KR20130013202A - Photosensitive resin composition having improved moisture resistance - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A photosensitive resin composition is provided to have high sensitivity by having high resolution and to have high photosensitivity. CONSTITUTION: A photosensitive resin composition comprises 15-95 weight% of polyimide indicated in chemical formula 1, 15-95 weight% of polyimide indicated in chemical formula 2, and 3-50 weight% of photoactive compound. In the chemical formula 1 and 2: each X1 and X2 is a tetravalent organic group which contains fluorine; X3 is a tetravalent organic group; Y1 is a divalent organic group which contains fluorine; each of Y2 and Y3 is a divalent organic group; 0<p≤1, 0≤q<1, p+q=1; n1 and n2 is an integer from 2-500; and each of E1-E4 is a polymer terminal group. The polyimide indicated in the chemical formula 1 comprises 60-100 equivalent of organic group contained based on the 100 equivalent of total organic groups.

Description

내 흡습성이 우수한 감광성 수지 조성물 {Photosensitive resin composition having improved moisture resistance}Photosensitive resin composition having improved moisture resistance

본 발명은 내 흡습성이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공하는 것에 관한 것이다.
The present invention relates to providing a photosensitive resin composition excellent in hygroscopicity.

폴리이미드는 주쇄에 헤테로 이미드 고리를 가지고 있는 폴리머로서 테트라카르복실산과 디아민을 축중합시켜 제조된다.Polyimide is a polymer having a heteroimide ring in the main chain, and is prepared by condensation polymerization of tetracarboxylic acid and diamine.

폴리이미드는 광투과도가 우수하고 기계적 성질, 열적 특성 및 기질과의 접착력이 매우 우수하여 상업적 중요성을 갖고 있다. 폴리이미드는 전기, 전자, 자동차, 비행기, 반도체 등 다양한 분야에서 금속이나 유리 등을 대체해서 광범위하게 쓰이고 있다.Polyimide is of commercial importance because of its excellent light transmittance and excellent adhesion to mechanical properties, thermal properties and substrate. Polyimide is widely used to replace metal or glass in various fields such as electricity, electronics, automobiles, airplanes, and semiconductors.

폴리이미드는 특히 전기 절연성이 우수하여 반도체 산업에서 여러 가지 보호막으로 널리 이용되어 왔다. 특히 근래에는 집적회로의 소형화, 고밀도화가 가속화됨에 따라 고밀도 집적회로용 다층 기관의 절연층 및 보호막으로 이용하려는 연구가 활발하며, 그 중에서도 낮은 수분흡수율을 갖는 전자재료에 사용가능한 폴리이미드의 연구가 절실히 요구되고 있는 실정이다.
Polyimide has been widely used as a protective film in the semiconductor industry because of its excellent electrical insulation. In recent years, as the size and density of integrated circuits have been accelerated, researches on using them as insulating layers and protective films of multilayer engines for high density integrated circuits have been actively conducted, and among them, research on polyimides usable for electronic materials having low water absorption rates is urgently needed. It is a required situation.

본 발명은 수분흡수율이 낮고, 알카리성 현상액에 대한 용해도가 높은 고감도의 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
An object of the present invention is to provide a highly sensitive positive photosensitive resin composition having low water absorption and high solubility in an alkaline developer.

본 발명에 따른 감광성 수지 조성물은 그 고형분을 기준으로, 다음 화학식 1로 표시되는 폴리이미드 15 ~ 95 중량%; 다음 화학식 2로 표시되는 폴리이미드 2 ~ 80 중량% 및 광활성 화합물 3 ~ 50 중량%를 포함한다.The photosensitive resin composition according to the present invention, based on the solid content, 15 to 95% by weight of polyimide represented by the following formula (1); 2 to 80% by weight of the polyimide represented by the following formula (2) and 3 to 50% by weight of the photoactive compound.

화학식 1Formula 1

Figure pat00001
Figure pat00001

화학식 2(2)

Figure pat00002
Figure pat00002

여기서, X1과 X2는 불소원소가 함유된 4가의 유기기이고, X3는 4가의 유기기이고, Y1은 불소원소가 함유된 2가의 유기기이며, Y2 와 Y3는 2가의 유기기이고, 0 < p ≤ 1, 0 ≤ q < 1, p+q=1이며, n1과 n2는 각각 2 ~ 500의 정수이고, E1 내지 E4는 고분자 말단이다.Here, X 1 and X 2 are tetravalent organic groups containing fluorine element, X 3 is tetravalent organic group, Y 1 is divalent organic group containing fluorine element, and Y 2 and Y 3 are divalent 0 <p ≦ 1, 0 ≦ q <1, p + q = 1, n 1 and n 2 are each an integer of 2 to 500, and E 1 to E 4 are polymer terminals.

보다 구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드의 X1과 X2는 불소원소가 함유된 C6 ~ C60의 4가의 유기기, Y1은 불소원소가 함유된 C6 ~ C30의 2가의 유기기, Y2 는 C6 ~ C60의 2가의 유기기일 수 있으며, 상기 화학식 2로 표시되는 폴리이미드의 X3는 C6 ~ C60의 4가의 유기기, Y3는 C6 ~ C60의 2가의 유기기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.More specifically, X 1 and X 2 of the polyimide represented by the formula (1) is a C6 ~ C60 tetravalent organic group containing a fluorine element, Y 1 is a C6 ~ C30 divalent organic group containing a fluorine element, Y 2 may be a divalent organic group of C6 to C60, X 3 of the polyimide represented by Formula 2 may be a tetravalent organic group of C6 to C60, Y 3 may be a divalent organic group of C6 to C60, It is not limited.

본 발명에 따른 폴리이미드는 이무수물(dianhydride)와 디아민(diamine)의 반응으로 얻어지는 것이며, 상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드를 합성하는데 사용되는 불소원소를 함유하는 이무수물 및 디아민(불소원소가 함유된 유기기)은 전체 이무수물 및 디아민 100 당량(전체 유기기 100 molar equivalent)을 기준으로 60 ~ 100 당량으로 포함되는 것이 바람직하다.Polyimide according to the present invention is obtained by the reaction of dianhydride and diamine (dihydric), dianhydride and diamine containing fluorine element used to synthesize the polyimide represented by the formula (1) Organic group) is preferably included in an amount of 60 to 100 equivalents based on 100 dianhydrides and 100 equivalents of diamine (100 molar equivalents of total organic groups).

상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드의 X1 과 X2 는 각각, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로이소프로필리덴 이무수물, 4,4'-헥사플루오로이소프로필리덴디프탈산 무수물 및 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 이무수물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 불소원소가 함유된 4가의 유기기를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. X 1 and X 2 of the polyimide represented by Formula 1 Are 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoroisopropylidene dianhydride, 4,4'-hexafluoroisopropylidenediphthalic anhydride and 2,2-bis [4- ( A tetravalent organic group containing at least one fluorine element selected from the group consisting of 3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] hexafluoropropane dianhydride may be used, but is not limited thereto.

상기 화학식 2로 표시되는 폴리이미드의 X3 는 무수 피로멜리트산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 이무수물, 부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-테트라메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌 숙신산 이무수물, 5-(2,5-디옥소테트라히드로푸릴)-3-메틸-시클로헥센-1,2-디카르복실산 이무수물, 2,3,5-트리카르복시-2-시클로펜탄 아세트산 이무수물, 바이시클로[2,2,2]옥토-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 2,3,4,5-테트라히드로푸란테트라카르복실산 이무수물, 3,5,6-트리카르복시-2-노르보르난 아세트산 이무수물 및 그 유도체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 4가의 유기기를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. X 3 of the polyimide represented by Formula 2 Pyromellitic anhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4 , 4'-diphenylethertetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfontetracarboxylic dianhydride, butane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride , 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-tetra Methyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic acid Dianhydrides, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalene succinic dianhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl-cyclohexene-1 , 2-dicarboxylic dianhydride, 2,3,5-tricarboxy-2-cyclopentane acetic dianhydride, bicyclo [2,2,2] octo-7-ene-2,3,5,6- Tetraca 1 type selected from the group consisting of acid dianhydrides, 2,3,4,5-tetrahydrofurantetracarboxylic dianhydrides, 3,5,6-tricarboxy-2-norbornane acetic dianhydrides and derivatives thereof Although the tetravalent organic group mentioned above can be used, it is not limited to this.

상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드의 Y1 은 3,5-디아미노벤조트리플루오라이드, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노 바이페닐, 2,2-비스[4-(아미도페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 불소원소가 함유된 2가의 유기기를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Y 1 of the polyimide represented by Formula 1 Silver 3,5-diaminobenzotrifluoride, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diamino biphenyl, 2,2-bis [4- (amidophenoxy) phenyl ] A divalent organic group containing at least one fluorine element selected from the group consisting of hexafluoropropane and 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane may be used. It is not.

상기 화학식 1 및 2로 표시되는 폴리이미드의 Y2 와 Y3는 각각,Y 2 and Y 3 of the polyimide represented by Formulas 1 and 2, respectively,

Figure pat00003
Figure pat00003

로 이루어진 군에서 선택된 수산기를 포함하는 디아민;Diamine containing a hydroxyl group selected from the group consisting of;

Figure pat00004
로 표시되는 카르복실기를 포함하는 디아민;
Figure pat00004
Diamine containing a carboxyl group represented by;

3,5-디아미노벤조트리플루오라이드, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노바이페닐, 2,2-비스[4-(아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판, 3,5-디아미노벤조산, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4,6-트리메틸-1,3-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라메틸-1,4-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐설피드, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-메틸렌-비스(2-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디에틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2-이소프로필-6-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디이소프로필아닐린), 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 벤지딘, o-톨리딘, m-톨리딘, 3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 및 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판으로 이루어진 군에서 선택된 방향족 디아민; 및3,5-diaminobenzotrifluoride, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis [4- (aminophenoxy) phenyl] hexa Fluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 3,5-diaminobenzoic acid, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,4,6-trimethyl-1,3-phenylenediamine, 2,3,5,6-tetramethyl-1,4 -Phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylether, 3,4'-diaminodiphenylether, 3,3'-diaminodiphenylether, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-methylene-bis (2-methylaniline), 4, 4'-methylene-bis (2,6-dimethylaniline), 4,4'-methylene-bis (2,6-diethylaniline), 4,4'-methylene-bis (2-isopropyl-6-methyl Aniline), 4,4'-methylene-bis (2,6-diisopropylaniline), 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, benzidine, o-tolidine , m-tolidine, 3,3 ', 5,5'-tetramethylbenzidine, 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1, 3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, bis [4- (4-aminophenoxy Phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane and 2,2-bis [4- (3 Aromatic diamine selected from the group consisting of -aminophenoxy) phenyl] propane; And

1,6-헥사디아민, 1,4-시클로헥산디아민, 1,3-시클로헥산디아민, 1,4-비스(아미노메틸)시클로헥산, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 4,4'-디아미노디시클로헥실메탄 및 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디시클로헥실메탄으로 이루어진 군에서 선택된 지방족 디아민 등으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 디아민을 사용할 수 있으나 이제 한정되는 것은 아니다.1,6-hexadiamine, 1,4-cyclohexanediamine, 1,3-cyclohexanediamine, 1,4-bis (aminomethyl) cyclohexane, 1,3-bis (aminomethyl) cyclohexane, 4,4 One or more diamines selected from the group consisting of aliphatic diamines selected from the group consisting of '-diaminodicyclohexylmethane and 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldicyclohexylmethane can be used but are now limited It doesn't happen.

상기 화학식 1 및 2로 표시되는 폴리이미드의 E1 내지 E4는 각각 4-아미노페놀, N-(4-아미노페닐) 말레이미드, 4-에티닐아닐린, 말레산 무수물, 5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 무수물, 1,2-시클로헥산디카르복실산 무수물, n-옥틸숙신산 무수물, 4-티올아닐린, 4-페닐에티닐 프탈릭산 무수물으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자 말단을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. E 1 to E 4 of the polyimide represented by Formulas 1 and 2 are 4-aminophenol, N- (4-aminophenyl) maleimide, 4-ethynylaniline, maleic anhydride, 5-norbornene- At least one selected from the group consisting of 2,3-dicarboxylic acid anhydride, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid anhydride, n-octylsuccinic anhydride, 4-thiolaniline, 4-phenylethynyl phthalic anhydride Polymer terminals may be used, but are not limited thereto.

상기 광활성 화합물은 o-퀴논디아지드 유도체, 1,2-나프토퀴논 디아지드 유도체, 알릴디아조늄염, 디알릴요오드늄염, 트리알릴술포늄염, o-니트로벤질에스테르, p-니트로벤질에스테르, 트리할로메틸기 치환 s-트리아진 유도체, 이미드술포네이트 유도체 및 하기 화학식들로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물 단독 또는 축합 반응시킨 화합물을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.The photoactive compound is an o-quinone diazide derivative, 1,2-naphthoquinone diazide derivative, allyl diazonium salt, diallyl iodonium salt, triallylsulfonium salt, o-nitrobenzyl ester, p-nitrobenzyl ester, tri One or more compounds selected from the group consisting of halomethyl group-substituted s-triazine derivatives, imidesulfonate derivatives, and the following formulas may be used alone or in a condensation reaction, but is not limited thereto.

Figure pat00005
Figure pat00005

상기 e는 반복단위로 1 내지 1000 범위이다.E ranges from 1 to 1000 in repeat units.

상기 축합 반응시킨 화합물은 하기 화학식들로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.The condensation reaction compound may be used one or more selected from the group consisting of the following formula, but is not limited thereto.

Figure pat00006
Figure pat00006

상기 e는 반복단위로 1 내지 1000 범위이며, E ranges from 1 to 1000 in repeat units,

상기 -OD는 각각

Figure pat00007
및 -OH 중 선택되는 하나이다.Where -OD is each
Figure pat00007
And -OH.

상기 감광성 수지 조성물은 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, N-비닐피롤리돈, N-메틸카프로락탐, 디메틸술폭시드, 테트라메틸요소, 피리딘, 디메틸술폰, 헥사메틸술폭시드, m-크레졸, γ-부티로락톤, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 에틸카르비톨, 부틸카르비톨, 에틸카르비톨 아세테이트, 부틸카르비톨 아세테이트, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 젖산에틸, 젖산부틸, 시클로헥사논, 및 시클로펜타논으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 용매를 사용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. The photosensitive resin composition is N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, N-vinylpyrrolidone, N-methylcaprolactam, dimethyl sulfoxide, tetramethylurea, pyridine , Dimethyl sulfone, hexamethyl sulfoxide, m-cresol, γ-butyrolactone, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, ethyl carbitol, butyl carbitol, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, ethylene glycol, One or more solvents selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), ethyl lactate, butyl lactate, cyclohexanone, and cyclopentanone may be used, but is not limited thereto.

상기 감광성 수지 조성물에 경화제, 용해 속도 조절제, 증감제, 접착력 증강제 및 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 기타 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may further include at least one other additive selected from the group consisting of a curing agent, a dissolution rate regulator, a sensitizer, an adhesion enhancer, and a surfactant.

또한, 본 발명은 상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 감광성 필름을 제공한다.Moreover, this invention provides the photosensitive film formed using the said photosensitive resin composition.

상기 감광성 필름의 두께는 1 내지 20㎛범위 내일 수 있다.The thickness of the photosensitive film may be in the range of 1 to 20㎛.

상기 감광성 필름은 반도체 소자의 층간 절연막, 패시베이션(passivation) 막, 버퍼코트(buffer coat) 막, 다층프린트 기판용 절연막, OLED의 절연막, 액정표시소자의 박막 트랜지스터의 보호막, 유기 EL 소자의 전극보호막 및 반도체 보호막으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 용도로 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
The photosensitive film may include an interlayer insulating film, a passivation film, a buffer coat film, an insulating film for multilayer printed circuit boards, an insulating film for OLEDs, a protective film for thin film transistors for liquid crystal display devices, an electrode protective film for organic EL devices, and the like. It may be used for one or more uses selected from the group consisting of a semiconductor protective film, but is not limited thereto.

본 발명에서 제안하는 폴리이미드를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물은 수분흡수율이 낮고, 높은 감광성을 갖는 효과가 있다.
Positive type photosensitive resin composition containing the polyimide proposed by this invention has the effect of low water absorption and high photosensitivity.

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드와 하기 화학식 2로 표시되는 폴리이미드를 최적의 비로 혼합하여 감광성 수지 조성물을 제공하는 것으로, 수분흡수율이 낮으면서 이와 동시에 알카리성 현상액에 대한 용해도가 높은 고감도 포지티브형 감광성 수지 조성물을 구현할 수 있다.
The present invention provides a photosensitive resin composition by mixing a polyimide represented by the following formula (1) and a polyimide represented by the following formula (2) at an optimum ratio, and has a low water absorption and at the same time a high sensitivity positive to an alkaline developer. A type photosensitive resin composition can be implemented.

이하 본 발명을 상세하게 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명은 감광성 수지 조성물에 관한 것으로, 구체적으로는 조성물의 고형분을 기준으로 다음 화학식 1로 표시되는 폴리이미드 15 ~ 95 중량%; 다음 화학식 2로 표시되는 폴리이미드 2 ~ 80 중량% 및 광활성 화합물 3 ~ 50 중량%의 함량으로 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 내흡습성이 우수한 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
The present invention relates to a photosensitive resin composition, specifically 15 to 95% by weight of a polyimide represented by the following formula (1) based on the solid content of the composition; The present invention relates to a photosensitive resin composition having excellent hygroscopicity, comprising 2 to 80% by weight of polyimide represented by Formula 2 and 3 to 50% by weight of a photoactive compound.

화학식 1Formula 1

Figure pat00008
Figure pat00008

화학식 2(2)

Figure pat00009
Figure pat00009

여기서, X1과 X2는 불소원소가 함유된 4가의 유기기이고, X3는 4가의 유기기이고, Y1은 불소원소가 함유된 2가의 유기기이며, Y2 와 Y3는 2가의 유기기이고, 0 < p ≤ 1, 0 ≤ q < 1, p+q=1이며, n1과 n2는 각각 2 ~ 500의 정수이고, E1 내지 E4는 고분자 말단이다.Here, X 1 and X 2 are tetravalent organic groups containing fluorine element, X 3 is tetravalent organic group, Y 1 is divalent organic group containing fluorine element, and Y 2 and Y 3 are divalent 0 <p ≦ 1, 0 ≦ q <1, p + q = 1, n 1 and n 2 are each an integer of 2 to 500, and E 1 to E 4 are polymer terminals.

보다 구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드의 X1과 X2는 불소원소가 함유된 C6 ~ C60의 4가의 유기기, Y1은 불소원소가 함유된 C6 ~ C30의 2가의 유기기, Y2 는 C6 ~ C60의 2가의 유기기일 수 있으며, 상기 화학식 2로 표시되는 폴리이미드의 X3는 C6 ~ C60의 4가의 유기기, Y3는 C6 ~ C60의 2가의 유기기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
More specifically, X 1 and X 2 of the polyimide represented by the formula (1) is a C6 ~ C60 tetravalent organic group containing a fluorine element, Y 1 is a C6 ~ C30 divalent organic group containing a fluorine element, Y 2 may be a divalent organic group of C6 to C60, X 3 of the polyimide represented by Formula 2 may be a tetravalent organic group of C6 to C60, Y 3 may be a divalent organic group of C6 to C60, It is not limited.

본 발명은 감광성 수지 조성물은 수분 흡수율이 낮고 고감도이 포지티브형 감광성 수지 조성물을 구현하기 위하여, 상기 화학식 1로 표시되는 불소원자(F)가 함유된 폴리이미드 감광성 수지 조성물의 고형분 기준 15 내지 95 중량% 및 화학식 2로 표시되는 폴리이미드 2 내지 80 중량%를 혼합하여 사용하며, 바람직하게는 상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드 20 내지 90 중량%와 상기 화학식 2로 표시되는 폴리이미드 5 내지 50 중량%를 혼합하여 사용하며, 더욱 바람직하게는 상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드 50 내지 80 중량%와 상기 화학식 2로 표시되는 폴리이미드 10 내지 40 중량%를 혼합하여 사용한다.
In the present invention, the photosensitive resin composition has a low water absorption and high sensitivity, in order to implement a positive photosensitive resin composition, 15 to 95 wt% based on solids of the polyimide photosensitive resin composition containing fluorine atom (F) represented by Formula 1 above; 2 to 80% by weight of the polyimide represented by the formula (2) is used, preferably 20 to 90% by weight of the polyimide represented by the formula (1) and 5 to 50% by weight of the polyimide represented by the formula (2) More preferably, 50 to 80% by weight of the polyimide represented by the formula (1) and 10 to 40% by weight of the polyimide represented by the formula (2) are used.

본 발명에 따른 폴리이미드는 이무수물(dianhydride)과 디아민(diamine)의 반응으로 얻어지는 것이며, 상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드는 불소원소를 함유하는 이무수물 및 불소원소를 함유하거나 함유하지 않는 디아민을 사용하여 합성할 수 있다.The polyimide according to the present invention is obtained by the reaction of dianhydride and diamine, and the polyimide represented by Chemical Formula 1 contains a dianhydride containing a fluorine element and a diamine containing or without a fluorine element. Can be synthesized.

상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드를 합성하는데 사용하는 불소원소를 함유하는 이무수물 및 불소원소를 함유하는 디아민(불소원소가 함유된 유기기)은 전체 이무수물 및 디아민 100 당량(전체 유기기 100 molar equivalent)을 기준으로 60 ~ 100 당량으로 포함되는 것이 바람직하며, 이 범위를 미만인 경우 전자재료로 사용할 수 있는 낮은 수분흡수율을 확보할 수 없는 문제가 있다.
The dianhydride containing fluorine element and the diamine (organic group containing fluorine element) containing the fluorine element used to synthesize the polyimide represented by the formula (1) are 100 dianhydride and 100 equivalents of diamine (100 molar total organic group) It is preferable to include 60 to 100 equivalents based on equivalent), and if it is less than this range, there is a problem that can not secure a low water absorption rate that can be used as an electronic material.

상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드의 X1 과 X2는 각각 불소원소가 함유된 4가의 유기기로 당 업계에서 사용하는 물질이라면 제한 없이 사용할 수 있으나, 비제한적 예로, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로이소프로필리덴 이무수물, 4,4'-헥사플루오로이소프로필리덴디프탈산 무수물, 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 이무수물 등으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.X 1 of the polyimide represented by Formula 1 X and X 2 are each a tetravalent organic group containing a fluorine element, and may be used without limitation as long as it is a substance used in the art. Non-limiting examples include 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoroisopropyl In the group consisting of: aidene dianhydride, 4,4'-hexafluoroisopropylidenediphthalic anhydride, 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] hexafluoropropane dianhydride One or more types selected can be mentioned.

상기 화학식 2로 표시되는 폴리이미드의 X3는 4가 유기기로 당 업계에서 사용하는 물질이라면 제한 없이 사용할 수 있으나 비제한적 예로, 무수 피로멜리트산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 이무수물, 부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-테트라메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌 숙신산 이무수물, 5-(2,5-디옥소테트라히드로푸릴)-3-메틸-시클로헥센-1,2-디카르복실산 이무수물, 2,3,5-트리카르복시-2-시클로펜탄 아세트산 이무수물, 바이시클로[2,2,2]옥토-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 2,3,4,5-테트라히드로푸란테트라카르복실산 이무수물, 3,5,6-트리카르복시-2-노르보르난 아세트산 이무수물 및 그 유도체 등으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.X 3 of the polyimide represented by Chemical Formula 2 may be used without limitation as long as it is a substance used in the art as a tetravalent organic group. Examples thereof include pyromellitic anhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetra Carboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-diphenylethertetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfontetracarboxylic dianhydride, butane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1 , 2-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-tetramethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetra Hydro-1-naphthalene succinic dianhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl -Cyclohexene-1,2-dicarboxylic dianhydride, 2,3,5-tricarboxy-2-cyclopentane acetic dianhydride, bicyclo [2,2,2] octo-7-ene-2,3 , 5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,4,5-tetrahydrofurantetracarboxylic dianhydride, 3,5,6-tricarboxy-2-norbornane acetic dianhydride and derivatives thereof And one or more selected from the group consisting of.

상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드의 Y1은 불소원소가 함유된 2가의 유기기로 당 업계에서 사용하는 물질이라면 제한 없이 사용할 수 있으나, 비제한적 예로, 3,5-디아미노벤조트리플루오라이드, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노 바이페닐, 2,2-비스[4-(아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)헥사플루오로프로판 등으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.Y 1 of the polyimide represented by Chemical Formula 1 may be used without limitation as long as it is a substance used in the art as a divalent organic group containing a fluorine element, and examples thereof include, but are not limited to, 3,5-diaminobenzotrifluoride, 2 , 2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diamino biphenyl, 2,2-bis [4- (aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis (3- And at least one selected from the group consisting of amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and the like.

상기 화학식 1 및 2로 표시되는 폴리이미드의 Y2 와 Y3는 각각 2가의 유기기로 당 업계에서 사용하는 물질이라면 제한 없이 사용할 수 있으나 비제한적 예로, 수산기를 포함하는 디아민, 카르복실기를 포함하는 디아민, 방향족 디아민 및 지방족 디아민 등을 들 수 있다.Y 2 and Y 3 of the polyimide represented by the general formulas (1) and (2) are each a bivalent organic group and can be used without limitation as long as it is a material used in the related art. For example, a diamine including a hydroxyl group, a diamine including a carboxyl group, Aromatic diamines and aliphatic diamines.

구체적으로 상기 수산기를 포함하는 디아민은Specifically, the diamine containing the hydroxyl group

Figure pat00010
Figure pat00010

등으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.And one or more selected from the group consisting of.

구체적으로 상기 카르복실기를 포함하는 디아민은

Figure pat00011
등이 있다.Specifically, the diamine containing the carboxyl group
Figure pat00011
Etc.

구체적으로 상기 방향족 디아민은 3,5-디아미노벤조트리플루오라이드, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노바이페닐, 2,2-비스[4-(아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판, 3,5-디아미노벤조산, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4,6-트리메틸-1,3-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라메틸-1,4-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐설피드, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-메틸렌-비스(2-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디에틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2-이소프로필-6-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디이소프로필아닐린), 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 벤지딘, o-톨리딘, m-톨리딘, 3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 및 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판 등으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.Specifically, the aromatic diamine is 3,5-diaminobenzotrifluoride, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis [4- (amino Phenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 3,5-diaminobenzoic acid, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine , 2,4,6-trimethyl-1,3-phenylenediamine, 2,3,5,6-tetramethyl-1,4-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylether, 3,4 '-Diaminodiphenylether, 3,3'-diaminodiphenylether, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodi Phenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-methylene-bis (2-methylaniline), 4,4'-methylene-bis (2,6-dimethylaniline), 4,4 ' -Methylene-bis (2,6-diethylaniline), 4,4'-methylene-bis (2-isopropyl-6-methylaniline), 4,4'-methylene-bis (2,6-diisopropyl Aniline), 4,4'-diaminodiphenyl Phon, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, benzidine, o-tolidine, m-tolidine, 3,3 ', 5,5'-tetramethylbenzidine, 2,2'-bis (trifluoromethyl ) Benzidine, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, bis [4- ( 4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane and 2,2-bis [ And one or more selected from the group consisting of 4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane and the like.

구체적으로 상기 지방족 디아민은 1,6-헥사디아민, 1,4-시클로헥산디아민, 1,3-시클로헥산디아민, 1,4-비스(아미노메틸)시클로헥산, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 4,4'-디아미노디시클로헥실메탄 및 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디시클로헥실메탄 등으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다. 그러나 상기 Y2 및 Y3가 이에 한정되는 것은 아니다.
Specifically, the aliphatic diamine is 1,6-hexadiamine, 1,4-cyclohexanediamine, 1,3-cyclohexanediamine, 1,4-bis (aminomethyl) cyclohexane, 1,3-bis (aminomethyl) And at least one selected from the group consisting of cyclohexane, 4,4'-diaminodicyclohexylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldicyclohexylmethane, and the like. However, Y 2 and Y 3 are not limited thereto.

상기 화학식 1 및 2로 표시되는 폴리이미드의 E1 내지 E4는 각각 폴리이미드의 말단을 캡핑(capping)해주는 고분자 말단으로 당 업계에서 사용되는 물질이라면 제한 없이 사용 가능하나 비제한적 예로, 4-아미노페놀, N-(4-아미노페닐) 말레이미드, 4-에티닐아닐린, 말레산 무수물, 5-노보넨-2,3-디카르복실산 무수물, 1,2-시클로헥산디카르복실산 무수물, n-옥틸숙신산 무수물, 4-티올아닐린, 4-페닐에티닐 프탈릭산 무수물 등으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.
E 1 to E 4 of the polyimide represented by Formulas 1 and 2 are each polymer terminal capping the ends of the polyimide, and any material used in the art can be used without limitation, but non-limiting example, 4-amino Phenol, N- (4-aminophenyl) maleimide, 4-ethynylaniline, maleic anhydride, 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, 1,2-cyclohexanedicarboxylic anhydride, 1 or more types chosen from the group which consists of n-octyl succinic anhydride, 4-thiol aniline, 4-phenylethynyl phthalic anhydride, etc. are mentioned.

상기 화학식 1 및 2로 표시되는 폴리이미드는 각각 반복 단위 n1과 n2만큼 반복되며, 상기 n1과 n2는 각각 2 내지 500 범위의 정수인 것이 바람직하다. 상기 반복단위 n1과 n2가 2 미만일 경우 충분한 기계적, 열적 안정성을 발휘하지 못할 우려가 있으며, n1과 n2가 500을 초과하여 너무 높을 경우 박막코팅 및 고해상도, 고감도의 구현이 어려워질 수 있다.
The polyimide represented by Formulas 1 and 2 are each repeated by repeating units n 1 and n 2 , and each of n 1 and n 2 is preferably an integer ranging from 2 to 500. If the repeating units n 1 and n 2 is less than 2, there is a risk of not exhibiting sufficient mechanical and thermal stability, if n 1 and n 2 is too high exceeding 500 may be difficult to achieve a thin film coating and high resolution, high sensitivity have.

본 발명의 광활성 화합물은 빛을 받았을 때 산을 발생시킬 수 있는 화합물로서, 광 반응에 의해 산을 발생시켜 광 조사부의 알칼리 현상액에 대한 용해성을 높이는 기능을 하는 것이다.The photoactive compound of the present invention is a compound capable of generating an acid when it receives light, and serves to increase acid solubility in an alkaline developer by generating an acid by a photoreaction.

상기 광활성 화합물은 감광성 수지 조성물의 고형분 기준 3 ~ 50 중량%를 사용하는 것이 적당하며, 바람직하게는 3 ~ 40 중량%를 사용할 수 있으며, 더욱 바람직하게는 5 ~ 30 중량%를 사용할 수 있다. 광활성 화합물이 3 중량% 미만이면 기판과의 밀착성이 저하되며, 균일한 코팅성 및 원하는 막 두께를 얻기가 어려운 문제점이 있고, 50 중량%를 초과하면 필요 이상으로 고점도가 되어 코팅 시 매끄러운 표면을 얻을 수 없을 뿐만 아니라 감광성 수지 조성물의 고른 혼합을 어렵게 하여 미세 패턴 형성을 위한 물성 구현이 어려운 문제점이 있어 바람직하지 않다.
The photoactive compound is suitable to use 3 to 50% by weight of the solid content of the photosensitive resin composition, preferably 3 to 40% by weight, more preferably 5 to 30% by weight can be used. If the photoactive compound is less than 3% by weight, the adhesion to the substrate is lowered, and there is a problem that it is difficult to obtain a uniform coating property and a desired film thickness. If the photoactive compound is more than 50% by weight, it becomes more viscous than necessary to obtain a smooth surface during coating. Not only can not be difficult to evenly mix the photosensitive resin composition is difficult to implement the physical properties for forming a fine pattern is not preferred.

상기 광활성 화합물은 광 반응에 의해 산을 발생시키는 것이라면 특별히 한정하지 않으나, 구체적인 예로 o-퀴논디아지드 유도체, 1,2-나프토퀴논디아지드 유도체, 알릴디아조늄염, 디알릴요오드늄염, 트리알릴술포늄염, o-니트로벤질에스테르, p-니트로벤질에스테르, 트리할로메틸기 치환 s-트리아진 유도체, 이미드술포네이트 유도체 및 하기 화학식들로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물 단독 또는 축합 반응시킨 화합물 등으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 들 수 있다.The photoactive compound is not particularly limited as long as it generates an acid by photoreaction, and specific examples thereof include o-quinonediazide derivatives, 1,2-naphthoquinonediazide derivatives, allyldiazonium salts, diallyl iodonium salts and triallyl. One or more compounds selected from the group consisting of sulfonium salts, o-nitrobenzyl esters, p-nitrobenzyl esters, trihalomethyl group-substituted s-triazine derivatives, imidesulfonate derivatives, and the following formulas: And one or more selected from the group consisting of.

Figure pat00012
Figure pat00012

상기 e는 반복단위로, 1 내지 1000 범위이다.E is a repeating unit and ranges from 1 to 1000.

특히, 상기 광활성 화합물은 감도나 해상도 면에서 o-퀴논디아지드 유도체 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 유도체가 바람직하다.In particular, the photoactive compound is preferably an o-quinone diazide derivative or a 1,2-naphthoquinone diazide derivative in terms of sensitivity and resolution.

상기 o-퀴논디아지드 유도체 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 유도체는 통상 술포닐 클로라이드 관능기를 갖는 것으로 염기성 촉매의 존재 하에서 수산기를 갖는 화합물 또는 아미노기를 갖는 화합물과 축합 반응함으로써 얻어지는 술폰산 에스테르 또는 술폰아미드를 포함하는 형태로 사용된다.The o-quinonediazide derivatives or 1,2-naphthoquinonediazide derivatives generally have sulfonyl chloride functional groups and are sulfonic acid esters or sulfones obtained by condensation reaction with a compound having a hydroxyl group or a compound having an amino group in the presence of a basic catalyst. Used in forms containing amides.

그 중에서도 특별히 하기 화학식들로 이루어진 군에서 선택하여 사용하는 것이 바람직하다.Especially, it is preferable to select and use from the group which consists of following formula.

Figure pat00013
Figure pat00013

상기 e는 반복단위로 1 내지 1000 범위이며, 상기 -OD는 각각

Figure pat00014
및 -OH 중 선택되는 하나이다.E ranges from 1 to 1000 in repeat units and -OD is each
Figure pat00014
And -OH.

한편, 본 발명의 감광성 수지 조성물에 사용되는 용매는 상기 폴리이미드, 폴리아믹산 등의 고분자 화합물을 용해시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 구체적인 예로, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, N-비닐피롤리돈, N-메틸카프로락탐, 디메틸술폭시드, 테트라메틸요소, 피리딘, 디메틸술폰, 헥사메틸술폭시드, m-크레졸, γ-부티로락톤, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 에틸카르비톨, 부틸카르비톨, 에틸카르비톨 아세테이트, 부틸카르비톨 아세테이트, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 젖산에틸, 젖산부틸, 시클로헥사논, 및 시클로펜타논 등을 들 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.On the other hand, the solvent used for the photosensitive resin composition of this invention will not be specifically limited if it can dissolve high molecular compounds, such as said polyimide and polyamic acid. Specific examples include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, N-vinylpyrrolidone, N-methylcaprolactam, dimethyl sulfoxide, tetramethylurea, pyridine, dimethyl Sulfone, hexamethylsulfoxide, m-cresol, γ-butyrolactone, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, ethyl carbitol, butylcarbitol, ethylcarbitol acetate, butylcarbitol acetate, ethylene glycol, propylene glycol Monomethyl ether acetate (PGMEA), ethyl lactate, butyl lactate, cyclohexanone, cyclopentanone, and the like.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 이상에서 언급한 성분 외에도 경화제, 용해 속도 조절제, 증감제, 접착력 증강제, 계면활성제 등의 기타 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.In addition to the components mentioned above, the photosensitive resin composition of the present invention may further include other additives such as a curing agent, a dissolution rate regulator, a sensitizer, an adhesion enhancer, and a surfactant.

상기 살펴본 포지티브형 감광성 수지 조성물을 사용하여 유리 기판 또는 실리콘 웨이퍼 등의 기재상에 감광성 필름을 형성할 수 있다.The photosensitive film may be formed on a substrate such as a glass substrate or a silicon wafer using the positive photosensitive resin composition described above.

상기 감광성 필름을 형성하는 방법은 당 업계에서 사용하는 방법을 제한 없이 사용할 수 있다.The method of forming the photosensitive film can be used without limitation the method used in the art.

구체적인 예로, 포지티브형 감광성 수지 조성물을 유리 기판 등의 기재상에 스핀 코팅, 슬릿스핀코팅, 슬릿코팅, 롤코팅, 다이코팅, 커튼 코팅 등의 통상의 방법을 이용하여 도포하고, 노광 및 현상 공정을 거쳐 형성시킨다. 상기 노광 및 현상 공정 역시 통상의 감광성 수지 조성물을 이용한 감광층 필름 형성시 사용되는 방법을 사용하며, 특별히 한정하지 않는다.As a specific example, the positive photosensitive resin composition is applied onto a substrate such as a glass substrate using a conventional method such as spin coating, slit spin coating, slit coating, roll coating, die coating, curtain coating, and the like. Form through. The exposure and development processes also use a method used in forming a photosensitive layer film using a conventional photosensitive resin composition, and are not particularly limited.

상기 노광 공정에 있어서, 상기 광조사 수단으로부터 조사되는 광으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있지만, 전자파, 자외선으로부터 가시광, 전자선, X-선 레이저광 등을 들 수 있다.There is no restriction | limiting in particular as light irradiated from the said light irradiation means in the said exposure process, Although it can select suitably according to the objective, Visible light, an electron beam, an X-ray laser beam etc. are mentioned from an electromagnetic wave and an ultraviolet-ray.

상기 광조사 수단에 의한 광의 조사방법으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 고압수은등, 크세논등, 카본아크등, 할로겐 램프, 복사기용 냉음극관, LED, 반도체 레이저 등의 공지의 광원에 의해 조사하는 방법을 들 수 있다.The method of irradiating light by the light irradiating means is not particularly limited and may be appropriately selected in accordance with the purpose. Examples of the method include high pressure mercury lamps, xenon lamps, carbon arc lamps, halogen lamps, cold cathode tubes for radiators, For example, by a known light source.

상기 현상공정은 노광 공정에 의해 노광된 영역을 현상액에 의해 제거함으로써 패턴을 형성하는 공정이다. 상기 현상액으로서는, 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당히 선택할 수 있지만, 예를 들면, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 수산화물 혹은 탄산염, 탄산수소염, 암모니아수, 4급 암모늄염의 수용액 등을 바람직하게 들 수 있다. 이들 중에서도, TMAH(Tetramethylammonium hydroxide) 수용액이 특히 바람직하다.The developing step is a step of forming a pattern by removing a region exposed by an exposure step with a developer. The developing solution is not particularly limited and may be appropriately selected according to the purpose. Examples of the developing solution include a hydroxide or carbonate of an alkali metal or an alkaline earth metal, a hydrogen carbonate, an aqueous ammonia solution and an aqueous solution of a quaternary ammonium salt. Among them, TMAH (Tetramethylammonium hydroxide) aqueous solution is particularly preferable.

상기 현상액은, 계면활성제, 소포제, 유기염기(예를 들면, 벤질아민, 에틸렌 디아민, 에탄올아민, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌펜타민, 모르폴린, 트리에탄올아민 등)나, 현상을 촉진시키기 위해서 유기용제(예를 들면 알코올류, 케톤류, 에스테르류, 에테르류, 아미드류, 락톤류 등) 등과 병용해도 좋다. 또한 상기 현상액은, 물 또는 알칼리 수용액과 유기용제를 혼합한 수계 현상액이어도 좋고, 유기용제 단독이어도 좋다. The developer may be a surfactant, an antifoaming agent, an organic base (for example, benzylamine, ethylene diamine, ethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, diethylenetriamine, triethylenepentamine, morpholine, triethanolamine, etc.); May be used in combination with an organic solvent (for example, alcohols, ketones, esters, ethers, amides, lactones, etc.) in order to promote development. The developing solution may be an aqueous developing solution obtained by mixing water or an alkali aqueous solution with an organic solvent, or may be an organic solvent alone.

전체적인 공정은 본 발명의 감광성 수지 조성물을 유리에 스핀 코팅(spin coating)하고, 약 100℃에서 2분 전열 처리(prebake)하여 필름을 형성시킨다. 상기 필름을 포토마스크(photomask)를 이용하여 고압 수은 램프(high-pressure mercury lamp)하에서 20~1000mJ/cm2의 에너지로 노광시킨 후, 패턴을 TMAH 수용액을 이용하여 현상하고 탈 이온수로 세척한다. 이후 200~350℃에서 약 30~60분간 후열 처리(postbake) 하여 패턴을 얻게 된다.The overall process is spin coating the photosensitive resin composition of the present invention onto glass and prebakeing at about 100 ° C. for 2 minutes to form a film. After exposing the film to an energy of 20-1000 mJ / cm 2 under a high-pressure mercury lamp using a photomask, the pattern is developed using TMAH aqueous solution and washed with deionized water. After that, a postbake is performed at 200 to 350 ° C. for about 30 to 60 minutes to obtain a pattern.

이렇게 얻어진 감광성 필름의 두께는 목적에 따라 달라질 수 있으며, 1 내지 20㎛가 바람직하나, 이에 한정되지 않는다.The thickness of the photosensitive film thus obtained may vary depending on the purpose, but is preferably 1 to 20㎛, but is not limited thereto.

본 발명의 감광성 수지 조성물은 고감도, 고해상도의 포지티브형 감광 특성을 가지며, 또한 알칼리 수용액에 의한 에칭이 용이하여, 소정 패턴을 갖는 마스크를 사용하여 노광함으로써 미세형상, 또한 치수정밀도가 높은 릴리프 패턴을 갖는 감광성 필름을 용이하게 얻을 수 있다. The photosensitive resin composition of the present invention has high sensitivity and high resolution positive photosensitive characteristics, and is easily etched by an aqueous alkali solution, and has a fine shape and a high dimensional accuracy relief pattern by exposing using a mask having a predetermined pattern. A photosensitive film can be obtained easily.

본 발명의 포지티브형 감광성 수지 조성물은 반도체 소자의 층간절연막, 패시베이션(passivation)막, 버퍼코트(buffer coat)막, 다층프린트 기판용 절연막, OLED의 절연막뿐만 아니라, 액정표시조사의 박막 트랜지스터의 보호막, 유기 EL 소자의 전극보호막, 반도체 보호막 등에 사용하기에 적합하다.
The positive type photosensitive resin composition of the present invention is not only an interlayer insulating film, a passivation film, a buffer coat film, an insulating film for multilayer printed circuit boards, an insulating film for OLED, but also a protective film for thin film transistors of liquid crystal display irradiation, It is suitable for use in electrode protective films, semiconductor protective films and the like of organic EL elements.

이하 본 발명을 실시예에 따라 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 실시 예에서는 본 발명에 따른 감광성 수지 조성물을 구성하는 각 구성성분 중 지극히 일 예들만 나타냈다 하더라도, 각 구성성분에 포함되는 여러 가지 균등물로 나타나는 효과는 유사한 것임은 당업자에게 자명하다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited thereto. In addition, in the following examples, even if only one example of each component constituting the photosensitive resin composition according to the present invention is shown, it is apparent to those skilled in the art that the effect represented by various equivalents included in each component is similar.

합성예Synthetic example 1: 화학식 1로 표시되는 폴리이미드의 제조 1: Preparation of Polyimide Represented by Formula (1)

100mL 둥근바닥 플라스크에 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 11.0g과 γ-부티로락톤 40g을 순차적으로 투입하고 천천히 교반하여 완전히 용해시킨 후, 상기 플라스크를 물중탕하여 실온으로 유지하면서 4,4'-헥사플루오로이소프로필리덴디프탈산 무수물 13.3g을 천천히 첨가하였다. 상기 혼합용액을 16시간동안 실온에서 교반한 뒤, 7g의 톨루엔을 넣고 딘-스탁 증류장치(dean-stark distillation)를 통하여 물을 제거할 수 있도록 설치한 후 140℃에서 3시간 동안 환류시켰다. 이 용액을 실온에서 냉각시키고 메탄올:물=1:4 혼합액에 천천히 부어 고형화시킨 뒤, 40℃ 진공건조오븐에서 하루 동안 건조시켜 20g의 폴리이미드 수지를 얻었다.11.0 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 40 g of γ-butyrolactone were sequentially added to a 100 mL round bottom flask, and slowly stirred to completely dissolve the flask. 13.3 g of 4,4'-hexafluoroisopropylidenediphthalic anhydride was slowly added while maintaining in water at room temperature. After the mixture solution was stirred at room temperature for 16 hours, 7 g of toluene was added thereto, and the mixture solution was installed to remove water through a dean-stark distillation and refluxed at 140 ° C. for 3 hours. The solution was cooled to room temperature, poured slowly into a methanol: water = 1: 4 mixture to solidify, and dried in a 40 ° C. vacuum drying oven for one day to obtain 20 g of polyimide resin.

IR을 통하여 폴리이미드 생성 피크를 확인하였고 GPC를 통하여 측정된 상기 폴리이미드 수지의 중량평균분자량은 50,000이고, 다분산지수(poly disperse index, PDI)는 1.7로 확인되었다.
The polyimide production peak was confirmed through IR, and the weight average molecular weight of the polyimide resin measured through GPC was 50,000, and the polydisperse index (PDI) was 1.7.

합성예Synthetic example 2: 화학식 2로 표시되는 폴리이미드의 제조 2: Preparation of Polyimide Represented by Formula (2)

100mL 둥근바닥 플라스크에 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 11.0g과 γ-부티로락톤 40g을 순차적으로 투입하고 천천히 교반하여 완전히 용해시킨 후, 상기 플라스크를 물중탕하여 실온으로 유지하면서 부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물 5.9g을 천천히 첨가하였다. 상기 혼합용액을 16시간 동안 실온에서 교반한 뒤, 7g의 톨루엔을 넣고 딘-스탁 증류장치(dean-stark distillation)를 통하여 물을 제거할 수 있도록 설치한 후 140℃에서 3시간 동안 환류시켰다. 이 용액을 실온에서 냉각시키고 메탄올:물=1:4 혼합액에 천천히 부어 고형화시킨 뒤, 40℃ 진공건조오븐에서 하루 동안 건조시켜 14g의 폴리이미드 수지를 얻었다.11.0 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 40 g of γ-butyrolactone were sequentially added to a 100 mL round bottom flask, and slowly stirred to completely dissolve the flask. 5.9 g of butane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride was slowly added while maintaining in water at room temperature. The mixed solution was stirred at room temperature for 16 hours, 7 g of toluene was added thereto, and installed to remove water through a dean-stark distillation, and then refluxed at 140 ° C. for 3 hours. The solution was cooled to room temperature, poured slowly into a methanol: water = 1: 4 mixture to solidify, and then dried in a 40 ° C. vacuum drying oven for one day to obtain 14 g of polyimide resin.

IR을 통하여 폴리이미드 생성 피크를 확인하였고 GPC를 통하여 측정된 상기 폴리이미드 수지의 중량평균분자량은 40,000이고, 다분산지수(poly disperse index, PDI)는 1.5로 확인되었다.
The polyimide formation peak was confirmed through IR, and the weight average molecular weight of the polyimide resin measured by GPC was 40,000 and the poly disperse index (PDI) was found to be 1.5.

비교합성예Comparative Synthetic Example 1 One

100mL 둥근바닥 플라스크에 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판 11.0g과 γ-부티로락톤 40g을 순차적으로 투입하고 천천히 교반하여 완전히 용해시킨 후, 상기 플라스크를 물중탕하여 실온으로 유지하면서 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물 9.7g을 천천히 첨가하였다. 상기 혼합용액을 16시간 동안 실온에서 교반한 뒤, 7g의 톨루엔을 넣고 딘-스탁 증류장치(dean-stark distillation)를 통하여 물을 제거할 수 있도록 설치한 후 140℃에서 3시간 동안 환류시켰다. 이 용액을 실온에서 냉각시키고 메탄올:물=1:4 혼합액에 천천히 부어 고형화시킨 뒤, 40℃ 진공건조오븐에서 하루 동안 건조시켜 16g의 용해성 폴리이미드 수지를 얻었다.11.0 g of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 40 g of γ-butyrolactone were sequentially added to a 100 mL round bottom flask, and slowly stirred to completely dissolve the flask. 9.7 g of 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride was slowly added while maintaining in water at room temperature. The mixed solution was stirred at room temperature for 16 hours, 7 g of toluene was added thereto, and installed to remove water through a dean-stark distillation, and then refluxed at 140 ° C. for 3 hours. The solution was cooled at room temperature, poured slowly into a methanol: water = 1: 4 mixture to solidify, and dried in a vacuum drying oven at 40 ° C. for one day to obtain 16 g of a soluble polyimide resin.

IR을 통하여 폴리이미드 생성 피크를 확인하였고 GPC를 통하여 측정된 상기 폴리이미드 수지의 중량평균분자량은 40,000이고, 다분산지수(poly disperse index, PDI)는 1.5로 확인되었다.
The polyimide formation peak was confirmed through IR, and the weight average molecular weight of the polyimide resin measured by GPC was 40,000 and the poly disperse index (PDI) was found to be 1.5.

비교합성예Comparative Synthetic Example 2 2

100mL 둥근바닥 플라스크에 1,1-비스[4-(4-아미노페닐)메틸페닐]-4-n-부틸사이클로헥산 6g, 1,1-비스(4-아미노페녹시)페닐-4-(4-펜틸사이클로헥실)사이클로헥산 5g과 γ-부티로락톤 40g을 순차적으로 투입하고 천천히 교반하여 완전히 용해시킨 후, 상기 플라스크를 물중탕하여 실온으로 유지하면서 사이클로부탄 테트라카르복실산 이무수물 9.7g을 천천히 첨가하였다. 상기 혼합용액을 16시간 동안 실온에서 교반한 뒤, 7g의 톨루엔을 넣고 딘-스탁 증류장치(dean-stark distillation)를 통하여 물을 제거할 수 있도록 설치한 후 140℃에서 3시간 동안 환류시켰다. 이 용액을 실온에서 냉각시키고 메탄올:물=1:4 혼합액에 천천히 부어 고형화시킨 뒤, 40℃ 진공건조오븐에서 하루 동안 건조시켜 16g의 측쇄기를 포함한 용해성 폴리이미드 수지를 얻었다.6 g of 1,1-bis [4- (4-aminophenyl) methylphenyl] -4-n-butylcyclohexane in a 100 mL round bottom flask, 1,1-bis (4-aminophenoxy) phenyl-4- (4- 5 g of pentylcyclohexyl) cyclohexane and 40 g of γ-butyrolactone were sequentially added and slowly stirred to completely dissolve. Then, the flask was immersed in water and kept at room temperature, and 9.7 g of cyclobutane tetracarboxylic dianhydride was slowly added thereto. It was. The mixed solution was stirred at room temperature for 16 hours, 7 g of toluene was added thereto, and installed to remove water through a dean-stark distillation, and then refluxed at 140 ° C. for 3 hours. The solution was cooled to room temperature, poured slowly into a methanol: water = 1: 4 mixture to solidify, and dried in a vacuum drying oven at 40 ° C. for one day to obtain a soluble polyimide resin containing 16 g of side chain groups.

IR을 통하여 폴리이미드 생성 피크를 확인하였고 GPC를 통하여 측정된 상기 폴리이미드 수지의 중량평균분자량은 40,000이고, 다분산지수(poly disperse index, PDI)는 1.5로 확인되었다.
The polyimide formation peak was confirmed through IR, and the weight average molecular weight of the polyimide resin measured by GPC was 40,000 and the poly disperse index (PDI) was found to be 1.5.

실시예Example 1: 감광성 수지 조성물의  1: of photosensitive resin composition 제조예Manufacturing example (폴리이미드/폴리이미드  (Polyimide / polyimide 블렌딩Blending 조성물) Composition)

상기 합성예 1에서 합성한 폴리이미드 27.5g과 합성예 2에서 합성한 폴리이미드 8.2g을 혼합하여 혼합물 용액을 제조하였다. 이어서, 상기 혼합물 용액에 광활성 화합물로서 하기 화학식 3으로 표시되는 다이아조나프토퀴논 에스테르 화합물 (TPPA 320: OD/(OD+OH)=2/3의 비율에 따라 OH 및 OD 중 선택적으로 주어진다.) 4.7g, 용매 γ-부티로락톤(GBL) 18g을 실온에서 1시간 동안 교반시킨 후, 이를 세공크기 1 ㎛인 필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.27.5 g of the polyimide synthesized in Synthesis Example 1 and 8.2 g of the polyimide synthesized in Synthesis Example 2 were mixed to prepare a mixture solution. Subsequently, a diazonaptoquinone ester compound represented by the following formula (3) as a photoactive compound in the mixture solution is optionally given among OH and OD according to the ratio of TPPA 320: OD / (OD + OH) = 2/3. g and 18 g of solvent γ-butyrolactone (GBL) were stirred at room temperature for 1 hour, and then filtered through a filter having a pore size of 1 μm to prepare a photosensitive resin composition.

화학식 3(3)

Figure pat00015

Figure pat00015

비교예Comparative example 1: 감광성 수지 조성물의  1: of photosensitive resin composition 제조예Manufacturing example (폴리이미드 조성물) (Polyimide Composition)

상기 합성예 1에서 합성한 용해성 폴리이미드 1.6g에 광활성 화합물로서 상기 화학식 3으로 표시되는 다이아조나프토퀴논 에스테르 화합물(TPPA 320) 0.5g, 용매 γ-부티로락톤(GBL) 4g을 가하여 실온에서 1시간 동안 교반시킨 후, 이를 세공크기 1 ㎛인 필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
To 1.6 g of the soluble polyimide synthesized in Synthesis Example 1, 0.5 g of diazonaphthoquinone ester compound (TPPA 320) represented by Chemical Formula 3 and 4 g of a solvent γ-butyrolactone (GBL) were added as a photoactive compound. After stirring for a period of time, it was filtered through a filter having a pore size of 1 μm to prepare a photosensitive resin composition.

비교예Comparative example 2: 감광성 수지 조성물의  2: of photosensitive resin composition 제조예Manufacturing example (폴리이미드 조성물) (Polyimide Composition)

상기 비교합성예 1에서 합성한 용해성 폴리이미드 1.6g에 광활성 화합물로서 상기 화학식 3으로 표시되는 다이아조나프토퀴논 에스테르 화합물 (TPPA 320) 0.5g, 용매 γ-부티로락톤(GBL) 4g을 실온에서 1시간 동안 교반시킨 후, 이를 세공크기 1 ㎛인 필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
To 1.6 g of the soluble polyimide synthesized in Comparative Synthesis Example 1 as a photoactive compound, 0.5 g of diazonaptoquinone ester compound (TPPA 320) represented by Formula 3 above, and 4 g of solvent γ-butyrolactone (GBL) were added at room temperature. After stirring for a period of time, it was filtered through a filter having a pore size of 1 μm to prepare a photosensitive resin composition.

비교예Comparative example 3: 감광성 수지 조성물의  3: of photosensitive resin composition 제조예Manufacturing example (폴리이미드 조성물) (Polyimide Composition)

상기 비교합성예 2에서 합성한 용해성 폴리이미드 1.6g에 광활성 화합물로서 상기 화학식 3으로 표시되는 다이아조나프토퀴논 에스테르 화합물 (TPPA 320) 0.5g, 용매 γ-부티로락톤(GBL) 4g을 실온에서 1시간 동안 교반시킨 후, 이를 세공크기 1 ㎛인 필터로 여과하여 감광성 수지 조성물을 제조하였다.
To 1.6 g of the soluble polyimide synthesized in Comparative Synthesis Example 2, 0.5 g of diazonaptoquinone ester compound (TPPA 320) represented by Chemical Formula 3 as a photoactive compound and 4 g of solvent γ-butyrolactone (GBL) were 1 at room temperature. After stirring for a period of time, it was filtered through a filter having a pore size of 1 μm to prepare a photosensitive resin composition.

실험예Experimental Example

1. 감광성 평가1. Photosensitivity evaluation

4인치 실리콘웨이퍼에 상기 실시예 및 비교예에서 제조된 감광성 수지 조성물을 스핀 코팅하고, 핫 플레이트 상에서 120℃에서 2분간 가열하여 감광성 필름을 형성시켰다. 포토마스크에 상기 전열 처리 완료한 실리콘 웨이퍼를 진공 밀착시킨 후, G-line 스테퍼 Nikon NSR 1505 G4로 20mJ/cm2부터 5 mJ/cm2간격으로 600 mJ/cm2까지 순차적으로 노광시켰다. 2.38wt% 수산화테트라메틸암모늄 수용액에 23℃에서 80초간 현상한 후 초순수로 60초간 세정 및 건조하여 비노광부가 선명하게 남아있는 패턴을 얻었다. 이와 같이 패턴화된 실리콘 웨이퍼를 질소기류하에, 핫 플레이트상에서 실온에서 시작하여 180℃가 될 때까지 약 30분간 서서히 가열하고, 이어 180℃에서 60분간 유지한 후, 300℃가 될 때까지 30분간 서서히 가열한 후, 300℃에서 60분간 유지하여 열처리하였다.The photosensitive resin compositions prepared in Examples and Comparative Examples were spin coated on a 4 inch silicon wafer, and heated at 120 ° C. for 2 minutes on a hot plate to form a photosensitive film. After the vacuum heat-transfer contact the processed silicon wafer using the photomask, G-line stepper Nikon NSR was from 20mJ / cm 2 to 1505 G4 to 5 mJ / cm 2 with intervals 600 mJ / cm 2 exposure in sequence. After developing at 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 23 ° C. for 80 seconds, it was washed and dried with ultrapure water for 60 seconds to obtain a pattern in which the non-exposed part remained clear. The silicon wafer thus patterned was gradually heated under a stream of nitrogen on a hot plate for about 30 minutes starting at room temperature until reaching 180 ° C., then held at 180 ° C. for 60 minutes, and then until 300 ° C. for 30 minutes. After slowly heating, the mixture was maintained at 300 ° C. for 60 minutes and heat treated.

감광성 평가의 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The results of the photosensitivity evaluation are shown in Table 1 below.

각각의 조성물의 노광 전 두께는 6㎛이고, 이때 비교예 1은 측정 범위 내에서 감도를 확인할 수 없을 정도로 느린 감도를 보였으나, 상기 화학식 1 및 2로 나타나는 두 가지 폴리이미드를 블랜딩한 실시예 1은 300mJ/cm2의 빠른 감도를 보여주고 있다. 비교예 2와 3의 조성물은 비교예 1의 조성물 대비해서는 감도가 빠르지만 실시예 1 대비 느린 감도를 보여주어 실시예 1에 따른 조성물의 감도가 탁월함을 확인할 수 있었다.
Each composition had a thickness before exposure of 6 μm, in which Comparative Example 1 exhibited a sensitivity that was too slow to confirm sensitivity within the measurement range, but Example 1 blended two polyimides represented by Chemical Formulas 1 and 2 above. Shows a fast sensitivity of 300mJ / cm 2 . Comparative compositions of Comparative Examples 2 and 3 was faster than the composition of Comparative Example 1 but showed a slow sensitivity compared to Example 1 it was confirmed that the sensitivity of the composition according to Example 1 is excellent.

구분division 수분 흡수율(%)Water absorption (%) 감도 (mJ/cm2)Sensitivity (mJ / cm 2 ) 실시예 1Example 1 0.50.5 300300 비교예 1Comparative Example 1 0.30.3 > 600> 600 비교예 2Comparative Example 2 1.71.7 450450 비교예 3Comparative Example 3 1.51.5 550550

2. 흡습성 평가2. Hygroscopicity evaluation

Al dish에 실시예 및 비교예 각각의 시료를 1g정도 코팅한 후, 250 ℃, 2hr (oxygen < 50ppm)소성한다. 준비된 시료의 필름을 항온, 항습 조건 (85℃, 85% 습도 조건)에서 24시간 방치 후, 항온, 항습 조건에서 수분을 흡수시키기 전의 무게와 수분을 흡수시킨 후의 무게변화를 통해 흡수율을 측정한다.Each sample was coated with about 1 g of Examples and Comparative Examples in an Al dish, and then fired at 250 ° C. for 2 hr (oxygen <50 ppm). After the film of the prepared sample is left for 24 hours at constant temperature and constant humidity condition (85 ° C., 85% humidity condition), the absorption rate is measured by the weight before absorbing moisture at constant temperature and constant humidity condition and the weight change after absorbing moisture.

Percent of Absorption = (W2 - W1)/W1 *100Percent of Absorption = (W2-W1) / W1 * 100

W1 = weight before immersionW1 = weight before immersion

W2 = weight after immersionW2 = weight after immersion

흡습성 평가 결과를 상기 표 1에 나타내었다.Hygroscopicity evaluation results are shown in Table 1 above.

상기 표 1을 보면, 불소를 함유한 모노머의 함량이 가장 높은 비교예 1의 조성물이 가장 낮은 흡수율을 보이지만 상기 감광성 평가에서 가장 낮은 감도를 보여주어 비교예 1의 조성물로는 내흡습성과 고감도의 감광성 수지 조성물을 얻는 것이 어려움을 알 수 있었다.Referring to Table 1, the composition of Comparative Example 1 having the highest content of fluorine-containing monomer shows the lowest absorption rate but shows the lowest sensitivity in the photosensitive evaluation. It was found difficult to obtain a resin composition.

이에 비해 화학식 1 및 2로 나타나는 두 가지 폴리이미드를 블랜딩한 실시예 1의 경우 흡습율이 비교예 1에 비하여 다소 높아지는 경향이 있으나 비교예 1과는 현저한 차이로 고감도의 특성이 있음을 확인할 수 있었다.In contrast, in the case of Example 1 blended two polyimide represented by the formulas (1) and (2), the moisture absorption rate tends to be slightly higher than that of Comparative Example 1, but it was confirmed that there is a high sensitivity characteristic with a significant difference from Comparative Example 1. .

비교예 2와 3의 경우 1%가 넘는 흡습율을 보여주고 있어 통상의 폴리이미드의 흡습율과 유사함을 확인할 수 있었다. In the case of Comparative Examples 2 and 3 showed a moisture absorption rate of more than 1%, it was confirmed that similar to the moisture absorption rate of the conventional polyimide.

이를 통해 불소함량을 높인 폴리이미드와 감도를 조절할 수 있는 또 다른 폴리이미드의 블랜딩으로 흡습율이 낮고 감도가 높은 감광성 수지 조성물을 제조할 수 있음을 확인할 수 있었다.As a result, it was confirmed that the photosensitive resin composition having low moisture absorption and high sensitivity could be prepared by blending polyimide having increased fluorine content and another polyimide that can adjust sensitivity.

Claims (16)

다음 화학식 1로 표시되는 폴리이미드, 다음 화학식 2로 표시되는 폴리이미드 및 광활성 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물:
화학식 1
Figure pat00016

화학식 2
Figure pat00017

여기서, X1과 X2는 불소원소가 함유된 4가의 유기기이고, X3는 4가의 유기기이고, Y1은 불소원소가 함유된 2가의 유기기이며, Y2 와 Y3는 2가의 유기기이고, 0 < p ≤ 1, 0 ≤ q < 1, p+q=1이며, n1과 n2는 각각 2 ~ 500의 정수이고, E1 내지 E4는 고분자 말단이다.
A photosensitive resin composition comprising a polyimide represented by the following Chemical Formula 1, a polyimide represented by the following Chemical Formula 2, and a photoactive compound:
Formula 1
Figure pat00016

(2)
Figure pat00017

Here, X 1 and X 2 are tetravalent organic groups containing fluorine element, X 3 is tetravalent organic group, Y 1 is divalent organic group containing fluorine element, and Y 2 and Y 3 are divalent 0 <p ≦ 1, 0 ≦ q <1, p + q = 1, n 1 and n 2 are each an integer of 2 to 500, and E 1 to E 4 are polymer terminals.
제 1항에 있어서,
상기 조성물의 고형분을 기준으로, 상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드 15 ~ 95 중량%; 상기 화학식 2로 표시되는 폴리이미드 2 ~ 80 중량% 및 상기 광활성 화합물 3 ~ 50 중량%을 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
15 to 95 wt% of the polyimide represented by Chemical Formula 1 based on the solids content of the composition; A photosensitive resin composition comprising 2 to 80% by weight of polyimide represented by the formula (2) and 3 to 50% by weight of the photoactive compound.
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드는 전체 유기기 100 당량을 기준으로 불소원소가 함유된 유기기가 60 ~ 100 당량으로 포함되는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The polyimide represented by the formula (1) is a photosensitive resin composition, characterized in that the organic group containing 60 to 100 equivalents containing fluorine element based on 100 equivalents of the total organic group.
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드의 X1과 X2는 불소원소가 함유된 C6 ~ C60의 4가의 유기기이고, Y1은 불소원소가 함유된 C6 ~ C30의 2가의 유기기이며, Y2 는 C6 ~ C60의 2가의 유기기이고, 상기 화학식 2로 표시되는 폴리이미드의 X3는 C6 ~ C60의 4가의 유기기이고, Y3는 C6 ~ C60의 2가의 유기기인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
X 1 and X 2 of the polyimide represented by Formula 1 are C6 to C60 tetravalent organic groups containing fluorine element, Y 1 is C6 to C30 divalent organic group containing fluorine element, Y 2 Is a C6 to C60 divalent organic group, X 3 of the polyimide represented by the formula (2) is a C6 to C60 tetravalent organic group, Y 3 is a C6 to C60 divalent organic group, the photosensitive resin Composition.
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드의 X1 과 X2 는 각각, 2,2-비스(3,4-디카르복시페닐)헥사플루오로이소프로필리덴 이무수물, 4,4'-헥사플루오로이소프로필리덴디프탈산 무수물 및 2,2-비스[4-(3,4-디카르복시페녹시)페닐]헥사플루오로프로판 이무수물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 불소원소가 함유된 4가의 유기기인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
X 1 and X 2 of the polyimide represented by Formula 1 Are 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoroisopropylidene dianhydride, 4,4'-hexafluoroisopropylidenediphthalic anhydride and 2,2-bis [4- ( 3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] hexafluoropropane dianhydride A photosensitive resin composition characterized in that it is a tetravalent organic group containing at least one fluorine element selected from the group consisting of.
제 1항에 있어서,
상기 화학식 2로 표시되는 폴리이미드의 X3 는 무수 피로멜리트산, 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐에테르테트라카르복실산 이무수물, 3,3',4,4'-디페닐술폰테트라카르복실산 이무수물, 부탄-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2-디메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-테트라메틸-1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,3,4-시클로펜탄테트라카르복실산 이무수물, 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물, 3,4-디카르복시-1,2,3,4-테트라히드로-1-나프탈렌 숙신산 이무수물, 5-(2,5-디옥소테트라히드로푸릴)-3-메틸-시클로헥센-1,2-디카르복실산 이무수물, 2,3,5-트리카르복시-2-시클로펜탄 아세트산 이무수물, 바이시클로[2,2,2]옥토-7-엔-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 2,3,4,5-테트라히드로푸란테트라카르복실산 이무수물, 3,5,6-트리카르복시-2-노르보르난 아세트산 이무수물 및 그 유도체로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 4가의 유기기인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
X 3 of the polyimide represented by Formula 2 Pyromellitic anhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4 , 4'-diphenylethertetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfontetracarboxylic dianhydride, butane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride , 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2-dimethyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-tetra Methyl-1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic acid Dianhydrides, 3,4-dicarboxy-1,2,3,4-tetrahydro-1-naphthalene succinic dianhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl-cyclohexene-1 , 2-dicarboxylic dianhydride, 2,3,5-tricarboxy-2-cyclopentane acetic dianhydride, bicyclo [2,2,2] octo-7-ene-2,3,5,6- Tetraca 1 type selected from the group consisting of acid dianhydrides, 2,3,4,5-tetrahydrofurantetracarboxylic dianhydrides, 3,5,6-tricarboxy-2-norbornane acetic dianhydrides and derivatives thereof It is the above-mentioned tetravalent organic group, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드의 Y1 은 3,5-디아미노벤조트리플루오라이드, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노 바이페닐, 2,2-비스[4-(아미도페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 불소원소가 함유된 2가의 유기기인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Y 1 of the polyimide represented by Formula 1 Silver 3,5-diaminobenzotrifluoride, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diamino biphenyl, 2,2-bis [4- (amidophenoxy) phenyl ] Photosensitive resin composition characterized in that it is a divalent organic group containing one or more fluorine elements selected from the group consisting of hexafluoropropane and 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane. .
제1항에 있어서,
상기 화학식 1 및 2로 표시되는 폴리이미드의 Y2 와 Y3는 각각
Figure pat00018

로 이루어진 군에서 선택된 수산기를 포함하는 디아민;
Figure pat00019
로 표시되는 카르복실기를 포함하는 디아민;
3,5-디아미노벤조트리플루오라이드, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노바이페닐, 2,2-비스[4-(아미노페녹시)페닐]헥사플루오로프로판, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로판, 3,5-디아미노벤조산, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, 2,4,6-트리메틸-1,3-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라메틸-1,4-페닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-디아미노디페닐설피드, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-메틸렌-비스(2-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디에틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2-이소프로필-6-메틸아닐린), 4,4'-메틸렌-비스(2,6-디이소프로필아닐린), 4,4'-디아미노디페닐술폰, 3,3'-디아미노디페닐술폰, 벤지딘, o-톨리딘, m-톨리딘, 3,3',5,5'-테트라메틸벤지딘, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판 및 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판으로 이루어진 군에서 선택된 방향족 디아민; 및
1,6-헥사디아민, 1,4-시클로헥산디아민, 1,3-시클로헥산디아민, 1,4-비스(아미노메틸)시클로헥산, 1,3-비스(아미노메틸)시클로헥산, 4,4'-디아미노디시클로헥실메탄 및 4,4'-디아미노-3,3'-디메틸디시클로헥실메탄으로 이루어진 군에서 선택된 지방족 디아민;으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 디아민인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
Y 2 and Y 3 of the polyimide represented by Formulas 1 and 2 are respectively
Figure pat00018

Diamine containing a hydroxyl group selected from the group consisting of;
Figure pat00019
Diamine containing a carboxyl group represented by;
3,5-diaminobenzotrifluoride, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis [4- (aminophenoxy) phenyl] hexa Fluoropropane, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 3,5-diaminobenzoic acid, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,4,6-trimethyl-1,3-phenylenediamine, 2,3,5,6-tetramethyl-1,4 -Phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylether, 3,4'-diaminodiphenylether, 3,3'-diaminodiphenylether, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-methylene-bis (2-methylaniline), 4, 4'-methylene-bis (2,6-dimethylaniline), 4,4'-methylene-bis (2,6-diethylaniline), 4,4'-methylene-bis (2-isopropyl-6-methyl Aniline), 4,4'-methylene-bis (2,6-diisopropylaniline), 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, benzidine, o-tolidine , m-tolidine, 3,3 ', 5,5'-tetramethylbenzidine, 2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1, 3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, bis [4- (4-aminophenoxy Phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane and 2,2-bis [4- (3 Aromatic diamine selected from the group consisting of -aminophenoxy) phenyl] propane; And
1,6-hexadiamine, 1,4-cyclohexanediamine, 1,3-cyclohexanediamine, 1,4-bis (aminomethyl) cyclohexane, 1,3-bis (aminomethyl) cyclohexane, 4,4 At least one diamine selected from the group consisting of '-diaminodicyclohexylmethane and 4,4'-diamino-3,3'-dimethyldicyclohexylmethane; Resin composition.
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1 및 2로 표시되는 폴리이미드의 E1 내지 E4는 각각 4-아미노페놀, N-(4-아미노페닐) 말레이미드, 4-에티닐아닐린, 말레산 무수물, 5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 무수물, 1,2-시클로헥산디카르복실산 무수물, n-옥틸숙신산 무수물, 4-티올아닐린, 4-페닐에티닐 프탈릭산 무수물 등으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자 말단인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
E 1 to E 4 of the polyimide represented by Formulas 1 and 2 are 4-aminophenol, N- (4-aminophenyl) maleimide, 4-ethynylaniline, maleic anhydride, 5-norbornene- 1 type selected from the group consisting of 2,3-dicarboxylic acid anhydride, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid anhydride, n-octylsuccinic anhydride, 4-thiolaniline, 4-phenylethynyl phthalic anhydride, and the like. It is the above polymer terminal, The photosensitive resin composition characterized by the above-mentioned.
제 1항에 있어서,
상기 광활성 화합물은 o-퀴논디아지드 유도체, 1,2-나프토퀴논 디아지드 유도체, 알릴디아조늄염, 디알릴요오드늄염, 트리알릴술포늄염, o-니트로벤질에스테르, p-니트로벤질에스테르, 트리할로메틸기 치환 s-트리아진 유도체, 이미드술포네이트 유도체 및 하기 화학식들로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 화합물 단독 또는 축합 반응시킨 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물:
Figure pat00020

상기 e는 반복단위로 1 내지 1000 범위이다.
The method of claim 1,
The photoactive compound is an o-quinone diazide derivative, 1,2-naphthoquinone diazide derivative, allyl diazonium salt, diallyl iodonium salt, triallylsulfonium salt, o-nitrobenzyl ester, p-nitrobenzyl ester, tri A photosensitive resin composition comprising a halomethyl group-substituted s-triazine derivative, an imidesulfonate derivative and at least one compound selected from the group consisting of
Figure pat00020

E ranges from 1 to 1000 in repeat units.
제 10항에 있어서,
상기 축합 반응시킨 화합물은 하기 화학식들로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물:
Figure pat00021

상기 e는 반복단위로 1 내지 1000 범위이며,
상기 -OD는 각각
Figure pat00022
및 -OH 중 선택되는 하나이다.
The method of claim 10,
The condensation reaction compound is a photosensitive resin composition, characterized in that at least one selected from the group consisting of:
Figure pat00021

E ranges from 1 to 1000 in repeat units,
Where -OD is each
Figure pat00022
And -OH.
제 1항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은 N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, N-비닐피롤리돈, N-메틸카프로락탐, 디메틸술폭시드, 테트라메틸요소, 피리딘, 디메틸술폰, 헥사메틸술폭시드, m-크레졸, γ-부티로락톤, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 에틸카르비톨, 부틸카르비톨, 에틸카르비톨 아세테이트, 부틸카르비톨 아세테이트, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 젖산에틸, 젖산부틸, 시클로헥사논, 및 시클로펜타논으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 용매를 사용하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method of claim 1,
The photosensitive resin composition is N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, N-vinylpyrrolidone, N-methylcaprolactam, dimethyl sulfoxide, tetramethylurea, pyridine , Dimethyl sulfone, hexamethyl sulfoxide, m-cresol, γ-butyrolactone, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, ethyl carbitol, butyl carbitol, ethyl carbitol acetate, butyl carbitol acetate, ethylene glycol, A photosensitive resin composition comprising at least one solvent selected from the group consisting of propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), ethyl lactate, butyl lactate, cyclohexanone, and cyclopentanone.
제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물에 경화제, 용해 속도 조절제, 증감제, 접착력 증강제 및 계면활성제로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 기타 첨가제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.
The method according to any one of claims 1 to 12,
The photosensitive resin composition further comprises at least one other additive selected from the group consisting of a curing agent, a dissolution rate regulator, a sensitizer, an adhesion enhancer, and a surfactant in the photosensitive resin composition.
제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 따른 감광성 수지 조성물을 사용하여 형성된 감광성 필름.
The photosensitive film formed using the photosensitive resin composition of any one of Claims 1-12.
제 14항에 있어서,
상기 감광성 필름의 두께는 1 내지 20㎛인 것을 특징으로 하는 감광성 필름.
The method of claim 14,
The thickness of the photosensitive film is a photosensitive film, characterized in that 1 to 20㎛.
제 14항에 있어서,
상기 감광성 필름은 반도체 소자의 층간 절연막, 패시베이션(passivation) 막, 버퍼코트(buffer coat) 막, 다층프린트 기판용 절연막, OLED의 절연막, 액정표시소자의 박막 트랜지스터의 보호막, 유기 EL 소자의 전극보호막 및 반도체 보호막으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 용도로 사용되는 것을 특징으로 감광성 필름.
The method of claim 14,
The photosensitive film may include an interlayer insulating film, a passivation film, a buffer coat film, an insulating film for multilayer printed circuit boards, an insulating film for OLEDs, a protective film for thin film transistors for liquid crystal display devices, an electrode protective film for organic EL devices, and the like. A photosensitive film, characterized in that it is used for at least one selected from the group consisting of a semiconductor protective film.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2015072692A1 (en) * 2013-11-15 2015-05-21 한양대학교 산학협력단 Thermally rearranged poly(benzoxazole-imide) copolymer having cross-linked structure, gas separation membrane comprising same and preparation method therefor
WO2016021746A1 (en) * 2014-08-05 2016-02-11 연세대학교 산학협력단 Colorless and transparent polyimide thin film having high transmittance and low phase difference, and method for manufacturing same
WO2019135500A1 (en) * 2018-01-03 2019-07-11 주식회사 엘지화학 Aromatic poly(amide-imide) copolymer film and production method therefor
KR20200105405A (en) * 2019-02-28 2020-09-07 주식회사 엘지화학 Dianhydride compound, polyimide precursor and polyimide film prepared by using same
CN111830785A (en) * 2019-04-15 2020-10-27 信越化学工业株式会社 Resin composition, method for forming pattern, method for forming cured coating, interlayer insulating film, surface protective film, and electronic component
CN111965941A (en) * 2020-08-31 2020-11-20 浙江福斯特新材料研究院有限公司 Positive photosensitive polyimide resin composition and use thereof
CN112041372A (en) * 2019-03-13 2020-12-04 株式会社Lg化学 Polyimide copolymer, method for producing polyimide copolymer, photosensitive resin composition using the same, photosensitive resin film, and optical device
US20220213267A1 (en) * 2019-04-19 2022-07-07 Designer Molecules, Inc. Extreme high temperature stable adhesives and coatings
US11655323B2 (en) 2018-01-03 2023-05-23 Lg Chem, Ltd. Poly(amide-imide) copolymer film and method for preparing same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101179116B1 (en) * 2009-03-10 2012-09-07 주식회사 엘지화학 Photosensitive polyimide-based polymer, and positive type photoresist resin composition comprising the same
KR101249686B1 (en) * 2009-07-16 2013-04-05 주식회사 엘지화학 Polyimide and photoresist resin composition comprising therof

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015072692A1 (en) * 2013-11-15 2015-05-21 한양대학교 산학협력단 Thermally rearranged poly(benzoxazole-imide) copolymer having cross-linked structure, gas separation membrane comprising same and preparation method therefor
US10035109B2 (en) 2013-11-15 2018-07-31 Iucf-Hyu (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) Crosslinked, thermally rearranged poly(benzoxazole-co-imide), gas separation membranes comprising the same and preparation method thereof
WO2016021746A1 (en) * 2014-08-05 2016-02-11 연세대학교 산학협력단 Colorless and transparent polyimide thin film having high transmittance and low phase difference, and method for manufacturing same
WO2019135500A1 (en) * 2018-01-03 2019-07-11 주식회사 엘지화학 Aromatic poly(amide-imide) copolymer film and production method therefor
US11655323B2 (en) 2018-01-03 2023-05-23 Lg Chem, Ltd. Poly(amide-imide) copolymer film and method for preparing same
KR20200105405A (en) * 2019-02-28 2020-09-07 주식회사 엘지화학 Dianhydride compound, polyimide precursor and polyimide film prepared by using same
CN112041372B (en) * 2019-03-13 2023-05-23 株式会社Lg化学 Polyimide copolymer, method for producing polyimide copolymer, photosensitive resin composition using the same, photosensitive resin film, and optical device
CN112041372A (en) * 2019-03-13 2020-12-04 株式会社Lg化学 Polyimide copolymer, method for producing polyimide copolymer, photosensitive resin composition using the same, photosensitive resin film, and optical device
US12018126B2 (en) 2019-03-13 2024-06-25 Lg Chem, Ltd. Polyimide copolymer, method for preparing the polyimide copolymer, photosensitive resin composition, photosensitive resin film, and optical device using the polyimide copolymer
CN111830785A (en) * 2019-04-15 2020-10-27 信越化学工业株式会社 Resin composition, method for forming pattern, method for forming cured coating, interlayer insulating film, surface protective film, and electronic component
CN111830785B (en) * 2019-04-15 2023-08-22 信越化学工业株式会社 Resin composition, pattern forming method, cured film forming method, interlayer insulating film, surface protecting film, and electronic component
US20220213267A1 (en) * 2019-04-19 2022-07-07 Designer Molecules, Inc. Extreme high temperature stable adhesives and coatings
CN111965941A (en) * 2020-08-31 2020-11-20 浙江福斯特新材料研究院有限公司 Positive photosensitive polyimide resin composition and use thereof
CN111965941B (en) * 2020-08-31 2024-09-24 杭州福斯特电子材料有限公司 Positive photosensitive polyimide resin composition and application thereof

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