KR20120127242A - Semiconductor inspection apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 예를 들어 LSI 소자나, LED 소자 및 레이저 소자 등의 발광 소자 등의 검사 대상 디바이스에 대하여 발광 광량 등을 검사하는 반도체 검사 장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the semiconductor test | inspection apparatus which inspects the amount of emitted light, etc. with respect to test | inspection target devices, such as LSI element, light emitting elements, such as an LED element and a laser element.
종래, LED 소자나 레이저 소자 등의 발광 소자의 검사에는, 예를 들어 DC 검사, 광량 검사 및 ESD 검사 등이 있지만, 예를 들어 광량 검사는 인접한 발광 소자로부터의 광이 섞여 정확한 검사를 실시할 수 없기 때문에, 소자 칩마다 각각 실시되고 있었다. 소자 칩의 개편화(個片化) 후에 점착 시트를 인장하여 소자와 인접 소자 사이에 간극을 형성하고, 소자 칩마다의 각 단자에 프로브를 접촉시켜 광량 검사를 실시하고 있다. 이와 같이, LED 소자 주변은, 웨이퍼 개편화 후에 점착 시트를 인장하여 소자와 인접 소자 사이에 간극을 형성하고, LED 소자의 광량 측정을, 시트 상태에서 각각의 소자 칩을 상면으로부터 프로빙하여 실시하고 있다.Conventionally, inspection of light emitting elements, such as LED elements and laser elements, includes DC inspection, light quantity inspection, and ESD inspection, for example, but light quantity inspection, for example, mixes light from adjacent light emitting elements, and can perform an accurate inspection. Since there was no, each device chip was implemented. After the element chip is separated, the pressure-sensitive adhesive sheet is stretched to form a gap between the element and the adjacent element, and the light quantity inspection is performed by bringing a probe into contact with each terminal of each element chip. In this manner, the periphery of the LED element is stretched to form a gap between the element and the adjacent element after the wafer is separated, and the light quantity measurement of the LED element is performed by probing each element chip from the upper surface in the sheet state. .
도 7 은, 종래의 반도체 검사 장치에 의한 광량 검사 방법을 설명하기 위한 모식도이다.It is a schematic diagram for demonstrating the light quantity inspection method by the conventional semiconductor inspection apparatus.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 종래의 반도체 검사 장치 (100) 에 의한 광량 검사 방법으로는, 점착 시트 (101) 상에서 개편화되고 소자와 인접 소자 사이에 간극을 형성한 반도체 웨이퍼 (102) 에 다수 형성된 각 LED 소자 칩 (103) 을 점착 시트 (101) 의 점착 시트 상태인 채로 상방으로부터 각 프로브 (104, 104) 를 강하시켜 LED 소자 칩 (103) 의 각 단자 (103a, 103b) 에 각 프로브 (104, 104) 를 접촉시킨다. 계속해서, 각 프로브 (104, 104) 사이에 소정 전압을 인가하여 발광시켜 광량 검사를 하고, 인접 소자로 이동하여 동일한 동작을 반복한다. 또한, 점착 시트 (101) 로부터 1 칩씩 픽업하여 소정 위치에 위치 결정한다. 다음으로, 위치 결정한 LED 소자 칩 (103) 을 사이에 둔 상태에서 상방으로부터 각 프로브 (104, 104) 를 강하시켜 LED 소자 칩 (103) 의 각 단자 (103a, 103b) 에 각 프로브 (104, 104) 를 접촉시킨다. 계속해서, 각 프로브 (104, 104) 사이에 소정 전압을 인가하여 발광시켜 광량 검사를 한다. 그 후, 별도의 점착 시트 상에 LED 소자 칩을 첩부(貼付)하고 있다. As shown in FIG. 7, in the light quantity inspection method by the conventional
다음으로, 특허문헌 1 에는, 점착 시트 자체에 전극을 갖게 하여 LED 소자 칩의 이면 콘택트를 가능하게 하는 장치가 개시되어 있다.Next,
도 8 은, 특허문헌 1 에 개시되어 있는 종래의 반도체 검사 장치에 의한 검사 방법을 설명하기 위한 주요부 종단면도이다.FIG. 8: is a principal part longitudinal cross-sectional view for demonstrating the inspection method by the conventional semiconductor inspection apparatus disclosed by
도 8 에 있어서, 종래의 반도체 검사 장치 (200) 에 있어서, 웨이퍼 프로세스에 의해 발광 소자 칩 (201) 이 다수 형성된 웨이퍼에 있어서의 발광 소자 칩 (201) 의 이면 (201a) 에 도전성 점착 시트 (202) 를 첩부하고, 웨이퍼를 분할하고, 도전성 점착 시트 (202) 를 늘여 각 발광 소자 칩 (201) 사이를 분리한다. 도전성 점착 시트 (202) 에 테스터 (203) 의 리드 (204) 를 접속시킨다. 분리된 발광 소자 칩 (201) 에, 프로브 전극 (205), 광로 변환부 (206) 및 수광 소자 (207) 를 포함하는 이동대 (208) 를 접근시킨다. 발광 소자 칩 (201) 의 상부 전극 (209) 을, 테스터 (203) 에 배선 접속된 프로브 전극 (205) 의 선단으로 눌러, 테스터 (203) 로부터 프로브 전극 (205) 을 통하여 구동 전류를 상부 전극 (209) 에 흘려 발광 소자 칩 (201) 을 발광시킨다. 발광 소자 칩 (201) 의 단면(端面)으로부터 횡향으로 나온 광을 광로 변환부 (206) 에서 상향 광으로 하여 수광 소자 (207) 에서 수광한다. 또한, 광로 변환부 (206) 로부터의 분기 광을 스펙트럼 애널라이저 (210) 에 넣고 발광 스펙트럼을 조사한다. 그 후, 이동대 (208) 를 들어올리고 전도성의 스테이지 (211) 를 횡방향으로 이동시켜, 다음의 발광 소자 칩 (201) 의 검사를 도전성 점착 시트 (202) 상에서 순차적으로 실시한다. 이로써, 칩 반송의 횟수를 감소시키고, 반송계를 보다 간단화하여, 반송에 수반되는 시간, 수고를 삭감하고, 반송에 수반되는 칩 손상의 가능성을 감소시키고 있다.In FIG. 8, in the conventional
상기 종래의 반도체 검사 장치 (100) 에서는, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 점착 시트 (101) 상의 LED 소자 칩 (103) 의 x-y-θ 보정을 실시하면서 프로브 (104) 에 의해 콘택트하였다. 이 때문에, 위치 맞춤의 시간을 필요로 하는 것과, 점착 시트 (101) 를 인장한 상태에서, 반도체 웨이퍼 (102) 에 다수 형성된 각 LED 소자 칩 (103) 을 순차적으로 검사하므로, LED 소자 칩 (103) 의 배열 어긋남에 따라서는 프로브 (104) 가 콘택트할 수 없다는 문제가 있었다. 또한, 반도체 웨이퍼 (102) 에 다수 형성된 각 LED 소자 칩 (103) 을 1 개씩 순차 측정하기 때문에 긴 검사 시간을 필요로 하였다. In the said conventional
또한, LED 소자 칩 (103) 에서 발광한 광은 상방뿐이 아니라 하방의 점착 시트 (101) 측에도 조사되는데, 점착 시트 (101) 가 광을 흡수하여 상측에서 광량을 측정하였다고 해도 정확한 광량 검사를 실시할 수 없다. 통상적으로는, 점착 시트 (101) 측에는 반사판이 형성되어 LED 소자 칩 (103) 으로부터 하측으로 조사된 광도 전방을 향해지도록 되어 있다. The light emitted from the
다음으로, 특허문헌 1 에 개시되어 있는 상기 종래의 반도체 검사 장치 (200) 에서는, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 점착 시트 (202) 자체에 전극을 갖게 하여 이면의 콘택트를 가능하게 하기는 하지만, LED 소자의 경우, 사파이어 유리를 베이스로 하기 때문에, 사파이어 유리의 연마에 의해 얇게 깎는 등, 발광 소자 칩 (201) 의 이면 (201a) 에 전극을 형성하는 것은 매우 곤란하였다. Next, in the conventional
또한, 시트 상태에서의 프로브 전극 (205) 과 상부 전극 (209) 의 콘택트에서는, 대전류 칩의 측정의 경우, 발열에 의해 점착 시트 (202) 가 풀어질 가능성이 높다. 이 때의 시트 온도는 섭씨 200 도 이상이 될 우려가 있다. In addition, in the contact of the
또한, 종래 기술의 시트 상태에서는, 콘택트 이면 발광 (플립 칩) 에 대응하지 못하고, 기존 장치에서는, 점착 시트 (202) 를 개재하여 광학계를 측정하기 때문에, 정확한 측정을 전혀 할 수 없다.In addition, in the sheet state of the prior art, contact backside light emission (flip chip) is not supported, and in the existing apparatus, since the optical system is measured through the
또한, 시트 상태에서 발광 광량을 측정하는 경우, 인접 칩과의 거리에 따라 발광을 방해하기 때문에, 정확한 발광량을 측정할 수 없다. 또한, 점착 시트 (202) 가 개재됨으로써, 이면으로부터의 반사광을 취하지 못해, 실제 사양과 상이한 환경 측정이 되어 버린다. In addition, in the case of measuring the amount of emitted light in the sheet state, since the light emission is disturbed depending on the distance from the adjacent chip, the accurate amount of emitted light cannot be measured. In addition, when the
또한, 시트 방식인 경우에 점착 시트 (202) 를 인장한 상태에서 LED 소자 칩 (201) 을 검사하기 때문에, 각 LED 소자 칩 (201) 에 점착 시트 (202) 의 인장에 의한 θ 어긋남이 발생한다는 문제가 있었다.In the sheet system, since the
본 발명은, 상기 종래의 문제를 해결하는 것으로, 점착 시트를 인장한 상태에서의 발광 소자의 광량 검사시에 발생하는 배열 어긋남에 따른 미스콘택트에 의한 문제, 긴 검사 시간의 문제, 소자 이면 단자 제작의 문제나 발열의 문제, 이면 발광의 문제를 해소함과 함께, 실제 사양에 합치한 보다 정확한 광량 검사를 효율적으로 실시할 수 있는 반도체 검사 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention solves the said conventional problem, The problem by the miss contact by the misalignment which arises at the time of light quantity inspection of the light emitting element in the state which tensioned the adhesive sheet, The problem of long test time, The back surface terminal preparation It is an object of the present invention to provide a semiconductor inspection apparatus that can solve the problem of heat generation, the problem of heat generation, and the problem of backside light emission, and can efficiently perform a more accurate light quantity inspection in accordance with actual specifications.
본 발명의 반도체 검사 장치는, 복수의 스테이지가 형성되고 그 복수의 스테이지를 이동시키는 인덱스 테이블 수단과, 그 복수의 스테이지에 복수의 반도체 칩을 탑재하고 그 복수의 반도체 칩을 검사하는 검사 수단을 갖는 것이며, 그로 인해 상기 목적이 달성된다.A semiconductor inspection apparatus of the present invention includes a plurality of stages formed with index table means for moving the plurality of stages, and inspection means for mounting a plurality of semiconductor chips in the plurality of stages and inspecting the plurality of semiconductor chips. The above object is thereby achieved.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 반도체 검사 장치에 있어서의 스테이지 상에 탑재되고, 상기 반도체 칩이 내부에 수용되어 통전 가능하게 되는 소켓 수단을 추가로 갖는다.Furthermore, it is preferable to further have a socket means mounted on the stage in the semiconductor inspection device of the present invention, the semiconductor chip being housed therein to enable energization.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 반도체 검사 장치에 있어서의 소켓 수단은, 상기 반도체 칩의 상면 또는 하면의 각 단자에 대하여 전기적으로 접속 가능하게 구성되어 있다. Preferably, the socket means in the semiconductor inspection apparatus of the present invention is configured to be electrically connected to each terminal on the upper or lower surface of the semiconductor chip.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 반도체 검사 장치에 있어서, 반도체 웨이퍼를 개편화한 후의 복수의 반도체 칩 중, 이보다 적은 복수의 반도체 칩을, 상기 인덱스 테이블의 복수의 스테이지 중, 이보다 적은 복수의 스테이지에 이송하는 제 1 이송 수단을 추가로 갖는다. Preferably, in the semiconductor inspection apparatus of the present invention, among the plurality of semiconductor chips after the semiconductor wafer is separated into pieces, a plurality of semiconductor chips having fewer fewer than this are among the plurality of stages of the index table, which have fewer stages than this. It further has a 1st conveying means to convey to.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 반도체 검사 장치에 있어서의 반도체 칩이 발광 소자 칩으로서, 상기 검사 수단은 그 발광 소자 칩의 광학 검사 및 DC 특성 검사를 실시한다. Preferably, the semiconductor chip in the semiconductor inspection apparatus of the present invention is a light emitting element chip, and the inspection means performs optical inspection and DC characteristic inspection of the light emitting element chip.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 반도체 검사 장치에 있어서의 소켓 수단은, 상기 반도체 칩의 탑재면에 반사판이 형성되어 있다. Preferably, in the socket means in the semiconductor inspection apparatus of the present invention, a reflecting plate is formed on the mounting surface of the semiconductor chip.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 반도체 검사 장치에 있어서의 소켓 수단은, 상기 반도체 칩의 주변부를 개방하고 있거나 또는 그 주변부에 광 투과재가 형성되어 있다. Preferably, in the socket means in the semiconductor inspection apparatus of the present invention, the peripheral portion of the semiconductor chip is opened or a light transmitting material is formed in the peripheral portion thereof.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 반도체 검사 장치에 있어서의 검사 후의 소켓 수단 내의 반도체 칩을 별도 시트에 검사 결과에 따라 이송하는 제 2 이송 수단을 추가로 갖는다. Moreover, Preferably, it further has a 2nd transfer means which transfers the semiconductor chip in the socket means after the inspection in the semiconductor inspection apparatus of this invention to a separate sheet according to an inspection result.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 반도체 검사 장치에 있어서의 제 1 이송 수단 및 제 2 이송 수단은, 복수의 반도체 칩을 일괄적으로 이송하는 경우에, 이송처(處)와 이송원(元)의 그 복수의 반도체 칩의 픽업 피치가 상이하다. Further, preferably, the first transfer means and the second transfer means in the semiconductor inspection apparatus of the present invention, when collectively transferring a plurality of semiconductor chips, the transfer destination and the transfer source. The pick-up pitches of the plurality of semiconductor chips are different.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 반도체 검사 장치에 있어서의 소켓 수단은, 상기 반도체 칩을 내부에서 위치 결정하는 위치 결정 기구를 갖는다. Further, preferably, the socket means in the semiconductor inspection device of the present invention has a positioning mechanism for positioning the semiconductor chip therein.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 반도체 검사 장치에 있어서의 검사 수단은, 상기 인덱스 테이블 수단의 각 스테이지에 소정의 각 측정 기능을 갖는다. Preferably, the inspection means in the semiconductor inspection device of the present invention has predetermined respective measurement functions at each stage of the index table means.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 반도체 검사 장치에 있어서의 인덱스 테이블 수단의 각 스테이지에 형성된 검사 수단 전부를 동시에 구동시켜 동시에 검사한다.In addition, preferably, all the inspection means formed in each stage of the index table means in the semiconductor inspection device of the present invention are simultaneously driven and inspected at the same time.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 반도체 검사 장치에 있어서의 소켓 수단은, 소켓 덮개 개폐 기구에 의해 개폐가 이루어진다. Moreover, Preferably, the socket means in the semiconductor inspection apparatus of this invention opens and closes by a socket cover opening / closing mechanism.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 반도체 검사 장치에 있어서의 인덱스 테이블 수단은, 외형이 평면에서 보아 원 형상, 타원 형상, 장원 형상 외에, 모서리 부분이 둥글게 된 삼각 형상, 사각 형상, 다각 형상 및 반원 형상, 또한 1 또는 복수의 직선상 중 어느 것이다. Preferably, the index table means in the semiconductor inspection apparatus of the present invention preferably has a triangular shape, a square shape, a polygonal shape, a polygonal shape, and a semicircle with rounded corners, in addition to a circular shape, an ellipse shape, and a rectangular shape when the external shape is viewed in a plane. The shape is either one or a plurality of straight lines.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 반도체 검사 장치에 있어서의 인덱스 테이블 수단은 그 스테이지가 복수 연속하여 직선상으로 나열된 부분을 갖는다. Further, preferably, the index table means in the semiconductor inspection apparatus of the present invention has a portion of which the stage is arranged in a straight line.
또한, 바람직하게는, 본 발명의 반도체 검사 장치에 있어서의 인덱스 테이블 수단은, 개편화한 반도체 웨이퍼의 검사 대상인 복수의 반도체 칩의 배치 위치의 주위 근방에, 1 또는 복수 배치되어 있다. Moreover, Preferably, the index table means in the semiconductor inspection apparatus of this invention is arrange | positioned in the vicinity of the arrangement | positioning vicinity of the arrangement position of the some semiconductor chip which is the inspection target of the individualized semiconductor wafer.
상기 구성에 의해, 이하, 본 발명의 작용을 설명한다.With the above arrangement, the operation of the present invention will be described below.
본 발명에 있어서는, 복수의 스테이지가 형성되고 그 복수의 스테이지를 이동시키는 인덱스 테이블 수단과, 그 복수의 스테이지에 복수의 반도체 칩을 탑재하고 그 복수의 반도체 칩을 검사하는 검사 수단을 갖는다. In the present invention, a plurality of stages are formed, and index table means for moving the plurality of stages, and inspection means for mounting a plurality of semiconductor chips in the plurality of stages and inspecting the plurality of semiconductor chips.
이로써, 점착 시트를 인장한 상태에서 직접 검사하는 것이 아니라, 인덱스 테이블 수단을 개재하여 검사하기 때문에, 점착 시트를 인장한 상태에서의 발광 소자의 광량 검사시에 발생하는 폐해가 개선된다. 예를 들어 배열 어긋남에 따른 미스콘택트에 의한 문제, 긴 검사 시간의 문제, 소자 이면 단자 제작의 문제나 발열의 문제, 이면 발광의 문제를 해소함과 함께, 실제 사양에 합치한 보다 정확한 광량 검사를 효율적으로 실시할 수 있게 된다.As a result, instead of inspecting the adhesive sheet directly in the tensioned state, the inspection is performed through the index table means, so that the damage occurring during the light quantity inspection of the light emitting element in the tensioned state of the adhesive sheet is improved. For example, it solves the problem of miscontact due to misalignment, the problem of long inspection time, the problem of terminal backside fabrication and the heat generation, and the problem of backside light emission. It can be carried out by.
이상에 의해, 본 발명에 의하면, 인덱스 방식에 의해 복수 개를 칩 어긋남이 없는 상태에서 동시에 측정할 수 있게 된다. 또한, 인덱스 테이블의 채용에 의해, DC 특성 검사, 광학계 검사 (적분구) 의 배치 및 그 설치수를 임의로 배치할 수 있음으로써 동시 측정수를 늘릴 수 있게 된다. As described above, according to the present invention, a plurality of pieces can be simultaneously measured by the index method in a state where there is no chip shift. In addition, by employing the index table, the number of simultaneous measurements can be increased by arranging the DC characteristic test, the optical system test (integration sphere), and the number of installations thereof arbitrarily.
또한, 소켓 방식이기 때문에, 발열 및 차광의 문제 없이 측정할 수 있으며, 또한 콘택트면 발광, 콘택트 이면 발광에 용이하게 대응할 수 있어, 실제 사양에 가까운 상태에서 측정할 수 있게 된다.In addition, because of the socket system, the measurement can be performed without problems of heat generation and light shielding, and it is possible to easily cope with light emission on the contact surface and light emission on the back surface of the contact, so that the measurement can be performed in a state close to the actual specification.
이와 같이, 점착 시트를 인장한 상태에서의 발광 소자의 광량 검사시에 발생하는 배열 어긋남에 따른 미스콘택트에 의한 문제, 긴 검사 시간의 문제, 소자 이면 단자 제작의 문제나 발열의 문제, 이면 발광의 문제를 해소함과 함께, 실제 사양에 합치한 보다 정확한 광량 검사를 효율적으로 실시할 수 있다. As described above, problems caused by mis-contact due to misalignment occurring during light quantity inspection of the light emitting element in the state where the pressure-sensitive adhesive sheet is tensioned, problems of long inspection time, problems of device backside terminal production and heat generation, and back light emission In addition to solving the problem, more accurate light quantity inspection that meets the actual specifications can be efficiently performed.
도 1 은, 본 발명의 실시형태 1 에 있어서의 반도체 검사 장치를 사용한 반도체 검사 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 2 의 (a) 는, 제 1 광량 검사와 제 1 DC 특성 검사를 실시하는 경우의 도 1 의 인덱스 테이블의 평면도이고, (b) 는, 제 1 광량 검사와 제 1 DC 특성 검사 후에 제 2 광량 검사와 제 2 DC 특성 검사를 실시하는 경우의 도 1 의 인덱스 테이블의 평면도이며, (c) ? (e) 는, 도 1 의 소켓의 각 사례를 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 3 의 (a) ? (c) 는, LED 소자 칩에 대한 도 1 의 소켓의 위치 결정 기구를 설명하기 위한 종단면도이다.
도 4 는, 도 1 의 반도체 검사 장치에 사용하는 소켓 덮개 개방 기구를 나타내는 측면도이다.
도 5 는, 도 1 의 반도체 검사 장치에 사용하는 소켓 덮개 누름 기구를 나타내는 측면도이다.
도 6 은, 본 발명의 실시형태 2 에 있어서의 반도체 검사 장치를 사용한 반도체 검사 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 7 은, 종래의 반도체 검사 장치에 의한 광량 검사 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 8 은, 특허문헌 1 에 개시되어 있는 종래의 반도체 검사 장치에 의한 검사 방법을 설명하기 위한 주요부 종단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram for demonstrating the semiconductor inspection method using the semiconductor inspection apparatus in
(A) is a top view of the index table of FIG. 1 at the time of performing a 1st light quantity test and a 1st DC characteristic test, (b) is a 2nd after a 1st light quantity test and a 1st DC characteristic test. It is a top view of the index table of FIG. 1 at the time of performing a light quantity test and a 2nd DC characteristic test, (c)? (e) is a perspective view which shows typically each example of the socket of FIG.
(A) of FIG. (c) is a longitudinal cross-sectional view for demonstrating the positioning mechanism of the socket of FIG. 1 with respect to an LED element chip.
FIG. 4 is a side view illustrating the socket lid opening mechanism used in the semiconductor inspection device of FIG. 1. FIG.
FIG. 5 is a side view illustrating the socket lid pressing mechanism used in the semiconductor inspection device of FIG. 1. FIG.
FIG. 6: is a schematic diagram for demonstrating the semiconductor inspection method using the semiconductor inspection apparatus in
It is a schematic diagram for demonstrating the light quantity inspection method by the conventional semiconductor inspection apparatus.
FIG. 8: is a principal part longitudinal cross-sectional view for demonstrating the inspection method by the conventional semiconductor inspection apparatus disclosed by
이하에, 본 발명의 반도체 검사 장치의 실시형태 1, 2 에 대하여 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서의 구성 부재의 각각의 두께나 길이 등은 도면 작성상의 관점에서, 도시하는 구성에 한정되는 것은 아니다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Below,
(실시형태 1) (Embodiment 1)
도 1 은, 본 발명의 실시형태 1 에 있어서의 반도체 검사 장치를 사용한 반도체 검사 방법을 설명하기 위한 모식도이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram for demonstrating the semiconductor inspection method using the semiconductor inspection apparatus in
도 1 에 있어서, 본 실시형태 1 의 반도체 검사 장치 (1) 는, 복수의 스테이지 (21) 가 형성되고, 복수의 스테이지 (21) 를 이동시키는 원 형상의 인덱스 테이블 수단으로서의 인덱스 테이블 (2) 과, 스테이지 (21) 상에 탑재되고, 반도체 칩으로서의 LED 소자 칩 (5) 이 내부에 수용되어 통전 가능하게 되는 소켓 수단으로서의 소켓 (6) 과, 반도체 웨이퍼 (4) 를 개편화한 후의 복수의 LED 소자 칩 (5) 중, 이보다 수가 적은 1 또는 복수의 LED 소자 칩 (5) 을, 인덱스 테이블 (2) 의 복수의 스테이지 (21) 중, 이보다 수가 적은 1 또는 복수의 스테이지 (21) 상의 각 소켓 (6) 에 이송하는 제 1 이송 수단으로서의 피커 (71) 와, 복수의 스테이지 (21) 에 복수의 LED 소자 칩 (5) 을 탑재하여 복수의 LED 소자 칩 (5) 을 검사하는 검사 수단 (도시 생략) 과, 검사 후의 소켓 (6) 내의 LED 소자 칩 (5) 을 별도 시트 상에 검사 결과에 따라 이송하는 제 2 이송 수단으로서의 피커 (72, 73) 를 갖고 있다.In FIG. 1, the
인덱스 테이블 (2) 은, 복수의 스테이지 (21) 가 등간격으로 형성된 평면에서 보아 원형의 회전 테이블이다. 인덱스 테이블 (2) 은, 1 스테이지 (21) 분씩 회전하고, 각 스테이지 (21) 에는 소켓 (6) 이 자유롭게 탈착될 수 있도록 탑재되어 있다. The index table 2 is a circular rotary table viewed in a plane in which a plurality of
소켓 (6) 은, 점착 시트 (3) 상에서 개편화된 반도체 웨이퍼 (4) 에 다수 형성된 각 LED 소자 칩 (5) 을 순차적으로 재치하여 위치 결정함과 함께 LED 소자 칩 (5) 의 각 단자에 소정 전압을 인가할 수 있게 한다. 이와 같이, 소켓 (6) 은, LED 소자 칩 (5) 을 내부에서 위치 결정하는 위치 결정 기구를 갖기 때문에, 칩 사이즈가 바뀌어도 대응할 수 있도록 구성되어 있다. 소켓 (6) 은, 상세하게 후술하는 소켓 덮개 개폐 기구에 의해 개폐를 실시한다.The
피커 (71) 는, 점착 시트 (3) 상의 LED 소자 칩 (5) 을 소켓 (6) 내에 세팅한다. 피커 (71) 는, 점착 시트 (3) 상의 LED 소자 칩 (5) 을 흡인 등에 의해 픽업하여 꺼내고, 그 LED 소자 칩 (5) 을 소켓 (6) 내에 재치한다. 피커 (72) 는, 소켓 (6) 내의 LED 소자 칩 (5) 을 양품 시트 (81) 에 이송한다. 피커 (73) 는, 소켓 (6) 내의 LED 소자 칩 (5) 을 불량품 시트 (82) 에 이송한다. 피커 (71 ? 73) 에 있어서, 1 개의 LED 소자 칩 (5) 을 이송하는 경우 외에, 복수의 LED 소자 칩 (5) 을 일괄적으로 이송하는 경우에는, 이송처와 이송원의 복수의 LED 소자 칩 (5) 의 픽업 피치가 상이하다. The
검사 수단은, 발광 소자 칩으로서의 LED 소자 칩 (5) 의 광학 검사 (예를 들어 광량 검사의 적분구 (91, 92)) 및 DC 특성 검사 등을 실시한다. 인덱스 테이블 (2) 의 각 스테이지 (21) 마다 소정의 각 측정 기능을 갖는 검사 수단이 탑재되어 있다. 또한, 인덱스 테이블 (2) 의 각 스테이지 (21) 에 형성된 검사 수단 전부를 별도로 또는 동시에 구동시켜 별도로 또는 동시에 검사한다.The inspection means performs optical inspection (for example, the integrating
도 2(a) 는, 제 1 광량 검사와 제 1 DC 특성 검사를 실시하는 경우의 도 1 의 인덱스 테이블의 평면도이고, 도 2(b) 는, 제 1 광량 검사와 제 1 DC 특성 검사 후에 제 2 광량 검사와 제 2 DC 특성 검사를 실시하는 경우의 도 1 의 인덱스 테이블의 평면도이며, 도 2(c) ? 도 2(e) 는 도 1 의 소켓 (6) 의 각 사례를 모식적으로 나타내는 사시도이다. FIG. 2 (a) is a plan view of the index table of FIG. 1 in the case of performing the first light quantity test and the first DC characteristic test, and FIG. 2 is a plan view of the index table in FIG. 1 when the light quantity inspection and the second DC characteristic inspection are performed, and FIG. 2 (c)? FIG. 2E is a perspective view schematically showing each example of the
도 2(a) 에 나타내는 바와 같이, 먼저, 피커 (71) 에 의해 점착 시트 (3) 상의 LED 소자 칩 (5) 을 꺼내고, 그 꺼낸 LED 소자 칩 (5) 을 소켓 (6) 내에 재치한 후에 소켓 (6) 의 덮개 (61) 를 닫는다. 다음으로, 인덱스 테이블 (2) 은 1 스테이지분만큼 회전한 후에 상승하여 적분구 (91) 의 하방 개구부에 소켓 (6) 의 상방 개구부를 합체함으로써, 소켓 (6) 내의 LED 소자 칩 (5) 에 통전되어 발광한 광량을 적분구 (91) 에 의해 정확하게 측정한다. 계속해서, 그 스테이지 (21) 상의 소켓 (6) 과 함께 하방으로 이동하여 적분구 (91) 의 하방 개구부와 소켓 (6) 의 창부 (62) 의 합체를 해제한 후에, 인덱스 테이블 (2) 은 1 스테이지분만큼 회전하여, 소켓 (6) 내의 LED 소자 칩 (5) 에 소정의 전압을 인가하였을 때에 흐르는 전류치 등을 측정하는 DC 특성 검사를 실시한다. As shown to Fig.2 (a), after first taking out the
그 후, 인덱스 테이블 (2) 은 1 스테이지분만큼 회전한 후에, 소켓 (6) 의 덮개가 개방되고, 제 1 광량 검사와 제 1 DC 특성 검사에 있어서 LED 소자 칩 (5) 이 양품인 경우에, 피커 (72) 에 의해 내부로부터 LED 소자 칩 (5) 이 꺼내져 양품 시트 (81) 의 소정 위치에 이송된다. 또한, 인덱스 테이블 (2) 은 추가로 1 스테이지분만큼 회전한 후에, 제 1 광량 검사와 제 1 DC 특성 검사 중 적어도 어느 것에 있어서 LED 소자 칩 (5) 이 불량품인 경우에, 피커 (73) 에 의해 내부로부터 LED 소자 칩 (5) 이 꺼내져 불량품 시트 (82) 의 소정 위치에 불량 항목으로 나누어 이송되어 재치된다. Then, after the index table 2 is rotated by one stage, the cover of the
이와 같이, 인덱스 테이블 (2) 의 임의의 스테이지 (21) 에 광학계 측정 스테이지 (광량 검사) 및 전기 특성 테스트 스테이지 (DC 특성 검사) 를 형성하여, 동시 측정수를 용이하게 증감할 수 있는 기구를 갖고 있다. 한편, 도 2(b) 에서는, 이상의 제 1 광량 검사와 제 1 DC 특성 검사 후에 제 2 광량 검사와 제 2 DC 특성 검사가 이루어지는 경우를 나타내고 있다. Thus, the optical system measuring stage (light quantity test) and the electrical property test stage (DC characteristic test) are formed in the
다음으로, 소켓 (6) 의 각 사례에 대하여 설명한다. Next, each case of the
도 2(c) 에 나타내는 바와 같이, 소켓 (6) 은, 덮개 (61) 가 케이스 (64) 에 대하여 개폐하도록 되어 있다. 소켓 (6) 의 덮개 (61) 에는, 발광한 광을 취출하기 위한 창부 (62) 가 형성되어 있다. 창부 (62) 는 개방되어 있어도 되고, 창부 (62) 에 광 투과재가 형성되어 있어도 된다. 요컨대, 소켓 (6) 은, LED 소자 칩 (5) 의 주변부가 광 취출용으로 개방되어 있어도 되고, 또는 광 취출용으로 주변부에 광 투과재가 형성되어 있어도 된다. As shown in FIG. 2 (c), the
소켓 (6) 은, LED 소자 칩 (5) 을 내부에서 위치 결정하는 위치 결정 기구를 갖는다. 창부 (62) 에 대응하는 덮개 (61) 의 이면으로부터 프로브 또는 각 단자 (63a, 63b) 가 하방으로 돌출되어 있다. 덮개 (61) 를 닫음으로써, 케이스 (64) 의 오목부 (65) 내에 수용되고, 핀 (66) 에 의해 눌려 편측에 접근되어 위치 결정된 상태에서 흡착부 (67) 에 의해 고정된 LED 소자 칩 (5) 의 표면측의 각 단자에, 그 프로브 또는 각 단자 (63a, 63b) 가 각각 접촉하도록 되어 있다. 이로써, LED 소자 칩 (5) 의 표면측의 각 단자에 프로브 또는 각 단자 (63a, 63b) 를 통하여 통전되어 LED 소자 칩 (5) 을 발광시킬 수 있다. 소켓 (6) 은, LED 소자 칩 (5) 의 탑재면측에 반사판이 형성되어 있어, LED 소자 칩 (5) 으로부터의 발광이 반사판에 의해 창부 (62) 측에 조사된다. 이 소켓 (6) 을 사용함으로써, LED 소자 칩 (5) 의 칩 사이즈가 바뀌어도 용이하게 대응할 수 있다.The
도 2(d) 에 나타내는 바와 같이, 소켓 (6A) 도, 덮개 (61) 가 케이스 (64) 에 대하여 상하로 개폐하도록 되어 있다. 소켓 (6A) 의 덮개 (61) 에는, 발광한 광을 취출하기 위한 창부 (62A) 가 형성되어 있다. 케이스 (64) 의 오목부 (65) 의 바닥면으로부터 프로브 또는 각 단자 (63a, 63b) 가 상방으로 돌출되어 있다. 이면 조사형이라도 이면을 위로 하고 표면측의 각 단자를 하측으로 하여 LED 소자 칩 (5) 을, 케이스 (64) 의 오목부 (65) 의 내부에 삽입함과 함께 덮개 (61) 를 닫음으로써 LED 소자 칩 (5) 을 위치 결정 기구에 의해 내부에서 위치 결정할 수 있다. 이와 같이, 덮개 (61) 를 닫음으로써 위치 결정 기구를 구성하는 핀 (66) 을 돌출시키고, 핀 (66) 으로 눌러 LED 소자 칩 (5) 을 편측에 접근시켜 위치 결정한 상태에서 흡착부 (67) 에 의해 고정시킨다. 케이스 (64) 의 오목부 (65) 의 바닥면으로부터 프로브 또는 각 단자 (63a, 63b) 와 LED 소자 칩 (5) 의 각 단자를 접촉시킴으로써 도통시켜, LED 소자 칩 (5) 으로부터의 발광을 상측의 창부 (62A) 로부터 용이하게 취출할 수 있다. 이 경우에도, 소켓 (6A) 은, LED 소자 칩 (5) 의 탑재면측에 반사판이 형성되어 있어, LED 소자 칩 (5) 으로부터의 발광이 반사판에 의해 창부 (62A) 측에 조사된다. 이 소켓 (6A) 을 사용함으로써, LED 소자 칩 (5) 의 칩 사이즈가 바뀌어도 용이하게 대응할 수 있다. As shown to Fig.2 (d), also in the
이상의 소켓 (6, 6A) 은, LED 소자 칩 (5) 의 상면 또는 하면의 각 단자에 대하여 전기적으로 접속 가능하게 구성되어 있다. The
도 2(e) 에 나타내는 바와 같이, 소켓 (6B) 은, 받침대 부재 (69) 의 상측이 개방되어 있다. 소켓 (6B) 은, LED 소자 칩 (5) 을 위치 결정하는 위치 결정 기구를 갖고 있다. 평면에서 보아 사각형의 대각 방향의 2 개의 모서리부 상에, 대각 위치에 배치된 L 자상 부재 (68) 가 그 내측 모퉁이 부분을 대각 방향 중심측으로 자유롭게 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 받침대 부재 (69) 의 중앙 부분 상으로부터 프로브 또는 각 단자 (63a, 63b) 가 상방으로 돌출되어 있고, LED 소자 칩 (5) 이 받침대 부재 (69) 상에 탑재된 시점에서, 대각 위치의 두 개의 L 자상 부재 (68) 를 LED 소자 칩 (5) 과 함께 대각 방향 중심측 (서로 역방향) 으로 이동시켜 LED 소자 칩 (5) 을 위치 결정한다. 이 위치 결정한 상태에서 LED 소자 칩 (5) 을 흡착부 (67) 에 의해 고정시킨다. 이로써, 받침대 부재 (69) 로부터 돌출된 프로브 또는 각 단자 (63a, 63b) 와 LED 소자 칩 (5) 의 각 단자를 접촉시켜 도통시켜, LED 소자 칩 (5) 으로부터의 발광을 상측으로 용이하게 취출할 수 있다. 소켓 (6B) 은, LED 소자 칩 (5) 의 주변부를 개방하고 있다. 이 경우에도, LED 소자 칩 (5) 의 칩 사이즈가 바뀌어도 용이하게 대응할 수 있다. As shown to FIG. 2 (e), the upper side of the
다음으로, LED 소자 칩 (5) 에 대한 소켓 (6) 의 위치 결정 기구에 대하여 도 3(a) ? 도 3(c) 를 사용하여 더욱 상세히 설명한다.Next, the positioning mechanism of the
도 3(a) ? 도 3(c) 는, LED 소자 칩 (5) 에 대한 도 1 의 소켓 (6) 의 위치 결정 기구를 설명하기 위한 종단면도이다. 3 (a)? FIG. 3C is a longitudinal cross-sectional view for explaining the positioning mechanism of the
도 3(a) 에 나타내는 바와 같이, 소켓 (6) 에 있어서, 힌지 (61a) 에 의해 덮개 (61) 가 열린 상태에서 LED 소자 칩 (5) 이 피커 (71) 에 의해 이송되어 케이스 (64) 의 오목부 (65) 내에 재치된다. As shown in FIG. 3A, in the
도 3(b) 에 나타내는 바와 같이, 케이스 (64) 에 대하여 힌지 (61a) 에 의해 덮개 (61) 가 닫힐 때에, 이것에 연동하여, 핀 (66) 이 돌출되어 LED 소자 칩 (5) 의 측면을 눌러 LED 소자 칩 (5) 을 편측에 접근시켜 위치 결정한다. 이 경우, 케이스 (64) 의 오목부 (65) 의 내측면에 평면에서 보아 테이퍼가 붙어 있으면, 핀 (66) 의 돌출 방향과 직교하는 방향으로도 LED 소자 칩 (5) 을 접근시킬 수 있어 LED 소자 칩 (5) 을 정확하게 위치 결정할 수 있다.As shown in FIG. 3 (b), when the
도 3(c) 에 나타내는 바와 같이, 소켓 (6) 에 있어서, 케이스 (64) 에 대하여 힌지 (61a) 에 의해 덮개 (61) 가 닫힌 경우, 덮개 (61) 의 선단의 훅 (61b) 이 케이스 (64) 에 걸어 맞춰져 고정된다. 이 경우에, 프로브 또는 각 단자 (63a, 63b) 와 LED 소자 칩 (5) 의 각 단자가 1 대 1 로 대응하여 서로 접촉한다. 이로써, 프로브 또는 각 단자 (63a, 63b) 와 LED 소자 칩 (5) 의 각 단자를 도통시켜, LED 소자 칩 (5) 으로부터의 발광을 상측의 창부 (62) 를 통하여 용이하게 취출할 수 있다. 소켓 (6) 은, 덮개 (61) 를 닫으면, 그 선단의 훅 (61b) 에 의해 케이스 (64) 에 걸어 맞춰져 덮개 (61) 가 닫힌 채가 되고, 한번 더, 덮개 (61) 를 가압하면, 훅 (61b) 이 케이스 (64) 의 걸어맞춤부로부터 빠져 덮개 (61) 가 용이하게 열리도록 구성되어 있다.As shown in FIG. 3 (c), in the
여기서, 소켓 (6) 을 개폐하는 소켓 덮개 개폐 기구에 대하여 설명한다. 소켓 덮개 개폐 기구는, 도 4 의 소켓 덮개 개방 기구 (10A) 와 도 5 의 소켓 덮개 누름 기구 (10B) 를 갖고 있다. Here, the socket cover opening and closing mechanism which opens and closes the
도 4 는, 도 1 의 반도체 검사 장치 (1) 에 사용하는 소켓 덮개 개방 기구 (10A) 를 나타내는 측면도이다.FIG. 4: is a side view which shows 10A of socket cover opening mechanisms used for the semiconductor test |
도 4 에 있어서, 소켓 덮개 개방 기구 (10A) 는, 회전축 (11) 의 상단에 아암 (12) 이 회전축 (11) 과 함께 자유롭게 회전할 수 있도록 형성되어 있고, 아암 (12) 의 선단 부분이 하방으로 L 자상으로 굴곡된 선단부 (13) 에 의해 소켓 (6) 의 덮개 (61) 상을 가압함으로써, 훅 (61b) 이 빠져 소켓 (6) 의 덮개 (61) 를 열 수 있다. 소켓 덮개 개방 기구 (10A) 는, 인덱스 테이블 (2) 의 하류측에 형성되어 있고, 검사 후의 LED 소자 칩 (5) 을 꺼내기 위하여 소켓 (6) 의 덮개 (61) 를 눌러 여는 기구로 되어 있다. In FIG. 4, the socket
도 5 는, 도 1 의 반도체 검사 장치 (1) 에 사용하는 소켓 덮개 누름 기구 (10B) 를 나타내는 측면도이다.FIG. 5: is a side view which shows the socket cover
도 5 에 있어서, 소켓 덮개 누름 기구 (10B) 는, 회전축 (15) 의 상단에 아암 (16) 이 회전축 (15) 과 함께 자유롭게 회전할 수 있도록 형성되어 있고, 아암 (16) 의 선단 부분이 하방으로 L 자상으로 굴곡된 선단부 (17) 및 그 모서리부 (18) 에 의해, 소켓 (6) 의 덮개 (61) 를 모서리부 (18) 로 도중까지 닫고 선단부 (17) 로 눌러 완전히 닫도록 되어 있다. 이로써, 소켓 (6) 의 덮개 (61) 를 용이하게 닫을 수 있다. 소켓 덮개 누름 기구 (10B) 는, 인덱스 테이블 (2) 의 상류측에 형성되고, 검사 전의 LED 소자 칩 (5) 이 피커 (71) 에 의해 이송되어 소켓 (6) 내에 수용된 후에, 소켓 (6) 의 덮개 (61) 를 닫도록 되어 있다.In FIG. 5, the socket cover
상기 구성에 의해, 이하, 그 동작에 대하여 설명한다.By the above configuration, the operation will be described below.
먼저, 인덱스 테이블 (2) 의 각 스테이지 (21) 에는 칩 사이즈에 맞춘 소켓 (6) 이 착탈식으로 탑재된다. First, the
다음으로, 점착 시트 (2) 상에서 개편화된 반도체 웨이퍼 (3) 에 다수 형성된 각 LED 소자 칩 (5) 을, 점착 시트 (2) 를 인장한 상태에서, 점착 시트 (2) 로부터 1 칩마다 피커 (71) 로 픽업하여 꺼내고, 꺼낸 LED 소자 칩 (5) 을 인덱스 테이블 (2) 의 소정의 스테이지 (21) 상의 소켓 (6) 내에 재치한다. 이 경우, 피커 (71) 에 의해 LED 소자 칩 (5) 을 소켓 (6) 내에 이송 후, 소켓 (6) 은 위치 결정 기구를 갖기 때문에, 피커 (71) 에 의한 칩 이송에 정밀도가 필요 없어 고속 이송이 가능해진다. Next, each
다음으로, 인덱스 테이블 (2) 을 1 스테이지분 회전시킴과 함께, 소켓 덮개 누름 기구 (10B) 에 의해 소켓 (6) 의 덮개 (61) 를 모서리부 (18) 로 도중까지 닫고 선단부 (17) 로 눌러 소켓 (6) 의 덮개 (61) 를 완전히 닫는다. Next, while rotating the index table 2 for one stage, the
계속해서, 인덱스 테이블 (2) 은 상승하여 적분구 (91) 의 하방 개구부에 소켓 (6) 의 창부 (62) 를 합체함으로써, 소켓 (6) 내의 LED 소자 칩 (5) 에 통전되어 발광한 광량을 적분구 (91) 에 의해 정확하게 측정하는 광량 검사를 실시한다. Subsequently, the index table 2 ascends and coalesces the
또한, 인덱스 테이블 (2) 은, 그 스테이지 상의 소켓 (6) 과 함께 하방으로 이동하여 적분구 (91) 의 하방 개구부와 소켓 (6) 의 창부 (62) 의 합체를 해제한 후에, 인덱스 테이블 (2) 은 1 스테이지분만큼 회전하여, 소켓 (6) 내의 LED 소자 칩 (5) 에 소정의 전압을 인가하였을 때에 흐르는 전류치 등을 측정하는 DC 특성 검사를 실시한다.Further, the index table 2 moves downward with the
또한, 인덱스 테이블 (2) 은 1 스테이지분만큼 회전한 후에, 광량 검사와 DC 특성 검사에 있어서 LED 소자 칩 (5) 이 양품인 경우에, 소켓 덮개 개방 기구 (10A) 에 의해 소켓 (6) 의 덮개가 개방되고, 피커 (72) 에 의해 내부로부터 LED 소자 칩 (5) 이 꺼내져 양품 시트 (81) 의 소정 위치에 이송된다. 이 경우에, 측정에 의해 판정된 LED 소자 칩 (5) 이 양품 랭크별로 양품 시트 (81) 에 이재(移載)된다. In addition, after the index table 2 is rotated by one stage, when the
또한, 인덱스 테이블 (2) 은 추가로 1 스테이지분만큼 회전한 후에, 광량 검사와 제 1 DC 특성 검사 중 적어도 어느 것에 있어서 LED 소자 칩 (5) 이 불량품인 경우에, 소켓 덮개 개방 기구 (10A) 에 의해 덮개 (61) 가 개방된 소켓 (6) 의 내부로부터 피커 (73) 에 의해 LED 소자 칩 (5) 이 꺼내져 불량품 시트 (82) 의 소정 위치에 불량 항목으로 나누어 이송된다. Further, after the index table 2 is further rotated by one stage, the socket
이상에 의해, 본 실시형태 1 에 의하면, 복수의 스테이지 (21) 가 형성되고, 복수의 스테이지 (21) 를 이동시키는 인덱스 테이블 (2) 과, 스테이지 (21) 상에 탑재되고, 반도체 칩으로서의 LED 소자 칩 (5) 이 내부에 수용되어 통전 가능하게 되는 소켓 (6) 과, 반도체 웨이퍼 (4) 를 개편화한 후의 복수의 LED 소자 칩 (5) 중, 이보다 수가 적은 1 또는 복수의 LED 소자 칩 (5) 을, 인덱스 테이블 (2) 의 복수의 스테이지 중, 이보다 수가 적은 1 또는 복수의 스테이지 (21) 상의 각 소켓 (6) 에 이송하는 피커 (71) 와, 1 또는 복수의 스테이지 (21) 에 1 또는 복수의 LED 소자 칩 (5) 을 탑재하고 1 또는 복수의 LED 소자 칩 (5) 을 검사하는 검사 수단을 갖고 있다. As described above, according to the first embodiment, a plurality of
이로써, 인덱스 방식에 의해 1 또는 복수 개를 칩 어긋남이 없는 상태에서 동시에 측정할 수 있다. 또한, 소켓 (6) 에 위치 결정 기구를 형성하는 방식에 의해, LED 소자 칩 (5) 의 위치 어긋남이 발생하지 않아, 확실하게 검사를 실시할 수 있다. 또한, 인덱스 테이블 (2) 의 채용에 의해, DC 특성 검사, 광학계 검사 (적분구) 의 배치 및 그 설치수를 임의로 배치할 수 있기 때문에 동시 측정수를 늘릴 수 있다. Thereby, one or more can be measured simultaneously by the index system in the state without a chip shift. Moreover, the position shift of the
또한, 소켓 방식이기 때문에, 발열 및 차광의 문제 없이 측정할 수 있으며, 또한 콘택트면 발광, 콘택트 이면 발광에 용이하게 대응할 수 있어, 실제 사양에 가까운 상태에서 측정할 수 있게 된다. 또한, 인덱스 방식에 의해 종래의 시트 발열 영향을 받지 않는다.In addition, because of the socket system, the measurement can be performed without problems of heat generation and light shielding, and it is possible to easily cope with light emission on the contact surface and light emission on the back surface of the contact, so that the measurement can be performed in a state close to the actual specification. In addition, conventional sheet heating is not affected by the index method.
또한, 소켓 (6) 자체를 반사 사양으로 함으로써, 실제 사양에 가까워, 차광의 영향을 받지 않는 정확한 광량을 측정할 수 있게 된다. In addition, by making the
따라서, 종래와 같이 점착 시트를 인장한 상태에서의 발광 소자의 광량 검사시에 발생하는 배열 어긋남에 따른 미스콘택트에 의한 문제, 긴 검사 시간의 문제, 소자 이면 단자 제작의 문제나 발열의 문제, 이면 발광의 문제를 해소함과 함께, 실제 사양에 합치한 보다 정확한 광량 검사를 효율적으로 실시할 수 있다. Therefore, as a conventional case, problems caused by mis-contact due to misalignment occurring during light quantity inspection of the light emitting element in a state where the pressure-sensitive adhesive sheet is tensioned, problems of long inspection time, problems of terminal backside production and heat generation problem, backside The problem of light emission can be solved, and more accurate light quantity inspection meeting the actual specification can be performed efficiently.
(실시형태 2) (Embodiment 2)
상기 실시형태 1 에서는, 원형의 인덱스 테이블 (2) 의 각 스테이지 (21) 상의 소켓 (6) 에 LED 소자 칩 (5) 을 1 또는 복수 개 (예를 들어 2 개) 씩 이동시켜 순차적으로 또는 동시에 검사하는 경우에 대하여 설명하였지만, 본 실시형태 2 에서는, 장원형의 인덱스 테이블 (2A) 의 각 스테이지 (21A) 상의 복수의 소켓 (6) 에 각 LED 소자 칩 (5) 을 더 많은 소정 수를 일괄적으로 동시에 이동시켜 순차적으로 또는 동시에 검사하는 경우에 대하여 설명한다. 본 실시형태 2 에서는, 양산에 보다 대응할 수 있다.In the first embodiment, one or more (for example, two)
도 6 은, 본 발명의 실시형태 2 에 있어서의 반도체 검사 장치를 사용한 반도체 검사 방법을 설명하기 위한 모식도이다. 또한, 도 6 에서는, 도 1 의 구성 부재와 동일한 작용 효과를 발휘하는 부재에는 동일한 부재 부호를 붙여 설명한다. FIG. 6: is a schematic diagram for demonstrating the semiconductor inspection method using the semiconductor inspection apparatus in
도 6 에 있어서, 본 실시형태 2 의 반도체 검사 장치 (1A) 는, 복수의 스테이지가 형성되고, 복수의 스테이지 (21) 를 일부에서 일직선상으로 이동시키는 인덱스 테이블 수단으로서의 인덱스 테이블 (2A) 과, 스테이지 (21A) 상에 탑재되고, 반도체 칩으로서의 LED 소자 칩 (5) 이 내부에 수용되어 통전 가능하게 되는 소켓 수단으로서의 소켓 (6) 과, 반도체 웨이퍼 (4) 를 개편화한 후의 복수의 LED 소자 칩 (5) 중, 이보다 수가 적은 1 또는 복수의 LED 소자 칩 (5) 을, 인덱스 테이블 (2) 의 복수의 스테이지 중, 이보다 수가 적은 1 또는 복수의 스테이지 (21) 상의 각 소켓 (6) 에 동시에 일괄적으로 이송하는 제 1 이송 수단으로서의 피커 (74) 와, 복수의 스테이지 (21) 에 1 또는 복수의 LED 소자 칩 (5) 을 탑재하고 1 또는 복수의 LED 소자 칩 (5) 을 순차적으로 또는 일괄적으로 검사하는 검사 수단과, 이 검사 후의 소켓 (6) 내의 LED 소자 칩 (5) 을 별도 시트에 검사 결과에 따라 이송하는 제 2 이송 수단으로서의 피커 (72, 73) 를 갖고 있다.In FIG. 6, the semiconductor inspection apparatus 1A of the second embodiment includes a plurality of stages formed, an index table 2A as index table means for moving the plurality of
인덱스 테이블 (2A) 은, 복수의 스테이지 (21A) 가 등간격으로 형성된 평면에서 보아 장원형의 회전 테이블이다. 인덱스 테이블 (2A) 은, 1 스테이지분 또는 소정 스테이지수분씩 회전하고, 각 스테이지 (21) 에는 소켓 (6) 이 각각 자유롭게 탈착될 수 있도록 탑재되어 있다. 인덱스 테이블 (2A) 은, 평면에서 보아 장원형이며, 직선상 부분에 복수의 스테이지 (21) 를 형성할 수 있다. The index table 2A is an oblong rotary table viewed in a plane in which a plurality of
소켓 (6) 은, 상기 실시형태 1 의 경우와 동일하고, 이 인덱스 테이블 (2A) 의 각 스테이지 (21A) 상에 배치되어 LED 소자 칩 (5) 을 통전 구동 가능하게 한다. The
피커 (74) 는, 점착 시트 (3) 상의 소정 수 (복수) 의 LED 소자 칩 (5) 을 일괄적으로 동시에, 장원형의 직선 라인으로 나열된 각 소켓 (6) 내에 각각 세팅할 수 있다. 상기 실시형태 1 의 경우에 복수의 LED 소자 칩 (5) 을 일괄적으로 동시에 이송할 수 있었다고 해도, 인덱스 테이블 (2) 이 원형인 점에서, 2 개의 LED 소자 칩 (5) 이나 기껏해야 수 개이다. 이에 대하여, 인덱스 테이블 (2A) 에서는 직선상 부분에 다수의 스테이지 (21) 를 형성할 수 있기 때문에, 보다 많은 동시 검사에 유리하다.The
피커 (74) 는, 점착 시트 (3) 상의 소정 수 (복수) 의 LED 소자 칩 (5) 의 배열 피치로 1 열로 나열된 다수의 흡착 노즐 (74a) 에 의해, 점착 시트 (3) 상의 1 열의 다수의 LED 소자 칩 (5) 을 일괄적으로 동시에 흡인하여 꺼내고, 그 1 열의 소정 수의 LED 소자 칩 (5) 을, 인덱스 테이블 (2A) 의 직선 라인으로 나열된 다수의 소켓 (6) 의 배열 피치로 소정 수의 흡착 노즐 (74a) 의 피치를 넓혀, 소정 수의 소켓 (6) 내에 각각 각 흡착 노즐 (74a) 에 의해 소정 수 (복수) 의 LED 소자 칩 (5) 을 동시에 재치할 수 있다. The
상기 구성에 의해, 먼저, 점착 시트 (3) 를 인장한 상태에서, 점착 시트 (3) 상의 1 열의 소정 수 (다수) 의 LED 소자 칩 (5) 을 피커 (74) 로 일괄적으로 꺼내고, 인덱스 테이블 (2A) 의 각 스테이지의 피치로 각 흡착 노즐 (74a) 의 피치를 넓혀, 각 스테이지 (21A) 상의 각 소켓 (6) 내에 각각 1 열의 각 흡착 노즐 (74a) 에 의해 소정 수 (다수) 의 LED 소자 칩 (5) 을 일괄적으로 동시에 재치한다. 이와 같이, 피커 (74) 가 점착 시트 (3) 상의 칩 사이즈로 칩을 복수 흡착 후에, 인덱스 테이블 (2A) 의 스테이지 사이즈로, 소정 수의 각 흡착 노즐 (74a) 이 고정된 아암을 벌릴 수 있기 때문에, 소정 수 (다수) 의 LED 소자 칩 (5) 을 한 번의 이동에 의해 일괄적으로 동시에 각 소켓 (6) 내에 재치할 수 있다. 그 후에는, 상기 실시형태 1 의 경우와 동일하다. By the said structure, first, in the state which tensioned the
이상에 의해, 본 실시형태 2 에 의하면, 피커 (74) 의 흡착 노즐 (74a) 을 복수 개 설치한 구조로 하고, 점착 시트 (3) 를 늘인 칩 간격으로부터 인덱스 테이블 (2A) 의 직선 부분의 스테이지 간격으로 간격을 넓히는 기구를 가짐으로써, 검사 처리 능력으로 율속(律速)하는 픽 & 플레이스 시간을 대폭 삭감할 수 있다. 또한, 임의의 스테이지 (21A) 에 광학계 측정, 전기 특성 테스트 스테이지를 형성하여, 동시 측정수를 용이하게 증감시킬 수 있는 기구를 가질 수 있다.By the above, according to this
또한, 상기 실시형태 1 에서는, 인덱스 테이블 (2) 은, 외형이 평면에서 보아 원 형상이고, 그 스테이지 (21) 가 외주측에 소정 간격을 두고 형성되도록 구성하고, 상기 실시형태 2 에서는, 인덱스 테이블 (2A) 은, 외형이 평면에서 보아 장원 형상이고, 그 스테이지 (21A) 가 복수 연속하여 직선상으로 나열된 부분을 갖도록 구성하였지만, 이것에 한정되지 않고, 외형이 평면에서 보아 타원 형상 외에, 모서리 부분이 둥글게 된 평면에서 보아 삼각 형상, 사각 형상, 다각 형상 및 반원 형상 중 어느 것이어도 되고, 또한 1 또는 복수의 직선상이어도 된다. 요컨대, 복수의 스테이지 (21 이나 21A) 가 복수 연속하여 직선상으로 나열된 부분을 갖도록 구성되어 있으면, 일괄 검사 처리시에 유리하다.In addition, in the said
또한, 상기 실시형태 1 에서는, 인덱스 테이블 (2, 2A) 은, 개편화한 반도체 웨이퍼 (4) 의 검사 대상인 복수의 반도체 칩으로서의 복수의 LED 소자 칩 (5) (예를 들어 10 만 개) 의 배치 위치의 주위 근방에, 1 개 배치되는 경우에 대하여 설명하였지만, 이것에 한정되지 않고, 인덱스 테이블 (2, 2A) 이, 개편화한 반도체 웨이퍼 (4) 의 검사 대상인 복수의 LED 소자 칩 (5) (예를 들어 10 만 개) 의 배치 위치의 주위 근방이며, 서로 대향하는 반대측에 2 지점 배치되어 있어도 된다. 요컨대, 개편화한 반도체 웨이퍼 (4) 의 양측에, 인덱스 테이블 (2, 2A) 중 어느 것이 형성되어 있어도 된다. 요컨대, 개편화한 반도체 웨이퍼 (4) 의 편측에 인덱스 테이블 (2) 이 형성되고, 개편화한 반도체 웨이퍼 (4) 의 다른 편측에 인덱스 테이블 (2A) 이 형성되어 있어도 된다. 요컨대, 인덱스 테이블 (2, 2A) 이, 개편화한 반도체 웨이퍼 (4) 의 검사 대상인 복수의 LED 소자 칩 (5) (예를 들어 10 만 개) 의 배치 위치의 주위 근방에 복수 지점 배치되어 있어도 된다. In addition, in the said
이상과 같이, 본 발명의 바람직한 실시형태 1, 2 를 사용하여 본 발명을 예시해 왔지만, 본 발명은, 이 실시형태 1, 2 에 한정하여 해석되어야 하는 것은 아니다. 본 발명은, 특허 청구의 범위에 의해서만 그 범위가 해석되어야 한다는 것이 이해된다. 당업자는, 본 발명의 구체적인 바람직한 실시형태 1, 2 의 기재로부터, 본 발명의 기재 및 기술 상식에 기초하여 등가의 범위를 실시할 수 있다는 것이 이해된다. 본 명세서에 있어서 인용한 특허, 특허 출원 및 문헌은, 그 내용 자체가 구체적으로 본 명세서에 기재되어 있는 것과 마찬가지로 그 내용이 본 명세서에 대한 참고로서 원용되어야 한다는 것이 이해된다.As mentioned above, although this invention was illustrated using
본 발명은, 예를 들어 LSI 소자나, LED 소자 및 레이저 소자 등의 발광 소자 등의 검사 대상 디바이스에 대하여 발광 광량 등을 검사하는 반도체 검사 장치의 분야에 있어서, 인덱스 방식에 의해 복수 개를 칩 어긋남이 없는 상태에서 동시에 측정할 수 있게 된다. 또한, 인덱스 테이블의 채용에 의해, DC 특성 검사, 광학계 검사 (적분구) 의 배치 및 그 설치수를 임의로 배치할 수 있기 때문에 동시 측정수를 늘릴 수 있게 된다. 또한, 소켓 방식이기 때문에, 발열 및 차광의 문제 없이 측정할 수 있으며, 또한 콘택트면 발광, 콘택트 이면 발광에 용이하게 대응할 수 있어, 실제 사양에 가까운 상태에서 측정할 수 있게 된다. 따라서, 점착 시트를 인장한 상태에서의 발광 소자의 광량 검사시에 발생하는 배열 어긋남에 따른 미스콘택트에 의한 문제, 긴 검사 시간의 문제, 소자 이면 단자 제작의 문제나 발열의 문제, 이면 발광의 문제를 해소함과 함께, 실제 사양에 합치한 보다 정확한 광량 검사를 효율적으로 실시할 수 있다. The present invention is, for example, in the field of a semiconductor inspection apparatus for inspecting the amount of emitted light for inspection target devices such as LSI elements, light emitting elements such as LED elements and laser elements, a plurality of chip shifts by an index method. Can be measured simultaneously without. In addition, by employing the index table, the arrangement of the DC characteristic inspection, the optical system inspection (integrating sphere), and the number of installation thereof can be arbitrarily arranged, thereby increasing the number of simultaneous measurements. In addition, because of the socket system, the measurement can be performed without problems of heat generation and light shielding, and it is possible to easily cope with light emission on the contact surface and light emission on the back surface of the contact, so that the measurement can be performed in a state close to the actual specification. Therefore, problems caused by mis-contact due to misalignment occurring during light quantity inspection of the light emitting element in a state where the adhesive sheet is tensioned, problems of long inspection time, problems of device backside terminal production or heat generation, and problems of backside light emission In addition to this, it is possible to efficiently perform a more accurate light quantity inspection in accordance with the actual specifications.
1, 1A : 반도체 검사 장치
2, 2A : 인덱스 테이블
21, 21A : 스테이지
3 : 점착 시트
4 : 반도체 웨이퍼
5 : LED 소자 칩
6, 6A, 6B : 소켓
61 : 덮개
61a : 힌지
61b : 훅
64 : 케이스
62, 62A : 창부
63a, 63b : 프로브 또는 각 단자
65 : 케이스의 오목부
66 : 핀
67 : 흡착부
68 : L 자상 부재
69 : 받침대 부재
71 ? 74 : 피커
74a : 흡착 노즐
81 : 양품 시트
82 : 불량품 시트
91, 92 : 적분구
10A : 소켓 덮개 개방 기구
11 : 회전축
12 : 아암
13 : 선단부
10B : 소켓 덮개 누름 기구
15 : 회전축
16 : 아암
17 : 선단부
18 : 모서리부1, 1A: semiconductor inspection device
2, 2A: index table
21, 21A: stage
3: adhesive sheet
4: semiconductor wafer
5: LED element chip
6, 6A, 6B: socket
61: cover
61a: hinge
61b: Hook
64: case
62, 62A: window
63a, 63b: probe or each terminal
65: recess of the case
66: pin
67: adsorption unit
68: L-shaped member
69: pedestal member
71? 74: picker
74a: adsorption nozzle
81: good sheet
82: defective sheet
91, 92: integrating sphere
10A: socket cover opening mechanism
11:
12: arm
13: tip
10B: Socket Cover Pushing Mechanism
15: axis of rotation
16: arm
17: tip
18: corner
Claims (17)
상기 스테이지 상에 탑재되고, 상기 반도체 칩이 내부에 수용되어 통전 가능하게 되는 소켓 수단을 추가로 갖는, 반도체 검사 장치. The method of claim 1,
And a socket means mounted on the stage, wherein the semiconductor chip is housed therein to enable energization.
상기 소켓 수단은, 상기 반도체 칩의 상면 또는 하면의 각 단자에 대하여 전기적으로 접속 가능하게 구성되어 있는, 반도체 검사 장치. The method of claim 2,
The socket means is a semiconductor inspection device configured to be electrically connected to respective terminals on the upper or lower surface of the semiconductor chip.
반도체 웨이퍼를 개편화한 후의 복수의 반도체 칩 중, 이보다 적은 복수의 반도체 칩을, 상기 인덱스 테이블의 복수의 스테이지 중, 이보다 적은 복수의 스테이지에 이송하는 제 1 이송 수단을 추가로 갖는, 반도체 검사 장치. The method of claim 1,
The semiconductor inspection apparatus which further has the 1st conveyance means which conveys fewer semiconductor chips among several semiconductor chips after individual-ized semiconductor wafer to several less stages among the several stages of the said index table. .
상기 반도체 칩이 발광 소자 칩으로서, 상기 검사 수단은 상기 발광 소자 칩의 광학 검사 및 DC 특성 검사를 실시하는, 반도체 검사 장치. The method of claim 1,
The semiconductor chip is a light emitting element chip, and the inspection means performs an optical inspection and a DC characteristic inspection of the light emitting element chip.
상기 소켓 수단은, 상기 반도체 칩의 탑재면에 반사판이 형성되어 있는, 반도체 검사 장치. The method according to claim 2 or 3,
The said socket means is a semiconductor inspection apparatus in which the reflecting plate is formed in the mounting surface of the said semiconductor chip.
상기 소켓 수단은, 상기 반도체 칩의 주변부를 개방하고 있거나 또는 상기 주변부에 광 투과재가 형성되어 있는, 반도체 검사 장치. The method according to claim 2 or 3,
The socket means is a semiconductor inspection apparatus in which a peripheral portion of the semiconductor chip is opened or a light transmitting material is formed in the peripheral portion.
검사 후의 소켓 수단 내의 반도체 칩을 별도 시트에 검사 결과에 따라 이송하는 제 2 이송 수단을 추가로 갖는, 반도체 검사 장치.The method according to claim 1 or 4,
And a second transfer means for transferring the semiconductor chip in the socket means after the test to a separate sheet according to the test result.
상기 제 1 이송 수단은, 복수의 반도체 칩을 일괄적으로 이송하는 경우에, 이송처(處)와 이송원(元)의 상기 복수의 반도체 칩의 픽업 피치가 상이한, 반도체 검사 장치. The method of claim 4, wherein
The said 1st conveyance means is a semiconductor inspection apparatus in which the pick-up pitch of the some semiconductor chip of a transfer destination and a transfer source differs, when conveying a some semiconductor chip collectively.
상기 제 1 이송 수단 및 상기 제 2 이송 수단 중 적어도 상기 제 2 이송 수단은, 복수의 반도체 칩을 일괄적으로 이송하는 경우에, 이송처와 이송원의 상기 복수의 반도체 칩의 픽업 피치가 상이한, 반도체 검사 장치. The method of claim 8,
At least the second conveying means of the first conveying means and the second conveying means has a different pick-up pitch of the plurality of semiconductor chips of the transfer destination and the conveying source when the plurality of semiconductor chips are collectively conveyed. Semiconductor inspection device.
상기 소켓 수단은, 상기 반도체 칩을 내부에서 위치 결정하는 위치 결정 기구를 갖는, 반도체 검사 장치. The method according to claim 2 or 3,
And the socket means has a positioning mechanism for positioning the semiconductor chip therein.
상기 검사 수단은, 상기 인덱스 테이블 수단의 각 스테이지에 소정의 각 측정 기능을 갖는, 반도체 검사 장치. The method of claim 1,
And said inspection means has predetermined respective measurement functions at each stage of said index table means.
상기 인덱스 테이블 수단의 각 스테이지에 형성된 검사 수단 전부를 동시에 구동시켜 동시에 검사하는, 반도체 검사 장치. 13. The method of claim 12,
And inspecting all of the inspection means formed at each stage of the index table means at the same time for inspection.
상기 소켓 수단은, 소켓 덮개 개폐 기구에 의해 개폐가 이루어지는, 반도체 검사 장치. The method according to claim 2 or 3,
The said socket means is a semiconductor inspection apparatus which opens and closes by a socket cover opening / closing mechanism.
상기 인덱스 테이블 수단은, 외형이 평면에서 보아 원 형상, 타원 형상, 장원 형상 외에, 모서리 부분이 둥글게 된 삼각 형상, 사각 형상, 다각 형상 및 반원 형상, 또한 1 또는 복수의 직선상 중 어느 것인, 반도체 검사 장치. The method of claim 1,
The index table means may be any one of a triangular shape, a rounded shape, a square shape, a polygonal shape, a semicircle shape, and one or a plurality of straight lines in addition to the circular shape, the ellipse shape, and the oblong shape when viewed from a plane. Semiconductor inspection device.
상기 인덱스 테이블 수단은 그 스테이지가 복수 연속하여 직선상으로 나열된 부분을 갖는, 반도체 검사 장치.The method of claim 15,
The said index table means is a semiconductor test | inspection apparatus which has the part by which the stage was arranged in linear form in series.
상기 인덱스 테이블 수단은, 개편화한 반도체 웨이퍼의 검사 대상인 복수의 반도체 칩의 배치 위치의 주위 근방에, 1 또는 복수 배치되어 있는, 반도체 검사 장치. The method of claim 1,
The said index table means is a semiconductor inspection apparatus arrange | positioned one or more in the circumference | surroundings of the arrangement | positioning position of the some semiconductor chip which is the inspection target of the separated semiconductor wafer.
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