KR20120134524A - 태양전지, 태양전지 모듈 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 태양전지는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 이면 전극층과, 상기 이면 전극층 상에 형성된 광 흡수층과, 상기 광 흡수층 상에 형성된 투명 전극층과, 상기 투명 전극층 상에 형성된 2.0 내지 2.8의 굴절률을 가지는 반사 방지층을 포함한다.
상기와 같은 발명은 굴절률이 큰 반사 방지층을 사용함으로써, 광 흡수율을 높여 태양전지의 발전 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

태양전지, 태양전지 모듈 및 그의 제조방법{SOLAR CELL, SOLAR CELL MODULE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 태양전지의 발전 효율을 향상시키기 위한 태양전지, 태양전지 모듈 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지는 태양광 에너지를 전기에너지로 변환시키는 역할을 하며, 이러한 태양전지는 최근 에너지의 수요가 증가함에 따라 상업적으로 널리 이용되고 있다.
종래 태양전지는 유리 기판 상에 이면 전극층, 광 흡수층 및 투명 전극층이 순차적으로 적층 형성되며, 이면 전극층과 투명 전극층을 전기적으로 연결함으로써 태양전지가 완성된다.
이러한 태양전지는 광기전력 효과를 이용하여 태양광 에너지를 전기 에너지로 변화시키나, 태양전지로 입사되는 태양광의 일부는 태양전지로 흡수되지 못하고 반사되어 태양전지의 발전 효율이 떨어지는 문제점이 발생된다.
이를 해결하기 위해 최근에는 태양전지에 반사 방지층을 형성하는 기술이 개발되고 있다.
하지만, 종래 태양전지는 반사 방지층에 의해 광을 충분히 흡수하지 못해 태양전지의 발전 효율을 떨어뜨리는 문제점이 발생된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 태양광으로부터 입사되는 광의 흡수율을 향상시키기 위한 태양전지, 태양전지 모듈 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 태양전지는 기판과, 상기 기판 상에 형성된 이면 전극층과, 상기 이면 전극층 상에 형성된 광 흡수층과, 상기 광 흡수층 상에 형성된 투명 전극층과, 상기 투명 전극층 상에 형성된 2.0 내지 2.8의 굴절률을 가지는 반사 방지층을 포함한다.
또한, 본 발명의 태양전지 모듈은 태양전지와, 상기 태양전지 상에 배치된 보호 기판과, 상기 보호 기판 상에 형성되어 2.0 내지 2.8의 굴절률을 가지는 반사 방지층을 포함한다.
또한, 본 발명의 태양전지 제조방법은 기판 상에 이면 전극층을 형성하는 단계와, 상기 이면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계와, 상기 광 흡수층 상에 투명 전극층을 형성하는 단계와, 상기 투명 전극층 상에 반사 방지층을 스퍼터링 법에 의해 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명은 굴절률이 큰 반사 방지층을 사용함으로써, 광 흡수율을 높여 태양전지의 발전 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 반사 방지층을 스퍼터링 법으로 증착시켜 형성함으로써, 대면적에 용이하며 균일한 막을 얻을 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 반사 방지층은 막 증착에 사용되고 남은 잔여 세륨을 재활용함으로써, 위험 감소 및 비용을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 반사 방지층의 형상을 변경함으로써, 수직면으로 입사되는 광의 손실을 줄일 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지층이 구비된 태양전지를 나타낸 단면도.
도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 반사 방지층의 변형예를 나타낸 단면도.
도 5 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 나타낸 단면도.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사 방지층이 구비된 태양전지 모듈을 나타낸 단면도.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사 방지층이 구비된 태양전지를 나타낸 단면도이고, 도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 반사 방지층의 변형예를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 태양전지는 기판(100)과, 상기 기판(100) 상에 형성된 이면 전극층(200)과, 상기 이면 전극층(200) 상에 형성된 광 흡수층(300)과, 상기 광 흡수층 상에 형성된 제1 버퍼층(400) 및 제2 버퍼층(500)과, 상기 제2 버퍼층(500) 상에 형성된 투명 전극층(600)과, 상기 투명 전극층(600) 상에 형성되어 2.0 이상의 굴절률을 가지는 반사 방지층(700)을 포함한다.
기판(100)은 플레이트 형상으로 형성되며, 투명한 유리 재질로 형성될 수 있다. 기판(100)은 리지드(Rigid)하거나 플렉서블(Flexible)할 수 있으며, 유리 기판 이외에 플라스틱 또는 금속 재질의 기판이 사용될 수 있다.
또한, 기판(100)으로 나트륨 성분이 포함된 소다 라임 글래스(Soda Lime Glass) 기판이 사용될 수 있다.
기판(100) 상에는 이면 전극층(200)이 형성될 수 있다.
이면 전극층(200)은 도전성 물질인 몰리브덴(Mo)을 사용하여 형성할 수 있다. 물론, 이면 전극층(200)은 몰리브덴 외에 다양한 금속 재질을 사용하여 형성할 수 있다.
이면 전극층(200)은 동종 또는 이종 금속을 이용하여 두 개 이상의 층을 이루도록 형성될 수도 있다.
이면 전극층(200) 상에는 광 흡수층(300)이 형성될 수 있다.
광 흡수층(300)은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함하며, 예컨대 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
광 흡수층(300) 상에는 제1 버퍼층(400)이 형성될 수 있다.
제1 버퍼층(400)은 광 흡수층(300) 상에 직접 접촉되어 형성되며, 광 흡수층(300)과 이후 설명될 투명 전극층(600)의 에너지 갭 차이를 완화시키는 역할을 한다.
제1 버퍼층(400)은 황화 카드뮴(CdS)을 포함하는 물질로 형성될 수 있으며, 제1 버퍼층(400)의 에너지 밴드갭은 이면 전극층(200)과 투명 전극층(600)의 중간 정도의 크기를 가질 수 있다.
제1 버퍼층(400)의 상부에는 제2 버퍼층(500)이 형성될 수 있다.
제2 버퍼층(500)은 고저항 버퍼층으로서 광 투과율과 전기 전도성이 높은 산화아연(ZnO)으로 형성될 수 있다.
이러한 제2 버퍼층(500)은 투명 전극층(600) 과의 절연 및 충격 데미지(Damege)를 방지할 수 있는 효과가 있다.
제2 버퍼층(500) 상에는 투명 전극층(600)이 형성될 수 있다.
투명 전극층(600)은 p형 전극 기능을 수행하는 투명한 형태의 도전성 재질로서, 알루미늄이 도핑된 산화 아연인 AZO(ZnO:Al) 재질의 물질이 사용될 수 있다.
투명 전극층(600)의 재질은 이에 한정되지 않으며, 광 투과율과 전기 전도성이 높은 물질인 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2), 산화인듐주석(ITO) 등으로 형성될 수 있다.
투명 전극층(600)이 형성된 이후에는 소정 간격으로 이격되도록 투명 전극층(600) 상에 금속선(미도시)을 배치시켜 이면 전극층(200)과 연결시킬 수 있다.
여기서, 금속선은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au) 등과 같은 반사율이 높은 금속을 사용하는 것이 바람직하다.
한편, 투명 전극층(600)의 상부에는 본 발명에 따른 반사 방지층(700)이 형성될 수 있다.
반사 방지층(700)은 투명 전극층(600) 상부 전체 면에 걸쳐 형성될 수 있으며, 60nm 내지 100nm의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.
반사 방지층(700)은 굴절률이 2.0 내지 2.8, 보다 바람직하게는 2.3 내지 2.5의 굴절률을 가지도록 형성될 수 있다.
반사 방지층(700)으로는 산화 세륨(CeO2)을 포함할 수 있으며, 스퍼터링 법에 의해 투명 전극층(600) 상에 형성할 수 있다.
상기와 같은 반사 방지층(700)은 태양광으로 광이 입사되면 광을 일정 각도 이상으로 굴절시키기 때문에 광 흡수층(300)에 보다 효과적으로 태양광이 흡수될 수 있다.
종래에는 반사 방지층으로서 2.0 이하의 굴절률을 가지는 물질이 주로 사용되었으며, 이의 대표적인 물질로서 플루오르화 마그네슘(MgF2)이 사용되었다.
종래 반사 방지층으로 사용되는 MgF2 는 굴절률이 1.5 이하의 범위를 가지기 때문에 태양광을 충분히 흡수하지 못해 태양전지의 발전 효율을 상승시키기에는 어려움이 있다.
또한, 반사 방지층을 투명 전극층(600) 상에 균일하게 형성시키기 위해서는 대면적 증착이 용이한 스퍼터링 법에 의해 증착시켜야 하지만 MgF2 는 불소 제어가 어려워 열증발증착법(Thermal Evaporation) 또는 전자빔 증발증착법(E-beam Evaporation)을 사용하였다.
하지만, 열증발증착법(Thermal Evaporation) 또는 전자빔 증발증착법(E-beam Evaporation)은 고온 공정에서 수행되어야 하기 때문에 태양전지 셀과 기판의 안정성 및 균일도 저하 등의 문제를 발생시킨다.
또한, 본 발명에 따른 반사 방지층은 스퍼터링 막 증착에 사용되고 남은 잔여 세륨을 재활용할 수 있으나, MgF2 는 잔여물 폐기 시 산업 폐기물인 불소가 노출되어 위험 및 이를 처리하기 위한 비용이 증가하는 문제점을 발생시킨다.
상기와 같이, 본 발명에 따른 반사 방지층(700)으로서 CeO2을 사용하면 종래에 비해 태양전지의 발전 효율 상승, 균일한 막 형성 및 비용 절감의 효과를 이룰 수 있는 효과를 가질 수 있다.
상기에서는 반사 방지층(700)을 투명 전극층(600)의 전면에 걸쳐 형성하였지만, 이에 한정되지 않고 다음과 같이 형성될 수 있다.
도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 반사 방지층의 변형예를 나타낸 단면도이다. 여기서, 반사 방지층(700)을 제외한 구성은 앞서 설명한 실시예와 동일하므로 생략한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반사 방지층(700)은 투명 전극층(600)의 상부에 형성될 수 있다.
반사 방지층(700)은 2.0 내지 2.8의 굴절률을 가지도록 형성될 수 있다. 이러한 반사 방지층(700)으로는 CeO2가 사용될 수 있으며, 반사 방지층(700)은 60nm 내지 100nm 의 두께로 형성될 수 있다.
반사 방지층(700)의 상부면에는 요철(720)이 더 형성될 수 있다. 상기 요철(720)은 피라미드, 다각, 반구, 디스크 형상 등으로 형성될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반사 방지층(700)은 투명 전극층(600)의 상부에 반구 형상을 가지도록 형성될 수 있다.
반사 방지층(700)은 2.0 내지 2.8의 굴절률을 가지도록 형성될 수 있다. 이러한 반사 방지층(700)으로는 CeO2가 사용될 수 있으며, 반사 방지층(700)은 60nm 내지 100nm 의 두께로 형성될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 반사 방지층(700)은 피라미드 형상을 가지도록 형성될 수 있다.
반사 방지층(700)은 2.0 내지 2.8의 굴절률을 가지도록 형성될 수 있다. 이러한 반사 방지층(700)으로는 CeO2가 사용될 수 있으며, 반사 방지층(700)은 60nm 내지 100nm 의 두께로 형성될 수 있다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같은, 반사 방지층(700)은 투명 전극층(600)의 상부면 전체에 걸쳐 형성될 수 있으며, 이와 달리, 투명 전극층(600) 상부면의 일부 영역에만 형성될 수도 있다.
상기와 같이, 도 2 내지 도 4와 같은 구조를 가지는 반사 방지층(700)은 태양광으로부터 입사되는 태양광의 수직 입사를 방지함으로써, 반사 방지층(700)으로부터 반사되는 광을 줄일 수 있다.
이는 태양전지의 입사 효율을 더욱 높일 수 있으며, 태양전지의 발전 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이하에서는 도면을 참조하여 본 발명에 따른 태양전지의 공정을 살펴본다. 도 5 내지 도 10은 본 발명에 따른 태양전지의 제조 공정을 나타낸 단면도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 기판이 마련되면 기판(100) 상에 몰리브덴(Mo)을 스터피링 법에 의해 일정 두께를 증착하여 이면 전극층(200)을 형성한다.
이어서, 이면 전극층(200)이 스트립 형태로 분할되도록 패터닝 공정을 수행하여 제1 패턴라인(P1)을 형성한다. 여기서, 패터닝 공정은 레이저 빔에 의해 수행될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 이면 전극층(200) 상에 제1 패턴라인(P1)이 형성되면, 이면 전극층(200) 상에 광 흡수층(300), 제1 버퍼층(400) 및 제2 버퍼층(500)을 순차적으로 형성한다.
광 흡수층(300)은 CIGS를 동시 증착법에 의해 형성할 수 있다. 제1 버퍼층(400)은 황하 카드뮴(CdS)(400)을 화학 용액 성장법(Chemical Bath Deposition; CBD)에 의해 형성할 수 있다. 또한, 제2 버퍼층(500)은 ZnO를 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이, 이면 전극층(200) 상에 광 흡수층(300), 제1 버퍼층(400), 제2 버퍼층(500)이 순차대로 적층 형성되면, 광 흡수층(300), 제1 버퍼층(400), 제2 버퍼층(500)의 일부에 패터닝 공정에 의해 제2 패턴라인(P2)을 형성한다.
제2 패턴라인(P2)은 제1 패턴라인(P1)과 일정 간격을 이루도록 형성될 수 있으며, 제2 패턴라인(P2)은 스크라이빙 법 또는 레이저에 의해 형성될 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 광 흡수층(300), 제1 버퍼층(400), 제2 버퍼층(500) 상에 제2 패턴라인(P2)이 형성되면, 제2 버퍼층(500) 상에 투명 전극층(600)을 형성한다.
여기서, 투명 전극층(600)은 제2 버퍼층(500) 상에 AZO를 스퍼터링 법에 의해 증착시켜 형성될 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제2 버퍼층(500) 상에 투명 전극층(600)이 형성되면, CeO2를 증착하여 반사 방지층(700)을 형성하는 단계를 수행한다.
CeO2 은 별도의 반도체 챔버(800) 내에서 증착될 수 있으며, 반도체 챔버(800) 내를 산소(O2) 분위기로 유지하고, Ce 타겟을 이용하여 증착하면 투명 전극층 상에 반사 방지층(700)을 형성할 수 있다.
상기와 같이, 본 발명에서는 반사 방지층(700)을 스퍼터링 법에 의해 투명 전극층(600) 상에 형성함으로써, 대면적 증착이 가능하며 이는 균일한 막을 형성할 수 있다.
또한, 제어가 용이한 O2 가스를 이용하여 반사 방지층(700)을 형성함으로써, 공정 안정화를 이룰 수 있는 효과가 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 투명 전극층(600) 상에 반사 방지층(700)이 형성되면, 광 흡수층(300), 제1 버퍼층(400), 제2 버퍼층(500), 투명 전극층(600) 및 반사 방지층(700) 상에 제3 패턴라인(P3)을 형성할 수 있다.
제3 패턴라인(P3)은 제2 패턴라인(P2)과 일정 간격을 이루도록 형성될 수 있으며, 스크라이빙 법 또는 레이저에 의해 형성될 수 있다.
이로 인해 본 발명에 따른 태양전지는 다수의 셀로 분리 형성될 수 있다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사 방지층이 구비된 태양전지 모듈을 나타낸 단면도이다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지 모듈은 태양전지(1000)와, 상기 태양전지(1000) 상에 배치된 보호 기판(2000)과, 상기 보호 기판(2000) 상에 형성되어 2.0 내지 2.8의 굴절률을 가지는 반사 방지층(6000)을 포함한다.
상기 태양전지(1000)는 앞서 설명한 바와 같이 CIGS 계 태양전지가 사용될 수 있다. 즉, 태양전지(1000)는 이면 전극층, CIGS계 광 흡수층, 투명 전극층을 포함할 수 있다. 더욱 구체적 구조는 앞서 설명한 실시예와 동일하므로 생략한다.
태양전지(1000)의 일측 예컨대, 태양광이 입사되는 태양전지(1000)의 일측에는 제1 보호기판(2000)이 형성될 수 있다.
제1 보호기판(2000)은 태양광이 입사되는 기판으로서 사각의 플레이트 형상으로 형성될 수 있다.
제1 보호기판(2000)은 외부 충격 예컨대, 풍압, 우박, 적설 하중 등의 충격에도 견딜 수 있도록 충분한 강도를 가지는 강화 유리로 형성될 수 있으며, 태양전지(1000)로 입사되어 반사된 태양광이 방출되지 않도록 철분 요소가 제거되거나 저철분의 강화 유리로 형성될 수 있다.
이를 위해 제1 보호기판(2000)은 파손 시 조각으로 깨어지지 않도록 단위 면적당 깨진 파편의 개수가 일정 수치 이상인 것이 바람직하다.
상기 태양전지(1000)와 제1 보호기판(2000) 사이에는 제1 충진재(3000)가 더 구비될 수 있다.
제1 충진재(3000)는 외부로부터 충격 및 습기 침투를 방지하는 역할을 하며, 제1 충진재(3000)로는 EVA(Ethyl Vinyl Acetate) 시트 또는 백 시트가 사용될 수 있다.
반면, 태양전지(1000)의 타측에는 제2 보호기판(4000)이 더 형성될 수 있으며, 태양전지(1000)와 제2 보호기판(4000) 사이에는 제2 충진재(5000)가 더 형성될 수 있다.
제2 보호기판(4000)은 제1 보호기판(2000)과 동일한 재질 및 크기로 형성될 수 있으며, 제2 충진재(5000)는 제1 충진재(3000)와 동일한 재질로 형성될 수 있다.
한편, 제1 보호기판(2000)의 상부에는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사 방지층(6000)이 형성될 수 있다.
반사 방지층(6000)은 2.0 내지 2.8의 굴절률을 가지도록 형성될 수 있다. 이러한 반사 방지층(6000)으로는 CeO2가 사용될 수 있으며, 반사 방지층(6000)은 60nm 내지 100nm 의 두께로 형성될 수 있다.
반사 방지층(6000)은 제1 보호기판(2000) 상부면에 스퍼터링 법에 의해 증착 형성될 수 있으며, 제1 보호기판(2000)의 전체 면에 걸쳐 형성될 수 있다.
반사 방지층(6000)은 제1 보호기판(2000)의 일부에만 형성될 수 있으며, 표면에 요철(미도시)이 더 형성될 수도 있다.
또한, 반사 방지층(6000)은 단면이 반구, 다각, 피라미드, 디스크 형상 등으로 형성될 수도 있다.
상기에서는 반사 방지층(6000)을 제1 보호기판(2000)의 상부면에 형성하였지만, 이에 한정되지 않고, 태양전지 내 투명 전극층(미도시)의 상부에 형성될 수도 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 반사 방지층(6000)은 태양전지(1000)를 보호하는 보호 기판(2000)에 형성함으로써, 태양광으로부터 입사되는 광을 용이하게 흡수할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 반사 방지층(6000)은 태양전지(1000) 내부에도 형성할 수 있어, 광 반사율을 더욱 줄여 태양전지(1000)의 발전 효율을 극대화시킬 수 있는 효과가 있다.
상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.
100: 기판 200: 이면 전극층
300: 광 흡수층 400: 제1 버퍼층
500: 제2 버퍼층 600: 투명 전극층
700: 반사 방지층 800: 반도체 챔버

Claims (14)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 형성된 이면 전극층;
    상기 이면 전극층 상에 형성된 광 흡수층;
    상기 광 흡수층 상에 형성된 투명 전극층; 및
    상기 투명 전극층 상에 형성된 2.0 내지 2.8의 굴절률을 가지는 반사 방지층;
    을 포함하는 태양전지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사 방지층은 산화 세륨(CeO2)을 포함하는 태양전지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사 방지층의 두께는 60nm 내지 100nm인 태양전지.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사 방지층의 형상은 반구, 다각, 피라미드 형상을 포함하는 태양전지.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 반사 방지층의 상부면에는 요철이 형성된 태양전지.
  6. 태양전지;
    상기 태양전지 상에 배치된 보호 기판; 및
    상기 보호 기판 상에 형성되어 2.0 내지 2.8의 굴절률을 가지는 반사 방지층;
    을 포함하는 태양전지 모듈.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 반사 방지층은 산화 세륨(CeO2)을 포함하는 태양전지 모듈.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 반사 방지층의 두께는 60nm 내지 100nm인 태양전지 모듈.
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 반사 방지층은 태양전지 내에 더 구비되는 태양전지 모듈.
  10. 기판 상에 이면 전극층을 형성하는 단계;
    상기 이면 전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;
    상기 광 흡수층 상에 투명 전극층을 형성하는 단계; 및
    상기 투명 전극층 상에 스퍼터링 법에 의해 반사 방지층을 형성하는 단계;
    를 포함하는 태양전지 제조방법.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 반사 방지층은 산화 세륨(CeO2)을 포함하는 태양전지 제조방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 반사 방지층은 산소(O2)분위기에서 세륨(Ce)을 증착시켜 형성하는 태양전지 제조방법.
  13. 청구항 10에 있어서,
    상기 반사 방지층의 굴절률은 2.0 내지 2.8 을 포함하는 태양전지 제조방법.
  14. 청구항 10에 있어서,
    상기 반사 방지층은 60nm 내지 100nm 의 두께로 형성하는 태양전지 제조방법.
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