KR100964619B1 - Lift pin and apparatus for lifting the same - Google Patents

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Abstract

열의 누설 없이 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 리프트 핀 및 이를 포함하는 리프팅 장치가 개시되어 있다. 리프트 핀의 헤드부는 기판을 지지하는 스테이지를 수직 관통하는 관통홀들 내에 각각 구비되어, 기판을 흡착 지지하다. 헤드부에는 기판의 온도를 측정하는 센서가 포함되어 있다. 리프트 핀의 로드부는 헤드부의 하단에 형성되어, 기판을 로딩 및 언로딩하기 위해 헤드부를 지지하며, 센서의 측정 온도에 응답하여 헤드부에 열을 제공하는 히터를 포함한다. 상술한 구성을 갖는 리프트 핀은 가열된 기판의 로딩 및 언로딩 공정시 기판의 열의 누설 없이 기판을 지지할 수 있다.A lift pin and a lifting device including the same for loading and unloading a substrate without leakage of heat are disclosed. The head portion of the lift pin is provided in each of the through holes vertically penetrating the stage for supporting the substrate, thereby adsorbing and supporting the substrate. The head portion includes a sensor for measuring the temperature of the substrate. The rod portion of the lift pin is formed at the bottom of the head portion to support the head portion for loading and unloading the substrate, and includes a heater that provides heat to the head portion in response to the measured temperature of the sensor. The lift pin having the above-described configuration may support the substrate without leakage of heat of the substrate during the loading and unloading process of the heated substrate.

Description

리프트 핀, 이를 포함하는 리프팅 장치{LIFT PIN AND APPARATUS FOR LIFTING THE SAME}LIFT PIN AND APPARATUS FOR LIFTING THE SAME}

도 1은 종래의 리프트 핀들을 갖는 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram illustrating a conventional substrate processing apparatus having lift pins.

도 2는 본 발명의 리프트 핀을 설명하기 위한 구성도이다.2 is a configuration diagram illustrating the lift pin of the present invention.

도 3은 본 발명의 리프트 핀을 포함하는 리프팅 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.3 is a schematic diagram illustrating a lifting apparatus including a lift pin of the present invention.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 베이킹 장치를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining a baking apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착 장치를 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining a deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 리프트 핀 110 : 헤드부100: lift pin 110: head portion

112 : 센서 120 : 로드부112 sensor 120 rod part

122 ：히터 124 : 유로122: Heater 124: Euro

150 : 스테이지 160 : 리프트 홀150: stage 160: lift hall

190 : 구동부190: drive unit

170 : 구동 플레이트170: drive plate

본 발명은 리프트 핀 및 이를 포함하는 리프팅 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판을 가공하기 위한 장치의 챔버 내부에서 기판을 로딩 및 언로딩시 하기 위한 리프트 핀 및 이를 포함하는 리프팅 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a lift pin and a lifting device comprising the same. More specifically, it relates to a lift pin for lifting and unloading a substrate in a chamber of an apparatus for processing a substrate and a lifting device comprising the same.

최근 정보 매체의 급속한 보급에 따른 정보화 사회에서 전자 디스플레이 장치(electronic display device) 및 반도체 장치의 역할은 갈수록 중요해지며, 각종 전자 디스플레이 장치가 다양한 산업 분야에 광범위하게 사용되고 있다.Recently, the role of electronic display devices and semiconductor devices in an information society according to the rapid spread of information media becomes more important, and various electronic display devices are widely used in various industrial fields.

현재 디스플레이 장치 중에서 액정표시장치는 두 장의 기판에 각각 전극이 형성되어 있고 각 전극에 인가되는 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)를 구비하는 장치이며, 상기 박막 트랜지스터는 두 장의 기판 중 하나에 형성되는 것이 일반적이다. 상기 박막 트랜지스터를 이용하는 액정표시장치는 노트북 PC에서 모니터 및 중소형 제품까지 그 영역이 확대되고 있다. 상기 박막 트랜지스터가 형성된 기판 및 반도체 장치는 기판 상에 소정의 막을 형성하고, 상기 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다.Among the display devices, a liquid crystal display device includes a thin film transistor (TFT) that has electrodes formed on two substrates and switches a voltage applied to each electrode, and the thin film transistor is one of two substrates. It is common to be formed in one. Liquid crystal display devices using the thin film transistors are expanding their range from notebook PCs to monitors and small and medium products. The substrate and semiconductor device in which the thin film transistor is formed are manufactured by forming a predetermined film on the substrate and forming the film in a pattern having electrical characteristics.

상기 패턴은 화학 기상 증착, 스퍼터링, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 화학적 기계적 연마(CMP) 등과 같은 단위 공정들의 순차적 또는 반복적인 수행에 의해 형성된다. 상기와 같은 단위 공정들에서는 기판을 지지하고, 고정시키는 플레이트가 사용된다. The pattern is formed by sequential or repeated performance of unit processes such as chemical vapor deposition, sputtering, photolithography, etching, ion implantation, chemical mechanical polishing (CMP), and the like. In such unit processes, a plate for supporting and fixing a substrate is used.                         

최근, 장치의 미세화 및 대용량화를 요구하는 LCD 및 반도체 가공 기술에서는 매엽식 가공 공정 및 건식 가공 공정이 선호됨에 따라 가공하고자 하는 기판을 고정하는 방법도 크게 변하고 있다. 부언하면, 종래의 경우 단순히 클램프 또는 진공을 이용하여 기판을 고정하는 정도 이였다. 그러나, 최근에는 기판을 정전기력을 이용하여 고정시킴과 동시에 기판의 온도를 일정하게 유지하기 위한 온도 조절 가스를 제공하는 정전척(electrostatic chuck ; ESC)이 주로 사용되고 있다. 상기 정전척의 사용 범위는 화학 기상 증착, 식각, 스퍼터링, 이온 주입 공정 등과 같이 전반적인 LCD 기판 가공 공정으로 확대되고 있다.Recently, in the LCD and semiconductor processing technologies requiring miniaturization and large capacity of the device, the method of fixing the substrate to be processed is greatly changed as the sheet processing and the dry processing are preferred. In other words, in the conventional case, the substrate was simply fixed by using a clamp or a vacuum. Recently, however, electrostatic chucks (ESCs), which fix a substrate by using electrostatic force and provide a temperature control gas for maintaining a constant temperature of the substrate, are mainly used. The use range of the electrostatic chuck has been extended to the overall LCD substrate processing process such as chemical vapor deposition, etching, sputtering, ion implantation process and the like.

상기 척의 일 예로서, 미합중국 특허 제6,134,096(issued Yamada et al)에는 정전기력을 이용하여 웨이퍼를 흡착시키기 위한 절연층, 전극층, 유전층으로 이루어진 정전척이 개시되어 있다.As an example of the chuck, US Pat. No. 6,134,096 (issued Yamada et al) discloses an electrostatic chuck consisting of an insulating layer, an electrode layer and a dielectric layer for adsorbing a wafer using electrostatic force.

상기와 같은 척이 사용되는 판 가공 장치의 경우, 상기 척에는 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 리프트 핀이 설치된다. 상기 리프트 핀에 대한 일 예로서, 미합중국 특허 제5,848,670호(issued to Salzman)에는 부싱과 가이드 핀에 의해 안내되는 기판의 로딩 또는 언로딩을 위한 리프트 핀이 개시되어 있으며, 미합중국 특허 제6,190,113호(issued to Bui, et al.)에는 서셉터에 장착되는 리프트 핀이 개시되어 있다.In the case of a plate processing apparatus using the chuck as described above, the chuck is provided with a lift pin for loading and unloading a substrate. As an example of the lift pin, US Patent No. 5,848,670 issued to Salzman discloses a lift pin for loading or unloading a substrate guided by a bushing and a guide pin, issued US Patent No. 6,190,113. to Bui, et al., disclose lift pins mounted to susceptors.

도 1은 종래의 리프트 핀들을 갖는 기판 가공 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram illustrating a conventional substrate processing apparatus having lift pins.

도 1을 참조하면, 도시된 기판 가공 장치(60)는 기판(W)의 가공 공정이 수행 되는 챔버(10)와, 챔버(10) 내부에 구비되며 기판(W)을 지지하기 위한 스테이지(20)와, 스테이지(20)를 지지하기 위한 지지부재(22)와 기판에 열을 제공하는 열 제공부(40)를 구비한다. 또한, 기판(W)을 스테이지(20) 상에 안착시키고, 스테이지(20)로부터 기판(W)을 분리시키기 위한 다수의 리프트 핀(30)들이 스테이지(20)와 지지부재(22)를 관통하여 설치된다. 다수의 리프트 핀(30)들은 지지부재(22)의 하부에서 구동부재(50)와 연결되며, 구동부재(50)는 리프트 핀(30)들을 상하 구동시킨다. 즉, 리프트 핀(30)들은 구동부재(50)에 의해 스테이지(20)의 상부면을 기준으로 상하 이동되며, 이에 따라 기판(W)을 로딩 및 언로딩된다.Referring to FIG. 1, the illustrated substrate processing apparatus 60 includes a chamber 10 in which a processing process of the substrate W is performed, and a stage 20 provided in the chamber 10 and supporting the substrate W. And a support member 22 for supporting the stage 20 and a heat providing unit 40 for providing heat to the substrate. In addition, a plurality of lift pins 30 for mounting the substrate W on the stage 20 and separating the substrate W from the stage 20 penetrate the stage 20 and the support member 22. Is installed. The plurality of lift pins 30 are connected to the driving member 50 under the support member 22, and the driving member 50 drives the lift pins 30 up and down. That is, the lift pins 30 are moved up and down with respect to the upper surface of the stage 20 by the driving member 50, thereby loading and unloading the substrate W.

상기와 같이 구동하는 기판 가공 장치(60) 내에서 기판(W)을 열처리한 후 열처리된 기판(W)을 다른 공정 챔버로 이송할 경우, 상기 기판의 저면을 흡착 지지하는 다수개의 리프트 핀(30)으로 기판(W)의 열이 누설되는 문제점이 발생한다. When the substrate W is heat-treated in the substrate processing apparatus 60 to be driven as described above and then transferred to the other process chambers, the plurality of lift pins 30 suction-support the bottom surface of the substrate. ) Leaks heat of the substrate W.

또한, 상기 기판의 열이 다수개의 리프트 핀(120)을 통해 누설되는 경우, 기판(W)의 온도의 균일도가 낮아짐으로 인해 기판의 불균일한 공정 산포를 초래한다. 즉, 기판(W)에 각종 특성의 열화 및 얼룩을 유발하여 형성하고자 하는 LCD 디스플레이 장치의 표시품위를 저하시키는 문제점을 초래한다. In addition, when the heat of the substrate leaks through the plurality of lift pins 120, the uniformity of the temperature of the substrate W is lowered, resulting in uneven process dispersion of the substrate. That is, the display W of the LCD display device to be formed is deteriorated by causing degradation and unevenness of various characteristics on the substrate W.

따라서, 본 발명의 제1 목적은 열 처리된 기판의 언 로딩 공정시 기판의 열 손실로 인한 기판의 공정 결함을 방지하기 위하여 스테이지 상면에 놓여진 기판을 열 손실 없이 언 로딩시키기 위한 리프트 핀을 제공하는데 있다.Accordingly, a first object of the present invention is to provide a lift pin for unloading a substrate placed on an upper surface of a stage without heat loss in order to prevent a process defect of the substrate due to heat loss of the substrate during an unloading process of the heat treated substrate. have.

본 발명의 제2 목적은 상기 리프트 핀을 포함하는 기판 리프팅 장치를 제공 하는데 있다.It is a second object of the present invention to provide a substrate lifting device including the lift pin.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명은,The present invention for achieving the first object,

기판을 지지하는 스테이지를 수직 관통하는 관통홀들 내에 각각 구비되어, 상기 기판을 흡착 지지하는 헤드부; 상기 기판의 온도를 측정하는 센서; 상기 헤드부의 하단에 형성되어, 상기 기판을 로딩 및 언로딩하는 로드부; 및 상기 로드부에 포함되어, 상기 센서의 측정 온도에 응답하여 상기 헤드부에 열을 제공하는 히터를 포함하는 리프트 핀. 리프트 핀을 제공하는데 있다.A head portion provided in each of the through holes vertically passing through the stage for supporting the substrate, the head portion adsorbing and supporting the substrate; A sensor for measuring a temperature of the substrate; A rod part formed at a lower end of the head part to load and unload the substrate; And a heater included in the rod unit and configured to provide heat to the head unit in response to the measured temperature of the sensor. To provide a lift pin.

상기 제2 목적을 달성하기 위한 본 발명은,The present invention for achieving the second object,

기판을 지지하는 스테이지를 수직 관통하는 관통홀들 내에 각각 구비되어, 상기 기판을 흡착 지지하며, 상기 기판의 온도를 측정하는 헤드부와, 상기 헤드부의 하단에 형성되어, 상기 기판을 로딩 및 언로딩하기 위해 헤드부를 지지하는 로드부와, 상기 로드부에 포함되어, 상기 센서의 측정 온도에 응답하여 상기 헤드부에 열을 제공하는 히터를 포함하는 리프트 핀들; 상기 스테이지 하부에 구비되어 상기 리프트 핀들과 연결된 구동 플레이트; 및 상기 구동 플레이트를 상하 구동시켜 상기 스테이지 상에 지지되어 있는 기판을 언로딩시키는 구동부를 포함하는 리프팅 장치를 제공하는데 있다.It is provided in each of the through holes vertically through the stage for supporting the substrate, the head portion for adsorbing and supporting the substrate, and measuring the temperature of the substrate, and formed on the lower end of the head portion, loading and unloading the substrate Lift pins including a rod portion for supporting a head portion and a heater included in the rod portion to provide heat to the head portion in response to a measurement temperature of the sensor; A driving plate provided below the stage and connected to the lift pins; And a driving unit which drives the driving plate up and down to unload a substrate supported on the stage.

따라서, 상술한 바와 같은 구성을 갖는 리프트 핀은 상기 기판과 동일한 온도를 유지할 수 있도록 상기 리프트 핀의 헤드에 소정의 열이 제공된다. 이로 인해, 기판의 저면을 지지하고 있는 다수개의 리프트 핀의 온도와 기판의 온도가 동 일하게 유지될 수 있기 때문에 기판의 공정 산포가 발생되지 않아 기판의 특성 열화 및 얼룩을 유발을 효과적으로 억제할 수 있다.Therefore, the lift pin having the configuration as described above is provided with a predetermined heat to the head of the lift pin to maintain the same temperature as the substrate. As a result, the temperature of the plurality of lift pins supporting the bottom of the substrate and the temperature of the substrate can be maintained at the same, so that process dispersion of the substrate does not occur, thereby effectively suppressing deterioration of characteristics of the substrate and inducing stains. have.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 리프트 핀을 설명하기 위한 개략적인 구성도이고, 도 3은 본 발명의 리프트 핀을 포함하는 리프팅 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.2 is a schematic configuration diagram for explaining a lift pin of the present invention, Figure 3 is a schematic configuration diagram for explaining a lifting device including a lift pin of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 리프트 핀(100)은 크게 헤드부(110)와 로드부(120)로 이루어져 있다. 헤드부(110)는 상부가 개방된 구조인 요철형상(凹)을 갖고, 스테이지 상면에 안착된 기판(도시하지 않음)을 스테이지(150) 상면으로부터 로딩시킬 경우 상기 기판의 저면을 흡착 지지하여 상기 기판이 떨어져 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다.2 and 3, the lift pin 100 of the present invention is largely composed of the head portion 110 and the rod portion 120. The head part 110 has an uneven shape having an open top structure, and when a substrate (not shown) mounted on an upper surface of the stage is loaded from an upper surface of the stage 150, the head 110 is adsorbed and supported. It serves to prevent the substrate from falling off and being damaged.

헤드부(110)는 기판을 지지하고 있는 스테이지(150)를 수직 관통하는 리프트 홀(160)들 내에 각각 구비되어 있다가 기판의 로딩 작업이 수행될 경우 상기 리프트 홀(160)들을 따라 스테이지(150) 상으로 돌출 되도록 구동된다. 또한, 헤드부(110)의 내부에는 상기 기판의 온도를 항상 센싱(측정)하여 제어부(도시하지 않음)로 보내는 센서(112)를 포함하고 있다. 본 발병에서는 적외선을 측정하는 광 센서(112)를 사용하는 것이 바람직하다.The head part 110 is provided in the lift holes 160 vertically penetrating the stage 150 supporting the substrate, and the stage 150 is arranged along the lift holes 160 when the substrate loading operation is performed. ) Is driven to protrude upward. In addition, the head unit 110 includes a sensor 112 that always senses (measures) the temperature of the substrate and sends the same to a controller (not shown). It is preferable to use the optical sensor 112 which measures infrared rays in this case.

상기 리프트 핀의 로드부(120)는 헤드부(110)의 하단에 위치하여 헤드부(110)와 일체형으로 체결된 구조를 갖고, 구동부(190)로부터 제공되는 운동 에너지를 전달받아 상기 기판을 로딩 및 언로딩시킬 수 있도록 헤드부(110)를 수직왕복 시킨다. 로드부(120)는 스테이지(150)를 수직 관통하는 리프트 홀(160)들 내에 각각 구비되어 있다가 기판의 로딩 작업이 수행될 경우 리프트 홀(160)들을 따라 스테이지(150) 상으로 일부가 돌출된다.  The rod part 120 of the lift pin is positioned at the lower end of the head part 110 to be integrally fastened with the head part 110, and receives the kinetic energy provided from the driving part 190 to load the substrate. And vertically reciprocating the head portion 110 to be unloaded. The rod part 120 is provided in each of the lift holes 160 vertically penetrating the stage 150, and a part of the rod part 120 protrudes onto the stage 150 along the lift holes 160 when the substrate loading operation is performed. do.

그리고, 로드부(120)의 내부에는 헤드부(110)가 기판의 저면을 흡착 지지할 경우 상기 기판의 열이 헤드부(110)로 누설되는 것을 방지할 수 있도록 상기 헤드부(110)에 열을 제공하는 히터(122)를 더 포함하고 있다. 즉, 히터(122)는 전기의 저항에 의해 가열되는 열선으로서 헤드부(110)를 가열된 기판과 동일한 온도를 갖도록 열을 제공하는 역할을 수행한다. 또한, 로드부(120)의 내부에는 헤드부(110)로 전달되는 열을 보다 효과적으로 전할 수 있도록 히터(122)를 둘러싸는 유로(124)가 형성되어 있다.In addition, when the head part 110 adsorbs and supports the bottom surface of the substrate, the rod part 120 has heat in the head part 110 so as to prevent the heat of the substrate from leaking to the head part 110. It further includes a heater 122 to provide. That is, the heater 122 serves to provide heat such that the head portion 110 has the same temperature as the heated substrate as a heating wire heated by electric resistance. In addition, a flow path 124 surrounding the heater 122 is formed in the rod part 120 to more effectively transfer the heat transferred to the head part 110.

상술한 구성을 갖는 리프트 핀(100)들은 스테이지(150)의 하측 부위에 구비되는 구동부(190)에 연결되어 있으며, 구동부(190)는 리프트 핀(100)들에 연결되는 구동 플레이트(170)를 포함한다. 즉, 리프트 핀(100)들은 구동 플레이트(170)의 상부면에 고정되며, 구동부(190)로부터 운동에너지를 전달받아 수직으로 상하 구동함으로서 리프트 핀(100)을 상하로 구동시킨다. The lift pins 100 having the above-described configuration are connected to the driving unit 190 provided at the lower portion of the stage 150, and the driving unit 190 connects the driving plate 170 connected to the lift pins 100. Include. That is, the lift pins 100 are fixed to the upper surface of the driving plate 170, and drive the lift pins 100 up and down by vertically driving the kinetic energy from the driving unit 190.

여기서 도시하지 않았지만, 상기 기판은 포토레지스트가 도포된 유리기판 이다.Although not shown here, the substrate is a glass substrate coated with a photoresist.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 베이킹 장치를 설명하기 위한 도면으로, 특히 기판의 언로딩 공정시 기판의 열 누설을 방지할 수 있는 베이킹 장치를 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining a baking apparatus according to a first embodiment of the present invention, in particular, a view for explaining a baking apparatus that can prevent the heat leakage of the substrate during the unloading process of the substrate.

도 4에 도시된 바와 같이, 베이킹 장치(200)는 기판의 열처리 공정이 수행되는 챔버(210)와, 챔버(210) 내부에 구비되며 기판을 지지하기 위한 스테이지(척;150)와, 스테이지(150)에 안착된 기판(W)을 흡착 지지하기 위한 다수개의 리프트 핀(100)들과, 기판(W)을 가공하기 위해 적용되는 가스(불활성 가스)를 챔버 내부로 균일하게 제공하기 위한 가스 제공부(242)와, 스테이지(150) 상에 지지되어 있는 기판(W)에 열을 제공하는 열 제공부(250)있다.As shown in FIG. 4, the baking apparatus 200 includes a chamber 210 in which a heat treatment process of a substrate is performed, a stage (chuck 150) provided in the chamber 210 and supporting a substrate, and a stage ( A plurality of lift pins 100 for adsorptively supporting the substrate W seated on 150 and a gas agent for uniformly providing gas (inert gas) applied to process the substrate W into the chamber. Study 242 and a heat providing unit 250 for providing heat to the substrate (W) supported on the stage 150.

챔버(210)는 기판(W)의 도입 및 배출이 가능하고, 진공 상태 또는 대기압 이상의 가압 상태를 유지할 수 있는 구조를 가지고 있다. 챔버(210)의 일측부에는 챔버(210) 내부를 진공 상태로 형성하기 위해 진공 펌프(222)와 접속되어 있는 가스 배출구(220)가 형성되어 있다. The chamber 210 is capable of introducing and discharging the substrate W, and has a structure capable of maintaining a vacuum state or a pressurized state above atmospheric pressure. At one side of the chamber 210, a gas outlet 220 connected to the vacuum pump 222 is formed to form the inside of the chamber 210 in a vacuum state.

스테이지(150)는 챔버(210) 내부의 저면에 구비되고, 챔버(210) 내부로 제공되는 기판(W)을 지지함과 동시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트를 열경화 시키기 위해 열을 제공하는 역할을 수행할 수 있다. 즉, 스테이지(150)는 정전척이 적용될 수 있다. 이하, 스테이지를 정전척으로 명기하기로 한다.The stage 150 is provided on the bottom surface of the chamber 210, and supports heat to the substrate W provided in the chamber 210, and at the same time, provides heat to thermally cure the photoresist applied to the substrate W. It can play a role. That is, the stage 150 may be applied to the electrostatic chuck. Hereinafter, the stage will be specified by the electrostatic chuck.

정전척(150)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 정전척 자체에 열을 제공하여 로딩된 기판을 베이킹(Baking)처리하기 위한 히터(122)를 포함하고 있다. 상기 정전척(150)은 공지된 전극(도시하지 않음)을 포함하고 있어, 상기 전극을 통전시키면, 발생하는 정전력에 의해 정전척의 상면에 로딩된 기판을 고정시킬 수 있다.The electrostatic chuck 150 includes a heater 122 for baking the loaded substrate by providing heat to the electrostatic chuck itself, as shown in FIG. 3. The electrostatic chuck 150 includes a known electrode (not shown), and when the electrode is energized, the loaded substrate can be fixed to the upper surface of the electrostatic chuck by the generated electrostatic force.

또한, 정전척(150)에는 진공 흡착 라인(도시하지 않음)과 상기 정전척을 수 직 관통하는 다수개의 리프트 홀(160)들이 형성되어 있다. 상기 진공 흡착 라인은 진공원(도시하지 않음)으로부터 공급된 진공력을 제공받는다. 이와 같은, 구성을 포함하는 정전척(150)은 진공압을 이용하여 상기 기판을 고정시킬 수 있다. In addition, the electrostatic chuck 150 has a vacuum suction line (not shown) and a plurality of lift holes 160 vertically penetrating the electrostatic chuck. The vacuum adsorption line is provided with a vacuum force supplied from a vacuum source (not shown). The electrostatic chuck 150 having such a configuration may fix the substrate using a vacuum pressure.

열 제공부(250)는 챔버(210) 내부에 구비되고, 정전척(150)과 마주보는 곳에 위치하며, 기판의 상면에 가열된 공기를 제공하여 기판을 균일한 온도를 갖도록 열을 제공하는 역할을 한다. 열 제공부(250)는 열선이 구비되어 있어, 열 제공부(250) 내에 형성된 유로(도시하지 않음)로 제공되는 유체를 가열시켜 기판을 가열하는 열을 제공할 수 있다.The heat providing unit 250 is provided inside the chamber 210 and is positioned to face the electrostatic chuck 150, and provides heat to the substrate to have a uniform temperature by providing heated air to an upper surface of the substrate. Do it. The heat providing unit 250 may be provided with a heating wire to provide heat for heating the substrate by heating a fluid provided in a flow path (not shown) formed in the heat providing unit 250.

리프트 핀(100)은 크게 헤드부(110)와 로드부(120)로 이루어져 있다. 헤드부(110)는 상부가 개방된 구조인 요철형상(凹)을 갖고, 정전척(150) 상면에 안착된 기판(도시하지 않음)을 정전척(150) 상면으로부터 언로딩 시킬 경우 상기 기판의 저면을 흡착 지지하여 상기 기판이 떨어져 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다. 헤드부(110)는 기판을 지지하고 있는 정전척(150)를 수직 관통하는 리프트 홀(160)들 내에 각각 구비되어 있다가 기판의 로딩 작업이 수행될 경우 상기 리프트 홀(160)들을 따라 정전척(150) 상으로 돌출 되도록 구동된다. 또한, 헤드부(110)의 내부에는 상기 기판의 온도를 측정하여 제어부로 보내는 적외선 광 센서(112)를 포함하고 있다. Lift pin 100 is composed of a large head portion 110 and the rod portion 120. The head portion 110 has an uneven shape having an open top structure, and when the substrate (not shown) mounted on the top surface of the electrostatic chuck 150 is unloaded from the top surface of the electrostatic chuck 150, The bottom surface is adsorbed and supported to prevent the substrate from falling off and being damaged. The head unit 110 is provided in the lift holes 160 vertically passing through the electrostatic chuck 150 supporting the substrate, and the electrostatic chuck along the lift holes 160 when the substrate loading operation is performed. It is driven to protrude above 150. In addition, the head unit 110 includes an infrared light sensor 112 that measures the temperature of the substrate and sends it to the controller.

상기 리프트 핀의 로드부(120)는 헤드부(110)의 하단에 위치하여 헤드부(110)와 일체형으로 체결된 구조를 갖고, 구동부(190)로부터 제공되는 운동에너지를 전달받아 상기 기판을 로딩 및 언로딩시킬 수 있도록 헤드부(110)를 수직왕복 시킨다. 로드부(120)의 내부에는 헤드부(110)가 기판의 저면을 흡착 지지할 경우 상기 기판의 열이 헤드부(110)로 누설되는 것을 방지할 수 있도록 상기 헤드부(110)에 열을 제공하는 히터(122)를 포함하고 있다. 또한 로드부(120)의 내부에는 헤드부(110)로 전달되는 열을 보다 효과적으로 전할 수 있도록 히터(122)를 둘러싸는 유로(124)가 형성되어 있다. 그리고, 리프트 핀(100)들은 정전척(150)의 하측 부위에 구비되는 구동 플레이트(170)에 연결되어 있으며, 구동부(190)는 리프트 핀(100)들과 연결되는 구동 플레이트(170)를 수직 왕복 운동시킨다.The rod part 120 of the lift pin has a structure which is integrally fastened with the head part 110 at the lower end of the head part 110 and receives the kinetic energy provided from the driving part 190 to load the substrate. And vertically reciprocating the head portion 110 to be unloaded. When the head part 110 adsorbs and supports the bottom surface of the substrate, the rod part 120 provides heat to the head part 110 to prevent the heat of the substrate from leaking to the head part 110. The heater 122 is included. In addition, a flow path 124 surrounding the heater 122 is formed in the rod part 120 to more effectively transfer the heat transferred to the head part 110. In addition, the lift pins 100 are connected to a driving plate 170 provided at a lower portion of the electrostatic chuck 150, and the driving unit 190 vertically drives the driving plate 170 connected to the lift pins 100. Reciprocate.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 증착 장치를 설명하기 위한 도면으로, 특히 기판의 언로딩 공정시 기판의 열 누설을 방지할 수 있는 증착 장치를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 5 is a view for explaining a deposition apparatus according to a second embodiment of the present invention. In particular, FIG. 5 is a view for explaining a deposition apparatus capable of preventing heat leakage of a substrate during an unloading process.

도 5를 참조하면, 본 발명의 리프트 핀(100)이 적용되는 기판 가공장치는 기판에 열을 제공하여 상기 기판에 소정의 막질을 증착시킬 수 있는 증착 장치(300)이다. 상기 증착 장치(300)는 기판의 막질을 증착하는 공정이 수행되는 공간을 제공하는 챔버(302)와, 챔버(302) 내부에 구비되며 기판을 지지하기 위한 정전척(150)와, 정전척(150)에 안착된 기판(W)을 흡착 지지하기 위한 다수개의 리프트 핀(100)들과, 기판(W)을 가공하기 위해 적용되는 가스(불활성 가스)를 챔버 내부로 균일하게 제공하기 위한 가스 제공부(342)를 구비한다.Referring to FIG. 5, the substrate processing apparatus to which the lift pin 100 of the present invention is applied is a deposition apparatus 300 capable of depositing a predetermined film quality on the substrate by providing heat to the substrate. The deposition apparatus 300 includes a chamber 302 which provides a space in which a process of depositing a film quality of a substrate is performed, an electrostatic chuck 150 provided inside the chamber 302 to support a substrate, and an electrostatic chuck ( A plurality of lift pins 100 for adsorptively supporting the substrate W seated on 150 and a gas agent for uniformly providing gas (inert gas) applied to process the substrate W into the chamber. Study 342 is provided.

챔버(302)의 일측에는 챔버(302) 내부를 소정의 압력 상태로 설정하기 위한 압력 제공부가 연결되어 있다. 압력 제공부는 챔버(302)와 연결된 펌프(350)와, 챔버(302)와 펌프(350)를 연결하는 압력제공 라인(352)과, 진공 라인(352) 중에 설치 되고 챔버(302)의 내부 압력을 조절하기 위한 압력 조절 밸브(354)를 더 포함할 수 있다.One side of the chamber 302 is connected to a pressure providing unit for setting the inside of the chamber 302 to a predetermined pressure state. The pressure providing unit includes a pump 350 connected to the chamber 302, a pressure providing line 352 connecting the chamber 302 and the pump 350, and an internal pressure of the chamber 302 installed in the vacuum line 352. It may further include a pressure control valve 354 for adjusting the.

한편, 챔버(302)의 다른 일측에는 챔버(302) 내부의 압력을 측정하기 위한 압력계(360)가 연결되어 있다. 상기 압력계는 챔버(302) 내부에 설치되는 압력 센서와, 상기 압력 센서와 연결되며, 상기 압력 센서로부터 측정된 압력을 보여주는 디스플레이로 구성될 수도 있다.On the other hand, a pressure gauge 360 for measuring the pressure inside the chamber 302 is connected to the other side of the chamber 302. The pressure gauge may include a pressure sensor installed inside the chamber 302, a display connected to the pressure sensor, and showing a pressure measured from the pressure sensor.

가스 제공부(342)로부터 제공되는 가스는 가스 분사 헤드(340)를 통해 챔버(302) 내부로 균일하게 제공된다. 가스 분사 헤드(340)에는 상기 가스를 균일하게 제공하기 위한 다수개의 가스 분사공들이 형성되어 있으며, 상기 가스를 플라즈마 상태로 형성하기 위한 고주파 전원이 연결될 수 있다. 여기서, 상기 가스는 기판 상에 막을 형성하기 위한 가스이다.The gas provided from the gas provider 342 is uniformly provided into the chamber 302 through the gas injection head 340. The gas injection head 340 has a plurality of gas injection holes for uniformly providing the gas, and a high frequency power source for forming the gas in a plasma state may be connected. Here, the gas is a gas for forming a film on the substrate.

LCD 장치에 적용되는 기판을 지지하는 정전척(150)에는 기판을 로딩 및 언로딩하기 위한 다수의 리프트 핀(100)들이 구비될 수 있도록 정전척(150)를 수직 관통하는 다수의 리프트 홀(160)들이 형성되어 있다. 한편, 정전척(150)에는 기판을 고정하기 위한 정전기력을 발생시키기 위해 전극이 내장될 수 있다.The electrostatic chuck 150 supporting the substrate applied to the LCD device may include a plurality of lift holes 160 vertically passing through the electrostatic chuck 150 so that a plurality of lift pins 100 for loading and unloading the substrate may be provided. ) Are formed. Meanwhile, an electrode may be built in the electrostatic chuck 150 to generate an electrostatic force for fixing the substrate.

리프트 핀(100)은 크게 헤드부(110)와 로드부(120)로 이루어져 있다. 헤드부(110)는 상부가 개방된 구조인 요철형상(凹)을 갖고, 정전척(150) 상면에 안착된 기판(도시하지 않음)을 정전척(150) 상면으로부터 로딩시킬 경우 상기 기판의 저면을 흡착 지지하여 상기 기판이 떨어져 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다. 헤드부(110)는 기판을 지지하고 있는 정전척(150)를 수직 관통하는 리프트 홀(160)들 내에 각각 구비되어 있다가 기판의 로딩 작업이 수행될 경우 상기 리프트 홀(160)들을 따라 정전척(150) 상으로 돌출 되도록 구동된다. 또한, 헤드부(110)의 내부에는 상기 기판의 온도를 측정하여 제어부로 보내는 적외선 광 센서(112)를 포함하고 있다.  Lift pin 100 is composed of a large head portion 110 and the rod portion 120. The head part 110 has an uneven shape having an open top structure, and when loading a substrate (not shown) mounted on the top surface of the electrostatic chuck 150 from the top surface of the electrostatic chuck 150, the bottom surface of the substrate. It serves to prevent the substrate from being damaged by the adsorption. The head unit 110 is provided in the lift holes 160 vertically passing through the electrostatic chuck 150 supporting the substrate, and the electrostatic chuck along the lift holes 160 when the substrate loading operation is performed. It is driven to protrude above 150. In addition, the head unit 110 includes an infrared light sensor 112 that measures the temperature of the substrate and sends it to the controller.

상기 리프트 핀의 로드부(120)는 헤드부(110)의 하단에 위치하여 헤드부(110)와 일체형으로 체결된 구조를 갖고, 구동부(190)로부터 제공되는 운동에너지를 전달받아 상기 기판을 로딩 및 언로딩 시킬 수 있도록 헤드부(110)를 수직왕복 시킨다. 로드부(120)의 내부에는 헤드부(110)가 기판의 저면을 흡착 지지할 경우 상기 기판의 열이 헤드부(110)로 누설되는 것을 방지할 수 있도록 상기 헤드부(110)에 열을 제공하는 히터(122)를 포함하고 있다. 또한 로드부(120)의 내부에는 헤드부(110)로 전달되는 열을 보다 효과적으로 전할 수 있도록 히터(122)를 둘러싸는 유로(124)가 형성되어 있다.The rod part 120 of the lift pin has a structure which is integrally fastened with the head part 110 at the lower end of the head part 110 and receives the kinetic energy provided from the driving part 190 to load the substrate. And vertically reciprocating the head portion 110 to be unloaded. When the head part 110 adsorbs and supports the bottom surface of the substrate, the rod part 120 provides heat to the head part 110 to prevent the heat of the substrate from leaking to the head part 110. The heater 122 is included. In addition, a flow path 124 surrounding the heater 122 is formed in the rod part 120 to more effectively transfer the heat transferred to the head part 110.

리프트 핀(100)들은 정전척(150)의 하측 부위에 구비되는 구동부(190)에 연결되어 있으며, 구동부(190)는 리프트 핀(100)들과 연결되는 구동 플레이트(170)를 포함한다.The lift pins 100 are connected to a driving unit 190 provided at a lower portion of the electrostatic chuck 150, and the driving unit 190 includes a driving plate 170 connected to the lift pins 100.

상기와 같은 본 발명의 리프트 핀은 소정의 온도로 가열된 기판과 동일한 온도를 유치할 수 있도록 상기 리프트 핀의 헤드부에 소정의 열이 제공된다. 이로 인해, 기판의 저면을 지지하고 있는 다수개의 리프트 핀의 온도와 기판의 온도가 동일하게 유지될 수 있기 때문에 기판의 공정 산포가 발생되지 않아 기판의 특성 열 화 및 얼룩을 유발을 효과적으로 억제할 수 있다.The lift pin of the present invention as described above is provided with a predetermined heat to the head portion of the lift pin to attract the same temperature as the substrate heated to a predetermined temperature. As a result, since the temperature of the plurality of lift pins supporting the bottom of the substrate and the temperature of the substrate can be kept the same, process dispersion of the substrate does not occur, thereby effectively suppressing deterioration of characteristics of the substrate and inducing stains. have.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims It can be understood that

Claims (8)

기판을 지지하는 스테이지를 수직 관통하는 관통홀들 내에 각각 구비되어, 상기 기판을 흡착 지지하는 헤드부;A head portion provided in each of the through holes vertically passing through the stage for supporting the substrate, the head portion adsorbing and supporting the substrate; 상기 기판의 온도를 측정하는 센서;A sensor for measuring a temperature of the substrate; 상기 헤드부의 하단에 형성되어, 상기 기판을 로딩 및 언로딩하는 로드부; 및A rod part formed at a lower end of the head part to load and unload the substrate; And 상기 로드부에 포함되어, 상기 센서의 측정 온도에 응답하여 상기 헤드부에 열을 제공하는 히터를 포함하는 리프트 핀.And a heater included in the rod part to provide heat to the head part in response to the measured temperature of the sensor. 제1항에 있어서, 상기 센서는 상기 헤드부에 형성된 홈에 삽입된 것을 특징으로 하는 리프트 핀.The lift pin of claim 1, wherein the sensor is inserted into a groove formed in the head portion. 제1항에 있어서, 상기 센서는 적외선 광 센서인 것을 특징으로 하는 리프트 핀.The lift pin of claim 1, wherein the sensor is an infrared light sensor. 제1항에 있어서, 상기 로드부의 내부에는 상기 히터를 감싸는 구조를 갖는 유로가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 리프트 핀.The lift pin of claim 1, wherein a flow passage having a structure surrounding the heater is formed in the rod part. 기판을 지지하는 스테이지를 수직 관통하는 관통홀들 내에 각각 구비되어, 상기 기판을 흡착 지지하는 헤드부와, 상기 기판의 온도를 측정하는 센서와, 상기 헤드부의 하단에 형성되어, 상기 기판을 로딩 및 언로딩하기 위해 상기 헤드부를 지지하는 로드부와, 상기 로드부에 포함되어, 상기 센서의 측정 온도에 응답하여 상기 헤드부에 열을 제공하는 히터를 포함하는 리프트 핀들;It is provided in each of the through holes vertically penetrating the stage for supporting the substrate, the head portion for adsorbing and supporting the substrate, the sensor for measuring the temperature of the substrate, and is formed at the lower end of the head portion, the loading and Lift pins including a rod portion supporting the head portion for unloading, and a heater included in the rod portion to provide heat to the head portion in response to a measurement temperature of the sensor; 상기 스테이지 하부에 구비되어 상기 리프트 핀들과 연결된 구동 플레이트; 및 A driving plate provided below the stage and connected to the lift pins; And 상기 구동 플레이트를 상하 구동시켜 상기 스테이지 상에 지지되어 있는 기판을 언로딩시키는 구동부를 포함하는 리프팅 장치.And a driving unit which drives the driving plate up and down to unload a substrate supported on the stage. 제5항에 있어서, 상기 센서는 상기 헤드부에 형성된 홈에 삽입된 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.The lifting device according to claim 5, wherein the sensor is inserted into a groove formed in the head portion. 제5항에 있어서, 상기 스테이지는 상기 기판을 가열하기 위한 세셉터인 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.6. The lifting device of claim 5, wherein the stage is a acceptor for heating the substrate. 제5항에 있어서, 상기 스테이지는 상기 기판을 정전력을 이용하여 파지하는 정전척인 것을 특징으로 하는 리프팅 장치.6. The lifting device according to claim 5, wherein the stage is an electrostatic chuck that grips the substrate using electrostatic power.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020120510A1 (en) * 2018-12-11 2020-06-18 Vat Holding Ag Pin lifting device having a temperature sensor

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101402875B1 (en) * 2006-12-11 2014-06-03 엘아이지에이디피 주식회사 Lift pin, heater for lift pin and manufacturing device for FPD having the same
KR100778138B1 (en) * 2006-12-20 2007-11-21 참앤씨(주) Inspection apparatus of flat panel display
KR100816682B1 (en) * 2006-12-20 2008-03-27 참앤씨(주) Inspection apparatus of flat panel display
CN202796877U (en) 2012-04-16 2013-03-13 京东方科技集团股份有限公司 Substrate support pin

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1083965A (en) 1995-11-28 1998-03-31 Tokyo Electron Ltd Heat treatment method and device
KR200158368Y1 (en) 1996-06-29 1999-10-15 김영환 Isotrophic dry etching apparatus
JP2002009129A (en) 2000-06-26 2002-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Substrate conveying arm and substrate conveying method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1083965A (en) 1995-11-28 1998-03-31 Tokyo Electron Ltd Heat treatment method and device
KR200158368Y1 (en) 1996-06-29 1999-10-15 김영환 Isotrophic dry etching apparatus
JP2002009129A (en) 2000-06-26 2002-01-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Substrate conveying arm and substrate conveying method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020120510A1 (en) * 2018-12-11 2020-06-18 Vat Holding Ag Pin lifting device having a temperature sensor

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