KR20130016922A - 액정 표시장치 - Google Patents

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KR20130016922A
KR20130016922A KR1020110079131A KR20110079131A KR20130016922A KR 20130016922 A KR20130016922 A KR 20130016922A KR 1020110079131 A KR1020110079131 A KR 1020110079131A KR 20110079131 A KR20110079131 A KR 20110079131A KR 20130016922 A KR20130016922 A KR 20130016922A
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허승호
조영성
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명은 각 서브 픽셀의 박막 트랜지스터 간에 Cgd(게이트 전극 및 드레인 전극 간의 정전용량)의 균일도를 높여 화질을 향상시킬 수 있는 액정 표시장치에 관한 것으로, 화소를 정의하는 다수의 게이트 라인과 데이터 라인; 및 상기 각 화소 별로 형성된 박막 트랜지스터를 포함하고; 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트 라인으로부터 돌출된 게이트 전극과; 상기 데이터 라인으로부터 돌출되고 서로 평행하게 형성되는 제 1 및 제 2 소스 전극과; 상기 제 1 및 제 2 소스 전극 사이에서 바(Bar) 형태로 형성된 드레인 전극을 포함하며; 상기 드레인 전극은 화소 전극에 연결되고 상기 게이트 전극과 중첩되지 않는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역으로부터 연장되어 상기 제 1 및 제 2 소스 전극 사이로 삽입되며 상기 게이트 전극과 중첩되는 제 2 영역과, 상기 제 2 영역으로부터 연장되어 상기 게이트 전극과 중첩되지 않는 제 3 영역으로 구분되는 것을 특징으로 한다.

Description

액정 표시장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}
본 발명은 각 서브 픽셀의 박막 트랜지스터 간에 Cgd(게이트 전극 및 드레인 전극 간의 정전용량)의 균일도를 높여 화질을 향상시킬 수 있는 액정 표시장치에 관한 것이다.
최근, 디스플레이 소자 중, 우수한 화질과, 경량, 박형, 저전력의 특징으로 인하여 액정 표시장치(Liquid Crystal Display)가 가장 많이 사용되고 있다.
이러한 액정 표시장치는 크게 트랜지스터 어레이 기판과 컬러필터 기판으로 구성된다. 트랜지스터 어레이 기판에는 게이트 전극과, 반도체층과, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하, TFT)와, TFT와 연결된 화소 전극을 포함하는 서브 픽셀이 형성된다. 그리고 컬러필터 기판에는 컬러필터와 블랙매트릭스가 형성된다.
한편, TFT의 소스 및 드레인 전극은 게이트 전극을 기준으로 형성되는데, 종래에는 TFT의 제조공정시 오버레이(overlay) 편차에 의해 소스 및 드레인 전극의 틀어짐이 발생되었다. 이와 같이, 소스 및 드레인 전극의 틀어짐이 발생되면 각 서브 픽셀의 TFT 간에 Cgd(게이트 전극 및 드레인 전극 간의 정전용량)의 균일도가 떨어진다. 그런데, Cgd의 균일도가 떨어지면 각 서브 픽셀 별로 킥백 전압(ΔVp)이 상이해지고, 이로 인해 잔상이나 플리커 현상과 같은 화질저하가 발생되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 각 서브 픽셀의 TFT 간에 Cgd(게이트 전극 및 드레인 전극 간의 정전용량)의 균일도를 높여 화질을 향상시킬 수 있는 액정 표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치는 화소를 정의하는 다수의 게이트 라인과 데이터 라인; 및 상기 각 화소 별로 형성된 박막 트랜지스터를 포함하고; 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트 라인으로부터 돌출된 게이트 전극과; 상기 데이터 라인으로부터 돌출되고 서로 평행하게 형성되는 제 1 및 제 2 소스 전극과; 상기 제 1 및 제 2 소스 전극 사이에서 바(Bar) 형태로 형성된 드레인 전극을 포함하며; 상기 드레인 전극은 화소 전극에 연결되고 상기 게이트 전극과 중첩되지 않는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역으로부터 연장되어 상기 제 1 및 제 2 소스 전극 사이로 삽입되며 상기 게이트 전극과 중첩되는 제 2 영역과, 상기 제 2 영역으로부터 연장되어 상기 게이트 전극과 중첩되지 않는 제 3 영역으로 구분되는 것을 특징으로 한다.
상기 각 화소는 상기 화소 전극과 수평 전계를 형성하는 공통 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 각 화소는 상기 화소 전극과 수직 전계를 형성하는 공통 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 박막 트랜지스터는 상기 각 데이터 라인을 기준으로 좌우측에서 지그재그 형태로 배열되어 해당 데이터 라인과 접속는 것을 특징으로 한다.
상기 액정 표시장치는 홀수 번째 행에 배치된 화소는 상기 박막 트랜지스터가 좌측으로 인접한 데이터 라인과 접속되고, 짝수 번째 행에 배치된 화소는 상기 박막 트랜지스터가 우측으로 인접한 데이터 라인과 접속되는 Z-인버전 방식으로 구동되는 것을 특징으로 한다.
상기 액정 표시장치는 2n 개의 게이트 라인과 m/2 개의 데이터 라인의 교차로 m×n 개(m, n은 자연수)의 화소를 정의하는 DRD(Double Rate Driving) 방식으로 구동되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 각 서브 픽셀의 TFT 간에 Cgd(게이트 전극 및 드레인 전극 간의 정전용량)의 균일도를 높여 화질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 액정 표시장치에서 액정패널의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 임의의 서브 픽셀의 평면도이다.
도 3은 실시 예에 따른 TFT의 Cgs의 균일도를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 A-A’ 선에 따른 단면도이다.
도 5는 Z-인버전 방식에 따른 액정 표시장치의 평면도이다.
도 6은 DRD(Double Rate Driving) 구동방식에 따른 액정 표시장치의 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시장치를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 실시 예에 따른 액정 표시장치에서 액정패널의 평면도이다. 그리고 도 2는 도 1에 도시된 임의의 서브 픽셀의 평면도이다.
도 1에 도시된 액정패널은 제 1 방향(예를 들어, 가로 방향)으로 배열된 다수의 게이트 라인(GL)이 배열되고, 제 1 방향과 수직된 제 2 방향(예를 들어, 세로 방향)으로 다수의 데이터 라인(DL)이 배열된다.
다수의 게이트 라인(GL)과 다수의 데이터 라인(DL)은 교차로 서브 픽셀을 정의한다. 각 서브 픽셀에는 TFT가 형성되는데, TFT는 게이트 라인(GL)로부터 제공된 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)으로부터 제공된 데이터 전압을 화소 전극(10)에 공급한다. 데이터 전압이 공급된 화소 전극(10)은 공통 전압이 공급되는 공통 전극과 함께 전계를 형성하며, 이때 형성된 전계에 의해 액정의 광 투과율을 제어하게 된다.
이를 위해, TFT는 게이트 라인(GL)으로부터 돌출된 게이트 전극(g)과, 데이터 라인(DL)으로부터 돌출된 소스 전극(s)과, 소스 전극(s)과 이격되어 화소 전극(10)에 연결된 드레인 전극(d)을 포함한다. 그리고 공통 전극은 TFT가 형성된 하부 기판 상에 형성될 수도 있고, 컬러필터 어레이가 형성된 상부 기판 상에 형성될 수도 있다.
구체적으로, 공통 전극이 하부 기판 상에 형성될 경우 실시 예는 IPS 모드와 FFS 모드와 같이 화소 전극(10)과 공통 전극이 수평 전계를 형성하도록 형성된다. 그리고 공통 전극이 상부 기판 상에 형성될 경우 실시 예는 TN 모드와 같이 화소 전극(10)과 공통 전극이 수직 전계를 형성하도록 형성된다.
한편, TFT의 게이트 전극(g)과 드레인 전극(d)이 중첩되는 영역에서 형성되는 게이트 전극 및 드레인 전극 간의 정전용량(이하, Cgd)은 게이트 라인(GL)에 제공된 스캔 신호가 게이트 하이 전압(VGH)로부터 게이트 로우 전압(VGL)으로 변할 때, 데이터 전압을 떨어뜨리는 쪽으로만 작용한다. 이때, 데이터 전압을 떨어뜨리는 정도를 킥백 전압(ΔVp)이라 하며, 킥백 전압(ΔVp)은 수학식 1과 같이 표현된다.
Figure pat00001
수학식 1에서 ΔVg는 게이트 하이 전압(VGH)과 게이트 로우 전압(VGL)의 전압차이고, Cst는 스토리지 커패시터Cst이고, Clc는 액정 커패시터이다. 수학식 1과 같이, 킥백 전압(ΔVp)은 Cgd와 ΔVg에 비례하고 Cst에는 반비례한다.
한편, 전술한 바와 같이 종래기술에 따른 액정 표시장치는 오버레이 편차에 의해 서브 픽셀 별로 TFT의 Cgd가 상이해진다. 여기서, 서브 픽셀 별로 Cgd 값의 차이는 결국 킥백 전압(ΔVp)의 차이를 유발하게 되는데, 이와 같은 문제는 서브 픽셀 내의 전압 차징 정도의 차이를 유발하게 되어 딤(dim)이나 플리커와 같은 화질저하가 발생된다.
실시 예는 상기와 같은 문제점으로 해결하기 위해 새로운 구조의 TFT를 제안하는데, 이를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
실시 예에 따른 TFT는 도 2에 도시된 바와 같이, 게이트 라인(GL)으로부터 돌출된 게이트 전극(g)과, 데이터 라인(DL)으로부터 돌출되고 서로 평행하게 형성되는 제 1 및 제 2 소스 전극(s1, s2)과, 제 1 및 제 2 소스 전극(s1, s2) 사이에서 바(Bar) 형태로 형성되는 드레인 전극(d)을 포함한다.
특히, 드레인 전극(d)은 화소 전극(10)에 연결되고 게이트 전극(g)과 중첩되지 않는 제 1 영역(p1)과, 제 1 영역(p1)으로부터 연장되어 제 1 및 제 2 소스 전극(s1, s2) 사이로 삽입되며 게이트 전극(g)과 중첩되는 제 2 영역(p2)과, 제 2 영역(p2)으로부터 연장되어 게이트 전극(g)과 중첩되지 않는 제 3 영역(p3)으로 구분된다.
이와 같은 TFT는 제조시 미스 얼라인과 같은 오버레이 편차에 의해 드레인 전극(d)과 소스 전극(s)을 포함하는 소스-드레인 층이 좌측 또는 우측으로 틀어지더라도 Cgd의 균일도를 유지하는데 유리한 구조이다. 그 이유에 대해 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 실시 예에 따른 TFT의 Cgd의 균일도를 설명하기 위한 도면이다. 구체적으로, 도 3에는 오버레이 편차가 발생되지 않은 정상적인 경우와, 오버레이 편차에 따라 소스-드레인 층이 좌측 또는 우측으로 틀어진 경우가 도시되어 있다.
도 3을 참조하면, 실시 예에 따른 TFT는 드레인 전극(d)이 게이트 전극(g)과 중첩되지 않는 제 1 및 제 3 영역(p1, p3)과, 게이트 전극(g)과 중첩되어 Cgd를 형성하는 제 2 영역(p2)으로 구분된다. 이에 따라, 실시 예에 따른 TFT는 소스-드레인 층이 좌측 또는 우측으로 틀어지더라도 게이트 전극(g)과 드레인 전극(d) 간의 중첩면적이 일정하게 유지되고, Cgd가 균일해진다.
이와 같이, 실시 예에 따른 TFT는 각 서브 픽셀의 TFT에서 Cgd의 균일도를 높여, Cgd 불균일에 기인한 딤(dim)이나 플리커와 같은 화질저하를 방지할 수 있다.
이하, 실시 예에 따른 TFT를 보다 구체적으로 설명한다.
도 4는 도 2에 도시된 A-A’ 선에 따른 단면도이다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 하부 기판(2) 상에는 게이트 라인(GL)과 게이트 전극(g)이 형성되고, 게이트 라인(GL)과 게이트 전극(g)을 포함하는 하부 기판(2) 상에는 게이트 절연층(4)이 형성된다.
게이트 절연층(4) 상에는 액티브층(6)과, 오믹접족층(8)이 차례로 형성된 반도체층이 형성된 후, 게이트 라인(GL)과 수직되도록 데이터 라인(DL)이 형성되고, 이와 동시에 제 1 및 제 2 소스 전극(s1, s2)과, 드레인 전극(d)이 형성된다. 이때, 반도체층 중 표면 일부가 노출된 액티브층(6)과 일정 간격 이격된 드레인 전극(d)과 제 1 및 제 2 소스 전극(s1, s2) 사이에는 채널이 형성된다.
데이터 라인(DL)과, 제 1 및 제 2 소스 전극(s1, s2), 및 드레인 전극(d)을 포함한 하부 기판(2) 상에는 보호층(14)이 형성된다. 그리고 보호층(14)에는 콘택홀(12)이 형성되는데 콘택홀(12)은 보호층(14) 일부 영역을 관통하여 드레인 전극(d)의 일부를 노출시킨다.
화소 전극(10)은 콘택홀(12)을 덮으면서 드레인 전극(d)과 접속된다. 이와 같은 화소 전극(10)은 ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 전도성 재질로 형성될 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 TFT는 각 화소가 데이터 라인(DL)을 기준으로 좌우측에서 지그재그로 접속되는 액정 표시장치에서 Cgd 균일에 따른 화질 향상 효과를 더 크게 기대할 수 있다. 이 경우, TFT는 각 데이터 라인(DL)을 기준으로 좌우측에서 지그재그 형태로 배열되어 해당 데이터 라인(DL)과 접속된다.
구체적으로, 실시 예에 따른 TFT는 도 5에 도시된 바와 같이, Z-인버전 방식의 액정 표시장치에 적용될 수 있다. 그리고 도 6에 도시된 바와 같이, DRD(Double Rate Driving) 구동방식의 액정 표시장치에 적용될 수 있다.
Z-인버전 방식의 액정 표시장치와, DRD 구동방식의 액정 표시장치에 관해 설명을 부가하면 다음과 같다.
도 5를 참조하면, Z-인버전 방식의 액정 표시장치는 홀수 번째 행에 배치된 서브 픽셀은 TFT가 좌측으로 인접한 데이터 라인(DL)과 접속되고, 짝수 번째 행에 배치된 서브 픽셀은 TFT가 우측으로 인접한 데이터 라인(DL)과 접속된다.
이러한 액정 표시장치는 데이터 전압의 스윙 빈도가 큰 도트 인버전 구동방법의 소비전력을 절감하기 위해, 각 데이터 라인들을 컬럼 인버전 방식으로 구동하면서도 각 서브 픽셀을 도트 인버전 방식으로 구동하여 데이터 전압의 스윙 빈도를 줄인다.
도 6을 참조하면, DRD 방식의 액정 표시장치는 2n 개의 게이트 라인과 m/2 개의 데이터 라인의 교차로 m×n 개(m, n은 자연수)의 서브 픽셀을 정의한다.
이러한 액정 표시장치는 기존 대비 게이트 라인의 수를 2 배로 늘리는 대신 데이터 라인의 수를 1/2배로 줄여 데이터 드라이브 IC 수를 줄일 수 있다.
이상에서 상술한 Z-인버전 방식, DRD 방식의 액정 표시장치는 TFT가 각 데이터 라인(DL)을 기준으로 좌우측에서 지그재그 형태로 배열된다. 이러한 구동방식들은 TFT의 드레인 전극(d)이 데이터 라인(DL)을 기준으로 좌우 대칭된 모양을 갖는다.
그런데, 이들 구동방식에 종래기술에 따른 TFT를 적용하면, 소스-드레인 층이 좌측 또는 우측으로 틀어질 경우 각 서브 픽셀의 Cgd가 열 단위로 상이해진다.
구체적으로, 종래기술은 소스-드레인 층이 좌측 또는 우측으로 틀어져서 각 데이터 라인(DL)의 좌측에 배열된 TFT의 Cgd가 증가할 경우, 각 데이터 라인(DL)의 우측에 배열된 TFT는 Cgd가 감소한다. 반대로, 소스-드레인 층이 좌측 또는 우측으로 틀어져서 각 데이터 라인(DL)의 좌측에 배열된 TFT의 Cgd가 감소할 경우, 각 데이터 라인(DL)의 우측에 배열된 TFT는 Cgd가 증가한다. 이와 같이, Z-인버전 방식, DRD 방식의 액정 표시장치에 종래기술에 따른 TFT가 적용되면, 열 단위로 TFT의 Cgd가 상이해져 화질불량이 유발된다.
하지만, 실시 예는 앞서 상술한 바와 같이, 소스-드레인 층이 좌측 또는 우측으로 틀어지더라도 Cgd의 균일도를 유지할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 TFT가 Z-인버전 방식 또는 DRD 방식의 액정 표시장치에 적용될 경우, Cgd의 균일에 따른 화질 향상효과를 더 크게 기대할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
10: 화소 전극 s1: 제 1 소스 전극
s2: 제 2 소스 전극 d: 드레인 전극
g: 게이트 전극 p1: 제 1 영역
p2: 제 2 영역 p3: 제 3 영역

Claims (6)

  1. 화소를 정의하는 다수의 게이트 라인과 데이터 라인; 및
    상기 각 화소 별로 형성된 박막 트랜지스터를 포함하고;
    상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트 라인으로부터 돌출된 게이트 전극과; 상기 데이터 라인으로부터 돌출되고 서로 평행하게 형성되는 제 1 및 제 2 소스 전극과; 상기 제 1 및 제 2 소스 전극 사이에서 바(Bar) 형태로 형성된 드레인 전극을 포함하며;
    상기 드레인 전극은 화소 전극에 연결되고 상기 게이트 전극과 중첩되지 않는 제 1 영역과, 상기 제 1 영역으로부터 연장되어 상기 제 1 및 제 2 소스 전극 사이로 삽입되며 상기 게이트 전극과 중첩되는 제 2 영역과, 상기 제 2 영역으로부터 연장되어 상기 게이트 전극과 중첩되지 않는 제 3 영역으로 구분되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 화소는
    상기 화소 전극과 수평 전계를 형성하는 공통 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 각 화소는
    상기 화소 전극과 수직 전계를 형성하는 공통 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는
    상기 각 데이터 라인을 기준으로 좌우측에서 지그재그 형태로 배열되어 해당 데이터 라인과 접속되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    홀수 번째 행에 배치된 화소는 상기 박막 트랜지스터가 좌측으로 인접한 데이터 라인과 접속되고, 짝수 번째 행에 배치된 화소는 상기 박막 트랜지스터가 우측으로 인접한 데이터 라인과 접속되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    2n 개의 게이트 라인과 m/2 개의 데이터 라인의 교차로 m×n 개(m, n은 자연수)의 화소를 정의하는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치.
KR1020110079131A 2011-08-09 2011-08-09 액정 표시장치 KR20130016922A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP2940520A1 (en) * 2014-04-30 2015-11-04 LG Display Co., Ltd. Z-inversion type display device and method of manufacturing the same
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2940520A1 (en) * 2014-04-30 2015-11-04 LG Display Co., Ltd. Z-inversion type display device and method of manufacturing the same
US9588386B2 (en) 2014-04-30 2017-03-07 Lg Display Co., Ltd. Z-inversion type display device with ‘T’-shaped electrode and method of manufacturing the same
US9780126B2 (en) 2014-04-30 2017-10-03 Lg Display Co., Ltd. Z-inversion type display device and method of manufacturing the same
KR20170073408A (ko) * 2015-12-18 2017-06-28 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치

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