KR20130022420A - 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 신규한 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자에 대한 것으로서, 상기 유기 화합물을 유기 발광 소자용 재료로서 , 바람직하게는 발광층, 특히 녹색의 형광 또는 인광 호스트 재료로서 이용함으로써, 유기 전계 발광 소자의 발광효율, 휘도, 전력효율, 열적 안정성 및 소자 수명 등의 제반 특성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 유기 전계 발광 소자용 재료로서 사용될 수 있는 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자에 관한 것이다.
유기 전자 소자는 유기 반도체 물질을 이용한 전자 소자로서, 전극과 유기 반도체 물질 사이에서의 정공 및/또는 전자의 교류를 필요로 한다. 유기 전자 소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지 형태로 분류될 수 있다. 첫째, 외부의 광원으로부터 광자가 유기 전자 소자 내 유기물 반도체 물질층에 유입되면 엑시톤(exiton)이 형성되고, 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리된 후 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 유기 전자 소자가 있다. 둘째, 2 개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 인가하면, 전극과 접촉하고 있는 유기 반도체 물질층에 정공 및/또는 전자가 주입되고, 주입된 전자 및 정공에 의해 작동하는 형태의 유기 전자 소자가 있다.
상기 유기 전자 소자의 예로는 유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 유기 감광체(OPC) 드럼, 유기 트랜지스터 등이 있다. 이들은 모두 소자의 구동을 위해 전자/정공 주입 물질, 전자/정공 추출 물질, 전자/정공 수송 물질 또는 발광 물질을 필요로 하며, 이들 물질은 각 유기 전자 소자 내에서 유사한 원리도 작용한다.
이러한 유기 전자 소자 중에서, 유기 전계 발광 소자는 유기 물질을 이용하여 전기 에너지를 빛 에너지로 전환시켜 주는 유기 전계 발광 현상을 이용하는 소자로서, 일반적으로 양극과 음극 및 이들 사이에 개재(介在)된 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면, 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 각각 유기물층에 주입된다. 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되고, 이 엑시톤이 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
유기 발광 소자의 경우, 소자의 효율 및 안정성을 높이기 위해, 양극과 음극 사이에 개재되는 유기물층을 단층 대신 각각 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 등을 포함할 수 있다.
상기 유기물층으로 사용되는 재료는 그 기능에 따라, 발광층 재료, 전하 수송층 재료, 정공 주입층 재료, 정공 수송층 재료, 전자 수송층 재료, 전자 주입층 재료 등으로 분류될 수 있다.
발광층 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광층 재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광층 재료로 구분될 수 있다. 또한, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율을 증가시키기 위하여, 발광층 재료로서 호스트/도판트계를 사용할 수 있다. 즉, 발광층을 주로 구성하는 호스트보다 에너지 대역 간극이 작고 발광 효율이 우수한 도판트를 발광층에 소량 혼합하면, 호스트에서 발생한 엑시톤이 도판트로 수송되어 효율이 높은 빛을 낼 수 있다. 이때, 호스트의 파장이 도판트의 파장대로 이동하므로, 이용하는 도판트의 종류에 따라 원하는 파장의 빛을 얻을 수 있다.
한편, 전자 주입층에서 주입된 전자와 정공 주입층에서 전달된 정공은 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 형성하게 되며 일중항 여기 상태에서 기저 상태로 떨어질 때 발광하는 것을 형광이라고 하고, 삼중항 여기 상태에서 기저 상태로 떨어질 때 발광하는 것을 인광이라고 한다. 이론적으로, 인광은 형광과 달리 100 %의 발광 효과를 기대할 수 있다. 이로 인해, 인광 호스트 재료의 경우, 25 %의 발광효율을 갖는 발광 호스트 재료보다 높은 발광 효율을 가질 수 있다. 그러나, 현재 인광 호스트 재료의 경우, 형광 호스트 재료에 비해 개발 속도도 느리고, 짧은 수명으로 인해 시제품에 적용 시키기 어렵다.
전술한 유기 전계 발광 소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 정공 주입층 재료, 정공 수송층 재료, 발광층 재료, 전자 수송층 재료, 전자 주입층 재료 등과 같이 소자 내 유기물층 재료가 보다 안정적이고 효율적이어야 한다. 그러나, 아직까지 안정적이고 효율적인 유기 전계 발광 소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 물질의 개발이 계속 요구되고 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하고자, 발광효율, 휘도, 전력효율, 열적 안정성 및 소자 수명 등의 제방 특성을 향상시킬 수 있는 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자를 제공하고자 한다.
본 발명은 하기 화학식 1로 화합물, 화학식 2로 표시되는 화합물, 및 화학식 3으로 표시되는 화합물을 제공한다.
상기 화학식 1에서,
Ar1 내지 Ar3는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C40의 알킬, C2~C40의 알케닐, C2~C40의 알키닐, C5~C40의 아릴, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴, C5~C40의 아릴옥시, C1~C40의 알킬옥시, C5~C40의 아릴아미노, C5~C40의 디아릴아미노, (C6~C40의 아릴)C1~C40의 알킬, C3~C40의 시클로알킬 및 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬로 이루어진 군에서 선택되고;
상기 R1 및 R2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C40의 알킬, C2~C40의 알케닐, C2~C40의 알키닐, C5~C40의 아릴, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴, C5~C40의 아릴옥시, C1~C40의 알킬옥시, C5~C40의 아릴아미노, C5~C40의 디아릴아미노, (C6~C40의 아릴)C1~C40의 알킬, C3~C40의 시클로알킬 및 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬로 이루어진 군에서 선택되며;
상기 X 및 Y는 각각 독립적으로 CA1A2, NA1, O, S, S(=O), S(=O)2, 및 SiA1A2 로 이루어진 군에서 선택되고;
상기 A1 및 A2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C40의 알킬, C2~C40의 알케닐, C2~C40의 알키닐, C5~C40의 아릴, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴, C5~C40의 아릴옥시, C1~C40의 알킬옥시, C5~C40의 아릴아미노, C5~C40의 디아릴아미노, (C6~C40의 아릴)C1~C40의 알킬, C3~C40의 시클로알킬 및 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 A1 및 A2가 서로 결합하여 5원 ~ 6원 고리를 형성할 수 있다.
상기 화학식 2에서,
Ar1 , Ar2 및 Ar4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 H, 중수소, C1~C40의 알킬, C2~C40의 알케닐, C2~C40의 알키닐, C5~C40의 아릴, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴, C5~C40의 아릴옥시, C1~C40의 알킬옥시, C5~C40의 아릴아미노, C5~C40의 디아릴아미노, (C6~C40의 아릴)C1~C40의 알킬, C3~C40의 시클로알킬 및 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬로 이루어진 군에서 선택되고;
R1 내지 R4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 H, 중수소, C1~C40의 알킬, C2~C40의 알케닐, C2~C40의 알키닐, C5~C40의 아릴, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴, C5~C40의 아릴옥시, C1~C40의 알킬옥시, C5~C40의 아릴아미노, C5~C40의 디아릴아미노, (C6~C40의 아릴)C1~C40의 알킬, C3~C40의 시클로알킬 및 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬로 이루어진 군에서 선택되며;
X, X1, Y 및 Y1은 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 CA1A2, NA1, O, S, S(=O), S(=O)2, 및 SiA1A2 로 이루어진 군에서 선택되고;
A1 및 A2는 상기 화학식 1에 정의한 바와 같다.
상기 화학식 3에서,
Ar1, Ar4 및 Ar5는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 H, 중수소, C1~C40의 알킬, C2~C40의 알케닐, C2~C40의 알키닐, C5~C40의 아릴, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴, C5~C40의 아릴옥시, C1~C40의 알킬옥시, C5~C40의 아릴아미노, C5~C40의 디아릴아미노, (C6~C40의 아릴)C1~C40의 알킬, C3~C40의 시클로알킬 및 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬로 이루어진 군에서 선택되고;
R1 내지 R6는 역시 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 H, 중수소, C1~C40의 알킬, C2~C40의 알케닐, C2~C40의 알키닐, C5~C40의 아릴, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴, C5~C40의 아릴옥시, C1~C40의 알킬옥시, C5~C40의 아릴아미노, C5~C40의 디아릴아미노, (C6~C40의 아릴)C1~C40의 알킬, C3~C40의 시클로알킬 및 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬로 이루어진 군에서 선택되며;
X, X1, X2, Y, Y1 및 Y2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 CA1A2, NA1, O, S, S(=O) 및 S(=O)2, SiA1A2 로 이루어진 군에서 선택되고;
A1 및 A2는 상기 화학식 1에 정의한 바와 같다.
또한, 본 발명은 양극; 음극; 및 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전계 발광 소자로서, 상기 유기물 층 적어도 하나는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 화학식 1의 화합물, 화학식 2의 화합물 및 화학식 3의 화합물은 형광 특성 및 인광 특성을 모두 가질 수 있어 유기 발광 소자용 재료, 바람직하게는 발광층, 특히 녹색의 형광 또는 인광 호스트 재료로서 이용될 수 있다.
또한, 본 발명에서는 상기 화합물 중 적어도 하나를 유기 전계 발광 소자에 적용함으로써, 유기 전계 발광 소자의 발광효율, 휘도, 전력효율, 열적 안정성 및 소자 수명 등의 제반 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물은 형광 특성 및 인광 특성을 모두 가질 수 있기 때문에, 유기 발광 소자에서 인광 또는 형광 발광층 재료, 구체적으로 녹색의 인광 또는 형광 호스트(host) 재료로서 사용될 수 있다. 또한, 유기 전계 발광 소자에서 상기 화합물을 인광 또는 형광 호스트 재료로서 사용할 경우, 호스트에서 도판트로의 에너지 이동이 원활하여 구동 전압을 낮출 수 있다. 이로써, 상기 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 소자는 구동 전압 및 수명 특성이 향상될 뿐만 아니라, 발광효율, 휘도, 전력효율, 열적 안정성 등 제반 특성이 향상될 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 있어서, 상기 Ar1 내지 Ar3 중 적어도 어느 하나는 C5~C40의 아릴, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴, C5~C40의 아릴옥시, C5~C40의 아릴아미노, C5~C40의 디아릴아미노, (C6~C40의 아릴)C1~C40의 알킬, C3~C40의 시클로알킬 및 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬로 이루어진 군에서 선택된 것인 것이 바람직하다.
또, 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물에 있어서, 상기 Ar1의 예로는 하기 화학식 4 내지 화학식 9로 이루어진 군에서 선택된 화학식으로 표시되는 것일 수 있는데, 이에 제한되지 않는다.
상기 화학식 4 내지 9에서, Q1 및 Q2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 수소, 
, 
, 
, 
, 및
로 이루어진 군에서 선택되고,
상기 E1은 수소 또는 
이며,
상기 Z 및 Z1은 각각 독립적으로 C 또는 Si이다.
본 발명에 따른 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 예로는 하기 화학식 1a로 표시되는 화합물이 있는데, 이에 제한되지 않는다.
[화학식 1a]
상기 화학식 1a에서, Ar1, X 및 Y는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
바람직하게는, 상기 화학식 1a의 Ar1은 상기 화학식 4 내지 화학식 9로 이루어진 군에서 선택된 화학식으로 표시될 수 있다.
또, 본 발명에 따른 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 예로는 하기 화학식 2a로 표시되는 화합물이 있는데, 이에 제한되지 않는다.
[화학식 2a]
상기 화학식 2a에서, Ar1, X, X1, Y 및 Y1는 상기 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.
바람직하게는, 상기 화학식 2a의 Ar1은 상기 화학식 4 내지 화학식 9로 이루어진 군에서 선택된 화학식으로 표시될 수 있다.
본 발명에 따른 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 예로는 하기 화학식 3a로 표시되는 화합물이 있는데, 이에 제한되지 않는다.
[화학식 3a]
상기 화학식 3a에서, Ar1, X, X1, X2, Y, Y1 및 Y2는 상기 화학식 3에서 정의한 바와 동일하다.
바람직하게는, 상기 화학식 3a의 Ar1은 상기 화학식 4 내지 화학식 9로 이루어진 군에서 선택된 화학식으로 표시될 수 있다.
상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물의 구체적인 예로는 하기 화합물 In-A-1 내지 In-A-16, 화합물 In-B-1 내지 In-B-20, 및 화합물 In-C-1 내지 In-C-14 등이 있는데, 이에 제한되지 않는다. 여기서, 하기 화합물 In-A-1 내지 In-A-16은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 예이고, 하기 화합물 In-B-1 내지 In-B-20은 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 예이며, 화합물 In-C-1 내지 In-C-14는 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 예이다.
본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물은 일반적인 화합물의 합성방법에 따라 합성될 수 있다. 본 발명의 화합물에 대한 상세한 합성 과정은 후술하는 합성예에서 구체적으로 기술하도록 한다.
한편, 본 발명은 전술한 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 (i) 양극, (ii) 음극, 및 (iii) 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전계 발광 소자로서, 상기 1층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물 중 1종 이상의 화합물을 포함하는 유기물층인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자에서, 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물 중 1종 이상의 화합물을 포함하는 유기물층은 발광층인 것이 바람직하다.
한편, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자에서, 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물을 포함하는 유기물층 이외의 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층 및/또는 전자수송층일 수 있다.
본 발명에서, 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물 중 어느 하나가 유기 전계 발광 소자의 발광층 물질, 구체적으로 인광 또는 형광 호스트(host) 재료로서 사용될 경우, 유기 전계 발광 소자의 발광효율 및 수명 특성이 향상될 수 있다.
이와 같이 발광층에 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물 중 1종 이상의 화합물이 포함되는 경우, 단독으로 사용될 수 있고, 또는 당 업계에 알려진 통상적인 발광층 물질, 구체적으로 다른 호스트 물질들과 혼합하여 사용될 수도 있다.
상기 통상적인 호스트 물질의 예로는, 도판트에 따라 녹색, 적색 또는 황색 발광을 하는 발광 호스트인 알루미늄 트리스(8-히드록시퀴놀린)(Alq3), 녹색 발광 호스트인 4,4'-비스(카바졸-9-일)비페닐(CBP), 청색 발광 호스트인 4,4'-비스(2,2-디페닐-에텐-1-일)-디페닐(DPVBi), 4,4"-비스(2,2-디페닐비닐-1-일)p-터페닐렌(DPVTP) 등이 있는데, 이에 제한되지 않는다
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 구조의 비제한적인 예를 들면, 기판, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 음극이 순차적으로 적층된 것일 수 있으며, 이때 상기 발광층은 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 화합물 중 1종 이상의 화합물을 포함한다. 선택적으로, 상기 전자 수송층 위에 전자 주입층이 위치할 수도 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 전술한 바와 같이 양극, 1 층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조를 가질 뿐만 아니라, 전극과 유기물층 계면에 절연층 또는 접착층이 삽입될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 상기 유기물층은 진공증착법이나 용액 도포법에 의하여 형성될 수 있다. 상기 용액 도포법의 예로는 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등이 있으나, 이들에만 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상을 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하도록 형성하는 것을 제외하고는 당 기술 분야에 알려져 있는 재료 및 방법을 이용하여 유기물층 및 전극을 형성함으로써 제조될 수 있다.
예컨대, 기판으로는 실리콘 웨이퍼, 석영 또는 유리판, 금속판, 플라스틱 필름이나 시트 등이 사용될 수 있다.
양극 물질로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리티오펜, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자; 또는 카본블랙 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
음극 물질로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 또는 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
이외에 정공 주입층, 전공 수송층, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층 등의 물질들은 특별히 한정되는 것은 아니며, 당업계에 알려진 통상의 물질이 사용될 수 있다.
본 발명의 일례에 따른 유기 전계 발광 소자의 개략적인 구조가 도 1에 나타나 있다. 도 1을 참조하면, 기판(1), 양극(2), 정공 주입층(3), 정공 수송층(4), 발광층(5), 정공 저지층(6), 전자 주입층(7) 및 음극(8)이 순차적으로 적층되어 있다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
<
실시예
1>
<
실시예
1-1> 화합물
In
-A-1의 합성
(합성 단계 1) 중간체 1의 합성
트리페닐렌(triphenylene) 40 g (1 eq, 0.175 mol) 및 2-bromophthalic anhydride 43.7 g (1.1 eq, 0.192 mol)을 디클로로메탄(dichloromethane) 1.5 ℓ에 용해시켰다. 이후, 0 ℃의 온도하에서 상기 반응 용액에 aluminum chloride 38.4 g (1.5 eq, 0.288 mol)을 서서히 첨가한 후 상온으로 올린 다음 12 시간 동안 교반하였다.
반응이 종료된 후, 0 ℃의 온도 하에서 반응 용액에 증류수를 서서히 첨가한 후, 과량의 dichloromethane으로 추출한 다음, 증류수로 여러 번 세척하였다. 이후, 용매를 제거하여 얻은 고체를 hexane 2ℓ로 세척한 다음 필터링하고 건조하여 중간체 1 [4-bromo-2-(triphenylene-2-carbonyl)benzoic acid] 70.1 g (수율: 88 %)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 455.30g/mol, 측정치: 454g/mol)
(합성 단계 2) 중간체 2의 합성
상기 합성 단계 1에서 합성한 화합물 4-bromo-2-(triphenylene-2-carbonyl)benzoic acid 70 g (1 eq, 0.153 mol)을 polyphosphoric acid 250 ㎖에 넣은 후 2 시간 동안 140 ℃의 온도에서 가열 교반하였다. 이후, 상기 반응 용액의 온도를 50 ℃ 이하까지 냉각시킨 후, 상기 반응 용액에 증류수를 서서히 첨가한 다음 용매를 제거하여 고체를 얻었다. 생성된 고체를 필터링한 후, 소량의 methanol로 세척한 다음 건조하여 중간체 2 (12-bromodibenzo[a,c]tetracene-10,15-dione) 52.1 g (수율: 78 %)을 얻었다.
1H-NMR: 8.29 (t, 3H), 8.09 (s, 2H), 7.85 (m, 4H), 7.60 (m, 4H), GC-Mass (이론치: 437.28g/mol, 측정치: 436g/mol)
(합성 단계 3) 중간체 3의 합성
상기 합성 단계 2에서 합성한 화합물 12-bromodibenzo[a,c]tetracene-10,15-dione 50 g (1 eq, 0.114 mol)을 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF) 250 ㎖에 용해시켰다. 이후, 상기 반응 용액의 온도를 0 ℃까지 냉각시킨 후, 여기에 methylmagnesium bromide 38.6 g (4.4 eq, 0.33 mol)를 서서히 첨가한 다음, 약 2시간 동안 상온에서 교반하였다.
반응이 종결된 후, 반응 용액에 증류수를 첨가한 다음 30 분간 교반한 후, dichloromethane 300 ㎖및 증류수 200 ㎖로 세척하고 추출하여 용매를 제거한 후 고체를 얻었다. 얻은 고체를 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제하여 중간체 3 (12-bromo-10,10,15,15-tetramethyl-10,10a,14a,15-tetrahydrodibenzo[a,c]tetracene) 57.5 g (수율: 88 %)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 467.44g/mol, 측정치: 466g/mol)
(합성 단계 4) 화합물
In
-A-1의 합성
상기 합성 단계 3에서 합성한 화합물 12-bromo-10,10,15,15-tetramethyl-10,10a,14a,15-tetrahydrodibenzo[a,c]tetracene 10 g (1 eq, 0.016 mol), dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 3.2 g (1.2 eq, 0.019 mol), 및 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0)[Pd(PPh3)4] 0.65 g (0.03 eq, 5.7 mmol)을 2 M의 K2CO3 포화 수용액 15 ㎖ 및 toluene 150 ㎖에 용해시킨 후 12 시간 동안 가열 교반하였다.
반응이 종료된 후, 상기 반응 용액을 Celite를 통해 필터링한 다음, dichloromethane으로 추출하고 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제하여 최종 화합물 In-A-1 9.5 g (수율: 88.7 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 88.38 ; H, 6.00 ; S, 5.62
HRMS for [M]+: 570
<
실시예
1-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
ITO (Indium tin oxide)가 1500 Å 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 층착기로 기판을 이송하였다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극(양극) 위에, DS-205(두산社)을 800 Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성한 후, 이 위에, N, N-di(naphthalene-1-yl)-N, N-diphenylbenzidine(α-NPB)를 150 Å의 두께로 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다.
이후, 상기 정공 수송층 위에, 상기 실시예 1에서 합성된 화합물 In-A-1 및 Ir(ppy)3를 300 Å의 두께로 진공 증착하여 발광층을 형성하였다. 이어서, 상기 발광층 위에, BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)를 200 Å의 두께로 진공 증착하여 정공 저지층을 형성한 다음, 여기에 Alq3을 250 Å의 두께로 진공 증착하여 전자 수송층을 형성하였다. 이후, 상기 전자 수송층 위에 LiF를 10 Å의 두께로 증착하여 전자 주입층을 형성한 후, 상기 전자 주입층 위에 알루미늄을 2000 Å의 두께로 진공 증착하여 음극을 형성하였다.
<
실시예
2>
<
실시예
2-1> 화합물
In
-A-2의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신에 dibenzo[b,d]thiophen-2-ylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-A-2 37g (수율: 85%)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 88.38 ; H, 6.00 ; S, 5.62
HRMS for [M]+: 570
<
실시예
2-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 2-1에서 합성된 화합물 In-A-2를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
3>
<
실시예
3-1> 화합물
In
-A-3의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신에 2-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)phenylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 화합물 In-A-3 14g (수율: 75.3%)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 89.12 ; H, 5.92 ; S, 4.96
HRMS for [M]+: 646
<
실시예
3-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 3-1에서 합성된 화합물 In-A-3을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
4>
<
실시예
4-1> 화합물
In
-A-4의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신에 2-(9H-carbazol-9-yl)phenylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-A-4 21 g (수율: 79.1 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 91.53 ; H, 6.24 ; N, 2.22
HRMS for [M]+: 629
<
실시예
4-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 4-1에서 합성된 화합물 In-A-4를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
5>
<
실시예
5-1> 화합물
In
-A-5의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신에 9-phenyl-9H-carbazol-3-ylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-A-5 11 g (수율: 89 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 91.53 ; H, 6.24 ; N, 2.22
HRMS for [M]+: 629
<
실시예
5-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 5-1에서 합성된 화합물 In-A-5를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
6>
<
실시예
6-1> 화합물
In
-A-6의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신에 9H-carbazole을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-A-6 13.2 g (수율: 84 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 91.10 ; H, 6.37 ; N, 2.53
HRMS for [M]+: 553
<
실시예
6-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 6-1에서 합성된 화합물 In-A-6을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
7>
<
실시예
7-1> 화합물
In
-A-7의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신에 3-(dibenzo[b,d]thiophen-2-yl)phenylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-A-7 9.8 g (수율: 77.2 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 89.12 ; H, 5.92 ; S, 4.96
HRMS for [M]+: 646
<
실시예
7-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 7-1에서 합성된 화합물 In-A-7를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
8>
<
실시예
8-1> 화합물
In
-A-8의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신에 6,9-diphenyl-9H-carbazol-3-ylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-A-8 9.3 g (수율: 81.4 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 91.88 ; H, 6.14 ; N, 1.98
HRMS for [M]+: 672.
<
실시예
8-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 8-1에서 합성된 화합물 In-A-8을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
9>
<
실시예
9-1> 화합물
In
-A-9의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신에 3,6-diphenyl-9H-carbazole을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-A-9 17.4 g (수율: 85.7 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 91.88 ; H, 6.14 ; N, 1.98;
HRMS for [M]+: 705
<
실시예
9-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 9-1에서 합성된 화합물 In-A-9를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
10>
<
실시예
10-1> 화합물
In
-A-10의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신에 2-(6-phenyldibenzo[b,d]thiophen-4-yl)phenylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-A-10 12.9 g (수율: 76.1 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 89.71 ; H, 5.86 ; S, 4.44;
HRMS for [M]+: 722
<
실시예
10-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 10-1에서 합성된 화합물 In-A-10을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
11>
<
실시예
11-1> 화합물
In
-A-11의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신에 2-(9H-carbazol-9-yl)phenylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-A-4 21 g (수율: 79.1 %) 을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 91.53 ; H, 6.24 ; N, 2.22;
HRMS for [M]+: 672.
<
실시예
11-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 11-1에서 합성된 화합물 In-A-11를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
12>
<
실시예
12-1> 화합물
In
-A-12의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신에 chlorotriphenylsilane을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-A-12 8.2 g (수율: 72 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for C, 89.11 ; H, 4.34 ; Si, 4.34;
HRMS for [M]+: 646
<
실시예
12-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 12-1에서 합성된 화합물 In-A-12를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
13>
<
실시예
13-1> 화합물
In
-A-13의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신에 (chloromethanetriyl)tribenzene을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-A-13 9.1 g (수율: 71.2 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 93.29 ; H, 6.71 ;
HRMS for [M]+: 630
<
실시예
13-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 13-1에서 합성된 화합물 In-A-13을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
14>
<
실시예
14-1> 화합물
In
-A-14의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신에 3-(triphenylsilyl)phenylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-A-14 9.4 g (수율: 74.1 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 89.70 ; H, 6.41 ; Si, 3.88;
HRMS for [M]+: 723
<
실시예
14-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 14-1에서 합성된 화합물 In-A-14를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
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실시예
15>
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실시예
15-1> 화합물
In
-A-15의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신에 3-tritylphenylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-A-15 8.45 g (수율: 70.4 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 93.44 ; H, 6.56 ;
HRMS for [M]+: 706
<
실시예
15-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 15-1에서 합성된 화합물 In-A-15를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
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실시예
16>
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실시예
16-1> 화합물
In
-A-16의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신에 3'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-3-ylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-A-16 17 g (수율: 76.5 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 92.15 ; H, 6.06 ; N, 1.79;
HRMS for [M]+: 782
<
실시예
16-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 16-1에서 합성된 화합물 In-A-16을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
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실시예
17>
<
실시예
17-1> 화합물
In
-B-1의 합성
(합성 단계 1) 중간체 4의 합성
2-bromotriphenylene 40 g (1 eq, 0.13 mol) 및 4-chloro-2-(phenylamino)benzoic acid 35.4 g (1.1 eq, 0.143 mol)을 혼합한 후, 여기에 tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0) [Pd2(dba)3] 3.56 g (0.03 eq, 0.0039 mol), tri-tert-butyl phosphine [P(t-Bu)3] 1.41 g(0.06 eq, 0.0078 mol), sodium tert-butoxide [NaO(t-Bu)] 15 g (1.2 eq, 0.156 mol) 및 Toluene 2 ℓ를 첨가한 다음 12 시간 동안 가열 교반하였다.
반응이 종료된 후, 상기 반응 용액을 과량의 dichloromethane으로 추출한 다음, 증류수로 여러 번 세척하고, 이후 용매를 제거하여 고체를 얻었다. 생성된 고체를 hexane 2 ℓ에 넣고 가열 세척한 다음, 필터링하고 건조하여 중간체 4 [4-chloro-2-(phenyl(triphenylen-2-yl)amino)benzoic acid] 50.5 g (수율: 82 %)를 얻었다.
GC-Mass (이론치: 473.95g/mol, 측정치: 473g/mol)
(합성 단계 2) 중간체 5의 합성
상기 합성 단계 1에서 합성한 화합물 4-chloro-2-(phenyl(triphenylen-2-yl)amino)benzoic acid 50 g (1 eq, 0.105 mol)을 polyphosphoric acid 250 ㎖에 첨가하여 용해시킨 후, 2시간 동안 140 ℃의 온도에서 가열교반하였다. 이후, 상기 반응 용액의 온도를 50 ℃ 이하까지 냉각시킨 후 증류수를 서서히 첨가하여 고체를 얻었다. 생성된 고체를 필터링한 다음, 소량의 methanol로 세척하고 건조시켜 중간체 5 [12-chloro-10-phenylphenanthro[9,10-b]acridin-15(10H)-one] 29.8 g (수율: 62 %)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 455.93g/mol, 측정치: 455g/mol)
(합성 단계 3) 중간체 6의 합성
상기 합성 단계 2에서 합성한 화합물 12-chloro-10-phenylphenanthro[9,10-b]acridin-15(10H)-one 25 g (1 eq, 0.054 mol)을 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF) 200 ㎖에 첨가하여 용해시켰다. 이후, 상기 반응 용액의 온도를 0 ℃까지 냉각시킨 후, 여기에 methylmagnesium bromide 28.1 g (4.4 eq, 0.241 mol)를 서서히 첨가한 다음, 약 2시간 정도 상온에서 교반하였다.
반응이 종결된 후, 반응 용액에 증류수를 첨가한 다음 30 분간 교반하고, 이후 dichloromethane 200 ㎖ 및 증류수 150 ㎖로 세척하고 추출한 후, 용매를 제거하여 고체를 얻었다. 생성된 고체를 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제한 후 중간체 6 [12-chloro-15,15-dimethyl-10-phenyl-10,15-dihydrophenanthro[9,10-b]acridine] 19.1 g (수율: 75 %)을 얻었다.
GC-Mass (이론치: 470g/mol, 측정치: 469g/mol)
(합성 단계 4) 화합물
In
-B-1의 합성
상기 실시예 17-1의 합성 단계 3에서 합성한 화합물 12-chloro-15,15-dimethyl-10-phenyl-10,15-dihydrophenanthro[9,10-b]acridine 10 g (1 eq, 0.016 mol), dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 3.2 g (1.2 eq, 0.019 mol) 및 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0)[Pd(PPh3)4] 0.65 g (0.03 eq, 5.7 mmol)을 2 M의 K2CO3 포화 수용액 15 ㎖ 및 toluene 150 ㎖에 용해시킨 후 12 시간 동안 가열 교반하였다.
반응이 종료된 후, 상기 반응 용액을 Celite를 통해 필터링한 다음, dichloromethane으로 추출하고 컬럼 크로마토그래피를 통해 정제하여 최종 화합물 In- B-1 10.2 g (수율: 74 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 87.48; H, 5.06; N, 2.27; S, 5.19
HRMS for [M]+: 616
<
실시예
17-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 17-1에서 합성된 화합물 In-B-1을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
18>
<
실시예
18-1> 화합물
In
-B-2의 합성
상기 실시예 17-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신 dibenzo[b,d]thiophen-2-ylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-B-2 8.7 g (수율: 71.6 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 87.48 ; H, 5.06 ; N, 2.27 ; S, 5.19
HRMS for [M]+: 617
<
실시예
18-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 18-1에서 합성된 화합물 In-B-2를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
19>
<
실시예
19-1> 화합물
In
-B-3의 합성
상기 실시예 17-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신 dibenzo[b,d]thiophen-2-ylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-B-3 7.9 g (수율: 69.7 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 87.48 ; H, 5.06 ; N, 2.27 ; S, 5.19
HRMS for [M]+: 617
<
실시예
19-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 19-1에서 합성된 화합물 In-B-3을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
20>
<
실시예
20-1> 화합물
In
-B-4의 합성
상기 실시예 17-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신 2-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl)phenylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-B-4 7.8 g (수율: 74 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 90.23 ; H, 5.64 ; N, 4.13
HRMS for [M]+: 678
<
실시예
20-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 20-1에서 합성된 화합물 In-B-4를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
21>
<
실시예
21-1> 화합물
In
-B-5의 합성
상기 실시예 17-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신 2-(9H-carbazol-9-yl)phenylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-B-5 11.4 g (수율: 74.5 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 90.23 ; H, 5.64 ; N, 4.13
HRMS for [M]+: 678
<
실시예
21-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 21-1에서 합성된 화합물 In-B-5를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
22>
<
실시예
22-1> 화합물
In
-B-6의 합성
상기 실시예 17-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신 9-phenyl-9H-carbazol-3-ylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-B-6 9.8 g (수율: 71.7 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 89.67 ; H, 5.69 ; N, 4.65
HRMS for [M]+: 602
<
실시예
22-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 22-1에서 합성된 화합물 In-B-6을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
23>
<
실시예
23-1> 화합물
In
-B-7의 합성
상기 실시예 17-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신 3-(dibenzo[b,d]thiophen-2-yl)phenylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-B-7 7.9 g (수율: 75.1 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 88.02 ; H, 5.36 ; N, 2.01 ; S, 4.61
HRMS for [M]+: 695
<
실시예
23-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 23-1에서 합성된 화합물 In-B-7을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
24>
<
실시예
24-1> 화합물
In
-B-8의 합성
상기 실시예 17-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신 6,9-diphenyl-9H-carbazol-3-ylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-B-8 12.4 g (수율: 79.2%)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 90.68 ; H, 5.61 ; N, 3.71
HRMS for [M]+: 754
<
실시예
24-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 24-1에서 합성된 화합물 In-B-8을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
25>
<
실시예
25-1> 화합물
In
-B-9의 합성
상기 실시예 17-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신 3,6-diphenyl-9H-carbazole을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-B-9 11.1 g (수율: 70.8 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 90.68 ; H, 5.61 ; N, 3.71
HRMS for [M]+: 754
<
실시예
25-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 25-1에서 합성된 화합물 In-B-9를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
26>
<
실시예
26-1> 화합물
In
-B-10의 합성
상기 실시예 17-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신 2-(6-phenyldibenzo[b,d]thiophen-4-yl)phenylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-B-10 10.5 g (수율: 80.1%)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 88.68 ; H, 5.35 ; N, 1.81 ; S, 4.15
HRMS for [M]+: 772
<
실시예
26-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 26-1에서 합성된 화합물 In-B-10을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
27>
<
실시예
27-1> 화합물
In
-B-11의 합성
상기 실시예 17-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신 2-(9H-carbazol-9-yl)phenylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-B-11 8.6 g (수율: 70.2 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 90.23 ; H, 5.64 ; N, 4.13
HRMS for [M]+: 678
<
실시예
27-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 27-1에서 합성된 화합물 In-B-11을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
28>
<
실시예
28-1> 화합물
In
-B-12의 합성
상기 실시예 17-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신 chlorotriphenylsilane을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-B-12 7.5 g (수율: 68.2 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 88.01 ; H, 5.94 ; N, 2.01 ; Si, 4.04
HRMS for [M]+: 695.
<
실시예
28-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 28-1에서 합성된 화합물 In-B-12를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
29>
<
실시예
29-1> 화합물
In
-B-13의 합성
상기 실시예 17-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신 (chloromethanetriyl)tribenzene을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-B-13 6.3 g (수율: 62.7 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 91.86 ; H, 6.08 ; N, 2.06
HRMS for [M]+: 679
<
실시예
29-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 29-1에서 합성된 화합물 In-B-13을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
30>
<
실시예
30-1> 화합물
In
-B-14의 합성
상기 실시예 17-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신 3-(triphenylsilyl)phenylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-B-14 7.64 g (수율: 68.9%)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 88.67 ; H, 5.87 ; N, 1.81 ; Si, 3.64
HRMS for [M]+: 772
<
실시예
30-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 30-1에서 합성된 화합물 In-B-14를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
31>
<
실시예
31-1> 화합물
In
-B-15의 합성
상기 실시예 17-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신 3-tritylphenylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-B-15 8.23 g (수율: 62.7 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 92.15 ; H, 6.00 ; N, 1.85
HRMS for [M]+: 755
<
실시예
31-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 31-1에서 합성된 화합물 In-B-15를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실시예
32>
<
실시예
32-1> 화합물
In
-B-16의 합성
상기 실시예 1-1에서 사용된 dibenzo[b,d]thiophen-4-ylboronic acid 대신 3'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphenyl-3-ylboronic acid을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 17-1의 합성 단계 4와 동일하게 수행하여 흰색 고체의 화합물 In-B-16 13.7 g (수율: 79.6 %)을 얻었다.
Elemental Analysis for : C, 91.05 ; H, 5.58 ; N, 3.37
HRMS for [M]+: 831
<
실시예
32-2> 유기
전계
발광 소자의 제조
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 상기 실시예 32-1에서 합성된 화합물 In-B-16을 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
비교예
1>
상기 실시예 1-2에서 발광층 물질로서 사용된 화합물 In-A-1 대신에 CBP [4,4'-di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl]를 사용하는 것을 제외하고는, 실시예 1-2와 동일하게 수행하여 유기 전계 발광 소자를 제조하였다.
<
실험예
1>
실시예 1 ~ 32 및 비교예 1에서 각각 제조된 유기 전계 발광 소자에 대하여 전류밀도 10mA/㎠에서의 발광 효율 및 구동 전압을 측정하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
| 호스트 물질 | 전류 밀도(mA/㎠) | 구동 전압(v) | 발광 효율(cd/A) | |
| 실시예 1 | 화합물 In-A-1 | 10 | 6.01 | 73.2 |
| 실시예 2 | 화합물 In-A-2 | 10 | 5.9 | 59.8 |
| 실시예 3 | 화합물 In-A-3 | 10 | 6.2 | 66.9 |
| 실시예 4 | 화합물 In-A-4 | 10 | 5.7 | 72.9 |
| 실시예 5 | 화합물 In-A-5 | 10 | 5.7 | 54.2 |
| 실시예 6 | 화합물 In-A-6 | 10 | 5.6 | 55.4 |
| 실시예 7 | 화합물 In-A-7 | 10 | 5.9 | 63.7 |
| 실시예 8 | 화합물 In-A-8 | 10 | 5.9 | 60.5 |
| 실시예 9 | 화합물 In-A-9 | 10 | 6 | 60.1 |
| 실시예 10 | 화합물 In-A-10 | 10 | 6.2 | 66.9 |
| 실시예 11 | 화합물 In-A-11 | 10 | 5.9 | 62.4 |
| 실시예 12 | 화합물 In-A-12 | 10 | 5.9 | 55.9 |
| 실시예 13 | 화합물 In-A-13 | 10 | 6.2 | 69.7 |
| 실시예 14 | 화합물 In-A-14 | 10 | 5.9 | 53.5 |
| 실시예 15 | 화합물 In-A-15 | 10 | 6 | 48.2 |
| 실시예 16 | 화합물 In-A-16 | 10 | 5.9 | 67.8 |
| 실시예 17 | 화합물 In-B-1 | 10 | 7.2 | 47.9 |
| 실시예 18 | 화합물 In-B-2 | 10 | 5.8 | 58.2 |
| 실시예 19 | 화합물 In-B-3 | 10 | 6.9 | 77.3 |
| 실시예 20 | 화합물 In-B-4 | 10 | 7.9 | 74.3 |
| 실시예 21 | 화합물 In-B-5 | 10 | 5.2 | 65.7 |
| 실시예 22 | 화합물 In-B-6 | 10 | 5.4 | 61.2 |
| 실시예 23 | 화합물 In-B-7 | 10 | 6.7 | 63.8 |
| 실시예 24 | 화합물 In-B-8 | 10 | 6.5 | 63.2 |
| 실시예 25 | 화합물 In-B-9 | 10 | 6.1 | 59.7 |
| 실시예 26 | 화합물 In-B-10 | 10 | 6.9 | 54.8 |
| 실시예 27 | 화합물 In-B-11 | 10 | 6.4 | 55.9 |
| 실시예 28 | 화합물 In-B-12 | 10 | 5.9 | 69.7 |
| 실시예 29 | 화합물 In-B-13 | 10 | 6.7 | 53.5 |
| 실시예 30 | 화합물 In-B-14 | 10 | 5.5 | 47.2 |
| 실시예 31 | 화합물 In-B-15 | 10 | 4.2 | 74.3 |
| 실시예 32 | 화합물 In-B-16 | 10 | 6.8 | 65.7 |
| 비교예 1 | CBP | 10 | 6.7 | 43.1 |
실험 결과, 본 발명에 따른 화합물을 사용한 유기 전계 발광 소자(실시예 1 ~ 32)는 종래 CBP를 사용한 유기 전계 발광 소자(비교예 1)보다 구동 전압 및 발광 효율이 월등히 우수한 성능을 나타내는 것을 확인할 수 있었다(표 1 참조).
<
실험예
2> 유기
전계
발광 소자의 수명 특성
실시예 1 ~ 32 및 비교예 1에서 각각 제조된 유기 전계 발광 소자에 대하여, 9000 nit로 하여 소자의 구동 시간 경과에 따라 구동 시작시 휘도의 97 %에 해당되는 휘도로 감소하는 데까지 걸린 시간의 평균값을 하기 표 2에 나타내었다.
| T=97 % / hr | ||
| 실시예 1 | 화합물 In-A-1 | 104 |
| 실시예 2 | 화합물 In-A-2 | 127 |
| 실시예 3 | 화합물 In-A-3 | 107 |
| 실시예 4 | 화합물 In-A-4 | 150 |
| 실시예 5 | 화합물 In-A-5 | 96 |
| 실시예 6 | 화합물 In-A-6 | 89 |
| 실시예 7 | 화합물 In-A-7 | 109 |
| 실시예 8 | 화합물 In-A-8 | 120 |
| 실시예 9 | 화합물 In-A-9 | 115 |
| 실시예 10 | 화합물 In-A-10 | 78 |
| 실시예 11 | 화합물 In-A-11 | 79 |
| 실시예 12 | 화합물 In-A-12 | 114 |
| 실시예 13 | 화합물 In-A-13 | 102 |
| 실시예 14 | 화합물 In-A-14 | 111 |
| 실시예 15 | 화합물 In-A-15 | 101 |
| 실시예 16 | 화합물 In-A-16 | 92 |
| 실시예 17 | 화합물 In-B-1 | 99 |
| 실시예 18 | 화합물 In-B-2 | 102 |
| 실시예 19 | 화합물 In-B-3 | 59 |
| 실시예 20 | 화합물 In-B-4 | 88 |
| 실시예 21 | 화합물 In-B-5 | 115 |
| 실시예 22 | 화합물 In-B-6 | 109 |
| 실시예 23 | 화합물 In-B-7 | 121 |
| 실시예 24 | 화합물 In-B-8 | 62 |
| 실시예 25 | 화합물 In-B-9 | 153 |
| 실시예 26 | 화합물 In-B-10 | 64 |
| 실시예 27 | 화합물 In-B-11 | 89 |
| 실시예 28 | 화합물 In-B-12 | 79 |
| 실시예 29 | 화합물 In-B-13 | 114 |
| 실시예 30 | 화합물 In-B-14 | 102 |
| 실시예 31 | 화합물 In-B-15 | 91 |
| 실시예 32 | 화합물 In-B-16 | 101 |
| 비교예 1 | CBP | 58 |
시험 결과, 본 발명에 따른 화합물을 사용한 유기 전계 발광 소자(실시예 1 ~ 32)는 종래 CBP를 사용한 유기 전계 발광 소자(비교예 1)보다 수명 특성이 우수한 것으로 나타났다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
1: 기판, 2: 양극,
3: 정공 주입층, 4: 정공 수송층,
5: 발광층, 6: 정공 저지층,
7: 전자 주입층, 8: 음극
3: 정공 주입층, 4: 정공 수송층,
5: 발광층, 6: 정공 저지층,
7: 전자 주입층, 8: 음극
Claims (5)
- 하기 화학식 2로 표시되는 표시되는 화합물:
[화학식 2]
(상기 화학식 2에서,
Ar1 , Ar2 및 Ar4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 H, 중수소, C1~C40의 알킬, C2~C40의 알케닐, C2~C40의 알키닐, C5~C40의 아릴, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴, C5~C40의 아릴옥시, C1~C40의 알킬옥시, C5~C40의 아릴아미노, C5~C40의 디아릴아미노, (C6~C40의 아릴)C1~C40의 알킬, C3~C40의 시클로알킬 및 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬로 이루어진 군에서 선택되고;
R1 내지 R4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 H, 중수소, C1~C40의 알킬, C2~C40의 알케닐, C2~C40의 알키닐, C5~C40의 아릴, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴, C5~C40의 아릴옥시, C1~C40의 알킬옥시, C5~C40의 아릴아미노, C5~C40의 디아릴아미노, (C6~C40의 아릴)C1~C40의 알킬, C3~C40의 시클로알킬 및 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬로 이루어진 군에서 선택되며;
X, X1, Y 및 Y1은 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 CA1A2, NA1, 및 SiA1A2 로 이루어진 군에서 선택되고;
A1 및 A2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C40의 알킬, C2~C40의 알케닐, C2~C40의 알키닐, C5~C40의 아릴, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴, C5~C40의 아릴옥시, C1~C40의 알킬옥시, C5~C40의 아릴아미노, C5~C40의 디아릴아미노, (C6~C40의 아릴)C1~C40의 알킬, C3~C40의 시클로알킬 및 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 A1 및 A2가 서로 결합하여 5원 ~ 6원 고리를 형성할 수 있음). - 제1항에 있어서, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2a로 표시되는 화합물인 것이 특징인 화합물:
[화학식 2a]
(상기 화학식 2a에서, Ar1, X, X1, Y 및 Y1는 제2항에서 정의한 바와 동일함). - 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 Ar1은 하기 화학식 4 내지 화학식 9로 이루어진 군에서 선택된 화학식으로 표시되는 것이 특징인 화합물:
[화학식 4]
;
[화학식 5]
;
[화학식 6]
;
[화학식 7]
;
[화학식 8]
; 및
[화학식 9]
(상기 화학식 4 내지 9에서, Q1 및 Q2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 수소,,
,
,
, 및
로 이루어진 군에서 선택되고,
상기 E1은 수소 또는이며,
상기 Z 및 Z1은 각각 독립적으로 C 또는 Si임). - 양극; 음극; 및 상기 양극과 음극 사이에 개재(介在)된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전계 발광 소자로서,
상기 유기물 층 적어도 하나는 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자:
[화학식 2]
(상기 화학식 2에서,
Ar1, Ar2 및 Ar4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C40의 알킬, C2~C40의 알케닐, C2~C40의 알키닐, C5~C40의 아릴, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴, C5~C40의 아릴옥시, C1~C40의 알킬옥시, C5~C40의 아릴아미노, C5~C40의 디아릴아미노, (C6~C40의 아릴)C1~C40의 알킬, C3~C40의 시클로알킬 및 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬로 이루어진 군에서 선택되고;
상기 R1 내지 R4는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C40의 알킬, C2~C40의 알케닐, C2~C40의 알키닐, C5~C40의 아릴, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴, C5~C40의 아릴옥시, C1~C40의 알킬옥시, C5~C40의 아릴아미노, C5~C40의 디아릴아미노, (C6~C40의 아릴)C1~C40의 알킬, C3~C40의 시클로알킬 및 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬로 이루어진 군에서 선택되고;
X, X1, Y, 및 Y1은 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 CA1A2, NA1, 및 SiA1A2 로 이루어진 군에서 선택되며;
상기 A1 및 A2는 서로 같거나 다르고, 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1~C40의 알킬, C2~C40의 알케닐, C2~C40의 알키닐, C5~C40의 아릴, 핵원자수 5 내지 40의 헤테로아릴, C5~C40의 아릴옥시, C1~C40의 알킬옥시, C5~C40의 아릴아미노, C5~C40의 디아릴아미노, (C6~C40의 아릴)C1~C40의 알킬, C3~C40의 시클로알킬 및 핵원자수 3 내지 40의 헤테로시클로알킬로 이루어진 군에서 선택되거나, 또는 A1 및 A2가 서로 결합하여 5원 ~ 6원 고리를 형성할 수 있음). - 제4항에 있어서, 상기 화합물은 발광층에 포함되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130009181A KR101376857B1 (ko) | 2013-01-28 | 2013-01-28 | 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130009181A KR101376857B1 (ko) | 2013-01-28 | 2013-01-28 | 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110000670A Division KR101298349B1 (ko) | 2011-01-04 | 2011-01-04 | 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130022420A true KR20130022420A (ko) | 2013-03-06 |
| KR101376857B1 KR101376857B1 (ko) | 2014-03-26 |
Family
ID=48175080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130009181A KR101376857B1 (ko) | 2013-01-28 | 2013-01-28 | 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101376857B1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014142488A1 (ko) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | 주식회사 두산 | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| WO2014178532A1 (ko) * | 2013-04-29 | 2014-11-06 | 덕산하이메탈(주) | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| US10230054B2 (en) | 2015-08-19 | 2019-03-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6150042A (en) | 1996-12-09 | 2000-11-21 | Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. | Material for organoelectro-luminescence device and use thereof |
-
2013
- 2013-01-28 KR KR1020130009181A patent/KR101376857B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014142488A1 (ko) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | 주식회사 두산 | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| WO2014178532A1 (ko) * | 2013-04-29 | 2014-11-06 | 덕산하이메탈(주) | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
| US10230054B2 (en) | 2015-08-19 | 2019-03-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR101376857B1 (ko) | 2014-03-26 |
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