KR20150031184A - Substrate fluid processing device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 기판 액 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate liquid processing apparatus.
반도체의 제조 공정에서는 웨이퍼(기판)에 다양한 액 처리가 실시된다. 예를 들어, 레지스트막을 형성하는 공정에서는 웨이퍼의 표면에 레지스트제를 도포하는 액 처리가 행해진다. 레지스트막에 노광 처리를 실시한 후의 현상 공정에서는 웨이퍼의 표면에 현상액을 도포한 후에, 현상액 및 용해물을 린스액으로 씻어내는 액 처리가 행해진다. 이와 같은 액 처리에 사용되는 장치는, 예를 들어 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이, 기판을 보유지지함과 함께 당해 기판을 회전시키기 위한 기판 회전 기구와, 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 기판 회전 기구에 보유 지지된 기판을 둘러싸는 컵과, 컵 내의 기체를 배출하는 배기 기구를 구비한다. 컵의 저부에는 배기구가 형성된다. 이로 인해, 컵의 상부로부터 도입된 기체가 기판의 표면을 통과하여 기판의 이면측으로 돌아 들어가, 배기구로부터 배출된다. 이 기류에 의해, 기판의 표면 상에서 휘발한 처리액 등을 계속적으로 배출할 수 있다.In the semiconductor manufacturing process, various liquid treatments are performed on the wafer (substrate). For example, in the step of forming a resist film, a liquid treatment for applying a resist agent to the surface of the wafer is performed. In the developing step after the resist film is subjected to the exposure treatment, the developing solution is applied to the surface of the wafer, and then the developing solution and the solution are rinsed with the rinsing liquid. As disclosed in, for example,
휘발한 처리액 등을 확실히 배출하기 위해서는, 기판의 표면 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시킬 필요가 있다. 또한, 통기 유량은 처리액의 막 두께 등에도 영향을 미치므로, 액 처리의 안정화의 관점에서도, 기판의 표면 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시키는 것이 바람직하다.In order to reliably discharge the volatilized treatment liquid or the like, it is necessary to reduce the variation in the flow rate of air on the surface of the substrate. In addition, since the flow rate of air affects the thickness of the treatment liquid and the like, it is preferable to reduce the variation in the flow rate of air on the surface of the substrate from the viewpoint of stabilization of the liquid treatment.
따라서, 본 발명은 기판의 표면 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시킬 수 있는 기판 액 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a substrate liquid processing apparatus capable of reducing variations in the flow rate of air on the surface of a substrate.
본 발명에 관한 기판 액 처리 장치는 기판을 보유지지함과 함께 당해 기판을 회전시키기 위한 기판 회전 기구와, 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와, 기판 회전 기구에 보유 지지된 기판을 둘러싸는 컵과, 컵 내의 기체를 배출하는 배기 기구와, 컵에 있어서의 기판의 이면측에 형성된 배기구와, 컵 내에 있어서 기판의 주연을 따라서 형성되어, 기판의 표면측으로부터 이면측으로 기체를 유도하는 유로를 구비하고, 유로는 배기구로부터 이격됨에 따라서 통기 저항이 작아지도록 구성되어 있다.A substrate liquid processing apparatus according to the present invention includes a substrate rotating mechanism for holding a substrate and rotating the substrate, a processing liquid supply mechanism for supplying a processing liquid to a surface of the substrate, An exhausting mechanism for exhausting the gas in the cup, an exhaust port formed on the back surface of the substrate in the cup, and an exhaust port formed along the periphery of the substrate in the cup to guide the substrate from the front surface side to the back surface side of the substrate And the flow path is configured so that the ventilation resistance becomes smaller as it is spaced apart from the exhaust port.
컵 외부의 기체는 기판의 표면측으로부터 컵 내로 유도되고, 유로를 통해 기판의 표면측으로부터 이면측으로 유도되고, 배기구를 통해 배출된다. 유로는 기판의 주연을 따라서 형성되어 있으므로, 기판의 표면 상에는 기판의 주연을 향하는 기류가 형성된다. 이 기류에 의해, 휘발한 처리액 등이 계속적으로 배출된다. 가령, 유로의 통기 저항이 기판의 주위 방향에 있어서 균일하면, 기체는 배기구에 가까운 유로를 통과하기 쉬워진다. 기판의 표면 상에서는, 배기구에 가까운 유로를 향하는 기체의 양이, 배기구로부터 먼 유로를 향하는 기체의 양에 비해 커지므로, 통기 유량의 편차가 발생한다. 이에 대해, 유로는 배기구로부터 이격됨에 따라서 통기 저항이 작아지도록 구성되어 있으므로, 배기구로부터 이격된 유로에도 기체가 돌아 들어가기 쉬워진다. 따라서, 기판의 표면 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시킬 수 있다.The gas outside the cup is guided from the front surface side of the substrate into the cup, guided from the front surface side of the substrate to the back surface side through the flow path, and discharged through the exhaust port. Since the flow path is formed along the periphery of the substrate, an air flow toward the periphery of the substrate is formed on the surface of the substrate. By this air flow, the volatilized treatment liquid and the like are continuously discharged. For example, if the flow resistance of the flow path is uniform in the circumferential direction of the substrate, the gas tends to pass through the flow path close to the exhaust port. On the surface of the substrate, the amount of the gas toward the flow path closer to the exhaust port is larger than the amount of the gas flowing from the exhaust port to the flow path far from the exhaust port. On the other hand, since the flow path is configured to decrease the air flow resistance as it is spaced from the exhaust port, the gas tends to flow into the flow path spaced apart from the exhaust port. Therefore, it is possible to reduce the variation in the flow rate of air on the surface of the substrate.
컵은 기판의 이면에 대향하는 저부와, 기판의 주연을 따름과 함께 저부로부터 기판측으로 돌출된 제1 환상벽과, 제1 환상벽과 기판의 이면 사이에 위치함과 함께, 제1 환상벽보다 외측으로 돌출되는 우산 형상부와, 우산 형상부의 주연부로부터 저부측으로 돌출되어 제1 환상벽을 둘러싸고, 제1 환상벽과의 사이에 유로의 일부를 구성하는 제2 환상벽을 갖고, 배기구는 저부 중 제1 환상벽보다 내측의 영역에 형성되고, 유로는 제1 환상벽 및 제2 환상벽의 배치에 의해, 배기구로부터 이격됨에 따라서 통기 저항이 커지도록 구성되어 있어도 된다.The cup is disposed between a first annular wall protruding from the bottom toward the substrate side along with a bottom opposite to the back surface of the substrate and a second annular wall protruding from the bottom side along the periphery of the substrate, A second annular wall protruding outward from the periphery of the umbrella-shaped portion and projecting to the bottom side and surrounding the first annular wall and constituting a part of the flow path between the first annular wall and the second annular wall, And the flow path may be configured such that the air flow resistance increases as the first annular wall and the second annular wall are spaced apart from the exhaust port.
이 경우, 액체는 우산 형상부 및 제2 환상벽에 의해 제1 환상벽의 외측의 영역으로 유도되고, 기체는 제1 환상벽의 내측으로 유도된다. 즉, 제1 환상벽 및 제2 환상벽은 컵 내를 액체 도입 영역과 기체 도입 영역으로 구획하는 요소로서 기능한다. 한편, 제1 환상벽 및 제2 환상벽은 배기구로부터 이격됨에 따라서 통기 저항이 커지도록 유로를 구성하는 부재로서도 기능한다. 이와 같이, 액체 도입 영역과 기체 도입 영역을 구획하는 부재를 유로의 구성에 겸용함으로써, 장치의 구성을 단순화할 수 있다.In this case, the liquid is guided to the area outside the first annular wall by the umbrella-shaped part and the second annular wall, and the gas is guided to the inside of the first annular wall. That is, the first annular wall and the second annular wall function as an element for partitioning the inside of the cup into a liquid introduction region and a gas introduction region. On the other hand, the first annular wall and the second annular wall also function as members constituting the flow path so as to increase the ventilation resistance as they are spaced from the exhaust port. In this manner, the structure of the apparatus can be simplified by using a member for partitioning the liquid introduction region and the gas introduction region with the configuration of the flow path.
제1 환상벽과 제2 환상벽의 간격이 배기구로부터 이격됨에 따라서 크게 되어 있어도 된다. 이에 의해, 배기구로부터 이격됨에 따라서 유로의 통기 저항이 작아진다. 저부와 기판이 대향하는 방향에 있어서 제1 환상벽과 제2 환상벽이 중첩되는 길이가 배기구로부터 이격됨에 따라서 작게 되어 있어도 된다. 이에 의해서도, 배기구로부터 이격됨에 따라서 유로의 통기 저항이 작아진다.The distance between the first annular wall and the second annular wall may be increased as the distance from the exhaust port is increased. As a result, the ventilation resistance of the flow path becomes smaller as it is spaced from the exhaust port. The length in which the first annular wall and the second annular wall are overlapped with each other in the direction in which the bottom portion and the substrate face each other may be made smaller as they are spaced apart from the exhaust port. This also reduces the air flow resistance of the flow path as it is spaced from the exhaust port.
컵은 기판의 전체 둘레에 걸쳐서 유로를 상류측과 하류측으로 구획하도록 설치된 구획 부재와, 기판의 주연을 따라서 점재하도록 구획 부재에 형성된 복수의 통기 구멍을 갖고, 통기 구멍은 배기구로부터 이격됨에 따라서 개구 면적이 커지도록 형성되어 있어도 된다. 이에 의해서도, 배기구로부터 이격됨에 따라서 유로의 통기 저항이 작아진다.The cup has a partition member provided so as to partition the flow path to the upstream side and the downstream side over the entire circumference of the substrate and a plurality of vent holes formed in the partition member so as to dot along the periphery of the substrate, May be formed to be larger. This also reduces the air flow resistance of the flow path as it is spaced from the exhaust port.
배기구는 기판의 주연 근처에 위치하여, 당해 주연의 일부를 따라서 연장된 형상을 이루어도 된다. 이 경우, 배기구가 연장되는 범위에 있어서는 배기구가 유로의 배치를 따르므로, 유로의 통기 유량의 균일성이 높아진다. 배기구가 연장되는 범위 이외에서는, 배기구로부터 이격됨에 따라서 유로의 통기 저항이 작아짐으로써, 유로의 통기 유량의 균일성이 높아진다. 이 시너지 효과에 의해 기판의 표면 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 더욱 저감시킬 수 있다. 또한, 기판의 주연을 따라서 배기구를 연장시키는 것은, 배기구의 개구 면적의 확대에도 기여한다. 배기구의 개구 면적을 확대함으로써, 컵 내의 기체를 보다 확실히 배출할 수 있다.The vent may be located near the periphery of the substrate and extend along a portion of the periphery. In this case, since the exhaust ports follow the arrangement of the flow paths in the range in which the exhaust ports extend, the uniformity of the flow rate of the flow of the flow paths is increased. Outside the range in which the exhaust port extends, the air flow resistance of the flow path becomes smaller as it is spaced from the exhaust port, so that the uniformity of the flow rate of the flow path is increased. This synergistic effect can further reduce the variation in the flow rate of air on the surface of the substrate. Further, extending the exhaust port along the periphery of the substrate also contributes to enlargement of the opening area of the exhaust port. By enlarging the opening area of the exhaust port, the gas in the cup can be more reliably discharged.
본 발명에 따르면, 기판의 표면 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to reduce variations in the flow rate of air on the surface of the substrate.
도 1은 본 실시 형태에 관한 기판 액 처리 장치를 구비하는 도포ㆍ현상 시스템의 사시도.
도 2는 도 1 중 Ⅱ-Ⅱ선을 따르는 단면도.
도 3은 도 2 중 Ⅲ-Ⅲ선을 따르는 단면도.
도 4는 기판 액 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도.
도 5는 기판 액 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 평면도.
도 6은 도 4 중 Ⅵ-Ⅵ선을 따르는 단면도.
도 7은 현상 처리 공정을 도시하는 모식도.
도 8은 컵 내에 발생하는 기류를 도시하는 모식도.
도 9는 기판 액 처리 장치의 변형예를 도시하는 단면도.
도 10은 기판 액 처리 장치의 다른 변형예를 도시하는 단면도.
도 11은 기판 액 처리 장치의 또 다른 변형예를 도시하는 단면도.
도 12는 도 11 중 XⅡ-XⅡ선을 따르는 단면도.1 is a perspective view of a coating and developing system including a substrate liquid processing apparatus according to the embodiment.
2 is a cross-sectional view taken along a line II-II in Fig. 1;
3 is a cross-sectional view taken along the line III-III in FIG. 2;
4 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a substrate liquid processing apparatus;
5 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate liquid processing apparatus;
6 is a sectional view taken along the line VI-VI in Fig. 4;
7 is a schematic diagram showing a development processing step.
8 is a schematic view showing the airflow generated in the cup.
9 is a sectional view showing a modification of the substrate liquid processing apparatus.
10 is a sectional view showing another modification of the substrate liquid processing apparatus;
11 is a sectional view showing still another modification of the substrate liquid processing apparatus.
12 is a sectional view taken along line XII-XII in Fig.
이하, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일한 부호를 부여하여, 중복되는 설명을 생략한다.Best Mode for Carrying Out the Invention Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the description, the same elements or elements having the same function are denoted by the same reference numerals, and redundant explanations are omitted.
도 1에 도시한 바와 같이, 도포ㆍ현상 장치(1)는 노광 장치 E1에 의한 노광 처리 전에, 웨이퍼(기판)의 표면에 레지스트제를 도포하여 레지스트막을 형성하는 처리를 행하고, 노광 장치 E1에 의한 노광 처리 후에, 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 도포ㆍ현상 장치(1)는 캐리어 블록 S1과, 캐리어 블록 S1에 인접하는 처리 블록 S2와, 처리 블록 S2에 인접하는 인터페이스 블록 S3을 구비한다. 이하, 도포ㆍ현상 장치(1)의 설명에 있어서의 「전후 좌우」는 인터페이스 블록 S3측을 전방측, 캐리어 블록 S1측을 후방측으로 한 방향을 의미하는 것으로 한다.As shown in Fig. 1, the coating and developing
캐리어 블록 S1은 캐리어 스테이션(12)과, 반입ㆍ반출부(13)를 갖는다. 캐리어 스테이션(12)은 복수의 캐리어(11)를 지지한다. 캐리어(11)는 복수매의 웨이퍼(W)를 밀봉 상태로 수용하고, 웨이퍼(W)를 출납하기 위한 개폐 도어(도시하지 않음)를 일측면(11a)측에 갖는다. 캐리어(11)는 측면(11a)이 반입ㆍ반출부(13)측에 면하도록, 캐리어 스테이션(12) 상에 착탈 가능하게 설치된다.The carrier block S1 has a
반입ㆍ반출부(13)는 캐리어 스테이션(12) 상의 복수의 캐리어(11)에 각각 대응하는 복수의 개폐 도어(13a)를 갖는다. 측면(11a)의 개폐 도어와 개폐 도어(13a)를 동시에 개방함으로써, 캐리어(11) 내와 반입ㆍ반출부(13) 내가 연통한다. 반입ㆍ반출부(13)는 전달 아암 A1을 내장하고 있다. 전달 아암 A1은 캐리어(11)로부터 웨이퍼(W)를 취출하여 처리 블록 S2에 전달하고, 처리 블록 S2로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 캐리어(11) 내로 복귀시킨다.The loading /
처리 블록 S2는 하층 반사 방지막 형성(BCT) 블록(14)과, 레지스트막 형성(COT) 블록(15)과, 상층 반사 방지막 형성(TCT) 블록(16)과, 현상 처리(DEV) 블록(17)을 갖는다. 이들 블록은 저면측으로부터 DEV 블록(17), BCT 블록(14), COT 블록(15), TCT 블록(16)의 순으로 적층되어 있다.The processing block S2 includes a lower antireflection film forming (BCT)
BCT 블록(14)은 도포 유닛(도시하지 않음)과, 가열ㆍ냉각 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암 A2를 내장하고 있다. 도포 유닛은 반사 방지막 형성용 약액을 웨이퍼(W)의 표면에 도포한다. 가열ㆍ냉각 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하여 약액을 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각판에 의해 냉각함으로써, 약액의 경화 등을 위한 열처리를 행한다.The
COT 블록(15)은 도포 유닛(도시하지 않음)과, 가열ㆍ냉각 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암 A3을 내장하고 있다. 도포 유닛은 레지스트막 형성용 약액(레지스트제)을 하층 반사 방지막 상에 도포한다. 가열ㆍ냉각 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하여 레지스트제를 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각판에 의해 냉각함으로써, 레지스트제의 경화 등을 위한 열처리를 행한다. 레지스트제는 포지티브형이어도 되고, 네거티브형이어도 된다.The
TCT 블록(16)은 도포 유닛(도시하지 않음)과, 가열ㆍ냉각 유닛(도시하지 않음)과, 이들 유닛으로 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암 A4를 내장하고 있다. 도포 유닛은 반사 방지막 형성용 약액을 레지스트막 상에 도포한다. 가열ㆍ냉각 유닛은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열하여 약액을 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각판에 의해 냉각함으로써, 약액의 경화 등을 위한 열처리를 행한다.The
도 3에 도시한 바와 같이, DEV 블록(17)은 복수의 현상 처리 유닛(기판 액 처리 장치)(U1)과, 복수의 가열ㆍ냉각 유닛(열처리부)(U2)과, 이 유닛에 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암 A5와, 이들 유닛을 거치지 않고 처리 블록 S2의 전후 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 직접 반송 아암 A6을 내장하고 있다.3, the
현상 처리 유닛(U1)은, 후술하는 바와 같이 노광된 레지스트막의 현상 처리를 행한다. 가열ㆍ냉각 유닛(U2)은, 예를 들어 열판에 의해 웨이퍼(W)를 가열함으로써 레지스트막을 가열하고, 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각판에 의해 냉각한다. 가열ㆍ냉각 유닛(U2)은 포스트 익스포저 베이크(PEB), 포스트 베이크(PB) 등의 가열 처리를 행한다. PEB는 현상 처리 전에 레지스트막을 가열하는 처리이다. PB는 현상 처리 후에 레지스트막을 가열하는 처리이다.The development processing unit U1 performs development processing of the exposed resist film as described later. The heating / cooling unit U2 heats the resist film by, for example, heating the wafer W with a heat plate, and cools the wafer W after the heating by the cooling plate. The heating / cooling unit U2 performs heat treatment such as post exposure bake (PEB), post bake (PB) and the like. PEB is a process for heating the resist film before the development process. PB is a process for heating the resist film after the development process.
처리 블록 S2의 후방측에는 선반 유닛(U10)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U10)은 저면으로부터 TCT 블록(16)에 걸치도록 설치되어 있고, 상하 방향으로 배열하는 복수의 셀 C30 내지 C38로 구획되어 있다. 선반 유닛(U10)의 근방에는 승강 아암 A7이 설치되어 있다. 승강 아암 A7은 셀 C30 내지 C38 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 처리 블록 S2의 전방측에는 선반 유닛(U11)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U11)은 저면으로부터 DEV 블록(17)의 상부에 걸치도록 설치되어 있고, 상하 방향으로 배열하는 복수의 셀 C40 내지 C42로 구획되어 있다.A shelf unit U10 is provided on the rear side of the processing block S2. The shelf unit U10 is provided so as to extend from the bottom surface to the
인터페이스 블록 S3은 노광 장치 E1에 접속된다. 인터페이스 블록 S3은 전달 아암 A8을 내장하고 있다. 전달 아암 A8은 처리 블록 S2의 선반 유닛(U11)으로부터 노광 장치 E1로 웨이퍼(W)를 전달하고, 노광 장치 E1로부터 웨이퍼(W)를 수취하여 선반 유닛(U11)으로 복귀시킨다.The interface block S3 is connected to the exposure apparatus E1. The interface block S3 includes a transfer arm A8. The transfer arm A8 transfers the wafer W from the lathe unit U11 of the processing block S2 to the exposure apparatus E1 and receives the wafer W from the exposure apparatus E1 and returns the wafer W to the lathe unit U11.
이와 같은 도포ㆍ현상 장치(1)에서는, 우선 캐리어(11)가 캐리어 스테이션(12)에 설치된다. 이때, 캐리어(11)의 일측면(11a)은 반입ㆍ반출부(13)의 개폐 도어(13a)를 향하게 된다. 다음에, 캐리어(11)의 개폐 도어와 반입ㆍ반출부(13)의 개폐 도어(13a)가 모두 개방되어, 전달 아암 A1에 의해, 캐리어(11) 내의 웨이퍼(W)가 취출되고, 처리 블록 S2의 선반 유닛(U10) 중 어느 하나의 셀로 순차 반송된다.In such a coating and developing
전달 아암 A1에 의해 선반 유닛(U10) 중 어느 하나의 셀로 반송된 웨이퍼(W)는 승강 아암 A7에 의해, BCT 블록(14)에 대응하는 셀 C33으로 순차 반송된다. 셀 C33으로 반송된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A2에 의해 BCT 블록(14) 내의 각 유닛으로 반송되고, 이 웨이퍼(W)의 표면 상에 하층 반사 방지막이 형성된다.The wafer W transferred to any one of the lathe units U10 by the transfer arm A1 is sequentially transferred to the cell C33 corresponding to the
하층 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A2에 의해 셀 C33 위의 셀 C34로 반송된다. 셀 C34로 반송된 웨이퍼(W)는 승강 아암 A7에 의해, COT 블록(15)에 대응하는 셀 C35로 반송된다. 셀 C35로 반송된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A3에 의해 COT 블록(15) 내의 각 유닛으로 반송되고, 이 웨이퍼(W)의 하층 반사 방지막 상에 레지스트막이 형성된다.The wafer W on which the lower antireflection film is formed is transported to the cell C34 on the cell C33 by the transport arm A2. The wafer W transferred to the cell C34 is transferred to the cell C35 corresponding to the
레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A3에 의해 셀 C35 위의 셀 C36으로 반송된다. 셀 C36으로 반송된 웨이퍼(W)는 승강 아암 A7에 의해, TCT 블록(16)에 대응하는 셀 C37로 반송된다. 셀 C37로 반송된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A4에 의해 TCT 블록(16) 내의 각 유닛으로 반송되고, 이 웨이퍼(W)의 레지스트막 상에 상층 반사 방지막이 형성된다.The wafer W on which the resist film is formed is transported to the cell C36 on the cell C35 by the transport arm A3. The wafer W transferred to the cell C36 is transferred to the cell C37 corresponding to the
상층 반사 방지막이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A4에 의해 셀 C37 위의 셀 C38로 반송된다. 셀 C38로 반송된 웨이퍼(W)는 승강 아암 A7에 의해 직접 반송 아암 A6에 대응하는 셀 C32로 반송되고, 직접 반송 아암 A6에 의해 선반 유닛(U11)의 셀 C42로 반송된다. 셀 C42로 반송된 웨이퍼(W)는 인터페이스 블록 S3의 전달 아암 A8에 의해 노광 장치 E1에 전달되어, 노광 장치 E1에 있어서 레지스트막의 노광 처리가 행해진다. 노광 처리 후의 웨이퍼(W)는 전달 아암 A8에 의해 셀 C42 아래의 셀 C40, C41로 반송된다.The wafer W on which the upper antireflection film is formed is transferred to the cell C38 on the cell C37 by the transfer arm A4. The wafer W transported to the cell C38 is transported directly to the cell C32 corresponding to the transport arm A6 by the lifting arm A7 and transported to the cell C42 of the shelf unit U11 by the transport arm A6. The wafer W transferred to the cell C42 is transferred to the exposure apparatus E1 by the transfer arm A8 of the interface block S3, and exposure processing of the resist film is performed in the exposure apparatus E1. The wafer W after the exposure process is transferred to the cells C40 and C41 under the cell C42 by the transfer arm A8.
셀 C40, C41로 반송된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A5에 의해, DEV 블록(17) 내의 각 유닛으로 반송되어, 현상 처리가 행해진다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 상에 레지스트 패턴이 형성된다. 레지스트 패턴이 형성된 웨이퍼(W)는 반송 아암 A5에 의해 선반 유닛(U10) 중 DEV 블록(17)에 대응한 셀 C30, C31로 반송된다. 셀 C30, C31로 반송된 웨이퍼(W)는 승강 아암 A7에 의해, 전달 아암 A1이 액세스 가능한 셀로 반송되고, 전달 아암 A1에 의해, 캐리어(11) 내로 복귀된다.The wafer W transported to the cells C40 and C41 is transported to each unit in the
또한, 도포ㆍ현상 장치(1)의 구성은 일례에 지나지 않는다. 도포ㆍ현상 장치는 도포 유닛이나 현상 처리 유닛 등의 액 처리 유닛과, 가열ㆍ냉각 유닛 등의 전처리ㆍ후처리 유닛과, 반송 장치를 구비하는 것이면 되고, 이들 각 유닛의 개수나 종류, 레이아웃 등은 적절히 변경 가능하다.Further, the configuration of the coating and developing
계속해서, 현상 처리 유닛(기판 액 처리 장치)(U1)에 대해 더욱 상세하게 설명한다. 도 4에 도시한 바와 같이, 현상 처리 유닛(U1)은 기판 회전 기구(20)와, 승강 장치(22)와, 현상액 공급 기구(처리액 공급 기구)(23)와, 린스액 공급 기구(처리액 공급 기구)(24)와, 컵(30)과, 배기 기구(42)와, 제어부(27)를 구비한다.Next, the development processing unit (substrate liquid processing apparatus) U1 will be described in more detail. 4, the developing processing unit U1 includes a
기판 회전 기구(20)는 전동 모터 등의 동력원을 내장한 본체부(20a)와, 본체부(20a)로부터 연직 상방으로 돌출되는 회전축(20b)과, 회전축(20b)의 선단부에 설치된 척(20c)을 갖는다. 본체부(20a)는 동력원에 의해 회전축(20b) 및 척(20c)을 회전시킨다. 척(20c)은 대략 수평으로 배치된 웨이퍼(W)의 중심부를 지지하고, 예를 들어 흡착에 의해 보유 지지한다. 즉, 기판 회전 기구(20)는 웨이퍼(W)를 수평으로 보유 지지하고, 연직인 축선을 중심으로 회전시킨다.The
승강 장치(22)는 기판 회전 기구(20)에 인접하도록 설치되어, 기판 회전 기구(20)를 승강시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 전달 높이와, 현상 처리를 행하는 현상 높이 사이에서 척(20c)을 승강시키는 것이 가능하게 되어 있다.The elevating
도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 현상액 공급 기구(23)는 현상액(처리액)의 공급원(23a)과, 현상액 노즐(23c)과, 이동체(23d)를 갖고, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 현상액을 공급한다. 공급원(23a)은 현상액의 저장 용기, 펌프 및 밸브 등을 갖는다. 현상액 노즐(23c)은 공급관(23b)을 통해 공급원(23a)에 접속되어, 공급원(23a)으로부터 공급된 현상액을 토출한다. 이동체(23d)는 아암(23e)을 통해 현상액 노즐(23c)에 접속되어 있다. 이동체(23d)는 기판 회전 기구(20)의 주위에 수평으로 설치된 가이드 레일(43)을 따라서 이동함으로써, 현상액 노즐(23c)을 수평 방향으로 이송한다. 현상액 노즐(23c)은 가이드 레일(43)의 연장 방향(도시 우측 방향 또는 좌측 방향)에서 볼 때, 척(20c)의 중심의 상방에 위치한다. 현상액 노즐(23c)의 토출 구멍 h1은 하방으로 개방된다. 토출 구멍 h1은 가이드 레일(43)의 연장 방향을 따른 슬릿 형상을 이루고 있다.4 and 5, the
웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 현상액을 공급할 때에는, 이동체(23d)에 의해 현상액 노즐(23c)이 이송되어, 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 상방에 배치된다. 그리고, 공급원(23a)으로부터 공급된 현상액이 현상액 노즐(23c)로부터 하방으로 토출되어, 표면(Wa)에 공급된다.The
린스액 공급 기구(24)는 린스액(처리액)의 공급원(24a)과, 린스액 노즐(24c)과, 이동체(24d)를 갖고, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 린스액을 공급한다. 린스액은, 예를 들어 순수 또는 DIW(Deionized Water) 등이다. 공급원(24a)은 린스액의 저장 용기, 펌프 및 밸브 등을 갖는다. 린스액 노즐(24c)은 공급관(24b)을 통해 공급원(24a)에 접속되어, 공급원(24a)으로부터 공급된 린스액을 토출한다. 이동체(24d)는 아암(24e)을 통해 린스액 노즐(24c)에 접속되어 있다. 이동체(24d)는 상기 가이드 레일(43)을 따라서 이동함으로써, 린스액 노즐(24c)을 수평 방향으로 이송한다. 아암(24e)에 지지된 린스액 노즐(24c)은 가이드 레일(43)의 연장 방향(도시 우측 방향 또는 좌측 방향)에서 볼 때, 척(20c)의 중심의 상방에 위치한다. 린스액 노즐(24c)의 토출 구멍 h2는 하방으로 개방된다.The rinsing
웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 린스액을 공급할 때에는, 이동체(24d)에 의해 린스액 노즐(24c)이 이송되어, 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 상방에 배치된다. 그리고, 공급원(24a)으로부터 공급된 린스액이 린스액 노즐(24c)로부터 하방으로 토출되어, 표면(Wa)에 공급된다.When the rinse liquid is supplied to the surface Wa of the wafer W, the rinse
컵(30)은 기판 회전 기구(20)에 보유 지지된 웨이퍼(W)를 수용한다. 즉, 기판 회전 기구(20)는 컵(30) 내에 수용된 웨이퍼(W)를 보유 지지한다. 또한, 가이드 레일(43)은 컵(30)의 외측에 배치된다. 컵(30)은 기판 회전 기구(20)를 둘러싸는 원환 형상의 저판(저부)(31)과, 저판(31)의 외측 테두리로부터 연직 상방으로 돌출된 원통 형상의 외벽(32)과, 저판(31)의 내측 테두리로부터 연직 상방으로 돌출된 원통 형상의 내벽(33)을 갖는다. 저판(31)은 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 이면(Wb)에 대향한다.The
외벽(32)의 전체 부분은 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주연(Wc)보다 외측에 위치한다. 외벽(32)의 상단부는 개방되어, 흡기구(32a)를 구성한다. 흡기구(32a)는 상기 현상 높이의 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)보다 상방에 위치한다. 외벽(32)의 흡기구(32a)측의 부분에는 내측으로 기울어진 경사벽부(32b)가 형성되어 있다.The entire portion of the
내벽(33)의 전체 부분은 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)의 주연(Wc)보다 내측에 위치한다. 내벽(33)의 상단부(33a)는 상기 현상 높이의 척(20c)에 보유 지지된 웨이퍼(W)보다 하방에 위치한다.The entire portion of the
내벽(33)과 외벽(32) 사이에는 내벽(33)을 둘러싸도록 저판(31)의 상면으로부터 연직 상방으로 돌출된 제1 환상벽(34)이 설치되어 있다. 제1 환상벽(34)은 웨이퍼(W)의 주연(Wc)을 따름과 함께, 저판(31)으로부터 웨이퍼(W)측으로 돌출된다. 저판(31) 중, 외벽(32)과 제1 환상벽(34) 사이의 부분에는 배액구(31a)가 형성되어 있고, 배액구(31a)에는 배액관(41)이 접속되어 있다. 저판(31) 중, 제1 환상벽(34)과 내벽(33) 사이의 부분에는 배기구(31b)가 형성되어 있다.Between the
배기 기구(42)는 본체부(42a)와 배기 덕트(42b)를 갖는다. 배기 덕트(42b)는 본체부(42a)와 배기구(31b)를 접속한다. 본체부(42a)는 펌프 및 필터 등(도시하지 않음)을 갖고, 배기 덕트(42b) 및 배기구(31b)를 통해 컵(30) 내의 기체를 흡인한다.The
내벽(33) 상에는 우산 형상부(35)가 설치되어 있다. 우산 형상부(35)는 제1 환상벽(34)과 웨이퍼(W)의 이면(Wb) 사이에 위치함과 함께, 제1 환상벽(34)보다 외측으로 돌출된다. 우산 형상부(35)의 주연부에는 제2 환상벽(36)이 설치되어 있다. 제2 환상벽(36)은 저판(31)측으로 돌출되어 제1 환상벽(34)을 둘러싼다.On the
내벽(33)에 둘러싸이는 공간의 상부는 덮개 부재(38)에 의해 막혀 있다. 기판 회전 기구(20)의 본체부(20a)는 덮개 부재(38)의 하방에 위치하고, 척(20c)은 덮개 부재(38)의 상방에 위치하고, 회전축(20b)은 덮개 부재(38)를 관통하고 있다.The upper part of the space surrounded by the
컵(30) 내에 있어서, 웨이퍼(W) 상으로부터 낙하한 현상액 또는 린스액은 우산 형상부(35) 및 제2 환상벽(36)에 의해 제1 환상벽(34)의 외측 영역 P1로 유도된다. 영역 P1로 유도된 현상액 또는 린스액은 배액구(31a)로부터 배액관(41)으로 배출된다.Developer or rinsing liquid dropped from the wafer W in the
컵(30)의 흡기구(32a)에는 컵(30) 외부의 기체가 진입한다. 흡기구(32a)에 진입한 기체는 우산 형상부(35)와 경사벽부(32b) 사이 및 외벽(32)과 제2 환상벽(36) 사이를 거쳐서 제1 환상벽(34)의 내측 영역 P2로 유도된다. 영역 P2로 유도된 기체는 배기구(31b)로부터 배기 덕트(42b)로 배출된다. 흡기구(32a)는 웨이퍼(W)의 표면(Wa)측에 형성되고, 배기구(31b)는 웨이퍼(W)의 이면(Wb)측에 형성되어 있으므로, 우산 형상부(35)와 경사벽부(32b) 사이, 외벽(32)과 제2 환상벽(36) 사이 및 영역 P2는 기체를 표면(Wa)측으로부터 이면(Wb)측으로 유도하는 유로 FP를 구성한다. 유로 FP는 웨이퍼(W)의 주연(Wc)을 따라서 형성된다.A gas outside the
여기서, 도 6에 도시한 바와 같이, 배액구(31a) 및 배기구(31b)는 각각 저판(31)의 1개소에 형성되어 있다. 배기구(31b)는 웨이퍼(W)의 주연(Wc) 근처에 위치하여, 주연(Wc)의 일부분을 따라서 원호 형상으로 연장된 형상을 이루고 있다. 이에 대응하여, 배기 덕트(42b)와 배기구(31b)의 접속부도 주연(Wc)을 따라서 연장되어 있다. 배기 덕트(42b)는 평면에서 볼 때에 있어서 배기구(31b)의 일단부로부터 외벽(32)의 외측으로 연장되어, 본체부(42a)에 연결되어 있다.Here, as shown in Fig. 6, the
제2 환상벽(36)의 중심축과 내벽(33)의 중심축은 대략 일치하고 있다. 한편, 제1 환상벽(34)의 중심축은 내벽(33)의 중심축에 대해 배기구(31b)측으로 어긋나 있다. 이에 의해, 제1 환상벽(34)과 제2 환상벽(36)의 간격은 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 크게 되어 있다. 이로 인해, 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 유로 FP의 통기 저항이 작게 되어 있다.The center axis of the second
또한, 제1 환상벽(34)의 중심축과 내벽(33)의 중심축이 대략 일치하고, 제2 환상벽(36)의 중심축이 내벽(33)의 중심축에 대해 배기구(31b)의 반대측으로 어긋나 있어도 된다. 제1 환상벽(34)의 중심축이 내벽(33)의 중심축에 대해 배기구(31b)측으로 어긋남과 함께, 제2 환상벽(36)의 중심축이 내벽(33)의 중심축에 대해 배기구(31b)의 반대측으로 어긋나 있어도 된다. 이들의 경우도, 제1 환상벽(34)과 제2 환상벽(36)의 간격이 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 커지므로, 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 유로 FP의 통기 저항이 작아진다.The central axis of the first
제어부(27)는 제어용 컴퓨터이고, 현상 처리 조건의 설정 화면을 표시하는 표시부(도시하지 않음)와, 현상 처리 조건을 입력하는 입력부(도시하지 않음)와, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로부터 프로그램을 판독하는 판독부(도시하지 않음)를 갖는다. 기록 매체에는 본 실시 형태에 관한 현상 처리 방법(기판 처리 방법)을 현상 처리 유닛(U1)에 실행시키기 위한 프로그램이 기록되어 있다. 기록 매체로서는, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 플래시 메모리, 플렉시블 디스크 또는 메모리 카드 등을 들 수 있다. 제어부(27)는 입력부에 입력된 현상 처리 조건과, 판독부에 의해 판독된 프로그램에 따라서, 기판 회전 기구(20), 승강 장치(22), 현상액 공급 기구(23), 린스액 공급 기구(24)를 제어하여, 현상 처리를 실행한다. 이하, 제어부(27)의 제어 수순에 대해 설명한다.The
우선, 제어부(27)는 척(20c)을 상기 전달 높이까지 상승시키도록 승강 장치(22)를 제어한 상태로 대기한다. 이 상태에서, 상술한 반송 아암 A5에 의해, 웨이퍼(W)가 현상 처리 유닛(U1) 내로 반입된다. 웨이퍼(W)에는 레지스트막 R이 형성되고, 레지스트막 R에는 노광 장치 E1에 의해 노광 처리가 실시되어 있다. 웨이퍼(W)는 레지스트막 R을 위로 한 상태에서 척(20c) 상에 수평으로 배치된다. 웨이퍼(W)가 배치되면, 제어부(27)는 웨이퍼(W)를 보유 지지하도록 척(20c)을 제어하고, 척(20c)을 상기 현상 높이까지 하강시키도록 승강 장치(22)를 제어한다.First, the
다음에, 제어부(27)는, 도 7의 (a)에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)를 회전시키도록 기판 회전 기구(20)를 제어한다. 이것과 함께, 현상액 노즐(23c)을 웨이퍼(W)의 외주부터 중심을 향해 이동시키면서, 현상액 노즐(23c)로부터 현상액(L1)을 토출하도록 현상액 공급 기구(23)를 제어한다. 이에 의해, 소용돌이 형상의 선을 따라서, 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 전체에 현상액(L1)이 공급되고, 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 현상액(L1)의 패들이 표면(Wa) 상에 형성된다. 웨이퍼(W)의 회전을 멈추도록 기판 회전 기구(20)를 제어하여, 웨이퍼(W)를 정지 상태로 한다. 그 사이에, 레지스트막 R의 가용 부분의 용해가 진행된다.Next, the
다음에, 제어부(27)는 현상액 노즐(23c)을 웨이퍼(W) 상으로부터 후퇴시키도록 현상액 공급 기구(23)를 제어하고, 그 대신에 린스액 노즐(24c)을 웨이퍼(W)의 중심 상방으로 이동시키도록 린스액 공급 기구(24)를 제어한다. 이 상태에서, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)를 회전시키도록 기판 회전 기구(20)를 제어한다. 이것과 함께, 린스액 노즐(24c)로부터 린스액(L2)을 토출하도록 린스액 공급 기구(24)를 제어한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 린스액(L2)이 공급된다. 현상액(L1)에 의해 용해된 레지스트막 R의 성분이 현상액(L1)과 함께 린스액(L2)에 씻겨 내어짐으로써, 도 7의 (d)에 도시한 바와 같이 레지스트 패턴 Rp가 형성된다.Next, the
다음에, 제어부(27)는 린스액(L2)의 공급을 정지시키도록 린스액 공급 기구(24)를 제어함과 함께, 그 후에도 웨이퍼(W)의 회전을 계속시키도록 기판 회전 기구(20)를 제어한다. 이에 의해, 린스액(L2)이 웨이퍼(W)의 주위로 떨쳐 내어진 후에, 제어부(27)는 웨이퍼(W)의 회전을 멈추도록 기판 회전 기구(20)를 제어한다. 이상으로 현상 처리가 완료된다.The
현상 처리 중에 있어서, 컵(30) 외부의 기체는, 도 8에 2점 쇄선으로 나타낸 바와 같이 흡기구(32a)를 통해 컵(30) 내로 유도되고, 유로 FP를 통해 웨이퍼(W)의 표면(Wa)측으로부터 이면(Wb)측으로 유도되어, 배기구(31b)를 통해 배출된다. 유로 FP는 웨이퍼(W)의 주연(Wc)을 따라서 형성되어 있으므로, 표면(Wa) 상에는 주연(Wc)을 향하는 기류 SF가 형성된다. 이 기류 SF에 의해, 휘발한 현상액(L1) 또는 린스액(L2) 등이 계속적으로 배출된다. 가령, 유로 FP의 통기 저항이 웨이퍼(W)의 주위 방향에 있어서 균일하면, 기체는 배기구(31b)에 가까운 유로 FP를 통하기 쉬워진다. 표면(Wa) 상에서는 배기구(31b)에 가까운 유로 FP를 향하는 기체의 양이, 배기구(31b)로부터 먼 유로 FP를 향하는 기체의 양에 비해 커지므로, 통기 유량의 편차가 발생한다. 이에 대해, 유로 FP는 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 통기 저항이 작아지도록 구성되어 있으므로, 배기구(31b)로부터 이격된 유로 FP에도 기체가 돌아 들어가기 쉽다. 따라서, 표면(Wa) 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시킬 수 있다.The gas outside the
표면(Wa) 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시킴으로써, 휘발한 현상액(L1) 또는 린스액(L2) 등을 확실히 배출할 수 있다. 또한, 표면(Wa) 상에 형성되는 액막의 두께의 균일성을 향상시켜, 액 처리의 안정성을 향상시키는 것도 기대된다. 이와 같은 효과는 표면(Wa) 상에 현상액(L1)의 패들을 형성한 후와 같이, 웨이퍼(W)를 정지시키는 처리에 있어서 보다 현저해진다.By reducing the variation in the flow rate of air on the surface Wa, it is possible to reliably discharge the volatilized developer L1 or rinse liquid L2. It is also expected that the uniformity of the thickness of the liquid film formed on the surface Wa is improved to improve the stability of the liquid processing. Such an effect is more remarkable in the process of stopping the wafer W, as in the case of forming the pouch of the developer L1 on the surface Wa.
한편, 유로 FP의 통기 저항에 의해 표면(Wa) 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 저감시킴으로써, 배기구(31b)를 편재시키기 쉬워진다. 예를 들어, 상술한 현상 처리 유닛(U1)에 있어서, 배기구(31b)는 저판(31)의 주위 방향에 있어서 1개소에만 형성되어 있다. 이에 의해, 배기 덕트(42b)의 배관 스페이스를 확보하기 쉬워져, 장치 전체의 소형화가 기대된다.On the other hand, by reducing the variation in the flow rate of the air on the surface Wa due to the flow resistance of the flow path FP, it is easy to unify the
제1 환상벽(34) 및 제2 환상벽(36)은 컵(30) 내를 액체 도입 영역 P1과 기체 도입 영역 P2로 구획하는 요소로서 기능하는 한편, 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 통기 저항이 커지도록 유로 FP를 구성하는 부재로서도 기능한다. 이와 같이, 액체 도입 영역 P1과 기체 도입 영역 P2를 구획하는 부재를 유로 FP의 구성에 겸용함으로써, 장치의 구성을 단순화할 수 있다.The first
배기구(31b)는 웨이퍼(W)의 주연(Wc) 근처에 위치하여, 주연(Wc)의 일부를 따라서 연장된 형상을 이루고 있다. 이로 인해, 배기구(31b)가 연장되는 범위에 있어서는 배기구(31b)가 유로 FP의 배치를 따르므로, 유로 FP의 통기 유량의 균일성이 높아진다. 배기구(31b)가 연장되는 범위 이외에서는, 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 유로 FP의 통기 저항이 작아짐으로써, 유로 FP의 통기 유량의 균일성이 높아진다. 이들의 상승 효과에 의해 웨이퍼(W)의 표면(Wa) 상에 있어서의 통기 유량의 편차를 더욱 저감시킬 수 있다.The
또한, 주연(Wc)을 따라서 배기구(31b)를 연장시키는 것은, 배기구(31b)의 개구 면적의 확대에도 기여한다. 배기구(31b)의 개구 면적을 확대함으로써, 컵(30) 내의 기체를 보다 확실히 배출할 수 있다. 상술한 바와 같이, 배기구(31b)는 저판(31)의 주위 방향에 있어서 1개소에만 형성되어 있으므로, 이 효과가 보다 현저해진다.In addition, extending the
배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 유로 FP의 통기 저항을 작게 하는 구성은 상술한 것으로 한정되지 않는다. 도 9에 도시하는 현상 처리 유닛(U3)의 컵(30A)은 저판(31)과 웨이퍼(W)가 대향하는 방향(연직 방향)에 있어서, 제1 환상벽(34A)과 제2 환상벽(36A)이 겹치는 길이(이하, 「중복 길이」라고 함)를 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 작게 한 것이다. 구체적으로, 제1 환상벽(34A) 및 제2 환상벽(36A)의 중심축은 모두 내벽(33)의 중심축에 대략 일치하고 있다. 제2 환상벽(36A)이 저판(31)측으로 돌출되는 높이는 주위 방향에 있어서 대략 일정하게 되어 있다. 한편, 제1 환상벽(34A)이 웨이퍼(W)측으로 돌출되는 높이는 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 작게 되어 있다. 이에 의해, 제1 환상벽(34A)과 제2 환상벽(36A)의 중복 길이가 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 작게 되어 있다.The configuration for reducing the ventilation resistance of the flow path FP as it is spaced from the
도 10에 도시하는 현상 처리 유닛(U4)의 컵(30B)은 컵(30A)에 있어서의 제1 환상벽(34A)의 높이와 제2 환상벽(36A)의 높이의 관계를 반대로 한 것이다. 구체적으로, 컵(30B)의 제1 환상벽(34B)이 웨이퍼(W)측으로 돌출되는 높이는 주위 방향에 있어서 대략 일정하게 되어 있다. 한편, 제2 환상벽(36B)이 저판(31)측으로 돌출되는 높이는 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 작게 되어 있다. 이에 의해, 제1 환상벽(34B)과 제2 환상벽(36B)의 중복 길이가 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 작게 되어 있다.The
컵(30A) 및 컵(30B)의 구성에 의해서도, 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 유로 FP의 통기 저항을 작게 할 수 있다. 액체 도입 영역 P1과 기체 도입 영역 P2를 구획하는 제1 환상벽(34A, 34B) 및 제2 환상벽(36A, 36B)을 유로 FP의 구성에 겸용함으로써, 장치의 구성을 단순화할 수 있다.By the configuration of the
또한, 컵(30A)의 제1 환상벽(34A)과 컵(30B)의 제2 환상벽(36B)을 조합해도 된다. 또한, 제1 환상벽(34)과 제2 환상벽(36)의 간격을 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 크게 하는 컵(30)의 구성과, 제1 환상벽(34A, 34B)과 제2 환상벽(36A, 36B)의 중복 길이를 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 작게 하는 컵(30A, 30B)의 구성을 조합해도 된다. 제1 환상벽(34, 34A, 34B) 또는 제2 환상벽(36, 36A, 36B)을 연직 방향에 대해 경사지게 함으로써, 제1 환상벽(34, 34A, 34B)과 제2 환상벽(36, 36A, 36B)의 간격 또는 중복 길이를 조절해도 된다.The first
도 11 및 도 12에 도시하는 현상 처리 유닛(U5)의 컵(30C)은 웨이퍼(W)의 전체 둘레에 걸쳐서 유로 FP를 상류측과 하류측으로 구획하는 구획판(구획 부재)(37)에 의해, 유로 FP의 통기 저항을 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 작게 한 것이다. 컵(30C)의 제1 환상벽(34C) 및 제2 환상벽(36C)의 중심축은 모두 내벽(33)의 중심축에 대략 일치하고 있다. 제1 환상벽(34C)이 웨이퍼(W)측으로 돌출되는 높이와, 제2 환상벽(36C)이 저판(31)측으로 돌출되는 높이는 모두 주위 방향에 있어서 대략 일정하게 되어 있다. 구획판(37)은 제1 환상벽(34C)의 상단부에 있어서, 제1 환상벽(34C)과 내벽(33) 사이를 막도록 형성되어 있다.The
구획판(37)에는 웨이퍼(W)의 주연(Wc)을 따라서 점재하는 복수의 통기 구멍(37a)이 형성되어 있다. 즉, 컵(30C)은 구획판(37)과, 구획판(37)에 형성된 복수의 통기 구멍(37a)을 갖는다. 통기 구멍(37a)은 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 개구 면적이 커지도록 형성되어 있다. 일례로서, 통기 구멍(37a)은 원형을 이루고 있고, 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 그 직경이 크게 되어 있다. 이와 같은 구성에 의해서도, 배기구(31b)로부터 이격됨에 따라서 유로 FP의 통기 저항을 작게 할 수 있다.The
이상, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대해 설명해 왔지만, 본 발명은 반드시 상술한 실시 형태로 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능하다. 예를 들어, 상술한 구성을 BCT 블록(14), COT 블록(15) 또는 TCT 블록(16)의 도포 유닛에 적용해도 된다. 즉, 상술한 구성을 반사 방지막 형성용 약액 또는 레지스트막 형성용 약액의 도포 장치에 적용해도 된다. 또한, 웨이퍼(W)를 접착하기 위한 접착제 도포 장치 등에 적용해도 된다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not necessarily limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible without departing from the gist of the present invention. For example, the above-described configuration may be applied to the coating unit of the
20 : 기판 회전 기구
23 : 현상액 공급 기구(처리액 공급 기구)
24 : 린스액 공급 기구(처리액 공급 기구)
30, 30A, 30B, 30C : 컵
31b : 배기구
32a : 흡기구
34, 34A, 34B : 제1 환상벽
35 : 우산 형상부
36, 36A, 36B : 제2 환상벽
37 : 구획판(구획 부재)
37a : 통기 구멍, 배기 기구
42, FP : 유로
L1 : 현상액(처리액)
L2 : 린스액(처리액)
U1, U3, U4, U5 : 현상 처리 유닛(기판 액 처리 장치)
W : 웨이퍼(기판)
Wa : 표면
Wb : 이면
Wc : 주연20: substrate rotating mechanism
23: Developer supply mechanism (processing solution supply mechanism)
24: rinse liquid supply mechanism (processing liquid supply mechanism)
30, 30A, 30B, 30C: cup
31b:
32a: Intake port
34, 34A, 34B: a first annular wall
35: umbrella shape portion
36, 36A, 36B: a second annular wall
37: partition plate (partition member)
37a: ventilation hole, exhausting mechanism
42, FP: Euro
L1: developer (processing solution)
L2: Rinse liquid (treatment liquid)
U1, U3, U4, U5: development processing unit (substrate liquid processing apparatus)
W: Wafer (substrate)
Wa: Surface
Wb:
Wc: Cast
Claims (6)
상기 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구와,
상기 기판을 둘러싸는 컵과,
상기 컵 내의 기체를 배출하는 배기 기구와,
상기 컵에 있어서의 상기 기판의 이면측에 형성된 배기구와,
상기 컵 내에 있어서 상기 기판의 주연을 따라서 형성되어, 상기 기판의 표면측으로부터 이면측으로 기체를 유도하는 유로를 구비하고,
상기 유로는 상기 배기구로부터 이격됨에 따라서 통기 저항이 작아지도록 구성되어 있는, 기판 액 처리 장치.A substrate rotating mechanism for holding the substrate and rotating the substrate,
A processing liquid supply mechanism for supplying a processing liquid to a surface of the substrate;
A cup surrounding the substrate,
An exhaust mechanism for exhausting the gas in the cup,
An exhaust port formed on the back side of the substrate in the cup,
And a flow path formed along the periphery of the substrate in the cup to guide the gas from the front surface side to the back surface side of the substrate,
Wherein the flow path is configured so that the ventilation resistance becomes smaller as it is spaced from the exhaust port.
상기 기판의 이면에 대향하는 저부와,
상기 기판의 주연을 따름과 함께 상기 저부로부터 상기 기판측으로 돌출된 제1 환상벽과,
상기 제1 환상벽과 상기 기판의 이면 사이에 위치함과 함께, 상기 제1 환상벽보다 외측으로 돌출되는 우산 형상부와,
상기 우산 형상부의 주연부로부터 상기 저부측으로 돌출되어 상기 제1 환상벽을 둘러싸고, 상기 제1 환상벽과의 사이에 상기 유로의 일부를 구성하는 제2 환상벽을 갖고,
상기 배기구는 상기 저부 중 상기 제1 환상벽보다 내측의 영역에 형성되고,
상기 유로는 상기 제1 환상벽 및 상기 제2 환상벽의 배치에 의해, 상기 배기구로부터 이격됨에 따라서 상기 통기 저항이 커지도록 구성되어 있는, 기판 액 처리 장치.2. The apparatus of claim 1,
A bottom portion opposed to the back surface of the substrate,
A first annular wall protruding from the bottom to the substrate side along the periphery of the substrate,
An umbrella-shaped portion positioned between the first annular wall and the back surface of the substrate and protruding outward from the first annular wall,
And a second annular wall protruding from the periphery of the umbrella-shaped portion to the bottom side and surrounding the first annular wall and constituting a part of the flow path between the first annular wall and the second annular wall,
Wherein the exhaust port is formed in a region of the bottom portion inside the first annular wall,
Wherein the flow path is configured to increase the aeration resistance as the first annular wall and the second annular wall are spaced apart from the exhaust port by the arrangement of the first annular wall and the second annular wall.
상기 기판의 전체 둘레에 걸쳐서 상기 유로를 상류측과 하류측으로 구획하도록 설치된 구획 부재와,
상기 기판의 주연을 따라서 점재하도록 상기 구획 부재에 형성된 복수의 통기 구멍을 갖고,
상기 통기 구멍은 상기 배기구로부터 이격됨에 따라서 개구 면적이 커지도록 형성되어 있는, 기판 액 처리 장치.2. The apparatus of claim 1,
A partition member installed to divide the flow path into an upstream side and a downstream side over the entire circumference of the substrate,
And a plurality of ventilation holes formed in the partition member so as to dot the periphery of the substrate,
Wherein the vent hole is formed so that an opening area becomes larger as the vent hole is spaced apart from the exhaust port.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2013-190984 | 2013-09-13 | ||
JP2013190984A JP5909218B2 (en) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | Substrate liquid processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150031184A true KR20150031184A (en) | 2015-03-23 |
KR102161328B1 KR102161328B1 (en) | 2020-09-29 |
Family
ID=52820769
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140119027A KR102161328B1 (en) | 2013-09-13 | 2014-09-05 | Substrate fluid processing device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5909218B2 (en) |
KR (1) | KR102161328B1 (en) |
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Date | Code | Title | Description |
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