KR20130015667A - 투명 도전성 필름 및 그 제조방법 - Google Patents

투명 도전성 필름 및 그 제조방법 Download PDF

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KR20130015667A KR1020110077791A KR20110077791A KR20130015667A KR 20130015667 A KR20130015667 A KR 20130015667A KR 1020110077791 A KR1020110077791 A KR 1020110077791A KR 20110077791 A KR20110077791 A KR 20110077791A KR 20130015667 A KR20130015667 A KR 20130015667A
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Abstract

본 발명은 투명 도전성 필름 및 그 제조방법에 관한 것으로, 투명 기재막과, 상기 투명 기재막의 일면 상에 형성되는 질화실리콘(SiNx) 박막과, 상기 질화실리콘(SiNx) 박막 상에 형성되는 ITO 박막을 포함함으로써, 투과율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 고투과 및 저색도를 가질 수 있는 효과가 있다.

Description

투명 도전성 필름 및 그 제조방법{TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 투명 도전성 필름 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 결정성 ITO(Indium Tin Oxide) 박막의 하부에 산화실리콘(SiO2) 박막 및/또는 질화실리콘(SiNx) 박막을 형성함으로써, 투과율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 고투과 및 저색도를 가질 수 있도록 한 투명 도전성 필름 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 가시광선 영역에서 광을 통과시키고 전기 도전성을 가지는 박막은, 예를 들어, 액정 디스플레이 및 전계 발광 디스플레이와 같은 디스플레이 시스템, 예를 들어, 터치 패널과 같은 투명 전극에 이용되고, 투명 물건의 전자기파에 관한 대전 방지수단 및 컷오프에 이용된다. 그러한 투명 도전성 박막으로서, 그 위에 인듐산화물의 박막이 형성되는 판유리를 포함하는 소위 도전성 유리가 종래에 사용되었다.
그러나, 유리는 기재로서 이용되기 때문에, 도전성 유리는 유연성 및 처리율 면에서 열등하고 용도에 따라 몇몇 경우에는 이용될 수 없다. 따라서, 최근 몇 년간, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 기재로서 포함하는 다양한 종류의 플라스틱 막을 이용하는 도전성 박막이 예를 들어, 유연성, 처리율, 내충격성, 광 중량과 같은 다양한 이점들에 관하여 이용되었다(특허문헌 1 및 2 참조).
그러나, 이러한 종류의 도전성 박막은 박막 표면의 광의 반사율이 매우 크므로, 투명도, 내찰상성 및 내굴곡성에 있어서 열등하고, 이용하는 동안에 스크래치에 영향을 받기 쉬우며, 그것에 의해 전기적 저항 또는 단선을 증가시키고, 또한, 높은 온도 및 높은 습도에서의 내환경성에 있어서 열등하다.
JP 10-330916 A JP 2000-81952 A
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 결정성 ITO(Indium Tin Oxide) 박막의 하부에 산화실리콘(SiO2) 박막 및/또는 질화실리콘(SiNx) 박막을 형성함으로써, 투과율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 고투과 및 저색도를 가질 수 있도록 한 투명 도전성 필름 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1 측면은, 투명 기재막; 상기 투명 기재막의 일면 상에 형성되는 질화실리콘(SiNx) 박막; 및 상기 질화실리콘(SiNx) 박막 상에 형성되는 ITO 박막을 포함하는 투명 도전성 필름을 제공하는 것이다.
여기서, 상기 질화실리콘(SiNx) 박막과 상기 ITO 박막 사이에 산화실리콘(SiO2) 박막이 더 구비됨이 바람직하다.
바람직하게, 상기 산화실리콘(SiO2) 박막은 실리콘(Si) 타겟에 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스를 주입하여 형성되며, 그 두께는 30nm 내지 80nm 범위로 이루어질 수 있다.
바람직하게, 상기 질화실리콘(SiNx) 박막은 실리콘(Si) 타겟에 아르곤(Ar) 가스와 질소(N2) 가스를 주입하여 형성되며, 그 두께는 20nm 내지 80nm 범위로 이루어질 수 있다.
바람직하게, 상기 ITO 박막은 ITO(Indium Tin Oxide) 타겟에 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스를 주입하여 형성되며, 그 두께는 15nm 내지 35nm 범위로 이루어질 수 있다.
바람직하게, 상기 ITO 박막은 140℃ 내지 150℃ 온도범위에서 60분 내지 90분 동안 열처리 공정 후 결정화되는 결정성 ITO 박막으로 이루어질 수 있다.
바람직하게, 상기 투명 기재막은 하드 코팅 처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 제2 측면은, 투명 기재막을 마련하는 단계; 상기 투명 기재막의 표면 상에 질화실리콘(SiNx) 박막을 형성하는 단계; 및 상기 질화실리콘(SiNx) 박막 상에 ITO 박막을 형성하는 단계를 포함하는 투명 도전성 필름의 제조방법을 제공하는 것이다.
여기서, 상기 질화실리콘(SiNx) 박막과 상기 ITO 박막 사이에 산화실리콘(SiO2) 박막을 형성하는 단계를 더 포함함이 바람직하다.
바람직하게, 상기 산화실리콘(SiO2) 박막은 실리콘(Si) 타겟에 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스를 주입하여 상기 질화실리콘(SiNx) 박막 상에 30nm 내지 80nm 두께범위로 형성할 수 있다.
바람직하게, 상기 산화실리콘(SiO2) 박막의 형성 시 상기 실리콘(Si) 타겟의 전력밀도는 1.1 내지 8.3 W/cm2로 이루어질 수 있다.
바람직하게, 상기 질화실리콘(SiNx) 박막은 실리콘(Si) 타겟에 아르곤(Ar) 가스와 질소(N2) 가스를 주입하여 스퍼터링 방법에 의해 상기 투명 기재막의 표면 상에 20nm 내지 80nm 두께범위로 형성할 수 있다.
바람직하게, 상기 질화실리콘(SiNx) 박막의 형성 시 상기 실리콘(Si) 타겟의 전력밀도는 0.83 내지 5.51 W/cm2로 이루어질 수 있다.
바람직하게, 상기 ITO 박막은 ITO(Indium Tin Oxide) 타겟에 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스를 주입하여 상기 질화실리콘(SiNx) 박막 상에 15nm 내지 35nm 두께범위로 형성할 수 있다.
바람직하게, 상기 ITO 박막의 형성 시 상기 ITO 타겟의 전력밀도는 0.47 내지 3.73 W/cm2로 이루어질 수 있다.
바람직하게, 상기 ITO 박막은 140℃ 내지 150℃ 온도범위에서 60분 내지 90분 동안 열처리 공정 후 결정화할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 투명 도전성 필름 및 그 제조방법에 따르면, 결정성 ITO(Indium Tin Oxide) 박막의 하부에 산화실리콘(SiO2) 박막 및/또는 질화실리콘(SiNx) 박막을 형성함으로써, 투과율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 고투과 및 저색도를 가질 수 있는 투명 도전성 필름을 구현할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 투명 도전성 필름의 제조 시 실리콘(Si) 타겟에 가스만 산소(O2), 질소(N2)로 바꿔줌으로써, 제조 비용의 절감 및 생산성을 효과적으로 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 필름을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 투명 도전성 필름을 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 투명 도전성 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 구성도이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 투명 도전성 필름의 제조 공정 조건에 대한 특성 데이터를 표로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 필름의 표면 상태를 SEM 이미지로 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 필름의 단면 상태를 SEM 이미지로 나타낸 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 필름에 적용된 ITO 박막 표면에 대한 X선 회절 패턴(XRD) 분석 데이터를 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 필름을 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 필름은, 크게 투명기재막(100), 질화실리콘(SiNx) 박막(200) 및 ITO(Indium Tin Oxide) 박막(300) 등을 포함하여 이루어진다.
여기서, 투명기재막(100)은 하드 코팅 처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethlene terephthalate, PET) 필름으로 이루어짐이 바람직하지만, 이에 국한하지 않으며, 예컨대, 폴리에스테르계 수지, 아세테이트계 수지, 폴리에테르술폰계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리올레핀계 수지, 아크릴계 수지, 폴리염화비닐계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리비닐알코올계 수지, 폴리아릴레이트계 수지, 폴리페닐렌술파이드계 수지, 폴리염화비닐리덴계 수지, (메타)아크릴계 수지 등을 재료로 하여 이루어질 수 있다.
이러한 투명기재막(110)의 제조는, 예컨대, 광중합(photopolymerization)의 개시제로서 하이드록시-사이클로헥실 페닐 케톤(Irgacure 184, Ciba Specialty Chemicals Inc. 제조) 5중량부를 아크릴-우레탄 수지(Dainippon Ink and Chemicals Inc. 제조 Unidic 17-806)의 100중량부에 더하고, 50wt％의 농도까지 톨루엔을 희석하는 것에 의해 얻어진 용매는 약 125㎛의 두께를 가지는 PET 막의 한 측면 상에서 코팅되고, 약 3분 동안 100℃에서 건조되며, 즉시 2개의 오존 타입 고압수은램프(80W/㎝, 15㎝ 커버링 타입)를 이용하여 UV 조사되어 5㎛의 두께를 가지는 하드 코팅 처리된 층을 형성하고, 그것에 의해 하드 코팅 처리된 PET 필름이 얻어질 수 있다.
질화실리콘(SiNx, x=2 내지 4)(예컨대, Si3N4) 박막(200)은 투명 기재막(100)의 일면(또는 표면) 상에 약 20nm 내지 80nm 두께범위(바람직하게는, 약 55nm 정도)로 형성된다.
이러한 질화실리콘(SiNx) 박막(200)은 실리콘(Si) 타겟(target)(16, 도 3 참조)에 아르곤(Ar) 가스와 질소(N2) 가스를 주입하여 통상의 스퍼터링 방법(예컨대, magnetron sputtering)에 의해 형성되는 데, 이 때 공정 분압은 약 7.3×10-3 torr 정도이고, 아르곤(Ar) 가스 : 질소(N2) 가스의 분압비(또는 유량비)는 400 sccm : 1800 sccm 이며, MF power는 약 5 kW 정도이며, 원단(base film)(11, 도 3 참조)의 전송 속도는 약 2 m/min 정도이다.
또한, 질화실리콘(SiNx) 박막(200)의 형성 시 실리콘(Si) 타겟(16)의 전력밀도(power density)는 약 0.83 내지 5.51 W/cm2 정도로 이루어짐이 바람직하다.
그리고, ITO 박막(300)은 질화실리콘(SiNx) 박막(200) 상에 약 15nm 내지 35nm 두께범위(바람직하게는, 약 25nm 정도)로 형성된다.
이러한 ITO 박막(300)은 ITO(Indium Tin Oxide) 타겟(target)(17, 도 3 참조)(In:Sn=95wt％:5wt％ 또는 97wt％:3wt％)에 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스를 주입하여 통상의 스퍼터링 방법(예컨대, magnetron sputtering)에 의해 형성되는 데, 이 때, 공정 분압은 약 2×10-3 torr 정도이고, 아르곤(Ar) 가스 : 산소(O2) 가스의 분압비(또는 유량비)는 1000 sccm : 6 sccm 이며, DC pulse power는 약 4.4 kW 정도이며, 원단(base film)(11)의 전송 속도는 약 2.4 m/min 정도이다.
또한, ITO 박막(300)의 형성 시 ITO 타겟(17)의 전력밀도는 약 0.47 내지 3.73 W/cm2 정도로 이루어짐이 바람직하다.
또한, ITO 박막(300)은 약 140℃ 내지 150℃ 온도범위에서 약 60분 내지 90분 동안 열처리 공정 후 결정화되는 후결정성 ITO 박막으로 이루어짐이 바람직하며, 열처리 전 ITO 박막의 면저항은 약 300Ω/sq 내지 500Ω/sq 범위를 가지며, 열처리 후 약 50Ω/sq 내지 300Ω/sq(바람직하게는, 약 200Ω/sq 내지 300Ω/sq 정도) 범위를 가진다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 투명 도전성 필름을 설명하기 위한 단면도로서, 전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 필름의 질화실리콘(SiNx) 박막(200)과 ITO 박막(300) 사이에 산화실리콘(SiO2) 박막이 더 구비됨으로써, 결정성 투명 도전성 필름의 투과율이 향상됨과 아울러 고투과, 저색도를 얻을 수 있는 구조를 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 투명 도전성 필름은, 크게 투명기재막(100), 질화실리콘(SiNx) 박막(200), 산화실리콘(SiO2) 박막(250) 및 ITO 박막(300) 등을 포함하여 이루어진다.
여기서, 투명기재막(100), 질화실리콘(SiNx) 박막(200) 및 ITO 박막(300)은 전술한 본 발명의 일 실시예와 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 본 발명의 일 실시예를 참조하기로 한다.
특히, 산화실리콘(SiO2) 박막(250)은 질화실리콘(SiNx) 박막(200) 상에 약 30nm 내지 80nm 두께범위(바람직하게는, 약 70nm 정도)로 형성된다.
이러한 산화실리콘(SiO2) 박막(250)은 실리콘(Si) 타겟(16, 도 3 참조)에 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스를 주입하여 통상의 스퍼터링 방법(예컨대, magnetron sputtering)에 의해 형성되는 데, 이 때 공정 분압은 약 3.5×10-3 torr 정도이고, 아르곤(Ar) 가스 : 질소(O2) 가스의 분압비(또는 유량비)는 150 sccm : 300 sccm 이며, MF power는 약 7 kW 정도이며, 원단(base film)(11)의 전송 속도는 약 2 m/min 정도이다.
또한, 산화실리콘(SiO2) 박막(250)의 형성 시 실리콘(Si) 타겟(16)의 전력밀도는 약 1.1 내지 8.3 W/cm2 정도로 이루어짐이 바람직하다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 투명 도전성 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 개략적인 공정 구성도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 투명 도전성 필름의 제조하기 위한 시스템은 통상의 스퍼터링 시스템(예컨대, Roll to Roll sputtering system)으로서, 크게 진공 챔버(Vacuum chamber)(10) 내에 원단(base film)(11)(예컨대, 투명기재막(100))이 감겨있어 연속적으로 공급하기 위한 제1 롤(roll)(12)(예컨대, 언와인더 롤(Unwinder rool))과, 제1 롤(12)로부터 공급된 원단에 질화실리콘(SiNx) 박막(200) 및/또는 산화실리콘(SiO2) 박막(250), ITO 박막(300)을 증착한 후 다른 방향으로 이송하기 위한 제2 롤(roll)(예컨대, 메인 롤(Main roll))(13)과, 제2 롤(13)로부터 이송된 투명 도전성 필름(14)을 감기 위한 제3 롤(roll)(15)(예컨대, 리와인더 롤(Rewinder roll))과, 제2 롤(13)의 근처에 배치되는 실리콘(Si) 타겟(target)(16) 및 ITO 타겟(17) 등을 포함하여 이루어지며, 기타 도면에 도시되지 않았지만, 스퍼터링을 수행하기 위한 구성요소들 예컨대, 냉각수단, 가열수단, 진공펌프, 반응기 등을 포함할 수 있다.
이와 같이 구성된 스퍼터링 시스템을 이용하여 본 발명의 실시예에 따른 투명 도전성 필름은 제조하기 위해서는, 먼저 제1 롤(12)에 원단(11)을 장착한 후, 진공 챔버(10)에 부착된 다양한 펌프(예컨대, turbo pump, cryo pump 등)로 진공상태를 만든다(약 7×10-7 torr 정도).
이후에, 원하는 진공도가 되면, 유량조절계(Mass Flow Controller, MFC)를 이용하여 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스를 진공 챔버(10) 내로 유입시킨다. 원하는 공정 분압이 될 때까지 가스를 주입시킨 후, 전력(power)(예컨대, DC pulse, MF power 등)을 이용하여 전압을 상승시키면서 원하는 전력이 되도록 한다.
그런 다음, 필름의 전송 속도는 일정하게 유지하여(약 2 m/min 정도) 제1 롤(12)에서 제2 롤(13)을 거쳐 제3 롤(15)로 이송시킨다. 공정에 따라 그 방향은 바뀔 수 있다. 원하는 공정이 끝나게 되면, 배기(vent)시킨 후, 필름을 꺼낸다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 투명 도전성 필름의 제조 공정 조건 및 특성 데이터를 표로 나타낸 도면이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 필름의 표면 상태를 SEM 이미지로 나타낸 도면이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 필름의 단면 상태를 SEM 이미지로 나타낸 도면이며, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 도전성 필름에 적용된 ITO 박막 표면에 대한 X선 회절 패턴(XRD) 분석 데이터를 나타낸 그래프이다.
도 1 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 투명 도전성 필름의 제조 공정 조건들은 다음과 같다. 먼저, 실리콘(Si) 타겟(16)의 크기(size)는 약 110mm×1,650mm 정도이고, ITO 타겟(17)의 크기는 약 130mm×1,650mm 정도이며, ITO 박막(300)은 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스를 주입하고, 산화실리콘(SiO2) 박막(250) 및 질화실리콘(SiNx) 박막(200)은 각각 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스 및 아르곤(Ar) 가스와 질소(N2) 가스를 주입하여 스퍼터링(sputtering) 공정을 수행한다.
그리고, 각 박막의 형성 시 전력 밀도(W/cm2) 범위를 살펴보면, ITO 박막(300)은 약 0.47 내지 3.73 W/cm2 정도이고, 산화실리콘(SiO2) 박막(250)은 약 1.1 내지 8.3 W/cm2 정도이며, 질화실리콘(SiNx) 박막(200)은 약 0.83 내지 5.51 W/cm2 정도 범위에서 결정질 성질을 가진다.
또한, 질화실리콘(SiNx) 박막/ITO 박막이 결정성을 가지는 대표적인 구조이며, 질화실리콘(SiNx) 박막/산화실리콘(SiO2) 박막/ITO 박막의 구조는 투과율은 다소 높일 수 있으나, 색상(b*)값은 다소 떨어지는 특성을 가진다.
한편, ITO 박막(300)의 열처리 조건은 약 150℃에서 약 60분 정도 열처리를 수행하면 가장 안정적인 결정성 ITO 박막을 얻을 수 있으며, 약 140℃에서 약 90분 정도 열처리를 수행해도 무방하다.
그리고, 각 박막의 두께를 살펴보면, ITO 박막(300)은 약 15nm 내지 35nm 정도(최적은 약 25nm 정도)이고, 산화실리콘(SiO2) 박막(250)은 약 30nm 내지 80nm 정도(최적은 약 70nm 정도)이며, 질화실리콘(SiNx) 박막(200)은 약 20nm 내지 80nm 정도(최적은 약 55nm 정도)이다. 이때, 각 박막의 두께 측정은 Hitachi 4800S를 사용하여 측면도(cross sectional view)를 통해 측정한 값이다.
한편, 투과율 측정은 Murakami사의 헤이즈미터(haze meter)를 사용하여 측정하였으며, 색상(b*)값은 spectrophotometer(CM-3600d)를 사용하여 측정하였으며, 굴절률 측정은 측정파장 범위가 약 390nm 내지 1033nm이며, 타원법 측정에 의해 측정된 값이다.
그리고, ITO 박막(300)의 결정성 확인은 XRD(X-Ray Diffraction) 장비로 확인하였으며, ITO 박막(300)의 결정 입자의 크기는 약 50nm 내지 100nm 정도이며, SEM 장비(Hitachi 4800S)로 표면 분석을 해서 측정한 데이터이다.
또한, ITO 박막(300)은 열처리 후 결정화되는 후결정성 ITO 박막으로, 열처리 전 ITO 박막의 면저항은 약 300Ω/sq 내지 500Ω/sq 범위를 가지며, 열처리 후 약 50Ω/sq 내지 300Ω/sq(바람직하게는, 약 200Ω/sq 내지 300Ω/sq 정도) 범위를 가진다.
전술한 본 발명에 따른 투명 도전성 필름 및 그 제조방법에 대한 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명에 속한다.
100 : 투명기재막,
200 : 질화실리콘(SiNx) 박막,
250 : 산화실리콘(SiO2) 박막,
300 : ITO 박막

Claims (16)

  1. 투명 기재막;
    상기 투명 기재막의 일면 상에 형성되는 질화실리콘(SiNx) 박막; 및
    상기 질화실리콘(SiNx) 박막 상에 형성되는 ITO 박막을 포함하는 투명 도전성 필름.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 질화실리콘(SiNx) 박막과 상기 ITO 박막 사이에 산화실리콘(SiO2) 박막이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 산화실리콘(SiO2) 박막은 실리콘(Si) 타겟에 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스를 주입하여 형성되며, 그 두께는 30nm 내지 80nm 범위로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 질화실리콘(SiNx) 박막은 실리콘(Si) 타겟에 아르곤(Ar) 가스와 질소(N2) 가스를 주입하여 형성되며, 그 두께는 20nm 내지 80nm 범위로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 ITO 박막은 ITO(Indium Tin Oxide) 타겟에 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스를 주입하여 형성되며, 그 두께는 15nm 내지 35nm 범위로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 ITO 박막은 140℃ 내지 150℃ 온도범위에서 60분 내지 90분 동안 열처리 공정 후 결정화되는 결정성 ITO 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 투명 기재막은 하드 코팅 처리된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  8. 투명 기재막을 마련하는 단계;
    상기 투명 기재막의 표면 상에 질화실리콘(SiNx) 박막을 형성하는 단계; 및
    상기 질화실리콘(SiNx) 박막 상에 ITO 박막을 형성하는 단계를 포함하는 투명 도전성 필름의 제조방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 질화실리콘(SiNx) 박막과 상기 ITO 박막 사이에 산화실리콘(SiO2) 박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름의 제조방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 산화실리콘(SiO2) 박막은 실리콘(Si) 타겟에 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스를 주입하여 상기 질화실리콘(SiNx) 박막 상에 30nm 내지 80nm 두께범위로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름의 제조방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 산화실리콘(SiO2) 박막의 형성 시 상기 실리콘(Si) 타겟의 전력밀도는 1.1 내지 8.3 W/cm2 인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름의 제조방법.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 질화실리콘(SiNx) 박막은 실리콘(Si) 타겟에 아르곤(Ar) 가스와 질소(N2) 가스를 주입하여 스퍼터링 방법에 의해 상기 투명 기재막의 표면 상에 20nm 내지 80nm 두께범위로 형성하는 특징으로 하는 투명 도전성 필름의 제조방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 질화실리콘(SiNx) 박막의 형성 시 상기 실리콘(Si) 타겟의 전력밀도는 0.83 내지 5.51 W/cm2 인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름의 제조방법.
  14. 제8 항에 있어서,
    상기 ITO 박막은 ITO(Indium Tin Oxide) 타겟에 아르곤(Ar) 가스와 산소(O2) 가스를 주입하여 상기 질화실리콘(SiNx) 박막 상에 15nm 내지 35nm 두께범위로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름의 제조방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 ITO 박막의 형성 시 상기 ITO 타겟의 전력밀도는 0.47 내지 3.73 W/cm2 인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름의 제조방법.
  16. 제8 항에 있어서,
    상기 ITO 박막은 140℃ 내지 150℃ 온도범위에서 60분 내지 90분 동안 열처리 공정 후 결정화하는 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름의 제조방법.
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