KR20130014302A - Apparatus and method for treating a substrate - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An apparatus for treating a substrate and a method thereof are provided to stably unload the substrate by removing static electricity generated between a supporting plate and the substrate. CONSTITUTION: A supporting plate supports a substrate and includes multiple holes. A supply line(320) supplies gas to the lower part of the substrate through the holes. An ionizer(340) is installed on the supply line and ionizes the gas supplied from the supply line. A vacuum pressure unit(400) generates vacuum pressure in the holes and then, a control unit(500) controls the ionizer and the vacuum pressure unit to supply the ionized gas to the holes.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 평판 표시 패널의 공정 처리를 수행하는 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to an apparatus for processing a flat panel display.

평판 표시 장치를 제조하기 위한 다양한 공정들 중 일부 공정은 평판 표시 패널(이하, '기판'이라고 한다.)이 석정반이라 불리는 지지판에 놓여진 상태에서 수행된다. 기판은 지지판에 형성된 승강홀들을 따라 승강하는 승강핀들에 의해 지지판에 로딩되거나, 지지판으로부터 언로딩된다.Some of the various processes for manufacturing a flat panel display device are performed with a flat panel display panel (hereinafter, referred to as a substrate) placed on a support plate called a stone plate. The substrate is loaded on or unloaded from the support plate by lifting pins that lift up and down along the lifting holes formed in the support plate.

기판에 대한 공정이 진행되는 동안, 기판과 지지판 간에는 정전기가 발생하며, 정전기는 기판과 지지판 간의 인력으로 작용한다. 정전기가 발생된 상태에서 승강핀이 강제적으로 기판을 언로딩하는 경우, 기판이 순간적으로 튀어오느는 파핑 현상이 발생한다. 파핑 현상은 기판 파손의 원인이 된다.During the process for the substrate, static electricity is generated between the substrate and the support plate, which acts as an attraction force between the substrate and the support plate. When the lift pins forcibly unload the substrate in a state where static electricity is generated, a popping phenomenon in which the substrate bounces instantaneously occurs. The popping phenomenon causes substrate breakage.

본 발명의 실시예들은 기판 파손을 예방할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.Embodiments of the present invention provide a substrate processing apparatus capable of preventing substrate breakage.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하며, 복수개의 홀들이 형성된 지지판; 상기 홀들을 통해 상기 기판의 저면으로 가스를 공급하는 공급 라인; 및 상기 공급 라인 상에 설치되며, 상기 공급 라인을 통해 공급되는 가스를 이온화시키는 이오나이저를 포함한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention supports a substrate and includes a support plate on which a plurality of holes are formed; A supply line supplying gas to the bottom surface of the substrate through the holes; And an ionizer installed on the supply line and ionizing a gas supplied through the supply line.

또한, 상기 홀들에 진공압을 인가하는 진공압 인가 유닛; 및 상기 홀들에 진공압의 인가가 종료된 후, 상기 홀들에 이온화된 가스가 공급되도록 상기 이오나이저와 상기 진공압 인가 유닛을 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.In addition, a vacuum pressure applying unit for applying a vacuum pressure to the holes; And after the application of the vacuum pressure to the holes is completed, the controller may control the ionizer and the vacuum pressure applying unit to supply the ionized gas to the holes.

또한, 상기 가스는 질소가스 또는 에어(Air)를 포함할 수 있다.In addition, the gas may include nitrogen gas or air.

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 지지판에 형성된 홀들에 진공압을 인가하여 기판을 상기 지지판에 흡착시키는 단계; 상기 기판이 상기 지지판에 흡착되는 동안, 상기 기판을 처리하는 단계; 및 상기 홀들에 상기 진공압의 인가를 종료하고, 상기 홀들을 통해 상기 기판의 저면으로 이온화 처리된 가스를 공급하는 단계를 포함한다.A substrate processing method according to an embodiment of the present invention comprises the steps of adsorbing a substrate to the support plate by applying a vacuum pressure to the holes formed in the support plate; Processing the substrate while the substrate is adsorbed onto the support plate; And terminating the application of the vacuum pressure to the holes, and supplying an ionized gas to the bottom surface of the substrate through the holes.

또한, 상기 진공압과 상기 이온화 처리된 가스는 동일한 공급 라인을 통해 상기 홀들에 제공될 수 있다.In addition, the vacuum pressure and the ionized gas may be provided to the holes through the same supply line.

또한, 상기 가스는 질소가스 또는 에어(Air)를 포함할 수 있다.In addition, the gas may include nitrogen gas or air.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판과 지지판 사이에 정전기가 제거된 상태에서 기판이 언로딩되므로, 기판이 안정적으로 언로딩될 수 있다.According to the embodiment of the present invention, since the substrate is unloaded in the state where the static electricity is removed between the substrate and the support plate, the substrate can be unloaded stably.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도이다.
도 3 내지 도 5는 공정 처리 과정을 순차적으로 나타내는 도면이다.1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along line A-A 'in Fig.
3 to 5 are views sequentially showing a process treatment process.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 방법을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
Hereinafter, a substrate processing apparatus and a method according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 사시도이고, 도 2는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도이다.1 is a perspective view illustrating a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 기판(P)에 대한 공정 처리를 수행한다. 기판(P)은 평판 디스플레이용 패널을 포함한다. 평판 디스플레이 패널은 박막 트랜지스터-액정 디스플레이(Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display, TFT-LCD)용 패널과, 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLED) 디스플레이용 패널을 포함할 수 있다.1 and 2, the substrate processing apparatus 10 performs a process treatment on the substrate P. FIG. The board | substrate P contains the panel for flat panel displays. The flat panel display panel may include a panel for a thin film transistor-liquid crystal display (TFT-LCD) and a panel for an organic light emitting diode (OLED) display.

기판 처리 장치(10)는 지지판(100), 리프팅 유닛(200), 가스 공급 유닛(300), 진공압 인가 유닛(400), 그리고 제어부(500)를 포함한다.The substrate processing apparatus 10 includes a support plate 100, a lifting unit 200, a gas supply unit 300, a vacuum pressure applying unit 400, and a controller 500.

지지판(100)은 기판(P)을 지지한다. 지지판(100)은 사각형상의 플레이트로 제공된다. 지지판(100)은 기판(P)에 상응하거나 기판(P)보다 큰 크기를 가진다. 기판(P)은 지지판(100)의 상면에 놓인다. The support plate 100 supports the substrate P. The support plate 100 is provided as a rectangular plate. The support plate 100 has a size corresponding to or larger than the substrate P. The substrate P is placed on the upper surface of the support plate 100.

지지판(100)에는 홀(110, 120)들이 형성된다. 홀(110, 120)들은 지지판(100)의 상면으로부터 저면으로 제공되는 관통홀로 제공된다. 홀(110, 120)들은 승강홀(110)들과 가스 공급홀(120)들을 포함한다.Holes 110 and 120 are formed in the support plate 100. The holes 110 and 120 are provided as through holes provided from the top surface of the support plate 100 to the bottom surface. The holes 110 and 120 include lifting holes 110 and gas supply holes 120.

승강홀(110)들 각각에는 리프트 핀(200)이 위치한다. 승강홀(110)은 리프트 핀(200)이 상하방향으로 승강하는 통로를 제공한다. 가스 공급홀(120)들은 지지판(100)의 각 영역에 균일하게 형성된다.Lift pins 200 are positioned in each of the lifting holes 110. The lifting hole 110 provides a passage through which the lift pin 200 moves up and down. The gas supply holes 120 are uniformly formed in each area of the support plate 100.

리프팅 유닛(200)은 기판(P)을 지지판(100)의 상면에 로딩시키커나, 지지판(100)의 상면으로부터 언로딩시킨다. 리트팅 유닛(200)은 리프트 핀(200), 승강 플레이트(미도시), 그리고 구동부(미도시)를 포함한다. The lifting unit 200 causes the substrate P to be loaded on the upper surface of the support plate 100, or unloaded from the upper surface of the support plate 100. The lifting unit 200 includes a lift pin 200, a lifting plate (not shown), and a driving unit (not shown).

리프트 핀(200)은 핀 형상으로 제공되며, 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 리프트 핀(200)은 승강홀(110)들 내에 각각 삽입된다. 리프트 핀(200)들의 하부에는 승강 플레이트가 제공된다. 리프트 핀(200)들은 하단부가 승강 플레이트에 고정 설치된다. 구동부는 승강 플레이트를 상하방향으로 이동시킨다. 승깅 플레이트의 이동에 의해 리프트 핀(200)들이 승강홀(110)들을 따라 상하방향으로 이동한다.Lift pin 200 is provided in a pin shape, the longitudinal direction is arranged parallel to the vertical direction. The lift pins 200 are inserted into the lifting holes 110, respectively. A lifting plate is provided below the lift pins 200. The lift pins 200 are fixedly installed at the lower end of the lifting plate. The driving unit moves the lifting plate in the vertical direction. The lift pins 200 move up and down along the lifting holes 110 by the moving of the lifting plate.

가스 공급 유닛(300)은 가스 공급홀(120)들 각각에 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(310), 공급 라인(320), 제1밸브(330) 그리고 이오나이저(ionizer, 340)를 포함한다.The gas supply unit 300 supplies gas to each of the gas supply holes 120. The gas supply unit 300 includes a gas storage unit 310, a supply line 320, a first valve 330, and an ionizer 340.

가스 저장부는 가스를 저장한다. 가스는 에어(Air) 또는 질소(N2)를 포함한다. 공급 라인(320)은 가스 저장부(310)와 가스 공급홀(120)들을 연결한다. 공급 라인(320)은 가스 저장부(310)에 저장된 가스가 가스 공급홀(120)들에 공급되는 통로를 제공한다. 공급 라인(320)은 메인 라인(321)과 보조라인(322)을 포함한다. 메인 라인(321)은 일단이 가스 저장부(310)와 연결되고, 타단이 복수개로 분기된다. 보조 라인(322)들은 복수개 제공되며, 메인 라인(321)의 분기된 타단과 각각 연결된다. 보조 라인(322)들은 메인 라인(321)과 가스 공급홀(120)들 각각을 연결한다.The gas reservoir stores the gas. The gas includes air or nitrogen (N 2 ). The supply line 320 connects the gas storage unit 310 and the gas supply holes 120. The supply line 320 provides a passage through which gas stored in the gas storage 310 is supplied to the gas supply holes 120. The supply line 320 includes a main line 321 and an auxiliary line 322. One end of the main line 321 is connected to the gas storage unit 310, and the other end thereof is branched into a plurality of ends. The auxiliary lines 322 are provided in plural and are connected to the other branched ends of the main line 321, respectively. The auxiliary lines 322 connect the main line 321 and the gas supply holes 120, respectively.

제1밸브(330)는 공급 라인(320)에 설치된다. 제1밸브(330)는 메인 라인(321)에 설치될 수 있다. 제1밸브(330)는 메인 라인(321)의 개방 정도를 조절하여 공급되는 가스의 유량을 조절한다.The first valve 330 is installed in the supply line 320. The first valve 330 may be installed on the main line 321. The first valve 330 controls the flow rate of the gas supplied by adjusting the opening degree of the main line 321.

이오나이저(340)는 공급 라인(320)에 설치된다. 이오나이저(340)는 가스 저장부(310)와 제1밸브(330) 사이 구간에서 메인 라인(321)에 설치될 수 있다. 이오나이저(340)는 메인 라인(321)을 통해 이송되는 가스에 전압을 인가하여 가스를 이온화시킨다. Ionizer 340 is installed in supply line 320. The ionizer 340 may be installed on the main line 321 in the section between the gas storage unit 310 and the first valve 330. The ionizer 340 ionizes the gas by applying a voltage to the gas transferred through the main line 321.

진공압 인가 유닛(400)은 가스 공급홀(120)들에 진공압을 인가한다. 진공압 인가 유닛(400)은 진공 라인(410), 진공 펌프(420), 그리고 제2밸브(430)를 포함한다. 진공 라인(410)은 메인 라인(321)과 연결된다. 진공 라인(410)은 제2밸브(430)와 보조 라인(322)들 사이 구간에서 메인 라인(410)에 연결될 수 있다. 진공 펌프(420)는 진공 라인(410)에 설치되며, 진공압을 형성한다. 제2밸브(430)는 메인 라인(321)과 진공 펌프(420) 사이 구간에서 진공 라인(420)에 설치된다. 제2밸브(430)는 진공 라인(410)의 개방 정도를 조절하여 인가되는 진공압의 세기를 조절한다. 진공압은 진공 라인(410), 메인 라인(321), 그리고 보조 라인(322)들을 순차적으로 거쳐 가스 공급홀(120)들에 인가된다. 가스 공급홀(120)들에 인가된 진공압은 기판(P)을 흡착하여 지지판(100)의 상면에 기판(P)을 고정시킨다.The vacuum applying unit 400 applies a vacuum pressure to the gas supply holes 120. The vacuum pressure applying unit 400 includes a vacuum line 410, a vacuum pump 420, and a second valve 430. The vacuum line 410 is connected to the main line 321. The vacuum line 410 may be connected to the main line 410 in a section between the second valve 430 and the auxiliary line 322. The vacuum pump 420 is installed in the vacuum line 410 and forms a vacuum pressure. The second valve 430 is installed in the vacuum line 420 in the section between the main line 321 and the vacuum pump 420. The second valve 430 controls the intensity of the vacuum pressure applied by adjusting the opening degree of the vacuum line 410. The vacuum pressure is sequentially applied to the gas supply holes 120 through the vacuum line 410, the main line 321, and the auxiliary line 322. The vacuum pressure applied to the gas supply holes 120 adsorbs the substrate P to fix the substrate P on the upper surface of the support plate 100.

제어부(500)는 가스 공급 유닛(300)과 진공압 인가 유닛(400)을 제어한다. 제어부(500)는 가스 공급홀(120)들에 진공압의 인가가 종료된 후, 이온화 처리된 가스가 가스 공급홀(120)들에 제공되도록 가스 공급 유닛(300)과 진공압 인가 유닛(400)을 제어한다. 제어부(500)는 가스 공급 유닛(300)과 진공압 인가 유닛(400)의 각 구성을 개별적으로 자동 조절할 수 있다. 제어부(500)는 제1밸브(330)를 닫고, 제2밸브(430)를 개방하여 기판(P)을 지지판(100)에 고정시킨다. 기판(P) 처리가 진행되는 동안 제어부(500)는 상술한 밸브(330, 430) 제어를 유지한다. 기판(P) 처리가 완료되면, 제어부(500)는 제2밸브(430)를 닫아 가스 공급홀(120)들에 진공압의 인가를 차단한다. 이와 동시에, 제1밸브(330)를 개방하고, 이오나이저(340)를 구동하여 이온화된 가스를 가스 공급홀(120)들에 공급한다.
The controller 500 controls the gas supply unit 300 and the vacuum pressure applying unit 400. After the application of the vacuum pressure to the gas supply holes 120 is completed, the control unit 500 supplies the gas supply unit 300 and the vacuum pressure applying unit 400 so that the ionized gas is provided to the gas supply holes 120. ). The controller 500 may automatically adjust the respective components of the gas supply unit 300 and the vacuum pressure applying unit 400 individually. The controller 500 closes the first valve 330 and opens the second valve 430 to fix the substrate P to the support plate 100. The controller 500 maintains the above-described control of the valves 330 and 430 while the substrate P is being processed. When the substrate P processing is completed, the controller 500 closes the second valve 430 to block the application of vacuum pressure to the gas supply holes 120. At the same time, the first valve 330 is opened and the ionizer 340 is driven to supply ionized gas to the gas supply holes 120.

상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명한다.The method of processing a substrate using the substrate processing apparatus mentioned above is demonstrated.

도 3과 같이, 기판(P)은 지지판의 상면에 놓여 공정 처리에 제공된다. 제어부(500)는 제1밸브(330)를 닫고, 진공 펌프(420)를 구동하고, 제2밸브(430)를 개방하여 가스 공급홀(120)들에 진공압을 인가한다. 진공압은 기판(P)을 흡착하여 지지판(100)에 기판(P)을 고정한다. 기판(P)이 지지판(100)에 고정된 상태에서 기판(P) 처리 공정이 수행된다. As shown in Fig. 3, the substrate P is placed on the upper surface of the support plate and provided to the process. The controller 500 closes the first valve 330, drives the vacuum pump 420, and opens the second valve 430 to apply vacuum pressure to the gas supply holes 120. The vacuum pressure adsorbs the substrate P to fix the substrate P to the support plate 100. The substrate P treatment process is performed while the substrate P is fixed to the support plate 100.

기판(P) 처리가 완료되면, 도 4와 같이, 제어부(500)는 제2밸브(330)를 닫고 진공 펌프(340)의 구동을 멈춘다. 이와 동시에 제1밸브(230)를 개방하고, 이오나이저(240)를 구동한다. 가스 저장부(220)에 저장된 가스는 메인 라인(321)을 따라 이동하는 동안, 이오나이저(340)에서 인가된 전압에 의해 이온화 처리된다. 이온화 처리된 가스는 메인 라인(321), 보조 라인(322)들, 그리고 가스 공급홀(120)들을 순차적으로 거쳐 기판(P) 저면으로 공급된다. 가스는 일정 시간 동안 기판(P) 저면으로 공급된다. When the substrate P processing is completed, as shown in FIG. 4, the controller 500 closes the second valve 330 and stops driving the vacuum pump 340. At the same time, the first valve 230 is opened and the ionizer 240 is driven. The gas stored in the gas reservoir 220 is ionized by the voltage applied by the ionizer 340 while moving along the main line 321. The ionized gas is sequentially supplied to the bottom surface of the substrate P through the main line 321, the auxiliary lines 322, and the gas supply holes 120. The gas is supplied to the bottom surface of the substrate P for a predetermined time.

가스가 일정 시간 동안 공급되며, 제어부(500)는 제1밸브(330)를 차단하고, 이오나이저(340) 구동을 멈춘다. 도 5와 같이, 리프트 핀(200)들은 승강 홀(110)들을 따라 상승하여, 지지판(100)으로부터 기판(P)을 언로딩한다.The gas is supplied for a predetermined time, and the controller 500 blocks the first valve 330 and stops the ionizer 340 from driving. As shown in FIG. 5, the lift pins 200 rise along the lifting holes 110 to unload the substrate P from the support plate 100.

기판(P)에 대한 공정 처리가 진행되는 동안, 기판(P)과 지지판(100)에는 정전기가 발생한다. 정전기는 기판(P)과 지지판(100) 간에 인력을 발생시킨다. 정전기가 잔류하는 상태에서 리프트 핀(200)들이 기판(P)을 언로딩하는 경우, 기판(P)이 지지판(100)으로부터 튀어오르는 파핑(poping) 현상이 발생할 수 있다. 그리고, 리프트 핀(200)들이 강제로 기판(P)을 언로딩하는 경우, 기판(P)이 파손될 수 있다.While the process of the substrate P is in progress, static electricity is generated in the substrate P and the support plate 100. Static electricity generates attraction between the substrate P and the support plate 100. When the lift pins 200 unload the substrate P in a state where static electricity remains, a popping phenomenon may occur in which the substrate P bounces off the support plate 100. In addition, when the lift pins 200 forcibly unload the substrate P, the substrate P may be damaged.

이온화 처리된 가스의 공급은 기판(P)과 지지판(100)에 발생된 정전기를 제거한다. 가스에 함유된 이온들과 기판(P)과 지지판(100)에 머무르는 전하 및 전자가 결합되어 중화됨으로써, 정전기가 제거된다. 정전기가 제거되고, 공급된 가스에 의해 기판(P)이 지지판(100)의 상면으로부터 떨어진 상태에서 리프트 핀(200)이 기판(P)을 언로딩하므로, 상술한 파핑 현상 발생 및 기판(P) 파손이 예방될 수 있다.
The supply of the ionized gas removes static electricity generated in the substrate P and the support plate 100. The ions contained in the gas and the charges and electrons remaining in the substrate P and the support plate 100 are combined and neutralized to remove static electricity. As the lift pin 200 unloads the substrate P in a state where the static electricity is removed and the substrate P is separated from the upper surface of the support plate 100 by the supplied gas, the above-mentioned popping phenomenon occurs and the substrate P is generated. Breakage can be prevented.

상기 실시예에서는 지지판(100)이 진공압에 의해 기판(P)을 흡착하는 것으로 설명하였으나, 이와 달리 지지판(100)은 정전기에 의해 기판(P)을 고정할 수 있다. In the above embodiment, the support plate 100 has been described as adsorbing the substrate P by vacuum pressure. However, the support plate 100 may fix the substrate P by static electricity.

또한, 상술한 실시예에서는 기판(P)이 평판 디스플레이 패널이라고 설명하였으나, 기판(P)은 이에 한정되지 않으며 반도체 제조 공정에 제공되는 웨이퍼를 포함할 수 있다.
In addition, in the above-described embodiment, the substrate P is described as a flat panel display panel, but the substrate P is not limited thereto and may include a wafer provided in a semiconductor manufacturing process.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100: 지지판 200: 리프팅 유닛
300: 가스 공급 유닛 310: 가스 저장부
320: 공급 라인 340: 이오나이저
400: 진공압 인가 유닛 500: 제어부100: support plate 200: lifting unit
300: gas supply unit 310: gas storage unit
320: supply line 340: ionizer
400: vacuum application unit 500: control unit

Claims (6)

기판을 지지하며, 복수개의 홀들이 형성된 지지판;
상기 홀들을 통해 상기 기판의 저면으로 가스를 공급하는 공급 라인; 및
상기 공급 라인 상에 설치되며, 상기 공급 라인을 통해 공급되는 가스를 이온화시키는 이오나이저를 포함하는 기판 처리 장치.A support plate supporting the substrate and having a plurality of holes formed therein;
A supply line supplying gas to the bottom surface of the substrate through the holes; And
And an ionizer installed on the supply line and ionizing a gas supplied through the supply line. 제 1 항에 있어서,
상기 홀들에 진공압을 인가하는 진공압 인가 유닛; 및
상기 홀들에 진공압의 인가가 종료된 후, 상기 홀들에 이온화된 가스가 공급되도록 상기 이오나이저와 상기 진공압 인가 유닛을 제어하는 제어부를 더 포함하는 기판 처리 장치.The method of claim 1,
A vacuum pressure applying unit which applies a vacuum pressure to the holes; And
And a controller configured to control the ionizer and the vacuum pressure applying unit to supply the ionized gas to the holes after the application of the vacuum pressure to the holes is completed. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 가스는 질소가스 또는 에어(Air)를 포함하는 기판 처리 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The gas is substrate processing apparatus comprising nitrogen gas or air (Air). 지지판에 형성된 홀들에 진공압을 인가하여 기판을 상기 지지판에 흡착시키는 단계;
상기 기판이 상기 지지판에 흡착되는 동안, 상기 기판을 처리하는 단계; 및
상기 홀들에 상기 진공압의 인가를 종료하고, 상기 홀들을 통해 상기 기판의 저면으로 이온화 처리된 가스를 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.Adsorbing a substrate to the support plate by applying vacuum pressure to holes formed in the support plate;
Processing the substrate while the substrate is adsorbed onto the support plate; And
Terminating the application of the vacuum pressure to the holes, and supplying an ionized gas to the bottom surface of the substrate through the holes. 제 4 항에 있어서,
상기 진공압과 상기 이온화 처리된 가스는 동일한 공급 라인을 통해 상기 홀들에 제공되는 기판 처리 방법.The method of claim 4, wherein
And the vacuum pressure and the ionized gas are provided to the holes through the same supply line. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 가스는 질소가스 또는 에어(Air)를 포함하는 기판 처리 방법.The method according to claim 4 or 5,
The gas comprises a nitrogen gas or air (Air) substrate processing method.
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