KR20130014157A - Shadow mask, deposition apparatus comprising shadow mask and method thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A shadow mask including an align hole, a deposition apparatus for the same and a method thereof are provided to simplify a process by forming a pattern and an align mark at the same time using the shadow mask. CONSTITUTION: A shadow mask(300) includes a pattern opening part and an align mark opening part. The pattern opening part defines the region for forming a pattern on a substrate arranged within a processing chamber. The align mark opening part defines the region for forming an align mark(200A) on the substrate. The align mark is formed by the align mark opening part. An alignment device arranges the align hole of the shadow mask and the align mark of the substrate.

Description

섀도우 마스크, 증착 장치 및 증착 방법{Shadow mask, Deposition Apparatus comprising shadow mask and Method thereof} Shadow mask, Deposition Apparatus comprising shadow mask and Method

본 발명은 증착 장치 및 증착 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 섀도우 마스크로 기판 표면에 패턴을 형성함 동시에 얼라인 마크를 형성하는 증착 장치 및 증착 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a deposition apparatus and a deposition method, and more particularly, to a deposition apparatus and a deposition method for forming an alignment mark while forming a pattern on the surface of the substrate with a shadow mask.

일반적으로 패터닝 막을 형성하기 위해서는 증착이나 스핀 코팅 등으로 박막을 형성한 후 포토 마스크 공정을 통하여 패턴을 간접적으로 형성하거나 또는 다른 방법으로는 형성하고자 하는 패턴을 기판 위에 직접 인쇄 하거나 혹은 미세 금속 마스크 즉, 섀도우 마스크를 증착 장비에 장착하여 직접 패턴을 형성하는 방법이 있다. In general, in order to form a patterning film, a thin film is formed by deposition or spin coating, and then a pattern is indirectly formed through a photo mask process, or in another method, a pattern to be formed is directly printed on a substrate or a fine metal mask, There is a method of directly forming a pattern by attaching a shadow mask to a deposition apparatus.

패터닝을 하기 위해서는 기판 위에 얼라인 마크가 일정 위치에 존재해야 하며 이 얼라인 마크와 마스크의 얼라인 먼트 홀의 위치를 정렬한 후 패터닝 작업을 진행하게 된다. In order to pattern, an alignment mark must exist at a predetermined position on the substrate, and the alignment mark is aligned with the alignment hole position of the mask and then patterning is performed.

마스크와 기판의 정렬 기준이 되는 얼라인 마크는 기판 위에 패턴 공정 단계 전에 별도로 형성하게 되는데 일반적으로 금속 막을 증착한 후 포토 공정을 통하여 십자가, 원형, 정사각 형태로 패턴하며 또 다른 방법으로는 잉크를 프린팅 하거나 레이저로 직접 기판에 얼라인 마크를 형성하기도 한다. The alignment mark, which is the alignment standard of the mask and the substrate, is separately formed on the substrate before the pattern processing step. Generally, a metal film is deposited and then patterned into a cross, circle, and square shape through a photo process, and another method is to print ink. Alternatively, an alignment mark may be formed directly on the substrate with a laser.

즉, 다층 막을 형성하는 본 공정 외에 얼라인 마크를 형성하기 위한 부가적인 공정이 추가 되는 문제점이 있다. That is, in addition to the present step of forming a multilayer film, there is a problem in that an additional step for forming an alignment mark is added.

도 1은 일반적으로 섀도우 마스크와 기판을 정렬하는 방법을 나타낸 도면이며, 도 2a, 도 2b 및 도 2c는 얼라인 마크가 기판에 다층으로 형성되는 과정을 나타낸 도면이다. 1 is a view illustrating a method of aligning a shadow mask and a substrate in general, and FIGS. 2A, 2B, and 2C illustrate a process in which an alignment mark is formed in multiple layers on a substrate.

도면에 도시된 바와 같이, 섀도우 마스크(1)로 직접 패턴을 형성하는 경우 도 1과 같이 섀도우 마스크(1)에 형성된 일정 크기의 홀(2)에 기판(3)의 얼라인 마크(4)의 위치가 맞도록 Vision(5)으로 인식한 다음 기판을 정렬한 후 증착하게 되는데 여러 개의 층을 형성하는 경우 도 2와 같이 얼라인 마크가 위치한 부분에 마스크 홀을 통하여 반복적으로 다층의 막이 증착 되면서 비전으로 얼라인 마크가 잘 인식되는 않는 문제가 발생한다. As shown in the drawing, when the pattern is directly formed by the shadow mask 1, as shown in FIG. 1, the alignment mark 4 of the substrate 3 is formed in a hole 2 having a predetermined size formed in the shadow mask 1. It recognizes the position as Vision (5) and then deposits after aligning the substrate. When forming multiple layers, the multilayer film is repeatedly deposited through the mask hole in the alignment mark as shown in FIG. As a result, the alignment mark is not recognized well.

본 발명의 일 측면은 섀도우 마스크로 기판 표면에 패턴을 형성함과 동시에 얼라인 마크를 형성하는 증착 장치 및 증착 방법을 제공하는 것에 있다. One aspect of the present invention is to provide a deposition apparatus and a deposition method for forming an alignment mark while forming a pattern on the surface of the substrate with a shadow mask.

본 발명의 다른 측면은 얼라인 마크의 중복 증착을 방지할 수 있는 얼라인 홀이 형성된 증착 장치 및 증착 방법을 제공하는 것에 있다. Another aspect of the present invention is to provide a deposition apparatus and a deposition method in which an alignment hole is formed that can prevent overlapping deposition of alignment marks.

본 발명의 또 다른 측면은 다층 패턴의 형성 시 기판 표면의 얼라인 마크와 섀도우 마스크의 얼라인 홀을 통하여 섀도우 마스크와 기판을 정렬하는 증착 장치 및 증착 방법을 제공하는 것에 있다. Another aspect of the present invention is to provide a deposition apparatus and a deposition method for aligning a shadow mask and a substrate through an alignment mark of a shadow mask and an alignment mark on a surface of a substrate when forming a multilayer pattern.

본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는 증착원을 가지는 공정 챔버;와, 상기 증착원에 의해 증착되도록 상기 공정 챔버 내에 배치되는 기판 표면에 패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 패턴 개구부와, 상기 기판 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 얼라인 마크 개구부를 가지는 섀도우 마스크;와, 상기 얼라인 마크 개구부에 의해 상기 기판에 얼라인 마크가 형성되면 상기 기판의 얼라인 마크와 상기 섀도우 마스크의 얼라인 홀을 정렬시키는 얼라인먼트 장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다. A deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber having a deposition source, a pattern opening defining a region for forming a pattern on a surface of a substrate disposed in the process chamber to be deposited by the deposition source, and the substrate. A shadow mask having an alignment mark opening defining a region for forming an alignment mark on a surface; and an alignment mark of the substrate and the shadow mask when an alignment mark is formed on the substrate by the alignment mark opening. And an alignment device for aligning the alignment holes of the alignment holes.

또한, 섀도우 마스크는 기판의 표면에 제1패턴과 얼라인 마크를 동시에 형성하기 위한 제1섀도우 마스크;와, 상기 얼라인먼트 장치에 의해 정렬된 상태로 상기 제1패턴이 형성된 기판의 표면에 제2패턴을 형성하기 위한 제2섀도우 마스크;를 포함하는 것을 특징으로 한다. The shadow mask may include: a first shadow mask for simultaneously forming a first pattern and an alignment mark on the surface of the substrate; and a second pattern on the surface of the substrate on which the first pattern is formed in an aligned state by the alignment device. A second shadow mask for forming a; characterized in that it comprises a.

또한, 제1섀도우 마스크는 상기 기판의 표면에 상기 제1패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1A개구부와, 상기 기판의 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1B개구부를 가지는 제1마스크 시트;와, 상기 제1A개구부와 제1B개구부를 방해하지 않는 범위 내에서 상기 제1마스크 시트를 지지하는 제1마스크 프레임;을 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the first shadow mask has a first A opening that defines an area for forming the first pattern on the surface of the substrate, and a first B opening that defines an area for forming an alignment mark on the surface of the substrate. And a first mask frame for supporting the first mask sheet within a range of not interfering with the first A opening and the first B opening.

또한, 제2섀도우 마스크는 상기 제1패턴이 형성된 기판 표면에 상기 제2패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부와, 상기 기판 표면의 얼라인 마크를 인식하기 위한 영역을 한정하는 제2B개구부를 가지는 제2마스크 시트;와, 상기 제2A개구부를 개방하고 상기 제2B개구부를 폐쇄하는 범위에서 제2마스크 시트를 지지하는 제2마스크 프레임;을 포함하는 것을 특징으로 한다. The second shadow mask may further include a second A opening that defines an area for forming the second pattern on a surface of the substrate on which the first pattern is formed, and a second B that defines an area for recognizing alignment marks on the surface of the substrate. And a second mask sheet having an opening, and a second mask frame for supporting the second mask sheet in a range of opening the second A opening and closing the second B opening.

또한, 제2마스크 프레임은 상기 제2B개구부에 대응 형성되는 프레임 개구부를 가지며, 상기 제2섀도우 마스크는 상기 제2B개구부와 프레임 개구부로 이루어진 얼라인 홀을 통하여 상기 기판의 얼라인 마크와 정렬되는 것을 특징으로 한다. The second mask frame may have a frame opening corresponding to the second B opening, and the second shadow mask may be aligned with the alignment mark of the substrate through an alignment hole formed by the second B opening and the frame opening. It features.

또한, 얼라인먼트 장치는 기판의 일면을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부 내부에서 기판의 타면과 대응 형성되는 마그넷 플레이트와, 상기 기판과 섀도우 마스크와의 상대 위치를 검출하는 위치 검출 유닛과, 상기 기판과 섀도우 마스크와의 상대 위치를 보정하는 위치 제어 유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the alignment apparatus includes a substrate support for supporting one surface of the substrate, a magnet plate formed to correspond to the other surface of the substrate in the substrate support, a position detection unit for detecting a relative position between the substrate and the shadow mask, and the substrate And a position control unit for correcting the relative position with the shadow mask.

또한, 기판 지지부는 베이스 플레이트와, 선단에서 상기 기판을 지지하는 복수의 승강핀을 가지는 기판 지지대와, 상기 베이스 플레이트를 XYZ방향으로 이동시키는 구동 스테이지를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the substrate support portion includes a base plate, a substrate support having a plurality of lifting pins supporting the substrate at the tip, and a driving stage for moving the base plate in the XYZ direction.

또한, 위치 검출 유닛은 CCD 카메라와, 상기 CCD 카메라에 접속되는 연산부를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the position detection unit includes a CCD camera and a calculation unit connected to the CCD camera.

또한, 프레임 개구부는 명암의 인식을 위하여 상기 제2마스크 시트의 제2B개구부에 비해 큰 크기를 가져 상기 제2B개구부에서 소정 단차를 가지는 형태로 상기 제2마스크 시트와 결합되는 것을 특징으로 한다. In addition, the frame opening has a larger size than the second B opening of the second mask sheet to recognize the contrast, and is coupled to the second mask sheet in a form having a predetermined step at the second B opening.

또한, 공정챔버는 CVD 챔버, 스퍼터 챔버, Evaporator 챔버 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다. The process chamber may include at least one of a CVD chamber, a sputter chamber, and an evaporator chamber.

또한, 기판은 유기 EL 디스플레이 제조 공정 유기층이 증착되는 유리기판을 포함하는 것을 특징으로 한다. Further, the substrate is characterized in that it comprises a glass substrate on which the organic layer of the organic EL display manufacturing process is deposited.

또한, 증착원은 상향식 증착원 또는 하향식 증착원 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the deposition source is characterized in that it comprises at least one of a bottom-up deposition source or a top-down deposition source.

본 발명의 실시예에 따른 증착 장치를 다른 측면에서 본다면, 공정 챔버;와, 상기 공정 챔버 내부에 배치되는 기판;과, 상기 기판 표면에 제1패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1A개구부와, 상기 제1패턴과 동시에 상기 기판 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1B개구부를 가지는 제1섀도우 마스크;와, 상기 제1패턴이 형성된 기판 표면에 제2패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부와, 상기 제1섀도우 마스크에 의해 형성된 상기 기판의 얼라인 마크를 인식하기 위한 영역을 한정하는 제2B개구부를 가지는 제2섀도우 마스크;와, 상기 제1패턴이 형성된 기판 표면에 상기 제2패턴을 형성하기 위하여 상기 제2섀도우 마스크의 제2B개구부와 상기 제1패턴이 형성된 기판 표면의 얼라인 마크와의 상대적 위치를 정렬시키는 얼라인먼트 장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다. In another aspect, a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention may include: a process chamber; a substrate disposed inside the process chamber; a first A opening defining a region for forming a first pattern on the substrate surface; A first shadow mask having a first opening (B) which defines an area for forming an alignment mark on the surface of the substrate simultaneously with the first pattern; and a second pattern on the surface of the substrate on which the first pattern is formed A second shadow mask having a second A opening defining a region, a second B opening defining a region for recognizing an alignment mark of the substrate formed by the first shadow mask; and a substrate having the first pattern formed thereon. Earl for aligning the relative position between the second B opening of the second shadow mask and the alignment mark on the surface of the substrate on which the first pattern is formed to form the second pattern on the surface. Characterized in that it comprises a; the garment apparatus.

또한, 제1섀도우 마스크는 상기 기판의 표면에 상기 제1패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1A개구부와, 상기 기판의 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1B개구부를 가지는 제1마스크 시트;와, 상기 제1A개구부와 제1B개구부를 방해하지 않는 범위 내에서 상기 제1마스크 시트를 지지하는 제1마스크 프레임;을 포함하며, 상기 제2섀도우 마스크는 상기 제1패턴이 형성된 기판 표면에 상기 제2패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부와, 상기 기판 표면의 얼라인 마크를 인식하기 위한 영역을 한정하는 제2B개구부를 가지는 제2마스크 시트;와, 상기 제2A개구부를 개방하고 상기 제2B개구부를 폐쇄하는 범위에서 제2마스크 시트를 지지하되 상기 제2B개구부에 대응 형성되는 프레임 개구부를 가지는 마스크 프레임;을 포함하며, 상기 제2섀도우 마스크는 상기 제2B개구부와 프레임 개구부로 이루어진 얼라인 홀을 통하여 상기 기판의 얼라인 마크와 정렬되는 것을 특징으로 한다. In addition, the first shadow mask has a first A opening that defines an area for forming the first pattern on the surface of the substrate, and a first B opening that defines an area for forming an alignment mark on the surface of the substrate. And a first mask frame for supporting the first mask sheet within a range that does not interfere with the first A opening and the first B opening. The second shadow mask may include a first mask sheet. A second mask sheet having a second A opening portion defining a region for forming the second pattern on the formed substrate surface, and a second B opening portion defining a region for recognizing an alignment mark on the surface of the substrate; A mask frame supporting the second mask sheet in a range of opening the 2A opening and closing the 2B opening, the mask frame having a frame opening formed corresponding to the second B opening; , The second shadow mask is characterized in that it is aligned with the alignment mark of the substrate through the aligned hole 2B made of the first opening and the frame opening.

본 발명의 실시예에 따른 섀도우 마스크를 포함하는 증착 방법은 제1패턴 개구부와 제1얼라인 마크 개구부를 가진 제1섀도우 마스크를 공정 챔버로 반입 및 로딩하는 단계; 상기 제1섀도우 마스크에 대향되도록 기판을 반입 및 로딩하는 단계; 상기 기판 표면에 상기 제1섀도우 마스크의 제1패턴 개구부에 대응되는 제1패턴과 제1섀도우 마스크의 제1얼라인 마크 개구부에 대응되는 얼라인 마크를 동시에 생성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. A deposition method including a shadow mask according to an embodiment of the present invention includes the steps of: loading and loading a first shadow mask having a first pattern opening and a first align mark opening into a process chamber; Loading and loading a substrate to face the first shadow mask; Simultaneously generating a first pattern corresponding to the first pattern opening of the first shadow mask and an alignment mark corresponding to the first alignment mark opening of the first shadow mask on the surface of the substrate; do.

또한, 제2패턴 개구부와 제2얼라인 마크 개구부를 가진 제2섀도우 마스크를 공정 챔버로 반입 및 로딩하는 단계; 상기 제2섀도우 마스크에 대향되도록 상기 제1패턴과 얼라인 마크가 형성된 기판을 로딩하는 단계; 상기 제1패턴과 얼라인 마크가 형성된 기판 표면에 상기 제2섀도우 마스크의 제2패턴 개구부에 대응되는 제1패턴을 형성하고, 상기 제2섀도우 마스크의 제2얼라인 마크 개구부에 대응되는 얼라인 마크를 인식하면서 정렬하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. The method may further include loading and loading a second shadow mask having a second pattern opening and a second alignment mark opening into a process chamber; Loading a substrate on which the first pattern and the alignment mark are formed to face the second shadow mask; A first pattern corresponding to the second pattern opening of the second shadow mask is formed on a surface of the substrate on which the first pattern and the alignment mark are formed, and an alignment corresponding to the second alignment mark opening of the second shadow mask. And aligning while recognizing the mark.

본 발명의 실시예에 따른 섀도우 마스크는 기판 표면에 패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 패턴 개구부와, 상기 기판 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 얼라인 마크 개구부를 가지는 것을 특징으로 한다. A shadow mask according to an embodiment of the present invention has a pattern opening defining a region for forming a pattern on a substrate surface, and an alignment mark opening defining a region for forming an align mark on the substrate surface. do.

또한, 섀도우 마스크는 기판의 표면에 제1패턴과 얼라인 마크를 동시에 형성하기 위한 제1섀도우 마스크;와, 상기 얼라인 마크를 통하여 정렬되면서 상기 제1패턴이 형성된 기판의 표면에 제2패턴을 형성하기 위한 제2섀도우 마스크;를 포함하는 것을 특징으로 한다. The shadow mask may include a first shadow mask for simultaneously forming a first pattern and an alignment mark on the surface of the substrate, and a second pattern on the surface of the substrate on which the first pattern is formed while being aligned through the alignment mark. And a second shadow mask for forming.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치 및 증착 방법은 섀도우 마스크로 기판 표면에 패턴을 형성함과 동시에 얼라인 마크를 형성할 수 있으므로 얼라인 마크를 형성하기 위한 별도의 공정이 불필요하게 되는 효과가 있다. Therefore, the deposition apparatus and the deposition method according to the embodiment of the present invention can form an alignment mark at the same time as forming a pattern on the surface of the substrate with a shadow mask, so that a separate process for forming the alignment mark is unnecessary. There is.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치 및 증착 방법은 마스크 시트의 개구부와 마스크 프레임의 개구부로 이루어진 얼라인 홀을 통하여 얼라인 마크의 중복 증착을 방지할 수 있는 효과가 있다. In addition, the deposition apparatus and the deposition method according to the embodiment of the present invention has the effect of preventing the overlap deposition of the alignment mark through the alignment hole consisting of the opening of the mask sheet and the opening of the mask frame.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치 및 증착 방법은 다층 패턴의 형성 시 기판 표면의 얼라인 마크와 섀도우 마스크의 얼라인 마크 개구부을 통하여 섀도우 마스크와 기판을 효과적으로 정렬하면서 해당 공정에 따라 증착할 수 있게 된다. In addition, the deposition apparatus and the deposition method according to an embodiment of the present invention can be deposited according to the corresponding process while effectively aligning the shadow mask and the substrate through the alignment mark opening of the surface of the substrate and the alignment mark of the shadow mask when the multilayer pattern is formed. Will be.

도 1은 일반적으로 섀도우 마스크와 기판을 정렬하는 방법을 나타낸 도면이다.
도 2는 얼라인 마크가 기판에 다층으로 증착되는 과정을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 증착 장치에 이용되는 제1섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 5는 도 3에 도시된 증착 장치에 이용되는 제2섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 얼라인먼트 장치에 의해 마스크와 기판이 정렬되는 방법을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 증착 장치에 이용되는 제1섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 10은 도 8에 도시된 증착 장치에 이용되는 제2섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a method of aligning a shadow mask and a substrate in general.
2 is a view illustrating a process in which an alignment mark is deposited in multiple layers on a substrate.
3 is a view showing a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is an enlarged view of a first shadow mask used in the deposition apparatus of FIG. 3.
FIG. 5 is an enlarged view of a second shadow mask used in the deposition apparatus of FIG. 3.
6 and 7 illustrate a method of aligning a mask with a substrate by an alignment device according to an embodiment of the present invention.
8 is a view showing a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 9 is an enlarged view of a first shadow mask used in the deposition apparatus of FIG. 8.
FIG. 10 is an enlarged view of a second shadow mask used in the deposition apparatus illustrated in FIG. 8.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 나타낸 도면이며, 도 4는 도 3에 도시된 증착 장치에 이용되는 제1섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이며, 도 5는 도 3에 도시된 증착 장치에 이용되는 제2섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이다. 3 is a diagram illustrating a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is an enlarged view of a first shadow mask used in the deposition apparatus illustrated in FIG. 3, and FIG. 5 is illustrated in FIG. 3. 2 is an enlarged view of a second shadow mask used in a deposition apparatus.

도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(10)는 하향식 증착원(110)을 가지는 공정 챔버(100), 기판(200), 섀도우 마스크(300), 얼라인먼트 장치(400)를 포함하여 구성된다. 3 to 5, the deposition apparatus 10 according to an embodiment of the present invention includes a process chamber 100 having a top-down deposition source 110, a substrate 200, a shadow mask 300, It is configured to include an alignment device 400.

공정 챔버(100)는 증착 재료를 수용하는 증착원(110)을 가지고 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(10)의 증착원(110)은 하향식으로 기판(200)을 증착시키는 증착 장치(10)를 포함한다. The process chamber 100 has a deposition source 110 that contains a deposition material. The deposition source 110 of the deposition apparatus 10 according to an embodiment of the present invention includes a deposition apparatus 10 for depositing the substrate 200 in a top-down manner.

이러한 공정 챔버(100)는 진공 펌프(미도시)에 연결되어 기판(200)의 증착 시 공정 챔버(100)의 내부를 진공 상태로 할 수 있다. The process chamber 100 may be connected to a vacuum pump (not shown) to vacuum the inside of the process chamber 100 during deposition of the substrate 200.

여기서, 공정 챔버(100)는 기판(200) 표면을 화학 기상 증착 방식으로 증착시키는 CVD 챔버, 플라즈마 방전을 통하여 기판 표면을 금속 입자로 증착시키는 스퍼터 챔버, 전기저항이나 전자빔 등을 이용해서 증착원을 가열하여 고체 상태에서 기체상태로 증발시켜 기판 표면을 증착시키는 Evaporator 챔버 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. Here, the process chamber 100 uses a CVD chamber for depositing the surface of the substrate 200 by chemical vapor deposition, a sputter chamber for depositing the surface of the substrate with metal particles through plasma discharge, an electrical resistance, an electron beam, or the like. It may include at least one of the evaporator chamber is heated to evaporate from the solid state to the gas state to deposit the substrate surface.

공정 챔버(100)의 내부에는 증착원(110)에서 제공된 증착 재료에 의해 증착되는 기판(200)이 증착원(110)에 대향되게 배치되어 있다. 이러한 기판(200)은 유기 EL 디스플레이의 제조 공정에 있어서 유기층이 증착되는 유리 기판(200)을 포함할 수 있다. In the process chamber 100, a substrate 200 deposited by a deposition material provided from the deposition source 110 is disposed to face the deposition source 110. Such a substrate 200 may include a glass substrate 200 on which an organic layer is deposited in a manufacturing process of an organic EL display.

기판(200)의 상부에는 기판(200) 표면에 패턴(210,220)과 얼라인 마크(200A)를 동시에 형성하기 위한 섀도우 마스크(300)가 배치된다. 섀도우 마스크(300)를 증착원(110)과 기판(200) 사이에 배치시켜, 패턴 개구부(311A, 311B)에 의해 노출된 기판(200) 영역에만 증착 재료가 증착되어 소정의 패턴(210,220)과 얼라인 마크(200A)를 형성하게 된다. The shadow mask 300 is formed on the substrate 200 to simultaneously form the patterns 210 and 220 and the alignment mark 200A on the surface of the substrate 200. The shadow mask 300 is disposed between the deposition source 110 and the substrate 200 so that the deposition material is deposited only on the region of the substrate 200 exposed by the pattern openings 311A and 311B, so that the predetermined patterns 210 and 220 are formed. The alignment mark 200A is formed.

여기서, 섀도우 마스크(300)는 기판(200)보다 큰 자성 재료로 이루어질 수 있는데, 이러한 섀도우 마스크(300)는 패턴 개구부(311A. 311B)의 패턴 영역에 따라서 기판(200)에 증착되는 박막의 형상이 다양하게 변화될 수 있다. Here, the shadow mask 300 may be formed of a magnetic material larger than that of the substrate 200. The shadow mask 300 may have a shape of a thin film deposited on the substrate 200 according to the pattern region of the pattern openings 311A and 311B. This can be variously changed.

본 발명의 실시예에 따른 섀도우 마스크(300)는 기판(200) 표면에 제1패턴(210)과 얼라인 마크(200A)를 동시에 형성하기 위한 제1섀도우 마스크(310)와, 제1패턴(210)이 형성된 기판(200) 표면에 제2패턴(220)을 형성하고 동시에 기판(200) 표면에 형성된 얼라인 마크(200A)를 인식하기 위한 제2섀도우 마스크(320)를 포함하여 구성된다. The shadow mask 300 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a first shadow mask 310 and a first pattern for simultaneously forming the first pattern 210 and the alignment mark 200A on the surface of the substrate 200. The second pattern 220 is formed on the surface of the substrate 200 on which the 210 is formed, and at the same time, a second shadow mask 320 for recognizing the alignment mark 200A formed on the surface of the substrate 200 is included.

도 4에 도시된 바와 같이, 제1섀도우 마스크(310)는 제1마스크 시트(311)와 제1마스크 프레임(312)을 포함하여 구성된다. As shown in FIG. 4, the first shadow mask 310 includes a first mask sheet 311 and a first mask frame 312.

제1마스크 시트(311)는 기판(200) 표면에 제1패턴(210)을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1A개구부(311A)와, 기판(200) 표면에 얼라인 마크(200A)를 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1B개구부(311B)를 가진다. 그리고, 제1마스크 프레임(312)은 제1A개구부(311A)와 제1B개구부(311B)를 방해하지 않는 범위 내에서 제1마스크 시트(311)를 지지한다. The first mask sheet 311 includes a first A opening 311A defining an area for forming the first pattern 210 on the surface of the substrate 200 and an alignment mark 200A on the surface of the substrate 200. 1B opening part 311B which defines the area | region for doing so. The first mask frame 312 supports the first mask sheet 311 within a range that does not interfere with the first A opening 311A and the first B opening 311B.

제1마스크 시트(311)는 금속판을 사용하여 제작하고, 제1A개구부(311A)는 금속판에 사진 식각공정을 통해 제1패턴 개구부(311A)을 형성하고, 제1B개구부(311B)는 금속판에 사진 식각공정을 통해 제1얼라인 마크 개구부(311B)를 형성할 수 있다. The first mask sheet 311 is fabricated using a metal plate, the first A opening 311 A forms a first pattern opening 311 A through a photolithography process on a metal plate, and the first B opening 311 B is photographed on a metal plate. The first alignment mark opening 311B may be formed through an etching process.

즉, 금속판 상에 감광액을 도포한 다음, 감광액을 노광하고, 노광된 영역을 현상하여 감광막을 형성한다. 이후, 감광막을 식각 마스크로 하는 식각을 실시하여 노출된 영역의 금속판을 제거하여 관통하는 제1A개구부(311A)와 제1B개구부(311B)를 가지는 제1마스크 시트(311)를 형성한다. That is, after the photoresist is applied onto the metal plate, the photoresist is exposed, and the exposed area is developed to form a photoresist film. Subsequently, the first mask sheet 311 having the first A opening 311A and the first B opening 311B is formed by removing the metal plate of the exposed region by etching using the photoresist as an etching mask.

제1마스크 프레임(312)은 제1마스크 시트(311)의 제1A개구부(311A)와 제1B개구부(311B)를 방해하지 않고 개방된 상태로 제1마스크 시트(311)의 처짐을 방지하기 위해 제1마스크 시트(311)의 가장 자리 영역을 감싸는 형상으로 형성된다. The first mask frame 312 is to prevent sagging of the first mask sheet 311 in an open state without disturbing the first A opening 311A and the first B opening 311B of the first mask sheet 311. It is formed in a shape surrounding the edge region of the first mask sheet 311.

즉, 제1마스크 시트(311)를 스트레칭하여 제1마스크 프레임(312)에 밀착시킨 후, 제1마스크 시트(311)와 제1마스크 프레임(312)을 접착하여 제1섀도우 마스크(310)를 완성한다. That is, after the first mask sheet 311 is stretched to be in close contact with the first mask frame 312, the first mask sheet 311 and the first mask frame 312 are adhered to each other to form the first shadow mask 310. Complete

여기서, 제1얼라인 마크 개구부(311B)를 이루는 제1B개구부(311B)는 제1마스크 프레임(312)에서 일정 간격 떨어진 위치의 제1마스크 시트(311)에 일정 크기와 형태로 형성하면 된다. The first B opening 311B constituting the first alignment mark opening 311B may be formed in the first mask sheet 311 in a predetermined size and shape at a position spaced apart from the first mask frame 312 by a predetermined distance.

도 5에 도시된 바와 같이, 제2섀도우 마스크(320)는 제2마스크 시트(321)와 제2마스크 프레임(322)을 포함하여 구성된다. As shown in FIG. 5, the second shadow mask 320 includes a second mask sheet 321 and a second mask frame 322.

제2마스크 시트(321)는 제1패턴(210)이 형성된 기판(200) 표면에 제2패턴(220)을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부(321A)와, 기판(200) 표면에 형성된 얼라인 마크(200A)를 인식하기 위한 영역을 한정하는 제2B개구부(321B)를 가진다. 제2마스크 프레임(322)은 제2마스크 시트(321)의 제2A개구부(321A)는 방해하지 않고 제2B개구부(321B)를 방해하는 범위에서 제2마스크 시트(321)를 지지한다. The second mask sheet 321 may be formed on the surface of the substrate 200 on which the first pattern 210 is formed, and the second A opening 321A defining an area for forming the second pattern 220. It has 2B opening part 321B which limits the area | region for recognizing the formed alignment mark 200A. The second mask frame 322 supports the second mask sheet 321 in a range that does not interfere with the second A opening 321A of the second mask sheet 321 and interferes with the second B opening 321B.

제2마스크 시트(321)는 금속판을 사용하여 제작하고, 제2A개구부(321A)는 금속판에 사진 식각공정을 통해 제2패턴 개구부(321A)를 형성하고, 제2B개구부(321B)는 금속판에 사진 식각공정을 통해 제2얼라인 마크 개구부(321B)를 형성할 수 있다. 즉, 이러한 제2마스크 시트(321)는 상술한 제1마스크 시트(311)와 동일한 방식으로 제작될 수 있다. The second mask sheet 321 is fabricated using a metal plate, the second A opening 321A is formed on the metal plate through the photolithography process, and the second pattern opening 321A is formed, and the second B opening 321B is photographed on the metal plate. The second alignment mark opening 321B may be formed through an etching process. That is, the second mask sheet 321 may be manufactured in the same manner as the first mask sheet 311 described above.

제2마스크 프레임(322)은 제2마스크 시트(321)의 제2A개구부(321A)는 개방시키고 제2B개구부(321B)는 폐쇄시킨 상태에서 제2마스크 시트(321)의 처짐을 방지하기 위해 제2마스크 시트(321)의 가장 자리 영역을 감싸는 형상으로 형성된다. The second mask frame 322 is formed to prevent sagging of the second mask sheet 321 while the second A opening 321 A of the second mask sheet 321 is opened and the second B opening 321 B is closed. It is formed in a shape surrounding the edge region of the two mask sheet 321.

따라서, 제2섀도우 마스크(320)는 기판(200)에 형성된 얼라인 마크(200A)를 인식하기 위한 영역을 한정하는 제2B개구부(321B)를 폐쇄시키고, 기판(200) 표면에 제2패턴(220)을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부(321A)만을 개방시킨 상태로 완성될 수 있다. Accordingly, the second shadow mask 320 closes the second opening B 321B defining the area for recognizing the alignment mark 200A formed on the substrate 200, and closes the second pattern on the surface of the substrate 200. Only the second A opening 321A defining an area for forming 220 may be opened.

이렇게 제2섀도우 마스크(320)의 제2마스크 시트(321)에서 제2패턴(220)을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부(321A)만을 개방함으로써 여러 박막이 얼라인 마크(200A)에 적층되어 얼라인 마크(200A)가 불분명하게 인식되는 문제를 개선할 수 있다. Thus, by opening only the second A opening 321A defining the area for forming the second pattern 220 in the second mask sheet 321 of the second shadow mask 320, various thin films are aligned with the alignment mark 200A. Stacking may improve the problem that the alignment mark 200A is unclearly recognized.

한편, 제2섀도우 마스크(320)의 제2마스크 프레임(322)은 제2마스크 시트(321)의 제2B개구부(321B)에 대응 형성되는 프레임 개구부(322A)를 가지고 있다. On the other hand, the second mask frame 322 of the second shadow mask 320 has a frame opening 322A formed corresponding to the second B opening portion 321B of the second mask sheet 321.

이렇게 제2마스크 시트(321)의 제2B개구부(321B)와 제2마스크 프레임(322)의 프레임 개구부(322A)를 구비하는 이유는 제2마스크 프레임(322)에 별도의 개구부(322A)가 생성되지 않고 제2마스크 시트(321)에만 개구부(321B)가 형성될 경우 제2마스크 시트(321)의 두께가 얇기 때문에 개구부(321B)가 있고 없는 부분의 명암 인식이 명확하게 되지 않는 문제가 발생할 수 있기 때문이다. The reason for having the second opening B 321B of the second mask sheet 321 and the frame opening 322A of the second mask frame 322 is that a separate opening 322A is generated in the second mask frame 322. If the opening 321B is formed only in the second mask sheet 321, the thickness of the second mask sheet 321 may be thin, which may cause a problem in which the contrast of the portion having the opening 321B and the absence of the opening 321B becomes unclear. Because there is.

또한, 이러한 제2마스크 프레임(322)의 프레임 개구부(322A)는 명확한 명암의 인식을 위하여 제2마스크 시트(321)의 제2B개구부(321B)에 비해 큰 크기를 가져 제2B개구부(321B)에서 소정 단차를 가지는 형태로 제2마스크 시트(321)와 결합되어 있다. In addition, the frame opening 322A of the second mask frame 322 has a larger size than that of the second B opening 321B of the second mask sheet 321 in order to clearly recognize the contrast. It is coupled to the second mask sheet 321 in a form having a predetermined step.

따라서, 기판(200)에 제2패턴(220)을 형성하는 단계에서 소정 단차를 가지는 제2마스크 프레임(322)의 프레임 개구부(322A)와 제2마스크 시트의 제2B개구부(321B)를 통하여 얼라인 홀(321B, 322A)을 형성함으로써 기판(200)의 얼라인 마크(200A)가 불분명하게 인식되는 문제를 개선할 수 있다. Therefore, in the step of forming the second pattern 220 on the substrate 200, freezing is performed through the frame opening 322A of the second mask frame 322 having a predetermined step and the second B opening 321B of the second mask sheet. By forming the in holes 321B and 322A, the problem that the alignment mark 200A of the substrate 200 is unclearly recognized can be improved.

다른 측면에서 본다면, 제2섀도우 마스크(320)의 제2마스크 프레임(322) 내부의 개방 면적은 제1섀도우 마스크(310)에 비하여 좁은 영역을 가진다. 그 이유는 얼라인 홀(321B, 322A)을 제2섀도우 마스크(320)의 제2마스크 시트(321) 상에 형성하지 않고 제2섀도우 마스크(320)의 제2마스크 프레임(322)에 형성하여 기판(200)의 얼라인 마크(200A)에 다수의 막이 중복 증착되는 것을 방지하기 위함이다. In another aspect, the open area inside the second mask frame 322 of the second shadow mask 320 has a narrower area than the first shadow mask 310. The reason for this is that the alignment holes 321B and 322A are not formed on the second mask sheet 321 of the second shadow mask 320 and formed on the second mask frame 322 of the second shadow mask 320. This is to prevent a plurality of films from being repeatedly deposited on the alignment mark 200A of the substrate 200.

얼라인 마크(200A) 상에 여러 층의 막이 증착될 경우 CCD 카메라(431)에서 얼라인 마크(200A)가 부정확하게 인식될 수 있다. 일정 두께 이상을 가지는 제2섀도우 마스크(320)의 제2마스크 프레임(322)에 일정 깊이의 프레임 개구부(322A)를 형성하고 동일한 위치의 제2마스크 시트(321)에는 제2마스크 프레임(322)에 형성된 프레임 개구부(322A)의 지름과 같거나 작은 지름의 홀 또는 홈을 형성하여 제2섀도우 마스크의 얼라인 홀(321B, 322A)을 생성한다. When multiple layers of films are deposited on the alignment mark 200A, the alignment mark 200A may be incorrectly recognized by the CCD camera 431. A frame opening 322A having a predetermined depth is formed in the second mask frame 322 of the second shadow mask 320 having a predetermined thickness or more, and the second mask frame 322 is formed in the second mask sheet 321 at the same position. Holes or grooves having a diameter equal to or smaller than the diameter of the frame openings 322A formed in the grooves are formed to generate the alignment holes 321B and 322A of the second shadow mask.

따라서, 제2패턴(220)을 형성하는 단계에서 소정 단차를 가지는 제2섀도우 마스크(320)의 프레임 개구부(322A)를 형성하여 기판(200)의 얼라인 마크(200A)에 여러 박막이 적층되어 얼라인 마크(200A)가 불분명하게 인식되는 문제를 개선할 수 있다. Therefore, in the forming of the second pattern 220, a plurality of thin films are stacked on the alignment mark 200A of the substrate 200 by forming the frame opening 322A of the second shadow mask 320 having a predetermined step. The problem that the alignment mark 200A is unclearly recognized can be improved.

여기서, 제1 및 제2마스크 시트(311,321)와 제1 및 제2마스크 프레임(312, 322)은 금속이나, 금속들의 합금을 사용하거나, 기능성 폴리머를 사용할 수도 있고, 폴리머와 금속의 혼합물을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 상술한 금속으로 Cr, Al, Fe, Cu, W, Au, Ni, Ag, Ti 등을 사용할 수 있다. Here, the first and second mask sheets 311 and 321 and the first and second mask frames 312 and 322 may use metals, alloys of metals, functional polymers, or a mixture of polymers and metals. It may be. For example, Cr, Al, Fe, Cu, W, Au, Ni, Ag, Ti or the like may be used as the above-described metal.

그리고, 기판(200) 표면에는 다층의 박막이 다양한 패턴으로 적층되기 때문에 하부 층의 제1패턴(210)과 상부 층의 제2패턴(220) 사이의 정렬이 매우 중요하고, 인접한 패턴들 간의 정렬 또한 중요하다. 한편, 제1 및 제2마스크 프레임(312, 322)의 오픈 영역에 단차를 형성하는데, 그 이유는 상부에서 내려오는 가스의 흐름을 중앙부분으로 모아주기 위해서 단차를 형성하게 된다. In addition, since multilayer thin films are stacked in various patterns on the surface of the substrate 200, alignment between the first pattern 210 of the lower layer and the second pattern 220 of the upper layer is very important, and the alignment between adjacent patterns. It is also important. Meanwhile, a step is formed in the open areas of the first and second mask frames 312 and 322 because a step is formed to collect the flow of gas from the upper portion to the center portion.

따라서, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)를 정렬시키기 위한 얼라인먼트 장치(400)가 배치된다. 이러한 얼라인먼트 장치(400)는 증착이 이루어지는 공정 챔버(100)의 내부에 배치될 수 있을 뿐만 아니라, 공정 챔버(100)의 외부에 별도의 챔버를 가지는 형태로 배치될 수 있음은 물론이다. Accordingly, an alignment device 400 for aligning the substrate 200 and the second shadow mask 320 is disposed. The alignment device 400 may not only be disposed inside the process chamber 100 in which deposition is performed, but may also be disposed in a form having a separate chamber outside the process chamber 100.

이러한 얼라인먼트 장치(400)는 기판(200)의 일면을 지지하는 기판 지지부(410)와, 기판 지지부(410) 내부에서 기판(200)의 타면과 대응 형성되는 마그넷 플레이트(420)와, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)와의 상대 위치를 검출하는 위치 검출 유닛(430)과, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)와의 상대 위치를 보정하는 위치 제어 유닛(미도시)을 구비하고 있다. The alignment device 400 includes a substrate support part 410 supporting one surface of the substrate 200, a magnet plate 420 formed to correspond to the other surface of the substrate 200 inside the substrate support part 410, and the substrate 200. ) And a position detection unit 430 for detecting a relative position between the second shadow mask 320 and a position control unit (not shown) for correcting the relative position between the substrate 200 and the second shadow mask 320. Doing.

기판 지지부(410)는 기판(200)의 일면 가장자리에서 수평상태로 지지하도록 구성되어 있다. The substrate support part 410 is configured to support in a horizontal state at one edge of the substrate 200.

이러한 기판 지지부(410)는 베이스 플레이트(411)와, 베이스 플레이트(411)의 상부에 결합되되 그 선단에서 기판(200)을 지지하는 복수의 승강핀(412A)을 가지는 기판 지지대(412)와, 베이스 플레이트(411)의 하부에 결합되어 베이스 플레이트(411)를 XYZ방향으로 이동시키는 구동 스테이지(413)를 포함하여 구성된다. The substrate support 410 is a substrate support 412 having a base plate 411, a plurality of lifting pins (412A) coupled to the upper portion of the base plate 411, but supporting the substrate 200 at its tip; It is configured to include a drive stage 413 coupled to the lower portion of the base plate 411 to move the base plate 411 in the XYZ direction.

베이스 플레이트(411)의 상부에는 기판(200)이 안치되는 사각 박스 형상의 기판 지지대(412)가 배치된다. A substrate support 412 having a rectangular box shape on which the substrate 200 is placed is disposed on the base plate 411.

기판 지지대(412)의 내부에는 기판 지지대(412)에 의해 지지받는 기판(200)의 타면에 대응 형성되는 마그넷 플레이트(420)가 배치된다. The magnet plate 420 corresponding to the other surface of the substrate 200 supported by the substrate support 412 is disposed inside the substrate support 412.

마그넷 플레이트(420)는 기판 지지대(412)의 승강핀(412A)과 결합되어 상승 또는 하강하여 제2섀도우 마스크(320)와 자기적 결합을 할 수 있다. The magnet plate 420 may be coupled to the lifting pins 412A of the substrate support 412 to raise or lower to magnetically engage with the second shadow mask 320.

상술한 베이스 플레이트(411), 기판 지지부(410), 마그넷 플레이트(420)에는 후술하는 CCD 카메라(431)에 의하여 기판 지지대(412)에 지지받는 기판(200)의 얼라인 마크(200A)를 촬상하기 위한 관통공(미도시)이 마련되어 있다. The base plate 411, the substrate support part 410, and the magnet plate 420 described above capture an alignment mark 200A of the substrate 200 supported by the substrate support 412 by the CCD camera 431 described later. A through hole (not shown) for the purpose is provided.

위치 검출 유닛(430)은 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)의 상대적인 위치 관계를 검출하기 위한 것이고 예를 들면, CCD 카메라(431)와, CCD 카메라(431)에 접속되는 연산부(미도시)를 포함할 수 있다. The position detection unit 430 is for detecting a relative positional relationship between the substrate 200 and the second shadow mask 320 and is, for example, an operation unit (not shown) connected to the CCD camera 431 and the CCD camera 431. May include).

CCD 카메라(431)는 기판(200)의 얼라인 마크(200A)와 제2섀도우 마스크(320)의 얼라인 홀(321B,322A)를 중합시킨 화상이 받아들여지도록 배치 된다. 예를 들면 2개의 관통공(미도시)의 하방에 2대의 CCD 카메라(431)가 각각 설치 될 수 있다. The CCD camera 431 is arranged to receive an image obtained by polymerizing the alignment marks 200A of the substrate 200 and the alignment holes 321B and 322A of the second shadow mask 320. For example, two CCD cameras 431 may be installed below two through holes (not shown).

그리고, 연산부(미도시)에서는 촬영되는 얼라인 마크(200A)와 얼라인 홀(321B,322A)이 서로 일치되는 화상으로부터 제2섀도우 마스크(320)에 대한 기판의 위치 이탈을 산출한 다음 기판과 제2섀도우 마스크(320)의 정렬이 가능하도록 한다. In addition, the calculation unit (not shown) calculates the positional deviation of the substrate with respect to the second shadow mask 320 from the image in which the alignment marks 200A and the alignment holes 321B and 322A are photographed, and then the substrate and The alignment of the second shadow mask 320 is possible.

즉, CCD 카메라(431)를 사용하여 얼라인 마크(200A)와 얼라인 홀(321B,322A)을 인식한 후, 얼라인 마크(200A)와 얼라인 홀(321B,322A)이 서로 일치하도록 구동 스테이지(413)를 통하여 기판 지지대(412)를 지탱하고 있는 베이스 플레이트(411)를 XYZ방향으로 이동시키게 된다. 이때 정밀한 이동을 위하여 사용되는 구동 스테이지(413)는 UVW 스테이지(413)로, 이러한 UVW 스테이지(413)의 이송 정밀도는 수um 수준의 정밀도를 가진다. That is, after recognizing the alignment marks 200A and the alignment holes 321B and 322A using the CCD camera 431, the alignment marks 200A and the alignment holes 321B and 322A are driven to coincide with each other. The base plate 411 holding the substrate support 412 is moved in the XYZ direction through the stage 413. At this time, the driving stage 413 used for the precise movement is the UVW stage 413, the transfer precision of the UVW stage 413 has a precision of several um level.

따라서, 베이스 플레이트(411)는 하부에 UVW 스테이지(413)와 연결되어 있으며, 적당한 면에 두 개 이상의 CCD 카메라(431)를 부착하여 사용하게 되어, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)의 정밀한 정렬이 가능하게 된다. Accordingly, the base plate 411 is connected to the UVW stage 413 at the bottom, and the two or more CCD cameras 431 are attached to a suitable surface to use the substrate 200 and the second shadow mask 320. Precise alignment is possible.

또한, 위치 제어 유닛(미도시)은 위치 검출 유닛(430)에서 검출되는 위치 관계로부터, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)가 소정의 위치 관계가 되도록 기판 지지부(410)의 이동치를 산출하고, 산출되는 값에 근거하고 기판 지지부(410)에 구비되는 UVW 스테이지(413)에 의한 기판 지지부(410)의 구동을 제어하는 제어부(미도시)를 구비하고 있다. In addition, the position control unit (not shown) moves the movement value of the substrate support 410 such that the substrate 200 and the second shadow mask 320 are in a predetermined position relationship from the positional relationship detected by the position detection unit 430. A control part (not shown) which calculates and controls the drive of the board | substrate support part 410 by the UVW stage 413 provided in the board | substrate support part 410 is provided.

다음, 도 6 및 도 7을 참조하여 섀도우 마스크와 기판이 정렬되는 방법에 대하여 설명한다. 도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 얼라인먼트 장치에 의해 마스크와 기판이 정렬되는 방법을 나타낸 도면이다. Next, a method of aligning the shadow mask and the substrate will be described with reference to FIGS. 6 and 7. 6 and 7 illustrate a method of aligning a mask with a substrate by an alignment device according to an embodiment of the present invention.

도 3, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 먼저, 제1패턴 개구부(311A) 및 제1얼라인 마크 개구부(311B)를 갖는 제1섀도우 마스크(310)를 진공 분위기가 조성된 공정 챔버(100) 내부로 반입 및 로딩된다. (S100)3, 6, and 7, first, a process chamber in which a first shadow mask 310 having a first pattern opening 311A and a first alignment mark opening 311B is formed in a vacuum atmosphere is formed. 100 is loaded and loaded inside. (S100)

그리고, 공정 챔버(100)로 반입 및 로딩된 제1섀도우 마스크(310)를 상승시킨다. (S110)Then, the first shadow mask 310 loaded into the process chamber 100 is raised. (S110)

다음, 기판 지지부(410)의 승강핀(412A)을 상승시킨 다음(S120), 상승된 기판 지지부(410)의 승강핀(412A)에 기판(200)을 로딩한다. (S130)Next, the lifting pins 412A of the substrate support 410 are raised (S120), and then the substrate 200 is loaded on the lifting pins 412A of the raised substrate support 410. (S130)

다음, 이렇게 승강핀(412A)에 로딩된 기판(200)을 하강시킨다. (S140)Next, the substrate 200 loaded on the lifting pins 412A is lowered. (S140)

그리고, 제1섀도우 마스크(310)가 기판(200)에 인접하도록 제1섀도우 마스크(310)를 하강시켜 제1섀도우 마스크(310)와 기판(200)의 예비 정렬을 실시한다. (S150)In addition, the first shadow mask 310 is lowered so that the first shadow mask 310 is adjacent to the substrate 200, thereby preliminarily aligning the first shadow mask 310 with the substrate 200. (S150)

다음, 제1섀도우 마스크(310)가 기판(200)에 밀착되도록 제1섀도우 마스크(310)를 더욱 하강시켜 제1섀도우 마스크(310)와 기판의 정렬을 실시한다. (S160)Next, the first shadow mask 310 is further lowered so that the first shadow mask 310 is in close contact with the substrate 200 to align the first shadow mask 310 with the substrate. (S160)

제1섀도우 마스크(310)를 기판(200) 위치까지 내린 후 기구적인 정렬을 실시한 후 기판(200)과 제1섀도우 마스크(310)를 밀착시키고(S170), 다시 마그넷 플레이트(420)로 처킹(S180)한 다음, Sputtering공정(또는 CVD공정, Evaporation공정)에 따라 증착을 실시하게 되면 제1섀도우 마스크(310)의 제1패턴 개구부(311A)에 해당하는 제1패턴(210)과 제1섀도우 마스크(310)의 제1얼라인 마크 개구부(311B)에 해당하는 얼라인 마크(200A)가 동시에 생성된다. (S190)After lowering the first shadow mask 310 to the position of the substrate 200 and performing mechanical alignment, the substrate 200 is brought into close contact with the first shadow mask 310 (S170), and chucked with the magnet plate 420 again ( S180), and when the deposition is performed according to the sputtering process (or CVD process or evaporation process), the first pattern 210 and the first shadow corresponding to the first pattern opening 311A of the first shadow mask 310 are performed. An alignment mark 200A corresponding to the first alignment mark opening 311B of the mask 310 is simultaneously generated. (S190)

제2패턴의 형성방법은 제1패턴(210)의 형성과 마찬가지로 제2패턴 개구부(321A) 및 얼라인 홀(321B, 322A)를 구비한 제2섀도우 마스크(320)가 반입 및 로딩된다. (S200)In the method of forming the second pattern, the second shadow mask 320 having the second pattern openings 321A and the alignment holes 321B and 322A is loaded and loaded similarly to the formation of the first pattern 210. (S200)

그리고, 공정 챔버(100)로 반입 및 로딩된 제2섀도우 마스크(320)를 상승시킨다. (S210) Then, the second shadow mask 320 loaded into the process chamber 100 is raised. (S210)

그리고, 기판 지지부(410)의 승강핀(412A)을 상승시킨다. (S220)And the lifting pin 412A of the board | substrate support part 410 is raised. (S220)

다음, 상승된 기판 지지부(410)의 승강핀(412A)에 기판(200)을 로딩한다. (S230) Next, the substrate 200 is loaded on the lifting pins 412A of the raised substrate support 410. (S230)

다음, 이렇게 승강핀(412A)에 로딩된 기판(200)을 하강시킨다. (S240)Next, the substrate 200 loaded on the lifting pins 412A is lowered. (S240)

다음, 제2섀도우 마스크(320)가 기판(200)에 인접하도록 제2섀도우 마스크(320)를 하강시켜 제1섀도우 마스크(310)와 기판(200)의 예비 정렬을 실시한다. (S250) Next, the second shadow mask 320 is lowered so that the second shadow mask 320 is adjacent to the substrate 200, and preliminary alignment of the first shadow mask 310 and the substrate 200 is performed. (S250)

다음, 제1섀도우 마스크(310)가 기판(200)에 밀착되도록 제1섀도우 마스크(310)를 더욱 하강시켜 제1섀도우 마스크(310)와 기판(200)의 정렬을 실시한다. (S260)Next, the first shadow mask 310 is further lowered so that the first shadow mask 310 is in close contact with the substrate 200 to align the first shadow mask 310 with the substrate 200. (S260)

제2섀도우 마스크(320)를 기판(200) 위치까지 하강시킨 후 기구적인 정렬을 실시한 후 다시 기판(200)의 얼라인 마크(200A)가 제2마스크 시트(321)의 얼라인 홀(321B, 322A)에 대응 위치하도록 하여 CCD 카메라(431)에서 인식되도록 얼라인한다. (S270)After the second shadow mask 320 is lowered to the position of the substrate 200 and mechanically aligned, the alignment marks 200A of the substrate 200 are aligned with the alignment holes 321B of the second mask sheet 321. 322A is aligned so as to be recognized by the CCD camera 431. (S270)

즉, CCD 카메라(431)에 의하여 기판(200)의 얼라인 마크(200A)와 제2섀도우 마스크(320)의 얼라인 홀(321B, 322A)이 각각 촬상되고 연산부(미도시)에 의해서 제2섀도우 마스크(320)의 얼라인 홀(321B, 322A)의 중심과 기판의 얼라인 마크(200A)의 상대 위치가 검출된다. That is, the alignment marks 200A of the substrate 200 and the alignment holes 321B and 322A of the second shadow mask 320 are captured by the CCD camera 431, respectively, and the second operation is performed by the operation unit (not shown). The relative positions of the centers of the alignment holes 321B and 322A of the shadow mask 320 and the alignment marks 200A of the substrate are detected.

CCD 카메라(431)에서 얼라인 마크(200A)와 얼라인 홀(321B, 322A)이 인식하면 UVW 스테이지(413)를 조절하여 비전 얼라인(S280)을 완료하여 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)를 밀착(S290)시켜서 마그넷 처킹(S300) 및 미세 정렬(S310) 한 후 CVD공정(또는 Sputtering공정, Evaporation공정)에 따라 증착을 실시한다. (S320)When the alignment mark 200A and the alignment holes 321B and 322A are recognized by the CCD camera 431, the UVW stage 413 is adjusted to complete the vision alignment S280 to complete the substrate 200 and the second shadow mask. After closely contacting (320) (S290) and performing magnet chucking (S300) and fine alignment (S310), deposition is performed according to a CVD process (or a sputtering process or an evaporation process). (S320)

즉, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)의 정렬을 행한 뒤, 승강핀(412A)을 통하여 기판(200)과 마그넷 플레이트(420)를 상승시키면, 이것에 의해, 제2섀도우 마스크(320)는 기판(200)을 이용하고 마그넷 플레이트(420)에 흡착되고, 제2섀도우 마스크(320)가 기판(200)에 밀착 고정 되는 상태가 된다. That is, after the substrate 200 and the second shadow mask 320 are aligned, the substrate 200 and the magnet plate 420 are lifted up through the lifting pins 412A, whereby the second shadow mask ( 320 is adsorbed onto the magnet plate 420 using the substrate 200, and the second shadow mask 320 is brought into close contact with the substrate 200.

이 상태로, CCD 카메라(431)에 의하여 기판(200)의 얼라인 마크(200A)와 제2섀도우 마스크(320)의 얼라인 홀(321B, 322A)의 중복 상태를 촬상하고 위치를 확인한다. 그리고, 위치 이탈이 요구 정밀도 범위 내라면 마그넷 플레이트(420)와 제2섀도우 마스크(320) 사이에 배치되는 상태의 기판(200)을 해당 공정에 의하여 기판(200)에 제2패턴(220)을 형성할 수 있다. (S320) In this state, the CCD camera 431 captures the overlapping state between the alignment marks 200A of the substrate 200 and the alignment holes 321B, 322A of the second shadow mask 320 and confirms the position. If the position deviation is within the required accuracy range, the second pattern 220 may be applied to the substrate 200 by a corresponding process by placing the substrate 200 disposed between the magnet plate 420 and the second shadow mask 320. Can be formed. (S320)

본 발명의 다른 실시예를 도 8 내지 도 10을 참조하여 설명한다. 전술한 일 실시예와 동일한 구성 요소를 나타내는 경우에는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명은 생략한다. 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치를 나타낸 도면이며, 도 9는 도 8에 도시된 증착 장치에 이용되는 제1섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이며, 도 10은 도 8에 도시된 증착 장치에 이용되는 제2섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이다. Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 to 10. The same reference numerals are assigned to the same components as those of the above-described embodiment, and a description thereof will be omitted. 8 is a view illustrating a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention, FIG. 9 is an enlarged view of a first shadow mask used in the deposition apparatus illustrated in FIG. 8, and FIG. 10 is illustrated in FIG. 8. 2 is an enlarged view of a second shadow mask used in a deposition apparatus.

도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치(10')는 상향식 증착원(110')을 가지는 공정 챔버(100'), 기판(200), 섀도우 마스크(300'), 얼라인먼트 장치(400')를 포함하여 구성된다. 8 to 10, the deposition apparatus 10 ′ according to another exemplary embodiment of the present invention may include a process chamber 100 ′ having a bottom-up deposition source 110 ′, a substrate 200, and a shadow mask ( 300 '), and an alignment device 400'.

공정 챔버(100')는 증착 재료를 수용하는 증착원(110')을 가지고 있는데, 이러한 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치(10')의 증착원(110')은 상향식으로 기판(200)을 증착시키는 증착 장치(10')를 포함한다. The process chamber 100 ′ has a deposition source 110 ′ containing a deposition material. The deposition source 110 ′ of the deposition apparatus 10 ′ according to another embodiment of the present invention is the substrate 200 from the bottom up. Evaporation apparatus 10 ′ for depositing e).

공정 챔버(100')의 내부에는 상향식 증착원(110')에서 제공된 증착 재료에 의해 증착되는 기판(200)이 증착원(110')에 대향되게 배치되어 있다. In the process chamber 100 ′, a substrate 200 deposited by a deposition material provided from the bottom-up deposition source 110 ′ is disposed to face the deposition source 110 ′.

기판(200)의 하부에는 기판(200) 표면에 패턴(210,220)과 얼라인 마크(200A)를 동시에 형성하기 위한 섀도우 마스크(300')가 배치된다. 섀도우 마스크(300')를 상향식 증착원(110')과 기판(200) 사이에 배치시켜 패턴 개구부(311'A)와 얼라인 마크 개구부(311'B)에 의해 노출된 기판 영역에만 증착 재료가 증착되어 소정의 패턴(210)과 얼라인 마크(200A)를 동시에 형성하게 된다. The shadow mask 300 ′ for simultaneously forming the patterns 210 and 220 and the alignment mark 200A is disposed on the surface of the substrate 200 under the substrate 200. The shadow mask 300 ′ is disposed between the bottom-up deposition source 110 ′ and the substrate 200 so that the deposition material is applied only to the substrate region exposed by the pattern opening 311 ′ A and the alignment mark opening 311 ′ B. The deposition is performed to simultaneously form the predetermined pattern 210 and the alignment mark 200A.

본 발명의 다른 실시예에 따른 섀도우 마스크(300')는 상향식 증착원(110')을 통하여 기판(200) 표면에 제1패턴(210)과 얼라인 마크(200A)를 동시에 형성하기 위한 제1섀도우 마스크(310')와, 제1패턴(210)이 형성된 기판(200) 표면에 제2패턴(220)을 형성함과 동시에 기판(200)의 얼라인 마크(200A)를 인식하기 위한 얼라인 홀(321'B, 322'A)이 형성된 제2섀도우 마스크(320')를 포함하여 구성된다. The shadow mask 300 ′ according to another embodiment of the present invention may include a first pattern for simultaneously forming a first pattern 210 and an alignment mark 200A on a surface of the substrate 200 through a bottom-up deposition source 110 ′. Alignment for recognizing the alignment mark 200A of the substrate 200 while forming the second pattern 220 on the surface of the substrate 200 on which the shadow mask 310 ′ and the first pattern 210 are formed. And a second shadow mask 320 'formed with holes 321'B and 322'A.

제1섀도우 마스크(310')는 제1마스크 시트(311')와, 제1마스크 시트(311')의 하부에 배치되는 제1마스크 프레임(312')을 포함하여 구성된다. The first shadow mask 310 ′ includes a first mask sheet 311 ′ and a first mask frame 312 ′ disposed under the first mask sheet 311 ′.

제1마스크 시트(311')는 기판(200) 표면에 제1패턴(210)을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1A개구부(311'A)와, 기판(200) 표면에 얼라인 마크(200A)를 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1B개구부(311'B)를 가진다. 그리고, 제1마스크 프레임(312')은 제1A개구부(311'A)와 제1B개구부(311'B)를 방해하지 않는 범위 내에서 제1마스크 시트(311')의 하부에서 제1마스크 시트(311')를 지지한다. The first mask sheet 311 ′ has a first A opening 311 ′ A defining an area for forming the first pattern 210 on the surface of the substrate 200, and an alignment mark 200 A on the surface of the substrate 200. Has a first B opening 311'B that defines an area for forming the " The first mask frame 312 ′ is disposed below the first mask sheet 311 ′ within the range of not interfering with the first A opening 311 ′ A and the first B opening 311 ′ B. Support 311 ′.

제1마스크 프레임(312')은 제1마스크 시트(311')의 제1A개구부(311'A)와 제1B개구부(311'B)를 방해하지 않고 개방된 상태로 제1마스크 시트(311')의 처짐을 방지하기 위해 제1마스크 시트(311')의 하부에서 제1마스크 시트(311')의 가장 자리 영역을 감싸는 형상으로 형성된다. The first mask frame 312 ′ is opened without interfering the first A opening 311 ′ A and the first B opening 311 ′ B of the first mask sheet 311 ′ with the first mask sheet 311 ′. In order to prevent sag), a lower portion of the first mask sheet 311 ′ is formed to surround the edge region of the first mask sheet 311 ′.

제2섀도우 마스크(320')는 제2마스크 시트(321')와, 제2마스크 시트(321')의 하부에 배치되는 제2마스크 프레임(322')을 포함하여 구성된다. The second shadow mask 320 ′ includes a second mask sheet 321 ′ and a second mask frame 322 ′ disposed under the second mask sheet 321 ′.

제2마스크 시트(321')는 제1패턴(210)이 형성된 기판(200) 표면에 제2패턴(220)을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부(321'A)와, 기판(200) 표면에 형성된 얼라인 마크(200A)를 인식하기 위한 영역을 한정하는 제2B개구부(322'B)를 가진다. 그리고, 제2마스크 프레임(322')은 제2마스크 시트(321')의 제2A개구부(321'A)는 방해하지 않고 제2B개구부(322'B)를 방해하는 범위에서 제2마스크 시트(321')의 하부에 위치하여 제2마스크 시트(321')를 지지한다. The second mask sheet 321 ′ includes a second A opening 321 ′ A that defines an area for forming the second pattern 220 on the surface of the substrate 200 on which the first pattern 210 is formed, and the substrate 200. ) 2B opening portion 322'B defining an area for recognizing alignment mark 200A formed on the surface. The second mask frame 322 ′ may not interfere with the second A opening 321 ′ of the second mask sheet 321 ′ and may interfere with the second B opening 322 ′ B. The second mask sheet 321 ′ is positioned at the bottom of the 321 ′.

즉, 제2마스크 프레임(322)은 제2마스크 시트(321)의 제2A개구부(321'A)는 개방시키고 제2B개구부(322'B)는 폐쇄시킨 상태에서 제2마스크 시트(321')의 처짐을 방지하기 위해 제2마스크 시트(321')의 하부에서 제2마스크 시트(321')의 가장 자리 영역을 감싸는 형상으로 형성된다. That is, the second mask frame 322 opens the second A opening 321 ′ A of the second mask sheet 321 and closes the second B opening 322 ′ B with the second mask sheet 321 ′ closed. In order to prevent the deflection of the second mask sheet 321 ′ is formed in a shape surrounding the edge region of the second mask sheet 321 ′.

증착원(110')의 상부에는 기판(200)과 제1 및 제2섀도우 마스크(310', 320')를 정렬시키기 위한 얼라인먼트 장치(400')가 배치된다. An alignment device 400 ′ is disposed on the deposition source 110 ′ to align the substrate 200 with the first and second shadow masks 310 ′ and 320 ′.

이러한 얼라인먼트 장치(400')는 기판의 일면을 지지하는 기판 지지부(410')와, 제1 및 제2섀도우 마스크(310', 320')를 유지하는 마스크 유지부(420'), 기판 지지부(410')의 상부에 위치하여 기판 지지부(410')에 대응 형성되는 마그넷 플레이트(430')와, 기판 지지부(410')의 상부에 위치하여 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320')와의 상대 위치를 검출하는 위치 검출 유닛(440')과, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320')와의 상대 위치를 보정하는 위치 제어 유닛(미도시)을 구비하고 있다. The alignment device 400 ′ may include a substrate support 410 ′ supporting one surface of the substrate, a mask holder 420 ′ holding the first and second shadow masks 310 ′ and 320 ′, and a substrate support unit ( The magnet plate 430 'disposed on the upper portion of the substrate support portion 410' and positioned on the upper portion of the substrate support portion 410 ', and the substrate 200 and the second shadow mask 320' positioned on the upper portion of the substrate support portion 410 '. And a position control unit (440 ') for detecting a relative position with the substrate, and a position control unit (not shown) for correcting the relative position between the substrate 200 and the second shadow mask 320'.

기판 지지부(410')는 기판(200)의 일면 가장자리를 그 선단에서 지지하는 복수의 지지핀(411')이 설치되어 있다. 기판 지지부(410')에는 지지한 기판(200)을 XYZ방향으로 이동 가능하게 하는 구동부(미도시)를 구비하고 있다. The substrate support part 410 'is provided with a plurality of support pins 411' for supporting one surface edge of the substrate 200 at its tip. The substrate support part 410 'is provided with a drive part (not shown) which enables the supported substrate 200 to move in the XYZ direction.

마스크 유지부(420')는 패턴을 형성하기 위한 미세한 개구 패턴이 설치되는 섀도우 마스크(300')를 기판 지지부(410')에 지지받는 기판(200)의 일면에 대향하는 상태로 유지시킨다. 섀도우 마스크(300')에는 지지핀(411')에 대응하는 위치에 관통공(미도시)이 마련되어 있고, 이 관통공(미도시)에 지지핀(411')이 삽입되는 상태로 마스크 유지부(420')로 유지되는 섀도우 마스크(300')가 기판 지지부(410')에 의해 지지받는 기판(200)과 대향 배치될 수 있다. 이러한 마스크 유지부(420')는 이동 가능한 승강 수단을 가질 수 있다.The mask holding part 420 ′ maintains the shadow mask 300 ′ on which the fine opening pattern is formed to face the one surface of the substrate 200 supported by the substrate supporting part 410 ′. The shadow mask 300 'is provided with a through hole (not shown) at a position corresponding to the support pin 411', and the mask holding part with the support pin 411 'inserted into the through hole (not shown). The shadow mask 300 ′ maintained at 420 ′ may be disposed to face the substrate 200 supported by the substrate support 410 ′. The mask holder 420 'may have movable lifting means.

또한, 마그넷 플레이트(430')는 기판 지지부(410')에 대향 배치 되어 승강 가능하게 구성되어 있다.In addition, the magnet plate 430 'is disposed to face the substrate support 410' and configured to be liftable.

또한, 위치 검출 유닛(440')은 기판 지지부(410')에 지지받는 기판과 마스크 유지부(420')로 유지되는 제2섀도우 마스크(320')가 상대적인 위치 관계를 검출하기 위한 것이다. 이러한 위치 검출 유닛(440')은 마그넷 플레이트(430')의 상측 구석에 배치 되어 있다. In addition, the position detection unit 440 ′ is for detecting a relative positional relationship between the substrate supported by the substrate support 410 ′ and the second shadow mask 320 ′ maintained by the mask holder 420 ′. The position detection unit 440 'is disposed at an upper corner of the magnet plate 430'.

또한 위치 제어 유닛(미도시)은 위치 검출 유닛(440')에서 검출되는 위치 관계에 근거하고, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320')의 소정의 위치 관계가 되도록 기판 지지부(410')의 XYZ의 이동치를 산출하고, 산출되는 값에 근거하고 기판 지지부(410')에 설치되는 구동부(미도시)에 의한 기판 지지부(410')의 구동을 제어한다. In addition, the position control unit (not shown) is based on the positional relationship detected by the position detection unit 440 ', and the substrate support 410' such that the predetermined positional relationship between the substrate 200 and the second shadow mask 320 'is achieved. The movement value of XYZ of () is calculated, and the drive of the board | substrate support part 410 'by the drive part (not shown) provided in the board | substrate support part 410' is controlled based on the calculated value.

이렇게 기판(200)의 얼라인 마크(200A)와 제2섀도우 마스크(320')의 얼라인 홀(321'B, 322'A)을 통하여 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320')를 정렬한 다음, 해당 공정을 통하여 기판(200)에 제2패턴(220)을 증착할 수 있게 된다. Thus, the substrate 200 and the second shadow mask 320 'are aligned through the alignment marks 200A of the substrate 200 and the alignment holes 321'B and 322'A of the second shadow mask 320'. After the alignment, the second pattern 220 may be deposited on the substrate 200 through the process.

따라서, 다층 패턴의 형성 시 기판(200) 표면의 얼라인 마크(200A)와 섀도우 마스크(320')의 얼라인 홀(321'B, 322'A)을 통하여 섀도우 마스크(300')와 기판(200)을 용이하게 정렬하고 해당 공정에 따라 기판에 패턴을 형성할 수 있게 된다. Accordingly, the shadow mask 300 'and the substrate (through the alignment marks 200A on the surface of the substrate 200 and the alignment holes 321'B and 322'A of the shadow mask 320' when the multilayer pattern is formed). 200 may be easily aligned and a pattern may be formed on a substrate according to a corresponding process.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치 및 증착 방법은 패턴 개구부와 얼라인 마크 개구블 가지는 섀도우 마스크를 통하여 기판 표면에 패턴과 얼라인 마크를 동시에 형성하는 것을 기본적인 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능함은 물론이다. As described above, in the deposition apparatus and the deposition method according to the embodiment of the present invention, it is a basic technical idea to simultaneously form a pattern and an alignment mark on a surface of a substrate through a shadow mask having a pattern opening and an alignment mark aperture. It can be seen. Therefore, many modifications may be made by those skilled in the art without departing from the scope and spirit of the present invention.

10…증착 장치 100…공정 챔버
110…증착원 200…기판
200A…얼라인 마크 210…제1패턴
220…제2패턴 300…섀도우 마스크
310…제1섀도우 마스크 311…제1마스크 시트
311A…제1개구부 311B…제1B개구부
312…제1마스크 프레임 320…제2섀도우 마스크
321…제2마스크 시트 321A…제2A개구부
321B…제2B개구부 322…제2마스크 프레임
322A…마스크 개구부 400…얼라인먼트 장치
410…기판 지지부 420…마그넷 플레이트
430…위치 검출 유닛 431…CCD 카메라10... Vapor deposition apparatus 100... Process chamber
110 ... Evaporation source 200... Board
200 A... Align mark 210... First pattern
220 ... Second pattern 300... Shadow mask
310 ... First shadow mask 311... 1st mask sheet
311A... First opening 311B. 1B opening
312... First mask frame 320... Second shadow mask
321 ... Second mask sheet 321A... 2A opening
321B... 2B opening part 322. 2nd mask frame
322A.. Mask opening 400... Alignment device
410... Substrate support 420... Magnet plate
430 ... Position detecting unit 431... CCD camera

Claims (18)

증착원을 가지는 공정 챔버;와,
상기 증착원에 의해 증착되도록 상기 공정 챔버 내에 배치되는 기판의 표면에 패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 패턴 개구부와, 상기 기판의 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 얼라인 마크 개구부를 가지는 섀도우 마스크;와,
상기 얼라인 마크 개구부에 의해 상기 기판에 얼라인 마크가 형성되면 상기 기판의 얼라인 마크와 상기 섀도우 마스크의 얼라인 홀을 정렬시키는 얼라인먼트 장치;를
포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치. A process chamber having a deposition source; and
A pattern opening defining a region for forming a pattern on a surface of a substrate disposed in the process chamber to be deposited by the deposition source, and an alignment mark opening defining a region for forming an alignment mark on the surface of the substrate A shadow mask having:
An alignment device for aligning an alignment mark of the substrate with an alignment hole of the shadow mask when the alignment mark is formed on the substrate by the alignment mark opening.
Deposition apparatus comprising a. 제1항에 있어서,
상기 섀도우 마스크는 기판의 표면에 제1패턴과 얼라인 마크를 동시에 형성하기 위한 제1섀도우 마스크;와,
상기 얼라인먼트 장치에 의해 정렬된 상태로 상기 제1패턴이 형성된 기판의 표면에 제2패턴을 형성하기 위한 제2섀도우 마스크;를
포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 1,
The shadow mask may include a first shadow mask for simultaneously forming a first pattern and an alignment mark on a surface of the substrate;
A second shadow mask for forming a second pattern on a surface of the substrate on which the first pattern is formed while being aligned by the alignment device;
Deposition apparatus comprising a. 제2항에 있어서,
상기 제1섀도우 마스크는 상기 기판의 표면에 상기 제1패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1A개구부와, 상기 기판의 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1B개구부를 가지는 제1마스크 시트;와,
상기 제1A개구부와 제1B개구부를 방해하지 않는 범위 내에서 상기 제1마스크 시트를 지지하는 제1마스크 프레임;을
포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 2,
The first shadow mask includes a first A opening that defines an area for forming the first pattern on the surface of the substrate, and a first B opening that defines an area for forming an alignment mark on the surface of the substrate. 1 mask sheet;
A first mask frame for supporting the first mask sheet within a range that does not interfere with the first A opening and the first B opening;
Deposition apparatus comprising a. 제3항에 있어서,
상기 제2섀도우 마스크는 상기 제1패턴이 형성된 기판 표면에 상기 제2패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부와, 상기 기판 표면의 얼라인 마크를 인식하기 위한 영역을 한정하는 제2B개구부를 가지는 제2마스크 시트;와,
상기 제2A개구부를 개방하고 상기 제2B개구부를 폐쇄하는 범위에서 제2마스크 시트를 지지하는 제2마스크 프레임;을
포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 3,
The second shadow mask may include a second A opening that defines an area for forming the second pattern on a surface of the substrate on which the first pattern is formed, and a second B opening that defines an area for recognizing an alignment mark on the surface of the substrate. A second mask sheet having; And,
A second mask frame supporting the second mask sheet in a range of opening the second A opening and closing the second B opening;
Deposition apparatus comprising a. 제4항에 있어서,
상기 제2마스크 프레임은 상기 제2B개구부에 대응 형성되는 프레임 개구부를 가지며,
상기 제2섀도우 마스크는 상기 제2B개구부와 프레임 개구부로 이루어진 얼라인 홀을 통하여 상기 기판의 얼라인 마크와 정렬되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.5. The method of claim 4,
The second mask frame has a frame opening formed corresponding to the second B opening,
And the second shadow mask is aligned with the alignment mark of the substrate through an alignment hole formed by the second opening and the frame opening. 제1항에 있어서,
상기 얼라인먼트 장치는 기판의 일면을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부 내부에서 기판의 타면과 대응 형성되는 마그넷 플레이트와, 상기 기판과 섀도우 마스크와의 상대 위치를 검출하는 위치 검출 유닛과, 상기 기판과 섀도우 마스크와의 상대 위치를 보정하는 위치 제어 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 1,
The alignment device includes a substrate support for supporting one surface of the substrate, a magnet plate formed to correspond to the other surface of the substrate in the substrate support, a position detection unit for detecting a relative position between the substrate and the shadow mask, and the substrate and And a position control unit for correcting a relative position with the shadow mask. 제6항에 있어서,
상기 기판 지지부는 베이스 플레이트와, 선단에서 상기 기판을 지지하는 복수의 승강핀을 가지는 기판 지지대와, 상기 베이스 플레이트를 XYZ방향으로 이동시키는 구동 스테이지를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method according to claim 6,
And the substrate support portion includes a base support having a base plate, a plurality of lift pins supporting the substrate at a tip end, and a driving stage for moving the base plate in the XYZ direction. 제6항에 있어서,
상기 위치 검출 유닛은 CCD 카메라와, 상기 CCD 카메라에 접속되는 연산부를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method according to claim 6,
And the position detecting unit includes a CCD camera and a calculating unit connected to the CCD camera. 제5항에 있어서,
상기 프레임 개구부는 명암의 인식을 위하여 상기 제2마스크 시트의 제2B개구부에 비해 큰 크기를 가져 상기 제2B개구부에서 소정 단차를 가지는 형태로 상기 제2마스크 시트와 결합되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 5,
The frame opening is a deposition apparatus, characterized in that coupled to the second mask sheet in a form having a predetermined step at the second B opening having a larger size than the second B opening of the second mask sheet for recognition of the contrast. 제1항에 있어서,
상기 공정챔버는 CVD 챔버, 스퍼터 챔버, Evaporator 챔버 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 1,
And the process chamber comprises at least one of a CVD chamber, a sputter chamber, and an evaporator chamber. 제1항에 있어서,
상기 기판은 유기 EL 디스플레이 제조 공정 유기층이 증착되는 유리기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 1,
Wherein said substrate comprises a glass substrate on which an organic layer is deposited. 제1항에 있어서,
상기 증착원은 상향식 증착원 또는 하향식 증착원 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 1,
The deposition source includes at least one of a bottom-up deposition source or a top-down deposition source. 공정 챔버;와,
상기 공정 챔버 내부에 배치되는 기판 표면에 제1패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1A개구부와, 상기 제1패턴과 동시에 상기 기판 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1B개구부를 가지는 제1섀도우 마스크;와,
상기 제1패턴이 형성된 기판 표면에 제2패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부와, 상기 제1섀도우 마스크에 의해 형성된 상기 기판의 얼라인 마크를 인식하기 위한 영역을 한정하는 제2B개구부를 가지는 제2섀도우 마스크;와,
상기 제1패턴이 형성된 기판 표면에 상기 제2패턴을 형성하기 위하여 상기 제2섀도우 마스크의 제2B개구부와 상기 제1패턴이 형성된 기판 표면의 얼라인 마크와의 상대적 위치를 정렬시키는 얼라인먼트 장치;를
포함하는 것을 특징으로 하는 증착 장치.Process chamber;
A first A opening that defines an area for forming a first pattern on a substrate surface disposed inside the process chamber, and a first B opening that defines an area for forming an alignment mark on the surface of the substrate simultaneously with the first pattern A first shadow mask having; And,
A second A opening that defines an area for forming a second pattern on the substrate surface on which the first pattern is formed, and a second B opening that defines an area for recognizing an alignment mark of the substrate formed by the first shadow mask A second shadow mask having;
An alignment device for aligning a relative position between a second B opening of the second shadow mask and an alignment mark on the substrate surface on which the first pattern is formed to form the second pattern on the substrate surface on which the first pattern is formed;
Deposition apparatus comprising a. 제13항에 있어서,
상기 제1섀도우 마스크는 상기 기판의 표면에 상기 제1패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1A개구부와, 상기 기판의 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1B개구부를 가지는 제1마스크 시트;와, 상기 제1A개구부와 제1B개구부를 방해하지 않는 범위 내에서 상기 제1마스크 시트를 지지하는 제1마스크 프레임;을 포함하며,
상기 제2섀도우 마스크는 상기 제1패턴이 형성된 기판 표면에 상기 제2패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부와, 상기 기판 표면의 얼라인 마크를 인식하기 위한 영역을 한정하는 제2B개구부를 가지는 제2마스크 시트;와, 상기 제2A개구부를 개방하고 상기 제2B개구부를 폐쇄하는 범위에서 제2마스크 시트를 지지하되 상기 제2B개구부에 대응 형성되는 프레임 개구부를 가지는 마스크 프레임;을 포함하며,
상기 제2섀도우 마스크는 상기 제2B개구부와 프레임 개구부로 이루어진 얼라인 홀을 통하여 상기 기판의 얼라인 마크와 정렬되는 것을 특징으로 하는 증착 장치.The method of claim 13,
The first shadow mask includes a first A opening that defines an area for forming the first pattern on the surface of the substrate, and a first B opening that defines an area for forming an alignment mark on the surface of the substrate. And a first mask frame that supports the first mask sheet within a range that does not interfere with the first A opening and the first B opening.
The second shadow mask may include a second A opening that defines an area for forming the second pattern on a surface of the substrate on which the first pattern is formed, and a second B opening that defines an area for recognizing an alignment mark on the surface of the substrate. And a mask frame having a frame opening formed to support the second mask sheet in a range of opening the second A opening and closing the second B opening, and corresponding to the second B opening. ,
And the second shadow mask is aligned with the alignment mark of the substrate through an alignment hole formed by the second opening and the frame opening. 제1패턴 개구부와 제1얼라인 마크 개구부를 가진 제1섀도우 마스크를 공정 챔버로 반입 및 로딩하는 단계;
상기 제1섀도우 마스크에 대향되도록 기판을 반입 및 로딩하는 단계;
상기 기판 표면에 상기 제1섀도우 마스크의 제1패턴 개구부에 대응되는 제1패턴과 제1섀도우 마스크의 제1얼라인 마크 개구부에 대응되는 얼라인 마크를 동시에 생성하는 단계;를
포함하는 것을 특징으로 하는 증착 방법. Loading and loading a first shadow mask having a first pattern opening and a first alignment mark opening into the process chamber;
Loading and loading a substrate to face the first shadow mask;
Simultaneously generating a first pattern corresponding to the first pattern opening of the first shadow mask and an alignment mark corresponding to the first alignment mark opening of the first shadow mask on the surface of the substrate;
Deposition method comprising a. 제15항에 있어서,
제2패턴 개구부와 제2얼라인 마크 개구부를 가진 제2섀도우 마스크를 공정 챔버로 반입 및 로딩하는 단계;
상기 제2섀도우 마스크에 대향되도록 상기 제1패턴과 얼라인 마크가 형성된 기판을 로딩하는 단계;
상기 제1패턴과 얼라인 마크가 형성된 기판 표면에 상기 제2섀도우 마스크의 제2패턴 개구부에 대응되는 제1패턴을 형성하고, 상기 제2섀도우 마스크의 제2얼라인 마크 개구부에 대응되는 얼라인 마크를 인식하면서 정렬하는 단계;를
더 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 방법. 16. The method of claim 15,
Loading and loading a second shadow mask having a second pattern opening and a second alignment mark opening into the process chamber;
Loading a substrate on which the first pattern and the alignment mark are formed to face the second shadow mask;
A first pattern corresponding to the second pattern opening of the second shadow mask is formed on a surface of the substrate on which the first pattern and the alignment mark are formed, and an alignment corresponding to the second alignment mark opening of the second shadow mask. Aligning while recognizing the mark;
Deposition method further comprising. 기판 표면에 패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 패턴 개구부와,
상기 기판 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 얼라인 마크 개구부를 가지는 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크. A pattern opening defining a region for forming a pattern on the substrate surface,
And an alignment mark opening defining an area for forming an alignment mark on the surface of the substrate. 제17항에 있어서,
상기 섀도우 마스크는 기판의 표면에 제1패턴과 얼라인 마크를 동시에 형성하기 위한 제1섀도우 마스크;와,
상기 얼라인 마크를 통하여 정렬되면서 상기 제1패턴이 형성된 기판의 표면에 제2패턴을 형성하기 위한 제2섀도우 마스크;를
포함하는 것을 특징으로 하는 섀도우 마스크. 18. The method of claim 17,
The shadow mask may include a first shadow mask for simultaneously forming a first pattern and an alignment mark on a surface of the substrate;
A second shadow mask aligned with the alignment mark to form a second pattern on a surface of the substrate on which the first pattern is formed;
Shadow mask comprising a.
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