KR20130017688A - 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

실시예는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 실시예에 따른 발광소자는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 제1 발광셀, 상기 기판 상에 위치하고, 상기 제1 발광셀과 이격되는 제2 발광셀, 상기 기판 상에 위치하고, 상기 제1 발광셀과 상기 제2 발광셀 사이에 위치하여, 상기 제1 발광셀 및 상기 제2 발광셀을 전기적으로 연결하는 도전부 및 상기 도전부와 상기 기판 사이에 접착층을 포함할 수 있다. 실시예에 따른 발광소자는 신뢰성 및 발광효율을 개선시킬 수 있다.

Description

발광소자 및 그 제조방법{Light emitting device and manufacturing method thereof}
실시예는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
형광등은 흑점 현상, 짧은 수명 등으로 잦은 교체와 형광물질 사용으로 친환경을 지향하는 미래 조명시장의 흐름에 반하므로 점차 타 광원으로 대치되고 있는 추세이다.
이에 타 광원으로 가장 주목받고 있는 것은 발광다이오드(Light Emitting Diode)로써, 발광다이오드는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선, 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 반도체의 빠른 처리 속도와 낮은 전력 소모 등의 장점과 함께, 환경 친화적이면서도 에너지 절약 효과가 높아서 차세대 광원으로 꼽히고 있다. 따라서, 기존의 형광등을 대체하기 위한 발광다이오드의 활용은 활발히 진행 중에 있다.
최근, 고전압하에서 구동될 수 있는 발광 다이오드가 개발되어 상품화되고 있는데, 이러한 발광 다이오드는 단일기판 상에 서로 직렬 연결된 발광셀들의 어레이를 포함한다. 발광셀들이 직렬 연결됨에 따라 각 발광셀의 동작전압이 더해져 발광 다이오드의 구동 전압이 증가되고, 따라서 가정용 전원의 전압과 같은 고전압하에서 구동될 수 있다. 예컨대, 고전압 교류전원 또는 고전압 직류전원에 직접 연결하여 사용할 수 있는 발광 다이오드는 국제공개번호 WO 2004/023568(Al)호에 "발광 성분들을 갖는 발광소자"(LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTINGELEMENTS)라는 제목으로 사카이 등(SAKAI et. al.)에 의해 개시된 바 있다. 상기 발광소자는 매트릭스 형태로 발광셀들을 배치하고 배선을 통해 발광셀들을 연결하여 발광셀들의 직렬 어레이를 형성한다. 이러한 발광소자는 발광셀들을 연결하는 배선 형성시에 각각의 발광셀에 대해 개별공정을 해야 하는 문제점이 있다.
실시예는 발광소자에 포함된 발광셀들을 와이어 본딩 대신 도전부를 이용하여 전기적으로 연결함으로써 발광소자의 신뢰성을 개선시킬 수 있으며, 도전부를 이용하여 복수의 발광셀을 일률적으로 연결시킬 수 있어 공정을 간소화할 수 있는 발광소자 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
실시예에 따른 발광소자는 기판, 상기 기판 상에 위치하는 제1 발광셀, 상기 기판 상에 위치하고, 상기 제1 발광셀과 이격되는 제2 발광셀, 상기 기판 상에 위치하고, 상기 제1 발광셀과 상기 제2 발광셀 사이에 위치하여, 상기 제1 발광셀 및 상기 제2 발광셀을 전기적으로 연결하는 도전부 및 상기 도전부와 상기 기판 사이에 접착층을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 제조방법은 제1 기판 상에 제1 발광셀 및 상기 제1 발광셀과 이격된 제2 발광셀을 형성하는 단계, 제2 기판 상에 도전부를 형성하는 단계, 상기 도전부가 상기 제1 발광셀 및 상기 제2 발광셀 사이에 배치되어 상기 제1 발광셀 및 상기 제2 발광셀을 전기적으로 연결하도록 상기 제1 기판의 상부와 상기 제2 기판의 상부가 대향되게 위치시키는 단계 및 상기 제2 기판을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 및 그 제조방법은 발광소자에 포함된 발광셀들을 와이어 본딩 대신 도전부를 이용하여 전기적으로 연결함으로써 발광소자의 신뢰성 및 발광효율을 개선시킬 수 있으며, 도전부를 복수의 발광셀을 이용하여 일률적으로 연결시킬 수 있어 공정을 간소화할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자의 평면을 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 실시예에 따른 발광소자의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 3 내지 도 8은 실시예에 따른 발광소자의 제조 공정을 나타내는 도이다.
도 9는 실시예에 따른 발광소자 패키지의 단면도이다.
도 10a는 실시예에 따른 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 10b는 도 10a의 조명장치의 A-A' 단면을 도시한 단면도이다.
도 11은 실시예에 따른 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도이다.
도 12는 실시예에 따른 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다.
또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.
도 1은 실시예에 따른 발광소자의 평면을 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 실시예에 따른 발광소자의 단면을 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(100)는 기판(110) 상에 형성된 복수의 발광셀(120)을 포함할 수 있다.
복수의 발광셀(120)은 매트릭스의 구조로 배열될 수 있는데, 그 구조는 3행 3열, 3행 5열, 3행 7열 등으로 다양하게 배열될 수 있고 이에 한정되지 않는다. 도 1에서는 복수의 발광셀(120)이 3행 3열 형태로 배열된 발광소자(100)를 예를 들며, 도시한 바와 같이 직렬 연결되면 높은 구동 전압에서 동작할 수 있다. 또한, 복수의 발광셀(120)을 사용함으로써, 발광소자(100)의 광도가 증가할 수 있다.
상기와 같은 발광소자(100)에서 복수의 발광셀(120)을 전기적으로 연결하기 위해 도전부(130)가 필요하다. 도 1에서는 복수의 발광셀(120)을 연결하는 도전부(130)의 평면형상이 'H'자 형상인 것으로 도시하였으나, 도전부(130)의 평면형상은 'L'자 형상, 'S'자 형상 등 다양한 형태를 가질 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.
도 2를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자(100)는 기판(110), 제1 발광셀(121), 제2 발광셀(122), 도전부(130), 접착층(140), 절연층(150)을 포함할 수 있다.
기판(110)은 사파이어 기판(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga203, 그리고 GaAs 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
기판(110) 상에는 제1 발광셀(121)이 위치할 수 있으며, 제1 발광셀(121)과 이격되게 제2 발광셀(122)이 위치할 수 있다.
제1 발광셀(121) 및 제2 발광셀(122)은 버퍼층(10), 제1 도전형 반도체층(21), 활성층(22) 및 제2 도전형 반도체층(23)을 포함하는 발광구조물(20)을 포함할 수 있다.
버퍼층(10)은 기판(110) 상에 위치하며, 3족과 5족 원소가 결합된 형태이거나 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중에서 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 도펀트가 도핑될 수도 있다.
이러한 버퍼층(10) 위에는 언도프드 반도체(미도시)층이 형성될 수 있으며, 버퍼층(10)과 언도프드 도전형 반도체층(미도시) 중 어느 한 층 또는 두 층 모두 형성하거나 형성하지 않을 수도 있으며, 이러한 구조에 대해 한정되지는 않는다.
버퍼층(10) 상에는 제1 도전형 반도체층(21), 활성층(22) 및 제2 도전형 반도체층(23)이 순차적으로 위치한다.
제1 도전형 반도체층(21)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, 예를 들어, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 또한 N를 대신하여 다른 5족 원소를 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP 및 InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(21)이 일 예로, N형 도전형 반도체층인 경우는, N형 불순물로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있다.
활성층(22)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다.
따라서, 더 많은 전자가 양자우물층의 낮은 에너지 준위로 모이게 되며, 그 결과 전자와 정공의 재결합 확률이 증가 되어 발광효과가 향상될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.
제2 도전형 반도체층(23)은 p형 도전형 반도체층으로 구현되어, 활성층(22)에 정공을 주입할 수 있다. 예를 들어 p형 도전형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(23) 상에는 투광성 전극층(미도시)이 위치할 수 있다.
투광성 전극층(미도시)은 산화인듐주석(ITO, Indium Tin Oxide), 알루미늄산화아연(AZO, aluminum zinc oxide), 인듐 아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni, IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니다.
도전부(130)는 제1 발광셀(121)의 제1 도전형 반도체층(21) 및 제2 발광셀(122)의 제2 도전형 반도체층(23)과 접하게 위치하여, 제1 발광셀(121) 및 제2 발광셀(122)을 전기적으로 연결할 수 있다.
또한, 제1 발광셀(121)의 제1 도전형 반도체층(21) 상면에는 제1 단차부(30)가 형성되고 제2 발광셀(122)의 제2 도전형 반도체층(223) 상면에는 제2 단차부(40)가 형성될 수 있으며, 제1 단차부(30)의 형상과 제2 단차부(40)의 형상은 다르거나 대칭을 이룰 수 있고, 되어 도전부(130)의 적어도 일부분이 제1 단차부(30) 또는 제2 단차부(40) 상에 위치할 수 있으며, 도전부(130)의 상면은 평평할 수 있다.
도전부(130)는 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 도전부(130)는 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도전부(130)와 제1 발광셀(1231) 사이 또는 도전부(130)와 제2 발광셀(122) 사이에는 절연층(150)이 위치하여, 제1 발광셀(121) 또는 제2 발광셀(122)이 전기적으로 쇼트되는 것을 방지할 수 있다. 절연층(150)은 제1 발광셀(121) 또는 제2 발광셀(122)의 제1 도전형 반도체층(21), 제2 도전형 반도체층(23) 및 활성층(22)의 측면과 접하도록 위치할 수 있으며, 절연성 재질로 형성될 수 있다.
절연층(150)은 제1 절연층(151) 및 제2 절연층(152)을 포함할 수 있다. 제1 절연층(151)은 제1 발광셀(121)의 제1 도전형 반도체층(21)의 측면 일부에서 제1 발광셀(121)의 제2 도전형 반도체층(23)의 측면 끝까지 형성되어, 제1 발광셀(121)이 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 제2 절연층(152)은 제2 발광셀(122)의 제2 도전형 반도체층(23)의 측면 일부에서 제2 발광셀(122)의 제1 도전형 반도체층(21)의 측면 끝까지 형성되어, 제2 발광셀(122)이 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.
제1 절연층(151)은 제2 절연층의 길이보다 작게 형성될 수 있으며, 제1 절연층(151) 의 두께는 제2 절연층(152)의 두께보다 두꺼울 수 있다.
접착층(140)은 기판(110)과 도전부(150)사이에 위치하여, 기판(110)에 도전부(150)를 접착하여 고정시킬 수 있다.
접착층(140)은 테이프나 접착제 등일 수 있으며, 일 예로 IC용 blue 테이프일 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 기판(110)상에는 제1 발광셀(121) 및 제2 발광셀(122)과 이격되고, 제2 발광셀(122)에 인접하게 제3 발광셀(123)이 위치할 수 있다.
제2 발광셀(122) 및 제3 발광셀(123) 사이에는 도전부(130)가 위치하여, 제2 발광셀(122) 및 제3 발광셀(123)을 전기적으로 연결할 수 있다.
또한, 제2 발광셀(122) 및 제3 발광셀(123) 사이에는 상술한 절연층(150) 및 접착층(140)이 게재될 수 있다.
도 3 내지 도 8은 실시예에 따른 발광소자의 제조방법을 나타내는 도이다.
도 3를 참조하면, 제1 기판(101) 상에 순차적으로 버퍼층(10), 제1 도전형 반도체층(21), 활성층(22), 제2 도전형 반도체층(23)이 형성된다.
제1 기판(101)은 사파이어 기판(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, 그리고 GaAs 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 도 1에서 설명한 기판(110)과 동일할 수 있다.
버퍼층(10)은 3족과 5족 원소가 결합된 형태이거나 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중에서 어느 하나로 이루어질 수 있으며, 도펀트가 도핑될 수도 있다.
이러한 제1 기판(101) 또는 버퍼층(10) 위에는 언도프드 반도체(미도시)층이 형성될 수 있으며, 버퍼층(미도시)과 언도프드 도전형 반도체층(미도시) 중 어느 한 층 또는 두 층 모두 형성하거나 형성하지 않을 수도 있으며, 이러한 구조에 대해 한정되지는 않는다.
제1 기판(101)상에 제1 도전형 반도체층(21), 활성층(22) 및 제2 도전형 반도체층(23)을 순차적으로 형성할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(21)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2) 및 실리콘(Si)과 같은 N형 불순물을 포함하는 실란 가스(SiH4)를 주입하여 형성할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(21)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0=x=1, 0=y=1, 0=x+y=1)의 조성식을 갖는 반도체 물질, 예를 들어, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 또한 N를 대신하여 다른 5족 원소를 이용하여 형성될 수 있다. 예를 들어, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP 및 InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(21)이 일 예로, N형 도전형 반도체층인 경우는, N형 불순물로서, Si, Ge, Sn, Se, Te 등을 포함할 수 있다.
활성층(22)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa) 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)를 주입하면서 질소 분위기에서 성장시킬 수 있으며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
활성층(22)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다.
따라서, 더 많은 전자가 양자우물층의 낮은 에너지 준위로 모이게 되며, 그 결과 전자와 정공의 재결합 확률이 증가 되어 발광효과가 향상될 수 있다. 또한, 양자선(Quantum wire)구조 또는 양자점(Quantum dot)구조를 포함할 수도 있다.
제2 도전형 반도체층(23)은 챔버에 960℃ 이상의 고온에서 수소를 캐리어 가스로 하여 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 트리메틸 알루미늄 가스(TMAl), 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2} 등을 주입하여 성장시킬 수 있으나, 이에 한정하는 것은 아니다.
제2 도전형 반도체층(23)은 p형 도전형 반도체층으로 구현되어, 활성층(22)에 정공을 주입할 수 있다. 예를 들어 p형 도전형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
또한, 상술한 제1 도전형 반도체층(21), 활성층(22) 및 제2 도전형 반도체층(23)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy), 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제2 도전형 반도체층(23) 상에는 투광성 전극층(미도시)이 형성될 수 있다.
투광성 전극층(미도시)은 발광 구조물(예컨대, 제 2도전형 반도체층(23))의 상면에 오믹 접촉되며, 층 또는 복수의 패턴으로 형성될 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(23)에 균일한 전류를 공급할 수 있다.
또한, 상기 투광성 전극층(미도시)은 스퍼터링법이나 전자빔 증착법에 의하여 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 제2 도전형 반도체층(23), 활성층(22), 제1 도전형 반도체층(21) 및 버퍼층(10)을 패터닝하여 제1 발광셀(121) 및 제2 발광셀(122)이 서로 이격되도록 형성할 수 있다. 또한, 제2 도전형 반도체층(23)에서 제1 도전형 반도체층(21)까지 식각하여 제1 도전형 반도체층(21) 상부면의 일부를 노출시킬 수 있다.
상기 각 층들은 사진 및 식각기술을 사용하여 패터닝될 수 있다. 예컨대, 상기 제2 도전형 반도체층(23) 상에 제1 발광셀(121) 및 제2 발광셀(122)을 분리하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 제2 도전형 반도체층(23), 활성층(22) 및 제1 도전형 반도체층(21)을 차례로 식각한다. 이에 따라, 제1 발광셀(121) 및 제2 발광셀(122)이 소정거리로 이격되어 형성될 수 있다.
그 후, 이격된 제1 발광셀(121) 및 제2 발광셀(122) 상에 제1 도전형 반도체층(21)의 노출 영역을 한정하는 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이를 식각마스크로 사용하여 제2 도전형 반도체층(23) 및 활성층(22)을 차례로 식각하여 제1 도전형 반도체층(21)의 상부면의 일부를 노출시킨다. 상기 식각 공정은 습식 또는 건식 식각공정에 의해 수행될 수 있다. 상기 건식 식각공정은 플라즈마를 이용한 건식 식각공정일 수 있다.
또는 상술한 바와 달리, 제2 도전형 반도체층(23), 활성층(22), 제1 도전형 반도체층(21)을 차례로 식각하여, 제1 도전형 반도체층(21)의 상부면을 먼저 노출시키고, 노출된 제1 도전형 반도체층(21)을 다시 패터닝하여 제1 발광셀(121) 및 제2 발광셀(122)을 분리할 수 있다.
상기와 같은 분리공정으로 도 1의 발광소자(100)와 같이 제1 발광셀(121) 및 제2 발광셀(122)을 포함하는 복수의 발광셀(120)을 매트릭스의 구조로 형성할 수 있으며, 예를 들어 3행 3열, 3행 5열, 3행 7열 등의 구조로 형성할 수 있다.
복수의 발광셀(120)은 구조와 형상이 동일할 수 있으며, 동일한 행에서 발광셀(120)간의 이격거리를 동일하게 형성할 수 있다.
상기와 같이 형성된 복수의 발광셀(120)을 전기적으로 직렬 연결하기 위하여 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제2 기판(102) 상에 복수의 도전부(130)를 형성할 수 있다.
도 5의 (a) 및 (b)를 참조하면, 제2 기판(102)은 SiO2 또는 SiN 기판일 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.
제2 기판(102) 상에 패턴층(160)을 형성할 수 있고, 패턴층(160) 상에 IC용 blue tape 등의 테이프 또는 접착제를 이용하여 제1 접착층(170)을 형성할 수 있다.
패턴층(160) 도전부(130)가 형성될 위치(165)에 패턴을 형성하지 않을 수 있다.
도 6을 참조하면, 제1 접착층(170) 상에 도전부(130)를 접착시킬 수 있다. 이 때, 패턴이 없는 영역(165)의 제1 접착층(170) 상에만 도전부(130)를 접착시킬 수 있다.
도전부(130)는 별도의 공정으로 제1 발광셀(121) 및 제2 발광셀(122) 사이 공간의 형상에 대응되는 다양한 형상으로 제조할 수 있다.
이 때, 도전부(130)의 측면 일부에 절연층(150)을 형성하거나 제1 발광셀(121)의 측면 일부 또는 제2 발광셀(122)의 측면 일부에 절연층(150)을 형성할 수 있다.
상기와 같이 절연층(150)이 형성되면, 도전부(130)가 제1 발광셀(121) 및 제2 발광셀(122) 사이에 위치하였을 때, 도전부(130)에 의해 제1 발광셀(121) 및 제2 발광셀(122)이 전기적으로 쇼트되는 것을 방지할 수 있다.
또한,, 도 6에 도시한 바와 같이 도전부(130)의 상에 제2 접착층(140)을 형성하거나, 도시하지는 않았지만, 제1 기판(101) 상에 제2 접착층(140)을 형성할 수 있다. 제2 접착층(140)은 테이프나 접착제 등으로 형성할 수 있으며, 일 예로 IC용 blue 테이프로 형성할 수 있다.
이 후, 도 7 및 도 8을 참조하면, 도전부(130)가 제1 발광셀(121) 및 제2 발광셀(122) 사이에 배치되고, 제1 발광셀(121) 및 제2 발광셀(122)을 전기적으로 연결하도록 제1 기판(101)의 상부와 및 제2 기판(102)이 도전부(130)를 기준으로 서로 마주보게의 상부가 대향되게 위치시킬 수 있다.
상기와 같이 위치시키면, 제2 접착층(140)에 의해 도전부(130)가 제1 기판(101)에 접착되어 고정될 수 있다.
도 8을 참조하면, 이 때, 제2 기판(102)에 압력을 가하는 등의 공정을 추가할 수 있으며, 가압을 하는 경우 제1 발광셀(121)의 상면 또는 제2 발광셀(122)의 상면에 단차부가 형성될 수 있다.
이 후, 제2 기판(102), 패턴층(160) 및 제1 접착층(170)을 제거할 수 있다.
또한, 도 3내지 도 8에 나타낸 공정 순서에서 적어도 하나의 공정은 순서가 바뀔 수 있으며 이에 한정을 두지 않는다.
도 9는 실시예에 따른 발광소자를 포함하는 발광소자패키지의 단면을 도시한 단면도이다.
도 9를 참조하면, 실시예에 따른 발광소자패키지(200)는 캐비티가 형성된 몸체(220), 몸체(220)의 캐비티에 실장된 광원부(100) 및 캐비티에 충진되는 봉지재(240)를 포함할 수 있다.
몸체(220)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board), 세라믹 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(310)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
광원부(100)는 몸체(220)의 바닥면에 실장되며, 일 예로 광원부(100)는 도 1 내지 도 8에서 도시하고 설명한 제조방법으로 제조된 발광소자일 수 있다. 발광소자는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광 소자는 한 개 이상 실장될 수 있다.
몸체(220)는 제1 전극(231) 및 제2 전극(232)을 포함할 수 있다. 제1 전극(231) 및 제2 전극(232)은 광원부(100)와 전기적으로 연결되어 광원부(100)에 전원을 공급할 수 있다.
또한, 제1 전극(231) 및 제2 전극(232)은 서로 전기적으로 분리되며, 광원부(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있고, 또한 광원부(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수 있다.
도 9에는 제1 전극(231)과 제2 전극(232) 모두가 와이어에 의해 광원부(100)와 본딩된 것을 도시하나, 이에 한정하지 않으며, 제1 전극(231) 및 제2 전극(232) 중 어느 하나가 와이어에 의해 광원부(100)와 본딩될 수 있으며, 플립칩 방식에 의해 와이어 없이 광원부(100)와 전기적으로 연결될 수도 있다.
이러한 제1 전극(231) 및 제2 전극(232)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극(231) 및 제2 전극(232)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
수지물봉지재(240)는은 캐비티에 충진될 수 있으며, 형광체(미도시)를 포함할 수 있다. 수지물봉지재(240)는은 투명한 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐비티 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.
형광체(미도시)는 광원부(100)에서 방출되는 광의 파장에 따라 종류가 선택되어 발광소자패키지(200)가 백색광, 적색광, 녹색광, 청색광 등 다양한 색상의 광을 구현하도록 할 수 있다.
봉지재수지물(240)에 포함되어 있는 형광체(미도시)는 광원부(100)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다.
즉, 형광체(미도시)는 광원부(100)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 광원부(100)가 청색 발광 다이오드이고 형광체(미도시)가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자패키지(200)는 백색 빛을 제공할 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200) 위에 렌즈(미도시)를 더 형성할 수 있다. 렌즈의 형상은 반구형, 다각형, 중앙부분이 오목하게 들어가는 형상 등 여러 형상으로 배치될 수 있으며, 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질, 고분자 물질 및 유리 재료 등으로 형성될 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(200)는 복수개가 기판 상에 어레이 될 수 있고, 발광소자 패키지(200)의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다.
이러한 발광소자 패키지(200), 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광소자 또는 발광소자 패키지(200)를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
도 10a는 실시예에 따른 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 10b는 도 10a의 조명장치의 A-A'단면을 도시한 단면도이다.
이하에서는, 실시 예에 따른 조명장치(300)의 형상을 보다 상세히 설명하기 위해, 조명장치(300)의 길이방향(Z)과, 길이방향(Z)과 수직인 수평방향(Y), 그리고 길이방향(Z) 및 수평방향(Y)과 수직인 높이방향(X)으로 설명하기로 한다.
즉, 도 10b는 도 10a의 조명장치(300)를 길이방향(Z)과 높이방향(X)의 면으로 자르고, 수평방향(Y)으로 바라본 단면도이다.
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 조명장치(300)는 몸체(310), 몸체(310)와 체결되는 커버(330) 및 몸체(310)의 양단에 위치하는 마감캡(350)을 포함할 수 있다.
몸체(310)의 하부면에는 발광소자모듈(340)이 체결되며, 몸체(310)는 발광소자패키지(344)에서 발생된 열이 몸체(310)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.
발광소자패키지는(344)는 PCB(342) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 PCB (342)로는 MCPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다.
한편, 발광소자패키지(344)는 다수의 홀이 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 필름을 포함할 수 있다.
금속 등의 전도성 물질로 형성된 필름은 광의 간섭현상을 많이 일으키기 때문에, 광파의 상호 작용에 의해 광파의 강도가 강해질 수 있어 광을 효과적으로 추출 및 확산시킬 수 있으며, 필름에 형성된 다수의 홀은 광원부에서 발생한 광의 간섭과 회절을 통해 효과적으로 광을 추출할 수 있도록 할 수 있다. 따라서, 조명장치(300)의 효율이 향상될 수 있다. 이때, 필름에 형성되는 다수의 홀의 크기는 광원부에서 발생하는 광의 파장보다 작은 것이 바람직하다.
커버(330)는 몸체(310)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
커버(330)는 내부의 발광소자모듈(340)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(330)는 발광소자패키지(344)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(330)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다.
한편, 발광소자패키지(344)에서 발생한 광은 커버(330)를 통해 외부로 방출되므로 커버(330)는 광투과율이 우수하여야하며, 발광소자패키지(344)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(330)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
마감캡(350)은 몸체(310)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(350)에는 전원핀(352)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(300)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.
도 11은 실시예에 따른 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도이다.
도 11은 에지-라이트 방식으로, 액정 표시 장치(400)는 액정표시패널(410)과 액정표시패널(410)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(470)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(410)은 백라이트 유닛(470)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(410)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(412) 및 박막 트랜지스터 기판(414)을 포함할 수 있다.
컬러 필터 기판(412)은 액정표시패널(410)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(414)은 구동 필름(417)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로기판(418)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(414)은 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로기판(418)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(414)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다.
백라이트 유닛(470)은 빛을 출력하는 발광소자모듈(420), 발광소자모듈(420)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(410)로 제공하는 도광판(430), 도광판(430)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(450, 460, 464) 및 도광판(430)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(430)으로 반사시키는 반사 시트(440)로 구성된다.
발광소자모듈(420)은 복수의 발광소자패키지(424)와 복수의 발광소자패키지(424)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(422)을 포함할 수 있다.
특히, 발광소자패키지(424)는 다수의 홀이 형성된 필름을 발광면에 포함함으로써, 렌즈를 생략할 수 있어 슬림한 발광소자패키지를 구현할 수 있고, 동시에 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 따라서, 보다 박형화한 백라이트유닛(470)의 구현이 가능해진다.
한편, 백라이트유닛(470)은 도광판(430)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(410) 방향으로 확산시키는 확산필름(460)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(450)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(450)를 보호하기 위한 보호필름(464)을 포함할 수 있다.
도 12는 실시예에 따른 발광소자패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시한 분해 사시도이다.
다만, 도 11에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.
도 12는 직하 방식으로, 액정 표시 장치(500)는 액정표시패널(510)과 액정표시패널(510)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(570)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(510)은 도 5에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
백라이트 유닛(570)은 복수의 발광소자모듈(523), 반사시트(524), 발광소자모듈(523)과 반사시트(524)가 수납되는 하부 섀시(530), 발광소자모듈(523)의 상부에 배치되는 확산판(540) 및 다수의 광학필름(560)을 포함할 수 있다.
발광소자모듈(523) 복수의 발광소자패키지(522)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(521)을 포함할 수 있다.
특히, 발광소자패키지(522)는 전도성 물질로 형성되고, 다수의 홀을 포함하는 필름을 발광면에 구비함으로써, 렌즈를 생략할 수 있게되어 슬림한 발광소자패키지를 구현할 수 있고, 동시에 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 따라서, 보다 박형화한 백라이트유닛(570)의 구현이 가능해진다.
반사 시트(524)는 발광소자패키지(522)에서 발생한 빛을 액정표시패널(510)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.
한편, 발광소자모듈(523)에서 발생한 빛은 확산판(540)에 입사하며, 확산판(540)의 상부에는 광학 필름(560)이 배치된다. 광학 필름(560)은 확산 필름(566), 프리즘필름(550) 및 보호필름(564)를 포함하여 구성된다.
조명시스템은 도 10 내지 도 12에서 상술한 조명장치 및 백라이트 유닛을 포함할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.
110: 기판 121: 제1 발광셀
122: 제2 발광셀 130: 도전부
140: 접착층 150: 절연층

Claims (26)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하는 제1 발광셀;
    상기 기판 상에 위치하고, 상기 제1 발광셀과 이격되는 제2 발광셀;
    상기 기판 상에 위치하고, 상기 제1 발광셀과 상기 제2 발광셀 사이에 위치하여, 상기 제1 발광셀 및 상기 제2 발광셀을 전기적으로 연결하는 도전부; 및
    상기 도전부와 상기 기판 사이에 접착층을 포함하는 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광셀 및 상기 제2 발광셀은 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고,
    상기 도전부는 상기 제1 발광셀의 제1 도전형 반도체층 및 상기 제2 발광셀의 제2 도전형 반도체층과 접하게 위치하는 발광소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 도전부와 상기 제1 발광셀 사이 또는 상기 도전부와 상기 제2 발광셀 사이에 절연층을 더 포함하는 발광소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제1 발광셀의 제1 도전형 반도체층의 측면 일부에서 상기 제1 발광셀의 제2 도전형 반도체층의 측면 끝까지 형성되는 제1 절연층을 포함함는 발광소자.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제2 발광셀의 제2 도전형 반도체층의 측면 일부에서 상기 제2 발광셀의 제1 도전형 반도체층의 측면 끝까지 형성되는 제2 절연층을 포함하는 발광소자.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 제1 발광셀의 제1 도전형 반도체층의 측면 일부에서 상기 제1 발광셀의 제2 도전형 반도체층의 측면 끝까지 형성되는 제1 절연층 및 상기 제2 발광셀의 제2 도전형 반도체층의 측면 일부에서 상기 제2 발광셀의 제1 도전형 반도체층의 측면 끝까지 형성되는 제2 절연층을 포함하는 발광소자.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 절연층의 길이는 상기 제2 절연층의 길이보다 작은 발광소자.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 절연층의 두께와 상기 제2 절연층의 두께는 다른 발광소자.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제1 절연층의 두께는 상기 제2 절연층의 두께보다 더 두꺼운 발광소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 접착층은 테이프 또는 접착제인 발광소자.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광셀의 제1 도전형 반도체층의 상면은 제1 단차부를 가지고 상기 도전부의 적어도 일부분은 상기 제1 단차부 상에 위치하는 발광소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제2 발광셀의 제2 도전형 반도체층의 상면은 제2 단차부를 가지고 상기 도전부의 적어도 일부분은 상기 제2 단차부 상에 위치하는 발광소자.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광셀의 제1 도전형 반도체층의 상면은 제1 단차부를 가지고 상기 도전부의 적어도 일부분은 상기 제1 단차부 상에 위치하고,
    상기 제2 발광셀의 제2 도전형 반도체층의 상면은 제2 단차부를 가지고 상기 도전부의 적어도 일부분은 상기 제2 단차부 상에 위치하는 발광소자.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 단차부의 형상과 상기 제2 단차부의 형상은 다른 발광소자.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제1 단차부의 형상과 상기 제2 단차부의 형상은 대칭을 이루는 발광소자.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 도전부의 상면은 평평한 발광소자.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 상기 제1 발광셀 및 상기 제2 발광셀과 이격되게 위치하고, 상기 제2 발광셀과 인접하여 형성되는 제3 발광셀을 더 포함하는 발광소자.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 도전부는 제3 발광셀도 전기적으로 연결하고,
    상기 제2 발광셀과 접촉하는 제3 절연층과 상기 제3 발광셀과 접촉하는 제4 절연층을 더 포함하는 발광소자.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한항의 발광소자를 포함하는 조명시스템.
  20. 제1 기판 상에 제1 발광셀 및 상기 제1 발광셀과 이격된 제2 발광셀을 형성하는 단계;
    제2 기판 상에 도전부를 형성하는 단계;
    상기 도전부가 상기 제1 발광셀 및 상기 제2 발광셀 사이에 배치되어 상기 제1 발광셀 및 상기 제2 발광셀을 전기적으로 연결하도록 상기 제1 기판의 상부와 상기 제2 기판의 상부가 대향되게 위치시키는 단계; 및
    상기 제2 기판을 제거하는 단계를 포함하는 발광소자 제조방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 제1 발광셀 및 상기 제2 발광셀을 형성하는 단계에 있어서, 상기 제1 기판 상에 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 순차적으로 적층한 후, 식각하여 상기 제1 발광셀 및 상기 제2 발광셀이 이격되게 형성하는 발광소자 제조방법.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 제2 기판 상에 도전부를 형성하는 단계에 있어서, 상기 제2 기판 상에 패턴층 및 제1 접착층을 형성하고, 상기 제1 접착층 상에 상기 도전부를 접착시키는 발광소자 제조방법.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 도전부의 측면 일부에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법.
  24. 제20항에 있어서,
    상기 제1 발광셀의 측면 일부 또는 상기 제2 발광셀의 측면 일부에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법.
  25. 제20항에 있어서,
    상기 제1 기판의 상부와 상기 제2 기판의 상부가 대향되게 위치시키는 단계 전에, 상기 도전부 상에 제2 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법.
  26. 제20항에 있어서,
    상기 제1 기판의 상부와 상기 제2 기판의 상부가 대향되게 위치시키는 단계 전에, 상기 제1 기판 상에 제2 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광소자의 제조방법.
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