KR20130014301A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 기판 처리가 수행되는 공간이 내부에 각각 형성되고, 상하방향으로 적층된 복수개의 챔버들; 상기 챔버들 각각에 연결되며, 상기 챔버들의 내부에 머무르는 가스를 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 챔버들의 일측에 위치하며, 상기 챔버들의 내부와 연통되는 배기 공간이 형성된 몸체; 상기 배기 공간에 위치하고, 감압 부재와 연결되며, 상기 배기 공간 내 가스를 흡입하는 흡입구가 형성된 배기관을 포함한다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 처리 과정에서 발생한 가스를 외부로 배기하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 평판 표시 장치를 제조하기 위한 공정들 중, 포토리소그래피 공정은 기판에 감광막을 도포하는 도포 공정과 도포된 감광막을 건조하는 베이크 공정을 포함한다.
베이크 공정을 수행하는 장치는 상하방향으로 적측된 복수개의 챔버들을 포함한다. 기판은 챔버들 내부에 각각 제공되며, 챔버들 내부에서 감광막이 건조된다. 베이크 공정이 수행되는 동안, 감광막에 잔류하는 유기용제가 증발되어 가스 상태로 챔버 내부에 잔류한다. 가스는 각 챔버들과 연결된 배기 유닛의 배기압력에 의해 외부로 배기된다.
챔버들이 상하방향으로 적층되기 때문에, 각 챔버들에 배기압력을 균일하게 전달하는 것이 용이하지 않다. 챔버들에 전달되는 배기 압력의 크기가 상이한 경우, 각 챔버에서 배기되는 가스 유량이 달라지고 감광막의 건조량이 달라지게 된다.
본 발명의 실시예들은 복수개의 챔버들에서 기판이 균일하게 처리될 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판 처리가 수행되는 공간이 내부에 각각 형성되고, 상하방향으로 적층된 복수개의 챔버들; 상기 챔버들 각각에 연결되며, 상기 챔버들의 내부에 머무르는 가스를 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은 상기 챔버들의 일측에 위치하며, 상기 챔버들의 내부와 연통되는 배기 공간이 형성된 몸체; 상기 배기 공간에 위치하고, 감압 부재와 연결되며, 상기 배기 공간 내 가스를 흡입하는 흡입구가 형성된 배기관을 포함한다.
또한, 상기 배기관은 제1높이에 제1흡입구가 형성된 제1배기관; 및 상기 제1높이보다 낮은 제2높이에 제2흡입구가 형성된 제2배기관을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1배기관은 상기 제2배기관보다 상기 챔버들에 인접하여 위치할 수 있다.
또한, 상기 제1흡입구와 연통하는 상기 제1배기관의 배기통로는 상기 제2흡입구와 연통하는 상기 제2배기관의 배기통로보다 단면적이 클 수 있다.
또한, 상기 제1흡입구는 상기 제1배기관의 상단에 형성되고, 상기 제2흡입구는 상기 제2배기관의 상단에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1배기관의 상단은 수직방향에 대해 소정 각도 경사진 제1경사면을 가지고, 상기 제1흡입구는 상기 제1경사면에 형성되며, 상기 제2배기관의 상단은 상기 제1경사면과 동일한 방향으로 경사지는 제2경사면을 가지고, 상기 제2흡입구는 상기 제2경사면에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1경사면은 상기 챔버들에 가까워질수록 그 높이가 점차 높아지도록 상향 경사질 수 있다.
또한, 상기 챔버들은, 적어도 두 개 이상의 챔버들을 포함하는 제1그룹; 및 상기 제1그룹에 속한 챔버들의 하부에 위치하며, 적어도 두 개 이상의 챔버들을 포함하는 제2그룹으로 구분되며, 상기 제 1흡입구는 상기 제1그룹의 일측에 위치하고, 상기 제 2흡입구는 상기 제2그룹의 일측에 위치할 수 있다.
또한, 상기 제1흡입구는 상기 제1그룹에 속한 챔버들의 중간 영역에 위치하고, 상기 제2흡입구는 상기 제2그룹에 속한 챔버들의 중간 영역에 위치할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 복수개의 챔버에서 가스가 균일하게 배기되므로, 각 챔버에서는 기판 처리가 균일하게 이루어질 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 제1 및 제2배기관을 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 나타내는 도면이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 제1챔버(110), 제2챔버(120), 기판 지지부(131, 132), 그리고 배기 유닛(200)을 포함한다.
제1챔버(110)와 제2챔버(120)는 기판(W) 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 제2챔버(120)는 제1챔버(110)의 상부에 위치한다. 제2챔버(120)는 제1공정 챔버(110)로부터 소정 간격으로 이격될 수 있다. 이와 달리, 제2챔버(120)는 제1챔버(110)에 적층될 수 있다. 제1챔버(110)의 내부에는 제1공간(111)이 형성되고, 제2챔버(120)의 내부에는 제2공간(121)이 형성된다. 제1공간(111)과 제2공간(121) 각각에는 기판 지지부(131, 132)가 위치한다.
기판 지지부(131, 132)는 기판(W)을 지지한다. 기판(W)은 기판 지지부(131, 132)의 상면에 각각 놓인다. 기판(W)은 반도체 제조 공정에 제공되는 웨이퍼와 평판 디스플레이용 패널을 포함한다. 기판 지지부(131, 132)의 내부에는 히터(미도시)가 제공될 수 있다. 히터는 외부 전원에서 공급된 전류에 저항함으로써 열을 발생시킨다. 발생된 열은 기판 지지부(131, 132)를 통해 기판(W)으로 전달되며, 기판(W)을 가열한다. 기판(W)으로 전달된 열은 기판(W) 표면에 도포된 막을 건조시킨다. 도포 막에 잔류하는 유기용제는 기화되어 가스 상태로 제1 및 제2공간(111, 121) 내부에 머무른다. 가스는 배기 유닛(200)을 통해 제1 및 제2챔버(110 내지 120) 외부로 배기된다. 도포 막은 포토레지스트 막을 포함한다.
배기 유닛(200)은 제1 및 제2챔버(110, 120)들의 일측에 위치하며, 제1 및 제2챔버(110, 120)들의 내부에 머무르는 가스를 배기한다. 배기 유닛(200)은 몸체(210), 제1 및 제2 연결 통로(221, 222), 배기관(230), 배기 라인(240), 그리고 감압 부재(250)를 포함한다.
몸체(210)는 제1 및 제2 챔버(110, 120)의 일측에 위치한다. 몸체(210)는 제1 및 제2 챔버(110, 120)가 적층된 높이에 상응하는 높이를 가진다. 몸체(210) 내부에는 배기 공간(211)이 형성된다. 제1챔버(110)와 몸체(210) 사이에는 제1연결 통로(221)가 형성되고, 제2챔버(120)와 몸체(210) 사이에는 제2연결 통로(222)가 형성된다. 제1연결 통로(221)는 제1높이(H1)에 위치하고, 제2연결 통로(222)는 제1높이(H1)보다 높은 제2높이(H2)에 위치한다. 제1연결 통로(221)는 배기 공간(211)과 제1공간(111)을 연결하고, 제2연결 통로(222)는 배기 공간(211)과 제2공간(121)을 연결한다. 제1 및 제2공간(111, 121)에 머무르는 가스는 제1 및 제2 연결 통로(221, 222)들을 통하여 배기 공간(211)으로 이동한다.
배기 공간(211)에는 배기관(230)이 위치한다. 배기관(230)은 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 배기관(230)은 제1측벽(231), 제2측벽(232), 그리고 상부벽(233)을 가진다. 제1측벽(231)은 상하방향과 나란하게 배치된다. 제2측벽(232)은 챔버(110, 120)들과 제1측벽(231) 사이에 위치하며, 제1측벽(231)과 나란하게 배치된다. 상부벽(233)은 제1측벽(231)의 상단과 제2측벽(232)의 상단을 연결한다. 상부벽(233)에 의해 배기관(230)의 끝단은 밀폐되다. 상술한 제1 및 제2측벽(231, 232), 그리고 상부벽(233)에 의해 배기관(230) 내부에는 배기 통로(234)가 형성된다. 배기관(230)에는 흡입구(235)가 형성된다. 흡입구(253)는 몸체 내부(211)에 머무르는 가스를 흡입한다. 흡입구(235)를 통해 흡입된 가스는 배기 통로(234)로 이동한다. 흡입구(235)는 제1측벽(231)에 형성될 수 있다. 흡입구(235)는 제3높이(H3)에 위치될 수 있다. 제3높이(H3)는 제1높이(H1)보다 높고 제2높이(H2)보다 낮다. 제3높이(H3)와 제1높이(H1)의 차이는 제2높이(H2)와 제3높이(H3)의 차이와 동일할 수 있다.
배기관(230)의 하단에는 배기라인(250)이 연결된다. 배기 라인(250)에는 감압 부재(250)와 감압 조절 밸브(260)가 설치된다. 감압 부재(250)는 진공압을 형성한다. 진공압은 배기 라인(250)과 배기관(230)에 순차적으로 인가된다. 진공압에 의해 몸체 내부(211)에 머무르는 가스는 흡입구(235)에 유입되고, 배기 통로(234)를 통해 배기 라인(250)으로 배출된다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 히터에서 발생된 열이 기판 지지부(131, 132)를 통해 기판(W)으로 전달되어 기판(W)이 가열된다. 기판(W) 표면에 도포된 감광막은 열에 의해 건조되며, 건조되는 과정에서 감광막에 잔류하는 유기용제가 기화된다. 기화된 유기용제는 가스 상태로 제1 및 제2공간(111, 121) 내부에 머무른다.
제1 및 제2공간(111, 121) 내부에 머무르는 가스(g)는, 배기 통로(234) 및 흡입구(235)에 인가된 진공압에 의해 배기 공간(211)으로 이동한다. 제1공간(111) 내부의 가스(g)는 제1연결 통로(221)를 통해 배기 공간(211)으로 이동하고, 제2공간(121) 내부의 가스(g)는 제2연결 통로(222)를 통해 배기 공간(211)으로 이동한다. 제1 및 제2연결 통로(221, 222)를 통과한 가스(g)들은 흡입구(235)를 향해 이동하며, 흡입구(235)에 흡입된다. 본 발명은 흡입구(235)가 제1 및 제2연결통로(221, 222)로부터 동일한 거리에 위치되므로, 흡입구(235)에 인가된 진공압은 제1 및 제2연결통로(221, 222) 각각에 균일한 크기의 압력으로 작용될 수 있다. 또한, 흡입구(235)는 제1 및 제2연결 통로(221, 222)를 향하는 방향과 반대 방향에 위치된 배기관 측벽(231)에 형성되므로, 제1 및 제2연결 통로(221, 222)를 빠져나온 가스(g)는 배기관(230)을 휘돌아 흡입구(235)에 흡입된다. 이로 인해, 흡입구(235)의 진공압이 직접적으로 제1 및 제2연결 통로(221, 222)의 압력에 미치는 영향이 줄어들 수 있다. 흡입구(235)의 진공압은 배기 공간(211)의 각 영역에 인가된 후 제1 및 제2연결 통로(221, 222) 전달되므로, 제1 및 제2 연결 통로(221)에서 배출되는 가스(g)의 유량 및 유속이 균일해질 수 있다.
상술한 가스 배기 과정에 의하여, 제1 및 제2 공간(111, 121)에 머무르는 가스(g)가 안정적으로 외부로 배기되므로, 제1챔버(110)에서의 기판 처리와 제2챔버(120)에서의 기판 처리가 균일하게 이루어질 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 기판 지지부(110), 그리고 배기 유닛(200)을 포함한다.
챔버(100)는 기판 처리가 수행되는 공간을 제공한다. 챔버(100)는 복수개 제공되며, 상하방향으로 적층된다. 챔버(100)들은 서로 이격되어 적층될 수 있다. 각 챔버(100)들의 내부에는 공간이 형성된다. 챔버(100)의 내부 공간은 기판(W) 처리가 수행되는 공간으로 제공된다. 챔버(100)의 일 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 개구는 챔버(100) 내부로 기판(W)이 이송되는 통로로 제공된다. 개구는 도어(미도시)에 의해 개폐될 수 있다. 챔버(100)들은 복수개의 그룹으로 구분될 수 있다. 각 그룹에는 적어도 두 개 이상의 챔버(100)들이 포함될 수 있다. 실시예에 의하면, 4개의 챔버(100a 내지 100d)들이 적층되고, 챔버(100a 내지 100d)들은 두 개의 그룹으로 구분된다. 제1그룹(G1)에는 제1 및 제2챔버(100a, 100b)가 포함되고, 제2그룹(G2)에는 제3 및 제4챔버(100c, 100d)가 포함된다. 제2그룹(G2)에 속한 챔버(100c, 100d)들은 제1그룹(G1)에 속한 챔버(100a, 100b)들의 하부에 위치한다.
각 챔버(100a 내지 100d)의 내부에는 기판 지지부(110)가 제공된다. 기판 지지부(110)는 기판(W)을 지지한다. 기판(W)은 기판 지지부(110)의 상면에 놓인다. 기판 지지부(110)의 내부에는 히터(미도시)가 제공될 수 있다. 히터는 열을 발생시켜 기판(W)을 가열한다. 기판(W)에 전달된 열은 기판(W) 표면에 도포된 막을 건조시킨다. 도포막이 건조되는 과정에서 유기용제가 기화되어 챔버(100a 내지 100d) 내부에는 가스가 발생한다. 발생된 가스는 배기 유닛(200)을 통해 챔버(100a 내지 100d) 외부로 배기된다.
배기 유닛(200)은 몸체(210), 연결 통로(220), 배기관(230), 배기 라인(261), 그리고 감압 부재(262)를 포함한다.
몸체(210)는 챔버(100)들의 일측에 위치한다. 몸체(210)는 챔버(100)들이 적층된 높이에 상응하는 높이로 제공된다. 몸체(210) 내부에는 배기 공간(211)이 형성된다.
몸체(210)와 각 챔버(100)들 사이에는 연결 통로(220)가 형성된다. 연결 통로(220)는 상하방향을 따라 이격하여 복수개 제공된다. 연결 통로(220)들 각각은 챔부(100) 내부와 배기 공간(211)을 연결한다. 챔버(100)들의 내부는 연결 통로(220)들을 통해 배기 공간(211)과 연통된다. 챔버(100) 내부에 머무르는 가스는 연결 통로(220)을 통하여 배기 공간(211)으로 이동한다.
배기 공간(211)에는 배기관(230)이 위치한다. 배기관(230)은 복수개 제공될 수 있다. 실시예에 의하면, 두 개의 배기관(240, 250)이 제공된다.
도 4는 도 3의 제1 및 제2배기관을 나타내는 사시도이다. 도 3 및 도 4를 참조하면, 제1배기관(240)과 제2배기관(250)는 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치된다. 제1배기관(240)은 제2배기관(250)보다 챔버(100)들에 인접하여 위치한다. 제1배기관(240)은 제2배기관(250) 보다 길이가 길게 제공된다. 제1배기관(240)의 내부에는 제1배기관(240)의 길이방향을 따라 제1배기통로(242)가 형성된다. 제2배기관(250)의 내부에는 제2배기관(250)의 길이방향을 따라 제2배기통로(252)가 형성된다. 제1배기통로(242)는 제2배기통로(252)보다 단면적이 크게 제공될 수 있다.
제1배기관(240)에는 제1흡입구(241)가 형성되고, 제2배기관(250)에는 제2흡입구(251)가 형성된다. 제1흡입구(241)는 제1배기통로(242)와 연결되고, 제2흡입구(251)는 제2배기통로(252)와 연결된다. 제1흡입구(241)는 제2흡입구(251)와 높이가 상이하게 위치한다. 제2흡입구(251)는 제1흡입구(241)보다 높이가 낮게 위치한다. 제1흡입구(241)는 제1배기관(240)의 상단에 형성된다. 제1배기관(240)의 상단은 제1경사면(243)으로 제공된다. 제1경사면(243)은 수직방향에 대해 소정 각도로 경사진다. 제1경사면(243)은 챔버(100)들에 가까워질수록 그 높이가 점차 높아지도록 상향 경사지게 형성된다. 제1흡입구(241)는 제1경사면(243)에 형성된다.
제2흡입구(251)는 제2배기관(250)의 상단에 형성된다. 제2배기관(250)의 상단은 제2경사면(253)으로 제공된다. 제2경사면(253)은 제1경사면(243)과 동일한 방향으로 경사지게 배치될 수 있다. 제2흡입구(251)는 제2경사면(253)에 형성된다.
제1흡입구(241)는 제1그룹(G1)에 속하는 챔버(100a, 100b)들의 일측에 위치하고, 제2흡입구(251)는 제2그룹(G2)에 속하는 챔버(100c, 100d)들의 일측에 위치한다. 제1흡입구(241)는 제1그룹(G1)에 속하는 챔버(100a, 100b)들의 중간 영역에 위치하고, 제2흡입구(251)는 제2그룹(G2)에 속하는 챔버(100c, 100d)들의 중간 영역에 위치한다.
제1배기관(240)과 제2배기관(250)은 배기라인(261)과 연결된다. 배기 라인(261)에는 감압 부재(262)와 감압 조절 밸브(263)가 설치된다. 감압 부재(262)는 진공압을 형성한다. 진공압은 배기 라인(261)과 제1 및 제2배기관(240, 250)에 순차적으로 인가되며, 배기 공간(211)에 머무르는 가스를 외부로 배기한다. 제1 및 제2흡입구(241, 251)들 각각에는 동일한 크기의 진공압이 인가될 수 있다. 감압 조절 밸브(261)는 배기 라인(261)의 개방 정도를 조절하여 흡입구(241, 251)들에 인가되는 진공압의 크기를 조절한다.
제1 및 제2흡입구(241, 251)는 상이한 높이에 위치하므로, 도 4와 같이 챔버(100a 내지 100d)에서 배출되는 가스(g)는 인접한 높이에 위치하는 흡입구(241, 251)에 흡입된다. 제1흡입구(241)는 제1그룹(G1)에 포함된 챔버(100a, 100b)들에서 배출되는 가스(g)를 주로 흡입한다. 제2흡입구(251)는 제2그룹(G2)에 포함된 챔버(100c, 100d)들에서 배출되는 가스(g)를 주로 흡입한다.
이와 달리, 흡입구(241, 251)들이 동일 높이에 위치하는 경우, 예컨대 흡입구(241, 251)들이 제2그룹(G2)에 속하는 챔버(100c, 100d)들의 측부에 위치하는 경우, 진공압은 대부분 제2그룹(G2)에 속하는 챔버(100c, 100d)들의 내부에 전달되고, 제1그룹(G1)에 속하는 챔버(100a, 100b)들의 내부에는 충분히 전달되지 못한다. 이로 인해, 제2그룹(G2)에 속하는 챔버(100c, 100d)들과 제1그룹(G1)에 속하는 챔버(100a, 100b)들에서 배기되는 가스 유량이 상이하므로, 각 챔버(100a 내지 100d)에서 수행되는 기판(W)의 처리 정도가 상이하게 된다.
반면, 본 발명의 흡입구(241, 251)들은 상이한 높이에서 구별하여 챔버(100a 내지 100d)들 내부에 진공압을 인가하므로, 챔버(100a 내지 100d)들 내부에 머무르는 가스(g)는 균일하게 배기될 수 있다.
그리고, 흡입구(241, 251)들은 챔버(100a 내지 100d)들이 위치하는 방향과 반대 방향으로 경사진 경사면(243, 253)에 형성되므로, 연결통로(220)들을 빠져나온 가스(g)는 배기관(240, 250)들을 휘돌아 흡입구(241, 251)에 흡입된다. 즉, 흡입구(241, 251)들의 진공압은 직접적으로 챔버(100a 내지 100d) 내부에 미치지 않고, 배기 공간(211)에 전달된 후 챔버(100a 내지 100d) 내부에 전달되므로, 챔버(100a 내지 100d) 내부에는 진공압이 균일하게 전달될 수 있다. 이에 의해, 챔버(100a 내지 100d)들 내부에 머무르는 가스(g)가 안정적으로 배기되며, 각 챔버(100a 내지 100d)에서 기판이 균일하게 처리될 수 있다.
상기 실시예에서는 배기공간(211)에 배기관(230)이 2개 제공되는 것으로 설명하였으나, 제공되는 배기관(230)의 수는 이에 한정되지 않는다. 배기관(230)의 수는 적층되는 챔버(100)들의 수에 따라 달라질 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는 각 챔버에서 도포막 건조 공정이 수행되는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 가스 또는 반응 부산물의 배기가 요구되는 다양한 기판 처리 장치에 적용될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 챔버 200: 배기 유닛
210: 몸체 220: 연결 통로
230: 배기관 261: 배기 라인
262: 감압 부재

Claims (9)

  1. 기판 처리가 수행되는 공간이 내부에 각각 형성되고, 상하방향으로 적층된 복수개의 챔버들;
    상기 챔버들 각각에 연결되며, 상기 챔버들의 내부에 머무르는 가스를 배기하는 배기 유닛을 포함하되,
    상기 배기 유닛은
    상기 챔버들의 일측에 위치하며, 상기 챔버들의 내부와 연통되는 배기 공간이 형성된 몸체;
    상기 배기 공간에 위치하고, 감압 부재와 연결되며, 상기 배기 공간 내 가스를 흡입하는 흡입구가 형성된 배기관을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기관은
    제1높이에 제1흡입구가 형성된 제1배기관; 및
    상기 제1높이보다 낮은 제2높이에 제2흡입구가 형성된 제2배기관을 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1배기관은 상기 제2배기관보다 상기 챔버들에 인접하여 위치하는 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1흡입구와 연통하는 상기 제1배기관의 배기통로는 상기 제2흡입구와 연통하는 상기 제2배기관의 배기통로보다 단면적이 큰 기판 처리 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1흡입구는 상기 제1배기관의 상단에 형성되고,
    상기 제2흡입구는 상기 제2배기관의 상단에 형성되는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1배기관의 상단은 수직방향에 대해 소정 각도 경사진 제1경사면을 가지고, 상기 제1흡입구는 상기 제1경사면에 형성되며,
    상기 제2배기관의 상단은 상기 제1경사면과 동일한 방향으로 경사지는 제2경사면을 가지고, 상기 제2흡입구는 상기 제2경사면에 형성되는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제1경사면은 상기 챔버들에 가까워질수록 그 높이가 점차 높아지도록 상향 경사지는 기판 처리 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 챔버들은,
    적어도 두 개 이상의 챔버들을 포함하는 제1그룹; 및
    상기 제1그룹에 속한 챔버들의 하부에 위치하며, 적어도 두 개 이상의 챔버들을 포함하는 제2그룹으로 구분되며,
    상기 제 1흡입구는 상기 제1그룹의 일측에 위치하고,
    상기 제 2흡입구는 상기 제2그룹의 일측에 위치하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1흡입구는 상기 제1그룹에 속한 챔버들의 중간 영역에 위치하고,
    상기 제2흡입구는 상기 제2그룹에 속한 챔버들의 중간 영역에 위치하는 기판 처리 장치.
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