KR20130006297A

KR20130006297A - Developing processing apparatus, developing processing method and computer readable storage medium

Info

Publication number: KR20130006297A
Application number: KR1020120068504A
Authority: KR
Inventors: 코우이치 혼타케; 히데하루 쿄우다
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2011-07-07
Filing date: 2012-06-26
Publication date: 2013-01-16
Also published as: JP5584176B2; JP2013021004A; KR101760310B1

Abstract

PURPOSE: A developing processing apparatus, a developing processing method, and a computer readable storage medium are provided to properly form a resist pattern on a resist film by developing the resist film on a substrate with high precision. CONSTITUTION: A processing container(110) receives a substrate(W). A processing gas supply unit(122) supplies gas to the processing container. A density measuring unit(130) measures the density of acetic acid butyl gas in the processing container. A spin chuck(140) holds the substrate in the processing container. A developer nozzle supplies a developer with an organic solvent to the substrate held on the spin chuck.

Description

DEVELOPING PROCESSING APPARATUS, DEVELOPING PROCESSING METHOD AND COMPUTER READABLE STORAGE MEDIUM}

본 발명은 기판의 현상 처리 장치, 현상 처리 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a development apparatus for a substrate, a development processing method, a program, and a computer storage medium.

예를 들면, 반도체 디바이스의 제조 프로세스에서의 포토리소그래피 공정에서는, 예를 들면 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라고 함) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 당해 레지스트막에 소정의 패턴을 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 순차적으로 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다.For example, in the photolithography process in the manufacturing process of a semiconductor device, for example, a resist coating process for applying a resist liquid on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a "wafer") to form a resist film, and the predetermined resist film is applied to the resist film. An exposure process for exposing the pattern of, a development process for developing the exposed resist film, and the like are sequentially performed to form a predetermined resist pattern on the wafer.

상술한 현상 처리에서는, 예를 들면 웨이퍼 상에 알칼리성의 TMAH 현상액(테트라메틸암모늄 하이드로옥사이드 현상액)을 공급하여, 웨이퍼 표면 상에 현상액의 액막을 형성함으로써, 웨이퍼의 현상 처리가 행해지고 있다(특허 문헌 1).In the above-described development treatment, for example, an alkaline TMAH developer (tetramethylammonium hydroxide developer) is supplied onto the wafer to form a liquid film of the developer on the wafer surface, thereby developing the wafer (Patent Document 1). ).

특허 문헌 1: 일본특허공개공보 2006 - 2604호Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2006-2604

최근, 상술한 레지스트 패턴을 형성할 시에는 반도체 디바이스의 진보된 고집적화를 도모하기 위하여, 당해 레지스트 패턴의 미세화가 요구되고 있다. 또한, 이와 같이 미세한 레지스트 패턴을 높은 치수 정밀도로 형성하기 위하여, 상술한 현상 처리에서 레지스트막을 보다 높은 정밀도로 현상하는 것이 요구되고 있다.In recent years, when forming the resist pattern mentioned above, in order to achieve the high integration of a semiconductor device, refinement | miniaturization of the said resist pattern is calculated | required. In addition, in order to form such a fine resist pattern with high dimensional accuracy, it is required to develop the resist film with higher precision in the above-described development processing.

여기서, 특허 문헌 1에 기재된 현상 처리에서는 알칼리성의 TMAH 현상액이 웨이퍼 상으로 공급되므로, 이 현상액에 의해 노광된 레지스트막이 용해된다. 그러면, 노광 처리에서는 레지스트막이 용해되는 부분(레지스트 패턴의 트렌치 부분)이 노광되기 때문에, 당해 부분에 대응하는 개구부가 형성된 마스크를 이용하여 레지스트막이 노광된다. 이러한 경우, 레지스트 패턴의 트렌치의 미세화에 수반하여 마스크의 개구부도 미세화되므로, 노광 처리에서 마스크의 개구부에서 광의 회절 등이 발생하여 노광 콘트라스트가 부족해진다. 그러면, 레지스트막을 높은 정밀도로 노광 및 현상할 수 없어, 레지스트 패턴의 형상이 원하는 형상이 되지 않는 경우가 있었다.Here, in the development process described in Patent Document 1, since the alkaline TMAH developer is supplied onto the wafer, the resist film exposed by the developer is dissolved. Then, in the exposure process, since the portion where the resist film is dissolved (the trench portion of the resist pattern) is exposed, the resist film is exposed using a mask in which an opening corresponding to the portion is formed. In such a case, the opening of the mask is also miniaturized in accordance with the miniaturization of the trench of the resist pattern, so that light exposure occurs in the opening of the mask in the exposure process, resulting in insufficient exposure contrast. As a result, the resist film cannot be exposed and developed with high accuracy, and the shape of the resist pattern may not be a desired shape.

따라서, 발명자들은 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용하는 것을 생각했다. 이 현상액을 웨이퍼 상으로 공급하면, 노광되어 있지 않은 레지스트막이 용해되어, 노광된 레지스트막이 레지스트 패턴으로서 남는다. 이 때문에, 노광 처리의 마스크의 개구부를 크게 할 수 있어, 노광 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.Therefore, the inventors considered using a developing solution containing an organic solvent. When this developer is supplied onto the wafer, the unexposed resist film is dissolved, and the exposed resist film remains as a resist pattern. For this reason, the opening part of the mask of an exposure process can be enlarged, and an exposure contrast can be improved.

그러나, 유기 용제를 함유하는 현상액은 종래의 알칼리성의 현상액보다 쉽게 휘발되는 성질을 가진다. 현상액의 휘발 및 건조가 진행되면, 레지스트 성분이 재차 석출되어, 현상 결함이 발생하는 경우가 있다. 또한, 이러한 현상액의 휘발을 보충하기 위해서는 다량의 현상액이 필요해지는 경우가 있었다.However, a developer containing an organic solvent has a property that volatilizes more easily than a conventional alkaline developer. When volatilization and drying of a developing solution advance, a resist component may precipitate again and a development defect may arise. In addition, in order to compensate for volatilization of such a developer, a large amount of the developer may be required.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판 상의 레지스트막을 고정밀도로 현상하여, 당해 레지스트막에 레지스트 패턴을 적절히 형성하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of this point, Comprising: It aims at developing the resist film on a board | substrate with high precision, and forming a resist pattern in the said resist film suitably.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판의 현상 처리 장치로서, 기판을 수용하여 처리하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에서 기판을 보지(保持)하는 기판 보지부와, 상기 기판 보지부에 보지된 기판 상으로 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하는 현상액 공급부와, 상기 처리 용기 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 처리 용기로부터 유출된 처리 가스를 재차 처리 용기 내로 공급하여 순환시키는 가스 순환부를 가지는 것을 특징으로 하고 있다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to achieve the said objective, this invention is a development processing apparatus of a board | substrate, The processing container which accommodates and processes a board | substrate, the board | substrate holding part which hold | maintains a board | substrate in the said processing container, and the said board | substrate holding part A developer circulation portion for supplying a developer containing an organic solvent onto the held substrate, a gas supply portion for supplying a processing gas into the processing container, and a gas circulation for supplying and circulating the processing gas flowing out of the processing container into the processing container again. It is characterized by having a wealth.

본 발명에 따르면, 현상액 공급부로부터 기판 상으로 공급되는 현상액은 유기 용제를 함유하므로, 노광되어 있지 않은 레지스트막을 용해하고, 노광된 레지스트막을 레지스트 패턴으로서 형성할 수 있다. 이 때문에, 레지스트 패턴의 원하는 치수가 미세해도, 노광 처리에서의 마스크의 개구부를 크게 할 수 있으므로, 노광 콘트라스트가 향상된다. 따라서, 레지스트막을 높은 정밀도로 현상하여 상기 레지스트막에 형성되는 레지스트 패턴의 치수 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 현상 처리 장치는 처리 용기 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급부를 구비하고 있으므로, 현상 처리중의 처리 용기 내를 처리 가스로 충전할 수 있다. 이 처리 가스에 의해, 현상액의 휘발을 억제할 수 있다. 또한, 현상 처리 장치는 처리 가스를 순환시키는 가스 순환부를 가지고 있으므로, 처리 용기 내에 처리 가스의 기류를 형성할 수 있다. 이 처리 가스의 기류에 의해, 현상액의 휘발을 더 억제할 수 있다. 이와 같이 현상액의 휘발을 억제할 수 있으므로, 현상 결함을 억제할 수 있다. 또한, 현상액의 휘발을 억제함으로써, 현상액의 공급량을 저감시킬 수도 있다. 또한, 가스 순환부에 의해 처리 가스를 순환시키므로, 상기 처리 가스를 유효하게 이용할 수도 있다. 이상과 같이 본 발명에 따르면, 기판 상의 레지스트막을 고정밀도로 현상하여, 상기 레지스트막에 현상 결함이 억제된 레지스트 패턴을 적절히 형성할 수 있다.According to the present invention, the developer supplied from the developer supplying part onto the substrate contains an organic solvent, so that the unexposed resist film can be dissolved, and the exposed resist film can be formed as a resist pattern. For this reason, even if the desired dimension of a resist pattern is fine, since the opening part of a mask in an exposure process can be enlarged, exposure contrast improves. Therefore, the resist film can be developed with high precision to improve the dimensional accuracy of the resist pattern formed on the resist film. Moreover, since the developing processing apparatus is equipped with the gas supply part which supplies a processing gas into a processing container, the inside of the processing container in the developing process can be filled with a processing gas. By this processing gas, volatilization of the developing solution can be suppressed. In addition, since the developing apparatus has a gas circulation section for circulating the processing gas, the air flow of the processing gas can be formed in the processing container. By the airflow of the processing gas, volatilization of the developing solution can be further suppressed. Thus, since the volatilization of a developing solution can be suppressed, a developing defect can be suppressed. Moreover, the supply amount of a developing solution can also be reduced by suppressing volatilization of a developing solution. Moreover, since a process gas is circulated by a gas circulation part, the process gas can also be used effectively. According to the present invention as described above, the resist film on the substrate can be developed with high precision, and a resist pattern in which development defects are suppressed can be appropriately formed in the resist film.

상기 처리 가스는 기화한 유기 용제여도 된다.The process gas may be a vaporized organic solvent.

상기 현상 처리 장치는, 상기 처리 용기 내의 처리 가스의 농도를 측정하는 농도 측정기와, 상기 처리 가스의 농도가 소정의 농도가 되도록 상기 가스 공급부를 제어하는 제어부를 가지고 있어도 된다.The developing apparatus may have a concentration measuring device for measuring the concentration of the processing gas in the processing container, and a control unit for controlling the gas supply unit so that the concentration of the processing gas is a predetermined concentration.

상기 현상 처리 장치는, 상기 처리 용기 내로 불활성 가스를 공급하는 다른 가스 공급부를 가지고 있어도 된다.The developing apparatus may have another gas supply unit for supplying an inert gas into the processing container.

상기 처리 가스는 불활성 가스이며, 상기 처리 용기의 내부는 상기 처리 가스에 의해 소정의 압력으로 유지되어 있어도 된다.The processing gas is an inert gas, and the inside of the processing container may be maintained at a predetermined pressure by the processing gas.

상기 현상 처리 장치는, 상기 처리 용기 내의 처리 가스의 압력을 측정하는 압력 측정기와, 상기 처리 가스의 압력이 상기 소정의 압력이 되도록 상기 가스 공급부를 제어하는 제어부를 가지고 있어도 된다.The developing apparatus may have a pressure measuring device for measuring the pressure of the processing gas in the processing container, and a control unit for controlling the gas supply unit so that the pressure of the processing gas becomes the predetermined pressure.

상기 처리 용기 내로서 기판 보지부의 상방에는, 상기 가스 공급부로부터의 처리 가스를 확산시켜 처리 용기 내로 공급하는 가스 확산부가 설치되고, 상기 가스 확산부의 기판 보지부측의 표면에는, 상기 처리 가스가 공급되는 공급구가 복수 형성되어 있어도 된다.A gas diffusion section for diffusing the processing gas from the gas supply section and supplying the processing gas from the gas supply section to the processing container is provided inside the processing container, and the supply of the processing gas is supplied to the surface of the substrate holding section side of the gas diffusion section. Plural spheres may be formed.

상기 가스 공급부에는, 상기 처리 가스의 온도를 조절하는 온도 조절 기구가 설치되어 있어도 된다.The gas supply part may be provided with a temperature control mechanism for adjusting the temperature of the processing gas.

상기 현상 처리 장치는, 상기 처리 용기 내에서 상기 기판 보지부에 보지된 기판의 측방을 둘러싸도록 설치된 컵을 가지고, 상기 가스 순환부는, 상기 컵으로부터 유출된 처리 가스를 상기 처리 용기 내에 순환시켜도 된다.The said developing processing apparatus has the cup provided so that the side of the board | substrate hold | maintained in the said board | substrate holding part may be circulated in the said processing container, and the said gas circulation part may circulate the processing gas which flowed out from the said cup in the said processing container.

상기 현상 처리 장치는, 상기 기판 보지부에 보지된 기판 상으로 현상액의 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 가지고 있어도 된다.The developing apparatus may have a rinse liquid supply unit for supplying a rinse liquid of a developing solution onto the substrate held by the substrate holding unit.

다른 관점에 따른 본 발명은 기판의 현상 처리 방법으로서, 처리 용기 내에 기판을 수용하여 기판 보지부에 기판을 보지한 후, 가스 공급부로부터 상기 처리 용기 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 공정과, 이 후, 상기 기판 보지부에 보지된 기판 상으로 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하여 현상 처리를 행하는 현상 처리 공정을 가지고, 상기 현상 처리 공정에서, 상기 처리 용기로부터 유출된 처리 가스를 재차 처리 용기 내로 공급하여 순환시키는 것을 특징으로 하고 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method for developing a substrate, comprising: a gas supply step of accommodating a substrate in a processing container, holding the substrate in a substrate holding portion, and then supplying a processing gas from a gas supply portion into the processing container; And a developing treatment step of supplying a developing solution containing an organic solvent onto the substrate held by the substrate holding portion to perform a developing treatment. In the developing processing step, the processing gas flowing out of the processing container is supplied into the processing container again. It is characterized by circulating by.

상기 현상 처리 공정에서 상기 처리 용기 내의 처리 가스의 농도는 소정의 농도로 유지되어 있어도 된다.In the developing treatment step, the concentration of the processing gas in the processing container may be maintained at a predetermined concentration.

상기 처리 가스는 불활성 가스이며, 상기 현상 처리 공정에서 상기 처리 용기의 내부는 상기 처리 가스에 의해 소정의 압력으로 유지되어 있어도 된다.The processing gas is an inert gas, and the interior of the processing container may be maintained at a predetermined pressure by the processing gas in the developing treatment step.

상기 현상 처리 공정에서 상기 처리 용기로 공급되는 처리 가스는 소정의 온도로 조절되어 있어도 된다.The processing gas supplied to the processing container in the developing treatment step may be adjusted to a predetermined temperature.

상기 현상 처리 방법은, 상기 현상 처리 공정 후, 상기 기판 보지부에 보지된 기판 상으로 현상액의 린스액을 공급하는 린스 공정을 가지고 있어도 된다.The developing treatment method may have a rinsing step of supplying a rinse liquid of a developing solution onto the substrate held by the substrate holding portion after the developing treatment step.

상기 린스 공정 중, 상기 처리 용기 내로 불활성 가스를 공급해도 된다.In the rinsing step, an inert gas may be supplied into the processing container.

또한, 다른 관점에 따른 본 발명에 따르면, 상기 현상 처리 방법을 현상 처리 장치에 의해 실행시키기 위하여, 상기 현상 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램이 제공된다.Further, according to the present invention according to another aspect, in order to execute the development processing method by the development processing apparatus, a program operating on a computer of a control unit controlling the development processing apparatus is provided.

또 다른 관점에 따른 본 발명에 따르면, 상기 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a readable computer storage medium storing the program.

본 발명에 따르면, 기판 상의 레지스트막을 고정밀도로 현상하여, 당해 레지스트막에 레지스트 패턴을 적절히 형성할 수 있다.According to the present invention, the resist film on the substrate can be developed with high precision, and a resist pattern can be appropriately formed on the resist film.

도 1은 본 실시예에 따른 현상 처리 장치를 구비한 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 2는 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 3은 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 4는 현상 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 5는 현상 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 6은 현상 처리의 주된 공정을 나타낸 순서도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 현상 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 현상 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.1 is a plan view showing an outline of an internal configuration of a coating and developing treatment system provided with a developing apparatus according to the present embodiment.
2 is a side view showing an outline of an internal configuration of a coating and developing treatment system.
3 is a side view illustrating an outline of an internal configuration of a coating and developing treatment system.
4 is a longitudinal cross-sectional view showing an outline of the configuration of the developing apparatus.
5 is a cross sectional view showing an outline of a configuration of a developing apparatus.
6 is a flowchart showing the main steps of the development treatment.
7 is a longitudinal cross-sectional view schematically showing the configuration of a developing apparatus according to another embodiment.
8 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of a developing apparatus according to another embodiment.

이하에, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 현상 처리 장치를 구비한 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시한 평면도이다. 도 2 및 도 3은 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시한 측면도이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described. 1 is a plan view showing an outline of an internal configuration of a coating and developing treatment system 1 equipped with a developing treatment apparatus according to the present invention. 2 and 3 are side views showing the outline of the internal configuration of the coating and developing treatment system 1.

도포 현상 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 예를 들면 외부와의 사이에서 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입출되는 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 처리 중에 매엽식으로 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(3)과, 처리 스테이션(3)에 인접하는 노광 장치(4)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(5)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.As shown in FIG. 1, the coating and developing processing system 1 includes, for example, a cassette station 2 into which a cassette C containing a plurality of wafers W is carried in and out from the outside; Transfer of wafer W between a processing station 3 having a plurality of various processing apparatuses that perform a predetermined process on a single sheet during photolithography processing, and an exposure apparatus 4 adjacent to the processing station 3. It has the structure which connected the interface station 5 which performs the connection integrally.

카세트 스테이션(2)에는 카세트 재치대(載置臺)(10)가 설치되어 있다. 카세트 재치대(10)에는 복수, 예를 들면 4 개의 카세트 재치판(11)이 설치되어 있다. 카세트 재치판(11)은 수평 방향인 X 방향(도 1 중 상하 방향)으로 일렬로 나란히 설치되어 있다. 이들 카세트 재치판(11)에는 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반입출할 시, 카세트(C)를 재치할 수 있다.The cassette station 2 is provided with a cassette holder 10. The cassette placing table 10 is provided with a plurality, for example, four cassette placing plates 11. The cassette placing plates 11 are arranged side by side in the X direction (up and down direction in Fig. 1) which is a horizontal direction. The cassette C can be mounted on these cassette placing plates 11 when the cassette C is carried in and out of the coating development processing system 1.

카세트 스테이션(2)에는, 도 1에 도시한 바와 같이, X 방향으로 연장되는 반송로(20) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(21)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(21)는 상하 방향 및 수직축 중심(θ 방향)으로도 이동 가능하며, 각 카세트 재치판(11) 상의 카세트(C)와 후술하는 처리 스테이션(3)의 제 3 블록(G3)의 전달 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in FIG. 1, the cassette station 2 is provided with a wafer transfer device 21 that can move on the transfer path 20 extending in the X direction. The wafer conveying apparatus 21 is also movable in the up-down direction and the vertical axis center (θ direction), and the cassette C on each cassette placing plate 11 and the third block G3 of the processing station 3 to be described later are described. The wafer W can be conveyed with the delivery device.

처리 스테이션(3)에는 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들면 4 개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 설치되어 있다. 예를 들면, 처리 스테이션(3)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는 제 1 블록(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는 제 2 블록(G2)이 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(3)의 카세트 스테이션(2)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는 제 3 블록(G3)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 인터페이스 스테이션(5)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는 제 4 블록(G4)이 설치되어 있다.The processing station 3 is provided with plural, for example, four blocks G1, G2, G3, and G4 provided with various devices. For example, the 1st block G1 is provided in the front side (X direction negative direction side of FIG. 1) of the processing station 3, and the back side (X direction positive direction side of FIG. 1) of the processing station 3 is provided. The second block G2 is provided. Further, a third block G3 is provided on the cassette station 2 side (the Y-direction negative direction side in FIG. 1) of the processing station 3, and the interface station 5 side of the processing station 3 (FIG. 1). In the Y-direction forward direction), the fourth block G4 is provided.

예를 들면, 제 1 블록(G1)에는, 도 3에 도시한 바와 같이, 복수의 액처리 장치, 예를 들면 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하, '하부 반사 방지막'이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하, '상부 반사 방지막'이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 아래로부터 차례로 적층되어 있다.For example, as shown in FIG. 3, in the first block G1, a plurality of liquid processing apparatuses, for example, a developing apparatus 30 for developing a wafer W and a resist of the wafer W A lower anti-reflection film forming apparatus 31 for forming an anti-reflection film (hereinafter referred to as a "lower anti-reflection film") under the film, a resist coating device 32 for applying a resist liquid to the wafer W to form a resist film, a wafer An upper antireflection film forming apparatus 33 for forming an antireflection film (hereinafter referred to as an 'upper antireflection film') on the upper layer of the resist film of (W) is stacked in order from the bottom.

예를 들면, 현상 처리 장치(30)와 레지스트 도포 장치(32)는 각각 수평 방향으로 3 개, 상하 방향으로 2 층으로 나란히 배치되어 있다. 또한, 예를 들면 하부 반사 방지막 형성 장치(31)와 상부 반사 방지막 형성 장치(33)는 각각 수평 방향으로 3 개 나란히 배치되어 있다. 또한, 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32) 및 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 수 및 배치는 임의로 선택할 수 있다.For example, the developing processing apparatus 30 and the resist coating apparatus 32 are each arrange | positioned side by side by three in the horizontal direction and two layers in the up-down direction. For example, the lower anti-reflective film forming apparatus 31 and the upper anti-reflective film forming apparatus 33 are respectively arranged side by side in three horizontal directions. In addition, the number and arrangement of the developing apparatus 30, the lower antireflection film forming apparatus 31, the resist coating device 32, and the upper antireflection film forming apparatus 33 can be arbitrarily selected.

예를 들면, 제 2 블록(G2)에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 장치(40) 및 웨이퍼(W)를 소수화 처리하는 애드히젼 장치(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(42)가 상하 방향과 수평 방향으로 나란히 설치되어 있다. 열처리 장치(40)는 웨이퍼(W)를 재치하여 가열하는 열판과, 웨이퍼(W)를 재치하여 냉각하는 냉각판을 가져, 가열 처리와 냉각 처리의 양방을 행할 수 있다. 또한, 열처리 장치(40), 애드히젼 장치(41) 및 주변 노광 장치(42)의 수 및 배치는 임의로 선택할 수 있다.For example, as shown in FIG. 2, in the second block G2, the heat treatment apparatus 40 for performing a heat treatment of the wafer W, the ad-hire apparatus 41 for hydrophobizing the wafer W, and a wafer Peripheral exposure apparatus 42 which exposes the outer peripheral part of (W) is provided side by side in the vertical direction and the horizontal direction. The heat treatment apparatus 40 has the hotplate which mounts and heats the wafer W, and the cooling plate which mounts and cools the wafer W, and can perform both a heat processing and a cooling process. In addition, the number and arrangement of the heat treatment apparatus 40, the adhesion apparatus 41, and the peripheral exposure apparatus 42 can be arbitrarily selected.

예를 들면, 제 3 블록(G3)에는 복수의 전달 장치(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)가 아래로부터 차례로 설치되어 있다. 또한, 제 4 블록(G4)에는 복수의 전달 장치(60, 61, 62)가 아래로부터 차례로 설치되어 있다.For example, in the 3rd block G3, some delivery apparatus 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 is provided in order from the bottom. In the fourth block G4, a plurality of delivery devices 60, 61, 62 are provided in order from below.

도 1에 도시한 바와 같이, 제 1 블록(G1) ~ 제 4 블록(G4)으로 둘러싸인 영역에는 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예를 들면 웨이퍼 반송 장치(70)가 배치되어 있다.As shown in FIG. 1, the wafer conveyance area | region D is formed in the area | region enclosed by the 1st block G1-the 4th block G4. In the wafer transfer region D, for example, a wafer transfer apparatus 70 is disposed.

웨이퍼 반송 장치(70)는, 예를 들면 Y 방향, X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하여, 주위의 제 1 블록(G1), 제 2 블록(G2), 제 3 블록(G3) 및 제 4 블록(G4) 내의 소정의 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The wafer conveyance apparatus 70 has a conveyance arm which can move to a Y direction, an X direction, a (theta) direction, and an up-down direction, for example. The wafer conveyance apparatus 70 moves in the wafer conveyance area | region D, and predetermined | prescribed in the surrounding 1st block G1, the 2nd block G2, the 3rd block G3, and the 4th block G4. The wafer W can be conveyed by the apparatus.

웨이퍼 반송 장치(70)는, 예를 들면 도 2에 도시한 바와 같이 상하로 복수대 배치되고, 예를 들면 각 블록(G1 ~ G4)의 동일 정도의 높이의 소정의 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.For example, as shown in FIG. 2, a plurality of wafer transfer apparatuses 70 are arranged up and down, and for example, the wafers W are transferred to a predetermined device having the same height as each of the blocks G1 to G4. You can return it.

또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는 제 3 블록(G3)과 제 4 블록(G4)의 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 설치되어 있다.Moreover, the shuttle conveyance apparatus 80 which linearly conveys the wafer W is provided in the wafer conveyance area | region D between 3rd block G3 and 4th block G4.

셔틀 반송 장치(80)는, 예를 들면 Y 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 Y 방향으로 이동하고, 제 3 블록(G3)의 전달 장치(52)와 제 4 블록(G4)의 전달 장치(62)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The shuttle conveying apparatus 80 is movable linearly in the Y direction, for example. The shuttle transfer device 80 moves in the Y direction while supporting the wafer W, and between the delivery device 52 of the third block G3 and the delivery device 62 of the fourth block G4. The wafer W can be conveyed.

도 1에 도시한 바와 같이, 제 3 블록(G3)의 X 방향 정방향측의 근처에는 웨이퍼 반송 장치(90)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 예를 들면 X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 상하로 이동하여, 제 3 블록(G3) 내의 각 전달 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in FIG. 1, the wafer conveyance apparatus 90 is provided in the vicinity of the X-direction positive direction side of 3rd block G3. The wafer conveyance apparatus 90 has the conveyance arm which can move to an X direction, (theta) direction, and an up-down direction, for example. The wafer conveyance apparatus 90 can move up and down in the state which supported the wafer W, and can convey the wafer W to each delivery apparatus in 3rd block G3.

인터페이스 스테이션(5)에는 웨이퍼 반송 장치(100)와 전달 장치(101)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들면 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들면 반송 암에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제 4 블록(G4) 내의 각 전달 장치, 전달 장치(101) 및 노광 장치(4)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The interface station 5 is provided with a wafer transfer device 100 and a transfer device 101. The wafer conveyance apparatus 100 has the conveyance arm which can move to a Y direction, (theta) direction, and an up-down direction, for example. The wafer conveyance apparatus 100 supports the wafer W in a conveyance arm, for example, and the wafer W between each delivery apparatus, the delivery apparatus 101, and the exposure apparatus 4 in 4th block G4. ) Can be returned.

이어서, 상술한 현상 처리 장치(30)의 구성에 대하여 설명한다. 현상 처리 장치(30)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 내부를 밀폐할 수 있는 처리 용기(110)를 가지고 있다. 처리 용기(110)의 내부는 후술하는 초산 부틸 가스의 인화점 이상의 분위기가 될 경우가 있기 때문에, 처리 용기(110)는 방폭(防爆) 사양으로 한다. 또한, 처리 용기(110)의 일측면에는, 도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 반입출구(111)가 형성되고, 반입출구(111)에는 개폐 셔터(112)가 설치되어 있다.Next, the structure of the above-mentioned developing processing apparatus 30 is demonstrated. As shown in FIG. 4, the development processing apparatus 30 has a processing container 110 that can seal the inside. Since the inside of the processing container 110 may be an atmosphere more than the flash point of butyl acetate gas mentioned later, the processing container 110 shall be explosion-proof specification. Moreover, as shown in FIG. 5, the carrying in and out ports 111 of the wafer W are formed in one side surface of the processing container 110, and the opening and closing shutter 112 is provided in the carrying in and out ports 111.

처리 용기(110)의 저면(底面)에는, 도 4에 도시한 바와 같이, 당해 처리 용기(110)의 내부의 분위기를 배기하기 위한 배기관(113)이 접속되어 있다. 배기관(113)은 밸브(114)를 개재하여, 예를 들면 진공 펌프 등의 부압(負壓) 발생 장치(도시하지 않음)에 연통하고 있다.As shown in FIG. 4, the exhaust pipe 113 for exhausting the atmosphere inside the processing container 110 is connected to the bottom surface of the processing container 110. The exhaust pipe 113 communicates with a negative pressure generator (not shown), such as a vacuum pump, via the valve 114.

처리 용기(110) 내의 천장면에는 가스 확산부(120)가 설치되어 있다. 가스 확산부(120)에는 공급관(121)을 개재하여, 처리 용기(110) 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급부로서의 처리 가스 공급부(122)가 접속되어 있다. 본 실시예에서는 처리 가스로서 기화한 유기 용제, 예를 들면 초산 부틸 가스가 이용된다. 처리 가스 공급부(122)는 그 내부에 액체 형상의 초산 부틸을 저류하고 있다. 처리 가스 공급부(122)에서는 내부에 질소 가스가 공급됨으로써 액체 형상의 초산 부틸이 기화하여, 초산 부틸 가스가 생성된다. 또한, 공급관(121)에는 처리 가스 공급부(122)에서 생성된 초산 부틸 가스의 흐름을 제어하는 밸브(123)가 설치되어 있다. 또한, 공급관(121)에서 후술하는 순환로(150)로부터 처리 가스 공급부(122)측에는 초산 부틸 가스가 처리 가스 공급부(122)로 역류하는 것을 방지하는 역류 방지 밸브(124)가 설치되어 있다.The gas diffusion part 120 is provided in the ceiling surface in the processing container 110. The process gas supply part 122 as a gas supply part which supplies a process gas into the process container 110 via the supply pipe 121 is connected to the gas diffusion part 120. In this embodiment, an evaporated organic solvent such as butyl acetate gas is used as the processing gas. The processing gas supply part 122 stores butyl acetate in a liquid form therein. In the process gas supply part 122, butyl acetate in a liquid form is vaporized by supplying nitrogen gas therein, and butyl acetate gas is produced. In addition, the supply pipe 121 is provided with a valve 123 for controlling the flow of the butyl acetate gas generated in the processing gas supply unit 122. Moreover, the backflow prevention valve 124 which prevents butyl acetate gas from flowing back to the process gas supply part 122 is provided in the process gas supply part 122 side from the circulation path 150 mentioned later in the supply pipe 121.

또한, 가스 확산부(120)에는 공급관(125)을 개재하여, 처리 용기(110) 내를 퍼지하기 위한 퍼지 가스를 공급하는 다른 가스 공급부로서의 퍼지 가스 공급부(126)가 접속되어 있다. 본 실시예에서는 퍼지 가스로서 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스가 이용된다. 퍼지 가스 공급부(126)는 그 내부에 질소 가스를 저류하고 있다. 또한, 공급관(125)에는 퍼지 가스 공급부(126)로부터의 질소 가스의 흐름을 제어하는 밸브(127)가 설치되어 있다. 또한, 공급관(121)과 공급관(125)은 그 하류측에서 합류하고, 상기 가스 확산부(120)에 접속되어 있다.In addition, the gas diffusion part 120 is connected to the gas diffusion part 120 as the other gas supply part which supplies the purge gas for purging the inside of the processing container 110 via the supply pipe 125. In this embodiment, an inert gas, for example nitrogen gas, is used as the purge gas. The purge gas supply unit 126 stores nitrogen gas therein. In addition, the supply pipe 125 is provided with a valve 127 for controlling the flow of nitrogen gas from the purge gas supply unit 126. In addition, the supply pipe 121 and the supply pipe 125 are joined at the downstream side thereof and are connected to the gas diffusion part 120.

가스 확산부(120)의 내부에는 처리 가스 공급부(122)로부터 공급된 초산 부틸 가스 및 퍼지 가스 공급부(126)로부터 공급된 질소 가스가 도입되는 내부 공간(128)이 형성되어 있다. 가스 확산부(120)의 하면(웨이퍼(W)측의 표면)에는 내부 공간(128)으로 도입된 초산 부틸 가스 및 질소 가스를 처리 용기(110) 내로 공급하는 복수의 공급구(129)가 형성되어 있다. 복수의 공급구(129)는 가스 확산부(120)의 하면 전체에 균일하게 분포하도록 형성되어 있다. 그리고, 가스 확산부(120)는 내부 공간(128) 내의 초산 부틸 가스 및 질소 가스가 복수의 공급구(129)를 거쳐 공급되어, 처리 용기(110)의 내부 전체에 확산되도록 배치되어 있다. 또한, 가스 확산부(120)를 개재함으로써, 후술하는 스핀 척(140)에 보지(保持)된 웨이퍼(W) 상으로도 초산 부틸 가스 및 질소 가스를 균일하게 공급할 수 있다.In the gas diffusion part 120, an internal space 128 into which the butyl acetate gas supplied from the process gas supply part 122 and the nitrogen gas supplied from the purge gas supply part 126 is introduced is formed. On the lower surface of the gas diffusion part 120 (the surface on the side of the wafer W), a plurality of supply ports 129 for supplying butyl acetate gas and nitrogen gas introduced into the internal space 128 into the processing container 110 are formed. It is. The plurality of supply ports 129 are formed to be uniformly distributed over the entire lower surface of the gas diffusion unit 120. The gas diffusion unit 120 is arranged such that butyl acetate gas and nitrogen gas in the internal space 128 are supplied through the plurality of supply ports 129 to diffuse into the entire interior of the processing container 110. Moreover, butyl acetate gas and nitrogen gas can be uniformly supplied also to the wafer W held by the spin chuck 140 mentioned later by interposing the gas diffusion part 120.

처리 용기(110)에는 당해 처리 용기(110) 내의 초산 부틸 가스의 농도를 측정하는 농도 측정기(130)가 설치되어 있다. 농도 측정기(130)의 측정 결과는 농도 제어부(131)에 출력된다. 농도 제어부(131)에서는 측정 결과에 기초하여 초산 부틸 가스의 농도가 소정의 농도, 예를 들면 1% ~ 20%가 되도록, 예를 들면 밸브(123) 및 밸브(114) 혹은 후술하는 가스 순환부(151) 및 밸브(153) 등을 제어한다. 또한, 소정의 농도는, 예를 들면 처리 용기(110) 내의 현상액의 휘발 속도가 상압 하의 현상액의 휘발 속도에 대하여, 예를 들면 10% 이하가 되도록 설정된다. 또한, 소정의 농도는 레지스트의 종류 및 유기 용제의 종류에 의해 설정되는 것이다.The processing container 110 is provided with a concentration meter 130 for measuring the concentration of butyl acetate gas in the processing container 110. The measurement result of the concentration measuring unit 130 is output to the concentration control unit 131. In the concentration control unit 131, for example, the valve 123 and the valve 114 or the gas circulation unit described later so that the concentration of the butyl acetate gas becomes a predetermined concentration, for example, 1% to 20% based on the measurement result. 151, the valve 153, and the like are controlled. In addition, the predetermined concentration is set such that, for example, the volatilization rate of the developer in the processing container 110 becomes 10% or less with respect to the volatilization rate of the developer under normal pressure. In addition, a predetermined density | concentration is set by the kind of resist and the kind of organic solvent.

처리 용기(110)의 내부로서 가스 확산부(120)의 하방에는 웨이퍼(W)를 보지하여 회전시키는 기판 보지부로서의 스핀 척(140)이 설치되어 있다. 스핀 척(140)은 수평인 상면을 가지고, 당해 상면에는, 예를 들면 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 웨이퍼(W)를 스핀 척(140) 상에 흡착 보지할 수 있다.The spin chuck 140 serving as the substrate holding unit for holding and rotating the wafer W is provided below the gas diffusion unit 120 inside the processing container 110. The spin chuck 140 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W is formed on the upper surface, for example. By suction from this suction port, the wafer W can be attracted and held on the spin chuck 140.

스핀 척(140)은, 예를 들면 모터 등을 구비한 척 구동부(141)를 가지고, 이 척 구동부(141)에 의해 소정의 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동부(141)에는 실린더 등의 승강 구동원이 설치되어 있어, 스핀 척(140)은 상하 이동 가능하게 되어 있다.The spin chuck 140 has, for example, a chuck driver 141 provided with a motor or the like, and can be rotated at a predetermined speed by the chuck driver 141. In addition, the chuck drive unit 141 is provided with a lift drive source such as a cylinder, and the spin chuck 140 is movable up and down.

스핀 척(140)의 하방에는 단면 형상이 산 형상인 가이드 링(142)이 설치되어 있고, 이 가이드 링(142)의 주연부는 하방측으로 굴곡져 연장되어 있다. 스핀 척(140), 스핀 척(140)에 보지된 웨이퍼(W) 및 가이드 링(142)의 주위에는 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아 회수하는 컵(143)이 설치되어 있다.Below the spin chuck 140, a guide ring 142 having a hill-shaped cross-sectional shape is provided, and the periphery of the guide ring 142 is bent downward to extend. Around the wafer W and the guide ring 142 held by the spin chuck 140, the spin chuck 140, a cup 143 is provided for receiving and recovering liquid scattered or falling from the wafer W. As shown in FIG.

이 컵(143)은 상면에 스핀 척(140)이 승강할 수 있도록 웨이퍼(W)보다 큰 개구부가 형성되어 있고, 또한 측주면(側周面)과 가이드 링(142)의 주연부와의 사이에 배출로를 이루는 간극(144)이 형성되어 있다. 컵(143)의 하부는 가이드 링(142)의 주연 부분과 함께 굴곡로를 형성하여 기액(氣液) 분리부를 구성하고 있다.The cup 143 has an opening larger than the wafer W so that the spin chuck 140 can be lifted and raised on the upper surface, and between the side circumferential surface and the periphery of the guide ring 142. A gap 144 constituting the discharge path is formed. The lower part of the cup 143 forms a curved path with the peripheral part of the guide ring 142, and comprises the gas-liquid separation part.

컵(143)의 저부(底部)의 내측 영역에는 컵(143) 내(처리 용기(110) 내)의 초산 부틸 가스를 순환시키기 위한 순환로(150)가 접속되어 있다. 순환로(150)는 컵(143)의 저부에 대하여 복수 개소에 형성되어 있어도 되고, 환상(環狀)으로 형성되어 있어도 된다. 순환로(150)는 초산 부틸 가스의 공급관(121)에 접속되어 있다. 또한, 순환로(150)에는 컵(143) 내의 초산 부틸 가스를 공급관(121)에 순환시키고 또한 처리 용기(110) 내에 순환시키기 위한 가스 순환부(151)가 설치되어 있다. 가스 순환부(151)에는, 예를 들면 팬이 이용된다.The circulation path 150 for circulating butyl acetate gas in the cup 143 (in the processing container 110) is connected to the inner region of the bottom of the cup 143. The circulation path 150 may be formed in multiple places with respect to the bottom part of the cup 143, and may be formed in annular shape. The circulation path 150 is connected to the supply pipe 121 of butyl acetate gas. In addition, the circulation path 150 is provided with a gas circulation part 151 for circulating the butyl acetate gas in the cup 143 to the supply pipe 121 and circulating in the processing container 110. A fan is used for the gas circulation part 151, for example.

또한, 컵(143)의 저부의 내측 영역에는 컵(143) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관(152)이 접속되어 있다. 배기관(152)은 밸브(153)를 개재하여, 예를 들면 진공 펌프 등의 부압 발생 장치(도시하지 않음)에 연통하고 있다.In addition, an exhaust pipe 152 for exhausting the atmosphere in the cup 143 is connected to an inner region of the bottom of the cup 143. The exhaust pipe 152 communicates with a negative pressure generator (not shown), such as a vacuum pump, via the valve 153.

또한, 컵(143)의 저부의 외측 영역에는 당해 컵(143)으로 회수한 액체를 배출하기 위한 배액관(154)이 접속되어 있다. 배액관(154)은 회수한 폐액을 일단 저류하는 폐액 용기(155)에 연통하고 있다. 또한, 폐액 용기(155)는 밸브(도시하지 않음)를 개재하여 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부의 폐액 회수 장치(도시하지 않음)에 연통하고 있다.In addition, a drain pipe 154 for discharging the liquid recovered to the cup 143 is connected to the outer region of the bottom of the cup 143. The drainage pipe 154 communicates with a waste liquid container 155 that once stores the collected waste liquid. In addition, the waste liquid container 155 communicates with the waste liquid collection | recovery apparatus (not shown) of the exterior of the application | coating development processing system 1 via a valve (not shown).

처리 용기(110)의 내부로서 스핀 척(140)의 상방에는 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급하는 현상액 공급부로서의 현상액 노즐(160)이 배치되어 있다. 현상액 노즐(160)에는 현상액 공급원(161)에 연통하는 공급관(162)이 접속되어 있다. 현상액 공급원(161) 내에는 유기 용매, 예를 들면 초산 부틸을 함유하는 현상액, 이른바 유기 현상액이 저류되어 있다. 공급관(162)에는 현상액의 흐름을 제어하는 밸브(163)가 설치되어 있다.A developing solution nozzle 160 as a developing solution supply unit for supplying a developing solution onto the wafer W is disposed above the spin chuck 140 inside the processing container 110. The developing solution nozzle 160 is connected to a supply pipe 162 which communicates with the developing solution supply source 161. In the developer supply source 161, a developer containing an organic solvent, for example, butyl acetate, and a so-called organic developer are stored. The supply pipe 162 is provided with a valve 163 for controlling the flow of the developer.

또한, 처리 용기(110)의 내부로서 스핀 척(140)의 상방에는 웨이퍼(W) 상으로 현상액의 린스액을 공급하는 린스액 공급부로서의 린스액 노즐(164)이 배치되어 있다. 린스액 노즐(164)에는 린스액 공급원(165)에 연통하는 공급관(166)이 접속되어 있다. 린스액 공급원(165) 내에는 현상액의 린스액이 저류되어 있다. 본 실시예에서는 린스액으로서, 예를 들면 MIBC(메틸 아밀알코올)이 이용된다. MIBC은 레지스트에 데미지를 주지 않고 현상액 중의 유기 용제를 치환하여 배출할 수 있다. 또한, 공급관(166)에는 린스액의 흐름을 제어하는 밸브(167)가 설치되어 있다.Further, a rinse liquid nozzle 164 as a rinse liquid supply unit for supplying a rinse liquid of a developing solution onto the wafer W is disposed above the spin chuck 140 within the processing container 110. A supply pipe 166 is connected to the rinse liquid nozzle 164 to communicate with the rinse liquid supply source 165. The rinse liquid of the developer is stored in the rinse liquid supply source 165. In this embodiment, for example, MIBC (methyl amyl alcohol) is used as the rinse liquid. MIBC can be discharged by replacing the organic solvent in the developer without damaging the resist. In addition, the supply pipe 166 is provided with a valve 167 for controlling the flow of the rinse liquid.

현상액 노즐(160)은, 도 5에 도시한 바와 같이, 암(168)을 개재하여 노즐 구동부(169)에 접속되어 있다. 암(168)은 노즐 구동부(169)에 의해 처리 용기(110)의 Y 방향(도 5의 좌우 방향)으로 연장되는 가이드 레일(170)을 따라, 컵(143)의 Y 방향 정방향(도 5의 우측향)측의 외방에 설치된 대기부(171)로부터 컵(143) 내의 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼(W)의 표면 상을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 암(168)은 노즐 구동부(169)에 의해 승강 가능하며, 현상액 노즐(160)의 높이를 조정할 수 있다.As shown in FIG. 5, the developing solution nozzle 160 is connected to the nozzle driving unit 169 via the arm 168. The arm 168 is along the guide rail 170 extending in the Y direction (left and right direction in FIG. 5) of the processing container 110 by the nozzle drive unit 169, and the positive direction in the Y direction of the cup 143 (FIG. 5). It can move to the upper part of the center part of the wafer W in the cup 143 from the standby part 171 provided in the outer side of the right side), and also moves the surface surface of the said wafer W in the radial direction of the wafer W. As shown in FIG. Can be. In addition, the arm 168 can be raised and lowered by the nozzle driver 169, and the height of the developer nozzle 160 can be adjusted.

마찬가지로, 린스액 노즐(164)도 암(172)을 개재하여 노즐 구동부(173)에 접속되어 있다. 암(172)은 노즐 구동부(173)에 의해 상기 가이드 레일(170)을 따라, 컵(143)의 Y 방향 부방향(도 5의 좌방향)측의 외방에 설치된 대기부(174)로부터 컵(143) 내의 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼(W)의 표면 상을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 암(172)은 노즐 구동부(173)에 의해 승강 가능하며, 린스액 노즐(164)의 높이를 조정할 수 있다.Similarly, the rinse liquid nozzle 164 is also connected to the nozzle drive unit 173 via the arm 172. The arm 172 is connected to the cup from the standby portion 174 provided along the guide rail 170 by the nozzle driver 173 on the outside of the cup 143 in the negative direction (left direction in FIG. 5) of the cup 143. It can move to the upper part of the center part of the wafer W in the 143, and can also move on the surface of the said wafer W in the radial direction of the wafer W. As shown in FIG. In addition, the arm 172 can be lifted and lowered by the nozzle driver 173, and the height of the rinse liquid nozzle 164 can be adjusted.

또한, 이상의 구성에서는 현상액을 공급하는 현상액 노즐(160)과 린스액을 공급하는 린스액 노즐(164)이 각각의 암에 지지되어 있었지만, 동일한 암에 지지되고, 이 암의 이동의 제어에 의해 현상액 노즐(160)과 린스액 노즐(164)의 이동과 공급 타이밍을 제어해도 된다.Moreover, in the above structure, although the developing solution nozzle 160 which supplies a developing solution, and the rinse liquid nozzle 164 which supplies a rinse liquid were supported by each arm, they are supported by the same arm and by the control of the movement of this arm, The movement and supply timing of the nozzle 160 and the rinse liquid nozzle 164 may be controlled.

이상의 도포 현상 처리 시스템(1)에는, 도 1에 도시한 바와 같이, 제어부(200)가 설치되어 있다. 제어부(200)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는 현상 처리 장치(30)에서의 웨이퍼(W)의 현상 처리를 실행하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 이에 더하여, 프로그램 저장부에는 카세트 스테이션(2), 처리 스테이션(3), 노광 장치(4), 인터페이스 스테이션(5) 간의 웨이퍼(W)의 반송 및 처리 스테이션(3)에서의 구동계의 동작 등을 제어하여, 도포 현상 처리 시스템(1)에서의 웨이퍼 처리를 실행하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 이 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉서블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로, 이 기억 매체(H)로부터 제어부(200)에 인스톨된 것이어도 된다. 또한, 상술한 농도 제어부(131)는 이 제어부(200)의 일부로서 구성되어 있어도 되고, 농도 제어부(131)와 제어부(200)는 따로 설치되어 있어도 된다.As shown in FIG. 1, the control unit 200 is provided in the coating development processing system 1 described above. The control unit 200 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). In the program storage unit, a program for executing the development processing of the wafer W in the development processing apparatus 30 is stored. In addition, in addition to the program storage unit, the transfer of the wafer W between the cassette station 2, the processing station 3, the exposure apparatus 4, and the interface station 5 and the operation of the drive system at the processing station 3 are performed. A program for controlling wafers and the like and executing wafer processing in the coating and developing processing system 1 is stored. In addition, the program can be, for example, a computer-readable storage medium H such as a computer readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), a memory card, or the like. Recorded in the control unit 200 may be installed in the control unit 200 from the storage medium H. In addition, the density control part 131 mentioned above may be comprised as a part of this control part 200, and the density control part 131 and the control part 200 may be provided separately.

이어서, 이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼(W)의 처리 방법에 대하여 설명한다.Next, the processing method of the wafer W performed using the coating-development processing system 1 comprised as mentioned above is demonstrated.

우선, 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 카세트 스테이션(2)의 소정의 카세트 재치판(11)에 재치된다. 이 후, 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차적으로 취출되고, 처리 스테이션(3)의 제 3 블록(G3)의, 예를 들면 전달 장치(53)로 반송된다.First, the cassette C containing the plurality of wafers W is placed on a predetermined cassette mounting plate 11 of the cassette station 2. Thereafter, the wafers W in the cassette C are sequentially taken out by the wafer transfer device 21 to the transfer device 53 of the third block G3 of the processing station 3, for example. Is returned.

이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되어, 온도 조절된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 장치(31)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되어, 가열되어 온도 조절되고, 이 후 제 3 블록(G3)의 전달 장치(53)로 되돌려진다.Subsequently, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40 of the 2nd block G2 by the wafer conveyance apparatus 70, and is temperature-controlled. Thereafter, the wafer W is transferred to the lower antireflection film forming apparatus 31 of the first block G1 by the wafer transfer device 70, and a lower antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2, heated and temperature-controlled, and then returned to the delivery device 53 of the third block G3.

이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 동일한 제 3 블록(G3)의 전달 장치(54)로 반송된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 애드히젼 장치(41)로 반송되어, 애드히젼 처리된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로 반송되어, 온도 조절된다.Next, the wafer W is conveyed by the wafer conveyance apparatus 90 to the delivery apparatus 54 of the same 3rd block G3. Thereafter, the wafer W is conveyed to the adhering device 41 of the second block G2 by the wafer conveying device 70, and subjected to an adhesion process. Thereafter, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40 by the wafer conveyance apparatus 70 and temperature-controlled.

이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 1 블록(G1)의 레지스트 도포 장치(32)로 반송되고, 회전 중의 웨이퍼(W) 상에 레지스트액을 도포하여, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 또한, 레지스트액에는, 예를 들면 화학 증폭형의 레지스트액이 이용된다.Thereafter, the wafer W is conveyed by the wafer transfer device 70 to the resist coating device 32 of the first block G1, and the resist liquid is coated on the wafer W during rotation, and the wafer W ) Is formed on the resist film. As the resist liquid, for example, a chemically amplified resist liquid is used.

이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되어, 프리베이크 처리된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 3 블록(G3)의 전달 장치(55)로 반송된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer apparatus 70, and is prebaked. Thereafter, the wafer W is conveyed to the delivery device 55 of the third block G3 by the wafer transfer device 70.

이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 1 블록(G1)의 상부 반사 방지막 형성 장치(33)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되고, 가열되어 온도 조절된다.Subsequently, the wafer W is conveyed to the upper antireflection film forming apparatus 33 of the first block G1 by the wafer transport device 70, and an upper antireflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer apparatus 70, heated and temperature-controlled.

이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 주변 노광 장치(42)로 반송되어, 주변 노광 처리된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 3 블록(G3)의 전달 장치(56)로 반송된다.Subsequently, the wafer W is conveyed to the peripheral exposure apparatus 42 by the wafer transfer apparatus 70, and is subjected to the peripheral exposure process. Thereafter, the wafer W is conveyed to the delivery device 56 of the third block G3 by the wafer transport device 70.

이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 전달 장치(52)로 반송되고, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제 4 블록(G4)의 전달 장치(62)로 반송된다.Next, the wafer W is conveyed by the wafer conveyance apparatus 90 to the delivery apparatus 52, and is conveyed by the shuttle conveyance apparatus 80 to the delivery apparatus 62 of the 4th block G4.

이 후, 웨이퍼(W)는 인터페이스 스테이션(5)의 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(4)로 반송되어, 노광 처리된다.Thereafter, the wafer W is conveyed to the exposure apparatus 4 by the wafer transport apparatus 100 of the interface station 5, and subjected to exposure processing.

이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(4)로부터 제 4 블록(G4)의 전달 장치(60)로 반송된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 1 블록(G1)의 현상 처리 장치(30)로 반송되어, 현상 처리된다. 또한, 이 현상 처리 장치에서의 웨이퍼(W)의 현상 처리에 대해서는 후술에서 상세히 설명한다.Subsequently, the wafer W is conveyed from the exposure apparatus 4 to the delivery device 60 of the fourth block G4 by the wafer transfer apparatus 100. Thereafter, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer apparatus 70, and baked after exposure. Thereafter, the wafer W is conveyed to the developing processing apparatus 30 of the first block G1 by the wafer conveying apparatus 70, and developed. In addition, the developing process of the wafer W in this developing apparatus is demonstrated in detail later.

이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되어, 포스트베이크 처리된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer apparatus 70, and subjected to postbaking.

이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 3 블록(G3)의 전달 장치(50)로 반송되고, 이 후 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 소정의 카세트 재치판(11)의 카세트(C)로 반송된다. 이리 하여, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료된다.Thereafter, the wafer W is conveyed by the wafer conveyance device 70 to the delivery device 50 of the third block G3, and then predetermined by the wafer conveyance device 21 of the cassette station 2. It is conveyed to the cassette C of the cassette mounting plate 11. This completes the series of photolithography processes.

이어서, 상술한 현상 처리 장치(30)에서 웨이퍼(W) 상의 레지스트막을 현상하는 일련의 현상 처리에 대하여 설명한다. 도 6은 웨이퍼(W)의 현상 처리의 주된 공정을 나타낸 순서도이다.Next, a series of development treatments for developing the resist film on the wafer W in the development processing apparatus 30 described above will be described. 6 is a flowchart showing a main process of developing processing of the wafer W. As shown in FIG.

현상 처리 장치(30)로 반입된 웨이퍼(W)는, 우선 스핀 척(140)에 흡착 보지된다(도 6의 공정(S1)). 이 후, 셔터(112)를 닫아 처리 용기(110) 내를 밀폐한다. 이어서, 밸브(123)를 열어, 처리 가스 공급부(122)로부터 처리 용기(110) 내로 초산 부틸 가스를 공급한다(도 6의 공정(S2)). 이 때, 처리 가스 공급부(122)로부터의 초산 부틸 가스는 가스 확산부(120)의 복수의 공급구(129)로부터 처리 용기(110) 내로 공급되므로, 당해 처리 용기(110)의 내부 전체에 확산된다. 또한, 초산 부틸 가스는 스핀 척(140)에 보지된 웨이퍼(W)에 대하여 균일하게 공급된다.The wafer W carried in to the developing processing device 30 is first held by the spin chuck 140 (step S1 in FIG. 6). Thereafter, the shutter 112 is closed to seal the inside of the processing container 110. Subsequently, the valve 123 is opened and butyl acetate gas is supplied from the processing gas supply part 122 into the processing container 110 (step S2 in FIG. 6). At this time, since the butyl acetate gas from the processing gas supply part 122 is supplied into the processing container 110 from the plurality of supply ports 129 of the gas diffusion part 120, it diffuses to the whole inside of the said processing container 110. do. Further, butyl acetate gas is uniformly supplied to the wafer W held by the spin chuck 140.

처리 가스 공급부(122)로부터의 초산 부틸 가스의 공급은 농도 측정기(130)와 농도 제어부(131)에 의해 제어된다. 즉, 처리 용기(110) 내의 초산 부틸 가스의 농도가 농도 측정기(130)에 의해 측정된다. 그리고, 농도 제어부(131)에서 측정 결과에 기초하여 가스 농도가 소정의 농도, 예를 들면 1% ~ 20%가 되도록 밸브(123)가 제어된다(도 6의 공정(S3)). 이와 같이, 처리 용기(110) 내의 가스 농도가 소정의 농도로 제어됨으로써, 당해 처리 용기(110) 내로 공급되는 현상액의 휘발 속도가 상압 하의 현상액의 휘발 속도에 대하여 10% 이하가 되어, 당해 현상액의 휘발이 억제된다. 또한, 초산 부틸 가스가 처리 용기(110)의 외부로 누출되는 것을 방지하기 위하여, 당해 처리 용기(110) 내의 초산 부틸 가스의 압력은 부압으로 되어 있는 것이 바람직하다.The supply of butyl acetate gas from the process gas supply part 122 is controlled by the concentration measuring unit 130 and the concentration control unit 131. That is, the concentration of butyl acetate gas in the processing container 110 is measured by the concentration measuring unit 130. Then, the valve 123 is controlled so that the gas concentration becomes a predetermined concentration, for example, 1% to 20%, based on the measurement result in the concentration control unit 131 (step S3 in FIG. 6). In this way, by controlling the gas concentration in the processing container 110 to a predetermined concentration, the volatilization rate of the developer supplied into the processing container 110 becomes 10% or less with respect to the volatilization rate of the developer under normal pressure, Volatilization is suppressed. In addition, in order to prevent the butyl acetate gas from leaking out of the processing container 110, the pressure of the butyl acetate gas in the processing container 110 is preferably negative.

처리 용기(110) 내의 분위기가 소정의 가스 농도의 초산 부틸 가스로 치환되면, 암(168)에 의해 대기부(171)의 현상액 노즐(160)이 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동한다. 이 후, 스핀 척(140)에 의해 웨이퍼(W)를 소정의 회전수로 회전시키면서, 현상액 노즐(160)로부터 웨이퍼(W) 상으로 현상액이 공급된다. 그리고, 공급된 현상액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체 면으로 확산된다. 소정 시간 경과 후, 웨이퍼(W) 상의 노광된 레지스트막은 현상액에 의해 현상된다(도 6의 공정(S4)). 즉, 현상액에 의해 노광되어 있지 않은 레지스트막이 용해되고, 노광된 레지스트막이 레지스트 패턴으로서 남는다.When the atmosphere in the processing container 110 is replaced with butyl acetate gas having a predetermined gas concentration, the developing solution nozzle 160 of the atmospheric portion 171 moves to the upper portion of the wafer W by the arm 168. Thereafter, the developer is supplied from the developer nozzle 160 onto the wafer W while rotating the wafer W at a predetermined rotation speed by the spin chuck 140. Then, the supplied developer is diffused to the entire surface of the wafer W by centrifugal force. After a predetermined time has elapsed, the exposed resist film on the wafer W is developed by a developing solution (step S4 in FIG. 6). That is, the resist film which is not exposed by the developing solution melt | dissolves, and the exposed resist film remains as a resist pattern.

또한, 이 공정(S4)에서, 컵(143) 내(처리 용기(110) 내)의 초산 부틸 가스는 가스 순환부(151)에 의해 순환로(150)를 거쳐 공급관(121)으로 순환된다. 즉, 처리 용기(110) 내로 공급된 초산 부틸 가스는 배기되지 않고 재이용된다. 또한, 공정(S4)에서는 원칙적으로 밸브(123)를 닫아 초산 부틸 가스의 공급을 정지하고, 또한 밸브(114, 153)를 닫아 처리 용기(110)와 컵(143)으로부터의 배기도 정지한다. 그리고, 처리 용기(110) 내의 초산 부틸 가스의 농도는 소정의 농도로 유지되어 있다. 또한, 공정(S4)에서도 농도 측정기(130)에 의해 처리 용기(110) 내의 초산 부틸 가스의 농도는 측정되어 있고, 예를 들면 외적 요인 등으로 당해 가스 농도가 소정의 농도로부터 벗어날 경우에는 초산 부틸 가스의 공급 또는 배기를 행하여 처리 용기(110) 내의 가스 농도를 제어한다.In addition, in this process S4, butyl acetate gas in the cup 143 (in the processing container 110) is circulated by the gas circulation part 151 to the supply pipe 121 via the circulation path 150. As shown in FIG. That is, butyl acetate gas supplied into the processing container 110 is reused without being exhausted. In step S4, the valve 123 is closed in principle to stop the supply of butyl acetate gas, and the valves 114 and 153 are closed to stop the exhaust from the processing container 110 and the cup 143. The concentration of butyl acetate gas in the processing container 110 is maintained at a predetermined concentration. In addition, in the step S4, the concentration of the butyl acetate gas in the processing container 110 is measured by the concentration measuring unit 130. For example, when the concentration of the gas deviates from the predetermined concentration due to external factors or the like, butyl acetate The gas concentration in the processing container 110 is controlled by supplying or exhausting gas.

또한, 공정(S4)에서는 상술한 바와 같이 컵(143) 내에서 순환로(150)에의 초산 부틸 가스의 기류가 발생되고 있다. 이 기류에 의해, 웨이퍼(W) 상으로부터 발생하는 미스트가 처리 용기(110) 내에 비산하는 것이 억제된다. 또한, 이 초산 부틸 가스의 기류에 의해, 웨이퍼(W) 상으로부터 비산하는 액체가 컵(143)의 내측면에 부착하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 컵(143)의 메인터넌스의 빈도를 저감시킬 수 있다. 또한, 공정(S4)에서는 컵(143) 내에서 회수된 폐액은 폐액 용기(155) 내에 일단 저류된다. 즉, 폐액 용기(155)가 설치됨으로써, 처리 용기(110) 내의 분위기를 제어하면서, 컵(143) 내의 폐액을 회수할 수 있다.In the step S4, as described above, the air flow of the butyl acetate gas to the circulation path 150 is generated in the cup 143. This airflow suppresses the mist generated from the wafer W from scattering in the processing container 110. In addition, due to the air flow of the butyl acetate gas, it is possible to suppress the liquid splashing from the wafer W on the inner surface of the cup 143. For this reason, the frequency of the maintenance of the cup 143 can be reduced. In the step S4, the waste liquid recovered in the cup 143 is once stored in the waste liquid container 155. That is, since the waste liquid container 155 is provided, the waste liquid in the cup 143 can be collect | recovered, controlling the atmosphere in the processing container 110.

이와 같이, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막이 현상되면, 암(168)에 의해 현상액 노즐(160)이 웨이퍼(W)의 중심부 상방으로부터 대기부(171)로 이동한다. 동시에, 암(172)에 의해 대기부(174)의 린스액 노즐(164)이 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동한다. 이 후, 웨이퍼(W)를 회전시키고, 또한 린스액 노즐(164)로부터 린스액이 웨이퍼(W)의 중심부로 공급되어, 웨이퍼(W)의 린스 처리가 행해진다(도 6의 공정(S5)).As described above, when the resist film on the wafer W is developed, the developer nozzle 160 moves from the upper portion of the wafer W to the standby portion 171 by the arm 168. At the same time, the rinse liquid nozzle 164 of the atmospheric portion 174 moves to the upper portion of the center of the wafer W by the arm 172. Thereafter, the wafer W is rotated, and the rinse liquid is supplied from the rinse liquid nozzle 164 to the center of the wafer W, and the rinse processing of the wafer W is performed (step S5 in FIG. 6). ).

또한, 이 공정(S5)에서는 밸브(123)를 닫고 또한 가스 순환부(151)를 정지하여, 처리 용기(110) 내로의 초산 부틸 가스의 공급을 정지한다. 동시에, 밸브(127)를 열어, 퍼지 가스 공급부(126)로부터 처리 용기(110) 내로 질소 가스를 공급한다(도 6의 공정(S6)). 또한 밸브(114, 153)를 열어, 배기관(113, 152)으로부터 처리 용기(110)와 컵(143) 내의 분위기를 배기한다. 이리 하여, 처리 용기(110) 내의 분위기가 질소 가스로 치환된다. 또한, 공정(S5)의 린스 처리 중에 처리 용기(110) 내의 분위기를 질소 가스로 치환하는 것은, 처리 용기(110) 내에 잔존하는 초산 부틸 가스에 의해, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막의 현상이 진행되는 것을 방지하기 위함이다.In addition, in this process S5, the valve 123 is closed and the gas circulation part 151 is stopped, and supply of butyl acetate gas to the process container 110 is stopped. At the same time, the valve 127 is opened and nitrogen gas is supplied from the purge gas supply part 126 into the processing container 110 (step S6 of FIG. 6). In addition, the valves 114 and 153 are opened to exhaust the atmosphere in the processing container 110 and the cup 143 from the exhaust pipes 113 and 152. Thus, the atmosphere in the processing container 110 is replaced with nitrogen gas. In addition, substituting nitrogen gas for the atmosphere in the processing container 110 during the rinsing process of the step S5 causes the development of the resist film on the wafer W to proceed by the butyl acetate gas remaining in the processing container 110. To prevent this.

또한, 공정(S5)에서는 폐액 용기(155)의 하류측의 밸브(도시하지 않음)를 열어, 폐액 용기(155)에 저류된 폐액이 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부의 폐액 회수 장치로 회수된다.In addition, in step S5, the valve (not shown) downstream of the waste liquid container 155 is opened, and the waste liquid stored in the waste liquid container 155 is recovered by the waste liquid collection apparatus outside the coating and developing processing system 1. do.

웨이퍼(W)의 린스 처리 후, 린스액 노즐(164)로부터의 린스액의 공급을 정지하고, 또한 웨이퍼(W)를 가속 회전시켜, 웨이퍼(W) 상의 린스액을 털어내기 건조시켜 제거한다(도 6의 공정(S7)). 이 후, 처리 용기(110) 내는 대기 개방되고, 웨이퍼(W)는 현상 처리 장치(30)로부터 반출된다(도 6의 공정(S8)). 이리 하여, 일련의 웨이퍼(W)의 현상 처리가 종료된다.After the rinse processing of the wafer W, the supply of the rinse liquid from the rinse liquid nozzle 164 is stopped, and the wafer W is accelerated and rotated, and the rinse liquid on the wafer W is shaken off to remove it ( Step (S7) in Fig. 6). Thereafter, the inside of the processing container 110 is opened to the atmosphere, and the wafer W is carried out from the developing processing apparatus 30 (step S8 in FIG. 6). Thus, the development of the series of wafers W is completed.

이상의 실시예에 따르면, 공정(S4)에서 현상액 노즐(160)로부터 웨이퍼(W) 상으로 공급되는 현상액은 유기 용제를 함유하므로, 노광되어 있지 않은 레지스트막을 용해하고, 노광된 레지스트막을 레지스트 패턴으로서 형성할 수 있다. 이 때문에, 레지스트 패턴의 원하는 치수가 미세해도, 노광 처리에서의 마스크의 개구부를 크게 할 수 있으므로, 노광 콘트라스트가 향상된다. 따라서, 레지스트막을 높은 정밀도로 현상하여 당해 레지스트막에 형성되는 레지스트 패턴의 치수 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to the above embodiment, the developer supplied from the developer nozzle 160 to the wafer W in step S4 contains an organic solvent, so that the unexposed resist film is dissolved and the exposed resist film is formed as a resist pattern. can do. For this reason, even if the desired dimension of a resist pattern is fine, since the opening part of a mask in an exposure process can be enlarged, exposure contrast improves. Therefore, the resist film can be developed with high precision to improve the dimensional accuracy of the resist pattern formed on the resist film.

또한, 공정(S4)에서, 농도 측정기(130)와 농도 제어부(131)에 의해 처리 용기(110) 내의 분위기를 소정의 농도의 초산 부틸 가스의 분위기로 유지할 수 있으므로, 현상액 노즐(160)로부터 웨이퍼(W) 상으로 공급되는 현상액의 휘발을 억제할 수 있다. 또한, 처리 용기(110) 내로 공급되는 초산 부틸 가스는 가스 확산부(120)를 거쳐 공급되므로, 처리 용기(110) 전체에 확산된다. 이 때문에, 처리 용기(110) 내의 분위기가 균일하게 소정의 농도의 초산 부틸 가스의 분위기가 된다. 또한, 초산 부틸 가스는 스핀 척(140)에 보지된 웨이퍼(W) 상으로 균일하게 공급된다. 따라서, 현상액의 휘발을 억제하여 현상 결함을 억제할 수 있다. 또한, 현상액의 휘발을 억제함으로써, 현상액의 공급량을 저감시킬 수도 있다.In addition, in the step S4, since the atmosphere in the processing container 110 can be maintained by the concentration measuring unit 130 and the concentration control unit 131 in the atmosphere of butyl acetate gas of a predetermined concentration, the wafer from the developer nozzle 160 is removed. Volatilization of the developer supplied to (W) can be suppressed. In addition, since butyl acetate gas supplied into the processing container 110 is supplied through the gas diffusion part 120, it spreads to the whole processing container 110. For this reason, the atmosphere in the processing container 110 becomes an atmosphere of butyl acetate gas of a predetermined concentration uniformly. The butyl acetate gas is also uniformly supplied onto the wafer W held by the spin chuck 140. Therefore, volatilization of a developing solution can be suppressed and a developing defect can be suppressed. Moreover, the supply amount of a developing solution can also be reduced by suppressing volatilization of a developing solution.

또한, 공정(S4)에서 가스 순환부(151)에 의해 컵(143) 내(처리 용기(110) 내)의 초산 부틸 가스가 공급관(121)으로 순환되므로, 초산 부틸 가스의 기류의 흐름을 형성할 수 있고, 이 기류에 의해 현상액의 휘발을 더 억제할 수 있다. 또한, 초산 부틸 가스를 유효하게 이용할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W) 상에 레지스트 패턴을 적절히 형성할 수 있다.In addition, since the butyl acetate gas in the cup 143 (in the processing container 110) is circulated to the supply pipe 121 by the gas circulation part 151 in process S4, the flow of the airflow of butyl acetate gas is formed. This airflow can further suppress volatilization of the developing solution. In addition, butyl acetate gas can be effectively used. Therefore, a resist pattern can be appropriately formed on the wafer W. As shown in FIG.

또한, 공정(S5)의 웨이퍼(W)의 린스 처리 중, 공정(S6)에서 처리 용기(110) 내의 분위기가 질소 가스로 치환되므로, 초산 부틸 가스에 의해 웨이퍼(W) 상의 레지스트막이 과잉으로 현상되지 않는다. 따라서, 웨이퍼(W) 상에 레지스트 패턴을 보다 적절히 형성할 수 있다.In addition, during the rinsing process of the wafer W in the step S5, the atmosphere in the processing container 110 is replaced with nitrogen gas in the step S6, so that the resist film on the wafer W is excessively developed by butyl acetate gas. It doesn't work. Therefore, a resist pattern can be formed more appropriately on the wafer W. FIG.

이상의 실시예의 현상 처리 장치(30)에는, 도 7에 도시한 바와 같이, 처리 용기(110) 내로 공급되는 초산 부틸 가스의 온도를 조절하는 온도 조절 기구(250), 예를 들면 히터가 설치되어 있어도 된다. 온도 조절 기구(250)는 공급관(121)에 설치되어 있다. 또한, 온도 조절 기구(250)는 본 실시예에 한정되지 않고, 임의의 장소에 설치해도 된다. 예를 들면, 온도 조절 기구(250)는 가스 확산부(120)에 설치해도 되고, 처리 가스 공급부(122)에 설치해도 된다.In the development processing apparatus 30 of the above embodiment, as shown in FIG. 7, even if a temperature regulating mechanism 250 for adjusting the temperature of the butyl acetate gas supplied into the processing container 110, for example, a heater, is provided. do. The temperature control mechanism 250 is provided in the supply pipe 121. In addition, the temperature control mechanism 250 is not limited to this embodiment, You may install in arbitrary places. For example, the temperature regulation mechanism 250 may be provided in the gas diffusion part 120 or may be provided in the process gas supply part 122.

이러한 경우, 초산 부틸 가스의 온도가 소정의 온도로 조절되므로, 당해 초산 부틸 가스가 냉각되어 액화하고, 공급관(121) 내 또는 가스 확산부(120) 내가 결로하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 처리 용기(110) 내의 초산 부틸 가스의 가스 농도를 소정의 농도로 적절히 유지할 수 있고, 현상액의 휘발도 적절히 억제할 수 있다. 또한, 현상 처리 장치(30)의 메인터넌스의 빈도를 저감시킬 수도 있다.In this case, since the temperature of the butyl acetate gas is adjusted to a predetermined temperature, the butyl acetate gas is cooled and liquefied, and condensation in the supply pipe 121 or the gas diffusion portion 120 can be prevented. Therefore, the gas concentration of butyl acetate gas in the processing container 110 can be appropriately maintained at a predetermined concentration, and volatilization of the developer can also be appropriately suppressed. Moreover, the frequency of the maintenance of the image development processing apparatus 30 can also be reduced.

이상의 실시예에서는 처리 가스로서 초산 부틸 가스를 이용하고 있었지만, 다른 처리 가스를 이용해도 된다. 예를 들면, 초산 부틸 가스 이외의 기화한 유기 용제, 예를 들면 2 헵타논 등을 이용해도 된다.Although butyl acetate gas was used as a process gas in the above Example, you may use another process gas. For example, vaporized organic solvents other than butyl acetate gas, for example, 2 heptanone, etc. may be used.

또한, 처리 가스로서 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스(또는 아르곤 가스)를 이용해도 된다. 이러한 경우, 도 8에 도시한 바와 같이, 현상 처리 장치(30)의 가스 확산부(120)에는 공급관(300)을 개재하여, 처리 용기(110) 내로 질소 가스를 공급하는 처리 가스 공급부(301)가 접속되어 있다. 처리 가스 공급부(301)는 그 내부에 질소 가스를 저류하고 있다. 또한, 공급관(300)에는 처리 가스 공급부(301)로부터의 질소 가스의 흐름을 제어하는 밸브(302)가 설치되어 있다. 또한, 공급관(300)에는 순환로(150)가 접속되어 있다. 그리고, 공급관(300)에서 순환로(150)로부터 처리 가스 공급부(301)측에는 질소 가스가 처리 가스 공급부(301)로 역류하는 것을 방지하는 역류 방지 밸브(303)가 설치되어 있다. 또한, 본 실시예에서는 상기 실시예의 공급관(121), 처리 가스 공급부(122), 밸브(123), 역류 방지 밸브(124), 공급관(125), 퍼지 가스 공급부(126), 밸브(127)가 생략된다.In addition, an inert gas such as nitrogen gas (or argon gas) may be used as the processing gas. In this case, as shown in FIG. 8, the processing gas supply part 301 which supplies nitrogen gas into the processing container 110 via the supply pipe 300 in the gas diffusion part 120 of the developing apparatus 30. Is connected. The processing gas supply part 301 stores the nitrogen gas therein. In addition, the supply pipe 300 is provided with a valve 302 for controlling the flow of nitrogen gas from the processing gas supply unit 301. In addition, a circulation path 150 is connected to the supply pipe 300. In the supply pipe 300, a non-return valve 303 is provided on the side of the processing gas supply part 301 from the circulation path 150 to prevent nitrogen gas from flowing back to the processing gas supply part 301. In addition, in the present embodiment, the supply pipe 121, the processing gas supply part 122, the valve 123, the non-return valve 124, the supply pipe 125, the purge gas supply part 126, and the valve 127 of the above embodiment are provided. It is omitted.

또한, 처리 용기(110)에는 당해 처리 용기(110) 내의 질소 가스의 압력을 측정하는 압력 측정기(310)가 설치되어 있다. 압력 측정기(310)의 측정 결과는 압력 제어부(311)에 출력된다. 압력 제어부(311)에서는 측정 결과에 기초하여 질소 가스의 압력이 소정의 압력, 예를 들면 대기압보다 100 Pa 높은 압력이 되도록, 예를 들면 밸브(302) 또는 가스 순환부(151) 등을 제어한다. 또한, 소정의 압력은, 예를 들면 처리 용기(110) 내의 현상액의 휘발 속도가 상압 하의 현상액의 휘발 속도에 대하여, 예를 들면 10% 이하가 되도록 설정된다. 또한, 본 실시예에서는 상기 실시예의 농도 측정기(130)와 농도 제어부(131)가 생략된다.Moreover, the pressure measuring device 310 which measures the pressure of the nitrogen gas in the said processing container 110 is provided in the processing container 110. As shown in FIG. The measurement result of the pressure gauge 310 is output to the pressure controller 311. The pressure controller 311 controls, for example, the valve 302 or the gas circulation unit 151 so that the pressure of the nitrogen gas becomes a predetermined pressure, for example, 100 Pa higher than atmospheric pressure, based on the measurement result. . In addition, the predetermined pressure is set such that, for example, the volatilization rate of the developer in the processing container 110 becomes 10% or less, for example, relative to the volatilization rate of the developer under normal pressure. In this embodiment, the concentration measuring unit 130 and the concentration control unit 131 of the above embodiment are omitted.

또한, 현상 처리 장치(30)의 그 외의 구성은 상기 실시예의 현상 처리 장치(30)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다.In addition, since the other structure of the image development processing apparatus 30 is the same as that of the image development processing apparatus 30 of the said Example, it abbreviate | omits description.

이러한 경우, 공정(S2)에서 밸브(302)를 열어 처리 가스 공급부(301)로부터 처리 용기(110) 내로 질소 가스를 공급한다. 또한, 공정(S2) 및 공정(S3)에서 처리 가스 공급부(301)로부터의 질소 가스의 공급은 압력 측정기(310)와 압력 제어부(311)에 의해 제어된다. 즉, 처리 용기(110) 내의 질소 가스의 압력이 압력 측정기(310)에 의해 측정된다. 그리고, 압력 제어부(311)에서 처리 용기(110) 내의 압력이 소정의 압력, 예를 들면 대기압보다 100 Pa 높은 압력이 되도록 제어된다. 이와 같이, 처리 용기(110) 내의 가스 압력이 정압으로 제어됨으로써, 당해 처리 용기(110) 내로 공급되는 현상액의 휘발이 억제된다. 이 후 공정(S4)에서, 처리 용기(110) 내의 가스 압력을 소정의 압력으로 유지한 상태에서, 현상액 노즐(160)로부터 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급하여, 레지스트막을 현상한다. 이 공정(S4)에서도 컵(143) 내(처리 용기(110) 내)의 질소 가스는 가스 순환부(151)에 의해 순환로(150)를 거쳐 공급관(300)으로 순환된다.In this case, the valve 302 is opened in step S2 to supply nitrogen gas from the processing gas supply part 301 into the processing container 110. In addition, supply of nitrogen gas from the process gas supply part 301 in process S2 and process S3 is controlled by the pressure gauge 310 and the pressure control part 311. FIG. In other words, the pressure of the nitrogen gas in the processing container 110 is measured by the pressure gauge 310. And the pressure control part 311 is controlled so that the pressure in the process container 110 may become predetermined pressure, for example, 100 Pa higher than atmospheric pressure. In this way, the gas pressure in the processing container 110 is controlled to be constant pressure, whereby volatilization of the developer supplied into the processing container 110 is suppressed. Thereafter, in step S4, the developer is supplied from the developer nozzle 160 onto the wafer W while the gas pressure in the processing container 110 is maintained at a predetermined pressure, thereby developing the resist film. Also in this process S4, nitrogen gas in the cup 143 (in the processing container 110) is circulated by the gas circulation part 151 to the supply pipe 300 via the circulation path 150. As shown in FIG.

또한, 이 외의 공정(S1, S5 ~ S8)은 상기 실시예의 공정(S1, S5 ~ S8)과 동일하므로 설명을 생략한다.In addition, since other process S1, S5-S8 is the same as the process S1, S5-S8 of the said Example, description is abbreviate | omitted.

본 실시예에 의해서도, 공정(S4)에서 처리 용기(110) 내의 가스 압력이 대기압보다 높은 소정의 압력으로 되어 있으므로, 웨이퍼(W) 상으로 공급되는 현상액의 휘발을 억제할 수 있다. 따라서, 현상 결함을 억제할 수 있고, 또한 현상액의 공급량을 저감시킬 수도 있다.Also in this embodiment, since the gas pressure in the processing container 110 is a predetermined pressure higher than atmospheric pressure in step S4, volatilization of the developer supplied onto the wafer W can be suppressed. Therefore, development defects can be suppressed and the supply amount of a developing solution can also be reduced.

또한, 본 실시예의 현상 처리 장치(30)에도 도 7에 도시한 온도 조절 기구(250)를 설치하여, 처리 용기(110)로 공급하는 질소 가스의 온도를 조절해도 된다. 온도 조절 기구(250)는 공급관(300)에 설치해도 되고, 혹은 가스 확산부(120) 또는 처리 가스 공급부(301)에 설치해도 된다. 이와 같이, 처리 용기(110) 내의 분위기 온도를 조절함으로써, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막의 현상을 보다 효율 좋게 행할 수 있다.In addition, the temperature control mechanism 250 shown in FIG. 7 may also be provided in the developing apparatus 30 of this embodiment, and the temperature of the nitrogen gas supplied to the processing container 110 may be adjusted. The temperature control mechanism 250 may be provided in the supply pipe 300, or may be provided in the gas diffusion part 120 or the process gas supply part 301. In this way, by controlling the ambient temperature in the processing container 110, the development of the resist film on the wafer W can be performed more efficiently.

이상의 실시예에서는, 공정(S4)에서 회전 중의 웨이퍼(W) 상의 중심부로 현상액 노즐(160)로부터 현상액을 공급하여 웨이퍼(W) 상에 확산시키고 있었지만, 현상액의 공급 방법은 이에 한정되지 않고 다양한 방법을 취할 수 있다. 예를 들면, 회전 중의 웨이퍼(W)에 대하여, 웨이퍼(W)의 외주부로부터 중심부로 현상액 노즐(160)을 이동시키면서 현상액을 공급해도 되며, 이러한 경우, 현상액 노즐(160)로부터 공급된 현상액은 나선 형상으로 웨이퍼(W) 상으로 공급된다. 또한, 예를 들면 웨이퍼(W)의 직경보다 긴 슬릿 형상의 공급구를 구비한 현상액 노즐을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동시키면서 현상액을 공급해도 된다. 모든 경우에서, 웨이퍼(W)의 표면 전체 면에 현상액이 공급되어, 레지스트막이 적절히 현상된다.In the above embodiment, the developer was supplied from the developer nozzle 160 to the center portion on the wafer W during rotation in step S4 and diffused onto the wafer W. However, the method of supplying the developer is not limited to this and various methods. Can be taken. For example, the developer may be supplied to the wafer W in rotation while the developer nozzle 160 is moved from the outer circumferential portion of the wafer W to the center portion. In this case, the developer supplied from the developer nozzle 160 may be helixed. It is supplied onto the wafer W in the shape. In addition, you may supply a developing solution, for example, moving the developing solution nozzle provided with the slit-shaped supply port longer than the diameter of the wafer W to the radial direction of the wafer W. As shown in FIG. In all cases, the developer is supplied to the entire surface of the wafer W so that the resist film is appropriately developed.

이상, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 적합한 실시예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허 청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에서 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하고, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 본 발명은 본 예에 한정되지 않고 다양한 태양을 취할 수 있다. 본 발명은 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판일 경우에도 적용할 수 있다.As mentioned above, although the preferred embodiment of this invention was described with reference to an accompanying drawing, this invention is not limited to this example. It is apparent to those skilled in the art that various modifications or modifications can be conceived within the scope of the idea described in the claims, and these also naturally belong to the technical scope of the present invention. The present invention is not limited to this example and can take various aspects. The present invention can also be applied when the substrate is other substrates such as FPDs (flat panel displays) other than wafers and mask reticles for photomasks.

1 : 도포 현상 처리 시스템
30 : 현상 처리 장치
110 : 처리 용기
120 : 가스 확산부
122 : 처리 가스 공급부
126 : 퍼지 가스 공급부
129 : 공급구
130 : 농도 측정기
131 : 농도 제어부
140 : 스핀 척
143 : 컵
150 : 순환로
151 : 가스 순환부
160 : 현상액 노즐
164 : 린스액 노즐
200 : 제어부
250 : 온도 제어 기구
301 : 처리 가스 공급부
310 : 압력 측정기
311 : 압력 제어부
W : 웨이퍼1: Coating development processing system
30: developing apparatus
110: processing container
120 gas diffusion unit
122: process gas supply unit
126: purge gas supply unit
129: supply port
130: concentration meter
131 concentration control
140: spin chuck
143: cup
150: circuit
151: gas circulation
160: developer nozzle
164 rinse liquid nozzle
200:
250: temperature control mechanism
301 processing gas supply unit
310: pressure gauge
311: pressure control unit
W: Wafer

Claims

As a developing apparatus for a substrate,
A processing container for receiving and processing a substrate;
A substrate holding part for holding a substrate in the processing container;
A developer supplying part for supplying a developer containing an organic solvent onto the substrate held by the substrate holding part;
A gas supply unit for supplying a processing gas into the processing container;
And a gas circulation section for supplying and circulating the processing gas flowing out of the processing container into the processing container again.

The method of claim 1,
The processing gas is an evaporated organic solvent.

The method of claim 2,
A concentration meter for measuring the concentration of the processing gas in the processing container;
And a control unit for controlling the gas supply unit so that the concentration of the processing gas becomes a predetermined concentration.

The method of claim 2,
And another gas supply unit for supplying an inert gas into the processing container.

The method of claim 1,
The processing gas is an inert gas,
An interior of the processing container is maintained at a predetermined pressure by the processing gas.

The method of claim 5, wherein
A pressure measuring device for measuring the pressure of the processing gas in the processing container;
And a control unit for controlling the gas supply unit so that the pressure of the processing gas becomes the predetermined pressure.

7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Above the substrate holding part in the processing container, a gas diffusion part for diffusing the processing gas from the gas supply part and supplying it into the processing container is provided.
The developing processing apparatus characterized in that a plurality of supply ports to which the processing gas is supplied are formed on the surface of the substrate holding portion side of the gas diffusion portion.

7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The gas supply unit is provided with a temperature regulating mechanism for adjusting the temperature of the processing gas.

7. The method according to any one of claims 1 to 6,
It has a cup provided to surround the side of the board | substrate hold | maintained in the said board | substrate holding part in the said processing container,
The gas circulation unit circulates the processing gas flowing out of the cup into the processing container.

7. The method according to any one of claims 1 to 6,
And a rinse liquid supply unit for supplying a rinse liquid of the developer onto the substrate held by the substrate holding unit.

As a development treatment method of a substrate,
A gas supply step of accommodating the substrate in the processing container and holding the substrate in the substrate holding portion, and then supplying the processing gas from the gas supply portion into the processing container;
Thereafter, it has a development treatment step of supplying a developing solution containing an organic solvent onto the substrate held by the substrate holding portion to perform development.
In the developing treatment step, the developing gas flowing out from the processing container is supplied to the processing container again and circulated.

The method of claim 11,
The process gas is a developing treatment method characterized in that the evaporated organic solvent.

13. The method of claim 12,
And the concentration of the processing gas in the processing container is maintained at a predetermined concentration in the developing processing step.

The method of claim 11,
The processing gas is an inert gas,
In the developing treatment step, the inside of the processing container is maintained at a predetermined pressure by the processing gas.

15. The method according to any one of claims 11 to 14,
The processing gas supplied to the processing container in the developing processing step is regulated to a predetermined temperature.

15. The method according to any one of claims 11 to 14,
And a rinsing step of supplying a rinse liquid of a developing solution onto the substrate held by the substrate holding portion after the developing treatment step.

17. The method of claim 16,
During the rinsing step, an inert gas is supplied into the processing container.

A readable computer storage medium having stored thereon a program operating on a computer of a control unit for controlling the development processing device so as to execute the development processing method according to any one of claims 11 to 14.