KR101760310B1

KR101760310B1 - Developing processing apparatus, developing processing method and computer readable storage medium

Info

Publication number: KR101760310B1
Application number: KR1020120068504A
Authority: KR
Inventors: 코우이치 혼타케; 히데하루 쿄우다
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2011-07-07
Filing date: 2012-06-26
Publication date: 2017-07-21
Also published as: JP2013021004A; JP5584176B2; KR20130006297A

Abstract

기판 상의 레지스트막을 고정밀도로 현상하여, 당해 레지스트막에 레지스트 패턴을 적절히 형성한다. 현상 처리 장치(30)는 웨이퍼(W)를 수용하여 처리하는 처리 용기(110)와, 웨이퍼(W)를 보지하여 회전시키는 스핀 척(140)과, 웨이퍼(W) 상으로 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하는 현상액 노즐(160)과, 웨이퍼(W) 상으로 린스액을 공급하는 린스액 노즐(164)과, 처리 용기(110) 내로 초산 부틸 가스를 공급하는 처리 가스 공급부(122)와, 처리 용기(110) 내로 질소 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급부(126)와, 처리 용기(110) 내의 초산 부틸 가스의 농도를 측정하는 농도 측정기(130)와, 처리 용기(110) 내의 가스 농도를 소정의 농도로 제어하는 농도 제어부(131)와, 처리 용기(110)로부터 유출된 초산 부틸 가스를 재차 처리 용기(110) 내로 공급하여 순환시키는 가스 순환부(151)를 가진다.A resist film on the substrate is developed with high accuracy, and a resist pattern is suitably formed on the resist film. The development processing apparatus 30 includes a processing vessel 110 for receiving and processing wafers W, a spin chuck 140 for holding and rotating the wafers W, A rinse solution nozzle 164 for supplying a rinse solution onto the wafer W, a process gas supply unit 122 for supplying butyl acetate gas into the process container 110, A purge gas supply unit 126 for supplying a nitrogen gas into the processing vessel 110, a concentration measuring instrument 130 for measuring the concentration of butyl acetate gas in the processing vessel 110, And a gas circulating unit 151 for supplying the butyl acetate gas flowing out from the processing vessel 110 again into the processing vessel 110 and circulating it.

Description

TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a development processing apparatus, a development processing method, and a computer storage medium. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은 기판의 현상 처리 장치, 현상 처리 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체에 관한 것이다.The present invention relates to a development processing apparatus for a substrate, a development processing method, a program, and a computer storage medium.

예를 들면, 반도체 디바이스의 제조 프로세스에서의 포토리소그래피 공정에서는, 예를 들면 반도체 웨이퍼(이하, '웨이퍼'라고 함) 상에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 처리, 당해 레지스트막에 소정의 패턴을 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리 등이 순차적으로 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다.For example, in the photolithography process in the manufacturing process of a semiconductor device, a resist coating process for forming a resist film by applying a resist solution onto a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a " wafer "), An exposure process for exposing the pattern of the resist film, and a development process for developing the exposed resist film are sequentially performed, and a predetermined resist pattern is formed on the wafer.

상술한 현상 처리에서는, 예를 들면 웨이퍼 상에 알칼리성의 TMAH 현상액(테트라메틸암모늄 하이드로옥사이드 현상액)을 공급하여, 웨이퍼 표면 상에 현상액의 액막을 형성함으로써, 웨이퍼의 현상 처리가 행해지고 있다(특허 문헌 1).In the developing process described above, for example, a developing process of wafers is performed by supplying an alkaline TMAH developer (tetramethylammonium hydroxide solution) onto a wafer and forming a liquid film of the developer on the wafer surface (see Patent Document 1 ).

특허 문헌 1: 일본특허공개공보 2006 - 2604호Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open Publication No. 2006-2604

최근, 상술한 레지스트 패턴을 형성할 시에는 반도체 디바이스의 진보된 고집적화를 도모하기 위하여, 당해 레지스트 패턴의 미세화가 요구되고 있다. 또한, 이와 같이 미세한 레지스트 패턴을 높은 치수 정밀도로 형성하기 위하여, 상술한 현상 처리에서 레지스트막을 보다 높은 정밀도로 현상하는 것이 요구되고 있다.In recent years, when forming the above-described resist pattern, it is required to miniaturize the resist pattern in order to achieve an advanced high integration of the semiconductor device. Further, in order to form such a fine resist pattern with high dimensional accuracy, it is required to develop the resist film with higher accuracy in the above-described developing process.

여기서, 특허 문헌 1에 기재된 현상 처리에서는 알칼리성의 TMAH 현상액이 웨이퍼 상으로 공급되므로, 이 현상액에 의해 노광된 레지스트막이 용해된다. 그러면, 노광 처리에서는 레지스트막이 용해되는 부분(레지스트 패턴의 트렌치 부분)이 노광되기 때문에, 당해 부분에 대응하는 개구부가 형성된 마스크를 이용하여 레지스트막이 노광된다. 이러한 경우, 레지스트 패턴의 트렌치의 미세화에 수반하여 마스크의 개구부도 미세화되므로, 노광 처리에서 마스크의 개구부에서 광의 회절 등이 발생하여 노광 콘트라스트가 부족해진다. 그러면, 레지스트막을 높은 정밀도로 노광 및 현상할 수 없어, 레지스트 패턴의 형상이 원하는 형상이 되지 않는 경우가 있었다.Here, in the developing process described in Patent Document 1, since the alkaline TMAH developing solution is supplied onto the wafer, the resist film exposed by this developing solution dissolves. Then, in the exposure process, the portion where the resist film is dissolved (the trench portion of the resist pattern) is exposed, so that the resist film is exposed using the mask having the opening corresponding to the portion. In this case, as the trenches of the resist pattern are made finer, the openings of the mask are also miniaturized, so that diffraction of light occurs in the openings of the mask in the exposure process and the exposure contrast becomes insufficient. Then, the resist film can not be exposed and developed with high precision, and the shape of the resist pattern may not be a desired shape.

따라서, 발명자들은 유기 용제를 함유하는 현상액을 이용하는 것을 생각했다. 이 현상액을 웨이퍼 상으로 공급하면, 노광되어 있지 않은 레지스트막이 용해되어, 노광된 레지스트막이 레지스트 패턴으로서 남는다. 이 때문에, 노광 처리의 마스크의 개구부를 크게 할 수 있어, 노광 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.Therefore, the inventors considered using a developer containing an organic solvent. When this developer is supplied onto the wafer, the unexposed resist film is dissolved, and the exposed resist film remains as a resist pattern. Therefore, the opening of the mask of the exposure process can be made large, and the exposure contrast can be improved.

그러나, 유기 용제를 함유하는 현상액은 종래의 알칼리성의 현상액보다 쉽게 휘발되는 성질을 가진다. 현상액의 휘발 및 건조가 진행되면, 레지스트 성분이 재차 석출되어, 현상 결함이 발생하는 경우가 있다. 또한, 이러한 현상액의 휘발을 보충하기 위해서는 다량의 현상액이 필요해지는 경우가 있었다.However, a developer containing an organic solvent has a property of being more easily volatilized than a conventional alkaline developer. When the developing solution is volatilized and dried, the resist component may precipitate again to cause development defects. Further, in order to compensate for the volatilization of such a developer, a large amount of developer may be required.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 기판 상의 레지스트막을 고정밀도로 현상하여, 당해 레지스트막에 레지스트 패턴을 적절히 형성하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of this point, and an object of the present invention is to develop a resist film on a substrate with high precision, and to appropriately form a resist pattern on the resist film.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기판의 현상 처리 장치로서, 기판을 수용하여 처리하는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에서 기판을 보지(保持)하는 기판 보지부와, 상기 기판 보지부에 보지된 기판 상으로 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하는 현상액 공급부와, 상기 처리 용기 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 처리 용기로부터 유출된 처리 가스를 재차 처리 용기 내로 공급하여 순환시키는 가스 순환부를 가지는 것을 특징으로 하고 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided an apparatus for developing a substrate, comprising: a processing container for containing and processing a substrate; a substrate holding section for holding a substrate in the processing container; A gas supply section for supplying a process gas into the process container; and a gas circulation circuit for supplying a process gas flowing out from the process container into the process container again to circulate the process gas, And the like.

본 발명에 따르면, 현상액 공급부로부터 기판 상으로 공급되는 현상액은 유기 용제를 함유하므로, 노광되어 있지 않은 레지스트막을 용해하고, 노광된 레지스트막을 레지스트 패턴으로서 형성할 수 있다. 이 때문에, 레지스트 패턴의 원하는 치수가 미세해도, 노광 처리에서의 마스크의 개구부를 크게 할 수 있으므로, 노광 콘트라스트가 향상된다. 따라서, 레지스트막을 높은 정밀도로 현상하여 상기 레지스트막에 형성되는 레지스트 패턴의 치수 정밀도를 향상시킬 수 있다. 또한, 현상 처리 장치는 처리 용기 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급부를 구비하고 있으므로, 현상 처리중의 처리 용기 내를 처리 가스로 충전할 수 있다. 이 처리 가스에 의해, 현상액의 휘발을 억제할 수 있다. 또한, 현상 처리 장치는 처리 가스를 순환시키는 가스 순환부를 가지고 있으므로, 처리 용기 내에 처리 가스의 기류를 형성할 수 있다. 이 처리 가스의 기류에 의해, 현상액의 휘발을 더 억제할 수 있다. 이와 같이 현상액의 휘발을 억제할 수 있으므로, 현상 결함을 억제할 수 있다. 또한, 현상액의 휘발을 억제함으로써, 현상액의 공급량을 저감시킬 수도 있다. 또한, 가스 순환부에 의해 처리 가스를 순환시키므로, 상기 처리 가스를 유효하게 이용할 수도 있다. 이상과 같이 본 발명에 따르면, 기판 상의 레지스트막을 고정밀도로 현상하여, 상기 레지스트막에 현상 결함이 억제된 레지스트 패턴을 적절히 형성할 수 있다.According to the present invention, since the developer supplied onto the substrate from the developer supply unit contains an organic solvent, the unexposed resist film can be dissolved and the exposed resist film can be formed as a resist pattern. Therefore, even if the desired dimension of the resist pattern is fine, the opening of the mask in the exposure process can be made large, so that the exposure contrast is improved. Therefore, the resist film can be developed with high accuracy, and the dimensional accuracy of the resist pattern formed on the resist film can be improved. Further, since the development processing apparatus is provided with the gas supply section for supplying the process gas into the process container, the inside of the process container during the development process can be filled with the process gas. By this process gas, volatilization of the developer can be suppressed. Further, since the development processing apparatus has the gas circulation unit for circulating the processing gas, an air flow of the processing gas can be formed in the processing vessel. The flow of the processing gas can further suppress the volatilization of the developer. As described above, since volatilization of the developer can be suppressed, development defects can be suppressed. In addition, by suppressing the volatilization of the developer, it is possible to reduce the supply amount of the developer. Further, since the process gas is circulated by the gas circulation unit, the process gas can be effectively used. As described above, according to the present invention, a resist film on a substrate can be developed with high accuracy, and a resist pattern in which development defects are suppressed in the resist film can be appropriately formed.

상기 처리 가스는 기화한 유기 용제여도 된다.The treatment gas may be a vaporized organic solvent.

상기 현상 처리 장치는, 상기 처리 용기 내의 처리 가스의 농도를 측정하는 농도 측정기와, 상기 처리 가스의 농도가 소정의 농도가 되도록 상기 가스 공급부를 제어하는 제어부를 가지고 있어도 된다.The development processing apparatus may have a concentration measuring device for measuring the concentration of the processing gas in the processing vessel and a control section for controlling the gas supplying section so that the concentration of the processing gas becomes a predetermined concentration.

상기 현상 처리 장치는, 상기 처리 용기 내로 불활성 가스를 공급하는 다른 가스 공급부를 가지고 있어도 된다.The development processing apparatus may have another gas supply section for supplying an inert gas into the processing container.

상기 처리 가스는 불활성 가스이며, 상기 처리 용기의 내부는 상기 처리 가스에 의해 소정의 압력으로 유지되어 있어도 된다.The processing gas may be an inert gas, and the inside of the processing vessel may be maintained at a predetermined pressure by the processing gas.

상기 현상 처리 장치는, 상기 처리 용기 내의 처리 가스의 압력을 측정하는 압력 측정기와, 상기 처리 가스의 압력이 상기 소정의 압력이 되도록 상기 가스 공급부를 제어하는 제어부를 가지고 있어도 된다.The development processing apparatus may have a pressure measuring device for measuring the pressure of the processing gas in the processing container and a control section for controlling the gas supplying section so that the pressure of the processing gas becomes the predetermined pressure.

상기 처리 용기 내로서 기판 보지부의 상방에는, 상기 가스 공급부로부터의 처리 가스를 확산시켜 처리 용기 내로 공급하는 가스 확산부가 설치되고, 상기 가스 확산부의 기판 보지부측의 표면에는, 상기 처리 가스가 공급되는 공급구가 복수 형성되어 있어도 된다.Wherein a gas diffusing portion for diffusing a process gas from the gas supply portion and supplying the process gas into the process container is provided above the substrate holding portion as the inside of the process container and on the surface of the gas diffusion portion on the side of the substrate holding portion, A plurality of spheres may be formed.

상기 가스 공급부에는, 상기 처리 가스의 온도를 조절하는 온도 조절 기구가 설치되어 있어도 된다.The gas supply unit may be provided with a temperature adjusting mechanism for adjusting the temperature of the process gas.

상기 현상 처리 장치는, 상기 처리 용기 내에서 상기 기판 보지부에 보지된 기판의 측방을 둘러싸도록 설치된 컵을 가지고, 상기 가스 순환부는, 상기 컵으로부터 유출된 처리 가스를 상기 처리 용기 내에 순환시켜도 된다.The development processing apparatus may include a cup provided so as to surround a side of the substrate held in the substrate holding section in the processing vessel, and the gas circulating section may circulate the processing gas flowing out of the cup into the processing vessel.

상기 현상 처리 장치는, 상기 기판 보지부에 보지된 기판 상으로 현상액의 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 가지고 있어도 된다.The development processing apparatus may have a rinsing liquid supply section for supplying a rinsing liquid of the developer onto the substrate held in the substrate holding section.

다른 관점에 따른 본 발명은 기판의 현상 처리 방법으로서, 처리 용기 내에 기판을 수용하여 기판 보지부에 기판을 보지한 후, 가스 공급부로부터 상기 처리 용기 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 공정과, 이 후, 상기 기판 보지부에 보지된 기판 상으로 유기 용제를 함유하는 현상액을 공급하여 현상 처리를 행하는 현상 처리 공정을 가지고, 상기 현상 처리 공정에서, 상기 처리 용기로부터 유출된 처리 가스를 재차 처리 용기 내로 공급하여 순환시키는 것을 특징으로 하고 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of developing a substrate, the method comprising: a gas supply step of accommodating a substrate in a processing container, holding the substrate in the substrate holding section, and then supplying the processing gas into the processing container from the gas supply section; And a development processing step of supplying a developer containing an organic solvent onto the substrate held in the substrate holding section to perform development processing, wherein in the development processing step, the processing gas flowing out from the processing container is supplied again into the processing container And circulates the same.

상기 현상 처리 공정에서 상기 처리 용기 내의 처리 가스의 농도는 소정의 농도로 유지되어 있어도 된다.In the development processing step, the concentration of the processing gas in the processing vessel may be maintained at a predetermined concentration.

상기 처리 가스는 불활성 가스이며, 상기 현상 처리 공정에서 상기 처리 용기의 내부는 상기 처리 가스에 의해 소정의 압력으로 유지되어 있어도 된다.The processing gas may be an inert gas. In the developing processing step, the inside of the processing vessel may be held at a predetermined pressure by the processing gas.

상기 현상 처리 공정에서 상기 처리 용기로 공급되는 처리 가스는 소정의 온도로 조절되어 있어도 된다.The processing gas supplied to the processing vessel in the development processing step may be adjusted to a predetermined temperature.

상기 현상 처리 방법은, 상기 현상 처리 공정 후, 상기 기판 보지부에 보지된 기판 상으로 현상액의 린스액을 공급하는 린스 공정을 가지고 있어도 된다.The developing processing method may include a rinsing step of supplying a rinsing liquid of the developing solution onto the substrate held in the substrate holding portion after the developing processing step.

상기 린스 공정 중, 상기 처리 용기 내로 불활성 가스를 공급해도 된다.During the rinsing process, an inert gas may be supplied into the processing vessel.

또한, 다른 관점에 따른 본 발명에 따르면, 상기 현상 처리 방법을 현상 처리 장치에 의해 실행시키기 위하여, 상기 현상 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램이 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a program that operates on a computer of a control unit that controls the development processing apparatus to execute the development processing method by the development processing apparatus.

또 다른 관점에 따른 본 발명에 따르면, 상기 프로그램을 저장한 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a readable computer storage medium storing the program.

본 발명에 따르면, 기판 상의 레지스트막을 고정밀도로 현상하여, 당해 레지스트막에 레지스트 패턴을 적절히 형성할 수 있다.According to the present invention, a resist film on a substrate can be developed with high accuracy to appropriately form a resist pattern on the resist film.

도 1은 본 실시예에 따른 현상 처리 장치를 구비한 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시한 평면도이다.
도 2는 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 3은 도포 현상 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 도시한 측면도이다.
도 4는 현상 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 5는 현상 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 횡단면도이다.
도 6은 현상 처리의 주된 공정을 나타낸 순서도이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 현상 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 현상 처리 장치의 구성의 개략을 도시한 종단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a plan view showing an outline of an internal configuration of a coating and developing system equipped with a developing apparatus according to the present embodiment. Fig.
2 is a side view showing an outline of the internal configuration of the coating and developing processing system.
3 is a side view showing an outline of the internal configuration of the coating and developing processing system.
Fig. 4 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of the developing processing apparatus. Fig.
5 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the developing processing apparatus.
6 is a flowchart showing the main steps of the developing process.
7 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of a developing apparatus according to another embodiment.
8 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of a developing apparatus according to another embodiment.

이하에, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 현상 처리 장치를 구비한 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시한 평면도이다. 도 2 및 도 3은 도포 현상 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 도시한 측면도이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described. Fig. 1 is a plan view schematically showing an internal configuration of a coating and developing system 1 having a developing apparatus according to the present invention. Fig. 2 and Fig. 3 are side views schematically showing the internal construction of the coating and developing processing system 1. Fig.

도포 현상 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 예를 들면 외부와의 사이에서 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입출되는 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 처리 중에 매엽식으로 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(3)과, 처리 스테이션(3)에 인접하는 노광 장치(4)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(5)을 일체로 접속한 구성을 가지고 있다.1, the coating and developing processing system 1 includes, for example, a cassette station 2 in which a cassette C containing a plurality of wafers W is loaded and unloaded from the cassette station 2, A process station 3 including a plurality of various processing apparatuses performing a predetermined process in a single wafer process during the photolithography process and a transfer device 4 for transferring the wafer W between the exposure device 4 adjacent to the process station 3 And an interface station 5 for connecting the interface station 5 to the base station.

카세트 스테이션(2)에는 카세트 재치대(載置臺)(10)가 설치되어 있다. 카세트 재치대(10)에는 복수, 예를 들면 4 개의 카세트 재치판(11)이 설치되어 있다. 카세트 재치판(11)은 수평 방향인 X 방향(도 1 중 상하 방향)으로 일렬로 나란히 설치되어 있다. 이들 카세트 재치판(11)에는 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반입출할 시, 카세트(C)를 재치할 수 있다.The cassette station (2) is provided with a cassette mount table (10). A plurality of, for example, four cassette mounting plates 11 are provided on the cassette mounting table 10. The cassette mount plate 11 is arranged in a row in a row in the X direction (the vertical direction in Fig. 1) in the horizontal direction. The cassette C can be placed on the cassette mount plate 11 when the cassette C is carried in and out from the outside of the coating and developing system 1. [

카세트 스테이션(2)에는, 도 1에 도시한 바와 같이, X 방향으로 연장되는 반송로(20) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(21)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(21)는 상하 방향 및 수직축 중심(θ 방향)으로도 이동 가능하며, 각 카세트 재치판(11) 상의 카세트(C)와 후술하는 처리 스테이션(3)의 제 3 블록(G3)의 전달 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.1, the cassette station 2 is provided with a wafer transfer device 21 capable of moving on a transfer path 20 extending in the X direction. The wafer transfer device 21 is movable in the vertical direction and the vertical axis center (the direction of the vertical axis) and the cassette C on each cassette mount plate 11 and the third block G3 of the processing station 3 The wafer W can be transported between the transfer device and the transfer device.

처리 스테이션(3)에는 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들면 4 개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 설치되어 있다. 예를 들면, 처리 스테이션(3)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는 제 1 블록(G1)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는 제 2 블록(G2)이 설치되어 있다. 또한, 처리 스테이션(3)의 카세트 스테이션(2)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는 제 3 블록(G3)이 설치되고, 처리 스테이션(3)의 인터페이스 스테이션(5)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는 제 4 블록(G4)이 설치되어 있다.The processing station 3 is provided with a plurality of, for example, four blocks G1, G2, G3, and G4 having various devices. For example, a first block G1 is provided on the front side of the processing station 3 (on the X direction side in FIG. 1), and a back side (on the X direction on the X direction in FIG. 1) A second block G2 is provided. A third block G3 is provided on the side of the cassette station 2 of the processing station 3 in the direction of the Y direction in Fig. 1 and the side of the processing station 3 on the side of the interface station 5 The fourth block G4 is provided on the front side in the Y direction.

예를 들면, 제 1 블록(G1)에는, 도 3에 도시한 바와 같이, 복수의 액처리 장치, 예를 들면 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하, '하부 반사 방지막'이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하, '상부 반사 방지막'이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 아래로부터 차례로 적층되어 있다.For example, as shown in Fig. 3, the first block G1 is provided with a plurality of liquid processing apparatuses, for example, a development processing apparatus 30 for developing the wafers W, A lower antireflection film forming device 31 for forming an antireflection film (hereinafter referred to as a lower antireflection film) on the lower layer of the film, a resist coating device 32 for applying a resist solution to the wafer W to form a resist film, Reflection film forming apparatus 33 for forming an antireflection film (hereinafter referred to as an " upper antireflection film ") on an upper layer of the resist film of the photoresist W is sequentially stacked from the bottom.

예를 들면, 현상 처리 장치(30)와 레지스트 도포 장치(32)는 각각 수평 방향으로 3 개, 상하 방향으로 2 층으로 나란히 배치되어 있다. 또한, 예를 들면 하부 반사 방지막 형성 장치(31)와 상부 반사 방지막 형성 장치(33)는 각각 수평 방향으로 3 개 나란히 배치되어 있다. 또한, 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32) 및 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 수 및 배치는 임의로 선택할 수 있다.For example, the development processing apparatus 30 and the resist coating apparatus 32 are arranged side by side in three in the horizontal direction and two in the vertical direction. In addition, for example, the lower anti-reflection film forming apparatus 31 and the upper anti-reflection film forming apparatus 33 are arranged side by side in the horizontal direction. The number and arrangement of the development processing apparatus 30, the lower anti-reflection film forming apparatus 31, the resist coating apparatus 32, and the upper anti-reflection film forming apparatus 33 may be arbitrarily selected.

예를 들면, 제 2 블록(G2)에는, 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 장치(40) 및 웨이퍼(W)를 소수화 처리하는 애드히젼 장치(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(42)가 상하 방향과 수평 방향으로 나란히 설치되어 있다. 열처리 장치(40)는 웨이퍼(W)를 재치하여 가열하는 열판과, 웨이퍼(W)를 재치하여 냉각하는 냉각판을 가져, 가열 처리와 냉각 처리의 양방을 행할 수 있다. 또한, 열처리 장치(40), 애드히젼 장치(41) 및 주변 노광 장치(42)의 수 및 배치는 임의로 선택할 수 있다.2, the second block G2 is provided with a heat treatment device 40 for performing heat treatment of the wafer W, an adhesion device 41 for hydrophobicizing the wafer W, And peripheral exposure apparatuses 42 for exposing the peripheral portion of the wafer W are arranged in the vertical direction and in the horizontal direction. The heat treatment apparatus 40 has both a heating plate for heating and heating the wafer W and a cooling plate for cooling the wafer W so as to heat the wafer W and perform both the heating treatment and the cooling treatment. In addition, the number and arrangement of the heat treatment apparatus 40, the adhesion apparatus 41, and the peripheral exposure apparatus 42 can be arbitrarily selected.

예를 들면, 제 3 블록(G3)에는 복수의 전달 장치(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)가 아래로부터 차례로 설치되어 있다. 또한, 제 4 블록(G4)에는 복수의 전달 장치(60, 61, 62)가 아래로부터 차례로 설치되어 있다.For example, in the third block G3, a plurality of transmission devices 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56 are installed in order from the bottom. In the fourth block G4, a plurality of transmission devices 60, 61, and 62 are provided in order from the bottom.

도 1에 도시한 바와 같이, 제 1 블록(G1) ~ 제 4 블록(G4)으로 둘러싸인 영역에는 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예를 들면 웨이퍼 반송 장치(70)가 배치되어 있다.As shown in Fig. 1, a wafer carrying region D is formed in a region surrounded by the first block G1 to the fourth block G4. In the wafer transfer region D, for example, a wafer transfer device 70 is disposed.

웨이퍼 반송 장치(70)는, 예를 들면 Y 방향, X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하여, 주위의 제 1 블록(G1), 제 2 블록(G2), 제 3 블록(G3) 및 제 4 블록(G4) 내의 소정의 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The wafer transfer apparatus 70 has, for example, a transfer arm which is movable in the Y direction, the X direction, the? Direction, and the vertical direction. The wafer transfer device 70 moves within the wafer transfer region D and transfers the wafer W to the wafer W in the peripheral first block G1, the second block G2, the third block G3 and the fourth block G4 So that the wafer W can be transferred to the apparatus.

웨이퍼 반송 장치(70)는, 예를 들면 도 2에 도시한 바와 같이 상하로 복수대 배치되고, 예를 들면 각 블록(G1 ~ G4)의 동일 정도의 높이의 소정의 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in Fig. 2, for example, a plurality of wafer transfer devices 70 are arranged vertically. For example, wafers W are transferred by a predetermined device having the same height as each of the blocks G1 to G4 Can be returned.

또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는 제 3 블록(G3)과 제 4 블록(G4)의 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 설치되어 있다.A shuttle transfer device 80 for transferring the wafers W linearly between the third block G3 and the fourth block G4 is provided in the wafer transfer area D.

셔틀 반송 장치(80)는, 예를 들면 Y 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 Y 방향으로 이동하고, 제 3 블록(G3)의 전달 장치(52)와 제 4 블록(G4)의 전달 장치(62)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The shuttle transfer device 80 is linearly movable, for example, in the Y direction. The shuttle transfer device 80 moves in the Y direction while supporting the wafer W and is transferred between the transfer device 52 of the third block G3 and the transfer device 62 of the fourth block G4 The wafer W can be transported.

도 1에 도시한 바와 같이, 제 3 블록(G3)의 X 방향 정방향측의 근처에는 웨이퍼 반송 장치(90)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 예를 들면 X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 상하로 이동하여, 제 3 블록(G3) 내의 각 전달 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.As shown in Fig. 1, a wafer transfer device 90 is provided in the vicinity of the X direction positive side of the third block G3. The wafer transfer device 90 has, for example, a transfer arm which is movable in the X direction, the? Direction, and the vertical direction. The wafer transfer device 90 moves up and down in a state of holding the wafer W and can transfer the wafer W to the transfer devices in the third block G3.

인터페이스 스테이션(5)에는 웨이퍼 반송 장치(100)와 전달 장치(101)가 설치되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들면 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암을 가지고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들면 반송 암에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제 4 블록(G4) 내의 각 전달 장치, 전달 장치(101) 및 노광 장치(4)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.The interface station 5 is provided with a wafer transfer apparatus 100 and a transfer apparatus 101. The wafer transfer apparatus 100 has, for example, a transfer arm movable in the Y direction, the? Direction, and the vertical direction. The wafer transfer apparatus 100 supports the wafer W to a transfer arm and transfers the wafer W between the transfer device in the fourth block G4 and the transfer device 101 and the exposure device 4, Can be returned.

이어서, 상술한 현상 처리 장치(30)의 구성에 대하여 설명한다. 현상 처리 장치(30)는, 도 4에 도시한 바와 같이, 내부를 밀폐할 수 있는 처리 용기(110)를 가지고 있다. 처리 용기(110)의 내부는 후술하는 초산 부틸 가스의 인화점 이상의 분위기가 될 경우가 있기 때문에, 처리 용기(110)는 방폭(防爆) 사양으로 한다. 또한, 처리 용기(110)의 일측면에는, 도 5에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 반입출구(111)가 형성되고, 반입출구(111)에는 개폐 셔터(112)가 설치되어 있다.Next, the configuration of the above-described development processing apparatus 30 will be described. As shown in Fig. 4, the development processing apparatus 30 has a processing container 110 capable of sealing the inside thereof. Since the inside of the processing vessel 110 may be an atmosphere of a flash point of the butyl acetate gas or the like which will be described later, the processing vessel 110 is explosion-proof. 5, a loading / unloading port 111 of the wafer W is formed on one side of the processing container 110, and a shutter 112 is provided on the loading / unloading port 111. As shown in FIG.

처리 용기(110)의 저면(底面)에는, 도 4에 도시한 바와 같이, 당해 처리 용기(110)의 내부의 분위기를 배기하기 위한 배기관(113)이 접속되어 있다. 배기관(113)은 밸브(114)를 개재하여, 예를 들면 진공 펌프 등의 부압(負壓) 발생 장치(도시하지 않음)에 연통하고 있다.An exhaust pipe 113 for exhausting the atmosphere inside the processing container 110 is connected to the bottom surface of the processing container 110 as shown in Fig. The exhaust pipe 113 communicates with a negative pressure generating device (not shown) such as a vacuum pump via a valve 114, for example.

처리 용기(110) 내의 천장면에는 가스 확산부(120)가 설치되어 있다. 가스 확산부(120)에는 공급관(121)을 개재하여, 처리 용기(110) 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급부로서의 처리 가스 공급부(122)가 접속되어 있다. 본 실시예에서는 처리 가스로서 기화한 유기 용제, 예를 들면 초산 부틸 가스가 이용된다. 처리 가스 공급부(122)는 그 내부에 액체 형상의 초산 부틸을 저류하고 있다. 처리 가스 공급부(122)에서는 내부에 질소 가스가 공급됨으로써 액체 형상의 초산 부틸이 기화하여, 초산 부틸 가스가 생성된다. 또한, 공급관(121)에는 처리 가스 공급부(122)에서 생성된 초산 부틸 가스의 흐름을 제어하는 밸브(123)가 설치되어 있다. 또한, 공급관(121)에서 후술하는 순환로(150)로부터 처리 가스 공급부(122)측에는 초산 부틸 가스가 처리 가스 공급부(122)로 역류하는 것을 방지하는 역류 방지 밸브(124)가 설치되어 있다.A gas diffusion portion 120 is provided on a ceiling surface in the processing vessel 110. The gas diffusion portion 120 is connected to a process gas supply portion 122 serving as a gas supply portion for supplying a process gas into the process container 110 via a supply pipe 121. In this embodiment, an organic solvent vaporized as a process gas, for example, butyl acetate gas is used. The processing gas supply unit 122 reserves liquid butyl acetate in the interior thereof. In the process gas supply unit 122, nitrogen gas is supplied to the inside of the processing gas supply unit 122, so that the liquid butyl acetate vaporizes and butyl acetate gas is produced. The supply pipe 121 is provided with a valve 123 for controlling the flow of the butyl acetate gas generated in the process gas supply unit 122. A backflow prevention valve 124 for preventing the butyl acetate gas from flowing back to the process gas supply unit 122 is provided in the supply pipe 121 from the circulation path 150 to be described later on the process gas supply unit 122 side.

또한, 가스 확산부(120)에는 공급관(125)을 개재하여, 처리 용기(110) 내를 퍼지하기 위한 퍼지 가스를 공급하는 다른 가스 공급부로서의 퍼지 가스 공급부(126)가 접속되어 있다. 본 실시예에서는 퍼지 가스로서 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스가 이용된다. 퍼지 가스 공급부(126)는 그 내부에 질소 가스를 저류하고 있다. 또한, 공급관(125)에는 퍼지 가스 공급부(126)로부터의 질소 가스의 흐름을 제어하는 밸브(127)가 설치되어 있다. 또한, 공급관(121)과 공급관(125)은 그 하류측에서 합류하고, 상기 가스 확산부(120)에 접속되어 있다.The gas diffusion portion 120 is connected to a purge gas supply portion 126 as another gas supply portion for supplying a purge gas for purging the inside of the processing vessel 110 via the supply pipe 125. In this embodiment, an inert gas such as nitrogen gas is used as the purge gas. The purge gas supply unit 126 stores nitrogen gas therein. The supply pipe 125 is provided with a valve 127 for controlling the flow of nitrogen gas from the purge gas supply unit 126. The supply pipe 121 and the supply pipe 125 join together on the downstream side thereof and are connected to the gas diffusion unit 120.

가스 확산부(120)의 내부에는 처리 가스 공급부(122)로부터 공급된 초산 부틸 가스 및 퍼지 가스 공급부(126)로부터 공급된 질소 가스가 도입되는 내부 공간(128)이 형성되어 있다. 가스 확산부(120)의 하면(웨이퍼(W)측의 표면)에는 내부 공간(128)으로 도입된 초산 부틸 가스 및 질소 가스를 처리 용기(110) 내로 공급하는 복수의 공급구(129)가 형성되어 있다. 복수의 공급구(129)는 가스 확산부(120)의 하면 전체에 균일하게 분포하도록 형성되어 있다. 그리고, 가스 확산부(120)는 내부 공간(128) 내의 초산 부틸 가스 및 질소 가스가 복수의 공급구(129)를 거쳐 공급되어, 처리 용기(110)의 내부 전체에 확산되도록 배치되어 있다. 또한, 가스 확산부(120)를 개재함으로써, 후술하는 스핀 척(140)에 보지(保持)된 웨이퍼(W) 상으로도 초산 부틸 가스 및 질소 가스를 균일하게 공급할 수 있다.The interior of the gas diffusion part 120 is formed with an internal space 128 through which the butyl acetate gas supplied from the process gas supply part 122 and the nitrogen gas supplied from the purge gas supply part 126 are introduced. A plurality of supply ports 129 for supplying butyl acetate gas and nitrogen gas introduced into the inner space 128 into the processing vessel 110 are formed on the lower surface of the gas diffusion portion 120 . The plurality of supply ports 129 are formed so as to be uniformly distributed over the entire lower surface of the gas diffusion portion 120. The gas diffusion portion 120 is arranged such that butyl acetate gas and nitrogen gas in the inner space 128 are supplied through a plurality of supply ports 129 and diffused over the entire interior of the processing vessel 110. In addition, by interposing the gas diffusion portion 120, butyl acetate gas and nitrogen gas can be uniformly supplied onto the wafer W held by a spin chuck 140 described later.

처리 용기(110)에는 당해 처리 용기(110) 내의 초산 부틸 가스의 농도를 측정하는 농도 측정기(130)가 설치되어 있다. 농도 측정기(130)의 측정 결과는 농도 제어부(131)에 출력된다. 농도 제어부(131)에서는 측정 결과에 기초하여 초산 부틸 가스의 농도가 소정의 농도, 예를 들면 1% ~ 20%가 되도록, 예를 들면 밸브(123) 및 밸브(114) 혹은 후술하는 가스 순환부(151) 및 밸브(153) 등을 제어한다. 또한, 소정의 농도는, 예를 들면 처리 용기(110) 내의 현상액의 휘발 속도가 상압 하의 현상액의 휘발 속도에 대하여, 예를 들면 10% 이하가 되도록 설정된다. 또한, 소정의 농도는 레지스트의 종류 및 유기 용제의 종류에 의해 설정되는 것이다.A concentration meter 130 for measuring the concentration of butyl acetate gas in the processing vessel 110 is provided in the processing vessel 110. The measurement result of the concentration measuring device 130 is output to the concentration control unit 131. [ The concentration control section 131 controls the concentration of the butyl acetate gas to be a predetermined concentration, for example, 1% to 20% based on the measurement results, for example, the valve 123 and the valve 114, The valve 151, the valve 153, and the like. The predetermined concentration is set so that, for example, the volatilization rate of the developer in the processing container 110 is, for example, 10% or less with respect to the volatilization rate of the developer under normal pressure. The predetermined concentration is set by the kind of the resist and the kind of the organic solvent.

처리 용기(110)의 내부로서 가스 확산부(120)의 하방에는 웨이퍼(W)를 보지하여 회전시키는 기판 보지부로서의 스핀 척(140)이 설치되어 있다. 스핀 척(140)은 수평인 상면을 가지고, 당해 상면에는, 예를 들면 웨이퍼(W)를 흡인하는 흡인구(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이 흡인구로부터의 흡인에 의해, 웨이퍼(W)를 스핀 척(140) 상에 흡착 보지할 수 있다.A spin chuck 140 as a substrate holding portion for holding and rotating the wafer W is provided below the gas diffusion portion 120 as the inside of the processing vessel 110. The spin chuck 140 has a horizontal upper surface, and a suction port (not shown) for sucking the wafer W is formed on the upper surface. By suction from the suction port, the wafer W can be held on the spin chuck 140 by suction.

스핀 척(140)은, 예를 들면 모터 등을 구비한 척 구동부(141)를 가지고, 이 척 구동부(141)에 의해 소정의 속도로 회전할 수 있다. 또한, 척 구동부(141)에는 실린더 등의 승강 구동원이 설치되어 있어, 스핀 척(140)은 상하 이동 가능하게 되어 있다.The spin chuck 140 has a chuck drive unit 141 having a motor or the like and can rotate at a predetermined speed by the chuck drive unit 141. [ The chuck drive unit 141 is provided with a lift drive source such as a cylinder, and the spin chuck 140 is movable up and down.

스핀 척(140)의 하방에는 단면 형상이 산 형상인 가이드 링(142)이 설치되어 있고, 이 가이드 링(142)의 주연부는 하방측으로 굴곡져 연장되어 있다. 스핀 척(140), 스핀 척(140)에 보지된 웨이퍼(W) 및 가이드 링(142)의 주위에는 웨이퍼(W)로부터 비산 또는 낙하하는 액체를 받아 회수하는 컵(143)이 설치되어 있다.A guide ring 142 having a mountain-shaped sectional shape is provided below the spin chuck 140. The peripheral edge of the guide ring 142 is bent and extended downward. A cup 143 is provided around the wafer W held by the spin chuck 140 and the spin chuck 140 and around the guide ring 142 for receiving and collecting droplets or falling liquid from the wafer W.

이 컵(143)은 상면에 스핀 척(140)이 승강할 수 있도록 웨이퍼(W)보다 큰 개구부가 형성되어 있고, 또한 측주면(側周面)과 가이드 링(142)의 주연부와의 사이에 배출로를 이루는 간극(144)이 형성되어 있다. 컵(143)의 하부는 가이드 링(142)의 주연 부분과 함께 굴곡로를 형성하여 기액(氣液) 분리부를 구성하고 있다.The cup 143 has an opening larger than the wafer W so that the spin chuck 140 can move up and down on the upper surface of the cup 143. In addition, A gap 144 constituting an exhaust passage is formed. A lower portion of the cup 143 forms a curved path along with the peripheral edge of the guide ring 142 to constitute a gas-liquid separating portion.

컵(143)의 저부(底部)의 내측 영역에는 컵(143) 내(처리 용기(110) 내)의 초산 부틸 가스를 순환시키기 위한 순환로(150)가 접속되어 있다. 순환로(150)는 컵(143)의 저부에 대하여 복수 개소에 형성되어 있어도 되고, 환상(環狀)으로 형성되어 있어도 된다. 순환로(150)는 초산 부틸 가스의 공급관(121)에 접속되어 있다. 또한, 순환로(150)에는 컵(143) 내의 초산 부틸 가스를 공급관(121)에 순환시키고 또한 처리 용기(110) 내에 순환시키기 위한 가스 순환부(151)가 설치되어 있다. 가스 순환부(151)에는, 예를 들면 팬이 이용된다.A circulation path 150 for circulating butyl acetate gas in the cup 143 (in the processing vessel 110) is connected to the inner region of the bottom of the cup 143. The circulation path 150 may be formed at a plurality of locations with respect to the bottom of the cup 143, or may be formed in an annular shape. The circulation path (150) is connected to the supply pipe (121) of butyl acetate gas. The circulation path 150 is provided with a gas circulation unit 151 for circulating the butyl acetate gas in the cup 143 to the supply pipe 121 and circulating it in the processing vessel 110. For the gas circulation unit 151, for example, a fan is used.

또한, 컵(143)의 저부의 내측 영역에는 컵(143) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관(152)이 접속되어 있다. 배기관(152)은 밸브(153)를 개재하여, 예를 들면 진공 펌프 등의 부압 발생 장치(도시하지 않음)에 연통하고 있다.An exhaust pipe 152 for exhausting the atmosphere in the cup 143 is connected to the inner region of the bottom of the cup 143. The exhaust pipe 152 communicates with a negative pressure generating device (not shown) such as a vacuum pump through a valve 153, for example.

또한, 컵(143)의 저부의 외측 영역에는 당해 컵(143)으로 회수한 액체를 배출하기 위한 배액관(154)이 접속되어 있다. 배액관(154)은 회수한 폐액을 일단 저류하는 폐액 용기(155)에 연통하고 있다. 또한, 폐액 용기(155)는 밸브(도시하지 않음)를 개재하여 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부의 폐액 회수 장치(도시하지 않음)에 연통하고 있다.A drain pipe 154 for discharging the liquid recovered by the cup 143 is connected to the outer region of the bottom of the cup 143. The drain pipe 154 communicates with the waste liquid container 155 which temporarily collects the recovered waste liquid. The waste liquid container 155 communicates with a waste liquid recovery device (not shown) outside the coating and developing system 1 via a valve (not shown).

처리 용기(110)의 내부로서 스핀 척(140)의 상방에는 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급하는 현상액 공급부로서의 현상액 노즐(160)이 배치되어 있다. 현상액 노즐(160)에는 현상액 공급원(161)에 연통하는 공급관(162)이 접속되어 있다. 현상액 공급원(161) 내에는 유기 용매, 예를 들면 초산 부틸을 함유하는 현상액, 이른바 유기 현상액이 저류되어 있다. 공급관(162)에는 현상액의 흐름을 제어하는 밸브(163)가 설치되어 있다.A developer nozzle 160 serving as a developer supply part for supplying a developer onto the wafer W is disposed above the spin chuck 140 as an interior of the processing vessel 110. A supply pipe 162 communicating with the developer supply source 161 is connected to the developer nozzle 160. In the developer supply source 161, a developer containing an organic solvent, for example, butyl acetate, a so-called organic developer is stored. The supply pipe 162 is provided with a valve 163 for controlling the flow of the developer.

또한, 처리 용기(110)의 내부로서 스핀 척(140)의 상방에는 웨이퍼(W) 상으로 현상액의 린스액을 공급하는 린스액 공급부로서의 린스액 노즐(164)이 배치되어 있다. 린스액 노즐(164)에는 린스액 공급원(165)에 연통하는 공급관(166)이 접속되어 있다. 린스액 공급원(165) 내에는 현상액의 린스액이 저류되어 있다. 본 실시예에서는 린스액으로서, 예를 들면 MIBC(메틸 아밀알코올)이 이용된다. MIBC은 레지스트에 데미지를 주지 않고 현상액 중의 유기 용제를 치환하여 배출할 수 있다. 또한, 공급관(166)에는 린스액의 흐름을 제어하는 밸브(167)가 설치되어 있다.A rinsing liquid nozzle 164 as a rinsing liquid supply unit for supplying a rinsing liquid for the developer onto the wafer W is disposed above the spin chuck 140 as the interior of the processing vessel 110. The rinsing liquid nozzle 164 is connected to a supply pipe 166 communicating with the rinsing liquid supply source 165. A rinse liquid of the developer is stored in the rinse liquid supply source 165. In this embodiment, for example, MIBC (methyl amyl alcohol) is used as the rinsing liquid. The MIBC can displace the organic solvent in the developing solution without damaging the resist and discharge it. The supply pipe 166 is provided with a valve 167 for controlling the flow of the rinsing liquid.

현상액 노즐(160)은, 도 5에 도시한 바와 같이, 암(168)을 개재하여 노즐 구동부(169)에 접속되어 있다. 암(168)은 노즐 구동부(169)에 의해 처리 용기(110)의 Y 방향(도 5의 좌우 방향)으로 연장되는 가이드 레일(170)을 따라, 컵(143)의 Y 방향 정방향(도 5의 우측향)측의 외방에 설치된 대기부(171)로부터 컵(143) 내의 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼(W)의 표면 상을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 암(168)은 노즐 구동부(169)에 의해 승강 가능하며, 현상액 노즐(160)의 높이를 조정할 수 있다.The developer nozzle 160 is connected to the nozzle driver 169 via an arm 168 as shown in Fig. 5) of the cup 143 along the guide rail 170 extending in the Y direction (the left-right direction in Fig. 5) of the processing vessel 110 by the nozzle driving unit 169, The wafer W can be moved from the standby portion 171 provided on the outer side of the wafer W to the upper portion of the center of the wafer W in the cup 143 and moved on the surface of the wafer W in the radial direction of the wafer W . The arm 168 can be raised and lowered by the nozzle driving unit 169, and the height of the developer nozzle 160 can be adjusted.

마찬가지로, 린스액 노즐(164)도 암(172)을 개재하여 노즐 구동부(173)에 접속되어 있다. 암(172)은 노즐 구동부(173)에 의해 상기 가이드 레일(170)을 따라, 컵(143)의 Y 방향 부방향(도 5의 좌방향)측의 외방에 설치된 대기부(174)로부터 컵(143) 내의 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동할 수 있고, 또한 당해 웨이퍼(W)의 표면 상을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동할 수 있다. 또한, 암(172)은 노즐 구동부(173)에 의해 승강 가능하며, 린스액 노즐(164)의 높이를 조정할 수 있다.Likewise, the rinsing liquid nozzle 164 is also connected to the nozzle driving portion 173 via the arm 172. The arm 172 is moved from the standby portion 174 provided on the outer side of the cup 143 in the Y direction (left direction in Fig. 5) side to the cup (not shown) along the guide rail 170 by the nozzle driving portion 173, The wafer W can be moved to a position above the central portion of the wafer W within the wafer W and to move on the surface of the wafer W in the radial direction of the wafer W. [ The arm 172 can be raised and lowered by the nozzle driving unit 173, and the height of the rinsing liquid nozzle 164 can be adjusted.

또한, 이상의 구성에서는 현상액을 공급하는 현상액 노즐(160)과 린스액을 공급하는 린스액 노즐(164)이 각각의 암에 지지되어 있었지만, 동일한 암에 지지되고, 이 암의 이동의 제어에 의해 현상액 노즐(160)과 린스액 노즐(164)의 이동과 공급 타이밍을 제어해도 된다.Although the developer nozzle 160 for supplying the developing solution and the rinsing liquid nozzle 164 for supplying the rinsing liquid are supported by the respective arms, they are supported by the same arm. By controlling the movement of the arms, The timing of movement and supply of the nozzle 160 and the rinsing liquid nozzle 164 may be controlled.

이상의 도포 현상 처리 시스템(1)에는, 도 1에 도시한 바와 같이, 제어부(200)가 설치되어 있다. 제어부(200)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 가지고 있다. 프로그램 저장부에는 현상 처리 장치(30)에서의 웨이퍼(W)의 현상 처리를 실행하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 이에 더하여, 프로그램 저장부에는 카세트 스테이션(2), 처리 스테이션(3), 노광 장치(4), 인터페이스 스테이션(5) 간의 웨이퍼(W)의 반송 및 처리 스테이션(3)에서의 구동계의 동작 등을 제어하여, 도포 현상 처리 시스템(1)에서의 웨이퍼 처리를 실행하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 이 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉서블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있던 것으로, 이 기억 매체(H)로부터 제어부(200)에 인스톨된 것이어도 된다. 또한, 상술한 농도 제어부(131)는 이 제어부(200)의 일부로서 구성되어 있어도 되고, 농도 제어부(131)와 제어부(200)는 따로 설치되어 있어도 된다.As shown in Fig. 1, the coating and developing system 1 described above is provided with a control unit 200. Fig. The control unit 200 is, for example, a computer and has a program storage unit (not shown). The program storage unit stores a program for executing development processing of the wafers W in the development processing apparatus 30. [ In addition, in addition to this, in the program storage section, the wafer W is transported between the cassette station 2, the processing station 3, the exposure apparatus 4 and the interface station 5, and the operation of the driving system in the processing station 3 And a program for executing wafer processing in the coating and developing processing system 1 are stored. The program is stored in a computer readable storage medium H such as a computer readable hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO) And may be one installed in the control unit 200 from the storage medium H. The concentration control unit 131 may be configured as a part of the control unit 200 and the concentration control unit 131 and the control unit 200 may be separately provided.

이어서, 이상과 같이 구성된 도포 현상 처리 시스템(1)을 이용하여 행해지는 웨이퍼(W)의 처리 방법에 대하여 설명한다.Next, a processing method of the wafer W performed using the coating and developing processing system 1 configured as described above will be described.

우선, 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 카세트 스테이션(2)의 소정의 카세트 재치판(11)에 재치된다. 이 후, 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차적으로 취출되고, 처리 스테이션(3)의 제 3 블록(G3)의, 예를 들면 전달 장치(53)로 반송된다.First, a cassette C containing a plurality of wafers W is placed on a predetermined cassette mount plate 11 of the cassette station 2. [ Thereafter, the wafers W in the cassette C are sequentially taken out by the wafer transfer device 21 and transferred to the transfer device 53 in the third block G3 of the processing station 3, for example, Lt; / RTI >

이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되어, 온도 조절된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 장치(31)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되어, 가열되어 온도 조절되고, 이 후 제 3 블록(G3)의 전달 장치(53)로 되돌려진다.Then, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer apparatus 70, and the temperature thereof is adjusted. Thereafter, the wafer W is transferred to the lower anti-reflection film forming apparatus 31 of the first block G1 by the wafer transfer device 70, and a lower anti-reflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is conveyed to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2, heated and adjusted in temperature, and then returned to the transfer device 53 of the third block G3.

이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 동일한 제 3 블록(G3)의 전달 장치(54)로 반송된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 애드히젼 장치(41)로 반송되어, 애드히젼 처리된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 장치(40)로 반송되어, 온도 조절된다.Then, the wafer W is carried by the wafer transfer device 90 to the transfer device 54 of the third block G3. Thereafter, the wafer W is transferred to the adhesion unit 41 of the second block G2 by the wafer transfer device 70, and subjected to adhism processing. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 by the wafer transfer apparatus 70, and the temperature thereof is adjusted.

이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 1 블록(G1)의 레지스트 도포 장치(32)로 반송되고, 회전 중의 웨이퍼(W) 상에 레지스트액을 도포하여, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 또한, 레지스트액에는, 예를 들면 화학 증폭형의 레지스트액이 이용된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the resist coating device 32 of the first block G1 by the wafer transfer device 70, and the resist solution is applied onto the wafer W during the rotation, A resist film is formed. As the resist solution, for example, a chemically amplified resist solution is used.

이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되어, 프리베이크 처리된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 3 블록(G3)의 전달 장치(55)로 반송된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer apparatus 70, and subjected to pre-baking treatment. Thereafter, the wafer W is transferred to the transfer device 55 of the third block G3 by the wafer transfer device 70. [

이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 1 블록(G1)의 상부 반사 방지막 형성 장치(33)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되고, 가열되어 온도 조절된다.Next, the wafer W is transferred to the upper anti-reflection film forming device 33 of the first block G1 by the wafer transfer device 70, and an upper anti-reflection film is formed on the wafer W. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer device 70, and is heated and temperature-adjusted.

이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 주변 노광 장치(42)로 반송되어, 주변 노광 처리된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 3 블록(G3)의 전달 장치(56)로 반송된다.Subsequently, the wafer W is transferred to the peripheral exposure apparatus 42 by the wafer transfer apparatus 70, and is subjected to peripheral exposure processing. Thereafter, the wafer W is transferred to the transfer device 56 of the third block G3 by the wafer transfer device 70. [

이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 전달 장치(52)로 반송되고, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제 4 블록(G4)의 전달 장치(62)로 반송된다.The wafer W is then transferred to the transfer device 52 by the wafer transfer device 90 and transferred to the transfer device 62 of the fourth block G4 by the shuttle transfer device 80. [

이 후, 웨이퍼(W)는 인터페이스 스테이션(5)의 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(4)로 반송되어, 노광 처리된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the exposure apparatus 4 by the wafer transfer apparatus 100 of the interface station 5, and subjected to exposure processing.

이어서, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(4)로부터 제 4 블록(G4)의 전달 장치(60)로 반송된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 1 블록(G1)의 현상 처리 장치(30)로 반송되어, 현상 처리된다. 또한, 이 현상 처리 장치에서의 웨이퍼(W)의 현상 처리에 대해서는 후술에서 상세히 설명한다.The wafer W is carried by the wafer transfer apparatus 100 from the exposure apparatus 4 to the transfer apparatus 60 of the fourth block G4. Thereafter, the wafer W is transferred to the heat treatment apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer apparatus 70, and subjected to post-exposure bake processing. Thereafter, the wafer W is transferred to the development processing apparatus 30 of the first block G1 by the wafer transfer apparatus 70, and is developed. The developing process of the wafer W in the developing apparatus will be described later in detail.

이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 2 블록(G2)의 열처리 장치(40)로 반송되어, 포스트베이크 처리된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the thermal processing apparatus 40 of the second block G2 by the wafer transfer apparatus 70, and post-baked.

이 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제 3 블록(G3)의 전달 장치(50)로 반송되고, 이 후 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 소정의 카세트 재치판(11)의 카세트(C)로 반송된다. 이리 하여, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료된다.Thereafter, the wafer W is transferred to the transfer device 50 of the third block G3 by the wafer transfer device 70, and thereafter is transferred by the wafer transfer device 21 of the cassette station 2 to a predetermined And is conveyed to the cassette C of the cassette mount plate 11. [ This completes the series of photolithographic processes.

이어서, 상술한 현상 처리 장치(30)에서 웨이퍼(W) 상의 레지스트막을 현상하는 일련의 현상 처리에 대하여 설명한다. 도 6은 웨이퍼(W)의 현상 처리의 주된 공정을 나타낸 순서도이다.Next, a series of development processing for developing the resist film on the wafer W in the above-described development processing apparatus 30 will be described. 6 is a flowchart showing a main process of the developing process of the wafer W. FIG.

현상 처리 장치(30)로 반입된 웨이퍼(W)는, 우선 스핀 척(140)에 흡착 보지된다(도 6의 공정(S1)). 이 후, 셔터(112)를 닫아 처리 용기(110) 내를 밀폐한다. 이어서, 밸브(123)를 열어, 처리 가스 공급부(122)로부터 처리 용기(110) 내로 초산 부틸 가스를 공급한다(도 6의 공정(S2)). 이 때, 처리 가스 공급부(122)로부터의 초산 부틸 가스는 가스 확산부(120)의 복수의 공급구(129)로부터 처리 용기(110) 내로 공급되므로, 당해 처리 용기(110)의 내부 전체에 확산된다. 또한, 초산 부틸 가스는 스핀 척(140)에 보지된 웨이퍼(W)에 대하여 균일하게 공급된다.The wafer W carried into the development processing apparatus 30 is first attracted and held by the spin chuck 140 (step S1 in Fig. 6). Thereafter, the shutter 112 is closed to seal the inside of the processing container 110. Subsequently, the valve 123 is opened to supply butyl acetate gas from the process gas supply unit 122 into the processing vessel 110 (step (S2) of FIG. 6). At this time, since the butyl acetate gas from the process gas supply unit 122 is supplied into the process vessel 110 from the plurality of supply ports 129 of the gas diffusion unit 120, do. The butyl acetate gas is uniformly supplied to the wafer W held by the spin chuck 140.

처리 가스 공급부(122)로부터의 초산 부틸 가스의 공급은 농도 측정기(130)와 농도 제어부(131)에 의해 제어된다. 즉, 처리 용기(110) 내의 초산 부틸 가스의 농도가 농도 측정기(130)에 의해 측정된다. 그리고, 농도 제어부(131)에서 측정 결과에 기초하여 가스 농도가 소정의 농도, 예를 들면 1% ~ 20%가 되도록 밸브(123)가 제어된다(도 6의 공정(S3)). 이와 같이, 처리 용기(110) 내의 가스 농도가 소정의 농도로 제어됨으로써, 당해 처리 용기(110) 내로 공급되는 현상액의 휘발 속도가 상압 하의 현상액의 휘발 속도에 대하여 10% 이하가 되어, 당해 현상액의 휘발이 억제된다. 또한, 초산 부틸 가스가 처리 용기(110)의 외부로 누출되는 것을 방지하기 위하여, 당해 처리 용기(110) 내의 초산 부틸 가스의 압력은 부압으로 되어 있는 것이 바람직하다.The supply of the butyl acetate gas from the process gas supply unit 122 is controlled by the concentration measuring device 130 and the concentration control unit 131. That is, the concentration of butyl acetate gas in the processing vessel 110 is measured by the concentration measuring instrument 130. Then, the concentration control section 131 controls the valve 123 so that the gas concentration becomes a predetermined concentration, for example, 1% to 20% based on the measurement result (step S3 in FIG. 6). As described above, the gas concentration in the processing vessel 110 is controlled to a predetermined concentration, so that the volatilization rate of the developing solution supplied into the processing vessel 110 becomes 10% or less with respect to the volatilization rate of the developing solution under normal pressure, Volatilization is suppressed. In addition, in order to prevent the butyl acetate gas from leaking out of the processing vessel 110, the pressure of the butyl acetate gas in the processing vessel 110 is preferably a negative pressure.

처리 용기(110) 내의 분위기가 소정의 가스 농도의 초산 부틸 가스로 치환되면, 암(168)에 의해 대기부(171)의 현상액 노즐(160)이 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동한다. 이 후, 스핀 척(140)에 의해 웨이퍼(W)를 소정의 회전수로 회전시키면서, 현상액 노즐(160)로부터 웨이퍼(W) 상으로 현상액이 공급된다. 그리고, 공급된 현상액은 원심력에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체 면으로 확산된다. 소정 시간 경과 후, 웨이퍼(W) 상의 노광된 레지스트막은 현상액에 의해 현상된다(도 6의 공정(S4)). 즉, 현상액에 의해 노광되어 있지 않은 레지스트막이 용해되고, 노광된 레지스트막이 레지스트 패턴으로서 남는다.The developer nozzle 160 of the standby portion 171 moves to the upper side of the central portion of the wafer W by the arm 168 when the atmosphere in the processing vessel 110 is replaced with butyl acetate gas having a predetermined gas concentration. Thereafter, the developer is supplied from the developer nozzle 160 onto the wafer W while the wafer W is rotated at a predetermined rotation speed by the spin chuck 140. Then, the supplied developer is diffused to the entire surface of the wafer W by the centrifugal force. After a predetermined time has elapsed, the exposed resist film on the wafer W is developed by the developer (step (S4) of FIG. 6). That is, the resist film not exposed by the developing solution is dissolved, and the exposed resist film remains as a resist pattern.

또한, 이 공정(S4)에서, 컵(143) 내(처리 용기(110) 내)의 초산 부틸 가스는 가스 순환부(151)에 의해 순환로(150)를 거쳐 공급관(121)으로 순환된다. 즉, 처리 용기(110) 내로 공급된 초산 부틸 가스는 배기되지 않고 재이용된다. 또한, 공정(S4)에서는 원칙적으로 밸브(123)를 닫아 초산 부틸 가스의 공급을 정지하고, 또한 밸브(114, 153)를 닫아 처리 용기(110)와 컵(143)으로부터의 배기도 정지한다. 그리고, 처리 용기(110) 내의 초산 부틸 가스의 농도는 소정의 농도로 유지되어 있다. 또한, 공정(S4)에서도 농도 측정기(130)에 의해 처리 용기(110) 내의 초산 부틸 가스의 농도는 측정되어 있고, 예를 들면 외적 요인 등으로 당해 가스 농도가 소정의 농도로부터 벗어날 경우에는 초산 부틸 가스의 공급 또는 배기를 행하여 처리 용기(110) 내의 가스 농도를 제어한다.In this step S4, the butyl acetate gas in the cup 143 (in the processing vessel 110) is circulated to the supply pipe 121 via the circulation path 150 by the gas circulation unit 151. That is, the butyl acetate gas supplied into the processing vessel 110 is reused without being exhausted. In step S4, in principle, the valve 123 is closed to stop feeding the butyl acetate gas, and the valves 114 and 153 are closed to stop the exhaust from the processing vessel 110 and the cup 143. The concentration of butyl acetate gas in the processing vessel 110 is maintained at a predetermined concentration. Also, in step S4, the concentration of the butyl acetate gas in the processing vessel 110 is measured by the concentration measuring instrument 130. For example, when the concentration of the butyl gas deviates from the predetermined concentration due to an external factor or the like, Gas is supplied or exhausted to control the gas concentration in the processing vessel 110.

또한, 공정(S4)에서는 상술한 바와 같이 컵(143) 내에서 순환로(150)에의 초산 부틸 가스의 기류가 발생되고 있다. 이 기류에 의해, 웨이퍼(W) 상으로부터 발생하는 미스트가 처리 용기(110) 내에 비산하는 것이 억제된다. 또한, 이 초산 부틸 가스의 기류에 의해, 웨이퍼(W) 상으로부터 비산하는 액체가 컵(143)의 내측면에 부착하는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 컵(143)의 메인터넌스의 빈도를 저감시킬 수 있다. 또한, 공정(S4)에서는 컵(143) 내에서 회수된 폐액은 폐액 용기(155) 내에 일단 저류된다. 즉, 폐액 용기(155)가 설치됨으로써, 처리 용기(110) 내의 분위기를 제어하면서, 컵(143) 내의 폐액을 회수할 수 있다.In addition, in step S4, a stream of butyl acetate gas is generated in the circulation path 150 in the cup 143 as described above. By this air flow, the mist generated from the wafer W is prevented from scattering in the processing vessel 110. It is also possible to suppress adhesion of the liquid scattered from the wafer W onto the inner surface of the cup 143 by the air stream of the butyl acetate gas. Therefore, the frequency of maintenance of the cup 143 can be reduced. Further, in step S4, the waste liquid recovered in the cup 143 is temporarily stored in the waste liquid container 155. That is, since the waste liquid container 155 is provided, the waste liquid in the cup 143 can be recovered while controlling the atmosphere in the processing container 110.

이와 같이, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막이 현상되면, 암(168)에 의해 현상액 노즐(160)이 웨이퍼(W)의 중심부 상방으로부터 대기부(171)로 이동한다. 동시에, 암(172)에 의해 대기부(174)의 린스액 노즐(164)이 웨이퍼(W)의 중심부 상방까지 이동한다. 이 후, 웨이퍼(W)를 회전시키고, 또한 린스액 노즐(164)로부터 린스액이 웨이퍼(W)의 중심부로 공급되어, 웨이퍼(W)의 린스 처리가 행해진다(도 6의 공정(S5)).When the resist film on the wafer W is developed as described above, the developer nozzle 160 moves from the central portion of the wafer W to the waiting portion 171 by the arm 168. [ At the same time, the rinsing liquid nozzle 164 of the standby portion 174 is moved to the upper side of the central portion of the wafer W by the arm 172. Thereafter, the wafer W is rotated, and the rinsing liquid is supplied from the rinsing liquid nozzle 164 to the central portion of the wafer W, thereby rinsing the wafer W (step S5 in Fig. 6) ).

또한, 이 공정(S5)에서는 밸브(123)를 닫고 또한 가스 순환부(151)를 정지하여, 처리 용기(110) 내로의 초산 부틸 가스의 공급을 정지한다. 동시에, 밸브(127)를 열어, 퍼지 가스 공급부(126)로부터 처리 용기(110) 내로 질소 가스를 공급한다(도 6의 공정(S6)). 또한 밸브(114, 153)를 열어, 배기관(113, 152)으로부터 처리 용기(110)와 컵(143) 내의 분위기를 배기한다. 이리 하여, 처리 용기(110) 내의 분위기가 질소 가스로 치환된다. 또한, 공정(S5)의 린스 처리 중에 처리 용기(110) 내의 분위기를 질소 가스로 치환하는 것은, 처리 용기(110) 내에 잔존하는 초산 부틸 가스에 의해, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막의 현상이 진행되는 것을 방지하기 위함이다.In this step (S5), the valve 123 is closed and the gas circulation unit 151 is stopped to stop the supply of butyl acetate gas into the processing vessel 110. At the same time, the valve 127 is opened to supply the nitrogen gas into the processing vessel 110 from the purge gas supply unit 126 (step S6 in Fig. 6). The valves 114 and 153 are opened to exhaust the atmosphere in the processing container 110 and the cup 143 from the exhaust pipes 113 and 152. [ Thus, the atmosphere in the processing vessel 110 is replaced with the nitrogen gas. The replacement of the atmosphere in the processing vessel 110 with the nitrogen gas during the rinse processing in the step S5 is a process in which the development of the resist film on the wafer W proceeds by the butyl acetate gas remaining in the processing vessel 110 .

또한, 공정(S5)에서는 폐액 용기(155)의 하류측의 밸브(도시하지 않음)를 열어, 폐액 용기(155)에 저류된 폐액이 도포 현상 처리 시스템(1)의 외부의 폐액 회수 장치로 회수된다.In step S5, a valve (not shown) on the downstream side of the waste liquid container 155 is opened so that the waste liquid stored in the waste liquid container 155 is collected by the waste liquid collecting device outside the coating and developing system 1 do.

웨이퍼(W)의 린스 처리 후, 린스액 노즐(164)로부터의 린스액의 공급을 정지하고, 또한 웨이퍼(W)를 가속 회전시켜, 웨이퍼(W) 상의 린스액을 털어내기 건조시켜 제거한다(도 6의 공정(S7)). 이 후, 처리 용기(110) 내는 대기 개방되고, 웨이퍼(W)는 현상 처리 장치(30)로부터 반출된다(도 6의 공정(S8)). 이리 하여, 일련의 웨이퍼(W)의 현상 처리가 종료된다.After the rinsing treatment of the wafer W, the supply of the rinsing liquid from the rinsing liquid nozzle 164 is stopped and the wafer W is accelerated and rotated so that the rinsing liquid on the wafer W is shaken, dried and removed (Step S7 in Fig. 6). Thereafter, the inside of the processing container 110 is opened to the atmosphere, and the wafer W is carried out of the developing apparatus 30 (step S8 in Fig. 6). Thus, the developing process of the series of wafers W is completed.

이상의 실시예에 따르면, 공정(S4)에서 현상액 노즐(160)로부터 웨이퍼(W) 상으로 공급되는 현상액은 유기 용제를 함유하므로, 노광되어 있지 않은 레지스트막을 용해하고, 노광된 레지스트막을 레지스트 패턴으로서 형성할 수 있다. 이 때문에, 레지스트 패턴의 원하는 치수가 미세해도, 노광 처리에서의 마스크의 개구부를 크게 할 수 있으므로, 노광 콘트라스트가 향상된다. 따라서, 레지스트막을 높은 정밀도로 현상하여 당해 레지스트막에 형성되는 레지스트 패턴의 치수 정밀도를 향상시킬 수 있다.According to the embodiment described above, since the developer supplied from the developer nozzle 160 onto the wafer W in step S4 contains an organic solvent, the unexposed resist film is dissolved and the exposed resist film is formed as a resist pattern can do. Therefore, even if the desired dimension of the resist pattern is fine, the opening of the mask in the exposure process can be made large, so that the exposure contrast is improved. Therefore, the resist film can be developed with high precision, and the dimensional accuracy of the resist pattern formed on the resist film can be improved.

또한, 공정(S4)에서, 농도 측정기(130)와 농도 제어부(131)에 의해 처리 용기(110) 내의 분위기를 소정의 농도의 초산 부틸 가스의 분위기로 유지할 수 있으므로, 현상액 노즐(160)로부터 웨이퍼(W) 상으로 공급되는 현상액의 휘발을 억제할 수 있다. 또한, 처리 용기(110) 내로 공급되는 초산 부틸 가스는 가스 확산부(120)를 거쳐 공급되므로, 처리 용기(110) 전체에 확산된다. 이 때문에, 처리 용기(110) 내의 분위기가 균일하게 소정의 농도의 초산 부틸 가스의 분위기가 된다. 또한, 초산 부틸 가스는 스핀 척(140)에 보지된 웨이퍼(W) 상으로 균일하게 공급된다. 따라서, 현상액의 휘발을 억제하여 현상 결함을 억제할 수 있다. 또한, 현상액의 휘발을 억제함으로써, 현상액의 공급량을 저감시킬 수도 있다.Since the atmosphere in the processing container 110 can be maintained in the atmosphere of the butyl acetate gas at a predetermined concentration by the concentration measuring device 130 and the concentration control section 131 in the step S4, It is possible to suppress the volatilization of the developer supplied onto the recording medium W. Since the butyl acetate gas supplied into the processing vessel 110 is supplied through the gas diffusion unit 120, it is diffused throughout the processing vessel 110. For this reason, the atmosphere in the processing vessel 110 is uniformly an atmosphere of butyl acetate gas at a predetermined concentration. In addition, the butyl acetate gas is uniformly supplied onto the wafer W held by the spin chuck 140. Therefore, it is possible to suppress development of developing solution and suppress development defects. In addition, by suppressing the volatilization of the developer, it is possible to reduce the supply amount of the developer.

또한, 공정(S4)에서 가스 순환부(151)에 의해 컵(143) 내(처리 용기(110) 내)의 초산 부틸 가스가 공급관(121)으로 순환되므로, 초산 부틸 가스의 기류의 흐름을 형성할 수 있고, 이 기류에 의해 현상액의 휘발을 더 억제할 수 있다. 또한, 초산 부틸 가스를 유효하게 이용할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W) 상에 레지스트 패턴을 적절히 형성할 수 있다.Since the butyl acetate gas in the cup 143 (in the processing vessel 110) is circulated to the supply pipe 121 by the gas circulating unit 151 in step S4, the flow of the butyl acetate gas stream is formed And it is possible to further suppress the volatilization of the developer by this airflow. In addition, butyl acetate gas can be effectively used. Therefore, a resist pattern can be appropriately formed on the wafer W.

또한, 공정(S5)의 웨이퍼(W)의 린스 처리 중, 공정(S6)에서 처리 용기(110) 내의 분위기가 질소 가스로 치환되므로, 초산 부틸 가스에 의해 웨이퍼(W) 상의 레지스트막이 과잉으로 현상되지 않는다. 따라서, 웨이퍼(W) 상에 레지스트 패턴을 보다 적절히 형성할 수 있다.In addition, during the rinsing process of the wafer W in the step S5, the atmosphere in the processing vessel 110 is replaced with the nitrogen gas in the step S6, so that the resist film on the wafer W is excessively developed It does not. Therefore, a resist pattern can be more appropriately formed on the wafer W.

이상의 실시예의 현상 처리 장치(30)에는, 도 7에 도시한 바와 같이, 처리 용기(110) 내로 공급되는 초산 부틸 가스의 온도를 조절하는 온도 조절 기구(250), 예를 들면 히터가 설치되어 있어도 된다. 온도 조절 기구(250)는 공급관(121)에 설치되어 있다. 또한, 온도 조절 기구(250)는 본 실시예에 한정되지 않고, 임의의 장소에 설치해도 된다. 예를 들면, 온도 조절 기구(250)는 가스 확산부(120)에 설치해도 되고, 처리 가스 공급부(122)에 설치해도 된다.As shown in FIG. 7, the development processing apparatus 30 of the above embodiment is provided with a temperature control mechanism 250 for controlling the temperature of butyl acetate gas supplied into the processing vessel 110, for example, a heater do. The temperature adjusting mechanism 250 is installed in the supply pipe 121. Further, the temperature regulating mechanism 250 is not limited to this embodiment, and may be provided at any place. For example, the temperature adjusting mechanism 250 may be provided in the gas diffusion portion 120 or in the process gas supply portion 122.

이러한 경우, 초산 부틸 가스의 온도가 소정의 온도로 조절되므로, 당해 초산 부틸 가스가 냉각되어 액화하고, 공급관(121) 내 또는 가스 확산부(120) 내가 결로하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 처리 용기(110) 내의 초산 부틸 가스의 가스 농도를 소정의 농도로 적절히 유지할 수 있고, 현상액의 휘발도 적절히 억제할 수 있다. 또한, 현상 처리 장치(30)의 메인터넌스의 빈도를 저감시킬 수도 있다.In this case, since the temperature of the butyl acetate gas is adjusted to a predetermined temperature, the butyl acetate gas is cooled and liquefied, thereby preventing condensation of the gas in the supply pipe 121 or the gas diffusion portion 120. Therefore, the concentration of the butyl acetate gas in the processing vessel 110 can be appropriately maintained at a predetermined concentration, and the volatilization of the developer can be suitably suppressed. In addition, the maintenance frequency of the development processing apparatus 30 can be reduced.

이상의 실시예에서는 처리 가스로서 초산 부틸 가스를 이용하고 있었지만, 다른 처리 가스를 이용해도 된다. 예를 들면, 초산 부틸 가스 이외의 기화한 유기 용제, 예를 들면 2 헵타논 등을 이용해도 된다.In the above embodiment, butyl acetate gas is used as the process gas, but other process gas may be used. For example, vaporized organic solvents other than butyl acetate gas such as 2-heptanone may be used.

또한, 처리 가스로서 불활성 가스, 예를 들면 질소 가스(또는 아르곤 가스)를 이용해도 된다. 이러한 경우, 도 8에 도시한 바와 같이, 현상 처리 장치(30)의 가스 확산부(120)에는 공급관(300)을 개재하여, 처리 용기(110) 내로 질소 가스를 공급하는 처리 가스 공급부(301)가 접속되어 있다. 처리 가스 공급부(301)는 그 내부에 질소 가스를 저류하고 있다. 또한, 공급관(300)에는 처리 가스 공급부(301)로부터의 질소 가스의 흐름을 제어하는 밸브(302)가 설치되어 있다. 또한, 공급관(300)에는 순환로(150)가 접속되어 있다. 그리고, 공급관(300)에서 순환로(150)로부터 처리 가스 공급부(301)측에는 질소 가스가 처리 가스 공급부(301)로 역류하는 것을 방지하는 역류 방지 밸브(303)가 설치되어 있다. 또한, 본 실시예에서는 상기 실시예의 공급관(121), 처리 가스 공급부(122), 밸브(123), 역류 방지 밸브(124), 공급관(125), 퍼지 가스 공급부(126), 밸브(127)가 생략된다.In addition, an inert gas such as nitrogen gas (or argon gas) may be used as the process gas. 8, the gas diffusion portion 120 of the development processing apparatus 30 is provided with a processing gas supply portion 301 for supplying nitrogen gas into the processing vessel 110 via the supply pipe 300, Respectively. The processing gas supply unit 301 stores nitrogen gas therein. The supply pipe 300 is provided with a valve 302 for controlling the flow of nitrogen gas from the process gas supply unit 301. The circulation path 150 is connected to the supply pipe 300. A check valve 303 is provided on the side of the process gas supply unit 301 from the circulation channel 150 in the supply pipe 300 to prevent nitrogen gas from flowing back to the process gas supply unit 301. In the present embodiment, the supply pipe 121, the process gas supply unit 122, the valve 123, the check valve 124, the supply pipe 125, the purge gas supply unit 126, Is omitted.

또한, 처리 용기(110)에는 당해 처리 용기(110) 내의 질소 가스의 압력을 측정하는 압력 측정기(310)가 설치되어 있다. 압력 측정기(310)의 측정 결과는 압력 제어부(311)에 출력된다. 압력 제어부(311)에서는 측정 결과에 기초하여 질소 가스의 압력이 소정의 압력, 예를 들면 대기압보다 100 Pa 높은 압력이 되도록, 예를 들면 밸브(302) 또는 가스 순환부(151) 등을 제어한다. 또한, 소정의 압력은, 예를 들면 처리 용기(110) 내의 현상액의 휘발 속도가 상압 하의 현상액의 휘발 속도에 대하여, 예를 들면 10% 이하가 되도록 설정된다. 또한, 본 실시예에서는 상기 실시예의 농도 측정기(130)와 농도 제어부(131)가 생략된다.The processing vessel 110 is provided with a pressure gauge 310 for measuring the pressure of the nitrogen gas in the processing vessel 110. The measurement result of the pressure gauge 310 is output to the pressure control unit 311. The pressure control unit 311 controls the valve 302 or the gas circulation unit 151 or the like so that the pressure of the nitrogen gas becomes a predetermined pressure, for example, 100 Pa higher than the atmospheric pressure, based on the measurement result . The predetermined pressure is set so that the volatilization rate of the developer in the processing container 110 is, for example, 10% or less with respect to the volatilization rate of the developer under normal pressure. Also, in this embodiment, the concentration meter 130 and the concentration controller 131 of the above embodiment are omitted.

또한, 현상 처리 장치(30)의 그 외의 구성은 상기 실시예의 현상 처리 장치(30)의 구성과 동일하므로 설명을 생략한다.Since the rest of the configuration of the development processing apparatus 30 is the same as that of the development processing apparatus 30 of the above embodiment, the description is omitted.

이러한 경우, 공정(S2)에서 밸브(302)를 열어 처리 가스 공급부(301)로부터 처리 용기(110) 내로 질소 가스를 공급한다. 또한, 공정(S2) 및 공정(S3)에서 처리 가스 공급부(301)로부터의 질소 가스의 공급은 압력 측정기(310)와 압력 제어부(311)에 의해 제어된다. 즉, 처리 용기(110) 내의 질소 가스의 압력이 압력 측정기(310)에 의해 측정된다. 그리고, 압력 제어부(311)에서 처리 용기(110) 내의 압력이 소정의 압력, 예를 들면 대기압보다 100 Pa 높은 압력이 되도록 제어된다. 이와 같이, 처리 용기(110) 내의 가스 압력이 정압으로 제어됨으로써, 당해 처리 용기(110) 내로 공급되는 현상액의 휘발이 억제된다. 이 후 공정(S4)에서, 처리 용기(110) 내의 가스 압력을 소정의 압력으로 유지한 상태에서, 현상액 노즐(160)로부터 웨이퍼(W) 상으로 현상액을 공급하여, 레지스트막을 현상한다. 이 공정(S4)에서도 컵(143) 내(처리 용기(110) 내)의 질소 가스는 가스 순환부(151)에 의해 순환로(150)를 거쳐 공급관(300)으로 순환된다.In this case, in step S2, the valve 302 is opened to supply the nitrogen gas into the processing vessel 110 from the processing gas supply unit 301. [ The supply of the nitrogen gas from the process gas supply unit 301 in steps S2 and S3 is controlled by the pressure measuring unit 310 and the pressure control unit 311. [ That is, the pressure of the nitrogen gas in the processing vessel 110 is measured by the pressure measuring instrument 310. The pressure in the processing vessel 110 is controlled by the pressure control unit 311 to be a predetermined pressure, for example, 100 Pa higher than the atmospheric pressure. Thus, the gas pressure in the processing vessel 110 is controlled at a constant pressure, so that the volatilization of the developing solution supplied into the processing vessel 110 is suppressed. In the subsequent step S4, the developer is supplied from the developer nozzle 160 onto the wafer W while the gas pressure in the process container 110 is maintained at a predetermined pressure, thereby developing the resist film. The nitrogen gas in the cup 143 (in the processing vessel 110) is also circulated to the supply pipe 300 via the circulation path 150 by the gas circulation unit 151 in this step S4.

또한, 이 외의 공정(S1, S5 ~ S8)은 상기 실시예의 공정(S1, S5 ~ S8)과 동일하므로 설명을 생략한다.Further, the other steps (S1, S5 to S8) are the same as the steps (S1, S5 to S8) of the embodiment, and the description is omitted.

본 실시예에 의해서도, 공정(S4)에서 처리 용기(110) 내의 가스 압력이 대기압보다 높은 소정의 압력으로 되어 있으므로, 웨이퍼(W) 상으로 공급되는 현상액의 휘발을 억제할 수 있다. 따라서, 현상 결함을 억제할 수 있고, 또한 현상액의 공급량을 저감시킬 수도 있다.Also in this embodiment, since the gas pressure in the processing vessel 110 is set to a predetermined pressure higher than the atmospheric pressure in step S4, volatilization of the developer supplied onto the wafer W can be suppressed. Therefore, development defects can be suppressed, and the supply amount of the developer can be reduced.

또한, 본 실시예의 현상 처리 장치(30)에도 도 7에 도시한 온도 조절 기구(250)를 설치하여, 처리 용기(110)로 공급하는 질소 가스의 온도를 조절해도 된다. 온도 조절 기구(250)는 공급관(300)에 설치해도 되고, 혹은 가스 확산부(120) 또는 처리 가스 공급부(301)에 설치해도 된다. 이와 같이, 처리 용기(110) 내의 분위기 온도를 조절함으로써, 웨이퍼(W) 상의 레지스트막의 현상을 보다 효율 좋게 행할 수 있다.The temperature regulating device 250 shown in Fig. 7 may also be provided in the developing processing apparatus 30 of this embodiment to regulate the temperature of the nitrogen gas supplied to the processing vessel 110. [ The temperature adjusting mechanism 250 may be provided in the supply pipe 300 or may be provided in the gas diffusion portion 120 or the process gas supply portion 301. As described above, the resist film on the wafer W can be developed more efficiently by controlling the temperature of the atmosphere in the processing vessel 110.

이상의 실시예에서는, 공정(S4)에서 회전 중의 웨이퍼(W) 상의 중심부로 현상액 노즐(160)로부터 현상액을 공급하여 웨이퍼(W) 상에 확산시키고 있었지만, 현상액의 공급 방법은 이에 한정되지 않고 다양한 방법을 취할 수 있다. 예를 들면, 회전 중의 웨이퍼(W)에 대하여, 웨이퍼(W)의 외주부로부터 중심부로 현상액 노즐(160)을 이동시키면서 현상액을 공급해도 되며, 이러한 경우, 현상액 노즐(160)로부터 공급된 현상액은 나선 형상으로 웨이퍼(W) 상으로 공급된다. 또한, 예를 들면 웨이퍼(W)의 직경보다 긴 슬릿 형상의 공급구를 구비한 현상액 노즐을 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 이동시키면서 현상액을 공급해도 된다. 모든 경우에서, 웨이퍼(W)의 표면 전체 면에 현상액이 공급되어, 레지스트막이 적절히 현상된다.In the above embodiment, the developer is supplied from the developer nozzle 160 to the central portion of the wafer W during rotation in the step S4, and is diffused onto the wafer W. However, the developer supply method is not limited to this, . For example, the developer may be supplied to the wafer W while the developer W is rotating while moving the developer nozzle 160 from the outer peripheral portion of the wafer W to the central portion. In this case, Shape onto the wafer W. Further, for example, the developer may be supplied while moving the developer nozzle having the slit-shaped supply port longer than the diameter of the wafer W in the radial direction of the wafer W. [ In all cases, the developer is supplied to the entire surface of the wafer W, and the resist film is properly developed.

이상, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 적합한 실시예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자라면, 특허 청구의 범위에 기재된 사상의 범주 내에서 각종의 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 명백하고, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다. 본 발명은 본 예에 한정되지 않고 다양한 태양을 취할 수 있다. 본 발명은 기판이 웨이퍼 이외의 FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판일 경우에도 적용할 수 있다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to these examples. It will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. The present invention is not limited to this example and can take various forms. The present invention can also be applied to a case where the substrate is another substrate such as a flat panel display (FPD) other than a wafer, a mask reticle for a photomask, or the like.

1 : 도포 현상 처리 시스템
30 : 현상 처리 장치
110 : 처리 용기
120 : 가스 확산부
122 : 처리 가스 공급부
126 : 퍼지 가스 공급부
129 : 공급구
130 : 농도 측정기
131 : 농도 제어부
140 : 스핀 척
143 : 컵
150 : 순환로
151 : 가스 순환부
160 : 현상액 노즐
164 : 린스액 노즐
200 : 제어부
250 : 온도 제어 기구
301 : 처리 가스 공급부
310 : 압력 측정기
311 : 압력 제어부
W : 웨이퍼1: Coating development processing system
30: development processing device
110: Processing vessel
120: gas diffusion portion
122: Process gas supply section
126: Purge gas supply part
129: Supply port
130: Concentration meter
131:
140: Spin chuck
143: Cup
150: circulation path
151: gas circulation part
160: Developer nozzle
164: Rinse liquid nozzle
200:
250: Temperature control device
301: Process gas supply section
310: Pressure gauge
311:
W: Wafer

Claims

1. A development processing apparatus for a substrate,
A processing vessel for receiving and processing the substrate,
A substrate holding portion for holding a substrate in the processing container;
A developer supply part for supplying a developer containing an organic solvent onto the substrate held in the substrate holding part;
A gas supply unit for supplying a process gas into the process vessel,
A gas circulation unit for supplying the processing gas flowing out of the processing vessel again into the processing vessel and circulating the processing gas,
A gas diffusion portion provided in the processing container above the substrate holding portion to diffuse the processing gas from the gas supplying portion and supply the processing gas into the processing container;
Lt; / RTI &
Wherein a plurality of supply ports through which the process gas is supplied are formed on the surface of the gas diffusion portion on the side of the substrate holding portion.

The method according to claim 1,
Wherein the processing gas is a vaporized organic solvent.

3. The method of claim 2,
A concentration meter for measuring the concentration of the processing gas in the processing vessel,
And a control unit for controlling the gas supply unit so that the concentration of the process gas becomes a predetermined concentration.

3. The method of claim 2,
And another gas supply unit for supplying an inert gas into the processing vessel.

The method according to claim 1,
The process gas is an inert gas,
Wherein the inside of the processing container is held at a predetermined pressure by the processing gas.

6. The method of claim 5,
A pressure measuring device for measuring a pressure of the process gas in the process container,
And a control unit for controlling the gas supply unit so that the pressure of the process gas becomes the predetermined pressure.

7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the gas supply unit is provided with a temperature adjusting mechanism for adjusting the temperature of the process gas.

7. The method according to any one of claims 1 to 6,
And a cup provided so as to surround the side of the substrate held in the substrate holding portion in the processing container,
Wherein the gas circulating unit circulates the processing gas flowing out of the cup into the processing container.

7. The method according to any one of claims 1 to 6,
And a rinse solution supply unit for supplying a rinse solution of the developer onto the substrate held by the substrate holding unit.

A method for developing a substrate,
A gas diffusion portion is formed on a surface of a substrate holding portion side where a supply port through which a process gas is supplied is provided above a substrate holding portion for holding a substrate in a processing container holding the substrate, A gas supplying step of supplying a processing gas from the gas supply unit to the processing vessel after diffusing the processing gas from the gas supply unit after the substrate is held in the holding unit,
And a developing treatment step of supplying a developing solution containing an organic solvent onto the substrate held in the substrate holding portion to perform a developing treatment,
Wherein in the development processing step, the processing gas flowing out of the processing vessel is supplied again into the processing vessel and circulated.

11. The method of claim 10,
Wherein the processing gas is a vaporized organic solvent.

12. The method of claim 11,
Wherein the concentration of the processing gas in the processing container is maintained at a predetermined concentration in the developing processing step.

11. The method of claim 10,
The process gas is an inert gas,
Wherein the inside of the processing container is held at a predetermined pressure by the processing gas in the developing processing step.

14. The method according to any one of claims 10 to 13,
Wherein the processing gas supplied to the processing vessel in the developing processing step is adjusted to a predetermined temperature.

14. The method according to any one of claims 10 to 13,
And a rinsing step of supplying a rinsing liquid of the developing solution onto the substrate held in the substrate holding section after the developing processing step.

16. The method of claim 15,
Wherein an inert gas is supplied into the processing container during the rinsing process.

A computer-readable storage medium storing a program that operates on a computer of a control unit that controls the development processing apparatus to execute the development processing method according to any one of claims 10 to 13 by the development processing apparatus.

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