KR20120139398A - 4h-sic single crystal growth method and growth apparatus - Google Patents

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KR20120139398A
KR20120139398A KR1020110059185A KR20110059185A KR20120139398A KR 20120139398 A KR20120139398 A KR 20120139398A KR 1020110059185 A KR1020110059185 A KR 1020110059185A KR 20110059185 A KR20110059185 A KR 20110059185A KR 20120139398 A KR20120139398 A KR 20120139398A
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이원재
박종휘
양태경
류희범
이상일
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동의대학교 산학협력단
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Abstract

PURPOSE: A 4H-SiC single crystal growing method and a growing apparatus are provided to grow various kinds of single crystal by differently setting a growth temperature. CONSTITUTION: A seed(130) is attached to a seed holder(120). The seed holder downwardly mounts the seed on the inner upper side of a crucible(110) installed in a reaction chamber. SiC powder that is a single crystal raw material(170) is inputted to the crucible. Single crystal raw materials are sublimated by heating and decompressing the crucible. The crucible has a length of 150 to 160 mm.

Description

4Ｈ-ＳｉＣ단결정 성장방법 및 성장장치{4H-SiC single crystal growth method and growth apparatus}4H-SiC single crystal growth method and growth apparatus

본 발명은 단결정 성장방법 및 성장장치에 관한 것으로, 특히 도가니의 길이를 늘리는 간단한 방법으로 도가니의 위치, 가열 온도 및 압력을 정밀하게 맞추는 고도로 난해한 작업 없이도 4H-SiC 단결정을 얻을 수 있는 4H-SiC 단결정 성장방법 및 성장장치에 관한 것이다.
The present invention relates to a single crystal growth method and growth apparatus, and in particular, a simple method of increasing the length of the crucible, 4H-SiC single crystal that can obtain a 4H-SiC single crystal without the highly difficult operation to precisely match the location, heating temperature and pressure of the crucible It relates to a growth method and a growth apparatus.

지금까지 대표적인 반도체 소자 재료로 Si가 널리 알려져 있지만 Si의 경우 물리적 한계에 직면함에 따라 차세대 반도체 소자 재료로서 SiC, GaN, AlN 및 ZnO 등의 광대역 반도체 재료가 각광을 받고 있다. Until now, Si is widely known as a representative semiconductor device material, but in the case of Si, broadband semiconductor materials such as SiC, GaN, AlN, and ZnO are in the spotlight as the next-generation semiconductor device materials are facing physical limitations.

그러나 이들 광대역 반도체 재료 중 현재 단결정 잉곳(ingot) 성장 기술이 확보되어 직경 2인치 이상의 대구경 기판으로서의 생산이 가능한 것은 SiC 단결정 재료뿐이다. However, among these broadband semiconductor materials, only SiC single crystal materials can be produced as single-crystal ingot growth technology and can be produced as large diameter substrates having a diameter of 2 inches or more.

SiC는 GaN, AlN 및 ZnO 에 비해 열적 안정성이 우수하고, 내산화성이 우수하다는 장점을 지니고 있고, 4.6W/Cm℃ 정도의 우수한 열전도 특성을 지니고 있기 때문에 고온에서 장시간 안정성이 요구되는 환경 하에서는 GaAs 또는 GaN과 같은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체보다 훨씬 유용할 것으로 기대된다. SiC has the advantages of superior thermal stability and excellent oxidation resistance compared to GaN, AlN and ZnO, and excellent thermal conductivity of about 4.6 W / Cm ° C, so GaAs or It is expected to be much more useful than III-V compound semiconductors such as GaN.

나아가 SiC는 비록 전자이동도가 Si에 비해 작으나, 에너지 밴드갭(energy bandgap)이 실리콘의 2 내지 3배 정도이고 동작 한계온도가 650℃임에 따라 동작 한계온도가 200℃ 이하인 실리콘에 비하여 동작 한계온도가 훨씬 높다는 장점이 있다. 또한 화학적 기계적으로 강하여 극한 환경에서도 사용할 수 있는 소자로 제작이 가능하다. Furthermore, although SiC has a smaller electron mobility than Si, the operating limit is lower than that of silicon having an operating limit temperature of 200 ° C or lower, as the energy bandgap is 2 to 3 times that of silicon and the operating limit temperature is 650 ° C. The advantage is that the temperature is much higher. In addition, it can be manufactured as a device that can be used in extreme environments due to its chemical and mechanical strength.

이러한 SiC 결정은 그 성장온도에 따라 여러 종류로 분류되는데 그 중에서 대표적인 SiC로 6H-SiC단결정은 LED소자로, 4H-SiC 단결정은 전력소자로써 쓰이고 있다. 현재 친환경, 전력 손실 절감 차원에서 4H-SiC 단결정 기판을 제작하는 방법이 각광을 받고 있는 추세이다. Such SiC crystals are classified into various types according to their growth temperatures. Among them, 6H-SiC single crystals are used as LED devices and 4H-SiC single crystals are used as power devices. Currently, the method of manufacturing 4H-SiC single crystal substrates is in the spotlight in terms of eco-friendliness and power loss reduction.

도 1은 종래기술에 의한 SiC 단결정 성장장치 및 성장방법을 설명하기 위한 단면 구성도이다. 1 is a cross-sectional configuration diagram for explaining a SiC single crystal growth apparatus and a growth method according to the prior art.

도시된 바와 같이, 종래기술에 의한 SiC 단결정 성장장치는 도가니(11)를 비롯하여 단열재(12a,12b,12b), 반응챔버(13) 및 히팅수단(14)을 포함하여 구성되었다. As shown, the SiC single crystal growth apparatus according to the prior art includes a crucible 11, a heat insulating material 12a, 12b, and 12b, a reaction chamber 13, and a heating means 14.

이같은 구성을 갖는 종래기술에 따르면 도가니(11) 내에 단결정 원료(11a)를 장입한 후 가열하게 되면 상기 단결정 원료(11a)가 승화하면서 종자정(11b)에 단결정(11c)이 자라나는 형태로 생성된다.According to the prior art having such a configuration, when the single crystal raw material 11a is charged into the crucible 11 and heated, the single crystal raw material 11a is sublimed to generate a single crystal 11c in the seed crystal 11b. .

하지만, 종래기술에 의하면 다른 형태의 단결정에 비하여 성장온도 영역이 좁고 조건이 비교적 까다로운 4H-SiC 단결정(113)을 성장시키기 위해서 도가니의 위치, 가열 온도 및 압력을 정밀하게 맞추는 고도로 난해한 작업을 수행해야만 하였으며 그럼에도 불구하고 결과적으로 만족할만한 성과를 못하는 문제점이 있었다.
However, according to the prior art, in order to grow the 4H-SiC single crystal 113, which has a narrower growth temperature range and a relatively difficult condition than other types of single crystal, it is necessary to perform a highly difficult task of precisely matching the location, heating temperature, and pressure of the crucible. Nevertheless, there was a problem that the result was not satisfactory.

이에 본 발명은 상기와 같은 종래의 제반 문제점을 해소하기 위해 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 도가니의 길이를 늘리는 간단한 방법으로 도가니의 위치, 가열 온도 및 압력을 정밀하게 맞추는 고도로 난해한 작업 없이도 4H -SiC 단결정을 얻을 수 있는 4H -SiC 단결정 성장방법 및 성장장치를 제공하는 데 있다.
Accordingly, the present invention has been proposed to solve the conventional problems as described above, and an object of the present invention is to provide a simple method of increasing the length of the crucible, without the highly complicated work of precisely matching the location, heating temperature and pressure of the crucible. It is to provide a 4H -SiC single crystal growth method and a growth apparatus that can obtain a SiC single crystal.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 기술적 사상에 의한 4H-SiC 성장방법은, 종자정 홀더에 종자정을 부착하는 단계와; 상기 종자정이 부착된 종자정 홀더를 반응챔버에 설치된 도가니 내부 상측에 종자정이 아래로 향하도록 장착하는 단계와; 상기 도가니 내부에 단결정 원료인 SiC 분말을 장입하는 단계와; 상기 도가니 내부를 감압하고 가열하여 상기 단결정 원료를 승화시키는 단계를 포함하여 이루어지고, 상기 도가니는 통상의 도가니 길이로부터 40 내지 50mm 증가시킨 150 내지 160mm의 길이를 갖는 개량형 도가니를 적용한 것을 그 기술적 구성상의 특징으로 한다. 4H-SiC growth method according to the technical idea of the present invention to achieve the above object, the step of attaching the seed crystal to the seed crystal holder; Mounting the seed crystal holder to which the seed crystal is attached so that the seed crystal faces downward inside the crucible installed in the reaction chamber; Charging SiC powder as a single crystal raw material into the crucible; And subliming the single crystal raw material by depressurizing and heating the inside of the crucible, wherein the crucible is an improved crucible having a length of 150 to 160 mm increased by 40 to 50 mm from a conventional crucible length. It features.

여기서, 상기 종자정은 6H-SiC 단결정을 사용하는 것을 특징으로 할 수 있다. Here, the seed crystal may be characterized by using 6H-SiC single crystal.

또한, 상기 종자정 홀더에 대한 종자정의 부착을 위해 슈가(sugar) 카본 페이스트 및 포토레지스트를 접착제로 사용하는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, a sugar carbon paste and a photoresist may be used as an adhesive for attaching the seed crystal to the seed crystal holder.

또한, 상기 종자정 홀더는 고밀도의 흑연을 소재로 하여 이루어진 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the seed crystal holder may be made of a high-density graphite material.

또한, 상기 개량형 도가니를 둘러싸는 단열재 및 상기 단열재를 둘러싸는 반응챔버를 구비하는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, it may be characterized by including a heat insulating material surrounding the improved crucible and a reaction chamber surrounding the heat insulating material.

또한, 상기 단열재는 흑연 섬유를 압착하여 일정 두께를 갖는 원관 형태로 형성시킨 흑연 펠트인 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the heat insulating material may be characterized in that the graphite felt formed by pressing the graphite fibers in the form of a circular tube having a predetermined thickness.

또한, 상기 개량형 도가니 내부를 가열하기 위해 상기 반응챔버 외부를 둘러싼 고주파 유도코일이 설치된 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, the high-frequency induction coil surrounding the outside of the reaction chamber may be installed to heat the improved crucible.

또한, 상기 단결정 원료를 승화시키는 단계를 진행하기 전에 1300℃ 내지 1500℃의 온도와 진공압력으로 2시간 내지 3시간 동안 가열하여 도가니에 포함된 불순물을 제거하는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, before proceeding with the sublimation of the single crystal raw material, it may be characterized in that to remove impurities contained in the crucible by heating for 2 to 3 hours at a temperature of 1300 ℃ to 1500 ℃ and vacuum pressure.

또한, 상기 단결정 원료를 승화시키는 단계를 진행하기 전에 불활성 가스를 도가니 내부 및 상기 도가니와 단열재 사이에 주입하여 남아 있는 공기를 제거하는 것을 특징으로 할 수 있다. In addition, before proceeding with the sublimation of the single crystal raw material, an inert gas may be injected into the crucible and between the crucible and the heat insulating material to remove remaining air.

또한, 상기 단결정 원료를 승화시키는 단계에서 본격적인 감암 및 가열에 의해 단결정 원료를 승화시키기 전에는, 상기 단결정 원료가 성장온도에 도달하기까지 대기압을 유지토록 한 것을 In addition, in the step of subliming the single crystal raw material, it is necessary to maintain the atmospheric pressure until the single crystal raw material reaches a growth temperature before sublimating the single crystal raw material by full-scale darkening and heating.

한편, 본 발명에 의한 4H-SiC 단결정은 상기 4H-SiC 단결정 성장방법에 의해 제조된 것을 그 기술적 구성상의 특징으로 한다. On the other hand, the 4H-SiC single crystal according to the present invention is characterized by the technical configuration of that produced by the 4H-SiC single crystal growth method.

또한, 본 발명에 의한 4H-SiC 단결정 성장장치는, 통상의 도가니 길이보다 40 내지 50mm 증가된 150 내지 160mm의 길이를 갖는 개량형 도가니와; 종자정이 부착된 상태로 상기 개량형 도가니의 내부 상측에 장착되는 종자정 홀더와; 상기 개량형 도가니를 둘러싸는 단열재와; 상기 개량형 도가니와 단열재를 수용하는 반응챔버와; 상기 도가니 내부를 가열하기 위해 상기 반응챔버 외부를 둘러싸 설치된 고주파 유도코일을 포함하여 구성되는 것을 그 기술적 구성상의 특징으로 한다. In addition, the 4H-SiC single crystal growth apparatus according to the present invention, an improved crucible having a length of 150 to 160mm increased by 40 to 50mm than the conventional crucible length; A seed crystal holder mounted on an inner upper side of the improved crucible with a seed crystal attached thereto; A heat insulating material surrounding the improved crucible; A reaction chamber accommodating the improved crucible and heat insulating material; The technical configuration is characterized by including a high frequency induction coil installed to surround the outside of the reaction chamber to heat the crucible.

여기서, 상기 종자정 홀더는 고밀도의 흑연을 소재로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있다. Here, the seed crystal holder may be made of a high density graphite material.

또한, 상기 단열재는 흑연 섬유를 압착하여 일정 두께를 갖는 원관 형태로 형성시킨 흑연 펠트가 복수층으로 구비된 것을 특징으로 할 수 있다.
In addition, the heat insulating material may be characterized in that the graphite felt is formed in a plurality of layers formed by pressing the graphite fibers in the form of a circular tube having a predetermined thickness.

본 발명에 의한 4H-SiC 단결정 성장방법 및 성장장치는, 도가니의 길이를 늘리는 간단한 방법으로 도가니의 위치, 가열 온도 및 압력을 정밀하게 맞추는 고도로 난해한 작업 없이도 4H-SiC 단결정을 얻을 수 있는 효과가 있다. 4H-SiC single crystal growth method and growth apparatus according to the present invention has the effect of obtaining a 4H-SiC single crystal without the highly difficult work to precisely match the location, heating temperature and pressure of the crucible in a simple way to increase the length of the crucible .

또한, 본 발명에 따르면 도가니의 길이를 조절하는 간단한 방법으로 종자정에 영향을 미치는 성장온도를 달리하여 다양한 종류의 단결정을 성장시킬 수 있는 응용이 가능해진다.
In addition, according to the present invention, by using a simple method of controlling the length of the crucible, an application capable of growing various kinds of single crystals by varying the growth temperature affecting the seed crystals becomes possible.

도 1은 종래기술에 의한 SiC 단결정 성장장치 및 성장방법을 설명하기 위한 단면 구성도.
도 2는 본 발명에 의한 4H-SiC 단결정 성장장치의 구성을 설명하기 위한 종단면 구성도.
도 3은 본 발명에 의한 4H-SiC 단결정 성장장치에서 4H-SiC 단결정의 성장원리를 설명하기 위한 종단면 구성도.
도 4는 폴리타입 단결정의 생성을 위한 온도영역을 표시한 그래프.
도 5는 본 발명에 의한 4H-SiC 단결정 성장방법을 설명하기 위한 흐름도.
도 6a 내지 도 6c는 종자정의 설치 및 4H-SiC 단결정의 성장을 설명하기 위한 일련의 참조도. 1 is a cross-sectional configuration diagram for explaining a SiC single crystal growth apparatus and a growth method according to the prior art.
Figure 2 is a longitudinal cross-sectional view for explaining the configuration of the 4H-SiC single crystal growth apparatus according to the present invention.
Figure 3 is a longitudinal cross-sectional view for explaining the growth principle of 4H-SiC single crystal in the 4H-SiC single crystal growth apparatus according to the present invention.
Figure 4 is a graph showing the temperature range for the production of polytype single crystals.
5 is a flowchart illustrating a 4H-SiC single crystal growth method according to the present invention.
6A-6C are a series of reference diagrams for explaining the installation of seed crystals and the growth of 4H-SiC single crystals.

이하, 상기와 같은 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 구체적으로 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 의한 4H-SiC 단결정 성장장치의 구성을 설명하기 위한 종단면 구성도이고, 도 3은 본 발명에 의한 4H-SiC 단결정 성장장치에서 4H-SiC 단결정의 성장원리를 설명하기 위한 종단면 구성도이며, 도 4는 폴리타입 단결정의 생성을 위한 온도영역을 표시한 그래프이다. 2 is a vertical cross-sectional view for explaining the configuration of the 4H-SiC single crystal growth apparatus according to the present invention, Figure 3 is a longitudinal cross-sectional view for explaining the growth principle of the 4H-SiC single crystal growth apparatus 4H-SiC single crystal growth apparatus according to the present invention 4 is a graph showing a temperature range for generating polytype single crystals.

도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 4H-SiC 단결정 성장장치는 개량형 도가니(110)와, 종자정 홀더(120)와, 단열재(140)와, 반응챔버(150)와, 고주파 유도코일(160)을 포함하여 구성되며, 통상의 일반적인 도가니의 길이보다 40 내지 50mm 증가(H2로 표시)된 150 내지 160mm의 길이(H1으로 표시)를 갖는 상기 개량형 도가니(110)를 구비한 것을 핵심적인 기술로 하여 4H-SiC 단결정(190)을 원활하게 성장시킬 수 있게 된다. As shown, the 4H-SiC single crystal growth apparatus according to the present invention is an improved crucible 110, seed crystal holder 120, heat insulating material 140, reaction chamber 150, high frequency induction coil 160 It is configured to include, and with the improved crucible 110 having a length of 150 to 160mm (indicated by H1) is increased by 40 to 50mm (indicated by H2) than the length of a typical general crucible The 4H-SiC single crystal 190 can be grown smoothly.

이같은 본 발명의 핵심적인 기술은 간단해보이지만 매우 독특한 방법이라 할 수 있는데, 이전에 주로 도가니의 위치, 가열 온도, 압력을 정밀하게 조절하는 난해한 작업에만 집중하였던 전통적인 방식에서 완전히 탈피하여 새로운 대안을 제시하고 있기 때문이다. 이같은 본 발명의 핵심적인 기술은 전통적인 방식에 비해 그 구현방법이 단순하고 4H-SiC 단결정(190)을 보다 원활하게 얻을 수 있다. The core technology of the present invention is a simple but very unique method, which provides a new alternative, completely breaking away from the traditional approach that previously focused mainly on precise control of the crucible's location, heating temperature and pressure. Because it is. The core technology of the present invention is simpler in implementation method than the conventional method, and more smoothly obtains 4H-SiC single crystal 190.

이처럼 본 발명에서 통상의 도가니 길이보다 40 내지 50mm 증가(H2로 표시)된 150 내지 160mm의 길이(H1으로 표시)를 갖는 개량형 도가니(110)를 구비하였을 때 각종 조건들을 정밀하게 맞추는 고도로 난해한 작업 없이도 4H-SiC 단결정(190)을 보다 확실하게 성장시킬 수 있는 이론적인 근거를 설명하면 다음과 같다. As such, when the present invention is equipped with an improved crucible 110 having a length of 150 to 160 mm (indicated by H1), which is increased by 40 to 50 mm (indicated by H2) than a conventional crucible length, without highly complicated work of precisely matching various conditions. The theoretical basis for growing the 4H-SiC single crystal 190 more reliably is as follows.

즉, 개량형 도가니(110)의 길이를 늘리게 되면 종자정(130)이 장착되어 단결정이 성장되는 개량형 도가니(110)의 내부 상측 부위가 온도가 가장 높은 고주파 유도코일(160)의 중앙영역(CH)으로부터 그 늘어난 길이만큼 자연스럽게 멀어지게 된다. 참고로 도 3에 기재된 도면부호 'CH2'방향으로 갈수록 고주파 유도코일(150)의 중앙영역(CH)으로부터 멀어질수록 상대적으로 낮은 온도범위에 위치하게 된다. 이에 따라 종자정(130)의 위치가 4H-SiC 단결정(190)을 성장시킬 수 있는 가장 신뢰도 높은 온도 영역대인 도 4의 'P zone'에 자연스럽게 위치하게 되는 것이다. 주목할 점은 이같이 개량형 도가니(110)의 길이를 늘리는 간단한 방법에 의해 코일과 도가니의 상대적인 위치, 가열 온도 및 압력 등의 조건을 복합적으로 정밀하게 맞추는 고도로 난해한 작업 없이도 4H-SiC 단결정을 성장시킬 수 있다는 점이다. That is, when the length of the improved crucible 110 is increased, the inner region of the improved crucible 110 in which the seed crystal 130 is mounted and the single crystal is grown has the highest temperature. The center region CH of the high frequency induction coil 160 has the highest temperature. It is naturally away from the stretched length. For reference, the farther away from the central region CH of the high frequency induction coil 150, the more the reference numeral 'CH2' described in FIG. 3 is located in a relatively low temperature range. Accordingly, the seed crystal 130 is naturally positioned in the 'P zone' of FIG. 4, which is the most reliable temperature range where the 4H-SiC single crystal 190 can be grown. It should be noted that this simple method of increasing the length of the improved crucible 110 allows the growth of 4H-SiC single crystals without the need for highly complex operations that precisely match the conditions of the coil and crucible's relative position, heating temperature and pressure. Is the point.

한편, 상기 개량형 도가니(110)는 SiC의 승화온도 이상의 융점을 갖는 물질로 제작되는데, 예컨대 흑연으로 제작되거나 흑연 재질 상에 실리콘카바이드의 승화온도 이상의 융점을 갖는 물질이 도포될 수도 있다. 여기서, 흑연 재질 상에 도포되는 물질은 SiC 단결정이 성장되는 온도에서 실리콘 및 수소에 대해 화학적으로 불활성인 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 금속 탄화물로는 금속 질화물을 이용할 수 있으며, 특히 Ta, Hf, Nb, Zr, W, V와 이들 중 적어도 둘 이상의 혼합물과 탄소가 이루는 탄화물과, Ta, Hf, Nb, Zr, W, V와 이들 중 적어도 둘 이상의 혼합물과 질소가 이루는 질화물을 이용할 수 있다. 또한, 개량형 도가니(110) 내에 장입되는 단결정 원료(170)로는 SiC 분말이 사용된다. Meanwhile, the improved crucible 110 is made of a material having a melting point higher than the sublimation temperature of SiC. For example, a material having a melting point higher than the sublimation temperature of silicon carbide may be coated on the graphite material. Here, it is preferable to use a material which is coated on the graphite material, which is chemically inert to silicon and hydrogen at the temperature at which the SiC single crystal is grown. For example, metal nitrides may be used as the metal carbide, and in particular, carbides formed of carbon with Ta, Hf, Nb, Zr, W, V, and a mixture of at least two of them, and Ta, Hf, Nb, Zr, W , And a nitride formed by V and a mixture of at least two of them and nitrogen can be used. In addition, SiC powder is used as the single crystal raw material 170 charged in the improved crucible 110.

상기 종자정 홀더(120)는 개량형 도가니(110) 내에서 종자정(130)을 붙잡는 역할을 하는 것으로, 고밀도의 흑연을 소재로 제작되며 종자정(130)을 안정적으로 붙잡을 수 있도록 종자정(130)에 비해 넓은 형태로 구비된다. 또한, 상기 종자정 홀더(120)는 종자정(130)이 부착된 상태로 개량형 도가니(110)의 내부 상측에 장착된다. 상기 종자정 홀더(120)가 상기 개량형 도가니(110)에 장착되기 전에는 그 일면에 종자정(130)을 부착시켜야 하는데, 슈가(sugar), 카본 페이스트(carbon paste) 및 포토레지스트(photoresist) 중 어느 하나를 이용하여 종자정 홀더(120)에 종자정(130)을 부착하면 된다. 물론 다양한 다른 종류의 접착제를 사용해도 무방하다. The seed crystal holder 120 serves to hold the seed crystal 130 in the improved crucible 110, is made of a high-density graphite material, so that the seed crystal 130 can be stably held Compared to) is provided in a wide form. In addition, the seed crystal holder 120 is mounted on the inner upper side of the improved crucible 110 with the seed crystal 130 attached. Before the seed crystal holder 120 is mounted to the improved crucible 110, the seed crystal 130 should be attached to one surface thereof, and any one of sugar, carbon paste, and photoresist may be used. The seed crystal 130 may be attached to the seed crystal holder 120 using one. Of course, you can use a variety of other types of glue.

여기서 2인치 이상의 4H-SiC 단결정을 성장시키기 위한 종자정(130)으로는 6H-SiC 종자정을 사용한다. 흔히 4H-SiC 단결정을 성장시키기 위해 6H-SiC 종자정을 사용하는 것이 일반적인 것으로 알려져 있으나 본 발명에 의하면 6H-SiC 종자정을 사용해도 동일한 결과를 얻을 수 있기 때문에 굳이 고가의 4H-SiC 종자정을 사용할 필요가 없는 것이다. 참고로, 6H-SiC 단결정의 경우 4H-SiC 단결정에 비해 성장되는 영역이 상대적으로 넓기 때문에 4H-SiC 단결정에 비해 생산이 쉽고 저렴하다는 장점이 있다.Here, 6H-SiC seed crystals are used as seed crystals 130 for growing 2 inches or more of 4H-SiC single crystals. It is commonly known to use 6H-SiC seed crystals to grow 4H-SiC single crystals, but according to the present invention, the same result can be obtained using 6H-SiC seed crystals. There is no need to use it. For reference, in the case of 6H-SiC single crystal, the growth area is relatively wider than that of 4H-SiC single crystal, and thus, production is easier and cheaper than 4H-SiC single crystal.

상기 단열재(140)는 상기 개량형 도가니(110)를 외측에서 직접적으로 둘러싼 형태로 구비되어 개량형 도가니(110)의 온도를 유지시켜주는 기능을 한다. 상기 단열재(140)로는 단결정 성장온도를 지속적으로 보존할 수 있도록 흑연 섬유를 압착시켜 일정 두께의 관상 원통형으로 제작한 흑연 펠트를 사용한다. 또한, 상기 단열재(140)의 단열효과를 더욱 증대시키기 위해 상기 흑연 펠트를 복층으로 하여 상기 개량형 도가니(110)를 둘러싸도록 하는 것이 바람직하다. The heat insulator 140 has a function of maintaining the temperature of the improved crucible 110 is provided in a form surrounding the improved crucible 110 directly from the outside. As the heat insulator 140, graphite felt is pressed into a tubular cylindrical shape having a predetermined thickness by compressing the graphite fibers so as to continuously preserve the single crystal growth temperature. In addition, in order to further increase the heat insulating effect of the heat insulating material 140, it is preferable to surround the improved crucible 110 with the graphite felt as a multilayer.

상기 반응챔버(150)는 상기 개량형 도가니(110) 및 단열재(140)의 설치공간을 제공하는 역할을 하는 것으로서 상기 단열재(140)보다 외측에서 상기 개량형 도가니(110)를 둘러싸 수용하는 관형태의 석영관(quartz tube)으로 구비된다. The reaction chamber 150 serves to provide an installation space for the improved crucible 110 and the heat insulator 140, and surrounds the improved crucible 110 outside the heat insulator 140 to accommodate the tubular quartz. It is provided with a quartz tube.

상기 고주파 유도코일(160)은 상기 개량형 도가니(110) 내부를 가열하기 위해 반응챔버(150) 외부를 휘감아 둘러싸도록 설치된다. 상기 고주파 유도 코일(160)은 고주파 전류를 흐르게 함으로써 개량형 도가니(110)를 가열하게 되며, 그 특성상 중앙영역(CH)의 온도가 가장 높고 상기 중앙영역(CH)에서 멀어질수록 온도가 낮아진다.
The high frequency induction coil 160 is installed to enclose the outside of the reaction chamber 150 to heat the interior of the improved crucible 110. The high frequency induction coil 160 heats the improved crucible 110 by allowing a high frequency current to flow, and as a result, the temperature of the central region CH is the highest and the temperature is lowered farther from the central region CH.

계속해서, 상기와 같이 구성된 본 발명의 4H-SiC 단결정 성장장치에 의한 4H-SiC 단결정 성장방법에 대해 첨부된 도면에 의거 상세히 설명한다. 참고로 도 5는 본 발명에 의한 4H-SiC 단결정 성장방법을 설명하기 위한 흐름도이고, 도 6a 내지 도 6c는 종자정의 설치 및 4H-SiC 단결정의 성장을 설명하기 위한 일련의 참조도이다. Subsequently, the 4H-SiC single crystal growth method by the 4H-SiC single crystal growth apparatus of the present invention configured as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings. For reference, Figure 5 is a flow chart for explaining the 4H-SiC single crystal growth method according to the present invention, Figures 6a to 6c is a series of reference diagrams for explaining the installation of seed crystal and growth of 4H-SiC single crystal.

도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 4H-SiC 단결정 성장방법은 개량형 도가니 마련단계(S110), 종자정 부착단계(S120), 종자정 홀더 장착단계(S130), 단결정 원료 장입단계(S140), 불순물 제거단계(S150), 불활성 가스 주입단계(S160), 단결정 원료 승화단계(S170)를 포함하여 이루어진다. 아래에서는 상기 단계들 각각에 대해 설명한다. As shown in Figure 5, the 4H-SiC single crystal growth method according to the present invention is improved crucible preparation step (S110), seed crystal attachment step (S120), seed crystal holder mounting step (S130), single crystal raw material loading step (S140) ), An impurity removal step (S150), an inert gas injection step (S160), and a single crystal raw material sublimation step (S170). The following describes each of the above steps.

먼저, 개량형 도가니 마련단계(S110)가 진행된다. 상기 개량형 도가니 마련단계(S110)에서는 통상의 개량형 도가니(110) 길이로부터 40 내지 50mm 증가시킨 150 내지 160mm의 길이를 갖도록 한 개량형 도가니(110)를 제작한다. First, the improved crucible preparation step (S110) is carried out. In the improved crucible preparing step (S110), an improved crucible 110 having a length of 150 to 160 mm increased from 40 to 50 mm from a conventional improved crucible 110 length is manufactured.

이후, 종자정 부착단계(S120)가 진행된다. 상기 종자정 부착단계(S120)에서는, 상기 개량형 도가니(110)에 장입하기 전에 도 6a와 같이 종자정 홀더(120)에 종자정(130)을 부착한다. 이를 위해 슈가(sugar), 카본 페이스트(carbon paste) 및 포토레지스트(photoresist) 중 어느 하나를 접착제로 이용한다. 도 6b는 종자정 홀더(120)에 종자정(130)이 부착된 형태를 보여주고 있다. 여기서, 상기 4H-SiC 단결정을 성장시키기 위한 종자정(130)으로는 4H-SiC 종자정에 비해 가격이 저렴하고 구하기 쉬운 6H-SiC 종자정을 사용한다.Thereafter, the seed crystal attaching step (S120) is performed. In the seed crystal attaching step (S120), the seed crystal 130 is attached to the seed crystal holder 120 as shown in FIG. 6A before charging into the improved crucible 110. To this end, any one of sugar, carbon paste, and photoresist is used as an adhesive. FIG. 6B shows the seed crystal 130 attached to the seed crystal holder 120. Here, as the seed crystal 130 for growing the 4H-SiC single crystal, 6H-SiC seed crystal is cheaper and easier to obtain than 4H-SiC seed crystal.

이후, 종자정 홀더 장착단계(S130)가 진행된다. 상기 종자정 홀더 장착단계(S130)에서는, 상기 종자정(130)이 부착된 종자정 홀더(120)를 본 발명에 의한 4H-SiC 단결정 성장장치 내로 장입시켜 개량형 도가니(110) 내부 상측에 장착한다. 이때, 종자정 홀더(120)의 하부면이 개량형 도가니(110) 내부 상측에 장착되도록 하여 종자정 홀더(120)에 부착된 종자정(130)의 상면이 하측을 향하도록 한다. Thereafter, the seed crystal holder mounting step S130 is performed. In the seed crystal holder mounting step (S130), the seed crystal holder 120 to which the seed crystal 130 is attached is charged into the 4H-SiC single crystal growth apparatus according to the present invention and mounted on the inner side of the improved crucible 110. . At this time, the lower surface of the seed crystal holder 120 is mounted on the upper side of the improved crucible 110 so that the upper surface of the seed crystal 130 attached to the seed crystal holder 120 faces downward.

이후, 단결정 원료 장입단계(S140)가 진행된다. 단결정 원료 장입단계(S140)에서는 단결정 원료(170)인 SiC 분말을 장입하며, 장입된 단결정 원료(170)인 SiC 분말은 개량형 도가니(110)의 내측 하부를 채우게 된다. Thereafter, the single crystal raw material charging step (S140) is performed. In the single crystal raw material charging step (S140), the SiC powder which is the single crystal raw material 170 is charged, and the loaded SiC powder which is the single crystal raw material 170 fills the inner lower part of the improved crucible 110.

이후, 불순물 제거단계(S150)가 진행된다. 상기 불순물 제거단계(S150)에서는 1300℃ 내지 1500℃의 온도와 진공압력으로 2 시간 내지 3시간 동안 가열한다. 이로써 상기 개량형 도가니(110)에 포함된 불순물을 제거할 수 있다. After that, the impurity removing step S150 is performed. The impurity removal step (S150) is heated for 2 to 3 hours at a temperature of 1300 ℃ to 1500 ℃ and vacuum pressure. As a result, impurities included in the improved crucible 110 may be removed.

이후, 불활성 가스 주입단계(S160)가 진행된다. 상기 불활성 가스 주입단계(S160)에서는 아르곤(Ar) 가스 등의 불활성 가스를 개량형 도가니(110) 내부 및 개량형 도가니(110)와 단열재(140) 사이에 주입하여 남아있는 공기를 제거하게 된다. Thereafter, the inert gas injection step S160 is performed. In the inert gas injection step (S160), inert gas such as argon (Ar) gas is injected into the improved crucible 110 and between the improved crucible 110 and the heat insulator 140 to remove the remaining air.

이후, 단결정 원료 승화단계(S170)가 진행된다. 상기 단결정 원료 승화단계(S170)에서는 처음에는 압력을 대기압으로 높인 후, 고주파 유도코일(160)을 이용하여 개량형 도가니(110)를 2000℃ 내지 2300℃의 온도로 가열한다. 여기서, 대기압을 유지하는 이유는 결정 성장 초기에 4H-SiC 단결정이 아닌 다른 종류의 단결정이 생성되는 것을 방지하기 위한 것으로 우선은 대기압을 유지하면서 단결정 원료(170)를 성장온도까지 승온시켜준다. 이후, 성장장치 내부를 20[mbar] 내지 60[mbar]으로 감압하여 성장 압력으로 유지시키면서 가열하여 단결정 원료(170)를 승화시키면 도 6c에 도시된 것처럼 종자정(130) 상에 전력소자에 유망한 4H-SiC 단결정(190)이 성장된다. Thereafter, the single crystal raw material sublimation step (S170) is performed. In the single crystal raw material sublimation step (S170), the pressure is initially raised to atmospheric pressure, and then the improved crucible 110 is heated to a temperature of 2000 ° C to 2300 ° C using a high frequency induction coil 160. Here, the reason for maintaining the atmospheric pressure is to prevent the generation of other types of single crystals other than 4H-SiC single crystals at the beginning of crystal growth. First, the single crystal raw material 170 is heated to the growth temperature while maintaining the atmospheric pressure. Thereafter, the inside of the growth apparatus is heated to a pressure of 20 [mbar] to 60 [mbar] while maintaining the growth pressure to sublimate the single crystal raw material 170, which is promising for the power device on the seed crystal 130 as shown in FIG. 6C. 4H-SiC single crystal 190 is grown.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였으나, 본 발명은 다양한 변화와 변경 및 균등물을 사용할 수 있다. 본 발명은 상기 실시예를 적절히 변형하여 동일하게 응용할 수 있음이 명확하다. 따라서 상기 기재 내용은 하기 특허청구범위의 한계에 의해 정해지는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It is clear that the present invention can be suitably modified and applied in the same manner. Accordingly, the above description does not limit the scope of the invention as defined by the limitations of the following claims.

110 : 개량형 도가니 120 : 종자정 홀더
130 : 종자정 140 : 단열재
150 : 반응챔버 160 : 고주파 유도코일
170 : 단결정 원료 190 : 4H-SiC 단결정110: improved crucible 120: seed crystal holder
130: seed crystal 140: insulation
150: reaction chamber 160: high frequency induction coil
170: single crystal raw material 190: 4H-SiC single crystal

Claims (14)

4H-SiC 단결정 성장방법으로서,
종자정 홀더에 종자정을 부착하는 단계와;
상기 종자정이 부착된 종자정 홀더를 반응챔버에 설치된 도가니 내부 상측에 종자정이 아래로 향하도록 장착하는 단계와;
상기 도가니 내부에 단결정 원료인 SiC 분말을 장입하는 단계와;
상기 도가니 내부를 감압하고 가열하여 상기 단결정 원료를 승화시키는 단계를 포함하여 이루어지고,
상기 도가니는 통상의 도가니 길이로부터 40 내지 50mm 증가시킨 150 내지 160mm의 길이를 갖는 개량형 도가니를 적용한 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법.As a 4H-SiC single crystal growth method,
Attaching seed crystals to the seed crystal holder;
Mounting the seed crystal holder to which the seed crystal is attached so that the seed crystal faces downward inside the crucible installed in the reaction chamber;
Charging SiC powder as a single crystal raw material into the crucible;
And subliming the single crystal raw material by reducing the inside of the crucible and heating it.
The crucible is a 4H-SiC single crystal growth method characterized in that the improved crucible having a length of 150 to 160mm increased from 40 to 50mm from the conventional crucible length. 제1항에 있어서,
상기 종자정은 6H-SiC 단결정을 사용하는 것을 특징으로 하는 6H-SiC 단결정 성장방법.The method of claim 1,
The seed crystal is a 6H-SiC single crystal growth method, characterized in that using 6H-SiC single crystal. 제2항에 있어서,
상기 종자정 홀더에 대한 종자정의 부착을 위해 슈가(sugar) 카본 페이스트 및 포토레지스트를 접착제로 사용하는 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법.The method of claim 2,
4H-SiC single crystal growth method characterized by using a sugar (carbon) paste and a photoresist as an adhesive for adhesion of the seed crystal to the seed crystal holder. 제2항에 있어서,
상기 종자정 홀더는 고밀도의 흑연을 소재로 하여 이루어진 것을 특징으로 하는 4H 단결정 성장장치.The method of claim 2,
The seed crystal holder is 4H single crystal growth apparatus, characterized in that made of high density graphite material. 제2항에 있어서,
상기 개량형 도가니를 둘러싸는 단열재 및 상기 단열재를 둘러싸는 반응챔버를 구비하는 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법.The method of claim 2,
4H-SiC single crystal growth method comprising a heat insulating material surrounding the improved crucible and a reaction chamber surrounding the heat insulating material. 제5항에 있어서,
상기 단열재는 흑연 섬유를 압착하여 일정 두께를 갖는 원관 형태로 형성시킨 흑연 펠트인 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법.The method of claim 5,
The heat insulating material is a 4H-SiC single crystal growth method characterized in that the graphite felt formed by pressing the graphite fibers in the form of a circular tube having a predetermined thickness. 제5항에 있어서,
상기 개량형 도가니 내부를 가열하기 위해 상기 반응챔버 외부를 둘러싼 고주파 유도코일이 설치된 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법.The method of claim 5,
4H-SiC single crystal growth method characterized in that the high-frequency induction coil surrounding the outside of the reaction chamber is installed to heat the interior of the improved crucible. 제1항에 있어서,
상기 단결정 원료를 승화시키는 단계를 진행하기 전에 1300℃ 내지 1500℃의 온도와 진공압력으로 2시간 내지 3시간 동안 가열하여 도가니에 포함된 불순물을 제거하는 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법.The method of claim 1,
4H-SiC single crystal growth method characterized in that to remove the impurities contained in the crucible by heating for 2 hours to 3 hours at a temperature of 1300 ℃ to 1500 ℃ and vacuum pressure before proceeding to sublimate the single crystal raw material. 제1항에 있어서,
상기 단결정 원료를 승화시키는 단계를 진행하기 전에 불활성 가스를 도가니 내부 및 상기 도가니와 단열재 사이에 주입하여 남아 있는 공기를 제거하는 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법.The method of claim 1,
4H-SiC single crystal growth method characterized in that the inert gas is injected into the crucible and between the crucible and the heat insulating material to remove the remaining air before proceeding to sublimate the single crystal raw material. 제1항에 있어서,
상기 단결정 원료를 승화시키는 단계에서 본격적인 감암 및 가열에 의해 단결정 원료를 승화시키기 전에는, 상기 단결정 원료가 성장온도에 도달하기까지 대기압을 유지토록 한 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정 성장방법.The method of claim 1,
The sublimation of the single crystal raw material before the sublimation of the single crystal raw material by real blackening and heating, maintaining the atmospheric pressure until the single crystal raw material reaches the growth temperature. 제1항 내지 제10항의 4H-SiC 단결정 성장방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 4H-SiC 단결정.A 4H-SiC single crystal prepared by the 4H-SiC single crystal growth method of claim 1. 통상의 도가니 길이보다 40 내지 50mm 증가된 150 내지 160mm의 길이를 갖는 개량형 도가니와;
종자정이 부착된 상태로 상기 개량형 도가니의 내부 상측에 장착되는 종자정 홀더와;
상기 개량형 도가니를 둘러싸는 단열재와;
상기 개량형 도가니와 단열재를 수용하는 반응챔버와;
상기 도가니 내부를 가열하기 위해 상기 반응챔버 외부를 둘러싸 설치된 고주파 유도코일을 포함하여 구성되는 4H 단결정 성장장치.An improved crucible having a length of 150 to 160 mm, which is 40 to 50 mm longer than a conventional crucible length;
A seed crystal holder mounted on an inner upper side of the improved crucible with a seed crystal attached thereto;
A heat insulating material surrounding the improved crucible;
A reaction chamber accommodating the improved crucible and heat insulating material;
4H single crystal growth apparatus comprising a high frequency induction coil installed to surround the outside of the reaction chamber to heat the crucible. 제12항에 있어서,
상기 종자정 홀더는 고밀도의 흑연을 소재로 이루어진 것을 특징으로 하는 4H 단결정 성장장치.The method of claim 12,
The seed crystal holder is 4H single crystal growth apparatus, characterized in that made of high density graphite material. 제12항에 있어서,
상기 단열재는 흑연 섬유를 압착하여 일정 두께를 갖는 원관 형태로 형성시킨 흑연 펠트가 복수층으로 구비된 것을 특징으로 하는 4H 단결정 성장장치.The method of claim 12,
The heat insulating material is 4H single crystal growth apparatus characterized in that the graphite felt is formed in a plurality of layers formed by pressing the graphite fibers in the form of a circular tube having a predetermined thickness.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101480491B1 (en) * 2012-12-28 2015-01-12 주식회사 포스코 Method for manufacturing sintered bulk of raw materials, and growing nethod for single crystal using sintered bulk
KR102187449B1 (en) 2019-05-28 2020-12-11 에스케이씨 주식회사 PREPERATION METHOD FOR SiC INGOT, THE SiC INGOT AND A SYSTEM THEREOF
WO2021246542A1 (en) 2020-06-02 2021-12-09 주식회사 쎄닉 Silicon carbide ingot manufacturing method, silicon carbide ingots, and growth system therefor
US11708644B2 (en) 2019-10-29 2023-07-25 Senic Inc. Method for preparing SiC ingot, method for preparing SiC wafer and the SiC wafer prepared therefrom

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101480491B1 (en) * 2012-12-28 2015-01-12 주식회사 포스코 Method for manufacturing sintered bulk of raw materials, and growing nethod for single crystal using sintered bulk
KR102187449B1 (en) 2019-05-28 2020-12-11 에스케이씨 주식회사 PREPERATION METHOD FOR SiC INGOT, THE SiC INGOT AND A SYSTEM THEREOF
US11708644B2 (en) 2019-10-29 2023-07-25 Senic Inc. Method for preparing SiC ingot, method for preparing SiC wafer and the SiC wafer prepared therefrom
WO2021246542A1 (en) 2020-06-02 2021-12-09 주식회사 쎄닉 Silicon carbide ingot manufacturing method, silicon carbide ingots, and growth system therefor

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