KR101827804B1

KR101827804B1 - Shadow mask, Deposition Apparatus comprising shadow mask and Method thereof

Info

Publication number: KR101827804B1
Application number: KR1020110076106A
Authority: KR
Inventors: 이성희; 민천규; 양지범; 임수민
Original assignee: 주성엔지니어링(주)
Priority date: 2011-07-29
Filing date: 2011-07-29
Publication date: 2018-02-12
Also published as: KR20130014157A

Abstract

본 발명의 일 측면은 섀도우 마스크로 기판 표면에 패턴을 형성함과 동시에 얼라인 마크를 형성하는 증착 장치 및 증착 방법을 제공하는 것에 있으며, 이러한 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는 증착원을 가지는 공정 챔버;와, 상기 증착원에 의해 증착되도록 상기 공정 챔버 내에 배치되는 기판;과, 상기 기판 표면에 패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 패턴 개구부와, 상기 기판 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 얼라인 마크 개구부를 가지는 섀도우 마스크;와, 상기 얼라인 마크 개구부에 의해 상기 기판에 얼라인 마크가 형성되면 상기 기판의 얼라인 마크와 상기 섀도우 마스크의 얼라인 홀을 정렬시키는 얼라인먼트 장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a deposition apparatus and a deposition method for forming a pattern on a surface of a substrate with a shadow mask and forming an alignment mark. In the deposition apparatus according to the embodiment of the present invention, A pattern opening for defining an area for forming a pattern on the surface of the substrate; a pattern opening for forming an alignment mark on the substrate surface; And an alignment device for aligning the alignment marks of the substrate with the alignment holes of the shadow mask when the alignment marks are formed on the substrate by the alignment mark apertures, ; And

Description

[0001] The present invention relates to a shadow mask, a deposition apparatus,

본 발명은 증착 장치 및 증착 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 섀도우 마스크로 기판 표면에 패턴을 형성함 동시에 얼라인 마크를 형성하는 증착 장치 및 증착 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a deposition apparatus and a deposition method, and more particularly, to a deposition apparatus and a deposition method for forming a pattern on a surface of a substrate with a shadow mask and forming an alignment mark.

일반적으로 패터닝 막을 형성하기 위해서는 증착이나 스핀 코팅 등으로 박막을 형성한 후 포토 마스크 공정을 통하여 패턴을 간접적으로 형성하거나 또는 다른 방법으로는 형성하고자 하는 패턴을 기판 위에 직접 인쇄 하거나 혹은 미세 금속 마스크 즉, 섀도우 마스크를 증착 장비에 장착하여 직접 패턴을 형성하는 방법이 있다. Generally, in order to form a patterning film, a thin film is formed by vapor deposition or spin coating, and then a pattern is indirectly formed through a photomask process or by another method, a pattern to be formed is directly printed on a substrate, There is a method of forming a direct pattern by attaching a shadow mask to a deposition equipment.

패터닝을 하기 위해서는 기판 위에 얼라인 마크가 일정 위치에 존재해야 하며 이 얼라인 마크와 마스크의 얼라인 먼트 홀의 위치를 정렬한 후 패터닝 작업을 진행하게 된다. In order to perform the patterning, the alignment mark must exist at a predetermined position on the substrate, and the aligning marks are aligned with the alignment holes of the mask, and then the patterning operation is performed.

마스크와 기판의 정렬 기준이 되는 얼라인 마크는 기판 위에 패턴 공정 단계 전에 별도로 형성하게 되는데 일반적으로 금속 막을 증착한 후 포토 공정을 통하여 십자가, 원형, 정사각 형태로 패턴하며 또 다른 방법으로는 잉크를 프린팅 하거나 레이저로 직접 기판에 얼라인 마크를 형성하기도 한다. The alignment mark, which is a reference for aligning the mask and the substrate, is formed separately on the substrate before the pattern process step. Generally, the metal film is deposited and patterned in a cross, circular, or square pattern through a photolithography process. Alternatively, the alignment mark may be formed directly on the substrate by a laser.

즉, 다층 막을 형성하는 본 공정 외에 얼라인 마크를 형성하기 위한 부가적인 공정이 추가 되는 문제점이 있다. That is, in addition to the present process for forming a multilayer film, an additional process for forming an alignment mark is added.

도 1은 일반적으로 섀도우 마스크와 기판을 정렬하는 방법을 나타낸 도면이며, 도 2a, 도 2b 및 도 2c는 얼라인 마크가 기판에 다층으로 형성되는 과정을 나타낸 도면이다. FIG. 1 illustrates a method of aligning a substrate with a shadow mask, and FIGS. 2A, 2B, and 2C illustrate a process in which alignment marks are formed on a substrate in multiple layers.

도면에 도시된 바와 같이, 섀도우 마스크(1)로 직접 패턴을 형성하는 경우 도 1과 같이 섀도우 마스크(1)에 형성된 일정 크기의 홀(2)에 기판(3)의 얼라인 마크(4)의 위치가 맞도록 Vision(5)으로 인식한 다음 기판을 정렬한 후 증착하게 되는데 여러 개의 층을 형성하는 경우 도 2와 같이 얼라인 마크가 위치한 부분에 마스크 홀을 통하여 반복적으로 다층의 막이 증착 되면서 비전으로 얼라인 마크가 잘 인식되는 않는 문제가 발생한다. As shown in FIG. 1, when a pattern is formed directly on the shadow mask 1, a hole 2 having a predetermined size formed in the shadow mask 1 as shown in FIG. When a plurality of layers are formed, the multilayer film is deposited repeatedly through the mask holes in the portion where the alignment mark is formed as shown in FIG. 2. As a result, There is a problem that the alignment mark is not recognized well.

본 발명의 일 측면은 섀도우 마스크로 기판 표면에 패턴을 형성함과 동시에 얼라인 마크를 형성하는 증착 장치 및 증착 방법을 제공하는 것에 있다. One aspect of the present invention is to provide a deposition apparatus and a deposition method for forming a pattern on a surface of a substrate with a shadow mask and forming an alignment mark.

본 발명의 다른 측면은 얼라인 마크의 중복 증착을 방지할 수 있는 얼라인 홀이 형성된 증착 장치 및 증착 방법을 제공하는 것에 있다. Another aspect of the present invention is to provide a deposition apparatus and a deposition method in which an alignment hole is formed so as to prevent overlapping deposition of an alignment mark.

본 발명의 또 다른 측면은 다층 패턴의 형성 시 기판 표면의 얼라인 마크와 섀도우 마스크의 얼라인 홀을 통하여 섀도우 마스크와 기판을 정렬하는 증착 장치 및 증착 방법을 제공하는 것에 있다. Another aspect of the present invention is to provide a deposition apparatus and a deposition method for aligning a shadow mask and a substrate through an alignment mark of a substrate surface and an alignment hole of a shadow mask in the formation of a multilayered pattern.

본 발명의 실시예에 따른 증착 장치는 증착원을 가지는 공정 챔버;와, 상기 증착원에 의해 증착되도록 상기 공정 챔버 내에 배치되는 기판 표면에 패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 패턴 개구부와, 상기 기판 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 얼라인 마크 개구부를 가지는 섀도우 마스크;와, 상기 얼라인 마크 개구부에 의해 상기 기판에 얼라인 마크가 형성되면 상기 기판의 얼라인 마크와 상기 섀도우 마스크의 얼라인 홀을 정렬시키는 얼라인먼트 장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다. A deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber having an evaporation source, a pattern opening for defining an area for forming a pattern on a substrate surface disposed in the process chamber to be deposited by the evaporation source, A shadow mask having an alignment mark opening that defines an area for forming an alignment mark on a surface of the substrate; and an alignment mark formed on the substrate by the alignment mark opening, And an alignment device for aligning the alignment holes of the substrate.

또한, 섀도우 마스크는 기판의 표면에 제1패턴과 얼라인 마크를 동시에 형성하기 위한 제1섀도우 마스크;와, 상기 얼라인먼트 장치에 의해 정렬된 상태로 상기 제1패턴이 형성된 기판의 표면에 제2패턴을 형성하기 위한 제2섀도우 마스크;를 포함하는 것을 특징으로 한다. The shadow mask includes a first shadow mask for simultaneously forming a first pattern and an alignment mark on a surface of a substrate, a second shadow mask for forming a second pattern on the surface of the substrate on which the first pattern is formed while being aligned by the alignment device, And a second shadow mask for forming the second shadow mask.

또한, 제1섀도우 마스크는 상기 기판의 표면에 상기 제1패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1A개구부와, 상기 기판의 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1B개구부를 가지는 제1마스크 시트;와, 상기 제1A개구부와 제1B개구부를 방해하지 않는 범위 내에서 상기 제1마스크 시트를 지지하는 제1마스크 프레임;을 포함하는 것을 특징으로 한다. Further, the first shadow mask may include a first A opening portion that defines an area for forming the first pattern on the surface of the substrate, and a second B opening portion that defines a region for forming an alignment mark on the surface of the substrate And a first mask frame for supporting the first mask sheet within a range not interfering with the first A opening and the first B opening.

또한, 제2섀도우 마스크는 상기 제1패턴이 형성된 기판 표면에 상기 제2패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부와, 상기 기판 표면의 얼라인 마크를 인식하기 위한 영역을 한정하는 제2B개구부를 가지는 제2마스크 시트;와, 상기 제2A개구부를 개방하고 상기 제2B개구부를 폐쇄하는 범위에서 제2마스크 시트를 지지하는 제2마스크 프레임;을 포함하는 것을 특징으로 한다. The second shadow mask may include a second aperture defining a region for forming the second pattern on the surface of the substrate on which the first pattern is formed and a second aperture defining a region for recognizing the alignment mark on the substrate surface. And a second mask frame supporting the second mask sheet in a range that opens the second aperture and closes the second aperture.

또한, 제2마스크 프레임은 상기 제2B개구부에 대응 형성되는 프레임 개구부를 가지며, 상기 제2섀도우 마스크는 상기 제2B개구부와 프레임 개구부로 이루어진 얼라인 홀을 통하여 상기 기판의 얼라인 마크와 정렬되는 것을 특징으로 한다. Further, the second mask frame has a frame opening corresponding to the second B opening, and the second shadow mask is aligned with the alignment mark of the substrate through the alignment hole comprising the second B opening and the frame opening .

또한, 얼라인먼트 장치는 기판의 일면을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부 내부에서 기판의 타면과 대응 형성되는 마그넷 플레이트와, 상기 기판과 섀도우 마스크와의 상대 위치를 검출하는 위치 검출 유닛과, 상기 기판과 섀도우 마스크와의 상대 위치를 보정하는 위치 제어 유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다. The alignment device includes a substrate support for supporting one surface of the substrate, a magnet plate corresponding to the other surface of the substrate inside the substrate support, a position detection unit for detecting a relative position between the substrate and the shadow mask, And a position control unit for correcting a relative position between the shadow mask and the shadow mask.

또한, 기판 지지부는 베이스 플레이트와, 선단에서 상기 기판을 지지하는 복수의 승강핀을 가지는 기판 지지대와, 상기 베이스 플레이트를 XYZ방향으로 이동시키는 구동 스테이지를 포함하는 것을 특징으로 한다. In addition, the substrate supporting portion includes a base plate, a substrate support having a plurality of lift pins for supporting the substrate at the tip, and a driving stage for moving the base plate in the X, Y, and Z directions.

또한, 위치 검출 유닛은 CCD 카메라와, 상기 CCD 카메라에 접속되는 연산부를 포함하는 것을 특징으로 한다. Further, the position detection unit includes a CCD camera and an operation unit connected to the CCD camera.

또한, 프레임 개구부는 명암의 인식을 위하여 상기 제2마스크 시트의 제2B개구부에 비해 큰 크기를 가져 상기 제2B개구부에서 소정 단차를 가지는 형태로 상기 제2마스크 시트와 결합되는 것을 특징으로 한다. Further, the frame opening has a larger size than that of the second mask opening of the second mask sheet for the recognition of the contrast, and is coupled with the second mask sheet in a form having a predetermined step in the second opening.

또한, 공정챔버는 CVD 챔버, 스퍼터 챔버, Evaporator 챔버 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다. Further, the process chamber may include at least one of a CVD chamber, a sputter chamber, and an evaporator chamber.

또한, 기판은 유기 EL 디스플레이 제조 공정 유기층이 증착되는 유리기판을 포함하는 것을 특징으로 한다. Further, the substrate is characterized in that it includes a glass substrate on which an organic layer of an organic EL display manufacturing process is deposited.

또한, 증착원은 상향식 증착원 또는 하향식 증착원 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다. Further, the evaporation source includes at least one of a bottom-up evaporation source and a top-down evaporation source.

본 발명의 실시예에 따른 증착 장치를 다른 측면에서 본다면, 공정 챔버;와, 상기 공정 챔버 내부에 배치되는 기판;과, 상기 기판 표면에 제1패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1A개구부와, 상기 제1패턴과 동시에 상기 기판 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1B개구부를 가지는 제1섀도우 마스크;와, 상기 제1패턴이 형성된 기판 표면에 제2패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부와, 상기 제1섀도우 마스크에 의해 형성된 상기 기판의 얼라인 마크를 인식하기 위한 영역을 한정하는 제2B개구부를 가지는 제2섀도우 마스크;와, 상기 제1패턴이 형성된 기판 표면에 상기 제2패턴을 형성하기 위하여 상기 제2섀도우 마스크의 제2B개구부와 상기 제1패턴이 형성된 기판 표면의 얼라인 마크와의 상대적 위치를 정렬시키는 얼라인먼트 장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a deposition apparatus comprising: a process chamber; a substrate disposed inside the process chamber; a first opening defining an area for forming a first pattern on the substrate surface; A first shadow mask having a first B opening defining a region for forming an alignment mark on the substrate surface simultaneously with the first pattern; A second shadow mask having a second aperture opening that defines a region defining an area for recognizing an alignment mark of the substrate formed by the first shadow mask; Which aligns the relative position of the second B opening of the second shadow mask with the alignment mark of the substrate surface on which the first pattern is formed in order to form the second pattern on the surface, Characterized in that it comprises a; the garment apparatus.

또한, 제1섀도우 마스크는 상기 기판의 표면에 상기 제1패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1A개구부와, 상기 기판의 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1B개구부를 가지는 제1마스크 시트;와, 상기 제1A개구부와 제1B개구부를 방해하지 않는 범위 내에서 상기 제1마스크 시트를 지지하는 제1마스크 프레임;을 포함하며, 상기 제2섀도우 마스크는 상기 제1패턴이 형성된 기판 표면에 상기 제2패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부와, 상기 기판 표면의 얼라인 마크를 인식하기 위한 영역을 한정하는 제2B개구부를 가지는 제2마스크 시트;와, 상기 제2A개구부를 개방하고 상기 제2B개구부를 폐쇄하는 범위에서 제2마스크 시트를 지지하되 상기 제2B개구부에 대응 형성되는 프레임 개구부를 가지는 마스크 프레임;을 포함하며, 상기 제2섀도우 마스크는 상기 제2B개구부와 프레임 개구부로 이루어진 얼라인 홀을 통하여 상기 기판의 얼라인 마크와 정렬되는 것을 특징으로 한다. Further, the first shadow mask may include a first A opening portion that defines an area for forming the first pattern on the surface of the substrate, and a second B opening portion that defines a region for forming an alignment mark on the surface of the substrate And a first mask frame for supporting the first mask sheet within a range that does not interfere with the first A opening and the first B opening, A second mask sheet having a second aperture opening for defining an area for forming the second pattern on the formed substrate surface and a second aperture for defining an area for recognizing the alignment mark on the substrate surface; And a mask frame supporting the second mask sheet in a range of opening the 2A opening and closing the second B opening, the mask frame having a frame opening corresponding to the second B opening , The second shadow mask is characterized in that it is aligned with the alignment mark of the substrate through the aligned hole 2B made of the first opening and the frame opening.

본 발명의 실시예에 따른 섀도우 마스크를 포함하는 증착 방법은 제1패턴 개구부와 제1얼라인 마크 개구부를 가진 제1섀도우 마스크를 공정 챔버로 반입 및 로딩하는 단계; 상기 제1섀도우 마스크에 대향되도록 기판을 반입 및 로딩하는 단계; 상기 기판 표면에 상기 제1섀도우 마스크의 제1패턴 개구부에 대응되는 제1패턴과 제1섀도우 마스크의 제1얼라인 마크 개구부에 대응되는 얼라인 마크를 동시에 생성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. A deposition method including a shadow mask according to an embodiment of the present invention includes: loading and loading a first shadow mask having a first pattern opening and a first alignment mark opening into a process chamber; Loading and loading the substrate so as to face the first shadow mask; And simultaneously forming on the substrate surface a first pattern corresponding to the first pattern opening of the first shadow mask and an alignment mark corresponding to the first alignment mark opening of the first shadow mask, do.

또한, 제2패턴 개구부와 제2얼라인 마크 개구부를 가진 제2섀도우 마스크를 공정 챔버로 반입 및 로딩하는 단계; 상기 제2섀도우 마스크에 대향되도록 상기 제1패턴과 얼라인 마크가 형성된 기판을 로딩하는 단계; 상기 제1패턴과 얼라인 마크가 형성된 기판 표면에 상기 제2섀도우 마스크의 제2패턴 개구부에 대응되는 제1패턴을 형성하고, 상기 제2섀도우 마스크의 제2얼라인 마크 개구부에 대응되는 얼라인 마크를 인식하면서 정렬하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. Loading and loading a second shadow mask having a second patterned opening and a second aligned mark opening into the process chamber; Loading a substrate on which the first pattern and the alignment marks are formed so as to face the second shadow mask; A first pattern corresponding to the second pattern opening of the second shadow mask is formed on the surface of the substrate on which the first pattern and the alignment mark are formed, and a second pattern corresponding to the second alignment mask opening of the second shadow mask And aligning the marks while recognizing the marks.

본 발명의 실시예에 따른 섀도우 마스크는 기판 표면에 패턴을 형성하기 위한 영역을 한정하는 패턴 개구부와, 상기 기판 표면에 얼라인 마크를 형성하기 위한 영역을 한정하는 얼라인 마크 개구부를 가지는 것을 특징으로 한다. A shadow mask according to an embodiment of the present invention is characterized by having a pattern opening portion for defining a region for forming a pattern on a substrate surface and an alignment mark opening portion for defining an area for forming an alignment mark on the substrate surface do.

또한, 섀도우 마스크는 기판의 표면에 제1패턴과 얼라인 마크를 동시에 형성하기 위한 제1섀도우 마스크;와, 상기 얼라인 마크를 통하여 정렬되면서 상기 제1패턴이 형성된 기판의 표면에 제2패턴을 형성하기 위한 제2섀도우 마스크;를 포함하는 것을 특징으로 한다. The shadow mask includes a first shadow mask for simultaneously forming a first pattern and an alignment mark on the surface of the substrate, and a second pattern on the surface of the substrate on which the first pattern is formed while being aligned through the alignment mark And a second shadow mask for forming the second shadow mask.

따라서, 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치 및 증착 방법은 섀도우 마스크로 기판 표면에 패턴을 형성함과 동시에 얼라인 마크를 형성할 수 있으므로 얼라인 마크를 형성하기 위한 별도의 공정이 불필요하게 되는 효과가 있다. Therefore, the deposition apparatus and the deposition method according to the embodiments of the present invention can form a pattern on the surface of a substrate with a shadow mask and can form an alignment mark, thereby eliminating the need for a separate process for forming an alignment mark .

또한, 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치 및 증착 방법은 마스크 시트의 개구부와 마스크 프레임의 개구부로 이루어진 얼라인 홀을 통하여 얼라인 마크의 중복 증착을 방지할 수 있는 효과가 있다. In addition, the deposition apparatus and the deposition method according to the embodiments of the present invention have the effect of preventing overlapping deposition of the alignment mark through the opening of the mask sheet and the alignment hole comprising the opening of the mask frame.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치 및 증착 방법은 다층 패턴의 형성 시 기판 표면의 얼라인 마크와 섀도우 마스크의 얼라인 마크 개구부을 통하여 섀도우 마스크와 기판을 효과적으로 정렬하면서 해당 공정에 따라 증착할 수 있게 된다. In addition, the deposition apparatus and the deposition method according to the embodiment of the present invention can effectively deposit the shadow mask and the substrate according to the process while aligning the shadow mask and the substrate through the alignment mark opening of the substrate surface and the alignment mark opening of the shadow mask, .

도 1은 일반적으로 섀도우 마스크와 기판을 정렬하는 방법을 나타낸 도면이다.
도 2는 얼라인 마크가 기판에 다층으로 증착되는 과정을 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 증착 장치에 이용되는 제1섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 5는 도 3에 도시된 증착 장치에 이용되는 제2섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 얼라인먼트 장치에 의해 마스크와 기판이 정렬되는 방법을 나타낸 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치를 나타낸 도면이다.
도 9는 도 8에 도시된 증착 장치에 이용되는 제1섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 10은 도 8에 도시된 증착 장치에 이용되는 제2섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a method of aligning a shadow mask and a substrate in general.
FIG. 2 is a view showing a process of depositing the alignment marks on the substrate in multiple layers.
3 is a view illustrating a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is an enlarged view of a first shadow mask used in the deposition apparatus shown in FIG.
5 is an enlarged view of a second shadow mask used in the deposition apparatus shown in FIG.
6 and 7 are views showing a method of aligning a mask and a substrate by an alignment apparatus according to an embodiment of the present invention.
8 is a view illustrating a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 9 is an enlarged view of a first shadow mask used in the deposition apparatus shown in FIG. 8. FIG.
10 is an enlarged view of a second shadow mask used in the deposition apparatus shown in FIG.

이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치를 나타낸 도면이며, 도 4는 도 3에 도시된 증착 장치에 이용되는 제1섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이며, 도 5는 도 3에 도시된 증착 장치에 이용되는 제2섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이다. FIG. 3 is a view showing a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 4 is an enlarged view of a first shadow mask used in the deposition apparatus shown in FIG. 3, and FIG. 5 is a cross- 1 is an enlarged view of a second shadow mask used in a vapor deposition apparatus.

도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(10)는 하향식 증착원(110)을 가지는 공정 챔버(100), 기판(200), 섀도우 마스크(300), 얼라인먼트 장치(400)를 포함하여 구성된다. 3 to 5, a deposition apparatus 10 according to an embodiment of the present invention includes a process chamber 100 having a top-down evaporation source 110, a substrate 200, a shadow mask 300, And an alignment device 400.

공정 챔버(100)는 증착 재료를 수용하는 증착원(110)을 가지고 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치(10)의 증착원(110)은 하향식으로 기판(200)을 증착시키는 증착 장치(10)를 포함한다. The process chamber 100 has an evaporation source 110 that receives the evaporation material. The deposition source 110 of the deposition apparatus 10 according to an embodiment of the present invention includes a deposition apparatus 10 for depositing the substrate 200 in a top-down manner.

이러한 공정 챔버(100)는 진공 펌프(미도시)에 연결되어 기판(200)의 증착 시 공정 챔버(100)의 내부를 진공 상태로 할 수 있다. The process chamber 100 may be connected to a vacuum pump (not shown) to vacuum the interior of the process chamber 100 during deposition of the substrate 200.

여기서, 공정 챔버(100)는 기판(200) 표면을 화학 기상 증착 방식으로 증착시키는 CVD 챔버, 플라즈마 방전을 통하여 기판 표면을 금속 입자로 증착시키는 스퍼터 챔버, 전기저항이나 전자빔 등을 이용해서 증착원을 가열하여 고체 상태에서 기체상태로 증발시켜 기판 표면을 증착시키는 Evaporator 챔버 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. Here, the process chamber 100 includes a CVD chamber for depositing the surface of the substrate 200 by chemical vapor deposition, a sputter chamber for depositing the surface of the substrate through the plasma discharge as metal particles, an evaporation source And an evaporator chamber for evaporating a solid state to a gaseous state by heating to evaporate the surface of the substrate.

공정 챔버(100)의 내부에는 증착원(110)에서 제공된 증착 재료에 의해 증착되는 기판(200)이 증착원(110)에 대향되게 배치되어 있다. 이러한 기판(200)은 유기 EL 디스플레이의 제조 공정에 있어서 유기층이 증착되는 유리 기판(200)을 포함할 수 있다. A substrate 200 to be deposited by an evaporation material provided in an evaporation source 110 is disposed inside the process chamber 100 so as to face the evaporation source 110. The substrate 200 may include a glass substrate 200 on which an organic layer is deposited in an organic EL display manufacturing process.

기판(200)의 상부에는 기판(200) 표면에 패턴(210,220)과 얼라인 마크(200A)를 동시에 형성하기 위한 섀도우 마스크(300)가 배치된다. 섀도우 마스크(300)를 증착원(110)과 기판(200) 사이에 배치시켜, 패턴 개구부(311A, 311B)에 의해 노출된 기판(200) 영역에만 증착 재료가 증착되어 소정의 패턴(210,220)과 얼라인 마크(200A)를 형성하게 된다. A shadow mask 300 for simultaneously forming the patterns 210 and 220 and the alignment mark 200A on the surface of the substrate 200 is disposed on the substrate 200. A shadow mask 300 is disposed between the evaporation source 110 and the substrate 200 to deposit the evaporation material only on the substrate 200 exposed by the pattern openings 311A and 311B to form predetermined patterns 210 and 220 and Thereby forming an alignment mark 200A.

여기서, 섀도우 마스크(300)는 기판(200)보다 큰 자성 재료로 이루어질 수 있는데, 이러한 섀도우 마스크(300)는 패턴 개구부(311A. 311B)의 패턴 영역에 따라서 기판(200)에 증착되는 박막의 형상이 다양하게 변화될 수 있다. Here, the shadow mask 300 may be made of a magnetic material larger than the substrate 200. The shadow mask 300 may have a shape of a thin film deposited on the substrate 200 along a pattern region of the pattern openings 311A and 311B Can be variously changed.

본 발명의 실시예에 따른 섀도우 마스크(300)는 기판(200) 표면에 제1패턴(210)과 얼라인 마크(200A)를 동시에 형성하기 위한 제1섀도우 마스크(310)와, 제1패턴(210)이 형성된 기판(200) 표면에 제2패턴(220)을 형성하고 동시에 기판(200) 표면에 형성된 얼라인 마크(200A)를 인식하기 위한 제2섀도우 마스크(320)를 포함하여 구성된다. The shadow mask 300 according to the embodiment of the present invention includes a first shadow mask 310 for simultaneously forming the first pattern 210 and the alignment mark 200A on the surface of the substrate 200, And a second shadow mask 320 for forming a second pattern 220 on the surface of the substrate 200 on which the alignment marks 200 are formed and for recognizing the alignment mark 200A formed on the surface of the substrate 200.

도 4에 도시된 바와 같이, 제1섀도우 마스크(310)는 제1마스크 시트(311)와 제1마스크 프레임(312)을 포함하여 구성된다. As shown in FIG. 4, the first shadow mask 310 includes a first mask sheet 311 and a first mask frame 312.

제1마스크 시트(311)는 기판(200) 표면에 제1패턴(210)을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1A개구부(311A)와, 기판(200) 표면에 얼라인 마크(200A)를 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1B개구부(311B)를 가진다. 그리고, 제1마스크 프레임(312)은 제1A개구부(311A)와 제1B개구부(311B)를 방해하지 않는 범위 내에서 제1마스크 시트(311)를 지지한다. The first mask sheet 311 includes a first A opening 311A defining an area for forming a first pattern 210 on the surface of the substrate 200 and a first mask opening 311A defining an area for forming an alignment mark 200A on the surface of the substrate 200 And a first B opening 311B that defines an area for the first opening 311B. The first mask frame 312 supports the first mask sheet 311 within a range not interfering with the first A opening 311A and the first B opening 311B.

제1마스크 시트(311)는 금속판을 사용하여 제작하고, 제1A개구부(311A)는 금속판에 사진 식각공정을 통해 제1패턴 개구부(311A)을 형성하고, 제1B개구부(311B)는 금속판에 사진 식각공정을 통해 제1얼라인 마크 개구부(311B)를 형성할 수 있다. The first mask sheet 311 is manufactured using a metal plate and the first A opening 311A forms a first pattern opening 311A on a metal plate through a photolithography process and the first B opening 311B is formed on a metal plate The first alignment mark opening 311B can be formed through the etching process.

즉, 금속판 상에 감광액을 도포한 다음, 감광액을 노광하고, 노광된 영역을 현상하여 감광막을 형성한다. 이후, 감광막을 식각 마스크로 하는 식각을 실시하여 노출된 영역의 금속판을 제거하여 관통하는 제1A개구부(311A)와 제1B개구부(311B)를 가지는 제1마스크 시트(311)를 형성한다. That is, after a photosensitive liquid is applied onto a metal plate, the photosensitive liquid is exposed, and the exposed area is developed to form a photosensitive film. Thereafter, etching is performed using the photoresist film as an etching mask to form a first mask sheet 311 having a first A opening 311A and a first B opening 311B through which the exposed metal plate is removed.

제1마스크 프레임(312)은 제1마스크 시트(311)의 제1A개구부(311A)와 제1B개구부(311B)를 방해하지 않고 개방된 상태로 제1마스크 시트(311)의 처짐을 방지하기 위해 제1마스크 시트(311)의 가장 자리 영역을 감싸는 형상으로 형성된다. The first mask frame 312 is provided in order to prevent sagging of the first mask sheet 311 in an opened state without interfering with the first A opening 311A and the first B opening 311B of the first mask sheet 311 The first mask sheet 311 is formed in a shape to surround the edge region.

즉, 제1마스크 시트(311)를 스트레칭하여 제1마스크 프레임(312)에 밀착시킨 후, 제1마스크 시트(311)와 제1마스크 프레임(312)을 접착하여 제1섀도우 마스크(310)를 완성한다. That is, after the first mask sheet 311 is stretched and brought into close contact with the first mask frame 312, the first mask sheet 311 and the first mask frame 312 are bonded together to form the first shadow mask 310 It completes.

여기서, 제1얼라인 마크 개구부(311B)를 이루는 제1B개구부(311B)는 제1마스크 프레임(312)에서 일정 간격 떨어진 위치의 제1마스크 시트(311)에 일정 크기와 형태로 형성하면 된다. The first opening 311B constituting the first alignment mark opening 311B may be formed in a predetermined size and shape in the first mask sheet 311 spaced apart from the first mask frame 312 by a predetermined distance.

도 5에 도시된 바와 같이, 제2섀도우 마스크(320)는 제2마스크 시트(321)와 제2마스크 프레임(322)을 포함하여 구성된다. As shown in FIG. 5, the second shadow mask 320 includes a second mask sheet 321 and a second mask frame 322.

제2마스크 시트(321)는 제1패턴(210)이 형성된 기판(200) 표면에 제2패턴(220)을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부(321A)와, 기판(200) 표면에 형성된 얼라인 마크(200A)를 인식하기 위한 영역을 한정하는 제2B개구부(321B)를 가진다. 제2마스크 프레임(322)은 제2마스크 시트(321)의 제2A개구부(321A)는 방해하지 않고 제2B개구부(321B)를 방해하는 범위에서 제2마스크 시트(321)를 지지한다. The second mask sheet 321 includes a second aperture portion 321A defining an area for forming a second pattern 220 on the surface of the substrate 200 on which the first pattern 210 is formed, And a second B opening 321B defining an area for recognizing the formed alignment mark 200A. The second mask frame 322 supports the second mask sheet 321 in a range that does not interfere with the second aperture 321A of the second mask sheet 321 and interferes with the second B aperture 321B.

제2마스크 시트(321)는 금속판을 사용하여 제작하고, 제2A개구부(321A)는 금속판에 사진 식각공정을 통해 제2패턴 개구부(321A)를 형성하고, 제2B개구부(321B)는 금속판에 사진 식각공정을 통해 제2얼라인 마크 개구부(321B)를 형성할 수 있다. 즉, 이러한 제2마스크 시트(321)는 상술한 제1마스크 시트(311)와 동일한 방식으로 제작될 수 있다. The second mask sheet 321 is made of a metal plate and the second aperture 321A forms a second pattern aperture 321A through a photolithography process on the metal plate and the second aperture 321B is formed on a metal plate The second alignment mark openings 321B can be formed through the etching process. That is, the second mask sheet 321 can be manufactured in the same manner as the first mask sheet 311 described above.

제2마스크 프레임(322)은 제2마스크 시트(321)의 제2A개구부(321A)는 개방시키고 제2B개구부(321B)는 폐쇄시킨 상태에서 제2마스크 시트(321)의 처짐을 방지하기 위해 제2마스크 시트(321)의 가장 자리 영역을 감싸는 형상으로 형성된다. The second mask frame 322 is provided to prevent the second mask sheet 321 from sagging with the second aperture 321A of the second mask sheet 321 opened and the second aperture 321B closed, 2 mask sheet 321. In this embodiment,

따라서, 제2섀도우 마스크(320)는 기판(200)에 형성된 얼라인 마크(200A)를 인식하기 위한 영역을 한정하는 제2B개구부(321B)를 폐쇄시키고, 기판(200) 표면에 제2패턴(220)을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부(321A)만을 개방시킨 상태로 완성될 수 있다. The second shadow mask 320 closes the second B opening portion 321B defining an area for recognizing the alignment marks 200A formed on the substrate 200 and forms a second pattern The second opening portion 321A defining the region for forming the second opening portion 220 may be completed.

이렇게 제2섀도우 마스크(320)의 제2마스크 시트(321)에서 제2패턴(220)을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부(321A)만을 개방함으로써 여러 박막이 얼라인 마크(200A)에 적층되어 얼라인 마크(200A)가 불분명하게 인식되는 문제를 개선할 수 있다. Thus, by opening only the second aperture portion 321A defining the region for forming the second pattern 220 in the second mask sheet 321 of the second shadow mask 320, a plurality of thin films are formed on the alignment mark 200A It is possible to solve the problem that the alignment marks 200A are laminated and recognized unclearly.

한편, 제2섀도우 마스크(320)의 제2마스크 프레임(322)은 제2마스크 시트(321)의 제2B개구부(321B)에 대응 형성되는 프레임 개구부(322A)를 가지고 있다. On the other hand, the second mask frame 322 of the second shadow mask 320 has a frame opening portion 322A formed corresponding to the second B opening portion 321B of the second mask sheet 321.

이렇게 제2마스크 시트(321)의 제2B개구부(321B)와 제2마스크 프레임(322)의 프레임 개구부(322A)를 구비하는 이유는 제2마스크 프레임(322)에 별도의 개구부(322A)가 생성되지 않고 제2마스크 시트(321)에만 개구부(321B)가 형성될 경우 제2마스크 시트(321)의 두께가 얇기 때문에 개구부(321B)가 있고 없는 부분의 명암 인식이 명확하게 되지 않는 문제가 발생할 수 있기 때문이다. The reason for including the second opening 321B of the second mask sheet 321 and the frame opening 322A of the second mask frame 322 is that a separate opening 322A is formed in the second mask frame 322 And the opening 321B is formed only in the second mask sheet 321, the thickness of the second mask sheet 321 is thin, so that there is a problem that the recognition of the darkness of the portion without the opening 321B is not made clear It is because.

또한, 이러한 제2마스크 프레임(322)의 프레임 개구부(322A)는 명확한 명암의 인식을 위하여 제2마스크 시트(321)의 제2B개구부(321B)에 비해 큰 크기를 가져 제2B개구부(321B)에서 소정 단차를 가지는 형태로 제2마스크 시트(321)와 결합되어 있다. In addition, the frame opening 322A of the second mask frame 322 has a larger size than the second B opening 321B of the second mask sheet 321 for recognition of clear contrast, And is coupled to the second mask sheet 321 with a predetermined stepped shape.

따라서, 기판(200)에 제2패턴(220)을 형성하는 단계에서 소정 단차를 가지는 제2마스크 프레임(322)의 프레임 개구부(322A)와 제2마스크 시트의 제2B개구부(321B)를 통하여 얼라인 홀(321B, 322A)을 형성함으로써 기판(200)의 얼라인 마크(200A)가 불분명하게 인식되는 문제를 개선할 수 있다. Thus, in the step of forming the second pattern 220 on the substrate 200, the frame opening 322A of the second mask frame 322 having a predetermined step and the second opening 321B of the second mask sheet are aligned The problem that the alignment marks 200A of the substrate 200 are recognized unclearly can be solved by forming the phosphorus holes 321B and 322A.

다른 측면에서 본다면, 제2섀도우 마스크(320)의 제2마스크 프레임(322) 내부의 개방 면적은 제1섀도우 마스크(310)에 비하여 좁은 영역을 가진다. 그 이유는 얼라인 홀(321B, 322A)을 제2섀도우 마스크(320)의 제2마스크 시트(321) 상에 형성하지 않고 제2섀도우 마스크(320)의 제2마스크 프레임(322)에 형성하여 기판(200)의 얼라인 마크(200A)에 다수의 막이 중복 증착되는 것을 방지하기 위함이다. The open area inside the second mask frame 322 of the second shadow mask 320 is narrower than the area of the first shadow mask 310. In other words, The reason is that the alignment holes 321B and 322A are not formed on the second mask sheet 321 of the second shadow mask 320 but are formed on the second mask frame 322 of the second shadow mask 320 This is to prevent overlapping deposition of a plurality of films on the alignment mark 200A of the substrate 200.

얼라인 마크(200A) 상에 여러 층의 막이 증착될 경우 CCD 카메라(431)에서 얼라인 마크(200A)가 부정확하게 인식될 수 있다. 일정 두께 이상을 가지는 제2섀도우 마스크(320)의 제2마스크 프레임(322)에 일정 깊이의 프레임 개구부(322A)를 형성하고 동일한 위치의 제2마스크 시트(321)에는 제2마스크 프레임(322)에 형성된 프레임 개구부(322A)의 지름과 같거나 작은 지름의 홀 또는 홈을 형성하여 제2섀도우 마스크의 얼라인 홀(321B, 322A)을 생성한다. The alignment mark 200A may be incorrectly recognized by the CCD camera 431 when a plurality of layers of the film are deposited on the alignment mark 200A. A frame opening 322A having a predetermined depth is formed in the second mask frame 322 of the second shadow mask 320 having a predetermined thickness or more and the second mask frame 322 is formed in the second mask sheet 321 in the same position, Holes or grooves having a diameter equal to or smaller than the diameter of the frame opening 322A formed in the second shadow mask 322 are formed to create the alignment holes 321B and 322A of the second shadow mask.

따라서, 제2패턴(220)을 형성하는 단계에서 소정 단차를 가지는 제2섀도우 마스크(320)의 프레임 개구부(322A)를 형성하여 기판(200)의 얼라인 마크(200A)에 여러 박막이 적층되어 얼라인 마크(200A)가 불분명하게 인식되는 문제를 개선할 수 있다. Accordingly, in the step of forming the second pattern 220, a plurality of thin films are stacked on the alignment mark 200A of the substrate 200 by forming the frame opening 322A of the second shadow mask 320 having a predetermined step The problem that the alignment mark 200A is recognized unclear can be solved.

여기서, 제1 및 제2마스크 시트(311,321)와 제1 및 제2마스크 프레임(312, 322)은 금속이나, 금속들의 합금을 사용하거나, 기능성 폴리머를 사용할 수도 있고, 폴리머와 금속의 혼합물을 사용할 수도 있다. 예를 들면, 상술한 금속으로 Cr, Al, Fe, Cu, W, Au, Ni, Ag, Ti 등을 사용할 수 있다. Here, the first and second mask sheets 311 and 321 and the first and second mask frames 312 and 322 may be made of a metal, an alloy of metals, a functional polymer, or a mixture of a polymer and a metal. It is possible. For example, Cr, Al, Fe, Cu, W, Au, Ni, Ag, Ti, or the like may be used as the metal.

그리고, 기판(200) 표면에는 다층의 박막이 다양한 패턴으로 적층되기 때문에 하부 층의 제1패턴(210)과 상부 층의 제2패턴(220) 사이의 정렬이 매우 중요하고, 인접한 패턴들 간의 정렬 또한 중요하다. 한편, 제1 및 제2마스크 프레임(312, 322)의 오픈 영역에 단차를 형성하는데, 그 이유는 상부에서 내려오는 가스의 흐름을 중앙부분으로 모아주기 위해서 단차를 형성하게 된다. Since the multilayer thin film is deposited on the surface of the substrate 200 in various patterns, the alignment between the first pattern 210 of the lower layer and the second pattern 220 of the upper layer is very important, It is also important. On the other hand, a step is formed in the open region of the first and second mask frames 312 and 322 because a step is formed to collect the flow of the gas coming from the upper part to the central part.

따라서, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)를 정렬시키기 위한 얼라인먼트 장치(400)가 배치된다. 이러한 얼라인먼트 장치(400)는 증착이 이루어지는 공정 챔버(100)의 내부에 배치될 수 있을 뿐만 아니라, 공정 챔버(100)의 외부에 별도의 챔버를 가지는 형태로 배치될 수 있음은 물론이다. Accordingly, an alignment device 400 for aligning the substrate 200 and the second shadow mask 320 is disposed. It will be appreciated that the alignment device 400 may be disposed inside the process chamber 100 where the deposition is performed, or may be disposed outside the process chamber 100 with a separate chamber.

이러한 얼라인먼트 장치(400)는 기판(200)의 일면을 지지하는 기판 지지부(410)와, 기판 지지부(410) 내부에서 기판(200)의 타면과 대응 형성되는 마그넷 플레이트(420)와, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)와의 상대 위치를 검출하는 위치 검출 유닛(430)과, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)와의 상대 위치를 보정하는 위치 제어 유닛(미도시)을 구비하고 있다. The alignment device 400 includes a substrate support 410 for supporting one surface of the substrate 200, a magnet plate 420 corresponding to the other surface of the substrate 200 in the substrate support 410, And a position control unit (not shown) for correcting the relative position between the substrate 200 and the second shadow mask 320. The position detecting unit 430 detects the relative position between the first shadow mask 320 and the second shadow mask 320, .

기판 지지부(410)는 기판(200)의 일면 가장자리에서 수평상태로 지지하도록 구성되어 있다. The substrate supporting portion 410 is configured to support the substrate 200 in a horizontal state at one side edge thereof.

이러한 기판 지지부(410)는 베이스 플레이트(411)와, 베이스 플레이트(411)의 상부에 결합되되 그 선단에서 기판(200)을 지지하는 복수의 승강핀(412A)을 가지는 기판 지지대(412)와, 베이스 플레이트(411)의 하부에 결합되어 베이스 플레이트(411)를 XYZ방향으로 이동시키는 구동 스테이지(413)를 포함하여 구성된다. The substrate support 410 includes a base plate 411, a substrate support 412 having a plurality of lift pins 412A coupled to an upper portion of the base plate 411 and supporting the substrate 200 at a tip thereof, And a driving stage 413 coupled to a lower portion of the base plate 411 to move the base plate 411 in the X, Y, and Z directions.

베이스 플레이트(411)의 상부에는 기판(200)이 안치되는 사각 박스 형상의 기판 지지대(412)가 배치된다. A rectangular box-shaped substrate support 412 on which the substrate 200 is placed is disposed above the base plate 411.

기판 지지대(412)의 내부에는 기판 지지대(412)에 의해 지지받는 기판(200)의 타면에 대응 형성되는 마그넷 플레이트(420)가 배치된다. A magnet plate 420, which is formed on the other surface of the substrate 200 supported by the substrate supporter 412, is disposed inside the substrate supporter 412.

마그넷 플레이트(420)는 기판 지지대(412)의 승강핀(412A)과 결합되어 상승 또는 하강하여 제2섀도우 마스크(320)와 자기적 결합을 할 수 있다. The magnet plate 420 is coupled with the lift pins 412A of the substrate support 412 and can be moved up or down to magnetically couple with the second shadow mask 320. [

상술한 베이스 플레이트(411), 기판 지지부(410), 마그넷 플레이트(420)에는 후술하는 CCD 카메라(431)에 의하여 기판 지지대(412)에 지지받는 기판(200)의 얼라인 마크(200A)를 촬상하기 위한 관통공(미도시)이 마련되어 있다. The alignment mark 200A of the substrate 200 supported by the substrate supporter 412 is imaged by the CCD camera 431 described later on the base plate 411, the substrate supporter 410 and the magnet plate 420, Through holes (not shown) are provided.

위치 검출 유닛(430)은 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)의 상대적인 위치 관계를 검출하기 위한 것이고 예를 들면, CCD 카메라(431)와, CCD 카메라(431)에 접속되는 연산부(미도시)를 포함할 수 있다. The position detection unit 430 is for detecting a relative positional relationship between the substrate 200 and the second shadow mask 320 and includes a CCD camera 431 and an operation unit Time).

CCD 카메라(431)는 기판(200)의 얼라인 마크(200A)와 제2섀도우 마스크(320)의 얼라인 홀(321B,322A)를 중합시킨 화상이 받아들여지도록 배치 된다. 예를 들면 2개의 관통공(미도시)의 하방에 2대의 CCD 카메라(431)가 각각 설치 될 수 있다. The CCD camera 431 is arranged such that an image obtained by superimposing the alignment marks 200A of the substrate 200 and the alignment holes 321B and 322A of the second shadow mask 320 is received. For example, two CCD cameras 431 may be installed below the two through holes (not shown).

그리고, 연산부(미도시)에서는 촬영되는 얼라인 마크(200A)와 얼라인 홀(321B,322A)이 서로 일치되는 화상으로부터 제2섀도우 마스크(320)에 대한 기판의 위치 이탈을 산출한 다음 기판과 제2섀도우 마스크(320)의 정렬이 가능하도록 한다. In the operation unit (not shown), deviation of the substrate with respect to the second shadow mask 320 is calculated from an image in which the alignment mark 200A and the alignment holes 321B and 322A are aligned with each other, So that alignment of the second shadow mask 320 is enabled.

즉, CCD 카메라(431)를 사용하여 얼라인 마크(200A)와 얼라인 홀(321B,322A)을 인식한 후, 얼라인 마크(200A)와 얼라인 홀(321B,322A)이 서로 일치하도록 구동 스테이지(413)를 통하여 기판 지지대(412)를 지탱하고 있는 베이스 플레이트(411)를 XYZ방향으로 이동시키게 된다. 이때 정밀한 이동을 위하여 사용되는 구동 스테이지(413)는 UVW 스테이지(413)로, 이러한 UVW 스테이지(413)의 이송 정밀도는 수um 수준의 정밀도를 가진다. That is, after the alignment mark 200A and the alignment holes 321B and 322A are recognized using the CCD camera 431, the alignment mark 200A and the alignment holes 321B and 322A are driven to coincide with each other The base plate 411 supporting the substrate support table 412 is moved in the X, Y, and Z directions through the stage 413. The driving stage 413 used for precise movement is a UVW stage 413, and the transfer accuracy of such a UVW stage 413 has a precision of several um.

따라서, 베이스 플레이트(411)는 하부에 UVW 스테이지(413)와 연결되어 있으며, 적당한 면에 두 개 이상의 CCD 카메라(431)를 부착하여 사용하게 되어, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)의 정밀한 정렬이 가능하게 된다. Accordingly, the base plate 411 is connected to the UVW stage 413 at a lower portion thereof, and two or more CCD cameras 431 are attached to an appropriate surface, so that the substrate 200 and the second shadow mask 320, Can be precisely aligned.

또한, 위치 제어 유닛(미도시)은 위치 검출 유닛(430)에서 검출되는 위치 관계로부터, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)가 소정의 위치 관계가 되도록 기판 지지부(410)의 이동치를 산출하고, 산출되는 값에 근거하고 기판 지지부(410)에 구비되는 UVW 스테이지(413)에 의한 기판 지지부(410)의 구동을 제어하는 제어부(미도시)를 구비하고 있다. The position control unit (not shown) detects the movement value of the substrate support portion 410 so that the substrate 200 and the second shadow mask 320 are in a predetermined positional relationship from the positional relationship detected by the position detection unit 430 And a control unit (not shown) for controlling the driving of the substrate supporting unit 410 by the UVW stage 413 provided on the substrate supporting unit 410 based on the calculated value.

다음, 도 6 및 도 7을 참조하여 섀도우 마스크와 기판이 정렬되는 방법에 대하여 설명한다. 도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 얼라인먼트 장치에 의해 마스크와 기판이 정렬되는 방법을 나타낸 도면이다. Next, a method of aligning the shadow mask and the substrate will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. 6 and 7 are views showing a method of aligning a mask and a substrate by an alignment apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 먼저, 제1패턴 개구부(311A) 및 제1얼라인 마크 개구부(311B)를 갖는 제1섀도우 마스크(310)를 진공 분위기가 조성된 공정 챔버(100) 내부로 반입 및 로딩된다. (S100)3, 6, and 7, first, a first shadow mask 310 having a first pattern opening 311A and a first alignment mark opening 311B is placed in a vacuum chamber, (100). (S100)

그리고, 공정 챔버(100)로 반입 및 로딩된 제1섀도우 마스크(310)를 상승시킨다. (S110)Then, the first shadow mask 310, which is loaded and loaded into the process chamber 100, is raised. (S110)

다음, 기판 지지부(410)의 승강핀(412A)을 상승시킨 다음(S120), 상승된 기판 지지부(410)의 승강핀(412A)에 기판(200)을 로딩한다. (S130)Next, the lift pins 412A of the substrate holder 410 are lifted (S120), and then the substrate 200 is loaded on the lift pins 412A of the raised substrate holder 410. (S130)

다음, 이렇게 승강핀(412A)에 로딩된 기판(200)을 하강시킨다. (S140)Next, the substrate 200 loaded on the lift pins 412A is lowered. (S140)

그리고, 제1섀도우 마스크(310)가 기판(200)에 인접하도록 제1섀도우 마스크(310)를 하강시켜 제1섀도우 마스크(310)와 기판(200)의 예비 정렬을 실시한다. (S150)The first shadow mask 310 is lowered such that the first shadow mask 310 is adjacent to the substrate 200 to preliminarily align the substrate 200 with the first shadow mask 310. (S150)

다음, 제1섀도우 마스크(310)가 기판(200)에 밀착되도록 제1섀도우 마스크(310)를 더욱 하강시켜 제1섀도우 마스크(310)와 기판의 정렬을 실시한다. (S160)Next, the first shadow mask 310 is lowered further so that the first shadow mask 310 is in close contact with the substrate 200, thereby aligning the first shadow mask 310 and the substrate. (S160)

제1섀도우 마스크(310)를 기판(200) 위치까지 내린 후 기구적인 정렬을 실시한 후 기판(200)과 제1섀도우 마스크(310)를 밀착시키고(S170), 다시 마그넷 플레이트(420)로 처킹(S180)한 다음, Sputtering공정(또는 CVD공정, Evaporation공정)에 따라 증착을 실시하게 되면 제1섀도우 마스크(310)의 제1패턴 개구부(311A)에 해당하는 제1패턴(210)과 제1섀도우 마스크(310)의 제1얼라인 마크 개구부(311B)에 해당하는 얼라인 마크(200A)가 동시에 생성된다. (S190)After the first shadow mask 310 is lowered to the position of the substrate 200 and mechanical alignment is performed, the substrate 200 and the first shadow mask 310 are brought into close contact with each other (S170) The first pattern 210 corresponding to the first pattern opening portion 311A of the first shadow mask 310 and the first pattern 210 corresponding to the first pattern opening portion 311A of the first shadow mask 310 may be formed by performing the deposition in accordance with the sputtering process (or the CVD process or the evaporation process) An alignment mark 200A corresponding to the first alignment mark opening 311B of the mask 310 is simultaneously generated. (S190)

제2패턴의 형성방법은 제1패턴(210)의 형성과 마찬가지로 제2패턴 개구부(321A) 및 얼라인 홀(321B, 322A)를 구비한 제2섀도우 마스크(320)가 반입 및 로딩된다. (S200)The second shadow mask 320 having the second pattern opening portion 321A and the alignment holes 321B and 322A is loaded and loaded in the same manner as the first pattern 210 is formed. (S200)

그리고, 공정 챔버(100)로 반입 및 로딩된 제2섀도우 마스크(320)를 상승시킨다. (S210) Then, the second shadow mask 320 which has been loaded and loaded into the process chamber 100 is raised. (S210)

그리고, 기판 지지부(410)의 승강핀(412A)을 상승시킨다. (S220)Then, the lift pin 412A of the substrate supporting portion 410 is lifted. (S220)

다음, 상승된 기판 지지부(410)의 승강핀(412A)에 기판(200)을 로딩한다. (S230) Next, the substrate 200 is loaded on the lift pin 412A of the raised substrate support portion 410. (S230)

다음, 이렇게 승강핀(412A)에 로딩된 기판(200)을 하강시킨다. (S240)Next, the substrate 200 loaded on the lift pins 412A is lowered. (S240)

다음, 제2섀도우 마스크(320)가 기판(200)에 인접하도록 제2섀도우 마스크(320)를 하강시켜 제1섀도우 마스크(310)와 기판(200)의 예비 정렬을 실시한다. (S250) Next, the second shadow mask 320 is lowered so that the second shadow mask 320 is adjacent to the substrate 200, thereby preliminarily aligning the substrate 200 with the first shadow mask 310. (S250)

다음, 제1섀도우 마스크(310)가 기판(200)에 밀착되도록 제1섀도우 마스크(310)를 더욱 하강시켜 제1섀도우 마스크(310)와 기판(200)의 정렬을 실시한다. (S260)Next, the first shadow mask 310 is lowered further so that the first shadow mask 310 is brought into close contact with the substrate 200, thereby aligning the first shadow mask 310 and the substrate 200. (S260)

제2섀도우 마스크(320)를 기판(200) 위치까지 하강시킨 후 기구적인 정렬을 실시한 후 다시 기판(200)의 얼라인 마크(200A)가 제2마스크 시트(321)의 얼라인 홀(321B, 322A)에 대응 위치하도록 하여 CCD 카메라(431)에서 인식되도록 얼라인한다. (S270)The second shadow mask 320 is lowered to the position of the substrate 200 and then the alignment marks 200A of the substrate 200 are aligned with the alignment holes 321B, 322A so as to be recognized by the CCD camera 431. (S270)

즉, CCD 카메라(431)에 의하여 기판(200)의 얼라인 마크(200A)와 제2섀도우 마스크(320)의 얼라인 홀(321B, 322A)이 각각 촬상되고 연산부(미도시)에 의해서 제2섀도우 마스크(320)의 얼라인 홀(321B, 322A)의 중심과 기판의 얼라인 마크(200A)의 상대 위치가 검출된다. That is, the alignment mark 200A of the substrate 200 and the alignment holes 321B and 322A of the second shadow mask 320 are imaged by the CCD camera 431, respectively, and the arithmetic unit (not shown) The relative positions of the center of the alignment holes 321B and 322A of the shadow mask 320 and the alignment mark 200A of the substrate are detected.

CCD 카메라(431)에서 얼라인 마크(200A)와 얼라인 홀(321B, 322A)이 인식하면 UVW 스테이지(413)를 조절하여 비전 얼라인(S280)을 완료하여 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)를 밀착(S290)시켜서 마그넷 처킹(S300) 및 미세 정렬(S310) 한 후 CVD공정(또는 Sputtering공정, Evaporation공정)에 따라 증착을 실시한다. (S320)When the alignment mark 200A and the alignment holes 321B and 322A are recognized by the CCD camera 431, the UVW stage 413 is adjusted to complete the alignment step S280 and the substrate 200 and the second shadow mask (S390) and micro-alignment (S310) by closely contacting the substrate 320 (S290), followed by CVD (or sputtering or evaporation). (S320)

즉, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320)의 정렬을 행한 뒤, 승강핀(412A)을 통하여 기판(200)과 마그넷 플레이트(420)를 상승시키면, 이것에 의해, 제2섀도우 마스크(320)는 기판(200)을 이용하고 마그넷 플레이트(420)에 흡착되고, 제2섀도우 마스크(320)가 기판(200)에 밀착 고정 되는 상태가 된다. That is, after the substrate 200 and the second shadow mask 320 are aligned, when the substrate 200 and the magnet plate 420 are raised through the lift pin 412A, the second shadow mask 320 are attracted to the magnet plate 420 by using the substrate 200 and the second shadow mask 320 is tightly fixed to the substrate 200.

이 상태로, CCD 카메라(431)에 의하여 기판(200)의 얼라인 마크(200A)와 제2섀도우 마스크(320)의 얼라인 홀(321B, 322A)의 중복 상태를 촬상하고 위치를 확인한다. 그리고, 위치 이탈이 요구 정밀도 범위 내라면 마그넷 플레이트(420)와 제2섀도우 마스크(320) 사이에 배치되는 상태의 기판(200)을 해당 공정에 의하여 기판(200)에 제2패턴(220)을 형성할 수 있다. (S320) In this state, the overlapping state of the alignment marks 200A of the substrate 200 and the alignment holes 321B and 322A of the second shadow mask 320 is captured by the CCD camera 431 and confirmed. If the position deviation is within the required accuracy range, the substrate 200 in a state of being disposed between the magnet plate 420 and the second shadow mask 320 is transferred to the substrate 200 through the process, . (S320)

본 발명의 다른 실시예를 도 8 내지 도 10을 참조하여 설명한다. 전술한 일 실시예와 동일한 구성 요소를 나타내는 경우에는 동일한 부호를 부여하고, 그 설명은 생략한다. 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치를 나타낸 도면이며, 도 9는 도 8에 도시된 증착 장치에 이용되는 제1섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이며, 도 10은 도 8에 도시된 증착 장치에 이용되는 제2섀도우 마스크를 확대하여 나타낸 도면이다. Another embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 8 to 10. Fig. The same reference numerals are assigned to the same components as those of the above-described embodiment, and a description thereof will be omitted. FIG. 8 is a view showing a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention, FIG. 9 is an enlarged view of a first shadow mask used in the deposition apparatus shown in FIG. 8, and FIG. 10 is a cross- 1 is an enlarged view of a second shadow mask used in a vapor deposition apparatus.

도 8 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치(10')는 상향식 증착원(110')을 가지는 공정 챔버(100'), 기판(200), 섀도우 마스크(300'), 얼라인먼트 장치(400')를 포함하여 구성된다. 8 to 10, a deposition apparatus 10 'according to another embodiment of the present invention includes a process chamber 100' having a bottom-up evaporation source 110 ', a substrate 200, a shadow mask 300 ', and an alignment device 400'.

공정 챔버(100')는 증착 재료를 수용하는 증착원(110')을 가지고 있는데, 이러한 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착 장치(10')의 증착원(110')은 상향식으로 기판(200)을 증착시키는 증착 장치(10')를 포함한다. The deposition source 110 'of the deposition apparatus 10' according to another embodiment of the present invention is a process chamber 100 'having a deposition source 110' for receiving a deposition material. The deposition source 110 ' (10 ').

공정 챔버(100')의 내부에는 상향식 증착원(110')에서 제공된 증착 재료에 의해 증착되는 기판(200)이 증착원(110')에 대향되게 배치되어 있다. Inside the process chamber 100 ', a substrate 200 to be deposited by the deposition material provided in the bottom-up deposition source 110' is arranged to face the deposition source 110 '.

기판(200)의 하부에는 기판(200) 표면에 패턴(210,220)과 얼라인 마크(200A)를 동시에 형성하기 위한 섀도우 마스크(300')가 배치된다. 섀도우 마스크(300')를 상향식 증착원(110')과 기판(200) 사이에 배치시켜 패턴 개구부(311'A)와 얼라인 마크 개구부(311'B)에 의해 노출된 기판 영역에만 증착 재료가 증착되어 소정의 패턴(210)과 얼라인 마크(200A)를 동시에 형성하게 된다. A shadow mask 300 'for simultaneously forming the patterns 210 and 220 and the alignment mark 200A on the surface of the substrate 200 is disposed below the substrate 200. [ The shadow mask 300 'is disposed between the bottom-up evaporation source 110' and the substrate 200 to evaporate the evaporation material only to the substrate region exposed by the pattern opening 311 'A and the alignment mark opening 311' So that the predetermined pattern 210 and the alignment mark 200A are simultaneously formed.

본 발명의 다른 실시예에 따른 섀도우 마스크(300')는 상향식 증착원(110')을 통하여 기판(200) 표면에 제1패턴(210)과 얼라인 마크(200A)를 동시에 형성하기 위한 제1섀도우 마스크(310')와, 제1패턴(210)이 형성된 기판(200) 표면에 제2패턴(220)을 형성함과 동시에 기판(200)의 얼라인 마크(200A)를 인식하기 위한 얼라인 홀(321'B, 322'A)이 형성된 제2섀도우 마스크(320')를 포함하여 구성된다. The shadow mask 300 'according to another embodiment of the present invention includes a first pattern 210 and a first alignment mark 200A for simultaneously forming the first pattern 210 and the alignment mark 200A on the surface of the substrate 200 via the bottom- The second pattern 220 is formed on the surface of the substrate 200 on which the first pattern 210 is formed and the alignment marks 200A for recognizing the alignment marks 200A of the substrate 200 are formed. And a second shadow mask 320 'having holes 321'B and 322'A formed thereon.

제1섀도우 마스크(310')는 제1마스크 시트(311')와, 제1마스크 시트(311')의 하부에 배치되는 제1마스크 프레임(312')을 포함하여 구성된다. The first shadow mask 310 'comprises a first mask sheet 311' and a first mask frame 312 'disposed under the first mask sheet 311'.

제1마스크 시트(311')는 기판(200) 표면에 제1패턴(210)을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1A개구부(311'A)와, 기판(200) 표면에 얼라인 마크(200A)를 형성하기 위한 영역을 한정하는 제1B개구부(311'B)를 가진다. 그리고, 제1마스크 프레임(312')은 제1A개구부(311'A)와 제1B개구부(311'B)를 방해하지 않는 범위 내에서 제1마스크 시트(311')의 하부에서 제1마스크 시트(311')를 지지한다. The first mask sheet 311 'includes a first aperture 311'A defining an area for forming a first pattern 210 on the surface of the substrate 200 and a first aperture 311'A defining an area for forming the alignment mark 200A And a first B opening 311'B that defines an area for forming the first opening 311'B. The first mask frame 312 'is provided on the first mask sheet 311' at a lower portion of the first mask sheet 311 'within a range not interfering with the first A opening 311'A and the first B opening 311'B, (311 ').

제1마스크 프레임(312')은 제1마스크 시트(311')의 제1A개구부(311'A)와 제1B개구부(311'B)를 방해하지 않고 개방된 상태로 제1마스크 시트(311')의 처짐을 방지하기 위해 제1마스크 시트(311')의 하부에서 제1마스크 시트(311')의 가장 자리 영역을 감싸는 형상으로 형성된다. The first mask frame 312'is opened to the first mask sheet 311'A without being interfered with the first A opening 311'A and the first B opening 311'B of the first mask sheet 311 ' To cover the edge of the first mask sheet 311 'at the lower portion of the first mask sheet 311' to prevent deflection of the first mask sheet 311 '.

제2섀도우 마스크(320')는 제2마스크 시트(321')와, 제2마스크 시트(321')의 하부에 배치되는 제2마스크 프레임(322')을 포함하여 구성된다. The second shadow mask 320 'comprises a second mask sheet 321' and a second mask frame 322 'disposed under the second mask sheet 321'.

제2마스크 시트(321')는 제1패턴(210)이 형성된 기판(200) 표면에 제2패턴(220)을 형성하기 위한 영역을 한정하는 제2A개구부(321'A)와, 기판(200) 표면에 형성된 얼라인 마크(200A)를 인식하기 위한 영역을 한정하는 제2B개구부(322'B)를 가진다. 그리고, 제2마스크 프레임(322')은 제2마스크 시트(321')의 제2A개구부(321'A)는 방해하지 않고 제2B개구부(322'B)를 방해하는 범위에서 제2마스크 시트(321')의 하부에 위치하여 제2마스크 시트(321')를 지지한다. The second mask sheet 321 'includes a second aperture 321'A defining an area for forming a second pattern 220 on the surface of the substrate 200 on which the first pattern 210 is formed, And a second B opening 322'B that defines an area for recognizing the alignment mark 200A formed on the surface of the second opening 322B. In addition, the second mask frame 322 'is formed in the second mask sheet 321' so as not to interfere with the second aperture 321 'A of the second mask sheet 321' and to obstruct the second aperture 322 ' 321 'to support the second mask sheet 321'.

즉, 제2마스크 프레임(322)은 제2마스크 시트(321)의 제2A개구부(321'A)는 개방시키고 제2B개구부(322'B)는 폐쇄시킨 상태에서 제2마스크 시트(321')의 처짐을 방지하기 위해 제2마스크 시트(321')의 하부에서 제2마스크 시트(321')의 가장 자리 영역을 감싸는 형상으로 형성된다. That is, the second mask frame 322 is opened to the second mask sheet 321 'with the second aperture 321'A of the second mask sheet 321 opened and the second aperture 322'B closed. To cover the edge of the second mask sheet 321 'from the bottom of the second mask sheet 321' to prevent deflection of the second mask sheet 321 '.

증착원(110')의 상부에는 기판(200)과 제1 및 제2섀도우 마스크(310', 320')를 정렬시키기 위한 얼라인먼트 장치(400')가 배치된다. An alignment device 400 'for aligning the substrate 200 and the first and second shadow masks 310' and 320 'is disposed above the evaporation source 110'.

이러한 얼라인먼트 장치(400')는 기판의 일면을 지지하는 기판 지지부(410')와, 제1 및 제2섀도우 마스크(310', 320')를 유지하는 마스크 유지부(420'), 기판 지지부(410')의 상부에 위치하여 기판 지지부(410')에 대응 형성되는 마그넷 플레이트(430')와, 기판 지지부(410')의 상부에 위치하여 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320')와의 상대 위치를 검출하는 위치 검출 유닛(440')과, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320')와의 상대 위치를 보정하는 위치 제어 유닛(미도시)을 구비하고 있다. The alignment device 400 'includes a substrate support 410' for supporting one side of the substrate, a mask holder 420 'for holding the first and second shadow masks 310' and 320 ', a substrate support And a second shadow mask 320 'positioned above the substrate support 410' and positioned on top of the substrate support 410 'to support the substrate 200 and the second shadow mask 320' And a position control unit (not shown) for correcting a relative position between the substrate 200 and the second shadow mask 320 '. The position detecting unit 440' detects a relative position between the substrate 200 and the second shadow mask 320 '.

기판 지지부(410')는 기판(200)의 일면 가장자리를 그 선단에서 지지하는 복수의 지지핀(411')이 설치되어 있다. 기판 지지부(410')에는 지지한 기판(200)을 XYZ방향으로 이동 가능하게 하는 구동부(미도시)를 구비하고 있다. The substrate supporting part 410 'is provided with a plurality of support pins 411' for supporting the edge of one side of the substrate 200 at the tip thereof. The substrate supporting unit 410 'is provided with a driving unit (not shown) for moving the supported substrate 200 in the X, Y, and Z directions.

마스크 유지부(420')는 패턴을 형성하기 위한 미세한 개구 패턴이 설치되는 섀도우 마스크(300')를 기판 지지부(410')에 지지받는 기판(200)의 일면에 대향하는 상태로 유지시킨다. 섀도우 마스크(300')에는 지지핀(411')에 대응하는 위치에 관통공(미도시)이 마련되어 있고, 이 관통공(미도시)에 지지핀(411')이 삽입되는 상태로 마스크 유지부(420')로 유지되는 섀도우 마스크(300')가 기판 지지부(410')에 의해 지지받는 기판(200)과 대향 배치될 수 있다. 이러한 마스크 유지부(420')는 이동 가능한 승강 수단을 가질 수 있다.The mask holding unit 420 'holds the shadow mask 300' on which a fine opening pattern for forming a pattern is provided, facing the one surface of the substrate 200 supported by the substrate supporting unit 410 '. In the shadow mask 300 ', a through hole (not shown) is provided at a position corresponding to the support pin 411', and in a state where the support pin 411 'is inserted into the through hole (not shown) The shadow mask 300 'held by the substrate support 420' may be disposed opposite the substrate 200 supported by the substrate support 410 '. The mask holding portion 420 'may have movable elevating means.

또한, 마그넷 플레이트(430')는 기판 지지부(410')에 대향 배치 되어 승강 가능하게 구성되어 있다.In addition, the magnet plate 430 'is arranged so as to be opposed to the substrate support portion 410' so as to be able to move up and down.

또한, 위치 검출 유닛(440')은 기판 지지부(410')에 지지받는 기판과 마스크 유지부(420')로 유지되는 제2섀도우 마스크(320')가 상대적인 위치 관계를 검출하기 위한 것이다. 이러한 위치 검출 유닛(440')은 마그넷 플레이트(430')의 상측 구석에 배치 되어 있다. The position detecting unit 440 'is for detecting a relative positional relationship between the substrate supported by the substrate supporting part 410' and the second shadow mask 320 'held by the mask holding part 420'. The position detection unit 440 'is disposed at the upper corner of the magnet plate 430'.

또한 위치 제어 유닛(미도시)은 위치 검출 유닛(440')에서 검출되는 위치 관계에 근거하고, 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320')의 소정의 위치 관계가 되도록 기판 지지부(410')의 XYZ의 이동치를 산출하고, 산출되는 값에 근거하고 기판 지지부(410')에 설치되는 구동부(미도시)에 의한 기판 지지부(410')의 구동을 제어한다. In addition, the position control unit (not shown) is mounted on the substrate support 410 'so as to have a predetermined positional relationship between the substrate 200 and the second shadow mask 320', based on the positional relationship detected by the position detection unit 440 ' , And controls the driving of the substrate supporting part 410 'by a driving part (not shown) provided on the substrate supporting part 410' based on the calculated value.

이렇게 기판(200)의 얼라인 마크(200A)와 제2섀도우 마스크(320')의 얼라인 홀(321'B, 322'A)을 통하여 기판(200)과 제2섀도우 마스크(320')를 정렬한 다음, 해당 공정을 통하여 기판(200)에 제2패턴(220)을 증착할 수 있게 된다. In this way, the substrate 200 and the second shadow mask 320 'are formed through the alignment marks 200A of the substrate 200 and the alignment holes 321'B and 322'A of the second shadow mask 320' The second pattern 220 can be deposited on the substrate 200 through the process.

따라서, 다층 패턴의 형성 시 기판(200) 표면의 얼라인 마크(200A)와 섀도우 마스크(320')의 얼라인 홀(321'B, 322'A)을 통하여 섀도우 마스크(300')와 기판(200)을 용이하게 정렬하고 해당 공정에 따라 기판에 패턴을 형성할 수 있게 된다. Accordingly, when the multilayered pattern is formed, the shadow mask 300 'and the substrate (not shown) are formed through the alignment marks 200A on the surface of the substrate 200 and the alignment holes 321'B and 322'A of the shadow mask 320' 200 can be easily aligned and a pattern can be formed on the substrate according to the process.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 증착 장치 및 증착 방법은 패턴 개구부와 얼라인 마크 개구블 가지는 섀도우 마스크를 통하여 기판 표면에 패턴과 얼라인 마크를 동시에 형성하는 것을 기본적인 기술적 사상으로 하고 있음을 알 수 있다. 따라서, 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능함은 물론이다. As described above, the deposition apparatus and the deposition method according to the embodiments of the present invention are based on a technical idea that a pattern and an alignment mark are simultaneously formed on a substrate surface through a pattern opening and a shadow mask having openings of an alignment mark opening. . Therefore, many modifications may be made by those skilled in the art without departing from the scope and spirit of the present invention.

10…증착 장치 100…공정 챔버
110…증착원 200…기판
200A…얼라인 마크 210…제1패턴
220…제2패턴 300…섀도우 마스크
310…제1섀도우 마스크 311…제1마스크 시트
311A…제1개구부 311B…제1B개구부
312…제1마스크 프레임 320…제2섀도우 마스크
321…제2마스크 시트 321A…제2A개구부
321B…제2B개구부 322…제2마스크 프레임
322A…마스크 개구부 400…얼라인먼트 장치
410…기판 지지부 420…마그넷 플레이트
430…위치 검출 유닛 431…CCD 카메라10 ... Deposition device 100 ... Process chamber
110 ... The deposition source 200 ... Board
200A ... Align mark 210 ... The first pattern
220 ... The second pattern 300 ... Shadow Mask
310 ... The first shadow mask 311 ... The first mask sheet
311A ... The first opening 311B ... The first B opening
312 ... The first mask frame 320 ... The second shadow mask
321 ... The second mask sheet 321A ... The second A-
321B ... The second B opening 322 ... The second mask frame
322A ... The mask opening 400 ... Alignment device
410 ... The substrate support 420 ... Magnet plate
430 ... Position detection unit 431 ... CCD camera

Claims

A process chamber having an evaporation source,
A pattern opening to define a region for forming a pattern on the surface of the substrate disposed in the process chamber to be deposited by the evaporation source; and an alignment mark aperture defining an area for forming an alignment mark on the surface of the substrate, A shadow mask,
And an alignment device for aligning the alignment marks of the substrate and the alignment holes of the shadow mask when the alignment marks are formed on the substrate by the alignment mark openings;
Wherein the deposition apparatus comprises:

The method according to claim 1,
Wherein the shadow mask comprises: a first shadow mask for simultaneously forming a first pattern and an alignment mark on a surface of a substrate;
And a second shadow mask for forming a second pattern on the surface of the substrate on which the first pattern is formed while being aligned by the alignment device
Wherein the deposition apparatus comprises:

3. The method of claim 2,
Wherein the first shadow mask has a first aperture opening that defines an area for forming the first pattern on the surface of the substrate and a second aperture opening that defines a first aperture opening that defines an area for forming an alignment mark on the surface of the substrate 1 mask sheet,
A first mask frame for supporting the first mask sheet within a range not interfering with the first A opening and the first B opening;
Wherein the deposition apparatus comprises:

The method of claim 3,
The second shadow mask includes a second aperture portion defining an area for forming the second pattern on the surface of the substrate on which the first pattern is formed, and a second aperture opening for defining an area for recognizing the alignment mark on the surface of the substrate. A first mask sheet,
A second mask frame supporting the second mask sheet in a range that opens the second aperture and closes the second aperture,
Wherein the deposition apparatus comprises:

5. The method of claim 4,
The second mask frame having a frame opening corresponding to the second B opening,
And the second shadow mask is aligned with the alignment mark of the substrate through an alignment hole comprising the second B opening and the frame opening.

The method according to claim 1,
The alignment device includes a substrate support for supporting a surface of the substrate, a magnet plate corresponding to the other surface of the substrate inside the substrate support, a position detection unit for detecting a relative position between the substrate and the shadow mask, And a position control unit for correcting a relative position with respect to the shadow mask.

[7] has been abandoned due to the registration fee.

The method according to claim 6,
Wherein the substrate supporting portion includes a base plate, a substrate support having a plurality of lift pins for supporting the substrate at a front end thereof, and a driving stage for moving the base plate in X, Y and Z directions.

[8] has been abandoned due to the registration fee.

The method according to claim 6,
Wherein the position detection unit includes a CCD camera and an arithmetic unit connected to the CCD camera.

6. The method of claim 5,
Wherein the frame opening has a larger size than the second B opening of the second mask sheet for recognizing the contrast, and is coupled with the second mask sheet in a shape having a predetermined step in the second B opening.

[Claim 10 is abandoned upon payment of the registration fee.]

The method according to claim 1,
Wherein the process chamber comprises at least one of a CVD chamber, a sputter chamber, and an evaporator chamber.

[Claim 11 is abandoned upon payment of the registration fee.]

The method according to claim 1,
Wherein the substrate includes a glass substrate on which an organic layer of an organic EL display manufacturing process is deposited.

[12] has been abandoned due to the registration fee.

The method according to claim 1,
Wherein the evaporation source includes at least one of a bottom-up evaporation source and a top-down evaporation source.

A process chamber,
A first B opening that defines an area for forming an alignment mark on the substrate surface concurrently with the first pattern; A second shadow mask,
A second aperture opening for defining an area for forming a second pattern on the surface of the substrate on which the first pattern is formed; and a second aperture opening for defining an area for recognizing an alignment mark of the substrate formed by the first shadow mask, A second shadow mask having a first surface,
An aligning device for aligning a relative position of the second B opening of the second shadow mask and the alignment mark of the substrate surface on which the first pattern is formed so as to form the second pattern on the substrate surface on which the first pattern is formed;
Wherein the deposition apparatus comprises:

14. The method of claim 13,
Wherein the first shadow mask has a first aperture opening that defines an area for forming the first pattern on the surface of the substrate and a second aperture opening that defines a first aperture opening that defines an area for forming an alignment mark on the surface of the substrate And a first mask frame for supporting the first mask sheet within a range not interfering with the first A opening and the first B opening,
The second shadow mask includes a second aperture portion defining an area for forming the second pattern on the surface of the substrate on which the first pattern is formed, and a second aperture opening for defining an area for recognizing the alignment mark on the surface of the substrate. And a mask frame supporting the second mask sheet in a range that opens the second aperture and closes the second aperture, the frame having a frame opening corresponding to the second aperture, ,
And the second shadow mask is aligned with the alignment mark of the substrate through an alignment hole comprising the second B opening and the frame opening.

Loading and loading a first shadow mask having a first pattern opening and a first alignment mark opening into a process chamber;
Loading and loading the substrate so as to face the first shadow mask;
Simultaneously forming on the substrate surface a first pattern corresponding to the first pattern opening of the first shadow mask and an alignment mark corresponding to the first alignment mark opening of the first shadow mask;
Loading and loading a second shadow mask having a second patterned opening and a second aligned mark opening into the process chamber;
Loading a substrate on which the first pattern and the alignment marks are formed so as to face the second shadow mask;
A first pattern corresponding to the second pattern opening of the second shadow mask is formed on the surface of the substrate on which the first pattern and the alignment mark are formed, and a second pattern corresponding to the second alignment mask opening of the second shadow mask Aligning while recognizing the mark;
Wherein the deposition is performed by a deposition method.

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A shadow mask comprising: a pattern opening defining a region for forming a pattern on a substrate surface; and an alignment mark opening defining an area for forming an alignment mark on the substrate surface,
In the shadow mask,
A first shadow mask for simultaneously forming a first pattern and an alignment mark on a surface of a substrate,
And a second shadow mask for forming a second pattern on the surface of the substrate on which the first pattern is formed while being aligned through the alignment mark
Wherein the shadow mask comprises a plurality of shadow masks.

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