KR20130014965A - Solar cell module and method of fabircating the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A solar cell module and a manufacturing method thereof are provided to improve productivity by simultaneously forming a first diode and a second diode in a solar cell manufacturing process. CONSTITUTION: A solar cell unit(20) is formed on a support substrate(100) and includes solar cells. The solar cell unit is connected in parallel to a first diode(30). The solar cell unit is serially connected to a second diode(40). A first bus bar(810) is electrically connected to the second diode. A second bus bar(820) is electrically connected to the solar cell unit and the first diode.

Description

태양전지 모듈 및 이의 제조방법{SOLAR CELL MODULE AND METHOD OF FABIRCATING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a solar cell module,

실시예는 태양전지 모듈 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The embodiment relates to a solar cell module and a method of manufacturing the same.

최근 에너지 수요가 증가함에 따라서, 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 태양전지에 대한 개발이 진행되고 있다.Recently, as energy demand increases, development of a solar cell converting solar energy into electrical energy is in progress.

특히, 유리 기판, 금속 후면 전극층, p형 CIGS 계 광 흡수층, 고저항 버퍼층, n형 창층 등을 포함하는 기판 구조의 pn 헤테로 접합 장치인 CIGS계 태양전지가 널리 사용되고 있다.In particular, CIGS-based solar cells that are pn heterojunction devices having a substrate structure including a glass substrate, a metal back electrode layer, a p-type CIGS-based light absorbing layer, a high resistance buffer layer, an n-type window layer, and the like are widely used.

이러한 태양전지는 하나의 패널(panel)에 복수개의 셀이 형성되어, 상기 셀들을 직렬로 연결하여 사용하고 있다. 상기 복수개의 셀 중 어느 하나의 셀에 불량이 발생하면, 이 패널은 사용하지 못하고 폐기하게 된다. 또한, 태양전지 패널에 외부의 물체에 의해 그림자가 지거나, 태양전지 패널 상에 불순물과 같은 이물질이 부착되면, 그림자가 지거나 이물질이 부착된 셀은 부하가 커져 과열되는 문제가 발생한다.In such a solar cell, a plurality of cells are formed in one panel, and the cells are connected in series. If a failure occurs in any one of the cells, the panel is not used and is discarded. In addition, when a shadow is caused by an external object on the solar cell panel, or when foreign matter such as impurities is attached to the solar cell panel, the shadowed or foreign matter is attached to the cell, which causes a problem that the load becomes large and overheats.

또한, 태양전지는 광을 받을 때에만 발전을 하게 되며, 건전지와 같이 전기를 축전하는 기능이 없다. 이에 따라, 야간이나 비올 때 등 광을 받을 수 없는 경우에도 태양전지를 사용하기 위해서는 충전 유닛에 전기를 저장하고 이를 사용하여야 한다. 즉, 안정된 태양광 발전시스템을 구축하기 위해서는 충전 유닛이 필요하다. 다만, 태양전지의 출력이 작은 경우, 상기 충전 유닛으로부터 상기 태양전지로 전류가 역류하는 문제가 발생한다.In addition, the solar cell generates power only when it receives light, and does not have a function of storing electricity like a battery. Accordingly, even when it is not possible to receive light, such as at night or during rain, in order to use a solar cell, electricity must be stored and used in a charging unit. That is, a charging unit is required to build a stable photovoltaic power generation system. However, when the output of the solar cell is small, a problem arises in that current flows back from the charging unit to the solar cell.

실시예는 불량셀이 발생하거나, 태양전지 패널에 그림자가 생겨도 열화현상 없이 사용가능 한 태양전지 모듈을 제공한다. The embodiment provides a solar cell module that can be used without deterioration even if a defective cell occurs or a shadow occurs on the solar cell panel.

또한, 실시예는 태양전지 모듈과 연결된 충전 유닛이 방전되는 경우, 전류가 충전 유닛으로부터 태양전지로 역류되는 현상을 방지할 수 있는 태양전지 모듈을 제공한다.In addition, the embodiment provides a solar cell module that can prevent the phenomenon that the current flows back from the charging unit to the solar cell when the charging unit connected to the solar cell module is discharged.

실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판 상에 배치되는 태양전지 유닛; 상기 지지기판 상에 배치되며, 상기 태양전지 유닛과 연결되는 제 1 다이오드; 및 상기 지지기판 상에 배치되며, 상기 태양전지 유닛과 연결되는 제 2 다이오드를 포함한다.The solar cell module according to the embodiment includes a solar cell unit disposed on a support substrate; A first diode disposed on the support substrate and connected to the solar cell unit; And a second diode disposed on the support substrate and connected to the solar cell unit.

실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법은 지지기판 상에 태양전지 유닛을 형성하는 단계; 상기 태양전지 유닛과 병렬 연결되는 제 1 다이오드를 형성하는 단계; 및 상기 태양전지 유닛과 직렬 연결되는 제 2 다이오드를 형성하는 단계를 포함한다.
Method for manufacturing a solar cell module according to the embodiment comprises the steps of forming a solar cell unit on a support substrate; Forming a first diode connected in parallel with the solar cell unit; And forming a second diode connected in series with the solar cell unit.

실시예에 따른 태양전지 모듈은 지지기판 상에 태양전지 유닛을 형성하고, 상기 태양전지 유닛과 연결되는 제 1 다이오드 및 제 2 다이오드를 배치시킨다.The solar cell module according to the embodiment forms a solar cell unit on a support substrate, and arranges a first diode and a second diode connected to the solar cell unit.

상기 제 1 다이오드는 셀 유닛 중 어느 하나에 그림자가 지거나, 이물질이 셀 유닛 상에 형성되었을 경우, 전하가 상기 제 1 다이오드로 우회할 수 있도록 형성된다. 이에 따라, 불량셀이 발생하거나, 태양전지 모듈에 그림자가 생겨도 열화현상 없이 태양전지를 사용할 수 있다.The first diode is formed so that when one of the cell units has a shadow or foreign matter is formed on the cell unit, charge can be diverted to the first diode. Accordingly, even if a defective cell occurs or a shadow occurs in the solar cell module, the solar cell can be used without deterioration.

또한, 상기 제 2 다이오드는 태양전지와 연결되는 충전 유닛이 방전되는 경우, 태양전지 패널로 전류가 역류하는 것을 방지할 수 있다.In addition, the second diode may prevent the current from flowing back to the solar cell panel when the charging unit connected to the solar cell is discharged.

또한, 실시예에 따른 태양전지 모듈은 상기 제 1 다이오드 및 상기 제 2 다이오드가 상기 지지기판 상에 직접 형성된다. 즉, 상기 지지기판 상면의 모서리 영역(edge)에 상기 제 1 다이오드 및 상기 제 2 다이오드를 직접 형성함으로써, 태양전지 모듈의 고집적화가 가능하다. In addition, in the solar cell module according to the embodiment, the first diode and the second diode are directly formed on the support substrate. That is, by directly forming the first diode and the second diode in the edge of the upper surface of the support substrate, it is possible to high integration of the solar cell module.

또한, 상기 제 1 다이오드 및 상기 제 2 다이오드는 태양전지 셀들을 형성하는 과정에서 동시에 형성될 수 있으므로 공정이 단순화되고, 생산성이 향상될 수 있다.In addition, since the first diode and the second diode may be simultaneously formed in the process of forming the solar cells, the process may be simplified and productivity may be improved.

도 1 및 도 2는 실시예에 따른 태양전지 모듈의 회로 구성을 개략적으로 나타내는 회로도들이다.
도 3은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3 에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 5는 도 3 에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 6 내지 도 16은 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 도시한 단면도들이다.1 and 2 are circuit diagrams schematically illustrating a circuit configuration of a solar cell module according to an embodiment.
3 is a plan view illustrating a solar cell according to an embodiment.
4 is a cross-sectional view illustrating a cross section taken along AA ′ in FIG. 3.
FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 3.
6 to 16 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a solar cell according to an embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 층, 막 또는 전극 등이 각 기판, 층, 막, 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
In the description of the embodiments, where each substrate, layer, film, or electrode is described as being formed "on" or "under" of each substrate, layer, film, or electrode, etc. , "On" and "under" include both "directly" or "indirectly" formed through other components. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1 및 도 2는 실시예에 따른 태양전지 모듈의 회로 구성을 개략적으로 나타내는 회로도이다. 도 3은 실시예에 따른 태양전지를 도시한 평면도이다. 도 4는 도 3 에서 A-A`를 따라서 절단한 단면, 도 5는 도 3 에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.1 and 2 are circuit diagrams schematically showing a circuit configuration of a solar cell module according to an embodiment. 3 is a plan view illustrating a solar cell according to an embodiment. 4 is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line B-B' in FIG.

도 1을 참조하면, 실시예에 따른 태양전지 모듈(10)은 지지기판(100) 상에 배치되는 태양전지 유닛(20); 상기 지지기판(100) 상에 배치되며, 상기 태양전지 유닛(20)과 연결되는 제 1 다이오드(30); 및 상기 지지기판(100) 상에 배치되며, 상기 태양전지 유닛(20)과 연결되는 제 2 다이오드(40)를 포함한다. Referring to FIG. 1, the solar cell module 10 according to the embodiment includes a solar cell unit 20 disposed on a support substrate 100; A first diode 30 disposed on the support substrate 100 and connected to the solar cell unit 20; And a second diode 40 disposed on the support substrate 100 and connected to the solar cell unit 20.

상기 태양전지 모듈(10)에 있어서, 상기 태양전지 유닛(20)은 상기 지지기판(100)에 직접 접촉하여 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 다이오드(30)는 상기 지지기판(100)에 직접 접촉하여 배치되며, 상기 태양전지 유닛(20)과 나란한 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 2 다이오드(40) 역시 상기 지지기판(100)에 직접 접촉하며 배치될 수 있으며, 상기 태양전지 유닛(20)의 옆에 배치될 수 있다.In the solar cell module 10, the solar cell unit 20 may be disposed in direct contact with the support substrate 100. In addition, the first diode 30 may be disposed in direct contact with the support substrate 100, and may be disposed in parallel with the solar cell unit 20. In addition, the second diode 40 may also be disposed in direct contact with the support substrate 100, and may be disposed next to the solar cell unit 20.

상기 태양전지 모듈(10)에 있어서, 상기 태양전지 유닛(20)과 상기 제 1 다이오드(30) 및 상기 제 2 다이오드(40)는 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 상기 태양전지 유닛(20)과 상기 제 1 다이오드(30)는 병렬 연결될 수 있다. 또한, 상기 태양전지 유닛(20)과 상기 제 2 다이오드(40)는 직렬 연결될 수 있다. In the solar cell module 10, the solar cell unit 20, the first diode 30, and the second diode 40 are electrically connected. For example, the solar cell unit 20 and the first diode 30 may be connected in parallel. In addition, the solar cell unit 20 and the second diode 40 may be connected in series.

실시예에 따른 태양전지 모듈(10)은 추가로 상기 제 1 버스바(810) 및 상기 제 2 버스바(820)를 포함할 수 있다. 상기 제 1 버스바(810) 및 상기 제 2 버스바(820)는 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 예를 들어, 상기 제 1 버스바(810) 및 상기 제 2 버스바(820)는 상기 지지기판(100) 상에 직접 접촉하여 배치될 수 있다. The solar cell module 10 according to the embodiment may further include the first bus bar 810 and the second bus bar 820. The first bus bar 810 and the second bus bar 820 are disposed on the support substrate 100. For example, the first bus bar 810 and the second bus bar 820 may be disposed in direct contact with the support substrate 100.

상기 제 1 버스바(810)는 상기 제 2 다이오드(40)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 2 버스바(820)는 상기 태양전지 유닛(10) 및 상기 제 1 다이오드(30)와 전기적으로 연결될 수 있다.
The first bus bar 810 may be electrically connected to the second diode 40. In addition, the second bus bar 820 may be electrically connected to the solar cell unit 10 and the first diode 30.

상기 태양전지 유닛(20)은 상기 지지기판(100) 상에 형성되는 복수개의 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)을 포함한다. 상기 복수개의 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)은 상기 지지기판(100)상에 직접 접촉하여 배치될 수 있다. The solar cell unit 20 includes a plurality of solar cells C1, C2, C3 .. formed on the support substrate 100. The plurality of solar cells C1, C2, C3 .. may be disposed in direct contact with the support substrate 100.

상기 복수개의 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)은 서로 전기적으로 연결되어 있다. 상기 복수개의 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)은 각각 직렬로 연결될 수 있다. 즉, 상기 태양전지 유닛(20)은 서로 직렬로 연결되어 있는 복수개의 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)을 포함한다. 예를 들어, 상기 제1셀(C1)에 형성된 상기 전면전극층(600)은 상기 제2셀(C2)에 형성된 광 흡수층(300)과 접속배선(700)에 의해 전기적으로 연결된다. 즉, 상기 제1셀(C1) 및 상기 제2셀(C2)은 서로 직렬로 연결된다. 상기와 같은 구성에 의하여 상기 제1셀(C1) 내지 상기 제4셀(C4)은 직렬로 연결될 수 있다.The plurality of solar cells C1, C2, C3 .. are electrically connected to each other. The plurality of solar cells C1, C2, C3 .. may be connected in series. That is, the solar cell unit 20 includes a plurality of solar cells C1, C2, C3 .. connected in series with each other. For example, the front electrode layer 600 formed on the first cell C1 is electrically connected to the light absorbing layer 300 formed on the second cell C2 by the connection wiring 700. That is, the first cell C1 and the second cell C2 are connected to each other in series. The first cell C1 through the fourth cell C4 may be connected in series according to the above configuration.

상기 태양전지 유닛(20)은 상기 지지기판(100) 상에 배치되는 후면전극층(200), 상기 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(300), 상기 광 흡수층 상에 버퍼층(400), 상기 버퍼층 상에 고저항 버퍼층(500), 상기 고저항 버퍼층 상에 전면전극층(600)을 포함한다. 예를 들어, 상기 태양전지 유닛(20)은 상기 지지기판(100) 상에, 상기 후면전극층(200), 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 상기 고저항 버퍼층(500), 상기 전면전극층(600)이 순처적으로 서로 직접 접촉하며 배치된 것을 포함할 수 있다. The solar cell unit 20 includes a back electrode layer 200 disposed on the support substrate 100, a light absorbing layer 300 on the back electrode layer 200, a buffer layer 400 on the light absorbing layer, and the buffer layer. A high resistance buffer layer 500 is formed thereon, and a front electrode layer 600 is included on the high resistance buffer layer. For example, the solar cell unit 20 is formed on the support substrate 100, the back electrode layer 200, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, the high resistance buffer layer 500, and the The front electrode layer 600 may be disposed in direct contact with each other in order.

상기 지지기판(100)은 유리기판, 플라스틱기판 또는 금속기판일 수 있다. 더 자세하게, 상기 지지기판(100)은 소다 라임 글래스(soda lime glass) 기판일 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 리지드하거나 플렉서블할 수 있다.The support substrate 100 may be a glass substrate, a plastic substrate, or a metal substrate. In more detail, the support substrate 100 may be a soda lime glass substrate. The supporting substrate 100 may be transparent. The support substrate 100 may be rigid or flexible.

상기 후면전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 즉, 상기 후면전극층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 직접 접촉하여 배치될 수 있다.The rear electrode layer 200 is disposed on the supporting substrate 100. That is, the back electrode layer 200 may be disposed in direct contact with the support substrate 100.

상기 후면전극층(200)은 도전층이다. 예를 들어, 상기 후면전극층(200)은 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 후면전극층(200)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.The back electrode layer 200 is a conductive layer. For example, the back electrode layer 200 may include molybdenum (Mo). In addition, the back electrode layer 200 may include two or more layers. In this case, each of the layers may be formed of the same metal, or may be formed of different metals.

상기 광 흡수층(300)은 상기 후면전극층(200) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(300)은 외부의 광을 입사받아, 전기 에너지로 변환시킨다. 상기 광 흡수층(300)은 광전효과에 의해서 광 기전력을 생성한다. 상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ계 화합물을 포함한다. 더 자세하게, 상기 광 흡수층(300)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In, Ga)Se2, CIGS계) 화합물을 포함한다.The light absorbing layer 300 is disposed on the back electrode layer 200. The light absorbing layer 300 receives external light and converts the light into electrical energy. The light absorbing layer 300 generates photo electromotive force by the photoelectric effect. The light absorbing layer 300 includes an I-III-VI compound. In more detail, the light absorbing layer 300 includes a copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2 , CIGS-based) compound.

이와는 다르게, 상기 광 흡수층(300) 은 구리-인듐-셀레나이드계(CuInSe2, CIS계) 화합물 또는 구리-갈륨-셀레나이드계(CuGaSe2, CIS계) 화합물을 포함할 수 있다.Alternatively, the light absorbing layer 300 may include a copper-indium selenide-based (CuInSe 2 , CIS-based) compound or a copper-gallium-selenide-based (CuGaSe 2 , CIS-based) compound.

상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(400)은 황화 카드뮴(CdS)를 포함한다. 이때, 상기 버퍼층(400)은 n형 반도체 층이고, 상기 광 흡수층(300)은 p형 반도체 층이다. 따라서, 상기 광 흡수층(300) 및 버퍼층(400)은 pn 접합을 형성한다.The buffer layer 400 is disposed on the light absorbing layer 300. The buffer layer 400 includes cadmium sulfide (CdS). At this time, the buffer layer 400 is an n-type semiconductor layer and the light absorption layer 300 is a p-type semiconductor layer. Accordingly, the light absorption layer 300 and the buffer layer 400 form a pn junction.

상기 버퍼층(400)은 상기 광 흡수층(300)과 이후 형성될 전면전극층(600) 사이에 배치된다. 즉, 상기 광 흡수층(300)과 상기 전면전극층(600)은 격자상수와 에너지 밴드갭의 차이가 크기 때문에, 밴드갭이 두 물질의 중간에 위치하는 상기 버퍼층(400)을 삽입하여 양호한 접합을 형성할 수 있다.The buffer layer 400 is disposed between the light absorbing layer 300 and the front electrode layer 600 to be formed later. That is, since the difference between the lattice constant and the energy band gap is large between the light absorbing layer 300 and the front electrode layer 600, the buffer layer 400 having the band gap in between the two materials is inserted to form a good junction. can do.

상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 버퍼층(400) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(500)은 불순물이 도핑되지 않은 징크 옥사이드(i-ZnO)를 포함한다. 상기 고저항 버퍼층(500)의 에너지 밴드갭은 약 3.1 eV 내지 3.3 eV 이다.The high resistance buffer layer 500 is disposed on the buffer layer 400. The high resistance buffer layer 500 includes zinc oxide (i-ZnO) that is not doped with impurities. The energy band gap of the high-resistance buffer layer 500 is about 3.1 eV to 3.3 eV.

이어서, 상기 전면전극층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 배치된다. 예를 들어, 상기 전면전극층(600)은 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 투명한 도전물질을 적층하여 형성될 수 있다. 상기 투명한 도전물질을 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 적층시킬 때, 상기 투명한 도전물질이 상기 제2 관통홈들(TH2)의 내부에도 삽입되어, 상기 접속배선(700)을 형성할 수 있다. 상기 접속배선(700)은 상기 후면전극층(200)과 상기 전면전극층(600)을 전기적으로 연결할 수 있다.Subsequently, the front electrode layer 600 is disposed on the high resistance buffer layer 500. For example, the front electrode layer 600 may be formed by stacking a transparent conductive material on the high resistance buffer layer 500. When the transparent conductive material is stacked on the high resistance buffer layer 500, the transparent conductive material may also be inserted into the second through holes TH2 to form the connection wiring 700. The connection wiring 700 may electrically connect the back electrode layer 200 and the front electrode layer 600.

즉, 상기 전면전극층(600)과 상기 접속배선(700)은 동일한 물질로 형성될 수 있다. 상기 전면전극층(600)은 상기 광 흡수층(300)과 pn접합을 형성하는 윈도우(window)층으로서, 태양전지 전면의 투명전극의 기능을 한다. 상기 전면전극층(600)은 투명하며, 도전층이다. 또한, 상기 전면전극층(600)의 저항은 상기 후면전극층(200)의 저항보다 높다.That is, the front electrode layer 600 and the connection wiring 700 may be formed of the same material. The front electrode layer 600 is a window layer forming a pn junction with the light absorbing layer 300 and functions as a transparent electrode on the front of the solar cell. The front electrode layer 600 is transparent and is a conductive layer. In addition, the resistance of the front electrode layer 600 is higher than the resistance of the back electrode layer 200.

상기 전면전극층(600)은 산화물을 포함한다. 예를 들어, 상기 전면전극층(600)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(Al doped zinc oxide;AZO) 또는 갈륨 도핑된 징크 옥사이드(Ga doped zinc oxide;GZO) 등을 들 수 있다. The front electrode layer 600 includes an oxide. For example, an example of the material used as the front electrode layer 600 may include aluminum doped zinc oxide (AZO) or gallium doped zinc oxide (GZO).

상기 제 1 다이오드(30)는 셀 유닛 중 어느 하나에 그림자가 지거나, 이물질이 셀 유닛 상에 형성되었을 경우, 전하가 상기 제 1 다이오드(30)로 우회할 수 있도록 형성된다. The first diode 30 is formed so that when one of the cell units has a shadow or foreign matter is formed on the cell unit, charge can be diverted to the first diode 30.

직렬로 연결된 복수의 태양전지가 평소에는 복수개의 셀들(C1, C2, C3...)을 통하여 전류가 흐르게 되나, 상기 복수개의 셀들(C1, C2, C3...) 중 어느 하나의 셀에 그림자가 지거나, 이물질이 태양전지 패널 상에 형성되었을 경우, 불량이 발생한 해당 셀은 발전을 하는 능동소자가 아닌 수동소자, 즉 저항과 같이 동작하게 되므로 해당 셀에 역 기전력이 발생하게 된다. A plurality of solar cells connected in series usually flow current through a plurality of cells C1, C2, C3..., But to any one of the cells C1, C2, C3. When a shadow is formed or a foreign material is formed on the solar cell panel, the cell in which the defect occurs is operated as a passive device, that is, a resistor, not an active device that generates power, and thus counter electromotive force is generated in the cell.

이와 같은 문제를 해결하기 위하여, 상기 태양전지 모듈(10)은 상기 지지기판(100) 상에 상기 제 1다이오드(30)를 배치시킨다. 따라서, 해당 셀과 연결된 상기 제 1 다이오드(30)에 도통 전압이 인가되어 셀이 아닌 제 1 다이오드(30)를 통해 전류가 흐르게 된다. 즉, 상기 제 1 다이오드(30)를 통해 전류가 우회하게 된다.In order to solve such a problem, the solar cell module 10 arranges the first diode 30 on the support substrate 100. Therefore, a conductive voltage is applied to the first diode 30 connected to the corresponding cell so that current flows through the first diode 30 instead of the cell. That is, current is bypassed through the first diode 30.

도 2를 참조하면, 상기 제1셀(C1) 내지 상기 제4셀(C4)을 제1셀 유닛(UNIT1)으로 묶어서 생각할 수 있다. 그리고 제2셀 유닛(UNIT2)이 상기 제1셀 유닛(UNIT1)과 전기적으로 연결될 수 있다.Referring to FIG. 2, the first cell C1 to the fourth cell C4 may be bundled into a first cell unit UNIT1. The second cell unit UNIT2 may be electrically connected to the first cell unit UNIT1.

상기 제1셀 유닛(UNIT1) 및 상기 제2셀 유닛(UNIT2)이 정상적으로 동작하는 경우, 전류는 상기 제1셀 유닛(UNIT1) 및 제2셀 유닛(UNIT2)을 통해 흐르게 된다(X경로).When the first cell unit UNIT1 and the second cell unit UNIT2 operate normally, current flows through the first cell unit UNIT1 and the second cell unit UNIT2 (X path).

그러나 예를 들어, 상기 제2셀 유닛(UNIT2) 중 일부의 셀에 그림자가 지거나 불량이 발생하면, 상기 제2셀 유닛(UNIT2)과 병렬 연결된 상기 제 1 다이오드(30)를 통해 전류가 흐르게 된다(Y경로).However, for example, when a part of the cells of the second cell unit UNIT2 is shadowed or defective, current flows through the first diode 30 connected in parallel with the second cell unit UNIT2. (Y path).

따라서, 상기 제 1 다이오드(30)는 셀 유닛 중 어느 하나의 그림자가 지거나, 이물질이 셀 유닛 상에 형성되었을 경우, 전하가 상기 제 1 다이오드(30)로 우회할 수 있도록 형성된다. 이에 따라, 불량셀이 발생하거나, 태양전지 모듈에 그림자가 생겨도 열화현상 없이 태양전지를 사용할 수 있다.Therefore, when the shadow of any one of the cell units or foreign matter is formed on the cell unit, the first diode 30 is formed so that charge can be diverted to the first diode 30. Accordingly, even if a defective cell occurs or a shadow occurs in the solar cell module, the solar cell can be used without deterioration.

상기 제 1 다이오드(30)는 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 또한, 상기 제 1 다이오드(30)는 상기 지지기판 상의 상기 태양전지 유닛(20)과 나란한 방향으로 배치될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The first diode 30 is disposed on the support substrate 100. In addition, the first diode 30 may be disposed in parallel with the solar cell unit 20 on the support substrate, but is not limited thereto.

상기 제 1 다이오드(30)는 상기 태양전지 유닛(20)과 전기적으로 연결된다. 상기 제 1 다이오드(30)는 상기 태양전지 유닛(20)과 병렬로 연결될 수 있다. 예를 들어, 상기 태양전지 유닛(20)은 상기 후면전극층(200) 및 상기 제 1 접속전극(210)에 의하여 상기 제 1 다이오드(30)와 병렬 연결될 수 있다. 이 때, 상기 후면전극층(200) 및 상기 제 1 접속전극(210)은 서로 직접 접촉하여 연결될 수 있다. 또한, 상기 후면전극층(200) 및 상기 제 1 접속전극(210)은 서로 일체로 형성된 것일 수 있다.The first diode 30 is electrically connected to the solar cell unit 20. The first diode 30 may be connected in parallel with the solar cell unit 20. For example, the solar cell unit 20 may be connected in parallel with the first diode 30 by the back electrode layer 200 and the first connection electrode 210. In this case, the back electrode layer 200 and the first connection electrode 210 may be directly contacted with each other. In addition, the back electrode layer 200 and the first connection electrode 210 may be formed integrally with each other.

이와는 다르게, 상기 태양전지 유닛(20)은 상기 제 2 접속전극(220) 및 상기 제 1 접속전극(210)에 의하여 상기 제 1 다이오드(30)와 병렬 연결될 수 있다. Alternatively, the solar cell unit 20 may be connected in parallel with the first diode 30 by the second connection electrode 220 and the first connection electrode 210.

상기 제 1 다이오드(30)는 상기 지지기판(100) 상에 배치된 제 1 접속전극(210); 상기 제 1 접속전극(210) 상에 배치된 제 1 도전층(310); 및 상기 제 1 도전층(310) 상에 배치된 제 2 도전층(610)을 포함한다. 예를 들어, 상기 제 1 다이오드(30)는 상기 지지기판(100), 상기 제 1 접속전극(210), 상기 제 1 도전층(310), 및 상기 제 2 도전층(610)이 순차적으로 서로 직접 접촉하여 배치될 수 있다. The first diode 30 may include a first connection electrode 210 disposed on the support substrate 100; A first conductive layer 310 disposed on the first connection electrode 210; And a second conductive layer 610 disposed on the first conductive layer 310. For example, the first diode 30 includes the support substrate 100, the first connection electrode 210, the first conductive layer 310, and the second conductive layer 610 in turn. May be arranged in direct contact.

이와는 다르게, 상기 제 1 다이오드(30)는 버퍼층(400) 및 고저항 버퍼층(500)을 추가로 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 제 1 도전층(310)과 상기 제 2 도전층(610) 사이에 배치될 수 있다. Alternatively, the first diode 30 may further include a buffer layer 400 and a high resistance buffer layer 500. For example, the buffer layer 400 and the high resistance buffer layer 500 may be disposed between the first conductive layer 310 and the second conductive layer 610.

상기 제 1 도전층(310)과 상기 제 2 도전층(610)은 각각 상기 광 흡수층(300) 및 상기 전면전극층(600)과 동일한 물질일 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전층(310)과 상기 제 2 도전층(610)은 각각 상기 기재한 광 흡수층(300) 및 상기 전면전극층(600)에 관한 내용을 모두 포함할 수 있으며, 편의상 중복기재를 생략한다. The first conductive layer 310 and the second conductive layer 610 may be made of the same material as the light absorbing layer 300 and the front electrode layer 600, respectively. In addition, each of the first conductive layer 310 and the second conductive layer 610 may include all of the above-described light absorbing layer 300 and the front electrode layer 600. Omit.

상기 제 1 다이오드(30)는 정션박스(Junction Box)가 아닌 상기 지지기판(100) 상에 직접 배치된다. 예를 들어, 상기 제 1 다이오드(30)는 상기 지지기판(100)의 에지(Edge) 영역에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 제 1 다이오드(40)는 상기 지지기판(100) 상면의 모서리 영역(edge)에 형성되므로 소자의 고집적화가 가능하다.
The first diode 30 is disposed directly on the support substrate 100 instead of the junction box. For example, the first diode 30 may be formed in an edge region of the support substrate 100. Accordingly, since the first diode 40 is formed at the edge of the upper surface of the support substrate 100, high integration of the device is possible.

상기 제 2 다이오드(40)는 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 제 2 다이오드(40)는 상기 태양전지 모듈(10)과 연결되는 충전 유닛(40)이 방전하는 경우, 상기 태양전지 모듈(10)로 전류가 역류하는 것(Z 방향, 도 2 참조)을 방지할 수 있다. 즉, 상기 태양전지 모듈(10)은 상기 제 2 다이오드(40)에 의해 보호될 수 있다The second diode 40 is disposed on the support substrate 100. When the charging unit 40 connected to the solar cell module 10 discharges the second diode 40, current flows back to the solar cell module 10 (Z direction, see FIG. 2). It can prevent. That is, the solar cell module 10 may be protected by the second diode 40.

태양전지는 광을 받을 때에만 발전을 할 수 있으며, 건전지와 같이 전기를 축전하는 기능이 없다. 이에 따라, 야간이나 비올 때 등 광을 받을 수 없는 경우에 태양전지를 사용하기 위해서는, 광에 의해 발전된 전기를 충전 유닛에 저장할 필요가 있다. 즉, 안정된 태양광 발전시스템을 구축하기 위해서는 충전 유닛이 필요하다. 상기 충전 유닛으로는 대용량의 축전지 등이 사용될 수 있다. Solar cells can only generate electricity when they receive light, and they do not have the ability to store electricity like batteries. Accordingly, in order to use a solar cell when light cannot be received at night or during rain, it is necessary to store electricity generated by light in a charging unit. That is, a charging unit is required to build a stable photovoltaic power generation system. A large capacity storage battery or the like may be used as the charging unit.

다만, 상기 태양전지의 출력이 작거나 상기 충전 유닛이 방전되는 경우, 상기 충전 유닛으로부터 상기 태양전지로 전류가 역류하는 현상이 발생할 수 있다. 이를 해결하기 위하여, 전류가 역류하는 것을 방지하고 순방향으로 전류가 흐르도록 제어하는 장치가 필요하다.However, when the output of the solar cell is small or the charging unit is discharged, a phenomenon in which current flows back from the charging unit to the solar cell may occur. In order to solve this problem, there is a need for a device which prevents the current from flowing backward and controls the current to flow in the forward direction.

이와 같은 문제를 해결하기 위하여, 실시예에 따른 태양전지 모듈(10)은 지지기판(100) 상에, 태양전지 유닛(20)과 연결되는 상기 제 2 다이오드(40)를 포함한다. 즉, 상기 태양전지 모듈은 충전 유닛(40)이 방전되는 경우, 상기 태양전지 모듈(10)로 전류가 역류하는 것(Z 방향, 도 2 참조)을 방지하기 위하여 상기 제 2 다이오드(40)를 상기 지지기판(100) 상에 형성한다. In order to solve this problem, the solar cell module 10 according to the embodiment includes the second diode 40 connected to the solar cell unit 20 on the support substrate 100. That is, when the charging unit 40 is discharged, the solar cell module uses the second diode 40 to prevent current from flowing back into the solar cell module 10 (see Z direction in FIG. 2). It is formed on the support substrate 100.

상기 제 2 다이오드(40)는 상기 지지기판(100) 상에 직접 형성된다. 즉, 상기 제 2 다이오드(40)는 정션박스(Junction Box)가 아닌 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 예를 들어, 상기 제 2 다이오드(40)는 상기 지지기판(100)의 에지(Edge) 영역에 형성될 수 있다. 상기 에지 영역은 상기 지지기판(100) 상에 상기 태양전지 유닛(20)이 형성되지 않은 영역을 말한다. 더 자세하게, 상기 에지 영역은 상기 태양전지 유닛(20)이 배치되어 있지 않으며, 상기 지지기판(100) 상의 둘레 영역을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 제 2 다이오드(40)는 상기 지지기판(100) 상면의 모서리 영역(edge)에 형성되므로 소자의 고집적화가 가능하다. The second diode 40 is directly formed on the support substrate 100. That is, the second diode 40 is disposed on the support substrate 100 instead of the junction box. For example, the second diode 40 may be formed in an edge region of the support substrate 100. The edge region refers to a region where the solar cell unit 20 is not formed on the support substrate 100. In more detail, the edge region may not include the solar cell unit 20 and may include a peripheral region on the support substrate 100. Accordingly, since the second diode 40 is formed at the edge of the upper surface of the support substrate 100, high integration of the device is possible.

상기 제 2 다이오드(40)는 상기 지지기판(100) 상에 배치된 제 2 접속전극(210), 상기 접속전극(210) 상에 배치된 제 1' 도전층(310), 및 상기 제 1' 도전층(310) 상에 배치된 제 2' 도전층(610)을 포함한다. 예를 들어, 상기 블로킹 다이오드(30)는 상기 지지기판(100), 상기 제 2 접속전극(220), 상기 제 1' 도전층(320), 및 상기 제 2' 도전층(620)이 순차적으로 서로 직접 접촉하여 배치될 수 있다. The second diode 40 includes a second connection electrode 210 disposed on the support substrate 100, a first 'conductive layer 310 disposed on the connection electrode 210, and the first'. And a second 'conductive layer 610 disposed on the conductive layer 310. For example, in the blocking diode 30, the support substrate 100, the second connection electrode 220, the first 'conductive layer 320, and the second' conductive layer 620 are sequentially formed. Can be arranged in direct contact with each other.

이와는 다르게, 상기 제 2 다이오드(40)는 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)을 추가로 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 제 1' 도전층(320)과 상기 제 2' 도전층(620) 사이에 배치될 수 있다. Alternatively, the second diode 40 may further include the buffer layer 400 and the high resistance buffer layer 500. For example, the buffer layer 400 and the high resistance buffer layer 500 may be disposed between the first 'conductive layer 320 and the second' conductive layer 620.

상기 제 2' 접속전극(220)은 상기 태양전지 유닛(20)의 상기 후면전극층(200)과 서로 연결될 수 있다. 즉, 상기 제 2' 접속전극(220)과 상기 후면전극층(200)은 직접 접촉하여 연결될 수 있다. 예들 들어, 도 4를 참조하면, 상기 제 2 다이오드(40)의 제 2' 접속전극(210)과 상기 제1셀(C1)의 후면전극층(200)은 직접 접촉하여 연결된다. 이에 따라, 상기 제 2 다이오드(40)와 상기 태양전지 유닛(20)은 전기적으로 직렬로 연결될 수 있다. The second ′ connection electrode 220 may be connected to the back electrode layer 200 of the solar cell unit 20. That is, the second 'connection electrode 220 and the back electrode layer 200 may be directly contacted and connected. For example, referring to FIG. 4, the second 'connection electrode 210 of the second diode 40 and the back electrode layer 200 of the first cell C1 are directly contacted and connected to each other. Accordingly, the second diode 40 and the solar cell unit 20 may be electrically connected in series.

상기 제 1' 도전층(320)과 상기 제 2' 도전층(620)은 각각 상기 광 흡수층(300) 및 상기 전면전극층(600)과 동일한 물질일 수 있다. 또한, 상기 제 1' 도전층(320)과 상기 제 2' 도전층(610)은 각각 상기 기재한 광 흡수층(300) 및 상기 전면전극층(600)에 관한 내용을 모두 포함할 수 있으며, 편의상 중복기재를 생략한다.
The first 'conductive layer 320 and the second' conductive layer 620 may be made of the same material as the light absorbing layer 300 and the front electrode layer 600, respectively. In addition, the first 'conductive layer 320 and the second' conductive layer 610 may include all of the above-described light absorbing layer 300 and the front electrode layer 600, respectively, overlapping for convenience. Omit the description.

도 5 내지 도 16은 실시예에 따른 태양전지 모듈을 제조하는 방법을 도시한 단면도이다. 본 제조방법에서는 앞서 설명한 태양전지 모듈을 참고하여 설명한다. 본 제조방법에 대한 설명에, 앞선 태양전지 모듈에 관한 설명은 본질적으로 결합될 수 있다.5 to 16 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing the solar cell module according to the embodiment. In this manufacturing method will be described with reference to the above-described solar cell module. In the description of the present manufacturing method, the foregoing description of the solar cell module can be essentially combined.

실시예에 따른 태양전지 모듈(10)을 제조하는 방법은 상기 지지기판(100) 상에 태양전지 유닛(20)을 형성하는 단계; 상기 태양전지 유닛(20)과 병렬 연결되는 제 1 다이오드(30)를 형성하는 단계; 및 상기 태양전지 유닛(20)과 직렬 연결되는 제 2 다이오드(40)를 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 태양전지 유닛(20)을 형성하는 단계, 상기 제 1 다이오드(30)를 형성하는 단계 및 상기 제 2 다이오드(40)를 형성하는 단계는 동시에 수행될 수 있다.Method for manufacturing a solar cell module 10 according to the embodiment comprises the steps of forming a solar cell unit 20 on the support substrate 100; Forming a first diode (30) connected in parallel with the solar cell unit (20); And forming a second diode 40 connected in series with the solar cell unit 20. In addition, the forming of the solar cell unit 20, the forming of the first diode 30, and the forming of the second diode 40 may be simultaneously performed.

상기 태양전지 유닛(20)을 형성하는 단계는, 상기 지지기판(100) 상에 상기 후면전극층(200)을 형성하는 단계; 상기 후면전극층(200) 상에 광 흡수층(300)을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층(300) 상에 전면전극층(600)을 형성하는 단계를 포함한다. 필요한 경우, 상기 태양전지 유닛(20)을 형성하는 단계는 상기 광 흡수층(300)을 배치한 후에, 상기 광 흡수층(300) 상에 상기 버퍼층(400), 상기 버퍼층(400) 상에 상기 고저항 버퍼층(500)을 추가로 형성할 수 있다. The forming of the solar cell unit 20 may include forming the back electrode layer 200 on the support substrate 100; Forming a light absorbing layer (300) on the back electrode layer (200); Forming a front electrode layer 600 on the light absorbing layer 300. If necessary, the step of forming the solar cell unit 20 after the light absorbing layer 300 is disposed, the buffer layer 400 on the light absorbing layer 300, the high resistance on the buffer layer 400 The buffer layer 500 may be further formed.

상기 제 1 다이오드(30)를 형성하는 단계는, 상기 지지기판(100) 상에 제 1 접속전극(210)을 형성하는 단계; 상기 제 1 접속전극(210) 상에 제 1 도전층(310)을 형성하는 단계; 상기 제 1 도전층(310) 상에 제 2 도전층(610)을 형성하는 단계를 포함한다. 필요한 경우, 상기 제 1 다이오드(30)를 형성하는 단계는 상기 제 1 도전층(310)을 형성한 후에, 상기 제 1 도전층(310) 상에 상기 버퍼층(400), 상기 버퍼층(400) 상에 상기 고저항 버퍼층(500)을 추가로 형성할 수 있다. The forming of the first diode 30 may include forming a first connection electrode 210 on the support substrate 100; Forming a first conductive layer (310) on the first connection electrode (210); And forming a second conductive layer 610 on the first conductive layer 310. If necessary, the forming of the first diode 30 may include forming the first conductive layer 310, and then forming the first conductive layer 310 on the buffer layer 400 and the buffer layer 400. The high resistance buffer layer 500 may be further formed on the substrate.

또한, 상기 제 2 다이오드(40)를 형성하는 단계는, 상기 지지기판(100) 상에 제 2 접속전극(220)을 형성하는 단계; 상기 제 1 접속전극(220) 상에 제 1' 도전층(320)을 형성하는 단계; 상기 제 1' 도전층(320) 상에 제 2' 도전층(620)을 형성하는 단계를 포함한다. 필요한 경우, 상기 제 2 다이오드(40)를 형성하는 단계는 상기 제 1' 도전층(320)을 형성한 후에, 상기 제 1' 도전층(320) 상에 상기 버퍼층(400), 상기 버퍼층(400) 상에 상기 고저항 버퍼층(500)을 추가로 형성할 수 있다.In addition, the forming of the second diode 40 may include forming a second connection electrode 220 on the support substrate 100; Forming a first 'conductive layer 320 on the first connection electrode 220; Forming a second 'conductive layer 620 on the first' conductive layer 320. If necessary, the forming of the second diode 40 may include forming the first conductive layer 320 and then forming the buffer layer 400 and the buffer layer 400 on the first conductive layer 320. ) May further form the high resistance buffer layer 500.

상기 제 1 다이오드(30) 및 상기 제 2 다이오드(40)는 상기 태양전지 유닛(20)을 형성하기 위한 각 층의 증착 및 패터닝 공정에서 함께 형성된다. 즉, 상기 제 1 다이오드(30) 및 상기 제 2 다이오드(40)는 상기 태양전지 유닛(20)의 제조 공정과 동시에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300), 상기 제 1 도전층(310) 및 상기 제 1' 도전층(320)은 동일한 공정에 의해 동시에 형성될 수 있다. 또한, 상기 전면전극층(600), 상기 제 2 도전층(610) 및 상기 제 2' 도전층(620)은 동일한 공정에 의해 동시에 형성될 수 있다. The first diode 30 and the second diode 40 are formed together in a deposition and patterning process of each layer for forming the solar cell unit 20. That is, the first diode 30 and the second diode 40 may be formed simultaneously with the manufacturing process of the solar cell unit 20. For example, the light absorbing layer 300, the first conductive layer 310, and the first 'conductive layer 320 may be simultaneously formed by the same process. In addition, the front electrode layer 600, the second conductive layer 610, and the second 'conductive layer 620 may be simultaneously formed by the same process.

이에 따라, 상기 제 1 다이오드(30) 및 상기 제 2 다이오드(40)의 제조 공정은 단순화 되며, 결과적으로 태양전지 모듈(10)의 생산성이 향상될 수 있다. Accordingly, the manufacturing process of the first diode 30 and the second diode 40 is simplified, and as a result, the productivity of the solar cell module 10 may be improved.

따라서, 하기에서는 상기 태양전지 유닛(20)을 제조하는 공정에 대하여 중점적으로 서술한다. 이에 따라, 상기 태양전지 유닛(20)을 제조하는 공정 중 상기 제 1 다이오드(30) 및 상기 제 2 다이오드(40)를 제조하는 공정과 중복되는 부분은 편의상 중복기재를 생략하도록 한다. Therefore, below, the process of manufacturing the said solar cell unit 20 is demonstrated mainly. Accordingly, a portion overlapping with a process of manufacturing the first diode 30 and the second diode 40 in the process of manufacturing the solar cell unit 20 may be omitted for convenience.

도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 지지기판(100) 상에 상기 후면전극층(200), 상기 제 1 접속전극(210) 및 상기 제 2 접속전극(220)이 형성된다. 6 and 7, the back electrode layer 200, the first connection electrode 210, and the second connection electrode 220 are formed on the support substrate 100.

상기 후면전극층(200), 상기 제 1 접속전극(210) 및 상기 제 2 접속전극(220)은 상기 지지기판(100) 상에 후면전극막을 형성한 후, 포토 리소그라피(photo-lithography) 공정으로 패터닝 되어 형성될 수 있다. The back electrode layer 200, the first connection electrode 210, and the second connection electrode 220 are formed on the support substrate 100, and then patterned by a photo-lithography process. Can be formed.

또는, 상기 지지기판(100) 상에 마스크를 배치시킨 후, 각 영역에만 상기 후면전극층(200), 상기 제 1 접속전극(210) 및 상기 제 2 접속전극(220)이 형성되도록 할 수도 있다.Alternatively, after the mask is disposed on the support substrate 100, the back electrode layer 200, the first connection electrode 210, and the second connection electrode 220 may be formed only in each region.

즉, 상기 후면전극층(200), 상기 접속전극들(210, 220)은 동일한 공정에 의해 동시에 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 후면전극층(200) 및 상기 접속전극들(210, 220)은 몰리브덴(Mo) 타겟을 사용하여, 스퍼터링(sputtering) 공정에 의해 형성될 수 있다. 이는, 몰리브덴(Mo)이 가진 높은 전기전도도, 광 흡수층과의 오믹(ohmic) 접합, Se 분위기 하에서의 고온 안정성 때문이다. 또한, 상기 후면전극층(200) 및 상기 접속전극들(210, 220)은 두 개 이상의 층들을 포함할 수 있다. 이때, 각각의 층들은 같은 금속으로 형성되거나, 서로 다른 금속으로 형성될 수 있다.That is, the back electrode layer 200 and the connection electrodes 210 and 220 may be simultaneously formed by the same process. For example, the back electrode layer 200 and the connection electrodes 210 and 220 may be formed by a sputtering process using a molybdenum (Mo) target. This is due to the high electrical conductivity of molybdenum (Mo), the ohmic junction with the light absorbing layer, and the high temperature stability under Se atmosphere. In addition, the back electrode layer 200 and the connection electrodes 210 and 220 may include two or more layers. In this case, each of the layers may be formed of the same metal, or may be formed of different metals.

상기 후면전극막의 패터닝에 의하여, 제 1 관통홈들(TH1, TH1')이 형성된다. 도 3을 참조하면, 상기 제1셀(C1) 내지 상기 제4셀(C4)에 형성되는 제1 관통홈들(TH1) 중 일부가 길게 형성되어 상기 제 1 다이오드(30)가 형성되는 영역으로 연장되어 관통홈(TH1')이 될 수 있다. 즉, 동일한 공정에서 길이의 패터닝을 달리하여 상기 제 1 다이오드(30)가 형성되는 영역의 관통홈(TH1')과 상기 제1셀(C1) 내지 제4셀(C4) 및 상기 제 2 다이오드(40)가 형성되는 제1 관통홈들(TH1)이 형성될 수 있다.By the patterning of the back electrode film, first through holes TH1 and TH1 'are formed. Referring to FIG. 3, a portion of the first through holes TH1 formed in the first cell C1 to the fourth cell C4 is formed to be long so that the first diode 30 is formed. It may be extended to become the through groove TH1 '. That is, in the same process, through-hole TH1 ', the first cell C1 through the fourth cell C4, and the second diode (in the region where the first diode 30 is formed by varying the length of the pattern) are formed. First through holes TH1 in which 40 is formed may be formed.

상기 제 1 관통홈들(TH1, TH1')은 상기 지지기판(100)의 상면을 노출하는 오픈 영역이다. 상기 제 1 관통홈들(TH1, TH1')은 평면에서 보았을 때, 제 1 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 폭은 약 80 ㎛ 내지 200 ㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The first through holes TH1 and TH1 'are open regions that expose the top surface of the support substrate 100. The first through holes TH1 and TH1 ′ may have a shape extending in a first direction when viewed in a plan view. The width of the first through holes TH1 may be about 80 mu m to 200 mu m, but is not limited thereto.

상기 제 1 관통홈들(TH1, TH1')에 의해서, 상기 후면전극층(200)은 다수 개의 후면전극들 및 상기 접속전극들(210, 220)으로 구분된다. 즉, 상기 제 1 관통홈들(TH1, TH1')에 의해서, 상기 후면전극들 및 상기 접속전극들(210, 220)이 정의된다.The back electrode layer 200 is divided into a plurality of back electrodes and the connection electrodes 210 and 220 by the first through holes TH1 and TH1 ′. That is, the back electrodes and the connection electrodes 210 and 220 are defined by the first through holes TH1 and TH1 ′.

상기 후면전극들 및 상기 상기 접속전극들(210, 220)은 스트라이프 형태로 배치된다. 이와는 다르게, 상기 후면전극들은 매트릭스 형태로 배치될 수 있다. 이때, 상기 제 1 관통홈들(TH1, TH1')은 평면에서 보았을 때, 격자 형태로 형성될 수 있다.The back electrodes and the connection electrodes 210 and 220 are arranged in a stripe shape. Alternatively, the rear electrodes may be arranged in a matrix. In this case, the first through holes TH1 and TH1 'may be formed in a lattice form when viewed in a plan view.

도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 후면전극층(200) 상에 상기 광 흡수층(300)이 형성된다. 이와 동시에, 상기 제 1 접속전극(210) 상에 상기 제 1 도전층(310)이 형성된다. 또한, 상기 광 흡수층(300)의 일부는 이후 공정에 의하여 상기 제 1' 도전층(310)으로 분리될 수 있다. 8 and 9, the light absorbing layer 300 is formed on the back electrode layer 200. At the same time, the first conductive layer 310 is formed on the first connection electrode 210. In addition, a portion of the light absorbing layer 300 may be separated into the first 'conductive layer 310 by a subsequent process.

즉, 상기 광 흡수층(300), 상기 제 1 도전층(310) 및 상기 제 1' 도전층(320)은 동일한 공정에 의해 동시에 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 상기 광 흡수층(300) 및 상기 도전층들(310, 320)은 동일한 물질을 포함할 수 있다. That is, the light absorbing layer 300, the first conductive layer 310, and the first 'conductive layer 320 may be simultaneously formed by the same process. Accordingly, the light absorbing layer 300 and the conductive layers 310 and 320 may include the same material.

상기 광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ계 화합물을 포함한다. 더 자세하게, 상기 광 흡수층(300) 은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In, Ga)Se2, CIGS계) 화합물을 포함한다. 이와는 다르게, 상기 광 흡수층(300) 은 구리-인듐-셀레나이드계(CuInSe2, CIS계) 화합물 또는 구리-갈륨-셀레나이드계(CuGaSe2, CIS계) 화합물을 포함할 수 있다.The light absorbing layer 300 includes an I-III-VI compound. In more detail, the light absorbing layer 300 includes a copper-indium-gallium-selenide-based (Cu (In, Ga) Se 2 , CIGS-based) compound. Alternatively, the light absorbing layer 300 may include a copper-indium selenide-based (CuInSe 2 , CIS-based) compound or a copper-gallium-selenide-based (CuGaSe 2 , CIS-based) compound.

상기 광 흡수층(300)을 형성하기 위해서, 구리 타겟, 인듐 타겟 및 갈륨 타겟을 사용하여, 상기 후면전극층(200) 상에 CIG계 금속 프리커서(precursor)막이 형성된다. 이후, 상기 금속 프리커서막은 셀레니제이션(selenization) 공정에 의해서, 셀레늄(Se)과 반응하여 CIGS계 광 흡수층(300)이 형성된다. 또한, 상기 금속 프리커서막을 형성하는 공정 및 셀레니제이션 공정 동안에, 상기 지지기판(100)에 포함된 알칼리(alkali) 성분이 상기 후면전극층(200)을 통해서, 상기 금속 프리커서막, 상기 광 흡수층(300)에 확산된다. 알칼리(alkali) 성분은 상기 광 흡수층(300)의 그레인(grain) 크기를 향상시키고, 결정성을 향상시킬 수 있다.In order to form the light absorbing layer 300, a CIG-based metal precursor film is formed on the back electrode layer 200 using a copper target, an indium target, and a gallium target. Subsequently, the metal precursor film is reacted with selenium (Se) by a selenization process to form a CIGS-based light absorbing layer 300. In addition, during the process of forming the metal precursor film and the selenization process, an alkali component included in the support substrate 100 passes through the back electrode layer 200, the metal precursor film, and the light absorbing layer ( 300). An alkali component may improve grain size and improve crystallinity of the light absorbing layer 300.

이와는 다르게, 상기 광 흡수층(300)은 구리, 인듐, 갈륨, 셀레나이드(Cu, In, Ga, Se)를 동시증착법(co-evaporation)에 의해 형성할 수도 있다. 또한, 상기 광 흡수층(300)에 포함된 물질은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 채워진다.Alternatively, the light absorbing layer 300 may form copper, indium, gallium, selenide (Cu, In, Ga, Se) by co-evaporation. In addition, the material included in the light absorbing layer 300 is filled in the first through holes TH1.

이어서, 상기 광 흡수층(300) 상에 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)이 형성된다. Then, the buffer layer 400 and the high-resistance buffer layer 500 are formed on the light absorption layer 300.

도 10을 참조하면, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400) 및 상기 고저항 버퍼층(500)에는 제 2 관통홈들(TH2)이 형성된다. Referring to FIG. 10, second through holes TH2 are formed in the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the high resistance buffer layer 500.

상기 제2 관통홈들(TH2)은 기계적인(mechnical) 방법으로 형성할 수 있으며, 상기 후면전극층(200)의 일부가 노출된다. The second through holes TH2 may be formed by a mechanical method, and a portion of the back electrode layer 200 is exposed.

상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 광 흡수층(300)을 관통한다. 또한, 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 후면전극층(200)의 상면을 노출하는 오픈영역이다.The second through holes (TH2) penetrate the light absorbing layer (300). In addition, the second through holes TH2 are open regions exposing the top surface of the back electrode layer 200.

상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 제 1 관통홈들(TH1)에 인접하여 형성된다. 즉, 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 일부는 평면에서 보았을 때, 상기 제 1 관통홈들(TH1)의 옆에 형성된다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)은 상기 제 1 방향으로 연장되는 형상을 가진다. 상기 제 2 관통홈들(TH2)의 폭은 약 80 ㎛ 내지 약 200 ㎛ 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The second through grooves TH2 are formed adjacent to the first through grooves TH1. That is, a part of the second through grooves TH2 is formed on the side of the first through grooves TH1 when viewed in plan. The second through grooves TH2 extend in the first direction. The width of the second through grooves TH2 may be about 80 mu m to about 200 mu m, but is not limited thereto.

또한, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 및 상기 고저항 버퍼층(500) 각각은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서, 다수 개의 광 흡수부들, 다수 개의 버퍼들, 다수 개의 고저항 버퍼들로 각각 정의된다. 즉, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 및 상기 고저항 버퍼층(500)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 의해서 각각 상기 광 흡수부들, 상기 버퍼들, 상기 고저항 버퍼들로 구분된다.Each of the light absorbing layer 300, the buffer layer 400 and the high resistance buffer layer 500 may include a plurality of light absorbing portions, a plurality of buffers, a plurality of light absorbing portions And high resistance buffers, respectively. That is, the light absorption layer 300, the buffer layer 400, and the high resistance buffer layer 500 are formed by the second through holes TH2, respectively, in the light absorbing portions, the buffers, Respectively.

도 11 및 도 12를 참조하면, 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 투명한 도전물질을 적층하여 전면전극층(600), 접속배선(700) 및 제 1 도전층(610)을 형성한다. 상기 투명한 도전물질을 상기 고저항 버퍼층(500) 상에 적층시킬 때, 상기 투명한 도전물질이 상기 제2 관통홈들(TH2)의 내부에도 삽입되어, 상기 접속배선(700)을 형성할 수 있다. 즉, 상기 전면전극층(600) 과 상기 접속배선(700)은 동일한 물질로 형성될 수 있다. 또한, 상기 후면전극층(200)과 상기 전면전극층(600)은 상기 접속배선(700)에 의해 전기적으로 연결된다.11 and 12, a transparent conductive material is stacked on the high resistance buffer layer 500 to form a front electrode layer 600, a connection wiring 700, and a first conductive layer 610. When the transparent conductive material is stacked on the high resistance buffer layer 500, the transparent conductive material may also be inserted into the second through holes TH2 to form the connection wiring 700. That is, the front electrode layer 600 and the connection wiring 700 may be formed of the same material. In addition, the back electrode layer 200 and the front electrode layer 600 are electrically connected by the connection wiring 700.

상기 전면전극층(600)은 산화물을 포함한다. 상기 전면전극층(600)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(Al doped zinc oxide;AZO) 또는 갈륨 도핑된 징크 옥사이드(Ga doped zinc oxide;GZO) 등을 들 수 있다. 또한, 상기 전면전극층(600)은 상기 지지기판(100) 상에 스퍼터링 공정을 진행하여 알루미늄으로 도핑된 산화 아연으로 형성된다.The front electrode layer 600 includes an oxide. Examples of the material used for the front electrode layer 600 include aluminum doped zinc oxide (AZO) or gallium doped zinc oxide (GZO). In addition, the front electrode layer 600 is formed of zinc oxide doped with aluminum by performing a sputtering process on the support substrate 100.

도 13을 참조하면, 상기 태양전지 유닛(20)과 상기 제 2 다이오드(40)는 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의하여 정의될 수 있다. 즉, 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 태양전지 유닛(20) 및 상기 제 2 다이오드(40)는 각각 서로 구분될 수 있다.Referring to FIG. 13, the solar cell unit 20 and the second diode 40 may be defined by the third through holes TH3. That is, the solar cell unit 20 and the second diode 40 may be distinguished from each other by the third through holes TH3.

예를 들어, 상기 광 흡수층(300)과 상기 제 1' 도전층(320)은 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서 구분될 수 있다. 즉, 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 광 흡수층(300)의 일부는 상기 제 1' 도전층(320)으로 구분된다. 또한, 상기 전면전극층(600)과 상기 제 2' 도전층(620)은 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서 구분될 수 있다. 즉, 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서, 상기 전면전극층(600) 의 일부는 상기 제 2' 도전층(620)으로 구분된다. For example, the light absorbing layer 300 and the first 'conductive layer 320 may be divided by the third through holes TH3. In other words, a portion of the light absorbing layer 300 is divided into the first 'conductive layer 320 by the third through holes TH3. In addition, the front electrode layer 600 and the second 'conductive layer 620 may be divided by the third through holes TH3. That is, a part of the front electrode layer 600 is divided into the second 'conductive layer 620 by the third through holes TH3.

또한, 도 13을 참조하면, 상기 태양전지 유닛(20)은 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의하여 복수개의 태양전지 셀들(C1, C2, C3..)로 정의될 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(300), 상기 버퍼층(400), 및 상기 고저항 버퍼층(500) 은 상기 제 3 관통홈들(TH3)에 의해서 각각 다수개의 광 흡수층들, 다수개의 버퍼층들, 다수개의 고저항 버퍼층들로 구분된다.In addition, referring to FIG. 13, the solar cell unit 20 may be defined as a plurality of solar cell cells C1, C2, C3 .. by the third through holes TH3. For example, the light absorbing layer 300, the buffer layer 400, and the high resistance buffer layer 500 are formed by the third through grooves TH3, respectively, with a plurality of light absorbing layers, a plurality of buffer layers, High resistance buffer layers.

상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2)에 인접하는 위치에 형성된다. 더 자세하게, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 옆에 배치된다. 즉, 평면에서 보았을 때, 상기 제 3 관통홈들(TH3)은 상기 제 2 관통홈들(TH2) 옆에 나란히 배치된다.The third through grooves TH3 are formed at positions adjacent to the second through grooves TH2. More specifically, the third through-holes TH3 are disposed beside the second through-holes TH2. That is, when viewed in plan, the third through grooves TH3 are arranged next to the second through grooves TH2.

이와는 다르게, 상기 TH1이 형성되지 않은 영역에 형성된 상기 광 흡수층(300) 내지 전면전극층(600)의 일부를 식각하여 제 1 다이오드(30)를 형성할 수 있다. 상기 제 1 다이오드(30)는 상기 제1셀(C1) 내지 상기 제4셀(C4)과 동일한 층을 포함하여 형성될 수 있다. Alternatively, a portion of the light absorbing layer 300 to the front electrode layer 600 formed in the region where TH1 is not formed may be etched to form the first diode 30. The first diode 30 may be formed to include the same layer as the first cell C1 to the fourth cell C4.

즉, 제 1 다이오드(30)는 상기 제1셀(C1) 내지 상기 제4셀(C4)을 형성하는 공정에서 동일한 층이 적층 되어 형성되고 상기 식각 과정에 의해 상기 제1셀(C1) 내지 상기 제4셀(C4)과 구분되어 형성된다.That is, the first diode 30 is formed by stacking the same layer in the process of forming the first cell (C1) to the fourth cell (C4) and by the etching process the first cell (C1) to the It is formed separately from the fourth cell C4.

도 15 및 도 16을 참조하면, 상기 지지기판(100) 상에 버스바들(810, 820)이 형성된다. 상기 버스바들(810, 820)은 상기 지지기판(100) 의 에지(Edge) 영역에 형성되는 제 4 관통홈들(TH4) 상에 형성될 수 있다. 상기 제 4 관통홈들(TH4)은 기계적인(mechnical) 방법으로 형성할 수 있으며, 상기 후면전극층(200)의 일부가 노출된다. 이후에, 상기 일부 노출된 후면전극층(200) 상에 상기 버스바들(810, 820)을 형성할 수 있다. 15 and 16, bus bars 810 and 820 are formed on the support substrate 100. The bus bars 810 and 820 may be formed on the fourth through holes TH4 formed in the edge region of the support substrate 100. The fourth through holes TH4 may be formed in a mechanical manner, and a portion of the back electrode layer 200 is exposed. Thereafter, the bus bars 810 and 820 may be formed on the partially exposed rear electrode layer 200.

즉, 상기 버스바들은 상기 지지기판(100)의 양 끝단에 형성된 상기 제 4 관통홈들(TH4) 상에 형성될 수 있다. That is, the bus bars may be formed on the fourth through holes TH4 formed at both ends of the support substrate 100.

상기 제1버스바(810)는 상기 제 2 다이오드(40)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2버스바(820)는 상기 제 1 다이오드(30) 및 상기 태양전지 유닛(20)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제1버스바(810)는 (+)전극에 연결하고, 상기 제2버스바(820)는 (-)전극에 연결할 수 있다.
The first bus bar 810 may be electrically connected to the second diode 40. The second bus bar 820 may be electrically connected to the first diode 30 and the solar cell unit 20. In addition, the first bus bar 810 may be connected to the (+) electrode, and the second bus bar 820 may be connected to the (-) electrode.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Features, structures, effects, and the like described in the above embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, and the like illustrated in each embodiment may be combined or modified with respect to other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (12)

지지기판 상에 배치되는 태양전지 유닛;
상기 지지기판 상에 배치되며, 상기 태양전지 유닛과 연결되는 제 1 다이오드; 및
상기 지지기판 상에 배치되며, 상기 태양전지 유닛과 연결되는 제 2 다이오드를 포함하는 태양전지 모듈.
A solar cell unit disposed on a support substrate;
A first diode disposed on the support substrate and connected to the solar cell unit; And
A solar cell module disposed on the support substrate and including a second diode connected to the solar cell unit.
제 1 항에 있어서,
상기 태양전지 유닛과 상기 제 1 다이오드는 병렬 연결되는 태양전지 모듈.
The method of claim 1,
The solar cell module and the first diode is a solar cell module connected in parallel.
제 1 항에 있어서,
상기 태양전지 유닛과 상기 제 2 다이오드는 직렬 연결되는 태양전지 모듈.
The method of claim 1,
The solar cell module and the second diode is a solar cell module connected in series.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 다이오드 및 상기 제 2 다이오드는 상기 지지기판의 에지(Edge) 영역에 형성되는 태양전지 모듈.
The method of claim 1,
The first diode and the second diode is a solar cell module formed in the edge (Edge) region of the support substrate.
제 1 항에 있어서,
상기 태양전지 유닛은 직렬로 연결된 복수개의 태양전지 셀을 포함하는 태양전지 모듈.
The method of claim 1,
The solar cell unit is a solar cell module including a plurality of solar cells connected in series.
제 1 항에 있어서,
상기 태양전지 유닛은,
상기 지지기판 상에 배치되는 후면전극층;
상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 및
상기 광 흡수층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하는 태양전지 모듈.
The method of claim 1,
The solar cell unit,
A rear electrode layer disposed on the support substrate;
A light absorbing layer disposed on the back electrode layer; And
Solar cell module comprising a front electrode layer disposed on the light absorbing layer.
제 6 항에 있어서,
상기 제 1 다이오드는,
상기 지지기판 상에 배치된 제 1 접속전극;
상기 제 1 접속전극 상에 배치된 제 1 도전층; 및
상기 제 1 도전층 상에 배치된 제 2 도전층을 포함하는 태양전지 모듈.
The method according to claim 6,
The first diode,
A first connection electrode disposed on the support substrate;
A first conductive layer disposed on the first connection electrode; And
A solar cell module comprising a second conductive layer disposed on the first conductive layer.
제 7 항에 있어서,
상기 태양전지 유닛은 상기 후면전극층 및 상기 제 1 접속전극에 의하여 상기 제 1 다이오드와 병렬 연결되는 태양전지 모듈.
The method of claim 7, wherein
The solar cell unit is connected in parallel with the first diode by the back electrode layer and the first connection electrode.
제 6 항에 있어서,
상기 제 2 다이오드는,
상기 지지기판 상에 배치된 제 2 접속전극;
상기 제 2 접속전극 상에 배치된 제 1' 도전층; 및
상기 제 1' 도전층 상에 배치된 제 2' 도전층을 포함하는 태양전지 모듈.
The method according to claim 6,
The second diode,
A second connection electrode disposed on the support substrate;
A first 'conductive layer disposed on the second connection electrode; And
A solar cell module comprising a second 'conductive layer disposed on the first' conductive layer.
제 9 항에 있어서,
상기 제 2 접속전극과 상기 후면전극층은 집적 접촉하여 연결되는 것인 태양전지 모듈.
The method of claim 9,
The second connection electrode and the back electrode layer is a solar cell module that is connected in integral contact.
지지기판 상에 태양전지 유닛을 형성하는 단계;
상기 태양전지 유닛과 병렬 연결되는 제 1 다이오드를 형성하는 단계; 및
상기 태양전지 유닛과 직렬 연결되는 제 2 다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 모듈의 제조방법.
Forming a solar cell unit on a support substrate;
Forming a first diode connected in parallel with the solar cell unit; And
A method of manufacturing a solar cell module comprising the step of forming a second diode connected in series with the solar cell unit.
제 11 항에 있어서,
상기 태양전지 유닛을 형성하는 단계, 상기 제 1 다이오드를 형성하는 단계 및 상기 제 2 다이오드를 형성하는 단계는 동시에 수행되는 것인 태양전지 모듈의 제조방법.The method of claim 11,
Forming the solar cell unit, forming the first diode, and forming the second diode are performed simultaneously.
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