 페이스트에 있어서, 증점(增粘)에 의한 희석율 증가에 따라 일어나는 페이스트 중의 불휘발성 분량의 저하나 실리카 필러나 금속 필러의 첨가에 따라 일어나는 유리 전이점 Tg의 고온화를 방지하는 관점에서, 상기 고무상 필러(D)로서 실리콘 고무 입자를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제1 및 제2 다이 본딩용 수지 페이스트는, 인쇄법에 의해 피착체 상에 도포되는 인쇄용으로 만들 수 있다.
본 발명은 또한, 지지 기판 상에, 상기 본 발명의 제1 또는 제2 다이 본딩용 수지 페이스트를 도포하는 공정, 도포된 수지 페이스트를 건조시켜 B 스테이지화하는 공정, B 스테이지화된 수지 페이스트 상에 반도체 소자를 탑재하는 공정, 및 반도체 소자가 탑재된 수지 페이스트를 경화시키는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 본 발명에 따른 다이 본딩용 수지 페이스트를 사용함으로써, 저점착성, 저탄성율 및 접착 강도의 모든 것을 높은 수준으로 만족할 수 있는 다이 본딩층을 형성할 수 있고, 이로써, 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 효율적으로 제조하는 것이 가능하게 된다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 지지 기판 상에, 상기 다이 본딩용 수지 페이스트를 인쇄법에 의해 도포할 수 있다. 이 경우에도, 저점착성, 저탄성율 및 접착 강도의 모든 것을 높은 수준으로 만족할 수 있는 다이 본딩층을 형성할 수 있고, 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 한층 효율적으로 제조하는 것이 가능하게 된다.
본 발명은 또한, 상기 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법에 따라 얻어지는 반도체 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 저점착성, 저탄성율 및 접착 강도의 모든 것을 높은 수준으로 만족할 수 있는 다이 본딩층을 인쇄법에 의해 형성할 수 있는 다이 본딩용 수지 페이스트, 및 그것을 사용한 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치를 제공할 수 있다. 본 발명에 의하면, 연속 인쇄에 의해서도 우수한 특성을 가지는 다이 본딩층을 형성할 수 있어, 반도체 장치의 제조 비용의 저감을 실현할 수 있다.
본 발명에 따른 제1 실시형태의 다이 본딩용 수지 페이스트는, 부타디엔 수지(A), 열경화성 성분(B), 필러(C), 고무상 필러(D), 및 25℃, 50%RH(Relative Humidity)의 분위기 하에서 1시간 경과했을 때의 흡습율이 1% 미만인 용제(E)를 포함하고, 고무상 필러(D)의 함유량이, (A) 성분, (B) 성분 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여 5～28 질량%이다.
또한, 본 발명에 따른 제2 실시형태의 다이 본딩용 수지 페이스트는, 부타디엔 수지(A), 열경화성 성분(B), 필러(C), 고무상 필러(D), 및 카르비톨아세테이트를 포함하고, 고무상 필러(D)의 함유량이, (A) 성분, (B) 성분 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여 5～28 질량%이다.
(A) 부타디엔 수지로서는, 예를 들면, 폴리 부타디엔, 부타디엔과 부타디엔 이외의 모노머 성분과의 공중합 폴리머, 이들의 변성 폴리머가 있다. 상기 부타디엔 이외의 모노머 성분으로서는, 아크릴로니트릴, 스티렌을 예로 들 수 있다. 변성 폴리머로서는, 예를 들면, 말단을 카르복실화한 부타디엔·아크릴니트릴 공중합체(PTI Japan사 제조, 상품명：CTBN), 아민화한 부타디엔·아크릴니트릴 공중합체(PTI Japan사 제조, 상품명：ATBN), 비닐화한 부타디엔·아크릴니트릴 공중합체(PTI Japan사 제조, 상품명：VTBN) 등이 있다.
본 실시형태에 있어서는, 주쇄에 아크릴로니트릴을 도입한 저분자량 액상(液狀) 폴리부타디엔과 말단에 카르복시산을 가지는 폴리머나, 카르복시산기를 가지는 저분자량 액상 폴리부타디엔을 바람직하게 사용할 수 있다. 전자의 폴리부타디엔으로서는, Hycer CTB-2000×162, CTBN-1300×31, CTBN-1300×8, CTBN-1300×13, CTBNX-1300×9, CTBN-1009-SP(모두 PTI Japan사 제조) 등의 시판 제품을 사용할 수 있다. 후자의 폴리부타디엔으로서는, NISSO-PB-C-2000(일본조달(주) 제조) 등의 시판 제품을 사용할 수 있다.
부타디엔 수지의 분자량은, 400～5000 g/mol이 바람직하고, 1500～4000 g/mol이 보다 바람직하고, 2500～3500 g/mol이 더욱 바람직하다. 부타디엔 수지의 분자량은, 중량 평균 분자량을 의미한다.
상기 부타디엔 수지는, 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
다이 본딩용 수지 페이스트에 있어서의 (A) 성분의 함유량은, 경화물의 저탄성율화의 관점에서, 페이스트 중의 고형 성분 전체량을 기준으로 하여, 35 질량% 이하가 바람직하고, 25～30 질량%가 보다 바람직하며, 27.5～30 질량%가 더욱 바람직하다.
(B) 열경화성 성분으로서는, 가열에 의해 가교 반응을 일으키는 반응성 화합물로 이루어지는 성분이면 특별히 한정되지 않고 사용할 수 있으며, 예를 들면, 에폭시 수지, 시아네이트 수지(시안산 에스테르 수지), 말레이미드 수지, 알릴나디이미드 수지, 페놀 수지, 유레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 아크릴 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 실리콘 수지, 레조르시놀포름알데히드 수지, 크실렌 수지, 퓨란 수지, 폴리우레탄 수지, 케톤 수지, 트리알릴시아누레이트 수지, 폴리이소시아네이트 수지, 트리스(2-하이드록시에틸)이소시아누레이트를 함유하는 수지, 트리알릴트리멜리테이트를 함유하는 수지, 시클로펜타디엔으로부터 합성된 열경화성 수지, 방향족 디시안아미드의 3량화에 의한 열경화성 수지 등이 있다. 그 중에서도, 고온에서의 우수한 접착력을 갖게 할 수 있는 점에서, 에폭시 수지, 말레이미드 수지, 및 알릴나디이미드 수지가 바람직하다. 이들 수지는, 특히 폴리이미드 수지와 조합하여 고온에서 우수한 접착력을 발현할 수 있다. 열경화성 수지는, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
에폭시 수지로서는, 분자 내에 적어도 2개 이상의 에폭시기를 포함하는 것이 바람직하고, 열압착성이나 경화성, 경화물 특성의 관점에서, 페놀의 글리시딜에테르형의 에폭시 수지가 보다 바람직하다. 이와 같은 수지로서는, 예를 들면, 비스페놀 A형(또는 AD형, S형, F형)의 글리시딜에테르, 수첨가 비스페놀 A형의 글리시딜에테르, 에틸렌옥시드 부가체 비스페놀 A형의 글리시딜에테르, 프로필렌옥시드 부가체 비스페놀 A형의 글리시딜에테르, 페놀 노볼락 수지의 글리시딜에테르, 크레졸 노볼락 수지의 글리시딜에테르, 비스페놀 A 노볼락 수지의 글리시딜에테르, 나프탈렌 수지의 글리시딜에테르, 3관능형(또는 4관능형)의 글리시딜에테르, 디시클로펜타디엔페놀 수지의 글리시딜에테르, 다이머산의 글리시틸에스테르, 3관능형(또는 4관능형)의 글리시딜아민, 나프탈렌 수지의 글리시딜아민 등이 있다. 이들은 단독으로 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 에폭시 수지로서는, 불순물 이온인, 알칼리 금속 이온, 알칼리 토류 금속 이온, 할로겐 이온, 특히 염소 이온이나 가수분해성 염소 등을 300 ppm 이하로 저감시킨 고순도품을 사용하는 것이, 일렉트로마이그레이션(electromigration) 방지나 금속 도체 회로의 부식 방지의 관점에서 바람직하다.
에폭시 수지를 사용하는 경우의 배합량은, 페이스트의 보관 안정성을 유지하면서 경화 후의 접착 강도를 향상시키는 관점에서, 상기 (A) 성분 100 질량부에 대하여, 1～300 질량부인 것이 바람직하고, 30～200 질량부인 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 페놀 수지는, 분자 중에 적어도 2개의 페놀성 수산기를 가지는 것이며, 예를 들면, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 비스페놀 A 노볼락 수지, 폴리-p-비닐 페놀, 페놀아랄킬 수지 등이 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 실시형태에 있어서는, 에폭시 수지와 페놀 수지 또는 분자 중에 페놀성 수산기를 가지는 화합물을 병용하여 배합하는 것이 바람직하다. 이 경우, 페놀 수지 또는 분자 중에 페놀성 수산기를 가지는 화합물의 배합량은, 경화성을 충분히 확보하면서 경화 후의 접착 강도를 향상시키는 관점에서, 에폭시 수지 100 질량부에 대하여, 10～150 질량부인 것이 바람직하고, 25～120 질량부인 것이 보다 바람직하다.
(B) 열경화성 성분으로서 사용하는 열경화성 수지는, 5%질량 감소 온도가 150℃ 이상인 것이 바람직하고, 80℃ 이상인 것이 보다 바람직하고, 200℃ 이상인 것이 더욱 바람직하다. 여기서, 5%질량 감소 온도란, 열경화성 수지를 시차 열중량 동시 측정 장치(에스아이아이 나노테크놀로지 제조：TG/DTA6300)를 사용하여, 승온 속도 10℃／min, 질소 플로우(400 ml/min) 하에서 측정했을 때의 5%질량 감소 온도이다. 5%질량 감소 온도가 높은 열경화성 수지를 적용함으로써, 열압착 또는 열경화 시에 휘발하는 것을 억제할 수 있다. 이와 같은 내열성을 가지는 열경화성 수지로서는, 분자 내에 방향족기를 가지는 에폭시 수지를 예로 들 수 있으며, 접착성, 내열성의 관점에서 특히 3관능형(또는 4관능형)의 글리시딜아민, 비스페놀 A형(또는 AD형, S형, F형)의 글리시딜에테르가 바람직하게 사용된다.
본 실시형태에 있어서는 (B) 열경화성 성분은 경화촉진제를 추가로 함유할 수 있다. (B) 열경화성 성분이 에폭시 수지를 포함하는 경우, 경화촉진제는, 에폭시 수지를 경화시키기 위해 사용할 수 있는 것이면 되며, 예를 들면, 이미다졸류, 디시안디아미드 유도체, 디카르복시산 디하이드라지드, 트리페닐포스핀, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 2-에틸-4-메틸이미다졸-테트라페닐보레이트, 1,8-디아자비시클로(5,4,0)운데센-7-테트라페닐보레이트 등이 있다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 경화 촉진제의 배합량은, 페이스트의 보관 안정성을 유지하면서 경화 후의 접착 강도를 향상시키는 관점에서, 에폭시 수지 100 질량부에 대하여, 0～50 질량부인 것이 바람직하고, 0.5～20 질량부인 것이 보다 바람직하다.
또한, (B) 열경화성 성분이, 하기 일반식 (I) 또는 (II)로 표시되는 이미드 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.
[화학식 1]
Figure pat00001
[식 중, X 및 Y는, O, CH2, CF2, SO2, S, CO, C(CH3)2 또는 C(CF3)2를 나타내고, R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은, 각각 독립적으로 수소, 저급 알킬기, 저급 알콕시기, 불소, 염소 또는 브롬을 나타내고, D는 에틸렌성 불포화 이중 결합을 가지는 디카르복시산 잔기를 나타낸다.]
상기 일반식 (I)로 표시되는 이미드 화합물로서는, 예를 들면, 4,4-비스말레이미드디페닐에테르, 4,4-비스말레이미드디페닐메탄, 4,4-비스말레이미드-3,3'-디메틸디페닐메탄, 4,4-비스말레이미드디페닐술폰, 4,4-비스말레이미드디페닐술피드, 4,4-비스말레이미드디페닐케톤, 2,2'-비스(4-말레이미드페닐)프로판, 4,4-비스말레이미드디페닐플루오로메탄, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스(4-말레이미드페닐)프로판 등이 있다.
또한, 상기 일반식 (II)로 표시되는 이미드 화합물로서는, 예를 들면, 비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]에테르, 비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]메탄, 비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]플루오로메탄, 비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-말레이미드페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]술피드, 비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]케톤, 2 2-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]프로판, 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2,2-비스[4-(4-말레이미드페녹시)페닐]프로판 등이 있다.
상기 이미드 화합물을 사용하는 경우의 배합량은, 페이스트의 보관 안정성을 유지하면서 경화 후의 접착 강도를 향상시키는 관점에서, 상기 (A) 성분 100 질량부에 대하여, 1～200 질량부인 것이 바람직하고, 50～100 질량부인 것이 보다 바람직하다.
또한, 상기 이미드 화합물의 경화를 촉진시키기 위해, 라디칼 중합개시제를 사용할 수도 있다. 라디칼 중합개시제로서는, 예를 들면, 아세틸시클로헥실술포닐퍼옥사이드, 이소부틸릴퍼옥사이드, 벤조일퍼옥사이드, 옥타노일퍼옥사이드, 아세틸퍼옥사이드, 디큐밀퍼옥사이드, 쿠멘하이드로퍼옥사이드, 아조비스이소부티로니트릴 등이 있다. 라디칼 중합개시제의 사용량은, 상기 이미드 화합물 100 질량부에 대하여, 0.01～1.0 질량부가 바람직하고, 0.5～1.0 질량부가 보다 바람직하다.
(C) 필러로서는, 예를 들면, 은분, 금분, 동분 등의 도전성(금속) 필러, 실리카, 알루미나, 이산화티타늄, 유리, 산화철, 세라믹 등의 무기물질 필러 등이 있다. 이들 필러 중에서, 은분, 금분, 동분 등의 도전성(금속) 필러는, 접착제에 도전성, 전열성 또는 틱소트로피(thixotropy)성을 부여할 목적으로 첨가되며, 실리카, 알루미나, 이산화티타늄, 유리, 산화철, 세라믹 등의 무기물질 필러는, 접착제에 저열팽창성, 저흡습율, 틱소트로피성을 부여할 목적으로 첨가된다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 상기 무기물질 필러로서 반도체 장치의 전기적 신뢰성을 향상시킬 목적으로, 무기 이온 교환체를 사용할 수도 있다. 무기 이온 교환체로서는, 수지 페이스트 경화물을 열수 중에서 추출했을 때, 수용액 중에 추출되는 이온, 예를 들면, Na＋, K＋, Cl-, F-, RCOO-, Br- 등의 이온 포획(ion trapping) 작용이 인정되는 것이 효과적이다. 이와 같은 이온 교환체로서는, 천연에서 산출되는 제올라이트, 불석류, 산성 백토, 백운석, 하이드로탈사이트류 등의 천연 광물, 인공적으로 합성된 합성 제올라이트 등을 예로 들 수 있다.
상기 도전성 필러 또는 무기물질 필러는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 각각 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 또한, 물성을 손상시키지 않는 범위에서, 도전성 필러의 1종 이상과 무기물질 필러의 1종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
상기 필러의 평균 입경은, 필러 어택(filler attack) 회피의 관점에서, 25㎛ 이하가 바람직하고, 5㎛ 이하가 보다 바람직하다.
상기 필러의 배합량은, 상기 (A) 성분 100 질량부에 대하여, 1～100 질량부인 것이 바람직하고, 2～50 질량부인 것이 보다 바람직하다. 필러의 배합량을 1 질량부 이상으로 함으로써, 페이스트에 충분한 틱소트로피성(틱소트로피 지수：1.5 이상)을 부여할 수 있다. 또한, 필러의 배합량을 100 질량부 이하로 함으로써, 접착성이 손상되지 않고, 또한 경화물의 탄성율이 높아지며, 그 결과 다이 본딩층의 응력 완화능이 낮아져서, 반도체 장치의 실장 신뢰성이 저하되는 것을 충분히 억제할 수 있다.
상기 필러의 다이 본딩용 수지 페이스트 중으로의 혼합·혼련은, 통상의 교반기, 맷돌식 교반기(attendance machine), 3축 롤, 볼 밀 등의 분산기를 적절하게 조합하여 행할 수 있다.
(D) 고무상 필러로서는, 예를 들면, 실리콘 미립자나, 고무 입자에 실리콘 수지가 피복된 구조를 가지는 실리콘 고무 입자가 있다. 그 중에서도, 실리콘 고무 입자가 바람직하다. 이와 같은 실리콘 고무 입자로서는, 예를 들면, 디메틸실록산을 가교한 고무 분말에 실록산 결합을 가지는 레진으로 3차원 가교시킨 것 등이 있으며, KMP-590, KMP-600, KMP-601, KMP-602, KMP-605, X-52-7030[모두 신에쓰 화학공업(주) 제조] 등의 시판 제품을 사용할 수 있다. 고무상 필러는, 1종을 단독으로 사용하거나, 또는 2 종류 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
또한, 고무상 필러는, 내열성을 가지고, 저흡습성이며 또한, 저응력·저탄성인 것이 바람직하다. 이와 같은 고무상 필러를 배합함으로써, 저응력성, 저탄성을 유지하면서 B 스테이지 후의 점착성을 저감시킬 수 있다.
고무상 필러는, 평균 입경이 1㎛ 이상 10㎛ 미만이면서, 최대 입경이 25㎛ 이하가 바람직하고, 평균 입경이 1㎛ 이상 5㎛ 미만이면서, 최대 입경이 5㎛ 이하가 보다 바람직하다. 고무상 필러의 평균 입경이 10㎛ 이상이거나 혹은 최대 입경이 25㎛를 초과하면 필러 어택을 일으키는 경우가 있다. 또한, 고무상 필러의 평균 입경이 1㎛를 하회하면 증점이나 틱소트로피 변화가 일어난다.
고무상 필러의 함유량은, 저점착성, 저탄성율 및 접착 강도의 모든 것을 높은 수준으로 만족시키는 관점에서, (A) 성분, (B) 성분 및 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여 5～28 질량%일 필요가 있었다. 이 함유량이, 28 질량%를 초과하면, 경화 후의 다이 본딩층이 고온 고습 환경 하에 놓여졌을 때(예를 들면, 85℃, 85%RH, 24시간 흡습 시험 후)에 접착 강도가 저하되는 경향이 있으므로, 신뢰성이 저하될 우려가 있다. 한편, 상기 함유량이 5 질량% 미만이면, B 스테이지화 후에 점착성이 잔존하여 작업성이 저하되는 경향이 있다.
점착성 저감의 방법으로서, 필러나 열경화성 수지를 과잉으로 배합한 조성으로 하는 방법을 고려할 수 있다. 그러나, 무기 필러나 에폭시 수지를 과잉으로 가하면 다이 본딩재가 고탄성화하여, 다이 접착 온도의 상승, 경화 후의 균열, 기판의 휨 등의 문제가 생긴다. 이에 비해, 본 실시형태에 따른 다이 본딩용 수지 페이스트에서는, 무기 필러에 비해 저탄성인 고무상 필러를 상기 특정 비율로 함유시킴으로써, 고탄성화되지 않고, 점착성을 충분히 저감시킬 수 있다.
신뢰성의 관점에서, 고무상 필러의 함유량은, 5～28 질량%인 것이 바람직하고, 15～25 질량%인 것이 보다 바람직하고, 20～25 질량%인 것이 더욱 바람직하다.
(E) 성분인 용제는, 25℃, 50%RH의 분위기 하에서 1시간 경과했을 때의 흡습율이 1% 미만이다.
흡습율의 값은, 2회 측정한 평균값을 채용할 수 있으며, 상기 흡습율은 이하의 측정 방법에 따라 구해진다. 먼저, 금속 샬레에 용제를 5 g 칭량하여 넣고, 건조기에 넣어 50℃에서 1시간 건조시킨다. 그 후, 25℃, 50%RH의 항온항습조 내에서 1시간 동안 흡습 처리를 행한다. 건조 후의 샘플 및 흡습 처리 후의 샘플의 중량을 측정하고, 이들 값으로부터 하기 식에 따라 각 처리에 있어서의 흡습율을 산출하고, 2회 측정한 값의 평균값을 구한다. 그리고, 샘플의 중량 측정은, 건조기 또는 항온항습조로부터 인출하여 60초 후에 행한다.
흡습율(%) = [(흡습 처리 후의 샘플의 질량)-(건조 후의 샘플의 질량)]/(건조 후의 샘플의 질량)×100
용제의 흡습율의 평균값이 전술한 범위에 있으면, 용제의 흡습이 충분히 억제되므로, 다이 본딩용 수지 페이스트를 대기중에 방치해도 수지 성분이 쉽게 분리하지 않아, 연속 인쇄가 가능하게 된다.
또한, 본 실시형태에서 사용하는 용제는, 상기 흡습율의 평균값이 0.5% 미만인 것이 바람직하다. 또한, 용제는, 필러를 균일하게 혼련하거나 또는 분산할 수 있는 것이 바람직하다. 또한, 용제는, 인쇄 시의 용제의 휘산 방지의 관점에서, 비점이 100℃ 이상인 것이 바람직하다.
또한, 용제는 인쇄용인 것이 바람직하다. 여기서 인쇄용이라는 것은, 다이 본딩용 수지 페이스트를 인쇄법에 따라 지지 기판 상에 도포하여 다이 본딩층을 형성하기 위한 것을 의미한다. 또한, 용제는 저흡습율이면서, 중·고비등점인 것이 바람직하다.
용제로서는, 예를 들면, 디에틸렌글리콜디메틸에테르(디글라임이라고도 함), 트리에틸렌글리콜디메틸에테르(트리글라임이라고도 함), 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 2-(2-메톡시에톡시)에탄올, γ-부티로락톤, 이소포론, 카르비톨, 카르비톨아세테이트, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 아세트산 2-(2-부톡시에톡시)에틸, 에틸셀로솔브, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브, 디옥산, 시클로헥사논, 아니솔, 인쇄용 잉크의 용제로서 사용되는 석유 증류물을 주체로 한 용제 등이 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2 종류 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 석유 증류물을 주체로 한 용제로서는, 구체적으로는, 카르비톨아세테이트를 예로 들 수 있다.
본 실시형태에 있어서는, 수지와의 상용성, 저흡습성, 저휘발성의 관점에서, 카르비톨아세테이트가 특히 바람직하다.
(E) 용제의 배합량은, 상기 (A) 성분 100 질량부에 대하여, 1～100 질량부인 것이 바람직하다. 저온에서, 단시간에 B 스테이지화시키는 관점에서, 용제의 배합량은, 상기 (A) 성분 100 질량부에 대하여, 1～30 질량부인 것이 바람직하고, 작업 환경오염 회피의 관점에서 1～10 질량부가 보다 바람직하다.
본 실시형태의 다이 본딩용 수지 페이스트를 인쇄했을 때, 거품, 보이드의 발생이 눈에 띄는 경우에는, 상기 용제 중에 탈포제, 파포제, 억포제 등을 첨가하는 것이 효과적이다. 이들 첨가량은, 거품 억제 효과를 발휘하게 하는 관점에서, 용제 중에 0.01 질량% 이상 첨가하는 것이 바람직하고, 수지 페이스트의 점도 안정성이나 접착성의 관점에서, 용제 중에 10 질량% 이하의 비율로 포함되도록 첨가하는 것이 바람직하다.
본 실시형태의 다이 본딩용 수지 페이스트에는, 접착력을 향상시키기 위하여, 실란 커플링제, 티탄계 커플링제, 비이온계 계면활성제, 불소계 계면활성제, 실리콘계 첨가제 등을 적절하게 더해도 된다.
본 실시형태의 다이 본딩용 수지 페이스트는, 수지 페이스트 건조 후의 체적 감소에 기인하는 형상 변화를 억제하고, 수지 페이스트의 유동성 및 인쇄 작업성을 향상시키는 점에서, 고형분이 40～90 질량%인 것이 바람직하고, 70～90 질량%인 것이 보다 바람직하다.
본 실시형태의 다이 본딩용 수지 페이스트의 틱소트로피 지수는, 1.5～8.0인 것이 바람직하다. 인쇄성의 관점에서, 틱소트로피 지수는 2.0～6.0인 것이 보다 바람직하다. 페이스트의 틱소트로피 지수가 1.5 이상이면, 인쇄법에 따라 공급·도포된 수지 페이스트의 늘어짐 등의 발생을 억제하여, 인쇄 형상을 양호하게 용이하게 유지할 수 있으며, 또한, 틱소트로피 지수가 8.0 이하이면, 인쇄법에 따라 공급·도포된 수지 페이스트의 「파편」이나 찰과흔 등의 발생을 억제하기 쉬워진다.
그리고, 틱소트로피 지수는, 브룩필드형 점도계로 25℃, 회전수 0.5 rpm으로 측정했을 때의 값과 회전수 5.0 rpm으로 측정했을 때의 값의 비, 즉 틱소트로피 지수 = 0.5 rpm 점도/5.0 rpm 점도로 정의된다.
또한, 본 실시형태의 다이 본딩용 수지 페이스트의 25℃에 있어서의 점도는, 인쇄 작업성의 관점에서, 5～1000 Pa·s인 것이 바람직하다. 또한, 수지 페이스트의 점도는, 인쇄법의 종류에 따라 적절하게 조정하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 스크린 메쉬판 등과 같이 마스크 개구부에 메쉬 등이 형성되어 있는 경우에는, 메쉬부로부터 빠져나가는 것을 고려하여 5～100 Pa·s의 범위로 조정하는 것이 바람직하고, 스텐실판 등인 경우에는 20～500 Pa·s의 범위로 조정하는 것이 바람직하다. 또한, 건조 후의 수지 페이스트에 잔존하는 보이드가 많이 관찰되는 경우에는, 150 Pa·s 이하의 점도로 조정하는 것이 유효하다. 그리고, 상기 점도는, 브룩필드형 점도계를 사용하여, 25℃, 회전수 0.5 rpm으로 측정했을 때의 값이다.
다음으로, 본 실시형태의 다이 본딩용 수지 페이스트를 사용하는 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
본 실시형태의 반도체 장치의 제조 방법은, 지지 기판 상에, 상기 본 실시형태의 다이 본딩용 수지 페이스트를 도포하는 공정, 도포된 수지 페이스트를 건조시켜 B 스테이지화하는 공정, B 스테이지화된 수지 페이스트 상에 반도체 소자를 탑재하는 공정, 및 반도체 소자가 탑재된 수지 페이스트를 경화시키는 공정을 포함한다.
상기 지지 기판으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 42 앨로이 리드 프레임, 동 리드 프레임 등의 리드 프레임, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드계 수지 등의 플라스틱 필름, 유리 부직포 등의 기재(基材)에 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드계 수지 등을 포함하는 수지 조성물을 함침·경화시킨 것(프리프레그), 또는 알루미나 등의 세라믹스제의 지지 부재 등이 있다.
지지 기판 상에 다이 본딩용 수지 페이스트를 공급하여 도포하는 방법으로서는, 인쇄법이 바람직하다. 인쇄법으로서는, 예를 들면, 스크린 인쇄법이 있다.
수지 페이스트의 도포량에 대해서는, 마스크의 패턴 형상에 따라 다르지만, 예를 들면, 8 mm×10 mm 마스크이면, 막 두께가 50～300 ㎛로 되는 양이 바람직하다.
도포된 수지 페이스트를 건조시켜 B 스테이지화하는 방법으로서는, 가열을 예로 들 수 있다. 본 실시형태의 다이 본딩용 수지 페이스트는 특정 용제를 함유하고 있지만, 그 대부분은 B 스테이지화에 의해 휘발한다. 그리고, B 스테이지화에 의해, 지지 기판 상에, 보이드가 충분히 적으며, 또한 저점착성 또는 무점착성(tackiness free) 다이 본딩층이 형성된다.
반도체 소자(칩)로서는, IC, LSI 등을 예로 들 수 있다. 반도체 소자가 탑재된 것은, 예를 들면, DRAM이나 SRAM, 플래시 메모리 등이 있다. 이 때, 가열 조건 하에서 하중을 부여하여 가접착해도 되고, 또는, 더욱 가열함으로써 수지 페이스트의 경화까지 행할 수도 있다.
본 실시형태에 있어서는, 반도체 소자가 탑재된 수지 페이스트(다이 본딩층)를 후경화하는 것이 바람직하다. 이 수지 페이스트층의 후경화는, 실장 조립 공정에서 문제가 없는 경우에는, 봉지재(封止材)의 후경화 공정 시에 함께 행할 수 있다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.
＜수지 페이스트의 조제＞
(실시예 1～7, 비교예 1～6)
하기 표 1에 기재된 비율로, 먼저, (B) 성분 1로서의 YDCN700-7 및 TrisP-PA-MF와, (E) 성분 1로서의 CA를, 오일배스(oil bath)에 설치된 4구 세퍼러블 플라스크에서, 질소 분위기 하에서 60℃로 가열하면서 교반하여, 용해시켰다. 다음으로, 표 1에 기재된 비율이 되도록, (A) 성분, (B) 성분 2, (C) 성분, (D) 성분 및 (E) 성분 2의 각 성분을 맷돌식 교반기에 넣어 혼련한 후, 5 Torr 이하에서 1시간 탈포 혼련을 행하여, 다이 본딩용 수지 페이스트를 얻었다. 그리고, 비교예 6에서는, (E) 성분 1 및 (E) 성분 2에 대신하여, 다른 용제 1로서의 NMP 및 다른 용제 2로서의 NMP를 사용하였다.
[표 1]
Figure pat00002
※ 표 중 「←」는 좌측에 기재된 것과 동일한 것을 의미함.
[표 2]
Figure pat00003
※ 표 중 「←」는 좌측에 기재된 것과 동일한 것을 의미함.
각 조성의 배합량의 단위는 모두 질량부를 나타낸다. 또한, 표 1 및 2에 있어서의 약호는 다음과 같다.
CTBNX-1009-SP：우베 흥산(주) 제조, 상품명, 카르복시산 말단 액상 폴리부타디엔, 중량 평균 분자량 Mw：3500 g/mol
YDCN700-7：도토 화성(주), 2-메틸페놀·포름알데히드 중축합 폴리글리시딜에테르
TrisP-PA-MF：혼슈 화학(주), 4,4'-(1-(4-(1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸)-페닐)-에틸리덴)-비스페놀
CA：카르비톨아세테이트(와코순약공업(주)) (흡습율 0.24%)
NMP：N-메틸 2-피롤리돈(미쓰비시 화학(주)) (흡습율 2.70%)
TPPK：도쿄화성공업(주) 제조, 상품명, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트
IXE-100：동아합성, 인산 지르코늄
IXE-700F：동아합성, 마그네슘/알루미늄
Aerosil50：일본에어로질(주) 제조
Aerosil380：일본에어로질(주) 제조
KMP-600：신에쓰 화학공업(주) 제조
KMP-605：신에쓰 화학공업(주) 제조
＜용제의 흡습율＞
먼저, 금속 샬레에 용제를 5 g 칭량하여 넣고, 건조기에 넣어 50℃에서 1시간 건조시켰다. 그 후, 25℃, 50%RH의 항온항습조 내에서 1시간 동안 흡습 처리를 행하였다. 건조 후의 샘플 및 흡습 처리 후의 샘플의 중량을 측정하고, 이들 값으로부터 하기 식에 따라 각 처리에 있어서의 흡습율을 산출하였다. 이 측정을 2회 행하고, 이들의 평균값을 구하였다. 그리고, 샘플의 중량 측정은, 건조기 또는 항온항습조로부터 인출하여 60초 후에 행하였다.
흡습율(%) = [(흡습 처리 후의 샘플의 질량)-(건조 후의 샘플의 질량)]/(건조 후의 샘플의 질량)×100
＜점착성의 평가＞
AUS-308(태양 잉크사 제조, 상품명)을 도포한 MCL-E-679 F(히타치 화성사 제조, 상품명)에 두께 100㎛의 메탈 마스크를 사용하여 인쇄 도포에 의해 다이 본딩용 수지 페이스트층을 8 mm×10 mm×두께 75～80 ㎛로 형성하고, 90℃에서 60분간 건조시켜 B 스테이지화했다. 이 위에, 5 mm×5 mm×두께 0.4 mm의 Si 칩을 한변이 5 mm인 정사각형 콜릿(collet)을 사용하여, 30℃, 30 N, 1초의 조건에서 압착했다. 이와 같이 행하여 얻어진 시험편을, 자동 접착력 시험기(데이지사 제조)에 의해 25℃에서의 전단력을 측정하였다. 그리고, 전단력이 300 kPa 이하인 경우를 저점착성으로 판단할 수 있다.
＜탄성율(E')＞
다이 본딩용 수지 페이스트를 테플론 시트 상에, 스페이서와 스퀴지(squeegee)를 사용하여 두께 300㎛의 다이 본딩용 수지 페이스트층을 형성하고, 90℃의 오븐에서 60분간 건조시켜 B 스테이지화했다. B 스테이지화 후, 180℃의 오븐에서 60분간 경화를 행하여, 경화물을 제조하였다. 이것을, RSA-II(레오메트릭사 제조)를 사용하여 주파수 1.0 Hz, 온도 범위 -70～300 ℃, 승온 속도 5.0℃/min로 동적 점탄성 측정을 행하여, 25℃, 50℃, 150℃의 E'를 각 온도에서의 탄성율로서 구하였다.
＜Tg＞
탄성율 측정에 의해 측정한 E' 및 E''로부터 산출한 tanδ를 Tg로 하였다.
＜접착 강도＞
솔더 레지스트(태양잉크사 제조, 상품명 Aus-308)를 도포한 기판(이하 Aus-308/MCL-E-679F)(히타치화성사 제조, 상품명 MCL-E-679F 기판)에, 8 mm×10 mm×두께 0.1 mm의 마스크와 스퀴지를 사용하여 다이 본딩용 수지 페이스트를 인쇄했다. 90℃에서 60분간 B 스테이지화한 후, 5 mm×5 mm×두께 0.4 mm의 Si 칩을, 한변이 5 mm인 정사각형 콜릿을 사용하여, 90℃, 30 N, 1초간의 조건에서 압착했다. 이와 같이 하여 얻어진 시험편을 180℃의 오븐에서 60분간 가열하여 후경화를 행한 후, 자동 접착력 시험기(데이지사 제조)에 의해 250℃에서 20초간 유지 후의 전단력 측정을 행하였다. 한편, 후경화를 행한 상기 시험편을, 85℃, 85%RH의 분위기 하에 24시간 보관하는 흡습 시험을 행한 후, 상기와 마찬가지로 전단력 측정을 행하였다.
＜틱소트로피 지수＞
다이 본딩용 수지 페이스트의 틱소트로피 지수를 이하의 방법에 의해 측정하였다. 브룩필드형 점도계 HADV-III U CP(Brookfield Engineering Laboratories 제조)를 사용하여, 페이스트 0.5 mL, 온도 25℃, 소정의 회전수(0.5 rpm 및 5.0 rpm)로 3분간 회전 후의 값을 페이스트의 점도로 하고, 다음 식에 의해 틱소트로피 지수를 산출하였다.
틱소트로피 지수 = 0.5 rpm 점도/5.0 rpm 점도
＜실온에서의 틱소트로피 지수 변화율＞
상기에서 틱소트로피 지수를 측정한 다이 본딩 수지 페이스트 20 g을, 30 g연고병에 칭량하여 넣고, 25℃／50%RH에서 개방계에서 보관(흡습 처리)하고, 1시간 후의 틱소트로피 지수를 상기와 마찬가지의 방법으로 측정하여, 하기 식에 의해 틱소트로피 지수 변화율을 산출하였다.
틱소트로피 지수 변화율(%) = [(흡습 처리 후의 틱소트로피 지수)-(흡습 처리 전의 틱소트로피 지수)]/(흡습 처리 전의 틱소트로피 지수)×100
표에 나타낸 바와 같이, 실시예의 다이 본딩용 수지 페이스트는, 전단력이 300 kPa 이하이며 저점착성인 것을 알았다. 또한, 탄성율, Tg는, 고무상 필러 함유량에 관계없이 거의 동일하였다. 접착 강도는, 2.0 MPa 이상이며, 흡습 시험 후의 접착 강도 저하율은 모두 10% 이하였다.
한편, 비교예의 다이 본딩용 수지 페이스트는, 비교예 1～비교예 3에서 흡습 시험 후의 접착 강도 저하율이 10% 이상이 되어, 신뢰성의 저하가 우려된다. 또한, 비교예 4～비교예 5에 있어서는, 전단력이 300 kPa 이상이며 점착성을 가지므로, 작업성이 저하된다. 또한, 25℃, 50%RH의 분위기 하에서 1시간 경과했을 때의 흡습율이 2.7%인 용제인 NMP를 사용한 비교예 6의 다이 본딩용 수지 페이스트는, 실온에서의 틱소트로피 지수 변화율이 11.9%로, 개방계에서의 보관 안정성이 좋지 못하며, 실제로 사용했을 때 수지의 분리나 증점, 인쇄성의 변화 등의 문제가 발생하는 것으로 여겨진다.

Claims (10)

  1. 부타디엔 수지(A), 열경화성 성분(B), 필러(C), 고무상 필러(D), 및 25℃, 50%RH의 분위기 하에서 1시간 경과했을 때의 흡습율이 1% 미만인 용제(E)를 포함하고,
    상기 고무상 필러(D)의 함유량이, 상기 (A) 성분, 상기 (B) 성분 및 상기 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여 5～28 질량%인, 다이 본딩용 수지 페이스트.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 용제(E)로서 카르비톨아세테이트를 포함하는 다이 본딩용 수지 페이스트.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 고무상 필러(D)로서 실리콘 고무 입자를 포함하는 다이 본딩용 수지 페이스트.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    인쇄법에 의해 피착체(彼着體) 상에 도포되는 인쇄용인, 다이 본딩용 수지 페이스트.
  5. 부타디엔 수지(A), 열경화성 성분(B), 필러(C), 고무상 필러(D), 및 카르비톨아세테이트를 포함하고,
    상기 고무상 필러(D)의 함유량이, 상기 (A) 성분, 상기 (B) 성분 및 상기 (D) 성분의 총량을 기준으로 하여 5～28 질량%인, 다이 본딩용 수지 페이스트.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 고무상 필러(D)로서 실리콘 고무 입자를 포함하는 다이 본딩용 수지 페이스트.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서,
    인쇄법에 의해 피착체 상에 도포되는 인쇄용인, 다이 본딩용 수지 페이스트.
  8. 지지 기판 상에, 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 다이 본딩용 수지 페이스트를 도포하는 공정;
    도포된 상기 수지 페이스트를 건조시켜 B 스테이지화시키는 공정;
    B 스테이지화된 상기 수지 페이스트 상에 반도체 소자를 탑재하는 공정; 및
    상기 반도체 소자가 탑재된 상기 수지 페이스트를 경화시키는 공정
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 지지 기판 상에, 상기 다이 본딩용 수지 페이스트를 인쇄법에 의해 도포하는, 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제8항 또는 제9항에 기재된 반도체 장치의 제조 방법에 의해 얻어지는 반도체 장치.
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