KR101861633B1 - 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 - Google Patents

발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR101861633B1
KR101861633B1 KR1020110057255A KR20110057255A KR101861633B1 KR 101861633 B1 KR101861633 B1 KR 101861633B1 KR 1020110057255 A KR1020110057255 A KR 1020110057255A KR 20110057255 A KR20110057255 A KR 20110057255A KR 101861633 B1 KR101861633 B1 KR 101861633B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
thin film
film layer
emitting device
Prior art date
Application number
KR1020110057255A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120138015A (ko
Inventor
송현돈
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020110057255A priority Critical patent/KR101861633B1/ko
Publication of KR20120138015A publication Critical patent/KR20120138015A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101861633B1 publication Critical patent/KR101861633B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor

Abstract

실시예는 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광 구조물 상에 형성되고, Ti를 포함하는 박막층; 및 상기 박막층 상에 오믹층을 포함하는 발광소자를 제공한다.

Description

발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지{Light emitting device and light emitting device package including the same}
실시예는 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지에 관한 것이다.
반도체의 3-5족 또는 2-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 색을 구현할 수 있으며, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광선도 구현이 가능하며, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다.
따라서, 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등에까지 응용이 확대되고 있다.
실시예는 발광소자의 안정성을 확보하고자 한다.
실시예는 제1 도전형 반도체층과 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물; 상기 발광 구조물 상에 형성되고, Ti를 포함하는 박막층; 및 상기 박막층 상에 오믹층을 포함하는 발광소자를 제공한다.
박막층은, Al, Mg, Ni 및 Ag 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
박막층은 상기 오믹층의 전 영역에 형성되어, 상기 오믹층으로부터 상기 발광 구조물로의 물질 유입을 차단할 수 있다.
박막층은 1 나노미터 이하의 두께를 가질 수 있다.
오믹층은 Ni과 Au 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
박막층은 금속 산화물로 이루어질 수 있다.
발광소자는 오믹층 상에 반사층을 포함할 수 있다.
반사층은 Al 또는 Rh 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
박막층은, 상기 오믹층과 상기 반사층 사이에 더 형성될 수 있다.
오믹층의 두께는 상기 박막층의 두께의 1.5~2.5배일 수 있다.
활성층은 UV(자외선)를 방출할 수 있다.
다른 실시예는 몸체; 상기 몸체에 배치된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및 상기 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 상술한 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지를 제공한다.
실시예에 따른 발광소자는 소자의 전기적 특성과 안정성을 확보할 수 있다.
도 1은 발광소자의 일실시예의 단면도이고,
도 2 내지 도 8은 도 1의 발광소자의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 9a 및 도 9b는 발광소자의 다른 실시예들의 단면도이고,
도 10은 발광소자 내의 박막층의 작용을 나타낸 도면이고,
도 11은 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 12는 발광소자 패키지가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이고,
도 13은 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위) 또는 하(아래)(on or under)”으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향 뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1은 발광소자의 일실시예의 단면도이다.
실시예에 따른 발광소자는 도전성 지지기판(170)과, 박막층(130)과, 제2 도전형 반도체층(126)과 상기 제2 도전형 반도체층(126) 상에 형성되고 광을 방출하는 활성층(124)과 상기 활성층(124) 상에 형성된 제1 도전형 반도체층(120)을 포함하는 발광 구조물을 포함하여 이루어진다.
박막층(130)은 도 1의 윗 방향에서 발광구조물(120)과 접촉하고, 도 1의 아랫 방향에서 오믹층(140)과 접촉할 수 있다. 오믹층(140)의 아래에는 반사층(150)이 형성되고, 상기 반사층(150)은 접합층(160)을 통하여 상기 도전성 지지기판(170)과 결합될 수 있다.
도전성 지지기판(170)은 제2 전극의 역할을 할 수 있으므로 전기 전도도가 우수한 금속을 사용할 수 있고, 발광 소자 작동시 발생하는 열을 충분히 발산시킬 수 있어야 하므로 열전도도가 높은 금속을 사용할 수 있다.
상기 도전성 지지기판(170)은 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si), 텅스텐(W), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 또한, 금(Au), 구리합금(Cu Alloy), 니켈(Ni), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: GaN, Si, Ge, GaAs, ZnO, SiGe, SiC, SiGe, Ga2O3 등) 등을 선택적으로 포함할 수 있다.
또한, 상기 도전성 지지기판(170)은 질화물 반도체를 포함하는 발광 구조물에 휨을 가져오지 않으면서, 스크라이빙(scribing) 공정 및 브레이킹(breaking) 공정을 통하여 별개의 칩으로 잘 분리시키기 위한 정도의 기계적 강도를 가질 수 있다.
접합층(160)은 상기 반사층(150)과 상기 도전성 지지기판(170)을 결합하며, 상기 반사층(150)이 결합층(adhesion layer)의 기능을 수행할 수도 있다. 상기 접합층은(160) 금(Au), 주석(Sn), 인듐(In), 알루미늄(Al), 실리콘(Si), 은(Ag), 니켈(Ni) 및 구리(Cu)로 구성되는 군으로부터 선택되는 물질 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있다.
반사층(150)은 약 2500 옹스트롬의 두께일 수 있다. 반사층(150)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 백금(Pt), 로듐(Rh), 혹은 Al이나 Ag이나 Pt나 Rh를 포함하는 합금을 포함하는 금속층으로 이루어질 수 있다. 알루미늄이나 은 등은 활성층(124)에서 발생된 빛을 효과적으로 반사하여 발광소자의 광추출 효율을 크게 개선할 수 있다. 특히, 로듐(Rh)은 활성층(124)에서 청색 가시광선 영역의 광을 방출할 때, 청색 가시광선을 효과적으로 반사할 수 있다.
발광 구조물(120), 특히 상기 제2 도전형 반도체층(126)은 불순물 도핑 농도가 낮아 접촉 저항이 높으며 그로 인해 메탈과의 오믹 특성이 좋지 못할 수 있으므로, 이러한 오믹 특성을 개선하기 위해 오믹층(140)을 형성한다. 오믹층(140)은 발광 구조물(140)과 반사층(150) 사잉에 형성되므로 오믹층(140)으로 투명 전극 등을 형성할 수 있다.
상기 오믹층(140)은 약 200 옹스트롬의 두께일 수 있다. 상기 오믹층(140)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IZON(IZO Nitride), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO, Ag, Ni, Cr, Ti, Al, Rh, Pd, Ir, Sn, In, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 이러한 재료에 한정되는 않는다.
오믹층(140)과 발광 구조물(120)의 사이에는 박막층(130)이 형성되는데, 박막층(130)은 Al, Mg, Ni 및 Ag 중 적어도 하나와 Ti를 포함하여 이루어질 수 있다. 박막층(130)은 도전성 지지기판(170)과 반사층(150)이 유테틱 본딩(Eutectic bong)을 이룰 때, 접합층(160) 내의 유테틱 메탈이나 반사층(150) 내의 메탈이 발광 구조물 내의 질화물(GaN) 방향으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 특히, 오믹층(140)이 ITO를 포함할 경우, 접합층(160)이나 반사층(150) 내의 Al이 오믹층(140) 내의 ITO로 확산되는 것을 방지할 수 있다.
즉, 박막층(130)은 접합층(160)의 유테틱 메탈의 확산을 방지하는 역할을 확산 방지층(diffusion barrier)로 작용하며, 1 나노미터(nm) 이하의 두께(d)를 가질 수 있는데 박막층(130)의 두께(d)가 너무 두꺼우면 광투과율이 저하될 수 있기 때문이다.
즉, UV 등에 대하여 투명해야 하고, 후술하는 제조 공정에서 산소 플라즈마(Oxygen Plasma)를 주입할 수 있는 깊이를 고려하면, 박막층(130)의 두께는 1 나노미터를 초과하지 않는 것이 유리하다.
Ti(티타늄)은 충분히 얇은 두께로 형성되었을 때, 특히 자외선에 대하여 투명하기 때문에 반사층(150)의 기능을 저하시키지 않으며, Ti는 GaN보다 일함수(Work function)이 높으므로 오믹층(140)의 오믹 특성이 저하시키지 않는다. 박막층(130)은 Ti 외에 Al, Mg, Ni 및 Ag 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 활성층(124)에서 자외선이 방출될 때, Ag 외에 다른 금속을 포함하는 것이 광반사효율에 더 유리할 수 있다.
한편, 오믹층을 Ni-Au층으로 형성할 경우 박막층(130)은 Ti층 단독으로 형성할 수도 있지만 이에 한정하지 않는다.
박막층(130) 내의 상술한 원소들은 제조공정에서 산소가 주입되므로 비저항이 매우 낮은 금속 산화물(Metal Oxide)의 형태로 존재할 수 있는데, 높은 일함수를 가질 수 있어서 발광 구조물(120) 내지 오믹층(140)의 오믹 특성을 저하시키지 않을 수 있다. 또한, 박막층(130)의 제조 공정에서 산소와 반응한 금속 원소는 구조적으로 치밀하게 배치되어, 구조적인 안정성으로 인하여 유테틱 메탈, 특히 Al(알루미늄)의 확산을 효과적으로 방지할 수 있다.
그리고, 상술한 조성으로 박막층(130)을 형성할 경우 금속 산화물의 치밀한 구조로 인하여 얇은 두께의 실현이 가능하므로, 오믹층(14)의 두께는 박막층(130)의 두께의 1.5 내지 2.5 배일 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(122)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 상기 제1 도전형 반도체층(122)이 N형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형 도펀트는 N형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 제1 도전형 반도체층(122)은 AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(122)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN,AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 어느 하나 이상으로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 발광 구조물(120)의 표면, 즉 제1 도전형 반도체층(122)의 표면에는 요철이 형성될 수 있다.
상기 활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)을 통해서 주입되는 전자와 이후 형성되는 제2 도전형 반도체층(126)을 통해서 주입되는 정공이 서로 만나서 활성층(발광층) 물질 고유의 에너지 밴드에 의해서 결정되는 에너지를 갖는 빛을 방출하는 층이고, 활성층(124)에서 방출되는 빛은 가시광선 영역 외에 자외선 영역의 광이 방출될 수도 있다.
상기 활성층(124)은 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW: Multi Quantum Well), 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 활성층(120)은 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 활성층(124)의 우물층/장벽층은 InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs, GaP(InGaP)/AlGaP 중 어느 하나 이상의 페어 구조로 형성될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 우물층은 상기 장벽층의 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
상기 활성층(124)의 위 또는/및 아래에는 도전형 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 도전형 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(124)의 밴드 갭보다는 높은 밴드 갭을 갖을 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(126)은 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층(124)이 P형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 P형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(122) 상에는 제1 전극(190)이 형성될 수 있다. 상기 제1 전극(190)은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 단층 또는 다층 구조로 형성될 수 있다.
그리고, 상기 발광 구조물(120)의 측면에는 패시베이션층(passivation layer, 180)이 형성될 수 있다.
상기 패시베이션층(180)은 절연물질로 이루어질 수 있으며, 상기 절연물질은 비전도성인 산화물이나 질화물로 이루어질 수 있다. 일 예로서, 상기 패시베이션층(180)은 실리콘 산화물(SiO2)층, 산화 질화물층, 산화 알루미늄층으로 이루어질 수 있다.
본 실시예에서 상기 제1 도전형 반도체층(122)은 P형 반도체층, 상기 제2 도전형 반도체층(126)은 N형 반도체층으로 구현할 수 있다. 또한 상기 제2 도전형 반도체층(126) 위에는 상기 제2 도전형과 반대의 극성을 갖는 반도체 예컨대 상기 제 2도전형 반도체층이 P형 반도체층일 경우 N형 반도체층(미도시)을 형성할 수 있다. 이에 따라 발광 구조물은 N-P 접합 구조, P-N 접합 구조, N-P-N 접합 구조, P-N-P 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다.
도 2 내지 도 8은 도 1의 발광소자의 제조방법의 일실시예를 나타낸 도면이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 버퍼층(미도시) 및 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124) 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함하는 발광 구조물(126)을 성장시킨다.
상기 발광 구조물(126)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 기판(110)은 전도성 기판 또는 절연성 기판을 포함하며, 예컨대 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, and Ga203 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 상기 기판(110) 위에는 요철 구조가 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 기판(110)에 대해 습식세척을 하여 표면의 불순물을 제거할 수 있다.
상기 발광구조물과 기판(110) 사이에는 버퍼층(미도시)을 성장시킬 수 있는데, 재료의 격자 부정합 및 열 팽창 계수의 차이를 완화하기 위한 것이다. 상기 버퍼층의 재료는 3족-5족 화합물 반도체 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층 위에는 언도프드(undoped) 반도체층이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 구조물은, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), MBE(Molecular Beam Epitaxy), HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)법과 같은 기상 증착법에 의해 성장될 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(122)의 조성은 상술한 바와 동일하며, 화학증착방법(CVD) 혹은 분자선 에피택시 (MBE) 혹은 스퍼터링 혹은 수산화물 증기상 에피택시(HVPE) 등의 방법을 사용하여 N형 GaN층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 제1 도전형 반도체층(110)은 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 실리콘(Si)와 같은 n 형 불순물을 포함하는 실란 가스(SiH4)가 주입되어 형성될 수 있다.
상기 활성층(124)의 조성은 상술한 바와 동일하며, 예를 들어 상기 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 트리메틸 인듐 가스(TMIn)가 주입되어 다중 양자우물구조가 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 도전형 반도체층(126)의 조성은 상술한 바와 동일하며, 챔버에 트리메틸 갈륨 가스(TMGa), 암모니아 가스(NH3), 질소 가스(N2), 및 마그네슘(Mg)과 같은 p 형 불순물을 포함하는 비세틸 사이클로 펜타디에닐 마그네슘(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}가 주입되어 p형 GaN층이 형성될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
그리고, 도 3에 도시된 바와 같이 발광 구조물(120) 위에 박막층(130)을 성장시킨다.
박막층(130)은 Al, Mg, Ni 및 Ag 중 적어도 하나와 Ti를 포함하여 이루어질 수 있는데, 산소 플라즈마 처리를 하며 박막층(130)을 형성하여 상기 박막층(130) 내에 상술한 원소들이 금속 산화물의 형태로 치밀하게 배치될 수 있다.
이어서, 도 4에 도시된 바와 같이 상기 박막층(130) 위에 오믹층(140)과 반사층(150)을 형성할 수 있다. 상기 오믹층(140)과 반사층(150)의 조성은 상술한 바와 같으며, 스퍼터링법이나 전자빔 증착법에 의하여 형성될 수 있다.
상기 활성층(124)에서 자외선을 방출할 경우 오믹층(140)에 ITO를 사용하면 자외선의 투과효율이 좋지 않을 수 있으며, 오믹층(140)을 Ni/Au로 형성하면 박막층(130)과 Ti와 Ni/Au의 2층 구조를 이룰 수 있다.
그리고, 도 5에 도시된 바와 같이 반사층(140) 상에 접합층(160)과 도전성 지지기판(170)을 형성할 수 있다. 상기 도전성 지지기판(170)을 형성시키는 방법은 전기화학적인 금속증착방법이나 유테틱(Eutetic) 메탈을 이용한 본딩 방법 등을 사용하거나, 별도의 접합층(160)을 형성할 수 있다.
그리고, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 기판(110)을 분리하다. 상기 기판(110)의 제거는 엑시머 레이저 등을 이용한 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off: LLO)의 방법으로 할 수도 있으며, 건식 및 습식 식각의 방법으로 할 수도 있다.
레이저 리프트 오프법을 예로 들면, 상기 기판(110) 방향으로 일정 영역의 파장을 가지는 엑시머 레이저 광을 포커싱(focusing)하여 조사하면, 상기 기판(110)과 발광 구조물(120)의 경계면에 열 에너지가 집중되어 경계면이 갈륨과 질소 분자로 분리되면서 레이저 광이 지나가는 부분에서 순간적으로 기판(110)의 분리가 일어난다.
그리고, 도 7에 도시된 바와 같이 발광 구조물(120)의 표면, 즉 제1 도전형 반도체층(122)의 표면을 식각한다. 이때, 발광 구조물(120)의 표면에 마스크(200)를 씌우고 선택적으로 식각을 진행할 수 있으며, 건식 식각 또는 식각액을 이용하여 습식 식각을 진행할 수도 있다.
식각 공정이 종료된 발광 구조물의 표면에 도시된 바와 같이 선택적인 요철 형상이 형성되어 있다. 선택적인 식각 공정의 종류 후에 발광 구조물(120)의 표면의 일부는 플랫(flat)한 상태일 수 있는데, 발광 구조물의 플랫한 표면에는 후술하는 바와 같이 전극이 형성될 수 있다.
그리고, 도 8에 도시된 바와 같이 상기 발광구조물(120)의 측면에 패시베이션층(Passivation layer, 180)을 증착하고, 발광 구조물(120)의 표면에 제1 전극(190)을 형성하면 발광 소자가 완성된다.
도 9a 및 도 9b는 발광소자의 다른 실시예들의 단면도이고, 도 10은 발광소자 내의 박막층의 작용을 나타낸 도면이다.
도 9a에 도시된 실시예는 박막층(130)이 반사층(150)과 오믹층(140)이 사이에 형성되고 있으며, 도 9b에 도시된 실시예는 박막층(130)이 오믹층(140)과 발광 구조물(120)의 사이 뿐만 아니라 오믹층(140)과 반사층(150)의 사이에도 형성되고 있다. 도 9b의 실시예와 같이 박막층(130)이 2곳에 형성되면, 도 1에 도시된 실시예에 따른 박막층의 두께의 1/2 정도의 두께로 각각의 박막층을 형성할 수도 있는데, 박막층의 두께가 너무 두꺼우면 광추출 효율이 저하될 수 있기 때문이다.
다만, 박막층(130)은 오믹층(140)의 전영역에 형성되어야 오믹층(140)으로부터 유테틱 메탈을 흐름을 차단할 수 있으며, 만일 반사층(150)의 폭이 오믹층(140)보다 넓으면 반사층(150)의 전영역에 형성될 수 있다.
도시된 바와 같이, 박막층(130)이 발광 구조물(120) 내의 질화물 예를 들어 p-AlGaN과 유테틱 메탈의 반응을 방지할 수 있으며, 또한 오믹층(140) 내의 물질이 상술한 질화물과 반응하는 것을 방지할 수도 있다. 도 10에서 오믹층(140)이 Ti와 Ni/Au의 2층 구조를 이루고 있으나, Ti는 박막층(130) 내에 포함될 수도 있다.
도 11은 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지의 일실시예를 나타낸 도면이다.
실시예에 따른 발광소자 패키지(200)는 캐비티를 포함하는 몸체(210)와, 상기 몸체(210)에 설치된 제1 리드 프레임(Lead Frame, 221) 및 제2 리드 프레임(222)과, 상기 몸체(210)에 설치되어 상기 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)과 전기적으로 연결되는 상술한 실시예들에 따른 발광 소자(100)와, 상기 캐비티에 형성된 몰딩부(270)를 포함한다.
상기 몸체(210)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(210)가 금속 재질 등 도전성 물질로 이루어지면, 도시되지는 않았으나 상기 몸체(210)의 표면에 절연층이 코팅되어 상기 제1,2 리드 프레임(221, 222) 간의 전기적 단락을 방지할 수 있다.
상기 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전류를 공급한다. 또한, 상기 제1 리드 프레임(221) 및 제2 리드 프레임(222)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 광을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시킬 수도 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 몸체(210) 상에 설치되거나 상기 제1 리드 프레임(221) 또는 제2 리드 프레임(222) 상에 설치될 수 있다. 본 실시예에서는 제1 리드 프레임(221)과 발광소자(250)가 직접 통전되고, 제2 리드 프레임(222)과 상기 발광소자(100)는 와이어(260)를 통하여 연결되어 있다. 발광소자(250)는 와이어 본딩 방식 외에 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 등에 의하여 리드 프레임(221, 222)과 연결될 수 있다.
상기 몰딩부(270)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부(270) 상에는 형광체(280)가 몰딩부(270)와 별개의 층으로 컨포멀(Conformal) 코팅되어 있다. 이러한 구조는 형광체(280)가 균일하게 분포되어, 발광소자(250)로부터 방출되는 빛의 파장을 발광소자 패키지(200)의 빛이 출사되는 전 영역에서 변환시킬 수 있다.
상기 발광소자(100)에서 방출된 제1 파장 영역의 광이 상기 형광체(280)에 의하여 여기되어 제2 파장 영역의 광으로 변환되고, 상기 제2 파장 영역의 광은 렌즈(미도시)를 통과하면서 광경로가 변경될 수 있다.
상술한 발광소자 패키지(200)는 발광소자(100) 내에서 유테틱 메탈이 발광 구조물 내의 질화물로 확산되어 반응하는 것이 방지되어, 발광소자의 안정성과 전기적 특성이 유지되어, 패키지 전체의 성능이 저하됨을 방지할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광소자 패키지, 기판, 광학 부재는 라이트 유닛으로 기능할 수 있다. 또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 반도체 발광소자 또는 발광소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
이하에서는 상술한 발광소자 패키지가 배치된 조명 시스템의 일실시예로서, 조명장치와 백라이트 유닛을 설명한다.
도 12는 발광소자 패키지가 배치된 조명장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
실시예에 따른 조명 장치는 광을 투사하는 광원(600)과 상기 광원(600)이 내장되는 하우징(400)과 상기 광원(600)의 열을 방출하는 방열부(500) 및 상기 광원(600)과 방열부(500)를 상기 하우징(400)에 결합하는 홀더(700)를 포함하여 이루어진다.
상기 하우징(400)은 전기 소켓(미도시)에 결합되는 소켓 결합부(410)와, 상기 소켓결합부(410)와 연결되고 광원(600)이 내장되는 몸체부(420)를 포함한다. 몸체부(420)에는 하나의 공기유동구(430)가 관통하여 형성될 수 있다.
상기 하우징(400)의 몸체부(420) 상에 복수 개의 공기유동구(430)가 구비되어 있는데, 상기 공기유동구(430)는 하나의 공기유동구로 이루어지거나, 복수 개의 유동구를 도시된 바와 같은 방사상 배치 이외의 다양한 배치도 가능하다.
상기 광원(600)은 회로 기판(610) 상에 복수 개의 상술한 발광소자 패키지(650)가 구비된다. 여기서, 상기 회로 기판(610)은 상기 하우징(400)의 개구부에 삽입될 수 있는 형상일 수 있으며, 후술하는 바와 같이 방열부(500)로 열을 전달하기 위하여 열전도율이 높은 물질로 이루어질 수 있다.
상기 광원의 하부에는 홀더(700)가 구비되는데 상기 홀더(700)는 프레임과 또 다른 공기 유동구를 포함할 수 있다. 또한, 도시되지는 않았으나 상기 광원(100)의 하부에는 광학 부재가 구비되어 상기 광원(100)의 발광소자 패키지(150)에서 투사되는 빛을 확산, 산란 또는 수렴시킬 수 있다.
상술한 조명 장치는 발광소자 패키지 내의 발광소자 내에서 유테틱 메탈이 발광 구조물 내의 질화물로 확산되어 반응하는 것이 방지되어, 발광소자의 안정성과 전기적 특성이 유지되어, 패키지 전체의 성능이 저하됨을 방지하여, 조명장치 전체의 광효율이 향상될 수 있다.
도 13은 발광소자 패키지가 배치된 표시장치의 일실시예를 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 표시장치(800)는 광원 모듈(830, 835)과, 바텀 커버(820) 상의 반사판(820)과, 상기 반사판(820)의 전방에 배치되며 상기 광원모듈에서 방출되는 빛을 표시장치 전방으로 가이드하는 도광판(840)과, 상기 도광판(840)의 전방에 배치되는 제1 프리즘시트(850)와 제2 프리즘시트(860)와, 상기 제2 프리즘시트(860)의 전방에 배치되는 패널(870)과 상기 패널(870)의 전반에 배치되는 컬러필터(880)를 포함하여 이루어진다.
광원 모듈은 회로 기판(830) 상의 상술한 발광소자 패키지(835)를 포함하여 이루어진다. 여기서, 회로 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있고, 발광소자 패키지(835)는 도 13에서 설명한 바와 같다.
상기 바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다.상기 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있고, 상기 도광판(840)의 후면이나, 상기 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
도광판(840)은 발광소자 패키지 모듈에서 방출되는 빛을 산란시켜 그 빛이 액정 표시 장치의 화면 전영역에 걸쳐 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 도광판(830)은 굴절률과 투과율이 좋은 재료로 이루어지는데, 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다. 그리고, 도광판이 생략되어 반사시트(820) 위의 공간에서 빛이 전달되는 에어 가이드 방식도 가능하다.
상기 제1 프리즘 시트(850)는 지지필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성되는데, 상기 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 상기 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
상기 제2 프리즘 시트(860)에서 지지필름 일면의 마루와 골의 방향은, 상기 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 광원 모듈과 반사시트로부터 전달된 빛을 상기 패널(870)의 전방향으로 고르게 분산하기 위함이다.
본 실시예에서 상기 제1 프리즘시트(850)과 제2 프리즘시트(860)가 광학시트를 이루는데, 상기 광학시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
상기 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 디스플레이 장치가 구비될 수 있다.
상기 패널(870)은, 유리 바디 사이에 액정이 위치하고 빛의 편광성을 이용하기 위해 편광판을 양 유리바디에 올린 상태로 되어있다. 여기서, 액정은 액체와 고체의 중간적인 특성을 가지는데, 액체처럼 유동성을 갖는 유기분자인 액정이 결정처럼 규칙적으로 배열된 상태를 갖는 것으로, 상기 분자 배열이 외부 전계에 의해 변화되는 성질을 이용하여 화상을 표시한다.
표시장치에 사용되는 액정 표시 패널은, 액티브 매트릭스(Active Matrix) 방식으로서, 각 화소에 공급되는 전압을 조절하는 스위치로서 트랜지스터를 사용한다.
상기 패널(870)의 전면에는 컬러 필터(880)가 구비되어 상기 패널(870)에서 투사된 빛을, 각각의 화소마다 적색과 녹색 및 청색의 빛만을 투과하므로 화상을 표현할 수 있다.
상술한 표시장치는 발광소자 패키지 내의 발광소자 내에서 유테틱 메탈이 발광 구조물 내의 질화물로 확산되어 반응하는 것이 방지되어, 발광소자의 안정성과 전기적 특성이 유지되어, 패키지 전체의 성능이 저하됨을 방지하여, 표시장치 전체의 광효율이 향상될 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 발광소자 110 : 기판
120 : 발광 구조물 122 : 제1 도전형 반도체층
124 : 활성층 126 : 제2 도전형 반도체층
130 : 박막층
140 : 오믹층 150 : 반사층
160 : 접합층 170 : 도전성 지지기판
180 : 패시베이션층
200 : 발광소자 패키지 210 : 몸체
221, 222 : 제1,2 리드 프레임 260 : 와이어
270 : 몰딩부 280 : 형광체층
400 : 하우징 500 : 방열부
600 : 광원 700 : 홀더
800 : 표시장치 810 : 바텀 커버
820 : 반사판 830 : 회로 기판 모듈
840 : 도광판 850, 860 : 제1,2 프리즘 시트
870 : 패널 880 : 컬러필터

Claims (12)

  1. 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 자외선 파장 영역의 광을 방출하는 발광구조물;
    상기 발광 구조물의 상부면 일부와 측면을 둘러싸고 배치되는 패시베이션층;
    상기 발광 구조물의 하부와 상기 패시베이션층의 하부에 직접 접촉하고, Ti를 포함하며, 금속 산화물로 이루어지는 제1 박막층;
    상기 제1 박막층 하부에 배치되고, ITO를 포함하는 오믹층;
    상기 오믹층의 하부에 직접 접촉하는 반사층; 및
    상기 반사층의 하부에 배치되는 도전성 지지기판을 포함하고,
    상기 제1 박막층은 상기 오믹층의 전 영역에 형성되고,
    상기 제1 박막층의 폭은 상기 발광구조물의 폭보다 크고,
    상기 제1 박막층의 하부면 전체는 상기 오믹층의 상부면 전체와 직접 접촉하는 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 박막층은, Al, Mg, Ni 및 Ag 중 적어도 하나를 더 포함하고,
    상기 제1 박막층은 1 나노미터 이하의 두께를 갖고,
    상기 오믹층은 Ni과 Au 중 적어도 하나를 더 포함하는 발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 패시베이션층은 상기 발광 구조물의 외곽으로 연장되어 배치되고, 상기 제1 박막층의 폭은 상기 패시베이션층의 폭보다 크고, 상기 제1 박막층의 상부면의 가장 자리는 노출되는 발광소자.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 1 항 또는 제 3 항 에 있어서,
    상기 반사층은 Al 또는 Rh 중 적어도 하나를 포함하고,
    상기 오믹층의 두께는 상기 제1 박막층의 두께의 1.5배 이상 내지 2.5배 이하인 발광소자.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 오믹층과 상기 반사층 사이에 배치되는 제2 박막층을 더 포함하고, 상기 제2 박막층의 상부면 전체는 상기 오믹층의 하부면 전체와 직접 접촉하고, 상기 제2 박막층의 하부면 전체는 상기 반사층의 상부면 전체와 직접 접촉하는 발광소자.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 몸체;
    상기 몸체에 배치된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임; 및
    상기 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임에 전기적으로 연결된 제1항 내지 제3항 중 어느 한항의 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지.
KR1020110057255A 2011-06-14 2011-06-14 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 KR101861633B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110057255A KR101861633B1 (ko) 2011-06-14 2011-06-14 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110057255A KR101861633B1 (ko) 2011-06-14 2011-06-14 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120138015A KR20120138015A (ko) 2012-12-24
KR101861633B1 true KR101861633B1 (ko) 2018-05-28

Family

ID=47904908

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110057255A KR101861633B1 (ko) 2011-06-14 2011-06-14 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101861633B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008147672A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 垂直構造ｌｅｄ素子及びその製造方法
JP2009054693A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Showa Denko Kk 発光ダイオードの製造方法
KR100986353B1 (ko) * 2009-12-09 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008147672A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 垂直構造ｌｅｄ素子及びその製造方法
JP2009054693A (ja) * 2007-08-24 2009-03-12 Showa Denko Kk 発光ダイオードの製造方法
KR100986353B1 (ko) * 2009-12-09 2010-10-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120138015A (ko) 2012-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10141478B2 (en) Structure of a reflective electrode and an OHMIC layer of a light emitting device
KR101791175B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR101941029B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
KR20140072606A (ko) 발광소자
US8866374B2 (en) Light emitting device having a multilayer re-emission layer and light emitting device package including the same
KR101954202B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
KR20130138416A (ko) 발광소자
KR102007401B1 (ko) 발광소자
KR101941030B1 (ko) 발광소자 패키지
KR101729267B1 (ko) 발광 소자
KR101934000B1 (ko) 발광 소자
KR20130138482A (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
KR20140046162A (ko) 발광소자
KR20140019521A (ko) 발광소자
KR101756334B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR101861633B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR20140001352A (ko) 발광소자
KR101983773B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR20130074989A (ko) 발광소자
KR101874906B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101915214B1 (ko) 발광소자 어레이 및 이를 포함하는 조명시스템
KR20140073352A (ko) 발광 소자
KR101904324B1 (ko) 발광소자
KR20130058234A (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지
KR20140090800A (ko) 발광소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant