KR20130034179A - Manufacturing method for sic substrate - Google Patents

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KR20130034179A
KR20130034179A KR1020110098066A KR20110098066A KR20130034179A KR 20130034179 A KR20130034179 A KR 20130034179A KR 1020110098066 A KR1020110098066 A KR 1020110098066A KR 20110098066 A KR20110098066 A KR 20110098066A KR 20130034179 A KR20130034179 A KR 20130034179A
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임재석
김정일
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주식회사 티씨케이
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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a silicon carbide substrate is provided to secure a flat SiC substrate through a post process without depositing a thick SiC. CONSTITUTION: A SiC layer is deposited on a graphite disk. The graphite disk is removed to separate the SiC substrate. Therefore, the SiC substrate is bent. A heat process is performed on the SiC substrate under a pressure condition to obtain a flat SiC substrate(4). The temperature and the pressure of the heat process are 1800-2100>= and 069±0.01kg/cm^2.

Description

실리콘카바이드 기판 제조방법{Manufacturing method for SiC substrate}Manufacturing Method for SiC Substrate

본 발명은 실리콘카바이드 기판 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 휨의 발생이 없는 실리콘카바이드 기판의 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method for manufacturing a silicon carbide substrate, and more particularly to a method for manufacturing a silicon carbide substrate without the occurrence of warpage.

일반적으로, 실리콘카바이드 기판은 알려진 바와 같이 엘이디 등의 광학소자 또는 트랜지스터와 같은 반도체 소자의 제조에 응용될 수 있음이 알려져 있다.In general, it is known that silicon carbide substrates can be applied to the manufacture of optical devices such as LEDs or semiconductor devices such as transistors.

이와 같이 실리콘카바이드 기판의 응용예는 특허공개 10-2010-35641 등에 기재되어 있으며, 이러한 실리콘카바이드 기판을 제조하는 방법에 대해서는 본 발명의 출원인의 특허인 10-1001674호에 기재되어 있다.
As described above, an application example of a silicon carbide substrate is described in Patent Publication No. 10-2010-35641, and the like, and a method of manufacturing the silicon carbide substrate is described in Patent Application No. 10-1001674 of the applicant of the present invention.

상기 등록특허 10-1001674호에 기재된 바와 같이 실리콘카바이드 기판은 그라파이트 판의 전면에 SiC를 화학기상증착법으로 증착하고, 주변부를 물리적으로 제거하고, 가로방향으로 상기 그라파이트를 절단한 후, 그라파이트를 물리적 연마 또는 화학적인 반응으로 제거하여 순수한 SiC 기판을 제조하게 된다.
As described in Korean Patent No. 10-1001674, a silicon carbide substrate is deposited with SiC on the front surface of a graphite plate by chemical vapor deposition, physically removes the peripheral portion, and cuts the graphite in the transverse direction, and then physically polishes the graphite. Or by chemical reaction to produce a pure SiC substrate.

그러나 SiC를 그라파이트의 전체에 증착한 후 냉각하는 과정에서, SiC와 그라파이트의 열팽창계수의 차이에 의하여 응력이 작용하여 휨이 발생하게 된다.However, during the cooling process after depositing SiC on the entire graphite, the stress is caused by the difference in the coefficient of thermal expansion of the SiC and graphite, the warpage occurs.

이는 고온에서 이종 물질의 증착 반응 후 냉각과정에서 발생하는 휨이며, 물리적 방법에 의해 그라파이트를 제거하여 SiC를 제거한 후에도 SiC 기판은 휘어진 상태가 유지되어, 앞서 설명한 응용분야로서의 소자를 제조하기에 적당하지 않은 문제점이 있었다.
This is a warpage that occurs during the cooling process after the deposition reaction of dissimilar materials at high temperature, and the SiC substrate remains bent even after SiC is removed by removing graphite by physical methods, which is not suitable for manufacturing devices as described above. There was no problem.

이를 개선하기 위하여 필요 이상으로 두꺼운 SiC를 증착하여, SiC 기판을 제조한 후, 그 SiC 기판을 적당히 연마하여 평탄한 실리콘카바이드 기판을 제작하고 있으나, 이는 제조에 요구되는 시간이 많이 필요하여 생산성이 저하되는 문제점과 아울러 제조비용의 증가에 의해 SiC 기판의 가격 상승 요인이 되는 문제점이 있었다.
In order to improve this, a SiC substrate is manufactured by depositing a thicker SiC than necessary, and then the SiC substrate is polished appropriately to produce a flat silicon carbide substrate. However, this requires a lot of time required for manufacturing, which leads to reduced productivity. In addition to the problems, there was a problem that the price of the SiC substrate increases due to the increase in manufacturing cost.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 과제는, 불필요하게 정상 두께보다 더 두꺼운 SiC를 증착하지 않고도, 후처리를 통해 휨이 없이 평탄한 SiC 기판 제조방법을 제공함에 있다.
An object of the present invention for solving the above problems is to provide a method for producing a flat SiC substrate without bending through post-treatment without unnecessarily depositing SiC thicker than the normal thickness.

상기와 같은 과제를 달성하기 위한 본 발명 실리콘카바이드 제조방법은, a) 그라파이트 원판의 전면에 SiC 층을 증착하고, 냉각시키는 단계와, b) 상기 그라파이트 원판을 제거하여 SiC 층을 분리하여 휨이 발생한 SiC 기판을 획득하는 단계와, c) 상기 획득된 휨이 발생한 기판을 가압조건에서 열처리하여 평탄한 SiC로 전환시키는 단계를 포함한다.
In the silicon carbide manufacturing method of the present invention for achieving the above object, a) depositing and cooling the SiC layer on the entire surface of the graphite disc, and b) removing the graphite disc to separate the SiC layer to cause warpage Obtaining a SiC substrate, and c) converting the obtained warped substrate into a flat SiC by heat treatment under pressurized conditions.

본 발명은 그라파이트 원판의 전면에 실제 SiC 기판과 유사한 두께의 SiC 층을 증착한 후, 그라파이트를 제거하여 휨이 발생한 SiC 기판을 획득한 후, 가압 열처리를 통해 평탄한 SiC 기판을 제조할 수 있어, 불필요한 SiC 소재의 낭비를 줄이고, 공정시간을 단축하여 비용을 절감하고, 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
According to the present invention, after depositing a SiC layer having a thickness similar to that of an actual SiC substrate on the front surface of the graphite disc, the graphite is removed to obtain a SiC substrate having warpage, and then a flat SiC substrate may be manufactured by pressure heat treatment. It is possible to reduce the waste of SiC materials, to shorten the process time, to reduce costs, and to improve productivity.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘카바이드 기판의 제조공정 순서도이다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘카바이드 기판의 제조공정 수순 단면도이다.
도 7은 상기 도 6의 열처리를 수행하기 위하여 열처리로 내에 장입된 SiC기판의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘카바이드 기판 제조방법에 따라 제조된 실리콘카바이드 기판과 종래 실리콘카바이드 기판의 휨정도를 비교도시한 그래프이다.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘카바이드 기판 제조방법에서 2100℃에서 가압열처리한 실리콘카바이드 기판의 상을 나타낸 그래프이다.1 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a silicon carbide substrate according to a preferred embodiment of the present invention.
2 to 6 are cross-sectional views showing a process for manufacturing a silicon carbide substrate according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view of a SiC substrate loaded in a heat treatment furnace to perform the heat treatment of FIG. 6.
8 is a graph illustrating the degree of warpage of the silicon carbide substrate prepared according to the silicon carbide substrate manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention and the conventional silicon carbide substrate.
9 is a graph showing a phase of a silicon carbide substrate subjected to pressure heat treatment at 2100 ° C. in a method of manufacturing a silicon carbide substrate according to a preferred embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘카바이드 기판 제조방법의 구성과 작용을 보다 상세히 설명한다.
Hereinafter, the configuration and operation of the silicon carbide substrate manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘카바이드 기판의 제조공정 순서도이고, 도 2 내지 도 6은 각각 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘카바이드 기판의 제조공정 수순 단면도이다.1 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a silicon carbide substrate according to a preferred embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 6 are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a silicon carbide substrate according to a preferred embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 6을 각각 참조하면 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘카바이드 기판 제조방법은, 그라파이트 원판(1)의 표면에 SiC를 증착하여 SiC층(2)을 형성하는 단계(S11)와, 상기 그라파이트 원판(1)의 측면이 노출되도록 SiC층(2)의 주변부를 절단하는 단계(S12)와, 상기 측면이 노출된 그라파이트 원판(1)의 가로방향 중앙을 절단하여, 두 개의 SiC층(2)과 그라파이트 원판(1)의 접합구조를 획득하는 단계(S13)와, 상기 SiC층(2)에 접합된 그라파이트 원판(1)을 연마 등의 방법으로 제거하여 휨이 발생한 SiC 기판(3)을 획득하는 단계(S14)와, 상기 SiC 기판(3)을 열처리하되, 상면에서 가압하면서 열처리하여 상기 휨이 발생한 SiC 기판(3)을 평탄 처리하여 평탄한 SiC 기판(4)을 획득하는 단계(S15)를 포함한다.
1 to 6, the silicon carbide substrate manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention, the step of forming a SiC layer (2) by depositing SiC on the surface of the graphite disc (1), Cutting the periphery of the SiC layer 2 so that the side surface of the graphite disc 1 is exposed (S12), and by cutting the horizontal center of the graphite plate 1 exposed side, two SiC layers ( 2) obtaining a bonding structure between the graphite disc 1 and the graphite disc 1 bonded to the SiC layer 2 by removing the graphite disc 1 by polishing or the like, thereby causing the warpage of the SiC substrate 3 Acquiring a step (S14) and the heat treatment of the SiC substrate (3), the heat treatment while pressing the upper surface to obtain a flat SiC substrate (4) by flattening the SiC substrate (3) having the warp (S15) ).

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 SiC 기판 제조방법의 구성과 작용을 보다 상세히 설명한다.
Hereinafter, the configuration and operation of the SiC substrate manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention configured as described above in more detail.

먼저, S11단계에 도시한 바와 같이 원판형의 그라파이트 원판(1)의 전면에 SiC층(2)을 화학적 기상증착법으로 증착한다. First, as shown in step S11, the SiC layer 2 is deposited on the entire surface of the disc-shaped graphite disc 1 by chemical vapor deposition.

이때 SiC층(2)의 증착 두께는 최종 SiC 기판(4)과 이상적으로 동일한 두께로 증착하며, 그 표면 거칠기를 고려하여 1 내지 2mm 더 두껍게 증착한 후 연마 가공하여 최종 SiC 기판(4)의 두께로 맞출 수 있다. At this time, the deposition thickness of the SiC layer 2 is ideally deposited to the same thickness as the final SiC substrate 4, the thickness of the final SiC substrate 4 by depositing 1 to 2mm thicker and polished in consideration of the surface roughness Can be adjusted to

이는 종래에 비해 SiC 소재를 절감할 수 있어, 가격이 매우 비싼 SiC 소재의 낭비를 방지할 수 있다.This can reduce the SiC material compared to the conventional, it is possible to prevent the waste of SiC material is very expensive.

이와 같이 S11단계를 수행한 상태를 도 2에 도시하였다.Thus, the state in which the step S11 is performed is shown in FIG.

상기 SiC층(2)의 증착 후 냉각하는 과정에서 상기 SiC층(2)과 그라파이트 원판(1)의 열팽창계수의 차이에 의하여 휨이 발생하게 된다.
In the process of cooling after deposition of the SiC layer 2, warpage occurs due to a difference in thermal expansion coefficients of the SiC layer 2 and the graphite master plate 1.

그 다음, S12단계와 같이 상기 그라파이트 원판(1) 측면부가 모두 노출되도록 그 그라파이트 원판(1)의 측면부에 증착된 SiC층(2)을 절단하여 제거한다.Next, as in step S12, the SiC layer 2 deposited on the side surface of the graphite disc 1 is cut and removed to expose all the side surfaces of the graphite disc 1.

상기 도 2에서 절단선(a)를 따라 절단하여 원판의 상태로 아래에서부터 SiC층(2), 그라파이트 원판(1) 및 SiC층(2)이 적층된 도 3의 구조를 얻을 수 있게 된다.
In FIG. 2, the structure of FIG. 3 may be obtained by cutting along the cutting line a to form the SiC layer 2, the graphite disc 1, and the SiC layer 2 stacked from below.

그 다음, S13단계에서와 같이 상기 그라파이트 원판(1)의 가로방향 중앙부를 절단한다. 즉, 도 3의 절단선(b)의 방향으로 절단하여 가로방향으로 절단된 두 그라파이트 원판(1) 각각에 SiC층(2)이 증착된 구조물을 획득한다.Then, the horizontal center portion of the graphite disc 1 is cut as in step S13. That is, a structure in which a SiC layer 2 is deposited on each of two graphite discs 1 cut in the horizontal direction by cutting in the direction of the cutting line b of FIG. 3 is obtained.

이때의 형상을 도 4에 도시하였다.
The shape at this time is shown in FIG.

그 다음, S14단계와 같이 SiC로 이루어진 원판형의 기판을 획득하기 위하여, 상기 도 4에서 절단선(c)의 방향으로 절단하여 SiC층(2)과 그라파이트 원판(1)을 분리하거나, 그 그라파이트 원판(1)을 연마하여 제거한다.
Next, in order to obtain a disc-shaped substrate made of SiC as in step S14, the SiC layer 2 and the graphite disc 1 are separated by cutting in the direction of the cutting line c in FIG. 4, or the graphite The disc 1 is polished and removed.

이와 같이 그라파이트 원판(1)을 제거함으로써, 도 5에 도시한 바와 같이 순수 SiC로 이루어지며, 증착 후 냉각과정에서 휨이 발생한 SiC 기판(3)을 얻을 수 있게 된다.
By removing the graphite disc 1 in this way, it is possible to obtain a SiC substrate 3 made of pure SiC as shown in FIG.

그 다음, S15단계와 같이 상기 휨이 발생한 SiC 기판(3)을 하중이 인가되는 조건에서 가열하여 휨을 제거하여 평탄한 SiC 기판(4)을 획득한다. 이때의 열처리 과정은 도 6에 도시하였다.Next, as in step S15, the SiC substrate 3 having the warpage is heated under the condition that the load is applied to remove the warpage to obtain a flat SiC substrate 4. The heat treatment process at this time is shown in FIG.

도 6에 도시한 바와 같이 열처리 온도는 1800 내지 2100℃에서 5 내지 10시간 열처리하며, 이때 SiC 기판(3)은 평탄화된다.As shown in FIG. 6, the heat treatment temperature is heat treated at 1800 to 2100 ° C. for 5 to 10 hours, and the SiC substrate 3 is planarized.

상기 열처리 온도가 1800℃ 미만에서는 평탄화 효과가 낮으며, 2100℃를 초과하는 경우 β-SiC에서 α-SiC로 상변화가 일어나게 되어 기판으로 사용할 수 없게 된다.
If the heat treatment temperature is less than 1800 ° C, the planarization effect is low. When the heat treatment temperature exceeds 2100 ° C, a phase change occurs from β-SiC to α-SiC and thus cannot be used as a substrate.

상기와 같은 열처리와 함께 휨이 발생한 SiC 기판(3)에는 적정한 하중이 요구된다. 이때의 하중은 0.069±0.01kg/cm2로 인가하는 것이 바람직하며, 이에 따라 상기 휨이 발생한 SiC 기판(3)의 상부에 하중을 부여할 수 있는 괴를 올려 둔 상태에서 열처리를 하게 된다.Appropriate load is required for the SiC substrate 3 in which warpage arose with the above heat treatment. At this time, the load is preferably applied at 0.069 ± 0.01 kg / cm 2. Accordingly, the heat treatment is performed in a state in which an ingot that can apply a load to the upper portion of the SiC substrate 3 having the warpage is placed thereon.

이때의 괴는 상기 열처리온도에서 변화가 없는 그라파이트를 사용할 수 있다.
In this case, the graphite can be used that does not change in the heat treatment temperature.

이와 같은 열처리를 통해 전체 평탄한 SiC 기판(4)은 최고 위치와 최저 위치가 0.5mm 수준에서 0.2mm 이하의 수준으로 80% 이상 휨이 개선됨을 확인할 수 있다.
Through this heat treatment, the entire flat SiC substrate 4 can be confirmed that the highest position and the lowest position are more than 80% of the warpage from 0.5mm level to 0.2mm or less.

도 7은 상기 S15 단계의 열처리를 위하여 열처리로에 장입된 휨이 발생한 SiC 기판(4)의 장입 상태 단면도이다.FIG. 7 is a sectional view of a loaded state of the SiC substrate 4 in which warpage is charged in a heat treatment furnace for the heat treatment in step S15.

도 7을 참조하면 S15 단계의 열처리를 수행하여 평탄한 SiC 기판(4)을 동시에 다수로 제조하기 위하여, 최상단과 최하단에 그라파이트판(5)이 위치하도록 그 그라파이트판(5)과 휨이 발생한 SiC 기판(3)을 교번하여 적층한 후 열처리를 하게 된다.Referring to FIG. 7, in order to manufacture a plurality of flat SiC substrates 4 simultaneously by performing the heat treatment in step S15, the graphite plates 5 and the SiC substrates having warpage are formed so that the graphite plates 5 are positioned at the top and the bottom thereof. After alternately stacking (3), heat treatment is performed.

이때 적층되는 휨이 발생한 SiC 기판(3)의 적층수는 4 내지 5개가 되도록 하며, 앞서 설명한 0.059 내지 0.079kg/cm2의 압력이 각 휨이 발생한 SiC 기판(3)에 작용하도록 한다.
In this case, the number of stacked SiC substrates 3 having warpage to be stacked is 4 to 5, and the pressure of 0.059 to 0.079 kg / cm 2 described above is applied to the SiC substrate 3 having warpage.

이와 같은 과정을 통해 휨을 개선하기 위하여 불필요하게 두꺼운 SiC 층을 증착한 후, 연마 제거할 필요가 없어 소재의 낭비를 방지하며, 강도가 높은 SiC의 연마에 필요한 시간과 비용을 절감할 수 있게 된다.
Through such a process, an unnecessary thick SiC layer is deposited to improve warpage, and thus, it is not necessary to remove and remove materials, thereby preventing waste of materials and reducing time and cost required for polishing of high strength SiC.

도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실리콘카바이드 기판 제조방법에 따라 제조된 실리콘카바이드 기판과 종래 실리콘카바이드 기판의 휨 정도를 나타낸 그래프이다.8 is a graph showing the degree of warpage of the silicon carbide substrate prepared in accordance with the silicon carbide substrate manufacturing method according to a preferred embodiment of the present invention and the conventional silicon carbide substrate.

도 8에서 직선구간이 종래 실리콘카바이드 기판의 휨정도를 나타내는 것으로, 0.5mm에서 1.3mm 정도로 분포하는 기판의 휨이, 점으로 표시된 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 처리된 실리콘카바이드의 휨은 모두 0.2mm 이내로 휨정도가 감소한 것을 알 수 있다.
In FIG. 8, the straight section represents the degree of warpage of the conventional silicon carbide substrate, and the warpage of the silicon carbide treated according to the preferred embodiment of the present invention in which the warpage of the substrate distributed in the range of about 0.5 mm to about 1.3 mm is represented by a point of 0.2. It can be seen that the bending degree is reduced within mm.

또한 도 9는 2100℃에서 열처리한 본 발명의 실리콘카바이드 기판의 SiC의 상변화를 측정한 것으로, 2100℃에서 가압 열처리를 한 경우에도 SiC가 β-SiC에서 α-SiC로 상변화되지 않음을 확인할 수 있다.In addition, Figure 9 is a measurement of the phase change of the SiC of the silicon carbide substrate of the present invention heat-treated at 2100 ℃, confirming that the SiC does not phase change from β-SiC to α-SiC even when the pressure heat treatment at 2100 ℃ Can be.

따라서 본 발명은 실리콘카바이드 기판의 휨을 상변화 없이 최소화할 수 있게 된다.
Therefore, the present invention can minimize the warpage of the silicon carbide substrate without a phase change.

전술한 바와 같이 본 발명에 대하여 바람직한 실시예를 들어 상세히 설명하였지만, 본 발명은 전술한 실시예들에 한정되는 것이 아니고, 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, And this also belongs to the present invention.

1:그라파이트 원판 2:SiC층
3:휨이 발생한 SiC 기판 4:평탄한 SiC 기판
5:그라파이트판1: graphite disc 2: SiC layer
3: SiC substrate with warping 4: Flat SiC substrate
5: graphite

Claims (6)

a) 그라파이트 원판의 전면에 SiC 층을 증착하고, 냉각시키는 단계;
b) 상기 그라파이트 원판을 제거하여 SiC 층을 분리하여 휨이 발생한 SiC 기판을 획득하는 단계; 및
c) 상기 획득된 휨이 발생한 기판을 가압조건에서 열처리하여 평탄한 SiC로 전환시키는 단계를 포함하는 실리콘카바이드 기판 제조방법.
a) depositing and cooling a SiC layer on the entire surface of the graphite disc;
b) removing the graphite disc to separate the SiC layer to obtain a SiC substrate having warpage; And
c) heat-treating the obtained substrate having the warpage under a pressurized condition to convert it into flat SiC.
제1항에 있어서,
상기 a)단계는 상기 평탄한 SiC 기판의 두께보다 1 내지 2mm 더 두꺼운 두께의 SiC 층을 증착하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 기판 제조방법.
The method of claim 1,
Step a) is a silicon carbide substrate manufacturing method, characterized in that for depositing a SiC layer having a thickness of 1 to 2mm thicker than the thickness of the flat SiC substrate.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 c) 단계는,
그라파이트판으로 상기 휨이 발생한 SiC 기판을 중량물로 가압한 상태로 열처리하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 기판 제조방법.
The method according to claim 1 or 2,
The step c)
A method of manufacturing a silicon carbide substrate, characterized in that the heat treatment in the state of pressing the SiC substrate with the warp with a graphite plate with a heavy material.
제3항에 있어서,
상기 c) 단계는,
1800 내지 2100℃의 온도로 열처리하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 기판 제조방법.
The method of claim 3,
The step c)
Method for producing a silicon carbide substrate, characterized in that the heat treatment at a temperature of 1800 to 2100 ℃.
제3항에 있어서,
상기 c) 단계는,
상기 그라파이트판에 의한 하중이 0.069±0.01kg/cm2으로 상기 휨이 발생한 SiC 기판을 누르는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 기판 제조방법.
The method of claim 3,
The step c)
The method of manufacturing a silicon carbide substrate, characterized in that to press the SiC substrate in which the warp is generated with a load by the graphite plate is 0.069 ± 0.01 kg / cm 2 .
제3항에 있어서,
상기 c) 단계는,
상기 그라파이트판이 최상층과 최하층에 위치하도록 상기 휨이 발생한 SiC 기판과 교번하여 열처리로에 장입하여 각 휨이 발생한 SiC 기판에 0.069±0.01kg/cm2의 하중이 부가되는 상태에서, 1800 내지 2100℃의 온도로 열처리하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 기판 제조방법. The method of claim 3,
The step c)
1800 to 2100 ° C. in a state in which a load of 0.069 ± 0.01 kg / cm 2 is applied to the SiC substrate having the warpage by inserting it into the heat treatment furnace by alternating with the SiC substrate having the warpage so that the graphite plate is located at the uppermost layer and the lowest layer. Silicon carbide substrate manufacturing method characterized in that the heat treatment at a temperature.
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KR20190123505A (en) * 2018-04-24 2019-11-01 주식회사 케이엔제이 Manufacturing method for large SiC plate
CN113584596A (en) * 2021-06-25 2021-11-02 金华博蓝特电子材料有限公司 Annealing method for improving flatness of silicon carbide wafer
TWI754597B (en) * 2021-06-24 2022-02-01 環球晶圓股份有限公司 Wafer processing apparatus

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