KR20120128645A

KR20120128645A - 금속 용융로의 전극 지지 암

Info

Publication number: KR20120128645A
Application number: KR1020127022363A
Authority: KR
Inventors: 게레온 펠레만; 디르크 리프투흐트
Original assignee: 에스엠에스 지마크 악티엔게젤샤프트
Priority date: 2010-02-18
Filing date: 2011-02-08
Publication date: 2012-11-27
Also published as: WO2011101271A1; EP2536988B1; BR112012020837A2; DE102010025236A1; RU2012139839A; ES2605681T3; CN102762946A; EP2536988A1; US20120327968A1

Abstract

본 발명은 금속 용융로, 특히 아크로의 전극 지지 암(1)에 관한 것이며, 상기 전극 지지 암(1)은 물리 변수를 측정하기 위한 하나 이상의 측정 부재(2)를 장착하고 있다. 향상되고 더욱 정확한 방식으로 작동을 위해 필요한 물리 변수를 측정하기 위해, 본 발명에 따라, 측정 부재(2)는 전극 지지 암(1)의 온도 및/또는 기계적 연신율을 측정하도록 형성되며, 측정 부재(2)는 적어도 부분적으로 전극 지지 암(1)의 길이방향 연장부(L)를 따라 연장되는 하나 이상의 광도파관(3)을 포함한다.

Description

금속 용융로의 전극 지지 암{ELECTRODE ARM OF A METALLURGICAL MELTING FURNACE}

본 발명은 금속 용융로, 특히 아크로의 전극 지지 암에 관한 것이며, 상기 전극 지지 암은 물리 변수를 측정하기 위한 하나 이상의 측정 부재를 장착하고 있다.

DE 27 50 271 A1로부터는 일반적인 전극 지지 암을 포함하는 전극 장치가 공지되었다. 금속 용융로에서, 특히 아크로에서는 필요한 전극들을 위한 홀딩 장치들이 이용된다. 상기 장치들은 대부분 전극 지지 암을 지탱하는 지지 마스트(supporting mast)로 구성된다. 이 경우 전극 지지 암은 수평 방향으로 연장된다. 지지 마스트로부터 이격된 전극 지지 암의 단부에는 수직 방향으로 하부를 향해 연장되는 전극이 배치되며, 다시 말하면, 상기 전극은 전극 지지 암의 단부에 매달려 있다. 전원 커넥터로부터 전극으로 향하는 전류 전달은 대부분 지지 암을 구성하는 구리 피복된 강판에 의해 이루어진다. 이 경우 강판은 실질적으로 기계적인 지지 기능을 수행하며, 도금된 구리가 전류를 전도한다.

또한, 상술한 독일 공보에는, 전극 지지 암은 센서 부재들을 장착할 수 있으며, 로드 셀 또는 와이어 스트레인 게이지들이 이용된다는 점도 이미 설명되어 있다. 상기 센서들로는 지지 암의 변형이 검출된다. 이 경우 센서로 측정된 데이터는 설정 값과 비교될 수 있으며, 이를 위해 측정값 평가 장치가 이용된다.

유사한 전극 장치들은 DE 27 50 186 A1, DE 36 08 338 A1, EP 1 537 372 B1 및 EP 0 094 378 B1에 기재되어 있다.

앞서 공지된 시스템들의 경우, (일반적으로 전극 지지 암에서 측정값 검출의 문제를 다루고 있지 않은 점에 한해서) 전극 지지 암을 통과하는 높은 전류 세기로 인해 열전대뿐 아니라 와이어 스트레인 게이지에 민감하게 간섭하는 높은 전기 간섭장이 존재한다는 단점이 있다. 그에 따라 열적 데이터(다시 말해 온도)와 기계적 데이터(다시 말해 응력 내지 연신율)를 정확하게 측정하기가 어렵다. 그러나 상기 데이터의 측정은 최적의 방식으로 전극 작동을 실행하기 위한 전제 조건이다.

본 발명의 목적은, 최초에 언급한 전극 지지 암에 있어서, 전극 지지 암의 열적 및/또는 기계적 부하를 가능한 한 정확하게 검출하고 그에 따라 전극 장치의 작동을 향상된 방식으로 제어할 수 있게 하도록 상기 전극 지지 암을 개량하는 것에 있다. 또 다른 목적은, 전극 지지 암에 대한 효율적인 모니터링을 제공하는 것에 있다. 이와 관련된 추가의 목적은, 전극 지지 암의 온도 내지 기계적 응력의 모니터링에 있어서, 경제적으로 실현되면서도 지속적이고 정밀한 상기 모니터링을 가능하게 하는 것에 있다.

본 발명에 의한 상기 목적의 해결 방법은, 전극 지지 암 내 측정 부재가 전극 지지 암의 온도 및/또는 기계적 연신율을 측정하도록 형성되고, 측정 부재는 하나 이상의 광도파관을 포함하며, 광도파관은 적어도 부분적으로 전극 지지 암의 길이방향 연장부를 따라 연장되는 것을 특징으로 한다.

이 경우 광도파관은 이 광도파관을 둘러싸는 튜브 내에 배치될 수 있다.

광도파관과 필요에 따라 이 광도파관을 둘러싸는 튜브는 전극 지지 암의 보어(bore) 내에 배치될 수 있다.

이에 대체되는 실시예에 따라, 광도파관과 필요에 따라 이 광도파관을 둘러싸는 튜브는 전극 지지 암의 그루브(groove) 내에 배치될 수 있다. 그루브는 그루브 바닥부 내에서 광도파관과 필요에 따라 이 광도파관을 둘러싸는 튜브를 고정하는 폐쇄 부재에 의해 폐쇄될 수 있으며, 이 폐쇄 부재는 특히 그루브 내로 삽입되거나 그루브 내로 주입 성형된 금속 부분이다. 폐쇄 부재는 바람직하게는 마찰 교반 용접에 의해 그루브와 결합된다. 마찰 교반 용접 시에 바람직하게는 용접 온도가 양호하게 조절될 수 있으며, 그럼으로써 광도파관이 그루브의 내부에서 너무 고온을 나타내게 되는 점은 방지될 수 있게 된다.

추가의 대체되는 실시예에 따라, 광도파관 및/또는 필요에 따라 이 광도파관을 둘러싸는 튜브는 층 내에 배치되며, 상기 층은 전극 지지 암의 표면 또는 그 내부에 배치된다. 이 경우 층은 금속으로, 또는 내온성 비철 금속 재료로 구성될 수 있다. 광도파관과 필요에 따라 이 광도파관을 둘러싸는 튜브는 층의 재료에 의해 완전하게 둘러싸일 수 있다. 층은 전극 지지 암의 표면 또는 그 내부에 전기 도금될 수 있다. 층은 구리, 크롬 또는 니켈로 구성될 수 있다. 이 경우 상기 층은 예컨대 DE 10 2009 049479.0으로부터 공지된 것처럼 분사 코팅층 또는 화학 코팅층일 수 있다.

전극 지지 암의 벽부 및 지지 부재들 내에 광도파관들을 삽입하는 것에 의해서는 전극 지지 암의 구조 부재 내 온도 및/또는 응력 내지 연신율이 각각 온도 프로파일과 응력 프로파일로서 전극 지지 암의 표면에 걸쳐서 측정될 수 있다. 마찬가지로 지지 암 아래의 용기 내에 위치하는 용융물 내 흐름에 의해 발생하는 동적 변화도 검출된다. 그럼으로써 온도 및/또는 응력에 의해 지지 암의 마모 상태 및 존재하는 부하 상황의 평가가 이루어질 수 있다. 제안되는 개념은 각각의 작동 상태에서 구조 부재의 표면에 걸쳐서 구조 부재의 열적 내지 기계적 부하의 설명을 가능하게 한다.

광도파관으로 정확한 온도 측정을 실행하기 위해, 바람직하게는 광도파관 또는 이 광도파관을 둘러싸는 금속 튜브는, 광도파관으로 양호한 온도 전달이 개시될 수 있도록 하기 위해, 구조 부재 내지 매체에 밀접하게 인접하며, 더욱 정확하게 말하면 (절연성) 에어 갭 없이 인접한다. 그러나 온도 측정 시 광도파관은, 온도 변화 시에 확장되거나 수축될 수 있도록 하기 위해, 고정되지 않은 상태로 장착되어야 한다.

그에 반해서 광도파관으로 연신율을 측정하는 경우, 구조 부재의 기계적 연신율이 광도파관으로 전달될 수 있도록 하기 위해, 광도파관은, 자체의 연신율 또는 그 시간별 연신율 거동이 측정되어야 하는 구조 부재와 견고하게 결합되어 있어야 한다.

또한, 전극 지지 암의 벽부의 연신율(응력)도 측정할 수 있도록 하기 위해, 바람직하게는 광도파관 내지 이 광도파관을 둘러싸는 튜브는 보어 내지 그루브 바닥부와 견고하게 결합된다.

내부에 광도파관 내지 이 광도파관을 둘러싸는 튜브가 장착되는 그루브가 제공되는 점에 한해서, 바람직하게는 그루브를 폐쇄하기 위한 채움편이 이용되고 이 채움편은 금속으로 구성될 수 있다. 채움편은 그루브의 형태에 정확하게 들어맞도록 형성될 수 있다. 또한, 이 경우, 채움편은 그루브 내에 채움편의 재료를 주입 성형하거나 사출 성형하는 것을 통해 제조될 수도 있다. 따라서 다시 말해 채움편을 구성하는 재료는 주조 또는 사출 성형 가능하고, 그에 따라 내부에 광도파관이 필요에 따라 튜브와 함께 삽입된 그루브 내로 주입 성형 내지 사출 성형된다.

다시 말해 제안되는 구현예는 측정된 평면에서 응력 상태를 검출하고 그에 따라 구조 부재의 기계적 부하를 검출할 수 있게 하는 가능성을 제공한다.

온도, 연신율 내지 응력을 측정하고, 그리고/또는 측정된 연신율의 시간별 분포로부터 가속도를 측정하는 기술은 그 자체로서 ("광학 스트레인 게이지"라는 명칭으로도) 공지되어 있으며, 이런 점에 한해서 종래 기술이 참조된다.

이를 위해 광도파관은 바람직하게는 평가 유닛과 연결되며, 이 평가 유닛 내에서는 전극 지지 암 내 온도 분포가 산출될 수 있다. 또한, 상기 평가 유닛에 의해서는 그에 상응하게 전극 지지 암의 벽부의 기계적 부하가 검출될 수도 있다.

도면에는 본 발명의 실시예가 도시되어 있다.
도 1은 수평으로 연장되는 전극 지지 암을 포함하는 아크로의 전극 장치를 개략적으로 도시한 측면도이다.
도 2는 도 1에 따른 "X" 부분을 절단 도시한 상세도이다.
도 3은 도 1에 따른 절단선 A-B를 따라 절단 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3에 따른 보어의 영역을 도시한 확대도이다.

도 1에는 아크로에서 이용되는 전극 장치(6)가 도시되어 있다. 전극 장치(6)는 수직 방향으로 연장되는 지지 마스트(8)를 포함한다. 지지 마스트의 상단부에는 수평 방향으로 연장되는 전극 지지 암(1)이 배치된다. 지지 마스트(8)의 반대 방향으로 향해 있는 전극 지지 암(1)의 단부에는 전극(7)이 매달려 배치되며, 이 전극을 통해 아크로 내에서 아크가 생성된다. 이 경우 전극 지지 암(1)은 본원에서 수평 방향에 상응하는 길이방향 연장부(L)로 연장된다. 전극(7)에 대한 전류 공급은 전원 커넥터(9)를 통해 이루어진다.

전극 지지 암(1)은 강판으로 구성되고, 이 강판으로는 충분한 기계적 강도가 달성된다. 전원 커넥터(9)로부터 전극(7)으로 전류를 전도하기 위해 구리를 함유하는 피복부(cladding)가 제공된다.

도 2와 도 3에 따른 단면도에서 알 수 있는 것처럼, 전극 지지 암(1)은 액체로 냉각된다. 이를 위해 전극 지지 암(1)은 냉각제가 관류하는 냉각 채널(10)을 포함한다. 이를 위해 필요한 매체 공급 라인들은 도시되어 있지 않다.

전극 지지 암(1) 내 온도뿐 아니라, 전극 지지 암 내 기계적 연신율을 정확하게 검출할 수 있도록 하기 위해, 전극 지지 암(1)은 자체의 상부 영역 및 하부 영역에 각각의 보어(5)를 포함하고(도 2 및 도 3 참조), 이들 보어 내에는 측정 부재(2)가 장착되며, 이 측정 부재에 의해서는 온도와 응력이 측정될 수 있다. 상기 측정 부재는 보호용 튜브(4)의 내부에 장착되는 광도파관(3)이다. 여전히 비어 있는 두 보어는 도 3에서 확인할 수 있다. 이들 보어 내로는 도 4로부터 알 수 있듯이 튜브(4)와 함께 광도파관이 삽입된다.

광도파관(3)은 통상적으로 예컨대 0.12㎜의 지름을 보유하며, 외피 튜브(11)와 함께인 경우라면 대개 지름은 0.8㎜ 내지 2.0㎜의 범위이다.

광도파관(3)은 전극 지지 암(1)에서 보어(5)들 내로, 또는 유사한 채널 또는 그루브들 내로 삽입되는 기본 섬유로 구성된다. 이 경우 광도파관(3)은 최대 800℃까지 온도의 연속 부하를 견딜 수 있다. 이 경우 튜브(4)는 선택에 따라서만 제공되는데, 다시 말해 반드시 제공되지는 않는다. 튜브(4)가 제외된 광도파관(3)은 전극 지지 암(1)의 기본 재료에 결합되는 것을 통해 연신율을 특히 바람직하게 나타낸다. 이와 동일한 사항은 외피 튜브(4) 내에 삽입된 광도파관(3)에 의해 역시 양호하게 검출될 수 있는 온도에도 적용된다.

도 3에는 각각의 보어(5)가 전극 지지 암(1)의 상부 및 하부 영역에 제공되어 있고, 상기 보어 내로는 각각의 광도파관(3)이 삽입되는 점이 도시되어 있다. 또한, 도 3으로부터 알 수 있듯이, 프로파일의 4개의 측면 영역 모두에 보어들을 형성하고 광도파관(3)들을 배치할 수도 있다.

광도파관(3) 내에서, 그리고 미도시된 평가 장치로 이루어지는 신호 전송의 견고성을 높이기 위해, 광파는 렌즈 커넥터를 통해서 각각의 정지 위치에서 전극 지지 암으로부터 평가 유닛으로 안내된다.

또한, 보어(5)들 내에 광도파관(3)을 장착하는 도시된 가능성 외에도, 바람직하게는 전극 지지 암(10 내에 그루브를 구성하고 그루브 바닥부에 광도파관(3)을 필요에 따라 튜브(4)와 함께 장착할 수도 있다. 그런 다음 그루브는 다시 폐쇄되며, 이를 위해 앞서 언급한 조치들이 이용될 수 있다.

마찬가지로 금속 재료나 내온성 비철 금속 재료로 이루어져 전극 지지 암(1) 상에 도포되는 층 내에 필요에 따라 튜브(4)와 함께 광도파관(3)을 삽입할 수도 있다.

대체되는 실시예에 따라 LWL 센서들의 광도파관들은 모듈 내로, 다시 말하면 사전 제조된 구조 유닛 내로 끼워진다. 온도를 측정하는 경우 광도파관들은 모듈들 내로 느슨하게 장착되며, 그럼으로써 모듈의 내부에서 온도에 따르는 광도파관의 길이 변화가 무응력 상태에서 가능하게 된다. 그에 반해서 연신율을 측정하는 경우 광도파관들은 바람직하게는 자체의 길이 전체에 걸쳐서 모듈의 재료 또는 모듈의 하우징과 견고하게 결합되며, 그럼으로써 모듈 또는 이 모듈의 하우징의 연신율이 광도파관들로 전달되게 된다. 광도파관들을 포함하는 모듈들은 전기 지지 암에 접착되거나 용접되며 이런 점에 한해서 상호 작용하는 방식으로 연결된다. 그러므로 전극 암의 연신율 또는 온도 변화는 모듈을 통해 광도파관으로 전달된다. 모듈들 내지 이 모듈들 내의 광도파관들은, 구조 부재, 본원에서는 특히 전극 지지 암의 온도, 기계적 응력 내지 연신율, 및/또는 (연신율의 시간별 거동을 통한) 그 가속도 거동도 측정 기술의 측면에서 검출하기에 적합하다. 가속도를 측정하는 경우, 모듈 내에 통합될 수 있는 특별한 측정 장치가 필요할 수 있다. 특히 연신율 또는 가속도 측정값들은 구조 부재의 바람직하지 못한 진동을 제어 기술 측면에서 감쇠하기 위해, 다시 말하면 보상하기 위해 이용될 수 있다.

층은 (금속의 경우에) 전기 도금될 수 있으며, 광도파관(3)은 튜브(4)와 함께 완전하게 둘러싸인다. 전기 도금층은 예컨대, 구리, 크롬 또는 니켈로 구성될 수 있다.

광도파관(3)은 미도시된 온도 검출 시스템 내지 기계적 응력 내지 연신율에 대한 검출 시스템과 연결된다. 검출 시스템에 의해서는 광도파관(3) 내로 공급되는 레이저 빔이 생성된다. 광섬유 도파관(3)에 의해 수집된 데이터는 검출 시스템에 의해 온도 또는 응력으로 환산되어 여러 측정 위치에 할당된다.

평가는 예컨대 이른바 섬유 브래그 격자 방법(FBG 방법)에 따라 이루어질 수 있다. 이런 경우 굴절률 내지 격자가 주기적으로 변하는 측정 위치들에 상기 변화를 적용시키는 적합한 광도파관들이 이용된다. 이와 같은 굴절률의 주기적 변화에 의해서는 결과적으로 광도파관이 측정 위치들에서 소정의 파장에 대한 주기성에 따라 유전체 거울을 나타내게 된다. 일측 지점에서의 온도 변화에 의해서는 브래그 파장이 변경되며, 정확히 상기 브래그 파장은 반사된다. 브래그 조건을 충족하지 못하는 광은 브래그 격자에 의해 실질적으로 영향을 받지 않는다. 그런 다음 여러 측정 위치의 다양한 신호들이 전파 시간 차이를 바탕으로 서로 구분될 수 있다. 상기 섬유 브래그 격자의 상세한 구성과 대응하는 평가 유닛들은 일반적으로 공지되어 있다. 공간 분해능의 정밀도는 적용된 측정 위치의 개수에 의해 결정된다. 측정 위치의 크기는 예컨대 1㎜ 내지 5㎜의 범위 이내일 수 있다.

대체되는 실시예에 따라, 온도의 측정을 위해, "광학 주파수 영역 반사" 방법(OFDR 방법) 또는 "광학 시간 영역 반사" 방법(OTDR 방법)도 이용될 수 있다. 상기 방법들은 광섬유 라만 후방산란의 원리를 기반으로 하며, 이 경우 광도파관의 지점에서 온도 변화는 광도파관 재료의 라만 후방산란의 변화를 야기한다는 점이 활용된다. 그런 다음 평가 유닛(예: 라만 반사 측정기)에 의해서, 섬유를 따라 온도 값이 공간 분해 방식으로 측정될 수 있으며, 상기 방법에서는 도체의 소정의 길이에 걸쳐서 평균화된다. 상기 길이는 약 수 센티미터이다. 여러 측정 위치는 재차 전파 시간 차이에 의해 서로 분리된다. 상술한 방법에 따라 평가하기 위한 상기 시스템의 구성은 일반적으로, 광도파관(3)의 내부에서 레이저 빔을 생성하는 필요한 레이저와 마찬가지로 공지되어 있다.

상술한 방식으로 전극 지지 암(1)을 장착함으로써 온도 및/또는 연신율의 모니터링이 가능하며, 이런 점은 다음과 같은 방식으로 전극 장치의 작동 중에 이용될 수 있다.

1. 전극 지지 암의 전류 전달용 구리 도체는 온도와 더불어 자체의 전도도를 변경한다. 정확하게 측정된 온도 값과 구리의 대응하는 전도도의 정보에 의해서 정 전류 흐름(constant current flow)이 설정 내지 조절될 수 있다.

2. 또한, 온도 및 연신율의 정보에 의해 전극 지지 암의 자기 보호(self-protection)가 가능하다. 이처럼 측정된 데이터들은 개루프 제어부 내지 폐루프 제어부에서 허용 값들과 비교될 수 있다. 그런 다음 폐루프 제어부는 지지 암의 포지셔닝 및 전류 흐름에 대한 보정 값들을 사전 결정할 수 있으며, 그럼으로써 허용 값들이 엄수될 수 있게 된다.

3. 추가의 매우 바람직한 적용은 전극 장치 내 진동의 방지이다. 전극 지지 암 내 진동과 한계 사이클(limit cycle)은 연신율 측정에 의해 검출될 수 있다. 결과적으로 임계의 동작점은 방지될 수 있으며, 다시 말하면, 진동이 방지되고 보상되도록, 특히 전류 및 전압에 대한 설정 값들이 적합하게 조정될 수 있거나, 또는 신호가 변조될 수 있다.

진동 보상을 위한 최대 작동 레버로서 대개 작동 실린더의 폐루프 제어부는 지지 암의 높이를 조절하는 역할을 한다(이에 대해서는 특히 전술한 DE 36 08 338 A1 참조). 상기 높이 조절은 연신율 측정에 의해 식별되는 진동 및 변형의 보상을 위해 이용될 수 있다. 이처럼 공지된 접근법에 대해서는 불칸(Vulkan) 출판사(Essen 소재)의 "국제 전기 가열(elektrowaerme international)" 2007년4월호, ISSN 0340-3521-K 5548 F에 공학 박사 클라우스 크뤼거(Klaus Krueger) 교수가 기고한 논문 "3상 교류 아크로를 위한 현대적인 전극 제어에 대한 요건"이 참조된다.

1: 전극 지지 암
2: 측정 부재
3: 광도파관
4: 튜브
5: 보어
6: 전극 장치
7: 전극
8: 지지 마스트
9: 전원 커넥터
10: 냉각 채널
L: 길이방향 연장부

Claims

금속 용융로, 특히 아크로의 전극 지지 암(1)으로서, 상기 전극 지지 암(1)은 물리 변수를 측정하기 위한 하나 이상의 측정 부재(2)를 장착하고 있는, 상기 전극 지지 암에 있어서,
상기 측정 부재(2)는 전극 지지 암(1)의 온도 및/또는 기계적 연신율을 측정하도록 형성되고, 상기 측정 부재(2)는 적어도 부분적으로 상기 전극 지지 암(1)의 길이방향 연장부(L)를 따라 연장되는 하나 이상의 광도파관(3)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 지지 암.
제1항에 있어서, 측정 부재는 광도파관(3)의 형태로 온도 측정을 목적으로 느슨하게 응력 없이, 그리고 자유롭게 이동 가능하게 전극 암의 내부 또는 그 표면에 배치되거나, 또는 연신율 측정을 목적으로 (바람직하게는 자체의 전체 길이에 걸쳐서) 전극 지지 암의 연신율을 픽업하기 위해 전극 지지 암의 재료와 상호 작용하는 방식으로 배치되는 것을 특징으로 하는 전극 지지 암.
제1항 또는 제2항에 있어서, 전극 암의 연신율의 시간별 거동을 검출하고 연신율의 검출된 시간별 거동으로부터 전극 암의 가속도 거동을 측정하기 위한 측정 장치를 특징으로 하는 전극 지지 암.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광도파관(3)은 전극 암과 상호 작용하는 방식으로 견고하게 결합되는 모듈 내에 배치되며, 상기 광도파관은 온도 측정을 목적으로 응력 없이, 그리고 자유롭게 이동 가능하게 배치되거나, 또는 연신율 측정을 목적으로 모듈 내에 견고하게 매입되어 배치되는 것을 특징으로 하는 전극 지지 암.
제3항 또는 제4항에 있어서, 전극 암의 가속도 거동을 측정하기 위한 측정 장치가 연신율 측정을 위한 모듈 내에 통합되는 것을 특징으로 하는 전극 지지 암.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광도파관(3) 및/또는 필요에 따라 상기 광도파관을 둘러싸는 튜브(4)는 전극 지지 암(1)의 보어(5) 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 전극 지지 암.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광도파관(3)과 필요에 따라 상기 광도파관을 둘러싸는 튜브(4)는 전극 지지 암(1)의 그루브 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 전극 지지 암.
제7항에 있어서, 상기 그루브는 그루브 바닥부에서 상기 광도파관(3)과 필요에 따라 상기 광도파관을 둘러싸는 튜브(11)를 고정하는 폐쇄 부재에 의해 폐쇄되고, 상기 폐쇄 부재는 특히 그루브 내로 삽입되거나 그루브 내로 주입 성형되는 금속 부분이며, 이 금속 부분은 바람직하게는 마찰 교반 용접을 통해 상기 그루브와 결합되는 것을 특징으로 하는 전극 지지 암.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광도파관(3) 및/또는 필요에 따라 상기 광도파관을 둘러싸는 튜브(4)는 층 내에 배치되며, 상기 층은 전극 지지 암(1)의 표면 또는 그 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 전극 지지 암.
제9항에 있어서, 상기 층은 금속으로, 바람직하게는 구리, 크롬 또는 니켈로, 또는 내온성 비철 금속 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 전극 지지 암.
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 광도파관(3)과 필요에 따라 상기 광도파관을 둘러싸는 튜브(4)가 상기 층의 재료에 의해 완전하게 둘러싸이는 것을 특징으로 하는 전극 지지 암.
제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 층은 전극 지지 암(1)의 표면 또는 그 내부에 전기 도금되는 것을 특징으로 하는 전극 지지 암.
제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 층은 분사 코팅층 또는 화학 코팅층의 형태로 전극 지지 암의 표면 또는 그 내부에 도포되는 것을 특징으로 하는 전극 지지 암.