KR20130010673A - 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 - Google Patents

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KR20130010673A
KR20130010673A KR1020110071448A KR20110071448A KR20130010673A KR 20130010673 A KR20130010673 A KR 20130010673A KR 1020110071448 A KR1020110071448 A KR 1020110071448A KR 20110071448 A KR20110071448 A KR 20110071448A KR 20130010673 A KR20130010673 A KR 20130010673A
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Abstract

실시예는 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광 구조물 상에 형성된 반사층; 상기 반사층 상에 배치되고, 확산 방지층을 포함하는 유테딕(eutectic) 접합층; 및 상기 유테틱 접합층 상의 도전성 지지 기판을 포함하는 발광소자를 제공한다.

Description

발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지{Light emitting device package}
실시예는 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
발광소자는 수직형 발광소자와 수평형 발광소자 등이 있으며, 수직형 발광소자의 경우 발광 구조물 중 일부에 도전성 지지기판을 통하여 전류가 공급되고 있다.
수직형 발광소자에서, 도전성 지지기판과 칩의 본딩 레이어에는 주석이나 인듐 등이 사용될 수 있는데, 주석이나 인듐은 확산속도가 높으며 공정 중 다른 접합 금속 또는 산화물계 박막에 의하여 확산이 저지되지 않는 문제점이 있다.
실시예는 발광소자 내에서 금속 원소의 확산에 의한 소자의 품질 저하를 방지하고자 한다.
실시예는 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광 구조물 상에 형성된 반사층; 상기 반사층 상에 배치되고, 확산 방지층을 포함하는 접합층; 및 상기 접합층 상의 도전성 지지 기판을 포함하는 발광소자를 제공한다.
접합층은 유테틱 접합층일 수 있다.
확산 방지층은 은(Ag) 또는 백금(Pt)을 포함할 수 있다.
확산 방지층은 두께가 1000~5000 옹스트롬일 수 있다.
접합층은 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 포함할 수 있다.
접합층은 150~400도(℃)의 온도에서 형성될 수 있다.
확산 방지층은, 상기 접합층과 상기 반사층의 사이에 형성될 수 있다.
확산 방지층은, 상기 접합층과 상기 도전성 지지기판의 사이에 형성될 수 있다.
확산 방지층은, 상기 접합층과 상기 반사층와, 상기 접합층과 상기 도전성 지지기판의 사이에 각각 형성될 수 있다.
확산 방지층은 상기 접합층의 내부에 형성되어, 상기 접합층을 통하여 상기 반사층 또는 상기 도전성 지지기판과 접촉할 수 있다.
다른 실시예는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체에 배치되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및 상기 패키지 몸체에 배치되고, 상기 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임과 각각 전기적으로 연결되는 상기의 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.
실시예에 따른 발광소자는 유테틱 접합에 의한 도전성 지지기판의 결합력을 강화시킬 수 있다.
도 1 내지 도 4는 발광소자의 일실시예들의 단면도이고,
도 5 내지 도 10은 도 1의 발광소자의 제조공정을 나타낸 도면이고,
도 11은 발광소자 내에서 확산 방지층의 작용을 나타낸 도면이고,
도 12는 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 13은 발광소자 패키지가 구비된 조명 장치의 분해 사시도이고,
도 14는 발광소자 패키지가 배치된 표시 장치의 분해 사시도이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한, "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1 내지 도 4는 발광소자의 일실시예들의 단면도이다.
도 1에 도시된 발광소자는, 도전성 지지기판(170)과, 유테틱(eutectic) 접합층(150)과, 확산 방지층(160)과, 반사층(140)과, 오믹층(130)과, 제1 도전형 반도체층(121)과 제2 도전형 반도체층(126)과 활성층(124)을 포함하는 발광 구조물(120)과, 상기 제1 도전형 반도체층(122) 상에 제1 전극(190)과, 상기 발광 구조물을 둘러싸는 패시베이션층(180)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1 도전형 반도체층(122)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층(122)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(122)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 발광 구조물(120)의 표면, 즉 제1 도전형 반도체층(122)의 표면에는 규칙적이거나 또는 불규칙적인 요철이 형성되어 광추출 효율을 높일 수 있다.
활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)을 통해서 주입되는 전자와 이후 형성되는 제2 도전형 반도체층(126)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이고, 활성층(124)에서 방출되는 빛은 가시광선 영역 외에 자외선 영역의 광이 방출될 수도 있다.
상기 활성층(124)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(120)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(124)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
상기 활성층(124)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(124)의 밴드 갭보다는 높은 밴드 갭을 갖을 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(126)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(124)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(122) 상에는 제1 전극(190)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(190)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 발광 구조물(120)의 측면에는 패시베이션층(passivation layer, 180)이 형성될 수 있다.
상기 패시베이션층(180)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 상기 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 상기 패시베이션층(180)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.
발광 구조물(120), 특히 상기 제2 도전형 반도체층(126)은 불순물 도핑 농도가 낮아 접촉 저항이 높으며 그로 인해 메탈과의 오믹 특성이 좋지 못할 수 있으므로, 이러한 오믹 특성을 개선하기 위해 오믹층(130)을 형성한다. 오믹층(130)은 발광구조물(120)과 반사층(140) 사이에 형성되므로 오믹층(130)으로 투명 전극을 형성할 수 있다.
상기 오믹층(130)은 약 100 내지 2000 옹스트롬의 두께일 수 있다. 상기 오믹층(130)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.
반사층(140)은 약 500 내지 5000 옹스트롬의 두께일 수 있다. 반사층(140)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 알루미늄이나 은 등은 활성층(124)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다. 특히, 로듐(Rh)은 활성층(124)에서 청색 가시광선 영역의 광을 방출할 때, 청색 가시광선을 효과적으로 반사할 수 있다.
도전성 지지기판(170)은 제2 전극의 역할을 할 수 있으므로 전기 전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 발광 소자 작동시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열전도도가 높은 금속을 사용할 수 있다.
상기 도전성 지지기판(170)은 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni-nickel), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.
또한, 상기 도전성 지지기판(170)은 질화물 반도체를 포함하는 발광 구조물에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다.
그리고, 접합층(150)이 상기 도전성 지지기판(170)과 반사층(140)을 결합하며, 유테틱 본딩으로 결합시킬 수 있다. 이때, 상기 유테틱 접합층(150)은 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 물질 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있으며, 특히 주석이나 인듐을 포함하는 유테틱 합금(Eutetic Alloy)으로 이루어질 수 있다.
그리고, 유테틱 접합층(150)이 반사층(140)과 도전성 지지기판(170)을 결합할 때, 유테틱 접합층(150) 내의 유테틱 메탈 특히 주석이나 인듐은 확산 속도가 높아서 다른 층으로 확산되어 의도하지 않는 금속 화합물 등을 형성시킬 수 있다.
따라서, 유테틱 접합층(150) 내에 확산 방지층(160)을 형성하여 주석이나 인듐 등의 확산을 방지할 수 있다. 이로써 접합층(150)에 의도하지 않은 금속 화합물이 발생되는 것을 억제하여 도전성 기판(170)과 반사층(140) 사이의 접합 품질을 향상시킬 수 있다.
확산 방지층(160)은 특히 은(Ag) 또는 백금(Pt)을 포함할 수 있으며, 이들 원소들은 일원 또는 다원 금속의 형태로 존재할 수 있다.
그리고, 확산 방지막을 150~400도(℃)의 온도에서 은 또는 백금을 일원 또는 다원 금속의 형태로 1000~5000 옹스트롬(Å)의 두께로 형성하여, 유테틱 접합층(150) 내의 원소의 확산을 막고 유테틱 접합층(150)의 결합력도 유지할 수 있다.
확산 방지층(160)은 적어도 1000 옹스트롬(Å)의 두께로 구비되어야 상술한 주석이나 인듐 등의 확산을 방지할 수 있으며, 5000 옹스트롬 이상의 두께로 구비되면 유테틱 접합층(150)의 결합력을 저하시킬 수 있다.
본 실시예에서 상기 제1 도전형 반도체층(122)은 P형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(126)은 N형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또한 상기 제2 도전형 반도체층(126) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 상기 제 2도전형 반도체층이 P형 반도체층일 경우 N형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광 구조물은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
도 2에 도시된 실시예는 확산 방지층(160)이 유테틱 접합층(150)과 도전성 지지기판(170)의 사이에 형성되어 있다. 그리고, 도 3에 도시된 실시예는 확산 방지층(160)이 유테틱 접합층(150)과 반사층(140)의 사이에서 형성되고 있으며, 도 4에 도시된 실시예에서는 확산 방지층(160)이 유테틱 접합층(150)의 양쪽 면에 형성되고 있다.
도 2에 도시된 실시예에서 확산 방지층(160)은 인듐, 주석 등의 유테틱 메탈이 특히 도전성 지지기판(170) 방향으로 확산되는 것을 방지할 수 있고, 도 3에 도시된 실시예에서는 확산 방지층(160)이 유테틱 메탈의 반사층(140) 방향으로의 확산을 방지할 수 있으며, 도 4에 도시된 실시예에서는 확산 방지층(160)이 유테틱 메탈의 반사층(140)과 도전성 지지가판(170) 방향으로의 확산을 방지할 수 있다.
도 5 내지 도 10은 도 1의 발광소자의 제조공정을 나타낸 도면이다.
먼저, 도 5에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 버퍼층(미도시) 및 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(126)을 성장시킨다.
상기 발광 구조물(126)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 기판(110)은 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하며, 예컨대 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 상기 기판(110) 위에는 요철 구조가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(110)에 대해 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다.
상기 발광구조물과 기판(110) 사이에는 버퍼층(미도시)을 성장시킬 수 있는데, 재료의 격자 부정합 및 열 팽창 계수의 차이를 완화하기 위한 것이다. 상기 버퍼층의 재료는 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층 위에는 언도프드(undoped) 반도체층이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 구조물은, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), MBE(Molecular Beam Epitaxy), HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)법과 같은 기상 증착법에 의해 성장될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(122)의 조성은 상술한 바와 동일하며, 화학증착방법(CVD) 혹은 분자선 에피택시 (MBE) 혹은 스퍼터링 혹은 수산화물 증기상 에피택시(HVPE) 등의 방법을 사용하여 N형 GaN층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(110)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 실리콘(Si)와 같은 n 형 불순물을 포함하는 실란 가스(SiH4)가 주입되어 형성될 수 있다.
상기 활성층(124)의 조성은 상술한 바와 동일하며, 예를 들어 상기 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 도전형 반도체층(126)의 조성은 상술한 바와 동일하며, 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 마그네슘(Mg)과 같은 p 형 불순물을 포함하는 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}가 주입되어 p형 GaN층이 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고, 도 6에 도시된 바와 같이 발광 구조물(120) 위에 오믹층(130)과 반사층(140)을 형성할 수 있다. 상기 오믹층(130)과 반사층(140)의 조성은 상술한 바와 같으며, 스퍼터링법이나 전자빔 증착법에 의하여 형성될 수 있다.
상기 활성층(124)에서 자외선을 방출할 경우 오믹층(130)에 ITO를 사용하면 자외선의 투과효율이 좋지 않을 수 있으며, 오믹층(130)을 Ni/Au로 형성할 수 있다.
그리고, 도 7에 도시된 바와 같이 반사층(140)에 도전성 지지기판(170)을 결합하는데, 유테틱 접합층(150)을 사용하여 결합할 수 있다. 그리고, 유테틱 결합층(150)은 확산 방지층(160)을 포함하게 형성할 수 있다. 도 7에서 확산 방지층(160)이 유테틱 접합층(150)의 내에 포함되어 형성되고 있으나, 도 2 내지 도 4에 도시된 실시예와 같이 형성될 수도 있다.
이때, 유테틱 접합층(150)은 150~400도(℃)의 온도에서 형성할 수 있으며, 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있으며, 특히 주석이나 인듐을 포함하는 유테틱 메탈을 사용하여 상기 반사층(140)과 도전성 지지기판(170)을 결합할 수 있다.
그리고, 확산 방지막을 150~400도(℃)의 온도에서 은 또는 백금을 일원 또는 다원 금속의 형태로 1000~5000 옹스트롬(Å)의 두께로 형성하여, 유테틱 접합층(150) 내의 원소의 확산을 막고 유테틱 접합층(150)의 결합력도 유지할 수 있다.
유테틱 결합층(150) 내에서는 2종 이상의 금속 내지 합금 원소가 융융된 후 균일하게 융합 상태로 존재하나, 일정 온도 이상에서는 2종 이상의 원소로 분리될 수 있고, 또한 공정 온도가 상승하면 반사층(140)에 결함이 발생할 수 있으므로, 유테틱 접합층(150) 내의 금속 원소 들이 확산에 의하여 반사층(140) 내지 도전성 지지기판(170) 내의 다른 원소들과 금속 화합물이 발생할 수 있는데, 본 실시예에서는 상술한 범위의 저온에서 공정이 이루어지고 확산 방지층(160)이 유테틱 접합층(150) 내의 원소의 확산을 억제할 수 있다.
그리고, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 기판(110)을 분리한다. 상기 기판(110)의 제거는 엑시머 레이저 등을 이용한 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off: LLO)의 방법으로 할 수도 있으며, 건식 및 습식 식각의 방법으로 할 수도 있다.
레이저 리프트 오프법을 예로 들면, 상기 기판(110) 방향으로 일정 영역의 파장을 가지는 엑시머 레이저 광을 포커싱(focusing)하여 조사하면, 상기 기판(110)과 발광 구조물(120)의 경계면에 열 에너지가 집중되어 경계면이 갈륨과 질소 분자로 분리되면서 레이저 광이 지나가는 부분에서 순간적으로 기판(110)의 분리가 일어난다.
그리고, 도 9에 도시된 바와 같이 발광 구조물(120)의 표면, 즉 제1 도전형 반도체층(122)의 표면을 식각한다. 이때, 발광 구조물(120)의 표면에 마스크(미도시)를 씌우고 선택적으로 식각을 진행할 수 있으며, 건식 식각 또는 식각액을 이용하여 습식 식각을 진행할 수도 있다.
식각 공정이 종료된 발광 구조물의 표면에 도시된 바와 같이 선택적인 요철 형상이 형성되어 있다. 선택적인 식각 공정의 종류 후에 발광 구조물(120)의 표면의 일부는 플랫(flat)한 상태일 수 있는데, 발광 구조물의 플랫한 표면에는 후술하는 바와 같이 전극이 형성될 수 있다.
그리고, 도 10에 도시된 바와 같이 상기 발광구조물(120)의 측면에 패시베이션층(Passivation layer, 180)을 증착하고, 발광 구조물(120)의 표면에 제1 전극(190)을 형성하면 발광 소자가 완성된다.
도 11은 발광소자 내에서 확산 방지층의 작용을 나타낸 도면이며, 확산 방지층(160)은 은(Ag) 또는 백금(Pt) 등으로 이루어져서, 주석(Sn) 또는 인듐(In)의 통과 내지 침투를 차단하고 있다.
상술한 공정에 따라 제조한 발광소자는, 은 또는 백금 등으로 확산 방지층이 유테틱 접합층 내에 형성되어, 유테틱 접합 공정 중에 주석이나 인듐 등의 유테틱 금속의 확산과 그에 따른 금속 화합물이 발생하여 접합 품질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 12는 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 캐비티를 포함하는 패키지 몸체(210)와, 상기 패키지 몸체(210)에 설치된 제1 리드 프레임(Lead Frame, 221) 및 제2 리드 프레임(222)과, 상기 패키지 몸체(210)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)과 전기적으로 연결되는 상술한 실시예들에 따른 발광 소자(100)와, 상기 캐비티에 형성된 몰딩부(270)를 포함한다.
상기 패키지 몸체(210)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 패키지 몸체(210)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 패키지 몸체(210)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(221, 222) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.
상기 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전류를 공급한다. 또한, 상기 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 패키지 몸체(210) 상에 설치되거나 상기 제1 리드 프레임(221) 또는 제2 리드 프레임(222) 상에 설치될 수 있다. 본 실시예에서는 제1 리드 프레임(221)과 발광소자(250)가 직접 통전되고, 제2 리드 프레임(222)과 상기 발광소자(100)는 와이어(260)를 통하여 연결되어 있다. 발광소자(250)는 와이어 본딩 방식 외에 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 등에 의하여 리드 프레임(221, 222)과 연결될 수 있다.
상기 몰딩부(270)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(270) 상에는 형광체(280)가 몰딩부(270)와 별개의 층으로 컨포멀(Conformal) 코팅되어 있다. 이러한 구조는 형광체(280)가 균일하게 분포되어, 발광소자(250)로부터 방출되는 빛의 파장을 발광소자 패키지(200)의 빛이 출사되는 전 영역에서 변환시킬 수 있다.
상기 발광소자(100)에서 방출된 제1 파장 영역의 광이 상기 형광체(280)에 의하여 여기되어 제2 파장 영역의 광으로 변환되고, 상기 제2 파장 영역의 광은 렌즈(미도시)를 통과하면서 광경로가 변경될 수 있다. 그리고, 형광체(280)는 컨포멀 코팅되지 않고, 몰딩부(270) 내에 포함될 수도 있다.
상술한 발광소자 패키지(200)는 발광소자(100) 내에서 은 또는 백금 등으로 확산 방지층이 유테틱 접합층 내에 형성되어, 유테틱 접합 공정 중에 주석이나 인듐 등의 유테틱 금속의 확산과 그에 따른 금속 화합물이 발생하여 접합 품질이 저하되는 것을 방지하여, 발광소자의 안정성이 유지되어 패키지 전체의 성능이 저하됨을 방지할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 조명장치와 백라이트 유닛을 설명한다.
도 13은 발광소자 패키지가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
실시예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 광원(600)과 상기 광원(600)이 내장되는 하우징(400)과 상기 광원(600)의 열을 방출하는 방열부(500) 및 상기 광원(600)과 방열부(500)를 상기 하우징(400)에 결합하는 홀더(700)를 포함하여 이루어진다.
상기 하우징(400)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(410)와, 상기 소켓결합부(410)와 연결되고 광원(600)이 내장되는 패키지 몸체부(420)를 포함한다. 패키지 몸체부(420)에는 하나의 공기유동구(430)가 관통하여 형성될 수 있다.
상기 하우징(400)의 패키지 몸체부(420) 상에 복수 개의 공기유동구(430)가 구비되어 있는데, 상기 공기유동구(430)는 하나의 공기유동구로 이루어지거나, 복수 개의 유동구를 도시된 바와 같은 방사상 배치 이외의 다양한 배치도 가능하다.
상기 광원(600)은 회로 기판(610) 상에 복수 개의 상술한 발광소자 패키지(650)가 구비된다. 여기서, 상기 회로 기판(610)은 상기 하우징(400)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(500)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다.
상기 광원의 하부에는 홀더(700)가 구비되는데 상기 홀더(700)는 프레임과 또 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 상기 광원(100)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 상기 광원(100)의 발광소자 패키지(150)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.
상술한 조명 장치는 발광소자 패키지 내의 발광소자 내에서 은 또는 백금 등으로 확산 방지층이 유테틱 접합층 내에 형성되어, 유테틱 접합 공정 중에 주석이나 인듐 등의 유테틱 금속의 확산과 그에 따른 금속 화합물이 발생하여 접합 품질이 저하되는 것을 방지하여, 발광소자의 안정성이 유지되어 패키지 전체의 성능이 저하됨을 방지하여, 조명장치 전체의 성능이 향상될 수 있다.
도 14는 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 표시장치(800)는 광원 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(820) 상의 반사판(820)과, 상기 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(840)과, 상기 도광판(840)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(850)와 제2 프리즘시트(860)와, 상기 제2 프리즘시트(860)의 전방에 배치되는 패널(870)과 상기 패널(870)의 전반에 배치되는 컬러필터(880)를 포함하여 이루어진다.
광원 모듈은 회로 기판(830) 상의 상술한 발광소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(835)는 도 13에서 설명한 바와 같다.
상기 바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다.상기 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 상기 도광판(840)의 후면이나, 상기 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
도광판(840)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 도광판이 생략되어 반사시트(820) 위의 공간에서 빛이 전달되는 에어 가이드 방식도 가능하다.
상기 제1 프리즘 시트(850)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
상기 제2 프리즘 시트(860)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(870)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.
본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
상기 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.
상기 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.
표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.
상기 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.
상술한 표시 장치는 발광소자 패키지 내의 발광소자 내에서 은 또는 백금 등으로 확산 방지층이 유테틱 접합층 내에 형성되어, 유테틱 접합 공정 중에 주석이나 인듐 등의 유테틱 금속의 확산과 그에 따른 금속 화합물이 발생하여 접합 품질이 저하되는 것을 방지하여, 발광소자의 안정성이 유지되어 패키지 전체의 성능이 저하됨을 방지하여, 표시 장치 전체의 성능이 향상될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 발광소자 110 : 기판
120 : 발광 구조물 122, 126 : 제1,2 도전형 반도체층
124 : 활성층 130 : 오믹층
140 : 반사층 150 : 유테틱 접합층
160 : 확산 방지층 170 : 도전성 지지기판
180 : 패시베이션층 190 : 제1 전극
200 : 발광소자 패키지 210 : 몸체
221, 222 : 제1,2 리드 프레임 260 : 와이어
270 : 몰딩부 280 : 형광체층
400 : 하우징 500 : 방열부
600 : 광원 700 : 홀더
800 : 표시장치 810 : 바텀 커버
820 : 반사판 830 : 회로 기판 모듈
840 : 도광판 850, 860 : 제1,2 프리즘 시트
870 : 패널 880 : 컬러필터

Claims (11)

  1. 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;
    상기 발광 구조물 상에 형성된 반사층;
    상기 반사층 상에 배치되고, 확산 방지층을 포함하는 접합층; 및
    상기 접합층 상의 도전성 지지 기판을 포함하는 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 접합층은 유테틱 접합층인 발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 확산 방지층은 은(Ag) 또는 백금(Pt)을 포함하는 발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 확산 방지층은 두께가 1000~5000 옹스트롬(Å)인 발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 접합층은 주석(Sn) 또는 인듐(In)을 포함하는 발광소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 접합층은 1500~400도(℃)의 온도에서 형성된 발광소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 확산 방지층은, 상기 접합층과 상기 반사층의 사이에 형성된 발광소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 확산 방지층은, 상기 접합층과 상기 도전성 지지기판의 사이에 형성된 발광소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 확산 방지층은, 상기 접합층과 상기 반사층와, 상기 접합층과 상기 도전성 지지기판의 사이에 각각 형성된 발광소자.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 확산 방지층은 상기 접합층의 내부에 형성되어, 상기 접합층을 통하여 상기 반사층 또는 상기 도전성 지지기판과 접촉하는 발광소자.
  11. 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체에 배치되는 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및
    상기 패키지 몸체에 배치되고, 상기 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임과 각각 전기적으로 연결되는 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항의 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지.
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