KR20130016851A - 에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름 및 그 제조방법 - Google Patents

에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 에칭(Etching)성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름 및 그 제조방법에 대한 것으로, 본 발명의 에칭성이 조절 가능한 연성구리박막적층필름의 제조방법은 고분자인 폴리이미드(Polyimide) 필름을 사용하여 연성 구리 박막 적층 필름을 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은 (1) 상기 폴리이미드 필름을 진공 상태에서 플라즈마 처리를 하여 표면 화학적 성분, 표면 클리닝(Cleaning), 거칠기 향상을 통하여 폴리이미드 필름과 금속의 접착력과 에칭 저해제와의 친화력을 조절하는 단계; (2) 상기 플라즈마 처리 후의 폴리이미드 필름 위에 물리기상증착법(PVD)인 스퍼터링(Sputtering) 방식을 이용하여 비전도성 폴리이미드 필름 표면에 전도층 역할을 하는 타이(Tie) 층(Ni-Cr)과 시드(Seed) 층(Cu)을 순차적으로 진공 증착하는 단계; 및 (3) 상기 전도층이 증착된 폴리이미드 필름에 첨가제 및 보정제의 농도를 일정량으로 유지하여 전착시키는 단계를 포함하며, 상기 (1) 단계의 플라즈마 처리는 RF 플라즈마를 사용하여 표면을 개질하며, 투입 가스로 Ar, O2 및 N2 가스를 사용하며, 이때 각 가스는 원하는 에칭성을 얻을 수 있도록 하기 위해 단독 및 특정 비율의 혼합으로 사용하여 제조된 것임을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름 및 그 제조방법은 특정한 조건으로 폴리머 필름을 플라즈마 처리함에 의해 폴리머 필름의 표면의 성분비를 변경하여 폴리머 필름과 타이(Tie) 층(Ni-Cr)의 화합물 결합 상태를 결정하고 에칭액의 에칭 저해제(Inhibitor)와의 친화력에 따라 에칭성을 결정하여 패턴 형성 시에 그 형태를 조절하여 미세 패턴화 및 안정성을 가지는 패턴 확보할 수 있으며, 형태 조절은 본딩 공정의 방식과 드라이버 IC의 목적에 따라 결정될 수 있다.

Description

에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름 및 그 제조방법{Flexible cupper clad laminated film being capable of etching and manufacturing method the same}
본 발명은 에칭(Etching)성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름 및 그 제조방법에 대한 것으로, 더욱 자세하게는 LCD용 드라이버(Driver) IC에 사용되는 미세 회로 전용의 COF(Chip on Film)의 주재료로서 진공 상태에서 종류 및 비율이 조절된 가스(Gas)를 투입하여 폴리머 필름(Polymer Film)에의 RF 플라즈마 처리를 통하여 연성구리박막 적층필름의 에칭 속도 조절을 가능토록 하고 패턴(pattern) 형태를 선택할 수 있게 함으로써 용도에 따른 패턴 형태를 선택하여 특정한 선폭의 회로 패턴이 형성되도록 하는 반도체소자의 패턴에 있어서의 에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름 및 그 제조방법에 대한 것이다.
최근의 각종 기술 분야에서의 현저한 발달, 특히 디스플레이 기술 분야에서 반도체 집적회로의 발전에 따라 통상적으로 용도 세분화, 박막화, 소형화, 경량화, 내구성 등을 요구하여 고 집적도가 구현되는 소재의 개발이 촉진되고 LCD용 드라이버 IC에 사용되는 연성구리박막 적층필름(FCCL)의 경우에도 다양한 성질, 미세 패턴(Fine Pattern)화 및 박막화 등이 요구되어 지고 있다.
상기한 연성구리박막 적층필름을 소재로 하여 에칭을 통하여 회로 패턴을 형성한 후, 회로 상에 반도체 칩 등의 전기 소자가 실장되어 지는데, 최근에는 회로 패턴의 피치(Pitch)가 30㎛ 이하의 제품이 증가하고, 상기 용도 세분화를 위하여 패턴 형성 기술이 중요시되고 있다.
상기 패턴 형성이 완료된 연성구리박막 적층필름 위에 칩(Chip)이 실장되나, 과도한 역경사 패턴 형태의 경우 타이(Tie) 층과 폴리머 필름과의 접착력 및 안정성이 확보되지 않아 고온의 칩 본딩(Bonding) 공정에서 박리가 일어나거나 패턴이 무너질 수 있는 단점이 있다. 또한, 에칭 공정에서 좌우되는 적절한 너비의 역경사 패턴을 가공하는 경우에도 고속의 가공 속도에서는 웨이브 패턴이 발생하는 단점이 있다. 더욱이, 상기 패턴 형태와는 다르게 일반 형태의 패턴의 경우에 패턴 하부의 너비가 과도할 경우에, 미세 패턴화가 불가능하다는 단점이 있다. 현재의 패턴 형태는 에칭 공정에서 좌우되는 것으로, 보다 상세하게는 연성구리박막 적층필름의 특성에 맞추어 에칭을 하는 방식으로서 다양한 패턴 형태를 조절함에 있어 한계가 있다.
이러한 역경사 패턴 에칭으로는, 예를 들어 대한민국 특허공개번호 1997-0052556호는 역경사 에칭을 이용한 반도체소자의 미세패턴 형성방법 및 LDD구조의 형성방법을 개시하는 것으로, "특정 막이 반도체기판상에 형성되는 공정과, 포토리소그라피 공정 및 식각 공정을 구비하여 이루어지는 반도체소자의 미세패턴 형성방법에 있어서, 상기 식각공정에서는 상기 특정막에 역경사 에칭을 이용하여, 단면이 하변이 작은 역사다리꼴의 회로 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 미세패턴 형성방법"을 개시하고 있다.
그러나, 상기에 개시된 발명은 여전히 상술한 종래의 문제점을 지니고 있으며, 따라서, 본 발명자 등은 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위해 예의연구한 결과 본 발명을 완성하게 되었다.
특허문헌 1: 대한민국 특허공개번호 1997-0052556호
따라서, 본 발명은 상기한 종래 기술에 있어서의 기술적 문제점을 감안하여 된 것으로, 본 발명의 주요 목적은 연성구리박막 적층필름의 특성에 맞추어 에칭을 하는 방식의 한계를 해결하기 위하여 에칭성을 조절할 수 있는 연성구리박막 적층필름의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기의 제조방법에 따라 얻어진 에칭성이 조절 가능한 연성구리박막 적층필름을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 또한 상기한 명확한 목적 이외에 이러한 목적 및 본 명세서의 전반적인 기술로부터 이 분야의 통상인에 의해 용이하게 도출될 수 있는 다른 목적을 달성함을 그 목적으로 할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적은 진공 상태에서 가스 종류를 달리하여 투입하고 폴리머 필름(Polymer Film)에의 RF 플라즈마 처리를 통하여 가스 종류 및 혼합비를 설정함으로써 폴리머 필름의 표면의 성분비를 변경하여 타이(Tie) 층(Ni-Cr)의 화합물 결합 상태를 결정하고 에칭액의 에칭 저해제(Inhibitor)와의 친화력에 따라 에칭성을 결정하는 에칭성의 조절이 가능함을 밝혀내어 달성되었다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 에칭성이 조절 가능한 연성구리박막적층필름의 제조방법은:
고분자인 폴리이미드(Polyimide) 필름을 사용하여 연성 구리 박막 적층 필름을 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은;
(1) 상기 폴리이미드 필름을 진공 상태에서 플라즈마 처리를 하여 표면 화학적 성분, 표면 클리닝(Cleaning), 거칠기 향상을 통하여 폴리이미드 필름과 금속의 접착력과 에칭 저해제와의 친화력을 조절하는 단계;
(2) 상기 플라즈마 처리 후의 폴리이미드 필름 위에 물리기상증착법(PVD)인 스퍼터링(Sputtering) 방식을 이용하여 비전도성 폴리이미드 필름 표면에 전도층 역할을 하는 타이(Tie) 층(Ni-Cr)과 시드(Seed) 층(Cu)을 순차적으로 진공 증착하는 단계; 및
(3) 상기 전도층이 증착된 폴리이미드 필름에 첨가제 및 보정제의 농도를 일정량으로 유지하여 전착시키는 단계를 포함하며,
상기 (1) 단계의 플라즈마 처리는 RF 플라즈마를 사용하여 표면을 개질하며, 투입 가스로 Ar, O2 및 N2 가스를 사용하며, 이때 각 가스는 원하는 에칭성을 얻을 수 있도록 하기 위해 단독 및 특정 비율의 혼합으로 사용하여 제조된 것임을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 구성에 따르면, 상기 원하는 에칭성을 얻을 수 있도록 하기 위한 가스의 사용은 표면처리된 폴리이미드 필름 표면의 탄소, 산소 및 질소의 비율이 73±2:12±1:14±1의 비율로 하기 위해서는 N2 가스만을 사용함을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 구성에 따르면, 상기 타이층의 금속산화물과 금속질화물의 비율이 2:1로 하기 위해서는 N2 가스만을 사용함을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 구성에 따르면, 상기 폴리이미드 필름은 두께가 24 내지 39㎛이며, 타이 층의 조성비는 Ni의 함량이 80 내지 95%이며, 그 두께는 200Å 내지 450Å으로 하여 제조함을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 구성에 따르면 상기 RF 플라즈마를 인가하기 위한 전원(POWER)은 1.0kw 내지 2.0kw로 함을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 구성에 따르면, 상기 (2)단계에서 스퍼터링 법으로 증착되는 타이 층인 Cu층은 그 두께를 500Å 내지 1500Å으로 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 구성에 따르면, 상기 (3)단계에서 전류밀도를 최소 0.1A/m²에서 최대 5.1A/m² 사이의 전류밀도를 사용하여 전해 도금을 두께 1㎛ 내지 10㎛로 수행함을 특징으로 한다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름은:
폴리이미드 필름을 진공 상태에서 플라즈마 처리를 하여 표면 화학적 성분, 표면 클리닝(Cleaning), 거칠기 향상을 통하여 폴리이미드 필름과 금속의 접착력과 에칭 저해제와의 친화력을 조절하는 단계; 상기 플라즈마 처리 후의 폴리이미드 필름 위에 물리기상증착법(PVD)인 스퍼터링(Sputtering) 방식을 이용하여 비전도성 폴리이미드 필름 표면에 전도층 역할을 하는 타이(Tie) 층(Ni-Cr)과 시드(Seed) 층(Cu)을 순차적으로 진공 증착하는 단계; 및 상기 전도층이 증착된 폴리이미드 필름에 첨가제 및 보정제의 농도를 일정량으로 유지하여 전착시키는 단계에 의해 제조되며, 플라즈마 처리는 RF 플라즈마를 사용하여 표면을 개질하며, 투입 가스로 Ar, O2 및 N2 가스를 사용하며, Ar, O2 및 N2 가스를 사용하며, 이때 각 가스는 원하는 에칭성을 얻을 수 있도록 하기 위해 단독 및 특정 비율의 혼합으로 사용하여 제조된 것임을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름 및 그 제조방법은 특정한 조건으로 폴리머 필름을 플라즈마 처리함에 의해 폴리머 필름의 표면의 성분비를 변경하여 폴리머 필름과 타이(Tie) 층(Ni-Cr)의 화합물 결합 상태를 결정하고 에칭액의 에칭 저해제(Inhibitor)와의 친화력에 따라 에칭성을 결정하여 패턴 형성 시에 그 형태를 조절하여 미세 패턴화 및 안정성을 가지는 패턴 확보할 수 있으며, 형태 조절은 본딩 공정의 방식과 드라이버 IC의 목적에 따라 결정될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따라 제조된 연성 구리 박막 적층 필름의 역경사 패턴의 이미지 사진(SEM)이고,
도 2는 비교예에 따라 제조된 연성 구리 박막 적층 필름의 정경사 패턴의 이미지 사진(SEM)이다.
이하, 본 발명을 첨부도면을 참고로 바람직한 실시형태에 의해 보다 자세하게 설명한다.
본 발명에 따른 에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름의 제조방법은 폴리이미드 필름(Polyimide)을 진공 상태에서 플라즈마 처리를 하여 표면 화학적 성분, 표면 클리닝(Cleaning), 거칠기 향상을 통하여 폴리이미드 필름과 금속의 접착력과 에칭 저해제와의 친화력을 조절하는 단계; 상기 플라즈마 처리 후의 폴리이미드 필름 위에 물리기상증착법(PVD)인 스퍼터링(Sputtering) 방식을 이용하여 비전도성 폴리이미드 필름 표면에 전도층 역할을 하는 타이(Tie) 층(Ni-Cr)과 시드(Seed) 층(Cu)을 순차적으로 진공 증착하는 단계; 및 상기 전도층이 증착된 폴리이미드 필름에 첨가제 및 보정제의 농도를 일정량으로 유지하여 전착시키는 단계로 구성되어 진다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 상기 플라즈마 처리는 RF 플라즈마를 사용하여 표면을 개질하며, 이때 투입되는 가스로는 Ar, O2 및 N2 가스를 사용하며, 이때 각 가스는 원하는 에칭성을 얻을 수 있도록 하기 위해 단독 및 특정 비율의 혼합으로 사용하여 제조될 수 있다.
상기와 같이 본 발명에 따른 연성회로 기판용 연성 동박 적층 필름의 제조에 있어서, 폴리이미드 필름을 아르곤과 같은 특정한 불활성 기체 및 산소나 질소 등의 특정한 활성 기체를 이용하여 고분자인 폴리이미드 필름의 표면화학적 성분 비율의 변화를 조절하는 단계를 포함하는데, 다음 표 1에 폴리이미드 필름의 처리시 가하여진 처리 가스의 종류에 따른 필름 표면의 탄소와 산소와 질소의 구성 분포를 나타냈다. 표 1에 나타난 바와 같이, 필름에 플라즈마 처리 후 필름의 표면 성분이 변화하는데 질소를 사용한 경우 필름 표면의 질소 성분이 높아지며 산소를 사용한 경우 표면의 산소 성분이 가장 많이 검출되었다. 단, 아르곤과 산소의 혼합의 경우 혼합비와 관계없이 동등한 표면 변화를 나타내었다.
표면 처리 C O N
- 82.1 7.0 10.9
N2 73.3 12.1 14.6
Ar 86.1 8.8 5.1
Ar+O2 75.5 18.1 6.4
O2 54.5 41.2 4.3
또한, 본 발명에서는 연성회로 기판용 연성 동박 적층 필름의 제조에 있어서, 상기 플라즈마 처리 후의 폴리이미드 필름 표면에 전도층 역할을 하는 타이층을 증착하는 단계를 포함하는데, 다음 표 2에는 폴리이미드 처리시 가하여진 가스의 종류에 따른 타이 층의 금속산화물과 금속질화물의 구성 비율을 조사하여 나타냈다. 하기 표 2에서 알 수 있는 바와 같이 상기 표 1에서 표기하는 표면 성분비에 따라 타이 층의 금속산화물과 금속질화물의 비율이 조절됨을 알 수 있다. 또한, 표 3에 타이 층 증착 시에 타이 층의 금속 성분과 폴리이미드 필름의 표면 성분의 결합에너지를 나타낸 참고 표로, 실제 금속질화물이 생성될 수 있음을 나타내고 있다.
표면처리 CrO CrN
N2 2 1
Ar 13 1
Ar + O2 6.6 1
O2 7 1
항목 Ni
(NiO 또는 NiO2)		 Cr
(CrO 또는 CrO2)		 Cr
(CrN 또는 Cr2N)
반응 에너지 -50kcal/mole -250kcal/mole -100kcal/mole
상기의 방식으로 제조된 본 발명의 연성구리박막 적층필름은 에칭 공정을 통하여 패턴을 형성하게 되는데, 상기 에칭 공정은 통상의 2층 연성구리박막 적층필름의 방식에 따르고, 상기 에칭 공정에 사용되는 에칭액은 에칭 억제제, 계면 활성제 등의 첨가제 성분에 의해 선택적으로 에칭이 진행되고, 에칭 억제제에 의하여 패턴 형태가 결정된다. 단, 상기 에칭 억제제는 통상적으로 부틸아민, 사이클로헥실아민 및 아미노테트라졸 등의 아민기를 함유하는 성분을 사용한다.
상기 타이 층 증착 시에 발생하는 금속 산화물과 금속 질화물은 니켈산화물, 크롬산화물, 크롬질화물의 순서로 에칭 속도가 높으며 크롬질화물이 증가할수록 폴리이미드 필름의 표면에 크롬질화물이 잔류하는 양이 증가하고 이러한 크롬질화물은 에칭 억제제의 아민기를 반데르발스힘에 의해 끌어오게 되며, 이동된 에칭 억제제는 전도층 하부에 위치한다. 상기 단계에 따라 전도층 하부에 에칭 억제가 원활이 되지 않음을 유도하여 역경사 패턴을 형성할 수 있다. 단, 상기 단계와는 반대로 크롬 질화물을 감소시킬 경우 정경사 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 바람직한 실시형태에 따르면, 본 발명에 따른 타이 층의 Ni-Cr 중 Ni의 조성비는 80 내지 95%로 하는 것이 바람직하며, 두께는 200Å 내지 450Å두께로 형성하는 것이 바람직하다. 또한 그 위에 전도층인 Cu 층은 두께를 500Å 내지 1500Å으로 형성하며, 상기 전도층이 증착된 폴리머 필름 위에 첨가제 및 보정제가 함유되어 있는 도금액을 이용하여 전해 도금을 형성하는데, 이때 전류밀도를 최소 0.1A/m²에서 최대 5.1A/m² 사이의 전류밀도를 사용하여 전해 도금을 두께 1㎛ 내지 10㎛로 수행하는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 의해 더욱 상세히 설명하지만, 본 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 제시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 자에 있어서 자명할 것이다.
실시예
폴리이미드 필름 표면의 크롬질화물의 비율을 증가시키기 위하여, 다음의 조건으로 진공상태에서의 플라즈마 처리를 실시하였다. 즉, 플라즈마 처리 전력은 약 1.5kw로 하고, 투입 가스는 N2 가스로 하여 사용하였다.
이와 같이 플라즈마 처리한 폴리이미드 필름 위에 물리기상증착법(PVD)인 스퍼터링(Sputtering) 방식을 이용하여 비전도성 폴리이미드 필름 표면에 전도층 역할을 하는 타이(Tie) 층(Ni-Cr)과 시드(Seed) 층(Cu)을 순차적으로 진공 증착하고, 상기 전도층이 증착된 폴리이미드 필름에 첨가제 및 보정제의 농도를 일정량으로 유지하여 전착시켜 에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름을 제조하였다.
비교예 1
플라즈마 처리의 투입 가스는 Ar로 하여 사용하는 외에는 실시예와 동일하게 하여 연성 구리 박막 적층 필름을 제조하였다.
비교예 2
플라즈마 처리의 투입 가스는 Ar과 O2를 혼합하여 사용하였으며 혼합비율은 50:50비율로 투입하였으며 이외에는 실시예와 동일하게 하여 연성 구리 박막 적층 필름을 제조하였다.
비교예 3
플라즈마 처리의 투입 가스는 O2로 하여 사용하는 외에는 실시예와 동일하게 하여 연성 구리 박막 적층 필름을 제조하였다.
실험예
상기 각 실시예 및 비교예에 따라 제조된 연성 구리 박막 적층 필름에 대하여 평가하여 그 결과를 다음 표 4에 나타냈다. 이때 패턴 형태 평가를 위한 방식으로는 SEM의 단면 이미지로 패턴 바닥(Bottom)면과 상부(Top)면의 선폭 비율로 역경사 및 정경사 패턴을 확인하였다.
항목 평가 결과
실시예 역경사
TOP:BOTTOM = 1.25:1
비교예 1 정경사
TOP:BOTTOM = 0.89:1
비교예 2 정경사
TOP:BOTTOM = 0.88:1
비교예 3 정경사
TOP:BOTTOM = 0.91:1

Claims (8)

  1. 고분자인 폴리이미드(Polyimide) 필름을 사용하여 연성 구리 박막 적층 필름을 제조하는 방법에 있어서, 상기 방법은;
    (1) 상기 폴리이미드 필름을 진공 상태에서 플라즈마 처리를 하여 표면 화학적 성분, 표면 클리닝(Cleaning), 거칠기 향상을 통하여 폴리이미드 필름과 금속의 접착력과 에칭 저해제와의 친화력을 조절하는 단계;
    (2) 상기 플라즈마 처리 후의 폴리이미드 필름 위에 물리기상증착법(PVD)인 스퍼터링(Sputtering) 방식을 이용하여 비전도성 폴리이미드 필름 표면에 전도층 역할을 하는 타이(Tie) 층(Ni-Cr)과 시드(Seed) 층(Cu)을 순차적으로 진공 증착하는 단계; 및
    (3) 상기 전도층이 증착된 폴리이미드 필름에 첨가제 및 보정제의 농도를 일정량으로 유지하여 전착시키는 단계를 포함하며,
    상기 (1) 단계의 플라즈마 처리는 RF 플라즈마를 사용하여 표면을 개질하며, 투입 가스로 Ar, O2 및 N2 가스를 사용하며, 이때 각 가스는 원하는 에칭성을 얻을 수 있도록 하기 위해 단독 및 특정 비율의 혼합으로 사용하여 제조된 것임을 특징으로 하는 에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 원하는 에칭성을 얻을 수 있도록 하기 위한 가스의 사용은 표면처리된 폴리이미드 필름 표면의 탄소, 산소 및 질소의 비율이 73±2:12±1:14±1의 비율로 하기 위해서는 N2 가스만을 사용함을 특징으로 하는 에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 타이층의 금속산화물과 금속질화물의 비율이 2:1로 하기 위해서는 N2 가스만을 사용함을 특징으로 하는 에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름의 제조방법.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리이미드 필름은 두께가 24 내지 39㎛이며, 타이 층의 조성비는 Ni의 함량이 80 내지 95%이며, 그 두께는 200Å 내지 450Å으로 하여 제조함을 특징으로 하는 에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름의 제조방법.
  5. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 RF 플라즈마를 인가하기 위한 전원(POWER)은 1.0kw 내지 2.0kw로 함을 특징으로 하는 에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 (2)단계에서 스퍼터링 법으로 증착되는 타이 층인 Cu층은 그 두께를 500Å 내지 1500Å으로 하는 것을 특징으로 하는 에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 (3)단계에서 전류밀도를 최소 0.1A/m²에서 최대 5.1A/m² 사이의 전류밀도를 사용하여 전해 도금을 두께 1㎛ 내지 10㎛로 수행함을 특징으로 하는 에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름의 제조방법.
  8. 청구항 1 내지 7 중의 어느 한 항에 따라 제조된 것임을 특징으로 하는 에칭성 조절이 가능한 연성구리박막 적층필름.


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