KR20130025012A - 배기가스 정화용 플라즈마발생부를 갖는 기판처리시스템 - Google Patents

배기가스 정화용 플라즈마발생부를 갖는 기판처리시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판처리시스템에 관한 것으로서, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 프로세스챔버와; 상기 프로세스챔버의 기판 처리 후 배기가스를 배기하는 배기부를 포함하고, 상기 배기부는, 상기 프로세스챔버에 연결되어 상기 배기가스가 배출되는 배기관과; 상기 배기관을 통해 상기 배기가스가 배출되도록 하는 배기펌프와; 상기 배기관에 결합되며 플라즈마를 발생시켜 상기 배기가스를 정화하는 정화용 플라즈마발생부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

배기가스 정화용 플라즈마발생부를 갖는 기판처리시스템{WAFER PROCESSING SYSTEM HAVING PLASMA GENERATOR FOR CLEANING EXHAUST GAS}
본 발명은 기판처리시스템에 관한 것으로, 구체적으로는 기판처리공정에 사용된 배기가스를 정화하는 플라즈마발생부를 갖는 기판처리시스템에 관한 것이다.
반도체 제조공정은 프로세스챔버 내에 배치된 기판 또는 글래스에 박막을 증착하거나, 증착된 박막을 식각하는 공정을 반복적으로 수행한다. 이 때, 공정을 위해 프로세스챔버 내부에는 공정종류에 따라 실란, 아르신 및 염화 붕소 등의 유해가스와 수소 등의 반응용 가스가 공급되고,공정이 진행되는 동안 프로세스챔버 내부에는 각종 발화성 가스와 부식성 이물질 및 유독 성분을 함유한 유해가스 등이 발생된다. 또한, 공급된 반응용 가스가 반응이 되지 않고 남아 있기도 한다. 이렇게 공정이 완료된 후 프로세스챔버 내에 잔류하는 배기가스는 진공펌프 등을 통해 외부로 배기된다.
그런데, 배기가스에 포함된 유해성분들은 유독성, 부식성, 산화성이 강하여 대기로 여과없이 배출될 경우, 인체와 환경은 물론 생산설비 자체에도 많은 문제점을 일으킬 우려가 있다.
이에 배기가스를 대기로 배출시키기 전에 배기가스에 포함된 유해한 성분을 정화시킬 필요가 있다.
본 발명의 목적은 상술한 문제를 해결하기 위한 것으로, 배기가스를 플라즈마를 이용하여 정화한 후 배기하는 기판처리시스템을 제공하는 것이다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 기판처리시스템에 관한 것이다. 본 발명의 기판처리시스템은, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 프로세스챔버와; 상기 프로세스챔버의 기판 처리 후 배기가스를 배기하는 배기부를 포함하고, 상기 배기부는, 상기 프로세스챔버에 연결되어 상기 배기가스가 배출되는 배기관과; 상기 배기관을 통해 상기 배기가스가 배출되도록 하는 배기펌프와; 상기 배기관에 결합되며 플라즈마를 발생시켜 상기 배기가스를 정화하는 정화용 플라즈마발생부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
일 실시예에 따르며상기 정화용 플라즈마발생부는 상기 배기관의 배기가스 배출경로 상에 일체로 배치된다.
일 실시예에 따르면, 상기 정화용 플라즈마발생부는 상기 배기관에 이격되게 배치되고, 상기 정화용 플라즈마발생부에서 발생된 정화용 플라즈마를 상기 배기관으로 공급하는 공급관을 더 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 정화용 플라즈마발생부는, 플라즈마가 발생되는 반응본체와; 상기 반응본체의 외측에 결합되며 마그네틱 코어와 일차권선에 의해 상기 반응본체로 플라즈마 발생을 위한 유도기전력을 형성하는 변압기를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 마그네틱 코어는 상기 반응본체의 일부를 감싸는 구조로 형성된다.
일 실시예에 따르면, 상기 반응본체는 중공형 구조로 형성되고, 상기 변압기는 상기 반응본체의 내측에 결합된다.
일 실시예에 따르면, 상기 반응본체는 환형의 플라즈마 방전 루프가 좌우 한 쌍이 형성되도록 세 개의 반응관을 갖는 형태로 구비된다.
일 실시예에 따르면, 상기 정화용 플라즈마발생부는, 플라즈마가 발생되는 반응본체와; 상기 반응본체의 외주연에 권취된 코일을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 프로세스챔버의 기판처리를 위한 플라즈마는 상기 프로세서챔버의 내부에서 발생되거나, 외부에서 발생되어 상기 프로세tm챔버로 공급된다.
일 실시예에 따르면, 상기 공정용 플라즈마발생부와 상기 정화용 플라즈마발생부는 각각 별도의 전원공급부를 구비하여 전원을 공급받거나, 한 개의 전원공급부의 스위칭동작에 의해 선택적으로 전원을 공급받는다.
일 실시예에 따르면, 상기 배기관의 일측에 구비되어 상기 배기관을 통해 배기되는 배기가스의 오염도를 감지하는 감지센서와; 상기 감지센서의 감지결과에 따라 상기 정화용 플라즈마발생부의 구동을 제어하는 제어부를 더 포함한다.
본 발명의 기판처리시스템은 프로세스챔버의 배기관에 정화용 플라즈마발생부가 일체로 결합되어 배기가스를 직접 정화시킨 후 배기시킨다. 이에 따라 배기가스에 포함된 유해성분들이 정화될 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리시스템의 구조를 개략적으로 도시한 개략도,
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리시스템의 구조를 개략적으로 도시한 개략도,
도 3은 본 발명의 제3실시예에 따른 기판처리시스템의 구조를 개략적으로 도시한 개략도,
도 4는 본 발명의 제4실시예에 따른 기판처리시스템의 구조를 개략적으로 도시한 개략도,
도 5는 본 발명의 제5실시예에 따른 기판처리시스템의 구조를 개략적으로 도시한 개략도,
도 6 내지 도 11은 본 발명의 기판처리시스템의 정화용 플라즈마발생부의 다양한 실시예들을 도시한 개략도들이다.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리시스템(1)의 구성을 개략적으로 도시한 개략도이다.
도시된 바와 같이 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리시스템(1)은 기판에 대한 공정이 진행되는 프로세스챔버(100)와, 프로세스챔버(100)에서 공정이 진행되도록 공정용 플라즈마를 공급하는 공정용 플라즈마공급부(200)와, 프로세스챔버(100)에서 공정이 완료된 후 배기되는 배기가스를 플라즈마를 이용하여 정화한 후 외부로 배출시키는 배기부(300)를 포함한다.
프로세스챔버(100)는 공정용 플라즈마공급부(200)로부터 공급된 플라즈마를 이용해 기판에 대한 처리가 진행된다. 프로세스챔버(100)는 다양한 기판 프로세싱 작동들을 수행하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 포토레지스트를 제거하는 애싱(ashing) 챔버일 수 있고, 절연막을 증착시키도록 구성된 CVD(Chemical Vapor Deposition) 챔버일 수 있고, 인터커넥트 구조들을 형성하기 위해 절연막에 애퍼쳐(aperture)들이나 개구들을 에칭하도록 구성된 에칭 챔버일 수 있다. 또는 장벽(barrier) 막을 증착시키도록 구성된 PVD 챔버일 수 있으며, 금속막을 증착시키도록 구성된 PVD 챔버일 수 있다.
프로세스챔버(100)는 도면에 도시되지 않았으나 피처리 기판이 적재되는 기판지지대(미도시)를 구비하며, 공정용 플라즈마공급부(200)로부터 플라즈마를 공급받는 공급구(미도시)와, 공정이 완료된 후 배기가스가 배기되는 배출구(미도시)를 포함한다.
공정용 플라즈마공급부(200)는 프로세스챔버(100)에서 기판 처리공정이 진행되도록 플라즈마를 생성하여 공급한다. 본 발명의 제1실시예에 따른 공정용 플라즈마공급부(200)는 프로세스챔버(100)의 외부에 구비되어 원격에서 플라즈마를 생성하여 공급하는 RPG(remote plasma generator)의 형태로 구비된다.
공정용 플라즈마공급부(200)는 플라즈마발생부(210)와, 플라즈마발생부(210)에서 발생된 플라즈마를 프로세스챔버(100)로 공급하는 플라즈마공급관(220)과, 플라즈마를 발생하기 위해 필요한 공정가스를 플라즈마발생부(210)로 공급하는 가스공급원(230)과, 플라즈마발생부(210)로 전원을 공급하는 전원공급원(240)을 포함한다.
본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마발생부(210)는 플라즈마 소스로 무선 주파수를 사용하는 변압기 결합 플라즈마가 사용된다. 변압기 결합 플라즈마 소스는 일차 권선(215)이 결하된 마그네틱 코어(213)를 갖는 변압기를 구비한다.
플라즈마발생부(210)는 플라즈마가 생성되는 반응본체(211)와, 반응본체(211)의 외측에 배치되는 마그네틱코어(213)와, 마그네틱코어(213)에 감겨진 일차 권선(215)을 포함한다.
반응본체(211)는 환형구조를 갖고, 마그네틱 코어(213)는 반응본체(211)의 일부를 감싸도록 구비된다. 일차권선(215)은 전원공급원(240)에 전기적으로 연결된다. 전원공급원(240)은 일차권선(215)으로 무선주파수 전력을 공급하여 플라즈마가 생성되도록 한다.
반응본체(211)는 가스공급원(230)으로부터 제공되는 공정가스를 공급받는 가스입구(217)와 프로세스챔버(100)와 연결되어 플라즈마를 공급하는 가스출구(219)가 형성된다. 반응본체(211)에서 발생된 플라즈마는 가스출구(219)를 통하여 프로세스챔버(100)로 공급된다.
전원공급원(240)은 별도의 임피던스 정합기 없이 출력 전력의 제어가 가능한 교류 스위칭 전원 공급원으로 구성될 수 있다. 또는 전원공급원(240)은 별도의 임피던스 정합기를 사용할 수도 있다.
반응본체(211)와 프로세스챔버(100)는 알루미늄과 같은 전도체 물질로 제작될 수 있다. 또는 석영과 같은 비절연체 물질로 구성도 가능하다. 전도체 물질로 제작되는 경우에는 양극 처리된 것을 사용하는 것이 바라직하다. 전도체 물질로 구성하는 경우 복합소재, 예를 들어 탄소나뉴튜브와 공유결합된 알루미늄으로 구성되는 복합소재를 사용하는 것이 매우 유용할 수 있다. 이러한 복합소재는 기존의 알루미늄 보다 강도가 대략 3배 이상이며 강도 대비하여 중량을 경량인 특징이 있다. 복합소재로 구성된 반응본체(211)와 프로세스챔버(100)는 다양한 공정 환경과 열적 환경에서도 안정적인 구조를 유지할 수 있다. 특히, 반응본체(211)가 도전성 재료로 제작되는 경우에는 에디 전류가 발생되는 것을 방지하기 위하여 전기적으로 불연속 영역을 형성하기 위한 절연 영역이 구비된다.
여기서, 반응본체(211)와 마그네틱코어(213)가 접촉되는 영역에는 유전체윈도우(미도시)가 구비된다.
가스공급원(230)으로부터 공정가스가 반응본체(211) 내부로 제공되면, 전원공급원(240)으로부터 무선주파수 전력이 일차권선(215)으로 공급되어 반응본체(211) 내부에는 환형의 플라즈마 방전루프가 발생된다. 여기서, 반응본체(211) 내부에 발생되는 플라즈마는 제어부(400)를 통해 전원공급원(240)의 전력을 제어하거나, 반응본체(211) 내부로 유입되는 공정가스의 유량을 제어하여 조절할 수 있다.
배기부(300)는 프로세스챔버(100)의 하부영역에 결합되어 공정이 완료된 후 배출되는 배기가스에 플라즈마를 발생시켜 배기가스를 정화한 후 배기시킨다. 배기부(300)는 프로세스챔버(100)에서 배기가스가 배기되는 배기관(310)과, 배기관(310) 상에 연결되어 플라즈마를 생성하는 정화용 플라즈마발생부(320)와, 배기관(310)에 연결되어 배기가스가 배기되도록 하는 배기펌프(330)와, 정화용 플라즈마발생부(320)로 공정가스를 공급하는 가스공급원(340)과, 정화용 플라즈마발생부(320)로 전력을 공급하는 전원공급원(350)을 포함한다.
정화용 플라즈마발생부(320)는 제4의 물질상태로 불리는 플라즈마를 이용하여 배기가스 내에 포함된 고형물질을 연소시키거나 정화시킨다.
여기서, 정화용 플라즈마발생부(320)는 앞서 설명한 공정용 플라즈마발생부(210)와 동일한 구성을 가지므로, 자세한 설명은 생략한다. 정화용 플라즈마발생부(320)는 배기관(310) 상에 일체로 형성되어 가스공급원(340)으로부터 공급된 공정가스를 이용해 플라즈마를 발생시켜 배기가스를 정화한다.
이 때, 가스공급원(340)으로부터 공급되는 정화가스는 프로세스챔버(100)에서 진행되는 공정의 종류와 배기가스의 종류에 따라 선택될 수 있다.
제어부(400)는 공정에 따라 공정용 플라즈마공급부(200)와 정화용 플라즈마발생부(320)가 플라즈마를 생성하도록 제어한다. 제어부(400)는 배기관(310)의 일측에 부착된 감지센서(410)가 배기가스의 오염도를 감지하여 플라즈마를 통해 정화된 정도를 판단한다. 제어부(400)는 정화용 플라즈마발생부(320)를 통해 정화된 배기가스가 기준범위 보다 오염도가 높은 경우 배기펌프(330)를 통해 외부로 배기되지 않고 정화용 플라즈마발생부(320)에 의해 재정화되도록 한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리시스템은 프로세스챔버의 배기관에 정화용 플라즈마발생부가 일체로 결합되어 배기가스를 직접 정화시킨 후 배기시킨다. 이에 따라 배기가스에 포함된 유해성분들이 정화될 수 있다.
한편, 도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리시스템(1a)의 구성을 개략적으로 도시한 개략도이다.
앞서 설명한 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리시스템(1)은 공정용 플라즈마발생부(210)와 정화용 플라즈마발생부(320)가 각각 별개의 전원공급원(240,350)으로부터 전원을 공급받아 플라즈마를 생성하였다.
반면, 본 발명의 제2실시예에 따른 기판처리시스템(1a)는 전원공급원(250)과 공정용 플라즈마발생부(210) 및 정화용 플라즈마발생부(320) 사이에 스위칭회로(260)가 구비되어 선택적으로 전원을 공급한다.
이에 따라 프로세스챔버(100)의 공정진행순서에 따라 제어부(400)가 스위칭회로(260)를 제어하여 공정용 플라즈마발생부(210)와 정화용 플라즈마발생부(320)에 선택적으로 전원이 공급된다. 일례로, 공정이 진행되는 동안에는 공정용 플라즈마발생부(210)로 전원이 공급되도록 하고, 공정이 완료된 후에는 정화용 플라즈마발생부(320)로 전원이 공급되도록 한다.
도 3은 본 발명의 제3실시예에 따른 기판처리시스템(1b)의 구성을 개략적으로 도시한 개략도이다.
앞서 설명한 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리시스템(1)은 프로세스챔버(100)의 외부에 공정용 플라즈마발생부(210)가 RPG의 형태로 구비되어 공정용 플라즈마를 연결관(220)을 통해 프로세스챔버(100) 내부로 공급하였다. 반면, 본 발명의 제3실시예에 따른 기판처리시스템(1b)은 공정용 플라즈마가 프로세스챔버(100) 내부에서 직접 생성되도록 구비된다. 즉, 프로세스챔버(100) 내부에 플라즈마소스가 직접 구비되어 플라즈마를 생성한다. 플라즈마소스는 용량결합성 플라즈마 소스이거나, 유도결합성 플라즈마 소스일 수 있다.
한편, 도 4는 본 발명의 제4실시예에 따른 기판처리시스템(1c)의 구성을 개략적으로 도시한 개략도이다.
앞서 설명한 본 발명의 제1실시예에 따른 기판처리시스템(1)은 정화용 플라즈마발생부(320)가 배기관(310)의 관로상에 일체로 구비되었다. 반면, 본 발명의 제4실시예에 따른 기판처리시스템(1c)은 정화용 플라즈마발생부(320a)가 배기관(310)의 외측에 배치되고, 공급관(360)을 통해 정화용 플라즈마를 공급하는 구조를 갖는다.
제1실시예에 따른 기판처리시스템(1)은 배기가스가 배기되는 배기관(310)으로 가스공급원(230)이 정화용 가스를 공급하고 플라즈마가 생성되므로 배기가스와 정화용 가스가 혼재된 상태로 정화가 이루어진다. 반면, 제4실시예에 따른 기판처리시스템(1)은 정화용 가스가 정화용 플라즈마발생부의 반응본체(321) 내부로 공급되고, 발생된 정화용 플라즈마가 공급관(360)을 통해 공급되므로 배기가스에 대한 정화효율이 제1실시예에 따른 기판처리시스템(1)에 비해 향상될 수 있다.
한편, 도 5는 도 4에 도시된 본 발명의 제4실시예의 변형예이다. 도시된 바와 같이 제4실시예의 변형예에 따른 기판처리시스템(1d)는 공정용 플라즈마발생부가 프로세스챔버(100) 내부에 구비된 형태로 구비된다.
한편, 도 6 내지 도 11은 정화용 플라즈마발생부(320)의 다양한 실시예들을 도시한 개략도들이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 정화용 플라즈마발생부(320)는 반응본체(321)가 배기관(310)에 연결되는 환형의 형태로 내부에 한 개의 플라즈마 방전루프가 발생된다. 반면, 본 발명의 제2실시예에 따른 정화용 플라즈마발생부는 도6에 도시된 바와 같이 반응본체(211)의 가운데영역이 배기관(310)에 연결되게 관통형성되어 내부에 두 개의 플라즈마 방전루프가 양쪽으로 형성되도록 구비된다.
이 때, 마그네틱코어(213)는 도 6에 도시된 바와 같이 반응본체(321)의 내외측에 결합된 형태로 구비되거나, 도 7에 도시된 바와 같이 반응본체(321)의 내측에만 결합된 형태로 구비될 수 있다.
또한, 반응본체(321a)는 도 8과 도 9에 도시된 바와 같이 배기관(310)의 일측으로 돌출된 환형 형상으로 구비될 수도 있으며, 마그네틱코어(213)가 도 8과 같이 반응본체(211)를 감싸도록 결합되거나 도 9에 도시된 바와 같이 배기관(310)을 감싸는 형태로 구비될 수도 있다.
또한, 플라즈마발생부(320d)는 도 10에 도시된 바와 같이 일차권선이 반응본체(321a)의 외측에 직접 권취된 형상으로 구비되어 플라즈마를 생성할 수도 있다.
또한, 플라즈마발생부(320e)는 도 11에 도시된 바와 같이 마그네틱코어(328)이 환형으로 반응본체(321)를 감싸도록 구비될 수도 있다.
이러한 다양한 형상의 플라즈마발생부는 프로세스챔버에서 진행되는 공정종류를 고려하여 선택될 수 있다.
이상에서 설명된 본 발명의 기판처리시스템의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그러므로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
1 : 기판처리시스템 100 : 프로세스챔버
200 : 공정용 플라즈마공급부 210 : 플라즈마발생부
211 : 반응본체 213 : 마그네틱코어
215 : 일차권선 217 : 가스입구
219 : 가스출구 220 : 플라즈마공급관
230 : 가스공급원 240 : 전원공급원
300 : 배기부 310 : 배기관
320 : 정화용 플라즈마발생부 330 : 배기펌프
340 : 가스공급원 350 : 전원공급원
400 : 제어부 410 : 감지센서

Claims (11)

  1. 기판처리시스템에 있어서,
    플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 프로세스챔버와;
    상기 프로세스챔버의 기판 처리 후 배기가스를 배기하는 배기부를 포함하고,
    상기 배기부는,
    상기 프로세스챔버에 연결되어 상기 배기가스가 배출되는 배기관과;
    상기 배기관을 통해 상기 배기가스가 배출되도록 하는 배기펌프와;
    상기 배기관에 결합되며 플라즈마를 발생시켜 상기 배기가스를 정화하는 정화용 플라즈마발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 정화용 플라즈마발생부는 상기 배기관의 배기가스 배출경로 상에 일체로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 정화용 플라즈마발생부는 상기 배기관에 이격되게 배치되고, 상기 정화용 플라즈마발생부에서 발생된 정화용 플라즈마를 상기 배기관으로 공급하는 공급관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정화용 플라즈마발생부는,
    플라즈마가 발생되는 반응본체와;
    상기 반응본체의 외측에 결합되며 마그네틱 코어와 일차권선에 의해 상기 반응본체로 플라즈마 발생을 위한 유도기전력을 형성하는 변압기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 마그네틱 코어는 상기 반응본체의 일부를 감싸는 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 반응본체는 중공형 구조로 형성되고, 상기 변압기는 상기 반응본체의 내부에 내장되는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 반응본체는 환형의 플라즈마 방전 루프가 좌우 한 쌍이 형성되도록 세 개의 반응관을 갖는 형태로 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 정화용 플라즈마발생부는,
    플라즈마가 발생되는 반응본체와;
    상기 반응본체의 외주연에 권취된 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 프로세스챔버의 기판처리를 위한 공정용 플라즈마를 생성하는 공정용 플라즈마발생부를 더 포함하고,
    상기 공정용 플라즈마발생부는 상기 프로세서챔버의 내부에 구비되거나, 외부에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 공정용 플라즈마발생부와 상기 정화용 플라즈마발생부는 각각 별도의 전원공급부를 구비하여 전원을 공급받거나, 한 개의 전원공급부의 스위칭동작에 의해 선택적으로 전원을 공급받는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 배기관의 일측에 구비되어 상기 배기관을 통해 배기되는 배기가스의 오염도를 감지하는 감지센서와;
    상기 감지센서의 감지결과에 따라 상기 정화용 플라즈마발생부의 구동을 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.
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